JP2003157029A

JP2003157029A - 表示装置及びその製造方法

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Publication number: JP2003157029A
Application number: JP2002194960A
Authority: JP
Inventors: Akiyoshi Fujii; 暁義藤井; Akihito Jinda; 章仁陣田; Yozo Narutaki; 陽三鳴瀧
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2001-09-06
Filing date: 2002-07-03
Publication date: 2003-05-30
Anticipated expiration: 2022-07-03
Also published as: JP4176400B2

Abstract

(57)【要約】【課題】小型化及びコストダウンを図りながら、野外
から屋内まで視認性に優れた表示装置及びその製造方法
を提供する。【解決手段】表示領域内に、液晶表示素子２０が外光
を反射させて表示を行なう非発光表示素子からなる反射
領域１１と、有機ＥＬ素子６０が直接変調し表示を行な
う発光表示素子からなる発光領域１２ａとが併設されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置等の
非発光表示装置、有機ＥＬ発光素子等を用いた発光表示
装置等の表示装置及びその製造方法に関するものであ
る。詳細には、表示領域内に、非発光表示領域と発光表
示領域とが併設されている表示装置及びその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話をはじめとして、携帯情
報端末（ＰＤＡ:Personal Data Assistant) 等が広く普
及している。これに伴い、これらの端末に搭載される情
報表示用のディスプレイの開発が近年、非常に盛んにな
っている。

【０００３】上記ディスプレイは、非発光表示装置と発
光表示装置とに大別される。前者は、光変調素子により
太陽光、室内光、バックライト又はフロントライト等の
外部光源からの光を変調して表示を行なうものであり、
この代表として液晶表示素子が知られている。一方、後
者は、外部光源を必要とせず、発光素子が自ら発光する
ことにより表示を行なうものであり、この代表としてＥ
Ｌ(Electro Luminescence) が非常に注目されている。
以下、これらの表示装置について、さらに詳細に説明を
行なう。

【０００４】先ず、外部光源を利用する非発光表示装置
である透過型液晶表示装置では、バックライトを光源と
しているので、消費電力の増加及び形状の拡大となり携
帯用には課題を残していた。そこで、上記課題の一つで
ある消費電力を抑えるために、液晶層の下部電極をアル
ミニウム等の光を反射する金属にて形成することにより
光源として太陽光や室内灯等の外光を利用する反射型液
晶表示装置が開発されている。しかし、この反射型液晶
表示装置は、外光を利用するため暗い場所での使用には
難があった。

【０００５】こうした問題を解決するため、液晶層の下
部電極をハーフミラーにて形成し、明るい環境下ではバ
ックライトを使わないで反射型表示を行ない、暗い場所
ではバックライトを点灯して透過型表示を行なう半透過
型表示装置が開発された。しかしながら、上記半透過型
表示装置では、光を反射する部分と光を透過する部分と
の相反する特性を用いるため、光利用効率が低く消費電
力低減のための決定的な改善には至っていない。

【０００６】こうした問題を解決するため、本発明者ら
は、明るい環境下ではバックライトを使用しない反射型
として用いることができる一方、暗い場所ではバックラ
イトを点灯して透過型として用いることのできる液晶表
示装置を考案した（特開平１１−１０１９９２号公報
〔公開日：平成１１（１９９９）年４月１３日〕参
照）。この液晶表示装置は、膜厚を薄くして半透過性を
持たせた反射板を用いる従来の液晶表示装置とは異な
り、液晶表示装置における各表示画素を反射領域と透過
領域との２つの領域に分割している。すなわち、上記液
晶表示装置では、各表示画素の一つの領域として反射電
極を形成して反射領域とする一方、各表示画素の他の領
域には透過電極を形成して透過領域としている。また、
反射領域の液晶層の厚みと透過領域の液晶層の厚みとを
異ならせている。これにより、反射領域及び透過領域の
各々の領域にて最適な明るさを実現することが可能とな
っている。

【０００７】しかしながら、上記の画素分割型の液晶表
示装置では、各画素の全領域に対してバックライト光を
後方から照射する一方、このバックライト光が利用され
るのは各画素の透過領域のみである。したがって、バッ
クライト光の利用効率が低いという課題を有していた。
特に、反射電極の領域比率が高い場合には必然的に透過
領域が狭くなるので、バックライト光の利用効率が低く
なる。

【０００８】そこで、上記画素分割型の液晶表示装置に
対してそのバックライト光の利用効率を高めるものとし
て、例えば、特開２００１−６６５９３号公報〔公開
日：平成１３（２００１）年３月１６日〕に開示された
画素分割型の液晶表示装置がある。この液晶表示装置３
００では、図２８に示すように、先ず、液晶パネル３０
１における各画素３０２…に配された反射電極３０３の
一部に透過開口部３０４…を設けることにより、画素分
割型の液晶表示装置としている。また、この液晶表示装
置３００では、バックライトとして有機ＥＬ(Electro L
uminescence) 素子３１０からなる発光素子を用いる一
方、この有機ＥＬ素子３１０の発光部３１１…を、各画
素３０２の全領域に配置するのではなく、透過開口部３
０４…に対応する領域にのみ配置している。これによ
り、パターン化した有機ＥＬ素子をバックライトとして
組み合わせるので、光の利用効率を向上させ、消費電力
の低減を図ることができるものとなっている。

【０００９】一方、発光表示装置の代表である上記有機
ＥＬ発光素子を使った表示装置は、薄型、軽量の特徴を
持ち、発光素子であるため液晶表示装置のようにバック
ライトが不要で暗い環境でも使用が可能となり、しか
も、出射した光の略全てを表示に用いるため光利用効率
も高い。しかしながら、この有機ＥＬ発光素子を用いた
表示装置は、常に発光する必要があり、特に明るい環境
下で表示品位を上げるには発光量を増す必要があるた
め、低消費電力化には難があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
２８に示した画素分割型の液晶表示装置では、液晶パネ
ル３０１の外側に発光素子としての有機ＥＬ素子３１０
を配置しているために、反射電極３０３の透過開口部３
０４…と有機ＥＬ素子３１０との間に位相差板３０５と
偏光板３０６とガラス基板２枚つまりガラス基板３０７
及びガラス基板３１２とが存在する。現在、一般的な画
素ピッチは８０ミクロン程度であるが、この場合、透過
開口部３０４の幅はさらにその２分の１から６分の１、
およそ１５ミクロンから４０ミクロンとなる。これに対
し、偏光板３０６の厚みは約３００ミクロンであるとと
もに、５００から７００ミクロン厚のガラスが、液晶パ
ネル３０１のガラス基板３０７と有機ＥＬ素子３１０の
ガラス基板３１２とで２枚存在する。したがって、反射
電極３０３の透過開口部３０４と有機ＥＬ素子３１０と
の距離は１３００ミクロンから１７００ミクロンにもな
る。そのため、有機ＥＬ素子３１０の発光部３１１…を
透過開口部３０４…に対応する位置に設置したとして
も、透過開口部３０４…へ有機ＥＬ素子３１０の発光部
３１１から出射する全ての光を入射させることは不可能
である。したがって、やはり、有機ＥＬ素子３１０の照
射効率がよくないという問題点を有している。

【００１１】また、図２８に示した画素分割型の液晶表
示装置においては、基板を重ねることには変わりない。
そして、その薄型化については、液晶表示装置の厚さと
有機ＥＬ素子の厚さとの合計が限界であるという問題点
が残っている。さらに、図２８の構成では、液晶表示装
置の透過開口部３０４と有機ＥＬ素子３１０の形成部と
を位置決めをして固定する必要がある。このためには、
専用の位置決め装置及び固定するための機構が必要とな
り、部品点数の増大及びコストアップとなる問題があ
る。

【００１２】さらに、反射型液晶表示装置は、屋外での
視認性向上を目的に開発されており、外光の強い屋外で
は視認性が優れるが、逆に屋内、夜間の使用はできな
い。そこで、反射型液晶表示装置では、外光の代用とし
て、前面から照明光を導入するフロントライトを導入し
て対応している。このフロントライトに有機ＥＬ素子を
使用する例として、例えば、特開２０００−７５２８７
号公報に開示されたものがある。しかしながら、この場
合も透過型液晶表示装置にバックライトを導入した場合
と同様に、表示装置と補助光源との厚さにより、全体が
厚くなるという問題がある。

【００１３】一方、別の問題として、発光素子としての
有機ＥＬ発光素子を製造する際には、以下の問題が存在
する。

【００１４】例えば、特開２０００−１７３７７０号公
報（公開日：平成１２年６月２３日）には、一方の基板
に有機ＥＬ発光素子の駆動回路であるＴＦＴ（Thin Fil
m Transistor：薄膜トランジスタ）回路とこの上にカソ
ード（陰極）となる金属電極及び有機ＥＬ層を形成する
有機層の一部を形成し、他方の基板にはアノード電極
（陽極）を形成した後、この上に発光層を形成し、最後
にこれら双方の基板を合わせ、熱又は圧力を印加するこ
とにより有機層をガラス転移温度以上に上げて接合する
方法が開示されている。

【００１５】また、特開２００１−４３９８０号公報
（公開日：平成１３年２月１６日）には、基板上（ＴＦ
Ｔ基板でも良い）にアノード電極（陽極）を形成し、こ
の上に順次、有機ＥＬ層となる正孔注入層、正孔輸送層
及び発光層を積層した後、陰極となる仕事関数の低い金
属を極薄く形成し、その後、透明導電層を形成する方法
が開示されている。

【００１６】ここで、上記両公報のいずれも、有機ＥＬ
素子からの出射光は、この有機ＥＬ素子を駆動する回路
を形成した基板側でなく、これと対向して設定される対
向基板又は保護層側から出射させることが可能である。
これにより、回路形成側に出射する場合と比べて出射光
が回路パターンに遮蔽されることがないので、開口率を
上げることができ、輝度及び発光効率の向上並びに寿命
及び信頼性の向上に有効である。

【００１７】一方、駆動回路形成側は、従来開口部に充
当していた面積まで回路形成することができるので、回
路設計に余裕が生まれ、信頼性及び歩留まり向上を図る
とともに、さらに機能を上げた回路形成を可能とするこ
とにおいて有効な方法である。具体的には、特開２００
０−１７３７７０号公報では、駆動回路側と発光層側と
を別に形成することにより実現しており、特開２００１
−４３９８０号公報では、陰極電極を極薄く形成するこ
とにより実現を果している。

【００１８】ここで、発光層には、発光機能の信頼性の
観点から、特に水分混入をしないようにすることが望ま
しい。また、有機導電体は、酸化によるアクセプタード
ーピングにより性能劣化を引き起こすこともある。さら
に、カソード電極として使用する金属は、マグネシウム
（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）とい
った仕事関数の低い材料を用いるため、特に酸化に敏感
であり、形成加工が困難である。

【００１９】このように、発光層は、構造は単純である
が用いる材料は環境によってその性能に大きく影響を与
えられ易いという特徴がある。したがって、有機ＥＬ素
子を形成する場合には、発光層はできるだけ水分及び酸
素を遮断した環境で全てを形成し、さらに発光層を保護
する層も同時に形成することが望ましい。

【００２０】この点、特開２０００−１７３７７０号公
報では、発光層を形成する有機層の一部で接合をしてい
るために、接合の際に水分及び酸素のある雰囲気にさら
される可能性が高く、信頼性が課題となる。また、発光
層を形成する有機層はいずれも１０００Å前後の薄膜を
用いているので、貼り合わせる際に、両基板側にその一
部を形成し、ガラス転移点以上に温度を上げる過程で膜
質や性能の均一性が崩れることも有りうる。

【００２１】また、特開２００１−４３９８０号公報で
は、出射光側に金属からなるカソード電極があるため
に、極薄くてもこれによる透過ロスが存在する。また、
カソード電極が極薄いが故に、この上に形成される透明
導電層及び有機導電層の含有酸素との結合による性能劣
化、及び透明導電層形成時における温度が発光層へ与え
る影響が課題となる。

【００２２】さらに、特開２０００−１７３７７０号公
報では、陽極側が透明導電膜であることから、通常の導
体と比べて抵抗値が高くなるので、パネルにした場合
に、透明導電膜による電力ロスによって画面の輝度斑が
発生するという問題点を有している。

【００２３】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、小型化及びコストダウン
を図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装
置及びその製造方法を提供することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、上
記課題を解決するために、表示領域内に、光変調素子が
外光を反射させて表示を行なう非発光表示素子からなる
第１表示領域と、発光素子が直接変調し表示を行なう発
光表示素子からなる第２表示領域とが併設されているこ
とを特徴としている。

【００２５】本発明の表示装置によれば、外光を反射さ
せて表示を行う非発光表示素子と自発光の発光表示素子
とを同一表示装置内に組み込んだ構成とすることによ
り、バックライト等の別体光源を付設することが不要と
なるため、低消費電力化と小型化とを同時に実現するこ
とができる。また、非発光表示素子と自発光の発光表示
素子とを同一表示装置内に組み込むに際し、電極、配
線、駆動素子、絶縁体等の部材の製造工程を共通化でき
るので、従来、バックライト等の光源製造及びアセンブ
リ等にかかっていた時間・コストを大幅に軽減できる。

【００２６】以下、さらに本発明の作用・効果について
詳細に説明を行う。

【００２７】先ず、上述したように、一般に、ディスプ
レイは非発光表示装置と発光表示装置とに大別される。
非発光表示装置は太陽光、室内光、バックライト、フロ
ントライト等の外部光源からの光を非発光表示素子であ
る光変調素子に透過させることにより変調するものであ
り、この非発光表示素子には、外部光源からの光を反射
させる反射手段を持つ反射型と反射手段を持たない透過
型とがある。一方、発光表示装置は発光素子を有する表
示装置である。通常、発光素子又は発光層と称する部分
が自発光する。なお、ここでは、上記光変調素子におけ
る透過光の制御を光変調と呼ぶのに対し、発光素子での
発光のことを直接変調と呼ぶことにする。

【００２８】ところで、透過型液晶表示装置に代表され
る透過型の非発光表示装置の場合、通常、暗表示から明
表示までバックライト光の輝度は一定であり、常時点灯
している。したがって、透過型の非発光表示装置は常時
外部光源で電力を消費することになる。また、透過型の
非発光表示装置では、光変調素子とバックライトとに対
してそれぞれ電源供給及び制御が必要となるため部品点
数が多く、小型化するのにも制限があり、コストダウン
を図るのが難しかった。

【００２９】一方、ＥＬ表示装置に代表される発光表示
装置は、発光輝度を変調するため暗表示と明表示とでは
消費電力が異なり、消費電力は暗表示では少なく明表示
では多くなる。

【００３０】ここで、これら透過型の非発光表示素子又
は発光表示素子と反射型の非発光表示素子とを同一パネ
ル内に組込んで双方を表示に用いる場合と、本発明とを
比較する。つまり、透過型の非発光表示素子と反射型の
非発光表示素子とを組込んだ従来の表示装置すなわち従
来技術として説明した画素分割型の液晶表示装置等と本
発明の表示装置とを比較する。

【００３１】従来の液晶表示装置は、図２に破線Ｌ１で
示すように、明環境下から暗環境下まで光源であるバッ
クライトを常時点灯させる必要から、略一定の消費電力
が必要である。これに対し、発光表示素子と反射型の非
発光表示素子とを同一パネル内に組込んだ本発明の表示
装置は、周りの環境に合わせて発光表示素子の輝度を調
整して表示できる。このため、図２に実線Ｌ２で示すよ
うに、明環境下では発光輝度を絞り、反射型の非発光表
示素子を最大限利用できる一方、暗環境下では発光表示
素子の発光輝度を上げて表示することができる。したが
って、明環境下では従来の透過型の非発光表示装置にお
いてバックライト点灯にかかっていた電力を低く抑える
ことができる。

【００３２】したがって、本発明の表示装置は、明環境
下では、透過型の非発光表示素子と反射型の非発光表示
素子とを組込んだ表示装置よりも低消費電力化が可能で
あり、輝度を絞って表示することによって、長寿命化及
び信頼性向上を実現することができる。さらに、本発明
の表示装置は、別体としてバックライトを設ける必要が
ないので、従来の液晶表示装置と比較して、薄型化及び
小型化が可能であり、電源供給手段及び制御等も不要で
あるためコストダウンを図ることができる。

【００３３】また、本発明による表示装置を発光表示素
子のみの表示装置と比較すれば、図３の通りとなる。す
なわち、図３において破線Ｌ１’で示すように、発光表
示素子のみで構成された表示装置の場合、環境が明るく
なるに伴って、発光輝度を上げていかなければ表示が見
難くなる。

【００３４】一方、本発明の表示装置では、明環境下で
は反射型の非発光表示素子が表示特性を向上させるの
で、発光表示素子は、同図において実線Ｌ２’で示すよ
うに、輝度を落として表示することが可能である。これ
は、従来の発光表示素子のみで使用される場合には無か
った概念であり、本発明の構成によって独自になすこと
のできる輝度制御方法である。

【００３５】このように、本発明の表示装置によれば、
最大輝度を発光表示素子のみである場合よりも低く設定
することが可能となり、長寿命化、信頼性向上を実現す
ることができる。

【００３６】具体的には、本発明の表示装置は、先ず、
表示領域内に、光変調素子が外光を反射させて表示を行
なう非発光表示素子からなる第１表示領域と、発光素子
が直接変調し表示を行なう発光表示素子からなる第２表
示領域とが併設されている。

