CN109449165B - 柔性阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents
柔性阵列基板及其制备方法、显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109449165B CN109449165B CN201811224724.9A CN201811224724A CN109449165B CN 109449165 B CN109449165 B CN 109449165B CN 201811224724 A CN201811224724 A CN 201811224724A CN 109449165 B CN109449165 B CN 109449165B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- array substrate
- lead
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 299
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本公开提供了一种柔性阵列基板及其制备方法、显示面板，属于显示面板技术领域。该柔性阵列基板包括柔性衬底基板、第一绝缘层、第一源/漏层引线、沟槽和填充层；第一绝缘层设于所述柔性衬底基板的一侧；第一源/漏层引线设于所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧，且沿第一方向设置；沟槽数量为多个且设于所述第一绝缘层，并且沿所述第一方向延伸；所述沟槽与所述第一源/漏层引线间隔设置；填充层数量为多个且一一对应地设于所述沟槽内，所述填充层的材料是绝缘材料且所述填充层的柔性大于所述第一绝缘层的柔性。该柔性阵列基板弯折时的拉应力或压应力小，金属引线的可靠性高。
Description
技术领域
本公开涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种柔性阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
柔性显示面板由于其可弯曲、具有柔韧性等优点，应用场景越来越广阔。柔性显示面板一般包括至少一个可弯折区，并能够在可弯折区内沿弯折方向进行弯折。
然而，当柔性显示面板弯折时，可弯折区将承受较大的应变。由于可弯折区内的无机绝缘层抗拉能力小，因此在柔性显示面板发生大曲率弯折时，该无机绝缘层可能因承受的拉应变超过其承受范围而发生损坏，进而导致设置在无机绝缘层上的金属引线损坏或可靠度变差。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种柔性阵列基板及其制备方法、显示面板，降低柔性阵列基板弯折时的拉应力或压应力，提高金属引线的可靠性。
为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：
根据本公开的第一个方面，提供一种柔性阵列基板，包括：
柔性衬底基板；
第一绝缘层，设于所述柔性衬底基板的一侧；
第一源/漏层引线，设于所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧，且沿第一方向设置；
沟槽，数量为多个且设于所述第一绝缘层，并且沿所述第一方向延伸；所述沟槽与所述第一源/漏层引线间隔设置；
填充层，数量为多个且一一对应地设于所述沟槽内，所述填充层的材料是绝缘材料且所述填充层的柔性大于所述第一绝缘层的柔性。
在本公开的一种示例性实施例中，所述柔性阵列基板还包括：
金属膜，设于所述沟槽，且位于所述填充层与所述第一绝缘层之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述柔性阵列基板还包括：
平坦化层，设于所述第一无机绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧；所述填充层与所述平坦化层连接且材料相同。
在本公开的一种示例性实施例中，所述柔性阵列基板还包括：
栅极层引线，设于所述第一无机绝缘层内；
所述沟槽包括：
第一沟槽，所述第一沟槽与所述栅极层引线相互隔离。
在本公开的一种示例性实施例中，所述柔性阵列基板还包括：
栅极层引线，设于所述第一无机绝缘层内；
所述沟槽包括：
第二沟槽，所述第二沟槽暴露至少部分所述栅极层引线。
在本公开的一种示例性实施例中，所述柔性阵列基板还包括：
金属膜，设于所述第二沟槽且位于所述填充层与所述第一无机绝缘层之间；所述金属膜与所述栅极层引线绝缘设置。
在本公开的一种示例性实施例中，所述柔性阵列基板还包括：
第二绝缘层，设于所述第一源/漏层引线远离所述柔性衬底基板的一侧；
第二源/漏层引线，设于所述第二绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧；
所述沟槽还设于所述第二无机绝缘层，且与设于所述第二绝缘层的沟槽对应的所述填充层的柔性大于所述第二绝缘层。
根据本公开的第二个方面，提供一种柔性阵列基板的制备方法，包括：
提供一柔性衬底基板；
在所述柔性衬底基板的一侧形成第一无机绝缘层；
在所述第一无机绝缘层上形成沟槽，所述沟槽数量为多个且沿第一方向延伸；
在所述第一无机绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成第一源/漏层引线，所述第一源/漏层引线与所述沟槽间隔设置；
在所述沟槽中形成填充层，所述填充层的数量为多个且与所述沟槽一一对应设置，所述填充层的材料是绝缘材料且所述填充层的柔性大于所述第一绝缘层的柔性。
在本公开的一种示例性实施例中，所述柔性阵列基板还包括：
金属膜，设于所述沟槽，且位于所述填充层与所述第一无机绝缘层之间；所述金属膜的材料与所述第一源/漏层引线的材料相同；
所述制备方法包括：
在所述第一无机绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成第一源/漏层引线时，在所述沟槽形成所述金属膜。
在本公开的一种示例性实施例中，所述柔性阵列基板还包括：
平坦化层，设于所述第一无机绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧；所述填充层与所述平坦化层连接且材料相同；
所述制备方法包括：
在所述沟槽中形成填充层时，在所述第一源/漏层引线远离所述柔性衬底基板的一侧形成所述平坦化层。
根据本公开的第三个方面，提供一种显示面板，所示显示面板包括上述的柔性阵列基板。
本公开提供的柔性阵列基板，其在第一绝缘层上开设有沿第一方向的沟槽，降低了柔性阵列基板在开设沟槽位置的第一绝缘层的厚度。沟槽内设置柔性的填充层，填充层的柔性超过第一绝缘层，因此，当柔性阵列基板发生垂直于第一方向的弯折时，第一绝缘层在沟槽处所承受的拉应力或压应力将降低，其更不容易发生损坏，这保证了设于第一绝缘层上的第一源/漏层引线更不容易发生损坏，提高了第一源/漏层引线的可靠性。同时，由于填充层的柔性大于第一绝缘层的柔性，因此其形变能力更强，使得该柔性阵列基板具有更强的弯折能力，其弯折半径可以更小。在相关技术的阵列基板制备工艺中，在第一绝缘层上制备第一源/漏层引线前需要进行刻蚀工艺，因此可以在该刻蚀工艺中制备出本公开的柔性阵列基板的沟槽。因此，相对于相关技术，本公开提供的柔性阵列基板可以在不增加工艺步骤的条件下，提高柔性阵列基板的弯折能力和第一源/漏层引线的可靠性。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是本公开第一实施方式的柔性阵列基板的结构示意图。
图2是本公开第二实施方式的柔性阵列基板的结构示意图。
图3是本公开第三实施方式的柔性阵列基板的结构示意图。
图4是本公开第三实施方式的柔性阵列基板的结构示意图。
图5是本公开第四实施方式的柔性阵列基板的结构示意图。
图6是本公开第四实施方式的柔性阵列基板的结构示意图。
图7是本公开第五实施方式的柔性阵列基板的结构示意图。
图8是本公开第六实施方式中第一凹槽与栅极层引线的结构示意图。
图9是本公开第七实施方式中第一凹槽与栅极层引线的结构示意图。
图10是本公开第八实施方式中第二凹槽与栅极层引线的结构示意图。
图11是本公开一实施方式中柔性阵列基板的制备方法流程图。
图中主要元件附图标记说明包括：
1、可弯折区；2、柔性衬底基板；21、聚酰亚胺层；22、缓冲层；3、第一绝缘层、31、第一栅极绝缘层；32、第二栅极绝缘层；33、层间电介质层；4、第一源/漏层引线；5、沟槽；51、第一沟槽；511、第一沟槽部；512、第二沟槽部；52、第二沟槽；61、填充层；62、金属膜；7、平坦化层；8、栅极层引线；A、第一方向；B、第二方向。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
如图1(仅显示了沟槽5和第一源/漏层引线4)和图7所示，本公开提供一种柔性阵列基板，包括柔性衬底基板2、第一绝缘层3、第一源/漏层引线4、沟槽5和填充层61。其中，
第一绝缘层3设于柔性衬底基板2的一侧；
第一源/漏层引线4设于第一绝缘层3远离柔性衬底基板2的一侧，且沿第一方向A设置；
沟槽5数量为多个且设于第一绝缘层3，并且沿第一方向A延伸；沟槽5与第一源/漏层引线4间隔设置；
填充层61数量为多个且一一对应地设于沟槽5内，填充层61的材料是柔性绝缘材料。
本公开提供的柔性阵列基板，其在第一绝缘层3上开设有沿第一方向A的沟槽5，降低了柔性阵列基板在开设沟槽5位置的第一绝缘层3的厚度。沟槽5内设置柔性的填充层61，填充层61的柔性超过第一绝缘层3，因此，当柔性阵列基板发生垂直于第一方向A的弯折时，第一绝缘层3在沟槽5处所承受的拉应力或压应力将降低，其更不容易发生损坏，这保证了设于第一绝缘层3上的第一源/漏层引线4更不容易发生损坏，提高了第一源/漏层引线4的可靠性。同时，由于填充层61的柔性大于第一绝缘层3的柔性，因此其形变能力更强，使得该柔性阵列基板具有更强的弯折能力，其弯折半径可以更小。在相关技术的阵列基板制备工艺中，在第一绝缘层3上制备第一源/漏层引线4前需要进行刻蚀工艺，因此可以在该刻蚀工艺中制备出本公开的柔性阵列基板的沟槽5。因此，相对于相关技术，本公开提供的柔性阵列基板可以在不增加工艺步骤的条件下，提高柔性阵列基板的弯折能力和第一源/漏层引线4的可靠性。
下面结合附图对本公开实施方式提供的柔性阵列基板的各部件进行详细说明：
在本公开的第一实施方式中，如图1(仅显示了沟槽5和第一源/漏层引线4)所示，该柔性阵列基板可以包括至少一个可弯折区1。在可弯折区1内，柔性阵列基板能够沿第二方向B发生弯折，第二方向B垂直于第一方向A。在该实施方式中，沟槽5可以设于可弯折区1内。
在另一实施方式中，整个柔性阵列基板均可以发生沿第二方向的弯折，如此，沟槽5可以设置在整个柔性阵列基板的显示区。
第一绝缘层3可以包括至少一层绝缘层，且任一绝缘层的材料可以为无机材料，也可以为有机材料，还可以为有机材料和无机材料的混合物。第一绝缘层3的具体的层级结构可以根据柔性阵列基板的具体类型和技术要求进行设置。
第一绝缘层3的材料可以为无机物，可以包括至少一层无机绝缘层。举例而言，在本公开提供的第三实施方式中，如图3(未显示填充层61)和图4(未显示填充层61)所示，该第一绝缘层3可以包括第一栅极绝缘层31、第二栅极绝缘层32和层间电介质层33。各层的材料可以相同或者不同，且各层还可以根据包括不同的子层，本公开对此不做特殊的限定，以能够满足设计要求为准。作为示例，第一栅极绝缘层31可以为一SiO2层，第二栅极绝缘层32可以为一SiNx层，层间电介质层33可以为一SiO2/SiNx层。
可以理解的是，当第一绝缘层3为无机材料时，第一绝缘层3的柔性比较小，脆性比较大，在柔性阵列基板弯折时容易发生破裂并导致设于其上的第一源/漏层引线4的损毁。本公开通过沟槽的方式减薄第一绝缘层3并设置柔性更佳的填充层3，可以有效减小第一绝缘层3损毁的风险并降低其危害，不仅使得第一源/漏层引线4更为可靠，而且可以提高柔性阵列基板的弯折能力。
第一源/漏层引线4是利用第一源/漏金属层制备的引线，包括但不限于阵列基板的数据引线和/或电压引线。在本公开的第二实施方式中，如图2(仅显示了沟槽5和第一源/漏层引线4)所示，第一源/漏层引线4沿第一方向A设置，并不意味着第一源/漏层引线4为一沿第一方向A的直线。当第一源/漏层引线4以曲折等非直线形式在整体上沿第一方向A延伸时，其应视为沿第一方向A设置。
第一源/漏层引线4的材料可以根据工艺要求进行选择，且在必要时，也可以设计为多层结构。举例而言，在一实施方式中，第一源/漏层引线4可以包括依次层叠设置的钼金属层、铝金属层和钼金属层。
第一源/漏层引线4在制备时，可以参考相关技术。在一实施方式中，第一源/漏层引线4的制备过程可以包括步骤：
S110，在第一绝缘层3上刻蚀以形成预设图案。
S120，在第一绝缘层3远离柔性衬底基板2的表面形成第一源/漏金属层。
S130，对第一源/漏金属层进行刻蚀，形成第一源/漏层引线4。
在步骤S110中，可以理解的是，在刻蚀前，还需要通过掩膜(Mask)工艺在第一绝缘层3上形成光刻胶保护层，并暴露出待刻蚀部位；在刻蚀完成后，移除该光刻胶保护层。
由于沟槽5与第一源/漏层引线4间隔设置，因此在第一绝缘层3远离衬底基板的表面上沟槽5与第一源/漏层引线4互不干扰。因此为了节省专门形成沟槽5的工序，可以在步骤S110中同时刻蚀出沟槽5。
在步骤S120中，第一源/漏金属层可以通过溅射或沉积工艺制备。
在步骤S130中，可以理解的是，在刻蚀前，还需要通过掩膜工艺在第一源/漏金属层上形成光刻胶保护层，并暴露出待刻蚀部位；在刻蚀完成后，移除该光刻胶保护层。
沟槽5的数量可以为多个，且任一沟槽5沿第一方向A延伸。如此，该柔性阵列基板将具有更强的沿第二方向B的弯折能力，且在沿第二方向B弯折时，对第一绝缘层3产生的压应力和拉应力更小，提高了第一绝缘层3对沿第二方向B的弯折的耐受力，使得第一源/漏层引线4不容易损坏，提高了第一源/漏层引线4的可靠性。
沟槽5沿第一方向A延伸是指沟槽5在长度方向上整体呈现为第一方向A，其并不限定沟槽5必然为线形或均匀的条形。举例而言，在本公开的第二实施方式中，如图2(仅显示了沟槽5和第一源/漏层引线4)所示，同一沟槽5可以具有均一的宽度(第二方向B上的尺寸)，也可以在不同的长度位置(沿第一方向A的不同位置)具有不同的宽度(即可以具有沿第二方向B的凸出或凹陷结构)。同一沟槽5还可以具有均一的深度(垂直于柔性衬底基板2的方向)，也可以在不同的长度位置(沿第一方向A的不同位置)具有不同的深度，即沟槽5的底壁可以在垂直于柔性衬底基板2的方向上起伏。
不同的沟槽5之间也可以具有不同的尺寸和结构(长度、宽度、深度、形状等)，当然地，也可以有多个沟槽5具有相同的尺寸和结构。举例而言，在本公开的第二实施方式中，如图2(仅显示了沟槽5和第一源/漏层引线4)所示，一个沟槽5可以沿第一方向A贯穿整个柔性阵列基板的显示区；该沟槽5的长度长，便于提高沟槽5在显示区的面积占比，便于减小第一绝缘层3的材料的比重，提高柔性阵列基板的弯折能力和第一源/漏层引线4的可靠性。在另一实施方式中，一个沟槽5可以仅仅设置于可弯折区1在第一方向A上的局部区域，如此，该沟槽5的长度短，可以灵活规避可能受到沟槽5影响的器件或引线，降低沟槽5的设计难度。而且，通过在沿第一方向A的同一直线上，设置多个类似的短的沟槽5，可以形成一个沿第一方向A贯穿整个柔性阵列基板的显示区的沟槽带，进一步提升柔性阵列基板的弯折能力和第一源/漏层引线4的可靠性。
如图5(未显示填充层61)和图6(未显示填充层61)所示，沟槽5可以设置在不同的器件之间，例如沟槽5可以设置在沿第一方向A排列的相邻两个TFT之间，也可以经过多个不同的器件所在的区域。
当沟槽5的长度较长时，其需要经过多个不同的器件所在的区域，如经过多个不同的TFT(薄膜晶体管)和电容，因此该沟槽5需要避免对这些器件或其引线造成影响，或者采取其他措施消除所产生的影响。
举例而言，在一实施方式中，为了避免该沟槽5破坏第一绝缘层3的功能，该沟槽5可以根据下方(靠近柔性衬底基板2的方向)的器件、功能层、走线的分布来调整其在不同位置的沟槽深度，也可以根据其两侧(该沟槽5的第二方向B的两侧)的器件、功能层、走线的分布来调整其在不同位置的在第二方向B的凹凸。
在另一实施方式中，沟槽5可以为具有均一深度的沟槽5，且该沟槽5的底壁与最靠近该沟槽5的器件或引线之间依然存在部分无机绝缘材料。尽管该沟槽5的深度受到最靠近该沟槽5的器件或引线的限制，但是因为其深度均一，因此其制备工艺更简单。
在另一实施方式中，沟槽5可以为具有均一宽度的沟槽5，且该沟槽5的侧壁(第二方向B的侧壁)与最靠近该沟槽5的器件或引线之间依然存在部分无机绝缘材料。尽管该沟槽5的宽度受到最靠近该沟槽5的器件或引线的限制，但是其刻蚀图案简单，便于制备相应的掩模板，有助于降低对掩模板精度和对位精度的要求。
在另一实施方式中，该沟槽5可以与其他器件或引线连接，即在刻蚀形成该沟槽5时可以刻蚀至其他器件或引线。但是，该沟槽5需要通过设置的填充层61实现不同器件或引线之间的绝缘。
填充层61的材料可以选择有机材料，尤其是可以选择有机绝缘材料。
在本公开的第五实施方式中，如图7所示，该柔性阵列基板还可以包括平坦化层7，平坦化层7设于第一源/漏层引线4远离柔性衬底基板2的表面。当平坦化层7采用有机材料时，填充层61也可以采用与平坦化层7相同的材料。如此，在形成第一源/漏层引线4后，可以在同一步骤中同时形成填充层61和平坦化层7，避免了单独制备填充层61，不会增加柔性阵列基板的制备工序。
在本公开的第四实施方式中，如图5(未显示填充层)和图6(未显示填充层)所示，柔性阵列基板还可以包括金属膜62，金属膜62设于沟槽5，且位于填充层61与第一绝缘层3之间。金属膜62具有较大的硬度和良好的韧性，因此可以使得第一绝缘层3承受更大的拉应力或压应力，提高柔性阵列基板的弯折能力和第一源/漏层引线4的可靠性。
金属膜62的材料可以为钼、铝、金、银等金属，也可以是多种金属组成的合金，或者可以是不同的金属层组成的复合膜。
在一实施方式中，金属膜62可以具有与第一源/漏金属层相同的材料和结构。如此，该金属膜62可以在步骤S120和步骤S130中制备。在步骤S120中，第一源/漏金属层覆盖沟道；在步骤S130中，保留沟道中的第一源/漏金属层，获得金属膜62。如此，可以在不增加工艺步骤的条件下，实现金属膜62的制备。
如图8～10所示，在一实施方式中，柔性阵列基板还可以包括栅极层引线8，栅极层引线8可以设于第一绝缘层3内。栅极层引线8可以是同一层上的栅极层引线8，也可以是不同栅极层上的栅极层引线8。举例而言，栅极层引线8可以包括第一栅极层引线和第二栅极层引线。第一栅极层引线可以设于第一栅极绝缘层31和第二栅极绝缘层32之间，第二栅极层引线可以设于第二栅极绝缘层32和层间电介质层33之间。
如上，沟槽5需要避免对器件或引线的影响，或者采取措施消除该影响。下面，以如何避免沟槽5对栅极层引线8的影响或者消除所产生的影响为例，来进一步解释和说明沟槽5的结构。
如图8(未显示填充层61)和图9(未显示填充层61)所示，沟槽5可以包括第一沟槽51，该第一沟槽51可以与栅极层引线8相互隔离，即第一沟槽51与栅极层引线8之间具有第一绝缘层3的材料。实现第一沟槽51与栅极层引线8相互隔离的方法有多种，包括但不限于控制第一沟槽51的深度、局部改变第一沟槽51的深度等。
在本公开的第六种实施方式中，如图8所示，当采用控制第一沟槽51的深度的设计方法时，第一沟槽51的深度均一，且其底面在栅极层引线8所在的层面的上方(远离柔性衬底基板2的一侧)。
在本公开的第七种实施方式中，如图9所示，当采用局部改变第一沟槽51的深度的设计方法时，第一沟槽51可以呈桥状结构以避开栅极层引线8。举例而言，第一沟槽51可以包括相互连接的第一沟槽部511和第二沟槽部512，第一沟槽部511的深度可以到达或者向下(靠近柔性衬底基板2的一侧)超过栅极层引线8所在的层面，且其侧壁与栅极层引线8之间通过第一绝缘层3隔离；第二沟槽部512的底面在栅极层引线8所在的层面的上方，且其底面与栅极层引线8之间通过第一绝缘层3隔离。
可以理解的是，上述第一沟槽51的结构仅为示例性说明，在本公开的其它实施方式中，第一沟槽51还可以是其它结构，只要能起到相同的作用即可，在此不再详述。
在本公开的第八种实施方式中，如图10(未显示填充层61)所示，沟槽5可以包括第二沟槽52，且第二沟槽52暴露至少部分栅极层引线8。此时，第二沟槽52可能会破坏不同的栅极层引线8之间的相互绝缘。为了消除该隐患，第二沟槽52内设置的填充层61可以直接覆盖该暴露的栅极层引线8，由于填充层61采用绝缘材料，因此可以实现不同的栅极层引线8之间的绝缘。
可以理解的是，如图10所示，当第二沟槽52内设置金属膜62时，金属膜62应当与暴露的栅极层引线8绝缘设置。
在一实施方式中，为了提高柔性阵列基板的解析度，该柔性阵列基板还可以设置双层源/漏层引线，以便实现对更高密度的器件的控制，降低源/漏层引线的阻抗。举例而言，该柔性阵列基板还可以包括第二绝缘层和第二源/漏层引线，第二绝缘层设于第一源/漏层引线4远离柔性衬底基板2的一侧；第二源/漏层引线设于第二绝缘层远离柔性衬底基板2的一侧。且与设于所述第二绝缘层的沟槽对应的所述填充层的柔性大于所述第二绝缘层。如此，沟槽5还可以设置于第二绝缘层上，以便进一步提升柔性阵列基板的弯折能力和各源/漏层引线的可靠性。
在一实施方式中，第二绝缘层可以采用无机材料，也可以为有机材料，还可以是无机材料和有机材料的组合。在另一实施方式中，第二绝缘层可以为单层绝缘层，也可以包括多层绝缘层。
可以理解的是，一个沟槽5可以上下(垂直于柔性衬底基板2的方向)贯穿第二绝缘层并抵达第一绝缘层3。如此，可以在形成第二绝缘层后再形成沟槽5。
可以理解的是，本公开仅描述了柔性阵列基板的部分层级结构、器件和引线，柔性阵列基板还可以包括为满足其功能而设置的其他层级结构、器件和引线，技术人员可以通过参考相关技术明确地获知还应当存在的其他层级结构、器件和引线。举例而言，如图3所示，柔性阵列基板还可以包括设置于柔性衬底基板2与第一绝缘层3之间的缓冲层22、设于缓冲层22与柔性衬底基板2之间的聚酰亚胺层21、设于缓冲层22上的TFT和电容、设于平坦化层7远离衬底基板一侧的像素电极等。这些层级结构、器件和引线在本公开中没有明确指出和详细介绍，但是这并不否认这些层级结构的存在，也不影响本公开提供的柔性阵列基板的技术方案的完整公开和实施。
本公开还提供了一种柔性阵列基板的制备方法，如图11所示，柔性阵列基板的制备方法包括：
S210，提供一柔性衬底基板2；
S220，在柔性衬底基板2的一侧形成第一绝缘层3；
S230，在第一绝缘层3上形成沟槽5，沟槽5数量为多个且沿第一方向A延伸；
S240，在第一绝缘层3远离柔性衬底基板2的一侧形成第一源/漏层引线4，第一源/漏层引线4与沟槽5间隔设置；
S250，在沟槽5中形成填充层61，填充层61的数量为多个且与沟槽5一一对应设置，填充层61的材料是绝缘材料且填充层61的柔性大于第一绝缘层3的柔性。
参见步骤S110、S120和步骤S130可以知晓，沟槽5和第一源/漏层引线4所需的第一绝缘层3的图案均可以在步骤S230中制备，因此该制备方法并没有为了制备沟槽5而增加柔性阵列基板的制备工序，使得该柔性阵列基板可以维持较低的制备成本和较高的制备效率。
在一实施方式中，当柔性阵列基板还包括金属膜62且金属膜62的材料和结构与第一源/漏层引线4相同时，金属膜62可以在步骤S240中形成。请参见步骤S120和步骤S130，在步骤S120中可以形成第一源/漏金属层，该第一源/漏金属层可以覆盖沟槽5；在步骤S130中，在对第一源/漏金属层进行刻蚀时，可以保留或部分保留位于沟槽5中的第一源/漏金属层作为金属膜62。
在一实施方式中，该柔性阵列基板还可以包括平坦化层7。如果平坦化层7的材料与填充层61不同，则可以在形成填充层61之后，再形成平坦化层7。如果平坦化层7的材料和填充层61相同，则在步骤S250中，在沟槽5中形成填充层61时，同时在第一源/漏层引线4远离柔性衬底基板2的一侧形成平坦化层7。本公开还提供了一种显示面板，该显示装置包括了上述柔性阵列基板实施方式所描述的柔性阵列基板。该显示面板可以是OLED显示面板、PLED显示面板或其他种类的显示面板。
本公开实施方式的显示面板采用的柔性阵列基板与上述柔性阵列基板的实施方式中的柔性阵列基板相同，因此，具有相同的有益效果，在此不再赘述。
应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。
Claims (9)
1.一种柔性阵列基板，其特征在于，包括：
柔性衬底基板；
第一绝缘层，设于所述柔性衬底基板的一侧；所述第一绝缘层的材料为无机材料；
第一源/漏层引线，设于所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧，且沿第一方向设置；
沟槽，数量为多个且设于所述第一绝缘层，并且沿所述第一方向延伸；所述沟槽与所述第一源/漏层引线间隔设置；
填充层，数量为多个且一一对应地设于所述沟槽内，所述填充层的材料是绝缘材料且所述填充层的柔性大于所述第一绝缘层的柔性；
金属膜，设于所述沟槽，且位于所述填充层与所述第一绝缘层之间；所述金属膜与所述第一源/漏层引线的材料和结构相同。
2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述柔性阵列基板还包括：
平坦化层，设于所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧；所述填充层与所述平坦化层连接且材料相同。
3.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述柔性阵列基板还包括：
栅极层引线，设于所述第一绝缘层内；
所述沟槽包括：
第一沟槽，所述第一沟槽与所述栅极层引线相互隔离。
4.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述柔性阵列基板还包括：
栅极层引线，设于所述第一绝缘层内；
所述沟槽包括：
第二沟槽，所述第二沟槽暴露至少部分所述栅极层引线。
5.根据权利要求4所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述柔性阵列基板还包括：
金属膜，设于所述第二沟槽且位于所述填充层与所述第一绝缘层之间；所述金属膜与所述栅极层引线绝缘设置。
6.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述柔性阵列基板还包括：
第二绝缘层，设于所述第一源/漏层引线远离所述柔性衬底基板的一侧；
第二源/漏层引线，设于所述第二绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧；
所述沟槽还设于所述第二绝缘层，且与设于所述第二绝缘层的沟槽对应的所述填充层的柔性大于所述第二绝缘层。
7.一种柔性阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一柔性衬底基板；
在所述柔性衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料为无机材料；
在所述第一绝缘层上形成沟槽，所述沟槽数量为多个且沿第一方向延伸；
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成第一源/漏层引线，所述第一源/漏层引线与所述沟槽间隔设置；在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成第一源/漏层引线时，在所述沟槽形成金属膜，所述金属膜的材料与所述第一源/漏层引线的材料相同；
在所述沟槽中形成填充层，所述填充层的数量为多个且与所述沟槽一一对应设置，所述填充层的材料是绝缘材料且所述填充层的柔性大于所述第一绝缘层的柔性；所述金属膜位于所述填充层与所述第一绝缘层之间。
8.根据权利要求7所述的柔性阵列基板的制备方法，其特征在于，所述柔性阵列基板还包括：
平坦化层，设于所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧；所述填充层与所述平坦化层连接且材料相同；
所述制备方法包括：
在所述沟槽中形成填充层时，在所述第一源/漏层引线远离所述柔性衬底基板的一侧形成所述平坦化层。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的柔性阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811224724.9A CN109449165B (zh) | 2018-10-19 | 2018-10-19 | 柔性阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811224724.9A CN109449165B (zh) | 2018-10-19 | 2018-10-19 | 柔性阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109449165A CN109449165A (zh) | 2019-03-08 |
| CN109449165B true CN109449165B (zh) | 2021-03-23 |
Family
ID=65547509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811224724.9A Active CN109449165B (zh) | 2018-10-19 | 2018-10-19 | 柔性阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109449165B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110690233B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制备方法、可折叠显示装置 |
| CN112289191A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 维沃移动通信有限公司 | 显示屏、显示屏的制作方法及电子设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107910335A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-04-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示面板制作方法及显示装置 |
| CN108288621A (zh) * | 2018-03-09 | 2018-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板 |
| CN108550612A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-09-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
-
2018
- 2018-10-19 CN CN201811224724.9A patent/CN109449165B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107910335A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-04-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示面板制作方法及显示装置 |
| CN108288621A (zh) * | 2018-03-09 | 2018-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板 |
| CN108550612A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-09-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109449165A (zh) | 2019-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11923382B2 (en) | Method of fabricating array substrate, array substrate and display device | |
| CN109192878B (zh) | 柔性oled显示面板 | |
| US10090486B2 (en) | Frameless display device with concealed drive circuit board and manufacturing method thereof | |
| CN109920332B (zh) | 柔性阵列基板、其制备方法及显示面板 | |
| CN109449165B (zh) | 柔性阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| CN110797352B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN109309099B (zh) | 一种柔性显示装置及其制备方法 | |
| CN109671722B (zh) | 有机发光二极管阵列基板及其制造方法 | |
| CN114690921A (zh) | 显示面板、显示装置及制作显示面板的方法 | |
| CN217768378U (zh) | 显示基板 | |
| CN111244110A (zh) | 一种显示面板以及电子装置 | |
| CN110707107B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
| US7465631B2 (en) | Method of fabricating a non-volatile memory device | |
| CN110518020B (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
| CN113241357B (zh) | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 | |
| CN110600520A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
| JP7519460B2 (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| CN111081714B (zh) | 柔性阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| CN109192740B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法 | |
| CN114203787A (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
| CN114188385A (zh) | 柔性显示面板 | |
| CN115734659A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN115715106A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN112420749A (zh) | 显示面板 | |
| CN113345916A (zh) | 显示面板及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |