CN113241357B - 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，显示面板包括：栅绝缘层和扫描信号线层均设置在基板上；扫描信号线层包括第一金属膜，第一金属膜部分延伸至栅绝缘层背离基板的一侧；第一金属膜具有第一通孔，第一通孔将第一金属膜分为间隔设置的第一子金属膜和第二子金属膜，第一子金属膜位于栅绝缘层背离基板的一侧；层间介质层设置在第一金属膜背离基板的一侧，且层间介质层填充第一通孔；VSS信号线层设置在层间介质层背离基板的一侧，VSS信号线层与第一子金属膜连接。本发明提供的显示面板、显示装置及显示面板的制备方法能够实现显示面板的窄边框设计，确保显示面板的亮度均一性。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。
背景技术
现有的AMOLED器件的显示面板因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示面板中的主流。目前对显示面板的边框要求越来越高，希望显示面板超窄边框甚至是无边框，然而显示面板中金属走线的存在会占用较多的非显示区域的空间，不利于窄边框的设计。
因此，有必要提供一种新的显示面板来解决上述问题。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，其能够实现显示面板的窄边框设计的同时，确保显示面板的亮度均一性。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种显示面板，显示面板具有显示区域和非显示区域，显示面板包括：基板、栅绝缘层、扫描信号线层、层间介质层以及VSS信号线层；栅绝缘层和扫描信号线层均设置在基板上、且均位于非显示区域，扫描信号线层设置在栅绝缘层靠近显示区域的一侧；扫描信号线层包括第一金属膜，第一金属膜部分延伸至栅绝缘层背离基板的一侧；第一金属膜具有第一通孔，第一通孔将第一金属膜分为间隔设置的第一子金属膜和第二子金属膜，第一子金属膜位于栅绝缘层背离基板的一侧；层间介质层设置在第一金属膜背离基板的一侧，且层间介质层填充第一通孔；VSS信号线层设置在层间介质层背离基板的一侧，VSS信号线层与第一子金属膜连接。
另外，所述层间介质层具有第二通孔，所述VSS信号线层填充所述第二通孔，且位于所述第二通孔内的VSS信号线层与所述第一子金属膜连接。
另外，所述显示面板还包括电容介质层，所述电容介质层设置在所述栅绝缘层背离所述基板的一侧，所述第一子金属膜设置在所述电容介质层背离所述基板的一侧。
另外，所述显示面板还包括电容介质层，所述电容介质层设置在所述栅绝缘层背离所述基板的一侧，所述第一子金属膜设置在所述栅绝缘层和所述电容介质层之间；所述电容介质层具有正对所述第二通孔的第三通孔，所述VSS信号线层还填充所述第三通孔。
另外，所述扫描信号线层还包括与所述第一金属膜绝缘设置的第二金属膜，所述第二金属膜部分延伸至所述栅绝缘层和所述电容介质层之间；所述第二金属膜具有第四通孔，所述第四通孔将所述第二金属膜分为间隔设置的第三子金属膜和第四子金属膜，所述第三子金属膜位于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；所述电容介质层填充所述第四通孔，且所述电容介质层具有第五通孔，所述第三子金属膜填充所述第五通孔，且位于所述第五通孔内的第三子金属膜与所述第一子金属膜连接。
另外，所述显示面板还包括封装层和金属层，所述封装层设置在所述VSS信号线层背离所述基板的一侧、且位于所述非显示区域的所述封装层具有第六通孔；所述金属层设置在所述封装层背离所述基板的一侧，所述金属层填充所述第六通孔，且所述VSS信号线层与位于所述第六通孔内的金属层连接。
另外，所述金属层包括间隔设置的第一部分和第二部分；所述第一部分与所述VSS信号线层连接，所述第二部分为所述显示面板的TP走线层。
另外，所述第一子金属膜的方阻小于所述VSS信号线层的方阻。
本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
本发明的实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供基板，其中，所述基板具有第一区域和第二区域；在所述基板的第一区域上形成栅绝缘层和扫描信号线层，其中，扫描信号线层位于所述栅绝缘层靠近所述第二区域的一侧，所述扫描信号线层包括第一金属膜，所述第一金属膜部分延伸至所述栅绝缘层层背离所述基板的一侧；在所述第一金属膜上开设第一通孔，所述第一通孔将所述第一金属膜分为间隔设置的第一子金属膜和第二子金属膜，所述第一子金属膜位于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；在所述第一金属膜背离所述基板的一侧形成层间介质层，其中，所述层间介质层填充所述第一通孔；在所述层间介质层背离所述基板的一侧形成VSS信号线层，所述VSS信号线层与所述第一子金属膜连接。
与现有技术相比，本发明实施例至少具有以下优点：
通过设置第一子金属膜与VSS信号线层连接，也就是说，第一子金属膜与VSS信号线层并联连接，从而可以整体降低VSS信号线层的方阻。为了保证显示面板的屏幕亮度均一性，需要VSS信号线层具有较小的方阻，而相关技术中采用的方法为通过增加VSS信号线层宽度以降低VSS信号线层的方阻，因此，在设计具有相同VSS信号线层方阻的显示面板时，相较于相关技术的方式，本发明实施例提供的VSS信号线层宽度更小，使得显示面板的边框能够做得更窄，从而能够在实现显示面板的窄边框设计的同时，确保显示面板的亮度均一性；此外，第一子金属膜与扫描信号线层内的第二子金属膜同一工艺制备，能够简化显示面板的制备流程，且第一子金属膜与第二子金属间隔设置，避免了VSS信号线层与扫描信号线层短接，提高了显示面板的可靠性。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本发明第一实施例的显示面板的结构示意图；
图2是根据本发明第一实施例的显示面板的另一种结构示意图；
图3是根据本发明第一实施例的显示面板的又一种结构示意图；
图4是根据本发明第一实施例的显示面板的再一种结构示意图；
图5是根据本发明第一实施例的显示面板的还一种结构示意图；
图6是根据本发明第一实施例的显示面板的还一种结构示意图；
图7是根据本发明第一实施例的显示面板的还一种结构示意图；
图8是根据本发明第三实施例的显示面板的制备方法的流程示意图。
具体实施例
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施例涉及一种显示面板100，具体结构如图1所示，显示面板100具有显示区域101和非显示区域102，显示面板100包括：
基板1、栅绝缘层21、扫描信号线层3、层间介质层4以及VSS信号线层5；栅绝缘层21和扫描信号线层3均设置在基板1上、且均位于非显示区域102，扫描信号线层3设置在栅绝缘层21靠近显示区域101的一侧；扫描信号线层3包括第一金属膜31，第一金属膜31部分延伸至栅绝缘层21背离基板的一侧；第一金属膜31具有第一通孔310，第一通孔310将第一金属膜31分为间隔设置的第一子金属膜311和第二子金属膜312，第一子金属膜311位于栅绝缘层21背离基板1的一侧；层间介质层4设置在第一子金属311膜背离基板1的一侧，且层间介质层4填充第一通孔310；VSS信号线层5设置在层间介质层4背离基板1的一侧，VSS信号线层5与第一子金属膜311连接。
具体地说，基板1可以为玻璃基板、CPI(透明聚酰亚胺)、PI(聚酰亚胺)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)以及PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等，本实施例并不对基板1的材质做具体限定，可以根据实际需求选择不同的材料制作基板1。
需要说明的是，VSS信号线层5的材质为金属，可以为以钼为材质的单层结构，也可以为以钛-铝-钛为材质的复合结构，单层钼结构的金属膜厚度为200纳米至300纳米；叠层钛-铝-钛结构的金属膜厚度为700纳米至800纳米。可以理解的是，本实施例并不对VSS信号线层2的材质作具体限定。
还需说明的是，扫描信号线层3为GIP电路，用于驱动扫描信号，GIP电路包括扫描信号线Scan和扫描信号线EM。
此外，本实施例的层间介质层4可以为氧化硅层和氮化硅层的叠层结构，层间介质层4能减小显示面板100的寄生电容，避免显示面板100因寄生电容过大而发生整体功耗增加、信号产生延迟的现象。
与现有技术相比，本发明实施例至少具有以下优点：通过设置第一子金属膜311与VSS信号线层5连接，也就是说，第一子金属膜311与VSS信号线层5并联连接，从而可以整体降低VSS信号线层5的方阻。为了保证显示面板100的屏幕亮度均一性，需要VSS信号线层5具有较小的方阻，而相关技术中采用的方法为通过增加VSS信号线层5宽度以降低VSS信号线层5的方阻，因此，在设计具有相同VSS信号线层5方阻的显示面板时，相较于相关技术的方式，本发明实施例提供的VSS信号线层5宽度更小，使得显示面板100的边框能够做得更窄，从而能够在实现显示面板100的窄边框设计的同时，确保显示面板的亮度均一性；此外，第一子金属膜311与扫描信号线层3内的第二子金属膜312同一工艺制备，能够简化显示面板100的制备流程，且第一子金属膜311与第二子金属312间隔设置，避免了VSS信号线层5与扫描信号线层2短接，提高了显示面板100的可靠性。
请继续参见图1，层间介质层4具有第二通孔40，VSS信号线层5填充第二通孔40，且位于第二通孔40内的VSS信号线层5与第一子金属膜311连接。通过对层间介质层4打孔的方式使得VSS信号线层5与第一子金属膜311连接，工艺简单，降低了显示面板100的制程难度。
具体的说，显示面板100还包括电容介质层22，栅绝缘层21设置在基板1上，电容介质层22设置在栅绝缘层21背离基板1的一侧，第一子金属膜311设置在电容介质层22背离基板1的一侧。也就是说，图1所示的第一子金属膜311为扫描信号线层3内的M2金属膜，通过将第一子金属膜311和M2金属膜膜同一工艺制备，能够简化显示面板100的制备流程。
请参见图2，栅绝缘层21设置在基板1上，电容介质层22设置在栅绝缘层21背离基板1的一侧，第一子金属膜311设置在栅绝缘层21和电容介质层22之间；电容介质层22具有正对第二通孔40的第三通孔220，VSS信号线层5还填充第三通孔220。也就是说，图2所示的第一子金属膜311为扫描信号线层3内的M1金属膜，通过将第一子金属膜311和M1金属膜膜同一工艺制备，能够简化显示面板100的制备流程。
请参见图3，扫描信号线层3还包括第二金属膜32，第二金属膜32部分延伸至栅绝缘层21和电容介质层22之间；第二金属膜32具有第四通孔320，第四通孔320将第二金属膜32分为间隔设置的第三子金属膜321和第四子金属膜322，第三子金属膜321位于栅绝缘层21背离基板1的一侧；电容介质层22填充第四通孔320，且电容介质层22具有第五通孔220，第三子金属321膜填充321第五通孔220并与第一子金属膜311连接。
具体的说，本实施例中的第一金属膜31为M1金属膜，第二金属膜32为M2金属膜，在制备显示面板100时，将M1金属膜设置成延伸至栅绝缘层21上，将M2金属膜设置成延伸至电容介质层22上，再通过打孔避免栅绝缘层21上的第三子金属膜321与扫描信号线层322内的部分M1金属膜(即第四子金属膜322)短接、避免电容介质层22上的即第一子金属膜311和扫描信号线层322内的部分M2金属膜(即第二子金属膜312)短接。通过此种结构的设置，使得VSS信号线层5并联后的方阻进一步减小，从而更有利于显示面板的窄边框设计。
值得一提的是，本实施例中的第一子金属膜311的方阻小于VSS信号线层5的方阻。通过此种方式，能够进一步减小VSS信号线层5并联后的方阻，从而更有利于显示面板的窄边框设计。
请参见图4，显示面板还包括封装层6和金属层7，封装层6设置在VSS信号线层5背离基板1的一侧、且位于非显示区域102的封装层6具有第六通孔60；金属层7设置在封装层6背离基板1的一侧，金属层7填充第六通孔60，且VSS信号线层5与至少部分金属层7连接。通过此种结构的设置，能够进一步减小VSS信号线层5并联后的方阻，从而更有利于显示面板的窄边框设计。
可以理解的是，由于TFE(薄膜封装技术)封装阻水阻氧效果较佳，且可对应柔性封装，因此本实施例中封装层6可以包括邻近基板1的第一无机封装层、设置在第一无机封装层背离基板1一侧的有机封装层，第一无机封装层覆盖显示区101和非显示区域102，有机封装层覆盖显示区101内的第一无机封装层。进一步的，封装层6还可以包括第二无机封装层，第二无机封装层覆盖有机封装层和未被有机封装层覆盖的第一无机封装层。也就是说，在显示区101内，第二无机封装层直接设置在有机封装层上，而在显示区101之外的非显示区102内，由于没有有机封装层，第二无机封装层直接设置在第一无机封装层，这样，第二无机封装层、有机封装层和第一无机封装层共同实现对显示面100板的封装。由于无机封装层的密封性能好，但硬度较大，有机封装层的硬度较小，但透水汽，通过采用无机-有机-无机叠层结构的封装层6，能够在确保显示面板100的封装性能的同时，不影响显示面板100的弯折能力。
具体的说，图4所示的VSS信号线层5除了与金属层7连接外，还与第一子金属膜311连接，第一子金属膜311设置在电容介质层22背离基板1的一侧。在实际应用中，第一子金属膜311可以设置在其他位置，VSS信号线层5还可以与其他金属膜连接，具体结构如图5至图6所示。
请参见图5，第一子金属膜311设置在栅绝缘层21和电容介质层22之间；电容介质层22具有正对第二通孔40的第三通孔220，VSS信号线层5还填充第三通孔220，VSS信号线经由第二通孔40、第三通孔220与第一子金属膜311连接。
请参见图6，第一子金属膜311设置在电容介质层22背离基板1的一侧，第三子金属膜321设置在栅绝缘层21和电容介质层22之间，第二金属膜32具有第四通孔320，电容介质层22填充第四通孔320，且电容介质层22具有第五通孔220，第三子金属321膜填充321第五通孔220并与第一子金属膜311连接。
可以理解的是，图4至图6所示的显示面板100中，VSS信号线层5均与金属层7连接，在实际应用中，金属层7包括间隔设置的第一部分(即图示的膜层7)和第二部分；第一部分与VSS信号线层2连接，第二部分(图未示出)为显示面板100的TP走线层。也就是说，本实施例中的第一部分可以与显示面板100中TP走线同一工艺制备，从而能够简化显示面板100的制备流程。具体的说，在显示面板100的制备过程中，可以在制备TP走线时将TP走线部分形成于在非显示区102，使得TP走线能够填充第六通孔60并与VSS信号线层5接触，然后刻蚀部分位于非显示区102的TP走线，使得TP走线变成间隔设置的第一部分和第二部分，以避免VSS信号线层5与TP走线连接而短路。
具体的说，本实施例中的金属层7优选为钛-铝-钛的叠层结构，利用高温金属钛作韧化元素，利用钛层良好的变形能力，能够防止裂纹尖端的形成，从而使得Ti-Al-Ti层状复合材料具有良好的损伤容限性能，既有较高的强度，又有良好的韧性和塑性。
请参见图7，显示面板100还包括挡墙8，挡墙8设置在VSS信号线层5背离基板1的一侧；挡墙8位于非显示区102、且位于第六通孔60邻近显示区101的一侧，封装层6覆盖挡墙。通过此种结构的设置，能够使位于非显示区102的挡墙8阻挡水汽、氧气进入显示区101，进一步确保了显示面板100的封装效果；此外，将挡墙8设置在第六通孔60邻近显示区101的一侧，也能避免第六通孔60的设置影响挡墙8的阻挡作用，从而提高显示面板100的可靠性。
本发明的第二实施例涉及一种显示装置，包括上述实施例中的显示面板。
显示装置可以应用在智能穿戴设备(如智能手环、智能手表)中，也可以应用在智能手机、平板电脑、显示器等设备中。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明的第三实施例涉及一种显示面板的制备方法，本实施例中的显示面板的制备方法流程示意图如图8所示，具体包括：
步骤101：提供基板。
具体的说，基板可以为玻璃基板、CPI(透明聚酰亚胺)、PI(聚酰亚胺)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)以及PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等，本实施例并不对基板的材质做具体限定，可以根据实际需求选择不同的材料制作基板。
可以理解的是，基板具有第一区域和第二区域，第一区域为显示面板的非显示区，第二区域为显示面板的显示区。
步骤102：在基板的第一区域上形成无机层和扫描信号线层，其中，扫描信号线层位于无机层靠近第二区域的一侧，扫描信号线层包括第一金属膜，第一金属膜部分延伸至无机层背离基板的一侧。
具体地说，本实施例的扫描信号线层为叠层结构，也即扫描信号线层包括第一金属膜，相关技术在制备第一金属膜的过程中，会先将第一金属膜整层铺设在第一区域和第二区域(即无机层上也会存在第一金属膜)，然后对第一金属膜进行图形化处理，去除无机层上的第一金属膜。而在本实施例中，会保留位于无机层上的第一金属膜，为后续将无机层上的第一金属膜与VSS信号线层连接做准备。
还需说明的是，本实施例中的扫描信号线层还包括第二金属膜，第二金属膜与第一金属膜不同层设置，且第二金属膜与第一金属膜之间存在绝缘层。按照前述制备第一金属膜的方式，本实施例在制备第二金属膜时，同样也可以保留位于无机层上的第二金属膜，为后续将无机层上的第一金属膜与VSS信号线层连接做准备。
值得一提的是，本实施例可以同时保留无机层上的第一金属膜和第二金属膜(在无机层上的第一金属膜和第二金属膜之间也设有绝缘层将其间隔开)，使第一金属膜、第二金属膜与VSS信号线层连接，从而使VSS信号线层的方阻更小。
可以理解的是，本实施例中的无机层同样为叠层结构，如无机层包括栅绝缘层和电容介质层，设置在无机层上的第一金属膜和第二金属膜实际可以为电容介质层设置在栅绝缘层背离基板的一侧，第一金属膜设置在电容介质层背离基板的一侧，第二金属膜设置在栅绝缘层和电容介质层之间。
步骤103：在第一金属膜上开设第一通孔。
具体地说，可以通过刻蚀的方式在第一金属膜上开设第一通孔。
步骤104：在第一金属膜背离基板的一侧形成层间介质层。
步骤105：在层间介质层上开设第二通孔。
具体的说，可以通过湿法刻蚀或干法刻蚀的方式形成通孔，为了便于理解，下面以干法刻蚀为例，对本实施例中对封装层开设通孔的具体步骤进行详细说明：
确定封装层需要开设通孔的区域(即第一区域的某一位置)，在封装层上该区域以外的区域涂覆光刻胶，再通过干法刻蚀去除封装层未涂覆光刻胶的区域。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
步骤106：在层间介质层背离基板的一侧形成VSS信号线层。
具体的说，VSS信号线层的材质为金属，可以为以钼为材质的单层结构，也可以为以钛-铝-钛为材质的复合结构，单层钼结构的金属膜厚度为200纳米至300纳米；叠层钛-铝-钛结构的金属膜厚度为700纳米至800纳米。可以理解的是，本实施例并不对VSS信号线层的材质作具体限定。
与现有技术相比，本发明实施例通过设置第一子金属膜与VSS信号线层连接，也就是说，第一子金属膜与VSS信号线层并联连接，从而可以整体降低VSS信号线层的方阻。为了保证显示面板的屏幕亮度均一性，需要VSS信号线层具有较小的方阻，而相关技术中采用的方法为通过增加VSS信号线层宽度以降低VSS信号线层的方阻，因此，在设计具有相同VSS信号线层方阻的显示面板时，相较于相关技术的方式，本发明实施例提供的VSS信号线层宽度更小，使得显示面板的边框能够做得更窄，从而能够在实现显示面板的窄边框设计的同时，确保显示面板的亮度均一性；此外，第一子金属膜与扫描信号线层内的第二子金属膜同一工艺制备，能够简化显示面板的制备流程，且第一子金属膜与第二子金属间隔设置，避免了VSS信号线层与扫描信号线层短接，提高了显示面板的可靠性。
上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。
不难发现，本实施例为与第一实施例和第二实施例相关的方法实施例，本实施例可与第一实施例和第二实施例互相配合实施。第一实施例和第二实施例中提到的相关技术细节在本实施例中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施例中提到的相关技术细节也可应用在第一实施例和第二实施例中。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施例是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (7)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有显示区域和非显示区域，所述显示面板包括：基板、栅绝缘层、扫描信号线层、层间介质层、VSS信号线层以及电容介质层；
所述栅绝缘层和所述扫描信号线层均设置在所述基板上、且均位于所述非显示区域，所述扫描信号线层设置在所述栅绝缘层靠近所述显示区域的一侧；
所述扫描信号线层包括第一金属膜，所述第一金属膜部分延伸至所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；所述第一金属膜具有第一通孔，所述第一通孔将所述第一金属膜分为间隔设置的第一子金属膜和第二子金属膜，所述第一子金属膜位于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；
所述层间介质层设置在所述第一金属膜背离所述基板的一侧，且所述层间介质层填充所述第一通孔；
所述VSS信号线层设置在所述层间介质层背离所述基板的一侧，所述VSS信号线层与所述第一子金属膜连接；
所述电容介质层设置在所述栅绝缘层背离所述基板的一侧，所述第一子金属膜设置在所述电容介质层背离所述基板的一侧；
所述扫描信号线层包括与所述第一金属膜绝缘设置的第二金属膜，所述第二金属膜部分延伸至所述栅绝缘层和所述电容介质层之间；所述第二金属膜具有第四通孔，所述第四通孔将所述第二金属膜分为间隔设置的第三子金属膜和第四子金属膜，所述第三子金属膜位于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；
所述电容介质层填充所述第四通孔，且所述电容介质层具有第五通孔，所述第三子金属膜填充所述第五通孔，且位于所述第五通孔内的第三子金属膜与所述第一子金属膜连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述层间介质层具有第二通孔，所述VSS信号线层填充所述第二通孔，且位于所述第二通孔内的VSS信号线层与所述第一子金属膜连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括封装层和金属层，所述封装层设置在所述VSS信号线层背离所述基板的一侧、且位于所述非显示区域的所述封装层具有第六通孔；
所述金属层设置在所述封装层背离所述基板的一侧，所述金属层填充所述第六通孔，且所述VSS信号线层与位于所述第六通孔内的金属层连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述金属层包括间隔设置的第一部分和第二部分；
所述第一部分与所述VSS信号线层连接，所述第二部分为所述显示面板的TP走线层。
5.根据权利要求1至4 任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一子金属膜的方阻小于所述VSS信号线层的方阻。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板，其中，所述基板具有第一区域和第二区域；
在所述基板的第一区域上形成栅绝缘层、扫描信号线层和电容介质层，其中，扫描信号线层位于所述栅绝缘层靠近所述第二区域的一侧，所述扫描信号线层包括第一金属膜以及与所述第一金属膜绝缘设置的第二金属膜，所述第一金属膜部分延伸至所述栅绝缘层背离所述基板的一侧，所述第二金属膜部分延伸至所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；
在所述第二金属膜上开设第四通孔，所述第四通孔将所述第二金属膜分为间隔设置的第三子金属膜和第四子金属膜，所述第三子金属膜位于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧；
在所述第二金属膜背离所述基板的一侧形成所述电容介质层，其中，所述电容介质层填充所述第四通孔；所述电容介质层具有第五通孔，所述第三子金属膜填充所述第五通孔；
在所述电容介质层背离所述基板的一侧形成所述第一金属膜；
在所述第一金属膜上开设第一通孔，所述第一通孔将所述第一金属膜分为间隔设置的第一子金属膜和第二子金属膜，所述第一子金属膜位于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧，位于所述第五通孔内的第三子金属膜与所述第一子金属膜连接；
在所述第一金属膜背离所述基板的一侧形成层间介质层，其中，所述层间介质层填充所述第一通孔；
在所述层间介质层背离所述基板的一侧形成VSS信号线层，所述VSS信号线层与所述第一子金属膜连接。
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