CN105549287B - 像素结构及显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种像素结构及显示面板，该像素结构包括扫描线、数据线、第一和第二主动元件、第一和第二像素电极、第一和第二连接导线。第一像素电极与第二像素电极分别设置于扫描线的第一侧边与第二侧边。第一主动元件的第一漏极与第二主动元件的第二漏极朝向第二像素电极延伸。第一连接导线具有连接第一漏极的第一端以及电性连接第一像素电极的第二端。第二连接导线设置于扫描线上，用以电性连接至一固定电位，其中第一连接导线设置于第二连接导线上，并且在垂直投影方向上与第二连接导线重叠。本发明还公开了具有该像素结构的显示面板。
Description
技术领域
本发明涉及一种像素结构及显示面板，特别是一种可以降低馈通电压效应的像素结构及显示面板
背景技术
液晶显示面板由于具有轻薄短小与节能等优点，已被广泛地应用在各式电子产品上，如智能手机(smart phone)、笔记本电脑(notebook computer)、平板电脑(tablet PC)、平面电视等。液晶显示面板通常包括上基板、下基板以及夹于该上基板与下基板之间的液晶层。液晶显示面板包含多个像素结构，于进行显示时，主动元件提供信号使得像素电极具有像素电压，借此下基板的像素电极、上基板的对向电极以及位于其间的液晶层会形成液晶电容。而为了维持液晶电容的电容值，还包含一储存电容与液晶电容并联。除此之外，液晶显示面板中的像素结构还存在其它寄生电容，例如栅极－漏极寄生电容所产生的馈通电压，影响像素结构的充电特性，使液晶显示面板产生闪烁(flicker)现象，进而影响液晶显示面板的画像品质。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种像素结构及显示面板，其具有低的馈通(Feed Through)电压以及高的开口率。
为了实现上述目的，本发明提供了一种像素结构，包括第一基板、扫描线、至少一数据线、第一像素电极、第二像素电极、第一主动元件、第二主动元件、第一连接导线以及第二连接导线。扫描线设置于第一基板上，扫描线具有第一侧边与第二侧边。至少一数据线设置于第一基板上，其中第一数据线与扫描线交错设置。第一像素电极设置于扫描线的第一侧边。第二像素电极设置于扫描线的第二侧边。第一主动元件与第二主动元件设置于第一基板上，分别与扫描线和至少一数据线电性连接。第一主动元件包括第一漏极，第一漏极朝向第二像素电极延伸。第二主动元件包括第二漏极，第二漏极朝向第二像素电极延伸并与第二像素电极电性连接。第一连接导线具有第一端与第二端，第一连接导线的第一端与第一漏极连接，第一连接导线的第二端与第一像素电极电性连接。第二连接导线与扫描线重叠设置，用以电性连接至一固定电位，其中第一连接导线设置于第二连接导线上，并且在垂直投影方向上与第二连接导线重叠。
为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种像素结构，包括第一基板、扫描线、至少一数据线、第一像素电极、第二像素电极、第一主动元件、第二主动元件、电容线、第一连接导线以及第二连接导线。扫描线设置于第一基板上，扫描线具有第一侧边与第二侧边。至少一数据线设置于第一基板上，其中第一数据线与扫描线交错设置。第一像素电极设置于扫描线的第一侧边。第二像素电极设置于扫描线的第二侧边。第一主动元件与第二主动元件设置于第一基板上，分别与扫描线和至少一数据线电性连接。第一主动元件包括第一漏极，第一漏极朝向第二像素电极延伸。第二主动元件包括第二漏极，第二漏极朝向第二像素电极延伸并与第二像素电极电性连接。电容线设置于第二像素电极的至少一侧边。第一连接导线具有第一端与第二端，第一连接导线的第一端与第一漏极连接，第一连接导线的第二端与第一像素电极电性连接。第二连接导线与扫描线重叠设置，第二连接导线突出于该扫描线的该第二侧边并且电性连接至电容线，其中第一连接导线设置于第二连接导线上，并且在垂直投影方向上与第二连接导线重叠。
为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种像素结构，包括第一基板、扫描线、至少一数据线、第一像素电极、第二像素电极、第一主动元件、第二主动元件、第三主动元件、第一连接导线以及第二连接导线。扫描线设置于第一基板上，扫描线具有第一侧边与第二侧边。至少一数据线设置于第一基板上，其中第一数据线与扫描线交错设置。第一像素电极设置于扫描线的第一侧边。第二像素电极设置于扫描线的第二侧边。第一主动元件设置于第一基板上，与扫描线和至少一数据线电性连接，第一主动元件包括第一源极与第一漏极，其中第一源极电性连接于数据线，第一漏极朝向该第二像素电极延伸。第二主动元件设置于第一基板上，与扫描线和至少一数据线电性连接，其中第二主动元件包括第二漏极，第二漏极朝向该第二像素电极延伸并与该第二像素电极电性连接。第三主动元件设置于第一基板上，与扫描线电性连接，第三主动元件包括第三源极与第三漏极，其中第三源极与第一漏极电性连接。第一连接导线，部分重叠设置于第三主动元件上方，其中第一连接导线具有第一端与第二端，第一端与第一漏极连接，第二端与第一像素电极电性连接。第二连接导线用以电性连接至一固定电位，第二连接导线与第三漏极连接。
为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种由上述像素结构组成的显示面板。显示面板包括多个上述的像素结构、与第一基板相对设置的第二基板，第二基板上配置有对向电极，以及设置于第一基板与第二基板之间的显示介质层。
本发明的技术效果在于：
基于上述，本发明的像素结构及显示面板，其可减少馈通(feed through)电压效应，使像素结构及显示面板不容易产生闪烁(flicker)的现象，也可以解决影像残留(Imagesticking)的问题。因此，本发明的像素结构及显示面板具有理想的品质。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A为本发明第一实施例的像素结构的上视示意图；
图1B图为沿图1A的剖线A-A’绘示的像素结构的剖面示意图；
图2绘示了本发明的第一实施例的显示面板的示意图；
图3A为本发明第二实施例的像素结构的上视示意图；
图3B为沿图3A的剖线B-B’绘示的像素结构的剖面示意图；
图4A为本发明第三实施例的像素结构的上视示意图；
图4B为沿图4A的剖线C-C’绘示的像素结构的剖面示意图；
图5A为本发明第四实施例的像素结构的上视示意图；
图5B为沿图5A的剖线D-D’绘示的像素结构的剖面示意图；
图6A为本发明第五实施例的像素结构的上视示意图；
图6B为沿图6A的剖线E-E’绘示的像素结构的剖面示意图；
图7A为本发明第六实施例的像素结构的上视示意图；
图7B为沿图7A的剖线F-F’绘示的像素结构的剖面示意图；
图8A为本发明第七实施例的像素结构的上视示意图；
图8B为沿图8A的剖线G-G’绘示的像素结构的剖面示意图；
图9A为本发明第八实施例的像素结构的上视示意图；
图9B为沿图9A的剖线H-H’绘示的像素结构的剖面示意图。
其中，附图标记
10、20、30、40、50、60、70、80 像素结构
100 第一基板
1000 显示面板
110 第一连接导线
112、122 第一端
114、124 第二端
120 第二连接导线
132 主干电极
134 多个条状电极
136 狭缝
142 彩色滤光层
144 彩色滤光图案区块
150 遮光图案层
200 第二基板
210 对向电极
300 显示介质层
C1、C2、C3 接触窗
CL1、CL2 共同线
D1、D2 漏极
DL 数据线
E1 第一侧边
E2 第二侧边
GE1、GE2 栅极
GI 绝缘层
GL 扫描线
OP 开口
PE1 第一像素电极
PE2 第二像素电极
PV 保护层
S1、S2 源极
SE1、SE2 半导体层
SW1 第一主动元件
SW2 第二主动元件
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
请参考图1A至图1B图。图1A为本发明第一实施例的像素结构的上视示意图，图1B图为沿图1A的剖线A-A’绘示的像素结构的剖面示意图。如图1A至图1B图所示，本实施例的像素结构10包括第一基板100、扫描线SL、至少一数据线DL、第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第一主动元件SW1、第二主动元件SW2、第一连接导线110、以及第二连接导线120。
第一基板100可为硬质基板或可挠式基板，例如玻璃基板、石英基板、蓝宝石基板、塑胶基板或其它适合的基板。扫描线SL以及数据线DL设置于第一基板100上。扫描线SL以及数据线DL的延伸方向不相同，较佳的是扫描线SL与数据线DL的延伸方向垂直。此外，扫描线SL与数据线DL是分别位于不相同的膜层，且两者之间夹有绝缘层GI。扫描线SL具有第一侧边E1与第二侧边E2。扫描线SL的第一侧边E1与第二侧边E2为两相对面的两侧边；在本实施例中，扫描线SL实质上沿图1A的横向方向X延伸，而扫描线SL的第一侧边E1与扫描线SL第二侧边E2亦主要分别是沿着横向方向X延伸。另外，在变化实施例中，扫描线SL可以沿图1A的纵向方向Y延伸，因此扫描线SL的第一侧边E1与扫描线SL第二侧边E2分别为图1A的右侧边与左侧边，但不以此为限。
第一主动元件SW1、第二主动元件SW2设置于该第一基板100上，与扫描线SL以及数据线DL电性连接。在此，第一主动元件SW1、第二主动元件SW2例如是薄膜晶体管，但不以此为限。第一主动元件SW1包括第一栅极GE1、第一半导体层SE1、第一源极S1与第一漏极D1。第一栅极GE1与扫描线SL连接；第一半导体层SE1对应第一栅极GE1部分重叠设置；绝缘层GI设置于第一半导体层SE1对应第一栅极GE1之间；第一源极S1与第一漏极D1分别设置于第一半导体层SE1的两侧，且第一源极S1与数据线DL连接，其中第一漏极D1由第一源极S1朝向第二像素电极PE2延伸。在本实施例中，第一漏极D1主要沿着数据线的延伸方向延伸，也就是沿着纵向方向Y延伸，但不以此为限。。第二主动元件SW2包括第二栅极GE2、第二半导体层SE2、第一源极S2与第二漏极D2。第二栅极G2与扫描线SL连接；第二半导体层SE2对应第二栅极GE2部分重叠设置；绝缘层GI设置于第二半导体层SE2与第二栅极GE2之间；第一源极S2与第二漏极D2分别设置于第二半导体层SE2的两侧；第一源极S2与第一漏极D1电性连接；第二漏极D2由第二源极S2朝向第二像素电极PE2延伸。在本实施例中，第二漏极D2主要沿着数据线的延伸方向延伸，也就是沿着纵向方向Y延伸，但不以此为限。更详而言之，在本实施例中，第一漏极D1与第二漏极D2是朝向第二像素电极PE2而突出于扫描线SL的该第二侧边E2，也就是说第一漏极D1与第二漏极D2在垂直投影方向Z上，一部分与第一栅极GE1与第二栅极GE2重叠，而另一部分未与第一栅极GE1与第二栅极GE2重叠。
电容线CL1、电容线CL2设置于第一基板100上。电容线CL2可设置于第二像素电极PE2的至少一侧边，举例而言，本实施例的电容线CL2是环绕第二像素电极PE2设置，但不以此为限；例如电容线CL2的形状可以是I形，且位于扫描线SL与第二像素电极PE2；在其他实施例中，电容线CL2的形状也可以是H形或其它不同的形状；此外，电容线CL2可与第二像素电极PE2在垂直投影方向Z上部分重叠以形成第二储存电容。而电容线CL1设置于第一像素电极PE1的至少一侧边，在本实施例中，电容线CL1是设置于第一像素电极PE1的三侧；在其他实施例中，电容线CL1的形状也可以是I形、H形或其它不同的形状；电容线CL1可与第一像素电极PE1在垂直投影方向Z上部分重叠以形成第一储存电容。电容线CL1、电容线CL2分别具有一固定电位，在本实施例中电容线CL1、电容线CL2可连接至一共通电位(Vcom)。
保护层PV覆盖第一主动元件SW1与第二主动元件SW2，其中绝保护层PV具有第一接触窗C1暴露出第一漏极D1、第二接触窗C2暴露出第二漏极D2以及第三接触窗C3暴露出电容线CL2。在本实施例中，第一接触窗C1与第二接触窗C2位于扫描线SL的同一侧(第二侧边E2)，因此可以节省在纵向方向Y上的布局空间以增加开口率。此外，在本实施例中，第一接触窗C1和第二接触窗C2在垂直投影方向Z上是与该电容线CL2重叠，但不以此为限。
在本实施例中，第一主动元件SW1与第二主动元件SW2是以底栅型薄膜晶体管为例，在其他变化实施例中，第一主动元件SW1与第二主动元件SW2也可选用顶栅型薄膜晶体管或其它任何类型的薄膜晶体管。在本实施例中，扫描线SL、第一栅极GE1与第二栅极GE2、电容线CL1、电容线CL2可为同一图案化导电层，例如第一金属层，材料可为金属或合金，且可为单层结构或多层堆叠结构。绝缘层GI的材料可为无机绝缘材料例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，有机绝缘材料或有机无机混成绝缘材料，且其可为单层结构或多层堆叠结构。第一半导体层SE1与第二半导体层SE2可为同一图案化半导体层，材料可为非晶硅、多晶硅，氧化物半导体例如氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,IGZO)或其它适合的半导体材料。数据线DL、第一源极S1、第一漏极D1、第一源极S2与第二漏极D2可为同一图案化导电层，例如第二金属层，其材料可为金属或合金，且其可为单层结构或多层堆叠结构。保护层PV的材料可选用无机绝缘材料例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，或者有机绝缘材料例如环氧树脂或亚克力，且其较佳可选用具有感光特性的有机材料，且保护层PV可为单层结构或多层堆叠结构。
第一像素电极PE1与第二像素电极PE2设置于保护层PV上。并且第一像素电极PE1设置于扫描线SL的第一侧边E1，而第二像素电极PE2设置于扫描线SL的第二侧边E2。第一连接导线110具有第一端112与第二端114，第一连接导线110的第一端112经由第一接触窗C1与第一漏极D1电性连接；第一连接导线110的第二端114与第一像素电极PE1电性连接。第二连接导线120用以电性连接至一固定电位。第二连接导线120具有第一端122与第二端124，第二连接导线120的第一端122突出于扫描线SL的第二侧边E2，并且经由第一接触窗C3电性连接于电容线CL2，具有一固定电位；第二连接导线120的邻近第二端124的区段与该扫描线SL重叠设置。其中该第一连接导线110设置于该第二连接导线120上，并且在垂直投影方向Z上与该第二连接导线120重叠设置。此外，第一连接导线110与第二连接导线120为不同层导电层，第一连接导线110与第二连接导线120之间设置有保护层PV。举例而言，第二连接导线120与数据线DL、第一源极S1、第一漏极D1、第一源极S2与第二漏极D2可为同一图案化导电层，例如第二金属层，其材料可为金属或合金，且其可为单层结构或多层堆叠结构，但不以此为限。又，第一连接导线110与第一像素电极PE1与第二像素电极PE2可为同一图案化导电层，例如图案化透明导电层，其材料可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或其它适合的透明导电材料，或图案化不透明导电层，其材料可为金属、合金或其它适合的不透明导电材料，但不以此为限。更详而言之，第一连接导线110具有转折图案，第一连接导线110的第一端112经由第一接触窗C1与第一漏极D1电性连接后，一部分区段与电容线CL2重叠，另一部分跨越扫描线SL后与第一像素电极PE1连接。第一连接导线110于该扫描线SL上的一重叠区段未单独与扫描线SL在垂直投影方向Z上重叠，亦即第二连接导线120可以作为屏蔽电极，用以屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场。
第一像素电极PE1与第二像素电极PE2可以选用图案化电极(patternedelectrode)。在本实施例中，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2分别具有一主干电极132、多个条状电极134以及多个狭缝136。其中主干电极132为十字形电极，条状电极134与主干电极132连接沿四个不同的方向延伸形成四个配向区，而狭缝136设置于两相邻的条状电极134之间，但不以此为限。举例而言，主干电极132可为一字形电极，条状电极134与主干电极132连接以沿两个不同的方向延伸而形成二个配向区。又，在其他实施例中，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2也可以是具有十字形开口以形成多个配向区的图案化电极结构。第一像素电极PE1与第二像素电极PE2的尺寸可以相同或不相同。
彩色滤光层142设置于保护层PV上，对应于第一像素电极PE1与该第二像素电极PE2设置。彩色滤光层CF具有一开口OP，开口OP暴露第一主动元件SW1与第二主动元件SW2。在本实施例中，开口OP为一沟槽状，位于第一像素电极PE1与该第二像素电极PE2之间。遮光图案层150填入开口OP中。
在本实施例中，像素结构10为1G1D驱动方式的像素结构，亦即第一主动元件SW1与第二主动元件SW2为共用同一条栅极线GL以及数据线DL加以驱动。此外，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2可分别作为两个不同次像素的像素电极，或者作为同一个次像素的主区与副区(或称为亮区或暗区)的像素电极。但不以此为限，举例而言，在其他变化实施中，像素结构10也可利用1G2D的方式驱动，亦即第一主动元件SW1与第二主动元件SW2共用同一条栅极线GL，并分别利用左右两条不同的数据线分别加以驱动第一主动元件SW1与第二主动元件SW2。
本实施例的像素结构10，其第一接触窗C1与第二接触窗C2均位于扫描线SL的同一侧(第二侧边E2)，可以增加开口率；而用以连接第一漏极D1与第一像素电极PE1的第一连接导线110跨越扫描线SL时，是借由第二连接导线120加以屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场，抑制了第一连接导线110与扫描线SL间产生的电容效应，降低了馈通效应，如此可以有效避免闪烁(flicker)现象以及影像残留(Image sticking)问题的发生，提升了显示品质。值得注意的是，本发明实施例中用以屏蔽第一连接导线110的第二连接导线120具有一固定电位，如此第一连接导线110不易与其他线路产生耦合现象，可以避免串扰(crosstalk)。
请参考图2，图2绘示了本发明的第一实施例的显示面板的示意图。显示面板1000包括第一实施例的像素结构10、第二基板200以及显示介质层300。第二基板200可为硬质基板或可挠式基板，例如玻璃基板、塑胶基板或其它适合的基板。第二基板200上配置有对向电极210、配向膜(图未示)等。显示介质层300设置于第一基板100与第二基板200之间。本实施例的显示介质层300选用液晶层，但不以此为限，举例而言，显示介质层40也可包括其它非自发光显示介质层例如电泳显示介质层、或者自发光显示介质层例如有机电激发光显示介质层。此外，本实施例的显示面板1000可为平面显示面板、曲面显示面板、或其它型式的显示面板。本实施例的显示面板100可进一步与背光模块结合而形成显示装置。
本发明的像素结构及显示面板并不以上述实施例为限。下文将依序介绍本发明的其它较佳实施例的像素结构及显示面板，且为了便于比较各实施例的相异处并简化说明，在下文的各实施例中使用相同的符号标注相同的元件，且主要针对各实施例的相异处进行说明，而不再对重复部分进行赘述。
图3A为本发明第二实施例的像素结构的上视示意图，图3B为沿图3A的剖线B-B’绘示的像素结构的剖面示意图。请同时参照图1A至图1B图。本实施例的像素结构20与第一实施例所绘示的像素结构10相似，主要差异之处为：本实施例的像素结构20中还包含彩色滤光图案区块144，彩色滤光图案区块144设置于保护层PV上，且对应于第二连接导线120设置。遮光图案层150填入开口OP中。在本实施例中，遮光图案层150部分覆盖彩色滤光图案区块144，但不以此为限。如前所述，在本实施例中，除了第二连接导线120屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场，还设置了彩色滤光图案区块144增加第一连接导线110与扫描线SL之间的厚度以有效屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场，如此，抑制了第一连接导线110与扫描线SL间产生的电容效应，降低了馈通效应，如此可以有效避免闪烁(flicker)现象以及影像残留(Image sticking)问题的发生，提升了显示品质。
图4A为本发明第三实施例的像素结构的上视示意图，图4B为沿图4A的剖线C-C’绘示的像素结构的剖面示意图。如图4A至图4B所示，不同于第一实施例，本实施例的像素结构30还包含第三主动元件SW3。第三主动元件SW3用以调整第一像素电极PE1的像素电压。第三主动元件SW3设置于第一基板100上，与该扫描线SL电性连接。第三主动元件SW3例如是薄膜晶体管，但不以此为限。第三主动元件SW3包括第三栅极GE3、第三半导体层SE3、第三源极S3与第三漏极D3。第三栅极GE3与扫描线SL连接；第三半导体层SE3对应第三栅极GE3部分重叠设置；绝缘层GI设置于第三半导体层SE3对应第三栅极GE3之间；第三源极S3与第三漏极D3分别设置于第三半导体层SE3的两侧。第三源极S3与第一漏极D1电性连接。第三漏极D3电性连接于第二连接导线120。第二连接导线120用以电性连接至一固定电位。在本实施例中，第二连接导线120突出于扫描线SL的第二侧边E2，经由第一接触窗C3电性连接于电容线CL2，并且具有一固定电位，即共通电位(Vcom)。第一连接导线110，部分重叠设置于该第三主动元件SW3上方，亦即第三主动元件SW3在垂直投影方向Z上与第三主动元件SW3重叠。在本实施例中，第一连接导线110具有第一端112与第二端114，第一连接导线110的第一端112经由第二接触窗C2与第一漏极D1电性连接，第一连接导线110的第二端114与第一像素电极电性PE1电性连接。
本实施例的像素结构30，借由第三主动元件SW3的第三源极S3与该扫描线SL隔离。第三主动元件SW3的第三源极S3加以屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场，更详而言之，第一连接导线110与扫描线SL之间设置有第三源极S3与第三半导体层SE3，如此，抑制了第一连接导线110与扫描线SL间产生的电容效应，降低了馈通效应，如此可以有效避免闪烁(flicker)现象以及影像残留(Image sticking)问题的发生，提升了显示品质。
图5A为本发明第四实施例的像素结构的上视示意图，图5B为沿图5A的剖线D-D’绘示的像素结构的剖面示意图。请同时参照图4A至图4B。本实施例的像素结构40与第三实施例所绘示的像素结构30相似，主要差异之处为：本实施例的像素结构40中还包含彩色滤光图案区块144，彩色滤光图案区块144设置于保护层PV上，且对应于第三主动元件SW3的第三源极S3设置。遮光图案层150填入开口OP中。在本实施例中，遮光图案层150部分覆盖彩色滤光图案区块144，但不以此为限。第一连接导线110在扫描线SL上的垂直投影与第三半导体层SE3、第三主动元件SW3的第三源极S3以及彩色滤光图案区块144重叠。亦即，借由第三主动元件SW3的第三源极S3以及彩色滤光图案区块144加以屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场，抑制了第一连接导线110与扫描线SL间产生的电容效应，降低了馈通效应，如此可以有效避免闪烁(flicker)现象以及影像残留(Image sticking)问题的发生，提升了显示品质。
图6A为本发明第五实施例的像素结构的上视示意图，图6B为沿图6A的剖线E-E’绘示的像素结构的剖面示意图。请同时参照图4A至图4B，图6A中所绘示的像素结构50与图4A中所绘示的像素结构30相似，主要差异之处为：本实施例的像素结构60中还包含彩色滤光图案区块144，彩色滤光图案区块144设置于保护层PV上，且对应于第三主动元件SW3的第三源极S3设置。遮光图案层150填入开口OP中。在本实施例中，遮光图案层150部分覆盖彩色滤光图案区块144，但不以此为限。在本实施例中，第一连接导线110部分重叠设置于第三主动元件SW3的第三源极S3上方，而第一连接导线110于扫描线SL上的一重叠区段借由该彩色滤光图案区块144与扫描线SL隔离。亦即，第一连接导线110在扫描线SL上借由彩色滤光图案区块144加以屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场，抑制了第一连接导线110与扫描线SL间产生的电容效应，降低了馈通效应，有效避免闪烁(flicker)现象以及影像残留(Image sticking)问题的发生，提升了显示品质。
图7A为本发明第六实施例的像素结构的上视示意图，图7B为沿图7A的剖线F-F’绘示的像素结构的剖面示意图。请同时参照图4A至图4B，图7A中所绘示的像素结构60与图4A中所绘示的像素结构30相似，主要差异之处为：本实施例的像素结构60借由第三主动元件SW3的第三漏极D3与该扫描线SL隔离。第一连接导线110重叠设置于第三主动元件SW3上方。在本实施例中，第一连接导线110一部分重叠设置于第三源极S3上，另一部分设置于第三漏极D3上。第一连接导线110借由加以第三漏极D3屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场，更详而言之，第一连接导线110与扫描线SL之间设置有第三漏极D3与第三半导体层SE3，如此，抑制了第一连接导线110与扫描线SL间产生的电容效应，降低了馈通效应，如此可以有效避免闪烁(flicker)现象以及影像残留(Image sticking)问题的发生，提升了显示品质。
图8A为本发明第七实施例的像素结构的上视示意图，图8B为沿图8A的剖线G-G’绘示的像素结构的剖面示意图。请同时参照图7A至图7B。本实施例的像素结构70与第六实施例所绘示的像素结构60相似，主要差异之处为：本实施例的像素结构20中还包含彩色滤光图案区块144，彩色滤光图案区块144设置于保护层PV上，且对应于第三主动元件SW3的第三漏极D3设置。遮光图案层150填入开口OP中。在本实施例中，遮光图案层150部分覆盖彩色滤光图案区块144，但不以此为限。在本实施例中，除了第三漏极D3屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场，还设置了彩色滤光图案区块144增加第一连接导线110与扫描线SL之间的厚度以有效屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场，如此，抑制了第一连接导线110与扫描线SL间产生的电容效应，降低了馈通效应，如此可以有效避免闪烁(flicker)现象以及影像残留(Image sticking)问题的发生，提升了显示品质。
图9A为本发明第八实施例的像素结构的上视示意图，图9B为沿图9A的剖线H-H’绘示的像素结构的剖面示意图。请同时参照图8A至图8B。本实施例的像素结构80与第七实施例所绘示的像素结构70相似，主要差异之处为：本实施例的像素结构80中的第二连接导线120未连接于电容线CL2。第二连接导线120用以连接至一异于共通电位(Vcom)的一固定电位。在本实施例中，第二连接导线120贯穿第一像素电极PE1与第二像素电极PE2，并具有一不同于共通电位(Vcom)的一固定电位。在一较佳实施例中，第二连接导线120可以电性连接于一大于共通电位(Vcom)的一固定电位，借以更佳地压低像素结构整体馈通(FeedThrough)电压。
本实施例像素结构80中的第一连接导线110重叠设置于第三主动元件SW3上方。第一连接导线110重叠设置于第二连接导线120上，第二连接导线120电性连接于第三主动元件SW3的第三漏极S3。第一连接导线110借由第二连接导线120加以屏蔽第一连接导线110与扫描线SL之间的电场，抑制了第一连接导线110与扫描线SL间产生的电容效应。在其他变化实施例中，像素结构80还包含彩色滤光图案区块144，彩色滤光图案区块144增加第一连接导线110与扫描线SL之间的厚度，且对应于第二连接导线120设置。遮光图案层150填入开口OP中。第一连接导线110与扫描线SL之间的电场可以借由第二连接导线120与彩色滤光图案区块144加以屏蔽，降低了馈通效应，如此可以有效避免闪烁(flicker)现象以及影像残留(Image sticking)问题的发生，提升了显示品质。
本发明前述的各实施例的像素结构均可与第二基板及显示介质层结合以形成显示面板。第二基板可为硬质基板或可挠式基板，例如玻璃基板、塑胶基板或其它适合的基板。第二基板上配置有对向电极、配向膜等。显示介质层可以选用液晶层、其它非自发光显示介质层例如电泳显示介质层、或者自发光显示介质层例如有机电激发光显示介质层。显示面板可为平面显示面板、曲面显示面板、或其它型式的显示面板。此外，显示面板也可进一步与背光模块结合而形成显示装置。
综上所述，在本发明的各实施例的像素结构及显示面板中，连接第一像素电极的第一连接导线，其跨越扫描线与扫描线的重叠部分之间设置有一固定电位的导线(第二连接导线或第三主动元件)，故可有效屏蔽第一连接电极与扫描线之间的电场，因此可有效减少扫描线与第一连接导线之间的寄生电容，进而减少馈通电压效应，故可避免拉低像素电极的像素电压。借此，本发明的各实施例及变化实施例的像素结构及显示面板在显示时可维持正常的显示灰阶，并不会产生闪烁(flicker)现象、亮度均匀性差以及影像残留(Imagesticking)的问题。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (30)
1.一种像素结构，其特征在于，包括：
一第一基板；
一扫描线，设置于该第一基板上，该扫描线具有一第一侧边与一第二侧边；
至少一数据线，设置于该第一基板上，其中该至少一数据线与该扫描线交错设置；
一第一像素电极，设置于该扫描线的该第一侧边；
一第二像素电极，设置于该扫描线的该第二侧边；
一第一主动元件，设置于该第一基板上，与该扫描线和该至少一数据线电性连接，其中该第一主动元件包括一第一漏极，该第一漏极朝向该第二像素电极延伸；
一第二主动元件，设置于该第一基板上，与该扫描线和该至少一数据线电性连接，其中该第二主动元件包括一第二漏极，该第二漏极朝向该第二像素电极延伸并与该第二像素电极电性连接；
一第一连接导线，具有一第一端与一第二端，该第一端与该第一漏极连接，该第二端与该第一像素电极电性连接；以及
一第二连接导线，与该扫描线重叠设置，用以电性连接至一固定电位，其中该第一连接导线设置于该第二连接导线上，并且在垂直投影方向上与该第二连接导线重叠。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包含一保护层，覆盖该第一主动元件与该第二主动元件，该保护层具有一第一接触窗与一第二接触窗，分别暴露出该第一漏极与该第二漏极，其中该第一连接导线的该第一端经由该第一接触窗与该第一漏极电性连接，以及该第二像素电极经由该第二接触窗与该第二漏极电性连接。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该第一漏极与该第二漏极突出于该扫描线的该第二侧边，且该第一接触窗与该第二接触窗位于该扫描线的该第二侧边。
4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，还包含一电容线，与该第二像素电极部分重叠，其中该第一接触窗和该第二接触窗在垂直投影方向上与该电容线重叠。
5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包含一电容线，其中该第二连接导线突出于该扫描线的该第二侧边，并且电性连接于该电容线。
6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一连接导线于该扫描线上的一重叠区段借由该第二连接导线与该扫描线隔离。
7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：
一彩色滤光层，对应于该第一像素电极与该第二像素电极设置，具有一开口，该开口暴露该第一主动元件与该第二主动元件；
一彩色滤光图案区块，配置于第二连接导线上；以及
一遮光图案层，填入该开口中。
8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，该第一连接导线于该扫描线上的一重叠区段借由该第二连接导线和该彩色滤光图案区块共同与该扫描线隔离。
9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一漏极、该第二漏极与该至少一数据线沿相同方向延伸。
10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一连接导线、该第一像素电极与该第二像素电极为同一层图案化导电层。
11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极包括：
至少一主干电极；以及
多个条状电极，其中各该条状电极的一端与该至少一主干电极连接，以至少形成二个配向区，且两相邻的该多个条状电极之间具有一狭缝。
12.一种像素结构，其特征在于，包括：
一第一基板；
一扫描线，设置于该第一基板上，该扫描线具有一第一侧边与一第二侧边；
至少一数据线，设置于该第一基板上，其中该至少一数据线与该扫描线交错设置；
一第一像素电极，设置于该扫描线的该第一侧边；
一第二像素电极，设置于该扫描线的该第二侧边；
一第一主动元件，设置于该第一基板上，与该扫描线和该至少一数据线电性连接，其中该第一主动元件包括一第一漏极，该第一漏极朝向该第二像素电极延伸；
一第二主动元件，设置于该第一基板上，与该扫描线和该至少一数据线电性连接，其中该第二主动元件包括一第二漏极，该第二漏极朝向该第二像素电极延伸并与该第二像素电极电性连接；
一电容线，设置于该第二像素电极的至少一侧边，
一第一连接导线，具有一第一端与一第二端，该第一端与该第一漏极连接，该第二端与该第一像素电极电性连接；以及
一第二连接导线，与该扫描线重叠设置，该第二连接导线突出于该扫描线的该第二侧边并且电性连接至该电容线，其中该第一连接导线设置于该第二连接导线上，并且在垂直投影方向上与该第二连接导线重叠。
13.一种像素结构，其特征在于，包括：
一第一基板；
一扫描线，设置于该第一基板上，该扫描线具有一第一侧边与一第二侧边；
至少一数据线，设置于该第一基板上，其中该至少一数据线与该扫描线交错设置；
一第一像素电极，设置于该扫描线的该第一侧边；
一第二像素电极，设置于该扫描线的该第二侧边；
一第一主动元件，设置于该第一基板上，与该扫描线和该至少一数据线电性连接，该第一主动元件包括一第一源极与一第一漏极，其中该第一源极电性连接于该至少一数据线，该第一漏极朝向该第二像素电极延伸；
一第二主动元件，设置于该第一基板上，与该扫描线和该至少一数据线电性连接，其中该第二主动元件包括一第二漏极，该第二漏极朝向该第二像素电极延伸并与该第二像素电极电性连接；
一第三主动元件，设置于该第一基板上，与该扫描线电性连接，该第三主动元件包括一第三源极与一第三漏极，其中该第三源极与该第一漏极电性连接；以及
一第一连接导线，部分重叠设置于该第三主动元件上方，其中该第一连接导线具有一第一端与一第二端，该第一端与该第一漏极电性连接，该第二端与该第一像素电极电性连接；以及
一第二连接导线，用以电性连接至一固定电位，该第二连接导线与该第三漏极电性连接。
14.如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，该第一连接导线于该扫描线上的垂直投影与该第三主动元件重叠。
15.如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，该第一连接导线于该扫描线上借由该第三源极与该扫描线隔离。
16.如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，该第一连接导线于该扫描线上借由该第三漏极与该扫描线隔离。
17.如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，还包含一保护层，覆盖该第一主动元件、该第二主动元件与该第三主动元件，该保护层至少具有一第一接触窗与一第二接触窗，分别暴露出该第一漏极与该第二漏极，其中该第一连接导线的该第一端经由该第一接触窗与该第一漏极电性连接，以及该第二像素电极经由该第二接触窗与该第二漏极电性连接。
18.如权利要求17所述的像素结构，其特征在于，该第一漏极与该第二漏极突出于该扫描线的该第二侧边，且该第一接触窗与该第二接触窗位于该扫描线的该第二侧边。
19.如权利要求17所述的像素结构，其特征在于，还包含一电容线，与该第二像素电极部分重叠，其中该第一接触窗和该第二接触窗在垂直投影方向上与该电容线重叠。
20.如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，还包含一电容线，其中该第二连接导线突出于该扫描线的该第二侧边，与该电容线电性连接。
21.如权利要求20所述的像素结构，其特征在于，该电容线具有一共通电位。
22.如权利要求20所述的像素结构，其特征在于，该电容线具有一共通电位，而该第二连接导线的该固定电位不同于该共通电位。
23.如权利要求20所述的像素结构，其特征在于，该电容线具有一共通电位，而该第二连接导线的该固定电位大于该共通电位。
24.如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，还包括：
一彩色滤光层，配置于该第一像素电极与该第二像素电极上方，具有一开口，该开口暴露该第一主动元件与该第二主动元件；
一彩色滤光图案区块，设置于该第三主动元件上；以及
一遮光图案层，填入该开口中。
25.如权利要求24所述的像素结构，其特征在于，该彩色滤光图案区块与第三主动元件在垂直投影方向上重叠。
26.如权利要求24所述的像素结构，其特征在于，该第一连接导线于该扫描线上的一重叠区段借由该彩色滤光图案区块与该扫描线隔离。
27.如权利要求24所述的像素结构，其特征在于，该第一连接导线于该扫描线上的一重叠区段借由该第三源极以及该彩色滤光图案区块与该扫描线隔离。
28.如权利要求24所述的像素结构，其特征在于，该第一连接导线于该扫描线上的一重叠区段借由该第三漏极以及该彩色滤光图案区块与该扫描线隔离。
29.一种显示面板，其特征在于，包括：
多个如权利要求1所述的像素结构；
一第二基板，与该第一基板相对设置，其中该第二基板上配置有一对向电极；以及
一显示介质层，设置于该第一基板与该第二基板之间。
30.一种显示面板，其特征在于，包括：
多个如权利要求13所述的像素结构；
一第二基板，与该第一基板相对设置，其中该第二基板上配置有一对向电极；以及
一显示介质层，设置于该第一基板与该第二基板之间。
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