CN104317115B - 像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，其中，所述像素结构包括：多条数据线和多条扫描线；多条数据线和多条扫描线交叉形成的多个像素单元，其中，像素单元与一条数据线和一条扫描线对应；位于像素单元中的像素电极和薄膜晶体管，其中，像素电极具有多条狭缝，狭缝端部具有至少一个拐角区域；其中，像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且该像素电极的至少一个拐角区域向与该像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。本发明的技术方案可以使得延伸后的拐角区域的长度增加，并使拐角区域的端部能够被彩膜基板中的黑色矩阵很好地覆盖，从而可以提高光的透过率。

Description

像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示装置的应用越来越广泛，且显示效果不断地得到改善。
在液晶显示装置中，位于TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板上的像素结构是其重要的组成部分，不同的像素结构可以使液晶显示装置产生不同的显示效果。图1是现有技术的像素结构的结构示意图。如图1所示，在现有技术中，液晶显示装置中的像素结构包括：多条数据线11和多条扫描线12，以及多条数据线11和多条扫描线12交叉形成的多个像素单元13；位于像素单元13中的薄膜晶体管14和像素电极15，其中，像素电极15包括多条狭缝151，且狭缝151的两端(在图1中为狭缝的上端和狭缝的下端)具有拐角区域A1。
从图1中可以看出，受限于像素单元13的尺寸，拐角区域A1的长度不能够太长，否则会使像素电极15断裂。由于拐角区域A1的长度不够，因此在彩膜基板和阵列基板贴合后拐角区域A1的端部不能被彩膜基板中的黑色矩阵很好地覆盖。由于在拐角区域A1的端部形成的电场与在狭缝151其余部分形成的电场对液晶分子的控制不同，因此，在液晶显示装置进行显示时，与狭缝151其余部分形成的电场相比，拐角区域A1的端部形成的电场，会造成光的透过率降低。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有技术中由于拐角区域的长度不够，拐角区域的端部造成光的透过率降低的技术问题。
第一方面，本发明实施例提供一种像素结构，包括：
多条数据线和多条扫描线；
所述多条数据线和所述多条扫描线交叉形成的多个像素单元，其中，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应；
位于所述像素单元中的像素电极和薄膜晶体管，其中，所述像素电极具有多条狭缝，所述狭缝端部具有至少一个拐角区域；
其中，所述像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且所述像素电极的至少一个拐角区域向与所述像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。
第二方面，本发明实施例还提供一种像素结构的制造方法，包括：
形成多个薄膜晶体管；
形成多条数据线和多条扫描线，其中，所述多条数据线和多条扫描线交叉形成多个像素单元，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应，每个像素单元包括一个薄膜晶体管；
形成多个像素电极，每个像素电极位于一个像素单元中，所述像素电极具有多条狭缝，且所述狭缝端部具有至少一个拐角区域，其中，所述像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且所述像素电极的至少一个拐角区域向与所述像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。
第三方面，本发明实施例还提供一种阵列基板，包括上述第一方面所述的像素结构。
第四方面，本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述第三方面所述的阵列基板。
第五方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述第四方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，通过将像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且像素电极的至少一个拐角区域向与该像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸，可以使得延伸后的拐角区域的长度增加，且相应的拐角区域的端部靠近与其所在的像素电极电连接的薄膜晶体管，这样相应的拐角区域的端部在彩膜基板和阵列基板贴合后能够被彩膜基板中的黑色矩阵很好地覆盖，从而可以提高光的透过率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是现有技术的像素结构的结构示意图；
图2a是本发明实施例提供的一种像素结构的结构示意图；
图2b是本发明实施例提供的另一种像素结构的结构示意图
图3a是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图3b是本发明实施例提供的再一种像素结构的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的再一种像素结构的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种像素结构的制造方法的流程示意图；
图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
本发明实施例提供一种像素结构。图2a是本发明实施例提供的一种像素结构的结构示意图。如图2a所示，所述像素结构包括：多条数据线21和多条扫描线22；所述多条数据线21和所述多条扫描线22交叉形成的多个像素单元23，其中，所述像素单元23与一条数据线21和一条扫描线22对应；位于所述像素单元23中的像素电极25和薄膜晶体管24，其中，所述像素电极25具有多条狭缝251，所述狭缝251端部具有至少一个拐角区域A2；其中，所述像素电极25和与其位于同一行的且与其一侧(在图中为左侧)相邻的像素单元23中的薄膜晶体管24电连接，且所述像素电极25的至少一个拐角区域A2向与所述像素电极25电连接的薄膜晶体管24所在的位置处延伸。
需要说明的是，像素单元进行显示是由位于像素单元中的像素电极和与该像素电极电连接的且控制该像素电极的薄膜晶体管来实现的，在薄膜晶体管对像素电极进行控制的同时，也就实现了薄膜晶体管对所述像素电极所在的像素单元的控制。与薄膜晶体管的栅极电连接的扫描线可以控制薄膜晶体管的开启或者关闭，与薄膜晶体管的源极电连接的数据线可以在薄膜晶体管开启时，为与其电连接的像素电极提供数据信号。鉴于此，上述的像素单元23与一条数据线21和一条扫描线22对应，可以理解为：与像素单元23对应的一条数据线21为控制该像素单元23的薄膜晶体管24所电连接的数据线21，与像素单元23对应的一条扫描线22为控制该像素单元23的薄膜晶体管24所电连接的扫描线22。
具体地，参见图2a，将像素电极25和与其位于同一行的且与其一侧(在图中为左侧)相邻的像素单元23中的薄膜晶体管24通过跨线252电连接，其中跨线252与像素电极25采用相同的透明导电材料，例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，简称ITO)或铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，简称IZO)等。由于有跨线252的存在，像素电极25的至少一个拐角区域A1可以沿跨线252向与该像素电极25电连接的薄膜晶体管24所在的位置处延伸，与现有技术的像素结构相比，可以使得延伸后的拐角区域A2的长度增加，且相应的拐角区域A2的端部靠近与其所在的像素电极25电连接的薄膜晶体管，这样相应的拐角区域A2的端部在彩膜基板和阵列基板贴合后能够被彩膜基板中的黑色矩阵很好地覆盖，从而可以提高光的透过率。
在本发明实施例中，为了将像素电极25和与其位于同一行的且与其左侧相邻的像素单元23中的薄膜晶体管24实现电连接，优选为薄膜晶体管24的位置靠近与其电连接的像素电极25。通过将薄膜晶体管24的位置靠近与其电连接的像素电极25，一方面可以方便实现两者的电连接，另一方面也可以避免与薄膜晶体管24电连接的像素电极25和该薄膜晶体管24所在像素单元23中的像素电极25之间的相互干扰。
在本发明实施例中，进一步地，与薄膜晶体管24的位置相配合，数据线21在薄膜晶体管24所在的像素单元23中的部分为折线形。由于薄膜晶体管24的位置靠近与其电连接的像素电极25，因此，为了使相应的数据线21与薄膜晶体管24进行电连接，而不遮挡像素电极25，需要将数据线21在薄膜晶体管24所在的像素单元23中的部分设置为折线形，参见图2a。在图2a中的数据线21的折线形仅是一个具体示例，也可以根据实际情况进行设置，只要既能够与相应的薄膜晶体管24进行电连接而又不遮挡像素电极25即可，在此不作限定。
除了图2a所示的像素电极25和与其位于同一行的且与其左侧相邻的像素单元23中的薄膜晶体管24电连接外，参见图2b，像素电极25也可以与其位于同一行的且与其右侧相邻的像素单元23中薄膜晶体管24电连接。关于图2b中的薄膜晶体管24的位置以及数据线在该薄膜晶体管24所在的像素单元23中的设置情况，请参见图2a的相关描述，在此不再赘述。
在本发明实施例中，所述薄膜晶体管24的源极和与其电连接的像素电极25所在的像素单元23对应的数据线21电连接；所述薄膜晶体管24的栅极和与其电连接的像素电极25所在的像素单元23对应的扫描线22电连接。参见图2a，薄膜晶体管24的源极与其所在的像素单元23左侧的数据线21电连接，以为与该薄膜晶体管24电连接的像素电极25提供数据信号；薄膜晶体管24的栅极与其所在的像素单元23下方的扫描线22电连接，以控制与该薄膜晶体管24电连接的像素电极25所在的像素单元23的开启或者关闭。参见图2b，薄膜晶体管24的源极与其所在的像素单元23右侧的数据线21电连接，以为与该薄膜晶体管24电连接的像素电极25提供数据信号；薄膜晶体管24的栅极与其所在的像素单元23下方的扫描线22电连接，以控制与该薄膜晶体管24电连接的像素电极25所在的像素单元23的开启或者关闭。
在图2a和图2b中，像素单元23的排列方式采用了阵列排列。除此之外，像素单元23的排列方式也可以采用交错排列，具体请参见图3a和图3b。关于图3a和图3b所示的交错排列形成的像素结构的详细说明，请参照图2a和图2b的相关描述，在此不再赘述。
具体地，如图2a和图3a所示，像素电极25和与其位于同一行的且与其左侧相邻的像素单元23中的薄膜晶体管24电连接，使得该像素电极25和与其左侧相邻的像素电极25之间的数据线21部分交叠；如图2b和图3b所示，像素电极25和与其位于同一行的且与其右侧相邻的像素单元23中的薄膜晶体管24电连接，使得该像素电极25和与其右侧相邻的像素电极25之间的数据线21部分交叠。
在上述像素结构的基础上，参见图4，像素结构还可以包括：公共电极26，所述公共电极26位于所述像素电极25和与所述像素电极25电连接的薄膜晶体管24的源极242和漏极243所在的膜层之间，且公共电极26与像素电极25之间通过第三绝缘层273电绝缘，公共电极26与源极242和漏极243通过第二绝缘层272电绝缘。此外，在图4中，栅极241上覆盖有第一绝缘层271，且有源层244位于第一绝缘层271上，源极242和漏极243设置在有源层244两侧且分别与有源层244电连接，源极242、漏极243和有源层244通过第一绝缘层271与栅极241电绝缘，以及漏极243与像素电极25电连接。
由于像素电极25和数据线21有交叠，在工作时，在交叠处可能会产生电信号的影响，因此，通过在薄膜晶体管24的源极242和漏极243与像素电极25之间设置公共电极26，可以对像素电极25和数据线21的交叠处起到电信号屏蔽的作用。
需要说明的是，在图4中的薄膜晶体管24的栅极241设置在源极242和漏极243的下方，然而这仅是设置栅极241的具体示例，在其他示例中，栅极241也可以设置在源极242和漏极243的上方，在此不做限定。
本发明实施例还提供一种像素结构的制造方法。图5是本发明实施例提供的一种像素结构的制造方法的流程示意图。如图5所示，所述像素结构的制造方法包括：
步骤301、形成多个薄膜晶体管；
具体地，形成的薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及位于源极和漏极之间的有源区，其中，薄膜晶体管的栅极可以位于源极和漏极上方(顶栅极结构的薄膜晶体管)，也可以位于源极和漏极下方(底栅极结构的薄膜晶体管)，在此不作限定。
步骤302、形成多条数据线和多条扫描线，其中，所述多条数据线和多条扫描线交叉形成多个像素单元，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应，每个像素单元包括一个薄膜晶体管；
步骤303、形成多个像素电极，每个像素电极位于一个像素单元中，所述像素电极具有多条狭缝，且所述狭缝端部具有至少一个拐角区域，其中，所述像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且所述像素电极的至少一个拐角区域向与所述像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。
本发明实施例还提供一种阵列基板。图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参见图6，所述阵列基板包括：玻璃基板41和像素结构42，所述像素结构42为上述各实施例所述的像素结构。
本发明实施例还提供一种显示面板。图7是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图7，所述显示面板包括阵列基板51、与阵列基板51相对设置的彩膜基板52以及位于阵列基板51和彩膜基板52之间的液晶层53，其中，液晶层53由液晶分子531形成。本实施例中的阵列基板51为上述实施例中所述的阵列基板。
需要说明的是，上述显示面板可以具有触控功能，也可以不具有触控功能，在实际制作时，可以根据具体的需要进行选择和设计。其中，触控功能可以为电磁触控功能、电容触控功能或者电磁电容触控功能等。
本发明实施例还提供一种显示装置。图8是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参见图8，显示装置60包括显示面板61，还可以包括驱动电路和其他用于支持显示装置60正常工作的器件。其中，所述显示面板61为上述实施例中所述的显示面板。上述的显示装置60可以为手机、台式电脑、笔记本、平板电脑、电子纸中的一种。
本发明实施例提供的像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，通过将像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且像素电极的至少一个拐角区域向与该像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸，可以使得延伸后的拐角区域的长度增加，且相应的拐角区域的端部靠近与其所在的像素电极电连接的薄膜晶体管，这样相应的拐角区域的端部在彩膜基板和阵列基板贴合后能够被彩膜基板中的黑色矩阵很好地覆盖，从而可以提高光的透过率。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (11)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：
多条数据线和多条扫描线；
所述多条数据线和所述多条扫描线交叉形成的多个像素单元，其中，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应；
位于所述像素单元中的像素电极和薄膜晶体管，其中，所述像素电极具有多条狭缝，所述狭缝端部具有至少一个拐角区域；
其中，所述像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管通过跨线电连接，且所述像素电极的至少一个拐角区域沿所述跨线向与所述像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管的位置靠近与其电连接的像素电极。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，与所述薄膜晶体管的位置相配合，所述数据线在所述薄膜晶体管所在的像素单元中的部分为折线形。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极和与其一侧相邻的像素电极之间的数据线部分交叠。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括：公共电极，所述公共电极位于所述像素电极和与所述像素电极电连接的薄膜晶体管的源极和漏极所在的膜层之间且与两者电绝缘。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和与其电连接的像素电极所在的像素单元对应的数据线电连接；
所述薄膜晶体管的栅极和与其电连接的像素电极所在的像素单元对应的扫描线电连接。
7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素单元的排列方式为交错排列或者矩阵排列。
8.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：
形成多个薄膜晶体管；
形成多条数据线和多条扫描线，其中，所述多条数据线和多条扫描线交叉形成多个像素单元，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应，每个像素单元包括一个薄膜晶体管；
形成多个像素电极，每个像素电极位于一个像素单元中，所述像素电极具有多条狭缝，且所述狭缝端部具有至少一个拐角区域，其中，所述像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且所述像素电极的至少一个拐角区域向与所述像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的像素结构。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。
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