TW201725436A - 畫素結構及顯示面板 - Google Patents

Abstract

一種畫素結構，包括掃描線、資料線、第一和第二主動元件、第一和第二畫素電極、第一和第二連接導線。第一畫素電極與第二畫素電極分別設置於掃描線的第一側邊與第二側邊。第一主動元件的第一汲極與第二主動元件的第二汲極朝向第二畫素電極延伸。第一連接導線具有連接第一汲極的第一端以及電性連接第一畫素電極的第二端。第二連接導線設置於掃描線上，用以電性連接至一固定電位，其中第一連接導線設置於第二連接導線上，並且在垂直投影方向上與第二連接導線重疊。

Description

畫素結構及顯示面板

本發明是有關於一種畫素結構及顯示面板，且特別是有關於一種可以降低饋通電壓電壓效應的畫素結構及顯示面板

液晶顯示面板由於具有輕薄短小與節能等優點，已被廣泛地應用在各式電子產品上，如智慧型手機(smart phone)、筆記型電腦(notebook computer)、平板電腦(tablet PC) 、平面電視等。液晶顯示面板通常包括上基板、下基板以及夾於該上基板與下基板之間之液晶層。液晶顯示面板包含複數個畫素結構，於進行顯示時，主動元件提供訊號使得畫素電極具有畫素電壓，藉此下基板的畫素電極、上基板的對向電極以及位於其間的液晶層會形成液晶電容。而為了維持液晶電容的電容值，更包含一儲存電容與液晶電容並聯。除此之外，液晶顯示面板中的畫素結構還存在其它寄生電容，例如閘極－汲極寄生電容所產生的饋通電壓，影響畫素結構的充電特性，使液晶顯示面板產生閃爍(flicker）現象，進而影響液晶顯示面板之畫像品質。

本發明提供一種畫素結構及顯示面板，其具有低的饋通(Feed Through)電壓以及高的開口率。

本發明之一實施例提供一種畫素結構，包括第一基板、掃描線、至少一資料線、第一畫素電極、第二畫素電極、第一主動元件、第二主動元件、第一連接導線以及第二連接導線。掃描線設置於第一基板上，掃描線具有第一側邊與第二側邊。至少一資料線設置於第一基板上，其中第一資料線與掃描線交錯設置。第一畫素電極設置於掃描線的第一側邊。第二畫素電極設置於掃描線的第二側邊。第一主動元件與第二主動元件設置於第一基板上，分別與掃描線和至少一資料線電性連接。第一主動元件包括第一汲極，第一汲極朝向第二畫素電極延伸。第二主動元件包括第二汲極，第二汲極朝向第二畫素電極延伸並與第二畫素電極電性連接。第一連接導線具有第一端與第二端，第一連接導線的第一端與第一汲極連接，第一連接導線的第二端與第一畫素電極電性連接。第二連接導線與掃描線重疊設置，用以電性連接至一固定電位，其中第一連接導線設置於第二連接導線上，並且在垂直投影方向上與第二連接導線重疊。

本發明之另一實施例提供一種畫素結構，包括第一基板、掃描線、至少一資料線、第一畫素電極、第二畫素電極、第一主動元件、第二主動元件、電容線、第一連接導線以及第二連接導線。掃描線設置於第一基板上，掃描線具有第一側邊與第二側邊。至少一資料線設置於第一基板上，其中第一資料線與掃描線交錯設置。第一畫素電極設置於掃描線的第一側邊。第二畫素電極設置於掃描線的第二側邊。第一主動元件與第二主動元件設置於第一基板上，分別與掃描線和至少一資料線電性連接。第一主動元件包括第一汲極，第一汲極朝向第二畫素電極延伸。第二主動元件包括第二汲極，第二汲極朝向第二畫素電極延伸並與第二畫素電極電性連接。電容線設置於第二畫素電極的至少一側邊。第一連接導線具有第一端與第二端，第一連接導線的第一端與第一汲極連接，第一連接導線的第二端與第一畫素電極電性連接。第二連接導線與掃描線重疊設置，第二連接導線突出於該掃描線的該第二側邊並且電性連接至電容線，其中第一連接導線設置於第二連接導線上，並且在垂直投影方向上與第二連接導線重疊。

本發明之另一實施例提供一種畫素結構，包括第一基板、掃描線、至少一資料線、第一畫素電極、第二畫素電極、第一主動元件、第二主動元件、第三主動元件、第一連接導線以及第二連接導線。掃描線設置於第一基板上，掃描線具有第一側邊與第二側邊。至少一資料線設置於第一基板上，其中第一資料線與掃描線交錯設置。第一畫素電極設置於掃描線的第一側邊。第二畫素電極設置於掃描線的第二側邊。第一主動元件設置於第一基板上，與掃描線和至少一資料線電性連接，第一主動元件包括第一源極與第一汲極，其中第一源極電性連接於資料線，第一汲極朝向該第二畫素電極延伸。第二主動元件設置於第一基板上，與掃描線和至少一資料線電性連接，其中第二主動元件包括第二汲極，第二汲極朝向該第二畫素電極延伸並與該第二畫素電極電性連接。第三主動元件設置於第一基板上，與掃描線電性連接，第三主動元件包括第三源極與第三汲極，其中第三源極與第一汲極電性連接。第一連接導線，部分重疊設置於第三主動元件上方，其中第一連接導線具有第一端與第二端，第一端與第一汲極連接，第二端與第一畫素電極電性連接。第二連接導線用以電性連接至一固定電位，第二連接導線與第三汲極連接。

本發明還提供一種由上述畫素結構組成的顯示面板。顯示面板包括複數個上述之畫素結構、與第一基板相對設置的第二基板，第二基板上配置有對向電極，以及設置於第一基板與第二基板之間的顯示介質層。

基於上述，本發明提供的一種畫素結構及顯示面板，其可減少饋通(feed through)電壓效應，使畫素結構及顯示面板不容易產生閃爍(flicker）的現象，也可以解決影像殘留(Image sticking)的問題。因此，本發明的畫素結構及顯示面板具有理想的品質。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

為使熟悉本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明，下文特列舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。

請參考圖1A至圖1B圖。圖1A為本發明第一實施例之畫素結構的上視示意圖，圖1B圖為沿圖1A之剖線A-A’繪示的畫素結構的剖面示意圖。如圖1A至圖1B圖所示，本實施例的畫素結構10包括第一基板100、掃描線SL、至少一資料線DL、第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2、第一主動元件SW1、第二主動元件SW2、第一連接導線110、以及第二連接導線120。

第一基板100可為硬質基板或可撓式基板，例如玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、塑膠基板或其它適合的基板。掃描線SL以及資料線DL設置於第一基板100上。掃描線SL以及資料線DL的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL與資料線DL的延伸方向垂直。此外，掃描線SL與資料線DL是分別位於不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層GI。掃描線SL具有第一側邊E1與第二側邊E2。掃描線SL的第一側邊E1與第二側邊E2為兩相對面的兩側邊；在本實施例中，掃描線SL實質上係沿第1圖的橫向方向X延伸，而掃描線SL的第一側邊E1與掃描線SL第二側邊E2亦主要分別是沿著橫向方向X延伸。另外，在變化實施例中，掃描線SL可以沿第1圖的縱向方向Y延伸，因此掃描線SL的第一側邊E1與掃描線SL第二側邊E2分別為第1圖之右側邊與左側邊，但不以此為限。

第一主動元件SW1、第二主動元件SW2設置於該第一基板100上，與掃描線SL以及資料線DL電性連接。在此，第一主動元件SW1、第二主動元件SW2例如是薄膜電晶體，但不以此為限。第一主動元件SW1包括第一閘極GE1、第一半導體層SE1、第一源極S1與第一汲極D1。第一閘極GE1與掃描線SL連接；第一半導體層SE1對應第一閘極GE1部分重疊設置；絕緣層GI設置於第一半導體層SE1對應第一閘極GE1之間；第一源極S1與第一汲極D1分別設置於第一半導體層SE1的兩側，且第一源極S1與資料線DL連接，其中第一汲極D1由第一源極S1朝向第二畫素電極PE2延伸。在本實施例中，第一汲極D1主要沿著資料線的延伸方向延伸，也就是沿著縱向方向Y延伸，但不以此為限。。第二主動元件SW2包括第二閘極GE2、第二半導體層SE2、第一源極S2與第二汲極D2。第二閘極G2與掃描線SL連接；第二半導體層SE2對應第二閘極GE2部分重疊設置；絕緣層GI設置於第二半導體層SE2與第二閘極GE2之間；第一源極S2與第二汲極D2分別設置於第二半導體層SE2的兩側；第一源極S2與第一汲極D1電性連接；第二汲極D2由第二源極S2朝向第二畫素電極PE2延伸。在本實施例中，第二汲極D2主要沿著資料線的延伸方向延伸，也就是沿著縱向方向Y延伸，但不以此為限。更詳而言之，在本實施例中，第一汲極D1與第二汲極D2是朝向第二畫素電極PE2而突出於掃描線SL的該第二側邊E2，也就是說第一汲極D1與第二汲極D2在垂直投影方向Z上，一部分與第一閘極GE1與第二閘極GE2重疊，而另一部分未與第一閘極GE1與第二閘極GE2重疊。

電容線CL1、電容線CL2設置於第一基板100上。電容線CL2可設置於第二畫素電極PE2的至少一側邊，舉例而言，本實施例的電容線CL2是環繞第二畫素電極PE2設置，但不以此為限；例如電容線CL2的形狀可以是I形，且位於掃描線SL與第二畫素電極PE2；在其他實施例中，電容線CL2的形狀也可以是H形或其它不同的形狀；此外，電容線CL2可與第二畫素電極PE2在垂直投影方向Z上部分重疊以形成第二儲存電容。而電容線CL1設置於第一畫素電極PE1的至少一側邊，在本實施例中，電容線CL1是設置於第一畫素電極PE1的三側；在其他實施例中，電容線CL1的形狀也可以是I形、H形或其它不同的形狀；電容線CL1可與第一畫素電極PE1在垂直投影方向Z上部分重疊以形成第一儲存電容。電容線CL1、電容線CL2分別具有一固定電位，在本實施例中電容線CL1、電容線CL2可連接至一共通電位(Vcom)。

保護層PV覆蓋第一主動元件SW1與第二主動元件SW2，其中絕保護層PV具有第一接觸窗C1暴露出第一汲極D1、第二接觸窗C2暴露出第二汲極D2以及第三接觸窗C3暴露出電容線CL2。在本實施例中，第一接觸窗C1與第二接觸窗C2位於掃描線SL之同一側(第二側邊E2)，因此可以節省在縱向方向Y上的佈局空間以增加開口率。此外，在本實施例中，第一接觸窗C1和第二接觸窗C2在垂直投影方向Z上是與該電容線CL2重疊，但不以此為限。

在本實施例中，第一主動元件SW1與第二主動元件SW2是以底閘型薄膜電晶體為例，在其他變化實施例中，第一主動元件SW1與第二主動元件SW2也可選用頂閘型薄膜電晶體或其它任何類型的薄膜電晶體。在本實施例中，掃描線SL、第一閘極GE1與第二閘極GE2、電容線CL1、電容線CL2可為同一圖案化導電層，例如第一金屬層，材料可為金屬或合金，且可為單層結構或多層堆疊結構。絕緣層GI的材料可為無機絕緣材料例如氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，有機絕緣材料或有機無機混成絕緣材料，且其可為單層結構或多層堆疊結構。第一半導體層SE1與第二半導體層SE2可為同一圖案化半導體層，材料可為非晶矽、多晶矽，氧化物半導體例如氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide, IGZO)或其它適合的半導體材料。資料線DL、第一源極S1、第一汲極D1、第一源極S2與第二汲極D2可為同一圖案化導電層，例如第二金屬層，其材料可為金屬或合金，且其可為單層結構或多層堆疊結構。保護層PV的材料可選用無機絕緣材料例如氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，或者有機絕緣材料例如環氧樹脂或壓克力，且其較佳可選用具有感光特性的有機材料，且保護層PV可為單層結構或多層堆疊結構。

第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2設置於保護層PV上。並且第一畫素電極PE1設置於掃描線SL的第一側邊E1，而第二畫素電極PE2設置於掃描線SL的第二側邊E2。第一連接導線110具有第一端112與第二端114，第一連接導線110的第一端112經由第一接觸窗C1與第一汲極D1電性連接；第一連接導線110的第二端114與第一畫素電極PE1電性連接。第二連接導線120用以電性連接至一固定電位。第二連接導線120具有第一端122與第二端124，第二連接導線120的第一端122突出於掃描線SL的第二側邊E2，並且經由第一接觸窗C3電性連接於電容線CL2，具有一固定電位；第二連接導線120的鄰近第二端124的區段與該掃描線SL重疊設置。其中該第一連接導線110設置於該第二連接導線120上，並且在垂直投影方向Z上與該第二連接導線120重疊設置。此外，第一連接導線110與第二連接導線120為不同層導電層，第一連接導線110與第二連接導線120之間設置有保護層PV。舉例而言，第二連接導線120與資料線DL、第一源極S1、第一汲極D1、第一源極S2與第二汲極D2可為同一圖案化導電層，例如第二金屬層，其材料可為金屬或合金，且其可為單層結構或多層堆疊結構，但不以此為限。又，第一連接導線110與第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2可為同一圖案化導電層，例如圖案化透明導電層，其材料可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或其它適合之透明導電材料，或圖案化不透明導電層，其材料可為金屬、合金或其它適合之不透明導電材料，但不以此為限。更詳而言之，第一連接導線110具有轉折圖案，第一連接導線110的第一端112經由第一接觸窗C1與第一汲極D1電性連接後，一部分區段與電容線CL2重疊，另一部分跨越掃描線SL後與第一畫素電極PE1連接。第一連接導線110於該掃描線SL上的一重疊區段未單獨與掃描線SL在垂直投影方向Z上重疊，亦即第二連接導線120可以作為屏蔽電極，用以屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場。

第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2可以選用圖案化電極(patterned electrode)。在本實施例中，第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2分別具有一主幹電極132、多個條狀電極134以及多個狹縫136。其中主幹電極132為十字形電極，條狀電極134與主幹電極132連接沿四個不同的方向延伸兒形成四個配向區，而狹縫136設置於兩相鄰的條狀電極134之間，但不以此為限。舉例而言，主幹電極132可為一字形電極，條狀電極134與主幹電極132連接以沿兩個不同的方向延伸而形成二個配向區。又，在其他實施例中，第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2也可以是具有十字形開口以形成複數個配向區的圖案化電極結構。第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2的尺寸可以相同或不相同。

彩色濾光層142設置於保護層PV上，對應於第一畫素電極PE1與該第二畫素電極PE2設置。彩色濾光層CF具有一開口OP，開口OP暴露第一主動元件SW1與第二主動元件SW2。在本實施例中，開口OP為一溝槽狀，位於第一畫素電極PE1與該第二畫素電極PE2之間。遮光圖案層150填入開口OP中。

在本實施例中，畫素結構10為1G1D驅動方式的畫素結構，亦即第一主動元件SW1與第二主動元件SW2為共用同一條閘極線GL以及資料線DL加以驅動。此外，第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2可分別作為兩個不同次畫素的畫素電極，或者作為同一個次畫素的主區與副區(或稱為亮區或暗區)的畫素電極。但不以此為限，舉例而言，在其他變化實施中，畫素結構10也可利用1G2D的方式驅動，亦即第一主動元件SW1與第二主動元件SW2共用同一條閘極線GL，並分別利用左右兩條不同的資料線分別加以驅動第一主動元件SW1與第二主動元件SW2。

本實施例之畫素結構10，其第一接觸窗C1與第二接觸窗C2均位於掃描線SL之同一側(第二側邊E2)，可以增加開口率；而用以連接第一汲極D1與第一畫素電極PE1的第一連接導線110跨越掃描線SL時，是藉由第二連接導線120加以屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場，抑制了第一連接導線110與掃描線SL間產生的電容效應，降低了饋通效應，如此可以有效避免閃爍(flicker）現象以及影像殘留(Image sticking)問題的發生，提升了顯示品質。值得注意的是，本發明實施例中用以屏蔽第一連接導線110的第二連接導線120具有一固定電位，如此第一連接導線110不易與其他線路產生耦合現象，可以避免串擾(crosstalk)。

請參考圖2，圖2繪示了本發明之第一實施例之顯示面板的示意圖。顯示面板1000包括第一實施例之畫素結構10、第二基板200以及顯示介質層300。第二基板200可為硬質基板或可撓式基板，例如玻璃基板、塑膠基板或其它適合的基板。第二基板200上配置有對向電極210、配向膜(圖未示)等。顯示介質層300設置於第一基板100與第二基板200之間。本實施例之顯示介質層300選用液晶層，但不以此為限，舉例而言，顯示介質層40也可包括其它非自發光顯示介質層例如電泳顯示介質層、或者自發光顯示介質層例如有機電激發光顯示介質層。此外，本實施例的顯示面板1000可為平面顯示面板、曲面顯示面板、或其它型式的顯示面板。本實施例的顯示面板100可進一步與背光模組結合而形成顯示裝置。

本發明之畫素結構及顯示面板並不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發明之其它較佳實施例之畫素結構及顯示面板，且為了便於比較各實施例之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施例之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。

圖3A為本發明第二實施例之畫素結構的上視示意圖，圖3B為沿圖3A之剖線B-B’繪示的畫素結構的剖面示意圖。請同時參照圖1A至圖1B圖。本實施例之畫素結構20與第一實施例所繪示之畫素結構10相似，主要差異之處為：本實施例的畫素結構20中更包含彩色濾光圖案區塊144，彩色濾光圖案區塊144設置於保護層PV上，且對應於第二連接導線120設置。遮光圖案層150填入開口OP中。在本實施例中，遮光圖案層150部份覆蓋彩色濾光圖案區塊144，但不以此為限。如前所述，在本實施例中，除了第二連接導線120屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場，更設置了彩色濾光圖案區塊144增加第一連接導線110與掃描線SL之間的厚度以有效屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場，如此，抑制了第一連接導線110與掃描線SL間產生的電容效應，降低了饋通效應，如此可以有效避免閃爍(flicker）現象以及影像殘留(Image sticking)問題的發生，提升了顯示品質。

圖4A為本發明第三實施例之畫素結構的上視示意圖，圖4B為沿圖4A之剖線C-C’繪示的畫素結構的剖面示意圖。如圖4A至圖4B所示，不同於第一實施例，本實施例之畫素結構30更包含第三主動元件SW3。第三主動元件SW3用以調整第一畫素電極PE1的畫素電壓。第三主動元件SW3設置於第一基板100上，與該掃描線掃描線SL電性連接。第三主動元件SW3例如是薄膜電晶體，但不以此為限。第三主動元件SW3包括第三閘極GE3、第三半導體層SE3、第三源極S3與第三汲極D3。第三閘極GE3與掃描線SL連接；第三半導體層SE3對應第三閘極GE3部分重疊設置；絕緣層GI設置於第三半導體層SE3對應第三閘極GE3之間；第三源極S3與第三汲極D3分別設置於第三半導體層SE3的兩側。第三源極S3與第一汲極D1電性連接。第三汲極D3電性連接於第二連接導線120。第二連接導線120用以電性連接至一固定電位。在本實施例中，第二連接導線120突出於掃描線SL的第二側邊E2，經由第一接觸窗C3電性連接於電容線CL2，並且具有一固定電位，即共通電位(Vcom)。第一連接導線110，部分重疊設置於該第三主動元件SW3上方，亦即第三主動元件SW3在垂直投影方向Z上與第三主動元件SW3重疊。在本實施例中，第一連接導線110具有第一端112與第二端114，第一連接導線110的第一端112經由第二接觸窗C2與第一汲極D1電性連接，第一連接導線110的第二端114與第一畫素電極電性PE1電性連接。

本實施例之畫素結構30，藉由第三主動元件SW3的第三源極S3與該掃描線SL隔離。第三主動元件SW3的第三源極S3加以屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場，更詳而言之，第一連接導線110與掃描線SL之間設置有第三源極S3與第三半導體層SE3，如此，抑制了第一連接導線110與掃描線SL間產生的電容效應，降低了饋通效應，如此可以有效避免閃爍(flicker）現象以及影像殘留(Image sticking)問題的發生，提升了顯示品質。

圖5A為本發明第四實施例之畫素結構的上視示意圖，圖5B為沿圖5A之剖線D-D’繪示的畫素結構的剖面示意圖。請同時參照圖4A至圖4B。本實施例之畫素結構40與第三實施例所繪示之畫素結構30相似，主要差異之處為：本實施例的畫素結構40中更包含彩色濾光圖案區塊144，彩色濾光圖案區塊144設置於保護層PV上，且對應於第三主動元件SW3的第三源極S3設置。遮光圖案層150填入開口OP中。在本實施例中，遮光圖案層150部份覆蓋彩色濾光圖案區塊144，但不以此為限。第一連接導線110在掃描線SL上的垂直投影與第三半導體層SE3、第三主動元件SW3的第三源極S3以及彩色濾光圖案區塊144重疊。亦即，藉由第三主動元件SW3的第三源極S3以及彩色濾光圖案區塊144加以屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場，抑制了第一連接導線110與掃描線SL間產生的電容效應，降低了饋通效應，如此可以有效避免閃爍(flicker）現象以及影像殘留(Image sticking)問題的發生，提升了顯示品質。

圖6A為本發明第五實施例之畫素結構的上視示意圖，圖6B為沿圖6A之剖線E-E’繪示的畫素結構的剖面示意圖。請同時參照圖4A至圖4B，圖6A中所繪示之畫素結構50與圖4A中所繪示之畫素結構30相似，主要差異之處為：本實施例的畫素結構60中更包含彩色濾光圖案區塊144，彩色濾光圖案區塊144設置於保護層PV上，且對應於第三主動元件SW3的第三源極S3設置。遮光圖案層150填入開口OP中。在本實施例中，遮光圖案層150部份覆蓋彩色濾光圖案區塊144，但不以此為限。在本實施例中，第一連接導線110部分重疊設置於第三主動元件SW3的第三源極S3上方，而第一連接導線110於掃描線SL上的一重疊區段係藉由該彩色濾光圖案區塊144與掃描線SL隔離。亦即，第一連接導線110在掃描線SL上藉由彩色濾光圖案區塊144加以屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場，抑制了第一連接導線110與掃描線SL間產生的電容效應，降低了饋通效應，有效避免閃爍(flicker）現象以及影像殘留(Image sticking)問題的發生，提升了顯示品質。

圖7A為本發明第六實施例之畫素結構的上視示意圖，圖7B為沿圖7A之剖線F-F’繪示的畫素結構的剖面示意圖。請同時參照圖4A至圖4B，圖7A中所繪示之畫素結構60與圖4A中所繪示之畫素結構30相似，主要差異之處為：本實施例之畫素結構60藉由第三主動元件SW3的第三汲極D3與該掃描線SL隔離。第一連接導線110重疊設置於第三主動元件SW3上方。在本實施例中，第一連接導線110一部份重疊設置於第三源極S3上，另一部分設置於第三汲極D3上。第一連接導線110藉由加以第三汲極D3屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場，更詳而言之，第一連接導線110與掃描線SL之間設置有第三汲極D3與第三半導體層SE3，如此，抑制了第一連接導線110與掃描線SL間產生的電容效應，降低了饋通效應，如此可以有效避免閃爍(flicker）現象以及影像殘留(Image sticking)問題的發生，提升了顯示品質。

圖8A為本發明第七實施例之畫素結構的上視示意圖，圖8B為沿圖8A之剖線G-G’繪示的畫素結構的剖面示意圖。請同時參照圖7A至圖7B。本實施例之畫素結構70與第六實施例所繪示之畫素結構60相似，主要差異之處為：本實施例的畫素結構20中更包含彩色濾光圖案區塊144，彩色濾光圖案區塊144設置於保護層PV上，且對應於第三主動元件SW3的第三汲極D3設置。遮光圖案層150填入開口OP中。在本實施例中，遮光圖案層150部份覆蓋彩色濾光圖案區塊144，但不以此為限。在本實施例中，除了第三汲極D3屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場，更設置了彩色濾光圖案區塊144增加第一連接導線110與掃描線SL之間的厚度以有效屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場，如此，抑制了第一連接導線110與掃描線SL間產生的電容效應，降低了饋通效應，如此可以有效避免閃爍(flicker）現象以及影像殘留(Image sticking)問題的發生，提升了顯示品質。

