CN110444571B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
显示面板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110444571B CN110444571B CN201910740116.1A CN201910740116A CN110444571B CN 110444571 B CN110444571 B CN 110444571B CN 201910740116 A CN201910740116 A CN 201910740116A CN 110444571 B CN110444571 B CN 110444571B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- retaining wall
- display panel
- encapsulation layer
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 100
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 146
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法,涉及显示技术领域,能够减小显示面板中挡墙侧面与底面夹角处的应力,进而降低后续膜层的开裂风险。显示面板具有显示区和周边区;所述显示面板包括衬底、设置于所述衬底上且位于所述的挡墙;所述挡墙具有相对设置的顶面和底面、以及与所述顶面和所述底面连接的侧面,相对所述顶面,所述底面更靠近所述衬底;在所述挡墙的侧面与底面夹角处,设置有填充图案;所述填充图案用于使所述挡墙以及所述填充图案作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
自发光显示装置例如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置具有自发光、轻薄、功耗低、色彩还原度好、反应灵敏以及广视角等特点,已经被越来越广泛的应用在手机、笔记本电脑以及电视等显示设备中。并且,对于上述显示设备,为了实现更好的视觉效果,人们对窄边框提出了更高的需求。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制备方法,能够减小显示面板中挡墙侧面与底面夹角处的应力,进而降低后续膜层的开裂风险。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供了一种显示面板,该显示面板具有显示区和周边区。
所述显示面板包括衬底、设置于所述衬底上且位于所述周边区的挡墙;所述挡墙具有相对设置的顶面和底面,以及与所述顶面和所述底面连接的侧面,相对所述顶面,所述底面更靠近衬底。所述侧面与所述底面夹角处,设置有填充图案;所述填充图案用于使所述挡墙以及所述填充图案作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓。
可选的,所述显示面板还包括覆盖所述显示区的薄膜封装层;所述薄膜封装层包括有机封装层和无机封装层,所述有机封装层位于最靠近所述显示区的所述挡墙限定的范围内,所述无机封装层还延伸至所述周边区覆盖所述挡墙。
在此基础上,可选的,所述有机封装层和所述填充图案同层同材料。
在此基础上,可选的,所述无机封装层为两层,分别为第一无机封装层和第二无机封装层;所述第一无机封装层靠近所述衬底,所述有机封装层位于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间。
可选的,所述挡墙的侧面与底面的夹角为30°~90°。
可选的,针对设置于所述显示区任一边界一侧的所述挡墙,沿垂直该边界的方向,所述挡墙的宽度为30-50μm。
可选的,在所述显示区至少一边界一侧,所述挡墙的个数为两个,两个所述挡墙包括第一挡墙和第二挡墙,沿垂直该边界方向,所述第一挡墙和所述第二挡墙间隔设置,且所述第一挡墙位于所述第二挡墙与所述显示区的边界之间;所述第二挡墙的高度大于所述第一挡墙的高度。
可选的,所述衬底为柔性衬底。
再一方面,提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板具有显示区和周边区;所述显示面板的制备方法,包括:在衬底上且位于所述周边区形成挡墙;所述挡墙具有相对设置的顶面和底面、以及与所述顶面和所述底面连接的侧面,相对所述顶面,所述底面更靠近所述衬底。
在所述侧面一侧,且所述侧面与所述底面夹角处形成填充图案;所述填充图案用于使所述挡墙以及所述填充图案作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓。
可选的,所述显示面板的制备方法,还包括:在所述衬底上形成覆盖所述显示区的薄膜封装层;所述薄膜封装层包括有机封装层,所述有机封装层位于最靠近所述显示区的所述挡墙限定的范围内。所述有机封装层与所述填充图案同步通过喷墨打印工艺形成。
可选的,在所述侧面一侧且所述侧面与所述底面夹角处,喷墨打印的墨滴总量为10~30μm3。
本发明提供一种显示面板及其制备方法,在周边区设置挡墙的基础上,通过在挡墙的侧面与底面夹角处,设置填充图案,使挡墙以及填充图案作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓。即,相对挡墙侧面的坡度,将填充图案和挡墙看成整体时,该整体的外轮廓的侧面的坡度更平缓。因而,在后续制作其他膜层时,使得该膜层的坡度也相应的平缓,从而即使挡墙的侧面与底面的夹角α较大,即,挡墙侧面的坡度较大,在挡墙的侧面与底面的夹角α处的应力也会减小,进而降低了后续膜层的开裂风险。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中一种显示面板的剖视示意图;
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图;
图3a为本发明实施例提供的一种图2中AA′向的剖视示意图;
图3b为本发明实施例提供的又一种图2中AA′向的剖视示意图;
图4a为本发明实施例提供的一种图2中BB′向的剖视示意图;
图4b为本发明实施例提供的又一种图2中BB′向的剖视示意图;
图5a为本发明实施例提供的又一种图2中BB′向的剖视示意图;
图5b为本发明实施例提供的又一种图2中BB′向的剖视示意图;
图6为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图:
图8a为本发明实施例提供的一种挡墙的俯视示意图;
图8b为本发明实施例提供的一种图8a中CC′向的剖视示意图;
图8c为本发明实施例提供的又一种挡墙的俯视示意图;
图8d为本发明实施例提供的一种图8c中DD′向的剖视示意图;
图9a为本发明实施例提供的一种填充图案制备过程示意图;
图9b为本发明实施例提供的又一种填充图案制备过程示意图。
附图标记:
1-显示面板;10-显示区;11-周边区;12-衬底;13-挡墙;14-填充图案;15-发光器件;16-驱动TFT;17-封装薄膜层;18-绝缘层;19-像素界定层;20-层间绝缘层;101-亚像素;131-第一挡墙;132-第二挡墙;151-发光功能层;152-阳极;153-阴极;161-栅极;162-源极;163-漏极;164-有源层;165-栅绝缘层;171-有机封装层;172-无机封装层;1511-发光层;1512-电子传输层;1513-电子注入层;1514-空穴传输层;1515-空穴注入层;1721-第一无机封装层;1722-第二无机封装层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
为了保护自发光显示面板中的自发光器件不受空气中水汽、氧气和杂质等的影响,通常采用薄膜封装技术(Thin Film Encapsulation,TFE)对自发光器件进行封装。在封装过程中,通常需要通过喷墨打印工艺制作一层有机封装层,而为了将该有机封装层限定在特定区域内,需要在显示面板的周边区设置挡墙。
对于挡墙而言,其侧面与底面的夹角越大,相应的,挡墙侧面的坡度越大,该挡墙对喷墨打印过程中液滴的阻挡效果越好。而且,随着显示面板逐渐向窄边框发展,挡墙的最大宽度受到限制,当挡墙侧面与底面的夹角较大时,在挡墙底面的宽度限制在比较小的范围内的情况下,越容易保证挡墙顶面的最小宽度不至于过小,从而可以避免由于挡墙顶面的宽度小而导致的一些问题。
但是,如图1所示,挡墙13的侧面与底面的夹角α越大,在挡墙13的的侧面与底面夹角α位置处(图1中虚线框所示),越容易出现应力集中的问题,从而使得后续制备的膜层例如薄膜封装层17有开裂(Crack)风险。进而,降低薄膜封装层17对水汽、氧气和杂质等的阻隔作用。
如图2所示,本发明实施例提供一种显示面板1,具有显示区10和周边区11。
如图3a和图3b所示,显示面板1包括衬底12、设置于衬底12上且位于周边区11的挡墙13。挡墙13具有相对设置的顶面和底面、以及与顶面和底面连接的侧面,相对顶面,底面更靠近所述衬底;且侧面与底面夹角处,设置有填充图案14;填充图案14用于使挡墙13以及填充图案14作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓。
填充图案14用于使挡墙13以及填充图案14作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓,即,相对挡墙13侧面的坡度,将填充图案14和挡墙13看成整体时,该整体的外轮廓的侧面的坡度更平缓。
其中,针对位于挡墙13每一侧的填充图案14,可以通过控制填充图案14的侧面的坡度,该侧面为远离挡墙13的侧面,使填充图案14和挡墙13看作整体时,该整体的外轮廓的侧面的坡度更平缓。即,可使填充图案14的上述侧面(该侧面为远离挡墙13的侧面)的坡度小于挡墙13的侧面的坡度,实现填充图案14和挡墙13看作整体时,该整体的外轮廓的侧面的坡度平缓。
需要说明的是,图3a和图3b以填充图案14和挡墙13接触进行示意,但本发明实施例并不限于此,在填充图案14和挡墙13之间也可以设置其他膜层。
本发明对挡墙13靠近衬底12一侧接触的膜层不做限定,该膜层例如可以是绝缘层。此外,不对填充图案14的材料进行限定。
如图2所示,显示区10包括多个亚像素101。多个亚像素101至少包括第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素。示例的,第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素分别为红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素。对于第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素,其分布方式可以参考本领域的常规设置。
如图4a和图4b所示,每个亚像素101设置有一个发光器件15,发光器件15包括发光功能层151、位于发光功能层151两侧的阳极152和阴极153。图4a和图4b以阳极152设置于发光功能层151靠近衬底12一侧,阴极153设置于发光功能层151远离衬底12一侧进行示意。
其中,发光功能层151至少包括发光层1511。如图6所示,可选的,发光功能层151除包括发光层1511外,还可以包括电子传输层(election transporting layer,ETL)1512、电子注入层(election injection layer,EIL)1513、空穴传输层(hole transportinglayer,HTL)1514以及空穴注入层(hole injection layer,HIL)1515。当然,对于发光功能层151而言,除包括发光层1511外,可以包括ETL1512、EIL1513、HTL1514、HIL1515中的部分。在此基础上,为了驱动发光器件15工作,在亚像素区101中,在发光器件15靠近衬底12一侧,还设置有像素驱动电路。
该像素驱动电路由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)、电容(Capacitance,C)等电子器件组成。例如,像素驱动电路可以是由两个TFT(一个开关TFT和一个驱动TFT)和一个电容构成的2T1C结构的像素驱动电路;当然,像素驱动电路还可以是由两个以上的TFT(多个开关TFT和一个驱动TFT)和至少一个电容构成的像素驱动电路。不管像素驱动电路包括几个TFT,其中一个TFT为驱动TFT,如图4a和图4b所示,该驱动TFT16与发光器件15连接。
如图4a和图4b所示,驱动TFT16例如是可以为顶栅型TFT,顶栅型TFT包括依次层叠设置于衬底12上的有源层164和栅绝缘层165、栅极161、源极162和漏极163,源极162和漏极163通过层间绝缘层20上的过孔与有源层164接触。当然,驱动TFT16也可以是底栅型TFT、双栅型TFT等任意一种。对于像素驱动电路中的其他TFT的结构,可参考上述驱动TFT16,在此不再赘述。
其中,发光器件15的阳极152可通过绝缘层18上的过孔与驱动TFT16的漏极163电连接。本发明实施例提供一种显示面板1,通过在挡墙13的侧面与底面夹角处,设置填充图案14,使得挡墙13以及填充图案14作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓。因而,在后续制作其他膜层时,使得该膜层的坡度也相应的平缓,从而即使挡墙13的侧面与底面的夹角α较大,即,挡墙13侧面的坡度较大,在挡墙13的侧面与与底面夹角处的应力也会减小,进而降低了后续膜层的开裂风险。
可选的,如图3b和图4b所示,在显示区10至少一边界一侧,挡墙13的个数为两个,两个挡墙13包括第一挡墙131和第二挡墙132。沿垂直该边界的方向第一挡墙131和第二挡墙132间隔设置,且第一挡墙131位于第二挡墙132与显示区10的边界之间。第二挡墙132的高度大于第一挡墙131的高度。
其中,第一挡墙131主要用于在形成有机封装层的过程中,将有机封装材料限定在特定区域内。第二挡墙132主要用于阻挡从周边区11入侵至显示面板1的水汽、氧气和杂质等,此外,第二挡墙132也用来进一步在形成有机封装层时阻挡有机封装材料,避免由于第一挡墙131的拦截能力不足,而导致有机封装材料延伸至显示面板1除特定区域以外的区域中。
其中,上述特定区域一般为显示区10,还可以包括周边区11中紧挨着显示区10的边界,且不超过最靠近显示区10的挡墙13(例如上述第一挡墙131)的区域。通常情况下,有机封装层的边界在最靠近显示区10的挡墙13(例如第一挡墙131)限定的区域以内。
本发明实施例通过将挡墙13设置为2个,即,第一挡墙131和第二挡墙132,一方面,可以满足形成有机封装层时对有机封装材料的阻挡,且可起到阻挡水汽、氧气和杂质的作用;另一方面,2个挡墙13不会占用周边区11太多区域,有利用显示面板1的窄边框化。
可选的,挡墙13的侧面与底面的夹角为30°~90°。
其中,如图3b所示,在至少一个挡墙13包括第一挡墙131和第二挡墙132的情况下,第一挡墙131的侧面与底面的夹角记为α1,第二挡墙132的侧面与底面的夹角记为α2,α1和α2可以相等也可以不相等。
将挡墙13的侧面与底面的夹角设定为30°~90°,一方面,挡墙13对喷墨打印过程中液滴的阻挡效果更好;另一方面,在挡墙13高度一定的情况下,更容易保证挡墙13顶面的宽度不至于过小,避免后续形成的覆盖挡墙13的膜层(例如无机封装层)断开。
可选的,针对设置于显示区10任一边界一侧的挡墙13,沿垂直该边界的方向,挡墙13的宽度为30-50μm。
其中,挡墙13的顶面与底面的宽度均在此范围内。在挡墙13的侧面与底面的夹角较大的情况下,挡墙13的宽度可以做的相对较小,更有利于窄边框化。
在上述基础上,可选的,如图5a与图5b所示,显示面板1还包括覆盖显示区10的薄膜封装层17。薄膜封装层17包括有机封装层171和无机封装层172,有机封装层171位于最靠近显示区10的挡墙13限定的范围内,无机封装层172还延伸至周边区11覆盖每个挡墙13。
其中,有机封装层171的材料例如可以为亚克力;无机封装层152的材料可以为氮化硅和/或氧化硅等无机绝缘材料。
需要说明的是,不对有机封装层171和无机封装层172的层数进行限定。例如,如图5a与图5b所示,有机封装层171为一层,无机封装层172为两层,有机封装层171位于两层无机封装层172之间。又例如,有机封装层171为两层,无机封装层172为三层,无机封装层172和有机封装层171交替排布。
由于相对有机封装层171,无机封装层172对水氧的阻隔能力更好,因此,为了保证封装效果,薄膜封装层17的远离衬底12的最外层需是无机封装层172。
其中,有机封装层171具有延展性和柔韧性较好的特性,在薄膜封装层17中设置有机封装层171,可以使得薄膜封装层17具有较好的延展性和柔韧性。此外,有机封装层171还可以起到避免其下方的无机封装层172的无机物颗粒影响该有机封装层171上方的无机封装层172的制备,以避免该有机封装层171上方的无机封装层172的膜层破裂。而且,有机封装层171也起到平坦化的作用。
可选的,有机封装层171和填充图案14同层同材料。
即,有机封装层171和填充图案14可以通过同一次工艺制作形成。由此,可以简化制备工艺,节省成本。
在此基础上,如图5a和图5b所示,可选的,无机封装层172为两层,分别为第一无机封装层1721和第二无机封装层1722,第一无机封装层1721靠近衬底12,有机封装层171位于第一无机封装层1721和第二无机封装层1712之间。
基于此,如图5a与图5b所示,在挡墙13的侧面与底面夹角处也形成了无机、有机、无机的交替结构。因而,降低了在挡墙13的侧面与底面夹角处的应力,从而降低了薄膜封装层17的开裂风险。
可选的,如图4a和图4b、图5a和图5b所示,显示面板1还包括设置于衬底12上且位于显示区10的像素界定层19,所述像素界定层19用于限定多个亚像素101;其中,每个亚像素101中设置有一个发光器件15。至少一个所述挡墙与所述像素界定层19同层同材料。
以如图5a和图5b所示结构为例,在工艺上,在衬底12上先在显示区10的每个亚像素101中形成像素驱动电路,当然,在周边区11可同步形成电路以及走线;之后,可形成覆盖显示区10和周边区11的绝缘层18,并在绝缘层18上形成位于每个亚像素101中的阳极152;然后,在显示区10形成像素界定层19,并同步在周边区11形成挡墙13;然后形成位于每个亚像素101中的发光功能层151和阴极152;之后,可依次形成第一无机封装层1721、有机封装层171、第二无机封装层1722,其中,在形成有机封装层171时,同步形成填充图案14。
可选的,衬底12为柔性衬底。
当衬底12为柔性衬底时,显示面板1为柔性显示面板,在此情况下,该显示面板1具备可弯曲和折叠等柔性显示面板所特有的特点。此外,也可使显示面板1更耐用更轻薄。
本发明实施例中,通过使挡墙13与像素界定层19同步形成,可简化制备工艺。
如图7所示,本发明提供一种显示面板1的制备方法,包括:
S10、如图8a和图8b以及图8c和图8d所示,在衬底12上且位于周边区11形成挡墙13;挡墙13具有相对设置的顶面和底面、以及与顶面和底面连接的侧面,相对顶面,底面更靠近衬底12;S11、在挡墙13的侧面,且侧面与底面夹角处,形成填充图案14,填充图案14用于使挡墙13以及填充图案14作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓。
填充图案14用于使挡墙13以及填充图案14作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓,即,相对挡墙13侧面的坡度,将填充图案14和挡墙13看成整体时,该整体的外轮廓的侧面的坡度更平缓。其中,针对位于挡墙13每一侧的填充图案14,可以通过控制填充图案14的侧面的坡度,该侧面为远离挡墙13的侧面,使填充图案14和挡墙13看作整体时,该整体的外轮廓的侧面的坡度更平缓。即,可使填充图案14的上述侧面(该侧面为远离挡墙13的侧面)的坡度小于挡墙13的侧面的坡度,实现填充图案14和挡墙13看作整体时,该整体的外轮廓的侧面的坡度平缓。
需要说明的是,图8a、图8b、图8c和图8d,以显示区10每个边界均设置挡墙13进行示例,但本发明实施例并不限于此。可选的,如图9a和图9b所示,通过喷墨打印工艺形成填充图案14。
需要说明的是,图9a和图9b以填充图案14和挡墙13接触进行示意,但本发明实施例并不限于此,在填充图案14和挡墙13之间也可以设置其他膜层。
在此基础上,显示面板1的制备方法还包括:如图5a和图5b所示,在衬底12上形成覆盖所述显示区10的薄膜封装层17,薄膜封装层17包括有机封装层171,有机封装层171位于最靠近显示区10的挡墙13限定的范围内,有机封装层171与填充图案14同步通过喷墨打印工艺形成。
