JP6879726B2 - 表示パネル - Google Patents

Description

本発明の一態様は、表示パネル、入出力装置、情報処理装置、半導体装置または表示パネルの作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

例えば、携帯可能な情報処理装置は屋外で使用されることが多く、落下により思わぬ力が情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示装置の一例として、発光層を分離する構造体と第２の電極層との密着性が高められた構成が知られている（特許文献１）。

また、基板の同一面側に集光手段と画素電極を設け、集光手段の光軸上に画素電極の可視光を透過する領域を重ねて設ける構成を有する液晶表示装置や、集光方向Ｘと非集光方向Ｙを有する異方性の集光手段を用い、非集光方向Ｙと画素電極の可視光を透過する領域の長軸方向を一致して設ける構成を有する液晶表示装置が、知られている（特許文献２）。

特開２０１２−１９０７９４号公報 特開２０１１−１９１７５０号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルの作製方法を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な入出力装置、新規な情報処理装置、新規な半導体装置または新規な表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、画素と、絶縁膜と、第３の導電膜と、電極と、を有する表示パネルである。

絶縁膜は画素と重なる領域を備え、絶縁膜は開口部を備える。

第３の導電膜は画素と電気的に接続され、第３の導電膜は絶縁膜と重なる領域を備え、第３の導電膜は開口部と重なる領域を備える。

電極は第３の導電膜と電気的に接続され、電極は第１の領域および第２の領域を備える。

第１の領域は第３の導電膜と接する。第２の領域は接点の機能を備える。

開口部は、第３の導電膜または電極に塞がれる領域を備える。

（２）また、本発明の一態様は、絶縁膜が０．２μｍ以上１．５μｍ以下の厚さを備え、絶縁膜が１０^−３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０^−４ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、より好ましくは１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下の水蒸気透過率を備える、上記の表示パネルである。

（３）また、本発明の一態様は、第１の基材と、第２の基材と、を有する上記の表示パネルである。

第１の基材は絶縁膜と重なる領域を備え、第２の基材は第１の基材との間に絶縁膜を挟む領域を備える。

上記本発明の一態様の表示パネルは、画素と、画素と電気的に接続される第３の導電膜と、第３の導電膜と重なる開口部を備える絶縁膜と、第３の導電膜と接する第１の領域、および接点の機能を具備する第２の領域を備える電極と、を含んで構成される。これにより、絶縁膜を用いて保護された画素に信号または電力等を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（４）また、本発明の一態様は、一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、信号線と、走査線と、を有する上記の表示パネルである。

一群の複数の画素は上記画素を含み、一群の複数の画素は行方向に配設される。

他の一群の複数の画素は上記画素を含み、他の一群の複数の画素は行方向と交差する列方向に配設される。

一群の複数の画素は、走査線と電気的に接続される。

他の一群の複数の画素は、信号線と電気的に接続される。

走査線または信号線は、第３の導電膜と電気的に接続される。

（５）また、本発明の一態様は、駆動回路を有する上記の表示パネルである。

駆動回路は画像信号を供給する機能を備え、駆動回路は第２の領域と電気的に接続される。信号線は、第３の導電膜と電気的に接続される。

（６）また、本発明の一態様は、第１の基材が可撓性を備え、第２の基材が可撓性を備える上記の表示パネルである。画素は、画素回路と、表示素子と、を備える。

画素回路は、信号線と電気的に接続される。表示素子は、画素回路と電気的に接続される。

上記本発明の一態様の表示パネルは、可撓性を備える第１の基材と、可撓性を備える第２の基材と、第１の基材および第２の基材の間に挟まれる絶縁膜と重なる画素回路と電気的に接続される表示素子と、を含んで構成される。これにより、第１の基材および第２の基材の間に挟んで表示素子を屈曲することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（７）また、本発明の一態様は、画素が、画素回路と、第１の導電膜と、第１の表示素子と、第２の表示素子と、を備える表示パネルである。

画素回路は信号線と電気的に接続される。

第１の導電膜は第２の導電膜と重なる領域を備え、第１の導電膜は第２の導電膜との間に絶縁膜を挟む領域を備える。第１の導電膜は第２の導電膜との間に開口部を挟む領域を備え、第１の導電膜は開口部において第２の導電膜と電気的に接続される。

第１の表示素子は第１の導電膜と電気的に接続される。第２の表示素子は画素回路と電気的に接続される。

これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。また、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（８）また、本発明の一態様は、第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認できるように、上記の第２の表示素子が配設される上記の表示パネルである。

これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（９）また、本発明の一態様は、上記の表示パネルと、入力部と、を有する入出力装置である。

入力部は表示パネルと重なる領域を備え、入力部は制御線と、検知信号線と、検知素子と、を備える。

検知素子は、制御線および検知信号線と電気的に接続される。

制御線は、制御信号を供給する機能を備える。

検知素子は制御信号を供給され、検知素子は制御信号および表示パネルと重なる領域に近接するものとの距離に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。

検知信号線は、検知信号を供給される機能を備える。

検知素子は透光性を備え、検知素子は第１の電極と、第２の電極と、を備える。

第１の電極は制御線と電気的に接続され、第２の電極は検知信号線と電気的に接続され、第２の電極は、表示パネルと重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、第１の電極との間に形成するように配置される。

これにより、表示パネルを用いて画像情報を表示しながら、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

（１０）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の入出力装置と、を含む、情報処理装置である。

これにより、入出力装置を用いて供給する位置情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

（１１）また、本発明の一態様は、第１のステップ乃至第１１のステップを有する上記の表示パネルの作製方法である。

第１のステップにおいて、剥離膜を工程用基板に形成する。

第２のステップにおいて、剥離膜と重なる領域を備える第１の絶縁膜を形成する。

第３のステップにおいて、第１の絶縁膜を加熱する。

第４のステップにおいて、第１の絶縁膜と重なる領域を備える第２の絶縁膜を形成する。

第５のステップにおいて、第２の絶縁膜に開口部を、第１の絶縁膜および剥離膜に上記開口部と重なる開口部を形成する。

第６のステップにおいて、工程用基板に接する電極を開口部に形成する。

第７のステップにおいて、電極と接する導電膜および導電膜と電気的に接続される画素回路を形成する。

第８のステップにおいて、画素回路と電気的に接続される表示素子を形成する。

第９のステップにおいて、第２の絶縁膜と重なるように第２の基材を積層する。

第１０のステップにおいて、工程用基板から分離する。

第１１のステップにおいて、第１の基材を積層する。

上記本発明の一態様の表示パネルの作製方法は、剥離膜を工程用基板に形成するステップと、第２の絶縁膜に開口部を形成し、当該開口部と重なる開口部を剥離膜に形成するステップと、工程用基板に接する電極を当該開口部に形成するステップと、電極に接する導電膜、導電膜と電気的に接続される画素回路および画素回路と電気的に接続される表示素子を形成するステップと、工程用基板から分離するステップと、を含んで構成される。これにより、一方の端部が導電膜に接し、他方の端部が開口部に露出する電極を形成することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルの作製方法を提供することができる。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供できる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供できる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供できる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルの作製方法を提供できる。または、新規な表示パネル、新規な入出力装置、新規な情報処理装置、新規な半導体装置または新規な表示パネルの作製方法を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る入出力装置の画素の構成を説明する図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の画素回路の構成を説明する回路図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する上面図。 実施の形態に係る入出力装置の画素の構成を説明する図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の画素回路の構成を説明する回路図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る入出力装置の表示パネルの反射膜の形状を説明する模式図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の作製方法を説明する断面図。 実施の形態に係る電子機器の構成を説明する図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図。

本発明の一態様の表示パネルは、画素と、画素と電気的に接続される第３の導電膜と、第３の導電膜と重なる開口部を備える絶縁膜と、第３の導電膜と接する第１の領域および接点の機能を具備する第２の領域を備える電極と、を含んで構成される。

これにより、絶縁膜を用いて保護された画素に信号または電力等を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１乃至図６を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置の上面図である。図１（Ｂ−１）は本発明の一態様の入出力装置の入力部の一部を説明する模式図であり、図１（Ｂ−２）は図１（Ｂ−１）の一部を説明する模式図である。図１（Ｃ）は、本発明の一態様の入出力装置の表示パネルの一部を説明する模式図である。

図２は本発明の一態様の入出力装置の画素の構成を説明する図である。図２（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置の画素の上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の一部を説明する図である。

図３および図４は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する断面図である。図３（Ａ）は図１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の一部を説明する図であり、図３（Ｃ）は、図３（Ａ）の一部を説明する模式図である。

図４は図１（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、切断線Ｘ９−Ｘ１０、切断線Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。

図５は本発明の一態様の入出力装置の画素回路の構成を説明する回路図である。

図６は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。図６（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明するブロック図であり、図６（Ｂ）は本発明の一態様の入出力装置の入力部の構成を説明するブロック図である。

＜入出力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入出力装置７００ＴＰ１は、表示パネルと、入力部と、を有する（図３または図６参照）。

《表示パネルの構成例》
本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、画素７０２（ｉ，ｊ）と、絶縁膜５０１Ｃと、第３の導電膜５１１Ｂと、電極５１９Ｂと、を有する（図３（Ａ）参照）。

絶縁膜５０１Ｃは画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ｂを備える。

第３の導電膜５１１Ｂは画素７０２（ｉ，ｊ）と電気的に接続され、第３の導電膜５１１Ｂは絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備え、第３の導電膜５１１Ｂは開口部５９１Ｂと重なる領域を備える。

電極５１９Ｂは第３の導電膜５１１Ｂと電気的に接続される。電極５１９Ｂは、第１の領域５１９Ｂ１および第２の領域５１９Ｂ２を備える（図３（Ｃ）参照）。

第１の領域５１９Ｂ１は第３の導電膜５１１Ｂと接し、第２の領域５１９Ｂ２は接点の機能を備える。開口部５９１Ｂは、第３の導電膜５１１Ｂまたは電極５１９Ｂに塞がれる領域を備える。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ｂの一部を塞ぐ第３の導電膜５１１Ｂまたは電極５１９Ｂを、貫通電極ということができる。言い換えると、開口部５９１Ｂの一部を埋める第３の導電膜５１１Ｂまたは電極５１９Ｂを、貫通電極ということができる。また、例えば第２の領域５１９Ｂ２は、絶縁膜５０１Ａの表面から突出する形状を備える。

絶縁膜５０１Ｃは、０．２μｍ以上１．５μｍ以下の厚さを備え、１０^−３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０^−４ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、より好ましくは１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下の水蒸気透過率を備える。

また、本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、第１の基材５１０Ｌと、第２の基材７１０Ｌと、を有する（図４参照）。

第１の基材５１０Ｌは絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備え、第２の基材７１０Ｌは第１の基材５１０Ｌとの間に、絶縁膜５０１Ｃを挟む領域を備える。

本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、画素と、画素と電気的に接続される第３の導電膜と、第３の導電膜と重なる開口部を備える絶縁膜と、第３の導電膜と接する第１の領域および接点の機能を具備する第２の領域を備える電極と、を含んで構成される。これにより、絶縁膜を用いて保護された画素に信号または電力等を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

また、本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、信号線Ｓ２（ｊ）と、走査線Ｇ２（ｉ）と、を有する（図６（Ａ）参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍまたはｎの一方は１より大きい整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、行方向（図中に矢印Ｒ１で示す）に配設される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す）に配設される。

走査線Ｇ２（ｉ）は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。

走査線Ｇ２（ｉ）または信号線Ｓ２（ｊ）は、第３の導電膜５１１Ｂと電気的に接続される。

また、本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、駆動回路ＳＤを有する（図６（Ａ）参照）。駆動回路ＳＤは画像信号を供給する機能を備え、駆動回路ＳＤは第２の領域５１９Ｂ２と電気的に接続される。信号線Ｓ２（ｊ）は、第３の導電膜５１１Ｂと電気的に接続される。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、電極５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。

また、第１の基材５１０Ｌは可撓性を備え、第２の基材７１０Ｌは可撓性を備える（図３（Ａ）または図４参照）。

また、本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルの画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、を備える。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続され、表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図３（Ａ）または図５参照）。

本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、可撓性を備える第１の基材と、可撓性を備える第２の基材と、第１の基材および第２の基材の間に挟まれる絶縁膜と、当該絶縁膜と重なる画素回路と電気的に接続される表示素子と、を含んで構成される。これにより、第１の基材および第２の基材の間に挟んで表示素子を屈曲することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、絶縁膜５０１Ａを有する（図３（Ａ）または図４参照）。絶縁膜５０１Ａは、開口部５９１Ｂと重なる開口部および開口部５９１Ｃと重なる開口部を備える。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、導電膜ＡＮＯを有する（図６参照）。

また、本実施の形態で説明する表示パネルの表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図３（Ａ）参照）。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の電極５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図５参照）。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図３（Ａ）参照）。

第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、を有する。また、着色膜ＣＦ１を有する（図３（Ａ）および図４参照）。

遮光膜ＢＭは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

着色膜ＣＦ１は、第２の基材７１０Ｌおよび表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備え、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間または遮光膜ＢＭと表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から表示素子５５０（ｉ，ｊ）への不純物の拡散を、抑制することができる。

機能膜７７０Ｐは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、第１の基材５１０Ｌと、第２の基材７１０Ｌと、機能層５２０と、を有する。

第２の基材７１０Ｌは第１の基材５１０Ｌと重なる領域を備える。第２の基材７１０Ｌは絶縁膜７１０Ａ、基材７１０Ｂ、接合層７１０Ｃを備える。絶縁膜７１０Ａは基材７１０Ｂと重なる領域を備え、接合層７１０Ｃは絶縁膜７１０Ａおよび基材７１０Ｂの間に挟まれる領域を備える。

第１の基材５１０Ｌは、基材５１０Ｂおよび接合層５１０Ｃを備える。接合層５１０Ｃは基材５１０Ｂと重なる領域を備える。

機能層５２０は第１の基材５１０Ｌおよび第２の基材７１０Ｌの間に挟まれる領域を備える。機能層５２０は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、を含む。機能層５２０は絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）。

絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５２８は絶縁膜５２１および第２の基材７１０Ｌの間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５２８は表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極の短絡を防止する。

絶縁膜５１８は絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５１６は絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える（図３（Ｂ）参照）。

接合層７０９は、機能層５２０および第２の基材７１０Ｌの間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および第２の基材７１０Ｌを貼り合せる機能を備える。

電極５１９Ｃは導電膜５１１Ｃと電気的に接続される（図４参照）。電極５１９Ｃは、第１の領域および第２の領域を備える。第１の領域は導電膜５１１Ｃと接し、第２の領域は接点の機能を備える。開口部５９１Ｃは、導電膜５１１Ｃまたは電極５１９Ｃに塞がれる領域を備える。また、例えば第２の領域は、絶縁膜５０１Ａの表面から突出する形状を備える。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、を有する（図１および図６参照）。

駆動回路ＧＤは、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続される。駆動回路ＧＤは、例えばトランジスタＭＤを備える（図３（Ａ）参照）。具体的には、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が備えるトランジスタに含まれる半導体膜と同じ工程で形成することができる半導体膜を、トランジスタＭＤに用いることができる。

《入力部の構成例》
本実施の形態で説明する入出力装置の入力部は、表示パネルと重なる領域を備える（図１（Ａ）、図３（Ａ）および図４参照）。

入力部は制御線ＣＬ（ｇ）と、検知信号線ＭＬ（ｈ）と、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と、を備える（図１（Ｂ−２）参照）。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。

制御線ＣＬ（ｇ）は、制御信号を供給する機能を備える。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は制御信号を供給され、検知素子７７５（ｇ，ｈ）は制御信号および表示パネルと重なる領域に近接するものとの距離に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。

検知信号線ＭＬ（ｈ）は、検知信号を供給される機能を備える。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は透光性を備える。検知素子７７５（ｇ，ｈ）は第１の電極Ｃ（ｇ）と、第２の電極Ｍ（ｈ）と、を備える。

第１の電極Ｃ（ｇ）は制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される。第２の電極Ｍ（ｈ）は検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、第２の電極Ｍ（ｈ）は表示パネルと重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、第１の電極Ｃ（ｇ）との間に形成するように配置される。

これにより、表示パネルを用いて画像情報を表示しながら、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

また、本実施の形態で説明する入力部は、第２の基材７１０Ｌと、接合層７０９の間に挟まれる領域を備える（図３（Ａ）または図４参照）。

本実施の形態で説明する入力部は、機能膜７７０Ｐを備える。機能膜７７０Ｐは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）との間に検知素子７７５（ｇ，ｈ）を挟むように配設される。これにより、例えば、検知素子７７５（ｇ，ｈ）が反射する光の強度を低減することができる。

本実施の形態で説明する入力部は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する（図６（Ｂ）参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図６（Ｂ）に矢印Ｒ２で示す方向は、図６（Ａ）に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。

行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される電極Ｃ（ｇ）を含む。

列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される電極Ｍ（ｈ）を含む。

また、本実施の形態で説明する入出力装置の制御線ＣＬ（ｇ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図３（Ａ）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と重なる領域を備える。

絶縁膜７０６は、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。

また、本実施の形態で説明する入出力装置は、発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図６（Ｂ）参照）。

発振回路ＯＳＣは制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される。発振回路ＯＳＣは制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。

検知回路ＤＣは検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。検知回路ＤＣは検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。

また、本実施の形態で説明する入力部は機能層７２０を有する。

機能層７２０は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）および基材７１０Ｌの間に挟まれる領域を備える。機能層７２０は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と、絶縁膜７０６と、を備える。

また、本実施の形態で説明する入力部は、端子７１９、電極５５２Ｃおよび導電材料ＣＰを備える（図４参照）。

端子７１９は制御線ＣＬ（ｇ）または検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。電極５５２Ｃは導電膜５１１Ｃと電気的に接続される。導電材料ＣＰは端子７１９および導電膜５１１Ｃの間に挟まれる領域を備える。導電材料ＣＰは端子７１９および導電膜５１１Ｃを電気的に接続する。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ２を用いて、端子７１９とフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる（図４参照）。

以下に、入出力装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

《構成例》
本発明の一態様の入出力装置は、表示パネルまたは入力部を有する。

本発明の一態様の表示パネルは、基材５１０Ｌ、基材７１０Ｌまたは接合層７０９を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、機能層５２０、絶縁膜５２１または絶縁膜５２８を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）または導電膜ＡＮＯを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、電極５１９Ｂ、電極５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ２を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、着色膜ＣＦ１、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１または機能膜７７０Ｐを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２または発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、絶縁膜５０１Ａおよび絶縁膜５０１Ｃを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。

《基材５１０Ｌ》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材５１０Ｌ等に用いることができる。例えば、厚さ０．１ｍｍ以上厚さ０．７ｍｍ以下の材料を基材５１０Ｌに用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基材５１０Ｌ等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材５１０Ｌ等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基材５１０Ｌ等に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材５１０Ｌ等に用いることができる。これにより、半導体素子を基材５１０Ｌ等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材５１０Ｌ等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。

例えば、可撓性を備える積層材料を基材５１０Ｌに用いることができる。具体的には、接合層５１０Ｃおよび基材５１０Ｂを積層した積層材料を、基材５１０Ｌに用いることができる。なお、接合層５１０Ｃは絶縁膜５０１Ａおよび基材５１０Ｂを貼り合わせる機能を備える。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材５１０Ｌ等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基材５１０Ｌ等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基材５１０Ｌ等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材５１０Ｌ等に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基材５１０Ｌ等に用いることができる。

また、紙または木材などを基材５１０Ｌ等に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基材５１０Ｌ等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基材５１０Ｌ等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《基材７１０Ｌ》
例えば、透光性を備える材料を基材７１０Ｌに用いることができる。具体的には、基材５１０Ｌに用いることができる材料から選択された材料を基材７１０Ｌに用いることができる。

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基材７１０Ｌに好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

また、例えば、厚さ０．１ｍｍ以上厚さ０．７ｍｍ以下の材料を基材７１０Ｌに用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。

例えば、可撓性を備える積層材料を基材７１０Ｌに用いることができる。具体的には、接合層７１０Ｃを用いて絶縁膜７１０Ａおよび基材７１０Ｂを貼り合せた積層材料を、基材７１０Ｌに用いることができる。

《接合層７０９》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層７０９等に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、接合層７０９等に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接合層７０９等に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を接合層７０９等に用いることができる。

《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《絶縁膜５０１Ａ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

例えば、シリコンおよび酸素を含む厚さ６００ｎｍの材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍの材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。または、シリコンおよび酸素を含む厚さ６００ｎｍの材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２８０ｎｍの材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。または、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ６００ｎｍの膜と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、シリコンおよび窒素を含む厚さ３５０ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

または、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、シリコンおよび窒素を含む厚さ１００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ１００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

または、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ１８０ｎｍの膜と、シリコンおよび窒素を含む厚さ１４０ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２１５ｎｍの膜と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

《配線、電極、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）、導電膜ＡＮＯ、電極５１９Ｂ、電極５１９Ｃ、端子７１９、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）および導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図５参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。

例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。

なお、半導体膜をゲート電極との間に挟む領域を具備する導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。

容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。

なお、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

《スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ》
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをスイッチＳＷ２、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ等に用いることができる。

例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。

例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。

トランジスタＭは、半導体膜５０８および半導体膜５０８と重なる領域を備える導電膜５０４を備える（図３（Ｂ）参照）。また、トランジスタＭは、半導体膜５０８と電気的に接続される導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える。

なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を備え、絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。また、導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

また、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を具備する導電膜５２４を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。

《遮光膜ＢＭ》
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。

《機能膜７７０Ｐ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。

《表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、発光素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。

例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について反射性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を第４の電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について透光性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。

《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、トランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭと同一の構成を備えるトランジスタを、トランジスタＭＤに用いることができる。また、トランジスタＭと異なる構成を備えるトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる。

《駆動回路ＳＤ》
駆動回路ＳＤは、画像信号を供給する機能を有する。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法を用いて、駆動回路ＳＤを電極５１９Ｂに実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を電極５１９Ｂに実装することができる。または、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を電極５１９Ｂに実装することができる。

＜酸化物半導体膜の抵抗率の制御方法＞
酸化物半導体膜の抵抗率を制御する方法について説明する。

所定の抵抗率を備える酸化物半導体膜を、半導体膜５０８または導電膜５２４等に用いることができる。

例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素、水等の不純物の濃度及び／又は膜中の酸素欠損を制御する方法を、酸化物半導体膜の抵抗率を制御する方法に用いることができる。

具体的には、プラズマ処理を水素、水等の不純物濃度及び／又は膜中の酸素欠損を増加または低減する方法に用いることができる。

具体的には、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素、ボロン、リン及び窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いて行うプラズマ処理を適用できる。例えば、Ａｒ雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒと水素の混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、アンモニア雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、または窒素雰囲気下でのプラズマ処理などを適用できる。これにより、キャリア密度が高く、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。

または、イオン注入法、イオンドーピング法またはプラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リンまたは窒素を酸化物半導体膜に注入して、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。

または、水素を含む絶縁膜を酸化物半導体膜に接して形成し、絶縁膜から酸化物半導体膜に水素を拡散させる方法を用いることができる。これにより、酸化物半導体膜のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。

例えば、膜中の含有水素濃度が１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の絶縁膜を酸化物半導体膜に接して形成することで、効果的に水素を酸化物半導体膜に含有させることができる。具体的には、窒化シリコン膜を酸化物半導体膜に接して形成する絶縁膜に用いることができる。

酸化物半導体膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。これにより、キャリア密度が高く、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。

具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度が、８×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、より好ましくは５×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である酸化物半導体を導電膜５２４に好適に用いることができる。

一方、抵抗率の高い酸化物半導体をトランジスタのチャネルが形成される半導体膜に用いることができる。具体的には半導体膜５０８に好適に用いることができる。

例えば、酸素を含む絶縁膜、別言すると、酸素を放出することが可能な絶縁膜を酸化物半導体膜に接して形成し、絶縁膜から酸化物半導体膜に酸素を供給させて、膜中または界面の酸素欠損を補填することができる。これにより、抵抗率が高い酸化物半導体膜にすることができる。

例えば、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を、酸素を放出することが可能な絶縁膜に用いることができる。

酸素欠損が補填され、水素濃度が低減された酸化物半導体膜は、高純度真性化、又は実質的に高純度真性化された酸化物半導体膜といえる。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体膜のキャリア密度が、８×１０^１１／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１１／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１０／ｃｍ^３未満であることを指す。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度を低減することができる。

また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜を備えるトランジスタは、オフ電流が著しく小さく、チャネル幅が１×１０^６μｍでチャネル長Ｌが１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０^−１３Ａ以下という特性を備えることができる。

上述した高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜をチャネル領域に用いるトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。

具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度が、２×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を、トランジスタのチャネルが形成される半導体に好適に用いることができる。

なお、半導体膜５０８よりも水素濃度及び／又は酸素欠損量が多く、抵抗率が低い酸化物半導体膜を、導電膜５２４に用いる。

また、半導体膜５０８に含まれる水素濃度の２倍以上、好ましくは１０倍以上の濃度の水素を含む膜を、導電膜５２４に用いることができる。

また、半導体膜５０８の抵抗率の１×１０^−８倍以上１×１０^−１倍未満の抵抗率を備える膜を、導電膜５２４に用いることができる。

具体的には、１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^４Ωｃｍ未満、好ましくは、１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^−１Ωｃｍ未満である膜を、導電膜５２４に用いることができる。

《検知素子７７５（ｇ，ｈ）》
例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する素子を、検知素子７７５（ｇ，ｈ）に用いることができる。

具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子７７５（ｇ，ｈ）に用いることができる。

例えば、大気中において、大気より大きな誘電率を備える指などが導電膜に近接すると、指などと導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知情報を供給することができる。具体的には、自己容量方式の検知素子を用いることができる。

例えば、電極Ｃ（ｇ）と、電極Ｍ（ｈ）と、を検知素子に用いることができる。具体的には、制御信号が供給される電極Ｃ（ｇ）と、電極Ｃ（ｇ）との間に近接するものによって一部が遮られる電界が形成されるように配設される電極Ｍ（ｈ）と、を用いることができる。これにより、近接するものに遮られて変化する電界を検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位を用いて検知して、検知信号として供給することができる。その結果、電界を遮るように近接するものを検知することができる。具体的には、相互容量方式の検知素子を用いることができる。

《制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）》
導電性を備え、可視光について透光性を有する材料を、制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）または導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）に用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を備える材料を、制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）または導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）に用いることができる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）または導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）または導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）または導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）または導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）または導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）に用いることができる。

《絶縁膜７０６》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜７０６等に用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む膜を絶縁膜７０６に用いることができる。

＜入出力装置の構成例２．＞
本発明の一態様の入出力装置の構成について、図３１を参照しながら説明する。

図３１は、本発明の一態様の入出力装置８００ＴＰ１の構成を説明する図である。図３１（Ａ）は折り曲げられた状態の入出力装置の構成を説明する投影図であり、図３１（Ｂ）は図３１（Ａ）の切断線Ｙ１−Ｙ２における断面の構成を説明する断面図である。図３１（Ｃ）は、入出力装置の可撓性を備える領域の詳細な構成を説明する断面図である。

本実施の形態で説明する入出力装置８００ＴＰ１は、表示パネルと、入力部と、筐体８２０と、を有する（図３１（Ａ）参照）。

入力部は表示パネルと重なる領域を備え、当該領域は可撓性を具備する領域８０１を備える。例えば、上記で説明した入出力装置７００ＴＰ１を表示パネルおよび入力部に用いることができる。

筐体８２０は、曲率半径がＲ（ｍｍ）以上の曲面を領域８０１が具備するように、領域８０１を屈曲する機能を備える（図３１（Ｂ）参照）。例えば、筐体８２０は、部材８２１、部材８２２およびヒンジ部８２３を備える（図３１（Ａ）参照）。ヒンジ部８２３は、部材８２１に対して部材８２２を回動可能に接続する機能を備える。ヒンジ部８２３は、曲率半径がＲ以上の曲面を、ヒンジ部８２３と重なる領域８０１に形成する機能を備える。

なお、例えば、領域８０１に形成される曲面の曲率半径がＲ（ｍｍ）になるようにヒンジ部８２３を折り畳んだ状態において、部材８２１および部材８２２が接触する形状を、部材８２１および部材８２２に用いることができる。これにより、領域８０１に曲率半径がＲ（ｍｍ）より小さい曲面が形成されてしまう不具合を防ぐことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、曲率半径が小さすぎる過度な折り曲げがもたらす入出力装置７００ＴＰ１の破壊を防ぐことができる。または、例えば、入出力装置８００ＴＰ１の屈曲および展開を１０万回以上繰り返すことができる。

領域８０１は、機能層５２０、機能層７２０および接合層７０９を備える（図３１（Ｃ）参照）。例えば、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を機能層５２０に用いることができる。また、例えば、着色膜ＣＦ１または検知素子７７５（ｇ，ｈ）を機能層７２０に用いることができる。

機能層７２０は、機能層５２０と重なる領域を備える。なお、例えば、機能層５２０は、２μｍの厚さを備え、１００ＧＰａのヤング率および０．２５のポアソン比を備える。また、機能層７２０は、１μｍの厚さを備え、１００ＧＰａのヤング率および０．２５のポアソン比を備える。

接合層７０９は機能層５２０および機能層７２０の間に挟まれる領域を備え、接合層７０９はＴ（μｍ）の厚さを備える。なお、例えば、接合層７０９は３ＧＰａのヤング率および０．３のポアソン比を備える。

厚さＴは、曲率半径Ｒとの間に次式で示す関係を備える。なお、曲率半径Ｒの単位はｍｍであり、厚さＴの単位はμｍである。例えば、厚さＴは０．１μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは、１μｍ以上１００μｍ以下である。

例えば、１３μｍの厚さを具備する接合層７０９を備える入出力装置７００ＴＰ１を、５ｍｍ以上の曲率半径で屈曲することができる筐体と組み合わせて用いることができる。

または、１０μｍの厚さを具備する接合層７０９を備える入出力装置７００ＴＰ１を、３ｍｍ以上の曲率半径で屈曲することができる筐体と組み合わせて用いることができる。

または、８μｍの厚さを具備する接合層７０９を備える入出力装置７００ＴＰ１を、３ｍｍ以上の曲率半径で屈曲することができる筐体と組み合わせて用いることができる。

または、６μｍの厚さを具備する接合層７０９を備える入出力装置７００ＴＰ１を、２ｍｍ以上の曲率半径で屈曲することができる筐体と組み合わせて用いることができる。

なお、２３μｍの厚さ、７ＧＰａのヤング率および０．３のポアソン比を備える基材５１０Ｂおよび１０μｍの厚さ、３ＧＰａのヤング率および０．３のポアソン比を備える接合層５１０Ｃを、基材５１０Ｌに用いることができる。

また、２３μｍの厚さ、７ＧＰａのヤング率および０．３のポアソン比を備える基材７１０Ｂおよび１０μｍの厚さ、３ＧＰａのヤング率および０．３のポアソン比を備える接合層７１０Ｃを、基材７１０Ｌに用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図７乃至図１３を参照しながら説明する。

図７は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する図である。図７（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置の上面図である。図７（Ｂ−１）は本発明の一態様の入出力装置の入力部の一部を説明する模式図であり、図７（Ｂ−２）は図７（Ｂ−１）の一部を説明する模式図である。

図８は本発明の一態様の入出力装置の画素の構成を説明する図である。図８（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置の画素の上面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の一部を説明する図である。

図９および図１０は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する断面図である。図９（Ａ）は図７（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図７（Ｂ−２）の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）の一部を説明する図であり、図９（Ｃ）は、図９（Ａ）の一部を説明する模式図である。

図１０は図７（Ｂ−２）の切断線Ｘ７−Ｘ８、図７（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０、切断線Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。

図１１は本発明の一態様の入出力装置の画素回路の構成を説明する回路図である。

図１２は本発明の一態様の入出力装置が備える表示パネルの構成を説明するブロック図である。

図１３は本発明の一態様の入出力装置の画素に用いることができる反射膜の形状を説明する模式図である。

＜入出力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入出力装置７００ＴＰ２は、表示パネルと、入力部と、を有する（図７または図９参照）。

《表示パネルの構成例》
本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、画素７０２（ｉ，ｊ）と、絶縁膜５０１Ｃと、第３の導電膜５１１Ｂと、電極５１９Ｂと、を有する（図９（Ａ）参照）。

絶縁膜５０１Ｃは画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ｂを備える。

第３の導電膜５１１Ｂは画素７０２（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。第３の導電膜５１１Ｂは絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える。第３の導電膜５１１Ｂは開口部５９１Ｂと重なる領域を備える。

電極５１９Ｂは、第３の導電膜５１１Ｂと電気的に接続される。電極５１９Ｂは、第１の領域５１９Ｂ１および第２の領域５１９Ｂ２を備える（図９（Ｃ）参照）。

第１の領域５１９Ｂ１は第３の導電膜５１１Ｂと接し、第２の領域５１９Ｂ２は接点の機能を備える。開口部５９１Ｂは、第３の導電膜５１１Ｂまたは電極５１９Ｂに塞がれる領域を備える。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ｂの一部を塞ぐ第３の導電膜５１１Ｂまたは電極５１９Ｂを、貫通電極ということができる。言い換えると、開口部５９１Ｂの一部を埋める第３の導電膜５１１Ｂまたは電極５１９Ｂを、貫通電極ということができる。また、例えば、第２の領域５１９Ｂ２は、絶縁膜５０１Ｃの表面から突出する形状を備える。

絶縁膜５０１Ｃは０．２μｍ以上１．５μｍ以下の厚さを備え、１０^−３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０^−４ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、より好ましくは１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下の水蒸気透過率を備える。

本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、第１の基材５７０と、第２の基材７７０と、を有する（図９（Ａ）参照）。

第１の基材５７０は絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備え、第２の基材７７０は第１の基材５７０との間に、絶縁膜５０１Ｃを挟む領域を備える。

本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、画素と、画素と電気的に接続される第３の導電膜と、第３の導電膜と重なる開口部を備える絶縁膜と、第３の導電膜と接する第１の領域および接点の機能を具備する第２の領域を備える電極と、を含んで構成される。これにより、絶縁膜を用いて保護された画素に信号または電力等を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

また、本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、信号線Ｓ２（ｊ）と、走査線Ｇ２（ｉ）と、を有する（図１２参照）。また、信号線Ｓ１（ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍまたはｎの一方は１より大きい整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、行方向（図中に矢印Ｒ１で示す）に配設される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す）に配設される。

走査線Ｇ２（ｉ）は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。また、走査線Ｇ１（ｉ）は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。また、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

走査線Ｇ２（ｉ）または信号線Ｓ２（ｊ）は、第３の導電膜５１１Ｂと電気的に接続される。もしくは、走査線Ｇ１（ｉ）または信号線Ｓ１（ｊ）は、第３の導電膜５１１Ｂと電気的に接続される。

また、本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルは、駆動回路ＳＤを有する（図１２参照）。駆動回路ＳＤは画像信号を供給する機能を備え、駆動回路ＳＤは第２の領域５１９Ｂ２と電気的に接続される。信号線Ｓ２（ｊ）は、第３の導電膜５１１Ｂと電気的に接続される。または、信号線Ｓ１（ｊ）は、第３の導電膜５１１Ｂと電気的に接続される。

また、本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルの画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、第１の導電膜と、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、を備える。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される（図９（Ａ）または図１１参照）。また、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

第１の導電膜は第２の導電膜と重なる領域を備える。例えば、第１の導電膜を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂを、第２の導電膜に用いることができる（図９（Ａ）および図１０参照）。

第１の導電膜は第２の導電膜との間に絶縁膜５０１Ｃを挟む領域を備え、第１の導電膜は第２の導電膜との間に開口部５９１Ａを挟む領域を備える。そして、第１の導電膜は開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される。例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。言い換えると、開口部５９１Ａの一部を埋める第１の導電膜を、貫通電極ということができる。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は第１の導電膜と電気的に接続され、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、反射膜および反射膜が反射する光の強さを制御する機能を備える。例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の反射膜に、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を用いることができる。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図９（Ａ）参照）。

反射膜は第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域が形成される形状を備える。例えば、反射膜は単数または複数の開口部７５１Ｈを備える（図１３参照）。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、開口部７５１Ｈに向けて光を射出する機能を備える。なお、開口部７５１Ｈは第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を透過する。

これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。また、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。また、制御情報に基づいて制御された電圧を供給される第２の表示素子が射出する光の一部は、第１の表示素子が備える反射膜に遮られない。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１３（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１３（Ｂ）参照）。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配設される（図１３（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。

または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図１３（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。

これにより、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に、画素７０２（ｉ，ｊ）が備える第２の表示素子とは異なる色を表示する第２の表示素子を、容易に配設することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

なお、例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を備える材料を、反射膜に用いることができる（図１３（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いることができる。

また、本実施の形態で説明する入出力装置の表示パネルの第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図１０参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印で図中に示す（図９（Ａ）参照）。

これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

また、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図１０および図１１参照）。また、例えば、第２の導電膜をソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂに用いたトランジスタを、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いることができる。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する（図１１参照）。

また、本実施の形態で説明する表示パネルの第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図９（Ａ）参照）。

第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

また、本実施の形態で説明する表示パネルの第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、液晶材料を含む層７５３と、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２と、を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図９（Ａ）および図１０参照）。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟むように配設される。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、機能膜７７０Ｄと、を有する。また、着色膜ＣＦ１および着色膜ＣＦ２を有する。

遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。着色膜ＣＦ２は、絶縁膜５０１Ｃおよび第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備え、開口部７５１Ｈと重なる領域を備える（図９（Ａ）参照）。

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

機能膜７７０Ｐは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基材７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基材５７０と、基材７７０と、機能層５２０と、を有する。

基材７７０は、基材５７０と重なる領域を備える。

機能層５２０は基材５７０および基材７７０の間に挟まれる領域を備える。機能層５２０は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、を含む。また、機能層５２０は、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む（図９（Ａ）および図９（Ｂ）参照）。

絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基材５７０の間に挟まれる領域を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域と、に開口部を備える。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極の短絡を防止する。

絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。

接合層５０５は、機能層５２０および基材５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材５７０を貼り合せる機能を備える。

封止材７０５は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材７７０を貼り合わせる機能を備える。

構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基材７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、電極５１９Ｂおよび電極５１９Ｃを有する。

電極５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂと接する。電極５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

電極５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと接する。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。

導電材料ＣＰは、電極５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、電極５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、を有する（図７または図１２参照）。

駆動回路ＧＤは、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続される。駆動回路ＧＤは、例えばトランジスタＭＤを備える（図９（Ａ）参照）。具体的には、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が備えるトランジスタに含まれる半導体膜と同じ工程で形成することができる半導体膜を含むトランジスタを、トランジスタＭＤに用いることができる。

駆動回路ＳＤは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。駆動回路ＳＤは、例えば電極５１９Ｂと電気的に接続される。

《入力部の構成例》
なお、本実施の形態で説明する入力部は、画素と重なる領域に開口部を備える電極Ｃ（ｇ）を有する点、画素と重なる領域に開口部を備える電極Ｍ（ｈ）を有する点、制御線ＣＬ（ｇ）または検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続する導電膜５１１Ｄを有する点、導電膜５１１Ｄと電気的に接続する電極５１９Ｄを有する点が、図１乃至図６を参照しながら説明する入出力装置とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

本実施の形態で説明する入出力装置の制御線ＣＬ（ｇ）は開口部が設けられた電極Ｃ（ｇ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）は開口部が設けられた電極Ｍ（ｈ）と電気的に接続される。また、開口部は画素と重なる領域を備える。例えば、制御線ＣＬ（ｇ）が備える導電膜の開口部は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える（図７（Ｂ−１）、図７（Ｂ−２）および図９（Ａ）参照）。

本実施の形態で説明する入出力装置は、制御線ＣＬ（ｇ）および第２の電極７５２の間または検知信号線ＭＬ（ｈ）および第２の電極７５２の間に０．２μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上４μｍ以下の間隔を備える。

上記本発明の一態様の入出力装置は、画素と重なる領域に開口部が設けられた第１の電極と、画素と重なる領域に開口部が設けられた第２の電極と、を含んで構成される。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。また、入出力装置の厚さを薄くすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

また、本実施の形態で説明する入出力装置の入力部は、機能層７２０を、基材７７０、絶縁膜５０１Ｃおよび封止材７０５に囲まれる領域に有する。これにより、基材７１０および接合層７０９を用いることなく入出力装置を構成することができる。

また、本実施の形態で説明する入出力装置は、導電膜５１１Ｄを有す（図１０参照）。

なお、制御線ＣＬ（ｇ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、制御線ＣＬ（ｇ）と導電膜５１１Ｄを電気的に接続することができる。または、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、検知信号線ＭＬ（ｈ）と導電膜５１１Ｄを、電気的に接続することができる。

また、本実施の形態で説明する入出力装置は、導電膜５１１Ｄと電気的に接続する電極５１９Ｄを有する。電極５１９Ｄは導電膜５１１Ｄと電気的に接続される（図１０参照）。電極５１９Ｄは、第１の領域および第２の領域を備える。第１の領域は導電膜５１１Ｄと接し、第２の領域は接点の機能を備える。開口部５９１Ｄは、導電膜５１１Ｄまたは電極５１９Ｄに塞がれる領域を備える。また、例えば第２の領域は、絶縁膜５０１Ｃの表面から突出する形状を備える。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ２を用いて、電極５１９Ｄとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる。これにより、例えば、電極５１９Ｄを用いて制御信号を制御線ＣＬ（ｇ）に供給することができる。または、電極５１９Ｄを用いて検知信号を、検知信号線ＭＬ（ｈ）から供給されることができる。

《構成例》
本発明の一態様の入出力装置は、表示パネルまたは入力部を有する。

本発明の一態様の表示パネルは、基材５７０、基材７７０、機能層５２０、構造体ＫＢ１、封止材７０５または接合層５０５を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは導電膜ＡＮＯを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、電極５１９Ｂ、電極５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部、液晶材料を含む層７５３または第２の電極７５２を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２または発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、絶縁膜５０１Ｃを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。

また、入力部は、基材７１０と、機能層７２０と、接合層７０９と、端子７１９と、を有する（図４および図５参照）。

機能層７２０は、基材７７０および基材７１０の間に挟まれる領域を備える。機能層７２０は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と、絶縁膜７０６と、を備える。

接合層７０９は、機能層７２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層７２０および基材７７０を貼り合せる機能を備える。

端子７１９は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と電気的に接続される。

《基材５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材５７０等に用いることができる。例えば、実施の形態１で説明する基材５１０Ｌ等に用いることができる材料を用いることができる。

《基材７７０》
例えば、透光性を備える材料を基材７７０に用いることができる。具体的には、基材５７０に用いることができる材料から選択された材料を基材７７０に用いることができる。

《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。例えば、実施の形態１で説明する接合層７０９等に用いることができる材料を用いることができる。

《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、実施の形態１で説明する絶縁膜５２１等に用いることができる材料を用いることができる。

《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

《配線、電極、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、導電膜ＡＮＯ、電極５１９Ｂ、電極５１９Ｃ、端子７１９、導電膜５１１Ｂ、導電膜５１１Ｃまたは導電膜５１１Ｄ等に用いることができる。例えば、実施の形態１で説明する配線等に用いることができる材料を用いることができる。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図１１参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。

例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。

容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。

なお、半導体膜をゲート電極との間に挟む領域を具備する導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。

容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。

なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極をスイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続し、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０を駆動することができる。

また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

《スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ》
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭまたはトランジスタＭＤ等に用いることができる。

例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。

例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタと比較して小さいトランジスタをスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭまたはトランジスタＭＤ等に用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜５０８に用いたトランジスタをスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭまたはトランジスタＭＤ等に用いることができる。

これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える導電膜５０４と、絶縁膜５０１Ｃおよび導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える半導体膜５０８と、を備える。なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える（図９（Ｂ）参照）。

半導体膜５０８は、導電膜５０４と重ならない第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂと、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる第３の領域５０８Ｃと、を備える。

スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、第３の領域５０８Ｃおよび導電膜５０４の間に絶縁膜５０６を備える。なお、絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂは、第３の領域５０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を備える。

なお、例えば実施の形態１において詳細に説明する酸化物半導体膜の抵抗率の制御方法を用いて、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂを半導体膜５０８に形成することができる。具体的には、希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を適用することができる。

また、例えば、導電膜５０４をマスクに用いることができる。これにより、第３の領域５０８Ｃの一部の形状を、導電膜５０４の端部の形状に自己整合させることができる。

スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、第１の領域５０８Ａと接する導電膜５１２Ａと、第２の領域５０８Ｂと接する導電膜５１２Ｂと、を備える。導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、ソース電極またはドレイン電極の機能を備える。

スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、同一の工程で形成することができる。

《遮光膜ＢＭ》
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。

《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。

具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。

《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、発光素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、実施の形態１で説明する表示素子５５０（ｉ，ｊ）等に用いることができる表示素子を用いることができる。

《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、トランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。例えば、トランジスタＭと同一の構成を備えるトランジスタを、トランジスタＭＤに用いることができる。また、トランジスタＭと異なる構成を備えるトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる。

《駆動回路ＳＤ》
駆動回路ＳＤは、画像信号を供給する機能を有する。例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法を用いて、駆動回路ＳＤを電極５１９Ｂに実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を電極５１９Ｂに実装することができる。または、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を電極５１９Ｂに実装することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の作製方法について、図１４乃至図２２を参照しながら説明する。

図１４は本発明の一態様の入出力装置の作製方法を説明するフロー図である。

図１５乃至図２２は作製工程中の本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１５、図１７、図１９および図２１は図１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図である。また、図１６、図１８、図２０および図２２は図１（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、切断線Ｘ９−Ｘ１０、切断線Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。なお、図１７（Ｄ）は、図１７（Ｃ）の一部を説明する図である。

＜入出力装置の作製方法１．＞
本実施の形態で説明する入出力装置の作製方法は、以下の１１のステップを有する（図１４参照）。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、剥離膜５１０Ｗを工程用基板５１０に形成する（図１４（Ｕ１）参照）。

例えば、無機材料または有機樹脂等を剥離膜５１０Ｗに用いることができる。

例えば、単膜の材料または複数の膜が積層された材料を剥離膜５１０Ｗに用いることができる。

具体的には、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または該元素を含む化合物等の無機材料を剥離膜５１０Ｗに用いることができる。

タングステンを含む膜またはタングステンを含む膜およびタングステンの酸化物を含む膜が積層された材料を、剥離膜５１０Ｗに用いることができる。

タングステンを含む膜に他の膜を積層する方法を用いて、タングステンの酸化物を含む膜を形成することができる。具体的には、タングステンを含む膜にシリコンおよび酸素を含む膜を積層する。例えば、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を含むガスを用いて、シリコンおよび酸素を含む膜を積層する。

また、タングステンを含む膜の表面に、さまざまな処理を施してタングステンの酸化物を含む膜を形成することができる。例えば、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理または酸化力の強い溶液（例えば、オゾン水等）を用いる処理等を施す。

具体的には、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を含む雰囲気でプラズマ処理された表面を備える、厚さ３０ｎｍのタングステンを含む膜を、剥離膜５１０Ｗに用いることができる。または、シランおよび亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を含む雰囲気でプラズマ処理された表面を備える厚さ３０ｎｍのタングステンを含む膜を、剥離膜５１０Ｗに用いることができる。

ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の有機材料を剥離膜５１０Ｗに用いることができる。具体的には、ポリイミドを含む膜を剥離膜５１０Ｗに用いることができる。２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、より好ましくは３００℃以上、より好ましくは３５０℃以上の耐熱性を備えるポリイミドを含む膜を剥離膜５１０Ｗに用いることができる。

作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を工程用基板５１０に用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を工程用基板５１０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を工程用基板５１０に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、石英またはサファイア等を、工程用基板５１０に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、工程用基板５１０に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、工程用基板５１０に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、工程用基板５１０に用いることができる。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、剥離膜５１０Ｗと重なる領域を備える絶縁膜５０１Ａを形成する（図１４（Ｕ２）、図１５（Ａ）および図１６（Ａ）参照）。

後のステップで工程用基板５１０から分離することができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いる。例えば、工程用基板５１０側に剥離膜５１０Ｗを残して工程用基板５１０から分離することができる材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。または、剥離膜５１０Ｗと共に工程用基板５１０から分離することができる材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

例えば、シラン等を原料ガスに用いる化学気相成長法により、絶縁膜５０１Ａを形成することができる。

具体的には、膜５０１Ａ１と、膜５０１Ａ２と、をこの順で積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

例えば、２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の厚さの膜を膜５０１Ａ１に用いることができる。また、シリコンおよび酸素を含む材料またはシリコン、酸素および窒素を含む材料を膜５０１Ａ１に用いることができる。

例えば、２００ｎｍ程度の膜を膜５０１Ａ２に用いることができる。また、シリコンおよび窒素を含む材料を膜５０１Ａ２に用いることができる。

絶縁膜５０１Ａは、後のステップにおいて加熱され、水素を供給する機能を備える。また、膜５０１Ａ２は水素の透過を抑制する機能を備える。後のステップにおいて加熱された絶縁膜５０１Ａが供給する水素は、絶縁膜５０１Ａと剥離膜５１０Ｗの界面に向かって拡散する。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、絶縁膜５０１Ａを加熱する（図１４（Ｕ３）参照）。

これにより、例えば、絶縁膜５０１Ａは水素を供給し、水素は剥離膜５１０Ｗに到達する。これにより、絶縁膜５０１Ａと工程用基板５１０の間に、後のステップにおいて工程用基板５１０から絶縁膜５０１Ａを分離することができる構造が形成される。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、絶縁膜と重なる領域を備える絶縁膜５０１Ｃを形成する（図１４（Ｕ４）、図１５（Ｂ）および図１６（Ｂ）参照）。

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、絶縁膜５０１Ｃに開口部５９１Ｂを、絶縁膜５０１Ａおよび剥離膜５１０Ｗに開口部５９１Ｂと重なる開口部を形成する（図１４（Ｕ５）、図１５（Ｃ）および図１６（Ｃ）参照）。

例えば、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いて所定の形状にする。なお、工程用基板５１０の開口部５９１Ｂと重なる領域に、窪みが形成される場合がある。

《第６のステップ》
第６のステップにおいて、工程用基板５１０に接する電極５１９Ｂを開口部５９１Ｂに形成する（図１４（Ｕ６）、図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）、図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）参照）。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ｂの一部を塞ぐ電極５１９Ｂを、貫通電極ということができる。言い換えると、開口部５９１Ｂの一部を埋める電極５１９Ｂを、貫通電極ということができる。

例えば、無電解メッキ法またはスパッタリング法等を電極５１９Ｂの形成に用いることができる。例えば、不要な部分を除去して、電極５１９Ｂを所定の形状にすることができる。具体的には、化学機械研磨法等を用いることができる。または、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いることができる。

なお、後のステップで工程用基板５１０から分離することができる材料を電極に用いる。例えば、工程用基板５１０にガラスを用いる場合、ガラスに対する密着性の悪い材料を電極に用いることができる。具体的には、銅等を電極に用いることができる。

《第７のステップ》
第７のステップにおいて、電極５１９Ｂと接する導電膜５１１Ｂおよび導電膜５１１Ｂと電気的に接続される画素回路５３０（ｉ，ｊ）を形成する（図１４（Ｕ７）、図１７（Ｃ）および図１８（Ｃ）参照）。なお、導電膜５１１Ｂは絶縁膜５０１Ｃおよび開口部５９１Ｂと重なる領域を備える。また、導電膜５１１Ｂは電極５１９Ｂと接する領域を備える。

例えば、トランジスタＭのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂと同一の工程で形成される導電膜を、導電膜５１１Ｂに用いることができる。

《第８のステップ》
第８のステップにおいて、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される表示素子５５０（ｉ，ｊ）を形成する（図１４（Ｕ８）、図１９（Ａ）および図２０（Ａ）参照）。

《第９のステップ》
第９のステップにおいて、絶縁膜５０１Ｃと重なるように第２の基材７１０Ｌを積層する（図１４（Ｕ９）参照）。

例えば、印刷法またはコーティング法等を用いて接合層７０９を形成し、接合層７０９を用いて第２の基材７１０Ｌと機能層５２０を貼り合わせる。

《第１０のステップ》
第１０のステップにおいて、工程用基板５１０から分離する（図１４（Ｕ１０）、図１９（Ｂ）および図２０（Ｂ）参照）。

例えば、工程用基板５１０から絶縁膜５０１Ａの一部が分離した構造を備える剥離の起点を、形成する。次いで、工程用基板５１０から絶縁膜５０１Ａが分離した構造を備える領域を、当該剥離の起点から徐々に広げ、最終的に工程用基板５１０から絶縁膜５０１Ａを分離する。

例えば、レーザを用いる方法（具体的にはレーザアブレーション法）等または鋭利な先端を備える刃物を用いる方法等により、剥離の起点を形成することができる。また、例えば、液体を工程用基板５１０および絶縁膜５０１Ａの間に浸透させながら、絶縁膜５０１Ａを工程用基板５１０から分離する。具体的には、水を含む液体を剥離膜５１０Ｗと絶縁膜５０１Ａの間に浸透させながら、絶縁膜５０１Ａを分離する。これにより、分離の際に絶縁膜５０１Ａに加わる応力を低減し、工程中に引き起こされる絶縁膜５０１Ａの破壊を防ぐことができる。

例えば、絶縁膜５０１Ａを剥離膜５１０Ｗから分離する際に、絶縁膜５０１Ａと接する剥離膜５１０Ｗの一部分が他の部分から分離して、絶縁膜５０１Ａに付着してしまう場合がある。この場合、絶縁膜５０１Ａに付着した剥離膜５１０Ｗの一部分を、エッチング法を用いて除去することができる。これにより、絶縁膜５０１Ａを露出させることができる。

《第１１のステップ》
第１１のステップにおいて、第１の基材５１０Ｌを積層する（図１４（Ｕ１１）、図２１および図２２参照）。

本実施の形態で説明する表示パネルの作製方法は、剥離膜を工程用基板に形成するステップと、絶縁膜に開口部を形成し、当該開口部と重なる開口部を剥離膜に形成するステップと、工程用基板に接する電極を当該開口部に形成するステップと、電極に接する導電膜、導電膜と電気的に接続される画素回路および画素回路と電気的に接続される表示素子を形成するステップと、工程用基板から分離するステップと、を含んで構成される。これにより、一方の端部が導電膜に接し、他方の端部が開口部に露出する電極を形成することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルの作製方法を提供することができる。

＜入出力装置の作製方法２．＞
本発明の一態様の入出力装置の別の作製方法について、図２３乃至図２９を参照しながら説明する。

図２３は本発明の一態様の入出力装置の作製方法を説明するフロー図である。

図２４乃至図２９は作製工程中の本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図２４、図２６および図２８は図７（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図である。また、図２５、図２７および図２９は図７（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、切断線Ｘ９−Ｘ１０、切断線Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。

なお、図２３乃至図２９を参照しながら説明する入出力装置の作製方法は、絶縁膜５０１Ａを用いない点、剥離膜５１０Ｗと共に工程用基板５１０から分離する点、配向膜ＡＦ１を形成する点、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を形成する点等が、図１４乃至図２２を参照しながら説明する入出力装置の作製方法とは異なる。ここでは、異なるステップについて詳細に説明し、同様な方法を用いることができる部分については上記の説明を援用する。

本実施の形態で説明する入出力装置の作製方法は、以下の１２のステップを有する（図２３参照）。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、剥離膜５１０Ｗを工程用基板５１０に形成する（図２３（Ｖ１）参照）。

例えば、無機材料または有機樹脂等を剥離膜５１０Ｗに用いることができる。具体的には、ポリイミドを含む膜を剥離膜５１０Ｗに用いることができる。また、無アルカリガラスを工程用基板５１０に用いることができる。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、開口部を剥離膜５１０Ｗに形成する（図２３（Ｖ２）参照）。

例えば、フォトリソグラフィー法を用いて、感光性のポリイミド等に開口部を形成することができる。または、ハードマスクおよびアッシング法を用いて、ポリイミド等に開口部を形成することができる。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、工程用基板５１０に接する電極５１９Ｂを開口部に形成する（図２３（Ｖ３）、図２４（Ａ）、および図２５（Ａ）参照）。

例えば、無電解メッキ法またはスパッタリング法等を電極５１９Ｂの形成に用いることができる。例えば、不要な部分を除去して、電極５１９Ｂを所定の形状にすることができる。具体的には、化学機械研磨法等を用いることができる。または、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いることができる。

なお、後のステップで工程用基板５１０から分離することができる材料を電極に用いる。例えば、工程用基板５１０にガラスを用いる場合、ガラスに対する密着性の悪い材料を電極に用いることができる。具体的には、銅等を電極に用いることができる。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、開口部５９１Ｂを備える絶縁膜５０１Ｃ、電極５１９Ｂと接する導電膜５１１Ｂおよび導電膜５１１Ｂと電気的に接続される画素回路５３０（ｉ，ｊ）を形成する（図２３（Ｖ４）、図２４（Ｂ）および図２５（Ｂ）参照）。なお、導電膜５１１Ｂは絶縁膜５０１Ｃおよび開口部５９１Ｂと重なる領域を備える。また、導電膜５１１Ｂは電極５１９Ｂと接する領域を備える。

例えば、トランジスタＭのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂと同一の工程で形成される導電膜を、導電膜５１１Ｂに用いることができる。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ｂの一部を塞ぐ導電膜５１１Ｂを、貫通電極ということができる。言い換えると、開口部５９１Ｂの一部を埋める導電膜５１１Ｂを、貫通電極ということができる。

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を形成する（図２３（Ｖ５）、図２４（Ｃ）および図２５（Ｃ）参照）。

《第６のステップ》
第６のステップにおいて、絶縁膜５０１Ｃと重なるように第２の基材７１０Ｌを積層する（図２３（Ｖ６）参照）。

例えば、印刷法またはコーティング法等を用いて接合層７０９を形成し、接合層７０９を用いて第２の基材７１０Ｌと機能層５２０を貼り合わせる。

《第７のステップ》
第７のステップにおいて、工程用基板５１０から分離する（図２３（Ｖ７）、図２６（Ａ）および図２７（Ａ）参照）。

例えば、工程用基板５１０側から剥離膜５１０Ｗにレーザを照射して、工程用基板５１０から剥離膜５１０Ｗを分離する。具体的には、ポリイミドを含む剥離膜５１０Ｗにエキシマレーザを照射する。例えば、３５５ｎｍの波長を有するレーザ、３０８ｎｍの波長を有するレーザを用いることができる。

《第８のステップ》
第８のステップにおいて、配向膜ＡＦ１を形成する（図２３（Ｖ８）、図２６（Ｂ）および図２７（Ｂ）参照）。

例えば、配向膜ＡＦ１に用いるポリイミド膜を形成する。具体的には、アッシング法等を用いてポリイミドを含む剥離膜５１０Ｗを薄くして、配向膜ＡＦ１に用いることができる。具体的には、厚さを７０ｎｍまで薄くして配向膜ＡＦ１に用いることができる。または、剥離膜５１０Ｗを取り除き、所定の領域に印刷法を用いて可溶性のポリイミドを形成することができる。

《第９のステップ》
第９のステップにおいて、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟むように基材７７０を積層し、封止材７０５を用いて層７５３を封止し、第１の表示素子を形成する（図２３（Ｖ９）、図２８および図２９参照）。なお、あらかじめ、第２の電極７５２、着色膜ＣＦ１、遮光膜ＢＭおよび検知素子７７５（ｇ，ｈ）等が形成された材料を基材７７０に用いる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルを有する表示モジュール及び電子機器について、図３０を用いて説明を行う。

図３０（Ａ）乃至図３０（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。

図３０（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図３０（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図３０（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図３０（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図３０（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図３０（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図３０（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。

図３０（Ａ）乃至図３０（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図３０（Ａ）乃至図３０（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

図３０（Ｈ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。

なお、図３０（Ｈ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光素子をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

ＣＬ（ｇ） 制御線
ＣＰ 導電材料
ＭＬ（ｈ） 検知信号線
ＡＮＯ 導電膜
ＢＲ 導電膜
Ｃ（ｇ） 電極
Ｍ（ｈ） 電極
ＣＳＣＯＭ 配線
ＢＭ 遮光膜
５１０Ｗ 剥離膜
ＡＣＦ１ 導電材料
ＡＣＦ２ 導電材料
ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
Ｃ１１ 容量素子
Ｃ１２ 容量素子
ＣＦ１ 着色膜
ＣＦ２ 着色膜
Ｇ１ 走査線
Ｇ２ 走査線
ＫＢ１ 構造体
Ｓ１ 信号線
Ｓ２ 信号線
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
ＶＣＯＭ１ 配線
ＶＣＯＭ２ 導電膜
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
５０１Ａ 絶縁膜
５０１Ａ１ 膜
５０１Ａ２ 膜
５０１Ｃ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０５ 接合層
５０６ 絶縁膜
５０８ 半導体膜
５０８Ａ 領域
５０８Ｂ 領域
５０８Ｃ 領域
５１０ 工程用基板
５１０Ｂ 基材
５１０Ｃ 接合層
５１０Ｌ 基材
５１１Ｂ 導電膜
５１１Ｃ 導電膜
５１１Ｄ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 電極
５１９Ｂ１ 領域
５１９Ｂ２ 領域
５１９Ｃ 電極
５１９Ｄ 電極
５２０ 機能層
５２１ 絶縁膜
５２２ 接続部
５２４ 導電膜
５２８ 絶縁膜
５３０ 画素回路
５５０ 表示素子
５５１ 電極
５５２ 電極
５５２Ｃ 電極
５５３ 層
５７０ 基材
５９１Ａ 開口部
５９１Ｂ 開口部
５９１Ｃ 開口部
５９１Ｄ 開口部
７００ＴＰ１ 入出力装置
７００ＴＰ２ 入出力装置
７０２ 画素
７０５ 封止材
７０６ 絶縁膜
７０９ 接合層
７１０ 基材
７１０Ａ 絶縁膜
７１０Ｂ 基材
７１０Ｃ 接合層
７１０Ｌ 基材
７１９ 端子
７２０ 機能層
７５０ 表示素子
７５１ 電極
７５１Ｅ 領域
７５１Ｈ 開口部
７５２ 電極
７５３ 層
７７０ 基材
７７０Ｄ 機能膜
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
７７５ 検知素子
８００ＴＰ１ 入出力装置
８０１ 領域
８２０ 筐体
８２１ 部材
８２２ 部材
８２３ ヒンジ部
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ アイコン
７３０６ アイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金

Claims (5)

1. 画素と、絶縁膜と、第３の導電膜と、電極と、を有し、
   前記絶縁膜は、０．２μｍ以上１．５μｍ以下の厚さを備え、
   前記絶縁膜は、１０ ^−３ ｇ／（ｍ ^２ ・ｄａｙ）以下の水蒸気透過率を備え、
   前記絶縁膜は、前記画素と重なる領域を備え、
   前記絶縁膜は、開口部を備え、
   前記第３の導電膜は、前記画素と電気的に接続され、
   前記第３の導電膜は、前記絶縁膜と重なる領域を備え、
   前記第３の導電膜は、前記開口部と重なる領域を備え、
   前記電極は、前記第３の導電膜と電気的に接続され、
   前記電極は、第１の領域および第２の領域を備え、
   前記第１の領域は、前記第３の導電膜と接し、
   前記第２の領域は、接点の機能を備え、
   前記開口部は、前記第３の導電膜または前記電極に塞がれる領域を備える表示パネル。
2. 可撓性を備える第１の基材と、可撓性を備える第２の基材と、を有し、
   前記第１の基材は、前記絶縁膜と重なる領域を備え、
   前記第２の基材は、前記第１の基材との間に、前記絶縁膜を挟む領域を備える、請求項１に記載の表示パネル。
3. 一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、信号線と、走査線と、を有し、
   前記一群の複数の画素は、前記画素を含み、
   前記一群の複数の画素は、行方向に配設され、
   前記他の一群の複数の画素は、前記画素を含み、
   前記他の一群の複数の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、
   前記走査線は、前記一群の複数の画素と電気的に接続され、
   前記他の一群の複数の画素は、前記信号線と電気的に接続され、
   前記走査線または前記信号線は、前記第３の導電膜と電気的に接続される、請求項１または請求項２に記載の表示パネル。
4. 駆動回路を有し、
   前記駆動回路は、画像信号を供給する機能を備え
   前記駆動回路は、前記第２の領域と電気的に接続され、
   前記信号線は、前記第３の導電膜と電気的に接続される、請求項３に記載の表示パネル。
5. 前記画素は、画素回路と、表示素子と、を備え、
   前記画素回路は、前記信号線と電気的に接続され、
   前記表示素子は、前記画素回路と電気的に接続される、請求項４に記載の表示パネル。

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