CN114114762B - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114114762B
CN114114762B CN202010866854.3A CN202010866854A CN114114762B CN 114114762 B CN114114762 B CN 114114762B CN 202010866854 A CN202010866854 A CN 202010866854A CN 114114762 B CN114114762 B CN 114114762B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
retaining wall
display
electrodes
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010866854.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114114762A (zh
Inventor
龚林辉
刘超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
BOE Jingxin Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
BOE Jingxin Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, BOE Jingxin Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202310953725.1A priority Critical patent/CN116936560A/zh
Priority to CN202010866854.3A priority patent/CN114114762B/zh
Priority to US17/354,122 priority patent/US11742361B2/en
Publication of CN114114762A publication Critical patent/CN114114762A/zh
Priority to US18/361,375 priority patent/US12094889B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN114114762B publication Critical patent/CN114114762B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开一种显示基板及其制作方法、显示装置，所述显示基板包括：具有第一面、第二面和侧面的基底，基底包括显示区和位于显示区一侧的外延区；设置在所述基底的第一面上的驱动功能层和多个第一绑定电极，所述驱动功能层位于所述显示区，所述第一绑定电极位于所述外延区，且与所述驱动功能层电连接；设置在所述基底的第二面上的多个第二绑定电极，所述第二绑定电极通过侧面走线与所述第一绑定电极一一对应连接；所述侧面走线的一部分位于所述基底的侧面上；设置在所述基底的第一面上的挡墙，所述挡墙位于所述外延区，所述挡墙在所述基底上的正投影至少沿多个所述第一绑定电极的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域。

Description

显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
微型/迷你发光二极管(Micro/Mini-LED)显示技术作为新一代显示技术，具有亮度高、发光效率好、功耗低等优点。通常通过转印技术将Micro/Mini-LED芯片转印至显示基板上，由于转印技术的限制，使得无法直接制备大尺寸LED显示基板；因此，现有技术中会通过拼接方式将多块小尺寸的LED显示基板拼接形成大尺寸的显示基板。
小尺寸显示基板通常包括显示区和外延区，外延区中设置第一绑定电极，第一绑定电极通过显示基板侧面的走线与显示基板背侧的第二绑定电极连接，进而与柔性线路板连接。其中，在显示基板的侧面形成走线时，容易导致导电材料进入显示区中，从而造成显示区中的导电结构之间发生短路，影响显示基板的良率。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了显示基板及其制作方法、显示装置。
为了实现上述目的，本发明提供一种显示基板，包括：
具有第一面、第二面和侧面的基底，所述第一面与所述第二面相对，所述侧面连接在所述第一面与所述第二面之间，所述基底包括显示区和位于显示区一侧的外延区；
设置在所述基底的第一面上的驱动功能层和多个第一绑定电极，所述驱动功能层位于所述显示区，所述第一绑定电极位于所述外延区，且与所述驱动功能层电连接；
设置在所述基底的第二面上的多个第二绑定电极，所述第二绑定电极通过侧面走线与所述第一绑定电极一一对应连接；所述侧面走线的一部分位于所述基底的侧面上；
设置在所述基底的第一面上的挡墙，所述挡墙位于所述外延区，所述挡墙在所述基底上的正投影至少沿多个所述第一绑定电极的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域。
在一些实施例中，所述挡墙在所述基底上的正投影为连续图形，所述挡墙的一部分位于所述第一绑定电极远离所述基底的一侧，所述挡墙的其余部分位于相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域。
在一些实施例中，所述挡墙在所述基底上的正投影与所述第一绑定电极在所述基底上的正投影无交叠。
在一些实施例中，所述挡墙与所述显示区的边界之间的距离为所述外延区宽度的0.08～0.2倍。
在一些实施例中，所述第一绑定电极包括：电极主体部和传输部，所述传输部连接在所述电极主体部与所述驱动功能层之间，所述电极主体部远离所述基底的一侧设置有导电保护层，所述侧面走线与所述导电保护层连接。
在一些实施例中，多个所述导电保护层靠近所述显示区的边缘位于第一边界上，所述挡墙位于所述显示区与所述第一边界之间。
在一些实施例中，所述挡墙与所述第一边界之间的距离为所述外延区宽度的0.04～0.1倍，所述挡墙与所述显示区的边界之间的距离为所述外延区宽度的0.08～0.15倍。
在一些实施例中，所述显示基板还包括多个发光器件，所述驱动功能层包括：
第一导电图形，所述第一导电图形包括多条信号传输线，所述信号传输线与所述第一绑定电极连接；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一导电图形远离所述基底的一侧；
第二导电图形，所述第二导电图形设置在所述第一导电图形远离所述基底的一侧，所述第二导电图形包括多个连接电极，所述连接电极通过所述第一绝缘层上的第一过孔与所述信号传输线连接；
设置在所述第二导电图形远离所述基底一侧的第二绝缘层；
其中，所述发光器件的引脚通过所述第二绝缘层上的第二过孔与所述连接电极连接，所述挡墙远离所述基底的表面不低于所述第二绝缘层远离所述基底的表面。
在一些实施例中，所述挡墙包括层叠设置的第一挡墙部和第二挡墙部，所述第一挡墙部与所述第一绝缘层同层设置，所述第二挡墙部与所述第二绝缘层同层设置。
在一些实施例中，所述挡墙远离所述基底的表面的高度为所述第二绝缘层远离所述基底的表面的高度的1～1.3倍。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示基板。
本发明实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括：
提供具有第一面、第二面和侧面的基底，所述第一面与所述第二面相对，所述侧面连接在所述第一面与所述第二面之间，所述基底包括显示区和位于显示区一侧的外延区；
在所述基底的第一面上形成驱动功能层和多个第一绑定电极，所述驱动功能层位于所述显示区，所述第一绑定电极位于所述外延区，且与所述驱动功能层电连接；
在所述基底的第二面上形成多个第二绑定电极，所述第二绑定电极与所述第一绑定电极一一对应；
在所述基底的第一面上形成挡墙，所述挡墙位于所述外延区，所述挡墙在所述基底上的正投影至少沿多个所述第一绑定电极的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域；
在形成有所述挡墙的基底上形成与所述第一绑定电极一一对应连接的侧面走线，所述第二绑定电极通过所述侧面走线与所述第一绑定电极一一对应连接；所述侧面走线的一部分位于所述基底的侧面上。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明实施例中提供的显示基板的基底的第一面示意图。
图2为本发明实施例中提供的显示基板的基底的第二面示意图。
图3为沿图1中A-A’线的整体剖视图。
图4为本发明实施例中提供的基底的第一面上的外延区的一种平面图。
图5为本发明实施例中提供的基底的第一面上的外延区的另一种平面图。
图6为沿图4中B-B’线的剖视图。
图7为沿图4中C-C’线的剖视图。
图8为本发明实施例中提供的显示基板的具体结构示意图。
图9为本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
在下面的描述中，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
虽然在这里可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开。
