JP2002196702A - 画像表示装置 - Google Patents

画像表示装置

Info

Publication number
JP2002196702A
JP2002196702A JP2000391750A JP2000391750A JP2002196702A JP 2002196702 A JP2002196702 A JP 2002196702A JP 2000391750 A JP2000391750 A JP 2000391750A JP 2000391750 A JP2000391750 A JP 2000391750A JP 2002196702 A JP2002196702 A JP 2002196702A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
image
substrate
emitting
electro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000391750A
Other languages
English (en)
Inventor
Machio Yamagishi
万千雄 山岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000391750A priority Critical patent/JP2002196702A/ja
Publication of JP2002196702A publication Critical patent/JP2002196702A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バックライトを必要としないハイブリッド型
の画像表示装置を提供する。 【解決手段】 画像表示装置は、所定の間隙を介して互
いに接合した前後一対の基板1,2と、この間隙に保持
された電気光学物質3とを含み、マトリクス状に配され
た画素を備え、前面側からの外光を前面側に反射する
か、後面側から前面側に向かって発光を放射して画像を
表示する。各画素は、前面側から入射した外光を反射し
て画像を表示する反射領域と、後面側から前面側に向か
って発光を放射して画像を表示する発光領域とに平面分
割されている。反射領域は、前後一対の基板1,2に形
成された電極10,122と、これらの電極に挟持され
た電気光学物質3と、後面側の基板2に形成された反射
層8とからなる。発光領域は、電気光学物質3と後面側
の基板2との間に位置し、発光層202を上下から電極
203,201で挟んだ積層を後面側の基板2に形成し
た自発光素子OLEDからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、画素の一部に反
射領域を形成した、所謂ハイブリッド型の画像表示装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】ハイブリッド型の表示装置は、例えば特
開平11−52366号公報や特開平11−18389
2号公報に開示されている。ハイブリッド型の画像表示
装置は、十分な明るさの外光(自然光や室内照明光な
ど)が得られる時は前面側から入射する外光を後面側の
反射層で反射させて外光を利用する反射型表示を行な
い、十分な明るさの外光が得られない時は、画像表示装
置の後面側に配置されたバックライトの光を利用する透
過型表示を行なう。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】係る構成を有するハイ
ブリッド型の画像表示装置は、特に携帯機器のディスプ
レイとして好適である。外光を利用できる間はバックラ
イトを点灯する必要がないので、消費電力を節約でき
る。ここで、バックライトは従来からLEDや蛍光管を
用いていた。しかしながら、これらの光源は厚みが2m
m前後になる為、携帯機器に組み込む為には一層の薄型
化が必要となる。近年、LEDや蛍光管に代えて、有機
ELをバックライトに用いる構造が提案されている。し
かしながら、有機ELでもバックライトの厚みは0.3
〜0.7mmとなり、携帯機器の薄型化及び小型化の障
害となっている。そこで、本発明は、バックライトを必
要としないハイブリッド型の画像表示装置を提供するこ
とを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決し、本発明の目的を達成するために以下の手段
を講じた。即ち、本発明は、所定の間隙を介して互いに
接合した前後一対の基板と該間隙に保持された電気光学
物質とを含み、マトリクス状に配された画素を備え前面
側からの外光を前面側に反射するか、後面側から前面側
に向かって発光を放射して画像を表示する画像表示装置
であって、各画素は、前面側から入射した外光を反射し
て画像を表示する反射領域と、後面側から前面側に向か
って発光を放射して画像を表示する発光領域とに平面分
割されており、前記反射領域は、前後一対の基板に形成
された電極と、これらの電極に挟持された電気光学物質
と、後面側の基板に形成された反射層とからなり、前記
発光領域は、該電気光学物質と後面側の基板との間に位
置し、発光層を上下から電極で挟んだ積層を該後面側の
基板に形成した自発光素子からなることを特徴とする。
好ましくは、前記前面側の基板は、平面分割された反射
領域と発光領域のうち反射領域にのみ選択的に塗工され
た偏光層を有し、前記電気光学物質層は液晶からなり、
前面側の基板に形成された該偏光層を介して入射した外
光に作用して画像を表示する一方、前記自発光素子は、
該偏光層を介することなく直接発光を放射して画像を表
示する。又、前記前面側の基板は、平面分割された反射
領域と発光領域のうち反射領域にのみ選択的に配された
カラーフィルタを有し、前記電気光学物質層は、前面側
の基板に形成されたカラーフィルタを介して赤青緑のい
ずれかに着色された外光に作用してカラー画像を表示す
る一方、前記自発光素子は、該カラーフィルタを介する
ことなく直接赤青緑いずれかの発光を放射してカラー画
像を表示する。或いは、前記前面側の基板は、平面分割
された反射領域と発光領域の両方に渡って配されたカラ
ーフィルタを有し、前記電気光学物質層は、前面側の基
板に形成されたカラーフィルタを介して赤青緑のいずれ
かに着色された外光に作用してカラー画像を表示する一
方、前記自発光素子は、白色の発光を該カラーフィルタ
を介し放射してカラー画像を表示する。場合によって
は、前記自発光素子は、赤青緑各色の発光を生成する発
光層を三層に重ねた積層型である。
【0005】本発明によれば、ハイブリッド型の画像表
示装置において、従来の透過領域に相当する部分に、発
光領域を形成している。この発光領域は有機ELなどの
自発光素子からなり、バックライトを不要としている。
自発光素子は、個々の画素内で電気光学物質として用い
る液晶などの下層に配置する。有機ELなどからなる自
発光素子は、画素電極やこれを駆動するスイッチング素
子と同一の基板上に集積形成できる。
【0006】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図1は、本発明に係るハイブ
リッド型の画像表示装置の基本的な構成を示す模式図で
あり、一画素分のみを表わしている。本例はアクティブ
マトリクス型であり、且つECB(Electrica
lly Controlled Birefrigen
ce)モードの液晶パネルを用いている。即ち、液晶の
複屈折性を利用して入射光の通過/遮断を制御する方式
である。尚、アクティブマトリクス型の画素を駆動する
能動素子として薄膜トランジスタを用いている。
【0007】本発明に係る画像表示装置は、基本的な構
成として、所定の間隙を介して互いに接合した前後一対
の基板1,2と、この間隙に保持された電気光学物質
(例えば、液晶層3)とを含み、マトリクス状に配され
た画素を備え、前面側からの外光を前面側に反射する
か、後面側から前面側に向かって発光を放射して画像を
表示する。各画素は、前面側から入射した外光を反射し
て画像を表示する反射領域と、後面側から前面側に向か
って発光を放射して画像を表示する発光領域とに平面分
割されている。反射領域は、前後一対の基板1,2にそ
れぞれ形成された電極10,122と、これらの電極1
0,122に挟持された液晶層3からなる電気光学物質
と、後面側の基板2に形成された反射層8とを含む。こ
れに対し発光領域は、液晶層3と後面側の基板2との間
に位置する自発光素子からなる。この自発光素子は発光
層202を上下から電極203,201で挟んだ積層
を、後面側の基板2に形成したものである。
【0008】本実施形態では、前面側の基板1は、平面
分割された反射領域と発光領域の内、反射領域にのみ選
択的に塗工された偏光層40を有する。この偏光層40
は所謂塗布型であり、感光材料を含んでいる。従って、
基板1に偏光層40を塗布した後、フォトリソグラフィ
によりパタニングすることで、各画素の反射領域のみに
選択的に形成することが可能である。前述した様に、電
気光学物質層は液晶層3からなり、前面側の基板1に形
成された偏光層40を介して入射した外光に作用して画
像を表示する。即ち、各画素の反射領域には、液晶を電
気光学物質とした液晶表示素子(LC)が形成されてい
ることになる。これに対し、発光領域に形成された自発
光素子は例えば発光層202として有機エレクトロルミ
ネッセンス材料を用いた有機EL素子OLEDからな
り、偏光層40を介することなく直接発光を放射して画
像を表示する。即ち、本発明に係る画像表示装置は、従
来の反射領域と透過領域を組み合わせたハイブリッド型
と異なり、透過領域に代えて発光領域を備えている。従
って、偏光層は不要であり、パタニング可能な偏光層4
0を利用して、発光領域からは選択的にエッチングで除
いてある。従って、OLEDから放射した発光は、偏光
層40を通過することなく直接放出されるので、その分
吸収が少なくなり、輝度が高くなる。輝度が高くなった
分、発光領域の占有面積を小さくでき、各画素に占める
反射領域の割合が高くなり、外光を利用した反射型表示
においても、輝度を高くすることが可能である。
【0009】前面側の基板1は、平面分割された反射領
域と発光領域の両方に亘って配された着色層50からな
るカラーフィルタCFを有している。液晶層3は前面側
の基板1に形成されたカラーフィルタCFを介して赤青
緑の何れかに着色された外光に作用してカラー画像を表
示する。これに対し、自発光素子OLEDは、白色の発
光をカラーフィルタCFを介し放射してカラー画像を表
示する。場合によっては、前面側の基板1は、平面分割
された反射領域と発光領域の内、反射領域にのみカラー
フィルタを選択的に配し、発光領域からはカラーフィル
タを除く様にしてもよい。この場合、反射領域側の液晶
表示素子LCは、前面側の基板1に形成されたカラーフ
ィルタCFを介して赤青緑の何れかに着色された外光に
作用してカラー画像を表示する。一方、発光領域側に形
成された自発光素子OLEDは、カラーフィルタを介す
ることなく直接赤青緑何れかの発光を放射してカラー画
像を表示する。即ち、個々の画素毎に、赤、青、緑の何
れかの発光を放射するOLEDを、設ける様にすればよ
い。OLEDの発光波長は、例えば発光層202に用い
る有機エレクトロルミネッセンス材料を適宜選択するこ
とで調整可能である。
【0010】引き続き、図1を参照して、本発明に係る
画像表示装置の構成を詳細に説明する。図示する様に、
前側基板1の外表面には偏光層40と四分の一波長層9
が形成されている。基板1の内表面には着色層50から
なるカラーフィルタCFが形成されている。カラーフィ
ルタCFを画素毎に区切る様にブラックマトリクスBM
が同じく基板1の内面に形成されている。カラーフィル
タCF及びブラックマトリクスBMの表面には各画素に
亘って共通に形成された共通電極10が配されている。
その上には配向膜107が成膜されている。更に、複屈
折性を有する液晶層3が介在しており、その下に後側の
基板2が配されている。基板2の表面は配向膜115に
よって覆われており、前側基板1の配向膜107と協働
して液晶層3を例えば水平配向している。配向膜115
の下には画素電極となる反射層8が形成されている。反
