CN1162918C - 太阳能电池及其制作方法 - Google Patents
太阳能电池及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1162918C CN1162918C CNB971909571A CN97190957A CN1162918C CN 1162918 C CN1162918 C CN 1162918C CN B971909571 A CNB971909571 A CN B971909571A CN 97190957 A CN97190957 A CN 97190957A CN 1162918 C CN1162918 C CN 1162918C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- electrode layer
- opto
- semiconductor layer
- electronic conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 76
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 62
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 59
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 57
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 57
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 51
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 235000019506 cigar Nutrition 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04C—ELECTROMECHANICAL CLOCKS OR WATCHES
- G04C10/00—Arrangements of electric power supplies in time pieces
- G04C10/02—Arrangements of electric power supplies in time pieces the power supply being a radioactive or photovoltaic source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
本发明涉及太阳能电池及其制作方法。所述太阳能电池包括：一个第一电极层；一个淀积于所述第一电极层上的光电转换半导体层；一个部分地淀积于所述光电转换半导体层上的树脂层；一个淀积于所述光电转换半导体层和所述树脂层上的第二电极层；和一个淀积于一部分所述第二电极层上的第三电极层，其中，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层产生的电流从所述第二电极层的该区域流到所述第三电极层，所述第二电极层的所述区域通过所述第三电极层连接到一个外部引出电极，以提取所述电流。
Description
技术领域
本发明涉及一种用薄膜制作的太阳能电池，特别是一种置于手表盘面上的太阳能电池，及其制作方法。
背景技术
众所周知，太阳能电池使用非晶硅膜。这种使用非晶硅膜的太阳能电池能够较薄地以高生产率和低重量制作。从而上述太阳能电池已用作便携式仪表，例如台式计算器、手表或类似仪表的电源。
特别是，在把太阳能电池装到手表上以后，手表就具有不用更换电池的优点，因此，太阳能电池大有助于石英式手表的普及。
然而，当把常用形状的太阳能电池装到手表上时，出现一些问题；手表的设计受限制，并且不仅手表的外观变坏，还加大其整体尺寸。因此，已试图用一种与手表盘面匹配的形状来设计太阳能电池(《NikkeiBusiness》1996年3月18日，第71-73页)。
然而，上述形状的太阳能电池也有一些问题：其制作成本还高于普通太阳能电池，且其可靠性降低。
另一方面，为了提高太阳能电池的生产率，有一种用印刷法制成电极的技术。
图1a是一个截面图，说明一个具有由印刷工艺制成的电极的太阳能电池结构的一部分。在这种情况下，图1a所示太阳能电池是一种在它的形成光电转换层的表面(电池表面)侧有入射光线射入的太阳能电池。
在图1a中，标号100表示一个玻璃基片、不锈钢基片或树脂基片；101表示一个例如由铝制成的第一电极；102表示一个从玻璃基片100开始依照P-I-N型次序或N-I-P型次序淀积的非晶硅层的光电转换层，103表示一个氧化铟锡(ITO)的第二电极，这是一个在光入射表面侧上的电极；和140表示一个用印刷工艺制成的引出电极。
在印刷工艺中，用所要求的图案印刷一种导电膏，在该导电膏中弥散一种通常由球形、雪茄烟形或橄榄球形金属颗粒组成的导电材料。
这样，在一种利用一个可直接形成图案的印刷工艺的情况下，得到可简化电极制作步骤的优点。然而，出现一个问题：在某种程度上有一个压力局部地施加到要印刷的部分上。这种压力特别集中于存在弥散导电材料的部分。
一个具有图1a所示结构的ITO膜(第二个膜)是不那么硬和强的，并且只有几千埃的厚度或更薄。此外，ITO膜的表面具有一些明显的凹部和凸部，而且形成光电转换层102的非晶硅也不是那么硬的。
因此，由于印刷期间压力集中而有高压局部地施加于光电转换层102。结果，在光电转换层102中发生损坏，例如裂缝或类似缺陷，从而导电膏中的导电材料能够透入裂缝或类似缺陷中。图1b示出一种导电膏透入裂缝或类似缺陷中的状态。标号105表示一种这样形成的短路。当形成上述短路105时，就把第一电极101电连接于第二电极103，从而光电转换层将完全起不到太阳能电池的作用。
如上所述，用印刷工艺制作电极可以完成制作步骤的简化。然而，印刷工艺损坏光电转换层，并且很可能在第一电极与第二电极之间形成短路。
发明内容
因此，本发明之目的在于提供一种既能以低成本制作又能有高可靠性的用于手表的太阳能电池，及其制作方法。
本发明之另一目的在于提供一种既能简化其制作步骤又能有高产率的太阳能电池。
本发明提供了一种太阳能电池，包括：一个第一电极层；一个淀积于所述第一电极层上的光电转换半导体层；一个部分地淀积于所述光电转换半导体层上的树脂层；一个淀积于所述光电转换半导体层和所述树脂层上的第二电极层；和一个淀积于一部分所述第二电极层上的第三电极层，其中，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层产生的电流从所述第二电极层的该区域流到所述第三电极层，所述第二电极层的所述区域通过所述第三电极层连接到一个外部引出电极，以提取所述电流。
根据本发明的这种结构，因为能够在光电转换器件的光辐照表面的相对侧面上提供用于提取输出的电极部分，故可简化输出的提取部分的结构。此外，能够使有助于光电转换的表面面积变成最大。结果，能够以低成本制作一种要装入手表中的太阳能电池，并且这样制作的太阳能电池能够具有高的可靠性。
所述光电转换半导体层最好由一种PIN型非单晶硅膜组成。
第二电极层最好由一个ITO膜组成。
第一电极层最好由一个铝膜组成。
第三电极层最好由导电膏膜组成，把金属颗粒弥散于粘合剂中即可形成该膜。
两个外部引出电极中的每一个都由导电膏膜组成，把金属颗粒弥散于粘合剂中即可形成该膜。
根据本发明，还提供了一种平面型太阳能电池阵列，包括：通过分隔该平面而形成的多个光电转换器件，各个光电转换器件包括基片、淀积于所述基片上的第一电极层、淀积于所述第一电极层上的光电转换半导体层、部分淀积在所述光电转换半导体层上的树脂层、淀积于所述光电转换半导体层和所述树脂层上的光传输第二电极层，和淀积在所述第二电极层的一部分上的第三电极层，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层产生的电流从所述第二电极层的该区域流到所述第三电极层；多个导电路径，用于把各个所述光电转换器件互相串联地连接在一起，在所述多个光电转换器件附近提供所述的导电路径；和在与光照射表面相对的表面上露出的两个外部引出电极，所述的电极连接在串联地连接的所述诸光电转换器件两端的两个光电转换器件上，所述两个外部引出电极之一经所述第三电极层与所述光电转换器件一端上的第二电极层的所述区域相接触，以提取所述电流。
这样，当用一种印刷工艺在光电转换器件的上部形成一个电极时，也有可能有效地防止损坏光电转换器件。此外，还有可能以高生产率生产太阳能电池。
两个外部引出电极中的另一个电极最好连接于光电转换器件的另一端上的第一电极层。
所述太阳能电池最好还包括一个第一通槽，它把第二电极层电连接于两个外部引出电极之一。
所述第一通槽形成在第一电极层和光电转换半导体层的一部分与其它部分绝缘的一个区域上。
太阳能电池最好还包括一个第二通槽，它把第一电极层连接于另一个外部引出电极。
最好在多个光电转换器件的外周边部分，提供多个导电通路和两个外部引出电极，太阳能电池是圆形的，并且多个光电转换器件是多个扇形光电转换器件，它们可按照半径方向分隔圆形平面。
太阳能电池还可以是多边形的，多个光电转换部件是多个三角形光电转换部件，它们可按照半径方向分隔多边形平面。
希望在多个光电转换器件之间提供多个导电通路，并在两端的光电转换器件的外侧上提供两个外部引出电极，太阳能电池是长方形的，多个光电转换器件是如此形成的多个长方形光电转换器件，以致于可按纵向分隔长方形平面。
所述光电转换半导体层最好由一个PIN型非单晶硅膜组成，且第二电极层最好由一个ITO膜组成。
第一电极层最好由铝膜组成，且第三电极层由一种导电膏膜组成，使金属颗粒弥散于粘合剂中即可形成该膜。
外部引出电极最好由导电膏膜组成，使金属颗粒弥散于粘合剂中即可形成该膜。
本发明还提供了一种用于制作太阳能电池的方法，包括下述步骤：在基片上淀积第一电极层；在所述第一电极层上淀积光电转换半导体层；在一部分所述光电转换半导体层上淀积树脂层；在所述光电转换半导体层和所述树脂层上淀积第二电极层；和在所述第二电极层上淀积第三电极层，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层连接到所述第一电极层和所述第二电极层，以及由所述光电转换半导体层所产生的电流从所述第二电极层的上述区域经过所述第三电极层被提取到一个外部引出电极。
所述光电转换半导体层的淀积步骤是一个淀积PIN型非单晶硅膜的步骤。
所述第二电极层的淀积步骤是一个淀积ITO膜的步骤，所述第一电极层的淀积步骤是一个淀积一个铝膜的步骤，和第三电极层的制作步骤是一个制成一导电膏膜的步骤，把金属颗粒弥散于粘合剂中即可制成该膜。
附图说明
图1a和1b是太阳能电池结构的一部分的截面图，用上述常规的印刷工艺制作电极。
图2是太阳能电池的平面图，电池装于手表盘面上，用作本发明一个实施例，太阳能电池是从上面来看的。
图3a和3h是沿图2的线III-III截取的截面图，说明本实施例的太阳能电池的制作步骤。
图4a至4g是沿图2的线IV-IV截取的截面图，说明本实施例的太阳能电池的制作步骤。
图5是沿图2的线V-V截取的截面图，说明本实施例的太阳能电池的结构。
图6是沿图2的线VI-VI截取的截面图，说明本实施例的太阳能电池的结构。
图7是用作本发明另一实施例的装于手表盘面上的太阳能电池的平面图，太阳能电池是从上面看的。
图8a至8h是沿图7的线III-III截取的截面图，说明其实施例的太阳能电池的制作步骤。
图9a至9g是沿图7的线IX-IX截取的截面图，说明其实施例的太阳能电池的制作步骤。
图10是沿图7的线X-X截取的截面图，说明其实施例的太阳能电池的结构。
图11是沿图7的线XI-XI截取的截面图，说明其实施例的太阳能电池的结构。
图12a和12b是用于说明激光划割轨迹的图。
图13是用作本发明又一实施例的装在手表盘面上的太阳能电池的平面图，太阳能电池是从上面看的。
图14是用作本发明再一实施例的装在手表盘面上的太阳能电池的平面图，太阳能电池是从上面看的。
图15是用作奉发明另一实施例的装在手表盘面上的太阳能电池的平面图，太阳能电池是从上面看的。
具体实施方式
图2是用作本发明一个实施例的装在手表盘面上的太阳能电池的平面图，太阳能电池是从上部看的。图2所示的太阳能电池使用一个70μm厚的柔软树脂膜作基片。
在图2中，4个区200、201、202和203中的每个区都是一个起光电转换器件作用的单元。每个光电转换器件皆包括一个第一电极，一个从基片侧开始按照N-I-P型次序淀积的光电转换层，和一个第二电极；它们是相继地淀积的。这4个光电转换器件200、201、202和203串联地连接，并从将在稍后描述的外部拉出电极312(图3h)和512(图5)引出其光电动势。
4个光电转换器件200、201、202和203是沿着十字形分隔线204和205分隔的。通过用激光束划割(叫作激光划割)，进行这种分隔。
在最后的步骤用激光束照射方法切割太阳能电池，或者用机械方法冲切它，以形成圆形的外周边206。
虚线207表示各个光电转换器件200、201、202和203的外周部分的位置。用激光划割法制成外周部分207。如同将在稍后描述的图3d和图4d所示。在外周部分207与太阳能电池的外周边206之间的环形区是一个不起太阳能电池作用的区。
虚线208表示一个在其中选择地划割各个光电转换器件的第二电极(在光入射侧上的透明电极)的位置。还用激光划割法制成这个划割部分，如稍后描述的图3c和4c所示。
这些划割部分(线)207和208形成一个环形闭合路径，它具有圆圈形，其中划割的起点连接于它的终点。
图3a至3h是沿图2的线III-III截取的截面图，说明其实施例的太阳能电池的制作步骤。即，图3a至3h说明引出电极(在正侧上的电极)的一部分的制作步骤。
图4a至4g是沿图2的线IV-IV截取的截面图，说明本实施例的太阳能电池的制作步骤。即，图4a至4g说明光电转换器件200和光电转换器件203的连接部分的制作步骤。
在这些图中，膜厚度与其它部分厚度的比例与它的实际相对比例无关。
在本实施例中，用一种PEN(polyethylenenaphthalate)膜作基片300的材料。任何用作工业塑料材料的众所周知的材料，例如PET(polyetheylene terephthalate)等，以及上述的PEN，皆可用作它的材料。此外，还能用玻璃基片或金属基片作基片300。
对一个从几十米到几百米长的基片相继地进行下述的各种步骤，直至在最终步骤以后得到图2平面中所示的外表状态为止。在最后步骤中，形成有图2所示外表状态的太阳能电池。在相继的步骤中，在缠绕一个绕在一个滚筒上的长基片期间，在另一个滚筒上进行各种步骤，例如膜淀积，印制，各种烘烤，激光划割等。
首先，如图3a和4a所示，在基片300上淀积一个铝电极301。在铝电极301上形成一个半导体的光电转换层302，它是从基片300侧开始按照N-I-P型次序淀积的。用溅射法形成铝电极301的膜。此外，通过用一种等离子体CVD方法淀积一些层，进行光电转换层302的形成。
其次，用印制方法形成第一树脂层303和304(403和404)。对一个长膜基片连续地进行树脂层的形成。在一个相当于外周边207的环形区(以后在此形成一个划割槽307(407))上提供树脂层303(404)。此外，在一个相当于用图2中划割段208示出的圆环的环形区(以后在此形成一个划割槽306(406))上提供树脂层304(404)。这样得出图3a和4a所示的太阳能电池结构。
再次，在整个露出的表面上淀积一个ITO电极305，这是一个透明的电极。对绕在滚筒上的长膜连续地进行该ITO膜的形成。这样得出图3b和4b所示太阳能电池的结构。
然后用激光照射法进行划割。这个步骤被看成是一个激光划割步骤。在这个激光划割步骤中，在扫描一个有80μm光点直径的YAG激光器时，通过激光束的照射进行所需层中的划割。
在这种情况下，用激光划割法选择地进行ITO膜305的划割。在这个步骤中，ITO 305膜被划割而形成一个槽306(406)(见图3c和4c)。这个槽306(406)是环形地形成的，用作图2中的划割部分208。
当激光束照射以形成槽306(406)时，有树脂层304(404)作基层是重要的。如果没有树脂层304(404)，则激光束由于激光束输出的散射而到达光电转换层302。在进一步的极端情况下，激光束甚至可以铝电极301中形成一个槽。
在划割部分208的下部划割光电转换层302是不成为问题的。这是因为光电转换层并不影响所需要的光电变换。然而，当激光束到达铝电极301时，就有在透明电极305与铝电极301之间形成短路的危险。即，由激光束的能量熔化铝电极301的材料，并且熔化的材料到达透明电极305，从而有可能在两电极之间形成短路。因为透明电极305与铝电极301之间的距离只有约1μm，故在两电极之间形成短路的可能性显然是高的。
此外，当铝电极301由于激光束照射能量太强而被完全切掉时，就有可能以后使光电转换器件不能被互相连接。即，当在ITO电极305的划割部分208的下部完全切掉铝电极301时，则在图2的线IV-IV所示的截面部分(图4c和4g示出)，使光电转换器件200与光电转换器件203之间的电连接变成不可能。即使在ITO电极305的划割部分208的下部完全切掉铝电极301，也在该部分由于激光束照射而损坏时，会引起诸光电转换器件之间的接触缺陷，并且增加接触电阻。
根据本发明所示的构造，激光束由于存在树脂层404而不到达铝电极301。这样，能够避免把透明电极305电连接于铝电极301。此外，还能防止切割和损坏铝电极301。结果，能够急剧提高产率。这样，得到图3c和4c所示的结构。
然后，用比在为形成上述槽306(406)而进行激光划割时高的激光束输出，进行激光划割。在这一步骤，形成一个槽307(407)和一个槽308(见图3d和4d)。
如从这些图看出的那样，在这个步骤中，设置激光束的照射条件，使槽307(407)和308的底段能够伸入基片300。用于形成槽307(407)和308的激光束照射条件可以是相同的。
环形地制成槽307(407)，如图2中划割部分207所示。
制成槽308，以便在一个用于检验一个外部引出电极的区域的周边周围，切割铝电极301。这个槽308是与槽307连通的。形成槽307和308以便从该周边把由这些槽307和308围绕的铝电极301的一部分(一个在其中形成将在稍后描述的通槽309的闭合区域)完全电绝缘。
由于在形成槽307(407)和308期间存在第一树脂层303(403)和304，就能防止铝电极301与ITO电极305之间的短路。即，当不存在这些树脂层303(403)和304时，就在铝电极301与靠近铝电极301的ITO电极之间常由一部分熔化的铝电极形成短路。
这样，得到图3d和4d所示的结构。
然后，用激光束照射法形成一个图3e所示的通槽309。这槽309贯穿到基片300的背面，该背面处于一个用图2中标号211表示的位置。这槽309在形成一个最终连接于基片300背面的引出电极时，用作一个导电路径或通道313。槽309的位置是一个外部引出电极的位置。
在此以后，如图3f和3e所示，制成一种第二树脂层310(410)和311(411)。这些树脂层310(410)和311(411)所起的作用是用一种树脂材料充填槽306(406)，307(407)和308。此外，这些树脂层还充当绝缘膜，用作接触电极的下层。
用印刷法制成这些第二树脂层310(410)和311(411)。
如图3g和4f以及稍后描述的图5和6所示，其后还用一种银膏制成接触电极209、210、211、212和213。也用印制法制成这些接触电极。各个接触电极209、210、211、212和213的位置示于图2中。
此后，如图4g所示，在图4f中的箭头412所描的部位进行激光束照射，以形成一个用于把铝电极301电连接于接触电极209的导电路径413。在这个步骤中，形成导电路径413的方法是：形成一个接触槽，同时熔化接触电极209的银膏和铝电极301。通常把这个步骤叫作激光接合。
这样，就获得了沿图2的线IV-IV截取在图4g中示出的一种带有剖面的结构。如图4g所示，在连接于光电转换器件200的ITO电极的银膏图案(接触电极)上，用激光接合法来电连接光电转换器件203的铝电极301。
因此，得到一种光电转换器件203被串联地连接于光电转换器件200的状态。除了上述连接部分之外，还按照这种结构制成三个连接部分。按照这样连接的结构，把各个光电转换器件203、200、201和202互相串联地连接。
另一方面，如同在是沿图2的线III-III截取的截面图的图3g和3h中所示，在形成一个银膏的接触电极211以后，在基片300的背面用银膏形成一个接触电极312。也用印制法形成这种接触电极312。这个接触电极312，通过在通槽309中形成的银膏导电路径313，被电连接于接触电极211，从而电连接于光电转换器件202的ITO电极305。
这样，在相对于图2所示表面侧的侧面上形成的接触电极312，就充当一个与光电转换器件202(见图2)的ITO电极305(见图3h)连接的引出电极。
ITO电极305接触一个用于光电转换器件202的光入射侧面上的P型半导体层。因此，接触电极312是一个在其中输出正电压的引出电极。
图5是一个沿图2的线V-V截取的截面图，说明本实施例的太阳能电池的结构；图6是沿图2的线VI-VI截取的截面图，说明本实施太阳能电池的结构。在这个结构部分，形成一个从光电转换器件201的N型半导体层引出的引出电极(负电压侧)。
如图5所示，在基片300的背面，形成一个通过导电路径513而电连接于铝电极301(光电转换器件201的铝电极)的银膏接触电极(引出电极)512。
在沿图2的线VI-VI截取的截面具有如图6中所示的结构，用于保证铝电极301与输出电极512之间的电连接。即，在一个以615表示的位置用激光接合法形成这种连接。特别是，通过导电路径把铝电极301电连接于银膏接触电极213。
最后，通过对一些在用作基片的长膜上形成的太阳能电池进行冲切，完成一个单独的太阳能电池。这样，得到一些其外表状态如图2所示的太阳能电池。
这样，制成在图2中从上面看的显示外表状态的太阳能电池，使它可从一个由光电转换器件202的P型半导体层引出的引出电极312(它位于电极211的背面(图3h))，和从一个由光电转换器件201的N型半导体层引出的引出电极512(它位于电极213的背面(图5))，提取光电动势。
图7是一个用作本发明另一实施例的装在手表盘面上的太阳能电池的平面图。太阳能电池是从上面看的图7所示的太阳能电池用70μm厚的柔软树脂膜作基片。
在图7中，4个区700、701、702和703中的每个区皆是一个起光电转换器件作用的单元。每个光电转换器件皆包括一个第一电极，一个从基片侧开始按照N-I-P型次序淀积的光电转换层，和一个第二电极；它们是相继地淀积的。这4个光电转换器件700、701、702和703是串联的连接的，从会在稍后描述的外部引出电极812(图8h)和1012(图10)提取其光电动势。
4个光电转换器件700、701、702和703沿着十字形分隔线704和705被分隔。用激光束划割法(叫作激光划割法)进行这种分隔。
在形成外面周边706的最后步骤中，用激光束照射法或机械冲切法切割太阳能电池。
虚线707示出各个光电转换器件700、701、702和703的外周边部分的位置。用激光划割法形成外周边部分707，如图8d和9d所示。在外周边部分707与太阳能电池外面周边706之间的环形区域是一个不起太阳能电池作用的区域。
虚线708示出一个在其中选择地划割各个光电转换器件的第二电极(在光入射侧的透明电极)的位置。也用激光划割法形成这个划割部分，如稍后描述的图8c和9c所示。
这些划割部分(线)707和708形成一个环形闭合路径，它具有一种其划割起点连接于其划割终点的圆圈形状。
图8a至8h是沿图7的线VIII-VIII截取的截面图，说明其实施例的太阳能电池的制作步骤。即，图8a至8h示出引出电极(在正侧的一个电极)的一部分的制作步骤。
图9a至9g是沿图7的线IX-IX截取的截面图，说明本实施例的太阳能电池的制作步骤。即，图9a至9g示出光电转换器件700和光电转换器件703的连接部分的制作步骤。
在这些图中，膜厚度与其它部分厚度的比例与其实际相对比例无关。
在本实施例中，用一种PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)膜作基片800的材料。通常叫作工业塑料材料的任何材料，例如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等，皆可用作它的材料，也能使用上述的PEN。此外，还能用玻璃基片或金属基片作基片800。
对一个几十米至几百米长的基片相继地进行下述的步骤，直至在最终步骤以后得到图7平面图中示出的外表状态为止。在最终步骤中，形成具有图7所示外表状态的太阳能电池。在相继的步骤中，在缠绕一个绕在一个滚筒上的长基片期间，在另一个滚筒上进行各个步骤，例如膜淀积，印制，各种烘烤，激光划割等。
首先，如图8a和9a所示，在基片800上淀积一个铝电极801。在铝电极801上，形成一个从基片800侧开始按照N-I-P型次序淀积的半导体的光电转换层802。用溅射法进行铝电极801膜的形成。此外，通过用等离子体CVD法淀积一些层，进行光电转换层802的形成。
然后，用印制法形成第一树脂层803和804(903和904)。对一个长膜基片连续地进行树脂层的形成。在相当于图7中外周边段的一个环形区(以后有此形成一个划割槽807(907))上，提供一个树脂层803(903)。此外，在一个相当于图7中用一个划割段708示出的圆的环形区(以后在此形成一个划割槽806(906))上，提供一个树脂层804(904)。
保护层804成为一个用于环形形成槽806的基层。此外，树脂层804，在以后由印制法形成的接触电极下面，具有防止发生损坏光电转换层802的作用。
这样，得到图8a和9a所示的太阳能电池结构。
然后，在整个露出表面上，淀积一个是透明电极的ITO电极805。对绕在滚筒上的长膜，连续地进行这ITO膜的形成。这样，得到图8a和9a所示的太阳能电池的结构。
其后，用激光束照射法进行划割。这一步骤叫作激光划割步骤。在这个激光划割步骤中，在扫描一个有80μm光点直径的YAG激光器时，用激光束照射法进行所需层中的划割。在这种情况下，用激光划割法选择地进行ITO膜805的划割。
在这个步骤中，划割ITO 805膜，以形成一个槽806(906)(见图8c和9c)。按照图7中一个划割段708环形地形成槽806(906)。
当照射一个激光束以形成槽806(906)时，存在作为基层的树脂层804(904)是重要的。如果不存在树脂层804(904)，则由于激光束输出的散射而可使激光束到达光电转换层802。在一种更为极端的情况下，甚至在铝电极801中，也能由激光束形成一个槽。
在划割段708的下段中划割光电转换层802是不成问题的。这是因为该光电转换层对所需要的光电变换没有影响。然而，当激光束到达铝电极801时，在透明电极805与铝电极801之间有形成短路的危险。即，激光束的能量熔化铝电极801材料，且熔体到达透明电极805，从而可能在两个电极之间形成短路。因为在透明电极805与铝电极801之间的距离只有约1μm，故在两个电极之间形成短路的可能性是很大的。
此外，当由于激光束辐照能量太强而完全切掉铝电极801时，就出现一种以后不能把诸光电转换器件互相连接的可能性。
即，当在ITO电极805的划割段708的下段中完全切掉铝电极801时，就在由图7的线IX-IX示出的截面段(在图9a到9g中示出)中，使光电转换器件700与光电转换器件703之间的电连接成为不可能。即使在ITO电极805的划割部分708的下部中不完全切掉铝电极801，也在该部分被激光束照射损坏时，会在诸光电转换器件之间出现接触缺陷，并增加接触电阻。
根据本实施例示出的构造，激光束由于存在树脂层904而不到达铝电极801。这样，可避免透明电极805电连接于铝电极801。此外，还可避免铝电极801的切割和损坏。结果，能够急剧提高产率。这样，得到图8c和9c中示出的结构。
然后，以一种比用于形成上述槽806(906)的激光划割中所用激光束输出要高的激光束输出，重新进行激光划割。在这个步骤中，得到一个槽807(907)和一个槽808(见图8d和9d)。
从这些图可知，在这个步骤中，设置激光束的辐照条件，使槽807(907)和808的底部能够伸入基片800中。用于形成槽807(907)和808的激光束辐照条件可以是相同的。
槽807(907)是环形地形成的，如图7中划割部分707所示。
形成槽808，以便在一个用于检验一个外部引出电极的区域的周边附近，切割铝电极801。槽808与槽807连通。形成槽807和808，使槽807和808所围绕的铝电极801的一部分(一个闭合区，在其中形成稍后描述的一个通槽809)与其周边完全电绝缘。
在形成槽807(907)和808期间，由于存在第一树脂层803(903)和804，就能够防止在铝电极801与ITO电极805之间短路。即，当这些树脂层803(903)和804不存在时，就在铝电极801与靠近铝电极801的ITO电极之间，常常由于一部分铝电极熔化而形成短路。
这样，得到图8d和9d所示的结构。
然后，用激光束照射法形成图8e所示的一个通槽809。槽809贯穿到基片800的背面，该背面是一个在图7中用标号711表示的位置。在形成一个最终连接于基片800的背面的引出电极时，用槽809作导电路径或通道813。槽809的位置成为一个外部引出电极的位置。
此后，如图8f和9e所示，形成第二树脂层810(910)和811(911)。这些树脂层起一种用树脂材料填满槽806(906)、807(907)和808的作用。此外，这些树脂层还起一种绝缘膜的作用，用作接触电极的下层。
用印制法形成这些第二树脂层810(910)和811(911)。
如图8g和9f和稍后要描述的图10和11所示，其后用银膏法形成接触电极709、710、711、712和713。也用印制法形成这些接触电极。在图7中示出各个接触电极709、710、711、712和713的位置。
此后，如图9f所示，在一个箭头912所指的部分进行激光束照射，以形成一个用于把铝电极801电连接于接触电极709的导电路径913。在这个步骤中，通过形成一个用于接触的槽，和同时通过熔化接触电极709的银膏和铝电极801，制成导电路径913。这一步骤通常叫作激光接合。
这样，完成一种结构，它具有沿图7的线IX-IX截取的图9g示出的截面。如图9g所示，在连接于光电转换器件700的ITO电极的银膏图案(接触电极)上，用激光接合法电连接光电转换器件703的铝电极801。
因此，得到一种把光电转换器件703串联地连接于光电转换器件703的状态。除了上述连接部分之外，还用这种结构形成三个连接部分。根据这样形成的结构，把每个光电转换器件703、700、701和702互相串联地连接。
另一方面，如同作为沿图7线VIII-VIII截取的截面图的图8g和8h所示，在形成一个银膏的接触电极711以后，用银膏在基片800的背面上形成一个接触电极。也用印制法进行这种接触电极812的形成。
在用于形成银膏的接触电极711的步骤中，在接触电极711下面存在一个树脂层804也是很重要的，在图8g中用标号815表示相应的部分。很重要是因为在印制期间，含于银膏中的银颗粒会损坏光电转换层802，造成铝电极801与ITO电极805之间的电连接。
这个接触电极812，通过在通槽中形成的银膏导电路径813，电连接于接触电极711，从而电连接于光电转换器件702的ITO电极805。
这样，在相对于图7所示表面侧的侧面上形成的接触电极812，充当一个从光电转换器件702(见图7)的ITO电极805(见图8h)引出的引出电极。
ITO电极805接触一个用于光电转换器件702的在光入射侧的P型半导体层。因此，接触电极812是一个在其中输出正电压的引出电极。
图10是一个沿图7的线X-X截取的截面图，说明本实施例的太阳能电池的结构；图11是一个沿图7的线XI-XI截取的截面图，说明本实施例的太阳能电池的结构。在这个部分的结构中，形成一个从光电转换器件701的N型半导体层中引出的引出电极(负电压侧)。
如图10所示，在基片800的背面上形成一个银膏的接触电极(引出电极)1012，它通过一个导电路径1013而电连接于铝电极801(光电转换器件701的铝电极)。
一种用于保证铝电极801与引出电极1012之间电连接的结构，具有沿图7的线XI-XI截取的图11所示的截面。即，在一个以1115表示的部位用激光接合法形成该连接。特别是，通过一个导电路径把铝电极801而电连接于银膏的接触电极713。
最后，通过对一些按照基片的长膜形成的太阳能电池进行冲切，完成一个单独的太阳能电池。这样，得到一些其外表状态如图7所示的太阳能电池。
这样，显示图7中上视外表状态的太阳能电池被如此构成，以致于它可从下述的引出电极提取光电动势：引自光电转换器件702的一个P型半导体层的引出电极812(位于电极711的背面(图8h))，和引自光电转换器件701的一个N型半导体层的引出电极1012(位于电极713的背面(图10))。
现在描述上述实施例使用的激光划割方法。在扫描时辐射一个点状激光束以形成一个具有所需图案的槽，通常用这种方法作激光划割方法。
当在图2和图7所示的207和707位置或208或708位置分别提供一个环形槽时，可能发生一个问题：激光划割的起点没有会合其终点。
图12a示出一个由激光划割形成的轨迹，其中激光束的照射从一个起点1200开始，循环和回到起点1200。
一般说来，用于激光划割的激光束光点直径的范围是从几十微米到几百微米。在象上述实施例一样的使用长膜的相继步骤中，很难防止上述光点直径失调。这样，当连续地进行一些步骤时，激光划割的起点有时不会合其终点。此外，在首先照射激光束的点(激光划割的起点)和在最后照射激光束的点(激光划割的终点)，很可能在上光电转换层和下光电转换层之间形成短路。
通过形成象图12b中所示的轨迹的激光划割，可解决上述的问题。因此，如此进行一种激光划割，以致于在形成光电转换器件的区域1202之内(划割轨迹之内)，不存在激光划割的起点(开始位置)1203及其终点(结束位置)1204。这样，在形成光电转换器件的圆周之外，存在激光划割的起点(开始位置)1203及其终点(结束位置)1204。
因此，能够可靠地形成激光划割的成圈的轨迹。此外，还能够避免由于存在激光划割的起点和终点所致的各种影响。即，即使在这些点形成短路，也因为在器件形成区域1202不存在激光划割的起点1203和终点1204，而不发生问题。
在上述诸实施例中，已描述和说明各种具有一个完整外表状态和一些扇形光电转换器件的太阳能电池。然而，很明显，各种太阳能电池的完整外表状态可以是一个多边形，例如正方形、六边形或八边形。
图13是一个用作本发明另一实施例的装在手表盘面上的太阳能电池的平面图，太阳能电池是从上面看的。在这个实施例中，太阳能电池的外表状态是一个正方形。各个光电转换器件皆是长方形。光电转换器件都是在垂直方向以8层相继地安排的。这8层光电转换器件是串联地互相连接的。本实施例的其他结构、操作和效果几乎相同于上述的实施例。
图14是一个用作本发明又一个实施例的装在手表盘面上的太阳能电池的平面图，太阳能电池是从上面看的。在这个实施例中，太阳能电池的外表状态是一个六边形。各个光电转换器件皆是三角形。这六个光电转换器件是串联地互相连接的。本实施例的其他结构、操作和效果几乎相同于上述的诸实施例。
图15是一个用作本发明再一个实施例的装在手表盘面上的太阳能电池的平面图，太阳能电池是从上面看的。在这个实施例中，太阳能电池的外表状态是一个八边形。各个光电转换器件皆是三角形。这八个光电转换器件是串联地互相连接的。本实施例的其它结构、操作和效果几乎相同于上述诸实施例。
根据上述诸实施例，能够用低成本制作一种装在手表上的太阳能电池。还能够得到太阳能电池的高可靠性。此外，因为能够在一个与太阳能电池的光照射(或光入射)表面相对的侧面上，提供一个从其中提取太阳能电池输出的引出电极，故可简化用于提取该输出的结构。此外，还能够尽可能大地增加有助于光电变换的表面积。
此外，甚至用印制法在光电转换器件顶上制成一个电极时，也能有效地防止损坏光电转换器件。此外，能以高产率制作太阳能电池。
Claims (26)
1.一种太阳能电池，包括：
一个第一电极层；
一个淀积于所述第一电极层上的光电转换半导体层；
一个部分地淀积于所述光电转换半导体层上的树脂层；
一个淀积于所述光电转换半导体层和所述树脂层上的第二电极层；和
一个淀积于一部分所述第二电极层上的第三电极层，其中，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层产生的电流从所述第二电极层的该区域流到所述第三电极层，所述第二电极层的所述区域通过所述第三电极层连接到一个外部引出电极，以提取所述电流。
2.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述的光电转换半导体层是由一个PIN型非单晶硅膜组成的。
3.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述的第二电极层是由一个氧化铟锡膜组成的。
4.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述的第一电极层是由一个铝膜组成的。
5.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述的第三电极层是由一个导电膏膜组成的，该膜含有弥散于粘合剂中的金属颗粒。
6.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述两个外部引出电极中的每一个都是由导电膏膜组成的，该膜含有弥散于粘合剂中的金属颗粒。
7.一种平面型太阳能电池阵列，包括：
通过分隔该平面而形成的多个光电转换器件，各个所述光电转换器件包括基片、淀积于所述基片上的第一电极层、淀积于所述第一电极层上的光电转换半导体层、部分淀积在所述光电转换半导体层上的树脂层、淀积于所述光电转换半导体层和所述树脂层上的光传输第二电极层，和淀积在所述第二电极层的一部分上的第三电极层，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层产生的电流从所述第二电极层的该区域流到所述第三电极层；
多个导电路径，用于把各个所述光电转换器件互相串联地连接在一起，在所述多个光电转换器件附近提供所述的导电路径；和
在与光照射表面相对的表面上露出的两个外部引出电极，所述的电极连接在串联地连接的所述诸光电转换器件两端的两个光电转换器件上，所述两个外部引出电极之一经所述第三电极层与所述光电转换器件一端上的第二电极层的所述区域相接触，以提取所述电流。
8.根据权利要求7的平面型太阳能电池阵列，其中，所述两个外部引出电极的另一电极连接于所述光电转换器件的另一端上的第一电极层。
9.根据权利要求8的平面型太阳能电池阵列，其中，所述的电池还包括一个第一通槽，它把所述的第二电极层与所述两个外部引出电极之一电连接。
10.根据权利要求9的平面型太阳能电池阵列，其中，在所述第一电极层和所述光电转换半导体层的一部分与其它部分绝缘的一个区域上，形成所述的第一通槽。
11.根据权利要求8的平面型太阳能电池阵列，其中，所述的电池还包括一个第二通槽，它把所述的第一电极层与所述的两个外部引出电极中的另一个电连接。
12.根据权利要求7的平面型太阳能电池阵列，其中，在所述多个光电转换器件的外周边部分上，提供所述的多个导电路径和所述的两个外部引出电极；所述的太阳能电池是圆形的；所述的多个光电转换器件是多个扇形的光电转换器件，它们被形成得可把该圆形平面按径向分隔。
13.根据权利要求7的平面型太阳能电池阵列，其中，在所述多个光电转换器件的外周边部分上，提供所述的多个导电路径和所述的两个外部引出电极；所述的太阳能电池是多边形的；所述的多个光电转换器件是多个三角形的光电转换器件，它们被形成得可把该多边形平面按径向分隔。
14.根据权利要求7的平面型太阳能电池阵列，其中，在所述的多个光电转换器件之间提供所述的多个导电路径，并且在两端的所述光电转换器件的外侧面上提供所述的两个外部引出电极；所述的太阳能电池是长方形的；所述的多个光电转换器件是多个长方形的光电转换器件，它们被形成得可把长方形平面按纵向分隔。
15.根据权利要求7的平面型太阳能电池阵列，其中，所述的光电转换半导体层是由一个PIN型非晶硅膜组成的。
16.根据权利要求7的平面型太阳能电池阵列，其中，所述的第二电极层是由一个氧化铟锡膜组成的。
17.根据权利要求7的平面型太阳能电池阵列，其中，所述的第一电极层是由一个铝膜组成的。
18.根据权利要求7的平面型太阳能电池阵列，其中，所述的第三电极层是由导电膏膜组成的，该膜含有弥散于粘合剂中的金属颗粒。
19.根据权利要求7的平面型太阳能电池阵列，其中，所述的两个外部引出电极中各个都是由导电膏膜组成的，该膜含有弥散于粘合剂中的金属颗粒。
20.一种用于制作太阳能电池的方法，包括下述步骤：
在基片上淀积第一电极层；
在所述第一电极层上淀积光电转换半导体层；
在一部分所述光电转换半导体层上淀积树脂层；
在所述光电转换半导体层和所述树脂层上淀积第二电极层；和
在所述第二电极层上淀积第三电极层，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层连接到所述第一电极层和所述第二电极层，以及由所述光电转换半导体层所产生的电流从所述第二电极层的上述区域经过所述第三电极层被提取到一个外部引出电极。
21.根据权利要求20的制作方法，其中，所述光电转换半导体层的淀积步骤是一个淀积PIN型非单晶硅膜的步骤。
22.根据权利要求20的制作方法，其中，所述第二电极层的淀积步骤是一个淀积氧化铟锡膜的步骤。
23.根据权利要求20的制作方法，其中，所述第一电极层的淀积步骤是一个淀积铝膜的步骤。
24.根据权利要求20的制作方法，其中，所述第三电极层的制作步骤是一个形成导电膏膜的步骤，该膜含有弥散于粘合剂中的金属颗粒。
25.一种太阳能电池，包括：
一个第一电极层；
一个淀积于所述第一电极层上的光电转换半导体层；
一个部分地淀积于所述光电转换半导体层上的树脂层；
一个淀积于所述光电转换半导体层和所述树脂层上的第二电极层；和
一个淀积于一部分所述第二电极层上的第三电极层，其中，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层产生的电流从所述第二电极层的该区域流到所述第三电极层，所述第二电极层的所述区域通过所述第三电极层连接到一个暴露在一个与光照射表面相对的表面上的外部引出电极，以提取所述电流。
26.一种用于制作太阳能电池的方法，包括下述步骤：
在基片上淀积第一电极层；
在所述第一电极层上淀积光电转换半导体层；
在一部分所述光电转换半导体层上淀积树脂层；
在所述光电转换半导体层和所述树脂层上淀积第二电极层；和
在所述第二电极层上淀积第三电极层，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层连接到所述第一电极层和所述第二电极层，以及由所述光电转换半导体层所产生的电流从所述第二电极层的上述区域经过所述第三电极层被提取到一个暴露在一个与光照射表面相对的表面上的外部引出电极。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP214377/96 | 1996-07-24 | ||
| JP214377/1996 | 1996-07-24 | ||
| JP214376/1996 | 1996-07-24 | ||
| JP214376/96 | 1996-07-24 | ||
| JP21437696A JP3970358B2 (ja) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | 太陽電池及び時計 |
| JP21437796A JP4001651B2 (ja) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | 太陽電池の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1198253A CN1198253A (zh) | 1998-11-04 |
| CN1162918C true CN1162918C (zh) | 2004-08-18 |
Family
ID=26520288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB971909571A Expired - Lifetime CN1162918C (zh) | 1996-07-24 | 1997-07-23 | 太阳能电池及其制作方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6225552B1 (zh) |
| CN (1) | CN1162918C (zh) |
| DE (1) | DE19780768T1 (zh) |
| TW (1) | TW387152B (zh) |
| WO (1) | WO1998004005A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104716212A (zh) * | 2013-12-16 | 2015-06-17 | 精工爱普生株式会社 | 太阳能表 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1181409C (zh) * | 1997-05-22 | 2004-12-22 | 西铁城钟表股份有限公司 | 钟表指示盘及其制造方法 |
| JP4302335B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2009-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 太陽電池の作製方法 |
| US8455753B2 (en) * | 2005-01-14 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell and semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| EP1870942B1 (en) * | 2005-11-28 | 2016-08-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Solar cell |
| US20100189926A1 (en) * | 2006-04-14 | 2010-07-29 | Deluca Charles | Plasma deposition apparatus and method for making high purity silicon |
| US20080210290A1 (en) * | 2006-04-14 | 2008-09-04 | Dau Wu | Plasma inside vapor deposition apparatus and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels |
| US20070277874A1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | David Francis Dawson-Elli | Thin film photovoltaic structure |
| US20070277875A1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Kishor Purushottam Gadkaree | Thin film photovoltaic structure |
| US8253011B2 (en) * | 2006-08-31 | 2012-08-28 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor substrate, electrode forming method, and solar cell fabricating method |
| CN102356697B (zh) | 2009-03-18 | 2014-05-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 照明装置 |
| US8405116B2 (en) | 2009-03-18 | 2013-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device |
| US8847480B2 (en) | 2009-03-18 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device |
| US20100247747A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film Deposition Apparatus, Method for Depositing Film, and Method for Manufacturing Lighting Device |
| DE102009044142A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg | Dünnschicht-Bauelement auf Glas, ein Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
| KR101072106B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| TWI415275B (zh) * | 2009-10-09 | 2013-11-11 | Iner Aec Executive Yuan | 一種薄膜光伏裝置及其製造方法 |
| US20110303272A1 (en) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric Conversion Device and Manufacturing Method Thereof |
| KR20110137671A (ko) * | 2010-06-17 | 2011-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 태양전지의 제조방법 |
| JP6008181B2 (ja) * | 2012-09-04 | 2016-10-19 | カシオ計算機株式会社 | ソーラーパネルおよび時計 |
| JP6048222B2 (ja) | 2013-03-04 | 2016-12-21 | カシオ計算機株式会社 | ソーラーパネルおよび時計 |
| JP6269945B2 (ja) * | 2013-09-04 | 2018-01-31 | カシオ計算機株式会社 | ソーラーパネルおよび時計 |
| JP6488590B2 (ja) * | 2013-11-19 | 2019-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 導通部材、ソーラーウォッチ、太陽電池モジュール、電子機器 |
| CN111952411A (zh) * | 2020-07-07 | 2020-11-17 | 南通苏民新能源科技有限公司 | 一种基于八边形硅片所制作太能电池片及其制作方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4724011A (en) * | 1983-05-16 | 1988-02-09 | Atlantic Richfield Company | Solar cell interconnection by discrete conductive regions |
| JP2532358B2 (ja) | 1983-06-24 | 1996-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 管状発熱体 |
| JPS609237A (ja) | 1983-06-27 | 1985-01-18 | Omron Tateisi Electronics Co | スペクトラム拡散信号受信機 |
| JPS607094U (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-18 | 鐘淵化学工業株式会社 | 太陽電池付時計 |
| JPS609237U (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-22 | 鐘淵化学工業株式会社 | 集積型太陽電池 |
| US4726849A (en) * | 1985-08-07 | 1988-02-23 | Sanyo Electric Co., Ltd | Photovoltaic device and a method of manufacturing thereof |
| JPS6286876A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Fuji Electric Co Ltd | 時計用太陽電池 |
| JPH0680836B2 (ja) | 1986-07-08 | 1994-10-12 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS6373953A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-04 | 住友電気工業株式会社 | 人工臓器用動力伝達装置 |
| US4740968A (en) | 1986-10-27 | 1988-04-26 | International Business Machines Corporation | ECC circuit failure detector/quick word verifier |
| JPS63146796A (ja) | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Kyowa Hakko Kogyo Co Ltd | Ｌ−ヒスチジンの製造法 |
| JPS63115239U (zh) * | 1987-01-20 | 1988-07-25 | ||
| JPH0537481Y2 (zh) * | 1987-03-17 | 1993-09-22 | ||
| US5296043A (en) * | 1990-02-16 | 1994-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-cells integrated solar cell module and process for producing the same |
| JPH03239377A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Canon Inc | 太陽電池モジュール |
| JPH0536282A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Seiko Epson Corp | 半導体集積装置 |
| US5821597A (en) | 1992-09-11 | 1998-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| JPH0697474A (ja) | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JP3774483B2 (ja) | 1994-05-23 | 2006-05-17 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子及びその製造方法 |
| JP3618802B2 (ja) | 1994-11-04 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
-
1997
- 1997-07-19 TW TW086110363A patent/TW387152B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-07-23 US US09/029,611 patent/US6225552B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-23 CN CNB971909571A patent/CN1162918C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-23 WO PCT/JP1997/002536 patent/WO1998004005A1/ja active Application Filing
- 1997-07-23 DE DE19780768T patent/DE19780768T1/de not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104716212A (zh) * | 2013-12-16 | 2015-06-17 | 精工爱普生株式会社 | 太阳能表 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1198253A (zh) | 1998-11-04 |
| DE19780768T1 (de) | 1998-10-01 |
| TW387152B (en) | 2000-04-11 |
| WO1998004005A1 (en) | 1998-01-29 |
| US6225552B1 (en) | 2001-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1162918C (zh) | 太阳能电池及其制作方法 | |
| CN1182589C (zh) | 发光或者受光用半导体组件及其制造方法 | |
| CN1941428A (zh) | 太阳能电池单元及太阳能电池模块以及制造方法 | |
| CN1220277C (zh) | 发光或感光半导体组件及其制造方法 | |
| CN1242490C (zh) | 用于太阳能电池模块的终端盒装置 | |
| CN1114946C (zh) | 半导体装置及其制造方法和其测试方法 | |
| US20090293934A1 (en) | Photoelectric Conversion Device | |
| CN1202741A (zh) | 太阳电池组件及其制造方法和太阳电池组件的安装方法 | |
| CN1728396A (zh) | 图像捕捉设备 | |
| JP2010225801A (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
| KR20100106606A (ko) | 태양 전지 모듈의 제조 방법 | |
| CN1779993A (zh) | 太阳能电池组件 | |
| CN1743881A (zh) | 光波导装置 | |
| CN1417596A (zh) | 树脂正象透镜列及其制造方法 | |
| JP5540736B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
| CN1178093C (zh) | 用于驱动液晶的集成电路 | |
| JP6742000B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| WO2012073935A1 (ja) | 裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュール、太陽電池ウェハおよび太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JPWO2011001962A1 (ja) | 光電変換素子の製造方法、光電変換素子の製造装置および光電変換素子 | |
| CN1748300A (zh) | 半导体装置及使用此半导体装置的放射线检测器 | |
| DE112012002179T5 (de) | Konzentrierte Solarzelle und Herstellungsverfahren dafür | |
| JP2008159959A (ja) | 半導体基板の割断方法及び割断装置並びに太陽電池の割断方法及び太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JP2011243970A (ja) | 光電変換装置及びその作製方法 | |
| JP2011216757A (ja) | 配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、太陽電池セルの交換方法 | |
| JP2009094501A (ja) | 光電変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20040818 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |