JP2017068263A - 表示装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の画素と、第2の画素とを有する表示装置であって、第1の画素と、第2の画素とは、隣接して設けられ、第1の画素及び第2の画素は、第1の表示領域と、第2の表示領域とを、それぞれ有し、第1の表示領域は、入射する光を反射する機能を有し、第2の表示領域は、第1の表示領域の内側に設けられ、且つ光を射出する機能を有し、第1の画素が有する第2の表示領域と、第2の画素が有する第2の表示領域とは、第1の表示領域の内側に設けられる位置が異なる。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図1乃至図25を用いて説明を行う。
まず、表示装置の構成について、図5を用いて説明する。図5に示す表示装置500は、画素部502と、画素部502の外側に配置されるゲートドライバ回路部504a、504bと、画素部502の外側に配置されるソースドライバ回路部506と、を有する。
画素部502は、X行(Xは2以上の自然数)、Y列(Yは2以上の自然数)に配置される画素10(X,Y)を有する。また、画素10(X,Y)は、2つの表示素子を有し、当該2つの表示素子は、それぞれ異なる機能を有する。2つの表示素子の一方は、入射する光を反射する機能を有し、2つの表示素子の他方は、光を射出する機能を有する。なお、当該2つの表示素子の詳細については、後述する。
ゲートドライバ回路部504a、504b及びソースドライバ回路部506の一部または全部は、画素部502と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。ゲートドライバ回路部504a、504b及びソースドライバ回路部506の一部または全部が画素部502と同一基板上に形成されない場合には、COG(Chip On Glass)またはTAB(Tape Automated Bonding)によって、別途用意された駆動回路基板(例えば、単結晶半導体膜または多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板)を、表示装置500に形成してもよい。
ソースドライバ回路部506は、画像信号を元に画素10(X,Y)に書き込むデータ信号を生成する機能、データ信号が与えられる配線(以下、信号線SL_1乃至SL_Y及び信号線SE_1乃至SE_Yという)の電位を制御する機能、または初期化信号を供給する機能を有する。ただし、これに限定されず、ソースドライバ回路部506は、別の信号を生成、制御、または供給する機能を有していてもよい。
また、画素10(X,Y)は、走査線GL_1乃至GL_X及び走査線GE_1乃至GE_Xの一つを介してパルス信号が入力され、信号線SL_1乃至SL_Y及び信号線SE_1乃至SE_Yの一つを介してデータ信号が入力される。
表示装置500には、外部回路508a、508bが接続される。なお、外部回路508a、508bを、表示装置500に形成する構成としてもよい。
次に、画素10(m,n)の回路構成について、図6を用いて説明する。
表示素子11は、光の反射または光の透過を制御する機能を有する。特に、表示素子11を光の反射を制御する、所謂反射型の表示素子とすると好適である。表示素子11を反射型の表示素子とすることで、外光を用いて表示を行うことが可能となるため、表示装置の消費電力を抑制することができる。例えば、表示素子11としては、反射膜と液晶素子と偏光板とを組み合わせた構成、またはマイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム(MEMS)を用いる構成等とすればよい。
表示素子12は、光を射出する機能、すなわち発光する機能を有する。よって、表示素子12を、発光素子として読み替えてもよい。例えば、表示素子12としては、エレクトロルミネッセンス素子(EL素子ともいう)を用いる構成、または発光ダイオードを用いる構成等とすればよい。
次に、表示素子11及び表示素子12の駆動方法について説明する。なお、以下の説明においては、表示素子11に液晶素子を用い、表示素子12に発光素子を用いる構成とする。
画素10(m,n)において、トランジスタTr1のゲート電極は、走査線GL_mに電気的に接続される。また、トランジスタTr1のソース電極またはドレイン電極の一方は、信号線SL_nに電気的に接続され、他方は表示素子11の一対の電極の一方に電気的に接続される。トランジスタTr1は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
画素10(m,n)において、トランジスタTr2のゲート電極は、走査線GE_mに電気的に接続される。また、トランジスタTr2のソース電極またはドレイン電極の一方は、信号線SE_nに電気的に接続され、他方はトランジスタTr3のゲート電極に電気的に接続される。トランジスタTr2は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
ここで、表示素子11及び表示素子12の画素10(m,n)における表示領域について、図1を用いて説明する。
次に、図5に示す表示装置500の具体的な構成例について、図7及び図8を用いて説明を行う。
次に、表示装置500の断面構造について、図8を用いて説明する。
まず、図8に示す一点鎖線A5−A6の断面、及び一点鎖線A7−A8の断面の詳細について、図9を用いて説明する。図9は、図8に示す一点鎖線A5−A6及び一点鎖線A7−A8の断面の一部の構成要素を拡大し、且つ上下を反転した断面図に相当する。なお、図9において、図面の煩雑さを避けるため、構成要素の一部を省略して図示する。
次に、図8に示す一点鎖線A1−A2の断面、及び一点鎖線A3−A4の断面の詳細について、図10を用いて説明する。図10は、図8に示す一点鎖線A1−A2及び一点鎖線A3−A4の断面の構成要素を拡大し、且つ上下を反転した断面図に相当する。なお、図10において、図面の煩雑さを避けるため、構成要素の一部を省略して図示する。
次に、図8に示す一点鎖線A9−A10、及び一点鎖線A11−A12の詳細について、図11を用いて説明する。図11は、図8に示す一点鎖線A9−A10及び一点鎖線A11−A12の構成要素を拡大し、且つ上下を反転した断面図に相当する。なお、図11において、図面の煩雑さを避けるため、構成要素の一部を省略して図示する。
次に、図8に示す表示装置500の作製方法について、図12乃至図17を用いて説明する。なお、図12乃至図17は、表示装置500の作製方法を説明する断面図である。
また、図8に示す表示装置500に、タッチパネルを設ける構成としてもよい。当該タッチパネルとしては、静電容量方式(表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等)を好適に用いることができる。
また、図8及び図18乃至図20においては、機能膜626が、基板652の外側に位置する構成について例示したが、これに限定されない。例えば、基板652を設けない構成としてもよい。この場合の一例を図21乃至図24に示す。
また、図8に示す表示装置500の液晶素子を、横電界方式、ここではFFS(Fringe Field Switching)モードの液晶素子とする構成の一例を図25に示す。
次に、図8乃至図25に例示した表示装置500及び表示装置500の作製方法に記載の各構成要素について、以下説明を行う。
基板401、452、652、670として、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を用いることができる。
導電膜402、403a、403b、403c、405a、405b、405c、405d、407a、407b、407c、407d、407e、411a、411b、411c、414a、414b、414c、414d、414e、414f、414g、414h、417、420、608、682としては、導電性を有する金属膜、可視光を反射する機能を有する導電膜、または可視光を透過する機能を有する導電膜を用いればよい。
絶縁膜404、406、408、410a、410b、410c、412、413、416、418、606、663、666、668、681としては、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料、または絶縁性の無機材料と絶縁性の有機材料とを含む絶縁性の複合材料を用いることができる。
酸化物半導体膜409a、409b、409cは、In−M−Zn酸化物(MはAl、Ga、Y、またはSn)等の金属酸化物で形成される。また、酸化物半導体膜409a、409b、409cとして、In−Ga酸化物、In−Zn酸化物を用いてもよい。
液晶層620としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等が挙げられる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いてもよい。または、ブルー相を示す液晶材料を用いてもよい。
EL層419としては、少なくとも発光材料を有する。当該発光材料としては、有機化合物、または量子ドットなどの無機化合物が挙げられる。
配向膜618a、618bとしては、ポリイミド等を含む材料を用いることができる。例えば、ポリイミド等を含む材料が、所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向処理を行えばよい。
遮光膜602、662は、所謂ブラックマトリクスとしての機能を有する。遮光膜602、662としては、光の透過を妨げる材料を用いればよい。当該光の透過を妨げる材料としては、金属材料、または黒色顔料を含んだ有機樹脂材料等が挙げられる。
着色膜604は、所謂カラーフィルタとしての機能を有する。着色膜604としては、所定の色の光を透過する材料(例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料、赤色の光を透過する材料、黄色の光を透過する材料または白色の光を透過する材料など)を用いればよい。
構造体610a、610bは、構造体610a、610bを挟む構成の間に所定の間隙を設ける機能を有する。構造体610a、610bとしては、有機材料、無機材料、または有機材料と無機材料との複合材料を用いることができる。当該無機材料及び当該有機材料としては、絶縁膜404、406、408、410a、410b、410c、412、413、416、418、606に列挙した材料を用いることができる。
機能膜626としては、偏光板、位相差板、拡散フィルム、反射防止フィルムまたは集光フィルム等を用いることができる。また、機能膜626として、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜など用いてもよい。
封止材454としては、無機材料、有機材料、または無機材料と有機材料との複合材料等を用いることができる。上述の有機材料としては、例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂を含む有機材料が挙げられる。また、封止材454としては、樹脂材料を含む接着剤(反応硬化型の接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等)を用いてもよい。また、上述の樹脂材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。
シール材622としては、封止材454に列挙した材料を用いることができる。また、シール材622としては、上述の材料に加え、ガラスフリット等の材料を用いてもよい。シール材622に用いる材料としては、水分や酸素を透過しない材料を用いると好適である。
電極664、665、667としては、先に記載の導電膜402、403a、403b、403c、405a、405b、405c、405d、407a、407b、407c、407d、407e、411a、411b、411c、414a、414b、414c、414d、414e、414f、414g、414h、417、420、608に列挙した材料を用いることができる。また、電極664、665、667には、導電性のナノワイヤを用いてもよい。当該ナノワイヤは、直径の平均値が1nm以上100nm以下、好ましくは5nm以上50nm以下、より好ましくは5nm以上25nm以下の大きさとすればよい。また、上記ナノワイヤとしては、Agナノワイヤ、Cuナノワイヤ、またはAlナノワイヤ等の金属ナノワイヤ、あるいは、カーボンナノチューブなどを用いればよい。例えば、電極664、665、667のいずれか一つあるいは全部にAgナノワイヤを用いる場合、可視光における光透過率を89%以上、シート抵抗値を40Ω/□以上100Ω/□以下とすることができる。
本実施の形態では、光を射出する機能、すなわち発光機能を有する表示素子について、詳細に説明を行う。
図26は、実施の形態1に示す表示素子12を詳細に説明する断面図である。
導電膜417R、導電膜417G、導電膜417B、及び導電膜420としては、それぞれ、実施の形態1に示す、導電膜402、403a、403b、403c、405a、405b、405c、405d、407a、407b、407c、407d、407e、411a、411b、411c、414a、414b、414c、414d、414e、414f、414g、414h、417、420、608、682に列挙した材料を用いればよい。特に、導電膜417R、導電膜417G、及び導電膜417Bとしては、ITO、またはITSOを用いると好適である。また、導電膜420としては、AlまたはAgを含む反射率の高い金属膜を用いると好適である。
絶縁膜418としては、それぞれ、実施の形態1に示す、絶縁膜404、406、408、410a、410b、410c、412、413、416、418、606、663、666、668、681に列挙した材料を用いればよい。
発光層419EML(R)の発光は、赤色の波長領域にピークを有する。また、発光層419EML(G)は、緑色の波長領域にピークを有する。また、発光層419EML(B)の発光は、青色の波長領域にピークを有する。例えば、発光層419EML(R)及び発光層419EML(G)には燐光材料を用い、発光層419EML(B)には蛍光材料を用いると好適である。また発光層419EML(R)及び発光層419EML(G)は、燐光材料に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。また発光層419EML(B)の発光は、蛍光材料に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。
燐光材料としては、イリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては4H−トリアゾール配位子、1H−トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体としては、ポルフィリン配位子を有する白金錯体などが挙げられる。
蛍光材料としては、特に限定はないが、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、スチルベン誘導体、アクリドン誘導体、クマリン誘導体、フェノキサジン誘導体、フェノチアジン誘導体などが好ましく、例えば以下の材料を用いることができる。
発光層では、発光材料をホスト材料に分散して用いると好ましい。この場合、ホスト材料は発光材料より重量比で多く存在する。ホスト材料としては、様々な材料を用いることができる。例えば、正孔を輸送する機能を有する材料(正孔輸送性材料)や電子を輸送する機能を有する材料(電子輸送性材料)などを用いることができる。また、正孔輸送性および電子輸送性を有するバイポーラ性材料も用いることができる。
正孔注入層419HILは、正孔輸送性の高い正孔輸送層419HTLを介して発光層419EML(R)、発光層419EML(G)、及び発光層419EML(B)に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含むことで、アクセプター性物質により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔が発生し、正孔輸送層419HTLを介して発光層419EML(R)、発光層419EML(G)、及び発光層419EML(B)に正孔が注入される。なお、正孔輸送層419HTLは、正孔輸送性材料を用いて形成される。
電子輸送層419ETLとしては、先に示す発光層419EML(R)、発光層419EML(G)、及び発光層419EML(B)に用いることのできる電子輸送性材料と同様の材料を用いればよい。
電子注入層419EILは、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層419EILには、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)、リチウム酸化物(LiOx)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム(ErF3)のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層419EILにエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。
次に、本発明の一態様の表示素子12の作製方法について、図27及び図28を用いて以下説明を行う。
第1のステップは、各発光素子の下部電極として機能する導電膜(導電膜417R、導電膜417G、及び導電膜417B)と、各発光素子の導電膜の端部を覆う絶縁膜418と、を形成する工程である(図27(A)参照)。
第2のステップは、導電膜(導電膜417R、導電膜417G、及び導電膜417B)、及び絶縁膜418上に正孔注入層419HIL及び正孔輸送層419HTLを形成する工程である(図27(B)参照)。
第3のステップは、シャドウマスク481を用いて、発光層419EML(R)を形成する工程である(図27(C)参照)。
第4のステップは、正孔輸送層419HTL上に発光層419EML(G)を形成する工程である(図28(A)参照)。
第5のステップは、正孔輸送層419HTL、発光層419EML(R)、及び419EML(G)上に、発光層419EML(B)、電子輸送層419ETL、電子注入層419EIL、及び導電膜420を形成する工程である(図28(B)参照)。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできるトランジスタについて、詳細に説明する。
図29(A)は、トランジスタ100の上面図であり、図29(B)は図29(A)の一点鎖線X1−X2間の断面図であり、図29(C)は図29(A)の一点鎖線Y1−Y2間の断面図である。なお、図29(A)では、明瞭化のため、絶縁膜110などの構成要素を省略して図示している。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図29(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。また、一点鎖線X1−X2方向をチャネル長(L)方向、一点鎖線Y1−Y2方向をチャネル幅(W)方向と呼称する場合がある。
基板102としては、様々な基板を用いることができ、特定のものに限定されることはない。基板102の材料としては、実施の形態1に示す基板401、452、652、670と同様の材料を用いることができる。
絶縁膜104としては、スパッタリング法、CVD法、蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法、印刷法、塗布法等を適宜用いて形成することができる。また、絶縁膜104としては、例えば、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、酸化物半導体膜108との界面特性を向上させるため、絶縁膜104において少なくとも酸化物半導体膜108と接する領域は酸化物絶縁膜で形成することが好ましい。また、絶縁膜104として加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いることで、加熱処理により絶縁膜104に含まれる酸素を、酸化物半導体膜108に移動させることが可能である。
酸化物半導体膜108としては、実施の形態1に示す酸化物半導体膜409a、409b、409cと同様の材料を用いることができる。
絶縁膜110は、トランジスタ100のゲート絶縁膜として機能する。また、絶縁膜110は、酸化物半導体膜108、特にチャネル領域108iに酸素を供給する機能を有する。例えば、絶縁膜110としては、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、酸化物半導体膜108との界面特性を向上させるため、絶縁膜110において、酸化物半導体膜108と接する領域は、少なくとも酸化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。絶縁膜110として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いればよい。
絶縁膜116は、窒素または水素を有する。また、絶縁膜116は、フッ素を有していてもよい。絶縁膜116としては、例えば、窒化物絶縁膜が挙げられる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化フッ化シリコン、フッ化窒化シリコン等を用いて形成することができる。絶縁膜116に含まれる水素濃度は、1×1022atoms/cm3以上であると好ましい。また、絶縁膜116は、酸化物半導体膜108のソース領域108s、及びドレイン領域108dと接する。したがって、絶縁膜116と接するソース領域108s、及びドレイン領域108d中の不純物(窒素または水素)濃度が高くなり、ソース領域108s、及びドレイン領域108dのキャリア密度を高めることができる。
絶縁膜118としては、酸化物絶縁膜を用いることができる。また、絶縁膜118としては、酸化物絶縁膜と、窒化物絶縁膜との積層膜を用いることができる。絶縁膜118として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはGa−Zn酸化物などを用いればよい。
導電膜112、120a、120bとしては、スパッタリング法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法、熱CVD法等を用いて形成することができる。また、導電膜112、120a、120bとしては、実施の形態1に示す導電膜402、403a、403b、403c、405a、405b、405c、405d、407a、407b、407c、407d、407e、411a、411b、411c、414a、414b、414c、414d、414e、414f、414g、414h、417、420、608と同様の材料を用いることができる。
次に、図29(A)(B)(C)に示すトランジスタと異なる構成について、図30(A)(B)(C)を用いて説明する。
次に、図30(A)(B)(C)に示すトランジスタと異なる構成について、図31乃至図36を用いて説明する。
ここで、絶縁膜104、酸化物半導体膜108_1、108_2、108_3、及び絶縁膜110のバンド構造、絶縁膜104、酸化物半導体膜108_2、108_3、及び絶縁膜110のバンド構造、並びに絶縁膜104、酸化物半導体膜108_1、108_2、及び絶縁膜110のバンド構造について、図36(A)(B)(C)を用いて説明する。なお、図36(A)(B)(C)は、チャネル領域108iにおけるバンド構造である。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできるトランジスタについて、詳細に説明する。
図37(A)は、トランジスタ300Aの上面図であり、図37(B)は、図37(A)に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図37(C)は、図37(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。なお、図37(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ300Aの構成要素の一部(ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等)を省略して図示している。また、一点鎖線X1−X2方向をチャネル長方向、一点鎖線Y1−Y2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図37(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
図38(A)は、トランジスタ300Bの上面図であり、図38(B)は、図38(A)に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図38(C)は、図38(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。
図39(A)は、トランジスタ300Cの上面図であり、図39(B)は、図39(A)に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図39(C)は、図39(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。
図40(A)は、トランジスタ300Dの上面図であり、図40(B)は、図40(A)に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図40(C)は、図40(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。
また、図37(A)(B)(C)に示すトランジスタ300Aが有する酸化物半導体膜308を複数の積層構造としてもよい。その場合の一例を図41(A)(B)(C)(D)に示す。
本実施の形態においては、酸化物半導体の構造等について、図42乃至図46を参照して説明する。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、CAAC−OS(c−axis−aligned crystalline oxide semiconductor)、多結晶酸化物半導体、nc−OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)および非晶質酸化物半導体などがある。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図47乃至図50を用いて説明を行う。
図47に示す表示モジュール8000は、上部カバー8001と下部カバー8002との間に、FPC8003が接続されたタッチパネル8004、FPC8005が接続された表示パネル8006、フレーム8009、プリント基板8010、バッテリ8011を有する。
図48(A)乃至図48(E)、及び図49(A)乃至図49(E)は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体9000、表示部9001、カメラ9002、スピーカ9003、操作キー9005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子9006、センサ9007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9008等を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する情報処理装置の構成について、図51(A)(B)を参照して説明する。
情報処理装置9600は、演算装置9610と、入出力装置9620とを有する。
演算装置9610は、演算部9611と、記憶部9612と、伝送路9614と、入出力インターフェース9615と、を有する。
演算部9611は、プログラムを実行する機能を有する。
記憶部9612は、演算部9611が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
演算部9611が実行するプログラムは、例えば、以下の3つのステップを有する。図51(B)を用いて、3つのステップについて説明する。
入出力インターフェース9615は、端子または配線を有する。また、入出力インターフェース9615は、情報を供給する機能と、情報を供給される機能とを有する。例えば、入出力インターフェース9615は、伝送路9614及び入出力装置9620のいずれか一方または双方と電気的に接続することができる。
伝送路9614は配線を有する。また、伝送路9614は、情報を供給する機能と、情報を供給される機能とを有する。例えば、伝送路9614は、演算部9611、記憶部9612または入出力インターフェース9615と電気的に接続することができる。
入出力装置9620は、表示部9630と、入力部9640と、検知部9650と、通信部9690と、を有する。
表示部9630は表示パネルを有する。当該表示パネルは、画素を有し、画素は反射型の表示素子と、透過型の発光素子とを有する構成とすればよい。また、画像情報を用いて反射型の表示素子の反射率を高め、表示する画像の輝度を高めることができる。または、画像情報を用いて発光素子の輝度を高め、表示する画像の輝度を高めることができる。すなわち、表示部9630に、本発明の一態様の表示装置を好適に用いることができる。
入力部9640は入力パネルを有する。例えば、入力パネルは、近接センサを有する。当該近接センサは、ポインタ9682を検知する機能を有する。なお、ポインタ9682は、指やスタイラスペン等を用いればよい。また、当該スタイラスペンとしては、発光ダイオード等の発光素子、金属片またはコイル等用いればよい。
検知部9650としては、環境の明るさを検知する照度センサや人感センサ等を用いればよい。
通信部9690は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を有する。
まず、基板702上に下部電極704として、ITSO膜をスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極704の膜厚を70nmとし、下部電極704の面積を4mm2(2mm×2mm)とした。
発光素子2は、先に説明した発光素子1と以下の工程のみ異なり、それ以外の工程については、発光素子1と同じとした。
発光素子3は、先に説明した発光素子1と以下の工程のみ異なり、それ以外の工程については、発光素子1と同じとした。
発光素子1乃至発光素子3の輝度−電流密度特性を図53に示す。また、発光素子1乃至発光素子3の輝度−電圧特性を図54に示す。また、発光素子1乃至発光素子3の電流効率−輝度特性を図55に示す。また、発光素子1乃至発光素子3の電流−電圧特性を図56に示す。なお、各発光素子の特性の評価としては、室温(25℃に保たれた雰囲気)で測定した。
発光素子4乃至発光素子6の輝度−電流密度特性を図59に示す。また、発光素子4乃至発光素子6の輝度−電圧特性を図60に示す。また、発光素子4乃至発光素子6の電流効率−輝度特性を図61に示す。また、発光素子4乃至発光素子6の電流−電圧特性を図62に示す。なお、各発光素子の特性の評価としては、室温(25℃に保たれた雰囲気)で測定した。
11 表示素子
11d 表示領域
12 表示素子
12d 表示領域
12B 発光素子
12G 発光素子
12R 発光素子
100 トランジスタ
100A トランジスタ
100F トランジスタ
100G トランジスタ
100H トランジスタ
100J トランジスタ
100K トランジスタ
102 基板
104 絶縁膜
106 導電膜
108 酸化物半導体膜
108_1 酸化物半導体膜
108_2 酸化物半導体膜
108_3 酸化物半導体膜
108d ドレイン領域
108i チャネル領域
108s ソース領域
110 絶縁膜
112 導電膜
116 絶縁膜
118 絶縁膜
120a 導電膜
120b 導電膜
141a 開口部
141b 開口部
143 開口部
300A トランジスタ
300B トランジスタ
300C トランジスタ
300D トランジスタ
300E トランジスタ
300F トランジスタ
302 基板
304 導電膜
306 絶縁膜
307 絶縁膜
308 酸化物半導体膜
308_1 酸化物半導体膜
308_2 酸化物半導体膜
308_3 酸化物半導体膜
312a 導電膜
312b 導電膜
314 絶縁膜
316 絶縁膜
318 絶縁膜
320a 導電膜
320b 導電膜
341a 開口部
341b 開口部
342a 開口部
342b 開口部
342c 開口部
401 基板
402 導電膜
403a 導電膜
403b 導電膜
403c 導電膜
404 絶縁膜
405a 導電膜
405b 導電膜
405c 導電膜
405d 導電膜
406 絶縁膜
407a 導電膜
407b 導電膜
407c 導電膜
407d 導電膜
407e 導電膜
407f 導電膜
407g 導電膜
408 絶縁膜
409a 酸化物半導体膜
409b 酸化物半導体膜
409c 酸化物半導体膜
410a 絶縁膜
410b 絶縁膜
410c 絶縁膜
411a 酸化物半導体膜
411b 酸化物半導体膜
411c 酸化物半導体膜
412 絶縁膜
413 絶縁膜
414a 導電膜
414b 導電膜
414c 導電膜
414d 導電膜
414e 導電膜
414f 導電膜
414g 導電膜
414h 導電膜
416 絶縁膜
417 導電膜
417B 導電膜
417G 導電膜
417R 導電膜
418 絶縁膜
419 EL層
420 導電膜
450 開口部
452 基板
454 封止材
481 シャドウマスク
482 開口部
500 表示装置
502 画素部
504a ゲートドライバ回路部
504b ゲートドライバ回路部
506 ソースドライバ回路部
508a 外部回路
508b 外部回路
510b 発光層
602 遮光膜
604 着色膜
606 絶縁膜
608 導電膜
610a 構造体
610b 構造体
618a 配向膜
618b 配向膜
620 液晶層
622 シール材
624 導電体
626 機能膜
652 基板
662 遮光膜
663 絶縁膜
664 電極
665 電極
666 絶縁膜
667 電極
668 絶縁膜
670 基板
672 基板
674 接着材
681 絶縁膜
682 導電膜
691 タッチパネル
692 タッチパネル
693 タッチパネル
702 基板
704 下部電極
710a 発光層
710b 発光層
714 上部電極
731 正孔注入層
732 正孔輸送層
733 電子輸送層
734 電子注入層
751 着色膜
756 着色膜
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
9000 筐体
9001 表示部
9002 カメラ
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9050 操作ボタン
9051 情報
9052 情報
9053 情報
9054 情報
9055 ヒンジ
9100 テレビジョン装置
9101 携帯情報端末
9102 携帯情報端末
9103 携帯情報端末
9104 携帯情報端末
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
9202 携帯情報端末
9500 表示装置
9501 表示パネル
9502 表示領域
9503 領域
9511 軸部
9512 軸受部
9600 情報処理装置
9610 演算装置
9611 演算部
9612 記憶部
9614 伝送路
9615 入出力インターフェース
9620 入出力装置
9630 表示部
9640 入力部
9650 検知部
9681 領域
9682 ポインタ
9690 通信部
Claims (9)
- 第1の画素と、第2の画素とを有する表示装置であって、
前記第1の画素と、前記第2の画素とは、隣接して設けられ、
前記第1の画素及び前記第2の画素は、
第1の表示領域と、第2の表示領域とを、それぞれ有し、
前記第1の表示領域は、
入射する光を反射する機能を有し、
前記第2の表示領域は、
前記第1の表示領域の内側に設けられ、且つ光を射出する機能を有し、
前記第1の画素が有する第2の表示領域と、前記第2の画素が有する第2の表示領域とは、前記第1の表示領域の内側に設けられる位置が異なる、
ことを特徴とする表示装置。 - 第1の画素と、第2の画素とを有する表示装置であって、
前記第1の画素と、前記第2の画素とは、隣接して設けられ、
前記第1の画素及び前記第2の画素は、
第1の表示領域と、第2の表示領域と、第1の表示素子と、第2の表示素子と、をそれぞれ有し、
前記第1の表示領域は、
入射する光を反射する機能を有し、
前記第2の表示領域は、
前記第1の表示領域の内側に設けられ、且つ光を射出する機能を有し、
前記第1の表示素子は、
前記第1の表示領域と重なる位置に設けられ、
前記第2の表示素子は、
前記第2の表示領域と重なる位置に設けられ、
前記第1の画素が有する第2の表示領域と、前記第2の画素が有する第2の表示領域とは、前記第1の表示領域の内側に設けられる位置が異なる、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項2において、
前記第1の表示素子は、液晶層を有し、
前記第2の表示素子は、発光層を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項2または請求項3において、
前記第1の画素が有する第2の表示素子と、
前記第2の画素が有する第2の表示素子とは、発光色が異なる、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項2乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1の表示素子と、前記第2の表示素子とは、
異なるトランジスタに接続され、それぞれ独立に制御される、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項5において、
前記トランジスタは、
チャネル領域に酸化物半導体膜を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1の画素が有する第2の表示領域と、
前記第2の画素が有する第2の表示領域とは、20μm以上の間隔を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項7に記載のいずれか一つの表示装置と、
タッチセンサと、を有する、
ことを特徴とする表示モジュール。 - 請求項1乃至請求項7に記載のいずれか一つの表示装置、または請求項8に記載の表示モジュールと、
バッテリと、を有する、
ことを特徴とする電子機器。
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