【００３７】したがって、発光素子は表示面側に向けて
自ら発光して直接的に表示するので、従来のように、発
光素子をバックライトやフロントライトとして使用する
ものではない。これによって、発光素子からの光の利用
効率を高めることができるとともに、表示装置の厚みも
薄くなる。すなわち、バックライトの厚みは、通常３〜
６ミリメートル程度であるために、バックライトが不要
になることによる厚み減少のメリットは非常に大きい。
また、バックライトが不要になることは、従来、液晶パ
ネルの背面パネルとバックライトとの間に設置されてい
た偏光板、位相差板及びガラス基板も不要となることを
意味する。したがって、これら偏光板、位相差板及びガ
ラス基板が不要になることによっても表示装置の厚みを
より薄くすることができる。

【００３８】また、パターン化した発光素子バックライ
トを位置決めして固定する必要もないので、これにかか
る専用装置、固定機構が省略でき、部品点数の削減及び
工程短縮等によるコストダウンを図ることが可能とな
る。

【００３９】さらに、バックライトと背面側の偏光板及
び位相差板が不要となるメリットは、単に表示装置全体
の厚みが薄くなることだけではない。すなわち、部材点
数が減ることは、材料費だけでなく組み立て工数や各々
の部材の検査等に要するコストも削減できるため、表示
装置全体の製造コストを下げることができる。

【００４０】また、本発明のような例えば画素分割方式
等の表示領域分割方式の表示装置では、第１表示領域と
第２表示領域との比率をある程度任意に設計することが
可能である。このため、例えば、携帯電話や情報携帯端
末（ＰＤＡ）等のモバイル機器への使用を前提とする場
合は、反射領域である第１表示領域の比率を大きくする
ことが一般的である。例えば、表示画素の画素面積のう
ち８０％を反射領域とした場合には、発光領域である第
２表示領域は２０％になるため、発光素子の発光面積は
最大でも画素面積の５分の１で済む。このことは、消費
電力の低減を図ることが可能となることを意味する。

【００４１】したがって、小型化及びコストダウンを図
りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置を
提供することができる。

【００４２】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、互いに対向してなる第１基板と第２基
板とを備え、光変調素子及び発光素子はいずれも上記第
１基板と第２基板との間に設けられていることを特徴と
している。

【００４３】上記の発明によれば、互いに対向してなる
第１基板と第２基板とを備え、光変調素子及び発光素子
はいずれも上記第１基板と第２基板との間に設けられて
いる。このため、光変調素子及び発光素子はいずれも、
第１基板と第２基板との間に収容されるので、表示装置
の厚みを確実に薄くすることができる。

【００４４】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、第２表示領域には光変調素子の光変調
層が存在しないことを特徴としている。

【００４５】上記の発明によれば、第２表示領域には光
変調素子の光変調層が存在しない。すなわち、発光素子
の発光層における表示面側には光変調素子の光変調層が
存在しない。つまり、発光素子から表示面方向へ出射し
た光が光変調層を通ることなく、表示装置外へ出射する
ということを意味する。なお、この状態として、発光層
の表示面側の端面が光変調層の表示面側の端面よりも表
示面側に存在する場合と、光変調層の表示面側の端面が
発光層の表示面側の端面よりも表示面側に存在するが、
例えば後述発明である凸部等の絶縁層の存在により発光
層の表示面側つまり第２表示領域の光変調層が排除され
ている場合とがある。

【００４６】この結果、発光素子の出射光が光変調素子
の光変調層によって散乱されたり吸収されたりすること
がないので、輝度低下が起こり難い。したがって、発光
素子による表示品位を向上させることができる。

【００４７】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子の光変調層と発光素子の発
光層とが同層に設けられていることを特徴としている。
なお、同層とは、必ずしも両者が同一レベルではなく、
光変調素子の光変調層内に発光素子の発光層が含まれる
状態を含んでいる。

【００４８】上記の発明によれば、発光素子は、光変調
素子の光変調層と同層に設けられている。このため、従
来の光変調素子からなる非発光表示素子の厚さの範囲内
に発光素子を収容することができる。この結果、確実
に、表示装置の厚さを薄くすることができる。

【００４９】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子を駆動する駆動素子と光変調
素子を駆動する駆動素子とが第１基板側に形成される一
方、発光素子が第２基板側に形成されていることを特徴
としている。

【００５０】上記の発明によれば、発光素子を駆動する
駆動素子と光変調素子を駆動する駆動素子とが第１基板
側に形成される一方、発光素子が第２基板側に形成され
ている。このため、表示装置を製造するときに、発光素
子と、発光素子及び光変調素子を駆動する駆動素子とを
別途に形成することができる。

【００５１】したがって、発光素子を形成するときに、
駆動素子形成時における工程温度、薬品、ガス等の影響
を受けないようにすることができる。

【００５２】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、第１基板と第２基板とのいずれか一方
に高さ調整のための凸部が設けられるとともに、この凸
部上に発光素子が形成されていることを特徴としてい
る。

【００５３】すなわち、発光素子を光変調素子の光変調
層と同層に設ける場合に、発光素子の高さと光変調素子
の光変調層との間隔が一致するとは限らない。この点、
本発明によれば、第１基板と第２基板とのいずれか一方
に高さ調整のための凸部が設けられるとともに、この凸
部上に発光素子が形成されている。

【００５４】したがって、確実に、発光素子を光変調素
子の光変調層と同層に設けることができる。

【００５５】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、凸部は、導電性樹脂にて形成されてい
ることを特徴としている。

【００５６】上記の発明によれば、凸部は、導電性樹脂
にて形成されている。したがって、例えば、駆動素子基
板側から導電性樹脂からなる凸部を形成することによっ
て、容易に駆動素子基板側から高さ調整を行なうことが
できる。

【００５７】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、凸部は、絶縁層からなっていることを
特徴としている。

【００５８】上記の発明によれば、凸部は、絶縁層から
なっている。例えば、対向基板側から絶縁層からなる凸
部を形成することによって、容易に高さ調整をすること
ができる。また、例えば、凸部を硬質の絶縁層にて形成
することによって、光変調素子の光変調層の間隔を一定
に維持させるためのスペーサとして機能させることがで
きる。

【００５９】なお、本発明では、絶縁層からなる凸部を
複数層に形成し、かつその界面を鋸歯状に形成すること
が可能である。これによって、発光素子から発光する光
に対して指向性を持たせることが可能となるので、例え
ば液晶などの光変調素子の視角特性と同様な視角特性に
なるように調整することができる。したがって、発光素
子による表示と光変調素子による表示とを切替えたとき
に表示画像を違和感無く見ることができる。

【００６０】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子用電極と、第１基板側又は第
２基板側との接合面には、導電性ペースト又は導電性樹
脂が設けられていることを特徴としている。

【００６１】上記の発明によれば、発光素子用電極と、
第１基板側又は第２基板側との接合面には、導電性ペー
スト又は導電性樹脂が設けられている。すなわち、導電
性ペースト又は導電性樹脂は一般的に硬化しても柔らか
く弾力性を有している。

【００６２】したがって、発光素子用電極と基板側との
電気的接合を確実に行なうことが可能となる。

【００６３】さらに、導電性ペーストの金属粒子材料に
は、超微粒子金属を使うことができる。この場合、超微
粒子は粒径がナノスケールであるので、粒子間や電極に
接触する確率が高い。このため、電気的接合を確実に行
なうことが可能となる。

【００６４】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子の発光層と光変調素子の光変
調層とが保護層を介して隣接していることを特徴として
いる。

【００６５】すなわち、前記の発明では、発光素子は、
光変調素子の光変調層と同層に設けられているので、光
変調素子の光変調層と発光素子とが互いに影響を及ぼす
おそれがある。例えば、発光素子によっては、光変調素
子の例えば液晶等の光変調層と発光素子とが接触するこ
とよって、双方の性能が低下したり、材料劣化したりす
るものもある。また、発光素子が空気や水分と接触する
ことにより劣化する場合もある。

【００６６】しかし、本発明によれば、発光素子の発光
層と光変調素子の光変調層とが保護層を介して隣接して
いる。

【００６７】したがって、発光素子の発光層と光変調素
子の光変調層とが互いに影響を及ぼし合うのを防止する
ことができる。例えば、発光素子を光変調素子の光変調
層と同層に設けた後には、双方の性能が低下したり、材
料劣化を防止することができる。また、表示装置の製造
過程においては、例えば、対向基板側に発光素子を形成
したときに、発光層を保護層にて保護することにより発
光層が空気や水分との接触して劣化することを防止する
ことができる。

【００６８】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、保護層は遮光機能を有していることを
特徴としている。

【００６９】すなわち、発光素子の発光層と光変調素子
の光変調層との相互に及ぼす影響として、発光素子の発
光層にて発光された光が光変調素子の光変調層に漏れる
ことも考えられる。

【００７０】この点、本発明によれば、保護層は遮光機
能を有しているので、発光素子の発光層にて発光された
光が光変調素子の光変調層に漏れるのを防止することが
できる。

【００７１】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子と光変調素子とは、互いに独
立して駆動されることを特徴としている。

【００７２】上記の発明によれば、発光素子と光変調素
子とは、互いに独立して駆動される。このため、発光素
子と光変調素子とを個別に駆動することが可能となる。
なお、発光素子と光変調素子とを互いに独立して駆動す
るための構成としては、例えば、発光素子と光変調素子
とのそれぞれがデータ信号線及び走査信号線を有してい
る場合、又は、データ信号線をそれぞれに設けるが走査
信号線を共有している場合がある。

【００７３】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子と光変調素子とは信号ライン
を共有して駆動されることを特徴としている。

【００７４】上記の発明によれば、発光素子と光変調素
子とは信号ラインを共有して駆動される。このため、発
光素子と光変調素子との駆動回路の構成が複雑になるの
を防止し、確実に、表示装置の厚みの低減及び部材コス
トの低減を図り得る表示装置を提供することができる。

【００７５】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子及び光変調素子を駆動する駆
動素子が第１基板側又は第２基板側のいずれか一方に形
成されていることを特徴としている。

【００７６】上記の発明によれば、第１基板側又は第２
基板側のいずれか一方に駆動素子を形成することによっ
て、表示装置の製造をより容易に行なうことができ、か
つ構成の複雑さを回避することができる。

【００７７】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、外光を検出する外光検出手段が設けら
れるとともに、この外光検出手段による外光の検出結果
に基づいて、発光素子及び光変調素子の両方又はいずれ
か一方を選択表示させる表示制御手段が設けられている
ことを特徴としている。

【００７８】上記の発明によれば、表示制御手段にて外
光検出手段による外光の検出結果に基づいて、発光素子
及び光変調素子の両方又はいずれか一方を選択表示させ
る。

【００７９】したがって、周りの明るさに応じて自動的
に発光素子及び光変調素子の表示を選択して、最適な表
示状態を確保することができる。

【００８０】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子は反射型の液晶表示素子で
あり、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子で
あることを特徴としている。

【００８１】この結果、確実に、小型化及びコストダウ
ンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示
装置を提供することができる。

【００８２】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子の表示面側電極と発光素子
の表示面側電極とが同一材料により同一層に形成されて
いることを特徴としている。

【００８３】上記の発明によれば、光変調素子の表示面
側電極と発光素子の表示面側電極とが同一材料により同
一層に形成されていることによって、製造工程を共通化
できるので、製造プロセスを簡単化できる。

【００８４】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子が明表示状態であるとき
に、発光素子が無発光状態を選択可能となっていること
を特徴としている。

【００８５】上記の発明によれば、光変調素子が明表示
状態であるときに、発光素子が無発光状態を選択可能と
なっている。このため、明環境下での使用の際、発光素
子を無発光状態とし、非発光表示素子のみで表示を行な
うことにより、発光素子の劣化を防ぎ、長寿命化を可能
とし、また、消費電力を節約することができる。

【００８６】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子及び発光素子が隣接状態に
配されるとともに、光変調素子及び発光素子のいずれか
一方が明表示状態であるときに、他方が暗表示状態にな
ることを特徴としている。

【００８７】上記の発明によれば、光変調素子及び発光
素子が隣接状態に配されるとともに、光変調素子及び発
光素子のいずれか一方が明表示状態であるときに、他方
が暗表示状態になることにより、一方がブラックマトリ
クスとなり、表示上、コントラストを低下させることが
ない。

【００８８】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記課題を解決するために、上記記載の表示装置を製造す
るに際して、第１基板上に駆動回路を形成し、第２基板
上に発光素子を形成した後、これら駆動回路を形成した
第１基板側と発光素子を形成した第２基板側とを合わせ
ることにより一体化することを特徴としている。

【００８９】上記の発明によれば、表示装置を製造する
に際して、第１基板上に駆動回路を形成し、第２基板上
に発光素子を形成した後、これら駆動回路を形成した第
１基板側と発光素子を形成した第２基板側とを合わせる
ことにより一体化する。

【００９０】このため、表示装置を製造するときに、発
光素子と、発光素子及び光変調素子を駆動する駆動素子
とを別途に形成することができる。したがって、発光素
子を形成するときに、駆動素子形成時における工程温
度、薬品、ガス等の影響を受けないようにすることがで
きる。

【００９１】この結果、小型化及びコストダウンを図り
ながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置の製
造方法を提供することができる。

【００９２】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の表示装置の製造方法において、発光素子と保護
層とはいずれを先に形成してもよいことを特徴としてい
る。

【００９３】上記の発明によれば、発光素子と保護層と
はいずれを先に形成してもよい。このため、発光素子及
び保護層の形成をいずれか容易に形成できる方の工程を
優先することができる。

【００９４】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の表示装置の製造方法において、発光素子用電極
と第１基板側又は第２基板側との接合面に、導電性ペー
スト又は導電性樹脂を設けた後、第１基板側と第２基板
側とが貼り合わされることを特徴としている。

【００９５】上記の発明によれば、発光素子用電極と第
１基板側又は第２基板側との接合面に、導電性ペースト
又は導電性樹脂を設けた後、基板同士が貼り合わされ
る。このため、発光素子用電極と第１基板側又は第２基
板側との接合面を、樹脂同士又は樹脂とペーストとする
ことにより、樹脂同士及びペーストの弾力性によってコ
ンタクト性能の向上を図ることができる。

【００９６】さらに、導電性ペーストの金属粒子材料に
は、超微粒子金属を使うことができる。この場合、超微
粒子は粒径がナノスケールであるので、粒子間や電極に
接触する確率が高い。このため、電気的接合を確実に行
なうことが可能となる。

【００９７】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記課題を解決するために、非発光表示素子と発光表示素
子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からな
るものにおいて、第２基板上に発光素子を２つの発光素
子用電極まで形成した後、前記駆動回路を形成した第１
基板側と、発光素子を形成した第２基板側とを貼り合わ
せることを特徴としている。

【００９８】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の表示装置の製造方法において、発光素子は、有
機エレクトロルミネッセンス素子からなり、上記有機エ
レクトロルミネッセンス素子を形成する第２基板側は、
有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電
極まで形成した後に、第１基板側と貼り合わされること
を特徴としている。

【００９９】また、本発明の表示装置は、上記課題を解
決するために、発光表示素子単独からなり、第１基板上
に駆動回路が形成された第１基板側と、第２基板上に２
つの発光素子用電極までを含む発光素子が形成された第
２板側とが貼り合わされていることを特徴としている。

【０１００】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子は、有機エレクトロルミネッ
センス素子からなり、上記有機エレクトロルミネッセン
ス素子が形成された第２基板側は、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子におけるカソード電極まで形成した後
に、第１基板側と貼り合わされていることを特徴として
いる。

【０１０１】上記の発明によれば、非発光表示素子と発
光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単
独からなるものにおいて、発光素子である有機エレクト
ロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」とい
う。）を形成する第２基板側は、有機ＥＬ素子における
発光素子用電極であるカソード電極まで形成した後に、
第１基板側と貼り合わせる。

【０１０２】これにより、有機ＥＬ素子からの出射光
は、有機ＥＬ素子を駆動する駆動回路を形成した基板側
でなく、これと対向して設定される対向基板又は保護層
側から出射させることが可能である。このため、前記先
行技術と光出射方向が同じであるため、駆動回路形成側
に出射する構造と比較して以下の基本的メリットを同等
にもつこととなる。

【０１０３】まず、駆動回路が設けられている第１基板
側と有機ＥＬ素子とを別々に形成することができる。こ
のため、それぞれ独立に製造工程を組むことができるの
で、温度、ガス及び薬品等に影響されることがなく信頼
性が向上する。

【０１０４】また、上記構成により、有機ＥＬ素子を形
成した第２基板側に光を出射させることができる。これ
により、駆動回路側開口率に影響されなく発光領域を広
く設定できるので、高輝度化ができる。さらに、発光面
積が広いことから同じ輝度を得るための単位面積当りの
電流量を抑えることもでき、長寿命化、及び発光効率向
上による消費電力低下が実現できる。

【０１０５】また、駆動回路を形成した第１基板側に光
出射しないため、第１基板側は全面に駆動回路を形成す
ることができる。したがって、駆動回路のＴＦＴ（Thin
Film Transistor：薄膜トランジスタ）の大きさを自由
に設定したり、ＴＦＴ形成領域に余裕が生まれたりする
ので、細かな制御を行うための回路を形成することがで
きる。さらに、配線幅にも余裕ができるので、駆動回路
の信頼性を上げることができ、歩留まりが向上する。

【０１０６】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されて
いるもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置
の製造方法において、前記有機エレクトロルミネッセン
ス素子におけるカソード電極までを形成した第２基板側
は、上記カソード電極の上にさらに該カソード電極を保
護する保護電極を形成した後、第１基板側と貼り合わさ
れることを特徴としている。

【０１０７】また、本発明の表示装置は、上記記載の発
光表示素子単独から表示装置において、前記有機エレク
トロルミネッセンス素子におけるカソード電極の上にさ
らに該カソード電極を保護する保護電極が形成された第
２基板側と、第１基板側とが貼り合わされていることを
特徴としている。

【０１０８】すなわち、上記の発明によれば、非発光表
示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光
表示素子単独からなるものにおいて、有機ＥＬ素子のカ
ソード電極は、仕事関数値の小さい材料を用いることが
必要である。このような材料として金属材料では、例え
ばマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、カルシ
ウム（Ｃａ）及びリチウム（Ｌｉ）等が挙げられるが、
これらは不安定な材料であり、雰囲気中の水分や酸素で
劣化を生じ易い。また、接触させる材料によっては、そ
の材料から酸素を奪い化学反応を起すこともあるので、
形成後直ぐに保護となるような安定な金属で覆うことが
良い。しかし、前記先行技術では、いずれもカソード電
極を保護するような構成はとることができない。

【０１０９】これに対して、本発明では、前記有機エレ
クトロルミネッセンス素子におけるカソード電極までを
形成する第２基板側は、上記カソード電極の上にさらに
該カソード電極を保護する保護電極を形成した後、第１
基板側と貼り合わせる。

【０１１０】すなわち、カソード電極までを形成する第
２基板側を第１基板側と貼り合わせる場合には、カソー
ド電極を保護する保護電極を設けることによって、貼り
合わせの際に、雰囲気中の水分や酸素にさらされること
によるカソード電極の性能劣化を防ぐことができる。

【０１１１】また、好ましくは、カソード電極とこれを
保護する電極を同一工程で連続形成することによって、
さらにカソード電極の劣化を防止させることができる。
このとき、保護電極の形成厚さは自由に設定できるの
で、カソード電極が酸素等の劣化を生じさせる成分が入
らないような十分な厚さをもって構成することが可能と
なる。

【０１１２】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されて
いるもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置
の製造方法において、第１基板側の第２基板側への接合
面には、駆動回路電極が設けられているとともに、前記
有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電
極までを形成した第２基板側は、上記第１基板側の駆動
回路電極との接触面に、導電性ペースト、導電性樹脂等
のコンタクト層を形成した後に、第１基板側の駆動回路
電極と接合されることを特徴としている。

【０１１３】また、本発明の表示装置は、上記記載の発
光表示素子単独からなる表示装置において、第１基板側
の第２基板側への接合面には、駆動回路電極が設けられ
ているとともに、第２基板側には、前記有機エレクトロ
ルミネッセンス素子におけるカソード電極の上に、導電
性ペースト、導電性樹脂等のコンタクト層が形成されて
おり、上記第１基板側と第２基板側とは、第１基板側の
駆動回路電極と第２基板側のコンタクト層とが対向して
接合されていることを特徴としている。

【０１１４】上記の発明によれば、有機ＥＬ素子におけ
るカソード電極までを形成する第２基板側は、上記第１
基板側の駆動回路電極との接触面に、導電性ペースト、
導電性樹脂等のコンタクト層を形成した後に、第１基板
側の駆動回路電極と接合する。

【０１１５】この結果、貼り合わせの際の電気的接触が
より確実に取れるので、接合面での断線や点接触がなく
なり、輝度斑にない画質向上を図ることが可能となる。

【０１１６】さらに、導電性ペーストの金属粒子材料に
は、超微粒子金属を使うことができる。この場合、超微
粒子は粒径がナノスケールであるので、粒子間や電極に
接触する確率が高い。このため、電気的接合を確実に行
なうことが可能となる。

【０１１７】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されて
いるもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置
の製造方法において、第２基板側には、出射光側に有機
エレクトロルミネッセンス素子における透明電極からな
るアノード電極が設けられるとともに、上記アノード電
極には、電力供給用電極が併設されることを特徴として
いる。

【０１１８】また、本発明の表示装置は、上記記載の発
光表示素子単独からなる表示装置において、第２基板側
には、出射光側に有機エレクトロルミネッセンス素子に
おける透明電極からなるアノード電極が設けられている
とともに、上記アノード電極には、電力供給用電極が併
設されていることを特徴としている。

【０１１９】すなわち、本発明のカソード電極（陰極）
まで形成した第２基板側を第１基板側と貼り合わせる場
合には、出射光側とは反対側のカソード電極（陰極）が
第１基板側と対向するものとなる。

【０１２０】ところで、透明電極は、通常、酸化物を用
いた導電体であるため、金属と比較すると抵抗が高い。
したがって、多くの画素をもつ表示パネルでは全画素を
同時発光させるような場合、透明電極においては最初に
電圧降下が起こる可能性がある。そして、第１基板側を
アノード電極とする従来技術の場合は、駆動回路のＴＦ
Ｔへの電力供給は、金属配線であるので問題ないが、比
抵抗で２桁程金属よりも高い透明導電体では、電圧降下
による輝度斑が無視できない。

【０１２１】そこで、本発明では、第２基板側には、出
射光側に有機エレクトロルミネッセンス素子における透
明電極からなるアノード電極が設けられるとともに、上
記アノード電極には、電力供給用電極が併設される。

【０１２２】したがって、例えば、出射側のブラックマ
トリクスに沿って金属配線からなる電力供給用電極を併
設することによって、電圧降下を抑制できるので、輝度
斑が生じない。

【０１２３】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の実施の
一形態について図１、図３ないし図１０に基づいて説明
すれば、以下の通りである。

【０１２４】本実施の形態の表示装置５０は、図１に示
すように、光変調層としての液晶層２６及び発光素子と
しての有機ＥＬ素子６０を挟んで上下のＴＦＴ基板５１
と対向基板５２によって形成されている。下側はガラス
に代表される材料からなる第１基板としての絶縁性基板
２１上に形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄
膜トランジスタ）基板５１であり、表示画素毎に光変調
素子としての反射型の液晶表示素子２０を駆動する液晶
用ＴＦＴ素子２２と発光素子としての発光型の有機ＥＬ
素子６０を駆動するＥＬ用ＴＦＴ素子４２とが形成され
ている。これら液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ
素子４２は、それぞれ独立に駆動することができる一
方、信号ラインを共有して駆動することもできる。

【０１２５】一方、上側には、同様にガラスからなる透
明の第２基板としての絶縁性基板２９と、この絶縁性基
板２９上に形成されたカラーフィルタ層２８と、ブラッ
クマトリクス３３と、光変調素子の表示面側電極として
の対向電極２７と、発光素子用電極及び発光素子の表示
面側電極としての陽極６５、ホール輸送層６４、発光層
６３、電子輸送層６２、及び発光素子用電極としての陰
極６１からなる有機ＥＬ(Electro Luminescence) 発光
素子６０と、偏光板３２と、位相差板３１とからなる対
向基板５２が設けられている。

【０１２６】ここで、本実施の形態では、有機ＥＬ素子
６０は、液晶表示素子２０の光変調層である液晶層２６
と同層に設けられており、有機ＥＬ素子６０の光出射側
には液晶層２６が存在しないようになっている。

【０１２７】すなわち、本実施の形態の表示装置５０で
は、液晶表示素子２０の部分では表示面側から入射する
外光を液晶表示素子２０の画素電極２５にて反射させ液
晶層２６にて変調し表示を行う第１表示領域としての反
射領域１１と、有機ＥＬ素子６０の部分にて自発光して
表示面側にその光を出射する第２表示領域としての発光
領域１２ａとが表示領域としての表示画素毎に併設され
ている。

【０１２８】また、本実施の形態の表示装置５０では、
有機ＥＬ素子６０の出射光が液晶層２６を通り難い構造
となっている。このため、有機ＥＬ素子６０の出射光が
液晶によって散乱されたり吸収されたりすることがない
ので、輝度低下が起こり難い。

【０１２９】上記の有機ＥＬ素子６０は、本実施の形態
では、対向基板５２の陽極６５上に形成される。このこ
とは、本実施の形態の有機ＥＬ素子６０はＴＦＴ回路と
は別工程で作製可能であることを意味する。

【０１３０】すなわち、有機ＥＬ素子６０は、対向基板
５２側に形成され、形成された有機ＥＬ素子６０の光は
対向基板５２側に出射される。このため、対向基板５２
を形成するに際して、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e：インジウムすず酸化物）からなる透明の陽極６５か
ら順にホール輸送層６４、発光層６３、電子輸送層６２
及び陰極６１を形成することができ、従来提案されてい
る形成方法を使用できるとともに、対向基板５２側には
駆動回路がないため、駆動回路によって有機ＥＬ素子６
０の開口率が制限されることはなく１００％近い開口率
が得られる。

【０１３１】また、ＴＦＴ製造工程と対向基板５２の製
造工程とが分離されているため、ＴＦＴ製造工程で発生
する熱の影響や、特に有機材料を用いた発光層６３の特
性劣化を引き起こす水、薬液を使用するフォトリソ、エ
ッチング工程と分離できる。

【０１３２】したがって、有機ＥＬ素子６０をＴＦＴ基
板５１とは別に形成できることは、有機ＥＬ素子６０の
性能を維持する上でメリットとなる。

【０１３３】ここで、本実施の形態に使用される発光層
６３は、低分子型ＥＬ材料を用いたものであるか又は高
分子型ＥＬ材料を用いたものであるかを問わない。同図
に示す有機ＥＬ素子６０は、低分子型ＥＬ材料を用いた
発光層６３の適用例を示しており、かつ発光層６３の両
面に電子輸送層６２とホール輸送層６４とを設けてい
る。ただし、必ずしもこれら電子輸送層６２とホール輸
送層６４を設ける必要はないが、低分子型ＥＬ材料を用
いた発光層６３では、電子輸送層６２及びホール輸送層
６４を設けることが発光効率の点で好ましい。

【０１３４】また、本実施の形態の表示装置５０では、
ＴＦＴ基板５１における画素電極２５と有機ＥＬ素子６
０との間には、凸部としての導電性コンタクト層６６が
設けられており、これによって、有機ＥＬ素子６０と画
素電極２５及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２とが電気的に接続
されている。この導電性コンタクト層６６は、高さ調整
のために設けられている。

【０１３５】次に、上記低分子型ＥＬ材料の発光層６３
からなる有機ＥＬ素子６０を備えた表示装置５０の製造
方法について説明する。最初に、対向基板５２を形成す
る場合について説明する。

【０１３６】低分子型ＥＬ材料の発光層６３では、一般
にマスク蒸着を使用して有機ＥＬ素子６０を形成する。
したがって、対向基板５２を形成するときには、図４
（ａ）に示すように、先ず、マスク５５を対向基板５２
の対向電極２７及び陽極６５側の予め決められた位置に
セットする。なお、本実施の形態では、後述するよう
に、液晶表示素子２０と有機ＥＬ素子６０とが信号ライ
ンを共有して駆動する方法を採用している。したがっ
て、構造上、対向電極２７と陽極６５との間には溝が形
成され導通しないようになっている。ただし、液晶表示
素子２０と有機ＥＬ素子６０とを独立して駆動するとき
には、対向電極２７と陽極６５とは導通していてもよ
い。

【０１３７】次いで、図４（ｂ）（ｃ）に示すように、
マスク５５の窓５５ａを通してホール輸送層６４、発光
層６３、電子輸送層６２及び陰極６１を順次成膜する。
一方、ＴＦＴ基板５１を成形するときには、図５
（ａ）（ｂ）に示すように、液晶用ＴＦＴ素子２２、Ｅ
Ｌ用ＴＦＴ素子４２及び画素電極２５が形成されたＴＦ
Ｔ基板５１上に感光性導電樹脂を塗布した後、マスク露
光を行い、導電性コンタクト層６６のみ導電樹脂を残
す。ここで、本実施の形態では、画素電極２５は、有機
ＥＬ素子６０が配置される領域にも設けられている。こ
の画素電極２５は、アルミニウム（Ａｌ）等の反射性を
有する導電膜からなっているが、有機ＥＬ素子６０は画
素電極２５とは反対の表示面側にのみ発光するので画素
電極２５の存在は光透過の問題とならない。また、有機
ＥＬ素子６０の背面の反射板を別途に形成する必要がな
いので、工程的にも工数の削減を図ることができる。

【０１３８】また、上記の陰極６１は、一般的には金属
にて形成するが、必ずしもこれに限らず、例えば導電性
樹脂を用いることができる。なお、陰極６１を金属又は
導電性樹脂にて形成した後にさらに導電性樹脂を形成し
ても良い。さらに、導電性樹脂は、インクジェットを用
いて塗布を行っても良い。

【０１３９】また、本実施の形態では、対向基板５２側
へ有機ＥＬ素子６０の発光光が出射するため、対向基板
５２側からＴＦＴ基板５１側へ電流を流すことが必要で
ある。そのため、対向基板５２側に形成される透明の陽
極６５の抵抗値が高い場合には、発光効率を下げること
も考えられる。そこで、これを解消するために、例え
ば、図６に示すように、有機ＥＬ素子６０の透明の陽極
６５に沿って金属電極６５ａを形成して抵抗値を下げる
ことが可能である。この金属電極６５ａとして利用でき
る材料は、反射率の低い例えばチタン（Ｔｉ）、タンタ
ル（Ｔａ）等が望ましい。また、さらに低抵抗にするた
めに、例えば、図７に示すように、アルミニウム（Ａ
ｌ）等の低抵抗金属からなる金属電極６５ｂと例えばチ
タン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等の低反射率の金属電
極６５ｃとを層構造にしてブラックマトリクス３３に沿
って形成してもよい。ここで、低反射金属を使用するの
は、金属電極６５ａ・６５ｂにて外光を反射し、コント
ラストを低下させないためである。また、同様の目的の
金属電極をブラックマトリクス３３に沿って形成しても
よい。この場合は、ブラックマトリクス３３で遮光され
た表示面側に直接出ないので、反射率の低い材料に限る
ことはない。

【０１４０】ところで、本実施の形態では、有機ＥＬ素
子６０と液晶層２６との境界に特に何も設けていない
が、必ずしもこれに限らず、例えば、実施の形態２にて
説明する有機ＥＬ発光素子７０と同様の遮光層を設ける
ことも可能である。本実施の形態の有機ＥＬ素子６０に
遮光層を形成する場合には、有機ＥＬ素子６０を層状に
形成してから、壁面に遮光材料を塗布すればよい。

【０１４１】次に、図８（ａ）（ｂ）に示すように、有
機ＥＬ素子６０を形成した対向基板５２とＴＦＴ基板５
１とは互いにアライメントされ、貼り合せて固定され
る。ここで、有機ＥＬ素子６０は、ＴＦＴ基板５１に導
電性コンタクト層６６によって電気的に接続されるが、
望ましくは、これらＴＦＴ基板５１及び対向基板５２の
両方に予め導電性樹脂を形成し、導電性樹脂同士にて電
気的コンタクトを取った方がよい。これは、金属表面の
酸化膜等によるコンタクト不良を防止できるためであ
り、樹脂の持つ弾力性を利用してコンタクトを取り易く
できるからである。

【０１４２】この後、液晶を注入する。注入はＴＦＴ基
板５１及び対向基板５２を貼り合わせた後、真空注入す
る方法にて注入することができる。

【０１４３】次に、有機ＥＬ素子６０に用いる各部材の
材質等について説明する。

【０１４４】先ず、有機ＥＬ素子６０は、白色光を発光
する発光層６３を用いて、液晶表示素子２０での表示に
使用するカラーフィルタ層２８をそのまま使用すること
が可能である。一方、必ずしもこれに限らず、赤（Ｒ）
・緑（Ｇ）・青（Ｂ）のいずれかの色を発光する発光層
６３を用いることも可能である。このときには、カラー
フィルタ層２８の一部を透明にしても良い。

【０１４５】すなわち、発光層６３の発光は、赤（Ｒ）
・緑（Ｇ）・青（Ｂ）の各色によって発光輝度の時間的
劣化が同一ではない。このため、発光層６３を表示素子
に用いる場合は、時間の経過に伴って色バランスが崩れ
る。この点、白色光を発光する発光層６３を用いた場合
には、このような時間的な色バランス劣化を防ぐことが
できる。一方、白色光を発光する発光層６３を用いると
ともに各色のカラーフィルタ層２８を使用した場合に
は、各色のカラーフィルタ層２８によって透過率が１／
３となるので、光利用効率が下がることになる。

【０１４６】したがって、いずれの場合も一長一短があ
るので、比較的使用期間が短いと考えられるディスプレ
イや正確な色バランスよりも明るさを重視されるディス
プレイにおいては、赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）の各
色の発光色の発光層６３を用いるのが好ましい。一方、
長時間色バランス性能が要求されるテレビのような用途
には、白色光を発光する発光層６３を用いた方が好まし
い。

【０１４７】次に、各色を発光する低分子型発光材料か
らなる発光層６３として用いることができる材料として
は、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレ
ン、ピレン、テトラセン、フルオレセイン、ペリレン、
フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロ
ペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、
テトラフェニルブタジエン、クマリン、キノリン金属錯
体、イミン、ジフェニルアントラセン、ジアミノカルバ
ゾール、キナクリドン、ルブラン等が挙げられる。

【０１４８】一方、白色光を発光する発光層６３の材料
としては、青色金属錯体（Ｚｎｂｏｘ２：Zinc-benzoxy
azol2 ）と黄色金属錯体（Ｚｎｓｑ２:Zinc-styrylquin
oline2）を用いたものが挙げられる。これに蛍光色素ペ
リレンやＤＣＭ１（4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-
(4-dimethylaminostyryl)-4H-pyran) をドーピングした
ものも使用できる。また、ポリマー材料の積層や、ポリ
ビニルカルバゾールにＰＢＤ（2-(4-Biphenylyl)-5-(4-
tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole) を分散した単層
材料等も使用できる。

【０１４９】また、ホール輸送層６４の材料としては、
フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、ポル
フィリン類、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダ
ゾール、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、ス
チルベン等が上げられる。

【０１５０】さらに、電子輸送層６２の材料としては、
フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェニキノ
ン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チアジ
アゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン酸が
挙げられる。

【０１５１】陰極６１の電極材料には、アルミニウム
（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）等の金属
が挙げられる。なお、これらにニッケル（Ｎｉ）、チタ
ン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）等の金属材
料を積層して、コンタクト性を上げてもよい。

【０１５２】さらに、ＴＦＴ基板５１と対向基板５２と
を接続するための導電性コンタクト層６６の接続導電性
樹脂としては、例えば、特開平１１−２４９２９９号公
報に記載の導電性粒子が分散された感光性樹脂（富士フ
ィルム株式会社製）や雑誌「１９８６ The Chemical S
ociety of Japan 」の「CHEMISTRY LETTERS ,pp.469-47
2,1986」等に記載されたポリピロールを用いた感光性導
電ポリマーを利用することができる。なお、詳細には、
特開平１１−２４９２９９号公報では、カーボンブラッ
ク等の導電性粒子が分散された感光性分散物及び感光性
シートに関する技術であって、露光及び現像によってパ
ターンを形成することができる旨が開示されている。ま
た、「CHEMISTRY LETTERS ,pp.469-472,1986」には、ピ
ロールモノマーを光化学重合させ、導電性をもたせ、ポ
リピロール形成することを開示しており、電極材料とし
てパターン化して用いることも開示している。

【０１５３】次に、対向基板５２に形成される位相差板
３１及び偏光板３２の特性について述べる。これら位相
差板３１及び偏光板３２は、液晶表示素子２０において
特定の液晶モードを除く反射型液晶表示装置を構成する
ために特定の液晶モードを除いて必要であり、その場合
の位相差板３１は１／４λが一般的である。ここで、本
実施の形態では、有機ＥＬ素子６０の陰極６１には、反
射効果を上げるためにアルミニウム（Ａｌ）等の金属が
使用される。そのため、有機ＥＬ素子６０の非発光時に
は陰極６１による光反射によってコントラストが下が
る。したがって、通常は反射防止のため有機ＥＬ素子６
０の表示面側に偏光板３２と１／４λの位相差板３１と
が必要となる。この点、本実施の形態では、反射型の液
晶表示素子２０には、予め同構成の偏光板３２及び位相
差板３１があるため、新たに設ける必要もなく共用する
ことができる。

【０１５４】次に、上述の構成を備えた表示装置５０の
駆動回路について、図９に基づいて説明する。なお、こ
の駆動回路では、マトリクス状に形成された表示領域と
しての各表示画素１０…をアクティブ駆動すべく、液晶
表示素子２０及び有機ＥＬ素子６０の駆動について信号
ライン及び走査信号線であるゲートバスライン３…及び
信号ライン及びデータ信号線であるソースバスライン２
ａ…を共用するものとなっている。ただし、本発明にお
いては、必ずしもこれに限らず、単純マトリクスに適用
することも可能である。

【０１５５】すなわち、同図に示すように、表示装置５
０における１画素分の回路構成は、液晶用ＴＦＴ素子２
２のゲート電極がゲートバスライン３に接続され、ソー
スバスライン２ａが液晶用ＴＦＴ素子２２のソース電極
に接続されている。また、液晶用ＴＦＴ素子２２のドレ
イン電極２２ａは、液晶表示素子２０と、液晶補助容量
３５と、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２のゲート電極とに接続し
ている。また、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２のソース電極は電
流供給ライン２ｂに接続し、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２のド
レイン電極は有機ＥＬ素子６０の陰極６１に接続してい
る。なお、上記の構成では、有機ＥＬ素子４０はＥＬ用
ＴＦＴ素子４２のドレイン側に設けられているが、必ず
しもこれに限らず、例えば、図１０に示すように、ＥＬ
用ＴＦＴ素子４２のソース側に設けることも可能であ
る。

【０１５６】上記の駆動回路では、図９及び図１０に示
すように、ゲートバスライン３…に入力される走査線信
号Ｖｇにて液晶用ＴＦＴ素子２２がＯＮ／ＯＦＦされ、
ソースバスライン２ａ…のデータ線信号Ｖｓが液晶表示
素子２０に入る。液晶表示素子２０の点灯状態は液晶補
助容量３５によって確保される。また、本実施の形態で
は、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２のＥＬ用閾値電圧Ｖｔｈ（Ｏ
ＬＥＤ）は液晶表示素子２０の動作範囲電圧よりも高く
設定されている。すなわち、ソースバスライン２ａ…の
データ線信号Ｖｓの電圧が液晶表示素子２０の駆動電圧
範囲を超えると、液晶表示素子２０は飽和する一方、Ｅ
Ｌ用ＴＦＴ素子４２がＯＮ状態となって、有機ＥＬ素子
６０が発光する。

【０１５７】一方、液晶表示素子２０はノーマリーホワ
イトに設定されており、飽和状態では黒になる。このた
め、有機ＥＬ素子６０が発光する電圧範囲では、液晶表
示素子２０は有機ＥＬ素子６０のブラックマトリックス
となって、液晶表示素子２０によるコントラスト低下は
生じない。

【０１５８】また、液晶表示素子２０のみが動作してい
る電圧範囲では、発光領域１２ａは発光せず、パネル表
示面に設けられた偏光板３２と位相差板３１とによって
黒の状態となる。このため、有機ＥＬ素子６０による液
晶表示素子２０のコントラスト低下は生じない。

【０１５９】また、上述した有機ＥＬ素子６０及び液晶
表示素子２０双方の表示を一体化しない場合には、駆動
回路はそれぞれ独立駆動可能に設けることができる。こ
のときの液晶表示素子２０は、ノーマリブラック設定
し、液晶表示素子２０がＯＦＦ状態で黒になるようにす
ることが望ましい。これは、液晶表示素子２０が動作し
ないときに、液晶表示素子２０で電力を無駄に消費せ
ず、表示コントラストを上げるためである。

【０１６０】さらに、透過型液晶表示素子と反射型液晶
表示素子とを組合わせた従来の液晶表示装置には、透過
型表示用の光源及びそのための電源が必要であるが、有
機ＥＬ素子６０と反射型の液晶表示素子２０とを同一パ
ネル内に組込んだ本実施の形態の表示装置５０では、予
め駆動ドライバー部に電源を持たせておく等にすれば輝
度変調もできる。

【０１６１】したがって、本実施の形態の表示装置５０
は、光源用の電源が必要でなくコストダウン、部品点数
削減、小型化が可能である。なお、信号配線を共通とし
て、信号配線にかける電圧によって発光表示素子と、外
光を利用して表示する非発光表示素子とを切り替えた場
合には、前記図２に示すように、自発光輝度がある点Ｗ
で０に落とすことに相当する。

【０１６２】このように、本実施の形態の表示装置５０
では、各表示画素１０…内に、液晶表示素子２０が外光
を反射させて表示を行なう非発光表示素子からなる反射
領域１１と、有機ＥＬ素子６０が直接変調し表示を行な
う発光表示素子からなる発光領域１２ａとが併設されて
いる。

【０１６３】したがって、一対の絶縁性基板２１と絶縁
性基板２９との間に、液晶表示素子２０と有機ＥＬ素子
６０とが併設されるので、表示装置の厚さを薄くするこ
とができる。

【０１６４】したがって、有機ＥＬ素子６０は表示面側
に向けて自ら発光して直接的に表示するので、従来のよ
うに、有機ＥＬ素子６０をバックライトやフロントライ
トとして使用するものではない。したがって、これによ
っても有機ＥＬ素子６０からの光の利用効率を高めるこ
とができるとともに、表示装置の厚みも薄くなる。すな
わち、バックライト及びフロントライトの厚みは、通常
６ミリメートル程度であるために、バックライトが不要
になることによる厚み減少のメリットは非常に大きい。
また、バックライトが不要になることは、従来、液晶パ
ネルの背面パネルとバックライトとの間に設置されてい
た背面側の偏光板、位相差板及びガラス基板も不要とな
ることを意味する。したがって、これら背面側の偏光
板、位相差板及びガラス基板が不要になることによって
も表示装置の厚みをより薄くすることができる。

【０１６５】さらに、バックライトと背面側の偏光板及
び位相差板が不要となるメリットは、単に表示装置全体
の厚みが薄くなるだけではない。すなわち、部材点数が
減ることは、材料費だけでなく組み立て工数や各々の部
材の検査等に要するコストも削減できるため、表示装置
全体の製造コストを下げることができる。

【０１６６】したがって、小型化及びコストダウンを図
りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置５
０を提供することができる。

【０１６７】また、本実施の形態の表示装置５０では、
互いに対向してなる絶縁性基板２１と絶縁性基板２９と
を備え、液晶表示素子２０及び有機ＥＬ素子６０はいず
れも絶縁性基板２１と絶縁性基板２１との間に設けられ
ている。このため、液晶表示素子２０及び有機ＥＬ素子
６０はいずれも、絶縁性基板２１と絶縁性基板２１との
間に収容されるので、表示装置５０の厚みを確実に薄く
することができる。

【０１６８】また、本実施の形態の表示装置５０では、
発光領域１２ａには液晶表示素子２０の液晶層２６が存
在しない。すなわち、有機ＥＬ素子４０のＥＬ発光層６
３における表示面側には液晶表示素子２０の液晶層２６
が存在しない。つまり、有機ＥＬ素子４０から表示面方
向へ出射した光が液晶層２６を通ることなく、表示装置
５０外へ出射するということを意味する。なお、ＥＬ発
光層６３の表示面側に液晶層２６が存在しない状態とし
て、本実施の形態以外では、例えば実施の形態３にて示
すように、液晶層２６の表示面側の端面がＥＬ発光層６
３の表示面側の端面よりも表示面側に存在するが、絶縁
性凸部８１等の絶縁層の存在によりＥＬ発光層６３の表
示面側つまり発光領域１２ａの液晶層２６が排除されて
いる場合がある。また、それ以外の構造としては、ＥＬ
発光層６３が液晶表示素子２０の表示面側に存在するタ
イプが考えられる。

【０１６９】この結果、有機ＥＬ素子６０の出射光が液
晶表示素子２０の液晶層２６によって散乱されたり吸収
されたりすることがないので、輝度低下が起こり難い。
したがって、有機ＥＬ素子６０による表示品位を向上さ
せることができる。また、本実施の形態の表示装置５
０では、液晶表示素子２０の液晶層２６と有機ＥＬ素子
６０のＥＬ発光層６３とが同層に設けられている。な
お、同層とは、必ずしも両者が同一レベルではなく、液
晶表示素子２０の液晶層２６内に有機ＥＬ素子６０のＥ
Ｌ発光層６３が含まれる状態を含んでいる。

【０１７０】このため、従来の液晶表示素子２０からな
る非発光表示素子の厚さの範囲内に有機ＥＬ素子６０を
収容することができる。この結果、確実に、表示装置５
０の厚さを薄くすることができる。

【０１７１】また、本実施の形態の表示装置５０では、
有機ＥＬ素子６０及び液晶表示素子２０を駆動する液晶
用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２等の駆動素
子が一方のＴＦＴ基板５１側に形成される一方、このＴ
ＦＴ基板５１に対向する対向基板５２側に有機ＥＬ素子
６０が形成されている。

【０１７２】このため、表示装置５０を製造するとき
に、有機ＥＬ素子６０と、液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥ
Ｌ用ＴＦＴ素子４２等の駆動素子とを別途に形成するこ
とができる。したがって、有機ＥＬ素子６０を形成する
ときに、液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４
２等の駆動素子形成時における工程温度、薬品、ガス等
の影響を受けないようにすることができる。

【０１７３】さらに、有機ＥＬ素子６０の出射光は、対
向基板５２側に出射するため、有機ＥＬ素子６０を駆動
するＥＬ用ＴＦＴ素子４２に遮られることなく、有効に
光を利用することができる。さらに、陽極６５である透
明導電層からＥＬ発光層６３を形成することができるた
め、従来と同様な構成でＥＬ発光層６３を形成すること
ができる。

【０１７４】ところで、有機ＥＬ素子６０を液晶表示素
子２０の液晶層２６と同層に設ける場合に、有機ＥＬ素
子６０の形成高さと液晶表示素子２０の液晶層２６の厚
みが一致するとは限らない。

【０１７５】この点、本実施の形態では、ＴＦＴ基板５
１に高さ調整のための導電性コンタクト層６６が設けら
れるとともに、この導電性コンタクト層６６上に有機Ｅ
Ｌ素子６０が形成されている。

【０１７６】したがって、確実に、有機ＥＬ素子６０を
液晶表示素子２０の液晶層２６と同層に設けることがで
きる。

【０１７７】また、本実施の形態の表示装置５０では、
導電性コンタクト層６６は導電性樹脂にて形成されてい
る。したがって、ＴＦＴ基板５１から導電性樹脂からな
る導電性コンタクト層６６を形成することによって、容
易にＴＦＴ基板５１側から高さ調整を行なうことができ
る。

【０１７８】また、本実施の形態の表示装置５０では、
有機ＥＬ素子６０の陰極６１とＴＦＴ基板５１側との接
合面には、導電性ペースト又は導電性樹脂が設けられて
いる。

【０１７９】すなわち、導電性ペースト又は導電性樹脂
は一般的に硬化しても柔らかく弾力性を有している。し
たがって、有機ＥＬ素子６０の陰極６１とＴＦＴ基板５
１側との電気的接合を確実に行なうことが可能となる。

【０１８０】さらに、導電性ペーストの金属粒子材料に
は、超微粒子金属を使うことができる。この場合、超微
粒子は粒径がナノスケールであるので、粒子間や電極に
接触する確率が高い。このため、電気的接合を確実に行
なうことが可能となる。

【０１８１】また、本実施の形態の表示装置５０では、
有機ＥＬ素子６０と液晶表示素子２０とはソースバスラ
イン２ａ…及びゲートバスライン３…を共有して駆動さ
れる。

【０１８２】このため、有機ＥＬ素子６０と液晶表示素
子２０との駆動回路の構成が複雑になるのを防止し、確
実に、表示装置の厚みの低減及び部材コストの低減を図
り得る表示装置５０を提供することができる。

【０１８３】また、本実施の形態の表示装置５０では、
有機ＥＬ素子６０と液晶表示素子２０とは、互いに独立
して駆動されるようにしてもよい。このため、有機ＥＬ
素子６０と液晶表示素子２０とを個別に駆動することが
可能となる。なお、有機ＥＬ素子６０と液晶表示素子２
０とを互いに独立して駆動するための構成としては、例
えば、有機ＥＬ素子６０と液晶表示素子２０とのそれぞ
れがソースバスライン２ａ…及びゲートバスライン３…
を有している場合、又は、ソースバスライン２ａ…をそ
れぞれに設けるがゲートバスライン３…を共有している
場合がある。

【０１８４】また、本実施の形態の表示装置５０では、
有機ＥＬ素子６０及び液晶表示素子２０を駆動するＥＬ
用ＴＦＴ素子４２及び液晶用ＴＦＴ素子２２が一方の基
板であるＴＦＴ基板５１に形成されている。したがっ
て、ＴＦＴ基板５１にＥＬ用ＴＦＴ素子４２及び液晶用
ＴＦＴ素子２２を形成することによって、表示装置５０
の製造をより容易に行なうことができ、かつ構成の複雑
さを回避することができる。

【０１８５】また、本実施の形態の表示装置５０では、
光変調素子は反射型の液晶表示素子２０であり、発光素
子は有機ＥＬ素子６０である。

【０１８６】したがって、反射型の液晶表示素子２０を
光変調素子とすることによって、容易に、液晶表示素子
２０及び有機ＥＬ素子６０を各表示画素１０…内に併設
することができる。

【０１８７】この結果、確実に、小型化及びコストダウ
ンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示
装置５０を提供することができる。

【０１８８】また、本実施の形態の表示装置５０では、
液晶表示素子２０の対向電極２７と有機ＥＬ素子６０の
陽極６５とが同一材料により同一層に形成されている。
このため、製造工程を共通化できるので、製造プロセ
スを簡単化できる。

【０１８９】また、本実施の形態の表示装置５０の製造
方法では、一方の基板上であるＴＦＴ基板５１に液晶用
ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２を形成し、他
方の基板上である対向基板５２に有機ＥＬ素子６０を形
成した後、これらＴＦＴ基板５１と対向基板５２とを合
わせることにより一体化する。

【０１９０】このため、表示装置５０を製造するとき
に、有機ＥＬ素子６０と、液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥ
Ｌ用ＴＦＴ素子４２とを別途に形成することができる。
したがって、有機ＥＬ素子６０を形成するときに、液晶
用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２を形成する
時における工程温度、薬品、ガス等の影響を受けないよ
うにすることができる。

【０１９１】この結果、小型化及びコストダウンを図り
ながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置５０
の製造方法を提供することができる。

【０１９２】また、本実施の形態の表示装置５０の製造
方法では、有機ＥＬ素子６０とコア部７７・７７とはい
ずれを先に形成してもよい。このため、有機ＥＬ素子６
０とコア部７７・７７の形成をいずれか容易に形成でき
る方の工程を優先することができる。

【０１９３】また、本実施の形態の表示装置５０では、
有機ＥＬ素子６０の陰極６１とＴＦＴ基板５１側との接
合面に、導電性ペースト又は導電性樹脂を設けた後、Ｔ
ＦＴ基板５１と対向基板５２とが貼り合わされる。

【０１９４】このため、有機ＥＬ素子６０の陰極６１と
ＴＦＴ基板５１側との接合面を、樹脂同士又は樹脂とペ
ーストとすることにより、樹脂同士及びペーストの弾力
性によってコンタクト性能の向上を図ることができる。

【０１９５】さらに、導電性ペーストの金属粒子材料に
は、超微粒子金属を使うことができる。この場合、超微
粒子は粒径がナノスケールであるので、粒子間や電極に
接触する確率が高い。このため、電気的接合を確実に行
なうことが可能となる。

【０１９６】なお、本実施の形態では、光変調素子とし
て反射型の液晶表示素子２０を使用したが、必ずしもこ
れに限らず、例えば、ミラー等を使って光の反射量を変
化させて表示することができる表示素子を用いても良
い。また、電気泳動型ディスプレイ、ツイストボール型
ディスプレイ、微細なプリズムフィルムを用いた反射型
ディスプレイ、デジタルミラーデバイス等の光変調素子
を用いることが可能である。

【０１９７】また、発光素子として、本実施の形態で
は、有機ＥＬ素子４０を用いたが、必ずしもこれに限ら
ず、例えば、無機ＥＬ発光素子、ＬＥＤ（Light Emitti
ng Diode) 等の発光輝度が可変の素子であれば適用が可
能である。また、フィールドエミッションディスプレイ
（ＦＥＤ）、プラズマディスプレイ等の発光素子を用い
ることも可能である。

【０１９８】〔実施の形態２〕本発明の他の実施の形態
について図１１ないし図１４に基づいて説明すれば、以
下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形
態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材につ
いては、同一の符号を付し、その説明を省略する。

【０１９９】本実施の形態では、高分子型ＥＬ材料にて
有機ＥＬ発光素子を形成する場合について説明する。

【０２００】本実施の形態の有機ＥＬ発光素子７０は、
図１１に示すように、発光層としての発光層７３が高分
子型ＥＬ材料にてなっているとともに、この発光層７３
の上下には直接、陰極６１及び陽極６５が接合されてい
る。すなわち、本実施の形態の有機ＥＬ発光素子７０で
は、前記実施の形態１の有機ＥＬ素子６０に存在したホ
ール輸送層６４及び電子輸送層６２は省略されている。
ただし、本実施の形態においても、これらホール輸送層
６４及び電子輸送層６２を設けることは可能である。

【０２０１】また、本実施の形態では、発光層７３の両
側に液晶層２６との絶縁を図るための保護層としてのコ
ア部７７・７７が形成されている。なお、発光層７３の
形成に際して、コア部７７・７７を先ず形成し、その中
にＥＬ材料をインクジェット塗布又は印刷して発光層７
３を形成することが可能である。

【０２０２】上記のコア部７７・７７は、レジスト、ポ
リイミドといった材料で作ることができる。また、コア
部７７・７７は遮光性材料である方が望ましい。これ
は、発光層７３から出射する光の横方向への漏れ光が液
晶層２６に入り、迷光となってコントラスト低下を招く
ことになるからである。

【０２０３】上記の有機ＥＬ発光素子７０の製造方法に
ついて説明する。

【０２０４】先ず、図１２（ａ）に示すように、対向基
板５２の対向電極２７及び陽極６５側にコア部７７・７
７を形成する。これはレジスト又はポリイミドを用いフ
ォトリソ工程やインクジェット塗布方式にて形成する。

【０２０５】次に、図１２（ｂ）に示すように、この部
分に例えばインクジェット塗布方式にて高分子型ＥＬ材
料からなる発光層７３を形成する。高分子型ＥＬ材料と
しては、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、ポ
リチオフェン、ポリビニルカルバゾール等が挙げられ
る。

【０２０６】最後に、図１２（ｃ）に示すように、例え
ば導電性高分子材料をこの上に塗布して陰極６１を形成
することもできる。また、図示しない、アルミニウム
（ＡＬ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａ
Ｌ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金等の金属材料、金属ペ
ーストを形成した後、導電性高分子材料を塗布し、陰極
６１としてもよい。

【０２０７】一方、ＴＦＴ基板５１側は、図１３に示す
ように、液晶用ＴＦＴ素子２２、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２
及び画素電極２５が形成されたＴＦＴ基板５１上に感光
性導電樹脂をインクジェット塗布方式で塗布して導電性
コンタクト層６６を形成することができる。

【０２０８】次いで、図１４（ａ）（ｂ）に示すよう
に、有機ＥＬ発光素子７０を形成した対向基板５２とＴ
ＦＴ基板５１とは互いにアライメントされ、前記実施の
形態１と同様にして貼り合せて固定される。

【０２０９】この後、液晶を注入・封止する。このと
き、形成されているコア部７７・７７が走査線方向に表
示パネル幅にわたって形成されている場合は、表示パネ
ル端面から走査線に沿って真空注入することができる。

【０２１０】なお、その他の構成及びこの有機ＥＬ発光
素子７０の駆動動作、表示方法等は前記実施の形態１と
同様であるので、説明を省略する。

【０２１１】このように、本実施の形態の有機ＥＬ発光
素子７０では、少なくとも、発光層６３とこの発光層６
３の両側に形成される陰極６１及び陽極６５とからなっ
ている。

【０２１２】このため、例えば、高分子型ＥＬ材料から
なる発光層７３を形成する場合において、最小限の構成
要素から有機ＥＬ発光素子７０を形成することができ
る。

【０２１３】ところで、上記の表示装置５０では、有機
ＥＬ発光素子７０は、液晶表示素子２０の液晶層２６と
同層に設けられているので、液晶表示素子２０の液晶層
２６と有機ＥＬ素子６０とが互いに影響を及ぼすおそれ
がある。例えば、有機ＥＬ発光素子７０によっては、液
晶表示素子２０の液晶等の液晶層２６と有機ＥＬ発光素
子７０とが接触することよって、双方の性能が低下した
り、材料劣化したりするものもある。また、有機ＥＬ発
光素子７０が空気や水分と接触することにより劣化する
場合もある。

【０２１４】しかし、本実施の形態では、有機ＥＬ発光
素子７０の発光層７３と液晶表示素子２０の液晶層２６
とがコア部７７・７７を介して隣接している。

【０２１５】したがって、有機ＥＬ発光素子７０の発光
層７３と液晶表示素子２０の液晶層２６とが互いに影響
を及ぼすのを防止することができる。すなわち、有機Ｅ
Ｌ発光素子７０を液晶表示素子２０の液晶層２６と同層
に設けた後には、双方の性能が低下したり、材料劣化し
たりするのを防止することができる。また、表示装置５
０の製造過程においては、例えば、対向基板５２側に有
機ＥＬ発光素子７０を形成したときに、発光層７３をコ
ア部７７・７７及び陰極６１にて保護することにより発
光層７３が空気や水分の接触して劣化することを防止す
ることができる。

【０２１６】ところで、有機ＥＬ発光素子７０にて発光
された光が隣接する液晶表示素子２０へ漏れることも考
えられる。

【０２１７】この点、本実施の形態の表示装置５０で
は、コア部７７・７７は遮光機能を有しているので、有
機ＥＬ発光素子７０にて発光された光が液晶表示素子２
０の液晶層２６に漏れるのを防止することができる。

【０２１８】〔実施の形態３〕本発明の他の実施の形態
について図１５ないし図１８に基づいて説明すれば、以
下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形
態１及び実施の形態２の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材については、同一の符号を付し、その説明
を省略する。

【０２１９】本実施の形態の表示装置５０では、図１５
に示すように、対向基板５２側に凸部としての硬質かつ
透明の凸部としての絶縁性凸部８１を設け、有機ＥＬ発
光素子７０をＴＦＴ基板５１側に設けている。上記の絶
縁性凸部８１は、液晶層２６の厚さ制御用の柱として使
用しているものである。

【０２２０】すなわち、液晶層２６の厚さは通常３〜５
μｍに設定されることが多い。一方有機ＥＬ発光素子７
０の厚さは、０．１〜０．５μｍ程度である。前記実施
の形態１及び実施の形態２にて示す図１及び図１１の有
機ＥＬ素子６０及び有機ＥＬ発光素子７０では、この厚
さの差を接続樹脂である導電性コンタクト層６６にて調
整していた。

【０２２１】これに対して、本実施の形態では、予め液
晶層２６と有機ＥＬ発光素子７０との厚さの差を考慮し
た高さの絶縁性凸部８１を設けている。なお、図１５に
おいては、接続部を明記していないが、接続部は存在す
る。

【０２２２】上記の絶縁性凸部８１を形成する材料とし
ては高透過率樹脂材料を使用することが必要である。例
えばＪＳＲ株式会社製の感光性スペーサ材料、製品名
「オプトマ−ＮＮシリーズ」を使うことができる。この
高透過率樹脂材料は、前記導電性コンタクト層６６及び
接続部にて使用される接続樹脂よりは形成後の硬度が高
くなる。この性質のため、高さを設定することにより、
対向基板５２とＴＦＴ基板５１との距離を一定に保つ効
果が期待できる。

【０２２３】従来、液晶層２６の厚さは、この液晶層２
６に散布されたスペーサビーズにて制御されているが、
液晶層２６の画素表示面にあるために、コントラスト低
下や散乱を引き起こし、画像品位低下を引き起してい
る。また、スペーサビーズによっても、十分な厚さ制御
とはなっていなかった。

【０２２４】しかし、本実施の形態のように、この絶縁
性凸部８１にて液晶層２６の厚さ制御を行なうことによ
って、液晶層２６の厚さ制御精度が向上するとととも
に、パネルの強度向上も期待できることになる。

【０２２５】なお、本実施の形態では、絶縁性凸部８１
は、上記の厚さ制御のためにのみ使用されているが、必
ずしもこれに限らず、この絶縁性凸部８１を有機ＥＬ発
光素子７０からの光制御部材、つまり有機ＥＬ発光素子
７０からの光を制御する光学素子として利用することも
可能である。この目的のために、例えば、図１６に示す
ように、屈折率の異なった複数の透明樹脂を鋸歯状に２
層にした凸部としての鋸歯状凸部８２ａ・８２ｂからな
る絶縁性凸部８２とすることが可能である。このような
構造にすることによって、有機ＥＬ発光素子７０から出
射する光に指向性を持たせることが可能となる。また、
鋸歯の形状を変えることによって、指向特性を変化させ
ることができるので、液晶表示装置と同様の視野角特性
を得ることができる。

【０２２６】ここで、本実施の形態の有機ＥＬ発光素子
７０を表示面から見た場合、図１７に示すように、Ｗ、
Ｌで決められる範囲が一つの表示画素１０…に相当し、
各々反射領域１１と発光領域１２ａとが分割されてなっ
ている。また、同図に示すように、反射領域１１と発光
領域１２ａとのそれぞれについて、画素電極２５と液晶
用ＴＦＴ素子２２又はＥＬ用ＴＦＴ素子４２とを接続す
るスルーホール２５ａが形成されている。

【０２２７】なお、上記の表示画素１０…における反射
領域１１と発光領域１２ａとの分割配置は必ずしもこれ
に限らない。例えば、図１８（ａ）に示すように、有機
ＥＬ発光素子７０による発光領域１２ａが液晶表示素子
２０による反射領域１１に囲まれている形状のように、
反射領域１１と発光領域１２ａとのいずれか一方が他方
に囲まれている場合でもよい。同図に示す有機ＥＬ発光
素子７０による発光領域１２ａが液晶表示素子２０によ
る反射領域１１に囲まれている形状では、有機ＥＬ発光
素子７０が発光するときは周りの液晶表示素子２０の反
射領域１１が全て黒となるようにすれば、隣接する表示
素子がブラックマトリクスの働きをするので、前記図１
６に示す形状に比べて、コントラストを上げるには有効
である。

【０２２８】また、図１８（ｂ）に示すような形状で
も、表示画素１０…が敷き詰められれば、有機ＥＬ発光
素子８０による発光領域１２ａは、液晶表示素子２０に
よる反射領域１１に囲まれるため、同様の効果が期待で
きる。

【０２２９】また、発光領域１２ａと反射領域１１との
面積については、表示装置の用途によって決定すること
ができる。

【０２３０】なお、本実施の形態では、高分子型ＥＬ材
料からなる発光層７３の有機ＥＬ発光素子７０について
説明したが、必ずしもこれに限らず、低分子型ＥＬ材料
からなるＥＬ発光層６３の有機ＥＬ素子６０についても
本実施の形態を適用することが可能である。

【０２３１】また、その他の構成については、前記実施
の形態１ないし実施の形態３と同じであるので、その説
明を省略する。

【０２３２】このように、本実施の形態の表示装置５０
では、対向基板５２には形成高さ調整のための絶縁性凸
部８１又は絶縁性凸部８２が設けられるとともに、この
絶縁性凸部８１又は絶縁性凸部８２上に有機ＥＬ発光素
子７０が形成されている。

【０２３３】したがって、有機ＥＬ発光素子７０を液晶
表示素子２０の液晶層２６と同層に設ける場合に、有機
ＥＬ発光素子７０の高さと液晶表示素子２０の液晶層２
６との厚みが一致しなくても、確実に、有機ＥＬ発光素
子７０を液晶表示素子２０の液晶層２６と同層に設ける
ことができる。

【０２３４】また、本実施の形態の表示装置５０では、
絶縁性凸部８１又は絶縁性凸部８２は、硬質の絶縁層か
らなっている。したがって、対向基板５２側から硬質の
絶縁層からなる絶縁性凸部８１又は絶縁性凸部８２を形
成することによって、対向基板５２側から容易に高さ調
整をすることができる。また、絶縁性凸部８１又は絶縁
性凸部８２を硬質の絶縁層にて形成することによって、
液晶表示素子２０の液晶層２６の間隔を一定に維持させ
るためのスペーサとして機能させることができる。

【０２３５】なお、本実施の形態では、硬質の絶縁層か
らなる絶縁性凸部８２を２層に形成し、かつその界面を
鋸歯状に形成して鋸歯状凸部８２ａ・８２ｂとすること
が可能である。これによって、有機ＥＬ素子６０から発
光する光に対して指向性を持たせることが可能となる。
このように、絶縁性凸部８２は、有機ＥＬ素子６０の光
制御部材としても機能させることが可能である。また、
絶縁性凸部８２における鋸歯状凸部８２ａ・８２ｂの鋸
歯の形状を変えることによって、指向特性を変化させる
ことができるので、液晶表示装置と同様の視野角特性を
得ることができる。この場合、有機ＥＬ発光素子７０に
よる表示と液晶表示素子２０による表示とを切替えたと
きに表示画像を違和感無く見ることができる。

【０２３６】また、本実施の形態の画素分割方式の表示
装置５０では、反射領域１１と発光領域１２ａとの比率
をある程度任意に設計することが可能である。このた
め、例えば、携帯電話や情報携帯端末（ＰＤＡ）等のモ
バイル機器への使用を前提とする場合は、反射領域であ
る反射領域１１の比率を大きくすることが一般的であ
る。例えば、表示画素１０の画素面積のうち８０％を反
射領域とした場合には、発光領域１２ａは２０％になる
ため、有機ＥＬ素子６０の発光面積は最大でも画素面積
の５分の１で済む。

【０２３７】したがって、小型化及びコストダウンを図
りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置を
提供することができる。

【０２３８】また、本実施の形態の表示装置５０では、
液晶表示素子２０が明表示状態であるときに、有機ＥＬ
発光素子７０が無発光状態を選択可能となっている。こ
のため、明環境下での使用の際、有機ＥＬ発光素子７０
を無発光状態とし、液晶表示素子２０のみで表示を行な
うことにより、有機ＥＬ発光素子７０の劣化を防ぎ、長
寿命化を可能とし、また、消費電力を節約することがで
きる。

【０２３９】また、本実施の形態の表示装置５０では、
液晶表示素子２０及び有機ＥＬ発光素子７０が隣接状態
に配されるとともに、液晶表示素子２０及び有機ＥＬ発
光素子７０のいずれか一方が明表示状態であるときに、
他方が暗表示状態になる。

【０２４０】これによって、一方がブラックマトリクス
３３となり、表示上、コントラストを低下させることが
ない。

【０２４１】また、本実施の形態の表示装置５０では、
液晶表示素子２０及び有機ＥＬ発光素子７０の両方を点
灯して明表示状態とすることが可能である。これによ
り、有機ＥＬ発光素子７０のみを点灯する場合に比べ
て、高品質表示を維持しながら、低消費電力化が可能と
なる。

【０２４２】〔実施の形態４〕本発明の他の実施の形態
について図１９に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１ないし実
施の形態３の図面に示した部材と同一の機能を有する部
材については、同一の符号を付し、その説明を省略す
る。また、前記実施の形態１ないし実施の形態３で述べ
た各種の特徴点については、本実施の形態についても適
用することができる。

【０２４３】本実施の形態では、光センサにて外光を検
出し、その検出結果に基づいて、有機ＥＬ素子６０又は
有機ＥＬ発光素子７０の輝度調節を行なう場合について
説明する。

【０２４４】すなわち、図１９に示すように、表示装置
５０では、表示制御手段としてのコントロール回路９１
及び電源回路９２が設けられており、このコントロール
回路９１は画像表示の信号を受けて、電源部９０を介し
てソースドライバ６に信号を発生させるととともに、ゲ
ートドライバ７ヘも信号を発生させる。本実施の形態で
は、このコントロール回路９１に測定回路９２を介して
外光検出手段としての光センサ９３が接続されている。

【０２４５】そして、コントロール回路９１は、光セン
サ９３の制御と外光測定のコントロールとを行ってい
る。光センサ９３は、例えばフォトトランジスタ等で構
成されている。

【０２４６】また、本実施の形態では、発光素子として
有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０を使用する
とともに、光変調素子として液晶表示素子２０を使用し
ているので、上記の電源部９０は、液晶駆動よりも駆動
能力が必要とされる有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光
素子７０の駆動のための定電流又は定電圧電源としてな
っている。したがって、液晶表示のみでは電源部９０は
使用されない。

【０２４７】上記の光センサ９３による制御と外光測定
のコントロールについて説明する。

【０２４８】先ず、暗環境では、コントロール回路９１
は光センサ９３からの信号で周囲が暗いことを認識し、
有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０を駆動する
ためのデータ線信号及びゲート線信号を発生する。この
とき、有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０の階
調表現を電源部９０側で行う場合は、コントロール回路
９１から電源部９０へ信号が供給される。

【０２４９】一方、明環境では、光センサ９３からの信
号を基に、反射型の液晶表示素子２０を駆動するための
データ線信号及びゲート線信号を発生する。このときは
前述の通り電源部９０は関係なくなるからコントロール
回路９１から直接電源をコントロールする信号は必ずし
も必要でない。

【０２５０】有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７
０と液晶表示素子２０との両方を同時に表示させる場合
には、コントロール回路９１から各表示のためのソース
信号を送る。これにより、各表示毎に輝度調整ができる
ので、周りの環境に応じて最適な表示状態を選択でき
る。

【０２５１】このように、光センサ９３にて外光を測定
することにより、自動的に有機ＥＬ素子６０又は有機Ｅ
Ｌ発光素子７０を発光させたり、又は液晶表示素子２０
の反射表示を行わせたりの切替えができるばかりでな
く、環境に最適な表示状態を選択することができる。

【０２５２】以上のように、本実施の形態の表示装置５
０では、コントロール回路９１にて光センサ９３による
外光の検出結果に基づいて、有機ＥＬ素子６０又は有機
ＥＬ発光素子７０及び液晶表示素子２０の両方又はいず
れか一方を選択表示させる。

【０２５３】したがって、周りの明るさに応じて自動的
に有機ＥＬ素子６０、有機ＥＬ発光素子７０又は液晶表
示素子２０の表示を選択して、最適な表示状態を確保す
ることができる。

【０２５４】なお、上述した実施の形態１〜実施の形態
４に記載された絶縁性基板２９とは、必ずしも硬質のも
のではなく、フィルム状のものであってもよい。

【０２５５】〔実施の形態５〕本発明のさらに他の実施
の形態について図２０ないし図２７に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実
施の形態１ないし実施の形態４の図面に示した部材と同
一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、
その説明を省略する。また、前記実施の形態１ないし実
施の形態４で述べた各種の特徴点については、本実施の
形態についても適用することができる。

【０２５６】本実施の形態では、単独の発光素子である
有機ＥＬ表示装置を製造する場合について説明する。

【０２５７】まず、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１
００は、図２０に示すように、２枚の第１基板及び第２
基板としての絶縁性基板１２１・１２９の間にＴＦＴ駆
動回路部とＥＬ層とが形成されている。

【０２５８】一方の絶縁性基板１２１上にはＴＦＴ回路
１４２が形成され、このＴＦＴ回路１４２上には保護膜
となる絶縁性の平坦化膜１２３が形成され、この平坦化
膜１２３上には画素電極１２５が形成されている。この
画素電極１２５は平坦化膜１２３に設けられたスルーホ
ールを通して、上記ＴＦＴ回路１４２と接続されてい
る。平坦化膜１２３は、ＴＦＴ回路１４２への水分等の
浸入を防ぐと共に、ＴＦＴ回路１４２の上面を平坦化す
る役目を持っている。上記絶縁性基板１２１、ＴＦＴ回
路１４２、平坦化膜１２３及び画素電極１２５は、ＴＦ
Ｔ回路側基板１５１を形成するものとなっている。

【０２５９】一方、上記ＴＦＴ回路側基板１５１と対向
する位置に設けられた、もう一方の絶縁性基板１２９上
には、素子の隙間を隠し、発光層の横方向からの光を遮
断するブラックマトリクス１３３が設けられるととも
に、ブラックマトリクス１３３上には、ＥＬ層へ電力を
供給する電極ライン１６５ａが、ブラックマトリクス１
３３に沿って形成されている。さらに、これらの上に
は、ＥＬ層の陽極となる透明導電膜からなるアノード電
極１６５が形成されている。

【０２６０】上記アノード電極（陽極）１６５は、通
常、ＩＴＯの酸化物で形成されるが、酸化物のよる導電
体は金属に比較して抵抗値が大きくなる。このため、電
力供給源となる基板端面からの距離によっては透明導電
膜からなるアノード電極（陽極）１６５による電力ロス
が無視できなくなる。以上の理由から、本実施の形態で
は、ブラックマトリクス１３３に沿わせる形で金属電極
からなる上記電力供給用電極としての電極ライン１６５
aを形成している。

【０２６１】上記アノード電極（陽極）１６５上には有
機ＥＬ層１６６が形成されており、この有機ＥＬ層１６
６は、ここではホール輸送層１６４、発光層１６３、電
子輸送層１６２からなる構成をとる。そして、電子輸送
層１６２上にはカソード電極（陰極）１６１が形成され
る。絶縁性基板１２９からこのカソード電極（陰極）１
６１まででＥＬの構造は完成する。なお、アノード電極
（陽極）１６５、ホール輸送層１６４、発光層１６３、
電子輸送層１６２及びカソード電極（陰極）１６１によ
り、有機ＥＬ素子１６０がなっている。

【０２６２】本実施形態では、カソード電極（陰極）１
６１を保護するカソード保護電極材料１６７をカソード
電極（陰極）１６１の次に形成している。これは、カソ
ード電極（陰極）１６１が、酸素及び水分によって酸化
され易いためであり、カソード電極（陰極）１６１の上
に形成することによってこのカソード電極（陰極）１６
１を保護するととともに、ＴＦＴ回路側基板１５１との
接続を容易にするために設けられている。すなわち、こ
のカソード保護電極材料１６７は、カソード電極（陰
極）１６１と連続形成することが信頼性の点で望まし
い。

【０２６３】また、ＴＦＴ回路側基板１５１と有機ＥＬ
素子１６０を形成した絶縁性基板１２９とは接続電極１
６８にて接続される。この接続電極１６８は、導電性ペ
ースト及び導電性樹脂にて形成される。両方の基板側に
これらを形成した後、貼り合わせてもよいし、また、一
方の基板のみに形成してもよい。さらに、これらの材料
を複数用いて層状にして接続を行っても良い。

【０２６４】なお、上記図２０では、有機ＥＬ層１６６
としてホール輸送層１６４、発光層１６３、電子輸送層
１６２からなる構成をとるものとなっていたが、必ずし
もこれに限らず、例えば、図２１に示すように、有機Ｅ
Ｌ層に高分子ＥＬ材料１７３を用い、形成時にインクジ
ェット塗布装置にてこの高分子ＥＬ材料１７３を塗布す
ることが可能である。なお、このように、インクジェッ
ト塗布装置で塗布を行う場合には、高分子ＥＬ材料１７
３が周辺に流れるのを防止するために、ブラックマトリ
クス１３３の下方位置にガイド１７４を設ける。すなわ
ち、予め方形枠状にガイド１７４を形成し、このガイド
１７４の内部にインクジェット塗布にて高分子ＥＬ材料
１７３を塗布する。なお、有機ＥＬ層１６６は、一層で
書かれているが、前記同様、層状に複数の高分子ＥＬ材
料１７３…を重ね塗りして形成しても良い。

【０２６５】次に、上記有機ＥＬ表示装置１００の製造
方法を、図２２〜図２７に基づいて説明する。

【０２６６】まず、図２２（ａ）に示すように、絶縁性
基板１２９にブラックマトリクス１３３を酸化クロム、
又はＴｉＮ、ＴｉＯの微粒子からなる遮光材料を用いて
形成する。ブラックマトリクス１３３の厚さは、１００
０〜２０００Å程度の厚さを形成すればよい。酸化クロ
ムは、スパッタ又は蒸着等による真空成膜を用いて形成
することができる。また、ＴｉＮ、ＴｉＯの微粒子をレ
ジストに分散させ、塗布した後、マスク露光、現像及び
ベークをしてパターン形成することもできる。

【０２６７】次に、電力供給のための電極ライン１６５
ａを形成するが、これは次のように形成する。すなわ
ち、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）をこの順に
全面に連続スパッタした後、レジストを用いてパターン
形成し、ドライエッチングにて電極パターンを形成す
る。アルミニウム（Ａｌ）は例えば３０００Å、チタン
（Ｔｉ）は８００Åとする。そして、この上にＩＴＯを
１０００Åスパッタ法にて成膜してアノード電極（陽
極）１６５とする。同図（ａ）〜（ｃ）では、このよう
にして形成された絶縁性基板１２９の上に、マスク蒸着
法にて有機ＥＬ層１６６を形成する方法を示している。

【０２６８】まず、図２２（ａ）に示すように、シャド
ウマスク１５５を基板上面に配置し、シャドウマスク１
５５の隙間を通して有機ＥＬ層１６６となる材料を順に
形成する。具体的には、図２２（ａ）（ｂ）に示すよう
に、ホール輸送層１６４、発光層１６３及び電子輸送層
１６２をこの順で積層する。

【０２６９】また、ホール輸送層１６４の材料として
は、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、
ポルフィリン類、オキサジアゾール、トリアゾール、イ
ミダゾール、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾー
ル、スチルベン等が挙げられる。

【０２７０】次に、各色を発光する低分子型発光材料か
らなる発光層１６３として用いることができる材料とし
ては、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナント
レン、ピレン、テトラセン、フルオレセイン、ペリレ
ン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フ
タロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエ
ン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、キノリン金
属錯体、イミン、ジフェニルアントラセン、ジアミノカ
ルバゾール、キナクリドン、ルブラン等が挙げられる。

【０２７１】さらに、電子輸送層１６２の材料として
は、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェニキ
ノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チア
ジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン酸
が挙げられる。

【０２７２】次に、図２２（ｃ）に示すように、有機Ｅ
Ｌ層１６６上にカソード電極（陰極）１６１として、仕
事関数の値の小さい電極材料を形成する。なお、仕事関
数とは、導体、半導体のような固体から電子を外界に取
り出すために必要な最小のエネルギーをいう。

【０２７３】上記カソード電極（陰極）１６１として
は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチ
ウム（Ｌｉ）、ＭｇＡｇ合金、ＬｉＡｌ合金等の材料を
用いることができる。

【０２７４】カソード保護電極材料１６７としては、ア
ルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔ
ｉ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）等の金属を利用す
ることができる。ここでは、カソード電極（陰極）１６
１としてＬｉＡｌ合金５００〜８００Åを、カソード保
護電極材料１６７として金（Ａｕ）１０００Åを連続的
に成膜した。

【０２７５】このようにして、有機ＥＬ層１６６を有す
る側の基板が形成される。なお、この後、次の画素にシ
ャドウマスク１５５を移動して、同様のものが形成され
る。この結果、図２０に示すように、ある画素の有機Ｅ
Ｌ層１６６とその隣の画素の有機ＥＬ層１６６との間に
は、空隙ができることになる。

【０２７６】次に、ＴＦＴ回路側基板１５１における有
機ＥＬ素子１６０側の基板との貼り合せ接続を行うため
のコンタクト層である接続電極１６８を形成する工程
を、図２３（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。

【０２７７】図２３（ａ）に示すように、ＴＦＴ回路側
基板１５１においては、画素電極１２５の上に接続電極
１６８が形成される。

【０２７８】この接続電極１６８の材料には、導電性ペ
ースト、導電性樹脂等が利用できる。特に、ナノスケー
ルの粒径をもった微粒子金属を導電性ペーストに使用す
ると、微粒子金属はその粒径の小ささから粒子間や電極
に接触する確率が高く、このため、電気的接合を確実に
行なうことが可能となる。

【０２７９】また、導電性樹脂としては、例えば、特開
平１１−２４９２９９号公報に記載の導電性粒子が分散
された感光性樹脂（富士フィルム株式会社製）や雑誌
「１９８６ The Chemical Society of Japan 」の「CH
EMISTRY LETTERS ,pp.469-472,1986」等に記載されたポ
リピロールを用いた感光性導電ポリマーを利用すること
ができる。なお、詳細には、特開平１１−２４９２９９
号公報では、カーボンブラック等の導電性粒子が分散さ
れた感光性分散物及び感光性シートに関する技術であっ
て、露光及び現像によってパターンを形成することがで
きる旨が開示されている。また、「CHEMISTRY LETTERS
,pp.469-472,1986」には、ピロールモノマーを光化学
重合させ、導電性をもたせ、ポリピロール形成すること
を開示しており、電極材料としてパターン化して用いる
ことも開示している。

【０２８０】なお、ここでは、図２３（ａ）に示すよう
に、例えば、カーボンブラックをレジスト中に分散させ
た感光性導電性材料をＴＦＴ回路側基板１５１上に塗布
した後、シャドウマスク１５５を用いて露光、現像を行
い、図２３（ｂ）に示すように、各画素部にのみ接続電
極１６８が残るように加工を行った。

【０２８１】次いで、図２４（ａ）（ｂ）に示すよう
に、ＴＦＴ回路側基板１５１と有機ＥＬ素子１６０側の
対向基板１５２とは、互いにアライメントされ、貼り合
せて固定される。ここで、有機ＥＬ素子１６０は、ＴＦ
Ｔ回路側基板１５１に接続電極１６８によって電気的に
接続されるが、望ましくは、これらＴＦＴ回路側基板１
５１及び対向基板１５２の両方に予め導電性樹脂を形成
し、導電性樹脂同士にて電気的コンタクトを取った方が
よい。これは、金属表面の酸化膜等によるコンタクト不
良を防止できるためであり、樹脂の持つ弾力性を利用し
てコンタクトを取り易くできるからである。

【０２８２】次に、有機ＥＬ層１６６に高分子ＥＬ材料
１７３を用いて形成した場合について説明する。

【０２８３】図２５（ａ）に示すように、対向基板１５
２のアノード電極（陽極）１６５上にガイド１７４を形
成する、このガイド１７４は、レジスト又はポリイミド
を用いてフォトリソ工程やインクジェット塗布によって
形成される。図２５（ｂ）は、ガイド１７４内にインク
ジェット塗布によって高分子ＥＬ材料１７３からなる有
機ＥＬ層を形成する場合を示している。高分子ＥＬ材料
１７３としては、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオ
レン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール等が挙
げられる。

【０２８４】次に、図２５（ｃ）に示すように、カソー
ド電極（陰極）１６１及びカソード保護電極材料１６７
を形成した後、コンタクト層である接続電極１６８とし
ての導電性高分子材料を塗布する。カソード電極（陰
極）１６１としては、先に述べたような、アルミニウム
（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ＡｌＭｇ、ＡｌＬｉ
材料等を用いることができる。ここでは、ＡｌＬｉ金属
材料を蒸着法にて１０００Å程度形成した。さらに、こ
の上に上記接続電極１６８として導電性高分子材料を形
成する。一方、ＴＦＴ回路側基板１５１は、図２５に示
すように、例えば、感光性導電樹脂の接続電極１６８を
インクジェット装置にて塗布して形成する。

【０２８５】次いで、図２７（ａ）（ｂ）に示すよう
に、ＴＦＴ回路側基板１５１と対向基板１５２とを貼り
合せる。すなわち、ＴＦＴ回路側基板１５１と有機ＥＬ
素子１６０側の対向基板１５２とは、互いにアライメン
トされ、貼り合せて固定される。ここで、有機ＥＬ素子
１６０は、ＴＦＴ回路側基板１５１に接続電極１６８に
よって電気的に接続されるが、望ましくは、これらＴＦ
Ｔ回路側基板１５１及び対向基板１５２の両方に予め導
電性樹脂を形成し、導電性樹脂同士にて電気的コンタク
トを取った方がよい。これは、金属表面の酸化膜等によ
るコンタクト不良を防止できるためであり、樹脂の持つ
弾力性を利用してコンタクトを取り易くできるからであ
る。

【０２８６】また、接着層である接続電極１６８は、貼
り合わされるＴＦＴ回路側基板１５１及び対向基板１５
２の貼り合わせ面外周に、エポキシ樹脂等による接着剤
を塗布し、貼り合わせ時に硬化接着してもよい。さら
に、画素間のブラックマトリクス１３３にて隠れる部分
に接着剤を塗布しても良い。

【０２８７】このように、本実施の形態の有機ＥＬ表示
装置１００及びその製造方法は、発光表示素子単独から
なるものにおいて、発光素子である有機ＥＬ素子１６０
を形成する対向基板１５２は、有機ＥＬ素子１６０にお
ける発光素子用電極であるカソード電極（陰極）１６１
まで形成した後に、ＴＦＴ回路側基板１５１と貼り合わ
せる。

【０２８８】これにより、有機ＥＬ素子１６０からの出
射光は、有機ＥＬ素子１６０を駆動する駆動回路を形成
したＴＦＴ回路側基板１５１でなく、これと対向して設
定される対向基板１５２から出射させることが可能であ
る。このため、前記先行技術と光出射方向が同じである
ため、ＴＦＴ回路側基板１５１側に出射する構造と比較
して以下の基本的メリットを同等にもつこととなる。

【０２８９】まず、駆動回路が設けられているＴＦＴ回
路側基板１５１と有機ＥＬ素子１６０とを別々に形成す
ることができる。このため、それぞれ独立に製造工程を
組むことができるので、温度、ガス及び薬品等に影響さ
れることがなく信頼性が向上する。

【０２９０】また、上記構成により、有機ＥＬ素子１６
０を形成した対向基板１５２に光を出射させることがで
きる。これにより、駆動回路側開口率に影響されなく発
光領域を広く設定できるので、高輝度化ができる。さら
に、発光面積が広いことから同じ輝度を得るための単位
面積当りの電流量を抑えることもでき、長寿命化、及び
発光効率向上による消費電力低下が実現できる。

【０２９１】また、駆動回路を形成したＴＦＴ回路側基
板１５１に光出射しないため、ＴＦＴ回路側基板１５１
は全面に駆動回路を形成することができる。したがっ
て、駆動回路のＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜ト
ランジスタ）の大きさを自由に設定したり、ＴＦＴ形成
領域に余裕が生まれたりするので、細かな制御を行うた
めの回路を形成することができる。さらに、配線幅にも
余裕ができるので、駆動回路の信頼性を上げることがで
き、歩留まりが向上する。

【０２９２】ところで、上記の有機ＥＬ表示装置１００
では、有機ＥＬ素子１６０のカソード電極（陰極）１６
１は、仕事関数値の小さい材料を用いることが必要であ
る。このような材料として金属材料では、例えばマグネ
シウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、カルシウム（Ｃ
ａ）及びリチウム（Ｌｉ）等が挙げられるが、これらは
不安定な材料であり、雰囲気中の水分や酸素で劣化を生
じ易い。また、接触させる材料によっては、その材料か
ら酸素を奪い化学反応を起すこともあるので、形成後直
ぐに保護となるような安定な金属で覆うことが良い。し
かし、前記先行技術では、いずれもカソード電極（陰
極）１６１を保護するような構成はとることができな
い。

【０２９３】これに対して、本実施の形態では、有機Ｅ
Ｌ素子１６０におけるカソード電極（陰極）１６１まで
を形成する対向基板１５２は、カソード電極（陰極）１
６１の上にさらに該カソード電極（陰極）１６１を保護
する保護電極としてのカソード保護電極材料１６７を形
成した後、ＴＦＴ回路側基板１５１と貼り合わせる。

【０２９４】すなわち、カソード電極（陰極）１６１ま
でを形成する対向基板１５２をＴＦＴ回路側基板１５１
と貼り合わせる場合には、カソード電極（陰極）１６１
を保護するカソード保護電極材料１６７を設けることに
よって、貼り合わせの際に、雰囲気中の水分や酸素にさ
らされることによるカソード電極（陰極）１６１の性能
劣化を防ぐことができる。

【０２９５】また、好ましくは、カソード電極（陰極）
１６１とこれを保護するカソード保護電極材料１６７と
を同一工程で連続形成することによって、さらにカソー
ド電極（陰極）１６１の劣化を防止させることができ
る。このとき、カソード保護電極材料１６７の形成厚さ
は自由に設定できるので、カソード電極（陰極）１６１
が酸素等の劣化を生じさせる成分が入らないような十分
な厚さをもって構成することが可能となる。

【０２９６】また、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１
００及びその製造方法では、有機ＥＬ素子１６０におけ
るカソード電極（陰極）１６１までを形成する対向基板
１５２は、ＴＦＴ回路側基板１５１の駆動回路電極であ
る画素電極１２５との接触面に、導電性ペースト、導電
性樹脂等のコンタクト層を形成した後に、ＴＦＴ回路側
基板１５１の画素電極１２５と接合する。

【０２９７】この結果、貼り合わせの際の電気的接触が
より確実に取れるので、接合面での断線や点接触がなく
なり、輝度斑にない画質向上を図ることが可能となる。

【０２９８】ところで、本実施の形態の有機ＥＬ表示装
置１００及びその製造方法では、カソード電極（陰極）
１６１まで形成した対向基板１５２をＴＦＴ回路側基板
１５１と貼り合わせる場合には、出射光側とは反対側の
カソード電極（陰極）１６１がＴＦＴ回路側基板１５１
と対向するものとなる。

【０２９９】ところで、透明電極は、通常、酸化物を用
いた導電体であるため、金属と比較すると抵抗が高い。
したがって、多くの画素をもつ表示パネルでは全画素を
同時発光させるような場合、透明電極においては最初に
電圧降下が起こる可能性がある。そして、ＴＦＴ回路側
基板１５１をアノード電極とする従来技術の場合は、駆
動回路のＴＦＴへの電力供給は、金属配線であるので問
題ないが、比抵抗で２桁程金属よりも高い透明導電体で
は、電圧降下による輝度斑が無視できない。

【０３００】そこで、本実施の形態では、対向基板１５
２には、出射光側に有機ＥＬ素子１６０における透明電
極からなるアノード電極（陽極）１６５が設けられると
ともに、アノード電極（陽極）１６５には、電力供給用
電極としての電極ライン１６５ａが併設される。

【０３０１】したがって、例えば、出射側のブラックマ
トリクス１３３に沿って金属配線からなる電極ライン１
６５ａを併設することによって、電圧降下を抑制できる
ので、輝度斑が生じない。

【０３０２】なお、本実施の形態では、発光表示素子単
独からなる有機ＥＬ表示装置１００についての特徴を述
べたが、この特徴は、前記実施の形態１〜４で述べた非
発光表示素子と発光表示素子とが併設されているものに
ついても適用でき、同一の作用効果を有するものであ
る。

【０３０３】

【発明の効果】本発明の表示装置は、以上のように、表
示領域内に、光変調素子が外光を反射させて表示を行な
う非発光表示素子からなる第１表示領域と、発光素子が
直接変調し表示を行なう発光表示素子からなる第２表示
領域とが併設されていることを特徴としている。

【０３０４】それゆえ、発光素子は表示面側に向けて自
ら発光して直接的に表示するので、従来のように、発光
素子をバックライトやフロントライトとして使用するも
のではない。これによって、発光素子からの光の利用効
率を高めることができるとともに、表示装置の厚みも薄
くなる。

【０３０５】さらに、バックライトと背面側の偏光板及
び位相差板が不要となるメリットは、単に表示装置全体
の厚みが薄くなるだけではない。すなわち、部材点数が
減ることは、材料費だけでなく組み立て工数や各々の部
材の検査等に要するコストも削減できるため、表示装置
全体の製造コストを下げることができる。

【０３０６】また、本発明のような画素分割方式の表示
装置では、第１表示領域と第２表示領域との比率をある
程度任意に設計することが可能であるので、消費電力の
低減を図ることができる。

【０３０７】したがって、小型化及びコストダウンを図
りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置を
提供することができるという効果を奏する。

【０３０８】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、互いに対向してなる第１基板と第２基
板とを備え、光変調素子及び発光素子はいずれも上記第
１基板と第２基板との間に設けられているものである。

【０３０９】それゆえ、光変調素子及び発光素子はいず
れも、第１基板と第２基板との間に収容されるので、表
示装置の厚みを確実に薄くすることができるという効果
を奏する。

【０３１０】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、第２表示領域には光変調素子の光変調
層が存在しないことを特徴としている。

【０３１１】それゆえ、発光素子の発光層における表示
面側の第２表示領域には光変調素子の光変調層が存在せ
ず、発光素子から表示面方向へ出射した光が光変調層を
通ることなく表示装置外へ出射する。この結果、発光素
子の出射光が光変調素子の光変調層によって散乱された
り吸収されたりすることがないので、輝度低下が起こり
難い。したがって、発光素子による表示品位を向上させ
ることができるという効果を奏する。

【０３１２】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子の光変調層と発光素子の発
光層とが同層に設けられているものである。

【０３１３】それゆえ、従来の光変調素子からなる非発
光表示素子の厚さの範囲内に発光素子を収容することが
できる。この結果、確実に、表示装置の厚さを薄くする
ことができるという効果を奏する。

【０３１４】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子を駆動する駆動素子と光変調
素子を駆動する駆動素子とが第１基板側に形成される一
方、発光素子が第２基板側に形成されているものであ
る。

【０３１５】それゆえ、表示装置を製造するときに、発
光素子と、発光素子及び光変調素子を駆動する駆動素子
とを別途に形成することができる。したがって、発光素
子を形成するときに、駆動素子形成時における工程温
度、薬品、ガス等の影響を受けないようにすることがで
きるという効果を奏する。

【０３１６】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、第１基板と第２基板とのいずれか一方
に高さ調整のための凸部が設けられるとともに、この凸
部上に発光素子が形成されているものである。

【０３１７】それゆえ、この凸部によって、確実に、発
光素子を光変調素子の光変調層と同層に設けることがで
きるという効果を奏する。

【０３１８】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、凸部は、導電性樹脂にて形成されてい
るものである。

【０３１９】それゆえ、駆動素子基板側から導電性樹脂
からなる凸部を形成することによって、容易に駆動素子
基板側から高さ調整を行なうことができるという効果を
奏する。

【０３２０】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、凸部は、絶縁層からなっているもので
ある。

【０３２１】それゆえ、対向基板側から絶縁層からなる
凸部を形成することによって、容易に高さ調整をするこ
とができる。また、凸部を例えば硬質の絶縁層にて形成
することによって、光変調素子の光変調層の間隔を一定
に維持させるためのスペーサとして機能させることがで
きるという効果を奏する。

【０３２２】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子用電極と、第１基板側又は第
２基板側との接合面には、導電性ペースト又は導電性樹
脂が設けられているものである。

【０３２３】それゆえ、導電性ペースト又は導電性樹脂
は一般的に硬化しても柔らかく弾力性を有している。し
たがって、光型表示素子用電極と第１基板側又は第２基
板側との電気的接合を確実に行なうことが可能となると
いう効果を奏する。

【０３２４】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子の発光層と光変調素子の光変
調層とが保護層を介して隣接しているものである。

【０３２５】それゆえ、発光素子の発光層と光変調素子
の光変調層とが互いに影響を及ぼすのを防止することが
できる。例えば、発光素子を光変調素子の光変調層と同
層に設けた後には、双方の性能が低下したり、材料劣化
を防止することができる。また、表示装置の製造過程に
おいては、例えば、対向基板側に発光素子を形成したと
きに、発光層を保護層にて保護することにより発光層が
空気や水分との接触して劣化することを防止することが
できるという効果を奏する。

【０３２６】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、保護層は遮光機能を有しているもので
ある。

【０３２７】それゆえ、保護層は遮光機能を有している
ので、発光素子の発光層にて発光された光が光変調素子
の光変調層に漏れるのを防止することができるという効
果を奏する。

【０３２８】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子と光変調素子とは、互いに独
立して駆動されるものである。

【０３２９】それゆえ、発光素子と光変調素子とを個別
に駆動することが可能となるという効果を奏する。

【０３３０】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子と光変調素子とは信号ライン
を共有して駆動されるものである。

【０３３１】それゆえ、発光素子と光変調素子との駆動
回路の構成が複雑になるのを防止し、確実に、表示装置
の厚みの低減及び部材コストの低減を図り得る表示装置
を提供することができるという効果を奏する。

【０３３２】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子及び光変調素子を駆動する駆
動素子が第１基板側又は第２基板側のいずれか一方に形
成されているものである。

【０３３３】それゆえ、第１基板側又は第２基板側のい
ずれか一方に駆動素子を形成することによって、表示装
置の製造をより容易に行なうことができ、かつ構成の複
雑さを回避することができるという効果を奏する。

【０３３４】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、外光を検出する外光検出手段が設けら
れるとともに、この外光検出手段による外光の検出結果
に基づいて、発光素子及び光変調素子の両方又はいずれ
か一方を選択表示させる表示制御手段が設けられている
ものである。

【０３３５】それゆえ、周りの明るさに応じて自動的に
発光素子及び光変調素子の表示を選択して、最適な表示
状態を確保することができるという効果を奏する。

【０３３６】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子は反射型の液晶表示素子で
あり、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子で
ある。

【０３３７】それゆえ、確実に、小型化及びコストダウ
ンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示
装置を提供することができるという効果を奏する。

【０３３８】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子の表示面側電極と発光素子
の表示面側電極とが同一材料により同一層に形成されて
いるものである。

【０３３９】それゆえ、製造工程を共通化できるので、
製造プロセスを簡単化できるという効果を奏する。

【０３４０】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子が明表示状態であるとき
に、発光素子が無発光状態を選択可能となっているもの
である。

【０３４１】それゆえ、明環境下での使用の際、発光素
子を無発光状態とし、非発光表示素子のみで表示を行な
うことにより、発光素子の劣化を防ぎ、長寿命化を可能
とし、また、消費電力を節約することができるという効
果を奏する。

【０３４２】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子及び発光素子が隣接状態に
配されるとともに、光変調素子及び発光素子のいずれか
一方が明表示状態であるときに、他方が暗表示状態にな
るものである。

【０３４３】それゆえ、光変調素子及び発光素子のいず
れか一方が明表示状態であるときに、他方が暗表示状態
になることにより、一方がブラックマトリクスとなり、
表示上、コントラストを低下させることがないという効
果を奏する。

【０３４４】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記課題を解決するために、上記記載の表示装置を製造す
るに際して、第１基板上に駆動回路を形成し、第２基板
上に発光素子を形成した後、これら駆動回路を形成した
第１基板側と発光素子を形成した第２基板側とを合わせ
ることにより一体化する方法である。

【０３４５】それゆえ、表示装置を製造するときに、発
光素子と発光素子及び光変調素子を駆動する駆動素子と
を別途に形成することができる。したがって、発光素子
を形成するときに、駆動素子形成時における工程温度、
薬品、ガス等の影響を受けないようにすることができる
という効果を奏する。

【０３４６】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の表示装置の製造方法において、発光素子と保護
層とはいずれを先に形成してもよい方法である。

【０３４７】それゆえ、発光素子及び保護層の形成をい
ずれか容易に形成できる方の工程を優先することができ
るという効果を奏する。

【０３４８】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の表示装置の製造方法において、発光素子用電極
と、第１基板側又は第２基板側との接合面に、導電性ペ
ースト又は導電性樹脂を設けた後、第１基板側及び第２
基板側同士が貼り合わされる方法である。

【０３４９】それゆえ、発光素子用電極と第１基板側又
は第２基板側との接合面を、樹脂同士又は樹脂とペース
トとすることにより、樹脂同士及びペーストの弾力性に
よってコンタクト性能の向上を図ることができるという
効果を奏する。

【０３５０】また、本発明の表示装置の製造方法は、以
上のように、非発光表示素子と発光表示素子とが併設さ
れているもの及び発光表示素子単独からなるものにおい
て、第２基板上に発光素子を２つの発光素子用電極まで
形成した後、前記駆動回路を形成した第１基板側と、発
光素子を形成した第２基板側とを貼り合わせる方法であ
る。

【０３５１】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の表示装置の製造方法において、発光素子は、有
機エレクトロルミネッセンス素子からなり、上記有機エ
レクトロルミネッセンス素子を形成する第２基板側は、
有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電
極まで形成した後に、第１基板側と貼り合わされる方法
である。

【０３５２】また、本発明の表示装置は、以上のよう
に、発光表示素子単独からなり、第１基板上に駆動回路
が形成された第１基板側と、第２基板上に２つの発光素
子用電極までを含む発光素子が形成された第２板側とが
貼り合わされているものである。

【０３５３】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子は、有機エレクトロルミネッ
センス素子からなり、上記有機エレクトロルミネッセン
ス素子が形成された第２基板側は、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子におけるカソード電極まで形成した後
に、第１基板側と貼り合わされているものである。

【０３５４】それゆえ、駆動回路形成側に出射する構造
と比較して以下の基本的メリットを同等にもつこととな
るという効果を奏する。

【０３５５】まず、駆動回路が設けられている第１基板
側と有機ＥＬ素子とを別々に形成することができる。こ
のため、それぞれ独立に製造工程を組むことができるの
で、温度、ガス及び薬品等に影響されることがなく信頼
性が向上する。

【０３５６】また、上記構成により、有機ＥＬ素子を形
成した第２基板側に光を出射させることができる。これ
により、駆動回路側開口率に影響されなく発光領域を広
く設定できるので、高輝度化ができる。さらに、発光面
積が広いことから同じ輝度を得るための単位面積当りの
電流量を抑えることもでき、長寿命化、及び発光効率向
上による消費電力低下が実現できる。

【０３５７】また、駆動回路を形成した第１基板側に光
出射しないため、第１基板側は全面に駆動回路を形成す
ることができる。したがって、駆動回路のＴＦＴ（Thin
Film Transistor：薄膜トランジスタ）の大きさを自由
に設定したり、ＴＦＴ形成領域に余裕が生まれたりする
ので、細かな制御を行うための回路を形成することがで
きる。さらに、配線幅にも余裕ができるので、駆動回路
の信頼性を上げることができ、歩留まりが向上する。

【０３５８】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されて
いるもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置
の製造方法において、前記有機エレクトロルミネッセン
ス素子におけるカソード電極までを形成した第２基板側
は、上記カソード電極の上にさらに該カソード電極を保
護する保護電極を形成した後、第１基板側と貼り合わさ
れる方法である。

【０３５９】また、本発明の表示装置は、上記記載の発
光表示素子単独から表示装置において、前記有機エレク
トロルミネッセンス素子におけるカソード電極の上にさ
らに該カソード電極を保護する保護電極が形成された第
２基板側と、第１基板側とが貼り合わされているもので
ある。

【０３６０】それゆえ、カソード電極までを形成する第
２基板側を第１基板側と貼り合わせる場合には、カソー
ド電極を保護する保護電極を設けることによって、貼り
合わせの際に、雰囲気中の水分や酸素にさらされること
によるカソード電極の性能劣化を防ぐことができる。

【０３６１】また、好ましくは、カソード電極とこれを
保護する電極を同一工程で連続形成することによって、
さらにカソード電極の劣化を防止させることができる。
このとき、保護電極の形成厚さは自由に設定できるの
で、カソード電極が酸素等の劣化を生じさせる成分が入
らないような十分な厚さをもって構成することが可能と
なるという効果を奏する。

【０３６２】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されて
いるもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置
の製造方法において、第１基板側の第２基板側への接合
面には、駆動回路電極が設けられているとともに、前記
有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電
極までを形成した第２基板側は、上記第１基板側の駆動
回路電極との接触面に、導電性ペースト、導電性樹脂等
のコンタクト層を形成した後に、第１基板側の駆動回路
電極と接合される方法である。

【０３６３】また、本発明の表示装置は、上記記載の発
光表示素子単独からなる表示装置において、第１基板側
の第２基板側への接合面には、駆動回路電極が設けられ
ているとともに、第２基板側には、前記有機エレクトロ
ルミネッセンス素子におけるカソード電極の上に、導電
性ペースト、導電性樹脂等のコンタクト層が形成されて
おり、上記第１基板側と第２基板側とは、第１基板側の
駆動回路電極と第２基板側のコンタクト層とが対向して
接合されているものである。

【０３６４】それゆえ、貼り合わせの際の電気的接触が
より確実に取れるので、接合面での断線や点接触がなく
なり、輝度斑にない画質向上を図ることが可能となると
いう効果を奏する。

【０３６５】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されて
いるもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置
の製造方法において、第２基板側には、出射光側に有機
エレクトロルミネッセンス素子における透明電極からな
るアノード電極が設けられるとともに、上記アノード電
極には、電力供給用電極が併設される方法である。

【０３６６】また、本発明の表示装置は、上記記載の発
光表示素子単独からなる表示装置において、第２基板側
には、出射光側に有機エレクトロルミネッセンス素子に
おける透明電極からなるアノード電極が設けられている
とともに、上記アノード電極には、電力供給用電極が併
設されているものである。

【０３６７】それゆえ、出射側のブラックマトリクスに
沿って金属配線からなる電力供給用電極を併設すること
によって、電圧降下を抑制できるので、輝度斑が生じな
いという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における表示装置の実施の一形態を示す
ものであり、表示装置における１画素分を示す断面図で
ある。

【図２】本発明の概念を示すものであり、表示環境と消
費電力との関係を示すグラフである。

【図３】本発明の概念を示すものであり、表示環境と輝
度との関係を示すグラフである。

【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）は上記表示装置における対
向基板の製造方法を示す説明図である。

【図５】（ａ）（ｂ）は上記表示装置のＴＦＴ基板の製
造方法を示す説明図である。

【図６】金属電極を有機ＥＬ発光素子の陽極に沿ってブ
ラックマトリスクの下に形成した表示装置を示す断面図
である。

【図７】金属電極を有機ＥＬ発光素子の層構造に形成し
てブラックマトリスクの下に形成した表示装置を示す断
面図である。

【図８】（ａ）（ｂ）は上記表示装置の対向基板とＴＦ
Ｔ基板とを貼り合わせる状態を示す説明図である。

【図９】上記表示装置において信号ラインを共有して駆
動する場合の１画素分の駆動回路図である。

【図１０】上記表示装置において信号ラインを共有して
駆動する場合の１画素分の駆動回路の変形例を示す駆動
回路図である。

【図１１】本発明における表示装置の他の実施の一形態
を示すものであり、表示装置における１画素分を示す断
面図である。

【図１２】（ａ）（ｂ）（ｃ）は上記表示装置における
対向基板の製造方法を示す説明図である。

【図１３】上記表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す
説明図である。

【図１４】（ａ）（ｂ）は上記表示装置の対向基板とＴ
ＦＴ基板とを貼り合わせる状態を示す説明図である。

【図１５】本発明における表示装置のさらに他の実施の
一形態を示すものであり、表示装置における１画素分を
示す断面図である。

【図１６】上記表示装置の凸部を複数層形成した場合の
断面図である。

【図１７】上記表示装置における表示画面の平面図であ
る。

【図１８】（ａ）は上記表示装置における１画素分の反
射領域及び発光領域を分割する際に、発光領域を反射領
域の内側に設けた構成を示す平面図であり、（ｂ）は上
記表示装置における１画素分の反射領域及び発光領域を
分割する際に、発光領域を反射領域の隅角側に設けた構
成を示す平面図である。

【図１９】本発明における表示装置のさらに他の実施の
一形態を示すものであり、光センサを用いる場合を示す
ブロック図である。

【図２０】本発明における表示装置のさらに他の実施の
一形態を示すものであり、有機ＥＬ層としてホール輸送
層、発光層、電子輸送層からなる構成の有機ＥＬ発光素
子を示す断面図である。

【図２１】有機ＥＬ層として高分子ＥＬ材料からなる構
成の有機ＥＬ発光素子を示す断面図である。

【図２２】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、図２０に示す表示装
置の対向基板の製造方法を示す断面図である。

【図２３】（ａ）（ｂ）は、図２０に示す表示装置のＴ
ＦＴ回路側基板の製造方法を示す断面図である。

【図２４】（ａ）（ｂ）は、図２０に示す表示装置の対
向基板とＴＦＴ回路側基板とを貼り合わせる工程を示す
断面図である。

【図２５】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、図２１に示す表示装
置の対向基板の製造方法を示す断面図である。

【図２６】図２１に示す表示装置のＴＦＴ回路側基板の
製造方法を示す断面図である。

【図２７】（ａ）（ｂ）は、図２１に示す表示装置の対
向基板とＴＦＴ回路側基板とを貼り合わせる工程を示す
断面図である。

【図２８】従来の表示装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１表示装置２ａソースバスライン（信号ライン）２ｂ電流供給ライン３ゲートバスライン（信号ライン）６ソースドライバ７ゲートドライバ１０表示画素（表示領域）１１反射領域（第１表示領域）１２ａ発光領域（第２表示領域）２０液晶表示素子（光変調素子、非発光表示素子）２１絶縁性基板（第１基板）２２液晶用ＴＦＴ素子（駆動素子）２２ａドレイン電極２４透明絶縁層（透明絶縁膜）２５画素電極２６液晶層（光変調層）２７対向電極（光変調素子の表示面側電極）２９絶縁性基板（第２基板）３１位相差板３２偏光板４０有機ＥＬ素子（発光素子、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子）４２ＥＬ用ＴＦＴ素子（駆動素子、電圧電流変換手
段）６０有機ＥＬ素子（発光素子、発光表示素子）６１陰極（発光素子用電極）６２電子輸送層６３発光層６４ホール輸送層６５陽極（発光素子用電極、発光素子の表示面側電
極）６６導電性コンタクト層（凸部）７３発光層７７コア部（保護層）８１絶縁性凸部（凸部）９０電源部９１コントロール回路（表示制御手段）９３光センサ（外光検出手段）１２１絶縁性基板（第１基板）１２５画素電極（駆動回路電極）１２９絶縁性基板（第２基板）１３３ブラックマトリクス１５１ＴＦＴ回路側基板（第１基板側）１５２対向基板（第２基板側）１６０有機ＥＬ素子（発光素子、発光表示素子）１６１カソード電極（陰極）（発光素子用電極）１６２電子輸送層１６３発光層１６４ホール輸送層１６５アノード電極（陽極）（発光素子用電極、発
光素子の表示面側電極）１６５ａ電極ライン（電力供給用電極）１６６有機ＥＬ層１６７カソード保護電極材料１６８接続電極（コンタクト層）Ｖｄｄ供給電圧Ｖｔｈ共用閾値電圧Ｖｔｈ（ＬＣ）液晶用閾値電圧Ｖｔｈ（ＯＬＥＤ）ＥＬ用閾値電圧Ｖｓデータ線信号

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 ５Ｃ０８２Ｇ０９Ｆ 9/00 ３６６Ｇ０９Ｆ 9/00 ３６６Ｇ５Ｃ０９４ 9/35 9/35 ５Ｇ４３５Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１１Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１１Ａ６８０６８０Ｈ 5/00 ５５０ 5/00 ５５０ＣＨ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/10 33/14 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｚ 33/26 33/26 Ｚ (72)発明者鳴瀧陽三大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内Ｆターム(参考） 2H089 HA08 HA15 KA19 QA11 QA16 TA11 UA09 2H092 GA13 HA05 JA24 JB07 NA25 NA26 PA07 RA10 2H093 NA16 NC53 NC71 ND39 ND42 ND54 NE10 NG20 3K007 AB05 AB11 AB17 AB18 BA06 BB06 BB07 CB01 CC05 DB03 FA01 FA02 5C080 AA06 AA10 BB05 BB10 DD26 DD29 FF11 JJ02 JJ03 JJ05 JJ06 5C082 CA76 CB03 MM03 MM10 5C094 AA04 AA08 AA10 AA15 AA16 AA22 AA31 AA43 AA48 AA56 BA03 BA08 BA27 BA43 CA19 CA24 DA09 DA12 DA13 DB01 DB02 EA04 EA05 EA06 ED03 ED11 ED15 FA01 FA02 FB01 FB20 GA10 5G435 AA00 AA04 AA14 AA17 AA18 BB05 BB12 BB16 CC09 CC12 EE37 EE42 EE49 FF03 FF13 KK05 LL07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表示領域内に、光変調素子が外光を反射さ
せて表示を行なう非発光表示素子からなる第１表示領域
と、発光素子が直接変調し表示を行なう発光表示素子か
らなる第２表示領域とが併設されていることを特徴とす
る表示装置。
【請求項２】互いに対向してなる第１基板と第２基板と
を備え、光変調素子及び発光素子はいずれも上記第１基
板と第２基板との間に設けられていることを特徴とする
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】第２表示領域には光変調素子の光変調層が
存在しないことを特徴とする請求項１又は２記載の表示
装置。
【請求項４】光変調素子の光変調層と発光素子の発光層
とが同層に設けられていることを特徴とする請求項１、
２又は３記載の表示装置。
【請求項５】発光素子を駆動する駆動素子と光変調素子
を駆動する駆動素子とが第１基板側に形成される一方、
発光素子が第２基板側に形成されていることを特徴とす
る請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】第１基板と第２基板とのいずれか一方に高
さ調整のための凸部が設けられるとともに、この凸部上
に発光素子が形成されていることを特徴とする請求項１
〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】凸部は、導電性樹脂にて形成されているこ
とを特徴とする請求項６記載の表示装置。
【請求項８】凸部は、絶縁層からなっていることを特徴
とする請求項６記載の表示装置。
【請求項９】発光素子用電極と、第１基板側又は第２基
板側との接合面には、導電性ペースト又は導電性樹脂が
設けられていることを特徴とする請求項６、７又は８記
載の表示装置。
【請求項１０】発光素子の発光層と光変調素子の光変調
層とが保護層を介して隣接していることを特徴とする請
求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】保護層は遮光機能を有していることを特
徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１２】発光素子と光変調素子とは、互いに独立
して駆動されることを特徴とする請求項１ないし１１の
いずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】発光素子と光変調素子とは信号ラインを
共有して駆動されることを特徴とする請求項１ないし１
１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】発光素子及び光変調素子を駆動する駆動
素子が第１基板側又は第２基板側のいずれか一方に形成
されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいず
れか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】外光を検出する外光検出手段が設けられ
るとともに、この外光検出手段による外光の検出結果に
基づいて、発光素子及び光変調素子の両方又はいずれか
一方を選択表示させる表示制御手段が設けられているこ
とを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の
表示装置。
【請求項１６】光変調素子は反射型の液晶表示素子であ
り、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子であ
ることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記
載の表示装置。
【請求項１７】光変調素子の表示面側電極と発光素子の
表示面側電極とが同一材料により同一層に形成されてい
ることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれか１項
に記載の表示装置。
【請求項１８】光変調素子が明表示状態であるときに、
発光素子が無発光状態を選択可能となっていることを特
徴とする請求項１ないし１７のいずれか１項に記載の表
示装置。
【請求項１９】光変調素子及び発光素子が隣接状態に配
されるとともに、光変調素子及び発光素子のいずれか一
方が明表示状態であるときに、他方が暗表示状態になる
ことを特徴とする請求項１ないし１８のいずれか１項に
記載の表示装置。
【請求項２０】請求項１〜１９のいずれか１項に記載の
表示装置を製造するに際して、第１基板上に駆動回路を
形成し、第２基板上に発光素子を形成した後、これら駆
動回路を形成した第１基板側と発光素子を形成した第２
基板側とを合わせることにより一体化することを特徴と
する表示装置の製造方法。
【請求項２１】発光素子と保護層とはいずれを先に形成
してもよいことを特徴とする請求項２０記載の表示装置
の製造方法。
【請求項２２】発光素子用電極と第１基板側又は第２基
板側との接合面に、導電性ペースト又は導電性樹脂を設
けた後、第１基板側と第２基板側とが貼り合わされるこ
とを特徴とする請求項２０記載の表示装置の製造方法。
【請求項２３】第２基板上に発光素子を２つの発光素子
用電極まで形成した後、前記駆動回路を形成した第１基
板側と、発光素子を形成した第２基板側とを貼り合わせ
ることを特徴とする請求項２０記載の表示装置の製造方
法。
【請求項２４】発光素子は、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子からなり、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する第２
基板側は、有機エレクトロルミネッセンス素子における
カソード電極まで形成した後に、第１基板側と貼り合わ
されることを特徴とする請求項２０記載の表示装置の製
造方法。
【請求項２５】前記有機エレクトロルミネッセンス素子
におけるカソード電極までを形成した第２基板側は、上
記カソード電極の上にさらに該カソード電極を保護する
保護電極を形成した後、第１基板側と貼り合わされるこ
とを特徴とする請求項２４記載の表示装置の製造方法。
【請求項２６】第１基板側の第２基板側への接合面に
は、駆動回路電極が設けられているとともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソー
ド電極までを形成した第２基板側は、上記第１基板側の
駆動回路電極との接触面に、導電性ペースト又は導電性
樹脂を設けた後に、第１基板側の駆動回路電極と接合さ
れることを特徴とする請求項２４記載の表示装置の製造
方法。
【請求項２７】第２基板側には、出射光側に有機エレク
トロルミネッセンス素子における透明電極からなるアノ
ード電極が設けられるとともに、上記アノード電極には、電力供給用電極が併設されるこ
とを特徴とする請求項２４記載の表示装置の製造方法。
【請求項２８】第１基板上に駆動回路が形成された第１
基板側と、第２基板上に２つの発光素子用電極までを含
む発光素子が形成された第２板側とが貼り合わされてい
ることを特徴とする表示装置。
【請求項２９】発光素子は、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子からなり、上記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された第
２基板側は、有機エレクトロルミネッセンス素子におけ
るカソード電極まで形成した後に、第１基板側と貼り合
わされていることを特徴とする請求項２８記載の表示装
置。
【請求項３０】前記有機エレクトロルミネッセンス素子
におけるカソード電極の上にさらに該カソード電極を保
護する保護電極が形成された第２基板側と、第１基板側
とが貼り合わされていることを特徴とする請求項２９記
載の表示装置。
【請求項３１】第１基板側の第２基板側への接合面に
は、駆動回路電極が設けられているとともに、第２基板側には、前記有機エレクトロルミネッセンス素
子におけるカソード電極の上に、導電性ペースト、導電
性樹脂等のコンタクト層が形成されており、上記第１基板側と第２基板側とは、第１基板側の駆動回
路電極と第２基板側のコンタクト層とが対向して接合さ
れていることを特徴とする請求項２９記載の表示装置。
【請求項３２】第２基板側には、出射光側に有機エレク
トロルミネッセンス素子における透明電極からなるアノ
ード電極が設けられているとともに、上記アノード電極には、電力供給用電極が併設されてい
ることを特徴とする請求項２９記載の表示装置。
【請求項３３】第１基板上に駆動回路を形成し、第２基
板上に発光素子を２つの発光素子用電極まで形成した
後、上記駆動回路を形成した第１基板側と発光素子を形
成した第２基板側とを貼り合わせることを特徴とする表
示装置の製造方法。
【請求項３４】発光素子は、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子からなり、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する第２
基板側は、有機エレクトロルミネッセンス素子における
カソード電極まで形成した後に、第１基板側と貼り合わ
されることを特徴とする請求項３３記載の表示装置の製
造方法。
【請求項３５】前記有機エレクトロルミネッセンス素子
におけるカソード電極までを形成した第２基板側は、上
記カソード電極の上にさらに該カソード電極を保護する
保護電極を形成した後、第１基板側と貼り合わされるこ
とを特徴とする請求項３４記載の表示装置の製造方法。
【請求項３６】第１基板側の第２基板側への接合面に
は、駆動回路電極が設けられているとともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソー
ド電極までを形成した第２基板側は、上記第１基板側の
駆動回路電極との接触面に、導電性ペースト、導電性樹
脂等のコンタクト層を形成した後に、第１基板側の駆動
回路電極と接合されることを特徴とする請求項３４記載
の表示装置の製造方法。
【請求項３７】第２基板側には、出射光側に有機エレク
トロルミネッセンス素子における透明電極からなるアノ
ード電極が設けられるとともに、上記アノード電極には、電力供給用電極が併設されるこ
とを特徴とする請求項３４記載の表示装置の製造方法。