CN109309099B - 一种柔性显示装置及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 273
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 101
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
- G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
Abstract
本发明提供一种柔性显示装置，包括柔性衬底，柔性衬底上依次层叠设置有有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、第二金属层、平坦层以及发光层和封装层；其中，栅极绝缘层覆盖有源层，层间绝缘层覆盖栅极金属层，平坦层覆盖层间绝缘层以及所述第二金属层；其中，层间绝缘层上开设有多条沟道，沟道两端向层间绝缘层边缘延伸以贯穿层间绝缘层。在保证层间绝缘层良好的绝缘特性和氢化功能的前提下，使沟道成为显示装置弯曲时形变发生的主要区域，而由于沟道底部的无机膜层厚度较小，因此可承受更大的弯曲应力，提高了显示装置在弯曲应力下的可靠性，同时防止层间绝缘层在弯曲应力下产生裂纹及裂纹扩展导致薄膜晶体管器件的失效。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示装置及其制备方法。
背景技术
柔性显示装置是一种基于柔性基底材料形成的显示装置。由于柔性显示装置具有可卷曲、宽视角、便于携带等特点，因此，在便携产品、多数显示应用领域，柔性显示装置具有广阔的应用前景以及良好的市场潜力。
柔性显示技术的出现对柔性背板提出了挑战。柔性显示背板要求所有的功能膜层具有较高的柔性和可靠性。目前，由于材料和工艺的限制，柔性显示器件的柔性背板仍然采用金属和无机的功能膜层来制备。
而在传统的柔性背板结构中，存在较厚的层间绝缘层，起到如下作用：一、屏蔽金属走线间的信号干扰；二、高温氢化工艺中，提供氢原子修补主动层的缺陷。为了保证良好的绝缘特性和补氢效果，一般要求层间绝缘层具有一定的厚度，而显示装置产生弯曲时，较厚的层间绝缘层在弯曲应力下易产生裂纹及裂纹扩展，从而导致薄膜晶体管器件的失效。
发明内容
本发明提供一种柔性显示装置，以解决现有的柔性显示装置中，显示装置产生弯曲时，较厚的层间绝缘层在弯曲应力下易产生裂纹及裂纹扩展，从而导致薄膜晶体管器件失效的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种柔性显示装置，包括：
柔性衬底；
设置于所述柔性衬底表面的有源层；
设置于所述柔性衬底上且覆盖所述有源层的栅极绝缘层；
设置于所述栅极绝缘层上的栅极金属层；
设置于所述栅极绝缘层上且覆盖所述栅极金属层的层间绝缘层；
设置于所述层间绝缘层上的第二金属层；
设置于所述栅极绝缘层且覆盖所述层间绝缘层和所述第二金属层的平坦层；
设置于所述平坦层上的发光层和封装层；
其中，所述层间绝缘层上开设有多条沟道，所述沟道两端向所述层间绝缘层边缘延伸以贯穿层间绝缘层，位于所述第二金属层下方的层间绝缘层在竖向上的投影包纳所述第二金属层在竖向上的投影。
优选的，所述沟道深度不小于所述层间绝缘层厚度。
优选的，所述沟道将层间绝缘层分割为多条绝缘隔道，所述绝缘隔道的纵截面呈正梯形。
优选的，所述第二金属层包括多条源漏金属走线，所述绝缘隔道与所述源漏金属走线一一对应。
优选的，所述柔性衬底包括第一柔性基板，以及依次层叠设置在第一柔性基板上的第一阻隔层、第二柔性基板和第二阻隔层。
本发明还提供一种柔性显示装置的制备方法，包括：
S10、在承载基板上形成柔性衬底；
S20、在所述柔性衬底上形成图形化的有源层；
S20、在所述柔性衬底上形成覆盖所述有源层的栅极绝缘层；
S40、在所述栅极绝缘层上形成栅极金属层；
S50、在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述栅极金属层的层间绝缘层；
S60、在所述层间绝缘层上形成图案化的第二金属层；
S70、通过蚀刻工艺在所述层间绝缘层上形成沟道；
S80、在第二金属层上形成覆盖第二金属层和层间绝缘层的平坦层；
S90、在所述平坦层上形成发光层和封装层。
