TWI406426B - 製造薄膜太陽能電池的方法 - Google Patents

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Description

製造薄膜太陽能電池的方法
本發明係涉及一種薄膜太陽能電池，尤其涉及一種製造薄膜太陽能電池的方法，係使用雷射而防止圖案化過程中所出現的電氣短路問題。
通常，太陽能電池依據光吸收層的材料而分類。太陽能電池可分類為具有矽作為光吸收層的矽太陽能電池、使用CIS(CuInSe2 )或CdTe的化合物薄膜太陽能電池、III-V族太陽能電池、染料敏化太陽能電池和有機太陽能電池。
在這些太陽能電池中，矽太陽能電池包括結晶太陽能電池和非晶矽薄膜太陽能電池。廣泛地使用塊材結晶太陽能電池。然而，結晶太陽能電池由於昂貴的矽基板和複雜的製造程序，所以具有增加的生產成本。
近來，為了降低製造成本已完成許多研究，透過在相對低成本的基板如玻璃、金屬或塑膠而非矽晶圓上形成薄膜太陽能電池。
以下將參考所附圖式，描述依據先前技術中的薄膜太陽能電池。
第1圖係依據先前技術中薄膜太陽能電池的剖面圖。在第1圖中，先前技術的薄膜太陽能電池5包括玻璃或塑膠的基板10。透明導電層30係在每一個單位晶胞C形成在基板10上。光吸收層40，其依次包括p型非晶矽的矽晶層40a，i型非晶矽的矽晶層40b和n型非晶矽的矽晶層40c，形成在透明導電層30上。反射電極50係形成在每一個單位晶胞C的光吸收層40上。
儘管圖中沒有顯示，其上包括有透明導電層30、光吸收層40和反射電極50的基板10可面向相對基板並與它附接，其上依次形成聚合材料層和粘結層。
此處，反射電極50係選自包括相對高反射比材料的導電材料群組的其中之一所形成，如鋁(Al)和銀(Ag)。反射電極50最大化經過光吸收層40的光之散射特性。
在薄膜太陽能電池5中，入射在第一基板10上的光線經過第一基板10和p型矽晶層40a並在i型矽晶層40b中吸收。由於光線具有較矽之頻帶隙能更大的能量，因此在i型矽晶層40b中產生電子和電洞。由於內電場，i型矽晶層40b中的電子和電洞分別擴散至p型矽晶層40a和n型矽晶層40c，並分別透過透明導電電極30和反射電極50而提供至外部電路。據此，太陽能可轉換為電能。
以下將參考所附圖式詳細解釋製造薄膜太陽能電池的方法。第2A圖至第2E圖係顯示依據先前技術之薄膜太陽能電池的製造方法之步驟的剖面圖。
在第2A圖中，單位晶胞C係界定在玻璃或塑膠之基板10上。第一透明導電材料層32透過沉積選自包括氧化物之透明導電材料群組其中之一而形成在基板10上。透明導電材料群組可包括銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、錫氧化物(tin oxide，SnOx)和鋅氧化物(zinc oxide，ZnOx)。第一透明導電材料層32較佳係具有大於5000的厚度。第一透明導電材料層32可透過濺射方法而形成。第一透明導電材料層32可透過噴射方法而形成。即是，第一透明導電材料層32可透過噴射或注入包括透明導電氧化材料的溶膠凝膠溶液而塗敷或印刷在基板10上。
在第2B圖中，第一雷射處理裝置(圖中未示)係配置在包括第2A圖的透明導電材料層32的基板10上。第2A圖的透明導電材料層32係使用第一雷射加工裝置以第一雷射切割製程而圖案化，並且透明導電層30係分別形成在單位晶胞C中。透明導電層30由於具有第一寬度w1的第一分離線SL1而彼此分隔一固定距離。第一雷射加工裝置的雷射光束較佳地具有1064nm的波長。在第一雷射切割處理之後，曝光基板10以對應至相鄰的透明導電層30之間的空間，即是第一分離線SL1。
在第2C圖中，具有p-i-n結構的光吸收材料層(圖中未示)透過依次沉積p型矽晶層40a、i型矽晶層40b和n型矽晶層40c而形成在包括透明導電層30的基板10上。
其次，第二雷射加工裝置(圖中未示)係配置在包括光吸收材料層的基板10之上。光吸收材料層係使用第二雷射加工裝置以第二雷射切割製程而圖案化，並且光吸收層40係分別形成在單位晶胞C中。光吸收層40由於具有第二寬度w2的第二分離線SL2而彼此分隔。第二分離線SL2係與第一分離線SL1錯位。第二雷射加工裝置的雷射光束較佳係具有532nm的波長。
在第2D圖中，反射材料層52透過沉積選自包括具有相對高反射比的鋁(Al)和銀(Ag)之導電材料群組其中之一而形成在包括光吸收層40的基板10上。反射材料層52可利用噴濺方法而沉積。
在第2E圖中，第三雷射加工裝置(圖中未示)係配置在包括第2D圖的反射材料層52的基板10之上。第2D圖的反射材料層52係使用第三雷射加工裝置以第三雷射切割製程而圖案化，並且反射電極50係分別形成以對應至單位晶胞C。反射電極50由於具有第三寬度w3的第三分離線SL3而彼此分隔一固定距離。第三分離線SL3係與第一分離線SL1和第二分離線SL2錯位。第三雷射加工裝置的雷射光束較佳地具有532nm的波長。此時，第2D圖的反射材料層52下面的光吸收層40也利用第三雷射切割製程而圖案化。透明導電層30係曝光以對應至第三分離線SL3。
儘管沒有在圖中顯示，當執行第三雷射切割製程時，因為雷射未聚焦，相鄰單位晶胞C之間的切割在基板10的邊緣無法完美地進行。為解決此問題，第四雷射切割製程可沿垂直相交於第三雷射切割製程方向的方向來實施。反射材料層50、光吸收層40和透明導電層30係透過第四雷射切割製程切割，並且可分離基板10之邊緣中的一部分。此處，第四雷射切割製程的雷射光束可具有532nm或1064nm的波長。
因此，可製造先前技術的薄膜太陽能電池。
在薄膜太陽能電池5中，由於光吸收層40係由具有超過攝氏1000度之熔點的矽材料所形成，因此反射電極50由選自包括具有相對低之熔點，例如攝氏660度鋁和銀的導電材料群組的其中之一所形成。
第三雷射切割製程係用以切割光吸收層40並同時切割反射材料層52。當照射雷射光束時，可產生瞬間的熱量。熱量傳輸至反射材料層52，並且反射材料層52可熔化。因此，反射電極50和透明導電層30可彼此電性地連接，並且由於電氣短路而降低能量轉換效率。
第3A圖係第2E圖之區域A的放大圖，而第3B圖係顯示第3A圖之區域B的圖式。
在第3A圖和第3B圖中，透明導電層30和光吸收層40係形成在第2E圖的每一個單位晶胞C中。反射電極50係形成在透明導電層30和光吸收層40上，並利用第三分離線SL3彼此分隔。
當第2D圖的反射材料層52和光吸收層40使用雷射而一起切割時，第2D圖的反射材料層52由於雷射光束照射因熱量而熔化，從而在第三分離線SL3中的反射電極50和透明導電層30之間發生電氣短路。電氣短路快速地降低了薄膜太陽能電池的能量轉換效率。
尤其，在包括光吸收層40的薄膜太陽能電池中，光吸收層40由各個單位晶胞分割，單位晶胞由於電氣短路而可並聯而非串聯，或者光吸收層40中所產生的電子和電洞可再結合以減少載子濃度。因此，顯著阻礙了能量轉換效率。
因此，本發明係針對薄膜太陽能電池的製造方法，其大致避免了由於先前技術的限制和缺點所導致的一個或多個問題。
本發明的目的是提供一種製造薄膜太陽能電池的方法，解決電氣短路並增進能量轉換效率。
對於本發明額外的優點、目的和特點將在隨後的描述中闡明，以及部分內容將從描述中顯而易見，或者可透過實施本發明而瞭解到。本發明的目的和其他優點將透過特別在描述中所指出的結構和在此的申請專利範圍以及所附圖式說明而實現和獲得。
為了實現這些和其他優點，依照本發明的目的，如此處具體而廣泛描述的，一種製造薄膜太陽能電池的方法包括以下步驟：製備一基板，其上界定有單位晶胞；在該基板上形成透明導電層，並分別對應至該等單位晶胞，該等透明導電層係利用其間的第一分離線而彼此分隔；在該等透明導電層上形成光吸收層，並分別對應至該等單位晶胞，該等光吸收層係利用其間的第二分離線而彼此分隔；在每一個該等光吸收層當中形成第三分離線，該第三分離線與該第二分離線分隔；透過在該第三分離線之上配置絹網版並塗敷導電膠，以形成反射材料層；以及透過燒結該反射材料層，以形成分別對應至該等單位晶胞的反射電極。
在另一特點中，一種製造薄膜太陽能電池的方法，包括以下步驟：製備一基板，其上界定有單位晶胞；在該基板上形成透明導電層，並分別對應至該等單位晶胞，該等透明導電層係利用其間的第一分離線而彼此分隔；在該等透明導電層上形成光吸收層，並分別對應至該等單位晶胞，該等光吸收層係利用其間的第二分離線而彼此分隔；在每一個該等光吸收層當中形成第三分離線，該第三分離線與該第二分離線分隔；透過在該第三分離線之上配置絹網版並使用注射器選擇性地滴加液體導電材料，以形成反射材料層；以及透過燒結該反射材料層，以形成分別對應至該等單位晶胞的反射電極。
在另一特點中，一種製造薄膜太陽能電池的方法，包括以下步驟：製備一包括第一和第二單位晶胞的基板；在該基板上形成第一和第二透明導電層，並分別對應至該第一和第二單位晶胞，該第一和第二透明導電層係彼此分隔；在該第一和第二透明導電層上形成第一和第二光吸收層，並分別對應至該第一和第二單位晶胞，該第一和第二光吸收層係彼此分隔；在該第一和第二光吸收層的每一個當中形成分離線；以及在該分離線之上配置絹網版，並形成分別對應至該第一和第二單位晶胞的第一和第二反射電極，其中該第一和第二反射電極係彼此分隔。
可理解的是，前面概述和後面詳細描述都具示例性和解釋性，並意圖對本發明實施例提供進一步的解釋說明。
現在參考所附圖式，更加詳細地描述本發明實施例。無論如何，類似的參考符號將用於代表相同或類似的部分。
本發明之第一實施例將參考第4A圖至第4E圖來描述。在第一實施例中，反射電極係以網版印刷的方式所形成。
第4A圖至第4E圖係說明依據本發明第一實施例之薄膜太陽能電池的製造方法之步驟的剖面圖。
在第4A圖中，單位晶胞C係界定在玻璃或塑膠之基板110上。第一透明導電材料層132透過沉積選自包括氧化物之透明導電材料群組的其中之一而形成在基板110上。透明導電材料群組可包括ITO、SnOx和ZnOx。第一透明導電材料層132較佳係具有大於5000的厚度。第一透明導電材料層132可透過濺射方法形成。第一透明導電材料層132可透過噴射方法形成。即是，第一透明導電材料層132可透過噴射或注入包括透明導電氧化材料的溶膠凝膠溶液而塗敷或印刷在基板110上。
在第4B圖中，第一雷射加工裝置(圖中未示)係配置在包括第4A圖的透明導電材料層132的基板110之上。第4A圖的透明導電材料層132係使用第一雷射加工裝置以第一雷射切割製程而圖案化，並且透明導電層130分別形成在單位晶胞C中。透明導電層130由於具有第一寬度w1的第一分離線SL1而彼此分隔一固定距離。第一雷射加工裝置的雷射光束較佳地具有1064nm的波長。在第一雷射切割製程之後，曝光基板110以對應至相鄰透明導電層130之間的空間，即是第一分離線SL1。
在第4C圖中，具有p-i-n結構的光吸收材料層(圖中未示)係透過依次沉積p型矽晶層140a、i型矽晶層140b和n型矽晶層140c而形成在包括透明導電層130的基板110上。
其次，第二雷射加工裝置(圖中未示)係配置在包括光吸收材料層的基板110之上。光吸收材料層係使用第二雷射加工裝置以第二雷射切割製程而圖案化，並且光吸收層140分別形成在單位晶胞C中。光吸收層140由於具有第二寬度w2的第二分離線SL2而彼此分隔。第二分離線SL2係與第一分離線SL1錯位。第二雷射加工裝置的雷射光束較佳地具有532nm的波長。
然後，第三雷射加工裝置(圖中未示)係配置在包括具有第二分離線SL2之光吸收層140的基板110之上。光吸收層140係使用第三雷射加工裝置以第三雷射切割製程而圖案化，並且每一個單位晶胞C中的光吸收層140係部分去除藉以形成具有第三寬度w3的第三分離線SL3，其與第二分離線SL2分隔。第三分離線SL3係與第一分離線SL1錯位。
在第4D圖中，絹網版SC係配置在具有第二分離線SL2和第三分離線SL3的光吸收層140之上，從而每一個絹網版SC對應至第三分離線SL3，並且反射材料層152透過塗敷選自包括鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)和鎘(Cd)之導電膠其中之一而形成在光吸收層140上。此處，導電膠可包括碳聚合物的黏合劑以獲得粘性。
導電膠可經擠壓(圖中未示)而受力，並可均勻地塗敷在基板110的大致整個表面上，除了絹網版SC以外。反射材料層152較佳地可具有500cp至50,000cp範圍之內的黏性。較佳的作法是第三分離線SL3的第三寬度w3係在20微米至100微米的範圍之內。
反射材料層152在攝氏200至500度的溫度下燒結，並且可去除碳聚合物的黏合劑。
在第4E圖中，當燒結製程之後，反射電極150形成以分別對應至單位晶胞C，除了第三分離線SL3以外。反射電極150可包括鋁、銀、銅、鉬、鈦和鎘的其中之一。
在本發明第一實施例中，反射電極150可以絹網版方法而非雷射切割製程而選擇性地形成。即是，不執行雷射切割製程，並且與雷射切割製程相較，可在相對低溫之下實施反射電極150的分隔。可防止反射電極150和透明導電層130之間的電氣短路，並且可增進薄膜太陽能電池的能量轉換效率。
此外，透過塗敷具有膠態的金屬材料執行製程。該製程與使用真空室的沉積製程相較，可較簡化。因此，可增加產量。
本發明的第二實施例將參考第5A圖至第5E圖來描述。在第二實施例中，反射電極係以噴墨印刷方法來形成。
第5A圖至第5E圖係說明依據本發明第二實施例之薄膜太陽能電池的製造方法之步驟的剖面圖。
在第5A圖中，單位晶胞C係界定在玻璃或塑膠之基板210上。第一透明導電材料層232透過沉積選自包括氧化物之透明導電材料群組其中之一而形成在基板210上。透明導電材料群組可包括ITO、SnOx和ZnOx。第一透明導電材料層232較佳係具有大於5000的厚度。第一透明導電材料層232可透過濺射方法而形成。第一透明導電材料層232可透過噴射方法而形成。即是，第一透明導電材料層232可透過噴射或注入包括透明導電氧化材料的溶膠凝膠溶液而塗敷或印刷在基板210上。
在第5B圖中，第一雷射加工裝置(圖中未示)係配置在包括第5A圖的透明導電材料層232的基板210之上。第5A圖的透明導電材料層232係使用第一雷射加工裝置以第一雷射切割製程而圖案化，並且透明導電層230係分別形成在單位晶胞C中。透明導電層230由於具有第一寬度w1的第一分離線SL1而彼此分隔一固定距離。第一雷射加工裝置的雷射光束較佳地係具有1064nm的波長。在第一雷射切割製程之後，曝光基板210以對應至相鄰導電層230之間的空間，即是第一分離線SL1。
在第5C圖中，具有p-i-n結構的光吸收材料層(圖中未示)透過依次沉積p型矽晶層240a、i型矽晶層240b和n型矽晶層240c而形成在包括透明導電層230的基板210上。
其次，第二雷射加工裝置(圖中未示)係配置在包括光吸收材料層的基板210之上。光吸收材料層係使用第二雷射加工裝置以第二雷射切割製程而圖案化，並且光吸收層240分別形成在單位晶胞C中。光吸收層240由於具有第二寬度w2的第二分離線SL2而彼此分隔。第二分離線SL2係與第一分離線SL1錯位。第二雷射加工裝置的雷射光束較佳地具有532nm的波長。
然後，第三雷射加工裝置(圖中未示)係配置在包括具有第二分離線SL2的光吸收層240的基板210之上。光吸收層240係使用第三雷射加工裝置以第三雷射切割製程而圖案化，並且每一個單位晶胞C中的光吸收層240係部分去除藉以形成具有第三寬度w3的第三分離線SL3，其與第二分離線SL2分隔。第三分離線SL3係與第一分離線SL1錯位。
在第5D圖中，絹網版SC係配置在具有第二分離線SL2和第三分離線SL3的光吸收層240之上，從而每一個絹網版SC對應至第三分離線SL3，並且反射材料層252透過使用注入裝置270選擇性地滴加選自包括鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)和鎘(Cd)之液體導電材料其中之一而形成在光吸收層240上。此處，液體導電材料可包括碳聚合物的分散劑。
注入裝置270包括從儲存槽(圖中未示)提供液體導電材料的供應管270a、臨時儲存從供應管270a而來的液體導電材料之注射器270b、以及從注射器270b適當地注入液體導電材料的噴嘴270c。
在使用注入裝置270的滴加製程中，反射材料層252透過使用注射器270b均勻地滴加液體導電材料在基板210的大致整個表面上，除了絹網版SC以外，而在單位晶胞C中選擇性地形成。反射材料層252較佳地可具有1cp至30cp範圍之內的黏性。較佳的作法是第三分離線SL3的寬度w3在20微米至100微米的範圍之內。
反射材料層252在攝氏200至500度的溫度下燒結，並且可去除碳聚合物的黏合劑。
在第5E圖中，在燒結製程之後，反射電極250形成以分別對應至單位晶胞C，除了第三分離線SL3。反射電極250可包括鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)和鎘(Cd)的其中之一。
在本發明的第二實施例中，反射電極250可以絹網版法而非雷射切割製程而選擇性地形成。即是，不執行雷射切割製程，並且與雷射切割製程相較，可在相對低溫之下實施反射電極250的分隔。可防止反射電極250和透明導電層230之間的電氣短路，並且可增進薄膜太陽能電池的能量轉換效率。
此外，由於該製程係透過滴加液體金屬材料而執行，因此相較於使用真空室的沉積製程，該製程可較簡化。因此，產率可增加。
在本發明實施例中，薄膜太陽能電池具有信號連接結構。本發明可應用於具有堆疊結構或三層結構的薄膜太陽能電池。
在本發明中，反射電極係利用網版印刷方法或噴墨印刷方法而形成，並且可防止反射電極和透明導電電極之間的電氣短路。因此，可增進薄膜太陽能電池的能量轉換效率。另外，可省略沉積製程，並且可簡化製造製程。
可理解的是以上所述僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明作任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。
5．．．薄膜太陽能電池
10．．．基板
30．．．透明導電層
32．．．第一透明導電材料層
40．．．光吸收層
40a．．．p型矽晶層
40b．．．i型矽晶層
40c．．．n型矽晶層
50．．．反射電極
52．．．反射材料層
110．．．基板
130．．．透明導電層
132．．．第一透明導電材料層
140．．．光吸收層
140a．．．p型矽晶層
140b．．．i型矽晶層
140c．．．n型矽晶層
150．．．反射電極
152．．．反射材料層
210．．．基板
230．．．透明導電層
232．．．第一透明導電材料層
240．．．光吸收層
240a．．．p型矽晶層
240b．．．i型矽晶層
240c．．．n型矽晶層
250．．．反射電極
252．．．反射材料層
270．．．注入裝置
270a．．．供應管
270b．．．注射器
270c．．．噴嘴
C．．．單位晶胞
SC．．．絹網版
SL1．．．第一分離線
SL2．．．第二分離線
SL3．．．第三分離線
w1．．．第一寬度
w2．．．第二寬度
w3．．．第三寬度
所附圖式其中提供關於本發明實施例的進一步理解並且結合與構成本說明書的一部份，說明本發明的實施例並且與描述一同提供對於本發明實施例之原則性的解釋。
第1圖係依據先前技術之薄膜太陽能電池的剖面圖；
第2A圖至第2E圖係顯示依據先前技術之薄膜太陽能電池的製造方法之步驟的剖面圖；
第3A圖係第2E圖之區域A的放大圖，而第3B圖係顯示第3A圖之區域B的圖式；
第4A圖至第4E圖係說明依據本發明第一實施例之薄膜太陽能電池的製造方法之步驟的剖面圖；以及
第5A圖至第5E圖係說明依據本發明第二實施例之薄膜太陽能電池的製造方法之步驟的剖面圖。
110．．．基板
130．．．透明導電層
140．．．光吸收層
140a．．．p型矽晶層
140b．．．i型矽晶層
140c．．．n型矽晶層
152．．．反射材料層
C．．．單位晶胞
SC．．．絹網版
SL1．．．第一分離線
SL2．．．第二分離線
SL3．．．第三分離線
w1．．．第一寬度
w2．．．第二寬度
w3．．．第三寬度

Claims (16)

  1. 一種製造薄膜太陽能電池的方法，包括：製備一基板，其上界定有複數個單位晶胞；在該基板上形成複數個透明導電層，並分別對應至該等單位晶胞，該等透明導電層係利用其間的一第一分離線而彼此分隔；在該等透明導電層上形成複數個光吸收層，並分別對應至該等單位晶胞，該等光吸收層係利用其間的一第二分離線而彼此分隔；在每一個該等光吸收層當中形成一第三分離線，該第三分離線與該第二分離線分隔；透過在該第三分離線之上配置一絹網版並塗敷一導電膠，以形成一反射材料層；以及透過燒結該反射材料層，以形成分別對應至該等單位晶胞的複數個反射電極。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的方法，其中該導電膠包括一碳聚合物和鋁、銀、銅、鉬、鈦和鎘其中之一的一黏合劑。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的方法，其中該反射材料層係在攝氏200至500度的溫度下燒結。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述的方法，其中該反射材料層具有500cp至50000cp的黏度。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的方法，其中該第三分離線具有一20微米至100微米的寬度。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述的方法，其中每一個該等光吸收層包括一p型矽晶層、一i型矽晶層和一n型矽晶層。
  7. 一種製造薄膜太陽能電池的方法，包括：製備一基板，其上界定有複數個單位晶胞；在該基板上形成複數個透明導電層，並分別對應至該等單位晶胞，該等透明導電層係利用其間的一第一分離線而彼此分隔；在該等透明導電層上形成複數個光吸收層，並分別對應至該等單位晶胞，該等光吸收層係利用其間的一第二分離線而彼此分隔；在每一個該等光吸收層當中形成一第三分離線，該第三分離線與該第二分離線分隔；透過在該第三分離線之上配置一絹網版並使用一注射器選擇性地滴加一液體導電材料，以形成一反射材料層；以及透過燒結該反射材料層，以形成分別對應至該等單位晶胞的複數個反射電極。
  8. 依據申請專利範圍第7項所述的方法，其中該液體導電材料包括一碳聚合物和鋁、銀、銅、鉬、鈦和鎘其中之一的一分散劑。
  9. 依據申請專利範圍第7項所述的方法，其中該反射材料層係在攝氏200至500度的溫度下燒結。
  10. 依據申請專利範圍第7項所述的方法，其中該反射材料層具有1cp至30cp的黏度。
  11. 依據申請專利範圍第7項所述的方法，其中該第三分離線具有一20微米至100微米的寬度。
  12. 依據申請專利範圍第7項所述的方法，其中每一個該等光吸收層包括一p型矽晶層、一i型矽晶層和一n型矽晶層。
  13. 一種製造薄膜太陽能電池的方法，包括：製備一包括第一和第二單位晶胞的基板；在該基板上形成第一和第二透明導電層，並分別對應至該第一和第二單位晶胞，該第一和第二透明導電層係彼此分隔；在該第一和第二透明導電層上形成第一和第二光吸收層，並分別對應至該第一和第二單位晶胞，該第一和第二光吸收層係彼此分隔；在該第一和第二光吸收層的每一個當中形成一分離線；以及在該分離線之上配置一絹網版，並形成分別對應至該第一和第二單位晶胞的第一和第二反射電極，其中該第一和第二反射電極係彼此分隔。
  14. 依據申請專利範圍第13項所述的方法，其中形成該第一和第二反射電極包括塗敷一導電膠以形成一反射材料層，然後燒結該反射材料層。
  15. 依據申請專利範圍第13項所述的方法，其中形成該第一和第二反射電極包括使用一注射器選擇性地滴加一液體導電材料以形成一反射材料層，然後燒結該反射材料層。
  16. 依據申請專利範圍第13項所述的方法，其中該第一光吸收層與該第一和第二透明導電層重疊，而該第一反射電極與該第一和第二光吸收層重疊。
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