KR101168811B1 - 박막 태양전지 모듈의 제조 방법 및 박막 태양전지 모듈 - Google Patents

박막 태양전지 모듈의 제조 방법 및 박막 태양전지 모듈 Download PDF

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Abstract

신뢰성이 높은 절연 내압 특성을 확보할 수 있는 박막 태양전지 모듈의 제조 방법 및 박막 태양전지 모듈을 제공한다.
본 발명과 관련되는 박막 태양전지 모듈의 제조 방법은, 절연성의 투명 기판 10상에 제1 전극층 11을 형성하고, 투명 기판 10의 주변 영역 30X, 30Y와 그 안쪽의 발전 영역 50을 분리하는 제1 분리홈 21X, 21Y를 투명 기판 10의 표면에 이르는 깊이로 형성하고, 투명 기판 10상에 반도체층 13을 형성하고, 투명 기판 10상에 제2 전극층 12를 형성하고, 제1 분리홈 21X, 21Y보다 주변 영역 30X, 30Y측에 위치하는 제2 분리홈 22a, 22X, 22Y를 투명 기판 10의 표면에 이르는 깊이로 형성하고, 주변 영역 30X, 30Y를 블라스트(blast) 처리해 주변 영역 30X, 30Y상의 제1 전극층 11, 반도체층 13및 제2 전극층 12를 제거한다.

Description

박막 태양전지 모듈의 제조 방법 및 박막 태양전지 모듈{THIN FILM SOLAR BATTERY MODULE MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM SOLAR BATTERY MODULE}
본 발명은, 절연 내압의 향상을 도모할 수 있는 박막 태양전지 모듈의 제조 방법 및 박막 태양전지 모듈에 관한 것이다.
박막 태양전지 모듈은, 투광성 기판상에 투명 도전성 산화물로 구성된 제1 전극층의 성막과 레이저 스크라이빙, 아몰퍼스(amorphous) 실리콘 등으로 구성된 반도체층의 성막과 레이저 스크라이빙, 금속 등으로 구성된 제2 전극층(이면 전극) 등의 박막의 성막과 레이저 스크라이빙의 각 공정을 거쳐 제조된다(특허문헌 1~3 참조).
제1 전극층, 반도체층 및 제2 전극층은, CVD법이나 스패터링법 등의 기상 성장에 의해 형성되기 때문에, 각층은 투광성 기판의 전체면에 형성된다. 각층의 형성 후에는, 소자를 복수의 셀로 분리하기 위해서 각층을 투광성 기판의 면상에서 레이저 스크라이브 하여, 서로 이웃이 되는 태양전지 셀을 직렬(또는 병렬)로 접속한다. 그 후, 각층의 전체면을 수지 충전재 등으로 봉지(封止)하는 것으로써, 박막 태양전지 모듈을 구성하고 있다.
이러한 박막 태양전지 모듈에서는, 옥외에서의 사용시에 외부로부터의 수분 등의 침입에 의해 태양전지 셀의 활성부(발전 영역)가 변질 혹은 부식해, 발전 특성이 열화되는 것이 문제되고 있다. 이 원인의 하나로서 태양전지 모듈 단부의 기판과 충전재와의 사이로부터 수분이 침입하는 것을 들 수 있다. 따라서, 태양전지 모듈 단부로부터의 수분의 침입을 방지해 내후성을 향상시키는 것이 요구되고 있다.
이로 인해, 특허 문헌 1~3에는, 투광성 유리 기판상에 형성된 투명 전극층, 광반도체층 및 금속층을 주단부(周端部)의 주면(主面) 둘레로부터 0.5 mm이상에 걸쳐 기계적으로 또는 광 빔에 의해 제거하여 상기 투명 전극층(또는 상기 투광성 유리 기판)을 노출시키는 것과 함께, 이 기계적으로 또는 광 빔에 의해 제거된 부분의 안쪽에는, 광 빔에 의해, 활성부와 상기 주단부를 전기적으로 분리하는 절연 분리선을 형성하는 박막 태양전지 모듈의 제조 방법이 기재되어 있다.
일본특허 제3243227호 공보 일본특허 제3243229호 공보 일본특허 제3243232호 공보
그렇지만, 특허 문헌 1~3 기재의 박막 태양전지 모듈의 제조 방법에서는, 박막 태양전지 모듈의 활성부와 주단부의 사이의 전기적 절연을 도모하기 위해서, 활성부와 주단부를 전기적으로 분리하는 절연 분리선을 확실히 투광성 기판의 표면에 이르는 깊이로 형성할 필요가 있다. 즉, 이 절연 분리선의 형성 공정에 대해 엄밀한 공정관리가 필요함과 동시에, 분리선을 넘는 투명 전극층이 일부에라도 잔존하고 있으면 모듈의 절연 내압이 저하할 우려가 있다.
이상과 같은 사정을 고려하여, 본 발명의 목적은, 신뢰성 높은 절연 내압 특성을 확보할 수 있는 박막 태양전지 모듈의 제조 방법 및 박막 태양전지 모듈을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 형태와 관련되는 박막 태양전지 모듈의 제조 방법은, 절연성의 투명 기판상에 제1 전극층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 투명 기판의 주변 영역과 그 안쪽의 발전 영역을 분리하는 제1 분리홈은, 상기 투명 기판의 표면에 이르는 깊이로 형성된다. 상기 투명 기판상에 반도체층이 형성된다. 상기 투명 기판상에 제2 전극층이 형성된다. 상기 제1 분리홈보다 상기 주변 영역 측에 위치하는 제2 분리홈은, 상기 투명 기판의 표면에 이르는 깊이로 형성된다. 상기 주변 영역을 블라스트(blast) 처리하는 것으로, 상기 주변 영역상의 상기 제1 전극층, 상기 반도체층 및 상기 제2 전극층이 제거된다.
또, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 형태와 관련되는 박막 태양전지 모듈은, 절연성의 투명 기판과 제1 전극층과 반도체층과 제2 전극층을 구비한다.
상기 투명 기판은, 주변 영역을 가진다. 상기 제1 전극층은, 상기 투명 기판상의 상기 주변 영역보다 안쪽에 형성된다. 상기 반도체층은, 상기 제1 전극층에 적층되는 한편, 상기 주변 영역에 면하는 상기 제1 전극층의 둘레를 피복 한다. 상기 제2 전극층은, 상기 반도체층에 적층되어 상기 제1 전극층에 전기적으로 접속된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 박막 태양전지 모듈의 제조 방법을 설명하는 각 공정의 주요부 단면도이다.
도 2의 (A)는 도 1(A)에 나타낸 공정을 나타내는 평면도, (B) 및 (C)는 각각, (A)에 있어서의 ［B］－［B］선 및 ［C］－［C］선 방향 단면도이다.
도 3의 (A)는 도 1(C)에 나타낸 공정을 나타내는 평면도, (B), (C) 및 (D)는, 각각, (A)에 있어서의［B］－［B］선, ［C］－［C］선 및 ［D］－［D］선 방향 단면도이다.
도 4의 (A)는 도 1(E)에 나타낸 공정을 나타내는 평면도, (B), (C), (D) 및 (E)는, 각각, (A)에 있어서의［B］－［B］선, ［C］－［C］선, ［D］－［D］선 및 ［E］－［E］선 방향 단면도이다.
도 5의 (A)는, 투명 기판의 장변측 주변 영역에 각각 형성된 절연 분리홈(제2 분리홈)을 나타내는 평면도, (B), (C), (D) 및 (E)는, 각각, (A)에 있어서의［B］－［B］선, ［C］－［C］선, ［D］－［D］선 및 ［E］－［E］선 방향 단면도이다.
도 6의 (A)는 도 1(F)의 평면도, (B) 및 (C)는, 각각, (A)에 있어서의［B］－［B］선 및 ［C］－［C］선 방향 단면도이다.
도 7은 도 1(G)의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 박막 태양전지 모듈의 제조 방법을 설명하는 각 공정의 주요부 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시 형태에 의한 박막 태양전지 모듈의 제조 방법을 설명하는 각 공정의 주요부 단면도이다.
본 발명의 일실시 형태와 관련되는 박막 태양전지 모듈의 제조 방법은, 절연성의 투명 기판상에 제1 전극층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 투명 기판의 주변 영역과 그 안쪽의 발전 영역을 분리하는 제1 분리홈은, 상기 투명 기판의 표면에 이르는 깊이로 형성된다. 상기 투명 기판상에 반도체층이 형성된다. 상기 투명 기판상에 제2 전극층이 형성된다. 상기 제1 분리홈보다 상기 주변 영역 측에 위치하는 제2 분리홈은, 상기 투명 기판의 표면에 이르는 깊이로 형성된다. 상기 주변 영역을 블라스트(blast) 처리하는 것으로, 상기 주변 영역상의 상기 제1 전극층, 상기 반도체층 및 상기 제2 전극층이 제거된다.
본 발명의 일실시 형태와 관련되는 박막 태양전지 모듈은, 절연성의 투명 기판과 제1 전극층과 반도체층과 제2 전극층을 구비한다.
상기 투명 기판은, 주변 영역을 가진다. 상기 제1 전극층은, 상기 투명 기판상의 상기 주변 영역보다 안쪽에 형성된다. 상기 반도체층은, 상기 제1 전극층에 적층되는 한편, 상기 주변 영역에 면하는 상기 제1 전극층의 둘레를 피복 한다. 상기 제2 전극층은, 상기 반도체층에 적층되어 상기 제1 전극층에 전기적으로 접속된다.
상기 박막 태양전지 모듈의 제조 방법에서는, 상기 제1 분리홈의 외측(주변 영역측)에 한층 더 상기 제2 분리홈을 형성한 후, 이 제2 분리홈을 포함한 주변 영역을 블라스트(blast) 처리해 해당 주변 영역상의 제1 전극층, 반도체층 및 제2 전극층을 제거하도록 하고 있다.
이것에 의해, 제2 분리홈이 적절히 형성되어 있지 않은 경우나 제2 분리 홈내에 도전재료의 찌꺼기가 존재하고 있는 경우에서도, 이후의 블라스트(blast) 처리 공정에 대해 둘레 영역과 발전 영역의 사이의 절연 내압을 확보할 수 있다. 따라서, 박막 태양전지 모듈의 주변 영역과 발전 영역과의 사이의 전기적 절연을 확실히 취할 수 있으므로, 신뢰성이 높은 절연 내압 특성을 확보하는 것이 가능해진다.
박막 태양전지 모듈의 발전 영역은, 투명 기판상에 형성된 단일의 발전층으로 구성되어도 괜찮고, 투명 기판상에 서로 직렬적 또는 병렬적으로 접속된 복수의 셀로 구성되어도 괜찮다.
상기 박막 태양전지 모듈의 제조 방법에 있어서, 상기 제2 분리홈을 형성하는 공정은, 상기 제2 전극층을 형성한 후, 상기 제2 분리홈의 형성 위치에 있는 상기 제2 전극층, 상기 반도체층 및 상기 제1 전극층을 레이저 스크라이브 해도 괜찮다.
이것에 의해, 주변 영역과 발전 영역의 사이의 전기적 절연을 확실히 취하는 것이 가능해진다.
또, 상기 박막 태양전지 모듈의 제조 방법에 있어서, 상기 제2 분리홈을 형성하는 공정은, 상기 제1 전극층의 형성 후, 상기 제2 분리홈의 형성 위치에 있는 상기 제1 전극층을 레이저 스크라이브 해, 상기 제2 전극층의 형성 후, 상기 제2 분리홈의 형성 위치에 있는 상기 제2 전극층 및 상기 반도체층을 레이저 스크라이브 해도 괜찮다.
이것에 의해, 박막 태양전지 모듈의 주변 영역과 발전 영역의 사이의 전기적 절연을 확실히 취하는 것이 가능해진다.
상기 박막 태양전지 모듈의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 분리홈과 상기 제2 분리홈의 사이에, 적어도 상기 제1 전극층의 표면에 이르는 깊이의 제3 분리홈을 형성하는 공정을 한층 더 구비해도 괜찮다. 이 제3 분리홈의 깊이는, 제1 전극층의 하지(下地)인 투명 기판의 표면에까지 달하고 있어도 괜찮다.
이것에 의해, 박막 태양전지 모듈의 주변 영역과 발전 영역의 사이의 전기적 절연을 보다 확실히 하는 것이 가능해진다.
상기 박막 태양전지 모듈의 제조 방법에 있어서, 상기 주변 영역상의 상기 제1 전극층, 상기 반도체층 및 상기 제2 전극층을 제거하는 공정은, 상기 제1 분리홈에 면한 상기 제1 전극층의 둘레가 상기 제1 분리홈에 파묻힌 상기 반도체층에서 피복 되도록, 상기 주변 영역을 블라스트(blast) 처리해도 괜찮다.
그 결과, 상기 주변 영역에 면하는 상기 제1 전극층의 둘레를 피복 하는 반도체층을 구비하는 박막 태양전지 모듈이 구성된다.
이 구성에 의해, 제1 전극층의 둘레가 외부에 노출되는 것이 방지되므로, 제1 전극층의 둘레와 상기 주변 영역과의 사이의 절연 내압을 한층 더 향상시키는 것이 가능해진다.
이하, 본 발명의 각 실시 형태를 도면에 근거해 설명한다.
［제1 실시 형태］
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 박막 태양전지 모듈의 제조 방법을 설명하는 각 공정의 주요부 단면도이다.
(도 1(A)의 공정)
우선, 도 1(A)에 나타내듯이, 절연성의 투명 기판 10상에, 제1 전극층으로서 투명 전극층 11을 형성한다.
투명 기판 10은, 구형 모양을 갖고, 전형적으로는 유리 기판이다. 유리 기판 이외에도, 플라스틱 기판이나 세라믹 기판을 이용할 수 있다. 또, 투명 전극층 11(TCO：Transparent Conductive Oxide)은, ITO(Indium Tin Oxide), SnO2, ZnO 등의 투명 도전막으로 구성되어 있다. 투명 전극층 11은, CVD법, 스패터링법, 도포법 등에 의해서 투명 기판 10의 표면 전역에 소정의 막두께(膜厚)로 형성된다.
도 2(A)는, 도 1(A)의 평면도이다. 투명 전극층 11의 형성 후, 투명 전극층 11을 레이저 스크라이브 해 전극 분리홈 14, 영역 분리홈 21X, 21Y, 및 절연 분리홈 22a를 형성한다. 도 2(B) 및 (C)는 각각, 도 2(A)에 있어서의［B］－［B］선 및 ［C］－［C］선 방향 단면도이다. 영역 분리홈 21X는, 주변 영역의 가공 데미지의 모듈 특성에의 영향의 저감을 목적으로 하는 것이다. 영역 분리홈 21X의 형성 개수는, 기판 10의 각 장변 측에 각각 1개라도 좋고, 2개 이상이라도 좋다. 개수를 늘리는 것이 주변 영역의 가공 데미지의 모듈 특성에의 영향의 저감의 효과는 있지만, 발전에 유효한 셀 면적을 감소시키게 된다.
전극 분리홈 14는, 투명 기판 10의 Y방향(투명 기판 10의 단변 방향)에 따라서 임의의 간격을 두고 복수 개가 평행으로 형성된다.
한쪽의 영역 분리홈 21X는, 투명 기판 10의 각 장(長)변측의 주변 영역 30X와 이 주변 영역 30X보다 안쪽의 발전 영역 50을 분리하기 위한의 것으로, X방향(투명 기판 10의 장변 방향)에 따라서 형성되고 있다.
다른 한쪽의 영역 분리홈 21Y는, 투명 기판 10의 각 단(短)변측의 주변 영역 30Y과 이 주변 영역 30Y보다 안쪽의 발전 영역 50을 분리하기 위한의 것으로, Y방향(투명 기판 10의 단변 방향)에 따라서 형성되고 있다.
이들 영역 분리홈 21X, 21Y는, 투명 기판 10의 표면에 이르는 깊이로 형성되고 있다. 덧붙여 영역 분리홈 21X, 21Y는, 본 발명과 관련되는 「제1 분리홈」에 대응한다.
절연 분리홈 22a는, 영역 분리홈 21Y보다 주변 영역 30Y측에 위치하도록 형성된다. 절연 분리홈 22a는, 투명 기판 10의 표면에 이르는 깊이로 형성되고 있다. 절연 분리홈 22a의 형성 위치는, 주변 영역 30Y내이면 특히 한정되지 않는다. 덧붙여 절연 분리홈 22a는 본 발명과 관련되는 「제2 분리홈」에 대응한다.
레이저 스크라이빙은, 투명 기판 10의 표면측 또는 이면측으로부터 광 빔을 조사(照射)하고, 투명 전극층 11의 소정 영역을 제거하는 것으로, 레이저 파장이나 발진 출력은, 제거 대상 재료의 종류 등에 의해서 적절히 설정된다. 레이저광은 연속 레이저광이라도 좋고, 소자에의 열적 데미지가 적은 펄스 레이저광이라도 좋다. 덧붙여 이상의 설명은, 후술하는 반도체층 13 및 이면(裏面) 전극층 12의 레이저 스크라이빙에 대해서도 마찬가지이다.
(도 1(B)의 공정)
다음에, 도 1(B)에 나타내듯이, 투명 전극층 11이 형성된 투명 기판 10의 표면 전역에 반도체층 13을 형성한다. 반도체층 13은, 투명 전극층 11에 형성된 전극 분리홈 14의 내부에도 파묻힌다.
반도체층 13은, p형 반도체막, i형 반도체막 및 n형 반도체막의 적층체로 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, p형 반도체막은, p형 아몰퍼스(amorphous) 실리콘막, i형 반도체막은, i형 아몰퍼스(amorphous) 실리콘막, n형 반도체막은, n형 미결정 실리콘막으로 각각 구성되어 있다. 상기의 예에 있어서, 아몰퍼스(amorphous) 실리콘막은 미결정 실리콘막으로, 또, 미결정 실리콘막은 아몰퍼스(amorphous) 실리콘막으로, 적당히 변경하는 것이 가능하다. 이 반도체층 13은, 복수의 발전층의 단위(pin, pinp, npin,… 등)를 복수 적층시킨, 텐덤형, 트리플형이어도 좋고, 그 때에 발전층간에 중간층을 마련한 것이라도 좋다. 상기 반도체막은, 플라스마 CVD법에 따라 형성할 수 있다. 각 반도체막의 막두께(膜厚)는 특히 한정되지 않고, 사양에 따라 적당히 설정된다.
(도 1(C)의 공정)
계속하여 도 1(C)에 나타내듯이, 반도체층 13의 소정 영역에 하지(下地)인 투명 전극층 11의 표면에 이르는 깊이의 접속홈 15를 형성한다.
도 3(A)는, 도 1(C)의 평면도이다. 접속홈 15는, 반도체층 13의 형성 후, 반도체층 13을 레이저 스크라이브 해 형성된다. 도 3(B), (C) 및 (D)는 각각, 도 3(A)에 있어서의 ［B］－［B］선, ［C］－［C］선 및 ［D］－［D］선 방향 단면도이다.
(도 1(D)의 공정)
다음으로 도 1(D)에 나타내듯이, 투명 전극층 11 및 반도체층 13이 형성된 투명 기판 10의 표면 전역에, 제2 전극층으로서 이면 전극층 12를 형성한다. 이면 전극층 12는, 반도체층 13에 형성된 접속홈 15의 내부에도 파묻힌다.
이면 전극층 12는, 본 실시 형태에서는, ZnO층과 광반사 특성이 좋은 Ag층으로 구성되지만, Ag층 대신에, Al, Cr, Mo, W, Ti 등의 다른 금속 내지는 합금막으로 구성할 수도 있다. 투명 전극층 11은, CVD법, 스패터링법, 도포법 등에 의해서 투명 기판 10의 표면 전역에 소정의 막두께(膜厚)로 형성된다.
(도 1(E)의 공정)
계속하여 도 1(E)에 나타내듯이, 이면 전극층 12의 소정 영역을 레이저 스크라이브 하고, 소자 분리홈 16, 단자 접속홈 17, 절연 분리홈 22Y 및 경계 분리홈 23을 각각 형성한다.
소자 분리홈 16은, 투명 전극층 11의 표면에 이르는 깊이로 형성된다. 도 4(A)는, 도 1(E)의 평면도이다. 도 4(B), (C), (D) 및 (E)는 각각, 도 4(A)에 있어서의 ［B］－［B］선, ［C］－［C］선, ［D］－［D］선 및 ［E］－［E］선 방향 단면도이다.
단자 접속홈 17은, 발전 영역 50 중 투명 기판 10의 주변 영역 30Y에 면한 소정 위치에 형성된, 후술하는 단자층 19를 투명 전극층 11에 접속하기 위한 접속홈이다. 이 단자 접속홈 17은, 반도체층 13에 형성되어 이면 전극 재료가 파묻힌 접속홈 15를 사이에 두도록, 이면 전극층 12 및 반도체층 13을 레이저 스크라이브 하고, 투명 전극층 11의 표면에 이르는 깊이로 한 쌍 형성된다. 단자 접속홈 17은, 도시하는 한쪽의 주변 영역 30Y측 뿐만이 아니라, 도시하지 않는 다른 한쪽의 주변 영역 측에도 이와 같이 형성된다.
또, 단자 접속홈 17의 형성과 함께, 단자 접속홈 17에 끼워지는 이면 전극 재료로 구성된 단자 접속층 18이 형성된다.
절연 분리홈 22Y는, 투명 전극층 11에 형성한 주변 영역 30Y내의 절연 분리홈 22a(도 1(A))와 동일 위치에, 이면 전극층 12 및 반도체층 13을 레이저 스크라이브 해 형성된다. 절연 분리홈 22Y는, 투명 기판 10의 표면에 이르는 깊이로, 투명 기판 10의 단변측 주변 영역 30Y의 각각에 각각 형성된다.
상술한 절연 분리홈은, 투명 기판 10의 단변측 주변 영역 30Y 뿐만이 아니라, 그 장변측 주변 영역 30X의 각각에도 각각 형성된다. 도 5(A)는, 투명 기판 10의 장변측 주변 영역 30X에 각각 형성된 절연 분리홈 22X를 나타내는 평면도이다. 또, 도 5(B), (C), (D) 및 (E)는 각각, 도 5(A)에 있어서의［B］－［B］선, ［C］－［C］선, ［D］－［D］선 및 ［E］－［E］선 방향 단면도이다. 절연 분리홈 22X는, 투명 기판 10의 표면에 이르는 깊이로 형성된다.
경계 분리홈 23은, 투명 기판 10의 주변 영역 30Y에 있어서, 절연 분리홈 22Y보다 안쪽의 소정 위치의 이면 전극층 12 및 반도체층 13을 레이저 스크라이브 해 형성된다. 경계 분리홈 23은, 본 실시 형태에서는, 투명 전극층 11의 표면에 이르는 깊이로 형성되지만, 이것에 한정되지 않고, 투명 기판 10의 표면에 이르는 깊이로 형성되고 있어도 괜찮다. 경계 분리홈 23은, 후술하는 블라스트(blast) 처리 공정에 있어서, 블라스트(blast) 영역과 비블라스트 영역과의 경계선을 형성한다. 덧붙여 이 경계 분리홈 23은 본 발명과 관련되는「제3 분리홈」에 대응한다.
이상의 절연 분리홈 22X, 22Y의 형성 공정에 의해서, 발전 영역 50에 복수의 태양전지 셀 51이 구성된다. 각각의 태양전지 셀 51은, 이면 전극층 12가 접속홈 15를 통해 인접하는 다른 셀의 투명 전극층 11에 전기적으로 접속되고 있다. 본 실시 형태와 같이 태양전지 셀 51이 서로 직렬 접속된 모듈 구성은, 발생 전류는 충분하지만 발생 전압이 비교적 낮은 발전 모듈에 적용할 수 있다. 한편, 각 태양전지 셀을 병렬 접속한 모듈 구성은, 발생 전압은 충분하지만 발생 전류가 비교적 낮은 발전 모듈에 적용할 수 있다.
(도 1(F)의 공정)
다음에 도 1(F) 및 도 6에 나타내듯이, 투명 기판 10의 주변 영역 30X, 30Y를 블라스트(blast) 처리한다. 이것에 의해, 주변 영역 30X, 30Y상의 투명 전극층 11, 반도체층 13 및 이면 전극층 12가 제거된다. 도 6(A)는, 도 1(F)의 평면도이며, 도 6(B) 및 (C)은 각각, 도 2(A)에 있어서의［B］－［B］선 및 ［C］－［C］선 방향 단면도이다.
블라스트(blast) 처리 조건은, 주변 영역 30X, 30Y상의 투명 전극층 11, 반도체층 13 및 이면 전극층 12를 적절히 제거할 수 있는 한도에 있어서 특히 한정되지 않는다. 블라스트(blast) 입자는, 알루미나 입자나 실리카 입자 등의 세라믹 입자에 한정되지 않고, 금속계 입자나 식물계 입자가 이용되어도 괜찮다. 또, 블라스트(blast) 처리에 즈음해서는, 발전 영역 50에 블라스트(blast) 입자가 조사(照射)되지 않게, 투명 기판 10의 표면에 마스킹을 실시해도 괜찮다.
또, 본 실시 형태에서는, 주변 영역 30Y와 발전 영역 50과의 사이를 분리하는 영역 분리홈 21X, 21Y에 파묻힌 반도체층 13은 완전하게 제거하지 않고, 도 1(F)에 나타내듯이 투명 전극층 11의 둘레를 피복 하도록 잔존시킨다. 이것에 의해, 해당 투명 전극층 11의 둘레가 외부에 직접 노출되는 것이 방지된다.
(도 1(G)의 공정)
계속하여 도 1(G) 및 도 7에 나타내듯이, 도전재료를 단자 접속홈 17에 묻어 단자층 19를 형성한다. 단자층 19는, 단자 접속층 18을 넘도록 하여 형성된다. 본 실시 형태에서는, 단자층 19는, 도 7에 나타내듯이, 단자층 19의 연재(延在) 방향에 따라서 복수 간격을 두어 형성된다. 단자층 19는, 투명 기판 10의 단변측의 양측부에 각각 형성된다. 덧붙여 단자층 19는, 단자층 19의 형성 영역 전역에 걸쳐 연속적으로 형성되고 있어도 상관없다.
단자층 19는, 땜납 페이스트를 도포한 후 리플로우 하는 방법외, 도전성의 접착제를 이용하는 방법, 동(銅) 등의 금속 도금층을 형성하는 방법, 금속 블록을 기판상에 압접하는 방법 등, 적당한 방법을 이용해 형성할 수 있다.
마지막으로, 투명 기판 10의 표면 전역을 피복 하는 절연성 수지로 된 봉지층 25(도 1(G))를 형성하는 것으로써, 투명 기판 10상의 태양 발전 셀 51을 봉지(封止)한다. 또, 필요에 따라서, 투명 기판 10의 둘레의 각부(角部)를 모따기 한다. 이 모따기 공정은, 공정간에 있어서의 핸들링시나 처리시에 있어서의 투명 기판 10의 파손을 방지하는 목적으로 행해진다. 따라서, 모따기 공정은, 최종 공정에 한정되지 않고, 투명 전극층 11의 형성 공정전이나, 임의의 공정간에 있어 행해져도 괜찮다.
이상과 같이 하여, 투명 기판 10상에 복수의 태양전지 셀 51을 집적화 시킨 박막 태양전지 모듈 1이 제조된다. 박막 태양전지 모듈 1은, 투명 기판 10측을 빛의 입사면으로서 설치된다. 투명 기판 10으로부터 입사 한 태양광은, 투명 전극층 11을 통해 반도체층 13에 입사하고, 반도체층 13은, 입사빛에 응한 광전 변환 작용이 이루어진다. 반도체층 13에서 발생한 전압은, 투명 전극층 11과 이면 전극층 12에 의해 꺼내져 단자층 19를 통해 도시하지 않은 외부 축전기에 공급된다.
상술한 것처럼, 본 실시 형태에 대해서는, 제1 분리홈으로서의 영역 분리홈 21X, 21Y의 외측(주변 영역 30X, 30Y측)에, 한층 더 제2 분리홈으로서의 절연 분리홈 22X, 22Y를 형성한 후, 이 절연 분리홈 22X, 22Y를 포함한 주변 영역 30X, 30Y를 블라스트(blast) 처리해 해당 주변 영역상의 투명 전극층 11, 반도체층 13 및 이면 전극층 12를 제거하도록 하고 있다. 이것에 의해, 절연 분리홈 22X, 22Y가 적절히 형성되어 있지 않은 경우나 절연 분리홈 22X, 22Y내에 도전재료의 찌꺼기가 존재하고 있는 경우에서도, 이후의 블라스트(blast) 처리 공정에 대해 둘레 영역 30X, 30Y와 발전 영역 50 사이의 절연 내압을 확보할 수 있다.
따라서, 본 실시 형태에 의하면, 박막 태양전지 모듈 1의 주변 영역 30X, 30Y와 발전 영역 50 사이의 전기적 절연을 확실히 취할 수 있으므로, 투명 기판 10으로 봉지층 25의 사이를 통한 외부로부터의 수분 등의 침입에 대해서, 신뢰성이 높은 절연 내압 특성을 확보하는 것이 가능해진다.
또, 주변 영역 30X, 30Y와 발전 영역 50 사이의 전기적 분리 처리를, 해당 주변 영역에 대한 절연 분리홈 22X, 22Y의 형성 공정과 블라스트(blast) 처리 공정의 2 단계로 실시하고 있으므로, 한쪽의 처리가 불완전한 경우에도, 다른 한쪽의 처리로 그 불완전성을 보상하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 양쪽 처리의 공정관리 부담의 저감을 도모하는 것이 가능해진다.
또, 본 실시 형태에서는, 절연 분리홈 22X의 형성에 임하여, 미리 투명 전극층 11의 대응 위치에 분리홈 22a를 형성하고 있다. 이것에 의해, 반도체층 13에 비해 레이저 스크라이브로 제거하기 어려운 투명 전극층 11을 절연 분리홈 22Y의 형성시에 제거할 필요가 없어지므로, 신뢰성이 높은 절연 분리홈 22X를 안정적으로 형성하는 것이 가능해진다.
또, 본 실시 형태에서는, 영역 분리홈 21Y와 절연 분리홈 22Y의 사이에, 제3 분리홈으로서의 경계 분리홈 23을 형성하고 있다. 이것에 의해, 블라스트(blast) 처리시에 있어 주변 영역 30Y와 발전 영역 50 사이의 절연 분리의 신뢰성을 더욱 높일 수 있는 것과 동시에, 블라스트(blast) 처리 후에 있어서의 블라스트(blast) 처리 영역과 비블라스트 영역의 경계부의 형상 정도를 높이는 것이 가능해진다.
또, 본 실시 형태에서는, 주변 영역 30Y와 발전 영역 50 사이를 분리하는 영역 분리홈 21Y에 파묻힌 반도체층 13은 완전하게 제거하지 않고, 도 1(F)에 나타내듯이 투명 전극층 11의 둘레를 피복 하도록 잔존시키고 있다. 이것에 의해, 해당 투명 전극층 11의 둘레가 외부에 노출되는 것이 방지되는 한편, 반도체층 13이 투명 전극층 11보다 고저항인 것으로 인해, 해당 투명 전극층 11의 둘레와 주변 영역 30Y 사이의 절연 내압을 한층 더 향상시키는 것이 가능해진다.
게다가 본 실시 형태에서는, 이면 전극 재료로 구성된 단자 접속층 18이 투명 전극층 11에 직접적으로 접촉하고 있는 한편, 단자층 19는 이 단자 접속층 18을 넘도록 형성되고 있으므로, 단자층 19와 투명 전극층 11과의 사이의 전기적 접속을 확실히 취할 수 있는 것과 동시에, 이들 사이의 접촉 저항의 저감을 도모할 수 있다. 이것에 의해, 직렬 접속형의 박막 태양전지 모듈 1에 있어, 발전 전압의 로스를 크게 저감 시키는 것이 가능해진다.
［제2 실시 형태］
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 박막 태양전지 모듈의 제조 방법을 설명하는 각 공정의 주요부 단면도이다. 상술한 제1 실시 형태와 대응하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 교부해, 그 상세한 설명은 생략 하는 것으로 한다.
본 실시 형태에서는, 도 8(A)에 나타내듯이, 투명 전극층 11에 대한 전극 분리홈 14의 형성에 임하여, 투명 기판 10의 주변 영역내에 절연 분리홈 22a(도 1(A))를 형성하고 있지 않는 점에서, 상술한 제1 실시 형태와 다르다. 즉, 본 실시 형태에서는, 도 8(E)에 나타내는 절연 분리홈 22Y의 형성 공정에 있어서, 절연 분리홈 22Y의 형성 위치에 있는 이면 전극층 12, 반도체층 13 및 투명 전극층 11을 레이저 스크라이브 하여, 절연 분리홈 22Y를 형성하도록 하고 있다.
그 외의 공정은 상술한 제1 실시 형태와 같으므로, 그 설명은 생략 한다.
본 실시 형태에 있어서도, 상술의 제1 실시 형태와 같은 작용 및 효과를 얻을 수 있다. 즉, 제1 분리홈으로서의 영역 분리홈 21X, 21Y의 외측(주변 영역 30X, 30Y측)에, 한층 더 제2 분리홈으로서의 절연 분리홈 22X, 22Y를 형성한 후, 이 절연 분리홈 22X, 22Y를 포함한 주변 영역 30X, 30Y를 블라스트(blast) 처리해 해당 주변 영역상의 투명 전극층 11, 반도체층 13 및 이면 전극층 12를 제거하도록 하고 있으므로, 박막 태양전지 모듈 1의 주변 영역 30X, 30Y와 발전 영역 50 사이의 전기적 절연을 확실히 취할 수 있어 투명 기판 10과 봉지층 25의 사이를 통한 외부로부터의 수분 등의 침입에 대해서, 신뢰성이 높은 절연 내압 특성을 확보하는 것이 가능해진다.
특히 본 실시 형태에 의하면, 전극 분리홈 14의 형성시에 절연 분리홈 22a를 형성하지 않기 때문에, 그 만큼, 도 8(A)에 나타내는 공정의 수행에 필요로 하는 처리 시간을 상술의 제1 실시 형태보다 단축하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 박막 태양전지 모듈 1의 생산성의 향상과 제조 코스트의 저감을 도모하는 것이 가능해진다.
［제3 실시 형태］
도 9는 본 발명의 제3 실시 형태에 의한 박막 태양전지 모듈의 제조 방법을 설명하는 각 공정의 주요부 단면도이다. 상술의 제1 실시 형태와 대응하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 교부해, 그 상세한 설명은 생략 하는 것으로 한다.
본 실시 형태에서는, 도 9(A)에 나타내듯이, 투명 전극층 11에 대한 전극 분리홈 14의 형성에 임하여, 투명 기판 10의 주변 영역내에 절연 분리홈 22a를 형성하는 것으로 상술의 제1 실시 형태와 공통된다. 그러나, 도 9(E)에 나타내듯이, 소자 분리홈 16의 형성 공정에 즈음하여, 절연 분리홈 22a에 거듭해 절연 분리홈 22Y(도 1(E))을 형성하지 않는 점에서 상술의 제1 실시 형태와 다르다. 덧붙여 투명 기판 10의 장변 측을 따르는 절연 분리홈 22X(도 5(A))는 형성되는 것으로 한다.
그 외의 공정은 상술의 제1 실시 형태와 같으므르, 그 설명은 생략 한다.
본 실시 형태에 있어서도, 상술의 제1 실시 형태와 같은 작용 및 효과를 얻을 수 있다. 즉, 제1 분리홈으로서의 영역 분리홈 21X, 21Y의 외측(주변 영역 30X, 30Y측)에, 한층 더 제2 분리홈으로서의 절연 분리홈 22a, 22Y를 형성한 후, 이 절연 분리홈 22a, 22Y를 포함한 주변 영역 30X, 30Y를 블라스트(blast) 처리해 해당 주변 영역상의 투명 전극층 11, 반도체층 13 및 이면 전극층 12를 제거하도록 하고 있으므로, 박막 태양전지 모듈 1의 주변 영역 30X, 30Y와 발전 영역 50 사이의 전기적 절연을 확실히 취할 수 있어, 투명 기판 10과 봉지층 25의 사이를 통한 외부로부터의 수분 등의 침입에 대해서, 신뢰성이 높은 절연 내압 특성을 확보하는 것이 가능해진다.
특히 본 실시 형태에 의하면, 소자 분리홈 16의 형성시에 절연 분리홈 22Y를 형성하지 않기 때문에, 그 만큼, 도 8(E)에 나타내는 공정의 수행에 필요로 하는 처리 시간을 상술의 제1 실시 형태보다 단축하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 박막 태양전지 모듈 1의 생산성의 향상과 제조 코스트의 저감을 도모하는 것이 가능해진다.
이상, 본 발명의 각 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상술의 실시 형태로만 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위내에서 여러 가지 변경을 더할 수 있는 것은 물론이다.
예를 들면 이상의 실시 형태에서는, 전극 분리홈 14, 접속홈 15, 소자 분리홈 16, 단자 접속홈 17, 영역 분리홈 21X, 21Y, 절연 분리홈 22a, 22X, 22Y 및 경계 분리홈 23의 각각의 형성폭에 대해 특별히 언급하지 않았지만, 이러한 홈의 폭은, 박막 태양전지 모듈 1의 사양이나 레이저 스크라이브의 레이저 발진 조건 등에 의해 적당히 설정하는 것이 가능한 것이다.
또, 이상의 실시 형태에서는, 태양전지 셀 51이 서로 직렬적으로 접속된 박막 태양전지 모듈 1의 제조 방법을 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 태양전지 셀이 서로 병렬적으로 접속된 박막 태양전지 모듈의 제조에도 본 발명은 적용 가능하다.
1 박막 태양전지 모듈
10 투명 기판
11 투명 전극층(제1 전극층)
12 이면 전극층(제2 전극층)
13 반도체층
14 전극 분리홈
15 접속홈
16 소자 분리홈
17 단자 접속홈
18 단자 접속층
19 단자층
21X, 21Y 영역 분리홈(제1 분리홈)
22a, 22X, 22Y 절연 분리홈(제2 분리홈)
23 경계 분리홈
30X, 30Y 주변 영역
50 발전 영역
51 태양전지 셀

Claims (6)

  1. 절연성의 투명 기판상에 제1 전극층을 형성하고,
    상기 투명 기판의 주변 영역과 그 안쪽의 발전 영역을 분리하는 제1 분리홈을 상기 투명 기판의 표면에 이르는 깊이로 형성하고,
    상기 투명 기판상, 및 상기 제1 분리홈의 내부에 반도체층을 형성하고,
    상기 투명 기판상에 제2 전극층을 형성하고,
    상기 주변 영역과 상기 발전 영역 사이의 전기적 분리 처리를, 상기 제1 분리홈의 외측인 상기 주변 영역에, 제2 분리홈을 형성하고, 또한 상기 제2 분리홈을 포함한 상기 주변 영역을 블라스트 처리하는 것으로 실시하고,
    상기 제2 분리홈은 상기 투명 기판의 표면에 이르는 깊이로 형성하고,
    상기 블라스트 처리는, 상기 주변 영역상의 상기 제1 전극층, 상기 반도체층 및 상기 제2 전극층을 제거하고, 상기 제1 분리홈에 파묻힌 상기 반도체층을 완전하게 제거하지 않는
    박막 태양전지 모듈의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 분리홈을 형성하는 공정은, 상기 제2 전극층을 형성한 후, 상기 제2 분리홈의 형성 위치에 있는 상기 제2 전극층, 상기 반도체층 및 상기 제1 전극층을 레이저 스크라이브 하는
    박막 태양전지 모듈의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 분리홈을 형성하는 공정은,
    상기 제1 전극층의 형성 후, 상기 제2 분리홈의 형성 위치에 있는 상기 제1 전극층을 레이저 스크라이브 하고,
    상기 제2 전극층의 형성 후, 상기 제2 분리홈의 형성 위치에 있는 상기 제2 전극층 및 상기 반도체층을 레이저 스크라이브 하는
    박막 태양전지 모듈의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 분리홈과 상기 제2 분리홈의 사이에, 적어도 상기 제1 전극층의 표면에 이르는 깊이의 제3 분리홈을 더 형성하는
    박막 태양전지 모듈의 제조 방법.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4773544B2 (ja) 2009-04-17 2011-09-14 昭和シェル石油株式会社 エッジスペースを備えた太陽電池モジュールの製造方法
EP2549545A1 (en) * 2010-03-18 2013-01-23 Fuji Electric Co., Ltd. Thin-film solar cell and method for manufacturing the same
US20110237024A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Du Pont Apollo Limited Method for processinig an edge of a photovoltaic panel
CN101984387B (zh) * 2010-10-29 2013-02-13 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有光能发电功能的信息输入模组和信息处理装置
JP5134075B2 (ja) * 2010-12-22 2013-01-30 シャープ株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
DE102011010131A1 (de) * 2011-02-03 2012-08-09 Schott Solar Ag Rohmodul zur Herstellung eines Dünnschichtsolarmoduls und Dünnschichtsolarmodul
JP2013074116A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Kyocera Corp 光電変換モジュール
KR101251841B1 (ko) * 2011-11-28 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US20150020868A1 (en) * 2012-02-14 2015-01-22 Honda Motor Co., Ltd. Thin film solar cell and method for manufacturing same
WO2013125143A1 (ja) * 2012-02-23 2013-08-29 シャープ株式会社 光電変換装置の製造方法
JP2014027032A (ja) * 2012-07-25 2014-02-06 Showa Shell Sekiyu Kk 薄膜太陽電池モジュールの製造方法
WO2014119441A1 (ja) * 2013-01-30 2014-08-07 京セラ株式会社 光電変換装置
NL2014040B1 (en) * 2014-12-23 2016-10-12 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method of making a curent collecting grid for solar cells.
WO2018134927A1 (ja) * 2017-01-18 2018-07-26 住友電気工業株式会社 双極板、セルフレーム、セルスタック、及びレドックスフロー電池
JP7113220B2 (ja) * 2018-02-06 2022-08-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体素子およびその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349325A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜太陽電池モジュール

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2758242B2 (ja) 1990-02-19 1998-05-28 トピー工業株式会社 穴加工装置
JPH03243232A (ja) 1990-02-20 1991-10-30 Toyota Motor Corp うち歯車の成形方法
JPH03243229A (ja) 1990-02-20 1991-10-30 Sekisui Chem Co Ltd 複合管の受口部形成方法
JPH07202229A (ja) 1994-07-07 1995-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 選択的被膜形成方法
JP3243227B2 (ja) 1999-03-10 2002-01-07 鐘淵化学工業株式会社 太陽電池モジュール
JP2000150944A (ja) * 1998-11-12 2000-05-30 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 太陽電池モジュール
AU731869B2 (en) * 1998-11-12 2001-04-05 Kaneka Corporation Solar cell module
KR100303010B1 (ko) 1998-12-07 2002-05-09 장병우 엘리베이터클러치장치
DE69907866T2 (de) * 1999-03-25 2004-03-11 Kaneka Corp. Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen-Modulen
JP2001053304A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 光電変換装置の製造方法
JP2001068711A (ja) 1999-08-31 2001-03-16 Tdk Corp 取り出し電極およびそれを用いた太陽電池
JP4152574B2 (ja) * 2000-09-25 2008-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜の成膜方法および半導体装置の製造方法
JP4131615B2 (ja) 2001-01-22 2008-08-13 三洋電機株式会社 集積型光起電力装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349325A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜太陽電池モジュール

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