优选的，在步骤S50中，形成层间绝缘层时，并形成金属电极过孔。
优选的，所述S60包括：
S61、在所述层间绝缘层上形成第二金属层；
S62、在所述第二金属层上涂布光刻胶层，对光刻胶层进行曝光、显影，以形成图案化的光刻胶层；
S63、对第二金属层进行蚀刻，形成图案化的第二金属层。
优选的，在步骤S70中，通过蚀刻层间绝缘层形成沟道时，利用源漏金属走线作为第一层掩膜板。
优选的，在步骤S63中，第二金属层蚀刻完成后，保留位于源漏金属走线上的光刻胶，利用光刻胶作为蚀刻层间绝缘层的第二层掩膜板。
本发明的有益效果为：
采用图形化的层间绝缘层取代现有的整面性的膜层结构，使沟道成为面板弯曲时形变发生的主要区域，提高显示装置在弯曲应力下的可靠性，同时防止层间绝缘层在弯曲应力下产生裂纹及裂纹扩展导致薄膜晶体管器件的失效。同时利用源漏金属走线作为层间绝缘层和光刻胶的蚀刻掩膜板，无需增加光罩即可得到与源漏金属走线一一对应的绝缘隔道，使沟道可以更好的形成弯曲应力集中区的同时，降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明具体实施方式中柔性显示装置的结构示意图；
图2为本发明具体实施方式中柔性显示装置的制备流程示意图；
图3为本发明具体实施方式中柔性衬底的形成示意图；
图4为本发明具体实施方式中图形化的有源层的形成示意图；
图5为本发明具体实施方式中栅极绝缘层觉栅极金属层的形成示意图；
图6为本发明具体实施方式中层间绝缘层的形成示意图；
图7为本发明具体实施方式中图案化的第二金属层的形成示意图；
图8为本发明具体实施方式中沟道的形成示意图；
图9为本发明具体实施方式中柔性显示装置的形成示意图。
附图标记：
10、承载基板；
20、柔性衬底；21、第一柔性基板；22、第一阻隔层；23、第二柔性基板；24、第二阻隔层；
30、有源层；
40、栅极绝缘层；
50、栅极金属层；
60、层间绝缘层；61、沟道；62、绝缘隔道；63、金属电极过孔；
70、源漏金属走线；
80、平坦层；90、发光层；101、主动层；102、光刻胶。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的柔性显示装置，为了保证良好的绝缘特性和补氢效果，一般要求层间绝缘层具有一定的厚度，而较厚的层间绝缘层在弯曲应力下易产生裂纹及裂纹扩展，从而导致薄膜晶体管器件失效的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
一种柔性显示装置，如图1所示，所述柔性显示装置包括柔性衬底20，所述柔性衬底20上依次层叠设置有有源层30、栅极绝缘层40、栅极金属层50、层间绝缘层60、第二金属层、平坦层80以及发光层90和封装层，其中，所述第二金属层至少用作源漏极讯号走线；其中，所述栅极绝缘层40覆盖所述有源层30，所述层间绝缘层60覆盖所述栅极金属层50，所述平坦层80覆盖所述层间绝缘层60以及所述第二金属层。
其中，所述层间绝缘层60上开设有多条沟道61，所述沟道61两端向所述层间绝缘层60边缘延伸以贯穿层间绝缘层60，位于所述第二金属层下方的层间绝缘层60在竖向上的投影包纳所述第二金属层在竖向上的投影。
通过层间绝缘层60覆盖栅极金属层50，从而隔绝栅极金属走线与源漏金属走线70，起到绝缘作用，避免金属走线间的信号干扰，同时在高温氢化工艺中，通过层间绝缘层60提供氢原子修补主动层101的缺陷；在保证层间绝缘层60良好的绝缘特性和氢化功能的前提下，采用图形化的层间绝缘层60取代现有的整面性的膜层结构，使沟道61成为显示装置弯曲时形变发生的主要区域，而由于沟道61底部的无机膜层厚度较小，因此可承受更大的弯曲应力，提高了显示装置在弯曲应力下的可靠性，同时防止层间绝缘层60在弯曲应力下产生裂纹及裂纹扩展导致薄膜晶体管器件的失效。
需要说明的是，层间绝缘层60可以为单层结构，也可以为多层叠层结构，由SiOx、SiNx、Al2O3等无机材料制成，通过化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂法等方法在栅极绝缘层40上制成；可以理解的是，在具体实施中，层间绝缘层60也可由其他材料通过其他方法制成。
具体的，所述沟道61深度不小于所述层间绝缘层60厚度。可以理解的是，沟道61深度越深，则沟道61底部的无机膜层厚度越小，从而可承受更大的弯曲应力，提高显示装置在弯曲应力下的可靠性；应该理解的是，沟道61深度越深，制造时间和成本也会增加，因此在具体实施中，在保证沟道61性能的同时，可根据生产成本选择沟道61的深度。
其中，所述沟道61将层间绝缘层60分割为多条绝缘隔道62，所述绝缘隔道62的纵截面呈正梯形。上述已经提及，层间绝缘层60通过化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂法等方法在栅极绝缘层40上制成，将所述绝缘隔道62的纵截面设置成正梯形，提高绝缘隔道62底部与栅极绝缘层40的接触面积，从而使绝缘隔道62与栅极绝缘层40结合的更加牢固紧密，防止显示装置弯曲时绝缘隔道62产生偏移或与栅极绝缘层40脱离。
具体的，所述第二金属层包括多条源漏金属走线70，所述绝缘隔道62与所述源漏金属走线70一一对应。利用绝缘隔道62隔绝栅极金属走线与源漏金属走线70，保证绝缘作用，同时减小绝缘隔道62的数量，增加沟道61的区域面积，从而使弯曲应力更好的集中在沟道61，提高显示装置在弯曲应力下的可靠性。
所述柔性衬底20包括第一柔性基板21，以及依次层叠设置在第一柔性基板21上的第一阻隔层22、第二柔性基板23和第二阻隔层24。通过多层结构复合形成柔性衬底20，提高柔性衬底20的可靠性，防止弯曲过程中柔性衬底20产生裂纹。
需要说明的是，所述第一阻隔层22和第二阻隔层24的材料可以是无机材料如SiOx，SiNx等。可以理解的是，所述第一阻隔层22和第二阻隔层24的材料包括但不限于上述列举。
一种柔性显示装置的制备方法，如图2所示，所述制备方法包括：
步骤S10、在承载基板上形成柔性衬底；
步骤S20、在所述柔性衬底上形成图形化的有源层；
步骤S30、在所述柔性衬底上形成覆盖所述有源层的栅极绝缘层；
步骤S40、在所述栅极绝缘层上形成栅极金属层；
步骤S50、在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述栅极金属层的层间绝缘层；
步骤S60、在所述层间绝缘层上形成图案化的第二金属层；
步骤S70、通过蚀刻工艺在所述层间绝缘层上形成沟道；
步骤S80、在第二金属层上形成覆盖第二金属层和层间绝缘层的平坦层；
步骤S90、在所述平坦层上形成发光层和封装层。
需要说明的是，承载基板可以为透明的玻璃，当然，可以理解的是，承载基本也可为其他透明材料。
如图3所示，在承载基板10表面形成第一柔性基板21，在第一柔性基板21上形成第一阻隔层22，在第一阻隔层22表面复合形成第二柔性基板23，在第二柔性基板23上形成第二阻隔层24，从而形成完整的柔性衬底20。
如图4所示，在柔性衬底20表面形成有源层30，通过蚀刻处理形成图形化的有源层30。
如图5所示，在柔性衬底20上形成覆盖所述有源层30的栅极绝缘层40，在所述栅极绝缘层40上形成栅极金属层50。
如图6所示，在所述栅极绝缘层40上形成覆盖所述栅极金属层50的层间绝缘层60，并形成金属电极过孔63。
如图7所示，所述步骤S60包括：
S61、在所述层间绝缘层60上形成第二金属层；
S62、在所述第二金属层上涂布光刻胶层，对光刻胶层进行曝光、显影，以形成图案化的光刻胶层；
S63、对第二金属层进行蚀刻，形成图案化的第二金属层。
如图8所示，在步骤S70中，利用源漏金属走线70作为第一层掩膜板，对层间绝缘层60进行蚀刻处理，形成与源漏金属走线70一一对应的绝缘隔道62。利用源漏金属作为层间绝缘层60的蚀刻掩膜板，源漏金属走线70下的层间绝缘层60将保留，而上方无源漏金属走线70的区域的层间绝缘层60将被蚀刻，不增加光罩即可得到与源漏金属走线70一一对应的绝缘隔道62，降低生产成本。
可以理解的是，较宽的沟道61可以更好的形成弯曲应力集中区，利用源漏金属作为层间绝缘层60的蚀刻掩膜板，从而保证绝缘隔道62的绝缘效果和氢化功能的同时，减小绝缘隔道62的宽度，从而增加沟道61的宽度，从而使沟道61更好的形成弯曲应力集中区。
在所述步骤S63中，蚀刻完成后，保留位于源漏金属走线70上的光刻胶，利用光刻胶作为蚀刻层间绝缘层60的第二层掩膜层。对层间绝缘层60进行蚀刻时，通过第二层掩膜板对源漏金属走线70起到保护隔绝作用，防止蚀刻工艺对源漏金属走线70造成影响或损坏，同时无需增加光刻工艺，减少工序，降低生产成本。
