WO2019123649A1

WO2019123649A1 - 封止構造体、有機ｅｌ表示装置、表示装置及び表示装置の製造方法

Info

Publication number: WO2019123649A1
Application number: PCT/JP2017/046191
Authority: WO
Inventors: 克彦岸本; 勇毅小林
Original assignee: 堺ディスプレイプロダクト株式会社; シャープ株式会社
Priority date: 2017-12-22
Filing date: 2017-12-22
Publication date: 2019-06-27
Also published as: US20200303482A1

Abstract

本実施形態の封止構造体は、対向して配置された第一基板及び第二基板と、第一基板及び第二基板の間に形成された電子素子と、電子素子の外周において第一基板と第二基板との間隙を塞いでいるシール剤と、を備え、シール剤は低融点ガラス材及び複数のスペーサを含み、複数のスペーサは、低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有している。

Description

封止構造体、有機ＥＬ表示装置、表示装置及び表示装置の製造方法

　本発明は、電子素子を備える封止構造体、有機ＥＬ表示装置、反射型液晶表示素子と有機ＥＬ発光素子とを組み合せた複合型（ハイブリッド型）の表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。

　水分によって劣化しやすい有機化合物や、酸化によって性能が低下しやすい電極が用いられている有機ＥＬ発光素子のように、外気と遮断される必要のある電子素子では、水分や酸素の浸入を阻止することで、素子の性能劣化を防止する必要がある。そのため、例えば特許文献１の画像表示装置では、有機化合物を含む画素部を挟んで対向する素子基板と封止基板との間が、画素部の周囲において、エポキシ系の樹脂などによって構成された第１シール剤及び第２シール剤を用いて二重に封止されている。また、特許文献２の有機電界発光表示装置では、内部充填剤の仕切り壁として封止基板にシーラント部が形成され、そのシーラント部の外周に、ガラスフリットからなるシール剤が形成されると共に、発光素子が形成された基板と封止基板との間がこのシール剤によって封止されている。

特開２００４－１０３３３７号公報特開２０１０－１０３１１２号公報

　前述のように、従来の有機化合物を含む表示装置などでは、二つの基板に挟まれた、有機化合物を含む発光素子などを封止するために、エポキシ樹脂などを用いた二重シール、又は、ガラスからなるシール剤などが形成されている。二つの基板の間隔は、特許文献１の画像表示装置においては第１シール剤の高さに依存し、特許文献２の有機電界発光表示装置ではシーラント部の高さに依存する。従って、これらの封止構造では、第１シール剤又はシーラント部の形成においてそれらの高さがばらつくと、二つの基板の間隔、延いては表示装置などの厚さにばらつきが生じることとなる。

　そこで、本発明は、２枚の基板の間に形成される電子素子を水分や酸素から保護することができ、しかも、その２枚の基板の間隙が精度良く制御することができる封止構造体、及び、そのように２枚の基板の間隙が制御され、有機ＥＬ発光素子を保護し得る有機ＥＬ表示装置、並びに、そのように電子素子を水分や酸素から保護することができ、しかも、２枚の基板の間隙が精度良く制御された表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の他の目的は、液晶表示素子と有機ＥＬ発光素子の両方を含む複合型の表示装置において、水分や酸素の浸入から有機ＥＬ発光素子を保護することができ、しかも液晶表示素子における画質の低下などを抑制し得る表示装置を提供することにある。

　本発明の第一実施形態の封止構造体は、対向して配置された第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び前記第二基板の間に形成された電子素子と、前記電子素子の外周において前記第一基板と前記第二基板との間隙を塞いでいるシール剤と、を備え、前記シール剤は低融点ガラス材及び複数のスペーサを含み、前記複数のスペーサは、前記低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有している。

　本発明の第二実施形態の有機ＥＬ表示装置は、第一実施形態の封止構造体を含み、前記電子素子が有機ＥＬ発光素子である、

　本発明の第三実施形態の表示装置は、表示画面の画素ごとに形成された駆動素子及び前記駆動素子の上の表面を平坦にした第一絶縁層を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板の一画素の第一領域で、前記第一絶縁層の上方に形成された液晶表示素子用の反射電極と、前記ＴＦＴ基板の前記第一絶縁層の上の前記第一領域と隣接する前記一画素の第二領域に形成され、第一電極、有機層、第二電極及び被覆層を有する有機ＥＬ発光素子と、前記反射電極と対向する対向電極を有し、前記ＴＦＴ基板と対向して配置された対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に充填された液晶層と、前記液晶層の外周において前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間隙を塞いでいるシール剤と、を具備し、前記シール剤は、低融点ガラス材及び複数のスペーサを含み、前記複数のスペーサは、前記低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有している。

　本発明の第四実施形態の表示装置の製造方法は、第一基板を用意する工程と、前記第一基板の上方又は表面上に、画素を構成すべき電子素子を形成する工程と、第二基板を用意し、前記第一基板又は前記第二基板のいずれかにシール剤材料を配置する工程と、前記第一基板と前記第二基板とを前記シール剤材料を挟んで重ね合せる工程と、前記シール剤材料によって前記第一基板と前記第二基板とを接着する工程と、具備し、前記シール剤材料に、低融点ガラス材、及び、前記低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有していて前記低融点ガラス材に混ぜられた複数の粒状体を含む材料を用い、前記シール剤材料の配置において、前記第一基板と前記第二基板とを重ね合せたときに前記電子素子の形成領域を囲むべき部位に前記シール剤材料を配置し、レーザ光の照射によって前記シール剤材料を前記第一基板及び前記第二基板と接着する。

　本発明の実施形態によれば、２枚の基板の間に形成される電子素子を水分や酸素から保護することができ、しかも、その２枚の基板の間隔を精度良く制御することができる。また、有機ＥＬ表示装置において、２枚の基板の間隙を制御することができ、有機ＥＬ発光素子を保護することができる。また、そのように電子素子を水分や酸素から保護することができ、しかも、２枚の基板の間隙が精度良く制御された表示装置を製造することができる。また、本発明の他の実施形態によれば、液晶表示素子と有機ＥＬ発光素子の両方を含む複合型の表示装置において、水分や酸素の浸入から有機ＥＬ発光素子を保護することができ、しかも液晶表示素子における画質の低下などを抑制することができる。

本発明の第一実施形態の封止構造体の一例を示す平面図である。図１ＡのＩＢ－ＩＢ線での断面図である。第一実施形態の封止構造体に用いられるシール剤材料の構成の一例を模式的に示す図である。第一実施形態の封止構造体に用いられるシール剤材料の構成の他の例を模式的に示す図である。第一実施形態の封止構造体の製造において、シール剤材料を印刷で形成した状態を示す平面図である。第一実施形態の封止構造体の製造において、シール剤材料としてガラスリボンを固定した状態の一例を示す平面図である。第一実施形態の封止構造体の製造において、シール剤材料としてガラスリボンを固定した状態の他の例を示す平面図である。本発明の第一実施形態の封止構造体の他の例を示す断面図である。本発明の第三実施形態の表示装置の断面図である。本発明の第四実施形態の表示装置の製造方法を示すフローチャートである。本発明の第四実施形態の表示装置の製造方法におけるレーザ光の照射の一例を示す図である。

　２枚の基板の間に形成される電子素子を水分及び酸素などから確実に保護するためには、電子素子の周囲において、２枚の基板の間を厳密に封止することが求められる。そのため、そのシール剤材料には、ガラスなどのように水分及び酸素を略透過させない材料を用いることが好ましい。しかし、ガラスからなるシール剤と２つの基板とを接着する際にはガラスを軟化させるため、シール剤の高さは、シール剤の供給量、その軟化時の粘度及び張力、並びにシール剤の上に置かれている基板の重量などの影響を受ける。そのため、シール剤の高さ、すなわち、２枚の基板の間隔を厳密に制御するのは極めて困難であり、結果として、その電子素子によって構成される表示装置などの電子機器の厚さを厳密に制御するのも困難である。

　しかし、そのように２枚の基板の間隔を厳密に制御できないことは、電子機器の薄型（小型）化を進めるに当たって好ましくない。中でも、絶えず薄型化が求められ、さらに、薄型化の進展に伴うフレキシブル性の具備が望まれる平面ディスプレイでは、その平面ディスプレイに含まれる２枚の基板の間隔が、多くの場合薄く、そして正確に制御されていることが望まれる。特に、後述する液晶表示素子と有機ＥＬ発光素子とを含むハイブリッド型のディスプレイでは、厳密に封止された２枚の基板の間隔の正確な制御が、セルギャップの均一性による良好な画質と、水分などによる劣化の少ない有機ＥＬ発光素子の良好な信頼性とを得るうえで、極めて重要であると考えられる。本発明者らは、このような課題を見出し、鋭意検討を重ね、低融点ガラス材と、この低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有していて低融点ガラス材中に混ぜられたスペーサとを含むシール剤を用いることによって、この課題を解決し得ることを見出したのである。

　以下、図面を参照し、本発明における各実施形態の封止構造、有機ＥＬ表示装置、表示装置、及び、表示装置の製造方法を説明する。なお、以下に説明される実施形態における各構成要素の材質、形状、及び、それらの相対的な位置関係などは、あくまで例示に過ぎない。本発明の封止構造体、有機ＥＬ表示装置、表示装置、及び、表示装置の製造方法は、これらによって限定的に解釈されるものではない。

（封止構造体及び有機ＥＬ表示装置）
　図１Ａ及び図１Ｂには、第一実施形態の封止構造体の一例である封止構造体１００が示されている。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線での断面図である。なお、図１Ｂでは、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線での断面が拡大して示されており、さらに、ＩＢ－ＩＢ線における中央部分は省略されている。図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、封止構造体１００は、対向して配置された第一基板１０及び第二基板２０と、第一基板１０及び第二基板２０の間に形成された電子素子３０と、電子素子３０の外周において第一基板１０と第二基板２０との間隙を塞いでいるシール剤５０と、を備えている。電子素子３０は、第一基板１０と第二基板２０との間隙がシール剤５０で塞がれることによって、第一基板１０と第二基板２０との間に略気密に封止されている。シール剤５０は低融点ガラス材５０ａ及び複数のスペーサ５０ｂを含み、複数のスペーサ５０ｂは、低融点ガラス材５０ａの軟化点よりも高い融点を有している。そのため、後述するように、第一基板１０と第二基板２０との間隙が厳密に制御され得る。なお、スペーサ５０ｂの「融点」は、スペーサ５０ｂに用いられている材料が明確な融点を有さない場合、固体状態のスペーサ５０ｂが変形を始める温度である。