如图5a和图5b所示,以薄膜封装层17为三层结构为例,即,先形成第一无机封装层1721,然后同步形成有机封装层171和填充图案14,之后形成第二无机封装层1722。
在此情况下,在挡墙13的侧面与挡墙13靠近衬底12一侧接触的膜层接触位置处,填充图案14与挡墙13之间存在第一无机封装层1721的部分。此时,将挡墙13和填充图案14看作整体时,该整体中还包括第一无机封装层1721与填充图案14与挡墙13接触的部分。
有机封装层171与填充图案14同步通过喷墨打印工艺形成,在制作机封装层171时,同时在挡墙13的侧面与挡墙13靠近衬底12一侧接触的膜层接触位置处,制作有填充图案14。这样一来,可以在不增加制作工序的基础上,制作填充图案14。
可选的,在侧面一侧且侧面与底面夹角处,喷墨打印的墨滴总量为10~30μm3。
通过控制喷墨打印的墨滴的总量,可控制形成的填充图案14的坡度。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种显示面板,其特征在于,具有显示区和周边区;
所述显示面板包括衬底、设置于所述衬底上且位于所述周边区的挡墙;
所述挡墙具有相对设置的顶面和底面、以及与所述顶面和所述底面连接的侧面,相对所述顶面,所述底面更靠近所述衬底;所述侧面与所述底面夹角处,设置有填充图案;所述填充图案用于使所述挡墙以及所述填充图案作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓;
所述填充图案与所述挡墙直接接触;
所述挡墙的侧面与底面的夹角为30°~90°;
在所述显示区至少一边界一侧,所述挡墙的个数为两个,两个所述挡墙分别为第一挡墙和第二挡墙;
沿垂直该边界的方向,所述第一挡墙和所述第二挡墙间隔设置,且所述第一挡墙位于所述第二挡墙与所述显示区的边界之间;
所述第二挡墙的高度大于所述第一挡墙的高度;
所述显示面板还包括覆盖所述显示区的薄膜封装层;
所述薄膜封装层包括有机封装层和无机封装层;
所述有机封装层和所述填充图案同层同材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有机封装层位于最靠近所述显示区的所述挡墙限定的范围内,所述无机封装层还延伸至所述周边区覆盖所述挡墙。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述无机封装层为两层,分别为第一无机封装层和第二无机封装层;所述第一无机封装层靠近所述衬底,所述有机封装层位于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,针对设置于所述显示区任一边界一侧的所述挡墙,沿垂直该边界的方向,所述挡墙的宽度为30-50μm。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述衬底上且位于所述显示区的像素界定层,所述像素界定层用于限定多个亚像素;其中,每个亚像素中设置有一个发光器件;
至少一个所述挡墙与所述像素界定层同层同材料。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述衬底为柔性衬底。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板具有显示区和周边区;
所述显示面板的制备方法,包括:
在衬底上且位于所述周边区形成挡墙;所述挡墙具有相对设置的顶面和底面、以及与所述顶面和所述底面连接的侧面,相对所述顶面,所述底面更靠近所述衬底;
在所述侧面一侧,且所述侧面与所述底面夹角处,形成填充图案;所述填充图案用于使所述挡墙以及所述填充图案作为整体构成的外轮廓中,侧面的坡度平缓;
所述填充图案与所述挡墙直接接触;
所述挡墙的侧面与底面的夹角为30°~90°;
在所述显示区至少一边界一侧,所述挡墙的个数为两个,两个所述挡墙分别为第一挡墙和第二挡墙;
沿垂直该边界的方向,所述第一挡墙和所述第二挡墙间隔设置,且所述第一挡墙位于所述第二挡墙与所述显示区的边界之间;
所述第二挡墙的高度大于所述第一挡墙的高度;
所述显示面板的制备方法,还包括:
在所述衬底上形成覆盖所述显示区的薄膜封装层;所述薄膜封装层包括有机封装层,所述有机封装层位于最靠近所述显示区的所述挡墙限定的范围内;
所述有机封装层与所述填充图案同步通过喷墨打印工艺形成。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述侧面一侧且所述侧面与所述底面夹角处,喷墨打印的墨滴总量为10~30μm3。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910740116.1A CN110444571B (zh) | 2019-08-12 | 2019-08-12 | 显示面板及其制备方法 |
US17/419,620 US12101959B2 (en) | 2019-08-12 | 2020-08-11 | Display panel, method for manufacturing the same, and display apparatus |
PCT/CN2020/108428 WO2021027811A1 (zh) | 2019-08-12 | 2020-08-11 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910740116.1A CN110444571B (zh) | 2019-08-12 | 2019-08-12 | 显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110444571A CN110444571A (zh) | 2019-11-12 |
CN110444571B true CN110444571B (zh) | 2022-07-05 |
Family
ID=68434598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910740116.1A Active CN110444571B (zh) | 2019-08-12 | 2019-08-12 | 显示面板及其制备方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110444571B (zh) |
WO (1) | WO2021027811A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110444571B (zh) * | 2019-08-12 | 2022-07-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN110556405B (zh) * | 2019-08-14 | 2021-06-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
CN110783491B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN110943183A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-03-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN111063822A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板 |
US11424270B2 (en) | 2020-06-02 | 2022-08-23 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
CN111725419B (zh) * | 2020-06-02 | 2021-11-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器及其制备方法 |
CN112164766B (zh) * | 2020-09-24 | 2022-08-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示基板的制法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN206282861U (zh) * | 2016-12-23 | 2017-06-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及装置 |
CN107785402A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN108832017A (zh) * | 2018-06-07 | 2018-11-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示模组、电子装置 |
CN109671861A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107293536A (zh) * | 2012-06-13 | 2017-10-24 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
KR102081288B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN108461653A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-08-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled屏幕、柔性面板薄膜封装结构和封装方法 |
CN109920937B (zh) * | 2019-03-20 | 2021-04-13 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板 |
CN110444571B (zh) * | 2019-08-12 | 2022-07-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN110556405B (zh) * | 2019-08-14 | 2021-06-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
-
2019
- 2019-08-12 CN CN201910740116.1A patent/CN110444571B/zh active Active
-
2020
- 2020-08-11 WO PCT/CN2020/108428 patent/WO2021027811A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN206282861U (zh) * | 2016-12-23 | 2017-06-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及装置 |
CN107785402A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN108832017A (zh) * | 2018-06-07 | 2018-11-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示模组、电子装置 |
CN109671861A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110444571A (zh) | 2019-11-12 |
WO2021027811A1 (zh) | 2021-02-18 |
US20220085329A1 (en) | 2022-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110444571B (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
US7538488B2 (en) | Flat panel display | |
US10204846B2 (en) | Display device | |
US9461100B2 (en) | Display device | |
KR102111562B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR100669710B1 (ko) | 평판 디스플레이 장치 | |
TWI575731B (zh) | Display device and manufacturing method thereof | |
US9679949B2 (en) | Organic light emitting display device | |
WO2020191875A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
KR102504630B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
US10809837B2 (en) | Display device with built-in touch sensor | |
JP2021531610A (ja) | 表示基板及びその製造方法、並びに表示パネル | |
CN109273510B (zh) | 有机自发光二极管显示面板及其制作方法 | |
US9941338B2 (en) | Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same | |
CN107170777A (zh) | 有机发光显示面板和显示装置 | |
CN111312723A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
JP7343614B2 (ja) | 表示基板及びその製造方法、表示装置 | |
CN112289948B (zh) | 有机发光二极体显示面板及其制作方法 | |
US10672845B2 (en) | Display device and method of manufacturing display device | |
US11145697B2 (en) | Organic light emitting display device | |
CN111200082B (zh) | 柔性显示基板及柔性显示装置 | |
US20210118972A1 (en) | Organic electroluminescent display substrate, method for fabricating the same, and display device | |
KR20160060832A (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
CN217903125U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN112599583B (zh) | 显示面板及显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |