JP4001651B2 - 太陽電池の作製方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、薄膜太陽電池の構成に関する。特にその電極の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、アモルファスシリコン(非晶質珪素)膜を用いた太陽電池が知られている。
【0003】
このアモルファスシリコンを用いた太陽電池は、高い生産性を有している。また薄く軽いものとすることができる。この特徴を生かして、アモルファスシリコンを用いた太陽電池は、電卓や時計等の携帯機器の電源として利用されている。
【0004】
また太陽電池の生産性を向上させるために電極を印刷法によって形成する技術がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図7(A)に印刷法により形成された電極を配置した太陽電池の構成の一部を示す。図7(A)に示す太陽電池は、光電変換層が形成された面側(装置の表面側)から光が入射するタイプの構成を有している。
【0006】
図において、701は基板である。基板としては、ガラス基板やステンレス基板、さらには樹脂基板等が利用される。
【0007】
702で示されるのは、第1の電極である。この例では第1の電極としてアルミニウムを利用する。703で示されるのは光電変換層である。光電変換層は、基板側からPINまたはNIP型と積層されたアモルファスシリコンでもって構成される。
【0008】
704で示されるのは、第2の電極である。この例では、光入射面側の電極となるので、第2の電極704はITOでもって構成される。
【0009】
705で示されるのが、取り出し電極となる印刷法でもって形成される電極である。印刷法は、直接パターンを形成することができるという作製工程上の大きな有用性がある。
【0010】
印刷法は、導電ペーストを所定のパターンでもって印刷することによって行われる。導電ペーストは、バインダー中に導電材料(一般的に球状や葉巻型やラクビーボール型を有した金属粒)を分散したものである。
【0011】
印刷法を利用した場合は、少なからず印刷箇所に圧力が加わる。この際、分散された導電材料が存在する部分には圧力が集中することになる。
【0012】
図7(A)に示すような構成の場合、ITO膜704は数千Å以下の厚さであり、その材質も硬く強固なものではない。またその表面も少なからず凹凸を有している。また、光電変換層703を構成するアモルファスシリコンも硬い材質を有するものではない。
【0013】
従って、印刷時における局所的な圧力の集中によって、光電変換層703に対して局所的に高い圧力が加わる。この結果、光電変換層703にクラック706が発生したり、導電ペースト中の導電材料が光電変換層703内に食い込んだりする状態となる。
【0014】
このような状態は、図7(B)の706で示されるように第1の電極702と第2の電極704とがショートする要因となる。第1の電極702と第2の電極704とがショートしてしまっては、太陽電池としては機能しない。
【0015】
このように作製工程上は有用な印刷法を用いた電極の作製は、光電変換層へダメージを与え、さらに光電変換層を挟んで配置された第1の電極と第2の電極とをショートさせてしまい易いという問題を抱えている。
【0016】
本明細書で開示する発明は、印刷法を用いた構成であっても上記の問題が発生しないような構成を提供し、高い生産歩留りを得ることができる太陽電池の構造、およびその作製方法を提供することを課題とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明の一つは、図3(C)にその具体的な1例を示すように、
光電変換に寄与する半導体層203と、
前記半導体層の同一部分上に積層された少なくとも2種類の導電物(ここでは309と307)と、
を有し、
前記積層された導電物の最下層の導電物309と前記半導体層203との間に樹脂材料205が設けられていることを特徴とする。
【0018】
上記構成において、半導体層203と開溝209によって分離された310で示される半導体層は、光電変換には寄与しない半導体層である。この310で示される半導体層は、導電物307によって表面及び裏面がショートされているので、光電変換に寄与することはできない。
【0019】
本明細書で開示する発明の他の一つは、
光電変換に寄与する半導体層と、
該半導体層上に選択的に設けられた樹脂材料と、
前記半導体層に接し、かつそこから延在し前記樹脂材料上に接した導電膜と、
前記樹脂材料上部のみにおいて前記導電膜とコンタクトした引出し電極と、
を有し、
前記引出し電極は導電ペーストで形成されていることを特徴とする。
【0020】
上記構成において、光電変換に寄与する半導体層として、図3(C)の203で示される半導体層の例を挙げることができる。なお、開溝209によって分離された310で示される半導体層は、光電変換に寄与しない半導体層となる。この半導体層は、表面及び裏面(上面及び下面)が導電ペースト307によってショートしており、光電変換には寄与しない。
【0021】
導電ペーストとしては、高分子でなるバインダ中に各種金属材料を分散させたものが利用される。例えば、バインダ中に銀粒子を分散させた銀ペースト、同じくバインダ中に金粒子を分散させた金ペースト等が利用される。
【0022】
上記構成において、特に光電変換層は、PIN型と構成された非単結晶シリコン膜でなることを特徴とする。一般に光電変換層は、プラズマCVD法で成膜されるアモルファスシリコン膜や微結晶シリコン膜でもって構成される。
【0023】
他の発明の構成は、図3にその具体的な構成例を示すように、
正または負側の光起電力を取り出すための第1の電極202と、
該第1の電極上に設けられた半導体層203と、
該半導体層上に配置された樹脂材料205と、
負または正側の光起電力を取り出すための第2の電極309と、
前記樹脂材料205上のみにおいて前記第2の電極309とコンタクトした引出し電極307と、
を有し、
前記第1の電極と前記第2の電極との間には光起電力が生じ、
前記引出し電極は導電ペーストで形成されていることを特徴とする。
【0024】
上記構成で重要なのは、導電ペーストで構成される引出し電極307が樹脂材料205上でのみ第2の電極309とコンタクトしている点である。ここでいう「樹脂材料205上でのみ第2の電極309とコンタクトしている」というのは、樹脂材料205上以外の場所では、第2の電極309とコンタクトしていないという意味である。
【0025】
このような構成とすることにより、電極307を構成する導電ペースト中の金属粒により、電極202と309とがショートしてしまうことを防ぐことができる。即ち、樹脂材料205が存在することで、半導体層203に局所的な圧力が加わり、導電ぺースト中に含まれる金属粒が半導体層203に食い込み、電極202と309とをショートさせてしまうことを防ぐことができる。
【0026】
他の発明の構成は、図3(C)にその具体的な構成例を示すように、
正または負側の光起電力を取り出すための第1の電極202と、
該第1の電極上に設けられた半導体層203と、
該半導体層上に配置された樹脂材料205と、
負または正側の光起電力を取り出すための第2の電極309と、
該第2の電極にコンタクトした引出し電極307と、
を有し、
前記第1の電極と前記第2の電極との間には光起電力が生じ、
前記引出し電極307がコンタクトした第2の電極309の下部には前記樹脂材料205が存在しており、
前記引出し電極307は導電ペーストで形成されていることを特徴とする。
【0027】
他の発明の構成は、
半導体層を形成する工程と、
該半導体層上に選択的に樹脂材料でなる層を形成する工程と、
前記半導体層に接し、かつそこから延在し前記樹脂材料上に接した導電膜を形成する工程と、
前記樹脂材料上部の導電膜上に導電ペーストでなる電極を選択的に形成する工程と、
を有することを特徴とする。
【0028】
【発明の実施の形態】
本明細書で開示する発明を利用した構成の具体例を図3(C)に示す。
この構成においては、
光電変換層に寄与する半導体層(一般に光電変換層と称される)203と、
該半導体層203上に選択的に設けられた樹脂材料205と、
前記半導体層203に接し、かつそこから延在し前記樹脂材料205上に接した導電膜309と、
前記樹脂材料上部の導電膜309に接して配置された導電ペーストでなる電極307と、
を有する。
【0029】
このような構成とすることにより、300で示される部分において、光電変換に寄与する半導体層203がダミージを受けることを防止することができる。
【0030】
即ち、樹脂層205を設けることで、印刷法による電極307の形成時において、導電ペースト中に含まれる金属材料によって、半導体層307に対して局所的に高い圧力が加わってしまうことを防ぐことができる。
【0031】
【実施例】
〔実施例1〕
図1に本実施例の外観を示す。図1に示すのは、時計の文字板に配置される太陽電池を上面から見た状態である。図1に示す太陽電池は、基板として厚さ70μmでフレキシビリティーを有した樹脂フィルムを用いている。(本実施例ではPEN(ポリエチレンナフタレート)フィルムを用いている)
【0032】
図1において、104、105、106、107で示される4領域がそれぞれ光電変換素子として機能する1つのユニットである。この光電変換素子は、基板側から第1の電極、N型−I型−P型と積層された光電変換層、第2の電極と積層された構成を有している。またこの4つの光電変換素子は直列に接続されている。光起電力は、301と604で示される外部電極部分から外部に取り出される。
【0033】
これら4つの光電変換素子は、108と109で示される線状の部分で十文字に仕切られている。この仕切りはレーザー光を用いた切断(レーザースクライブと称する)によって行われる。
【0034】
101で示されるのは、太陽電池の外周部である。この太陽電池は最終工程において、レーザースクライブ、あるいは機械的な手段により、101で示される円形の外周を有するものとして打ち抜かれる。
【0035】
208で示されるのは、光電変換素子の外周部である。208と101との間の環状の領域は、太陽電池としては機能しない。
【0036】
208で示される光電変換素子の外周部は、図2(D)や図4(D)に示すようにレーザースクライブにより形成される。
【0037】
207の点線で示されるのは、光電変換素子の第2の電極(光入射側の透明電極)が切断されている箇所を示すものである。この切断箇所も図2(C)や図4(C)に示すようにレーザースクライブにより形成される。
【0038】
208と207の切断箇所は、円形状に閉じた軌跡を有している。即ち、切断の始まり箇所と終わりの箇所とが繋がった環状の形状を有している。
【0039】
図2〜図3に図1のA−Bで切った断面の作製工程を示す。図2〜図3に示すのは、外部への取り出し電極部(プラス側電極部)の作製工程である。なお本明細書における図面の縮尺関係は、図面の作図の関係上実際のものと相違するものとなっている。特に薄膜の厚さの相対関係は、作図の関係上実際の寸法比と大きく異なるものとなっている。
【0040】
また図4〜図5に図1のC−Dで切った断面の作製工程を示す。この部分は、光電変換素子107と104の接続箇所である。
【0041】
以下において対応する各部分の作製工程を示す。本実施例においては、基板としてPEN(ポリエチレンナフタレート)フィルム201を用いる。
【0042】
基板に利用できる他の材料としては、PET(ポリエチレンテレフタレート)等の各種工業用プラスチック材料を用いることができる。またガラス基板や金属基板を利用することもできる。
【0043】
以下に示す各種工程は、最終工程後の図1に示す外観を有する形状となるまで、数十m〜数百mの長尺状の基板201に対して連続的に行われる。そして最終工程において、図1に示す外観に打ち抜かれる。
【0044】
上記の連続的な工程においては、長尺状の基板を一方のロールに巻取り、それを他方のロールに巻き取らせる際に成膜、電極の印刷、ベーク、レーザースクライブといった各種工程が行われる。
【0045】
まず図2(A)及び図4(A)に示すように基板201上にアルミ電極202をスパッタ法により成膜する。次にプラズマCVD法により、基板側202側からNIP型と積層された半導体層203とを積層する。
【0046】
次に印刷法により、204と205で示される第1の樹脂層を形成する。この樹脂層の形成は、大型の版を用いて、長尺状を有するフィルム基板201(この段階では基板201は長尺状を有している)に対して連続的に行われる。こうして図2(A)及び図4(A)に示す状態を得る。
【0047】
ここで、樹脂層204は、図1の208で示される円周(後に切断用の開溝が形成される)に対応する環状の領域に設けられる。
【0048】
樹脂層205は、図1の207で示される円周(後に切断用の開溝が形成される)に対応する領域に設けられる。
【0049】
樹脂層205は、環状に形成される開溝207の下地となる。さらに、樹脂層205は、後に印刷法により形成されるコンタクト用電極の下部において、半導体層に対するダメージの発生を防止するために機能する。
【0050】
こうして図2(A)及び図4(A)に示す状態を得る。
【0051】
次にスパッタリング法により、ITO膜206を全面に成膜する。このITO膜の成膜もロールに巻き取られた長尺状のフィルム基板に対して連続的に行われる。こうして図2(B)及び図4(B)に示す状態を得る。
【0052】
次にレーザー光の照射による切断、即ちレーザースクライブを行う。ここでは、スポット径が80μmφのYAGレーザーを走査しながら照射することにより、必要とする層の切断を行う。
【0053】
ここでは、レーザースクライブにより、ITO膜206の切断が選択的に行われる。この工程で207で示されるようにITO膜が切断され、開溝が形成される。(図2(C)及び図4(C)参照)
【0054】
207で示される開溝は、図1に示すように環状に形成される。
【0055】
この開溝207の形成の際において、その下地として樹脂層205が存在していることが重要となる。
【0056】
樹脂層205が存在しないと、レーザー光の出力のバラツキ等によって、半導体層203を突き抜け、アルミ電極202にまでレーザー光の照射が及んでしまう場合がある。
【0057】
レーザー光がアルミ電極202まで到達した場合、透明電極206とアルミ電極202とがショートする危険が生じる。即ち、レーザー光のエネルギーにより、アルミ電極202を構成する材料が溶融し、それが透明電極206にまで延在するような状態となる。アルミ電極と透明電極206とは1μm程度しか離れていないので、両電極がショートしてしまう状況は高い頻度で生じてしまう。
【0058】
またレーザー光の照射エネルギーが強すぎ、アルミニウム電極202が完全に切断される場合もある。この場合、図1のC−Dで示される断面部分(図4及び5参照)において、107と104の光電変換素子同士を接続することができなくなる。
【0059】
また、アルミ電極202がITO電極206の切断箇所207の下部において完全に切断されなくても、その部分でレーザー光の照射による損傷を受けると、光電変換素子同士のコンタクトの不良やコンタクト抵抗の増加の要因となる。
【0060】
樹脂層205が存在することで、アルミ電極までレーザー光の照射が及ばないように工程条件に余裕を持たせることができる。このことは、製品としての歩留りを高くするために有用なものとなる。
【0061】
こうして図2(C)及び図4(C)に示す状態を得る。次に207で示されるレーザースクライブを行う場合よりもレーザー光の出力を高くして、再度のレーザースクライブを行う。
【0062】
この工程では、208で示される開溝と209で示される開溝が形成される。(図2(D)及び図4(D))
【0063】
図から明らかなようにこの工程においては、208や209で示される開溝の底部が基板にまで達するようにレーザー光の照射条件を設定する。なお、208と209で示される開溝を形成する際のレーザー光の照射条件は同じでよい。
【0064】
208で示される開溝は、図1に示すように207で示される開溝と同様の環状を有したものとして形成される。
【0065】
209で示される開溝は、外部引出し電極を設ける部分の周囲において、アルミ電極202を切断するために形成される。この209で示される開溝は、開溝208とつながり(図1参照)アルミ電極202を周囲から完全に切り取るように形成される。
【0066】
即ち、開溝209と開溝208の一部により、閉じた領域(この閉じた領域内に301で示される領域が存在する)が形成され、その領域内のアルミ電極202が周囲から孤立した状態とされている。
【0067】
こうすることで、後の工程において、引出し電極308が光電変換素子106の第1の電極202とショートしてしまうことを避けることができる。(図3(D)参照)
【0068】
208と209で示される開溝の形成時においては、第1の樹脂層204と205が存在することで、アルミ電極202とITO電極206とがショートすることを防ぐことができる。
【0069】
樹脂層204と205が存在しないと、アルミ電極202とITO電極206との距離が近いことから、溶融したアルミ電極によって両電極がショートしてしまうことが度々生じてしまう。
【0070】
このようにして図2(D)及び図4(D)に示す状態を得る。
【0071】
次に図3(A)に示す開溝301をレーザー光の照射によって形成する。この開溝は、裏面まで突き抜ける条件で行う。この開溝301の形成位置は図1に示されている。この開溝301は最終的に基板の裏面側につながる引出し電極を形成する際に利用される。この開溝301が形成された部分が外部引出し電極部となる。
【0072】
次に図3(B)及び図5(A)に示すように第2の樹脂層303と304を形成する。これらの樹脂層は、開溝207や208、さらに開溝209を樹脂材料で充填する機能を有している。また、その上に形成されるコンタクト電極の下地となる層間絶縁膜としての機能を有している。
【0073】
この第2の樹脂層303と304の形成も印刷法により行われる。
【0074】
次に図3(C)及び図5(B)に示すように銀ペーストによるコンタクト電極305、306、307を形成する。このコンタクト電極の形成も印刷法により行う。各コンタクト電極位置関係は図1に示すようなものとなる。
【0075】
この際、銀ぺースト内に含まれている銀粒子によって、半導体層203が損傷してしまうことを樹脂層205が存在することで防ぐことができる。このことは、生産歩留りを高める上で重要なこととなる。
【0076】
そして図5(B)に示す状態において、レーザー光の照射を図の矢印で示される部分に行い、アルミ電極202とコンタクト電極305とのコンタクトを形成する。この工程は、コンタクト用の開溝を形成するのと同時に銀ぺーストとアルミ電極とを共に溶融させることにより、両者を電気的に接続するものである。このような工程は、レーザーボンディングとして知られている。
【0077】
こうして図5(C)に示すように図1のC−Dで示される断面が完成する。この部分は、光電変換素子107のアルミ電極202(基板側の第1の電極)と光電変換素子104のITO電極(光入射面側の第2の電極)との接続がレーザーボンディングにより行われた状態を有している。
【0078】
こうして、光電変換素子104と光電変換素子107とが直列に接続された状態を得る。この接続箇所は、他に3ヵ所ある。この接続構造により、105、104、107、106で示される各光電変換素子が順に直列に接続された構成となる。
【0079】
一方、A−Bで示される切断面(図3参照)では、銀ペーストによるコンタクト電極307が形成された後、裏面側にコンタクト電極308を銀ペーストによって形成する。このコンタクト電極308の形成も印刷法によって行う。(図3(C)及び図3(D)参照)
【0080】
この工程においても図3(C)の300で示される部分において、銀ペーストでなる電極307の下部に樹脂層205が存在することが重要となる。
【0081】
樹脂層205が存在することで、印刷時において、銀ペースト中に含まれる銀粒子によって半導体層203が損傷し、アルミ電極202とITO電極309とがショートしてしまうことを防止することができる。
【0082】
裏面側に設けられるコンタクト電極308は、コンタクト電極307に開溝301内においてコンタクトする。結果として、外部引出し電極308は、光電変換素子106のITO電極309に接続された構造となる。
【0083】
このITO電極309は、光電変換素子106の光入射側のP型半導体層にコンタクトしている。従って、外部引出し電極308は、プラス側の電位が出力される取り出し電極となる。
【0084】
図6(A)に図1のE−Fで示される断面の状態を示す。また図6(B)に図1のG−Dで示される断面の構造を示す。
【0085】
ここには、光電変換素子105のN型半導体層からの引出し電極(マイナス電位側の電極となる)が形成される。
【0086】
図6(A)で示されるようにアルミ電極202(光電変換素子107のアルミ電極)にコンタクトした銀ペーストでなる電極602が、基板201の裏面側に形成されている。
【0087】
またアルミ電極202と引出し電極602とのコンタクトを確実なものとするためにG−Dで示す断面は、図6(B)に示すような構造を有している。
【0088】
即ち、レーザーボンディングを利用することによって604で示される部分に603で示されるコンタクトを形成した構成となっている。即ち、603で示される部分において、アルミ電極202と銀ペーストでなる電極601とがコンタクトした構造となっている。
【0089】
最後に長尺状のフィルムを基体として形成された多数の太陽電池をレーザースクライブにより打ち抜いて(または機械的に打ち抜いて)、個々の太陽電池が完成する。即ち、図1にその外観を示す太陽電池を多数個得る。
【0090】
図1にその上面からの外観を示す太陽電池は、光電変換素子106のP型半導体層からの引出し電極308(図3参照)(開溝301の裏面側表面に存在する)と、光電変換素子105のN型半導体層からの引出し電極602(図6参照)(電極601の裏面側に存在する)とから光起電力を取り出す構成として完成される。
【0091】
本実施例では、全体の形状が円形で、各光電変換素子が扇型を有する場合の例を示した。しかし、全体の形状を四角形や六角形、さらには八角形といった多角形状を有したものとしてもよい。
【0092】
【発明の効果】
本明細書で開示する発明を利用することで、印刷法で光電変換素子の上部に電極を形成した場合であっても光電変換素子にダメージが生じてしまうことを防止することができる。そして低い生産コストでもって、かつ高い歩留りでもって太陽電池を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 太陽電池の外観を示す図。
【図2】 図1のA−Bで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図3】 図1のA−Bで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図4】 図1のC−Dで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図5】 図1のC−Dで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図6】 図1のE−F及びG−Dで示される断面を示す図。
【図7】 従来における太陽電池のコンタクト電極の形成部分を示す図。
【符号の説明】
101 太陽電池の外周部
104 光電変換素子
105 光電変換素子
106 光電変換素子
107 光電変換素子
108 レーザースクライブ部分
109 レーザースクライブ部分
201 樹脂基板
202 アルミニウム電極(第1の電極)
203 半導体層(NIP型半導体層)
204 樹脂層(第1の樹脂層)
205 樹脂層(第1の樹脂層)
206 ITO電極
207 レーザースクライブによる開溝
208 レーザースクライブによる開溝
209 レーザースクライブによる開溝
301 レーザースクライブによる開溝
303 樹脂層(第2の樹脂層)
304 樹脂層(第2の樹脂層)
305 銀ペーストによるコンタクト電極
306 銀ペーストによるコンタクト電極
307 銀ペーストによるコンタクト電極
308 銀ペーストによるコンタクト電極
310 光電変換に寄与しない半導体層
309 ITO電極
601 銀ペーストによるコンタクト電極
602 銀ペーストによるコンタクト電極
603 レーザーボンディングによるコンタクト部
Claims (5)
- 基板表面上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第1の環状樹脂層領域及び前記第1の環状樹脂層領域の内側に配置された第2の環状樹脂層領域を形成し、
前記半導体層と前記第1及び第2の環状樹脂層領域との上に第2の電極を形成し、
前記第2の環状樹脂層領域の上からレーザー光を照射して前記第2の電極を切断することにより、環状の第1の開溝領域を形成し、
前記第1の環状樹脂領域の上からレーザー光を照射して前記基板表面まで達する環状の第2の開溝領域を形成した後、前記第2の環状樹脂層領域と、前記第1の環状樹脂層領域と前記第2の環状樹脂層領域との間の領域と、の上からレーザー光を照射して前記基板表面まで達する前記第2の開溝領域とつながる第3の開溝領域を形成することにより、前記第1の開溝領域の形成する環の外側の領域に前記基板表面上の他の領域から分離された閉領域を形成し、
前記閉領域内に基板裏面まで達する第4の開溝領域を形成し、
前記第1の開溝領域の形成する環の内側の領域において、前記第2の環状樹脂層領域上部のみにおいて前記第2の電極とコンタクトするように導電ペーストからなる引き出し電極を形成し、
前記基板裏面に前記第4の開溝領域を介して前記引き出し電極と接続するコンタクト電極を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 基板表面上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第1の環状樹脂層領域及び前記第1の環状樹脂層領域の内側に配置された第2の環状樹脂層領域を形成し、
前記半導体層と前記第1及び第2の環状樹脂層領域との上に第2の電極を形成し、
前記第2の環状樹脂層領域の上からレーザー光を照射して前記第2の電極を切断することにより、環状の第1の開溝領域を形成し、
前記第1の環状樹脂領域の上からレーザー光を照射して前記基板表面まで達する環状の第2の開溝領域を形成した後、前記第2の環状樹脂層領域と、前記第1の環状樹脂層領域と前記第2の環状樹脂層領域との間の領域と、の上からレーザー光を照射して前記基板表面まで達する前記第2の開溝領域とつながる第3の開溝領域を形成することにより、前記第1の開溝領域の形成する環の外側の領域に前記基板表面上の他の領域から分離された閉領域を形成し、
前記閉領域内に基板裏面まで達する第4の開溝領域を形成し、
前記第1及び第2の開溝領域を充填する樹脂層を形成し、
前記樹脂層と、前記前記第2の環状樹脂層領域上部の第2の電極と、前記閉領域内の第2の電極の上に、導電ペーストからなる引き出し電極を形成し、
前記基板裏面に前記第4の開溝領域を介して前記引き出し電極と接続するコンタクト電極を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記半導体層は、PIN型と構成された非単結晶シリコン膜でなることを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第2の電極としてITOが利用されることを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記導電ペーストとしてバインダ中に金属材料の粒子を分散させたものが利用されていることを特徴とする太陽電池の作製方法。
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