　「封止構造体」は、２枚の基板の間に電子素子３０などが配置されてその周囲が封止された電子デバイスの総称である。また、電子素子３０は、「封止構造体」と総称される電子デバイスを構成する一つ又は複数個の電子素子を意味している。例えば封止構造体が有機ＥＬ発光素子（以下、単にＯＬＥＤとも称される）を用いた照明装置であれば、電子素子３０は、その照明装置を構成する１個、又は複数個のＯＬＥＤを意味し、封止構造体が表示装置であれば、電子素子３０は、各画素を構成する複数のＯＬＥＤなどの一群の電子素子を意味する。一対の第一基板１０及び第二基板２０において、複数個の電子デバイスが製造される場合には、１個の電子デバイスごとに、電子素子３０の周囲にシール剤５０が形成される。

　第一基板１０及び第二基板２０は、気密性があるものであれば特に限定されない。絶縁性基板、半導体基板、導電性基板でも構わない。一方の基板の表面に電子素子３０（その部品である電極などを含む）が形成される場合などにおいて絶縁性の基板が好ましい場合でも、半導体基板又は導電性基板が、その表面に絶縁膜を形成されたうえで用いられてもよい。また、第一基板１０及び第２基板２０は、剛性を有する基板でも、可撓性を有する基板でもよい。さらに、第一基板１０と第二基板２０とが異種の基板、例えば半導体基板と絶縁性基板であってもよい。表示装置又は発光装置（照明装置）などの場合には、ガラス基板、又はポリイミドなどの樹脂フィルムなどが使用され得る。なお、図１Ｂでは、第一基板１０及び第二基板２０が単層構造で示されているが、第一及び第二の基板１０、２０には、図示しない駆動素子などが形成されていてもよい。

　電子素子３０は特に限定されないが、電子素子３０が、水分や酸素などで劣化しやすい材料を含むＯＬＥＤなどである場合に、本実施形態の封止構造体１００は特に有効である。しかし、電子素子３０は、液晶表示素子（以下、単にＬＣＤとも称される）及び色素増感型太陽電池のように液晶などが封入される電子素子であってもよい。また、封止構造体１００は、後述される、ＬＣＤとＯＬＥＤとを含むハイブリッド型の表示装置のように、二つ以上及び二種以上の電子素子３０を含んでいてもよい。

　図１Ａに示される例では、ガラスからなる第一基板１０上に有機ＥＬ発光素子３０ａが電子素子３０として形成されている。すなわち、図１Ａは、第二実施形態の有機ＥＬ表示装置も示している。第二実施形態の有機ＥＬ表示装置は、封止構造体１００を含み、電子素子３０として有機ＥＬ発光素子３０ａを備えている。有機ＥＬ発光素子３０ａは、第一電極３１、第一電極３１を囲むように形成された絶縁バンク３２内に積層された有機層３３、及び有機層３３上に形成された第二電極３４を少なくとも含んでいる。なお、図１Ａでは、有機ＥＬ発光素子３０ａが簡略化されているが、第二実施形態の有機ＥＬ表示装置は、例えば第一基板１０に形成された複数の駆動素子１３（図５参照）、及び、複数の駆動素子１３それぞれの上に形成された複数の有機ＥＬ発光素子３０ａを少なくとも備え得る。

　シール材５０は、電子素子３０を囲み、電子素子３０の周囲において、第１基板１０と第２基板２０との間隙を塞いでいる。シール剤５０は、第一基板１０と第二基板２０との間に形成された電子素子３０を気密に封止して、電子素子３０が水分や酸素などによって劣化しないようにするものである。そのため、エポキシ樹脂などの樹脂類ではなくガラス材がシール剤５０に用いられている。シール剤５０の幅（厚さ）ｘは、例えば０．５ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下であり、シール剤５０がこの程度の幅を有していれば、気密封止に関して大きな問題は生じないと考えられる。

　第一基板１０と第二基板２０との間には電子素子３０が封入されるので、シール剤５０が第一及び第二の基板１０、２０と接着される際に、電子素子３０にダメージを与えない程度にしか温度を上げることができない。そのため、シール剤５０は、軟化点（いわゆるゴム状態になる温度）の低い低融点ガラス材５０ａを含んでいる。低融点ガラスは、ガラスの組成に低融点酸化物を混入することによって軟化点を下げられたもので、一般的には３５０～６００℃程度又はそれ以上の軟化点を有している。本実施形態では、電子素子３０が形成された基板を接合するため、低い軟化点を有する低融点ガラスが好ましい。一方、低融点ガラスが結晶化してしまうと、シール剤５０と第一基板１０及び第二基板２０との接着強度が低下するおそれがあるため、その結晶化開始温度は高い方が好ましい。すなわち、シール剤５０と各基板との接続時の加熱によって到達する温度よりも結晶化開始温度が低くならない程度に、低融点酸化物を混入して軟化点を下げることが好ましい。さらに、第一基板１０などにポリイミド樹脂などで形成されるフィルム剤などが用いられ得ることにも配慮すると、シール剤５０に用いられる低融点ガラス材５０ａの軟化点は、４００℃以上、５００℃以下であることが好ましい。

　例えば、バナジウム系低融点ガラス（Ｖ₂Ｏ₅）と燐酸塩系低融点ガラス（Ｐ₂Ｏ₅）とを、略２．５程度の重量比（Ｖ₂Ｏ₅／Ｐ₂Ｏ₅）で混合し、さらに、酸化バリウムを１５質量％程度添加することによって、４５０℃程度の軟化点を有する低融点ガラスを得ることができる。すなわち、このような材料系の低融点ガラス及び添加材を含むシール剤５０の場合、シール剤５０を各基板と接触させた状態で４５０℃～５００℃程度の温度になるように加熱することによって、シール剤５０を一旦軟化させて各基板としっかりと接着させることができる。特に、バナジウム系低融点ガラスは、可視から赤外領域に高い光吸収性を有しており、後述するように、レーザ光などを用いた局所的な加熱によって軟化させることが可能である。そのため、比較的容易に、電子素子３０の直近の周囲過度を過度に上昇させることなくシール剤５０を軟化させることができる。なお、シール剤５０に含まれる低融点ガラス材５０ａは、ここで例示されたバナジウム系及び燐酸塩系の低融点ガラスならびにそれらの混合物に限定されない。例えば、低融点ガラス材５０ａは、硼酸塩系もしくはテルライド系の低融点ガラス又はそれらの混合物であってもよい。また、低融点ガラス材５０ａの軟化点は、４００℃以上、５００℃以下の範囲外の温度であってもよい。要は、低融点ガラス材５０ａが、発光性能及び寿命などへの顕著な影響を電子素子３０に与えることなく第一基板１０及び第二基板２０と接着し得るゴム状もしくはペースト状などの状態に変わり始める温度を有していればよい。

　本実施形態では、シール剤５０は、図１Ｂに示されるように、低融点ガラス材５０ａと共に、低融点ガラス材５０ａの軟化点よりも高い融点を有する材料を用いて形成されたスペーサ５０ｂを含んでいる。スペーサ５０ｂは、シール剤５０の中に散らばっており、第一基板１０と第二基板２０との間に介在することによって両基板の間隙の長さＬｇを規定している。すなわち、第一基板１０と第二基板２０との間隙の長さＬｇは、スペーサ５０ｂにおける、この長さＬｇの方向の大きさ（幅もしくは長さ）によって定まり得る。従って、封止構造体１００における長さＬｇのばらつきの抑制のためには、複数のスペーサ５０ｂにおける、この長さＬｇの方向の幅、長さ、若しくは直径などが均一であることが好ましい。

　また、スペーサ５０ｂはシール剤５０中に均等に散らばっていることが好ましい。例えば、スペーサ５０ｂは低融点ガラス材５０ａ中に分散された粒状体である。その場合、第一基板１０と第二基板２０との間隙の長さＬｇは、スペーサ５０ｂの粒径によって制限され得る。換言すると、スペーサ５０ｂとして適切な粒径を有する粒状体を選択することによって、第一基板１０と第二基板２０との間隙において所望の長さＬｇを得ることができる。「粒状体」には、単に真球状（図２Ａ参照）の粒だけが含まれるのではなく、楕円体状、柱状（図２Ｂ参照）、又は繊維状の粒状物も含まれる。すなわち、スペーサ５０ｂは、一般的にビーズスペーサ又はファイバスペーサと称される粒状物であってもよい。例えば、球状の粒状体の場合、「粒径」は粒状体の直径であり、楕円体状、柱状又は繊維状の粒状体の場合、「粒径」は、粒状体の長手方向に直交する断面における直径、又は短軸もしくは一辺の長さである。例えば、複数のスペーサ５０ｂに用いられる粒状体における「粒径」のばらつき幅は、０．１μｍ程度以下であることが好ましい。ばらつきがこの程度であれば、画素電極を備える基板（例えば第一基板）と対向電極を備える基板（例えば第二基板）との間隙の長さについて厳密な制御が求められる液晶表示装置も、本実施形態の封止構造体１００で実現することができる。

　スペーサ５０ｂは、シール剤５０中に任意の含有率で含まれ得る。シール剤５０におけるスペーサ５０ｂの含有率は、第一基板１０と第二基板２０との間隙が、シール剤５０による接着部位においてムラなく保持され得る点で大きい方が好ましい。一方、シール剤５０は、必要とされる強度で第一基板１０及び第二基板２０と接着し得るように、十分な量の低融点ガラス材５０ａも有している必要がある。従って、シール剤５０におけるスペーサ５０ｂの含有率は、５質量％以上、３０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上、２５質量％以下であることがより好ましい。この範囲の含有率でスペーサ５０ｂが含まれていると、シール剤５０を第一及び第二の基板１０、２０に十分な強度で接着することができ、そのうえ、第一基板１０と第二基板２０との間隙のムラ及びばらつきも実用上許容され得る範囲に抑えることができると考えられる。

　スペーサ５０ｂの材料は、低融点ガラス材５０ａの軟化点よりも高い融点を有するものであれば特に限定されない。しかし、前述したように４００℃程度に達する低融点ガラス材５０ａの軟化点よりも高い融点を有すべき点で、スペーサ５０ｂは無機物で構成されていることが好ましい。例えば、スペーサ５０ｂは、１６００℃以上の融点を有する二酸化ケイ素（シリカ：ＳｉＯ₂）もしくはその結晶化物である石英、２０００℃以上の融点を有する酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ₂Ｏ₃）、又は、８００℃以上の融点を有する炭酸カルシウム（ＣａＣＯ₃）などで構成される。

　前述したように、電子機器では恒常的に小型化及び薄型化が希求されている。特に平面ディスプレイの分野ではその傾向が顕著であるが、市場からの要求だけではなく、その性能の向上の面においても、ディスプレイを構成する２枚の基板間の長さの正確な制御が求められる。例えば液晶表示装置においては、画素電極を備える基板と対向電極を備える基板との間隔を厳密に制御することによってセルギャップのムラに起因する表示ムラを抑制することができる。また、有機ＥＬ表示装置においても、薄型化、可撓性の向上、及び、材料費の削減などの点で、駆動素子及び有機発光素子を備える基板（例えば第一基板）と保護基板もしくは封止基板（例えば第二基板）との間の間隙の狭小化と、狭小化に伴う間隙の長さの厳密な制御に対する要求が強まるものと考えられる。本実施形態の封止構造体１００によれば、そのような要求に応えることができる。すなわち、第一基板１０と第二基板２０との接合時における低融点ガラス材５０ａの軟化時においても、スペーサ５０ｂが存在するため、両基板の間隙の長さＬｇがスペーサ５０ｂの粒径以下になることはない。また、その接合時に両基板を互いに向って適度に押しつけることによって、この間隙の長さＬｇが、スペーサ５０ｂの粒径よりも長くなることを容易に防ぐことができる。従って、第一基板１０と第二基板２０の間隙の長さＬｇを厳密に制御することができる。なお、スペーサ５０ｂを構成する粒状体としては、例えばＳｉＯ₂によって形成される場合は、サブミクロンレベルの粒径のものから形成可能で、また、シード粒子を成長させることによって数１００μｍ程度の粒径のものまで形成され得る。

　第一実施形態の封止構造体１００を含む第二実施形態の有機ＥＬ表示装置における第一基板１０と第二基板２０との間隙の長さＬｇは、例えば、５μｍ以上、５０μｍ以下であってもよい。従来の有機ＥＬ表示装置では、駆動素子及び有機発光素子を備える基板と封止基板もしくは保護基板との間隙は、このように狭く設定されていない。しかし、本実施形態のようにスペーサ５０ｂをシール剤５０に含ませることによって、両基板の間隙をこのような狭さ（短さ）において厳密に制御することができる。その結果、有機ＥＬ表示装置のいっそうの薄型化、及び／又は可撓性の向上に寄与することができる。

　低融点ガラス材５０ａは、例えば、数十μｍ立方の微細粉末にしたガラスフリットとして用意され、前述したように、レーザ光などを用いた加熱によって軟化し、降温に伴って固化する。すなわち、封止構造体１００におけるシール剤５０中の低融点ガラス材５０ａは、一旦軟化したガラスフリットの固化物であってもよい。図２Ａ及び図２Ｂには、そのようにガラスフリットとして用意された低融点ガラス材５０ａを含み、一旦軟化した後の固化によってシール剤５０となるべきシール剤材料５１の構成の例が示されている。図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、シール剤材料５１は、複数個のガラスフリットの状態である低融点ガラス材５０ａと、前述した石英などの無機物によって構成された粒状体である複数のスペーサ５０ｂとを含んでいる。

　図２Ａ及び図２Ｂの例では、シール剤材料５１は、有機溶媒を含むバインダ５１ａをさらに含み、ガラスフリット状の低融点ガラス材５０ａ、スペーサ５０ｂ、及び、バインダ５１ａを混ぜ合わせることによってペースト状に調製されている。図２Ａでは、スペーサ５０ｂは略真球状の形状を有している。一方、図２Ｂでは、スペーサ５０ｂは略円柱状の形状を有している。前述したように、粒状体のスペーサ５０ｂは、図２Ａ及び図２Ｂの例に限らず、楕円体状又は繊維状の粒状物であってもよい。しかし、粒状体であるスペーサ５０ｂにおいて第一基板１０と第二基板２０とに挟まれたときに挟持される部分の長さは、前述したように、複数のスペーサ５０ｂにおいて均一であることが好ましく、例えば、そのばらつき幅は、挟持される部分の長さの２％以下、より好ましくは１％以下であることが好ましい。なお、スペーサ５０ｂにおける第一及び第二の基板１０、２０に「挟持される部分の長さ」は、例えば、略球形のスペーサ５０ｂにおける直径、円柱状のスペーサ５０ｂにおける長さ方向と直交する断面の直径、又は、楕円体状のスペーサ５０ｂにおける長さ方向と直交する断面の直径もしくは短軸の長さである。

　図３Ａ～図３Ｃを用いて、シール剤材料５１の第一基板１０又は第二基板２０への配置について説明する。前述したようにペースト状に調製されたシール剤材料５１は、例えば図３Ａに示されるように、基板（例えば第一基板１０）の所定の部位に、スクリーン印刷又はディスペンサなどによって塗布される。「所定の部位」は、電子素子の形成領域Ａを囲むべき部位である。シール剤材料５１は、第一基板１０又は第二基板２０のどちらに塗布されてもよい。換言すると、シール剤材料５１は、電子素子３０（図１Ａ参照）が形成される基板に塗布されてもよく、電子素子３０が形成された基板と接着される基板（例えば、電子素子３０が第一基板１０に形成される場合における第二基板２０）に形成されてもよい。従って「電子素子の形成領域Ａを囲むべき部位」は、電子素子３０が形成された基板にシール剤材料５１が配置される場合は、シール剤材料５１の塗布と共に電子素子の形成領域Ａを囲む部位である。一方、電子素子３０が形成されない方の基板にシール剤材料５１が配置される場合は、「電子素子の形成領域Ａを囲むべき部位」は、そのシール剤材料５１が配置された基板と電子素子３０が形成された基板とが、後工程で重ね合されたときに電子素子３０を囲む部位である。後述する隔壁材料６１（図３Ｂ参照）が配置される場合は、その隔壁材料６１の外周に、隔壁材料６１と離間してシール剤材料５１が配置される。そして、他方の基板（例えば第二基板２０）が、シール剤材料５１を挟んで重ね合わされ、レーザ光が照射される。その結果、低融点ガラス材５０ａの軟化点以上の温度までシール剤材料５１が加熱され、シール剤材料５１が各基板と接着すると共にシール剤５０が形成される。このレーザ光の照射には、後述するように、種々のレーザ光が用いられ得る。

　シール剤材料５１は、低融点ガラスをペースト状にして塗付したものでなくてもよい。例えば、図３Ｂ及び図３Ｃに示されるように、ガラスリボン５１ｂをシール剤材料５１として用いてもよい（図３Ｂ及び図３Ｃには、後述する隔壁材料６１がシール剤材料と共に示されている）。すなわち、第一又は第二の基板１０、２０の一方の所定の部位にガラスリボン５１ｂを貼り付けることによってシール剤材料５１を配置されてもよい。この場合も、ガラスリボン５１ｂには、前述された低融点ガラス材５０ａと、スペーサ５０ｂを構成する粒状体などとが含まれている。すなわち、ガラスリボン５１ｂは、溶融状態の低融点ガラス材５０ａを鋳型などに流し込んだり、ペースト状に調整されたガラスフリットを成形して固化させたりして形成され、この形成の際に、スペーサ５０ｂとして石英などの粒状体が低融点ガラス材５０ａの中に混入される。ペーストからガラスリボン５１ｂを形成する場合、その形成時にバインダ５１ａ（図２Ａ参照）を蒸発させることによって、気泡やガスを内包しないガラスリボン５１ｂ、延いては、気泡やガスを内包しないシール剤５０を得ることができる。

　ガラスリボン５１ｂが用いられる場合、例えば、２枚の基板の一方、例えば第一基板１０においてシール剤５０を形成する所定の部位（各基板においてシール剤材料５１によって相手方の基板に接着される接着部位）にガラスリボン５１ｂが接着剤などで貼り付けられる。そして、第二基板２０を重ね合せた後に、レーザ光の照射によって、シール剤５０が形成されると共に各基板と接着される。この場合、図３Ｂ及び図３Ｃに示されるように、ガラスリボン５１ｂの全面ではなく一部（接着部Ｂ）に接着剤が付着されていればよい。

　具体的には、図３Ｂ及び図３Ｃに示されるように、シール剤材料５１による接着部位が複数個の領域（例えば矩形状の基板の各辺）に分割され、その分割された領域それぞれに応じた長さのガラスリボン５１ｂが用意される。そしてガラスリボン５１ｂの一端部（図３Ｂの例）又は両端部（図３Ｃの例）の接着部Ｂだけに図示しない接着剤が付けられ、第一基板１０又は第二基板２０の接着部位における分割された領域それぞれに各ガラスリボン５１ｂが配置され、接着される。この場合、ガラスリボン５１ｂは、接着部位が分割された各領域の長さよりも接着部Ｂの分だけ長く形成される。そして、図３Ｂ及び図３Ｃに示されるように、接着部Ｂは、接着部位に関して電子素子の形成領域Ａと反対の部位に配置される。すなわち、第一基板１０と第二基板２０とが重ね合された後にレーザ光で接着される部位の外側に接着部Ｂが位置付けられる。こうすることによって、接着部Ｂに付けられた図示されない接着剤がレーザ光の照射による温度上昇時にガス（水分や酸素）などを放出する場合でも、その温度上昇と共に形成されるシール剤５０（図１参照）によって、電子素子の形成領域Ａ内へのガスなどの浸入を防ぐことができる。従って、電子素子３０の劣化を防ぐことができると考えられる。

　図３Ｂに示される例は、ガラスリボン５１ｂの一端部のみに接着剤が付着されており、ガラスリボン５１ｂの他端部は、他のガラスリボン５１ｂと突き当てになっていて、接着した場合には他のガラスリボンと接合して一体化される。その結果、基板との接着の際にガラスリボン５１ｂの温度が上昇しても、その温度上昇によって接着剤から発生するガスはシール剤５０の外側に放出されることになる。