圖9A為本發明第八實施例之畫素結構的上視示意圖，圖9B為沿圖9A之剖線H-H’繪示的畫素結構的剖面示意圖。請同時參照圖8A至圖8B。本實施例之畫素結構80與第七實施例所繪示之畫素結構70相似，主要差異之處為：本實施例的畫素結構80中的第二連接導線120未連接於電容線CL2。第二連接導線120用以連接至一異於共通電位(Vcom)的一固定電位。在本實施例中，第二連接導線120貫穿第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2，並具有一不同於共通電位(Vcom)的一固定電位。在一較佳實施例中，第二連接導線120可以電性連接於一大於共通電位(Vcom)的一固定電位，藉以更佳地壓低畫素結構整體饋通(Feed Through)電壓。

本實施例畫素結構80中的第一連接導線110重疊設置於第三主動元件SW3上方。第一連接導線110重疊設置於第二連接導線120上，第二連接導線120電性連接於第三主動元件SW3的第三汲極S3。第一連接導線110藉由第二連接導線120加以屏蔽第一連接導線110與掃描線SL之間的電場，抑制了第一連接導線110與掃描線SL間產生的電容效應。在其他變化實施例中，畫素結構80更包含彩色濾光圖案區塊144，彩色濾光圖案區塊144增加第一連接導線110與掃描線SL之間的厚度，且對應於第二連接導線120設置。遮光圖案層150填入開口OP中。第一連接導線110與掃描線SL之間的電場可以藉由第二連接導線120與彩色濾光圖案區塊144加以屏蔽，降低了饋通效應，如此可以有效避免閃爍(flicker）現象以及影像殘留(Image sticking)問題的發生，提升了顯示品質。

本發明前述之各實施例的畫素結構均可與第二基板及顯示介質層結合以形成顯示面板。第二基板可為硬質基板或可撓式基板，例如玻璃基板、塑膠基板或其它適合的基板。第二基板上配置有對向電極、配向膜等。顯示介質層可以選用液晶層、其它非自發光顯示介質層例如電泳顯示介質層、或者自發光顯示介質層例如有機電激發光顯示介質層。顯示面板可為平面顯示面板、曲面顯示面板、或其它型式的顯示面板。此外，顯示面板也可進一步與背光模組結合而形成顯示裝置。

綜上所述，在本發明之各實施例的畫素結構及顯示面板中，連接第一畫素電極的第一連接導線，其跨越掃描線與掃描線的重疊部分之間設置有一固定電位的導線(第二連接導線或第三主動元件)，故可有效屏蔽第一連接電極與掃描線之間的電場，因此可有效減少掃描線與第一連接導線之間的寄生電容，進而減少饋通電壓效應，故可避免拉低畫素電極的畫素電壓。藉此，本發明之各實施例及變化實施例的畫素結構及顯示面板在顯示時可維持正常的顯示灰階，並不會產生閃爍(flicker）現象、亮度均勻性差以及影像殘留(Image sticking) 的問題。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50、60、70、80‧‧‧畫素結構
100‧‧‧第一基板
1000‧‧‧顯示面板
110‧‧‧第一連接導線
112、122‧‧‧第一端
114、124‧‧‧第二端
120‧‧‧第二連接導線
132‧‧‧主幹電極
134‧‧‧多個條狀電極
136‧‧‧狹縫
142‧‧‧彩色濾光層
144‧‧‧彩色濾光圖案區塊
150‧‧‧遮光圖案層
200‧‧‧第二基板
210‧‧‧對向電極
300‧‧‧顯示介質層
C1、C2、C3‧‧‧接觸窗
CL1、CL2‧‧‧共同線
D1、D2‧‧‧汲極
DL‧‧‧資料線
E1‧‧‧第一側邊
E2‧‧‧第二側邊
GE1、GE2‧‧‧閘極
GI‧‧‧絕緣層
GL‧‧‧掃描線
OP‧‧‧開口
PE1‧‧‧第一畫素電極
PE2‧‧‧第二畫素電極
PV‧‧‧保護層
S1、S2‧‧‧源極
SE1、SE2‧‧‧半導體層
SW1‧‧‧第一主動元件
SW2‧‧‧第二主動元件

圖1A為本發明第一實施例之畫素結構的上視示意圖。 圖1B圖為沿圖1A之剖線A-A’繪示的畫素結構的剖面示意圖。 圖2繪示了本發明之第一實施例之顯示面板的示意圖。 圖3A為本發明第二實施例之畫素結構的上視示意圖。 圖3B為沿圖3A之剖線B-B’繪示的畫素結構的剖面示意圖。 圖4A為本發明第三實施例之畫素結構的上視示意圖。 圖4B為沿圖4A之剖線C-C’繪示的畫素結構的剖面示意圖。 圖5A為本發明第四實施例之畫素結構的上視示意圖。 圖5B為沿圖5A之剖線D-D’繪示的畫素結構的剖面示意圖。 圖6A為本發明第五實施例之畫素結構的上視示意圖。 圖6B為沿圖6A之剖線E-E’繪示的畫素結構的剖面示意圖。 圖7A為本發明第六實施例之畫素結構的上視示意圖。 圖7B為沿圖7A之剖線F-F’繪示的畫素結構的剖面示意圖。 圖8A為本發明第七實施例之畫素結構的上視示意圖。 圖8B為沿圖8A之剖線G-G’繪示的畫素結構的剖面示意圖。 圖9A為本發明第八實施例之畫素結構的上視示意圖。 圖9B為沿圖9A之剖線H-H’繪示的畫素結構的剖面示意圖。

10‧‧‧畫素結構

100‧‧‧第一基板

110‧‧‧第一連接導線

112、122‧‧‧第一端

114、124‧‧‧第二端

120‧‧‧第二連接導線

142‧‧‧彩色濾光層

C1、C2‧‧‧接觸窗

CL1、CL2‧‧‧共同線

D1、D2‧‧‧汲極

DL‧‧‧資料線

E1‧‧‧第一側邊

E2‧‧‧第二側邊

GE1、GE2‧‧‧閘極

GL‧‧‧掃描線

PE1‧‧‧第一畫素電極

PE2‧‧‧第二畫素電極

S1、S2‧‧‧源極

SE1、SE2‧‧‧半導體層

SW1‧‧‧第一主動元件

SW2‧‧‧第二主動元件

Claims (30)

1. 一種畫素結構，包括：一第一基板；一掃描線，設置於該第一基板上，該掃描線具有一第一側邊與一第二側邊；至少一資料線，設置於該第一基板上，其中該至少一資料線與該掃描線交錯設置；一第一畫素電極，設置於該掃描線的該第一側邊；一第二畫素電極，設置於該掃描線的該第二側邊；一第一主動元件，設置於該第一基板上，與該掃描線和該至少一資料線電性連接，其中該第一主動元件包括一第一汲極，該第一汲極朝向該第二畫素電極延伸；一第二主動元件，設置於該第一基板上，與該掃描線和該至少一資料線電性連接，其中該第二主動元件包括一第二汲極，該第二汲極朝向該第二畫素電極延伸並與該第二畫素電極電性連接；一第一連接導線，具有一第一端與一第二端，該第一端與該第一汲極連接，該第二端與該第一畫素電極電性連接；以及一第二連接導線，與該掃描線重疊設置，用以電性連接至一固定電位，其中該第一連接導線設置於該第二連接導線上，並且在垂直投影方向上與該第二連接導線重疊。
2. 如請求項1所述之畫素結構，更包含一保護層，覆蓋該第一主動元件與該第二主動元件，該保護層具有一第一接觸窗與一第二接觸窗，分別暴露出該第一汲極與該第二汲極，其中該第一連接導線的該第一端經由該第一接觸窗與該第一汲極電性連接，以及該第二畫素電極經由該第二接觸窗與該第二汲極電性連接。
3. 如請求項2所述之畫素結構，其中該第一汲極與該第二汲極突出於該掃描線的該第二側邊，且該第一接觸窗與該第二接觸窗位於該掃描線的該第二側邊。
4. 如請求項2所述之畫素結構，更包含一電容線，與該第二畫素電極部分重疊，其中該第一接觸窗和該第二接觸窗在垂直投影方向上與該電容線重疊。
5. 如請求項1所述之畫素結構，更包含一電容線，其中該第二連接導線突出於該掃描線的該第二側邊，並且電性連接於該電容線。
6. 如請求項1所述之畫素結構，其中該第一連接導線於該掃描線上的一重疊區段藉由該第二連接導線與該掃描線隔離。
7. 如請求項1所述之畫素結構，更包括：一彩色濾光層，對應於該第一畫素電極與該第二畫素電極設置，具有一開口，該開口暴露該第一主動元件與該第二主動元件；一彩色濾光圖案區塊，配置於第二連接導線上；以及一遮光圖案層，填入該開口中。
8. 如請求項1所述之畫素結構，其中該第一連接導線於該掃描線上的一重疊區段係藉由該第二連接導線和該彩色濾光圖案區塊共同與該掃描線隔離。
9. 如請求項1所述之畫素結構，其中該第一汲極、該第二汲極與該至少資料線沿相同方向延伸。
10. 如請求項1所述之畫素結構，其中該第一連接導線、該第一畫素電極與該第二畫素電極為同一層圖案化導電層。
11. 如請求項1所述之畫素結構，其中該第一畫素電極包括：至少一主幹電極；以及複數個條狀電極，其中各該條狀電極之一端與該至少一主幹電極連接，以至少形成二個配向區，且兩相鄰之該等條狀電極之間具有一狹縫。
12. 一種畫素結構，包括：一第一基板；一掃描線，設置於該第一基板上，該掃描線具有一第一側邊與一第二側邊；至少一資料線，設置於該第一基板上，其中該至少一資料線與該掃描線交錯設置；一第一畫素電極，設置於該掃描線的該第一側邊；一第二畫素電極，設置於該掃描線的該第二側邊；一第一主動元件，設置於該第一基板上，與該掃描線和該至少一資料線電性連接，其中該第一主動元件包括一第一汲極，該第一汲極朝向該第二畫素電極延伸；一第二主動元件，設置於該第一基板上，與該掃描線和該至少一資料線電性連接，其中該第二主動元件包括一第二汲極，該第二汲極朝向該第二畫素電極延伸並與該第二畫素電極電性連接；一電容線，設置於該第二畫素電極的至少一側邊，一第一連接導線，具有一第一端與一第二端，該第一端與該第一汲極連接，該第二端與該第一畫素電極電性連接；以及一第二連接導線，與該掃描線重疊設置，該第二連接導線突出於該掃描線的該第二側邊並且電性連接至該電容線，其中該第一連接導線設置於該第二連接導線上，並且在垂直投影方向上與該第二連接導線重疊。
13. 一種畫素結構，包括：一第一基板；一掃描線，設置於該第一基板上，該掃描線具有一第一側邊與一第二側邊；至少一資料線，設置於該第一基板上，其中該至少一資料線與該掃描線交錯設置；一第一畫素電極，設置於該掃描線的該第一側邊；一第二畫素電極，設置於該掃描線的該第二側邊；一第一主動元件，設置於該第一基板上，與該掃描線和該至少一資料線電性連接，該第一主動元件包括一第一源極與一第一汲極，其中該第一源極電性連接於該至少一資料線，該第一汲極朝向該第二畫素電極延伸；一第二主動元件，設置於該第一基板上，與該掃描線和該至少一資料線電性連接，其中該第二主動元件包括一第二汲極，該第二汲極朝向該第二畫素電極延伸並與該第二畫素電極電性連接；一第三主動元件，設置於該第一基板上，與該掃描線電性連接，該第三主動元件包括一第三源極與一第三汲極，其中該第三源極與該第一汲極電性連接；以及一第一連接導線，部分重疊設置於該第三主動元件上方，其中該第一連接導線具有一第一端與一第二端，該第一端與該第一汲極電性連接，該第二端與該第一畫素電極電性連接；以及一第二連接導線，用以電性連接至一固定電位，該第二連接導線與該第三汲極電性連接。
14. 如請求項13所述之畫素結構，其中該第一連接導線於該掃描線上的垂直投影與該第三主動元件重疊。
15. 如請求項13所述之畫素結構，其中該第一連接導線於該掃描線上藉由該第三源極與該掃描線隔離。
16. 如請求項13所述之畫素結構，其中該第一連接導線於該掃描線上藉由該第三汲極與該掃描線隔離。
17. 如請求項13所述之畫素結構，更包含一保護層，覆蓋該第一主動元件、該第二主動元件與該第三主動元件，該保護層至少具有一第一接觸窗與一第二接觸窗，分別暴露出該第一汲極與該第二汲極，其中該第一連接導線的該第一端經由該第一接觸窗與該第一汲極電性連接，以及該第二畫素電極經由該第二接觸窗與該第二汲極電性連接。
18. 如請求項17所述之畫素結構，其中該第一汲極與該第二汲極突出於該掃描線的該第二側邊，且該第一接觸窗與該第二接觸窗位於該掃描線的該第二側邊。
19. 如請求項17所述之畫素結構，更包含一電容線，與該第二畫素電極部分重疊，其中該第一接觸窗和該第二接觸窗在垂直投影方向上與該電容線重疊。
20. 如請求項13所述之畫素結構，更包含一電容線，其中該第二連接導線突出於該掃描線的該第二側邊，與該電容線電性連接。
21. 如請求項20所述之畫素結構，其中該電容線具有一共通電位(VCOM)。
22. 如請求項20所述之畫素結構，其中該電容線具有一共通電位(VCOM)，而該第二連接導線的該固定電位不同於該共通電位。
23. 如請求項20所述之畫素結構，其中該電容線具有一共通電位(VCOM)，而該第二連接導線的該固定電位大於該共通電位。
24. 如請求項13所述之畫素結構，更包括：一彩色濾光層，配置於該第一畫素電極與該第二畫素電極上方，具有一開口，該開口暴露該第一主動元件與該第二主動元件；一彩色濾光圖案區塊，設置於該第三主動元件上；以及一遮光圖案層，填入該開口中。
25. 如請求項24所述之畫素結構，其中該彩色濾光圖案區塊與第三主動元件在垂直投影方向上重疊。
26. 如請求項24所述之畫素結構，其中該第一連接導線於該掃描線上的一重疊區段係藉由該彩色濾光圖案區塊與該掃描線隔離。
27. 如請求項24所述之畫素結構，其中該第一連接導線於該掃描線上的一重疊區段藉由該第三源極以及該彩色濾光圖案區塊與該掃描線隔離。
28. 如請求項24所述之畫素結構，其中該第一連接導線於該掃描線上的一重疊區段藉由該第三汲極以及該彩色濾光圖案區塊與該掃描線隔離。
29. 一種顯示面板，包括：如請求項1所述之複數個畫素結構；一第二基板，與該第一基板相對設置，其中該第二基板上配置有一對向電極；以及一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間。
30. 一種顯示面板，包括：如請求項13所述之複數個畫素結構；一第二基板，與該第一基板相對設置，其中該第二基板上配置有一對向電極；以及一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間。