KR20100088471A - 박막 태양전지의 제조방법 - Google Patents

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박성기
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Abstract

본 발명은 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저를 이용하여 각 패턴을 형성하는 과정에서 발생되는 쇼트 불량을 미연에 방지할 수 있는 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
이를 해결하기 위한 본 발명에 따른 박막 태양전지의 제조방법은 기판 상에 다수의 단위 셀을 구분하는 단계와; 상기 다수의 단위 셀로 구분된 기판 상에 다수의 제 1 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 대응되는 다수의 투명 도전층을 형성하는 단계와; 상기 다수의 투명 도전층의 상부로 다수의 제 2 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 광흡수층을 형성하는 단계와; 상기 다수의 제 2 분리라인과 이격된 일측으로 상기 단위 셀별로 광흡수층을 절단하는 제 3 분리라인을 형성하는 단계와; 상기 제 3 분리라인과 대응되는 위치로 실크 스크린을 장착하고, 도전성 페이스트를 도포하여 반사 물질층을 형성하는 단계와; 상기 반사 물질층을 소결하여 단위 셀별로 다수의 반사 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

박막 태양전지의 제조방법{Method for fabricating Thin Film Solar Cell}
본 발명은 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저를 이용하여 각 패턴을 형성하는 과정에서 발생되는 쇼트 불량을 미연에 방지할 수 있는 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 박막 태양전지는 p-n접합으로 이루어진 다이오드로, 광흡수층으로 사용되는 물질에 따라 다양한 종류로 구분된다. 이러한 광흡수층으로 실리콘을 사용하는 태양전지는 결정질 기판형의 태양전지와, 비정질의 박막 태양전지로 구분된다. 그 밖에, CIS(CuInSe2)나 CdTe를 이용하는 화합물 박막 태양전지, Ⅲ-Ⅴ족 태양전지, 염료감응 태양전지와 유기 태양전지가 대표적인 태양전지라 할 수 있다.
전술한 다결정 실리콘을 이용하는 벌크형 결정질 태양전지가 주로 사용되고 있으나, 이러한 결정질 태양전지는 고가의 실리콘 원료를 다량으로 사용할 뿐만 아니라 제조 공정이 복잡한 관계로 생산 단가를 상승시키는 요인으로 작용하고 있다.
최근에는 고가의 실리콘 기판 대신 유리, 금속, 플라스틱과 같은 저가의 기판 위에 박막 형태로 태양전지를 제조하는 것을 통해 생산 단가를 줄이려는 연구가 진행되고 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 종래에 따른 박막 태양전지에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 종래에 따른 박막 태양전지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도시한 바와 같이, 종래에 따른 박막 태양전지(5)는 유리나 플라스틱으로 이루어진 기판(10)과, 상기 기판(10)의 상부 면에 단위 셀(C)별로 형성된 투명 도전층(30)과, 상기 투명 도전층(30)의 상부 면에 차례로 형성된 p형 비정질 실리콘층(40a), i형 비정질 실리콘층(40b) 및 n형 비정질 실리콘층(40c)을 포함하는 p-i-n 구조의 광흡수층(40)과, 상기 광흡수층(40)의 상부에 단위 셀(C)별로 형성된 반사 전극(50)을 포함한다.
도면으로 상세히 제시하지는 않았지만, 상기 투명 도전층(30), 광흡수층(40) 및 반사 전극(50)이 형성된 기판(10)은 이와 대향하며, 그 표면에 고분자 물질층(미도시) 및 접착층(미도시)이 차례로 형성된 기판(미도시)과 대향 합착되는 구조로 이루어질 수 있다.
이 때, 상기 반사 전극(50)은 반사율이 우수한 알루미늄(Al)과 은(Ag)을 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 구성되는 바, 광흡수층(40)을 통과하는 빛의 산란 특성을 극대화하는 기능을 한다.
전술한 박막 태양전지(5)는 기판(10)을 통과하는 빛이 p형 비정질 실리콘 층(40a)을 투과하여 i형 비정질 실리콘층(40b)에 흡수되고, i형 비정질 실리콘층(40b) 내에서 비정질 실리콘(a-Si)의 광학적 밴드갭(band gap) 보다 큰 에너지를 가지는 빛에 의해 전자와 전공을 생성하게 된다. 이러한 i형 비정질 실리콘층(40b)에서 발생된 전자와 전공은 내부 전계에 의해 p형 비정질 실리콘층(40a)과 n형 비정질 실리콘층(40c)으로 수집되고, 외부 전극인 투명 도전층(30)과 반사 전극(50)을 통해 외부회로로 공급된다. 이를 통해, 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환할 수 있게 된다.
이하, 종래에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 참조하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
도 2a 내지 도 2e는 종래에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 유리나 금속 재질로 이루어진 기판(10) 상에 단위 셀(C)별로 구분하는 단계를 진행한다. 다음으로, 상기 단위 셀(C)별로 구분된 기판(10) 상에 인듐-틴-옥사이드(ITO), 산화주석(SnOx), 산화아연(ZnOx)을 포함하는 투명한 도전성 산화물질 그룹 중 선택된 하나로 투명 도전 물질층(32)을 형성한다. 상기 투명 도전 물질층(32)은 5000Å 이상의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 투명 도전 물질층(32)은 스퍼터링법을 이용한 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 또한, 투명한 도전성 산화물질을 포함하는 졸-겔 용액을 스프레이 방식 으로 분사하여 기판(10) 상에 직접 도포 또는 프린팅하는 스프레이법이 이용될 수 있다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 투명 도전 물질층(도 2a의 32)이 형성된 기판(10)과 이격된 상부로 제 1 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 1 레이저 가공장치를 이용한 제 1 레이저 커팅공정으로 투명 도전 물질층을 패터닝하게 되면, 제 1 폭(W1)으로 설계된 다수의 제 1 분리라인(SL1)에 의해 등 간격을 유지하며 이격되는 투명 도전층(30)이 단위 셀(C)별로 형성된다. 이 때, 상기 제 1 레이저 커팅공정시 사용되는 레이저의 파장대는 1064nm로 설정하는 것이 바람직하다.
이러한 제 1 레이저 커팅공정에 의해 투명 도전층(30) 간의 사이 공간, 즉 제 1 분리라인(SL1)에 대응된 기판(10)은 외부로 노출된다.
도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 투명 도전층(30)이 형성된 기판(10) 상에 p형 실리콘층(40a), i형 실리콘층(40b) 및 n형 실리콘층(40c)을 차례로 적층하여 p-i-n 구조의 광흡수 물질층(미도시)을 순차적으로 적층 형성한다.
다음으로, 상기 광흡수 물질층이 형성된 기판(10)과 이격된 상부로 제 2 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 2 레이저 가공장치를 이용한 제 2 레이저 커팅공정으로 광흡수 물질층을 패터닝하게 되면, 제 1 분리라인(SL1)과 이격된 일 측으로 제 2 폭(W2)으로 설계된 제 2 분리라인(SL2)에 의해 단위 셀(C)별로 분리된 광흡수층(40)이 각각 형성된다. 이 때, 상기 제 2 레이저 커팅공정시 사용되는 레이저의 파장대는 532nm로 설정하는 것이 바람직하다.
도 2d에 도시한 바와 같이, 상기 광흡수층(40)이 형성된 기판(10)의 상부로 반사율이 우수한 알루미늄(Al)과 은(Ag)을 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 반사 물질층(52)을 형성한다. 이 때, 상기 반사 물질층(52)은 스퍼터링 공정을 통한 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 2e에 도시한 바와 같이, 상기 광흡수층(40) 및 반사 물질층(도 2d의 52)이 형성된 기판(10)과 이격된 상부로 제 3 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 3 레이저 가공장치를 이용한 제 3 레이저 커팅공정으로 반사 물질층과, 반사 물질층의 하부에 위치하는 광흡수층(40)을 일괄적으로 패터닝하게 되면, 제 1 및 제 2 분리라인(SL1, SL2)과 이격된 일 측으로 제 3 폭(W3)으로 설계된 제 3 분리라인(SL3)에 의해 단위 셀(C)별로 등 간격을 유지하며 이격되는 다수의 반사 전극(50)이 각각 형성된다. 이 때, 상기 제 3 레이저 커팅공정시 사용되는 레이저의 파장대는 532nm로 설정하는 것이 바람직하다.
전술한 제 3 레이저 커팅공정을 통해 제 3 분리라인(SL3)에 대응된 부분에 위치하는 투명 도전층(30)이 외부로 노출된다.
도면으로 상세히 제시하지는 않았지만, 제 3 레이저 커팅 공정을 진행할 경우 기판(10)의 최외곽 가장자리에 대응된 부분에서는 레이저의 초점이 맞지 않아서 단위 셀(C) 간의 절단이 완벽하게 이루어지지 않는 경우가 종종 발생되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 제 3 레이저 커팅공정과 수직 교차하는 방향으로 제 4 레이저 커팅공정을 더 진행할 수도 있다. 이러한 제 4 레이저 커팅공정은 반사 물질층, 광흡수층(40) 및 투명 도전층(30)을 일괄적으로 절단하는 공정을 통해 기 판(10)의 최외곽 가장자리에 대응되는 부분을 절연시킬 수 있게 된다. 이 때, 상기 제 4 레이저 커팅공정시 사용되는 레이저의 파장대는 532nm 및 1064nm가 모두 사용될 수 있다.
이상으로, 종래에 따른 박막 태양전지를 제작할 수 있게 된다.
전술한 박막 태양전지(5)에 있어서, 광흡수층(40)은 녹는점이 1000℃ 이상의 실리콘 계열의 물질로 이루어짐에 반해 반사 전극(50)은 금속 물질 중에서도 상대적으로 녹는점이 660℃ 정도로 매우 낮은 알루미늄이나 은을 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 어느 하나로 형성하고 있다.
이 때, 전술한 제 3 레이저 커팅공정은 레이저를 이용하여 광흡수층(40)과 반사 물질층을 일괄적으로 절단하는 공정으로, 레이저의 조사시 순간적인 열이 발생될 수 있다. 레이저의 조사시 발생된 열은 반사 물질층에 그대로 전달되어 반사 물질층이 용융되는 결과를 초래한다. 이러한 이유로 반사 전극(50)과 투명 도전층(30)이 전기적으로 연결되는 쇼트 불량에 따른 광변환 효율의 저하 문제가 발생되고 있다.
이에 대해서는, 이하 첨부한 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 3a는 도 2e의 A 부분을 확대하여 나타낸 단면도이고, 도 3b는 도 3a의 B 부분에 대응되는 시뮬레이션이다.
도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 기판(10) 상에 투명 도전층(30)과 광흡수층(40)이 단위 셀(도 2e의 C)별로 형성되고, 투명 도전층(30) 및 광흡수층(40)의 상부로는 제 3 분리라인(SL3)을 사이에 두고 반사 전극(50)이 이격 형성된다.
제 3 분리라인(SL3)은 레이저를 이용하여 금속 물질층(도 2d의 52)과 광흡수층(40)을 일괄적으로 절단하는 과정에서 레이저의 조사에 의한 열의 발생으로 금속 물질층이 용융되어 반사 전극(50)과 광흡수층(40)의 하부 면에 위치하는 투명 금속층(30)이 서로 전기적으로 연결되는 쇼트 불량을 유발할 수 있다. 이러한 쇼트 불량은 기판(10) 상의 임의의 위치에서 발생된다는 측면에서 박막 태양전지의 광변환 효율을 급격히 저해하는 요인으로 작용하게 된다.
즉, 광흡수층(40)이 하나의 단위 전지로 나누어지는 구조로 설계되는 박막 태양전지에 있어서, 쇼트 불량에 의해 직렬로 연결되는 것이 아니라 병렬로 연결되거나 광흡수층(40)에서 생성된 전자와 홀이 다시 재결합되어 캐리어의 농도를 감소시키는 요인으로 작용하여 박막 태양전지의 광변환 효율을 급격히 저해하는 문제가 발생되고 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 레이저를 이용하여 단위 셀별로 반사 물질층을 패턴하는 공정에 따른 쇼트 불량 문제를 개선하는 것을 통해 박막 태양전지의 광변환 효율을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조방법은 기판 상에 다수의 단위 셀을 구분하는 단계와; 상기 다수의 단위 셀로 구분된 기판 상에 다수의 제 1 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 대응되는 다수의 투명 도전층을 형성하는 단계와; 상기 다수의 투명 도전층의 상부로 다수의 제 2 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 광흡수층을 형성하는 단계와; 상기 다수의 제 2 분리라인과 이격된 일측으로 상기 단위 셀별로 광흡수층을 절단하는 제 3 분리라인을 형성하는 단계와; 상기 제 3 분리라인과 대응되는 위치로 실크 스크린을 장착하고, 도전성 페이스트를 도포하여 반사 물질층을 형성하는 단계와; 상기 반사 물질층을 소결하여 단위 셀별로 다수의 반사 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 도전성 페이스트는 알루미늄, 은, 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 카드뮴 중 선택된 어느 하나와 탄소를 포함하는 고분자 물질 계열의 바인더로 이루어진 것을 특징으로 한다. 상기 반사 물질층을 소결하는 단계에 있어서, 그 온도는 200 ~ 500℃의 범위로 진행된다.
상기 반사 물질층의 점도는 500 ~ 50,000cp의 범위이고, 상기 제 3 분리라인의 선폭은 20 ~ 100μm의 범위인 것을 특징으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조방법은 기판 상에 다수의 단위 셀을 구분하는 단계와; 상기 다수의 단위 셀로 구분된 기판 상에 제 1 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 대응되는 다수의 투명 도전층을 형성하는 단계와; 상기 다수의 투명 도전층의 상부로 다수의 제 2 분 리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 광흡수층을 형성하는 단계와; 상기 다수의 제 2 분리라인과 이격된 일측으로 상기 단위 셀별로 광흡수층을 절단하는 제 3 분리라인을 형성하는 단계와; 상기 제 3 분리라인과 대응되는 위치로 실크 스크린을 장착하고, 액상의 도전성 물질이 채워진 시린지를 이용하여 선택적으로 반사 물질층을 적하하는 단계와; 상기 반사 물질층을 소결하여 단위 셀별로 다수의 반사 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 액상의 도전성 물질은 알루미늄, 은, 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 카드뮴 중 선택된 어느 하나와, 탄소를 포함하는 고분자 물질 계열의 분산제로 이루어진 것을 특징으로 한다. 상기 반사 물질층을 소결하는 단계에 있어서, 그 온도는 200 ~ 500℃의 범위로 진행되는 것을 특징으로 한다.
상기 반사 물질층의 점도는 1 ~ 30cp의 범위히고, 상기 제 3 분리라인의 선폭은 20 ~ 50μm의 범위인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 스크린 프린팅이나 잉크젯 프린팅 방식을 적용하여 반사 전극과 투명 금속층 간의 쇼트 불량을 미연에 방지하는 것을 통해 박막 태양전지의 광변환 효율을 향상시킬 수 있고, 나아가 진공 증착 공정의 배제로 공정 단순화를 도모할 수 있는 효과가 있다.
--- 제 1 실시예 ---
본 발명의 제 1 실시예는 스크린 프린팅을 이용하여 반사 전극을 형성한 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조방법에 대해 설명하도록 한다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 유리나 금속 재질로 이루어진 기판(110) 상에 단위 셀(C)별로 구분하는 단계를 진행한다. 다음으로, 상기 단위 셀(C)별로 구분된 기판(110) 상에 인듐-틴-옥사이드(ITO), 산화주석(SnOx), 산화아연(ZnOx)을 포함하는 투명한 도전성 산화물질 그룹 중 선택된 하나로 투명 도전 물질층(132)을 형성한다. 상기 투명 도전 물질층(132)은 5000Å 이상의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 투명 도전 물질층(132)은 스퍼터링법을 이용한 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 또한, 투명한 도전성 산화물질을 포함하는 졸-겔 용액을 스프레이 방식으로 분사하여 기판(110) 상에 직접 도포 또는 프린팅하는 스프레이법이 이용될 수 있다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 투명 도전 물질층(도 4a의 132)이 형성된 기판(110)과 이격된 상부로 제 1 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 1 레이저 가공장치를 이용한 제 1 레이저 커팅공정으로 투명 도전 물질층을 패터닝 하게 되면, 제 1 폭(W1)으로 설계된 다수의 제 1 분리라인(SL1)에 의해 등 간격을 유지하며 이격되는 투명 도전층(130)이 단위 셀(C)별로 형성된다. 이 때, 상기 제 1 레이저 커팅공정시 사용되는 레이저의 파장대는 1064nm로 설정하는 것이 바람직하다.
이러한 제 1 레이저 커팅공정에 의해 투명 도전층(130) 간의 사이 공간, 즉 제 1 분리라인(SL1)에 대응된 기판(110)은 외부로 노출된다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 투명 도전층(130)이 형성된 기판(110) 상에 p형 실리콘층(140a), i형 실리콘층(140b) 및 n형 실리콘층(140c)을 차례로 적층하여 p-i-n 구조의 광흡수 물질층(미도시)을 순차적으로 적층 형성한다.
다음으로, 상기 광흡수 물질층이 형성된 기판(110)과 이격된 상부로 제 2 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 2 레이저 가공장치를 이용한 제 2 레이저 커팅공정으로 광흡수 물질층을 패터닝하게 되면, 제 1 분리라인(SL1)과 이격된 일 측으로 제 2 폭(W2)으로 설계된 제 2 분리라인(SL2)에 의해 단위 셀(C)별로 분리된 광흡수층(140)이 각각 형성된다. 이 때, 상기 제 2 레이저 커팅공정시 사용되는 레이저의 파장대는 532nm로 설정하는 것이 바람직하다.
다음으로, 상기 제 2 분리라인(SL2)을 포함하는 광흡수층(140)이 형성된 기판(110)과 이격된 상부로 제 3 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 3 레이저 가공장치를 이용한 제 3 레이저 커팅공정으로 제 2 분리라인(SL2)과 이격된 일측에 대응된 광흡수층(140)을 패터닝하게 되면, 상기 단위 셀(C)별로 광흡수층(140)의 일부분이 제거된 제 3 분리라인(SL3)이 제 2 분리라인(SL2)과 이격된 일 측에 각각 대응 형성된다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 제 2 분리라인(SL2)과 제 3 분리라인(SL3)을 포함하는 광흡수층(140)과 이격된 상부로 상기 제 3 분리라인(SL3)과 대응되는 위치로 실크 스크린(SC)을 장착하고, 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 및 카드뮴(Cd)을 포함하는 도전성 페이스트 중 선택된 어느 하나를 도포하여 반사 물질층(152)을 형성한다. 이 때, 상기 도전성 페이스트는 점성을 확보하기 위한 일환으로 탄소 계열의 고분자 물질로 이루어진 바인더가 더 포함될 수 있다.
이러한 도포 공정은 도전성 페이스트를 스퀴즈(미도시)로 밀어 넣는 방식으로 진행되며, 실크 스크린(SC)을 제외한 기판(110) 상의 전면에 대응하여 균일하게 도포하게 된다. 이 때, 상기 반사 물질층(152)의 점도는 500 ~ 50,000cp의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 특히, 상기 제 3 분리라인(SL3)은 20 ~ 100μm의 선폭으로 설계하는 것이 바람직하다.
다음으로, 반사 물질층(152)을 200 ~ 500℃의 범위에서 소결하는 것을 통해 탄소 계열의 고분자 물질로 이루어진 바인더를 제거하는 단계를 진행한다.
도 4e에 도시한 바와 같이, 전술한 소결 공정을 완료하게 되면, 기판(110) 상에는 제 3 분리라인(SL3)을 제외한 단위 셀(C)별로는 알루미늄, 은, 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 카드뮴 중 선택된 어느 하나로 이루어진 반사 전극(150)이 각각 형성된다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에서는 레이저를 이용한 절단 공정 대신 스크 린 인쇄법을 적용하여 선택적으로 반사 전극(150)을 형성하는 것이 가능하다. 즉, 레이저를 이용한 절단 공정이 사용되지 않으며, 레이저에 비해 상대적으로 저온에서 공정이 진행되므로 반사 전극(150)과 투명 도전층(130)이 전기적으로 연결되는 쇼트 불량을 미연에 방지할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 박막 태양전지의 광변환 효율을 향상시킬 수 있게 된다.
특히, 페이스트 상태의 금속 물질을 도포하는 방식으로 공정이 진행되므로 진공 장비를 이용한 증착 공정에 비해 공정을 단순화할 수 있고, 나아가 생산 수율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
이상으로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 박막 태양전지를 제작할 수 있다.
--- 제 2 실시예 ---
본 발명의 제 2 실시예는 잉크젯 프린팅 방식으로 반사 전극을 형성한 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조방법에 대해 설명하도록 한다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 유리나 금속 재질로 이루어진 기판(210) 상에 단위 셀(C)별로 구분하는 단계를 진행한다. 다음으로, 상기 단위 셀(C)별로 구분된 기판(210) 상에 인듐-틴-옥사이드(ITO), 산화주석(SnOx), 산화아연(ZnOx)을 포함하 는 투명한 도전성 산화물질 그룹 중 선택된 하나로 투명 도전 물질층(232)을 형성한다. 상기 투명 도전 물질층(232)은 5000Å 이상의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 투명 도전 물질층(232)은 스퍼터링법을 이용한 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 또한, 투명한 도전성 산화물질을 포함하는 졸-겔 용액을 스프레이 방식으로 분사하여 기판(210) 상에 직접 도포 또는 프린팅하는 스프레이법이 이용될 수 있다.
도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 투명 도전 물질층(도 5a의 232)이 형성된 기판(210)과 이격된 상부로 제 1 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 1 레이저 가공장치를 이용한 제 1 레이저 커팅공정으로 투명 도전 물질층을 패터닝하게 되면, 제 1 폭(W1)으로 설계된 다수의 제 1 분리라인(SL1)에 의해 등 간격을 유지하며 이격되는 투명 도전층(230)이 단위 셀(C)별로 형성된다. 이 때, 상기 제 1 레이저 커팅공정시 사용되는 레이저의 파장대는 1064nm로 설정하는 것이 바람직하다.
이러한 제 1 레이저 커팅공정에 의해 투명 도전층(230) 간의 사이 공간, 즉 제 1 분리라인(SL1)에 대응된 기판(210)은 외부로 노출된다.
도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 투명 도전층(230)이 형성된 기판(210) 상에 p형 실리콘층(240a), i형 실리콘층(240b) 및 n형 실리콘층(240c)을 차례로 적층하여 p-i-n 구조의 광흡수 물질층(미도시)을 순차적으로 적층 형성한다.
다음으로, 상기 광흡수 물질층이 형성된 기판(210)과 이격된 상부로 제 2 레 이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 2 레이저 가공장치를 이용한 제 2 레이저 커팅공정으로 광흡수 물질층을 패터닝하게 되면, 제 1 분리라인(SL1)과 이격된 일 측으로 제 2 폭(W2)으로 설계된 제 2 분리라인(SL2)에 의해 단위 셀(C)별로 분리된 광흡수층(240)이 각각 형성된다. 이 때, 상기 제 2 레이저 커팅공정시 사용되는 레이저의 파장대는 532nm로 설정하는 것이 바람직하다.
다음으로, 상기 제 2 분리라인(SL2)을 포함하는 광흡수층(240)이 형성된 기판(210)과 이격된 상부로 제 3 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 3 레이저 가공장치를 이용한 제 3 레이저 커팅공정으로 제 2 분리라인(SL2)과 이격된 일측에 대응된 광흡수층(240)을 패터닝하게 되면, 상기 단위 셀(C)별로 광흡수층(240)의 일부분이 제거된 제 3 분리라인(SL3)이 제 2 분리라인(SL2)과 이격된 일측에 각각 대응 형성된다.
도 5d에 도시한 바와 같이, 제 2 분리라인(SL2)과 제 3 분리라인(SL3)을 포함하는 광흡수층(240)과 이격된 상부로 상기 제 3 분리라인(SL3)과 대응되는 위치로 실크 스크린(SC)을 장착하고, 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 및 카드뮴(Cd)을 포함하는 액상의 도전성 물질 중 선택된 하나를 발크주입장치(270)를 이용하여 선택적으로 적하하여 반사 물질층(252)을 형성한다. 이 때, 상기 액상의 도전성 물질은 탄소 계열의 고분자 물질로 이루어진 분산제가 더 포함될 수 있다.
상기 발크주입장치(270)는 도시하지 않은 저장탱크로부터 액상의 도전성 물질을 공급받는 공급관(270a)과, 상기 공급관(270a)으로부터의 액상의 도전성 물질 을 임시 저장하는 시린지(270b)와, 상기 시린지(270b)로부터의 액상의 도전성 물질을 적당한 양으로 분사하는 노즐(270c)을 포함한다.
이러한 적하 공정은 액상의 도전성 물질을 시린지(270b)를 이용하여 실크 스크린(SC)을 제외한 기판(210) 상의 전면에 대응하여 균일하게 적하하는 방식을 통해 단위 셀(C)별로 선택적으로 반사 물질층(252)을 순차적으로 형성할 수 있게 된다. 이 때, 상기 반사 물질층(252)의 점도는 1 ~ 30cp의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 특히, 상기 제 3 분리라인(SL3)은 20 ~ 50μm의 선폭으로 설계하는 것이 바람직하다.
다음으로, 반사 물질층(252)을 200 ~ 500℃의 범위에서 소결하는 것을 통해 탄소 계열의 고분자 물질로 이루어진 분산제를 제거하는 단계를 진행한다.
도 5e에 도시한 바와 같이, 전술한 소결 공정을 완료하게 되면, 기판(210) 상에는 제 3 분리라인(SL3)을 제외한 단위 셀(C)별로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 및 카드뮴(Cd) 중 선택된 어느 하나로 이루어진 반사 전극(150)이 각각 형성된다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에서는 레이저를 이용한 절단 공정 대신 잉크젯 인쇄법을 적용하여 선택적으로 반사 전극(250)을 형성하는 것이 가능하다. 즉, 레이저를 이용한 절단 공정이 사용되지 않으며, 레이저에 비해 상대적으로 저온에서 공정이 진행되므로 반사 전극(250)과 투명 도전층(230)이 전기적으로 연결되는 쇼트 불량을 미연에 방지할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 박막 태양전지의 광변환 효율을 향상시킬 수 있게 된다.
특히, 액상의 금속 물질을 적하하는 방식으로 공정이 진행되므로 진공 장비를 이용한 증착 공정에 비해 공정을 단순화할 수 있고, 나아가 생산 수율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
지금까지, 본 발명에서는 단일 접합 구조의 박막 태양전지에 대해 일관되게 설명하였으나, 이는 일예에 불과한 것으로 탠덤 구조 및 트리플 구조에도 동일하게 적용할 수 있다는 것은 당업자에게 있어 자명한 사실일 것인바, 그 설명은 생략하도록 한다.
따라서, 본 발명은 상기 제 1 및 제 2 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변형 및 변경할 수 있다는 것은 자명한 사실일 것이다.
도 1은 종래에 따른 박막 태양전지를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 2a 내지 도 2e는 종래에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
도 3a는 도 2e의 A 부분을 확대하여 나타낸 단면도이고, 도 3b는 도 3a의 B 부분에 대응되는 시뮬레이션.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
110 : 기판 C : 단위 셀
130 : 투명 도전층 140 : 광흡수층
152 : 반사 물질층 SC : 실크 스크린
SL1, SL2, SL3 : 제 1, 제 2, 제 3 분리라인
W1, W2, W3 : 제 1, 제 2, 제 3 폭

Claims (10)

  1. 기판 상에 다수의 단위 셀을 구분하는 단계와;
    상기 다수의 단위 셀로 구분된 기판 상에 다수의 제 1 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 대응되는 다수의 투명 도전층을 형성하는 단계와;
    상기 다수의 투명 도전층의 상부로 다수의 제 2 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 광흡수층을 형성하는 단계와;
    상기 다수의 제 2 분리라인과 이격된 일측으로 상기 단위 셀별로 광흡수층을 절단하는 제 3 분리라인을 형성하는 단계와;
    상기 제 3 분리라인과 대응되는 위치로 실크 스크린을 장착하고, 도전성 페이스트를 도포하여 반사 물질층을 형성하는 단계와;
    상기 반사 물질층을 소결하여 단위 셀별로 다수의 반사 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트는 알루미늄, 은, 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 카드뮴 중 선택된 어느 하나와 탄소를 포함하는 고분자 물질 계열의 바인더로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 물질층을 소결하는 단계에 있어서, 그 온도는 200 ~ 500℃의 범위로 진행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 물질층의 점도는 500 ~ 50,000cp의 범위인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 분리라인의 선폭은 20 ~ 100μm의 범위인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
  6. 기판 상에 다수의 단위 셀을 구분하는 단계와;
    상기 다수의 단위 셀로 구분된 기판 상에 제 1 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 대응되는 다수의 투명 도전층을 형성하는 단계와;
    상기 다수의 투명 도전층의 상부로 다수의 제 2 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 광흡수층을 형성하는 단계와;
    상기 다수의 제 2 분리라인과 이격된 일측으로 상기 단위 셀별로 광흡수층을 절단하는 제 3 분리라인을 형성하는 단계와;
    상기 제 3 분리라인과 대응되는 위치로 실크 스크린을 장착하고, 액상의 도전성 물질이 채워진 시린지를 이용하여 선택적으로 반사 물질층을 적하하는 단계와;
    상기 반사 물질층을 소결하여 단위 셀별로 다수의 반사 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 액상의 도전성 물질은 알루미늄, 은, 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 카드뮴 중 선택된 어느 하나와, 탄소를 포함하는 고분자 물질 계열의 분산제로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 반사 물질층을 소결하는 단계에 있어서, 그 온도는 200 ~ 500℃의 범위로 진행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 반사 물질층의 점도는 1 ~ 30cp의 범위인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 3 분리라인의 선폭은 20 ~ 50μm의 범위인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
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US12/591,943 US8361826B2 (en) 2009-01-30 2009-12-04 Method of manufacturing a thin film solar cell
TW098142724A TWI406426B (zh) 2009-01-30 2009-12-14 製造薄膜太陽能電池的方法
CN2009102542899A CN101794838B (zh) 2009-01-30 2009-12-14 制造薄膜太阳能电池的方法
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI397189B (zh) * 2009-12-24 2013-05-21 Au Optronics Corp 製作太陽能薄膜電池之方法及其結構
US20120032206A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Cho Byoung Gu Variable height light emitting diode and method of manufacture
US8587187B2 (en) 2010-12-06 2013-11-19 Byoung GU Cho Light diffusion of visible edge lines in a multi-dimensional modular display
JP5168428B2 (ja) * 2010-03-18 2013-03-21 富士電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
US8563351B2 (en) * 2010-06-25 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing photovoltaic device
US20130008687A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-10 Industrial Technology Research Institute Conductive film structure capable of resisting moisture and oxygen and electronic apparatus using the same
FR2990300B1 (fr) 2012-05-04 2017-02-03 Disasolar Module photovoltaique et son procede de realisation.
US9130113B2 (en) 2012-12-14 2015-09-08 Tsmc Solar Ltd. Method and apparatus for resistivity and transmittance optimization in TCO solar cell films
TWI521725B (zh) * 2013-04-22 2016-02-11 茂迪股份有限公司 太陽能電池之製造方法
US9105799B2 (en) * 2013-06-10 2015-08-11 Tsmc Solar Ltd. Apparatus and method for producing solar cells using light treatment
TWI477342B (zh) * 2013-09-12 2015-03-21 Nexpower Technology Corp 雷射切割方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61170077A (ja) 1985-01-23 1986-07-31 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池の製造方法
US4783421A (en) * 1985-04-15 1988-11-08 Solarex Corporation Method for manufacturing electrical contacts for a thin-film semiconductor device
US4667058A (en) * 1985-07-01 1987-05-19 Solarex Corporation Method of fabricating electrically isolated photovoltaic modules arrayed on a substrate and product obtained thereby
US4745078A (en) * 1986-01-30 1988-05-17 Siemens Aktiengesellschaft Method for integrated series connection of thin film solar cells
JPS63164277A (ja) 1986-05-30 1988-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池の製造方法
JPH0227774A (ja) 1988-07-15 1990-01-30 Fuji Electric Co Ltd 太陽電池装置
CA2024662A1 (en) * 1989-09-08 1991-03-09 Robert Oswald Monolithic series and parallel connected photovoltaic module
DE59103714D1 (de) 1991-10-07 1995-01-12 Siemens Ag Laserbearbeitungsverfahren für einen Dünnschichtaufbau.
US5428249A (en) * 1992-07-15 1995-06-27 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device with improved collector electrode
JP3278535B2 (ja) 1994-09-13 2002-04-30 シャープ株式会社 太陽電池およびその製造方法
JP2003249673A (ja) 2001-08-31 2003-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池およびその製造方法ならびに太陽電池の製造装置
JP2003258274A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Nissha Printing Co Ltd 薄膜太陽電池用下部電極の製造方法
KR100582552B1 (ko) * 2004-09-23 2006-05-23 한국전자통신연구원 무바인더 및 고점도 나노 입자 산화물 페이스트를 이용한염료감응 태양전지의 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
JP2010514184A (ja) 2006-12-21 2010-04-30 ヘリアンソス，ビー．ブイ． 太陽電池から太陽電池サブセルをつくる方法
KR101176296B1 (ko) * 2008-04-15 2012-08-22 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 알루미늄 페이스트 및 규소 태양 전지 제조시의 그 용도
CN101276789B (zh) * 2008-05-07 2011-08-17 李毅 一种非晶硅太阳能电池铝膜蚀刻方法及蚀刻油墨
TW201015589A (en) * 2008-09-05 2010-04-16 Du Pont Aluminum pastes and use thereof in the production of silicon solar cells
JP2013512571A (ja) * 2009-11-25 2013-04-11 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 不動態化エミッタおよび背面接点シリコン太陽電池の銀裏面電極の形成方法

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