　図３Ｃに示される例では、ガラスリボン５１ｂにおいて若干長くされた両端部が９０°折り曲げられている。その折り曲げられた部分が、接着部位の外側に位置するようにガラスリボン５１ｂが配置されている。そのため、図３Ｂの例と同様に、接着部Ｂはシール剤材料５１の外側になり、レーザ光による接着の際に、接着剤からガスが発生しても、電子素子の形成領域Ａ内に封入されることはない。しかも、ガラスリボン５１ｂの両端部で接着されるので、非常に安定してガラスリボン５１ｂを接着することができる。

　シール剤材料５１は、前述したように低融点ガラス材５０ａを含んでおり、比較的低い温度で軟化し、第一及び第二の基板１０、２０と接着し得る。しかし、電子素子３０の熱による劣化を確実に防ぐべく、及び、低融点ガラス剤５０ａを十分に高い温度で十分に軟化させるべく、電子素子３０とシール剤５０との間に、断熱手段が設けられていることが好ましい。また、封止構造体１００によって液晶表示装置が構成される場合、第一基板１０と第二基板２０とをシール剤５０を介して接着する前に、この二つの基板の間に液晶が充填される。従って、少なくともシール剤５０によって電子素子３０の周囲において二つの基板の間隙が塞がれるまでの間、充填された液晶の流出を堰き止める堤防（隔壁）を設ける必要がある。図４には、そのような隔壁６０を備える、本実施形態の封止構造体１００の他の例が示されている。

　図４に示されるように、シール剤５０から離間し、かつ、電子素子３０を取り囲む隔壁６０が、シール剤５０と電子素子３０との間に形成されている。隔壁６０は、シール剤５０と同様に、電子素子３０を取り囲むように形成されている。従って、電子素子３０が液晶のような液状物を含む場合でも、その液状物を隔壁６０の内側に留めることができると共に、液状物がシール剤５０に直接接触することを防ぐことができる。また、シール剤５０の接着のための加熱時における電子素子３０への熱の伝導を抑制することができる。従って、電子素子３０の劣化をさらに抑制することができる。隔壁６０の厚さｙは、例えば０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下である。隔壁６０が、この程度の厚さを有していれば、熱伝導が効果的に抑制され、しかも、封止構造体１００を含む表示装置などの顕著な大型化を招くおそれも少ないと考えられる。これと同様の理由から、シール剤５０と隔壁６０との間隔ｚは０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。少なくとも０．５ｍｍの間隔を空けることによって熱伝導をほぼ阻止し得ることが確かめられており、一方、１ｍｍ以上の間隔を空けても、熱伝導の抑制効果に有意な変化が見られないからである。なお、隔壁６０は、電子素子３０の封止を目的とはしていないので、第一基板１０及び第二基板２０と必ずしも接着する必要はない。

　隔壁６０として使用し得る隔壁材料６１（図３Ｂ及び図３Ｃ参照）としては、例えばガラス、セラミックス、金属酸化物、金属、又は半導体などの無機材料が例示される。ガラスとしては、例えば前述のシール剤５０として用いた低融点ガラスのガラスフリット又はガラスリボンが用いられてもよい。セラミックスや金属酸化物などの他の無機材料を用いる場合も、ガラスフリットと同様に微粉末にして有機溶媒や接着剤などと混ぜることによって、隔壁６０を形成することができる。

　隔壁６０は、前述したように、シール機能を有しなくてもよいため、例えば隔壁材料６１が微粉末で最終的にポーラスであっても、その微細孔が非常に小さく、液晶のような電子素子３０の一部である液状物質の流れを阻止できるものであればよい。むしろ、ポーラスな隔壁６０は、隔壁６０中での熱伝導が抑制されるため好ましいこともある。従って、無機材料の微粉末をバインダでペースト状にして印刷後に加熱硬化することよって、多数の微細孔を有する隔壁６０が形成されてもよい。なお、バインダが完全に消失しなくても、その量が全体の体積の１０％以下の量であれば、電子素子３０の特性を劣化させるようなガスの発生は無いと考えられる。

　隔壁６０が第一又は第二の基板１０、２０の一方のみと接着する構造の場合、隔壁材料６１に熱硬化性樹脂などを使用しても、第一及び第二の基板１０、２０を重ね合せる前に隔壁材料６１が硬化すれば、硬化の際に発生するガスは２枚の基板間に封入されない。従って、隔壁６０は無機材料に限定されない。この場合、シール剤材料５１を加熱する際に、発生する熱で隔壁６０が加熱されないように、シール剤５０と隔壁６０との間隔ｚを充分に大きくする、例えば０.７ｍｍ以上で、１ｍｍ以下程度にすることが好ましい。

　隔壁材料６１に有機材料が用いられる場合、従来の液晶表示装置を製造する際に２枚の基板をシールするために用いられている接合樹脂、例えばエポキシ樹脂、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、シリコーン樹脂などを用いることもできる。これらの材料は、添加される重合開始剤によって、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂などになり得る。さらに、熱硬化性樹脂は、遅延硬化性樹脂になり得る。その場合、電子素子３０から離れた場所（例えば電子素子３０が形成されない基板）で熱処理をしておくことによって、電子素子３０の近傍における温度の上昇及びガスの発生を防ぐことができる。さらに、紫外線硬化樹脂又は可視光硬化樹脂を用いる場合も、温度上昇やガスの発生を伴わずに隔壁材料６１を硬化させることができる。なお、隔壁６０は、第一及び第二の基板１０、２０の両方と接着していてもよい。しかしその場合も、本実施形態の封止構造体１００では第一基板１０と第二基板２０との間隙がスペーサ５０ｂによって制御されるため、隔壁６０の高さは、前述したスペーサ５０ｂの粒径よりも小さい（低い）ことが好ましく、その場合の隔壁６０の高さの不足分は、接着剤などの量を多くすることによって補われていることが好ましい。

（表示装置）
　次に、電子素子３０としてＯＬＥＤ３０ａとＬＣＤ３０ｂとを有する複合型の表示装置２００が、図５を参照しながら説明される。

　本発明の第三実施形態である表示装置２００は、表示画面の画素ごとに形成された駆動用ＴＦＴ１３及び駆動用ＴＦＴ１３の上の表面を平坦にした第一絶縁層（いわゆる平坦化膜）１９を有するＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板（第一基板）１０の一画素の第一領域Ｒで、第一絶縁層１９の上方に形成されたＬＣＤ３０ｂ用の反射電極４１と、ＴＦＴ基板１０の第一絶縁層１９の上の第一領域Ｒと隣接する一画素の第二領域Ｔに形成され、第一電極３１、有機層３３、第二電極３４及び被覆層３５を有するＯＬＥＤ３０ａと、反射電極４１と対向する対向電極（透明電極）４３を有し、ＴＦＴ基板１０と対向して配置された対向基板（第二基板）２０と、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に充填された液晶層４２と、液晶層４２の外周においてＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間隙を塞いでいるシール剤５０と、を具備し、シール剤５０は低融点ガラス材５０ａ及び複数のスペーサ５０ｂを含み、複数のスペーサ５０ｂは、低融点ガラス材５０ａの軟化点よりも高い融点を有している。

　また、図５の例では、シール剤５０と液晶層４２とを隔てる隔壁６０が、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に設けられており、シール剤５０と隔壁６０とが離間している。

　なお、図５では、１個のＬＣＤ３０ｂと１個のＯＬＥＤ３０ａの周囲に隔壁６０及びシール剤５０が形成されているが、実際には、このＬＣＤ３０ｂとＯＬＥＤ３０ａの組からなるサブ画素が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のそれぞれに形成され、さらにそのＲ、Ｇ、Ｂからなるサブ画素で構成される一画素がマトリクス状に複数個形成される。本実施形態では、このマトリクス状に形成される全体の素子が電子素子３０になり、それらを取り囲むようにシール剤５０及び隔壁６０が形成されている。なお、図５では、各構成要素が解りやすく示されるように、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の厚さ方向が強調されている。そのため、スペーサ５０ｂの断面が、短軸に対して長軸が遥かに長い楕円形で描かれているが、図５の例のスペーサ５０ｂは、図１Ｂと同様の円形の断面を有する球状の粒状体である。

　本実施形態の表示装置２００は、一画素の第一領域Ｒに反射型のＬＣＤ３０ｂが形成され、一画素の第一領域Ｒと隣接する第二領域Ｔに例えばＯＬＥＤ３０ａなどの発光素子が形成されている。反射型のＬＣＤ３０ｂは、反射電極４１と、液晶層４２と、透明電極４３（対向電極）と、カラーフィルタ（ＣＦ）４４と、反射電極４１及び透明電極４３の表面にそれぞれ形成される液晶配向膜４５、４６と、偏光板４７とで構成されている。この液晶層４２、透明電極４３、及び偏光板４７は、第二領域Ｔの方まで延びて、表示装置２００の全体に形成されている。また、ＯＬＥＤ３０ａは、第一電極３１と発光領域を画定する、いわゆる絶縁バンクとも呼ばれる第二絶縁層３２と、有機層３３と、第二電極３４と、その周囲を被覆する被覆層３５とを含んでいる。第二絶縁層３２は、第一領域Ｒの第一絶縁層１９の上にも同じ材料で、かつ、ほぼ同じ厚さに形成されているが、第一領域Ｒと第二領域Ｔとの間で分離されているので、第一領域Ｒにおける第二絶縁層は第三絶縁層３２ａと称される。

　ＴＦＴ基板１０は、例えばガラス基板又はポリイミドなどの樹脂フィルムなどからなる絶縁基板１１の一面に駆動用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１３、電流供給用ＴＦＴ１２などのＴＦＴや、図示しないバスラインなどの配線が形成され、その表面を平坦にする、いわゆる平坦化膜と呼ばれる第一絶縁層１９が形成されている。なお、各ＴＦＴはポリシリコン又はアモルファス半導体などの半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、ゲート電極１３ｇ、１２ｇ、パシベーション膜１６などにより形成されているが、その詳細の説明は省略される。図５では、ＬＣＤ３０ｂの液晶層４２と並列に接続される補助容量電極１７が形成されている。

　また、図５においては、電流供給用ＴＦＴ１２のソース１２ｓはＯＬＥＤ３０ａのアノード電極３１に接続されている。ＯＬＥＤ３０ａのカソード電極３４は、ビアコンタクト１８ｃ１、１８ｃ２でカソードバスライン１８に接続されている。第一絶縁層１９は、ポリイミドなどの有機材料、又は、ＳｉＯ_yやＳｉＮ_xなどの無機材料でＣＶＤ法などによって形成され得る。駆動用ＴＦＴ１３などのドレイン１３ｄは、コンタクト１３ｄ１～１３ｄ３を介して反射電極４１と接続され、電流供給用ＴＦＴ１２のソース１２ｓは、ＯＬＥＤ３０ａ用の第一電極３１と接続されている。なお、図５では、素子の構造が概念的に示され、各素子の全てが、正確には記載されていない。

　対向基板２０では、例えばガラス又は透明（透光性）フィルムなどの絶縁基板２１に、カラーフィルタ４４と対向電極４３と液晶配向膜４６とが形成されている。

　対向基板２０と、ＯＬＥＤ３０ａなどが形成されたＴＦＴ基板１０とが、反射電極４１と対向電極４３とが対向するように一定の間隙を確保して、ＯＬＥＤ３０ａ及びＬＣＤ３０ｂの周囲で、シール剤５０によって接着されている。両基板１０、２０の間に電子素子３０の一部となる液晶材料が封入されることによって、液晶層４２が形成され、対向基板２０の液晶層４２と反対の面に偏光板４７が設けられている。

　シール剤５０とＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との接着は、第一実施形態の封止構造体１００の説明において前述した方法と同様の方法で行われる。シール剤５０は、スペーサ５０ｂを含んでいるため、接着時に低融点ガラス材５０ａが軟化しても、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間隙の長さが厳密に制御され得る。なお、シール剤５０は、対向基板２０のうちの対向電極４３、カラーフィルタ４４及び液晶配向膜４６が形成されていない領域と接着し、また、ＴＦＴ基板１０のうちの各ＴＦＴ及び第一絶縁層１９が形成されていない領域と接着している。従って、図５の例では、具体的には、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０における絶縁基板１１と絶縁基板２１との間隙の長さが最も厳密に制御され得る。しかし、それに伴って、例えば反射電極４１と対向電極４３との間の間隔も極めて正確に制御され得る。なお、シール剤５０は、第一絶縁層１９又はカラーフィルタ４４などを介して絶遠基板１１、２１と接着していてもよい。

　ＯＬＥＤ３０ａは、一画素の第二領域Ｔに形成され、図５に示されるように、第一絶縁層１９の第二領域Ｔの表面に形成される第一電極３１と、その周囲に第一電極３１を取り囲むように形成される第二絶縁層３２と、その第二絶縁層３２で囲まれる第一電極３１の上に形成される有機層３３と、その上のＯＬＥＤ３０ａのほぼ全面に形成される第二電極３４と、その周囲を被覆する被覆層３５とで形成されている。

　第一電極３１は、例えばアノード電極として形成される。本実施形態の場合、図５の上側から表示画面を見ることになるため、第一電極３１は反射電極として形成され、発光した光を全て上方に放射する構造になっている。そのため、第一電極３１は、有機層３３などとの仕事関数の関係などに基づいて選定された光反射性の材料、例えば、ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯの積層膜などによって形成される。

　第二絶縁層３２は、ＯＬＥＤ３０ａの発光領域を画定すると共に、第一電極３１と第二電極３４とが接触して導通することを防ぐために形成されている。この第二絶縁層３２で囲まれた第一電極３１の上に有機層３３が積層される。この第二絶縁層３２は、例えばポリイミドやアクリル樹脂などの樹脂で形成される。この第二絶縁層３２は、第一領域Ｒと第二領域Ｔの高さを合せる意味からも、ＬＣＤ３０ｂが形成される第一領域Ｒにも形成される。

　有機層３３は、第二絶縁層３２に囲まれた第一電極３１の上に、蒸着法又はインクジェットなどによる塗布法で積層される。この有機層３３は、図５では一層で示されているが、種々の材料が積層されて複数層で形成される。具体的には、例えば第一電極３１上に順に、正孔注入層、正孔輸送層が形成される。さらに、その上に発光波長に応じて選択される発光層が、例えば赤色、緑色に対しては、Ａｌｑ₃に赤色又は緑色の有機物蛍光材料がドーピングされて形成される。また、青色系の材料としては、ＤＳＡ系の有機材料が用いられる。発光層の上には、さらに電子輸送層が形成される。さらに、電子注入層が設けられてもよい。これらの各層がそれぞれ数十ｎｍ程度ずつ積層され得る。

　有機層３３の表面に第二電極３４が形成される。第二電極（例えばカソード電極）３４はＯＬＥＤ３０ａのほぼ全面の上に形成される。第二電極３４は透光性の材料、例えば、薄膜のＭｇ-Ａｇ共晶膜により形成される。第二電極３４の表面に、例えばＳｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂など無機絶縁膜からなる被覆層（ＴＦＥ）３５が一層、又は二層以上の積層膜によって形成されている。被覆層３５は、第二電極３４及び有機層３３を包含している。

　図５に示されるように、ＯＬＥＤ３０ａの上にも液晶層４２及び対向電極４３が形成されている。しかし、ＯＬＥＤ３０ａの領域には、対向電極４３に対応する反射電極４１は無い。そのため、後述する液晶層４２の両面に印加される電圧がオフの場合と同じ状況になる。すなわち、外光に対してはノーマリブラックになるが、ＯＬＥＤ３０ａで発光する光は、液晶層４２は垂直配向のため、液晶層４２がないのと同じであり、何の変化もなく円偏光板４７を通過する。従って、ＯＬＥＤ３０ａの発光により表示される画像は、そのまま正面側から視認される。

　ＬＣＤ３０ｂは、一画素のうち、半分程度の第一領域Ｒの全面に形成された反射電極４１と、液晶層４２と、対向電極４３と、偏光板（円偏光板）４７とで、反射型のＬＣＤとして形成されている。液晶層４２は、第二領域Ｔも含めた全面に形成されている。反射電極４１は、いわゆる画素電極であり、第一領域Ｒのほぼ全面に形成されている。反射電極４１は、前述したＯＬＥＤ３０ａの第二絶縁層３２と同じ材料で同時に形成される第三絶縁層３２ａの上に形成されている。反射電極４１は、例えば０.０５μｍ以上で、０.２μｍ以下のＡｌ（アルミニウム）と０.００５μｍ以上で、０.０５μｍ以下のＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）との積層膜で形成される。第三絶縁層３２ａは、ＯＬＥＤ３０ａの第二絶縁層３２が形成される際に第二絶縁層３２と同じ材料で形成される。このように、第一領域Ｒに第三絶縁層３２ａが形成されることによって、液晶層４２の下層の高さを二つの領域Ｒ、Ｔ間で近づけることができる。

　液晶層４２は、液晶組成物を含み、例えばＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モードなどの種々の表示モードが用いられ得る。液晶層４２は、偏光板４７との協働で、反射電極４１と対向電極４３間への電圧の印加と停止とに応じて入射光を画素ごとに遮断又は通過させる。液晶層４２は、ＥＣＢモードであれば、光が液晶層４２を透過して反射電極４１に到達するまでに、電圧オン時に１／４波長の位相差を生じる厚さに形成されることが好ましい。本実施形態の表示装置２００では、シール剤５０がスペーサ５０ｂを含むため、対向基板２０とＴＦＴ基板１０との間隙が厳密に制御され得る。その結果、液晶層４２の厚さも精度良く制御することができる。

　ＴＦＴ基板１０に形成される液晶配向膜４５と対向基板２０に形成される液晶配向膜４６の配向は、例えば９０°の角度で相違するように形成される。例えば液晶層４２の両面に電圧が印加されない状態で液晶分子が垂直に配列されるように液晶配向膜４５、４６が形成されると、反射電極４１と対向電極４３との間にしきい値以上の電圧が印加されない状態では外光の反射光は外に出ず、黒色表示すなわちノーマリブラックになる。

　偏光板４７には、例えば円偏光板が用いられる。円偏光板は、例えば直線偏光板と１／４波長の位相差板との組み合せで形成される。さらに、幅広い波長に対して１／４波長条件を示すように、１／２波長板が併用されてもよい。反射電極４１と対向電極４３との間にしきい値以上の電圧が印加されていないときに液晶層４２が垂直配向であれば、外光はそのまま液晶層４２を通過して、反射電極４１で反射することによって右円偏光から左円偏光に逆転する。このため、偏光板４７に戻った外光は偏光板４７を通ることができずに黒色表示が得られる。一方、液晶層４２にしきい値以上の電圧が印加されることによって液晶分子が水平配向になると、外光は液晶層４２でさらに１／４波長の位相がずれるため、反射電極４１で反射した外光は偏光板４７を透過できるようになり、白色表示が得られる。なお、偏光板４７は、円偏光板に限定されるものではなく、表示モードに応じた直線偏光板であってもよい。

　シール剤５０は、前述した第一実施形態の封止構造体１００及び第二実施形態の有機ＥＬ表示装置に用いられるシール剤５０と同じで、低融点ガラス材５０ａ及び低融点ガラス材５０ａの軟化点よりも高い融点を有するスペーサ５０ｂを含んでいる。従って、前述したように、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０の間隙の長さを厳密に制御することができる。特に、図５に例示されるＯＬＥＤ３０ａとＬＣＤ３０ｂとを含むハイブリッド型の表示装置２００では、ＯＬＥＤ３０ａに対して高度のシール性が求められ、同時に、ＬＣＤ３０ｂの画質の維持及び向上のためには、二つの基板１０、２０間の間隙を厳密に制御することが求められる。従って、樹脂などと比べてシール性の高いガラス材（低融点ガラス材５０ａ）によって構成され、さらに、このガラス材の軟化点よりも高い融点を有するスペーサ５０ｂを含むシール剤５０を備える本実施形態の表示装置２００は、このようなハイブリッド型の表示装置として特に好適である。なお、表示装置２００においても、シール剤５０は、ガラスフリットのペースト、ガラスリボンなどによって、ＴＦＴ基板１０又は対向基板２０のＯＬＥＤ３０ａ及びＬＣＤ３０ｂの周囲に、先に参照した図３Ａなどに示されるように形成され、これらの基板が重ねられた後に接着される。そして、レーザ光の照射によってガラスフリットの全体又はガラスリボンの少なくとも基板１０、２０との接合部の低融点ガラス材５０ａが軟化状態にされることによって、シール剤５０がＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に接着されている。

　なお、隔壁６０も、前述した第一実施形態の封止構造体１００において設けられ得る隔壁６０と同じであり、封止構造体１００の場合と同様の材料を用いて、同様の方法で、シール剤５０と離間して形成され得る。図５に示される例では、隔壁６０とＬＣＤ３０ｂ又はＯＬＥＤ３０ａとが接触しているが、隔壁６０とこれらの電子素子とは接触していても、離間していても構わない。

（表示装置の製造方法）
　次に、本発明の第四実施形態の表示装置の製造方法が、引き続き図５を参照すると共に、図６及び図７を参照しながら説明される。本実施形態の表示装置の製造方法は、第一基板１０を用意する工程（図６のＳ１）と、第一基板１０の上方又は表面上に、画素を構成すべき電子素子３０（図１Ｂ参照）を形成する工程（Ｓ２）と、第二基板２０を用意し（Ｓ３）、第一基板１０又は第二基板２０のいずれかにシール剤材料５１（図３Ａ参照）を配置する工程（Ｓ４）と、第一基板１０と第二基板２０とをシール剤材料５１を挟んで重ね合せる工程（Ｓ５）と、シール剤材料５１によって第一基板１０と第二基板２０とを接着する工程（Ｓ６）と、を具備している。ここで、シール剤材料５１には、低融点ガラス材５０ａ、及び、低融点ガラス材５０ａの軟化点よりも高い融点を有していて低融点ガラス材５０ａに混ぜられた複数の粒状体を含む材料が用いられる。また、シール剤材料５１の配置では、第一基板１０と第二基板２０とを重ね合せたときに、電子素子の形成領域Ａ（図３Ａ参照）を囲むべき部位にシール剤材料５１が配置される。そして、レーザ光の照射によってシール剤材料５１が第一基板１０及び第二基板２０に接着される。なお、複数の粒状体は、前述した第一実施形態の封止構造体１００などにおけるスペーサ５０ｂを構成する。

　なお、上記各工程は、この順でなければならないというものではなく、例えばステップＳ３が最初に行われてもよい。また、ステップＳ４は、第一基板１０又は第二基板２０のいずれかにおいて実行される。すなわち、前述したように、シール剤材料５１は、第一基板１０又は第二基板２０のどちらに配置されてもよく、電子素子３０が形成される基板に塗布されてもよく、電子素子３０が形成された基板と接着される基板に形成されてもよい。従って、「電子素子の形成領域Ａを囲むべき部位」は、電子素子３０が形成された第一基板１０にシール剤材料５１が配置される場合は第一基板１０において電子素子３０を囲む部位であり、第二基板２０に配置される場合は第一基板１０と第二基板２０とがステップＳ５で重ね合されたときに電子素子３０を囲む部位である。

　以下では、図５を主に参照して、電子素子３０として、ＯＬＥＤ３０ａ及びＬＣＤ３０ｂを含む第三実施形態の表示装置２００の製造を例に、本実施形態の表示装置の製造方法が説明される。しかし、本実施形態の製造方法を用いて、例えば、ＯＬＥＤ３０ａ又はＬＣＤ３０ｂのいずれか一方だけを備える表示装置が製造されてもよい。従って、以下の説明における各構成要素の形成のうち、表示装置２００においてＯＬＥＤ３０ａだけを構成する要素、及びＬＣＤ３０ｂだけを構成する要素のいずれかの形成は、製造される表示装置の種類に応じて省略されてもよい。例えば、液晶表示装置が製造される場合は、ＯＬＥＤ３０ａを構成する各要素及び第三絶縁層３２ａの形成は省略されてもよい。また、有機ＥＬ表示装置が製造される場合は、液晶層４２、液晶配向膜４５、４６、ならびに反射電極４１及び対向電極４３などのＬＣＤ３０ｂを構成する各要素の形成は省略されてもよい。

　まず、第一基板（ＴＦＴ基板）１０が用意される（Ｓ１）。具体的には絶縁基板１１の上に、一般的なＴＦＴの形成方法を用いて、半導体層１４及び図示しないバスラインが形成され、さらに、ゲート絶縁膜１５、駆動用ＴＦＴ１３のドレイン１３ｄ及びゲート電極１３ｇ、電流供給用ＴＦＴ１２のソース１２ｓ及びゲート電極１２ｇ、ならびに、補助容量用電極１４が形成される。さらに、その表面にＳｉＮ_xなどからなるパシベーション膜１６、及び、コンタクト１３ｄ１などが形成され、第一絶縁層１９が、例えばポリイミド樹脂、又は、ＳｉＯ₂などの無機膜によって形成される。

　そして、ＴＦＴ基板１０の上方又は表面上にＬＣＤ３０ｂ用の反射電極４１及びＯＬＥＤ３０ａが形成される（Ｓ２）。具体的には、ＯＬＥＤ３０ａ用の第一電極（アノード電極）３１が、ＩＴＯ／ＡＰＣ（Ａｇ-Ｐｄ-Ｃｕ合金）／ＩＴＯの積層膜によって形成される。駆動用ＴＦＴ１３のドレイン１３ｄと接続するコンタクト１３ｄ２も第一絶縁層１９に形成される。そして、ポリイミド樹脂又はアクリル樹脂などによって第二絶縁層３２が、第一電極３１を取り囲み、かつ、凸部を有するように形成される。第二絶縁層３２は、例えば、液状の状態で全面に樹脂膜が形成され、その後パターニングすることによって所望の位置に所望の形状で形成される。第二絶縁層３２のパターニングの際に、第一領域Ｒのコンタクト１３ｄ２と接続するコンタクト孔が形成され、第三のコンタクト１３ｄ３が形成される。また、第二絶縁層３２と第三絶縁層３２ａとに分断されて露出する第一絶縁層１９にもトレンチが形成されてもよい。

　その後、有機層３３が、蒸着、又はインクジェット法などの印刷によって形成され、カソード電極となる第二電極３４が、有機層３３及び第二絶縁層３２の凸部を含めたＯＬＥＤ３０ａのほぼ全面に、蒸着マスクを用いた蒸着などによって形成される。

　その後、被覆層３５が、ＳｉＮ_xやＳｉＯ_yなどの無機膜で形成される。好ましくは、被覆層３５は、少なくとも二層を有する多層膜で形成される。この被覆層３５は、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法などによって形成される。被覆層３５は、第一領域Ｒまで及ぶように形成されていてもよい。被覆層３５の形成の際に、好ましくは、第一絶縁層１９に形成されたトレンチ内にも被覆層３５の材料が埋め込まれ、被覆層３５が第一絶縁層１９の下層のパシベーション膜１６などの無機膜と接合される。この被覆層３５は、全面に形成されてから、エッチングによりパターニングされてもよく、マスクを用いて所望の場所のみに堆積されてもよい。

　そして、第一領域Ｒの第三絶縁層３２ａの表面にＬＣＤ３０ｂ用の反射電極（画素電極）４１が形成される。反射電極４１は、コンタクト１３ｄ３とも電気的に接続される。反射電極４１は、例えばＡｌとＩＺＯで形成される。反射電極４１は、ＯＬＥＤ３０ａの全面を除いた一画素のほぼ半分に形成されるため、全面に蒸着などによって形成された反射膜のパターニングによって形成されてもよい。さらに、反射電極４１上に液晶配向膜４５が積層される。以上で、第一基板１０の用意が終了する。

　一方、第一基板１０と別に、第二基板（対向基板）２０が用意され得る（Ｓ３）。第二基板２０は、ガラス板又は樹脂フィルムなどの絶縁基板２１に透光性の対向電極４３及び必要な場合には、カラーフィルタ４４や液晶配向膜４６を積層することによって用意される。なお、ここではＬＣＤ３０ｂ及びＯＬＥＤ３０ａの両方を含む表示装置２００の製造を例に説明がなされているため、対向電極４３などが形成される。しかし、前述した通り、有機ＥＬ表示装置が製造される場合は、対向電極４３などの形成は省略され得る。

　その後、第一基板１０又は第二基板２０のいずれかにシール剤材料５１（図３Ａ参照）が配置される（Ｓ４）。シール剤材料５１は、第一基板１０と第二基板２０とを重ね合せたときに、電子素子の形成領域Ａ（図３Ａ参照）を囲むべき部位に配置される。シール剤材料５１は、低融点ガラス材５０ａを含んでいる。低融点ガラス材５０ａには、低融点ガラス材５０ａの軟化点よりも高い融点を有していて、第一基板１０と第二基板２０とに挟まれたときに、これらの基板間の間隙を制限する複数のスペーサ５０ｂとなるべき複数の粒状体が混ぜられている。好ましくは、低融点ガラス材５０ａ及びスペーサ５０ｂとなるべき複数の粒状体全体における複数の粒状体の含有率が、５質量％以上、３０質量％以下であるシール剤材料５１が用いられる。このようなシール剤材料５１を用いることによって、第一基板１０及び第二基板２０とシール剤５０との十分な接着強度が得られると共に、第一基板１０と第二基板２０との間隙を厳密に制御することができる。

　シール剤材料５１は、前述したように、ペースト状に調製されて塗布されてもよい。すなわち、先に参照した図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、低融点ガラス材５０ａとしてガラスフリットを用いると共に、スペーサ５０ｂとなるべき粒状体として無機物によって構成された球状体もしくは柱状体を用いてもよい。そして、バインダ５１ａを用いてペースト状に調製されたシール剤材料５１が用意され、印刷又はディスペンスを用いてガラスフリット（低融点ガラス材５０ａ）及び粒状体を第一基板１０又は第二基板２０に塗布することによってシール剤材料５１が配置されてもよい。

　また、シール剤材料５１は、ガラスリボンの形態で用意され、その一端部又は両端部を、接着剤を用いて第一基板１０又は第二基板２０に固定することによって配置されてもよい。すなわち、低融点ガラス材５０ａ及びスペーサ５０ｂとなるべき複数の粒状体を含むガラスリボン５１ｂ（図３Ｂ及び図３Ｃ参照）がシール剤材料５１として用いられてもよい。そして、ガラスリボン５１ｂを第一基板１０又は第二基板２０の所定の部位に貼り付けることによってシール剤材料５１が配置されてもよい。この場合、好ましくは、図３Ｂ及び図３Ｃを参照して説明したようにガラスリボン５１ｂの配置及び貼り付けが行われてもよい。すなわち、シール剤材料５１によって接着される接着部位が複数個に分割され、その分割された領域のそれぞれにガラスリボン５１ｂが配置される。そして、ガラスリボン５１ｂの一端部又は両端部が、接着部位に関して電子素子の形成領域Ａ（図３Ｂ及び図３Ｃ参照）と反対の部位において第一基板１０又は第二基板２０に接着される。こうすることによって、電子素子の形成領域Ａ内へのガスなどの浸入を防ぐことができ、電子素子３０の劣化を防ぐことができると考えられる。なお、シール剤材料５１は、好ましくは、図５に示されるように、絶縁基板１１、２１を露出させて、これらの基板と直接接合されることが好ましい。十分な接着が得られ易いと考えられるからである。

　図５に示される表示装置２００が製造される場合は、シール剤材料５１の配置の前又は後に、電子素子の形成領域Ａの周縁部に、隔壁材料６１（図３Ｂ及び図３Ｃ参照）が配置される。隔壁材料６１も、第一基板１０及び第二基板２０のいずれに配置されてもよい。隔壁材料６１は、第一基板１０と第二基板２０とが重ね合されたときに、隔壁材料６１で囲まれる領域内にＬＣＤ３０ｂの反射電極４１及びＯＬＥＤ３０ａが収容されるように形成される。隔壁材料６１は前述したように無機材料が好ましいが、エポキシ樹脂などの樹脂材料が用いられてもよい。また、隔壁材料６１は、ペースト状にして塗布することによって配置され得るし、リボンなどの形態で用意されて接着されてもよい。ペースト状の隔壁材料６１が塗布される場合は、その後の加熱また紫外線照射などによって硬化され、隔壁６０が形成される。隔壁材料６１の高さは、貼り合される２枚の基板の間隔に合せて選択され得る。しかし、前述したように、スペーサ５０ｂとなる粒状体の粒径よりも小さい（低い）ことが、スペーサ５０ｂによる第一基板１０と第二基板２０の間隙の制御に干渉しない点で好ましい。

　なお、隔壁材料６１が配置される場合は、シール剤材料５１と離間して配置される。好ましくは、シール剤材料５１と隔壁材料６１とは、０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下の距離だけ離される。この程度の距離だけ離間させることによって、前述したように、熱伝導が効果的に抑制され、しかも、表示装置２００の顕著な大型化を招くことも少ないと考えられるからである。なお、隔壁材料６１とシール剤材料５１は、別々の基板に配置されてもよい。

　図５に示される表示装置２００が製造される場合は、隔壁６０で囲まれるＬＣＤ３０ｂ及びＯＬＥＤ３０ａの形成領域に液晶材料（液晶組成物）が滴下される。この液晶組成物の滴下は、真空雰囲気下で行われることが好ましい。滴下の際に液晶材料の中に巻き込まれた気泡を放出しやすいからである。

　そして、第一基板１０と第二基板２０とがシール剤材料５１を挟んで重ね合される（Ｓ５）。重ね合せた後は、大気圧、又はそれより高い圧力にすることが２枚の基板に均一に圧力をかけられるので好ましい。この場合、窒素中（１００％のＮ₂雰囲気）又は乾燥空気中であることが、さらに好ましい。この時点ではシール剤５０によるシールはまだ行われていないので、シール剤５０から内部に窒素又は乾燥空気を浸入させることができるからである。従って、乾燥空気は露点－５０℃以下の乾燥空気であることが特に好ましい。

　そして、レーザ光の照射によってシール剤材料５１が第一基板１０及び第二基板２０に接着される（Ｓ６）。レーザ光の照射によって、シール剤材料５１に含まれる低融点ガラス材５０ａが軟化し、第一基板１０及び第二基板２０と接着する。例えば、シール剤材料５１が、４５０℃～５００℃程度の温度に達するようにレーザ光が照射される。レーザ光の光源としては、１９０ｎｍ～３５０ｎｍ程度の波長を有するエキシマレーザ、１０６４ｎｍの波長を有するＹＡＧレーザ、又は、１０．６μｍの波長を有するＣＯ₂レーザなどを用いることができる。各種のレーザ光は、シール剤材料５１に含まれる低融点ガラス材５０ａが良好な吸収特性を示す波長帯に応じて波長を変換されてもよい。

　本実施形態の表示装置の製造方法では、シール剤材料５１がスペーサ５０ｂとなる粒状体を含んでいるため、第一基板１０と第二基板２０とが互いに向かって押し付けられた状態で、レーザ光の照射を行うことが好ましい。すなわち、シール剤材料５１に、第一基板１０及び第二基板２０の厚さ方向の圧縮力を加えてレーザ光の照射を行うことが好ましい。このように力を加えることで、第一基板１０と第二基板２０との間隙の長さを、スペーサ５０ｂの粒径に略等しい長さに制御することができる。なお、この際に第一基板１０又は第二基板２０に加えられる力としては、０．１Ｎ／ｃｍ²以上、１５Ｎ／ｃｍ²以下程度の力が好ましい。この程度の力であれば、第一基板１０及び第二基板２０をスペーサ５０ｂに接触させることができ、しかも、これらの基板に過度なダメージも与えないと考えられる。

　さらに、第一基板１０及び第二基板２０には、薄い板材又はフィルムが用いられることが多いため、第一基板１０及び第二基板２０をそれらの全面において押し付け得る押え治具を用いて、レーザ光を照射することが好ましい。そうすることによって、第一基板１０又は第二基板２０に反りなどが生じている場合でも、第一及び第二の基板１０、２０の全面において、両基板の間隙を均一にすることができる。図７には、そのような押え治具Ｐを用いる、レーザ光の照射工程の例が示されている。

　図７に示される例では、重ね合された第一基板１０と第二基板２０の上に、板状の押え治具Ｐが載置され、押え治具Ｐを介して力Ｆが加えられている。そして、光源Ｓから、押え治具Ｐ上において所定の波長を有するレーザ光Ｌが、押え治具Ｐを介してシール剤材料５１に照射される。光源Ｓは、シール剤材料５１の配置部位に沿って動かされる。例えば、２５Ｗの出力のレーザ光が、５ｍｍ／秒の速度で移動しながらシール剤材料５１に照射される。従って、電子素子の形成領域Ａの周囲全周においてシール剤材料５１が過熱され、低融点ガラス材５０ａが一旦軟化後に固化する。その結果、シール剤材料５１が第一及び第二の基板１０、２０と接着すると共に、電子素子の形成領域Ａの周囲で第一基板１０と第二基板２０との間隙を塞ぐシール剤５０が形成される。なお、レーザ光の出力及び移動速度は、上記の出力及び速度に限定されない。

　押え治具Ｐには、図示されていない任意の荷重機構によって力Ｆが加えられてもよい。押え治具Ｐは、照射されるレーザ光に対する透過性が良好で、適度な耐熱性及び剛性を有する材料を用いて形成される。例えば、紫外線領域の光に対して高い透過率を有する石英などが、押え治具Ｐの材料として用いられるが、これに限定される訳ではない。また、レーザ光Ｌの波長は、押え治具Ｐの材料が良好な透過性を示す波長帯に応じて選択されてもよい。例えば、石英を用いて形成された押え治具Ｐが用いられる場合、３００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下の波長のレーザ光Ｌが用いられることが好ましい。例えば、前述したエキシマレーザ又はＹＡＧレーザが用いられる。ＹＡＧレーザを用いる場合、基本波から１／２波長又は１／３波長に変換したレーザ光Ｌが照射されてもよい。なお、押え治具Ｐは、レーザ光Ｌが照射される部位を除いて遮光性を有していてもよい。しかし、少なくとも電子素子の形成領域Ａを覆う部分が透光性を有していることが、レーザ光の照射中におけるＯＬＥＤ３０ａ及びＬＣＤ３０ｂの状態が確認され得る点で好ましい。

　図５に示される表示装置２００が製造される場合は、シール剤材料５１による第一基板１０と第二基板２０との接着後、第二基板２０の対向電極４３と反対面に、偏光板４７が貼り付けられる。その結果、第一領域Ｒに反射型のＬＣＤ３０ｂが形成され、第二領域ＴにＯＬＥＤ３０ａが形成されたハイブリッド型の表示装置２００が得られる。

（まとめ）
（１）本発明の第一実施形態の封止構造体は、対向して配置された第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び前記第二基板の間に形成された電子素子と、前記電子素子の外周において前記第一基板と前記第二基板との間隙を塞いでいるシール剤と、を備え、前記シール剤は低融点ガラス材及び複数のスペーサを含み、前記複数のスペーサは、前記低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有している。

　（１）の構成によれば、２枚の基板の間に形成される電子素子を水分や酸素から保護することができ、しかも、その２枚の基板の間隔を精度良く制御することができる。

（２）上記（１）の封止構造体において、前記低融点ガラス材は、一旦軟化したガラスフリットの固化物であり、前記スペーサは、無機物によって構成され、前記ガラスフリットに混ぜられた粒状体であってもよい。その場合、スペーザを含むシール剤を容易に設けることができる。

（３）上記（１）又は（２）の封止構造体において、前記低融点ガラス材の軟化点は４００℃以上、５００℃以下であり、前記スペーサは石英を用いて形成されていてもよい。その場合、電子素子への熱ストレスを抑制でき、しかも、２枚の基板の接着時のスペーサの軟化も略無いので、いっそう厳密に２枚の基板の間隙を制御することができる。

（４）上記（１）～（３）のいずれかの封止構造体において、前記シール剤における前記スペーサの含有率は、５質量％以上、３０質量％以下であってもよい。その場合、シール剤を第一及び第二の基板に十分な強度で接着することができ、そのうえ、第一基板と第二基板との間隙のムラ及びばらつきも抑制することができる。

（５）上記（１）～（４）のいずれかの封止構造体において、前記シール剤から離間し、かつ、前記電子素子を取り囲む隔壁が、前記シール剤と前記電子素子との間に形成されていてもよい。そうすることによって、電子素子の形成領域への熱の伝達を抑制することができる。

（６）本発明の第二実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記（１）～（５）のいずれかの封止構造体を含み、前記電子素子が有機ＥＬ発光素子である。この構成によれば、有機ＥＬ表示装置において、２枚の基板の間隙を制御することができ、有機ＥＬ発光素子を水分などに対して保護することができる。

（７）本発明の第三実施形態の表示装置は、表示画面の画素ごとに形成された駆動素子及び前記駆動素子の上の表面を平坦にした第一絶縁層を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板の一画素の第一領域で、前記第一絶縁層の上方に形成された液晶表示素子用の反射電極と、前記ＴＦＴ基板の前記第一絶縁層の上の前記第一領域と隣接する前記一画素の第二領域に形成され、第一電極、有機層、第二電極及び被覆層を有する有機ＥＬ発光素子と、前記反射電極と対向する対向電極を有し、前記ＴＦＴ基板と対向して配置された対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に充填された液晶層と、前記液晶層の外周において前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間隙を塞いでいるシール剤と、を具備し、前記シール剤は、低融点ガラス材及び複数のスペーサを含み、前記複数のスペーサは、前記低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有している。

　（７）の構成によれば、液晶表示素子と有機ＥＬ発光素子の両方を含む複合型の表示装置において、水分や酸素の浸入から有機ＥＬ発光素子を保護することができ、しかも液晶表示素子における画質の低下などを抑制することができる。

（８）上記（７）の表示装置において、前記シール剤と前記液晶層とを隔てる隔壁が、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に設けられており、前記シール剤と前記隔壁とが離間していてもよい。その場合、電子素子の形成領域への熱の伝導を抑制することができる。

（９）本発明の第四実施形態の表示装置の製造方法は、第一基板を用意する工程と、前記第一基板の上方又は表面上に、画素を構成すべき電子素子を形成する工程と、第二基板を用意し、前記第一基板又は前記第二基板のいずれかにシール剤材料を配置する工程と、前記第一基板と前記第二基板とを前記シール剤材料を挟んで重ね合せる工程と、前記シール剤材料によって前記第一基板と前記第二基板とを接着する工程と、を具備し、前記シール剤材料に、低融点ガラス材、及び、前記低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有していて前記低融点ガラス材に混ぜられた複数の粒状体を含む材料を用い、前記シール剤材料の配置において、前記第一基板と前記第二基板とを重ね合せたときに前記電子素子の形成領域を囲むべき部位に前記シール剤材料を配置し、レーザ光の照射によって前記シール剤材料を前記第一基板及び前記第二基板と接着する。

　（９）の構成によれば、電子素子を水分や酸素から保護することができ、しかも、２枚の基板の間隙が精度良く制御された表示装置を製造することができる。

（１０）上記（９）の表示装置の製造方法において、前記低融点ガラス材及び前記複数の粒状体全体における前記複数の粒状体の含有率が、５質量％以上、３０質量％以下である前記シール剤材料を用いてもよい。そうすることによって、シール剤材料を第一及び第二の基板に十分な強度で接着することができ、そのうえ、第一基板と第二基板との間隙のムラ及びばらつきも抑制することができる。

（１１）上記（９）又は（１０）の表示装置の製造方法において、前記シール剤材料に前記第一基板及び前記第二基板の厚さ方向の圧縮力を加えて前記レーザ光の照射を行ってもよい。そうすることによって、第一基板と第二基板との間隙を厳密に制御することができる。

（１２）上記（１１）の表示装置の製造方法において、重ね合された前記第一基板と前記第二基板の上に、石英を用いて形成された押え治具を載置し、前記押え治具を介して前記力を加えると共に、前記押え治具上において３００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下の波長を有するレーザ光を前記押え治具を介して前記シール剤材料に照射してもよい。そうすることによって、第一基板と第二基板との間隙をそれらの基板の全面において均一に制御することができ、また。シール剤材料にレーザ光を十分に照射することができる。

（１３）上記（９）～（１２）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記低融点ガラス材としてガラスフリットを用いると共に、前記粒状体として無機物によって構成された球状体もしくは柱状体を用い、印刷又はディスペンスを用いて前記ガラスフリット及び前記粒状体を前記第一基板又は前記第二基板に塗布することによって前記シール剤材料を配置してもよい。その場合、シール剤材料を容易に配置することができる。

（１４）上記（９）～（１２）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記シール剤材料に、前記低融点ガラス材及び前記複数の粒状体を含むガラスリボンを用い、前記ガラスリボンを前記第一基板又は前記第二基板の所定の部位に貼り付けることによって前記シール剤材料を配置してもよい。そうすることによって、気泡などの少ないシール剤で第一基板と第二基板とを接着することができる。

（１５）上記（１４）の表示装置の製造方法において、前記ガラスリボンの貼り付けにおいて、前記ガラスリボンを、前記シール剤材料によって接着される接着部位を複数個に分割した領域のそれぞれに配置し、前記ガラスリボンの一端部又は両端部を、前記接着部位に関して前記電子素子の形成領域と反対の部位において前記第一基板又は前記第二基板に接着してもよい。そうすることによって、電子素子の形成領域へのガスなどの浸入を少なくすることができる。

１０　第一基板（ＴＦＴ基板）
１３　　駆動用ＴＦＴ
１９　　第一絶縁層
２０　第二基板（対向基板）
３０　電子素子
３０ａ　有機ＥＬ発光素子（ＯＬＥＤ）
３０ｂ　液晶表示素子（ＬＣＤ）
３１　　第一電極（アノード電極）
３２　　第二絶縁層（絶縁バンク）
３２ａ　第三絶縁層
３３　　有機層
３４　　第二電極（カソード電極）
３５　　被覆層（ＴＦＥ）
４１　　反射電極（画素電極）
４２　　液晶層
４３　　対向電極
５０　　シール剤
５０ａ　低融点ガラス材
５０ｂ　スペーサ
５１　　シール剤材料
５１ｂ　ガラスリボン
６０　　隔壁
６１　　隔壁材料
１００　封止構造体
２００　表示装置
Ａ　　　電子素子の形成領域
Ｂ　　　接着部
Ｐ　　　押え治具
Ｒ　　　第一領域
Ｔ　　　第二領域

Claims

　対向して配置された第一基板及び第二基板と、
　前記第一基板及び前記第二基板の間に形成された電子素子と、
　前記電子素子の外周において前記第一基板と前記第二基板との間隙を塞いでいるシール剤と、を備え、
　前記シール剤は低融点ガラス材及び複数のスペーサを含み、
　前記複数のスペーサは、前記低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有している、封止構造体。
　前記低融点ガラス材は、一旦軟化したガラスフリットの固化物であり、
　前記スペーサは、無機物によって構成され、前記ガラスフリットに混ぜられた粒状体である、請求項１に記載の封止構造体。
　前記低融点ガラス材の軟化点は４００℃以上、５００℃以下であり、前記スペーサは石英を用いて形成されている、請求項１又は２に記載の封止構造体。
　前記シール剤における前記スペーサの含有率は、５質量％以上、３０質量％以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の封止構造体。
　前記シール剤から離間し、かつ、前記電子素子を取り囲む隔壁が、前記シール剤と前記電子素子との間に形成されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の封止構造体。
　請求項１～５のいずれか１項に記載の封止構造体を含み、
　前記電子素子が有機ＥＬ発光素子である、有機ＥＬ表示装置。
　表示画面の画素ごとに形成された駆動素子及び前記駆動素子の上の表面を平坦にした第一絶縁層を有するＴＦＴ基板と、
　前記ＴＦＴ基板の一画素の第一領域で、前記第一絶縁層の上方に形成された液晶表示素子用の反射電極と、
　前記ＴＦＴ基板の前記第一絶縁層の上の前記第一領域と隣接する前記一画素の第二領域に形成され、第一電極、有機層、第二電極及び被覆層を有する有機ＥＬ発光素子と、
　前記反射電極と対向する対向電極を有し、前記ＴＦＴ基板と対向して配置された対向基板と、
　前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に充填された液晶層と、
　前記液晶層の外周において前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間隙を塞いでいるシール剤と、
を具備し、
　前記シール剤は、低融点ガラス材及び複数のスペーサを含み、
　前記複数のスペーサは、前記低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有している、表示装置。
　前記シール剤と前記液晶層とを隔てる隔壁が、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に設けられており、
　前記シール剤と前記隔壁とが離間している、請求項７に記載の表示装置。
　第一基板を用意する工程と、
　前記第一基板の上方又は表面上に、画素を構成すべき電子素子を形成する工程と、
　第二基板を用意し、前記第一基板又は前記第二基板のいずれかにシール剤材料を配置する工程と、
　前記第一基板と前記第二基板とを前記シール剤材料を挟んで重ね合せる工程と、
　前記シール剤材料によって前記第一基板と前記第二基板とを接着する工程と、
を具備し、
　前記シール剤材料に、低融点ガラス材、及び、前記低融点ガラス材の軟化点よりも高い融点を有していて前記低融点ガラス材に混ぜられた複数の粒状体を含む材料を用い、
　前記シール剤材料の配置において、前記第一基板と前記第二基板とを重ね合せたときに前記電子素子の形成領域を囲むべき部位に前記シール剤材料を配置し、
　レーザ光の照射によって前記シール剤材料を前記第一基板及び前記第二基板と接着する、表示装置の製造方法。
　前記低融点ガラス材及び前記複数の粒状体全体における前記複数の粒状体の含有率が、５質量％以上、３０質量％以下である前記シール剤材料を用いる、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
　前記シール剤材料に前記第一基板及び前記第二基板の厚さ方向の圧縮力を加えて前記レーザ光の照射を行う、請求項９又は１０に記載の表示装置の製造方法。
　重ね合された前記第一基板と前記第二基板の上に、石英を用いて形成された押え治具を載置し、
　前記押え治具を介して前記力を加えると共に、前記押え治具上において３００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下の波長を有するレーザ光を前記押え治具を介して前記シール剤材料に照射する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
　前記低融点ガラス材としてガラスフリットを用いると共に、前記粒状体として無機物によって構成された球状体もしくは柱状体を用い、
　印刷又はディスペンスを用いて前記ガラスフリット及び前記粒状体を前記第一基板又は前記第二基板に塗布することによって前記シール剤材料を配置する、請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
　前記シール剤材料に、前記低融点ガラス材及び前記複数の粒状体を含むガラスリボンを用い、
　前記ガラスリボンを前記第一基板又は前記第二基板の所定の部位に貼り付けることによって前記シール剤材料を配置する、請求項９～１２のいずれか１項に記載の製造方法。
　前記ガラスリボンの貼り付けにおいて、前記ガラスリボンを、前記シール剤材料によって接着される接着部位を複数個に分割した領域のそれぞれに配置し、前記ガラスリボンの一端部又は両端部を、前記接着部位に関して前記電子素子の形成領域と反対の部位において前記第一基板又は前記第二基板に接着する、請求項１４に記載の製造方法。