图1为本发明实施例中提供的显示基板的基底的第一面示意图，图2为本发明实施例中提供的显示基板的基底的第二面示意图，图3为沿图1中A-A’线的整体剖视图。如图1至图3所示，显示基板包括：基底10、驱动功能层20、多个第一绑定电极30、多个第二绑定电极40和多条侧面走线50。其中，基底10具有第一面10a、第二面10b和侧面10c，第一面10a与第二面10b为基底10的两个相对的表面，侧面10c连接在第一面10a与所述第二面10b之间。基底10包括显示区DA和位于显示区DA一侧的外延区WA。示例性地，基底10可以采用玻璃基底10。
驱动功能层20和多个第一绑定电极30设置在基底10的第一面10a上，驱动功能层20位于显示区DA，第一绑定电极30位于外延区WA，且与驱动功能层20电连接。驱动功能层20上可以设置发光器件，驱动功能层20用于为发光器件提供驱动信号，以驱动发光器件进行发光。其中，发光器件可以采用发光二极管，例如，Mini-LED或Micro-LED。
第二绑定电极40设置在基底10的第二面10b上，第二绑定电极40通过侧面走线50与第一绑定电极30一一对应连接，侧面走线50的一部分位于基底10的侧面上。可选地，如图2和图3所示，基底10的第二面10b上还可以设置有与第二绑定电极40一一对应连接的第三绑定电极70，第三绑定电极70用于与柔性电路板(Flexible Printed Circuit，简称FPC)绑定，从而将柔性电路板上的驱动芯片的驱动信号提供给驱动功能层20。
在显示基板的制作过程中，在形成侧面走线50时，可以采用磁控溅射工艺或电镀工艺形成金属膜层，之后对金属膜层进行刻蚀，从而形成多条侧面走线50。其中，在刻蚀时，可以采用激光刻蚀的方式。为了避免激光刻蚀时的热量对显示区DA的结构造成损伤，在形成金属膜层时，可以在显示区DA贴附遮挡膜，之后再形成金属膜层，待金属膜层形成之后，再将遮挡膜剥离。但是，在实际操作中，容易出现遮挡膜与显示区DA的结构贴附不紧密，从而导致仍有部分金属离子进入显示区DA，进而导致不同的第一绑定电极30之间发生短路。
为了解决这一问题，如图1和图3所示，本发明实施例在基底10的第一面10a上设置挡墙60，挡墙60位于外延区WA，并且，挡墙60在基底10上的正投影至少沿多个第一绑定电极30的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极30之间的间隔区域。其中，多个第一绑定电极30沿图1中的第一方向排列。
需要说明的是，挡墙60在基底10上的正投影至少沿多个第一绑定电极30的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极30之间的间隔区域，是指，挡墙60至少包括位于每相邻两个第一绑定电极30之间的第一阻挡部分，第一阻挡部分在基底10上的正投影从其中一个第一绑定电极30在基底10上的正投影延伸至另一个第一绑定电极30在基底10上的正投影。
在本发明实施例中，外延区WA设置有挡墙60，且挡墙60至少位于相邻两个第一绑定电极30之间的间隔区域，因此，在外延区WA形成金属膜层时，在挡墙60的遮挡作用下，金属离子并不会从相邻两个第一绑定电极30之间的间隔区域进入显示区DA，从而防止相邻两个第一绑定电极30之间发生短路，保证了显示基板的良率。
图4为本发明实施例中提供的基底的第一面上的外延区的一种平面图，如图4所示，在一些实施例中，挡墙60在基底10上的正投影为连续图形，挡墙60的一部分位于第一绑定电极30远离基底10的一侧，挡墙60的其余部分位于相邻两个第一绑定电极30之间的间隔区域。
图5为本发明实施例中提供的基底的第一面上的外延区的另一种平面图，如图5所示，在另一些实施例中，挡墙60包括多个间隔设置的阻挡部分，每个阻挡部分在基底10上的正投影均位于相邻两个第一绑定电极30之间的间隔区域，即，挡墙60在基底10上的正投影与第一绑定电极30在基底10上的正投影无交叠。
图6为沿图4中B-B’线的剖视图，图7为沿图4中C-C’线的剖视图。其中，对于图5中所示的挡墙60，其纵向剖视结构可以参见图7。如图6所示，第一绑定电极30包括：电极主体部30a和传输部30b，传输部30b连接在电极主体部30a与驱动功能层20之间，电极主体部30a远离基底10的一侧设置有导电保护层31，侧面走线50的一部分位于导电保护层31远离基底10的一侧，并与导电保护层31接触连接。导电保护层31的材料为金属氧化物导电材料，导电保护层31可以防止电极主体部30a被氧化而影响导电性。另外，考虑到需要将电极主体部30a与侧面走线50进行电连接，因此，需要使导电保护层31不但能够保护电极主体部30a避免被氧化，还需要具备一定的导电性。在一些示例中，电极主体部30a和传输部30b为一体结构，例如，二者均采用铜制成。导电保护层31的材料包括氧化铟锡、氧化铟镓锌等具有较佳导电性的金属氧化物材料。
如图4和图5所示，在一些实施例中，挡墙60与显示区DA的边界之间的距离L1为外延区WA宽度w的0.08～0.2倍。例如，外延区WA宽度w为120μm，挡墙60与显示区DA的边界之间的距离L1在10μm～24μm之间，这样可以在制作侧面走线50时，溅射形成的金属膜层与显示区DA的边界之间留有一定的间距，从而在激光刻蚀金属膜层时，防止刻蚀产生的热量对显示区DA的结构造成损伤，且不会导致造成边框过大。
需要说明的是，在本发明实施例中，显示基板还包括设置在驱动功能层20的多个发光器件。发光器件可以呈阵列排布，上述显示区DA的边界为多个发光器件所在区域的边界。外延区WA的长度方向为多个第一绑定电极30的排列方向，外延区WA的宽度方向则第一绑定电极30的电极主体部30a与连接部30b的排列方向。
其中，每个第一绑定电极30上的导电保护层31的轮廓为四边形，该四边形包括：相对的第一边缘和第二边缘、以及连接在第一边缘与第二边缘之间的两个侧边缘，其中，第一边缘为导电保护层31靠近显示区DA的边缘，第二边缘为导电保护层31远离显示区DA的边缘。可选地，多个导电保护层31的第一边缘位于同一直线上，该直线记作第一边界。在一些实施例中，挡墙60可以位于第一边界上。
在另一些实施例中，如图5所示，挡墙60位于显示区DA与第一边界之间，以防止挡墙60的设置对导电保护层31与侧面走线50的连接造成影响，从而保证侧面走线50与导电保护层31的连接稳定性。可选地，挡墙60与第一边界之间的距离L2为外延区WA宽度w的0.04～0.1倍，挡墙60与显示区DA的边界之间的距离为外延区WA宽度的0.08～0.15倍。例如，外延区WA宽度w为120μm，挡墙60与显示区DA的边界之间的距离L1为10μm，挡墙60与第一边界之间的距离L2为5μm。
图8为本发明实施例中提供的显示基板的具体结构示意图，如图6至图8所示，驱动功能层20包括：第一导电图形、第一绝缘层23、第二导电图形和第二绝缘层25，第一导电图形包括多条信号传输线21/22，信号传输线21/22与第一绑定电极30一一对应连接，其中，信号传输线21/22可以与第一绑定电极30的连接部30b连接。信号传输线21/22与第一绑定电极30可以同层设置。需要说明的是，本发明实施例中的“同层设置”是指，两个结构可以采用同一构图工艺制作，故二者在层叠关系上是处于同一个层之中的，但这并不表示二者与基底10间的距离必定相同。当两个结构同层设置且连接时，则二者可以形成为一体结构。还需要说明的是，图8所示的结构并不是沿着信号传输线21/22进行剖切的得到的，因此，图8中，信号传输线21/22位于第二过孔V1/V2下方的部分与第一绑定电极30间隔开，而信号传输线21/22可以在图8中未示出的位置与第一绑定电极30连接在一起。
第一绝缘层23设置在第一导电图形远离基底10的一侧，其中，第一绝缘层23可以包括第一无机层23a和第一有机层23b，第一无机层23a设置在第一有机层23b与基底10之间，第一无机层23a具有阻隔水汽和氧气的作用，从而提高显示基板的密封性，防止第一导电图形受到水汽和氧气的侵蚀。第一无机层23a可以采用氮化硅或氮氧化硅等无机材料来制作，也可以采用其他无机材料，此处不作限定。第一有机层23b可以采用有机树脂材料制作，也可以采用其他有机材料，此处不作限定。
第二导电图形设置在第一导电图形远离基底10的一侧，第二导电图形包括多个连接电极24a/24b，连接电极24a通过第一绝缘层23上的第一过孔与信号传输线21连接，连接电极24b通过第一绝缘层23上的第一过孔与信号传输线22连接。第二绝缘层25设置在第二导电图形远离基底10的一侧，第二绝缘层25可以包括：第二无机层25a、第二有机层25b和第三无机层25c，第二无机层25a设置在第二有机层25b与基底10之间，第三无机层25c设置在第二有机层25b远离基底10的一侧，第二无机层25a和第三无机层25c具有阻隔水汽和氧气的作用，从而提高显示基板的密封性，防止第二导电图形受到水汽和氧气的侵蚀。第二无机层25a和第三无机层25c可以采用氮化硅或氮氧化硅等无机材料来制作，也可以采用其他无机材料，此处不作限定。第二有机层25b可以采用有机树脂材料制作，也可以采用其他有机材料，此处不作限定。需要说明的是，在实际应用中，第一绝缘层23和第二绝缘层25具体所包含的膜层结构也可以根据实际需要进行增减，这里不作具体限定。
第二绝缘层25上设置有第二过孔V1/V2，第二过孔V1/V2与发光器件的引脚一一对应，并与连接电极24a/24b一一对应。其中，发光器件的引脚包括阴极引脚和阳极引脚，第二过孔V1与发光器件的阳极引脚对应，第二过孔V2与发光器件的阴极引脚对应。第二过孔V1暴露出相应的连接电极24a的一部分，第二过孔V2暴露出相应的连接电极24b的一部分，发光器件的阳极引脚通过第二过孔V1与连接电极24a连接，发光器件的阴极引脚通过第二过孔V2与连接电极24b连接。
在一些实施例中，基底10上还可以设置缓冲层26，第一导电图形和第一绑定电极30均位于缓冲层26远离基底10的一侧。缓冲层26配置为提升第一导电图形、第一绑定电极30与基底10之间的结合牢固度。缓冲层26可以采用氮化硅或氮氧化硅等无机材料来制作，也可以采用其他无机材料，此处不作限定。
为了防止第二绑定电极40和第三绑定电极70被氧化，在第二绑定电极40远离基底10的表面设置有导电保护层41，在第三绑定电极70远离基底10的表面设置有导电保护层71，导电保护层71与侧面走线50连接。导电保护层41和71的材料均可以包括氧化铟锡、氧化铟镓锌等具有较佳导电性的金属氧化物材料。另外，基底10远离驱动结构层20的一侧还设置有钝化层80，钝化层80将导电保护层71的一部分露出，以便于导电保护层71与柔性线路板绑定。
在一些实施例中，挡墙60远离基底10的表面的高度h1与第二绝缘层25远离基底10的表面的高度h2的1～1.3倍，从而保证在制作侧面走线50时，金属离子不会进入显示区DA中。需要说明的是，本发明实施例中，某个表面的高度是指，该表面到基底10的垂直距离。
在一些具体示例中，第二绝缘层25远离基底10的表面的高度h2在3.5μm～4.5μm之间，挡墙60远离基底10的表面的高度h1在3.5μm～6μm之间。例如，挡墙60远离基底10的表面的高度h1、第二绝缘层25远离基底10的表面的高度h2均为4μm。
在一些实施例中，如图6至图8所示，挡墙60包括层叠设置的第一挡墙部61和第二挡墙部62，第一挡墙部61与第一绝缘层23同层设置，第二挡墙部62与第二绝缘层25同层设置。如上文，第一绝缘层23可以包括第一无机层23a和第一有机层23b，第二绝缘层25可以包括第二无机层25a、第二有机层25b和第三无机层25c，这种情况下，第一挡墙部61可以包括：第一阻挡层61a和第二阻挡层61b，第一阻挡层61a与第一无机层23a同层设置，第二阻挡层61b与第一有机层23b同层设置。第二挡墙部62可以包括：第三阻挡层62a、第四阻挡层62b和第五阻挡层62c，第三阻挡层62a与第二无机层25a同层设置，第四阻挡层62b与第二有机层25b同层设置，第五阻挡层62c与第三无机层25c同层设置。
当然，第一挡墙部61也可以仅包括与第一有机层23b同层设置的阻挡层，第二挡墙部62也可以仅包括与第二有机层25b同层设置的阻挡层。
图9为本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法流程图，如图9所示，该显示基板的制作方法包括：
S1、提供具有第一面、第二面和侧面的基底，所述第一面与所述第二面相对，所述侧面连接在所述第一面与所述第二面之间，所述基底包括显示区和位于显示区一侧的外延区。
S2、在所述基底的第一面上形成驱动功能层和多个第一绑定电极，所述驱动功能层位于所述显示区，所述第一绑定电极位于所述外延区，且与所述驱动功能层电连接。
S3、在所述基底的第二面上的多个第二绑定电极，所述第二绑定电极与所述第一绑定电极一一对应。
需要说明的是，上述步骤S2和步骤S3的先后顺序不作具体限定，步骤S2可以在步骤S3之前进行，也可以在步骤S3之后进行。
S4、在所述基底的第一面上形成挡墙，所述挡墙位于所述外延区，所述挡墙在所述基底上的正投影至少沿多个所述第一绑定电极的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域。
S5、在形成有所述挡墙的基底上形成与所述第一绑定电极一一对应连接的侧面走线，所述第二绑定电极通过侧面走线与所述第一绑定电极一一对应连接；所述侧面走线的一部分位于所述基底的侧面上。
在进行步骤S5之前，可以在显示区贴附遮挡膜，在进行步骤S5时，可以通过磁控溅射等方式在第一面的外延区、基底的侧面、基底的第二面形成金属膜层，之后，对金属膜层进行激光刻蚀，从而形成与第一绑定电极一一对应连接的侧面走线。
在挡墙的阻挡作用下，步骤S5在通过磁控溅射形成金属膜层时，金属离子并不会第一绑定电极之间的间隔区域进入显示区，从而防止因难以在显示区对金属膜层刻蚀而导致的不同第一绑定电极之间的短路问题。
如上所述，驱动功能层包括：第一导电图形、第一绝缘层、第二导电图形和第二绝缘层；挡墙包括第一挡墙部和第二挡墙部。此时，第一导电结构可以和第一挡墙部同步形成，第二挡墙部可以和第二绝缘层同步形成。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示基板。在一些实施例中，该显示装置可为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
具有第一面、第二面和侧面的基底，所述第一面与所述第二面相对，所述侧面连接在所述第一面与所述第二面之间，所述基底包括显示区和位于显示区一侧的外延区；
设置在所述基底的第一面上的驱动功能层和多个第一绑定电极，所述驱动功能层位于所述显示区，所述第一绑定电极位于所述外延区，且与所述驱动功能层电连接；
设置在所述基底的第二面上的多个第二绑定电极，所述第二绑定电极通过侧面走线与所述第一绑定电极一一对应连接；所述侧面走线的一部分位于所述基底的侧面上；
设置在所述基底的第一面上的挡墙，所述挡墙位于所述外延区，所述挡墙在所述基底上的正投影至少沿多个所述第一绑定电极的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域；
所述显示基板还包括多个发光器件，所述驱动功能层包括：
第一导电图形，所述第一导电图形包括多条信号传输线，所述信号传输线与所述第一绑定电极连接；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一导电图形远离所述基底的一侧；
第二导电图形，所述第二导电图形设置在所述第一导电图形远离所述基底的一侧，所述第二导电图形包括多个连接电极，所述连接电极通过所述第一绝缘层上的第一过孔与所述信号传输线连接；
设置在所述第二导电图形远离所述基底一侧的第二绝缘层；
其中，所述发光器件的引脚通过所述第二绝缘层上的第二过孔与所述连接电极连接，所述挡墙远离所述基底的表面不低于所述第二绝缘层远离所述基底的表面；
所述挡墙包括层叠设置的第一挡墙部和第二挡墙部，所述第一挡墙部与所述第一绝缘层同层设置，所述第二挡墙部与所述第二绝缘层同层设置。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙在所述基底上的正投影为连续图形，所述挡墙的一部分位于所述第一绑定电极远离所述基底的一侧，所述挡墙的其余部分位于相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙在所述基底上的正投影与所述第一绑定电极在所述基底上的正投影无交叠。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙与所述显示区的边界之间的距离为所述外延区宽度的0.08～0.2倍。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一绑定电极包括：电极主体部和传输部，所述传输部连接在所述电极主体部与所述驱动功能层之间，所述电极主体部远离所述基底的一侧设置有导电保护层，所述侧面走线与所述导电保护层连接。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，多个所述导电保护层靠近所述显示区的边缘位于第一边界上，所述挡墙位于所述显示区与所述第一边界之间。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙与所述第一边界之间的距离为所述外延区宽度的0.04～0.1倍，所述挡墙与所述显示区的边界之间的距离为所述外延区宽度的0.08～0.15倍。
8.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙远离所述基底的表面的高度为所述第二绝缘层远离所述基底的表面的高度的1～1.3倍。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至8中任意一项所述的显示基板。
10.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供具有第一面、第二面和侧面的基底，所述第一面与所述第二面相对，所述侧面连接在所述第一面与所述第二面之间，所述基底包括显示区和位于显示区一侧的外延区；
在所述基底的第一面上形成驱动功能层和多个第一绑定电极，所述驱动功能层位于所述显示区，所述第一绑定电极位于所述外延区，且与所述驱动功能层电连接；
在所述基底的第二面上形成多个第二绑定电极，所述第二绑定电极与所述第一绑定电极一一对应；
在所述基底的第一面上形成挡墙，所述挡墙位于所述外延区，所述挡墙在所述基底上的正投影至少沿多个所述第一绑定电极的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域；
在形成有所述挡墙的基底上形成与所述第一绑定电极一一对应连接的侧面走线，所述第二绑定电极通过所述侧面走线与所述第一绑定电极一一对应连接；所述侧面走线的一部分位于所述基底的侧面上；
其中，所述驱动功能层包括：
第一导电图形，所述第一导电图形包括多条信号传输线，所述信号传输线与所述第一绑定电极连接；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一导电图形远离所述基底的一侧；
第二导电图形，所述第二导电图形设置在所述第一导电图形远离所述基底的一侧，所述第二导电图形包括多个连接电极，所述连接电极通过所述第一绝缘层上的第一过孔与所述信号传输线连接；
设置在所述第二导电图形远离所述基底一侧的第二绝缘层；
所述制作方法还包括形成多个发光器件，其中，所述发光器件的引脚通过所述第二绝缘层上的第二过孔与所述连接电极连接，所述挡墙远离所述基底的表面不低于所述第二绝缘层远离所述基底的表面；
所述挡墙包括层叠设置的第一挡墙部和第二挡墙部，所述第一挡墙部与所述第一绝缘层同层设置，所述第二挡墙部与所述第二绝缘层同层设置。
CN202010866854.3A 2020-08-25 2020-08-25 显示基板及其制作方法、显示装置 Active CN114114762B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310953725.1A CN116936560A (zh) 2020-08-25 2020-08-25 显示基板及其制作方法、显示装置
CN202010866854.3A CN114114762B (zh) 2020-08-25 2020-08-25 显示基板及其制作方法、显示装置
US17/354,122 US11742361B2 (en) 2020-08-25 2021-06-22 Display substrate and method for manufacturing the same, display device
US18/361,375 US12094889B2 (en) 2020-08-25 2023-07-28 Display substrate and method for manufacturing the same, display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010866854.3A CN114114762B (zh) 2020-08-25 2020-08-25 显示基板及其制作方法、显示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310953725.1A Division CN116936560A (zh) 2020-08-25 2020-08-25 显示基板及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114114762A CN114114762A (zh) 2022-03-01
CN114114762B true CN114114762B (zh) 2023-10-13

Family

ID=80357426

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310953725.1A Pending CN116936560A (zh) 2020-08-25 2020-08-25 显示基板及其制作方法、显示装置
CN202010866854.3A Active CN114114762B (zh) 2020-08-25 2020-08-25 显示基板及其制作方法、显示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310953725.1A Pending CN116936560A (zh) 2020-08-25 2020-08-25 显示基板及其制作方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US11742361B2 (zh)
CN (2) CN116936560A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4451337A1 (en) * 2022-08-11 2024-10-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display device and tiled display device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120102350A (ko) * 2011-03-08 2012-09-18 주식회사 동진디스플레이재료 터치 패널
CN106873839A (zh) * 2017-02-15 2017-06-20 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN106951125A (zh) * 2017-03-30 2017-07-14 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN107068720A (zh) * 2017-04-19 2017-08-18 上海天马微电子有限公司 一种有机发光二极管显示面板及显示装置
CN110120463A (zh) * 2019-05-24 2019-08-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110518042A (zh) * 2019-08-29 2019-11-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110767664A (zh) * 2019-10-31 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100051993A1 (en) * 2008-09-03 2010-03-04 Casio Computer Co., Ltd. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
JP2010244977A (ja) * 2009-04-09 2010-10-28 Renesas Electronics Corp 半導体装置
KR102527218B1 (ko) * 2016-01-08 2023-04-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102427667B1 (ko) * 2017-09-26 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120102350A (ko) * 2011-03-08 2012-09-18 주식회사 동진디스플레이재료 터치 패널
CN106873839A (zh) * 2017-02-15 2017-06-20 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN106951125A (zh) * 2017-03-30 2017-07-14 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN107068720A (zh) * 2017-04-19 2017-08-18 上海天马微电子有限公司 一种有机发光二极管显示面板及显示装置
CN110120463A (zh) * 2019-05-24 2019-08-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110518042A (zh) * 2019-08-29 2019-11-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110767664A (zh) * 2019-10-31 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN116936560A (zh) 2023-10-24
US11742361B2 (en) 2023-08-29
US20220068978A1 (en) 2022-03-03
CN114114762A (zh) 2022-03-01
US20230369352A1 (en) 2023-11-16
US12094889B2 (en) 2024-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107302011B (zh) 显示装置
CN111048566B (zh) 一种有机发光显示面板及显示装置
CN113920943B (zh) 显示装置及其制作方法
CN111864067B (zh) 可拉伸显示面板及其制造方法、显示装置
KR20190044016A (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN211375271U (zh) 背光源灯板、背光源和显示装置
CN102569341A (zh) 有机发光二极管显示器
KR20230047339A (ko) 배선 필름 및 그를 포함한 표시 장치
US12094889B2 (en) Display substrate and method for manufacturing the same, display device
CN110658951B (zh) 一种触控基板及其制作方法、触控显示装置
US20220393087A1 (en) Led display substrate and method for manufacturing the same, display panel
US20220322524A1 (en) Display assembly and display device
EP4132230A1 (en) Display module and display device
CN111223899B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN117637971A (zh) 显示面板及显示装置
CN210692540U (zh) 主动式rgb发光二极管像素组件
CN115275044B (zh) 显示面板
US20220181399A1 (en) Electroluminescence Display Apparatus
CN115241242A (zh) 一种显示面板及显示装置
US11963406B2 (en) Display and display device
CN219780849U (zh) 一种显示面板
US20230268476A1 (en) Display device using micro led and modular display device using same
US20240072012A1 (en) Light emitting display unit and display apparatus
CN117677235A (zh) 显示组件及其制备方法、电子设备
CN117316060A (zh) 一种显示面板、拼接显示面板以及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant