CN106873839A - 一种触控显示面板及触控显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了一种触控显示面板及触控显示装置，包括：基板；有机发光器件；至少一挡墙，且至少一所述挡墙的宽度为30‑200μm；薄膜封装层，其中所述薄膜封装层覆盖所述至少一挡墙，且所述第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差为0～3μm；电极线，所述电极线至少位于所述基板的非显示区，且至少部分所述电极线位于所述薄膜封装层远离所述挡墙的一侧，且沿所述挡墙延伸的方向设置，其中所述电极线在所述基板上的投影位于所述挡墙在所述基板的投影范围内。本发明将至少部分电极线设置于所述薄膜封装层远离所述挡墙的一侧，且沿所述挡墙延伸的方向设置，充分利用挡墙所在区域的边框区域，从而实现窄边框以及改善断线的风险。

Description

一种触控显示面板及触控显示装置
技术领域
本发明涉及触控显示领域，特别是涉及一种触控显示面板、包含该触控显示面板的触控显示装置。
背景技术
随着移动终端技术的不断发展，具有触控功能的显示屏已经逐渐成为各类移动终端配置的主流屏幕。触控面板的技术原理是当手指或其它介质接触到屏幕时，依据不同感应方式，侦测电压、电流、声波或红外线等，以此测出触压点的坐标位置。
图1是现有技术的一种触控显示面板的结构示意图，图2是现有技术中一种触控显示面板俯视结构示意图，包含基板10’，发光器件20’，薄膜封装层30’，挡墙40’，触控电极50’以及触控电极线60’。为确保边缘触控性能，触控电极50’一般相对显示区A’需要外扩0.5mm左右，加上触控走线60’的宽度，若全部触控电极50’制作于挡墙40’与显示区A’的薄膜封装层30’上则需要很宽的边框范围。若触控走线60’越过第一挡墙41’做在第一挡墙41’和第二挡墙42’之间，则需要跨过较大的段差h2’，容易造成触控走线60’断线而不利于制备。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种触控显示面板、以及包含该触控显示面板的触控显示装置。
第一方面，本发明提供了一种触控显示面板，包括：
基板，包括显示区和非显示区；
有机发光器件，形成于所述基板的显示区内；
至少一挡墙，设置于所述基板的非显示区，其中和所述显示区相邻的挡墙为第一挡墙，且至少一所述挡墙的宽度为30-200μm；
薄膜封装层，设置于所述有机发光器件背离所述基板的一侧，且所述薄膜封装层包含至少一无机封装层和至少一有机封装层，其中所述薄膜封装层覆盖所述至少一挡墙，且所述第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差为0～3μm；
触控电极，位于所述薄膜封装层背离所述基板的一侧，且至少位于所述基板的显示区内；
电极线，所述电极线至少位于所述基板的非显示区，且至少部分所述电极线位于所述薄膜封装层远离所述挡墙的一侧，且沿所述挡墙延伸的方向设置，其中所述电极线在所述基板上的投影位于所述挡墙在所述基板的投影范围内。
第二方面，本发明还提供一种触控显示装置，包含第一方面所述的触控显示面板。
与现有技术相比，本发明将至少一挡墙的宽度设置为30-200μm，第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差为0～3μm，以将至少部分电极线设置于薄膜封装层远离挡墙的一侧，且沿挡墙延伸的方向设置，其中电极线在基板上的投影位于挡墙在基板的投影范围内，以充分利用挡墙所在区域的边框区域，减小单独放置电极线的边框区域从而实现窄边框以及改善断线和短路的风险。
附图说明
图1是现有技术中一种触控显示面板截面结构示意图；
图2是现有技术中一种触控显示面板俯视结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种触控显示面板截面结构示意图；
图4是图3非显示区域的放大示意图；
图5是本发明实施例提供的另一种触控显示面板截面结构示意图；
图6是本发明实施例提供的又一种触控显示面板截面结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种互电容触控显示面板截面结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种互电容触控显示面板俯视结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种自电容触控显示面板俯视结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种制备触控显示面板步骤流程示意图；
图11a至图11d是本发明实施例提供的一种制备触控显示面板结构流程示意图；
图12是本发明实施例提供的一种触控显示装置示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。将理解，如在通篇说明书及权利要求当中所提及的一个部件位于另一部件的“一侧”包含该部件和该另一部件相邻或者不相邻的情形。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的一个部件位于另一部件“上”包含该部件和该另一部件相邻或者不相邻的情形。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
请参考图3和图4，图3是本发明实施例提供的一种触控显示面板截面结构示意图，图4是图3非显示区域的放大示意图。触控显示面板100包括基板10，包含显示区A和非显示区B；有机发光器件20，形成于基板10的显示区A内，至少一挡墙40，设置于基板10的非显示区B，其中和显示区A相邻的挡墙为第一挡墙41，且至少一挡墙40的宽度为30-200μm,如图4所示，该宽度可以为上底宽度L；薄膜封装层30，设置于有机发光器件20背离基板10的一侧，且薄膜封装层30包含至少一无机封装层和至少一有机封装层，其中薄膜封装层30覆盖至少一挡墙40，且第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40的段差h2为0～3μm；触控电极50，位于薄膜封装层30背离基板10的一侧，且至少位于基板10的显示区A内；电极线60，至少位于基板10的非显示区B且至少部分电极线60位于薄膜封装层30远离挡墙40的一侧，且沿挡墙40延伸的方向设置，其中电极线60在基板10上的投影位于挡墙40在基板10的投影范围内。本发明实施例通过设置至少一挡墙40的宽度为30-200μm，从而至少将部分电极线设置在薄膜封装层30远离挡墙40的一侧，且沿挡墙40延伸的方向设置，其中电极线60在基板10上的投影位于挡墙40在基板10的投影范围内，充分利用边框的区域，减小单独放置电极线的宽度，以实现窄边框。通过设置第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差h2为0～3μm，降低电极线由于爬坡而造成的断线风险。
基板10可选地为柔性基板，柔性基板与有机发光器件20、薄膜封装层30相配合形成柔性显示面板。柔性基板的材料本发明不限制，可选地为有机聚合物，作为示例，有机聚合物可以是聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚苯醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环烯烃共聚物(COC)中的一种。
本发明实施例中的有机发光器件20设置于基板10的显示区A内，在基板10朝向薄膜封装层30的一侧有机发光器件20依次包含平坦化层，薄膜晶体管层和器件层70。器件层70至少包含阳极层71、发光层72和阴极层73，并且可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层。器件层70还可以包括像素定义层74，该像素定义层74将发光层72限定出多个子像素区域。发光层72可以是红色发光层、绿色发光层或蓝色发光层。发光层72可以是单个白色发光层。发光层72可具有红色发光层、绿色发光层和/或蓝色发光层的层叠结构。当发光层72具有层叠结构时，可包括滤色器(未示出)。空穴注入层和/或空穴传输层可被设置在阳极层71与发光层72之间。电子注入层和/或电子传输层可被设置在阴极层73与发光层72之间。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可形成于基板10的整个显示区域A上。器件层70的结构和材料可采用已知技术，在此不予赘述。
进一步地，有机发光器件20进一步包括设有为实现显示所需的薄膜晶体管层90、多条数据线金属层和多条扫描线金属层(未示出)。其中，薄膜晶体管层90至少包括有源层、源极、漏极、栅极、绝缘层，薄膜晶体管层90的漏极与器件层70的阳极层71电性连接；多条数据线金属层和多条扫描线金属层彼此交叉，其中，数据线金属层电性连接至薄膜晶体管层90的源极，扫描线金属层电性连接至薄膜晶体管层90的栅极。工作时，扫描线金属层通过薄膜晶体管层90的栅极控制各子像素的开关，数据线金属层通过薄膜晶体管层90的源极与器件层70的阳极层71电性连接，在各子像素对应的薄膜晶体管打开时，为各子像素提供数据信号，控制各子像素的显示。薄膜晶体管层90的具体结构可采用已知技术，在此不予赘述。
进一步地，有机发光器件20还包括位于薄膜晶体管层90上的平坦化层80，器件层70的阳极层71位于该平坦化层80上，并通过位于平坦化层80中的过孔与薄膜晶体管层90的漏极电性连接。薄膜封装层30设置于有机发光器件20背离基板10的一侧，且薄膜封装层30包含至少一无机封装层和至少一有机封装层，其中薄膜封装层30覆盖至少一挡墙40，且第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40段差之间的段差h2为0～3μm；，本发明实施例中，在非显示区，至少部分电极线60位于薄膜封装层远离挡墙40的一侧，即挡墙40、薄膜封装层30，电极线60在基板10的投影至少部分重叠。
可选地，薄膜封装层30包含至少一有机封装层和至少一无机封装层。其中，有机封装层的材料可包括聚合物，如可以是由聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸脂、环氧树脂、聚乙烯、聚丙烯酸酯、有机硅氧烷形成的单层或堆叠层。无机封装层可以是包含金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。例如无机封装层可包含SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的任一种。
可选地，参见图3，为了方便说明，本发明实施例在有机发光器件20背离基板10的一侧依次包含第一无机封装层31，有机封装层32和第二无机封装层33，第一挡墙41和第二挡墙42，第一挡墙41的作用是限定有机封装层32的边界，使有机封装层32不越过挡墙，以减小边框；第二挡墙42的作用是防止裂纹扩展。第一无机封装层31和第二无机封装层32越过第一挡墙41，以进一步改善边框区域的阻水氧效果，防止水氧从侧面渗入，造成对有机发光器件20发光性能的影响。本发明实施例中，可以将电极线60部分或全部设置在第一挡墙41背离基板10的一侧，且位于第二无机封装层33背离挡墙的一侧，即挡墙40、第二无机封装层33，触控电极线60在基板的投影至少部分重叠，以充分利用边框区域的宽度，实现窄边框。
可选地，参见图4，图4是图3非显示区域的放大示意图。为了将电极线60设置在挡墙40上，实现窄边框和避免断线现象，发明人通过大量实现发现，挡墙40的宽度L可以为30～200μm，以将部分或者所有的电极线60设置在挡墙40上，可选地，挡墙的宽度L可以为60～70μm，以将至少部分电极线设置在挡墙40上，以达到窄边框的效果。可选地，挡墙的高度h1可以为4～6μm以使电极线60可以较好地越过挡墙40而不断线。可选地，第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差h2为0～3μm，减小电极线60的爬坡障碍。发明人通过制备第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差h2分别为2μm、3μm和5μm的触控显示面板，发现段差h2为2μm时，触控电极线可以较好地位于挡墙的爬坡处而不出现短路和断路现象，段差为3μm时，爬坡良率可以达到90％，当段差h2为5μm时90％出现爬坡处短路的情况。可选地，本发明实施例使第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差h2为0-3μm，可选地，本领域技术人员根据实际需求也可以设置段差h2为0-2μm。可选地，挡墙的倾斜角α可以为10°～30°，挡墙40的倾斜角α设置在该范围内，电极线可以较好地设置在挡墙40上，而没有断线，良率较高，且能保持较好的对有机封装层的限定作用以及能够很好地阻止边缘裂纹扩展。
可选地，电极线60可以包含触控电极线61，触控电极线61至少位于基板10的非显示区B内，且触控电极线61和触控电极50连接。
可选地，电极线60还可以包含接地线62，至少部分接地线62设置在薄膜封装层30背离基板10的一侧，且沿挡墙40延伸的方向设置，其中该接地线62在基板10上的投影位于挡墙40在基板10的投影范围内。以减小单独设置接地线的边框区域，以实现窄边框。
可选地，参见图5，图5是本发明实施例提供的另一种触控显示面板截面结构示意图。本发明实施例中，为了充分利用边框区域的宽度，电极线60还可以设置在两道挡墙之间。为了方便说明，可选地，本发明实施例可以包含2道挡墙40，包含第一挡墙41和第二挡墙42，在第一挡墙41和第二挡墙42之间也可以设置有电极线60，以达到实现窄边框的效果。可选地，本发明实施例中，2道挡墙之间可以设置有多条电极线60，对此，本发明实施例不做限制，本领域技术人员可以根据需求设置所需要的电极线数目。可选地，在2道挡墙之间设置一条电极线60时，工艺上更易制备，电极线的制备精度更高。
参见图6，图6是本发明实施例提供的又一种触控显示面板截面结构示意图，本发明实施例中，挡墙40设置有凹槽，至少部分电极线位于凹槽内。在挡墙40的顶部设置凹槽，由于挡墙40上的薄膜封装层30的厚度较薄不能完全填补凹槽，从而使位于薄膜封装层上的电极线也位于挡墙内，从而有效防止相邻的电极线彼此接触而造成短路的现象。本发明实施例中，触控显示面板可以为自电容式触控显示面板或互电容式触控显示面板。
参见图7，图7是本发明实施例提供的一种互电容触控显示面板截面结构示意图，包含异层且交叉设置的第一电极51和第二电极52，其中第一电极51位于有机封装层32和第二无机封装层33之间，第二电极52位于第二无机封装层33远离基板10的一侧，纵向设置的第一电极51与横向设置的第二电极52列之间形成互电容以实现触控功能。每条第一电极51和第二电极52分别与触控电极线61连接，通过触控电极线61将触控信号传输给探测芯片(未视出)。
参见图8，图8是本发明实施例提供的另一种互电容触控显示面板俯视结构示意图。包含同层且交叉设置的第一电极51和第二电极52，第一电极51和第二电极52之间彼此电绝缘，其中第一电极51通过跨桥连接。在两组电极交叉的地方将会形成电容，也即这两组电极分别构成了电容的两极。当手指触摸到电容屏时，影响了触摸点附近两个电极之间的耦合，从而改变了这两个电极之间的电容量。横向的电极依次发出激励信号，纵向的所有电极同时接收信号，这样可以得到所有横向和纵向电极交汇点的电容值大小，即整个触摸屏的二维平面的电容大小。根据触摸屏二维电容变化量数据，可以计算出每一个触摸点的坐标。因此，屏上即使有多个触摸点，也能计算出每个触摸点的真实坐标。触控电极线61和触控电极50相连，将触控信号传输出去，其中可以将至少部分触控电极线61设置在挡墙40上。可选地，第一电极51和第二电极52可以位于有机封装层32和第二无机封装层33之间或者第一电极51和第二电极52还可以位于第二无机封装层33背离基板10的一侧，本领域技术人员可以根据实际需求设置第一电极51和第二电极52的位置，本发明在此不做限定。
参见图9，图9为本发明实施例提供的一种自电容触控显示面板俯视结构示意图。包含触控电极50，触控电极50为自电容电极，触控电极线61和触控电极50相连。具体的，该自电容触控显示面板包括：阵列排布的多个触控电极50，每个触控电极分别通过一根触控电极线与探测芯片(未示出)连接。当手指未触摸触控显示面板的可触控区域时，各触控电极50的电容为一固定值；当手指触摸触控显示面板的可触控区域时，触摸点处触控电极50的电容为固定值叠加人体电容，触控显示面板可以根据该自电容的变化确定出触摸点位置，进而进行相应显示。可选地，本发明实施例中的第一电极51和第二电极52可以位于有机封装层32和第二无机封装层33之间或者第一电极51和第二电极52还可以位于第二无机封装层33背离基板10的一侧，本领域技术人员可以根据实际需求设置第一电极51和第二电极52的位置，本发明在此不做限定。
触控电极50和电极线60的材料可以为氧化铟锡，金属网格，金属纳米材料，石墨烯，导电高分子，碳纳米管中的任意一种。触控电极和电极线采用喷墨印刷，丝网印刷，激光刻蚀中的任意一种工艺形成。触控电极50的形状可以为矩形、菱形等块状电极，对此本发明实施例不做限定。可选地，触控电极50还可以是金属网格，以降低电阻以及提高光学效果。本发明实施例的触控显示面板可以采用如下方法制备，参见图10：
S1:提供一基板10，该基板10包含显示区A和非显示区B；
需要说明的是，基板10为柔性基板时，需要在一刚性载体上形成柔性基板，该刚性载体可以是玻璃基板或石英基板，在该玻璃基板或石英基板上通过旋涂法等方法制备柔性基板。
S2：在基板10的显示区A内形成有机发光器件20；
其中，形成有机发光器件20包含如下步骤，参见图11b和图11c，在基10上形成薄膜晶体管90，多条数据线金属层和多条扫描线金属层(未示出)。其中，薄膜晶体管层90至少包括有源层、源极、漏极、栅极、绝缘层，薄膜晶体管层90的漏极与有机发光器件20的阳极层71电性连接；多条数据线金属层和多条扫描线金属层彼此交叉，其中，数据线金属层电性连接至薄膜晶体管层90的源极，扫描线金属层电性连接至薄膜晶体管层90的栅极。参见图11c，在薄膜晶体管90上形成平坦化层80，并对平坦化层80进行刻蚀形成凹槽。在平坦化层上依次形成阳极层71、像素定义层74、发光层72以及阴极层73，从而形成器件层70。其中，器件层70的阳极层71位于该平坦化层80上，并通过位于平坦化层80中的过孔与薄膜晶体管层90的漏极电性连接。器件层70还可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层。可以在阳极层71与发光层72之间制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一层或多层，在发光层72与阴极层73之间制备空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层。
S3：在基板10的非显示区B形成至少一挡墙40，其中和显示区A相邻的挡墙为第一挡墙，且至少一挡墙的宽度为30-200μm；
可选地，参见图11c，在形成平坦化层80和像素定义层74的过程中在基板的非显示区域制备至少一挡墙40。挡墙40的宽度可以为30～200μm，可选地，挡墙的宽度可以为60～70μm，挡墙的倾斜角可以为10°～30°。
S4：在有机发光器件20背离基板10的一侧设置薄膜封装层30，且薄膜封装层30包含至少一无机封装层和至少一有机封装层，其中薄膜封装层30覆盖至少一挡墙40，且第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差h2为0～3μm；
S5：在薄膜封装层背离基板10的一侧设置触控电极50以及电极线60。其中该触控电极50至少位于基板10的显示区内；为了使边缘区域具有较好的触控效果，制备触控电极50时可以将触控电极向非显示区B进行适当的外扩。该电极线60至少位于基板10的非显示区B，其中至少部分电极线B位于薄膜封装层30远离挡墙40的一侧，且沿挡墙40延伸的方向设置，其中电极线60在基板10上的投影位于挡墙40在基板10的投影范围内。可选地，电极线60可以包含触控电极线61，该触控电极线61和触控电极50电连接。电极线60还可以包含接地线62，其中接地线62可以和触控电极线61同一道制程制备。
可选地，触控电极50和电极线60的材料可以为氧化铟锡，金属网格，金属纳米材料，石墨烯，导电高分子，碳纳米管中的任意一种。触控电极和电极线采用喷墨印刷，丝网印刷，激光刻蚀中的任意一种工艺形成。触控电极50的形状可以为矩形、菱形等块状电极，对此本发明实施例不做限定。可选地，触控电极50还可以是金属网格，以降低电阻以及提高光学效果。
本发明实施例中，挡墙40的宽度可以为30～200μm，以将所有的电极线60全部设置在挡墙40上，可选地，挡墙的宽度可以为60～70μm，以将至少部分电极线设置在挡墙40上，以达到窄边框的效果。可选地，挡墙的高度可以为4～6μm以使电极线可以较好地越过挡墙40而不断线。可选地，第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差h2为0～3μm，减小电极线60的爬坡障碍。可选地，挡墙的倾斜角可以为10°～30°，大量实验发现，挡墙40的倾斜角α设置在该范围内，触控电极可以较好地设置在挡墙40上，而没有断线，良率较高，且能保持较好的对有机封装层的限定作用以及能够很好地阻止边缘裂纹扩展。可选地，挡墙40包含第一挡墙41和第二挡墙42。可选地，制备挡墙时，还可以在挡墙上刻蚀形成凹槽，使电极线位于凹槽内，以防止相邻的电极线相互接触而造成短路的情况。
可选地，在有机发光器件20背离基板10的一侧形成薄膜封装层30，薄膜封装层30包括至少一有机封装层和至少一无机封装层。可选地，参见图11d，薄膜封装层30依次包含第一无机封装层31、有机封装层32和第二无机封装层33，在有机发光器件20背离基板10的一侧形成第一无机封装层31，在第一无机封装层31背离基板10的一侧设置有机封装层32，在有机封装层32背离基板的一侧形成第二无机封装层33，其中薄膜封装层30覆盖至少一挡墙40。可选地，本发明实施例中无机封装层可以采用化学气相沉积的工艺形成，有机封装层可以采用喷墨印刷的工艺形成。
可选地，本发明实施例的触控显示面板可以为自电容触控显示面板，可以包含同层且交叉绝缘设置的第一电极51和第二电极52，其中第二电极通过跨桥连接，可以在制备第二无机封装层33后在第二无机封装层33背离基板的一侧制备第一电极和第二电极。可选地，可以在制备有机封装层32之后制备第一电极51和第二电极52。
可选地，本发明实施例的自电容触控显示面板还可以为异层交叉且绝缘设置的第一电极51和第二电极52，在制备有机封装层32后制备第一电极51，在制备第二无机封装层33之后制备第二电极52。
可选地，本发明实施例的触控显示面板还可以是自电容触控显示面板，包含阵列排布的多个触控电极61，该触控电极61可以在制备有机封装层32之后制备，也可以在制备第二无机封装层33之后制备，对此本发明不做限定。
本发明实施例提供的显示面板的制备方法中，将至少部分的电极线60设置在挡墙上，以充分利用边框区域的宽度，实现窄边框。
本发明实施例还提供一种触控显示装置200，图12为本发明实施例提供的触控显示装置的示意图。如图12所示，该触控显示装置包括上述任意实施例中的触控显示面板100。可选地，本发明实施例提供的触控显示装置可以为有机发光触控显示装置。本发明实施例提供的触控显示装置包括上述实施例中的触控显示面板，因此本发明实施例提供的触控显示装置也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。
本发明实施例将至少一挡墙的宽度设置为至少一所述挡墙的宽度为30-200μm，以将至少部分电极线设置于基板的非显示区，且至少部分电极线位于薄膜封装层远离挡墙的一侧，且沿挡墙延伸的方向设置，其中电极线在基板上的投影位于挡墙在基板的投影范围内，以充分利用挡墙所在区域的边框区域，减小单独放置电极线的边框区域从而实现窄边框以及将第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差设置为0～3μm，改善电极线由于爬坡而造成的断线和短路的风险。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (21)

1.一种触控显示面板，其特征在于，包括：
基板，包括显示区和非显示区；
有机发光器件，形成于所述基板的显示区内；
至少一挡墙，设置于所述基板的非显示区，其中和所述显示区相邻的挡墙为第一挡墙，且至少一所述挡墙的宽度为30-200μm；
薄膜封装层，设置于所述有机发光器件背离所述基板的一侧，且所述薄膜封装层包含至少一无机封装层和至少一有机封装层，其中所述薄膜封装层覆盖所述至少一挡墙，且所述第一挡墙41和显示区A之间的薄膜封装层30和挡墙40之间的段差为0～3μm；
触控电极，位于所述薄膜封装层背离所述基板的一侧，且至少位于所述基板的显示区内；
电极线，所述电极线至少位于所述基板的非显示区，且至少部分所述电极线位于所述薄膜封装层远离所述挡墙的一侧，且沿所述挡墙延伸的方向设置，其中所述电极线在所述基板上的投影位于所述挡墙在所述基板的投影范围内。
2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述电极线包含触控电极线，所述触控电极线至少位于所述基板的非显示区，且所述触控电极线和所述触控电极连接。
3.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述电极线还包含接地线。
4.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述挡墙的高度为4～6μm。
5.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述挡墙的宽度为60～70μm。
6.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述挡墙的倾斜角为10°～30°。
7.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，至少包含2道挡墙，且所述两道挡墙间设置有电极线。
8.根据权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述两道挡墙间设置有1条电极线。
9.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述电极线均位于所述第一挡墙上。
10.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控电极和所述电极线的材料为氧化铟锡，金属网格，金属纳米材料，石墨烯，导电高分子，碳纳米管中的任意一种。
11.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控电极和电极线采用喷墨打印，丝网印刷，激光刻蚀、湿法刻蚀中的任意一种工艺形成。
12.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述挡墙上设置有凹槽，至少部分所述电极线位于所述凹槽内。
13.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板为自电容式触控显示面板。
14.根据权利要求13所述的触控显示面板，其特征在于，在所述基板上依次设置有第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
15.根据权利要求14所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控电极包含同层制备的交叉且绝缘的第一触控电极和第二触控电极，所述第一触控电极通过跨桥连接。
16.根据权利要求15所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控电极位于所述第二无机封装层远离所述基板的一侧。
17.根据权利要求15所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控电极位于所述有机封装层和所述第二无机封装层之间。
18.根据权利要求18所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控电极包含异层绝缘设置的第一触控电极和第二触控电极，所述第一触控电极位于所述有机封装层和所述第二无机封装层之间，所述第二触控电极位于所述第二无机封装层背离所述基板的一侧。
19.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板为互电容式触控显示面板。
20.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，在所述基板朝向所述薄膜封装层的一侧所述有机发光器件依次包含平坦化层，薄膜晶体管层和器件层。
21.一种触控显示装置，包含权利要求1～20任意一项所述的触控显示面板。
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