射層8は絶縁膜114の凹凸面に形成された金属膜から
なり画素電極を構成する。画素電極の下には薄膜トラン
ジスタ108が形成されている。この薄膜トランジスタ
108はボトムゲート構造を有しており、下から順にゲ
ート電極116、ゲート絶縁膜117、半導体薄膜11
8を重ねた積層構造を有している。半導体薄膜118は
例えば多結晶シリコンからなり、ゲート電極116と整
合するチャネル領域は上側からストッパ119により保
護されている。係る構成を有するボトムゲート構造の薄
膜トランジスタ108は層間絶縁膜120により被覆さ
れている。層間絶縁膜120には一対のコンタクトホー
ルが開口しており、これらを介しソース電極121及び
ドレイン電極122が薄膜トランジスタ108に電気接
続している。これらの電極121及び122は例えばア
ルミニウムをパタニングしたものである。ドレイン電極
122には前述した反射層8が接続している。即ち、絶
縁膜114に形成したコンタクトホール112を介して
反射層8はドレイン電極122に電気接続している。一
方、ソース電極121には信号電圧が供給される。
【0011】上述した反射領域に隣接して、発光領域が
形成されている。発光領域は自発光素子OLEDを含ん
でいる。OLEDは後側の基板2に形成された層間絶縁
膜120の上に配されており、中間の発光層202を上
下から電極203,201で挟んだ積層構造となってい
る。上部電極203は例えばITOなどの透明導電材料
からなる。一方下部電極201は、アルミニウムやクロ
ムなど金属膜からなる。上下一対の電極203,201
間に画像信号に応じた電圧を印加すると、発光層202
に電流が流れ、これに応じて光が生成される。発光は直
接上側の透明電極203から前側基板1に向かって放射
されるとともに、下部電極201によって一部反射され
た後前側基板1に向かって放射される。
【0012】図2は、図1に示した画像表示装置の平面
形状を示す模式図である。図示する様に、各画素PXL
はブラックマトリクスBMにより格子状に分かれてい
る。各画素PXLは中央の発光領域PXLbと周辺の反
射領域PXLaとに平面分割されており、ハイブリッド
構成となっている。中央の発光領域PXLbには、前述
した様に有機EL素子などからなる自発光素子OLED
が形成されている。周辺の反射領域PXLaには液晶表
示素子LCが形成されている。カラーフィルタはブラッ
クマトリクスBMによって区画された画素PXLとほぼ
対応する様にパタニングされている。
【0013】図3は、図1に示した画像表示装置に関
し、特に一画素の内で発光領域PXLbに対応した等価
回路を表わしている。発光領域PXLbは自発光素子O
LED、第1の薄膜トランジスタTFT1、第2の薄膜
トランジスタTFT2及び保持容量Csからなる。自発
光素子は例えば有機エレクトロルミネッセンス(EL)
素子である。有機EL素子は多くの場合整流性がある
為、OLED(有機発光ダイオード)と呼ばれることが
あり、図では自発光素子OLEDとしてダイオードの記
号を用いている。但し、自発光素子は必ずしもOLED
に限るものではなく、素子に流れる電流量によって輝度
が制御されるものであればよい。又、自発光素子に必ず
しも整流性が要求されるものではない。図示の例では、
TFT2のソースSを基準電位(接地電位)とし、自発
光素子OLEDのアノードA(陽極)はVdd(電源電
位)に接続される一方、カソードK(陰極)はTFT2
のドレインDに接続されている。一方、TFT1のゲー
トGは走査線Xbに接続され、ソースSはデータ線Yに
接続され、ドレインDは保持容量Cs及びTFT2のゲ
ートGに接続されている。
【0014】PXLbを動作させる為に、まず、走査線
Xbを選択状態とし、データ線Yに輝度情報を表わすデ
ータ電位Vdataを印加すると、TFT1が導通し、
保持容量Csが充電又は放電され、TFT2のゲート電
位はデータ電位Vdataに一致する。走査線Xbを非
選択状態とすると、TFT1がオフになり、TFT2は
電気的にデータ線Yから切り離されるが、TFT2のゲ
ート電位は保持容量Csによって安定に保持される。T
FT2を介して自発光素子OLEDに流れる電流は、T
FT2のゲート/ソース間電圧Vgsに応じた値とな
り、自発光素子OLEDはTFT2から供給される電流
に応じた輝度で発光し続ける。
【0015】このような画素毎の発光領域PXLbを図
4の様にマトリクス状に多数配列すると、アクティブマ
トリクス型画像表示装置を構成することができる。図示
する様に、本画像表示装置は、所定の走査サイクル(例
えばNTSC規格に従ったフレーム周期)でPXLbを
選択する為の走査線Xb1〜XbNと、PXLbを駆動
する為の輝度情報(データ電位Vdata)を与えるデ
ータ線Yとがマトリクス状に配設されている。走査線X
b1〜XbNは走査線駆動回路21bに接続される一
方、データ線Yはデータ線駆動回路22に接続される。
走査線駆動回路21bによって走査線Xb1〜XbNを
順次選択しながら、データ線駆動回路22によってデー
タ線YからVdataの書き込みを繰り返すことによ
り、所望の画像を表示することができる。本装置では、
書き込み終了後も各PXLbに含まれる自発光素子が発
光を継続する。
【0016】図5は、各画素に含まれる反射領域PXL
aの等価回路図であり、図3に示したPXLbの等価回
路図と対応する部分には対応する参照番号を付して理解
を容易にしている。各PXLaにおいて、液晶表示素子
LCは薄膜トランジスタTFTによって駆動される。尚
TFTは図1の薄膜トランジスタ108に対応してい
る。図から明らかな様に、TFTのゲートGは走査線X
aに接続され、ソースSはデータ線Yに接続され、ドレ
インDはLCの一方の端子に接続されている。データ線
YはPXLb側と共通に使えるが、走査線XaはPXL
bで用いた走査線Xbとは異なるものを用いる。即ち、
PXLaとPXLbは何れか一方が選択的に駆動される
為、走査線Xa,Xbを別々に設ける必要がある。走査
線Xaに選択パルスが印加されると対応するTFTが選
択され導通状態になる。データ線Yから供給された画像
信号が、導通状態にあるTFTを介して液晶素子LCに
書き込まれ、所望の画像表示が行なわれる。走査線Xa
に印加された選択パルスが解除された後、TFTは非導
通状態となり液晶素子LC及び保持容量Csに書き込ま
れた画像信号がそのまま保持される。
【0017】図6は、図5に示したPXLaをマトリク
ス状に配列した画像表示装置の構成を示す模式的な回路
図である。図4に示したPXLbの回路と対応する部分
には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。
各走査線Xaと各データ線Yの交差部にPXLaが配さ
れている。データ線Yはデータ線駆動回路22によって
駆動され、走査線Xaは走査線駆動回路21aによって
選択駆動される。図4と比較すれば明らかな様に、デー
タ線駆動回路22はPXLaとPXLbで共通に用いる
ことができる。一方、反射領域PXLaを駆動する走査
線駆動回路21aは、発光領域PXLbを駆動する走査
線駆動回路21bとは異なるものが用いられている。
【0018】図7は、図1に示した液晶素子LCの動作
を模式的に表わした説明図である。右側が印加電圧のオ
フ状態を表わし光は通過する一方、左側が印加電圧のオ
ン状態を表わし光は遮断される。この反射型表示装置は
上から順に、偏光層40、四分の一波長層9、前側基板
1、カラーフィルタCF、共通電極10、複屈折性を有
する液晶層3、画素電極を兼ねた反射層8、後側基板2
が重ねられている。オフ状態では液晶分子4は水平配向
しており液晶層3は四分の一波長板として機能する。オ
ン状態では液晶分子4は垂直配向に移行し液晶層3は四
分の一波長板としての機能はなくなる。換言すると、オ
フ状態では四分の一波長板として機能する液晶層3と四
分の一波長層9が重なっており、全体として二分の一波
長板として機能する。反射型の場合入射光はパネルを往
復して出射するので結局パネルは一波長板として機能す
る。一波長板は結局入射光をそのまま出射光として透過
することになり、偏光層40を透過した入射直線偏光は
そのまま出射直線偏光となって観察者に至り、光の通過
状態が得られる。一方、オン状態では液晶層3が四分の
一波長板としての機能を失なう為、四分の一波長層9の
みが残ることになる。反射型では入射光が四分の一波長
層9を往復するので、パネルは結局二分の一波長板とし
て機能する。二分の一波長板は入射直線偏光を90°回
転して出射直線偏光とする。従って、偏光層40を透過
した入射直線偏光は90°回転して出射直線偏光とな
り、偏光層40によって吸収される。従って光の遮断状
態が得られる。
【0019】図8は、本発明に係る画像表示装置の他の
実施形態の一例を表わしており、図1に示した先の実施
形態と対応する部分には対応する参照番号を付して理解
を容易にしている。先の実施形態と異なる点は、前面側
の基板1が、平面分割された反射領域と発光領域の内、
反射領域にのみ選択的にカラーフィルタCFを備えてい
ることである。反射領域に含まれる液晶層3は、前面側
の基板1に形成されたカラーフィルタCFを介して赤青
緑の何れかに着色された外光に作用してカラー画像を表
示する。これに対し、発光領域側に形成された自発光素
子OLEDは、カラーフィルタCFを介することなく直
接赤青緑何れかの発光を放射してカラー画像を表示す
る。この為、OLEDは各画素毎に赤青緑何れかの波長
の発光を放射する。具体的には、上下一対の電極20
3,201により保持された発光層202を構成する有
機EL材料の組成を適宜選択することで、発光波長を制
御できる。例えば、1つの画素内で反射領域側に配され
たカラーフィルタCFが赤色に着色されている場合、対
応する発光領域側に形成されたOLEDは赤色発光を放
射する。この様にすることで、少なくとも発光領域側に
おいてカラーフィルタの吸収がなくなり、より明るい画
像が得られる。
【0020】図9は、自発光素子の変形例を示す模式的
な部分断面図であり、赤青緑(RBG)各色の発光を生
成する発光層を3層に重ねた積層型となっている。下部
電極201の上に赤色発光層202Rが形成され、その
上に電極203aを介して緑色発光層202Gが形成さ
れ、その上に電極203bを介して青色発光層202B
が形成され、その上に上部電極203cが形成されてい
る。ここで、下部電極201はアルミニウムやクロムな
どの金属膜で形成される一方、中間電極203a,20
3bや上部電極203cはITOやIXOなどの透明導
電材料からなる。係る三層構造を有する自発光素子は、
選択的にRGB各色の発光を放射することができる。例
えば、赤色発光を放射する時には、下部電極201と中
間電極203aとの間に所定の電圧を印加する。残る電
極203b及び203cは、中間電極203aと同電位
とする。緑色の発光を放射する時には、中間電極203
aと中間電極203bとの間に所定の電圧を印加する。
この時、下部電極201と中間電極203aは同電位と
し、上部電極203cと中間電極203bも同電位とす
る。青色の発光を放射する時には、中間電極203bと
上部電極203cとの間に電圧を印加する。この時、下
部電極201及び中間電極203aは、その上の電極2
03bと同電位にする。この様な三層構造を有する自発
光素子は、各色の有機EL材料をメタルマスクを介して
成膜することで作成可能である。
【0021】図10は、本発明に係る携帯情報端末装置
の一例を示す模式的な斜視図である。携帯情報端末装置
(PDA)300は、命令を入力する操作部311と、
命令に応じて情報を処理する処理部310と、処理され
た情報を表示する表示部とを一体的に組み込んだコンパ
クト構造となっている。処理部310は、PDAとして
の基本機能(通信部、音声処理部、制御部及び記憶部な
ど)を備えている。これらの機能を、CPUなどからな
る制御部が制御することで、電話機能、メール機能、パ
ソコン機能、パソコン通信機能、個人情報管理機能など
が実現できる。更に、操作部311を備えており、この
操作部311を操作することにより、各種機能を選択で
きる。処理部310は、実行する処理内容に応じて画像
情報を生成する。表示部320は、情報処理部310が
生成した画像情報を表示する。ここで、表示部320
は、所定の間隙を介して互いに接合した前後一対の基板
とこの間隙に保持された電気光学物質とを含み、マトリ
クス状に配された画素を備え前面側からの外光を前面側
に反射するか、後面側から前面側に向かって発光を放射
して画像を表示する。各画素は、表示部320の前面側
から入射した外光を反射して画像を表示する反射領域
と、表示部320の後面側から前面側に向かって発光を
放射して画像を表示する発光領域とに平面分割されてい
る。反射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、
これらの電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基
板に形成された反射層とからなる。発光領域は、電気光
学物質と後面側の基板との間に位置し、発光層を上下か
ら電極で挟んだ積層を後面側の基板に形成した自発光素
子からなる。
【0022】図11は、本発明に係る携帯電話端末装置
の一例を示す模式的な平面図である。図示する様に、携
帯電話端末装置400は、発呼及び着呼に関する操作を
行なう操作部と、この操作に応じて通話を可能にする通
話部と、少なくともこの操作に関する情報を表示可能な
表示部とを一体的に組み込んだコンパクト構造となって
いる。具体的には、携帯電話端末装置400は、無線送
受信用のアンテナ431、受話器(スピーカ)432及
び送話器(マイクロフォン)433を備えるとともに、
ダイヤルキーなどの操作キー434と表示部435とを
備えている。この表示部は本発明に従って画素毎に発光
領域及び反射領域を備えたハイブリッド型である。携帯
電話端末装置400は、個人名と電話番号などの電話帳
情報を、表示部435に表示することができる。場合に
よっては、受信した電子メールを、表示部435に表示
することも可能である。
【0023】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、マ
トリクス状に配された画素を有する画像表示装置におい
て、各画素に反射領域と発光領域を形成することで、バ
ックライトを不要としている。即ち、外光が豊富な時に
は反射領域を利用して画像を映し出し、外光が乏しい時
には発光を利用して画像を表示する。何れの場合もバッ
クライトは不要であり、その分画像表示装置の構成を薄
型化及び小型化可能である。特に、従来のバックライト
を用いた方式と異なり、発光素子自体を各画素に集積形
成している為、輝度が高く画素に占める発光領域の面積
を従来の透過領域に比べ縮小できる。その分、反射領域
の占有面積を拡大できるので、外光の下でも十分な輝度
向上が達成可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る画像表示装置の実施形態を示す部
分断面図である。
【図2】図1に示した画像表示装置の平面図である。
【図3】図1に示した画像表示装置の一画素分に対応す
る等価回路図である。
【図4】図1に示した画像表示装置全体の等価回路図で
ある。
【図5】図1に示した画像表示装置の一画素分に対応す
る等価回路図である。
【図6】図1に示した画像表示装置全体の等価回路図で
ある。
【図7】図1に示した画像表示装置の動作説明に供する
模式図である。
【図8】本発明に係る画像表示装置の他の実施形態を示
す部分断面図である。
【図9】本発明に係る画像表示装置に組み込まれる自発
光素子の変形例を示す模式的な部分断面図である。
【図10】本発明に係る情報携帯端末装置の一例を示す
模式的な斜視図である。
【図11】本発明に係る携帯電話端末装置の一例を示す
平面図である。
【符号の説明】
1・・・前側基板、2・・・後側基板、3・・・液晶
層、8・・・反射層、50・・・着色層、201・・・
電極、202・・・発光層、203・・・電極、LC・
・・液晶素子、OLED・・・自発光素子、CF・・・
カラーフィルタ、PXL・・・画素、BM・・・ブラッ
クマトリクス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1335 520 G02F 1/1335 520 1/13357 1/13357 G09F 9/00 313 G09F 9/00 313 336 336Z Fターム(参考) 2H091 FA02Y FA08X FA14Y FA14Z FA44Y LA11 LA15 5C094 AA15 BA03 BA08 BA27 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA06 EA07 EB02 ED03 ED11 5G435 AA03 AA18 BB12 BB15 BB16 CC09 CC12 DD11 DD13 EE33 FF03 GG12 GG23 GG26

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の間隙を介して互いに接合した前後
    一対の基板と該間隙に保持された電気光学物質とを含
    み、マトリクス状に配された画素を備え前面側からの外
    光を前面側に反射するか、後面側から前面側に向かって
    発光を放射して画像を表示する画像表示装置であって、 各画素は、前面側から入射した外光を反射して画像を表
    示する反射領域と、後面側から前面側に向かって発光を
    放射して画像を表示する発光領域とに平面分割されてお
    り、 前記反射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、
    これらの電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基
    板に形成された反射層とからなり、 前記発光領域は、該電気光学物質と後面側の基板との間
    に位置し、発光層を上下から電極で挟んだ積層を該後面
    側の基板に形成した自発光素子からなることを特徴とす
    る画像表示装置。
  2. 【請求項2】 前記前面側の基板は、平面分割された反
    射領域と発光領域のうち反射領域にのみ選択的に塗工さ
    れた偏光層を有し、 前記電気光学物質層は液晶からなり、前面側の基板に形
    成された該偏光層を介して入射した外光に作用して画像
    を表示する一方、 前記自発光素子は、該偏光層を介することなく直接発光
    を放射して画像を表示することを特徴とする請求項1記
    載の画像表示装置。
  3. 【請求項3】 前記前面側の基板は、平面分割された反
    射領域と発光領域のうち反射領域にのみ選択的に配され
    たカラーフィルタを有し、 前記電気光学物質層は、前面側の基板に形成されたカラ
    ーフィルタを介して赤青緑のいずれかに着色された外光
    に作用してカラー画像を表示する一方、 前記自発光素子は、該カラーフィルタを介することなく
    直接赤青緑いずれかの発光を放射してカラー画像を表示
    することを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
  4. 【請求項4】 前記前面側の基板は、平面分割された反
    射領域と発光領域の両方に渡って配されたカラーフィル
    タを有し、 前記電気光学物質層は、前面側の基板に形成されたカラ
    ーフィルタを介して赤青緑のいずれかに着色された外光
    に作用してカラー画像を表示する一方、 前記自発光素子は、白色の発光を該カラーフィルタを介
    し放射してカラー画像を表示することを特徴とする請求
    項1記載の画像表示装置。
  5. 【請求項5】 前記自発光素子は、赤青緑各色の発光を
    生成する発光層を三層に重ねた積層型であることを特徴
    とする請求項1記載の画像表示装置。
  6. 【請求項6】 所定の間隙を介して互いに接合した前後
    一対の基板と該間隙に保持された電気光学物質とを含
    み、マトリクス状に配された画素を備え前面側からの外
    光を前面側に反射するか、後面側から前面側に向かって
    発光を放射して画像を表示する画像表示装置の製造方法
    であって、 個々の画素内で、前面側から入射した外光を反射して画
    像を表示する反射領域と、後面側から前面側に向かって
    発光を放射して画像を表示する発光領域とを平面分割的
    に形成する工程を含み、 前記反射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、
    これらの電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基
    板に形成された反射層とで形成し、 前記発光領域は、該電気光学物質と後面側の基板との間
    に位置し、発光層を上下から電極で挟んだ積層からなる
    自発光素子で形成することを特徴とする画像表示装置の
    製造方法。
  7. 【請求項7】 前記前面側の基板に、平面分割された反
    射領域と発光領域のうち反射領域にのみ選択的に偏光層
    を塗工する工程と、前記電気光学物質層として液晶を該
    一対の基板の間隙に注入する工程を含み、 前記電気光学層は前面側の基板に形成された該偏光層を
    介して入射した外光に作用して画像を表示する一方、前
    記自発光素子は該偏光層を介することなく直接発光を放
    射して画像を表示する様に形成したことを特徴とする請
    求項6記載の画像表示装置の製造方法。
  8. 【請求項8】 平面分割された反射領域と発光領域のう
    ち反射領域にのみ選択的に配されたカラーフィルタを該
    前面側の基板に形成する工程を含み、 前記電気光学物質層は前面側の基板に形成されたカラー
    フィルタを介して赤青緑のいずれかに着色された外光に
    作用してカラー画像を表示する一方、前記自発光素子は
    該カラーフィルタを介することなく直接赤青緑いずれか
    の発光を放射してカラー画像を表示する様に形成したこ
    とを特徴とする請求項6記載の画像表示装置の製造方
    法。
  9. 【請求項9】平面分割された反射領域と発光領域の両方
    に渡って配されたカラーフィルタを該前面側の基板に形
    成する工程を含み、 前記電気光学物質層は前面側の基板に形成されたカラー
    フィルタを介して赤青緑のいずれかに着色された外光に
    作用してカラー画像を表示する一方、前記自発光素子は
    白色の発光を該カラーフィルタを介し放射してカラー画
    像を表示する様に形成することを特徴とする請求項6記
    載の画像表示装置の製造方法。
  10. 【請求項10】 前記自発光素子は、赤青緑各色の発光
    を生成する発光層を三層に重ねた積層型に形成すること
    を特徴とする請求項6記載の画像表示装置の製造方法。
  11. 【請求項11】 命令を入力する操作部と、該命令に応
    じて情報を処理する処理部と、処理された情報を表示す
    る表示部とを一体的に組み込んだ携帯情報端末装置であ
    って、 前記表示部は、所定の間隙を介して互いに接合した前後
    一対の基板と該間隙に保持された電気光学物質とを含
    み、マトリクス状に配された画素を備え前面側からの外
    光を前面側に反射するか、後面側から前面側に向かって
    発光を放射して画像を表示し、 各画素は、該表示部の前面側から入射した外光を反射し
    て画像を表示する反射領域と、該表示部の後面側から前
    面側に向かって発光を放射して画像を表示する発光領域
    とに平面分割されており、 前記反射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、
    これらの電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基
    板に形成された反射層とからなり、 前記発光領域は、該電気光学物質と後面側の基板との間
    に位置し、発光層を上下から電極で挟んだ積層を該後面
    側の基板に形成した自発光素子からなることを特徴とす
    る携帯情報端末装置。
  12. 【請求項12】 前記前面側の基板は、平面分割された
    反射領域と発光領域のうち反射領域にのみ選択的に塗工
    された偏光層を有し、 前記電気光学物質層は液晶からなり、前面側の基板に形
    成された該偏光層を介して入射した外光に作用して画像
    を表示する一方、 前記自発光素子は、該偏光層を介することなく直接発光
    を放射して画像を表示することを特徴とする請求項11
    記載の携帯情報端末装置。
  13. 【請求項13】 前記前面側の基板は、平面分割された
    反射領域と発光領域のうち反射領域にのみ選択的に配さ
    れたカラーフィルタを有し、 前記電気光学物質層は、前面側の基板に形成されたカラ
    ーフィルタを介して赤青緑のいずれかに着色された外光
    に作用してカラー画像を表示する一方、 前記自発光素子は、該カラーフィルタを介することなく
    直接赤青緑いずれかの発光を放射してカラー画像を表示
    することを特徴とする請求項11記載の携帯情報端末装
    置。
  14. 【請求項14】 前記前面側の基板は、平面分割された
    反射領域と発光領域の両方に渡って配されたカラーフィ
    ルタを有し、 前記電気光学物質層は、前面側の基板に形成されたカラ
    ーフィルタを介して赤青緑のいずれかに着色された外光
    に作用してカラー画像を表示する一方、 前記自発光素子は、白色の発光を該カラーフィルタを介
    し放射してカラー画像を表示することを特徴とする請求
    項11記載の携帯情報端末装置。
  15. 【請求項15】 前記自発光素子は、赤青緑各色の発光
    を生成する発光層を三層に重ねた積層型であることを特
    徴とする請求項11記載の携帯情報端末装置。
  16. 【請求項16】 発呼及び着呼に関する操作を行う操作
    部と、該操作に応じて通話を可能にする通話部と、少な
    くとも該操作に関する情報を表示可能な表示部とを一体
    的に組み込んだ携帯電話端末装置であって、 前記表示部は、所定の間隙を介して互いに接合した前後
    一対の基板と該間隙に保持された電気光学物質とを含
    み、マトリクス状に配された画素を備え前面側からの外
    光を前面側に反射するか、後面側から前面側に向かって
    発光を放射して画像を表示し、 各画素は、該表示部の前面側から入射した外光を反射し
    て画像を表示する反射領域と、該表示部の後面側から前
    面側に向かって発光を放射して画像を表示する発光領域
    とに平面分割されており、 前記反射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、
    これらの電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基
    板に形成された反射層とからなり、 前記発光領域は、該電気光学物質と後面側の基板との間
    に位置し、発光層を上下から電極で挟んだ積層を該後面
    側の基板に形成した自発光素子からなることを特徴とす
    る携帯電話端末装置。
  17. 【請求項17】 前記前面側の基板は、平面分割された
    反射領域と発光領域のうち反射領域にのみ選択的に塗工
    された偏光層を有し、 前記電気光学物質層は液晶からなり、前面側の基板に形
    成された該偏光層を介して入射した外光に作用して画像
    を表示する一方、 前記自発光素子は、該偏光層を介することなく直接発光
    を放射して画像を表示することを特徴とする請求項16
    記載の携帯電話端末装置。
  18. 【請求項18】 前記前面側の基板は、平面分割された
    反射領域と発光領域のうち反射領域にのみ選択的に配さ
    れたカラーフィルタを有し、 前記電気光学物質層は、前面側の基板に形成されたカラ
    ーフィルタを介して赤青緑のいずれかに着色された外光
    に作用してカラー画像を表示する一方、 前記自発光素子は、該カラーフィルタを介することなく
    直接赤青緑いずれかの発光を放射してカラー画像を表示
    することを特徴とする請求項16記載の携帯電話端末装
    置。
  19. 【請求項19】 前記前面側の基板は、平面分割された
    反射領域と発光領域の両方に渡って配されたカラーフィ
    ルタを有し、 前記電気光学物質層は、前面側の基板に形成されたカラ
    ーフィルタを介して赤青緑のいずれかに着色された外光
    に作用してカラー画像を表示する一方、 前記自発光素子は、白色の発光を該カラーフィルタを介
    し放射してカラー画像を表示することを特徴とする請求
    項16記載の携帯電話端末装置。
  20. 【請求項20】 前記自発光素子は、赤青緑各色の発光
    を生成する発光層を三層に重ねた積層型であることを特
    徴とする請求項16記載の携帯電話端末装置。
JP2000391750A 2000-12-25 2000-12-25 画像表示装置 Pending JP2002196702A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000391750A JP2002196702A (ja) 2000-12-25 2000-12-25 画像表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000391750A JP2002196702A (ja) 2000-12-25 2000-12-25 画像表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002196702A true JP2002196702A (ja) 2002-07-12

Family

ID=18857847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000391750A Pending JP2002196702A (ja) 2000-12-25 2000-12-25 画像表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002196702A (ja)

Cited By (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002323867A (ja) * 2001-01-22 2002-11-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電子機器、及び電子機器の駆動方法
JP2003076302A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Sharp Corp 表示装置
JP2003157029A (ja) * 2001-09-06 2003-05-30 Sharp Corp 表示装置及びその製造方法
JP2003279983A (ja) * 2002-03-26 2003-10-02 Citizen Watch Co Ltd 発光素子内在型液晶表示素子
WO2004053819A1 (ja) * 2002-12-06 2004-06-24 Citizen Watch Co., Ltd. 液晶表示装置
JP2007108771A (ja) * 2006-11-20 2007-04-26 Sharp Corp 表示装置
JP2007171614A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US7248235B2 (en) 2001-09-14 2007-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same
JP2008504766A (ja) * 2004-07-02 2008-02-14 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト オーディオビジュアル装置
US7732230B2 (en) 2005-08-31 2010-06-08 Sharp Kabushiki Kaisha Backlight including dot light emitting devices having at least two different brightness ranks and method for manufacturing same
US8064015B2 (en) 2009-01-08 2011-11-22 Au Optronics Corp. Transflective display panel
JP2013231985A (ja) * 2006-04-14 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
US8901548B2 (en) 2012-12-12 2014-12-02 Electronics And Telecommunications Research Institute Dual-mode pixel including emissive and reflective devices and dual-mode display with the same
KR20140143090A (ko) * 2013-06-05 2014-12-15 소니 주식회사 표시 장치 및 전자 기기
WO2016151429A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
WO2016166636A1 (en) * 2015-04-13 2016-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel
JP2017037301A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネルおよびその作製方法
CN106469536A (zh) * 2015-08-19 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 信息处理装置
WO2017064584A1 (en) * 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
JP2017076125A (ja) * 2015-10-12 2017-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、入出力装置、情報処理装置および表示パネルの作製方法
WO2017081575A1 (en) * 2015-11-11 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US9710013B2 (en) 2014-08-08 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processing device, program
US9715103B2 (en) 2013-03-27 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9720277B2 (en) 2010-08-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having optical sensor
JP2017182804A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、入出力装置、情報処理装置
JP2017194681A (ja) * 2016-04-15 2017-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、入出力装置、情報処理装置
US9837478B2 (en) 2015-10-01 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2017227897A (ja) * 2016-06-17 2017-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法
JP2018004952A (ja) * 2016-07-01 2018-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその作製方法
JP2018013698A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018018070A (ja) * 2016-07-15 2018-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、入出力装置、情報処理装置
JP2018022061A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018032020A (ja) * 2016-08-17 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器、および携帯情報端末
WO2018042262A1 (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018049042A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9977285B2 (en) 2016-07-29 2018-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2018087960A (ja) * 2016-08-17 2018-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示方法、表示装置、表示モジュールおよび電子機器
JP6345900B1 (ja) * 2017-03-31 2018-06-20 堺ディスプレイプロダクト株式会社 表示装置
US10043858B2 (en) 2016-04-27 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2018141947A (ja) * 2017-01-19 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
US10078243B2 (en) 2016-06-03 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10101628B2 (en) 2016-04-07 2018-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10114450B2 (en) 2015-08-31 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US10147780B2 (en) 2015-10-12 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10152936B2 (en) 2016-05-20 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, display system, and electronic device
US10153460B2 (en) 2016-08-17 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10176748B2 (en) 2016-02-03 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US10181295B2 (en) 2015-10-23 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display panel comprising pixel having plurality of display elements
US10211239B2 (en) 2016-08-05 2019-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
US10216999B2 (en) 2016-09-16 2019-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system, electronic device, and display method
WO2019064575A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 シャープ株式会社 表示デバイス
WO2019064578A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 シャープ株式会社 表示デバイス
US10255838B2 (en) 2016-07-27 2019-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10276089B2 (en) 2016-07-01 2019-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method for driving the same
US10290253B2 (en) 2016-06-10 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, system, and method for operating system
US10290693B2 (en) 2015-08-07 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and method for driving the same
US10303009B2 (en) 2016-06-30 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device
US10380956B2 (en) 2016-06-30 2019-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10394069B2 (en) 2016-06-10 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10429999B2 (en) 2015-12-18 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel
US10431164B2 (en) 2016-06-16 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10453401B2 (en) 2016-06-17 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US10482833B2 (en) 2016-11-09 2019-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of electronic device
US10490130B2 (en) 2017-02-10 2019-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system comprising controller which process data
US10520768B2 (en) 2016-03-30 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output panel, and data processing device
US10528198B2 (en) 2016-09-16 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel
US10534212B2 (en) 2016-01-18 2020-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output display device comprising an input portion having a sensing element to sense an approaching object and data processor having the same
US10546545B2 (en) 2016-04-28 2020-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US10607575B2 (en) 2016-09-30 2020-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system and electronic device
US10614739B2 (en) 2016-06-15 2020-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10620689B2 (en) 2016-10-21 2020-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and operation method thereof
US10629831B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
US10650727B2 (en) 2016-10-04 2020-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US10656453B2 (en) 2016-06-24 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, input/output device, and semiconductor device
US10665150B2 (en) 2016-07-08 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10672609B2 (en) 2016-06-15 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method of the same, and electronic device
US10679545B2 (en) 2016-08-17 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of display device
US10678078B2 (en) 2016-08-05 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the display device
US10693097B2 (en) 2016-07-15 2020-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including two display elements, display module, electronic device, and method for manufacturing display device
US10816841B2 (en) 2016-08-17 2020-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2020230571A1 (ja) * 2019-05-10 2020-11-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10853587B2 (en) 2016-06-10 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10937387B2 (en) 2016-07-28 2021-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US11054687B2 (en) 2016-08-09 2021-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device, display device, display module, and electronic device
US11067841B2 (en) 2016-10-03 2021-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a display device comprising polymerizing a monomer contained in a second liquid crystal layer in a region not overlapping with a coloring layer by light irradiation
US11106099B2 (en) 2016-06-24 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11482155B2 (en) 2018-07-20 2022-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Receiving circuit
US11960158B2 (en) 2016-08-17 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

Cited By (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002323867A (ja) * 2001-01-22 2002-11-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電子機器、及び電子機器の駆動方法
JP2003076302A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Sharp Corp 表示装置
JP2003157029A (ja) * 2001-09-06 2003-05-30 Sharp Corp 表示装置及びその製造方法
US7248235B2 (en) 2001-09-14 2007-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same
JP2003279983A (ja) * 2002-03-26 2003-10-02 Citizen Watch Co Ltd 発光素子内在型液晶表示素子
WO2004053819A1 (ja) * 2002-12-06 2004-06-24 Citizen Watch Co., Ltd. 液晶表示装置
JP2008504766A (ja) * 2004-07-02 2008-02-14 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト オーディオビジュアル装置
US7732230B2 (en) 2005-08-31 2010-06-08 Sharp Kabushiki Kaisha Backlight including dot light emitting devices having at least two different brightness ranks and method for manufacturing same
US8003990B2 (en) 2005-08-31 2011-08-23 Sharp Kabushiki Kaisha Backlight including dot light emitting devices having at least two different brightness ranks
JP2007171614A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2013231985A (ja) * 2006-04-14 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
US9189997B2 (en) 2006-04-14 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2007108771A (ja) * 2006-11-20 2007-04-26 Sharp Corp 表示装置
TWI393950B (zh) * 2009-01-08 2013-04-21 Au Optronics Corp 半穿反型顯示面板
US8064015B2 (en) 2009-01-08 2011-11-22 Au Optronics Corp. Transflective display panel
US9720277B2 (en) 2010-08-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having optical sensor
US8901548B2 (en) 2012-12-12 2014-12-02 Electronics And Telecommunications Research Institute Dual-mode pixel including emissive and reflective devices and dual-mode display with the same
US9715103B2 (en) 2013-03-27 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20140143090A (ko) * 2013-06-05 2014-12-15 소니 주식회사 표시 장치 및 전자 기기
JP2014235418A (ja) * 2013-06-05 2014-12-15 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR102066177B1 (ko) 2013-06-05 2020-01-14 가부시키가이샤 제이올레드 표시 장치 및 전자 기기
US9710013B2 (en) 2014-08-08 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processing device, program
JP2016218452A (ja) * 2015-03-23 2016-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 装置及び装置の作製方法
JP2016218451A (ja) * 2015-03-23 2016-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示装置の作製方法
US11018206B2 (en) 2015-03-23 2021-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
US10516008B2 (en) 2015-03-23 2019-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
US10020350B2 (en) 2015-03-23 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
WO2016151429A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
TWI746436B (zh) * 2015-04-13 2021-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示面板、資料處理裝置及顯示面板的製造方法
US10831291B2 (en) 2015-04-13 2020-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel
US11016329B2 (en) 2015-04-13 2021-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel
CN106255999A (zh) * 2015-04-13 2016-12-21 株式会社半导体能源研究所 显示面板、数据处理器及显示面板的制造方法
WO2016166636A1 (en) * 2015-04-13 2016-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel
US11754873B2 (en) 2015-04-13 2023-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel
US9851820B2 (en) 2015-04-13 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising a first transistor and a second transistor wherein an insulating film is located between a first display element and a conductive film
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
JP2017037301A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネルおよびその作製方法
US10170528B2 (en) 2015-08-07 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
US10290693B2 (en) 2015-08-07 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and method for driving the same
US11024692B2 (en) 2015-08-07 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and method for driving the same
US10854145B2 (en) 2015-08-19 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
JP2017228263A (ja) * 2015-08-19 2017-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置
US11348537B2 (en) 2015-08-19 2022-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US10311802B2 (en) 2015-08-19 2019-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
CN106469536A (zh) * 2015-08-19 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 信息处理装置
US10114450B2 (en) 2015-08-31 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
JP7457183B2 (ja) 2015-10-01 2024-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9837478B2 (en) 2015-10-01 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2017076125A (ja) * 2015-10-12 2017-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、入出力装置、情報処理装置および表示パネルの作製方法
WO2017064587A1 (en) * 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
WO2017064584A1 (en) * 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
US10031392B2 (en) 2015-10-12 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
US10345668B2 (en) 2015-10-12 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
US10147780B2 (en) 2015-10-12 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10181295B2 (en) 2015-10-23 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display panel comprising pixel having plurality of display elements
JP2017090916A (ja) * 2015-11-11 2017-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその作製方法
US9964800B2 (en) 2015-11-11 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2017081575A1 (en) * 2015-11-11 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
TWI712015B (zh) * 2015-11-11 2020-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US10976872B2 (en) 2015-12-18 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel
US10429999B2 (en) 2015-12-18 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel
US10534212B2 (en) 2016-01-18 2020-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output display device comprising an input portion having a sensing element to sense an approaching object and data processor having the same
US10176748B2 (en) 2016-02-03 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
JP2017182804A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、入出力装置、情報処理装置
US10302983B2 (en) 2016-03-29 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, and data processor
US10520768B2 (en) 2016-03-30 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output panel, and data processing device
US10101628B2 (en) 2016-04-07 2018-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2017194681A (ja) * 2016-04-15 2017-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、入出力装置、情報処理装置
US10043858B2 (en) 2016-04-27 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US10546545B2 (en) 2016-04-28 2020-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US10152936B2 (en) 2016-05-20 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, display system, and electronic device
US10078243B2 (en) 2016-06-03 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10853587B2 (en) 2016-06-10 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10290253B2 (en) 2016-06-10 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, system, and method for operating system
US11550181B2 (en) 2016-06-10 2023-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10394069B2 (en) 2016-06-10 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11003009B2 (en) 2016-06-10 2021-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10614739B2 (en) 2016-06-15 2020-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10672609B2 (en) 2016-06-15 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method of the same, and electronic device
US10431164B2 (en) 2016-06-16 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
JP2017227897A (ja) * 2016-06-17 2017-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法
US11062661B2 (en) 2016-06-17 2021-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US10453401B2 (en) 2016-06-17 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP7043189B2 (ja) 2016-06-17 2022-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、電子機器
JP7277636B2 (ja) 2016-06-17 2023-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2022095653A (ja) * 2016-06-17 2022-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10256279B2 (en) 2016-06-17 2019-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing the display device
US10656453B2 (en) 2016-06-24 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, input/output device, and semiconductor device
US11106099B2 (en) 2016-06-24 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11796871B2 (en) 2016-06-24 2023-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10303009B2 (en) 2016-06-30 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device
US11308833B2 (en) 2016-06-30 2022-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10591783B2 (en) 2016-06-30 2020-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device
US10770010B2 (en) 2016-06-30 2020-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10380956B2 (en) 2016-06-30 2019-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10276089B2 (en) 2016-07-01 2019-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method for driving the same
JP2018004952A (ja) * 2016-07-01 2018-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその作製方法
US10665150B2 (en) 2016-07-08 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
JP2018018070A (ja) * 2016-07-15 2018-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、入出力装置、情報処理装置
US10693097B2 (en) 2016-07-15 2020-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including two display elements, display module, electronic device, and method for manufacturing display device
US10451912B2 (en) 2016-07-15 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, input/output device, and data processing device
JP2018013698A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10255838B2 (en) 2016-07-27 2019-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10937387B2 (en) 2016-07-28 2021-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US9977285B2 (en) 2016-07-29 2018-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US11616206B2 (en) 2016-07-29 2023-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
US10930870B2 (en) 2016-07-29 2021-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
US10629831B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
JP2018022061A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10678078B2 (en) 2016-08-05 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the display device
US10211239B2 (en) 2016-08-05 2019-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
US11054687B2 (en) 2016-08-09 2021-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device, display device, display module, and electronic device
JP7044497B2 (ja) 2016-08-17 2022-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018087960A (ja) * 2016-08-17 2018-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示方法、表示装置、表示モジュールおよび電子機器
US10153460B2 (en) 2016-08-17 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11442302B2 (en) 2016-08-17 2022-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10816841B2 (en) 2016-08-17 2020-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10679545B2 (en) 2016-08-17 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of display device
JP6993137B2 (ja) 2016-08-17 2022-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示方法、表示装置、表示モジュールおよび電子機器
US11300826B2 (en) 2016-08-17 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and mobile information terminal
JP2022037073A (ja) * 2016-08-17 2022-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示方法
US11899296B2 (en) 2016-08-17 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11960158B2 (en) 2016-08-17 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2018032020A (ja) * 2016-08-17 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器、および携帯情報端末
WO2018042262A1 (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10528198B2 (en) 2016-09-16 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel
US10216999B2 (en) 2016-09-16 2019-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system, electronic device, and display method
JP2018049042A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10607575B2 (en) 2016-09-30 2020-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system and electronic device
US11067841B2 (en) 2016-10-03 2021-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a display device comprising polymerizing a monomer contained in a second liquid crystal layer in a region not overlapping with a coloring layer by light irradiation
US11049437B2 (en) 2016-10-04 2021-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US10650727B2 (en) 2016-10-04 2020-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US10620689B2 (en) 2016-10-21 2020-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and operation method thereof
US11216057B2 (en) 2016-10-21 2022-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and operation method thereof
US10923059B2 (en) 2016-11-09 2021-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of electronic device
US10482833B2 (en) 2016-11-09 2019-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of electronic device
JP2018141947A (ja) * 2017-01-19 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
US11217173B2 (en) 2017-02-10 2022-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display controller, display system, and electronic device
US10490130B2 (en) 2017-02-10 2019-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system comprising controller which process data
JP6345900B1 (ja) * 2017-03-31 2018-06-20 堺ディスプレイプロダクト株式会社 表示装置
US10923678B2 (en) 2017-03-31 2021-02-16 Sakai Display Products Corporation Display apparatus
WO2018179334A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 表示装置
US10547026B2 (en) 2017-03-31 2020-01-28 Sakai Display Products Corporation Display apparatus
WO2019064578A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 シャープ株式会社 表示デバイス
WO2019064575A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 シャープ株式会社 表示デバイス
CN111183390A (zh) * 2017-09-29 2020-05-19 夏普株式会社 显示设备
CN111164500A (zh) * 2017-09-29 2020-05-15 夏普株式会社 显示设备
US10908469B2 (en) * 2017-09-29 2021-02-02 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US10955709B2 (en) 2017-09-29 2021-03-23 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US11482155B2 (en) 2018-07-20 2022-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Receiving circuit
WO2020230571A1 (ja) * 2019-05-10 2020-11-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11847987B2 (en) 2019-05-10 2023-12-19 Japan Display Inc. Display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002196702A (ja) 画像表示装置
JP4122828B2 (ja) 表示装置及びその駆動方法
US9436053B2 (en) Display unit and electronic apparatus
US9634075B2 (en) Organic light emitting display device
WO2018192408A1 (zh) 显示面板、显示装置和驱动显示面板的方法
KR100581913B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치
JP3898012B2 (ja) 表示装置
US8106577B2 (en) Organic EL device and electronic apparatus
WO2002052338A1 (fr) Dispositif d'affichage d'images
KR101299607B1 (ko) 표시장치
JPWO2004053819A1 (ja) 液晶表示装置
JP2011129392A (ja) 表示装置
JP4419691B2 (ja) 有機el装置、電子機器
JP2005227762A (ja) 表示装置、電子機器
JP2007108771A (ja) 表示装置
KR20110053802A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20160119901A (ko) 표시 장치
CN107179638B (zh) 一种显示面板及其控制方法、显示装置
CN110890408B (zh) 一种显示面板、显示装置
JP5764185B2 (ja) El表示装置
JP2002196705A (ja) 画像表示装置
JP5316590B2 (ja) El表示装置
JP2005148740A (ja) デュアルディスプレイの反射型液晶ディスプレイ
CN111969129A (zh) 显示面板及显示装置
JP2008112844A (ja) 表示装置