如图9所示，在第二金属层上形成覆盖第二金属层和层间绝缘层60的平坦层80，在所述平坦层80上形成发光层90和封装层后，从而形成显示装置。
本发明的有益效果为：通过在层间绝缘层60上开设沟道61，保证层间绝缘层60的绝缘返回和氢化功能的前提下，采用图形化的层间绝缘层60取代现有的整面性的膜层结构，使沟道61成为面板弯曲时形变发生的主要区域，提高显示装置在弯曲应力下的可靠性，同时防止层间绝缘层60在弯曲应力下产生裂纹及裂纹扩展导致薄膜晶体管器件的失效。同时利用源漏金属走线70作为层间绝缘层60和光刻胶的蚀刻掩膜板，无需增加光罩即可得到与源漏金属走线70一一对应的绝缘隔道62，使沟道61可以更好的形成弯曲应力集中区的同时，降低生产成本。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种柔性显示装置，其特征在于，所述柔性显示装置包括：
柔性衬底；
设置于所述柔性衬底表面的有源层；
设置于所述柔性衬底上且覆盖所述有源层的栅极绝缘层；
设置于所述栅极绝缘层上的栅极金属层；
设置于所述栅极绝缘层上且覆盖所述栅极金属层的层间绝缘层；
设置于所述层间绝缘层上的第二金属层；
设置于所述栅极绝缘层且覆盖所述层间绝缘层和所述第二金属层的平坦层；
设置于所述平坦层上的发光层和封装层；
其中，所述层间绝缘层上开设有多条沟道，所述沟道两端向所述层间绝缘层边缘延伸以贯穿所述层间绝缘层；位于所述第二金属层下方的层间绝缘层在竖向上的投影包纳所述第二金属层在竖向上的投影；所述沟道将层间绝缘层分割为多条绝缘隔道，所述第二金属层包括多条源漏金属走线，所述绝缘隔道与所述源漏金属走线一一对应。
2.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，所述沟道深度不小于所述层间绝缘层厚度。
3.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，所述绝缘隔道的纵截面呈正梯形。
4.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，所述柔性衬底包括第一柔性基板，以及依次层叠设置在第一柔性基板上的第一阻隔层、第二柔性基板和第二阻隔层。
5.一种柔性显示装置的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10、在承载基板上形成柔性衬底；
S20、在所述柔性衬底上形成图形化的有源层；
S20、在所述柔性衬底上形成覆盖所述有源层的栅极绝缘层；
S40、在所述栅极绝缘层上形成栅极金属层；
S50、在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述栅极金属层的层间绝缘层；
S60、在所述层间绝缘层上形成图案化的第二金属层，第二金属层包括多条源漏金属走线；
S70、通过蚀刻工艺在所述层间绝缘层上形成沟道；
S80、在第二金属层上形成覆盖第二金属层和层间绝缘层的平坦层；
S90、在所述平坦层上形成发光层和封装层；
在步骤S70中，通过蚀刻层间绝缘层形成沟道时，利用源漏金属走线作为第一层掩膜板。
6.根据权利要求5所述的柔性显示装置的制备方法，其特征在于，在步骤S50中，形成层间绝缘层时，并形成金属电极过孔。
7.根据权利要求5所述的柔性显示装置的制备方法，其特征在于，所述S60包括：
S61、在所述层间绝缘层上形成第二金属层；
S62、在所述第二金属层上涂布光刻胶层，对光刻胶层进行曝光、显影，以形成图案化的光刻胶层；
S63、对第二金属层进行蚀刻，形成图案化的第二金属层。
8.根据权利要求7所述的柔性显示装置的制备方法，其特征在于，在步骤S63中，第二金属层蚀刻完成后，保留位于源漏金属走线上的光刻胶，利用光刻胶作为蚀刻层间绝缘层的第二层掩膜板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811107363.XA CN109309099B (zh) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | 一种柔性显示装置及其制备方法 |
| US16/339,370 US10790317B2 (en) | 2018-09-21 | 2018-10-12 | Flexible display device and method of manufacturing the same |
| PCT/CN2018/109968 WO2020056814A1 (zh) | 2018-09-21 | 2018-10-12 | 一种柔性显示装置及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811107363.XA CN109309099B (zh) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | 一种柔性显示装置及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109309099A CN109309099A (zh) | 2019-02-05 |
| CN109309099B true CN109309099B (zh) | 2020-05-12 |
Family
ID=65225135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811107363.XA Active CN109309099B (zh) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | 一种柔性显示装置及其制备方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10790317B2 (zh) |
| CN (1) | CN109309099B (zh) |
| WO (1) | WO2020056814A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11244994B2 (en) * | 2019-10-23 | 2022-02-08 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and organic light emitting diode panel |
| CN117317111A (zh) * | 2022-06-23 | 2023-12-29 | 合肥京东方瑞晟科技有限公司 | 一种布线基板及其制备方法、发光面板、显示装置 |
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| CN106129096A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-11-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种柔性背板及其制作方法、柔性显示装置 |
| CN108122927A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2018
- 2018-09-21 CN CN201811107363.XA patent/CN109309099B/zh active Active
- 2018-10-12 WO PCT/CN2018/109968 patent/WO2020056814A1/zh active Application Filing
- 2018-10-12 US US16/339,370 patent/US10790317B2/en active Active
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| CN108122927A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200161345A1 (en) | 2020-05-21 |
| WO2020056814A1 (zh) | 2020-03-26 |
| CN109309099A (zh) | 2019-02-05 |
| US10790317B2 (en) | 2020-09-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |