WO2021053813A1 - 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法 - Google Patents

表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2021053813A1
WO2021053813A1 PCT/JP2019/037004 JP2019037004W WO2021053813A1 WO 2021053813 A1 WO2021053813 A1 WO 2021053813A1 JP 2019037004 W JP2019037004 W JP 2019037004W WO 2021053813 A1 WO2021053813 A1 WO 2021053813A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
display device
nanofiber
charge transport
transport layer
light emitting
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/037004
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
康 浅岡
青森　繁
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to US17/642,417 priority Critical patent/US20220344610A1/en
Priority to CN201980100559.2A priority patent/CN114424357A/zh
Priority to PCT/JP2019/037004 priority patent/WO2021053813A1/ja
Publication of WO2021053813A1 publication Critical patent/WO2021053813A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Definitions

  • the present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device.
  • Patent Document 1 discloses a discharge liquid containing fine particle-like quantum dots and a dispersion medium for dispersing the quantum dots, a discharge liquid set, a thin film pattern forming method, a thin film, a light emitting element, an image display device, and an electronic device. There is.
  • the charge transporting property suitable for the quantum dot light emitting diode (QLED) is selected, and the solvent (depending on the charge transporting material) is selected.
  • Dispersion medium is also limited.
  • the viscosity of a colloidal solution containing a charge-transporting material and a solvent that can be applied (discharged) by an inkjet is also limited. Further, when the colloidal solution is applied by an inkjet, there is a problem that uneven drying (so-called coffee ring) occurs in the droplets after application.
  • the display device is a display device having a plurality of pixels, and the pixels are provided between the first electrode, the second electrode, and the first electrode and the second electrode.
  • the first charge transport layer has a first charge transport material and a first nanofiber.
  • a colloidal solution containing a charge-transporting material and nanofibers is applied by an inkjet to form a charge-transporting layer.
  • a display device capable of applying (discharging) a colloidal solution by inkjet regardless of the viscosity of the solvent and causing uneven drying (so-called coffee ring) in the droplets after application is manufactured.
  • a method can be provided.
  • the "upper layer” means a layer formed in a process after the layer to be compared. Further, in each drawing, the same reference numerals are given to the same configurations, and the description thereof will be omitted.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a display device 1 according to the present embodiment.
  • the display device 1 is used, for example, in a display of a television, a smartphone, or the like. As shown in FIG. 1, the display device 1 of the present embodiment has a plurality of pixels 2 provided on the array substrate 10.
  • the plurality of pixels 2 include a red pixel 2R that emits red light, a green pixel 2G that emits green light, and a blue pixel 2B that emits blue light.
  • the plurality of pixels 2 are formed in the light emitting element 3 (red pixel 2R, green pixel 2G, and blue pixel 2B) in a region partitioned by an insulating bank 70 (pixel restricting layer) provided on the array substrate 10, respectively. It is configured by forming a red light emitting element 3R, a green light emitting element 3G, and a blue light emitting element 3B), respectively.
  • the red light refers to light having a emission center wavelength in a wavelength band larger than 600 nm and 780 nm or less.
  • the green light refers to light having a emission center wavelength in a wavelength band larger than 500 nm and 600 nm or less.
  • blue light refers to light having a emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less.
  • the array substrate 10 is a substrate provided with a TFT (not shown) which is a thin film transistor for controlling light emission and non-light emission of each light emitting element 3.
  • the array substrate 10 of the present embodiment is configured by forming a TFT on a flexible resin layer.
  • an inorganic insulating film for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon nitride film
  • the resin film for example, a polyimide film.
  • the array substrate 10 may be configured by forming a TFT on a hard substrate such as a glass substrate.
  • an interlayer insulating film 20 (flattening film) is provided on the upper surface of the array substrate 10 of the present embodiment.
  • the interlayer insulating film 20 is made of, for example, a polyimide or acrylic material.
  • a plurality of contact hole CHs are formed in the interlayer insulating film 20.
  • the red light emitting element 3R, the green light emitting element 3G, and the blue light emitting element 3B of the present embodiment are the first electrode 31, the first charge transport layer 41, and the light emitting layer 80 (red light emitting element 3R, green light emitting element 3G, and blue light emitting, respectively).
  • the element 3B has a red light emitting layer 80R, a green light emitting layer 80G, and a blue light emitting layer 80B), a second charge transport layer 42, and a second electrode 32, respectively.
  • the first electrode 31 injects a charge into the first charge transport layer 41.
  • the first electrode 31 of the present embodiment functions as an anode for injecting holes into the first charge transport layer 41.
  • the first electrode 31 of the present embodiment is provided in an island shape for each region forming each pixel 2 on the interlayer insulating film 20. Then, the first electrode 31 is electrically connected to the TFT via the contact hole CH provided in the interlayer insulating film 20.
  • a metal containing Al, Cu, Au, Ag, etc. which has a high reflectance of visible light, and a transparent material such as ITO, IZO, ZnO, AZO, or BZO are formed on the array substrate 10. It has a structure in which the layers are laminated in this order.
  • the first electrode 31 is formed by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like.
  • the bank 70 is formed so as to cover the contact hole CH.
  • the bank 70 is formed by applying an organic material such as polyimide or acrylic on the array substrate 10 and then patterning it by photolithography. Further, as shown in FIG. 1, the bank 70 of the present embodiment is formed so as to cover the edge of the first electrode 31. That is, the bank 70 of the present embodiment also functions as an edge cover of the first electrode 31. With such a configuration, it is possible to suppress the generation of an excessive electric field at the edge portion of the first electrode 31.
  • the first charge transport layer 41 further transports the charge injected from the first electrode 31 to the light emitting layer 80.
  • the first charge transport layer 41 of the present embodiment functions as a hole transport layer for transporting holes to the light emitting layer 80.
  • the first charge transport layer 41 is formed on the first electrode 31 and is electrically connected to the first electrode 31. Specifically, the first charge transport layer 41 is formed in an island shape for each region defining the pixel 2.
  • the first charge transport layer 41 may have a function of suppressing the transport of electrons to the first electrode 31 (electron block function).
  • the first charge transport layer 41 has a first charge transport material and a first nanofiber 51. Further, the first charge transporting material of the present embodiment is composed of the first nanoparticles 61. As a material for forming the first nanoparticles 61, for example, NiO, Cr 2 O 3, MgO, LaNiO 3, MoO 3, WO metal oxide having a hole transporting property such as 3.
  • the first charge transport layer 41 is formed by a coating method such as an inkjet method or a spin coating method. The details of the first nanofiber 51 will be described later.
  • the light emitting layer 80 is provided between the first electrode 31 and the second electrode 32. Specifically, the light emitting layer 80 of the present embodiment is provided between the first charge transport layer 41 and the second charge transport layer 42. Further, the light emitting layer 80 of the present embodiment includes quantum dots (semiconductor nanoparticles). Specifically, the light emitting layer 80 is configured by stacking one or more quantum dots.
  • Quantum dots are luminescent materials that have a valence band level and a conduction band level, and emit light by recombination of holes in the valence band level and electrons in the conduction band level. Since the light emission from the quantum dots having the same particle size has a narrow spectrum due to the quantum confinement effect, it is possible to obtain light emission with a relatively deep chromaticity.
  • the quantum dots may be, for example, semiconductor nanoparticles having a core / shell structure having CdSe, InP, ZnTeSe, ZnTeS in the core and ZnS in the shell.
  • the quantum dots may have a core / shell structure such as CdSe / CdS, InP / ZnS, ZnSe / ZnS or CIGS / ZnS, or InP / ZnSe / ZnS or the like having a multi-layered shell. It may have a double shell structure.
  • a ligand composed of an organic substance such as thiol or amine may be coordinate-bonded to the outer peripheral portion of the shell.
  • the particle size of the quantum dots is about 3 nm to 15 nm.
  • the wavelength of light emitted from the quantum dots can be controlled by the particle size of the quantum dots. Therefore, the red light emitting layer 80R, the green light emitting layer 80G, and the blue light emitting layer 80B can obtain light emission of each color by using quantum dots having controlled particle sizes, respectively.
  • the second charge transport layer 42 further transports the electrons injected from the second electrode 32 to the light emitting layer 80.
  • the second charge transport layer 42 of the present embodiment functions as an electron transport layer for transporting electrons to the light emitting layer 80. Further, the second charge transport layer 42 may have a function of suppressing holes from being transported to the second electrode 32 (hole blocking function). In this embodiment, the second charge transport layer 42 is provided on the light emitting layer 80.
  • the second charge transport layer 42 has a second charge transport material and a second nanofiber 52. Further, the second charge transporting material of the present embodiment is composed of the second nanoparticles 62. Examples of the material constituting the second nanoparticles 62 include materials having electron transportability such as TiO 2 , ZnO, ZAO (Al-added ZnO), ZnMgO, ITO, and InGaZnO x.
  • the second charge transport layer 42 is formed by a coating method such as an inkjet method or a spin coating method. The details of the second nanofiber 52 will be described later.
  • the second charge transporting material contained in the second charge transport layer 42 is different from each other.
  • the second charge transporting material contained in the red light emitting device 3R is preferably ZnO nanoparticles.
  • the second charge transporting material contained in the green light emitting device 3G is preferably Mg-containing ZnO nanoparticles.
  • the second charge-transporting material contained in the blue light-emitting element 3B is preferably Mg-containing ZnO nanoparticles having a smaller particle size than the second charge-transporting material contained in the green light-emitting element 3G.
  • the energy level of the second charge transport layer 42 can be adjusted for each emission color, and the luminous efficiency of each light emitting element 3 can be improved.
  • the second charge transporting material contained in the second charge transport layer 42 may be the same material from the viewpoint of facilitating production. Good.
  • the second electrode 32 is provided on the second charge transport layer 42 and is electrically connected to the second charge transport layer 42.
  • the second electrode 32 of the present embodiment functions as a cathode for injecting electrons into the second charge transport layer 42. Further, the second electrode 32 of the present embodiment is continuously formed over a plurality of pixels 2.
  • the second electrode 32 is made of, for example, a metal thinned to a degree of light transmission or a transparent material. Examples of the metal constituting the second electrode 32 include metals containing Al, Ag, Mg and the like. Examples of the transparent material constituting the second electrode 32 include conductive nanofibers such as ITO, IZO, ZnO, AZO, BZO, and silver nanofibers.
  • the second electrode 32 is formed by, for example, a sputtering method, a thin-film deposition method, a coating method, or the like.
  • FIG. 2A to 2C are plan views showing an example of the formation process of the light emitting element 3
  • FIG. 2A is a plan view showing an example of the formation process of each layer in the light emitting element 3
  • FIG. 2B is a plan view of each color
  • FIG. 2C is a plan view showing an example of the formation process of the light emitting element 3 in which only the light emitting layer of one color of the light emitting layers (80R, 80G, 80B) is formed in an island shape
  • FIG. 2C is a light emitting layer (80R, 80R.
  • It is a top view which shows an example of the formation process of the light emitting element 3 in which only the light emitting layer of one color of 80G, 80B) was formed in the shape of a strip. As shown in FIG.
  • the light emitting element 3 has, for example, a bank 70 covering the edge 31E of the first electrode 31 and a light emitting layer 80 covering the opening 70a of the bank 70.
  • the light emitting element 3 has an island shape.
  • a pattern (exemplifying two types) is formed in which one light emitting layer 80 covers the opening 70a of one bank, and the light emitting element 3 is formed.
  • a strip shape as shown in FIG. 2C
  • a pattern is formed in which a continuous light emitting layer 80 covers the openings 70a of the plurality of banks. That is, the light emitting layer 80 may be formed in an island shape as shown in FIG. 2B or a strip shape as shown in FIG. 2C, for example.
  • the sealing layer includes, for example, an inorganic sealing film covering the second electrode 32, an organic layer composed of an organic buffer film above the inorganic sealing film, and an inorganic sealing film above the organic buffer film. ..
  • the sealing layer prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the display device 1.
  • the inorganic sealing film is an inorganic insulating film, and can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the organic buffer film is a translucent organic film having a flattening effect, and can be made of a coatable organic material such as acrylic.
  • a functional film (not shown) may be provided on the sealing layer.
  • the functional film may have, for example, at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, and a protection function.
  • the holes injected from the first electrode 31 and the electrons injected from the second electrode 32 are transported to the light emitting layer 80 via the first charge transport layer 41 and the second charge transport layer 42, respectively. Then, the holes and electrons transported to the light emitting layer 80 are recombined in the quantum dots to generate excitons. Then, when the excitons return from the excited state to the ground state, the quantum dots emit light.
  • a top emission type in which the light emitted from the light emitting layer 80 is taken out from the side opposite to the array substrate 10 (upper in FIG. 1) is illustrated.
  • the display device 1 may be a bottom emission type that extracts light from the array substrate 10 side (lower side in FIG. 1).
  • the second electrode 32 may be composed of the reflective electrode
  • the first electrode 31 may be composed of the transparent electrode.
  • the display device 1 of the present embodiment in order from the array substrate 10, the first electrode 31 which is an anode, the first charge transport layer 41 which is a hole transport layer, the light emitting layer 80, and the second charge which is an electron transport layer
  • the transport layer 42 and the second electrode 32, which is a cathode are laminated.
  • the display device 1 may have a so-called invert structure in which a cathode, an electron transport layer, a light emitting layer 80, a hole transport layer, and an anode are laminated in this order from the array substrate 10.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a manufacturing method of the display device 1 of the present embodiment.
  • the array substrate 10 is formed (step S1).
  • the array substrate 10 is formed by forming a resin layer on a translucent support substrate (for example, mother glass), forming a barrier layer on the resin layer, and forming a TFT on the barrier layer.
  • the interlayer insulating film 20 is formed (step S2).
  • the first electrode 31 is formed (step S3).
  • the bank 70 is formed (step S4).
  • the first charge transport layer 41 is formed (step S5).
  • the first charge transport layer 41 is formed by applying a colloidal solution containing at least the first nanoparticles 61 and the first nanofibers 51 by inkjet.
  • the viscosity of the colloidal solution at room temperature (20 to 25 ° C.) is preferably 5 mPa ⁇ s to 20 mPa ⁇ s, and more preferably 5 mPa ⁇ s to 10 mPa ⁇ s.
  • the colloidal solution can be suitably applied (discharged) by an inkjet.
  • the solvent (dispersion medium) for forming the colloidal solution methyl alcohol, ethyl alcohol, hexane, methyl ethyl ketone (MEK), ethyl acetate, chloroform, tetrahydrofuran (THF), benzene, chlorobenzene, 1,2-dichlorobenzene, toluene, propylene.
  • the solvent include an organic solvent such as glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), or water.
  • the viscosity of the colloidal solution can be adjusted by the first nanofiber 51, the degree of freedom in selecting the solvent (dispersion medium) can be increased, and the viscosity is generally low and the coating is applied by an inkjet. Even a solvent that could not be used can be used.
  • the viscosity of ethyl alcohol at 20 ° C. is 1.200 mPa ⁇ s
  • the viscosity of methyl ethyl ketone at 20 ° C. is 0.40 mPa ⁇ s
  • the viscosity of chlorobenzene at 20 ° C. is 0.8 mPa ⁇ s.
  • the viscosity of 1,2-dichlorobenzene at 25 ° C. is 1.324 mPa ⁇ s
  • the viscosity of toluene at 20 ° C. is 0.5866 mPa ⁇ s
  • the viscosity of propylene glycol monomethyl ether acetate at 25 ° C. is 1.
  • the viscosity of the colloidal solution at room temperature (20 to 25 ° C.) can be adjusted (thickened) to 5 mPa ⁇ s to 20 mPa ⁇ s by adding the first nanofiber 51. ..
  • the amount of the first nanoparticles 61 in the colloidal solution is preferably about several% by weight from the viewpoint of charge transportability.
  • the first nanofiber 51 acts as a viscosity modifier (thickening agent) for the colloidal solution, and adjusts the colloidal solution to a viscosity suitable for inkjet. That is, the first nanofiber 51 has a high viscosity, and the viscosity (viscosity) and the thixophilicity of the solution (dispersion liquid) can be controlled by adding the first nanofiber 51. Further, after the colloidal solution is dried, non-uniform aggregation of the first nanoparticles 61 can be suppressed.
  • the colloidal solution can be applied (discharged) by inkjet regardless of the viscosity of the solvent. It is possible to prevent uneven drying (so-called coffee ring) from occurring in the droplets after coating. Further, since the colloidal solution can be applied by an inkjet, it is possible to form a uniform first charge transport layer 41 having no unevenness in thickness and no cracks.
  • the diameter of the first nanofiber 51 included in the first charge transport layer 41 is preferably smaller than the thickness of the first charge transport layer 41 (usually 5 to 30 nm), and therefore 3 to 30 nm is preferable. It is more preferably smaller than the diameter of the first nanoparticles 61, and even more preferably as small as possible. If the diameter of the first nanofiber 51 exceeds 30 nm, the surface of the first charge transport layer 41 is likely to have irregularities, and the flatness of the interface is lowered, so that the light emitting characteristics may be lowered. Further, if the diameter of the first nanofiber 51 exceeds 30 nm, there is a possibility that a region in which the first nanoparticles 61 do not exist may occur in the film thickness direction of the first charge transport layer 41.
  • the length of the first nanofiber 51 contained in the first charge transport layer 41 is preferably longer than the diameter of the first nanoparticles 61, which is at least twice the thickness of the first charge transport layer 41. It is more preferably 1 ⁇ m or less, and further preferably 60 nm to 1 ⁇ m, which is sufficiently longer than the thickness. If the length of the first nanofiber 51 is shorter than twice the thickness of the light emitting layer 80, it becomes difficult to line up in parallel (horizontal) in the plane of the first charge transport layer 41, so that the first charge transport layer 41 Roughness is likely to occur on the surface. If the length of the first nanofiber 51 is longer than 1 ⁇ m, the nozzle may be clogged when applied by an inkjet. In addition, the patternability of the formed first charge transport layer 41 may deteriorate.
  • the colloidal solution can be suitably applied (discharged) by an inkjet.
  • the relationship between the first nanoparticles 61 and the first nanofibers 51 is described using the "diameter" as an index.
  • the "diameter” is intended to be a diameter on the premise that the first nanoparticle 61 is a true sphere and that the first nanofiber 51 is a perfect circle in cross section.
  • first nanoparticles 61 that are not considered to be true spheres and first nanofibers 51 that are not considered to have a perfect cross section.
  • the first nanoparticles 61 can perform substantially the same function as the first nanoparticles 61 of the true sphere.
  • the first nanofiber 51 can perform substantially the same function as the first nanofiber 51 having a perfect circular cross section. Therefore, the "diameter" in the present specification refers to the diameter when converted to the first nanoparticles 61 of true spheres having the same volume in the case of the first nanoparticles 61, and in the case of the first nanofibers 51. It refers to the maximum width.
  • the number of first nanoparticles 61 contained in the first charge transport layer 41 is preferably larger than the number of first nanofibers 51, and specifically, the first nanofibers 51 and the first nanoparticles 61.
  • the number ratio with and (1st nanofiber 51: 1st nanoparticles 61) is more preferably 1: 100 to 1: 100 million, further preferably 1: 10,000 to 1: 10 million. .. By controlling the number ratio of the first nanoparticles 61 and the first nanofibers 51 in this way, a good charge transport layer can be formed.
  • the amount of the first nanofiber 51 in the colloidal solution exceeds 0 and is 1% by weight or less so that the viscosity of the colloidal solution at room temperature (20 to 25 ° C.) is 5 mPa ⁇ s to 20 mPa ⁇ s. This is preferable, and if the thickening effect can be obtained, it is desirable that the amount is as small as possible. If the amount of the first nanofiber 51 exceeds 1% by weight, the viscosity of the colloidal solution becomes too high, and it becomes difficult to suitably apply (discharge) the colloidal solution by inkjet, and therefore it becomes difficult to form a thin film. In some cases. Further, since the amount of the first nanoparticles 61 contained in the first charge transport layer 41 is relatively reduced, the light emission characteristics may be deteriorated. If the amount of the first nanofiber 51 is too small, the thickening effect cannot be obtained.
  • the first nanofiber 51 may be transparent and has insulating properties, and is not particularly limited, but a linear polysaccharide polymer (polysaccharide) is preferable. By modifying the polysaccharide polymer with a hydrophobic group, it can be easily and stably dispersed in an organic solvent.
  • the first nanofiber 51 is used as a cellulose nanofiber, which is a polysaccharide in which glucose is linearly linked, a chitin nanofiber, which is a polysaccharide in which acetylglucosamine is linearly linked, and a thickener for foods.
  • Lambda carrageenan is more preferable, cellulose nanofibers are more preferable, and TEMPO oxidized cellulose nanofibers are particularly preferable.
  • a plurality of types of the first nanofiber 51 may be used in combination, if necessary.
  • the molecular structure of the terminal of the first nanofiber 51 is different depending on whether it is dispersed in water or in an organic solvent.
  • Cellulose nanofibers can be easily and stably dispersed in water or an organic solvent such as methyl alcohol, methyl ethyl ketone (MEMK), ethyl acetate, and toluene.
  • Chitin nanofibers can be easily and stably dispersed in organic solvents such as chloroform, tetrahydrofuran (THF), benzene, toluene and hexane.
  • TEMPO (2,2,6,6-tetramethylpiperidin-1-oxyradical) oxidized cellulose nanofibers are, for example, 3 nm in diameter, transparent, non-scattering, highly insulating (> 100 T ⁇ ) and highly dielectric constant. (5 to 6 F / m).
  • the TEMPO oxidized cellulose nanofiber is an oxidized cellulose nanofiber containing a nitroxyl radical such as 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxy radical.
  • the first nanofibers 51 contained in the applied colloidal solution that is, the first nanofibers 51 contained in the first charge transport layer 41 are random in the in-plane direction. Maintain the state.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a state of a colloidal solution (droplet) ejected by an inkjet. As shown in FIG. 4, the first nanoparticles 61 and the first nanofibers 51 in the droplet are in a random state.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing the state of the colloidal solution coated (dropped) on the substrate 11 and dried, that is, the light emitting layer 80.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a state of a colloidal solution coated (dropped) on the substrate 11 and dried, that is, a light emitting layer 80.
  • the first nanoparticles 61 are uniformly applied over the entire dropping range and arranged three-dimensionally, while the first nanofibers 51 are between the first nanoparticles 61. It exists as if sewn, and is oriented so as to be along the plane (surface) of the substrate 11 in the length direction, and maintains a random state in the in-plane direction.
  • the display device 1 can emit light uniformly.
  • step S6 the light emitting layer 80 is formed.
  • the method for forming the light emitting layer 80 will be described as being different from the method for forming the first charge transport layer 41 described above, and the same description will be omitted.
  • the light emitting layer 80 is formed by applying a colloidal solution containing quantum dots by an inkjet.
  • the colloidal solution may or may not contain a ligand. If the colloidal solution does not contain a ligand, the ligand does not limit the solvent. Further, the colloidal solution preferably does not contain a host material.
  • Quantum dots are fine particle semiconductors with a diameter of 2 to 10 nm (atomic number; 100 to 10,000) composed of group II-VI, III-V, or IV-VI element groups. , Used as a luminophore.
  • the material, element concentration, and crystal structure of the quantum dots may be different between the central portion and the outer shell portion. Further, the quantum dots have different band gaps between the central portion and the outer shell portion, and the outer shell portion may have a larger band gap than the central portion.
  • Quantum dots form a colloidal solution by being dispersed in a solvent (dispersion medium).
  • an atom or an organic molecule may be attached to the surface of the quantum dots as a ligand.
  • the organic molecule as a ligand for example, alkylthiols, alkylamines, carboxylic acids, oleic acids, organic silanes and the like can be used.
  • the first nanofiber 51 may be further contained in the light emitting layer 80, if necessary. That is, the light emitting layer 80 may be a layer containing the first nanofiber 51 formed by applying a solution containing the first nanofiber 51 by an inkjet.
  • the second charge transport layer 42 is formed (step S7).
  • the second charge transport layer 42 is formed by applying a colloidal solution containing at least the second nanoparticles 62 and the second nanofibers 52 by inkjet. Since the method for forming the second charge transport layer 42 can be the method for forming the first charge transport layer 41 described above, the description thereof will be omitted.
  • the first nanofiber 51 and the second nanofiber 52 may be of the same type or different types. That is, the materials and shapes of the first nanofiber 51 and the second nanofiber may be the same. Specifically, for example, the material of the first nanofiber 51 and the second nanofiber may be TEMPO-oxidized cellulose nanofibers. Further, for example, the diameter and length of the first nanofiber 51 and the diameter and length of the second nanofiber may be the same.
  • step S8 a sealing layer is formed (step S8).
  • the top film is attached on the sealing layer (step S9).
  • the support substrate is peeled from the resin layer by irradiation with laser light or the like (step S10).
  • step S10 the lower surface film is attached to the lower surface of the resin layer 12 (step S11).
  • step S12 the laminated body in which each layer is laminated is divided to obtain a plurality of individual pieces (step S12).
  • step S13 the functional film is attached to the obtained pieces (step S13).
  • the electronic circuit board for example, the IC chip and the FPC
  • step S14 the display device 1 of the present embodiment can be manufactured.
  • steps S1 to S13 are performed by the manufacturing apparatus of the display device (including the film forming apparatus which performs each step of steps S1 to S5).
  • step S11 the flexible display device 1 has been described above, in the case of manufacturing the non-flexible display device 1, it is generally unnecessary to form a resin layer, replace the base material, or the like. Therefore, for example, glass.
  • the laminating steps of steps S2 to S7 are performed on the array substrate 10 which is a substrate, and then the process proceeds to step S11.
  • the display device 1 in which the uniform first charge transport layer 41 is formed, which has no unevenness in thickness and no cracks.
  • the colloidal solution can be applied (discharged) by an inkjet regardless of the viscosity of the solvent, and the droplets after application can be unevenly dried (so-called coffee ring). It is possible to provide a method for manufacturing the display device 1 in which the above is not generated.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the display device 1 according to the present embodiment.
  • the thickness of the first charge transport layer 41 is different in the red light emitting element 3R, the green light emitting element 3G, and the blue light emitting element 3B.
  • the film thickness of the first charge transport layer 41 included in the red light emitting element 3R is larger than the film thickness of the first charge transport layer 41 included in the green light emitting element 3G.
  • the film thickness of the first charge transport layer 41 included in the green light emitting layer 80G is larger than the film thickness of the first charge transport layer 41 included in the blue light emitting element 3B.
  • the film thickness of the first charge transport layer 41 included in the red light emitting element 3R is 150 nm.
  • the film thickness of the first charge transport layer 41 included in the green light emitting device 3G is 110 nm.
  • the film thickness of the first charge transport layer 41 included in the blue light emitting element 3B is 40 nm.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the display device 1 according to the present embodiment.
  • the second charge transport layer 42 is commonly formed in the red light emitting element 3R, the green light emitting element 3G, and the blue light emitting element 3B.
  • the second electrode 32 of the present embodiment is a common electrode that is commonly formed across the light emitting elements 3.
  • the second charge transport layer 42 of the present embodiment is not formed in an island shape in the region partitioned by the bank 70, and has a red light emitting layer 80R, a green light emitting layer 80G, and blue. It is continuously formed so as to cover the light emitting layer 80B and the bank.
  • the display device 1 can be easily manufactured.
  • the light emitting layer 80 contains quantum dots.
  • the light emitting layer 80 of the present invention may have a configuration that does not include quantum dots.
  • the light emitting layer 80 may be made of, for example, an organic fluorescent material or a phosphorescent material.
  • the first charge transport layer 41 and the second charge transport layer 42 have the first nanofiber 51 and the second nanofiber 52, respectively. That is, both the first charge transport layer 41 and the second charge transport layer 42 contained nanofibers. However, the nanofibers need only be contained in at least one of the first charge transport layer 41 and the second charge transport layer 42. Even with such a configuration, it is possible to prevent the display device 1 from causing uneven film thickness due to uneven drying of droplets after coating.
  • the first charge transport layer 41 has the first nanoparticles 61, which is a hole transporting material.
  • the first charge transport layer 41 may not contain the first nanoparticles 61 and may have a hole transporting organic material (eg, PEDOT: PSS, PVK, TFB, poly-TPD, etc.). Even with such a configuration, it is possible to prevent the first charge transport layer 41 from causing uneven film thickness due to uneven drying of the droplets after coating.
  • the second charge transport layer 42 has the second nanoparticles 62, which is an electron transportable material.
  • the second charge transport layer 42 may contain no second nanoparticles 62 and may have an electron transportable organic material (eg, polyoxadiazole, soluble Alq 3 polymer, etc.). Even with such a configuration, it is possible to prevent the second charge transport layer 42 from causing uneven film thickness due to uneven drying of the droplets after coating.
  • Display device 2 Pixel 3 Light emitting element 10 Array substrate 20 Interlayer insulating film 31 First electrode 32 Second electrode 41 First charge transport layer 42 Second charge transport layer 51 First nanofiber 52 Second nanofiber 61 First nanoparticle 62 Second nanoparticle 70 Bank 80 Light emitting layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

複数の画素を有する表示デバイスであって、前記画素は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、前記第１電極と前記発光層との間に設けられた第１電荷輸送層と、前記第２電極と前記発光層との間に設けられた第２電荷輸送層と、を有し、前記第１電荷輸送層は、第１電荷輸送性材料と、第１ナノファイバーと、を有する。

Description

表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法
　本発明は、表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法に関する。
　特許文献１には、微粒子状の量子ドットと、前記量子ドットを分散させる分散媒を含む吐出液、吐出液セット、薄膜パターン形成方法、薄膜、発光素子、画像表示装置および電子機器が開示されている。
特開２０１０－００９９９５号公報
　一般に、電荷輸送層に含まれる電荷輸送性材料によって発光素子の特性は変化するため、量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）に適した電荷輸送性が選択されると共に、電荷輸送性材料に応じて溶媒（分散媒）も限定される。また、インクジェットで塗布（吐出）することができる、電荷輸送性材料および溶媒を含むコロイド溶液の粘度も限定される。さらに、コロイド溶液をインクジェットで塗布すると、塗布後の液滴に乾燥ムラ（いわゆるコーヒーリング）が生じるという問題がある。
　本発明の一態様に係る表示デバイスは、複数の画素を有する表示デバイスであって、前記画素は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、前記第１電極と前記発光層との間に設けられた第１電荷輸送層と、前記第２電極と前記発光層との間に設けられた第２電荷輸送層と、を有し、前記第１電荷輸送層は、第１電荷輸送性材料と、第１ナノファイバーと、を有する。
　また、本発明の一態様に係る表示デバイスの製造方法は、電荷輸送性材料およびナノファイバーを含むコロイド溶液をインクジェットで塗布して電荷輸送層を形成する。
　本発明の一態様によれば、厚さにムラが無く、ひび割れも無い、均一な量子ドット発光層が形成された表示デバイスを提供することができる。
　本発明の一態様によれば、溶媒の粘度に関わりなく、コロイド溶液をインクジェットで塗布（吐出）することができ、塗布後の液滴に乾燥ムラ（いわゆるコーヒーリング）が生じない表示デバイスの製造方法を提供することができる。
第１実施形態に係る表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 発光素子の形成過程の一例を示す平面図である。 発光素子の形成過程の一例を示す平面図である。 発光素子の形成過程の一例を示す平面図である。 第１実施形態に係る表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 インクジェットで吐出されたコロイド溶液（液滴）の状態を模式的に示す図である。 基板上に塗布（滴下）され、乾燥されたコロイド溶液、すなわち、発光層の状態を模式的に示す平面図である。 基板上に塗布（滴下）され、乾燥されたコロイド溶液、すなわち、発光層の状態を模式的に示す断面図である。 第２実施形態に係る表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 第３実施形態に係る表示デバイスの概略構成を示す断面図である。
　以下の説明においては、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されている層を意味する。また、各図面において、同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。
＜第１実施形態＞
　図１は、本実施形態に係る表示デバイス１の概略構成を示す断面図である。表示デバイス１は、例えば、テレビやスマートフォン等のディスプレイに用いられる。図１に示すように、本実施形態の表示デバイス１は、アレイ基板１０上に設けられた複数の画素２を有する。
　複数の画素２は、赤色光を発する赤色画素２Ｒ、緑色光を発する緑色画素２Ｇおよび青色光を発する青色画素２Ｂを含む。複数の画素２は、それぞれ、アレイ基板１０上に設けられた絶縁性のバンク７０（画素規制層）により区画された領域に、発光素子３（赤色画素２Ｒ、緑色画素２Ｇおよび青色画素２Ｂにおいて、それぞれ、赤色発光素子３Ｒ、緑色発光素子３Ｇおよび青色発光素子３Ｂ）が形成されることにより、構成される。なお、赤色光とは、６００ｎｍより大きく７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を指すものとする。また、緑色光とは、５００ｎｍより大きく６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を指すものとする。また、青色光とは、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を指すものとする。
　アレイ基板１０は、各発光素子３の発光および非発光を制御するための、薄膜トランジスタであるＴＦＴ（図示省略）が設けられた基板である。本実施形態のアレイ基板１０は、柔軟性を有する樹脂層にＴＦＴが形成されることにより構成される。また、本実施形態の樹脂層は、樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）上に、バリア層である無機絶縁膜（例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜）が積層されることにより構成される。ただし、アレイ基板１０は、ガラス基板等の硬質の基板上にＴＦＴが形成されることにより構成されてもよい。また、本実施形態のアレイ基板１０の上面には、層間絶縁膜２０（平坦化膜）が設けられる。層間絶縁膜２０は、例えば、ポリイミドやアクリル系の材料により構成される。層間絶縁膜２０には、複数のコンタクトホールＣＨが形成される。
　本実施形態の赤色発光素子３Ｒ、緑色発光素子３Ｇおよび青色発光素子３Ｂは、それぞれ、第１電極３１、第１電荷輸送層４１、発光層８０（赤色発光素子３Ｒ、緑色発光素子３Ｇおよび青色発光素子３Ｂにおいて、それぞれ、赤色発光層８０Ｒ、緑色発光層８０Ｇおよび青色発光層８０Ｂ）、第２電荷輸送層４２および第２電極３２を有する。
　第１電極３１は、第１電荷輸送層４１に電荷を注入する。本実施形態の第１電極３１は、第１電荷輸送層４１に正孔を注入する陽極として機能する。図１に示すように、本実施形態の第１電極３１は、層間絶縁膜２０上に各画素２を形成する領域ごとに、島状に設けられる。そして、第１電極３１は、層間絶縁膜２０に設けられたコンタクトホールＣＨを介して、ＴＦＴと電気的に接続される。第１電極３１は、例えば、可視光の反射率の高いＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、またはＡｇ等を含む金属と、透明材料であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、またはＢＺＯ等が、アレイ基板１０上にこの順に積層された構造を備える。第１電極３１は、例えば、スパッタ法や蒸着法等により形成される。
　バンク７０は、コンタクトホールＣＨを覆うように形成される。バンク７０は、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機材料をアレイ基板１０上に塗布した後に、フォトリソグラフィよってパターニングすることにより形成される。また、図１に示すように、本実施形態のバンク７０は、第１電極３１のエッジを覆うように形成される。すなわち、本実施形態のバンク７０は、第１電極３１のエッジカバーとしても機能する。このような構成とすることで、第１電極３１のエッジ部分で過度な電界が生じることを抑制できる。
　第１電荷輸送層４１は、第１電極３１から注入された電荷を、さらに発光層８０へと輸送する。本実施形態の第１電荷輸送層４１は、正孔を発光層８０へと輸送するための、正孔輸送層として機能する。第１電荷輸送層４１は、第１電極３１上に形成され、第１電極３１と電気的に接続される。具体的には、第１電荷輸送層４１は、画素２を規定する領域ごとに島状に形成される。なお、第１電荷輸送層４１は、電子が第１電極３１へと輸送されることを抑制する機能（電子ブロック機能）を有してもよい。
　第１電荷輸送層４１は、第１電荷輸送性材料および第１ナノファイバー５１を有する。また、本実施形態の第１電荷輸送性材料は、第１ナノ粒子６１により構成される。また、第１ナノ粒子６１を構成する材料としては、例えば、ＮｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＬａＮｉＯ３、ＭｏＯ３、ＷＯ３等の正孔輸送性を有する金属酸化物が挙げられる。第１電荷輸送層４１は、例えば、インクジェット法やスピンコート法等の、塗布法により形成される。なお、第１ナノファイバー５１の詳細については、後述する。
　発光層８０は、第１電極３１および第２電極３２の間に設けられる。具体的には、本実施形態の発光層８０は、第１電荷輸送層４１および第２電荷輸送層４２の間に設けられる。また、本実施形態の発光層８０は量子ドット（半導体ナノ粒子）を含む。具体的には、発光層８０は、量子ドットが１層以上積層されて構成される。
　量子ドットは、価電子帯準位と伝導帯準位とを有し、価電子帯準位の正孔と伝導帯準位の電子との再結合により発光する発光材料である。粒径の揃った量子ドットからの発光は、量子閉じ込め効果により狭いスペクトルを有するため、比較的深い色度の発光を得ることができる。
　量子ドットとしては、例えば、コアにＣｄＳｅ、ＩｎＰ、ＺｎＴｅＳｅ、ＺｎＴｅＳや、シェルにＺｎＳを備えた、コア／シェル構造を有する半導体ナノ粒子であってもよい。この他、量子ドットは、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＺｎＳｅ／ＺｎＳまたはＣＩＧＳ／ＺｎＳ等のコア／シェル構造として有してもよく、またはシェルが複層になったＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ等のダブルシェル構造としてもよい。また、シェルの外周部には、例えば、チオールやアミン等の有機物により構成される、リガンドが配位結合していてもよい。
　量子ドットの粒径は、３ｎｍから１５ｎｍ程度である。量子ドットからの発光の波長は、量子ドットの粒径により制御できる。このため、赤色発光層８０Ｒ、緑色発光層８０Ｇおよび青色発光層８０Ｂにおいて、それぞれ、粒径を制御した量子ドットを用いることにより、各色の発光を得ることができる。
　第２電荷輸送層４２は、第２電極３２から注入された電子を、さらに発光層８０へと輸送する。本実施形態の第２電荷輸送層４２は、電子を発光層８０へと輸送するための、電子輸送層として機能する。また、第２電荷輸送層４２は、正孔が第２電極３２へと輸送されることを抑制する機能（正孔ブロック機能）を有してもよい。本実施形態では、第２電荷輸送層４２は、発光層８０上に設けられる。
　第２電荷輸送層４２は、第２電荷輸送性材料および第２ナノファイバー５２を有する。また、本実施形態の第２電荷輸送性材料は、第２ナノ粒子６２により構成される。また、第２ナノ粒子６２を構成する材料としては、例えば、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＺＡＯ（Ａｌ添加ＺｎＯ）、ＺｎＭｇＯ、ＩＴＯ、ＩｎＧａＺｎＯｘ等の電子輸送性を有する材料が挙げられる。第２電荷輸送層４２は、例えば、インクジェット法やスピンコート法等の、塗布法により形成される。なお、第２ナノファイバー５２の詳細については、後述する。
　なお、赤色発光素子３Ｒ、緑色発光素子３Ｇおよび青色発光素子３Ｂにおいて、第２電荷輸送層４２に含まれる第２電荷輸送性材料は、それぞれ異なることが好ましい。具体的には、赤色発光素子３Ｒに含まれる第２電荷輸送性材料は、ＺｎＯナノ粒子であることが好ましい。また、緑色発光素子３Ｇに含まれる第２電荷輸送性材料は、Ｍｇ含有ＺｎＯナノ粒子であることが好ましい。青色発光素子３Ｂに含まれる第２電荷輸送性材料は、緑色発光素子３Ｇに含まれる第２電荷輸送性材料よりも粒径の小さなＭｇ含有ＺｎＯナノ粒子であることが好ましい。このような構成とすることで、第２電荷輸送層４２のエネルギーレベルを、発光色ごとに調整することができ、各発光素子３の発光効率を向上させることができる。ただし、赤色発光素子３Ｒ、緑色発光素子３Ｇおよび青色発光素子３Ｂにおいて、第２電荷輸送層４２に含まれる第２電荷輸送性材料は、製造を容易にする観点から、同一の材料であってもよい。
　第２電極３２は、第２電荷輸送層４２上に設けられ、第２電荷輸送層４２と電気的に接続される。本実施形態の第２電極３２は、第２電荷輸送層４２に電子を注入する陰極として機能する。また、本実施形態の第２電極３２は、複数の画素２にわたり連続的に形成される。第２電極３２は、例えば、光透過性を有する程度に薄膜化させた金属や、透明材料により構成される。第２電極３２を構成する金属としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ等を含む金属が挙げられる。また、第２電極３２を構成する透明材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＢＺＯまたは銀ナノファイバーなどの導電性ナノファイバー等が挙げられる。第２電極３２は、例えば、スパッタ法、蒸着法、塗布法等により形成される。
　図２Ａから図２Ｃは、発光素子３の形成過程の一例を示す平面図であって、図２Ａは、発光素子３における各層の形成過程の一例を示す平面図であり、図２Ｂは、各色の発光層（８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂ）のうちの一色の発光層のみが島状に形成された発光素子３の形成過程の一例を示す平面図であり、図２Ｃは、各色の発光層（８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂ）のうちの一色の発光層のみが短冊状に形成された発光素子３の形成過程の一例を示す平面図である。図２Ａに示すように、発光素子３は、例えば、第１電極３１のエッジ３１Ｅを覆うバンク７０と、バンク７０の開口７０ａを覆う発光層８０とを有し、例えば、発光素子３が島状に形成されている場合には、図２Ｂに示すように、一つのバンクの開口７０ａを一つの発光層８０が覆うようなパターン（二種類を例示している）を形成し、発光素子３が短冊状に形成されている場合には、図２Ｃに示すように、複数のバンクの開口７０ａを一続きの発光層８０が覆うようなパターンを形成する。すなわち、発光層８０は、例えば、図２Ｂに示すような島状、または、図２Ｃに示すような短冊状に形成されてもよい。
　また、第２電極３２上には、封止層（図示省略）が設けられる。封止層は、例えば、第２電極３２を覆う無機封止膜と、無機封止膜よりも上層の有機バッファ膜からなる有機層と、有機バッファ膜よりも上層の無機封止膜とを含む。封止層は、水、酸素等の異物が表示デバイス１内部へと浸透することを防ぐ。また、無機封止膜は、無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成できる。有機バッファ膜は、平坦化効果のある透光性有機膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成できる。また、封止層上には機能フィルム（図示省略）が設けられてもよい。機能フィルムは、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有してもよい。
　第１電極３１から注入された正孔および第２電極３２から注入された電子は、それぞれ第１電荷輸送層４１および第２電荷輸送層４２を介して発光層８０へと輸送される。そして、発光層８０へ輸送された正孔および電子が、量子ドット内で再結合することで、励起子が生じる。そして、当該励起子が励起状態から基底状態へと戻ることにより、量子ドットは発光する。なお、本実施形態の表示デバイス１では、発光層８０から出射される光をアレイ基板１０とは逆側（図１において上方）から取り出す、トップエミッション型について例示している。しかしながら、表示デバイス１は、光をアレイ基板１０側（図１において下方）から取り出す、ボトムエミッション型であってもよい。この場合、第２電極３２を、反射電極により構成し、第１電極３１を、透明電極により構成すればよい。
　また、本実施形態の表示デバイス１では、アレイ基板１０から順に、陽極である第１電極３１、正孔輸送層である第１電荷輸送層４１、発光層８０、電子輸送層である第２電荷輸送層４２および陰極である第２電極３２が積層されている。しかしながら、表示デバイス１は、アレイ基板１０から順に、陰極、電子輸送層、発光層８０、正孔輸送層および陽極が積層される、いわゆるインバート構造であってもよい。
　次に、表示デバイス１の製造方法について説明する。図３は、本実施形態の表示デバイス１の製造方法を示すフローチャートである。
　表示デバイス１を作製するには、図３に示すように、先ず、アレイ基板１０を形成する（ステップＳ１）。アレイ基板１０は、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層を形成し、樹脂層上にバリア層を形成し、バリア層上にＴＦＴを形成することにより、形成される。次に、層間絶縁膜２０を形成する（ステップＳ２）。次に、第１電極３１を形成する（ステップＳ３）。次に、バンク７０を形成する（ステップＳ４）。
　次に、第１電荷輸送層４１を形成する（ステップＳ５）。第１電荷輸送層４１は、第１ナノ粒子６１および第１ナノファイバー５１を少なくとも含むコロイド溶液をインクジェットで塗布することにより形成される。
　コロイド溶液の室温（２０～２５℃）における粘度は、５ｍＰａ・ｓ～２０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、５ｍＰａ・ｓ～１０ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。これにより、コロイド溶液をインクジェットで好適に塗布（吐出）することができる。
　コロイド溶液を形成する溶媒（分散媒）としては、メチルアルコール、エチルアルコール、ヘキサン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、酢酸エチル、クロロホルム、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ベンゼン、クロロベンゼン、１，２－ジクロロベンゼン、トルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等の有機溶媒、または、水が挙げられる。本実施形態においては、第１ナノファイバー５１によってコロイド溶液の粘度を調整することができるので、溶媒（分散媒）の選択の自由度を増すことができ、一般的に粘度が低くインクジェットで塗布することができなかった溶媒であっても使用することができる。
　具体的には、例えば、エチルアルコールの２０℃における粘度は１．２００ｍＰａ・ｓであり、メチルエチルケトンの２０℃における粘度は０．４０ｍＰａ・ｓであり、クロロベンゼンの２０℃における粘度は０．８ｍＰａ・ｓであり、１，２－ジクロロベンゼンの２５℃における粘度は１．３２４ｍＰａ・ｓであり、トルエンの２０℃における粘度は０．５８６６ｍＰａ・ｓであり、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの２５℃における粘度は１．１ｍＰａ・ｓであり、水の２０℃における粘度は１．００２ｍＰａ・ｓであり、何れもインクジェットでの塗布には適さない。しかし、これら溶媒であっても、第１ナノファイバー５１を添加することにより、コロイド溶液の室温（２０～２５℃）における粘度を５ｍＰａ・ｓ～２０ｍＰａ・ｓに調整（増粘）することができる。なお、コロイド溶液に占める第１ナノ粒子６１の量は、電荷輸送性の観点から、数重量％程度が好適である。
　ここで、第１ナノファイバー５１は、コロイド溶液の粘度調整剤（増粘剤）として作用し、コロイド溶液をインクジェットに適した粘度に調整する。すなわち、第１ナノファイバー５１は高い増粘性を有し、第１ナノファイバー５１を添加することにより、溶液（分散液）の粘性（粘度）およびチクソ性を制御することができる。また、コロイド溶液の乾燥後に、第１ナノ粒子６１の不均一な凝集を抑制することができる。
　このように、第１ナノ粒子６１および溶媒（分散媒）を含むコロイド溶液に第１ナノファイバー５１を添加することにより、溶媒の粘度に関わりなく、コロイド溶液をインクジェットで塗布（吐出）することができ、塗布後の液滴に乾燥ムラ（いわゆるコーヒーリング）が生じないようにすることができる。また、コロイド溶液をインクジェットで塗布することができるので、厚さにムラが無く、ひび割れも無い、均一な第１電荷輸送層４１を形成することができる。
　そして、第１電荷輸送層４１に含まれる第１ナノファイバー５１の直径は、第１電荷輸送層４１の厚さ（通常、５～３０ｎｍ）よりも小さいことが望ましいため、３～３０ｎｍが好適であり、第１ナノ粒子６１の直径よりも小さいことがより好ましく、極力小さいことがさらに好ましい。第１ナノファイバー５１の直径が３０ｎｍを超えると、第１電荷輸送層４１の表面に凹凸が生じ易くなり、界面の平坦性が低下するので、発光特性が低下する場合がある。また、第１ナノファイバー５１の直径が３０ｎｍを超えると、第１電荷輸送層４１の膜厚方向において第１ナノ粒子６１が存在しない領域が生じるおそれがある。
　また、第１電荷輸送層４１に含まれる第１ナノファイバー５１の長さは、第１ナノ粒子６１の直径よりも長いことが好適であり、第１電荷輸送層４１の厚さの２倍以上、１μｍ以下がより好ましく、厚さよりも十分に長い６０ｎｍ～１μｍがさらに好ましい。第１ナノファイバー５１の長さが発光層８０の厚さの２倍よりも短いと、第１電荷輸送層４１の面内に平行（水平）に並び難くなるため、第１電荷輸送層４１の表面に凹凸が生じ易くなる。第１ナノファイバー５１の長さが１μｍよりも長いと、インクジェットで塗布するときにノズルの目詰まりを生じるおそれがある。また、形成される第１電荷輸送層４１のパターン性が悪くなる場合がある。
　第１ナノファイバー５１の直径および長さを上述した直径および長さに制御することで、コロイド溶液をインクジェットで好適に塗布（吐出）することができる。
　なお、本明細書においては、第１ナノ粒子６１および第１ナノファイバー５１の「直径」を指標として両者の関係等を説明している。ここで、「直径」とは、第１ナノ粒子６１では真球であることを前提とし、第１ナノファイバー５１では断面が真円であることを前提とした直径を意図している。ただし、実際には、真球であると見なされない第１ナノ粒子６１や、断面が真円であると見なされない第１ナノファイバー５１が存在する。しかしながら、第１ナノ粒子６１が真球から多少の歪みを有する場合でも、第１ナノ粒子６１は真球の第１ナノ粒子６１とほぼ同等の機能を果たし得る。また、第１ナノファイバー５１の断面が歪みを有した楕円状や短冊状の場合でも、第１ナノファイバー５１は断面が真円の第１ナノファイバー５１とほぼ同等の機能を果たし得る。それゆえ、本明細書における前記「直径」とは、第１ナノ粒子６１の場合は同体積の真球の第１ナノ粒子６１に換算したときの直径を指し、第１ナノファイバー５１の場合は最大幅を指すこととする。
　また、第１電荷輸送層４１に含まれる第１ナノ粒子６１の個数は、第１ナノファイバー５１の個数よりも多いことが好ましく、具体的には、第１ナノファイバー５１と第１ナノ粒子６１との個数比（第１ナノファイバー５１：第１ナノ粒子６１）は、１：１００～１：一億であることがより好ましく、１：一万～１：一千万であることがさらに好ましい。第１ナノ粒子６１および第１ナノファイバー５１の個数比をこのように制御することで、良好な電荷輸送層を形成することができる。
　また、コロイド溶液に占める第１ナノファイバー５１の量は、コロイド溶液の室温（２０～２５℃）における粘度が５ｍＰａ・ｓ～２０ｍＰａ・ｓとなるように、０を超え、１重量％以下であることが好ましく、増粘効果が得られるのであれば、極力少ないことが望ましい。第１ナノファイバー５１の量が１重量％を超えると、コロイド溶液の粘度が高くなり過ぎ、コロイド溶液をインクジェットで好適に塗布（吐出）することができ難くなり、したがって、薄膜を形成し難くなる場合がある。また、第１電荷輸送層４１に含まれる第１ナノ粒子６１の量が相対的に低下するので、発光特性が低下する場合がある。なお、第１ナノファイバー５１の量が少な過ぎる場合には、増粘効果が得られない。
　第１ナノファイバー５１は、透明であって絶縁性を備えていればよく、特に限定されないものの、直鎖状の多糖高分子（多糖類）が好適である。当該多糖高分子を疎水性基で修飾することにより、有機溶媒に容易にかつ安定して分散させることができる。第１ナノファイバー５１としては、グルコースが直鎖状に連結した多糖類であるセルロースナノファイバー、アセチルグルコサミンが直鎖状に連結した多糖類であるキチンナノファイバー、および食品の増粘剤として利用されているラムダカラギナンがより好ましく、セルロースナノファイバーがさらに好ましく、ＴＥＭＰＯ酸化セルロースナノファイバーが特に好ましい。第１ナノファイバー５１は、必要に応じて複数種類を併用してもよい。なお、第１ナノファイバー５１は、水に分散させる場合と、有機溶媒に分散させる場合とで、その末端の分子構造が異なる。
　セルロースナノファイバーは、水、または、メチルアルコール、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、酢酸エチル、トルエン等の有機溶媒に容易にかつ安定して分散させることができる。キチンナノファイバーは、クロロホルム、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ベンゼン、トルエン、ヘキサン等の有機溶媒に容易にかつ安定して分散させることができる。
　ＴＥＭＰＯ（２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシラジカル）酸化セルロースナノファイバーは、例えば、直径３ｎｍであり、透明で、散乱が無く、高絶縁性（＞１００ＴΩ）および高誘電率（５～６Ｆ／ｍ）である。ＴＥＭＰＯ酸化セルロースナノファイバーとは、例えば、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシラジカルなどのニトロキシルラジカルを含む酸化セルロースナノファイバーである。
　そして、コロイド溶液をインクジェットで塗布しても、塗布後のコロイド溶液に含まれる第１ナノファイバー５１、すなわち、第１電荷輸送層４１に含まれる第１ナノファイバー５１は、面内方向ではランダムな状態を維持する。
　図４は、インクジェットで吐出されたコロイド溶液（液滴）の状態を模式的に示す図である。図４に示すように、液滴中の第１ナノ粒子６１および第１ナノファイバー５１は、ランダムな状態となっている。
　図５は、基板１１上に塗布（滴下）され、乾燥されたコロイド溶液、すなわち、発光層８０の状態を模式的に示す平面図である。図６は、基板１１上に塗布（滴下）され、乾燥されたコロイド溶液、すなわち、発光層８０の状態を模式的に示す断面図である。図５および図６に示すように、第１ナノ粒子６１は滴下範囲全体に亘って均一に塗布され、三次元的に配置される一方、第１ナノファイバー５１は第１ナノ粒子６１の間を縫うようにして存在し、基板１１平面（表面）に長さ方向が沿うようにして配向を生じ、面内方向ではランダムな状態を維持する。第１ナノファイバー５１が第１ナノ粒子６１の間を縫うようにして、面内方向ではランダムな状態で存在することにより、厚さにムラが無く、ひび割れも無い、均一な第１電荷輸送層４１が形成される。すなわち、均一な第１電荷輸送層４１が形成されるので、表示デバイス１は均一に発光することができる。
　次に、発光層８０を形成する（ステップＳ６）。なお、発光層８０の形成方法において、上述した第１電荷輸送層４１の形成方法と異なる点について説明し、同様の内容についてその説明省略する。
　発光層８０は、量子ドットを含むコロイド溶液をインクジェットで塗布することにより形成される。発光層８０の形成方法において、コロイド溶液は、リガンドを含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。コロイド溶液がリガンドを含んでいない場合には、リガンドによって溶媒が限定されることはない。また、コロイド溶液は、ホスト材料を含んでいないことが好ましい。
　量子ドットは、II-VI族、III-V族、またはIV-VI族の元素グループによって構成される、直径が２～１０ｎｍ（原子数；１００～一万個）である微粒子状の半導体であり、発光団（luminophore）として使用される。量子ドットは、中心部と外殻部とで材料や元素濃度、結晶構造が互いに異なっていてもよい。さらに、量子ドットは中心部と外殻部とでバンドギャップが異なっており、中心部よりも外殻部の方が、バンドギャップが大きくてもよい。量子ドットは、溶媒（分散媒）に分散されることにより、コロイド溶液を形成する。なお、コロイド溶液中での量子ドットの凝集を抑制し、当該量子ドットの分散性および安定性を高めるために、量子ドットの表面にリガンドとして原子や有機分子を付着させてもよい。リガンドである有機分子としては、例えば、アルキルチオール、アルキルアミン、カルボン酸、オレイン酸、有機シラン等が利用可能である。
　なお、第１ナノファイバー５１は、必要に応じて、発光層８０にさらに含まれていてもよい。すなわち、発光層８０は、第１ナノファイバー５１を含む溶液をインクジェットで塗布して形成された、第１ナノファイバー５１を含む層であってもよい。
　次に、第２電荷輸送層４２を形成する（ステップＳ７）。第２電荷輸送層４２は、第２ナノ粒子６２および第２ナノファイバー５２を少なくとも含むコロイド溶液をインクジェットで塗布することにより形成される。第２電荷輸送層４２の形成方法は、上述した第１電荷輸送層４１を形成する方法ことができるため、その説明を省略する。なお、第１ナノファイバー５１および第２ナノファイバー５２は、同一の種類であってもよく、異なる種類であってもよい。すなわち、第１ナノファイバー５１および第２ナノファイバーの材料や形状は等しくてもよい。具体的には、例えば、第１ナノファイバー５１および第２ナノファイバーの材料は、いずれも、ＴＥＭＰＯ酸化セルロースナノファイバーであってもよい。また、例えば、第１ナノファイバー５１の直径および長さと、第２ナノファイバーの直径および長さとは、同等であってもよい。
　次に、封止層を形成する（ステップＳ８）。次に、封止層上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ９）。次に、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層から剥離する（ステップＳ１０）。次に、樹脂層１２の下面に下面フィルムを貼り付ける（ステップＳ１１）。次に、各層が積層された積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ１２）。次に、得られた個片に機能フィルムを貼り付ける（ステップＳ１３）。その後、複数の画素２が形成された表示領域よりも外側（非表示領域、額縁）の一部（端子部）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ１４）。このように、本実施形態の表示デバイス１を製造できる。なお、ステップＳ１～Ｓ１３は、表示デバイスの製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）により行われる。
　なお、上記においては、フレキシブルな表示デバイス１について説明したが、非フレキシブルな表示デバイス１を製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス基板であるアレイ基板１０上にステップＳ２～Ｓ７の積層工程を行い、その後、ステップＳ１１に移行する。
　以上のように、本発明の一態様によれば、厚さにムラが無く、ひび割れも無い、均一な第１電荷輸送層４１が形成された表示デバイス１を提供することができる。また、以上のように、本発明の一態様によれば、溶媒の粘度に関わりなく、コロイド溶液をインクジェットで塗布（吐出）することができ、塗布後の液滴に乾燥ムラ（いわゆるコーヒーリング）が生じない表示デバイス１の製造方法を提供することができる。
＜第２実施形態＞
　次に、第２実施形態について説明する。なお、第１実施形態と異なる点を中心に説明し、第１実施形態と重複する内容については説明を省略する。なお、第１実施形態および第２実施形態では、第１電荷輸送層４１の構成が異なる。
　図７は、本実施形態に係る表示デバイス１の概略構成を示す断面図である。本実施形態に係る表示デバイス１では、赤色発光素子３Ｒ、緑色発光素子３Ｇおよび青色発光素子３Ｂにおいて、第１電荷輸送層４１の膜厚がそれぞれ異なる。具体的には、図７に示すように、赤色発光素子３Ｒに含まれる第１電荷輸送層４１の膜厚は、緑色発光素子３Ｇに含まれる第１電荷輸送層４１の膜厚よりも大きく、さらに、緑色発光層８０Ｇに含まれる第１電荷輸送層４１の膜厚は、青色発光素子３Ｂに含まれる第１電荷輸送層４１の膜厚よりも大きい。より具体的には、赤色発光素子３Ｒに含まれる第１電荷輸送層４１の膜厚は、１５０ｎｍである。また、緑色発光素子３Ｇに含まれる第１電荷輸送層４１の膜厚は、１１０ｎｍである。また、青色発光素子３Ｂに含まれる第１電荷輸送層４１の膜厚は、４０ｎｍである。このような構成とすることで、各発光素子３の発光層８０から発光した光が素子内の層構造界面での干渉効果により正面方向への取り出し効率が向上する。その結果、表示デバイス１の正面輝度（図７において上方に取り出される光の輝度）を向上させることができる。
＜第３実施形態＞
　次に、第３実施形態について説明する。なお、上記の実施形態と異なる点を中心に説明し、上記の実施形態と重複する内容については説明を省略する。なお、上記の実施形態および第３実施形態では、第２電荷輸送層４２の構成が異なる。
　図８は、本実施形態に係る表示デバイス１の概略構成を示す断面図である。本実施形態に係る表示デバイス１では、赤色発光素子３Ｒ、緑色発光素子３Ｇおよび青色発光素子３Ｂにおいて、第２電荷輸送層４２が共通に形成される。さらに、本実施形態の第２電極３２は、各発光素子３にわたり共通に形成される、共通電極である。具体的には、図８に示すように、本実施形態の第２電荷輸送層４２は、バンク７０により区画された領域に島状に形成されず、赤色発光層８０Ｒ、緑色発光層８０Ｇ、青色発光層８０Ｂおよびバンクを覆うように、連続的に形成される。このような構成とすることで、第２電荷輸送層４２を、インクジェット法により発光層８０ごとに塗り分けて形成する必要がなく、例えば、スピンコート法により一括して形成することができる。その結果、表示デバイス１を容易に製造することができる。
＜変形例＞
　以上、本発明の主たる実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
　上記の実施形態では、発光層８０には量子ドットが含まれていた。しかしながら、本発明の発光層８０は、量子ドットを含まない構成であってもよい。この場合、発光層８０を、例えば、有機の蛍光材料や燐光材料により構成すればよい。
　また、上記の実施形態では、第１電荷輸送層４１および第２電荷輸送層４２は、それぞれ第１ナノファイバー５１および第２ナノファイバー５２を有していた。すなわち、第１電荷輸送層４１および第２電荷輸送層４２は、いずれもナノファイバーを含んでいた。しかしながら、ナノファイバーは、第１電荷輸送層４１および第２電荷輸送層４２のうち少なくとも一方に含まれればよい。このような構成であっても、表示デバイス１において、塗布後の液滴の乾燥ムラによる膜厚ムラが生じることを抑制できる。
　また、上記の実施形態では、第１電荷輸送層４１は、正孔輸送性の材料である第１ナノ粒子６１を有していた。しかしながら、第１電荷輸送層４１は、第１ナノ粒子６１を含まず、正孔輸送性の有機材料（例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＰＶＫ、ＴＦＢ、またはｐｏｌｙ－ＴＰＤ等）を有してもよい。このような構成であっても、第１電荷輸送層４１において、塗布後の液滴の乾燥ムラによる膜厚ムラが生じることを抑制できる。
　また、上記の実施形態では、第２電荷輸送層４２は、電子輸送性の材料である第２ナノ粒子６２を有していた。しかしながら、第２電荷輸送層４２は、第２ナノ粒子６２を含まず、電子輸送性の有機材料（例えば、ポリオキサジアゾールや可溶性Ａｌｑ３ポリマー等）を有してもよい。このような構成であっても、第２電荷輸送層４２において、塗布後の液滴の乾燥ムラによる膜厚ムラが生じることを抑制できる。
　また、上記の実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。
１　表示デバイス
２　画素
３　発光素子
１０　アレイ基板
２０　層間絶縁膜
３１　第１電極
３２　第２電極
４１　第１電荷輸送層
４２　第２電荷輸送層
５１　第１ナノファイバー
５２　第２ナノファイバー
６１　第１ナノ粒子
６２　第２ナノ粒子
７０　バンク
８０　発光層

Claims (28)

  1. 　複数の画素を有する表示デバイスであって、
    　前記画素は、
    　第１電極と、
    　第２電極と、
    　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
    　前記第１電極と前記発光層との間に設けられた第１電荷輸送層と、
    　前記第２電極と前記発光層との間に設けられた第２電荷輸送層と、
    を有し、
    　前記第１電荷輸送層は、第１電荷輸送性材料と、第１ナノファイバーと、を有する、表示デバイス。
  2. 　前記第１電荷輸送性材料は第１ナノ粒子である、請求項１に記載の表示デバイス。
  3. 　前記発光層は量子ドットを含む、請求項１または２に記載の表示デバイス。
  4. 　前記画素は、前記画素ごとに所定の発光色を有し、
    　前記第１電荷輸送層は、各前記画素で前記発光色に応じて膜厚が異なる、請求項１～３の何れかに記載の表示デバイス。
  5. 　前記画素は、前記画素ごとに所定の発光色を有し、
    　前記第１電荷輸送層は、各前記画素で前記発光色に応じて材料が異なる、請求項１～３の何れかに記載の表示デバイス。
  6. 　前記第２電極は共通電極であり、
    　前記第２電荷輸送層は、前記複数の画素にわたり連続して形成される、請求項１～５の何れかに記載の表示デバイス。
  7. 　前記第１電荷輸送層に含まれる第１ナノ粒子の個数は、前記第１電荷輸送層に含まれる前記第１ナノファイバーの個数よりも多い、請求項２に記載の表示デバイス。
  8. 　前記第１ナノファイバーの直径は、前記第１ナノ粒子の直径よりも小さく、前記第１ナノファイバーの長さは、前記第１ナノ粒子の直径よりも長い、請求項２または７に記載の表示デバイス。
  9. 　前記第１ナノファイバーの長さは、前記第１電荷輸送層の厚さの２倍以上、１μｍ以下である、請求項１～８の何れかに記載の表示デバイス。
  10. 　前記第１ナノファイバーは絶縁性を有する、請求項１～９の何れかに記載の表示デバイス。
  11. 　前記第１ナノファイバーは光透過性を有する、請求項１～１０の何れかに記載の表示デバイス。
  12. 　前記第１ナノファイバーは、セルロースナノファイバーである、請求項１～１１の何れかに記載の表示デバイス。
  13. 　前記第１ナノファイバーは、ニトロキシルラジカルを含む酸化セルロースナノファイバーである、請求項１～１２の何れかに記載の表示デバイス。
  14. 　前記第２電荷輸送層は、第２電荷輸送性材料と、第２ナノファイバーと、を有する、請求項１～１３の何れかに記載の表示デバイス。
  15. 　前記第２電荷輸送性材料は第２ナノ粒子である、請求項１４に記載の表示デバイス。
  16. 　前記第２電荷輸送層に含まれる前記第２ナノ粒子の個数は、前記第２電荷輸送層に含まれる前記第２ナノファイバーの個数よりも多い、請求項１５に記載の表示デバイス。
  17. 　前記第２ナノファイバーの直径は、前記第２ナノ粒子の直径よりも小さく、前記第２ナノファイバーの長さは、前記第２ナノ粒子の直径よりも長い、請求項１５または１６に記載の表示デバイス。
  18. 　前記第２ナノファイバーの長さは、前記第２電荷輸送層の厚さの２倍以上、１μｍ以下である、請求項１４～１７の何れかに記載の表示デバイス。
  19. 　前記第２ナノファイバーは絶縁性を有する、請求項１４～１８の何れかに記載の表示デバイス。
  20. 　前記第２ナノファイバーは光透過性を有する、請求項１４～１９の何れかに記載の表示デバイス。
  21. 　前記第２ナノファイバーは、セルロースナノファイバーである、請求項１４～２０の何れかに記載の表示デバイス。
  22. 　前記第２ナノファイバーは、ニトロキシルラジカルを含む酸化セルロースナノファイバーである、請求項１４～２１の何れかに記載の表示デバイス。
  23. 　前記第１ナノファイバーと前記第２ナノファイバーの材料は等しい、請求項１４～２２の何れかに記載の表示デバイス。
  24. 　前記第１ナノファイバーと前記前記第２ナノファイバーの形状は等しい、請求項１４～２３の何れかに記載の表示デバイス。
  25. 　電荷輸送性材料およびナノファイバーを含むコロイド溶液をインクジェットで塗布して電荷輸送層を形成する、表示デバイスの製造方法。
  26. 　前記電荷輸送性材料はナノ粒子を含む、請求項２５に記載の表示デバイスの製造方法。
  27. 　前記コロイド溶液に占める前記ナノファイバーの量は、０を超え、１重量％以下である、請求項２５または２６に記載の表示デバイスの製造方法。
  28. 　前記コロイド溶液の室温（２０～２５℃）における粘度が５ｍＰａ・ｓ～２０ｍＰａ・ｓである、請求項２５～２７の何れかに記載の表示デバイスの製造方法。
PCT/JP2019/037004 2019-09-20 2019-09-20 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法 WO2021053813A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/642,417 US20220344610A1 (en) 2019-09-20 2019-09-20 Display device and method for manufacturing display device
CN201980100559.2A CN114424357A (zh) 2019-09-20 2019-09-20 显示设备及显示设备的制造方法
PCT/JP2019/037004 WO2021053813A1 (ja) 2019-09-20 2019-09-20 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2019/037004 WO2021053813A1 (ja) 2019-09-20 2019-09-20 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021053813A1 true WO2021053813A1 (ja) 2021-03-25

Family

ID=74884419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/037004 WO2021053813A1 (ja) 2019-09-20 2019-09-20 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220344610A1 (ja)
CN (1) CN114424357A (ja)
WO (1) WO2021053813A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2602715B (en) * 2020-11-30 2023-10-25 Lg Display Co Ltd Electroluminescent display device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220344611A1 (en) * 2019-09-20 2022-10-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and display device manufacturing method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160301024A1 (en) * 2014-09-25 2016-10-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent device, method of preparing same, display substrate, and display apparatus
JP2017068263A (ja) * 2015-10-01 2017-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその作製方法
WO2019093345A1 (ja) * 2017-11-08 2019-05-16 Ｎｓマテリアルズ株式会社 表示装置
JP2019102564A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 コニカミノルタ株式会社 有機機能性薄膜、有機機能性積層膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、光電変換素子及び有機機能性薄膜形成用塗布液

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010120730A1 (en) * 2009-04-13 2010-10-21 Global Protection Usa, Inc. Hazardous substance removing materials, apparatus and methods
WO2014200428A1 (en) * 2013-06-10 2014-12-18 Nanyang Technological University Method of manufacturing a flexible and/or stretchable electronic device
KR102181978B1 (ko) * 2014-08-22 2020-11-24 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107408705A (zh) * 2014-09-24 2017-11-28 美国范德堡大学 聚合物溶液、纤维垫和具有所述纤维垫的纳米纤维膜电极组件以及其制造方法
JP6975562B2 (ja) * 2016-06-30 2021-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN110494805A (zh) * 2017-03-13 2019-11-22 伊斯曼柯达公司 含有纤维素聚合物的含银组合物和用途
JP2020522749A (ja) * 2017-06-02 2020-07-30 ネクスドット カプセル化されたナノ粒子を含むインク

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160301024A1 (en) * 2014-09-25 2016-10-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent device, method of preparing same, display substrate, and display apparatus
JP2017068263A (ja) * 2015-10-01 2017-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその作製方法
WO2019093345A1 (ja) * 2017-11-08 2019-05-16 Ｎｓマテリアルズ株式会社 表示装置
JP2019102564A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 コニカミノルタ株式会社 有機機能性薄膜、有機機能性積層膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、光電変換素子及び有機機能性薄膜形成用塗布液

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2602715B (en) * 2020-11-30 2023-10-25 Lg Display Co Ltd Electroluminescent display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN114424357A (zh) 2022-04-29
US20220344610A1 (en) 2022-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019180881A1 (ja) 表示デバイスおよびその製造方法
US11817308B2 (en) Display panel and manufacturing method thereof
US10121983B2 (en) Light-emitting device including nano particle having core shell structure
CN108029163B (zh) 有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置
CN111725254A (zh) 发光装置
US10944078B2 (en) Organic light emitting diode and method of manufacturing the same
WO2021075156A1 (ja) 発光素子、表示装置および発光素子の製造方法
WO2021053813A1 (ja) 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法
WO2020174594A1 (ja) 発光デバイス、表示デバイス
JP2021061175A (ja) 自発光表示パネル
Wang et al. High-efficiency and high-resolution patterned quantum dot light emitting diodes by electrohydrodynamic printing
CN113196881B (zh) 电致发光元件以及显示器件
WO2021059452A1 (ja) 電界発光素子及び電界発光装置
US20220344611A1 (en) Display device and display device manufacturing method
WO2020026446A1 (ja) 電界発光素子および表示デバイス
KR101604495B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 이를 제조하는 방법
WO2021059472A1 (ja) 発光装置
WO2020213070A1 (ja) 表示装置
KR20110116508A (ko) 유기전계발광소자
WO2020121398A1 (ja) 表示装置およびその製造方法
WO2022029856A1 (ja) 発光素子および発光デバイス
US11653514B2 (en) Light-emitting device including mixtures of different quantum dots
WO2023042244A1 (ja) 表示装置
US20230284469A1 (en) Light-emitting element, and light-emitting device
US20240114747A1 (en) Display device and method for manufacturing display device

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19945536

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19945536

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP