WO2020213070A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2020213070A1
WO2020213070A1 PCT/JP2019/016373 JP2019016373W WO2020213070A1 WO 2020213070 A1 WO2020213070 A1 WO 2020213070A1 JP 2019016373 W JP2019016373 W JP 2019016373W WO 2020213070 A1 WO2020213070 A1 WO 2020213070A1
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electrode
light emitting
layer
display device
pixel
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PCT/JP2019/016373
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Inventor
仲西　洋平
Original Assignee
シャープ株式会社
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    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • a semitransparent metal thin film such as a magnesium-silver alloy or the like (see, for example, Patent Document 1) is attached to a second electrode, which is an upper electrode provided above the light emitting layer.
  • a translucent metal oxide thin film such as ITO (indium tin oxide) is used (see, for example, Patent Document 2).
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2017-183510
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2014-78014
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2011-29037
  • the second electrode is generally provided in common to each pixel as shown in Patent Document 1.
  • the inventors of the present application use metal nanowires for the second electrode, the light emitted from the light emitting layer may be scattered by the metal nanowires and cause color mixing. I found that.
  • One aspect of the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to prevent deterioration of light emission characteristics, improve viewing angle characteristics, and prevent color mixing due to scattering of metal nanowires.
  • the purpose is to realize a display device that can be used.
  • the display device is a display device having a plurality of pixels, and is a functional layer including a thin film transistor layer, a first electrode from the thin film transistor layer side, and a light emitting layer on the thin film transistor layer.
  • the second electrode includes a light emitting element layer having a plurality of light emitting elements including light emitting elements having different emission colors, and the second electrode contains a metal nanowire and emits light.
  • the element layer is provided with a bank that separates the metal nanowires at least for each emission color.
  • a display device capable of improving the viewing angle characteristics while preventing the emission characteristics from deteriorating and preventing color mixing due to scattering of metal nanowires.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a schematic configuration of a display device according to the first embodiment
  • (b) is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a main part of the display device according to the first embodiment. It is a top view which shows the schematic structure of the main part of the display device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 2A is a diagram schematically showing a cross section taken along the line AA of the display device shown in FIG. 2
  • FIG. 2B schematically shows a cross section taken along the line BB of the display device shown in FIG. It is a figure shown in.
  • (A) is a diagram showing an SEM photograph of the second electrode according to the first embodiment
  • (b) is a perspective view schematically showing the configuration of the second electrode according to the first embodiment
  • (c) is an explanatory diagram schematically showing the length of the metal nanowire according to the first embodiment.
  • It is a flowchart which shows the manufacturing method of the display device which concerns on Embodiment 1. The light transmittance and light reflectance of the second electrode when a mesh-shaped silver nanowire electrode is used as the second electrode, and the light transmittance and light reflectance of the second electrode when a silver thin film electrode is used as the second electrode. It is a graph which also shows the light reflectance.
  • (A) shows the characteristics of the normalized emission intensity standardized by the front emission intensity with respect to the polar angle when a mesh-shaped silver nanowire electrode is used as the second electrode when the light emitting element is a QLED, and the first. It is a graph which also shows the characteristic of the normalized intensity with respect to the polar angle when a silver thin film electrode is used for 2 electrodes, and (b) is a QLED whose light emitting element is provided with a quantum dot light emitting layer which emits red light.
  • (A) is a cross-sectional view schematically showing a state in which only the light emitting element of the red pixel row in the display device according to the first embodiment is made to emit light
  • (b) is a red color in the display device according to the first embodiment.
  • (A) is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of a main part of a display device for comparison, and (b) is a plan view schematically showing a schematic configuration of a main part of a display device for comparison. is there.
  • FIG. 9 (A) is a cross-sectional view schematically showing a state in which only the light emitting element of the red pixel row in the display device for comparison shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b) is made to emit light. It is a top view schematically showing the state in which only the light emitting element of the red pixel sequence in the display device for comparison shown in FIGS. 9A and 9 is made to emit light. It is sectional drawing which shows typically the schematic structure of the main part of the display device which concerns on the modification of Embodiment 1. It is a top view which shows the schematic structure of the main part of the display device which concerns on Embodiment 2.
  • (A) is a diagram schematically showing a cross section taken along the line CC of the display device shown in FIG.
  • (A) is a cross-sectional view schematically showing a state in which only the light emitting element of the red pixel row in the display device according to the second embodiment is made to emit light
  • (b) is the red color in the display device according to the second embodiment.
  • It is a top view which shows typically the state which made only the light emitting element of the pixel train of (1) emit light.
  • (A) and (b) are sectional views schematically showing the schematic configuration of the display device according to the third embodiment
  • (c) is a perspective view schematically showing the configuration of the second electrode according to the third embodiment. It is a figure.
  • It is sectional drawing which shows typically the state in which only the light emitting element of the red pixel string in the display device which concerns on Embodiment 3 is made to emit light.
  • (A) and (b) are sectional views schematically showing the schematic configuration of the display device according to the fourth embodiment, and (c) is a sectional view schematically showing the configuration of the light emitting element according to the fourth embodiment.
  • (A) is a cross-sectional view schematically showing the schematic configuration of the display device according to the sixth embodiment, and (b) is another cross-sectional view schematically showing the schematic configuration of the display device according to the sixth embodiment. is there.
  • “same layer” means that it is formed by the same process (deposition process), and “lower layer” means that it is formed by a process prior to the layer to be compared.
  • the “upper layer” means that it is formed in a process after the layer to be compared.
  • FIG. 1A is a plan view schematically showing a schematic configuration of a display device 1 according to the present embodiment
  • FIG. 1B is a schematic view of a main part of the display device 1 according to the present embodiment. It is sectional drawing which shows the structure.
  • FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of a main part of the display device 1 according to the present embodiment.
  • the sealing layer 6 and the functional film 7 shown in FIG. 1 (b) are not shown.
  • each pixel Pr, Pg, Pb has a rectangular shape, but as shown in FIG. 8 (b) described later, four corners of each pixel Pr, Pg, Pb.
  • Each has a shape (arc shape) having a so-called roundness (roundness) that is curved rather than a right angle.
  • the display device 1 is a self-luminous display device, and has a configuration in which a light emitting element layer 5 is provided on a support 2. ..
  • the light emitting element layer 5 is sealed with a sealing layer 6.
  • a functional film 7 is attached on the sealing layer 6.
  • the support 2 is, for example, a thin film transistor (TFT) substrate, and includes a base material 12, a barrier layer 3 (base coat layer), and a thin film transistor layer 4 as a driving element layer in this order from the lower layer side. ing. Therefore, in the display device 1, the barrier layer 3, the thin film transistor layer 4, the light emitting element layer 5, the sealing layer 6, and the functional film 7 are provided on the base material 12 in this order.
  • TFT thin film transistor
  • a plurality of pixels P having different display colors are formed in the display area DA of the display device 1.
  • a red (R) color pixel Pr, a green (G) color pixel Pg, and a blue (B) color pixel Pb are formed as the pixel P.
  • one picture element is composed of these three RGB pixels Pr, Pg, and Pb.
  • these pixels Pr, Pg, and Pb are collectively referred to as the pixel P.
  • the frame area NA surrounding the display area DA is composed of four edge Fa to Fd, and a part of the frame area NA (for example, edge Fd) is an electronic circuit board (IC).
  • a terminal TA for mounting a chip, FPC, etc. is formed.
  • the terminal portion TA includes a plurality of terminal TMs.
  • a driver circuit (not shown) can be formed on each edge Fa to Fd.
  • the base material 12 may be a glass substrate or a flexible substrate containing a resin film such as polyimide.
  • a flexible substrate can also be formed by a two-layer resin film and an inorganic insulating film sandwiched between them.
  • a film such as PET (polyethylene terephthalate) may be attached to the lower surface of the base material 12.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a flexible substrate can be used as the base material 12, and a flexible display device having flexibility can be formed as the display device 1.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from entering the thin film transistor layer 4 and the light emitting element layer 5.
  • oxidation formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method can be composed of a silicon film, a silicon nitride film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof.
  • the thin film transistor layer 4 includes a semiconductor layer including a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film), a first metal layer including a gate electrode GE, an inorganic insulating film 18, and a capacitance. It includes a second metal layer including an electrode CE, an inorganic insulating film 20, a third metal layer including a data signal line DL, and a flattening film 21 (thin film transistor). These layers are provided on the barrier layer 3 in this order from the barrier layer 3 side (that is, the lower layer side).
  • the semiconductor layer is composed of, for example, amorphous silicon, LTPS (low temperature polysilicon), or an oxide semiconductor, and a thin film transistor (TFT) TR is configured so as to include a gate electrode GE and a semiconductor film 15.
  • TFT thin film transistor
  • the thin film transistor layer 4 is provided with a plurality of thin film transistor TRs.
  • the display area DA is provided with a light emitting element X and a pixel circuit for each pixel P.
  • the pixel circuit and wiring connected to the pixel circuit are formed on the thin film transistor layer 4.
  • the wiring connected to the pixel circuit includes, for example, the scanning signal line GL and the light emission control line EM formed in the first metal layer, the initialization power supply line IL formed in the second metal layer, and the third metal layer. Examples thereof include a data signal line DL and a high voltage side power supply line PL.
  • the pixel circuit includes, as the thin film transistor TR, a drive transistor for controlling the current of the light emitting element X, a write transistor electrically connected to the scanning signal line GL, a light emission control transistor electrically connected to the light emission control line EM, and the like. Is done.
  • the first metal layer, the second metal layer, and the third metal layer are composed of, for example, a single-layer film or a multi-layer film of a metal containing at least one of aluminum, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, titanium, and copper. Will be done.
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the flattening film 21 can be made of a coatable organic material such as polyimide or acrylic resin.
  • the light emitting element layer 5 includes a first electrode 22, a pixel bank 23 (bank), a functional layer 24 (active layer), and a second electrode 25.
  • the first electrode 22 is formed in an island shape for each pixel P on the flattening film 21 in the thin film transistor layer 4.
  • the first electrode 22 is electrically connected to the thin film transistor TR as the drive transistor via a contact hole provided in the flattening film 21.
  • the pixel bank 23 is a grid-shaped pixel separation wall that defines a light emitting region in each pixel P, and is formed between exposed portions of the first electrode 22 by the pixel bank 23 (in other words, between the lower ends of the pixel bank 23 in a plan view).
  • the opening 23a) of the pixel bank 23 is the light emitting region of each pixel P.
  • the pixel bank 23 is formed on the flattening film 21 and the first electrode 22 so as to cover the periphery (edge) of the first electrode 22.
  • the pixel bank 23 according to the present embodiment functions as an edge cover for preventing a short circuit between the first electrode 22 and the second electrode 25 due to electric field concentration or the like at the pattern end portion of the first electrode 22.
  • the pixel bank 23 is formed by applying an organic material such as polyimide or acrylic resin and then patterning by photolithography.
  • the light emitting element layer 5 is provided with a plurality of light emitting elements having different emission colors as the light emitting element X.
  • the light emitting element layer 5 includes a light emitting element Xr (red light emitting element) having a red (R) emission color, a light emitting element Xg (green light emitting element) having a green (G) emission color, and a light emitting color.
  • a blue (B) color light emitting element Xb blue light emitting element
  • these light emitting elements Xr, Xg, and Xb are collectively referred to simply as a light emitting element X.
  • Each light emitting element X includes a first electrode 22, a functional layer 24 (active layer), and a second electrode 25.
  • the display device 1 has a pixel array in which pixels P having the same display color are arranged in a stripe shape, which is called a stripe array.
  • the second electrode 25 is formed in common to each of the pixel Pr, the pixel Pg, and the pixel Pb for each of the pixel Pr row, the pixel Pg row, and the pixel Pb row having the same emission color.
  • the second electrode 25 is a trench (not shown) provided in the flattening film 21 in the frame region NA, and is in contact with a conductive film (not shown) formed in the same layer as the first electrode 22 and made of the same material as the first electrode 22. (Connected). The details of the light emitting element X will be described later.
  • the sealing layer 6 has translucency, and as shown in FIG. 1B, for example, the inorganic sealing film 26, the organic sealing film 27, and the organic sealing film 27, in this order from the lower layer side (light emitting element layer 5 side). It includes an inorganic sealing film 28.
  • the sealing layer 6 may be formed of a single layer of an inorganic sealing film or a laminate of five or more layers of an organic sealing film and an inorganic sealing film.
  • the sealing layer 6 covering the light emitting element layer 5 prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the light emitting element layer 5.
  • the organic sealing film 27 has a flattening effect and translucency, and can be formed by, for example, inkjet coating using a coatable organic material.
  • the inorganic sealing films 26 and 28 are inorganic insulating films, and can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • a frame-shaped bank BK is provided in the frame region NA on the outside of the trench so as to surround the active region DA.
  • the frame-shaped bank BK defines the edge of the organic sealing film 27 by blocking the flow of the resin that is the material of the organic sealing film 27.
  • the edge of the organic sealing film 27 overlaps a part of the frame-shaped bank BK.
  • the frame-shaped bank BK is formed on the thin film transistor layer 4 with the same material as the pixel bank 23, for example.
  • the flattening film 21 when the flattening film 21 is formed, it becomes a part of the frame-shaped bank BK so as to surround the flattening film 21 with the same material as the flattening film 21.
  • the upper layer bank may be formed on the lower layer bank with the same material as the pixel bank 23.
  • the frame-shaped bank BK may be formed in a multi-frame shape (for example, a double frame as shown in FIG. 1A).
  • Examples of the functional film 7 include a film having at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, and a protective function.
  • FIG. 3A is a diagram schematically showing a cross section taken along the line AA of the display device 1 shown in FIG. 2, and FIG. 3B is a diagram showing B- of the display device 1 shown in FIG. It is a figure which shows typically the cross section seen by the arrow B line.
  • FIGS. 3A and 3B for convenience of illustration, the ratio of the layer thickness of each layer is changed and shown, and the sealing layer 6 and the functional film 7 shown in FIG. 1B are shown. The illustration of each component in the thin film transistor layer 4 is omitted. Further, FIGS. 3A and 3B show a non-light emitting state (power off state).
  • the functional layer 24 in the light emitting device X is, for example, a hole injection layer 31, a hole transport layer 32, a light emitting layer 33, and an electron injection layer. 34 is included.
  • the hole injection layer 31, the hole transport layer 32, the light emitting layer 33, and the electron injection layer 34 are placed on the first electrode 22 in this order from the first electrode 22 side (that is, the lower layer side). It is composed of stacking.
  • These functional layers 24 are formed in an island shape in the opening 23a of the pixel bank 23 by a vapor deposition method, an inkjet method, or a photolithography method.
  • the first electrode 22 is the anode
  • the second electrode 25 is the cathode, and from the thin film transistor layer 4 side, the anode (first electrode 22), the functional layer 24,
  • the light emitting element X is not limited to the above configuration, and may be provided in the order of the cathode, the functional layer 24, and the anode from the thin film transistor layer 4 side.
  • the functional layer 24 is configured by laminating the electron injection layer 34, the light emitting layer 33, the hole transport layer 32, and the hole injection layer 31 in this order from the lower layer side.
  • These functional layers 24 are formed in an island shape for each opening 23a (in other words, for each pixel P) of the pixel bank 23 by, for example, a vapor deposition method, an inkjet method, a photolithography method, or the like.
  • Each light emitting element X may be, for example, a QLED (quantum dot light emitting diode) which is a self-luminous element including a quantum dot layer as the light emitting layer 33, or an OLED which is a self-luminous element including an organic layer as the light emitting layer 33. (Organic light emitting diode) may be used.
  • QLED quantum dot light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • the light emitting element Xr which is a red light emitting element, is formed with a light emitting layer 33r having a red light emitting color as the light emitting layer 33.
  • the light emitting element Xg which is a green light emitting element, is formed with a light emitting layer 33 g having a green light emitting color as the light emitting layer 33.
  • the light emitting element Xb which is a blue light emitting element, is formed with a light emitting layer 33b having a blue light emitting color as the light emitting layer 33.
  • these light emitting layers 33r, 33g, 33b are collectively referred to simply as the light emitting layer 33.
  • the same hatching is applied to the same layer.
  • the light emitting layer 33r is provided with the same diagonal crosshatch as the light emitting layer 33r shown in FIGS. 3A and 3B, and the light emitting layer 33g is shown in FIG. 3A.
  • the same dot hatch as the light emitting layer 33g shown is attached, and the light emitting layer 33b is provided with the same broken line hatch as the light emitting layer 33b shown in FIG. 3A. Therefore, the portion having the same hatching as the light emitting layers 33r / 33g / 33b shown in FIGS. 3A and 3b is the light emitting layer 33r / 33g shown in FIGS. 3A and 3b. It emits light in the same color as 33b.
  • the pixel bank 23 basically has water repellency. Therefore, when forming the QLED quantum dot layer as the light emitting layer 33, for example, a solution in which the quantum dots are dispersed in a solvent is selectively introduced into the opening 23a of the pixel bank 23 by, for example, an inkjet method. By coating, an island-shaped quantum dot layer corresponding to each pixel P can be formed. However, the pixel bank 23 does not necessarily have to have water repellency.
  • the FMM fine metal mask is used when the organic layer of OLED is vapor-deposited as the light emitting layer 33.
  • the FMM is a sheet having a large number of openings (for example, made of Invar material), and an island-shaped organic layer corresponding to each pixel P is formed by an organic substance passing through one opening.
  • the hole injection layer 31 is composed of, for example, CuPc (copper phthalocyanine), HAT-CN (dipyrazino [2,3-F: 2', 3'-H] quinoxalin-2,3,6,7,10.
  • PEDOT PSS (poly (4-styrene sulfonic acid) doped poly (3,4-ethylenedioxythiophene)), m-TDATA (4,4', 4''-tris [(3-Ethylphenyl) Phenylamino] Triphenylamine), m-MTDATA (4,4', 4''-Tris [Phenyl (m-Trill) Amino] Triphenylamine), MoO 3 (Molybdenum Trioxide) , WO (tungsten oxide) and the like, and can be composed of at least one material selected from the group.
  • the hole transporting layer 32 includes, for example, p-TPD (poly [triphenylamine derivative]), ⁇ -NPD (N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine).
  • p-TPD poly [triphenylamine derivative]
  • ⁇ -NPD N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine.
  • TCTA H-1 (tris (4-carbazoyl-9-ylphenyl) amine
  • TFB poly [(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (4,4'-) (N- (4-sec-butylphenyl)) diphenylamine)]
  • PVK poly (N-vinylcarbazole)
  • CBP 4,4'-bis (9-carbazoyl) -biphenyl
  • NPB N, N) '-Diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) -1,1'-diphenyl-4,4'-diamine
  • DNTPD N, N'-bis [4-di (m-tolyl) aminophenyl) ] -N, N'-diphenylbenzidine
  • the like can be composed of at least one material selected from the group.
  • the electron injection layer 34 also serves as an electron transport layer, and is provided in contact with the light emitting layer 33 as an electron injection layer and an electron transport layer.
  • a known electron transporting material can be used for the electron injection layer 34.
  • the electron injecting layer 34 is composed of, for example, t-Bu-PBD (2- (4'-t-butylphenyl) -5- (4 ′′ -biphenylyl) -1,3,4-oxadiazole). ), TPBi (1,3,5-tris (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene), zinc oxide (ZnO) nanoparticles, MgZnO (magnesium oxide zinc) nanoparticles, etc.
  • the light emitting element is a QLED
  • ZnO nanoparticles or MgZNO nanoparticles are often used for the electron injection layer 34.
  • the present embodiment is not limited to this, and an electron transport layer may be provided separately from the electron injection layer 34, as shown in a modification described later.
  • the first electrode 22 has light reflectivity, and is, for example, Ag (silver), Ag alloy (alloy containing Ag), Al (aluminum), Al alloy (alloy containing Al), MgAg alloy (Mg (magnesium)).
  • Ag silver
  • Ag alloy alloy containing Ag
  • Al aluminum
  • Al alloy alloy containing Al
  • MgAg alloy Mg (magnesium)
  • ITO Indium tin oxide
  • Ag alloy and ITO Al and IZO (Indium zinc oxide)
  • Al alloy and IZO Indium zinc oxide
  • Al alloy and IZO It can be composed of a laminated body of. ITO has a function of preventing corrosion of Ag.
  • the second electrode 25 is configured to include metal nanowires NW (see (a) to (c) of FIG. 4, for example, silver nanowires) and has high light transmittance.
  • each light emitting element X is an OLED
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer 33 by a driving current between the first electrode 22 and the second electrode 25, and the excitons generated thereby transition to the basal state.
  • Light is emitted in the process. Since the second electrode 25 has high translucency and the first electrode 22 is light-reflecting, the light emitted from the light emitting layer 33 goes upward and becomes top emission.
  • each light emitting element X is a QLED
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer 33 by the driving current between the first electrode 22 and the second electrode 25, and the resulting exciton is the conduction of quantum dots.
  • Light (fluorescence) is emitted in the process of transitioning from the conduction band to the valence band.
  • a light emitting element (inorganic light emitting diode or the like) other than the above-mentioned OLED and QLED may be formed on the light emitting element layer 5.
  • FIG. 4A is a diagram showing a SEM (Scanning Electron Microscope) photograph of the second electrode 25, and FIG. 4B schematically shows the configuration of the second electrode 25. It is a perspective view, and FIG. 4C is an explanatory view schematically showing the length of the metal nanowire NW.
  • SEM Sccanning Electron Microscope
  • the second electrode 25, which is the upper electrode, is a metal nanowire layer, and is composed of a mesh-shaped metal nanowire NW as shown in FIGS. 4A and 4B.
  • the second electrode 25 is separated by a pixel bank 23 for each emission color. Therefore, the metal nanowires NW are separated by the pixel bank 23 for each emission color.
  • the metal nanowire NW examples include nanowires containing at least one of Ag (silver), Au (gold), Al (aluminum), and Cu (copper).
  • the metal nanowire NW may be a nanowire made of a single metal, or may be a nanowire made of an alloy containing two or more of the metals.
  • the number of overlapping layers of the metal nanowire NW in the second electrode 25 is 2 to 8 layers, preferably 3 to 6 layers.
  • the diameter ( ⁇ ) of the metal nanowire NW is 5 to 100 nm, preferably 10 to 80 nm, and more preferably 20 to 50 nm.
  • the length (trace length) of the metal nanowire NW is 1 to 100 ⁇ m, preferably 5 to 50 ⁇ m, and more preferably 8 to 30 ⁇ m. These values can be obtained by observing with SEM or the like.
  • the electrical resistance (surface resistance) of the metal nanowire NW is 5 to 200 ⁇ / Sq, preferably 10 to 100 ⁇ / Sq, and more preferably 10 to 50 ⁇ / Sq.
  • the length (average trace length) of the metal nanowire NW may be smaller than the distance (terminal gap width) Pc between the adjacent terminals TM1 and TM2 of the terminal portion TA. desirable. As a result, even if the metal nanowire NW is mixed in the terminal portion TA when the second electrode 25 is formed, it is possible to prevent the occurrence of a short circuit between the terminals TM1 and TM2 due to the metal nanowire NW.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a manufacturing method of the display device 1.
  • the barrier layer 3 and the thin film transistor layer 4 are first formed on the base material 12 (step S1).
  • the first electrode 22 is formed on the flattening film 21 of the thin film transistor layer 4 by a sputtering method and a photolithography method (step S2).
  • the pixel bank 23 and the functional layer 24 are formed (step S3).
  • step S3 after forming the pixel bank 23 so as to cover the edge of the patterned first electrode 22, a hole is formed in the opening 23a of the pixel bank 23 from the first electrode 22 side.
  • the injection layer 31, the hole transport layer 32, the light emitting layer 33, and the electron injection layer 34 are formed in this order.
  • a second electrode 25 containing the metal nanowire NW is formed on the functional layer 24 (step S4).
  • step S4 for example, among the pixel banks 23, only the pixel banks 23 in the pixel rows having the same emission color are straddled (that is, the pixel banks 23 between the pixels P having the same emission color are straddled, but the pixels P having different emission colors are straddled.
  • the metal nanowire ink in which the metal nanowire NW is dispersed in the solvent is applied onto the electron injection layer 34 so that the pixel bank 23 of the above is not straddled), and then the applied metal nanowire ink is dried (solvent removal). ..
  • the light emitting element layer 5 including the light emitting element X is formed on the thin film transistor layer 4.
  • the solvent for example, water, ethanol, isopropanol, toluene, hexane and the like can be used.
  • the metal nanowire ink may contain a binder agent, a dispersant, other additives, and the like.
  • the second electrode 25 made of mesh-shaped metal nanowires NW is more flexible than a general Ag thin film or the like, and is therefore suitable as a common electrode for a flexible display device 1.
  • step S5 the sealing layer 6 is formed (step S5).
  • step S6 a flexibility step (step S6) is performed.
  • a mother glass is used as a translucent support substrate, and a resin layer is formed on the mother glass to form a base material 12.
  • the barrier layer 3 and the thin film transistor layer 4 are formed on the resin layer.
  • a top film (not shown) is attached on the sealing layer 6 in step S6.
  • the lower surface of the resin layer is irradiated with a laser beam through the mother glass to reduce the bonding force between the mother glass and the resin layer, and the mother glass is peeled from the resin layer. Then, a lower surface film (not shown) is attached to the lower surface of the resin layer.
  • a support on which a base material layer composed of a bottom film and a resin layer is formed is formed.
  • step S7 the laminate including the base material 12, the barrier layer 3, the thin film transistor layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing layer 6 is divided to obtain a plurality of pieces.
  • step S8 the functional film 7 is attached to the individual pieces (step S8).
  • an electronic circuit board for example, an IC (integrated circuits) chip and an FPC (Flexible Printed Circuits) board
  • step S9 the display device 1 is completed.
  • step S7 In the case of manufacturing a solid (non-flexible) display device as the display device 1, since it is not necessary to form a resin layer and replace the base material 12, the process proceeds to step S7 after step S5. Further, in the case of manufacturing a solid display device as the display device 1, instead of forming the sealing layer 6 in step S5, or in addition to the transparent sealing member, a sealing adhesive is used. It may be adhered in a nitrogen atmosphere.
  • the translucent sealing member can be formed of glass, brass, or the like, and is preferably concave.
  • steps S1 to S9 are performed by a display device manufacturing apparatus (including a film forming apparatus that performs each step of steps S1 to S5).
  • FIG. 6 shows the light transmittance (CA) and light reflectance (RB) of the second electrode 25 when a mesh-shaped silver nanowire electrode is used for the second electrode 25, and the silver thin film electrode for the second electrode 25. It is a graph which also shows the light transmittance (Ca) and the light reflectance (Rb) of the 2nd electrode 25 at the time of use.
  • FIG. 7A shows an emission intensity standardized by the front emission intensity with respect to the polar angle when the mesh-shaped silver nanowire electrode is used for the second electrode 25 when the light emitting element X is a QLED.
  • Normalized emission intensity characteristics red characteristic FR, green characteristic FG, blue characteristic FB
  • front emission intensity with respect to the polar angle when a silver thin electrode is used for the second electrode 25 It is a graph which also shows the characteristic (red characteristic Fr, green characteristic Fg, blue characteristic Fb) of the normalized luminescence intensity which is the luminescence intensity.
  • the second electrode 25 shows that when the light emitting element X is a QLED having a red light emitting quantum dot light emitting layer (light emitting peak wavelength 620 nm, half price width 25 nm) as the light emitting layer 33r, the second electrode 25
  • the emission wavelength characteristic (red emission characteristic KA) standardized by the emission intensity of the emission peak wavelength when a mesh-shaped silver nanowire electrode is used, and the emission peak wavelength when a silver thin film electrode is used for the second electrode 25. It is a graph which also shows the emission wavelength characteristic (red emission characteristic Ka) standardized by the emission intensity of.
  • each layer in the functional layer 24 is common among the light emitting elements Xr, Xg, and Xb.
  • the light transmittance (CA) of the second electrode 25 is silver, which is a comparison target in the wavelength region of 380 to 780 nm. It can be seen that it is higher than the light transmittance (Ca) of the thin film electrode and exceeds 80% in the wavelength region of 400 nm to 780 nm.
  • the light reflectance (RB) of the second electrode 25 is the light reflection of the silver thin film electrode to be compared in the wavelength region of 380 to 780 nm. It can be seen that it is lower than the reflectance (Rb) and less than 15% in the wavelength region of 400 to 780 nm.
  • the second electrode 25 is a silver nanowire electrode
  • the red characteristic FR, the green characteristic FG, and the blue characteristic FB are obtained from the second electrode 25. It can be seen that all three colors are closer to the Lambertian light distribution characteristic FS as compared with the red characteristic Fr, the green characteristic Fg, and the blue characteristic Fb in the case of the silver thin film electrode.
  • the Lambersian orientation characteristic FS indicates an ideal light distribution characteristic in which the radiant intensity in the angle ⁇ direction is represented by cos ⁇ times the radiant intensity on the optical axis, with the vertical front as 0 °.
  • the red emission characteristic Ka when the second electrode 25 is a silver thin film electrode has a cavity effect (resonance effect) between the first electrode 22 and the second electrode 25.
  • the emission peak wavelength shifts to the long wavelength side and exceeds 630 nm, and the half-value width is 32 nm, while the red emission characteristic KA when the second electrode 25 is a silver nanowire electrode is
  • the emission peak wavelength is about 620 nm
  • the half price width is about 25 nm
  • the emission peak wavelength shift is smaller
  • the half price width is narrower
  • the influence of the cavity effect is smaller than when the second electrode 25 is a silver thin film electrode. It turns out that it is suppressed.
  • the cavity effect is hardly exhibited. Therefore, as described above, by applying the electrode composed of metal nanowires to the second electrode 25 of the QLED, which has an adverse effect on the cavity effect, a larger effect (that is, an effect of improving the viewing angle characteristics) can be obtained. it can. Further, as shown in FIG.
  • each layer between the second electrode 25 and each layer (that is, each layer in the functional layer 24) can be approached to the Lambersian light distribution among the light emitting elements Xr, Xg, and Xb without adjusting to the optimum value.
  • the layer thickness can be the same. As a result, the display device 1 having excellent viewing angle characteristics can be easily manufactured.
  • FIG. 8A is a cross-sectional view schematically showing a state in which only the light emitting element Xr of the red pixel Pr row in the display device 1 according to the present embodiment is made to emit light
  • FIG. 8B is shown in FIG. Is a plan view schematically showing a state in which only the light emitting element Xr of the red pixel Pr row in the display device 1 according to the present embodiment is made to emit light
  • FIG. 9A is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of a main part of a display device for comparison
  • FIG. 9B is a schematic configuration of a main part of a display device for comparison. It is a plan view which shows. Note that FIGS.
  • FIG. 10 (a) is a cross-sectional view schematically showing a state in which only the light emitting element Xr of the red pixel Pr row in the comparison display device shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b) is made to emit light.
  • 10 (b) is a plane schematically showing a state in which only the light emitting element Xr of the red pixel Pr row in the comparison display device shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b) is made to emit light. It is a figure. That is, (a) and (b) of FIG. 8 and (a) and (b) of FIG.
  • FIG. 10 schematically show a state in which only the light emitting layer 33r is made to emit light in each display device.
  • FIG. 9A and FIG. 10A show a cross section corresponding to the cross section taken along the line AA of the display device 1 shown in FIG.
  • FIGS. 8A, 9A, and 10A the ratio of the layer thickness of each layer is changed for convenience of illustration, and each component of the thin film transistor layer 4 is shown. The illustration is omitted.
  • FIGS. 8A and 8B to 10A and 10B the sealing layer 6 and the functional film 7 shown in FIG. 1B are omitted for convenience of illustration. ing.
  • the second electrode 25 is not patterned in the active region DA and is active on the pixel bank 23. It has the same configuration as the display device 1 according to the present embodiment, except that it is formed in a solid shape as one electrode (common electrode) common to all pixels P, which covers the entire region DA.
  • the second electrode 25 is made of a mesh-shaped metal nanowire NW, as described above, it is possible to improve the light extraction efficiency in the top emission structure and obtain good visual characteristics, while the light is emitted by the light emitting layer 33. The light is scattered by the metal nanowires NW and propagates in the second electrode 25.
  • FIGS. 9A and 9B when the second electrode 25 made of the metal nanowire NW is formed on the pixel bank 23 so as to cover the entire active region DA, FIG.
  • FIG. in (a) and (b) when only a part of the functional layer 24 and the second electrode 25 are made to emit light, for example, only the red light emitting element Xr is emitted by a dark hatching indicating red light.
  • the light emitted by the light emitting layer 33r of the light emitting element Xr is scattered by the metal nanowires NW, spreads over the entire second electrode 25, and is visually recognized from the outside.
  • the metal nanowire NW is used for the cathode (anode when the stacking order is reversed) of the light emitting element X having the top emission structure in this way, the light emitted from the light emitting layer 33 is scattered by the metal nanowire NW. May cause color mixing.
  • the second electrode 25, which is a metal nanowire layer, is divided by the pixel bank 23 for each emission color (that is, for each pixel row having the same emission color).
  • a part of the functional layer 24 and a part of the second electrode 25 are hatched in a dark color indicating red light, and the light scattered by the metal nanowire NW is emitted.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of a main part of the display device 1 according to the present modification. Note that FIG. 11 corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA of the display device 1 shown in FIG. In FIG. 11, for convenience of illustration, the ratio of the layer thickness of each layer is changed and shown, and the illustration of each component in the thin film transistor layer 4 is omitted. Further, in FIGS. 8A and 8B to 10A and 10B, the sealing layer 6 and the functional film 7 shown in FIG. 1B are omitted for convenience of illustration. ing.
  • the display device 1 shown in FIG. 11 is the same as the display device 1 shown in FIGS. 3A and 3B, except that the electron transport layer 35 is provided separately from the electron injection layer 34. That is, in the display element X in the display device 1 according to the present embodiment, the functional layer 24 may further include an electron transport layer 35. As shown in FIG. 11, the display device 1 according to the present modification has a hole injection layer 31, a hole transport layer 32, a light emitting layer 33, and an electron transport layer between the first electrode 22 and the second electrode 25. 35, the electron injection layer 34 is laminated in this order from the first electrode 22 side.
  • the electron transport layer 35 preferably includes, for example, t-Bu-PBD, TPBi, Bphen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), BCP (2,9-dimethyl-4, It can be composed of at least one material selected from the group consisting of 7-diphenyl-1,10-phenanthroline), ZnO nanoparticles, MgZnO nanoparticles and the like.
  • the light emitting element is a QLED, ZnO nanoparticles or MgZNO nanoparticles are often used for the electron transport layer 35.
  • the electron injection layer 34 can be preferably composed of, for example, lithium fluoride (LiF).
  • the display element X is the first electrode 22 (electron) / hole injection layer 31 / hole transport layer 32 / light emitting layer 33 / ZnO nanoparticles (electron transport layer 35) / LiF (electron injection layer). 34) /
  • the second electrode 25 (cathode) and the like have a laminated structure.
  • the configuration of the functional layer 24 is not limited to the above-described configuration, and does not form one or more of the hole injection layer 31, the hole transport layer 32, the electron transport layer 35, and the electron injection layer 34. It can also be configured. Further, the functional layer 24 may be provided with other functional layers such as an electron blocking layer and a hole blocking layer.
  • FIG. 12 is a plan view showing a schematic configuration of a main part of the display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 13 (a) is a diagram schematically showing a cross section taken along the line CC of the display device 1 shown in FIG. 12, and
  • FIG. 13 (b) is a diagram showing D- of the display device 1 shown in FIG. It is a figure which shows typically the cross section seen by the arrow of D line.
  • FIG. 14A is a cross-sectional view schematically showing a state in which only the light emitting element Xr of the red pixel Pr row in the display device 1 according to the present embodiment is made to emit light
  • FIG. 14B is shown in FIG.
  • FIGS. 14A and 14B schematically show a state in which only the light emitting layer 33r is made to emit light.
  • the ratio of the layer thickness of each layer is changed and shown, and the illustration of each component in the thin film transistor layer 4 is omitted.
  • the sealing layer 6 and the functional film 7 are omitted for convenience of illustration.
  • each pixel Pr, Pg, and Pb has a rectangular shape, but as shown in FIG. 14 (b), the four corners of each pixel Pr, Pg, and Pb are formed.
  • Each has a shape (arc shape) having a so-called roundness (roundness) that is curved rather than a right angle.
  • FIGS. 13A and 13B show a non-light emitting state (power off state).
  • the second electrode 25 is an island-shaped second electrode 25a in which the second electrode 25 is formed in an island shape for each pixel P. It has a two-layer structure in which a common second electrode 25b common to all pixels P is laminated so as to cover the entire active region DA.
  • the island-shaped second electrode 25a is formed of a mesh-shaped metal nanowire NW, is in contact with the functional layer 24, and is formed in an island shape as a part of the second electrode 25 in the opening 23a of the pixel bank 23.
  • the common second electrode 25b is a transparent conductive film that does not contain the metal nanowire NW (hereinafter, simply referred to as “transparent conductive film”), and as a part of the second electrode 25, a plurality of light emitting elements straddling the pixel bank 23. It is formed in a solid shape in common with X.
  • transparent conductive film for example, ITO, TZO and the like can be used.
  • the transparent conductive film can be formed by, for example, a sputtering method.
  • the second electrode 25 is made of a metal as described above.
  • the resistance of the second electrode 25 can be reduced and the conductivity can be improved.
  • the transparent conductive film is formed in a solid shape in contact with the metal nanowire layer, so that the metal nanowire layer is used as the island-shaped second electrode 25a for each pixel P. It can be formed in an island shape.
  • a part of the functional layer 24 and the second electrode 25 are hatched in a dark color indicating red light, the transparent conductive film is emitted by the light emitting layer 33. Almost no light is scattered.
  • the island-shaped second electrode 25a which is a metal nanowire layer, is formed in an island shape in the opening 23a of the pixel bank 23, so that the common second electrode 25b made of a transparent conductive film is formed. Is formed in common to the plurality of light emitting elements X across the pixel banks 23, it is possible to prevent the light scattered by the metal nanowires NW from propagating to the other pixels P.
  • the display device 1 may have a pixel array other than the stripe array, and the pixel array is not particularly limited.
  • the metal nanowire layer that is, the second electrode 25
  • the metal nanowire layer is separated for each pixel P. It is possible to do.
  • the second electrode 25 has a two-layer structure consisting of a solid metal nanowire layer and a solid transparent conductive film, the same results as those shown in FIGS. 10A and 10B can be obtained. Needless to say, it can be done. Needless to say, also in the present embodiment, the electron transport layer 35 may be provided between the second electrode 25 and the electron injection layer 34.
  • the electron injection layer 34 is located between the light emitting layer 33 and the common second electrode 25b. Since the island-shaped second electrode 25a is provided, the light emitting layer 33 is not damaged during the sputtering film formation and the light emitting characteristics are not deteriorated.
  • FIG. 15 (a) and 15 (b) are cross-sectional views schematically showing a schematic configuration of the display device 1 according to the present embodiment
  • FIG. 15 (c) is a second electrode 25 according to the present embodiment. It is a perspective view which shows typically the structure of.
  • the plan view showing the schematic configuration of the main part of the display device 1 according to the present embodiment is the same as that in FIG.
  • each of the four corners of each pixel Pr, Pg, and Pb has a shape (arc shape) having a so-called roundness (roundness) that is curved instead of a right angle.
  • FIG. 15A corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA of the display device 1 shown in FIG. Further, FIG.
  • FIGS. 15A and 15B corresponds to a cross-sectional view taken along the line BB of the display device 1 shown in FIG.
  • the ratio of the layer thickness of each layer is changed and shown, and the illustration of each component in the thin film transistor layer 4 is omitted.
  • the sealing layer 6 and the functional film 7 are omitted for convenience of illustration.
  • FIGS. 15A and 15B show a non-light emitting state (power off state).
  • the second electrode 25 may include a metal nanowire NW and an electron transporting material.
  • the second electrode 25 shown in FIG. 15 (c) contains a metal nanowire NW and ZnO nanoparticles NP, which is an electron transporting material, and the electron injection layer 34 and the second electrode 25 are integrated.
  • the electron injection layer 34 is provided in contact with the light emitting layer 33 as an electron injection layer and an electron transport layer, and also serves as a second electrode 25.
  • the second electrode 25 according to the present embodiment is an electron injection layer (electron injection layer and electron transport layer), and it can be said that the electron injection layer contains metal nanowires NW.
  • the electron transport layer 35 may be provided between the second electrode 25 and the light emitting layer 33.
  • a metal nanowire dispersion liquid in which metal nanowire NW is dispersed in a solvent for example, a silver nanowire dispersion liquid
  • ZnO nanoparticles in which ZnO nanoparticles NP which is an electron transporting material
  • the dispersion liquid is mixed at a desired ratio, and the stirred mixed liquid is applied onto, for example, the light emitting layer 33 and dried (solvent removal).
  • the solvent water, ethanol, isopropanol, toluene, hexane and the like can be used, respectively.
  • the second electrode 25 in which the metal nowire NW and the ZnO nanoparticles NP are mixed is obtained.
  • metal nanowires NWs such as silver nanowires are randomly arranged three-dimensionally, and the metal nanowires NW pass through gaps of ZnO nanoparticles NP (average particle size 1 to 30 nm).
  • the above mixed solution may further contain a binder resin. Therefore, the second electrode 25 may further contain a binder resin.
  • the binder resin may be dispersed in a solvent together with ZnO nanoparticles NP and mixed with the metal nanowire dispersion liquid, or after being dispersed in the solvent in advance, mixed with the metal nanowire dispersion liquid and the ZnO nanoparticle dispersion liquid. May be good.
  • the binder resin for example, PVP (polyvinylpyrrolidone) or the like can be used.
  • the light emitting element X of the present embodiment has a first electrode 22 (anode), a hole injection layer 31, a hole transport layer 32, and a light emitting layer 33 (for example,).
  • the quantum dot light emitting layer) and the second electrode 25 (cathode) are provided in this order.
  • the display device 1 has a stripe arrangement, and in step S4 of forming the second electrode 25 including the metal nanowire NW on the functional layer 24, the above-mentioned mixed solution is used.
  • the pixel banks 23 only the pixel banks 23 in the pixel array having the same emission color straddle (that is, the pixel banks 23 between the pixels P having the same emission color straddle, but the pixels between the pixels P having different emission colors.
  • the bank 23 is applied on the light emitting layer 33 so as not to straddle the bank 23).
  • FIG. 16 shows a silver nanowire layer as a second electrode 25 on the light emitting element X (that is, the ZnO nanoparticle layer which is the electron injection layer 34) according to the first embodiment in the current density range of 0 to 50 mA / cm 2.
  • a light emitting element having a standardized external quantum efficiency UB (normalized value with respect to a reference value) of element X that is, a light emitting element X in which the second electrode 25 contains silver nanowires and ZnO nanoparticles
  • a cathode of a general silver thin film It is a graph which also shows the standardized external quantum efficiency Ua (normalized value with respect to a reference value) of.
  • the second electrode 25 contains silver nanowires and ZnO nanoparticles, so that the silver nanowires NW and the electron-transporting material ZnO nanoparticles NP in the second electrode 25
  • the contact area increases. Therefore, as shown in FIG. 16, within the range of current density of 0 to 50 mA / cm 2 , the normalized external quantum efficiency UB of the light emitting device X according to the present embodiment is the standardized external quantum efficiency UB of the light emitting device X according to the first embodiment. It is significantly improved as compared with the normalized external quantum efficiency UA and the normalized external quantum efficiency UA of a light emitting device having a cathode of a general silver thin film. Further, according to the present embodiment, the electron injection efficiency into the light emitting layer 33 can be improved by including the silver nanowires and ZnO nanoparticles in the second electrode 25 as described above.
  • the number of steps can be reduced as compared with the case where the electron injection layer 34 and the second electrode 25 are formed in separate steps as in the first embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view schematically showing a state in which only the light emitting element Xr of the red pixel Pr row in the display device 1 according to the present embodiment is made to emit light. That is, FIG. 17 schematically shows a state in which only the light emitting layer 33r is made to emit light. In FIG. 17, for convenience of illustration, the ratio of the layer thickness of each layer is changed and shown, and the illustration of each component in the thin film transistor layer 4 is omitted.
  • the plan view showing the state in which only the light emitting element Xr of the red pixel Pr row in the display device 1 according to the present embodiment is made to emit light is the same as (b) of FIG.
  • the second electrode 25 including the metal nanowire NW is set by the pixel bank 23 for each emission color (that is, the emission color is different).
  • a part of the functional layer 24 and a part of the second electrode 25 are shown by dark hatching showing red light in FIGS. 17 and 8 (b).
  • the second electrode 25 is formed in a solid shape like the second electrode 25 in the display device for comparison shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b), the second electrodes 25 are formed in the same solid shape as those shown in FIGS. Needless to say, a result similar to the result shown in b) can be obtained.
  • the volume ratio of the metal nanowire NW to the ZnO nanoparticles NP is preferably 1/49 to 1/9, and even more preferably 1/25 to 1/15.
  • FIG. 18 (a) and 18 (b) are cross-sectional views schematically showing a schematic configuration of the display device 1 according to the present embodiment
  • FIG. 18 (c) is a light emitting element X according to the present embodiment. It is sectional drawing which shows the structure schematically.
  • the plan view showing the schematic configuration of the main part of the display device 1 according to the present embodiment is the same as that in FIG.
  • each of the four corners of each pixel Pr, Pg, and Pb has a shape (arc shape) having a so-called roundness (roundness) that is curved instead of a right angle.
  • FIG. 18A corresponds to a cross-sectional view taken along the line CC of the display device 1 shown in FIG. Further, FIG.
  • FIG. 18B corresponds to a cross-sectional view taken along the line DD of the display device 1 shown in FIG. (A) and (b) of FIG. 18 show a non-light emitting state (power off state).
  • FIG. 19 is a cross-sectional view schematically showing a state in which only the light emitting element Xr of the red pixel Pr row in the display device 1 according to the present embodiment is made to emit light. That is, FIG. 19 schematically shows a state in which only the light emitting layer 33r is made to emit light.
  • the plan view showing the state in which only the light emitting element Xr of the red pixel Pr row in the display device 1 according to the present embodiment is made to emit light is the same as (b) of FIG.
  • FIGS. 18 (a) and 18 (b) and 19 for convenience of illustration, the ratio of the layer thickness of each layer is changed and shown, and each component of the thin film transistor layer 4 is shown, and the sealing layer 6 is shown. And the functional film 7 is not shown.
  • the second electrode 25 is formed on the island-shaped second electrode 25a formed in an island shape for each pixel P. It has a two-layer structure in which a common second electrode 25b common to all pixels P is laminated to cover the entire active region DA.
  • the island-shaped second electrode 25a contains a metal nanowire NW and an electron transporting material, like the second electrode 25 according to the third embodiment.
  • the island-shaped second electrode 25a according to the present embodiment may also further contain a binder resin like the second electrode 25 according to the third embodiment.
  • the island-shaped second electrode 25a shown in FIG. 18 (c) contains a metal nanowire NW and ZnO nanoparticles NP, which is an electron transporting material, and the electron injection layer 34 and the second electrode 25 are integrated. It has a modified structure. That is, in the present embodiment, the electron injection layer 34 is provided in contact with the light emitting layer 33 as an electron injection layer and an electron transport layer, and also serves as a part of the second electrode 25.
  • the island-shaped second electrode 25a according to the present embodiment is an electron injection layer (electron injection layer and electron transport layer), and it can be said that the electron injection layer contains the metal nanowire NW.
  • the island-shaped second electrode 25a is in contact with the functional layer 24 and is formed in an island shape as a part of the second electrode 25 in the opening 23a of the pixel bank 23.
  • the common second electrode 25b is a transparent conductive film that does not contain the metal nanowire NW (hereinafter, simply referred to as “transparent conductive film”), and as a part of the second electrode 25, a plurality of light emitting elements straddling the pixel bank 23. It is formed in a solid shape in common with X.
  • transparent conductive film for example, ITO, TZO and the like can be used.
  • the transparent conductive film can be formed by, for example, a sputtering method.
  • the second electrode 25 is provided with the metal nanowire NW as described above.
  • the resistance of the second electrode 25 can be reduced and the conductivity can be improved. ..
  • the transparent conductive film is formed in a solid shape in contact with the electrode layer containing the metal nanowire NW, so that the electrode layer containing the metal nanowire NW is formed into an island-shaped second.
  • the electrodes 25a can be formed in an island shape for each pixel P.
  • a part of the functional layer 24 and a part of the second electrode 25 are hatched in a dark color indicating red light, the transparent conductive film is the light emitting layer 33. It hardly scatters the light emitted in.
  • the island-shaped second electrode 25a containing the metal nanowire NW is formed in an island shape in the opening 23a of the pixel bank 23, so that the common second electrode 25b made of a transparent conductive film is formed. Is formed in common to the plurality of light emitting elements X across the pixel banks 23, it is possible to prevent the light scattered by the metal nanowires NW from propagating to the other pixels P.
  • the display device 1 may have a pixel array other than the stripe array, and the pixel array is not particularly limited.
  • the pixel array is not particularly limited.
  • the layer containing metal nanowires that is, the second electrode 25
  • the display device 1 may have a pixel array other than the stripe array, and the pixel array is not particularly limited.
  • the layer containing metal nanowires that is, the second electrode 25
  • the second electrode 25 has a two-layer structure of a solid electrode layer containing metal nanowires NW and a solid transparent conductive film
  • the results are the same as those shown in FIGS. 10A and 10B. Needless to say, the result of is obtained.
  • the electron transport layer 35 may be provided between the second electrode 25 and the light emitting layer 33.
  • the common second electrode 25b transparent conductive film
  • the island-shaped first electrode 25b is sandwiched between the light emitting layer 33 and the common second electrode 25b. Since the two electrodes 25a are provided, the light emitting layer 33 is not damaged during the sputtering film formation and the light emitting characteristics are not deteriorated.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of the display device 1 according to the present embodiment.
  • the plan view showing the schematic configuration of the main part of the display device 1 according to the present embodiment is the same as that in FIG.
  • each of the four corners of each pixel Pr, Pg, and Pb has a shape (arc shape) having a so-called roundness (roundness) that is curved instead of a right angle.
  • FIG. 20 corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA of the display device 1 shown in FIG.
  • the ratio of the layer thickness of each layer is changed and shown, and the illustration of each component in the thin film transistor layer 4 and the illustration of the sealing layer 6 and the functional film 7 are omitted. ..
  • the display device 1 shown in FIG. 20 has a configuration in which the hole injection layer 31 and the hole transport layer 32 are provided in this order between the first electrode 22 and the pixel bank 23 from the first electrode 22 side. are doing.
  • the pixel bank 23 covers the periphery (edge) of the first electrode 22 in each pixel P (in other words, each light emitting element X) in a plan view on the hole transport layer 32 (that is, in a plan view).
  • the opening 23a of the pixel bank 23 is located inside the edge of the first electrode 22), and the hole transport layer 32 in each pixel P is exposed.
  • the hole injection layer 31 and the hole transport layer 32 may be common layers common to all pixels P, respectively, which cover the entire active region DA. Therefore, the hole injection layer 31 and the hole transport layer 32 are commonly provided in the total light emitting element X so as to cover the upper surface and the side surface of the first electrode 22 in the total light emitting element X in a plan view, respectively. May be good.
  • the present embodiment is not limited to this, and at least one of the hole injection layer 31 and the hole transport layer 32 is patterned for each pixel P (in other words, for each light emitting element X). May be good. Therefore, the pixel bank 23 covers the periphery (edge) of the hole transport layer 32 in each pixel P (in other words, each light emitting element X) to expose the hole transport layer 32, and in plan view, each pixel P It may cover the periphery (edge) of the hole injection layer 31 in the above.
  • the hole injection layer 31 and the hole transport layer 32 can be formed in an island shape corresponding to each pixel P by patterning the hole injection layer 31 and the hole transport layer 32 by, for example, a photolithography method after the film formation.
  • the hole transport layer 32 is at least one of the light emitting elements X provided in the active region DA so as to cover the upper surface and the side surface of the pixel bank 23 in the pixel rows having the same emission color in a plan view. It may be provided in common to the light emitting elements X (in other words, a plurality of light emitting elements X having the same light emitting color and adjacent to each other).
  • the pixel bank 23 covers the periphery (edge) of the first electrode 22 in each pixel P on the hole transport layer 32 in a plan view. It is formed so as to expose the hole transport layer 32 in each pixel P. Therefore, in any case, the opening 23a of the pixel bank 23 (in other words, the exposed portion of the hole transport layer 32 by the pixel bank 23 and the exposed portion of the first electrode 22 in a plan view) is the exposed portion of each pixel P. It becomes a light emitting region.
  • the light emitting layer 33 and the second electrode 25 can be formed in the same island shape as in the third embodiment, and the same effect as in the third embodiment can be obtained.
  • the pixel bank 23 covers the periphery (edge) of the first electrode 22 in each pixel P in a plan view, and the hole transport layer in each pixel P.
  • the case where the 32 is formed so as to be exposed has been described as an example.
  • the pixel bank 23 covers the periphery (edge) of the first electrode 22 in each pixel P in a plan view and transports holes in each pixel P.
  • the layer 32 may be formed so as to be exposed.
  • FIG. 21 (a) is a cross-sectional view schematically showing the schematic configuration of the display device 1 according to the present embodiment
  • FIG. 21 (b) is a schematic diagram of the schematic configuration of the display device 1 according to the present embodiment. It is another cross-sectional view which shows.
  • the plan view showing the schematic configuration of the main part of the display device 1 according to the present embodiment is the same as that in FIG.
  • each of the four corners of each pixel Pr, Pg, and Pb has a shape (arc shape) having a so-called roundness (roundness) that is curved instead of a right angle.
  • FIG. 21A corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA of the display device 1 shown in FIG. Further, FIG.
  • FIGS. 21A and 21B corresponds to a cross-sectional view taken along the line BB of the display device 1 shown in FIG.
  • FIGS. 21A and 21B for convenience of illustration, the ratio of the layer thickness of each layer is changed and shown, each component of the thin film transistor layer 4 is illustrated, and the sealing layer 6 and the functional film are shown. The illustration of 7 is omitted.
  • the pixel bank 23 is placed on the light emitting layer 33 in a plan view, and the first pixel bank P (in other words, each light emitting element X) is the first.
  • the periphery (edge) of the electrode 22 is covered (that is, the opening 23a of the pixel bank 23 is located inside the edge of the first electrode 22 in a plan view), and the light emitting layer 33 in each pixel P is exposed. Is formed in.
  • the opening 23a of the pixel bank 23 (in other words, the exposed portion of the light emitting layer 33 by the pixel bank 23 and the exposed portion of the first electrode 22 in a plan view) is the light emitting region of each pixel P. It becomes.
  • the display device 1 has a plurality of light emitting layers 33 in the same pixel array so that the display device 1 has a stripe array in which pixels P having the same display color are arranged in a stripe shape. It is formed in an island shape straddling the pixel P of. Therefore, in a plan view, the light emitting layer 33 covers some of the plurality of pixels P (in other words, in other words, the pixels P) so as to cover the upper surfaces and the side surfaces of the plurality of adjacent first electrodes 22 in the same pixel row. It is commonly provided in some of the light emitting elements X) among the plurality of light emitting elements X.
  • the pixels P in which the light emitting layer 33 is provided in common are pixels P having the same emission color. Therefore, in the above-mentioned example, it can be rephrased that the light emitting layer 33 covers the upper surface and the side surface of the first electrode 22 of the adjacent light emitting elements X in the same pixel row in the light emitting color in a plan view.
  • the case where the light emitting layer 33 is formed in an island shape in common with some of the plurality of pixels P is taken as an example. Is illustrated. However, as shown in (a) and (b) of FIG. 3 or (a) and (b) of FIG. 13, the light emitting layer 33 has a pixel P for each pixel P in the active region DA.
  • the pattern may be formed in an island shape.
  • the case where the hole injection layer 31 and the hole transport layer 32 are common layers common to all pixels P, respectively, covering the entire active region DA is taken as an example. Illustrated by listing. However, at least one of the hole injection layer 31 and the hole transport layer 32 may be formed in an island shape for each pixel row or each pixel P having the same emission color, for example, the light emitting layer 33. The pattern may be formed so as to have the same pattern as.
  • the light emitting layer 33 is patterned so as to have a desired island-like pattern by patterning the light emitting layer 33 using, for example, a photolithography method after the film formation.
  • the hole injection layer 31 and the hole transport layer 32 may also be patterned so as to have a desired island-like pattern by patterning after film formation using, for example, a photolithography method.
  • the second electrode 25 can be formed in the same island shape as in the third embodiment, and the same effect as in the third embodiment can be obtained.
  • the pixel bank 23 By providing the pixel bank 23 on the light emitting layer 33 in this way, only the second electrode 25 (more strictly, only the layer containing the metal nanowire NW) may be separated by the pixel bank 23.
  • the pixel bank 23 is formed so as to cover the periphery (edge) of the first electrode 22 in each pixel P and expose the light emitting layer 33 in each pixel P in a plan view.
  • the pixel bank 23 covers the periphery (edge) of the first electrode 22 in each pixel P in a plan view, and the light emitting layer 33 in each pixel P. Needless to say, it may be formed so as to expose.
  • Display device 4 Thin film transistor layer 5
  • Light emitting element layer 22 First electrode 23
  • Functional layer 25 2nd electrode 25a Island-shaped 2nd electrode 25b Common 2nd electrode 32 Hole transport layer 33, 33r, 33g, 33b
  • Electron injection layer 35 Electron transport layer P, Pr, Pg, Pb Pixel X, Xr, Xg, Xb light emitting element

Abstract

表示装置（１）は、第１電極（２２）と、発光層（３３）を含む機能層（２４）と、第２電極（２５）とが、この順に設けられた、発光色が互いに異なる発光素子を含む複数の発光素子（Ｘ）を有する発光素子層（５）を備え、上記第２電極が、金属ナノワイヤ（ＮＷ）を含み、上記発光素子層に、上記金属ナノワイヤを少なくとも発光色毎に区切る画素バンク（２３）が設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関する。
　従来、トップエミッション型の自発光素子を有する表示装置では、発光層の上方に設けられた上部電極である第２電極に、マグネシウム銀合金等の半透光性の金属薄膜（例えば特許文献１参照）あるいはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透光性の金属酸化物薄膜が使用されている（例えば特許文献２参照）。
　一方、透明導電膜として、金属ナノワイヤを用いた透明導電膜が知られている（例えば特許文献３参照）。
日本国公開特許公報「特開２０１７－１８３５１０号」 日本国公開特許公報「特開２０１４－７８０１４号」 日本国公開特許公報「特開２０１１－２９０３７号」
　しかしながら、上記第２電極に、マグネシウム銀合金等の半透光性の金属薄膜を用いた場合には光の透過率が低く、一部の光が反射してキャビティ効果が生じることで視覚特性が悪化するという問題を生じることがある。一方、上記第２電極に、ＩＴＯ等の透光性の金属酸化物薄膜を用いた場合には、例えば、そのスパッタ成膜時に発光層などへのダメージが生じて、発光特性の低下を招くという問題を生じることがある。
　そこで、上記第２電極に、金属ナノワイヤを用いた透明導電膜を使用することが考えられる。上記第２電極は、一般的に、上記特許文献１に示すように各画素に共通に設けられる。しかしながら、本願発明者らが鋭意検討した結果、本願発明者らは、上記第２電極に金属ナノワイヤを使用した場合、発光層から発光された光が金属ナノワイヤで散乱され、混色を起こすことがあることを見出した。
　本発明の一態様は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、発光特性が低下するのを防ぎつつ、視角特性を改善することができるとともに、金属ナノワイヤの散乱による混色を防止することができる表示装置を実現することにある。
　本発明の一実施形態にかかる表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に、上記薄膜トランジスタ層側から、第１電極と、発光層を含む機能層と、第２電極とが、この順に設けられた、発光色が互いに異なる発光素子を含む複数の発光素子を有する発光素子層と、を備え、上記第２電極が、金属ナノワイヤを含み、上記発光素子層に、上記金属ナノワイヤを少なくとも発光色毎に区切るバンクが設けられている。
　本発明の一態様によれば、発光特性が低下するのを防ぎつつ、視角特性を改善することができるとともに、金属ナノワイヤの散乱による混色を防止することができる表示装置を実現することができる。
（ａ）は、実施形態１に係る表示装置の概略構成を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、実施形態１に係る表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。 実施形態１に係る表示装置の要部の概略構成を示す平面図である。 （ａ）は、図２に示す表示装置のＡ－Ａ線矢視断面を模式的に示す図であり、（ｂ）は、図２に示す表示装置のＢ－Ｂ線矢視断面を模式的に示す図である。 （ａ）は、実施形態１に係る第２電極のＳＥＭ写真を示す図であり、（ｂ）は、実施形態１に係る第２電極の構成を模式的に示す斜視図であり、（ｃ）は実施形態１に係る金属ナノワイヤの長さを模式的に示す説明図である。 実施形態１に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 第２電極にメッシュ状の銀ナノワイヤ電極を用いたときの該第２電極の光透過率および光反射率と、第２電極に銀薄膜電極を用いたときの該第２電極の光透過率および光反射率と、を併せて示すグラフである。 （ａ）は、発光素子がＱＬＥＤである場合に、第２電極にメッシュ状の銀ナノワイヤ電極を用いたときの、極角に対する、正面発光強度で規格化した規格化発光強度の特性と、第２電極に銀薄膜電極を用いたときの、極角に対する規格化強度の特性と、を併せて示すグラフであり、（ｂ）は、発光素子が赤色発光の量子ドット発光層を備えたＱＬＥＤである場合に、第２電極にメッシュ状の銀ナノワイヤ電極を用いたときの、発光ピーク波長の発光強度で規格化した発光波長特性と、第２電極に銀薄膜電極を用いたときの、発光ピーク波長の発光強度で規格化した発光波長特性と、を併せて示すグラフである。 （ａ）は、実施形態１に係る表示装置における赤色の画素列の発光素子のみを発光させた状態を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、実施形態１に係る表示装置における赤色の画素列の発光素子のみを発光させた状態を模式的に示す平面図である。 （ａ）は、比較用の表示装置の要部の概略構成を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、比較用の表示装置の要部の概略構成を模式的に示す平面図である。 （ａ）は、図９の（ａ）・（ｂ）に示す比較用の表示装置における赤色の画素列の発光素子のみを発光させた状態を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、図９の（ａ）・（ｂ）に示す比較用の表示装置における赤色の画素列の発光素子のみを発光させた状態を模式的に示す平面図である。 実施形態１の変形例に係る表示装置の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。 実施形態２に係る表示装置の要部の概略構成を示す平面図である。 （ａ）は、図１２に示す表示装置のＣ－Ｃ線矢視断面を模式的に示す図であり、（ｂ）は、図１２に示す表示装置のＤ－Ｄ線矢視断面を模式的に示す図である。 （ａ）は、実施形態２に係る表示装置における赤色の画素列の発光素子のみを発光させた状態を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、実施形態２に係る表示装置における赤色の画素列の発光素子のみを発光させた状態を模式的に示す平面図である。 （ａ）・（ｂ）は、実施形態３に係る表示装置の概略構成を模式的に示す断面図であり、（ｃ）は、実施形態３に係る第２電極の構成を模式的に示す斜視図である。 電流密度が０～５０ｍＡ／ｃｍ２の範囲内における、実施形態１に係る発光素子の規格化外部量子効率と、該実施形態１に係る発光素子の規格化外部量子効率でそれぞれ規格化した、実施形態３に係る発光素子の規格化外部量子効率および一般的な銀薄膜の陰極を有する発光素子の規格化外部量子効率と、を併せて示すグラフである。 実施形態３に係る表示装置における赤色の画素列の発光素子のみを発光させた状態を模式的に示す断面図である。 （ａ）・（ｂ）は、実施形態４に係る表示装置の概略構成を模式的に示す断面図であり、（ｃ）は、実施形態４に係る発光素子の構成を模式的に示す断面図である。 実施形態４に係る表示装置における赤色の画素列の発光素子のみを発光させた状態を模式的に示す断面図である。 実施形態５に係る表示装置の概略構成を模式的に示す断面図である。 （ａ）は、実施形態６に係る表示装置の概略構成を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、実施形態６に係る表示装置の概略構成を模式的に示す他の断面図である。
　〔実施形態１〕
　以下、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　＜表示装置の概略構成＞
　図１の（ａ）は、本実施形態に係る表示装置１の概略構成を模式的に示す平面図であり、図１の（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成を示す断面図である。図２は、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成を示す平面図である。なお、図２では、図示の便宜上、図１の（ｂ）に示す封止層６および機能フィルム７の図示を省略している。また、図２では、図示の便宜上、各画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂを矩形状としているが、後述する図８の（ｂ）に示すように、各画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂの４個の隅部は、それぞれ、直角ではなく湾曲したいわゆるラウンド（丸み）を有する形状（円弧形状）を有している。
　図１の（ｂ）に示すように、本実施形態に係る表示装置１は、自発光型の表示装置であり、支持体２上に、発光素子層５が設けられた構成を有している。発光素子層５は、封止層６で封止されている。封止層６上には、機能フィルム７が貼り付けられている。支持体２は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）基板であり、基材１２と、バリア層３（ベースコート層）と、駆動素子層としての薄膜トランジスタ層４とを、下層側からこの順に備えている。したがって、表示装置１では、基材１２上に、バリア層３、薄膜トランジスタ層４、発光素子層５、封止層６、機能フィルム７が、この順に設けられている。表示装置１の表示領域ＤＡには、表示色が異なる複数の画素Ｐが形成されている。本実施形態では、画素Ｐとして、赤（Ｒ）色の画素Ｐｒ、緑（Ｇ）色の画素Ｐｇ、青（Ｂ）色の画素Ｐｂが形成されている。本実施形態では、これらＲＧＢの３つの画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂで１つの絵素が構成されている。なお、本実施形態では、これら画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂを区別する必要がない場合、これら画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂを総称して単に画素Ｐと称する。
　図１の（ａ）に示すように、表示領域ＤＡを取り囲む額縁領域ＮＡは４つの辺縁Ｆａ～Ｆｄからなり、額縁領域ＮＡの一部（例えば辺縁Ｆｄ）には、電子回路基板（ＩＣチップ、ＦＰＣ等）をマウントするための端子部ＴＡが形成される。端子部ＴＡには、複数の端子ＴＭが含まれる。各辺縁Ｆａ～Ｆｄにはドライバ回路（図示せず）を形成することができる。
　基材１２は、ガラス基板でもよいし、ポリイミド等の樹脂膜を含む可撓性基板でもよい。２層の樹脂膜およびこれらに挟まれた無機絶縁膜によって可撓性基板を構成することもできる。基材１２の下面にＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等のフィルムを貼ってもよい。基材１２に可撓性基板を使用し、表示装置１として、可撓性を有するフレキシブル表示装置を形成することもできる。
　バリア層３は、水、酸素等の異物が薄膜トランジスタ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相堆積）法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　図１の（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ層４は、半導体膜１５を含む半導体層、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、ゲート電極ＧＥを含む第１金属層、無機絶縁膜１８、容量電極ＣＥを含む第２金属層、無機絶縁膜２０、データ信号線ＤＬを含む第３金属層、および平坦化膜２１（層間絶縁膜）を含む。これらの層は、バリア層３上に、該バリア層３側（つまり、下層側）からこの順に設けられている。
　半導体層は、例えば、アモルファスシリコン、ＬＴＰＳ（低温ポリシリコン）、または酸化物半導体で構成され、ゲート電極ＧＥおよび半導体膜１５を含むように、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ＴＲが構成される。薄膜トランジスタ層４には、複数の薄膜トランジスタＴＲが設けられている。
　表示領域ＤＡには、画素Ｐ毎に発光素子Ｘおよび画素回路が設けられている。薄膜トランジスタ層４には、この画素回路およびこれに接続する配線が形成される。画素回路に接続する配線としては、例えば、第１金属層に形成される、走査信号線ＧＬおよび発光制御線ＥＭ、第２金属層に形成される初期化電源線ＩＬ、第３金属層に形成される、データ信号線ＤＬおよび高電圧側電源線ＰＬ等が挙げられる。画素回路には、薄膜トランジスタＴＲとして、発光素子Ｘの電流を制御する駆動トランジスタ、走査信号線ＧＬと電気的に接続する書き込みトランジスタ、および発光制御線ＥＭに電気的に接続する発光制御トランジスタ等が含まれる。
　第１金属層、第２金属層、および第３金属層は、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、および銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは複層膜によって構成される。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５は、第１電極２２、画素バンク２３（バンク）、機能層２４（活性層）、および第２電極２５を含む。第１電極２２は、薄膜トランジスタ層４における平坦化膜２１上に、画素Ｐ毎に島状にパターン形成されている。第１電極２２は、平坦化膜２１に設けられたコンタクトホールを介して、上記駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタＴＲに電気的に接続されている。
　画素バンク２３は、各画素Ｐにおける発光領域を規定する格子状の画素分離壁であり、画素バンク２３による第１電極２２の露出部（言い換えれば、平面視で画素バンク２３の下端間に形成される、画素バンク２３の開口部２３ａ）が各画素Ｐの発光領域となる。本実施形態では、画素バンク２３は、平坦化膜２１および第１電極２２上に、第１電極２２の周囲（エッジ）を覆うように形成されている。これにより、本実施形態に係る画素バンク２３は、第１電極２２のパターン端部における電界集中等による第１電極２２と第２電極２５との短絡を防止するためのエッジカバーとして機能する。画素バンク２３は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。
　発光素子層５には、発光素子Ｘとして、発光色が互いに異なる発光素子が複数設けられている。具体的には、発光素子層５には、発光色が赤（Ｒ）色の発光素子Ｘｒ（赤色発光素子）、発光色が緑（Ｇ）色の発光素子Ｘｇ（緑色発光素子）および発光色が青（Ｂ）色の発光素子Ｘｂ（青色発光素子）が形成されている。なお、本実施形態では、これら画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂを区別する必要がない場合、これら発光素子Ｘｒ・Ｘｇ・Ｘｂを総称して単に発光素子Ｘと称する。各発光素子Ｘは、第１電極２２、機能層２４（活性層）、および第２電極２５を含む。図２に示すように、本実施形態に係る表示装置１は、ストライプ配列と称される、表示色が同じ画素Ｐがストライプ状に配列された画素配列を有している。第２電極２５は、発光色が同じ、画素Ｐｒ列、画素Ｐｇ列、画素Ｐｂ列毎に、それぞれの画素Ｐｒ、画素Ｐｇ、画素Ｐｂに共通して形成されている。第２電極２５は、額縁領域ＮＡにおける平坦化膜２１に設けられた図示しないトレンチで、第１電極２２と同層に第１電極２２と同材料で形成された図示しない導電膜と接触（電気的に接続）している。なお、発光素子Ｘの詳細については、後で説明する。
　封止層６は透光性を有し、図１の（ｂ）に示すように、例えば、下層側（発光素子層５側）から順に、無機封止膜２６、有機封止膜２７、および無機封止膜２８を備えている。但し、これに限定されず、封止層６は、無機封止膜の単層、または、有機封止膜および無機封止膜の５層以上の積層体で形成されてもよい。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　有機封止膜２７は、平坦化効果および透光性を有し、塗布可能な有機材料を用いて、例えばインクジェット塗布によって形成することができる。無機封止膜２６・２８は無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　図１の（ａ）に示すように、額縁領域ＮＡには、枠状バンクＢＫが、前記トレンチよりも外側に、アクティブ領域ＤＡを囲んで設けられている。枠状バンクＢＫは、有機封止膜２７の材料となる樹脂の流動を堰き止めることで、有機封止膜２７のエッジを規定する。有機封止膜２７のエッジは、枠状バンクＢＫの一部と重なっている。
　枠状バンクＢＫは、例えば画素バンク２３を形成する際に、例えば画素バンク２３と同じ材料で薄膜トランジスタ層４上に形成する。なお、枠状バンクＢＫの高さを高くするために、平坦化膜２１の形成時に、平坦化膜２１と同じ材料で、平坦化膜２１を囲むように、枠状バンクＢＫの一部となる下層バンクを平坦化膜２１と同層に形成した後、画素バンク２３を形成する際に、上記下層バンク上に、画素バンク２３と同じ材料で上層バンクを形成してもよい。なお、枠状バンクＢＫは、多重枠（図１の（ａ）に示すように例えば二重枠）状に形成されていてもよい。
　機能フィルム７としては、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、および保護機能の少なくとも１つを有するフィルムが挙げられる。
　＜発光素子Ｘの概略構成＞
　図３の（ａ）は、図２に示す表示装置１のＡ－Ａ線矢視断面を模式的に示す図であり、図３の（ｂ）は、図２に示す表示装置１のＢ－Ｂ線矢視断面を模式的に示す図である。なお、図３の（ａ）・（ｂ）では、図示の便宜上、各層の層厚の比率を変更して示すとともに、図１の（ｂ）に示す封止層６および機能フィルム７の図示並びに薄膜トランジスタ層４における各構成要素の図示を省略している。また、図３の（ａ）・（ｂ）は、非発光状態（電源オフ状態）を示している。
　図３の（ａ）・（ｂ）に示すように、本実施形態に係る発光素子Ｘにおける機能層２４は、例えば、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３３、電子注入層３４を含んでいる。発光素子Ｘは、例えば、第１電極２２上に、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３３、電子注入層３４を、第１電極２２側（すなわち、下層側）からこの順に積層することで構成される。これら機能層２４は、蒸着法あるいはインクジェット法、フォトリソグラフィ法によって、画素バンク２３の開口部２３ａ内に、島状に形成される。
　なお、図３の（ａ）・（ｂ）では、第１電極２２が陽極であり、第２電極２５が陰極であり、薄膜トランジスタ層４側から、陽極（第１電極２２）、機能層２４、陰極（第２電極２５）がこの順に設けられている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、発光素子Ｘは、上記構成に限定されるものではなく、薄膜トランジスタ層４側から、陰極、機能層２４、陽極の順に設けられていてもよい。この場合、機能層２４は、下層側から順に、電子注入層３４、発光層３３、正孔輸送層３２、正孔注入層３１を積層することで構成される。これら機能層２４は、例えば、蒸着法、インクジェット法、あるいはフォトリソグラフィ法等によって、画素バンク２３の開口部２３ａ毎（言い換えれば、画素Ｐ毎）に、島状に形成される。
　各発光素子Ｘは、例えば、発光層３３として量子ドット層を含む自発光素子であるＱＬＥＤ（量子ドット発光ダイオード）であってもよいし、発光層３３として有機層を含む自発光素子であるＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）であってもよい。
　赤色発光素子である発光素子Ｘｒには、発光層３３として、発光色が赤色の発光層３３ｒが形成されている。緑色発光素子である発光素子Ｘｇには、発光層３３として、発光色が緑色の発光層３３ｇが形成されている。青色発光素子である発光素子Ｘｂには、発光層３３として、発光色が青色の発光層３３ｂが形成されている。本実施形態では、これら発光層３３ｒ・３３ｇ・３３ｂを区別する必要がない場合、これら発光層３３ｒ・３３ｇ・３３ｂを総称して単に発光層３３と称する。
　なお、図３の（ａ）・（ｂ）では、同じ層には、同じハッチングを施している。以降の図において、例えば、発光層３３ｒには、図３の（ａ）・（ｂ）に示す発光層３３ｒと同じ斜めクロスハッチを付し、発光層３３ｇには、図３の（ａ）に示す発光層３３ｇと同じドットハッチを付し、発光層３３ｂには、図３の（ａ）に示す発光層３３ｂと同じ破線ハッチを付す。したがって、図３の（ａ）・（ｂ）に示す発光層３３ｒ・３３ｇ・３３ｂと同じハッチングが施されている部分は、図３の（ａ）・（ｂ）に示す発光層３３ｒ・３３ｇ・３３ｂと同じ色に発光する。
　画素バンク２３は、基本的に、撥水性を有している。このため、発光層３３としてＱＬＥＤの量子ドット層を形成する場合には、例えば、溶媒中に量子ドットを分散させた溶液を、例えばインクジェット法により、画素バンク２３の開口部２３ａ内に選択的に塗布することで、各画素Ｐに対応した島状の量子ドット層を形成することができる。但し、画素バンク２３は、必ずしも撥水性を有していなくてもよい。
　発光層３３としてＯＬＥＤの有機層を蒸着形成する場合には、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって、各画素Ｐに対応した島状の有機層が形成される。
　正孔注入層３１には、公知の正孔輸送性材料を使用することができる。好適には、正孔注入層３１は、例えば、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）、ＨＡＴ－ＣＮ（ジピラジノ［２，３-Ｆ：２’，３’－Ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル）、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（４－スチレンスルホン酸）をドープしたポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン））、ｍ－ＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’－トリス［（３－エチルフェニル）フェニルアミノ］トリフェニルアミン）、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’－トリス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］トリフェニルアミン）、ＭｏＯ３（三酸化モリブデン）、ＷＯ（酸化タングステン）等からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料で構成することができる。
　正孔輸送層３２には、公知の正孔輸送性材料を使用することができる。好適には、正孔輸送層３２は、例えば、ｐ－ＴＰＤ（ポリ［トリフェニルアミン誘導体］）、α－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン）、ＴＣＴＡ（Ｈ－１（トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン）、ＴＦＢ（ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）、ＰＶＫ（ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール））、ＣＢＰ（４，４’－ビス（９－カルバゾイル）－ビフェニル）、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（１－ナフチル）－１，１’－ジフェニル－４，４’－ジアミン）、ＤＮＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ビス［４－ジ（ｍ－トリル）アミノフェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン）等からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料で構成することができる。
　本実施形態に係る電子注入層３４は、電子輸送層を兼ねており、電子注入層兼電子輸送層として、発光層３３に接して設けられている。電子注入層３４には、公知の電子輸送性材料を使用することができる。好適には、電子注入層３４は、例えば、ｔ－Ｂｕ－ＰＢＤ（２－（４’－ｔ－ブチルフェニル）－５－（４’’－ビフェニルイル）－１，３，４－オキサジアゾール）、ＴＰＢｉ（１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノ粒子、ＭｇＺｎＯ（酸化マグネシウム亜鉛）ナノ粒子等からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料で構成することができる。発光素子がＱＬＥＤである場合、電子注入層３４には、ＺｎＯナノ粒子あるいはＭｇＺｎＯナノ粒子が使用されることが多い。但し、本実施形態では、これに限定されるものではなく、後述する変形例に示すように、電子注入層３４とは別に電子輸送層が設けられていても構わない。
　第１電極２２は、光反射性を有し、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｇ合金（Ａｇを含む合金）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金（Ａｌを含む合金）、ＭｇＡｇ合金（Ｍｇ（マグネシウム）とＡｇとを含む合金）、ＡｇとＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）との積層体、Ａｇ合金とＩＴＯとの積層体、ＡｌとＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との積層体、Ａｌ合金とＩＺＯとの積層体等で構成することができる。なお、ＩＴＯは、Ａｇの腐食防止機能を有する。
　第２電極２５は、後述のように、金属ナノワイヤＮＷ（図４の（ａ）～（ｃ）参照、例えば、銀ナノワイヤ）を含むように構成され、高い光透過性を有する。
　各発光素子ＸがＯＬＥＤである場合、第１電極２２および第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子とが発光層３３内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。第２電極２５が高い透光性を有し、第１電極２２が光反射性であるため、発光層３３から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　各発光素子ＸがＱＬＥＤである場合、第１電極２２および第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子とが発光層３３内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
　なお、発光素子層５には、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。
　図４の（ａ）は、第２電極２５のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）写真を示す図であり、図４の（ｂ）は、第２電極２５の構成を模式的に示す斜視図であり、図４の（ｃ）は金属ナノワイヤＮＷの長さを模式的に示す説明図である。
　本実施形態では、上部電極である第２電極２５は、金属ナノワイヤ層であり、図４の（ａ）・（ｂ）に示すような、メッシュ状の金属ナノワイヤＮＷで構成される。第２電極２５は、画素バンク２３によって、発光色毎に区切られている。したがって、金属ナノワイヤＮＷは、画素バンク２３によって、発光色毎に区切られている。
　金属ナノワイヤＮＷとしては、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）、およびＣｕ（銅）のうち少なくとも１つを含むナノワイヤが挙げられる。金属ナノワイヤＮＷは、単一の金属からなるナノワイヤであってもよく、上記金属のうち２つ以上の金属を含む合金からなるナノワイヤであってもよい。
　なお、第２電極２５における金属ナノワイヤＮＷの重なり層数は、２～８層、好適には３～６層である。上記金属ナノワイヤＮＷの直径（Φ）は、５～１００ｎｍ、好適には１０～８０ｎｍ、より好適には２０～５０ｎｍである。金属ナノワイヤＮＷの長さ（トレース長）は、１～１００μｍ、好適には５～５０μｍ、より好適には８～３０μｍである。なお、これらの値はＳＥＭ等の観察により得ることができる。金属ナノワイヤＮＷの電気抵抗（表面抵抗）は、５～２００Ω／Ｓｑ、好適には１０～１００Ω／Ｓｑ、より好適には１０～５０Ω／Ｓｑである。
　また、金属ナノワイヤＮＷの長さ（平均トレース長）は、図４の（ｃ）に示すように、端子部ＴＡの隣り合う端子ＴＭ１・ＴＭ２間の距離（端子間隙幅）Ｐｃよりも小さいことが望ましい。これにより、第２電極２５の形成時に金属ナノワイヤＮＷが端子部ＴＡに混入しても、金属ナノワイヤＮＷによる端子ＴＭ１・ＴＭ２間の短絡の発生を防止することができる。
　＜表示装置１の製造方法＞
　次に、上記表示装置１の製造方法について説明する。図５は、上記表示装置１の製造方法を示すフローチャートである。
　図１の（ｂ）および図５に示すように、本実施形態では、まず、基材１２上に、バリア層３および薄膜トランジスタ層４を形成する（ステップＳ１）。次に、薄膜トランジスタ層４の平坦化膜２１上に、第１電極２２を、スパッタ法およびフォトリソグラフィ法を用いて形成する（ステップＳ２）。次いで、画素バンク２３および機能層２４を形成する（ステップＳ３）。本実施形態では、ステップＳ３において、パターン化された第１電極２２のエッジを覆うように画素バンク２３を形成した後、画素バンク２３の開口部２３ａ内に、第１電極２２側から、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３３、電子注入層３４を、この順に形成する。
　次いで、機能層２４上に、金属ナノワイヤＮＷを含む第２電極２５を形成する（ステップＳ４）。ステップＳ４では、例えば、画素バンク２３のうち、発光色が同じ画素列における画素バンク２３のみを跨ぐ（つまり、発光色が同じ画素Ｐ間の画素バンク２３は跨ぐが、発光色が異なる画素Ｐ間の画素バンク２３は跨がない）ように、電子注入層３４上に、溶媒に金属ナノワイヤＮＷを分散させた金属ナノワイヤインクを塗布した後、塗布された金属ナノワイヤインクの乾燥（溶媒除去）を行う。この結果、電子注入層３４上に、図４の（ａ）～（ｃ）に示すような、メッシュ状の金属ナノワイヤＮＷで構成された第２電極２５が形成される。これにより、薄膜トランジスタ層４上に、発光素子Ｘを含む発光素子層５が形成される。上記溶媒（分散媒）には、例えば、水、エタノール、イソプロパノール、トルエン、ヘキサン等を用いることができる。なお、上記金属ナノワイヤインクには、バインダ剤、分散剤、その他添加剤等が含まれていてもよい。このように第２電極２５を、金属ナノワイヤインクの塗布および乾燥で形成する場合、スパッタ法あるいは蒸着法を用いる場合と比較して、発光層３３（例えば、量子ドット発光層）への影響が小さいというメリットがある。この結果、表示装置１の発光特性が低下するのを防ぐことができる。
　また、メッシュ状の金属ナノワイヤＮＷで構成された第２電極２５は、一般的なＡｇ薄膜等よりも可撓性に優れるため、フレキシブルな表示装置１の共通電極として好適である。
　次に、その後、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次に、必要に応じて、フレキシブル化工程（ステップＳ６）を行う。表示装置１としてフレキシブル表示装置を製造する場合、ステップＳ１では、まず、透光性の支持基板として例えばマザーガラスを使用し、該マザーガラス上に樹脂層を形成することで、基材１２として、マザーガラスおよび樹脂層からなる基材を準備した後、上記樹脂層上に、バリア層３および薄膜トランジスタ層４を形成する。その後、ステップＳ２～ステップＳ５を行った後、ステップＳ６で、封止層６上に、図示しない上面フィルムを貼り付ける。次いで、上記マザーガラス越しに、上記樹脂層の下面にレーザ光を照射してマザーガラスと樹脂層との結合力を低下させ、マザーガラスを樹脂層から剥離する。その後、該樹脂層の下面に、図示しない下面フィルムを貼り付ける。これにより基材１２として、マザーガラスの代わりに、下面フィルムおよび樹脂層からなる基材層が形成された支持体が形成される。
　次いで、これら基材１２、バリア層３、薄膜トランジスタ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ７）。次に、上記個片に機能フィルム７を貼り付ける（ステップＳ８）。その後、アクティブ領域ＤＡよりも外側の額縁領域ＮＡの一部（端子部ＴＭ）に電子回路基板（例えば、ＩＣ（integrated circuits：集積回路）チップおよびＦＰＣ（Flexible Printed Circuits：フレキシブルプリント配線）基板）を実装する（ステップＳ９）。これにより、表示装置１が完成する。
　なお、表示装置１としてソリッド（非フレキシブル）な表示装置を製造する場合は、樹脂層の形成並びに基材１２の付け替え等が不要であるため、ステップＳ５後、ステップＳ７に移行する。また、表示装置１としてソリッドな表示装置を製造する場合は、ステップＳ５で封止層６を形成する代わりに、あるいは、それに加えて、透光性の封止部材を、封止接着剤によって、窒素雰囲気下で接着してもよい。透光性の封止部材は、ガラスおよびブラスチック等から形成可能であり、凹形状であることが好ましい。なお、ステップＳ１～Ｓ９は、表示装置製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。
　＜効果＞
　次に、本実施形態に係る表示装置１の効果について説明する。
　図６は、第２電極２５にメッシュ状の銀ナノワイヤ電極を用いたときの該第２電極２５の光透過率（ＣＡ）および光反射率（ＲＢ）と、第２電極２５に銀薄膜電極を用いたときの該第２電極２５の光透過率（Ｃａ）および光反射率（Ｒｂ）と、を併せて示すグラフである。
　また、図７の（ａ）は、発光素子ＸがＱＬＥＤである場合に、第２電極２５にメッシュ状の銀ナノワイヤ電極を用いたときの、極角に対する、正面発光強度で規格化した発光強度である規格化発光強度の特性（赤色の特性ＦＲ、緑色の特性ＦＧ、青色の特性ＦＢ）と、第２電極２５に銀薄膜電極を用いたときの、極角に対する、正面発光強度で規格化した発光強度である規格化発光強度の特性（赤色の特性Ｆｒ、緑色の特性Ｆｇ、青色の特性Ｆｂ）と、を併せて示すグラフである。また、図７の（ｂ）は、発光素子Ｘが、発光層３３ｒとして赤色発光の量子ドット発光層（発光ピーク波長６２０ｎｍ、半値幅２５ｎｍ）を備えたＱＬＥＤである場合に、第２電極２５にメッシュ状の銀ナノワイヤ電極を用いたときの、発光ピーク波長の発光強度で規格化した発光波長特性（赤色発光特性ＫＡ）と、第２電極２５に銀薄膜電極を用いたときの、発光ピーク波長の発光強度で規格した発光波長特性（赤色発光特性Ｋａ）と、を併せて示すグラフである。
　なお、図６および図７の（ａ）中、機能層２４における各層の厚みは、各発光素子Ｘｒ・Ｘｇ・Ｘｂ間で共通化している。
　図６に示す結果から、上部電極である第２電極２５が銀ナノワイヤ電極である場合、該第２電極２５の光透過率（ＣＡ）が、３８０～７８０ｎｍの波長領域において、比較対象である銀薄膜電極の光透過率（Ｃａ）よりも高く、４００ｎｍ～７８０ｎｍの波長領域では８０％を越えることが判る。また、上部電極である第２電極２５が銀ナノワイヤ電極である場合、該第２電極２５の光反射率（ＲＢ）が、３８０～７８０ｎｍの波長領域において、比較対象である銀薄膜電極の光反射率（Ｒｂ）よりも低く、４００～７８０ｎｍの波長領域では１５％未満であることが判る。
　したがって、上記結果から、上述したように第２電極２５をメッシュ状の金属ナノワイヤＮＷで構成することで、トップエミッション構造における光の取り出し効率の向上、および良好な視覚特性を得ることができることが判る。
　また、図７の（ａ）に示す結果から、上記第２電極２５が銀ナノワイヤ電極である場合の、赤色の特性ＦＲ、緑色の特性ＦＧ、および青色の特性ＦＢは、上記第２電極２５が銀薄膜電極である場合の、赤色の特性Ｆｒ、緑色の特性Ｆｇ、および青色の特性Ｆｂと比較して、３色全てにおいてランバーシアン（Lambertian）配光特性ＦＳに近づいていることが判る。なお、ランバーシアン配向特性ＦＳとは、垂直正面を０°として、角度θ方向の放射強度が光軸上の放射強度のｃｏｓθ倍で表される、理想的な配光特性を示す。
　さらに、図７の（ｂ）に示す結果から、上記第２電極２５が銀薄膜電極である場合の赤色発光特性Ｋａは、第１電極２２と第２電極２５との間のキャビティ効果（共振効果）が悪影響となり、発光ピーク波長が、長波長側にシフトして６３０ｎｍを越え、かつ、半値幅が３２ｎｍである一方、上記第２電極２５が銀ナノワイヤ電極である場合の赤色発光特性ＫＡは、発光ピーク波長が約６２０ｎｍであり、かつ、半値幅が約２５ｎｍであり、第２電極２５が銀薄膜電極である場合に比べて発光ピーク波長シフトが小さく、半値幅が狭く、キャビティ効果の影響が抑制されていることが判る。
　このように、第２電極２５に、銀ナノワイヤ電極のように高透過率の金属ナノワイヤ電極を用いた場合、キャビティ効果が殆ど発現しない。よって、上述したように、金属ナノワイヤで構成される電極を、キャビティ効果が悪影響となるＱＬＥＤの第２電極２５に適用することで、より大きな効果（つまり、視角特性の改善効果）を得ることができる。また、図７の（ａ）に示すように、第２電極２５に、銀ナノワイヤ電極のように高透過率の金属ナノワイヤ電極を用いた場合、キャビティ効果が殆ど発現しないことから、第１電極２２および第２電極２５間の各層（つまり、機能層２４における各層）の層厚は、発光素子Ｘｒ・Ｘｇ・Ｘｂ間で最適値に合わせなくともランバーシアン配光に近づけることができ、これら各層の層厚を同じ厚みとすることができる。これにより、視角特性に優れた表示装置１を容易に製造することができる。
　また、図８の（ａ）は、本実施形態に係る表示装置１における赤色の画素Ｐｒ列の発光素子Ｘｒのみを発光させた状態を模式的に示す断面図であり、図８の（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置１における赤色の画素Ｐｒ列の発光素子Ｘｒのみを発光させた状態を模式的に示す平面図である。図９の（ａ）は、比較用の表示装置の要部の概略構成を模式的に示す断面図であり、図９の（ｂ）は、比較用の表示装置の要部の概略構成を模式的に示す平面図である。なお、図９の（ａ）・（ｂ）は非発光状態（電源オフ状態）を示している。また、図１０の（ａ）は、図９の（ａ）・（ｂ）に示す比較用の表示装置における赤色の画素Ｐｒ列の発光素子Ｘｒのみを発光させた状態を模式的に示す断面図であり、図１０の（ｂ）は、図９の（ａ）・（ｂ）に示す比較用の表示装置における赤色の画素Ｐｒ列の発光素子Ｘｒのみを発光させた状態を模式的に示す平面図である。つまり、図８の（ａ）・（ｂ）および図１０の（ａ）・（ｂ）は、それぞれの表示装置において発光層３３ｒのみを発光させた状態を模式的に示している。なお、図９の（ａ）および図１０の（ａ）は、図２に示す表示装置１のＡ－Ａ線矢視断面に相当する断面を示している。また、図８の（ａ）、図９の（ａ）、および図１０の（ａ）では、図示の便宜上、各層の層厚の比率を変更して示すとともに、薄膜トランジスタ層４における各構成要素の図示を省略している。さらに、図８の（ａ）・（ｂ）～図１０の（ａ）・（ｂ）では、図示の便宜上、図１の（ｂ）に示す封止層６および機能フィルム７の図示を省略している。
　図９の（ａ）・（ｂ）に示す比較用の表示装置は、本実施形態に係る表示装置１において、第２電極２５が、アクティブ領域ＤＡではパターニングされず、画素バンク２３上に、アクティブ領域ＤＡ全体を覆う、全画素Ｐに共通の一つの電極（共通電極）としてベタ状に形成されている点を除けば、本実施形態に係る表示装置１と同じ構成を有している。
　第２電極２５をメッシュ状の金属ナノワイヤＮＷで構成した場合、上述したように、トップエミッション構造における光の取り出し効率の向上、および良好な視覚特性を得ることができる一方、発光層３３で発光された光が、金属ナノワイヤＮＷで散乱され、第２電極２５内を伝搬する。
　このため、図９の（ａ）・（ｂ）に示すように、金属ナノワイヤＮＷからなる第２電極２５が、画素バンク２３上に、アクティブ領域ＤＡ全体を覆って形成されている場合、図１０の（ａ）・（ｂ）に、機能層２４の一部および第２電極２５を、赤色光を示す濃色のハッチングで示すように、例えば赤色の発光素子Ｘｒのみを発光させた場合であっても、該発光素子Ｘｒの発光層３３ｒで発光された光が、金属ナノワイヤＮＷで散乱され、第２電極２５全体に広がり、外部から視認される。このため、このようにトップエミッション構造の発光素子Ｘの陰極（積層順が逆の場合は陽極）に金属ナノワイヤＮＷを利用する場合、発光層３３から発光された光が金属ナノワイヤＮＷで散乱され、混色を起こすことがある。
　しかしながら、本実施形態に係る表示装置１によれば、金属ナノワイヤ層である第２電極２５を、画素バンク２３によって発光色毎（つまり、発光色が同じ画素列毎）に分断しておくことで、図８の（ａ）・（ｂ）に機能層２４の一部および第２電極２５の一部を、赤色光を示す濃色のハッチングで示すように、金属ナノワイヤＮＷによって散乱された光が、他の発光色の画素Ｐ（図８の（ａ）・（ｂ）に示す例では画素Ｐｂ・Ｐｂ）に伝搬することを防止することができる。
　＜変形例＞
　図１１は、本変形例に係る表示装置１の要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図１１は、図２に示す表示装置１のＡ－Ａ線矢視断面図に相当する。図１１では、図示の便宜上、各層の層厚の比率を変更して示すとともに、薄膜トランジスタ層４における各構成要素の図示を省略している。さらに、図８の（ａ）・（ｂ）～図１０の（ａ）・（ｂ）では、図示の便宜上、図１の（ｂ）に示す封止層６および機能フィルム７の図示を省略している。
　図１１に示す表示装置１は、電子注入層３４とは別に電子輸送層３５が設けられている点を除けば、図３の（ａ）・（ｂ）に示す表示装置１と同じである。すなわち、本実施形態に係る表示装置１における表示素子Ｘは、機能層２４が、電子輸送層３５をさらに含んでいてもよい。図１１に示すように、本変形例に係る表示装置１は、第１電極２２と第２電極２５との間に、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３３、電子輸送層３５、電子注入層３４が、第１電極２２側からこの順に積層されている。
　この場合、電子輸送層３５には、前述した電子注入層３４の材料と同様の電子輸送性材料を用いることができる。具体的には、電子輸送層３５は、好適には、例えば、ｔ－Ｂｕ－ＰＢＤ、ＴＰＢｉ、Ｂｐｈｅｎ（４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、ＺｎＯナノ粒子、ＭｇＺｎＯナノ粒子等からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料で構成することができる。発光素子がＱＬＥＤである場合、電子輸送層３５には、ＺｎＯナノ粒子あるいはＭｇＺｎＯナノ粒子が使用されることが多い。
　一方、電子注入層３４は、好適には、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成することができる。この場合、一例として、表示素子Ｘは、第１電極２２（陽極）／正孔注入層３１／正孔輸送層３２／発光層３３／ＺｎＯナノ粒子（電子輸送層３５）／ＬｉＦ（電子注入層３４）／第２電極２５（陰極）等の積層構造になる。
　なお、機能層２４の構成は、上述した構成に限定されるものではなく、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、電子輸送層３５、電子注入層３４のうち１以上の層を形成しない構成とすることもできる。また、機能層２４に、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層等の他の機能層を設けてもよい。
　〔実施形態２〕
　本実施形態では、実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
　図１２は、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成を示す平面図である。図１３の（ａ）は、図１２に示す表示装置１のＣ－Ｃ線矢視断面を模式的に示す図であり、図１３の（ｂ）は、図１２に示す表示装置１のＤ－Ｄ線矢視断面を模式的に示す図である。また、図１４の（ａ）は、本実施形態に係る表示装置１における赤色の画素Ｐｒ列の発光素子Ｘｒのみを発光させた状態を模式的に示す断面図であり、図１４の（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置１における赤色の画素Ｐｒ列の発光素子Ｘｒのみを発光させた状態を模式的に示す平面図である。つまり、図１４の（ａ）・（ｂ）は、発光層３３ｒのみを発光させた状態を模式的に示している。なお、図１３の（ａ）・（ｂ）および図１４の（ａ）では、図示の便宜上、各層の層厚の比率を変更して示すとともに、薄膜トランジスタ層４における各構成要素の図示を省略している。さらに、図１２～図１４の（ａ）・（ｂ）では、図示の便宜上、封止層６および機能フィルム７の図示を省略している。また、図１２では、図示の便宜上、各画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂを矩形状としているが、図１４の（ｂ）に示すように、各画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂの４個の隅部は、それぞれ、直角ではなく湾曲したいわゆるラウンド（丸み）を有する形状（円弧形状）を有している。また、図１３の（ａ）・（ｂ）は、非発光状態（電源オフ状態）を示している。
　図１２および図１３の（ａ）・（ｂ）に示すように、本実施形態に係る表示装置１は、第２電極２５が、画素Ｐ毎に島状に形成された島状第２電極２５ａ上に、アクティブ領域ＤＡ全体を覆う、全画素Ｐに共通の共通第２電極２５ｂが積層された２層構造を有している。島状第２電極２５ａは、メッシュ状の金属ナノワイヤＮＷで構成され、機能層２４に接して、画素バンク２３の開口部２３ａ内に、第２電極２５の一部として島状に形成される。共通第２電極２５ｂは、金属ナノワイヤＮＷを含まない透明導電膜（以下、単に「透明導電膜」と称する）であり、第２電極２５の一部として、画素バンク２３を跨いで複数の発光素子Ｘに共通してベタ状に形成される。上記透明導電膜には、例えば、ＩＴＯ、ＴＺＯ等を用いることができる。上記透明導電膜は、例えばスパッタ法等により形成することができる。
　本実施形態によれば、実施形態１と同様の効果を得ることができるとともに、図１２および図１３の（ａ）・（ｂ）に示すように、第２電極２５を、上述したように金属ナノワイヤ層である島状第２電極２５ａと透明導電膜である共通第２電極２５ｂとの二層構造とすることで、第２電極２５の抵抗を削減し、導電性を向上させることができる。
　また、本実施形態によれば、上述したように金属ナノワイヤ層に接して透明導電膜がベタ状に形成されていることで、金属ナノワイヤ層を、島状第２電極２５ａとして、画素Ｐ毎に島状に形成することができる。しかも、図１４の（ａ）・（ｂ）に機能層２４の一部および第２電極２５を、赤色光を示す濃色のハッチングで示すように、透明導電膜は、発光層３３で発光された光を、ほぼ散乱しない。したがって、本実施形態によれば、金属ナノワイヤ層である島状第２電極２５ａが画素バンク２３の開口部２３ａ内に島状に形成されていることで、透明導電膜からなる共通第２電極２５ｂが画素バンク２３を跨いで複数の発光素子Ｘに共通して形成されていても、金属ナノワイヤＮＷによって散乱された光が、他の画素Ｐに伝搬することを防止することができる。
　このため、本実施形態に係る表示装置１は、ストライプ配列以外の画素配列を有していてもよく、画素配列が特に限定されない。但し、実施形態１でも、各画素Ｐに、金属ナノワイヤ層同士をコンタクトさせるコンタクト層（図示せず）を設ける場合には、金属ナノワイヤ層（つまり、第２電極２５）を、画素Ｐ毎に分離することが可能である。
　なお、第２電極２５を、ベタ状の金属ナノワイヤ層とベタ状の透明導電膜との二層構造とした場合、前記図１０の（ａ）・（ｂ）に示す結果と同様の結果が得られることは、言うまでもない。また、本実施形態でも、第２電極２５と電子注入層３４との間に、電子輸送層３５が設けられていてもよいことは、言うまでもない。
　また、本実施形態によれば、上記共通第２電極２５ｂ（透明導電膜）を例えばスパッタ法により成膜しても、上記発光層３３と共通第２電極２５ｂとの間に、電子注入層３４および島状第２電極２５ａが設けられていることで、スパッタ成膜時に発光層３３へのダメージが生じて発光特性の低下を招くことがない。
　〔実施形態３〕
　本実施形態では、主に実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
　図１５の（ａ）・（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置１の概略構成を模式的に示す断面図であり、図１５の（ｃ）は、本実施形態に係る第２電極２５の構成を模式的に示す斜視図である。なお、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成を示す平面図は、図２と同じである。但し、本実施形態でも、各画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂの４個の隅部は、それぞれ、直角ではなく湾曲したいわゆるラウンド（丸み）を有する形状（円弧形状）を有している。図１５の（ａ）は、図２に示す表示装置１のＡ－Ａ線矢視断面図に相当する。また、図１５の（ｂ）は、図２に示す表示装置１のＢ－Ｂ線矢視断面図に相当する。なお、図１５の（ａ）・（ｂ）では、図示の便宜上、各層の層厚の比率を変更して示すとともに、薄膜トランジスタ層４における各構成要素の図示を省略している。さらに、図１５の（ａ）・（ｂ）では、図示の便宜上、封止層６および機能フィルム７の図示を省略している。また、図１５の（ａ）・（ｂ）は、非発光状態（電源オフ状態）を示している。
　第２電極２５は、金属ナノワイヤＮＷと、電子輸送性材料とを含んでいてもよい。図１５の（ｃ）に示す第２電極２５は、一例として、金属ナノワイヤＮＷと、電子輸送性材料であるＺｎＯナノ粒子ＮＰとを含み、電子注入層３４と第２電極２５とが一体化された構造を有している。つまり、本実施形態では、電子注入層３４が、電子注入層兼電子輸送層として発光層３３に接して設けられているとともに、第２電極２５を兼ねている。言い換えれば、本実施形態に係る第２電極２５は、電子注入層（電子注入層兼電子輸送層）であり、電子注入層が金属ナノワイヤＮＷを含んでいるとも言える。なお、勿論、第２電極２５と発光層３３との間に、電子輸送層３５が設けられていてもよいことは、言うまでもない。
　本実施形態によれば、例えば、溶媒に金属ナノワイヤＮＷが分散された金属ナノワイヤ分散液（例えば銀ナノワイヤ分散液）と、溶媒に電子輸送性材料であるＺｎＯナノ粒子ＮＰが分散されたＺｎＯナノ粒子分散液とを、所望の比率で混合し、撹拌した混合液を、例えば発光層３３上に塗布して乾燥（溶媒除去）する。上記溶媒には、それぞれ、水、エタノール、イソプロパノール、トルエン、ヘキサン等を用いることができる。これにより、金属ノワイヤＮＷとＺｎＯナノ粒子ＮＰとが混合した第２電極２５が得られる。具体的には、銀ナノワイヤ等の金属ナノワイヤＮＷが三次元的にランダムに配置され、ＺｎＯナノ粒子ＮＰ（平均粒径１～３０ｎｍ）の間隙を金属ナノワイヤＮＷが通るような構成とする。
　なお、上記混合液は、バインダ樹脂をさらに含んでいてもよい。したがって、第２電極２５は、バインダ樹脂をさらに含んでいてもよい。この場合、バインダ樹脂は、ＺｎＯナノ粒子ＮＰとともに溶媒に分散されて金属ナノワイヤ分散液と混合されてもよく、予め溶媒に分散された後、金属ナノワイヤ分散液およびＺｎＯナノ粒子分散液と混合されてもよい。上記バインダ樹脂としては、例えば、ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）等を用いることができる。
　本実施形態の発光素子Ｘは、図１５の（ａ）・（ｂ）に示すように、第１電極２２（陽極）、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３３（例えば、量子ドット発光層）、および第２電極２５（陰極）が、この順に設けられた構成となる。
　なお、本実施形態でも、図２に示すように、表示装置１は、ストライプ配列を有し、機能層２４上に、金属ナノワイヤＮＷを含む第２電極２５を形成するステップＳ４では、上記混合液を、例えば、画素バンク２３のうち、発光色が同じ画素列における画素バンク２３のみを跨ぐ（つまり、発光色が同じ画素Ｐ間の画素バンク２３は跨ぐが、発光色が異なる画素Ｐ間の画素バンク２３は跨がない）ように、発光層３３上に塗布する。
　図１６は、電流密度が０～５０ｍＡ／ｃｍ２の範囲内における、実施形態１に係る発光素子Ｘ（つまり、電子注入層３４であるＺｎＯナノ粒子層上に、第２電極２５として銀ナノワイヤ層を形成した発光素子Ｘ）の規格化外部量子効率ＵＡ（各電流密度における基準値＝１）と、該実施形態１に係る発光素子の外部量子効率でそれぞれ規格化した、本実施形態に係る発光素子Ｘ（つまり、第２電極２５が銀ナノワイヤとＺｎＯナノ粒子とを含む発光素子Ｘ）の規格化外部量子効率ＵＢ（基準値に対する規格化値）および一般的な銀薄膜の陰極を有する発光素子の規格化外部量子効率Ｕａ（基準値に対する規格化値）と、を併せて示すグラフである。
　本実施形態によれば、上述したように第２電極２５が銀ナノワイヤとＺｎＯナノ粒子とを含むことで、第２電極２５における、銀ナノワイヤＮＷと電子輸送性材料であるＺｎＯナノ粒子ＮＰとの接触面積が増大する。このため、図１６に示すように、電流密度が０～５０ｍＡ／ｃｍ２の範囲内において、本実施形態に係る発光素子Ｘの規格化外部量子効率ＵＢが、実施形態１に係る発光素子Ｘの規格化外部量子効率ＵＡ、および、一般的な銀薄膜の陰極を有する発光素子の規格化外部量子効率Ｕａと比較して大幅に向上する。また、本実施形態によれば、上述したように第２電極２５が銀ナノワイヤとＺｎＯナノ粒子とを含むことで、発光層３３に対する電子注入効率を向上させることができる。
　また、本実施形態によれば、実施形態１のように電子注入層３４と第２電極２５とを別工程で形成する場合と比較して、工程数を削減することができる。
　また、図１７は、本実施形態に係る表示装置１における赤色の画素Ｐｒ列の発光素子Ｘｒのみを発光させた状態を模式的に示す断面図である。つまり、図１７は、発光層３３ｒのみを発光させた状態を模式的に示している。なお、図１７では、図示の便宜上、各層の層厚の比率を変更して示すとともに、薄膜トランジスタ層４における各構成要素の図示を省略している。本実施形態に係る表示装置１における赤色の画素Ｐｒ列の発光素子Ｘｒのみを発光させた状態を示す平面図は、図８の（ｂ）と同じである。
　図１７および図８の（ｂ）に示すように、本実施形態に係る表示装置１によれば、金属ナノワイヤＮＷを含む第２電極２５を、画素バンク２３によって発光色毎（つまり、発光色が同じ画素列毎）に分断しておくことで、図１７および図８の（ｂ）に、機能層２４の一部および第２電極２５の一部を、赤色光を示す濃色のハッチングで示すように、金属ナノワイヤＮＷによって散乱された光が、他の発光色の画素Ｐ（図１７に示す例では画素Ｐｂ・Ｐｂ）に伝搬することを防止することができる。
　なお、上記第２電極２５を、図９の（ａ）・（ｂ）に示す比較用の表示装置における第２電極２５と同様にベタ状に形成した場合、前記図１０の（ａ）・（ｂ）に示す結果と同様の結果が得られることは、言うまでもない。
　なお、ＺｎＯナノ粒子ＮＰに対する金属ナノワイヤＮＷが過多であれば発光層３３への電子輸送能力が低下し、ＺｎＯナノ粒子ＮＰに対する金属ナノワイヤＮＷが過少であれば抵抗値が高くなる。よって、ＺｎＯナノ粒子ＮＰに対する金属ナノワイヤＮＷの体積比は、１／４９～１／９であることが好ましく、１／２５～１／１５であればなお好ましい。
　〔実施形態４〕
　本実施形態では、主に実施形態３との相違点について説明するものとし、実施形態３で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
　図１８の（ａ）・（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置１の概略構成を模式的に示す断面図であり、図１８の（ｃ）は、本実施形態に係る発光素子Ｘの構成を模式的に示す断面図である。なお、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成を示す平面図は、図１２と同じである。但し、本実施形態でも、各画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂの４個の隅部は、それぞれ、直角ではなく湾曲したいわゆるラウンド（丸み）を有する形状（円弧形状）を有している。図１８の（ａ）は、図１２に示す表示装置１のＣ－Ｃ線矢視断面図に相当する。また、図１８の（ｂ）は、図１２に示す表示装置１のＤ－Ｄ線矢視断面図に相当する。図１８の（ａ）・（ｂ）は、非発光状態（電源オフ状態）を示している。また、図１９は、本実施形態に係る表示装置１における赤色の画素Ｐｒ列の発光素子Ｘｒのみを発光させた状態を模式的に示す断面図である。つまり、図１９は、発光層３３ｒのみを発光させた状態を模式的に示している。なお、本実施形態に係る表示装置１における赤色の画素Ｐｒ列の発光素子Ｘｒのみを発光させた状態を示す平面図は、図１４の（ｂ）と同じである。なお、図１８の（ａ）・（ｂ）および図１９では、図示の便宜上、各層の層厚の比率を変更して示すとともに、薄膜トランジスタ層４における各構成要素の図示、並びに、封止層６および機能フィルム７の図示を省略している。
　図１８の（ａ）～（ｃ）に示すように、本実施形態に係る表示装置１は、第２電極２５が、画素Ｐ毎に島状に形成された島状第２電極２５ａ上に、アクティブ領域ＤＡ全体を覆う、全画素Ｐに共通の共通第２電極２５ｂが積層された２層構造を有している。島状第２電極２５ａは、実施形態３に係る第２電極２５と同じく、金属ナノワイヤＮＷと、電子輸送性材料とを含んでいる。なお、本実施形態に係る島状第２電極２５ａもまた、実施形態３に係る第２電極２５と同じく、バインダ樹脂をさらに含んでいてもよい。
　図１８の（ｃ）に示す島状第２電極２５ａは、一例として、金属ナノワイヤＮＷと、電子輸送性材料であるＺｎＯナノ粒子ＮＰとを含み、電子注入層３４と第２電極２５とが一体化された構造を有している。つまり、本実施形態では、電子注入層３４が、電子注入層兼電子輸送層として発光層３３に接して設けられているとともに、第２電極２５の一部を兼ねている。言い換えれば、本実施形態に係る島状第２電極２５ａは、電子注入層（電子注入層兼電子輸送層）であり、電子注入層が金属ナノワイヤＮＷを含んでいるとも言える。
　島状第２電極２５ａは、機能層２４に接して、画素バンク２３の開口部２３ａ内に、第２電極２５の一部として島状に形成される。共通第２電極２５ｂは、金属ナノワイヤＮＷを含まない透明導電膜（以下、単に「透明導電膜」と称する）であり、第２電極２５の一部として、画素バンク２３を跨いで複数の発光素子Ｘに共通してベタ状に形成される。上記透明導電膜には、例えば、ＩＴＯ、ＴＺＯ等を用いることができる。上記透明導電膜は、例えばスパッタ法等により形成することができる。
　本実施形態によれば、実施形態３と同様の効果を得ることができるとともに、図１８の（ａ）～（ｃ）に示すように、第２電極２５を、上述したように金属ナノワイヤＮＷを含む電極層である島状第２電極２５ａと透明導電膜である共通第２電極２５ｂとの二層構造とすることで、第２電極２５の抵抗を削減し、導電性を向上させることができる。
　また、本実施形態によれば、上述したように金属ナノワイヤＮＷを含む電極層に接して透明導電膜がベタ状に形成されていることで、金属ナノワイヤＮＷを含む電極層を、島状第２電極２５ａとして、画素Ｐ毎に島状に形成することができる。しかも、図１９および図１４の（ｂ）に、機能層２４の一部および第２電極２５の一部を、赤色光を示す濃色のハッチングで示すように、透明導電膜は、発光層３３で発光された光を、ほぼ散乱しない。したがって、本実施形態によれば、金属ナノワイヤＮＷを含む島状第２電極２５ａが画素バンク２３の開口部２３ａ内に島状に形成されていることで、透明導電膜からなる共通第２電極２５ｂが画素バンク２３を跨いで複数の発光素子Ｘに共通して形成されていても、金属ナノワイヤＮＷによって散乱された光が、他の画素Ｐに伝搬することを防止することができる。
　このため、本実施形態に係る表示装置１は、ストライプ配列以外の画素配列を有していてもよく、画素配列が特に限定されない。但し、実施形態３でも、各画素Ｐに、金属ナノワイヤを含む層同士をコンタクトさせるコンタクト層（図示せず）を設ける場合には、金属ナノワイヤを含む層（つまり、第２電極２５）を、画素Ｐ毎に分離することが可能である。
　なお、第２電極２５を、金属ナノワイヤＮＷを含むベタ状の電極層とベタ状の透明導電膜との二層構造とした場合、前記図１０の（ａ）・（ｂ）に示す結果と同様の結果が得られることは、言うまでもない。また、本実施形態でも、第２電極２５と発光層３３との間に、電子輸送層３５が設けられていてもよいことは、言うまでもない。
　また、本実施形態によれば、上記共通第２電極２５ｂ（透明導電膜）を例えばスパッタ法により成膜しても、上記発光層３３と共通第２電極２５ｂとの間に、上記島状第２電極２５ａが設けられていることで、スパッタ成膜時に発光層３３へのダメージが生じて発光特性の低下を招くことがない。
　〔実施形態５〕
　本実施形態では、主に実施形態３との相違点について説明するものとし、実施形態３で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
　図２０は、本実施形態に係る表示装置１の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成を示す平面図は、図２と同じである。但し、本実施形態でも、各画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂの４個の隅部は、それぞれ、直角ではなく湾曲したいわゆるラウンド（丸み）を有する形状（円弧形状）を有している。図２０は、図２に示す表示装置１のＡ－Ａ線矢視断面図に相当する。なお、図２０では、図示の便宜上、各層の層厚の比率を変更して示すとともに、薄膜トランジスタ層４における各構成要素の図示、並びに、封止層６および機能フィルム７の図示を省略している。
　図２０に示す表示装置１は、第１電極２２と画素バンク２３との間に、第１電極２２側から、正孔注入層３１および正孔輸送層３２が、この順に設けられた構成を有している。本実施形態では、画素バンク２３が、正孔輸送層３２上に、平面視で各画素Ｐ（言い換えれば、各発光素子Ｘ）における第１電極２２の周囲（エッジ）を覆う（つまり、平面視で、画素バンク２３の開口部２３ａが第１電極２２のエッジよりも内側に位置する）とともに、各画素Ｐにおける正孔輸送層３２を露出するように形成されている。なお、正孔注入層３１および正孔輸送層３２は、それぞれ、アクティブ領域ＤＡ全体を覆う、全画素Ｐに共通の共通層であってもよい。したがって、正孔注入層３１および正孔輸送層３２は、それぞれ、平面視で全発光素子Ｘにおける第１電極２２の上面および側面をそれぞれ覆うように、全発光素子Ｘに共通で設けられていてもよい。
　但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、正孔注入層３１および正孔輸送層３２の少なくとも一方が、画素Ｐ毎（言い換えれば、発光素子Ｘ毎）にパターン形成されていてもよい。したがって、画素バンク２３は、各画素Ｐ（言い換えれば、各発光素子Ｘ）における正孔輸送層３２の周囲（エッジ）を覆って正孔輸送層３２を露出するとともに、平面視で、各画素Ｐにおける正孔注入層３１の周囲（エッジ）を覆っていてもよい。この場合、正孔注入層３１および正孔輸送層３２は、成膜後に例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることで、各画素Ｐに対応した島状に形成することができる。
　また、正孔輸送層３２は、平面視で、少なくとも、発光色が同じ画素列における画素バンク２３の上面および側面をそれぞれ覆うように、アクティブ領域ＤＡに設けられた各発光素子Ｘのうち少なくとも一部の発光素子Ｘ（言い換えれば、発光色が同じでかつ隣り合う複数の発光素子Ｘ）に共通で設けられていてもよい。
　何れの場合でも、本実施形態によれば、上述したように、画素バンク２３は、正孔輸送層３２上に、平面視で各画素Ｐにおける第１電極２２の周囲（エッジ）を覆うとともに、各画素Ｐにおける正孔輸送層３２を露出するように形成される。したがって、何れの場合でも、画素バンク２３の開口部２３ａ（言い換えれば、画素バンク２３による正孔輸送層３２の露出部であり、平面視での第１電極２２の露出部）が各画素Ｐの発光領域となる。
　何れの場合でも、本実施形態によれば、発光層３３および第２電極２５を、実施形態３と同様の島状に形成することができ、実施形態３と同様の効果を得ることができる。
　なお、本実施形態では、上述したように、実施形態３において、画素バンク２３が、平面視で各画素Ｐにおける第１電極２２の周囲（エッジ）を覆うとともに、各画素Ｐにおける正孔輸送層３２を露出するように形成されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、実施形態１、２、４の何れかの表示装置１において、画素バンク２３が、平面視で各画素Ｐにおける第１電極２２の周囲（エッジ）を覆うとともに、各画素Ｐにおける正孔輸送層３２を露出するように形成されていてもよいことは、言うまでもない。
　〔実施形態６〕
　本実施形態では、主に実施形態３との相違点について説明するものとし、実施形態３で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
　図２１の（ａ）は、本実施形態に係る表示装置１の概略構成を模式的に示す断面図であり、図２１の（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置１の概略構成を模式的に示す他の断面図である。なお、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成を示す平面図は、図２と同じである。但し、本実施形態でも、各画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂの４個の隅部は、それぞれ、直角ではなく湾曲したいわゆるラウンド（丸み）を有する形状（円弧形状）を有している。図２１の（ａ）は、図２に示す表示装置１のＡ－Ａ線矢視断面図に相当する。また、図２１の（ｂ）は、図２に示す表示装置１のＢ－Ｂ線矢視断面図に相当する。なお、図２１の（ａ）・（ｂ）では、図示の便宜上、各層の層厚の比率を変更して示すとともに、薄膜トランジスタ層４における各構成要素の図示、並びに、封止層６および機能フィルム７の図示を省略している。
　図２１の（ａ）・（ｂ）に示すように、本実施形態では、画素バンク２３が、発光層３３上に、平面視で、各画素Ｐ（言い換えれば、各発光素子Ｘ）における第１電極２２の周囲（エッジ）を覆う（つまり、平面視で、画素バンク２３の開口部２３ａが第１電極２２のエッジよりも内側に位置する）とともに、各画素Ｐにおける発光層３３を露出するように形成されている。なお、何れの場合でも、画素バンク２３の開口部２３ａ（言い換えれば、画素バンク２３による発光層３３の露出部であり、平面視での第１電極２２の露出部）が各画素Ｐの発光領域となる。
　図２１の（ａ）・（ｂ）に示す例では、表示装置１が、表示色が同じ画素Ｐがストライプ状に配列されたストライプ配列を有するように、発光層３３が、同じ画素列における複数の画素Ｐに跨がって島状に形成されている。したがって、発光層３３は、平面視で、例えば、同じ画素列において隣り合う複数の第１電極２２の上面および側面をそれぞれ覆うように、複数の画素Ｐのうち一部の画素Ｐ（言い換えれば、複数の発光素子Ｘのうち一部の発光素子Ｘ）に共通して設けられている。なお、発光層３３が共通して設けられた画素Ｐは発光色が同じ画素Ｐになる。したがって、上述した例は、発光層３３が、平面視で、発光色が同じ画素列において隣り合う発光素子Ｘの第１電極２２の上面および側面をそれぞれ覆っていると言い換えることができる。
　上述したように、図２１の（ａ）・（ｂ）では、発光層３３が、複数の画素Ｐのうち一部の画素Ｐに共通して島状にパターン形成されている場合を例に挙げて図示した。しかしながら、発光層３３は、図３の（ａ）・（ｂ）あるいは図１３の（ａ）・（ｂ）等に図示したように、アクティブ領域ＤＡにおける全画素Ｐに対し、それぞれ、画素Ｐ毎に島状にパターン形成されていてもよい。
　また、図２１の（ａ）・（ｂ）では、正孔注入層３１および正孔輸送層３２が、それぞれ、アクティブ領域ＤＡ全体を覆う、全画素Ｐに共通の共通層である場合を例に挙げて図示した。しかしながら、正孔注入層３１および正孔輸送層３２は、その少なくとも一方が、発光色が同じ画素列毎、あるいは、画素Ｐ毎に、島状にパターン形成されていてもよく、例えば発光層３３と同じパターンを有するようにパターン形成されていてもよい。
　発光層３３は、成膜後に例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることで、所望の島状パターンとなるようにパターン形成される。同様に、正孔注入層３１、正孔輸送層３２もまた、成膜後に例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることで、所望の島状パターンとなるようにパターン形成されていてもよい。
　何れの場合でも、本実施形態によれば、第２電極２５を、実施形態３と同様の島状に形成することができ、実施形態３と同様の効果を得ることができる。このように、発光層３３上に画素バンク２３を設けることで、第２電極２５のみ（より厳密には、金属ナノワイヤＮＷを含む層のみ）が画素バンク２３で区切られていてもよい。
　なお、本実施形態では、実施形態３において、画素バンク２３が、平面視で各画素Ｐにおける第１電極２２の周囲（エッジ）を覆うとともに、各画素Ｐにおける発光層３３を露出するように形成されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、実施形態１、２、４の何れかの表示装置１において、画素バンク２３が、平面視で各画素Ｐにおける第１電極２２の周囲（エッジ）を覆うとともに、各画素Ｐにおける発光層３３を露出するように形成されていてもよいことは、言うまでもない。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　　　１　　　表示装置
　　　４　　　薄膜トランジスタ層
　　　５　　　発光素子層
　　２２　　　第１電極
　　２３　　　画素バンク（バンク）
　　２４　　　機能層
　　２５　　　第２電極
　　２５ａ　　島状第２電極
　　２５ｂ　　共通第２電極
　　３２　　　正孔輸送層
　　３３、３３ｒ、３３ｇ、３３ｂ　　　発光層
　　３４　　　電子注入層
　　３５　　　電子輸送層
　　Ｐ、Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂ　　　画素
　　Ｘ、Ｘｒ、Ｘｇ、Ｘｂ　　　発光素子

Claims (18)

  1. 　複数の画素を有する表示装置であって、
    　薄膜トランジスタ層と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に、上記薄膜トランジスタ層側から、第１電極と、発光層を含む機能層と、第２電極とが、この順に設けられた、発光色が互いに異なる発光素子を含む複数の発光素子を有する発光素子層と、を備え、
    　上記第２電極が、金属ナノワイヤを含み、
    　上記発光素子層に、上記金属ナノワイヤを少なくとも発光色毎に区切るバンクが設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　上記第１電極が陽極であり、
    　上記第２電極が陰極であり、
    　上記第２電極と上記発光層との間に電子注入層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　上記第２電極と上記電子注入層との間に電子輸送層が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  4. 　上記第１電極が陽極であり、
    　上記第２電極は、電子輸送性材料を含み、電子注入層兼陰極として機能することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  5. 　上記第２電極は、上記発光層に接して設けられていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
  6. 　上記第２電極と上記発光層との間に電子輸送層が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
  7. 　上記バンクは、上記金属ナノワイヤを上記画素毎に区切るとともに、
    　上記第２電極は、
    　上記金属ナノワイヤを含み、上記バンクで上記画素毎に区切られた島状第２電極と、
    　上記島状第２電極上に、上記バンクを跨いで複数の上記発光素子に共通して設けられた、金属ナノワイヤを含まない透明導電膜からなる共通第２電極と、を備えていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  8. 　上記第１電極が陽極であり、
    　上記第２電極が陰極であり、
    　上記第２電極と上記発光層との間に電子注入層が設けられていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  9. 　上記第２電極と上記電子注入層との間に電子輸送層が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
  10. 　上記第１電極が陽極であり、
    　上記島状第２電極は、電子輸送性材料を含み、電子注入層を兼ねることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  11. 　上記第２電極と上記発光層との間に電子輸送層が設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
  12. 　上記電子輸送性材料は酸化亜鉛ナノ粒子であることを特徴とする請求項４～６、１０、１１の何れか１項に記載の表示装置。
  13. 　上記バンクが、上記複数の発光素子それぞれにおける上記第１電極の周囲を覆って上記第１電極を露出するように形成されていることを特徴とする請求項１～１２の何れか１項に記載の表示装置。
  14. 　上記第１電極と上記バンクとの間に正孔輸送層が設けられ、
    　上記バンクは、平面視で上記複数の発光素子それぞれにおける上記第１電極の周囲を覆うとともに、上記複数の発光素子それぞれにおける上記正孔輸送層を露出するように形成されていることを特徴とする請求項２～６、８～１１の何れか１項に記載の表示装置。
  15. 　上記正孔輸送層が、平面視で、上記複数の発光素子のうち、少なくとも、発光色が同じでかつ隣り合う複数の発光素子における上記第１電極の上面および側面をそれぞれ覆うように、上記複数の発光素子のうち少なくとも一部の発光素子に共通で設けられていることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
  16. 　上記バンクが、上記発光層の上に設けられ、
    　上記バンクは、平面視で上記複数の発光素子それぞれにおける上記第１電極の周囲を覆うとともに、上記複数の発光素子それぞれにおける上記発光層を露出するように形成されていることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の表示装置。
  17. 　上記発光層が、平面視で複数の上記第１電極の上面および側面をそれぞれ覆うように、上記複数の発光素子のうち、発光色が同じ、一部の発光素子に共通で設けられていることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
  18. 　上記発光層が量子ドット発光層であることを特徴とする請求項１～１７の何れか１項に記載の表示装置。
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