JP6463876B1 - 基板の封止構造体、及び表示装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

本実施形態では、２枚の基板を封止するシール剤（５０）は低融点ガラス材を含み、第一基板（１０）及び第二基板（２０）のそれぞれと接着されており、シール剤（５０）と電子素子（３０）との間で、かつ、第一基板（１０）及び第二基板（２０）の間で、電子素子（３０）の外周を取り囲むように形成された隔壁（６０）が配置されており、シール剤（５０）と隔壁（６０）とは離間している。その結果、２枚の基板の間に形成される電子素子を水分や酸素から保護しながら、封止の際の熱による電子素子の劣化が防止され得る。

Description

本発明は、基板の封止構造体、及び反射型液晶表示素子と有機ＥＬ表示素子とを組み合せた複合型（ハイブリッド型）の表示装置とその製造方法に関する。

水分によって劣化しやすい有機化合物や、酸化によって性能が低下しやすい電極が用いられている有機ＥＬ発光素子のように、外気と遮断される必要のある電子素子では、水分や酸素の浸入を阻止することで、素子の性能劣化を防止する必要がある。そのため、例えば特許文献１では、発光素子を挟んだ２枚の基板を、ガラスフリットを用いてレーザ光で貼り合せている。しかし、特許文献１では、図５Ａに示されるように、発光素子８０と光透過層８５との間に内部充填剤８６を充填し、その内部充填剤８６が流れ出ないようにシーラント部８７で発光素子８０及び内部充填剤８６を囲み、そのシーラント部８７の外周にシーラント部８７と接触してガラスフリットからなるシール剤８８を形成することで、素子基板８９ａと封止基板８９ｂとが接合されている。なお、発光素子８０は、第一電極８１、有機層８２、第二電極８３及びその周囲を被覆する保護膜８４とで構成されている。この内部充填剤８６及びシーラント部８７は共に、ＵＶ又は熱で硬化させるアクリル系樹脂やエポキシ系樹脂などの樹脂が用いられている。

また、特許文献２には、図５Ｂに示されるように、第一基板９１と第二基板９２とを封着した第一シールライン９３の外側に、第二シールライン９４が形成され、二重のシール構造に形成されている。第二シールライン９４は、無機質材料を用いてレーザ光によって硬化させ得ることが記載されている。しかし、第二シールライン９４は、図５Ｂに示されるように、第一基板９１と第二基板９２との大きさを異ならせることで、第一基板９１上と第二基板９２の側面と第一シールライン９３とに接触するように形成されている。なお、図５Ｂにおいて、両基板９１、９２によって封入される電子素子に関しては、省略されている。

特開２０１０−１０３１１２号公報 特開２００８−２１０７７０号公報

前述のように、従来の第一基板と第二基板との封止は、二重シールで形成されているが、図５Ａに示されるシール剤８８とシーラント部８７、又は図５Ｂに示される第一シールライン９３と第二シールライン９４とが共に接触している。このように二つのシール剤が接触していると、シール剤８８や第二シールライン９４にガラスフリットが用いられる場合、ガラスフリットをレーザ光で加熱することによって接着する際に、３５０〜６００℃程度又はそれ以上に温度が上昇する。そのため、シーラント部８７、又は第一シールライン９３の温度が上昇し、シーラント部８７又は第一シールライン９３と接するか、その近傍にある発光素子８０の一部の温度が上昇し、素子特性を劣化させることが想定される。

さらに、シーラント部８７や、第一シールライン９３の温度が上昇すると、熱硬化又は紫外線硬化したシーラント部８７又は第一シールライン９３の温度が熱硬化や紫外線硬化による硬化時より高くなり、ガスが発生すると考えられる。この時点で発生するガスは、そのまま発光素子８０の周囲に残留することになり、発光素子８０への悪影響が懸念される。

本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、２枚の基板の間に形成される電子素子を水分や酸素から保護し得る基板の封止構造にしながら、封止の際の熱による電子素子の劣化を防止し得る封止構造体を提供することを目的とする。

本発明の他の目的は、液晶表示素子と有機ＥＬ表示素子の両方を含む複合型の表示装置であっても、熱によるいずれの素子の劣化も抑制しながら、水分や酸素の浸入から有機ＥＬ表示素子を保護し得るシール構造を有する表示装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明の第一実施形態の封止構造体は、対向して配置された第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板の間に形成された電子素子と、前記電子素子の外周で前記第一基板及び第二基板を封止したシール剤と、を備え、前記シール剤は低融点ガラス材を含み、前記第一基板及び第二基板のそれぞれと接着されており、前記シール剤と前記電子素子との間で、かつ、前記第一基板及び第二基板の間で、前記電子素子の外周を取り囲むように形成された隔壁が配置されており、前記シール剤と前記隔壁とは離間している。

本発明の第二実施形態の表示装置は、表示画面の画素ごとに形成された駆動素子及び前記駆動素子の上の表面を平坦にした第一絶縁層を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板の一画素の第一領域で、前記第一絶縁層の上方に形成された液晶表示素子用の反射電極と、前記ＴＦＴ基板の前記第一絶縁層の上の前記第一領域と隣接する前記一画素の第二領域に形成され、第一電極、有機層、第二電極及び被覆層を有する有機ＥＬ表示素子と、前記反射電極と対向する対向電極を有し、前記ＴＦＴ基板と対向して配置された対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に充填された液晶層と、前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板を貼り合せたシール剤と、を具備し、前記シール剤は低融点ガラス材を含み、前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板のそれぞれと接着されており、前記シール剤と前記液晶層との間で、かつ、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に隔壁が配置されており、前記シール剤と前記隔壁とが離間している。

本発明の第三実施形態の表示装置の製造方法は、少なくとも駆動素子を形成したＴＦＴ基板を形成する工程と、前記ＴＦＴ基板の上方又は表面上に液晶表示素子用の反射電極及び有機ＥＬ表示素子を形成する工程と、液晶表示素子用の対向電極を有する対向基板を形成する工程と、前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板のいずれかで、前記液晶表示素子用の反射電極及び前記有機ＥＬ表示素子を形成する素子形成領域の周縁部に、隔壁材料を配置する工程と、前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板のいずれかで、前記隔壁材料の前記素子形成領域と反対の部位に前記隔壁材料と離間してシール剤材料を配置する工程と、前記隔壁材料で囲まれる前記素子形成領域に液晶組成物を滴下する工程と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ね合せる工程と、前記シール剤材料によって前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを接着する工程と、具備し、前記シール剤材料に低融点ガラスを含む材料を用い、かつ、前記シール剤材料をレーザ光の照射によって前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板と接着している。

本発明の実施形態によれば、二重シールという発想ではなく、低融点ガラスを含むシール剤で二つの基板の間を完全にシールしながら、シール剤と離間して電子素子との間に隔壁が形成されているので、シール剤をレーザ光によって基板と接着する場合でも、隔壁によって接着の際に発生する熱は遮断され、電子素子が保護される。また、シール剤と隔壁とは離間しているので、隔壁自身の温度もそれほど上昇せず、隔壁からガスが発生することも殆どない。

本発明の第一実施形態の封止構造体の断面図である。 本発明の第二実施形態の表示装置の断面図である。 製造工程で基板の表面に隔壁材料とシール剤材料を印刷で形成した状態の平面図である。 製造工程で、シール材料としてのガラスリボンを固定する方法を説明する平面図である。 製造工程で、シール材料としてのガラスリボンを固定する他の例を示す平面図である。 本発明の第三実施形態の製造工程を示すフローチャートである。 従来の封止構造体の一例を示す断面図である。 従来の封止構造体の他の例を示す断面図である。

（第一実施形態：基板の封止構造体）
次に、図面を参照しながら本発明の第一実施形態である基板の封止構造体が説明される。図１に示されるように、本発明の第一実施形態の封止構造体１００は、対向して配置された第一基板１０及び第二基板２０と、その第一基板１０及び第二基板２０の間に形成された電子素子３０と、電子素子３０の外周で第一基板１０及び第二基板２０を封止したシール剤５０とを備えている。本実施形態では、シール剤５０は低融点ガラス材を含み、第一基板１０及び第二基板２０のそれぞれと接着されており、シール剤５０と電子素子３０との間で、かつ、第一基板１０及び第二基板２０の間で、電子素子３０の外周を取り囲むように形成された隔壁６０が配置されており、シール剤５０と隔壁６０とは離間している。なお、基板の封止構造体とは、２枚の基板の間に電子素子３０などが配置されてその周囲が本実施形態の構造で封止された電子デバイスの総称である。

また、「電子素子３０の外周を取り囲むように形成された隔壁６０」の電子素子３０は、電子デバイスを構成する一群の電子素子を意味し、例えば電子デバイスが照明装置であれば、その照明装置を構成する１個、又は複数個の有機ＥＬ発光素子（以下、単にＯＬＥＤともいう）を意味し、電子デバイスが表示装置であれば、各画素を構成する複数のＯＬＥＤなどの一群の電子素子を意味する。大判の基板で、複数個の電子デバイスが一度に製造される場合には、１個の電子デバイスごとの電子素子３０の周囲に隔壁６０及びシール剤５０が形成される。

第一基板１０及び第二基板２０は、気密性があるものであれば特に限定されない。絶縁性基板、半導体基板、導電性基板でも構わない。一方の基板の表面に電子素子３０（その部品である電極などを含む）が形成される場合などにおいて、絶縁性の基板が好ましい場合でも、半導体基板や導電性基板の表面に絶縁膜を形成することで半導体基板や導電性基板を使用し得る。また、剛性を有する基板でも、可撓性基板でも構わない。さらに、第一基板１０と第二基板２０とが異種の材料の組合せ、例えば半導体基板と絶縁性基板との組合せなどでもよい。表示装置又は発光装置（照明装置）などの場合には、ガラス基板やポリイミドなどの樹脂フィルムが使用され得る。なお、図１では、第一基板１０及び第二基板２０が簡単な１枚の構造で示されているが、図示しない駆動素子などの素子が形成され得る。

電子素子３０は、特に限定されないが、水分や酸素などで劣化しやすい材料が用いられているＯＬＥＤなどの電子素子３０の場合に、本実施形態の基板の封止構造体１００は特に有効である。また、液晶表示素子や色素増感型太陽電池のように液晶や液体を封入する必要のある電子素子にも有効である。また、基板の封止構造体１００は、後述される液晶表示素子（以下、単にＬＣＤともいう）とＯＬＥＤとを含むハイブリッド型の表示装置のように、２以上の電子素子３０を含んでいてもよい。

図１に示される例では、ガラスからなる第一基板１０上にＯＬＥＤ３０ａが電子素子３０として形成されている。すなわち、第一電極３１の周囲を取り囲むように絶縁バンク３２が形成され、第一電極３１の上に有機層３３、第二電極３４、及びその上に被覆層（ＴＦＥ；Thin Film Encapsulation）３５が形成されている。図１に示される例では簡略化のため、ＯＬＥＤ３０ａが主要部のみの構造で示されているが、後述される第二実施形態で説明されるＯＬＥＤ３０ａと同じ構造であってもよく、詳細は後述される。

シール剤５０は、第一基板１０と第二基板２０とを気密封止にして、その内部に配置されている電子素子３０が水分や酸素などによって劣化しないようにするものである。そのため、エポキシ樹脂などの水分を透過しやすい樹脂類ではなく、ガラス材が用いられている。このシール剤５０の幅（厚さ）ｘは０.０５ｍｍ以上２.０ｍｍ以下程度あれば気密封止に問題はない。一方、第一基板１０と第二基板２０との間には、電子素子３０が封入されるので、シール剤５０をガラスなどによって第一及び第二の基板１０、２０と接着する場合に余り温度を上げられない。そのため、軟化点（いわゆるゴム状態になる温度）の低い低融点ガラスが用いられる。

低融点ガラスは、ガラスの組成に低融点酸化物を混入して軟化点の温度を下げたもので、一般的には３５０〜６００℃程度又はそれ以上の温度の軟化点のものであるが、本実施形態では、電子素子３０が形成された基板を接合するため、できるだけ低い軟化点のガラスが好ましい。その観点から、例えばバナジウム系低融点ガラスを用いることができる。バナジウム系低融点ガラスは、主成分がＶ₂Ｏ₅-Ｐ₂Ｏ₅-ＴｅＯ₂-Ｆｅ₂Ｏ₃からなり、軟化点が３７０℃程度である。すなわち３７０〜４００℃程度に加熱されることで軟化し、基板と密着させてから冷却することによって、固相化することで接着する。このバナジウム系低融点ガラスは、可視から赤外領域に高い光吸収性を有しており、レーザ光によって局所的な加熱、接合が可能である。しかし、低融点ガラスと言っても、電子素子３０の耐熱温度は一般的にはもっと低くなる。従って、基板上に形成された各種素子に熱の影響を与えないように、シール剤５０の接着時に発生する熱を遮断する必要がある。

すなわち、低融点とはいえ、ガラス材は４００℃程度まで温度が上昇するので、前述した図５Ａ〜５Ｂに示されるように、シーラント部８７とシール剤８８又は第一シールライン９３と第二シールライン９４とが接触していると、シール剤８８や第二シールライン９４を接着するときの熱は容易にシーラント部８７又は第一シールライン９３に伝達する。そして、シーラント部８７又は第一シールライン９３と接触もしくは近接する発光素子８０の部分は容易に温度が上昇して性能を劣化させる要因になる。また、このシーラント部８７などに樹脂が用いられていると、その樹脂自身からもガスが発生し、そのガスが基板間に封入される危険性がある。そこで、本実施形態では、後述されるように、この低融点ガラス（シール剤５０）の接着の際に、電子素子３０の一部に直接熱が伝導しないように、電子素子３０とシール剤５０とが隔離されている。

この低融点ガラスは、例えば微細粉末にしたガラスフリットとして有機溶媒を含むバインダなどによってペースト状にされる。そのシール剤材料５１を、例えば図３Ａに示されるように、基板１０の所定の部位に塗布した後、硬化することでシール剤５０が形成される。図３Ａでは、後述される隔壁材料６１（無機材料ペーストなど）も示されており、その隔壁材料６１の外周に、隔壁材料６１と離間してスクリーン印刷又はディスペンサなどによってシール剤材料５１が形成され得る。このシール剤材料５１は、第一基板１０又は第二基板２０のいずれか一方の所定の部位に塗布される。所定の部位とは、電子素子３０の素子形成領域Ａ（図３Ａ参照）の周縁に形成される隔壁材料６１のさらに外周で、隔壁材料６１と所定の間隔ｚを有する部位である。そして、他方の基板を位置合せして重ね合せた後に、レーザ光を照射することによって、軟化点以上の温度に上昇させることでシール剤材料５１が各基板に接着される。なお、シール剤材料５１や隔壁材料６１を形成する基板は、電子素子３０が形成された基板には限定されない。シール剤材料５１及び隔壁材料６１は、電子素子３０の素子形成領域Ａを他方の基板に映した（投影した）領域の周囲に形成されてもよい。さらに、シール剤材料５１と隔壁材料６１とが異なる基板に形成されてもよい。

この接着に使用するレーザ光としては、低融点ガラスが前述した材料であれば、可視光から赤外の領域で高い光吸収性を有するので、種々のレーザ光源が用いられ得る。そのため、例えば一般的に用いられるＣＯ₂レーザ（波長：１０.６μｍ）を用いることができる。ＯＬＥＤやＬＣＤなどを封入する基板の間隔（セルギャップ：５〜１０μｍ程度）とほぼ同じ波長のＣＯ₂レーザ光を用いることで、シール剤５０の全体を軟化させることができ、微粉末の全体が軟化状態になって微粉末間の空隙のない固化体になる。

シール剤材料５１は、低融点ガラスをペースト状にして塗付したものでなくてもよく、例えばガラスリボン５１ｂ（図３Ｂ参照）でもよい。第一又は第二の基板１０、２０の一方にガラスリボン５１ｂを貼り付けておいて、２枚の基板を重ねた後にレーザ光の照射によって接合してもよい。この場合、ガラスリボン５１ｂは、溶融状態のガラスから直接鋳型などに流し込んで形成され得るし、前述したガラスフリットのペーストを成形して固化することでも形成され得る。このペーストからリボンを形成する場合、リボンを形成する際に溶媒を蒸発させることで、ポーラスな状態のガラスリボンを軟化状態にして空隙を無くしたリボンにすることもできるし、空隙のある多孔質のリボンとして、前述したように、２枚の基板の間に挟んでから軟化状態にすることで、空隙の消失と同時に基板と接着することもできる。シール剤５０の内部にガスを封入しないという観点からは、空隙のないガラスリボン５１ｂが好ましい。

空隙のない（ポーラスではない）ガラスリボン５１ｂを基板と接合する場合、ガラスリボン５１ｂの全体を軟化状態にする必要はなく、基板との接合部のみを軟化させるだけでよい。しかし、ガラスリボン５１ｂの全体が軟化状態になってから固化しても何ら問題はない。元々空隙が無いので、軟化状態になってもガスの発生は無いからである。従って、ガスの発生を伴わないで、ガラスフリットを軟化状態にする場合と同様に接着され得る。

ガラスリボン５１ｂでシール剤５０を形成する場合、２枚の基板の一方、例えば第一基板１０の所定の部位（シールする場所）にガラスリボン５１ｂを接着剤などで貼り付けておき、第二基板２０を重ね合せた後に、前述したレーザ光の照射によって、シール剤５０と各基板とが接着され得る。この場合、図３Ｂ〜３Ｃに示されるように、ガラスリボン５１ｂは、その全面に接着剤が付着されないで、一部（接着部Ｂ）に付着されていればよい。

具体的には、図３Ｂ〜３Ｃに示されるように、シール部を複数箇所（例えば矩形状の基板の各辺）に分割して、その箇所ごとの長さのガラスリボン５１ｂを用意し、そのガラスリボン５１ｂの一端部（図３Ｂの例）又は両端部（図３Ｃの例）の接着部Ｂのみに図示しない接着剤を付けて固定し得る。この場合、各ガラスリボン５１ｂは接着部Ｂの分だけ長く形成される。このようにすれば、図３Ｂ〜３Ｃに示されるように、接着剤を付着させる接着部Ｂがシール部の外側に設けられ得る。すなわち、第一基板１０と第二基板２０とが重ね合された後にレーザ光で接着される部位の外側に接着部Ｂを配置し得る。このガラスリボン５１ｂの配置後レーザ光の照射による接着までの時間はそれほど長くないので、接着前にずれる危険性は非常に少ないからである。また、ガラスリボン５１ｂの全面に接着剤が付着していると、基板１０とガラスリボン５１ｂとの接着は安定するが、レーザ光による基板１０との接着の際に接着剤から発生したガスを基板間に封入してしまう危険性があるのを避けられる。

図３Ｂに示される例は、ガラスリボン５１ｂの一端部のみに接着剤が付着される例であり、接着剤の付された接着部Ｂはシール剤５０の電子素子３０と反対の部位で接着される。ガラスリボン５１ｂの他端部は、他のガラスリボン５１ｂと突き当てになっており、接着した場合には他のガラスリボンと接合して一体化される。その結果、基板との接着の際にガラスリボン５１ｂの温度が上昇しても、その温度上昇によって接着剤から発生するガスはシール剤５０の外側に放出されることになる。

図３Ｃに示される例では、ガラスリボン５１ｂの分割は、図３Ｂの例と同様に矩形状の基板１０の各辺に沿った４分割になっている。その分割された各ガラスリボン５１ｂを若干長くして、両端部が９０°折り曲げられた形状に形成されている。その折り曲げられた部分が図３Ｃに示されるように、シール剤５０となる部分の外側に位置するようにガラスリボン５１ｂが形成されている。その結果、図３Ｂの例と同様に、接着剤によって接着される接着部Ｂはシール剤５０の外側になり、レーザ光による接着の際に、接着剤からガスが発生しても、電子素子３０側に封入されることはない。しかも、ガラスリボン５１ｂの両端部で接着されるので、非常に安定してガラスリボン５１ｂを接着させ得る。

隔壁６０は、シール剤５０と電子素子３０との間に設けられ、シール剤５０と離間して設けられている。そのため、隔壁６０も電子素子３０を取り囲むように形成されている。すなわち、電子素子３０に液晶のような液状物がある場合でも、その液状物がシール剤５０に直接接触しないように隔離すると共に、シール剤５０の接着のために加熱する際の熱の伝導を抑制するために設けられている。従って、シール剤５０を第一及び第二の基板１０、２０と接着する際の加熱による熱が電子素子３０に伝わることで電子素子３０が劣化するのが抑制される。

すなわち、隔壁６０は、熱遮断の役目を有している。例えば電子素子３０に液晶材料（液晶組成物）を含む場合、温度が１５０℃以上に上昇すると、液晶材料が劣化することが知られている。しかも、液晶材料は、固体のように一定の場所に固定しているのではなく、流動し得る。そのため、隔壁６０は、液晶材料が、加熱されるシール剤５０と接触することを避けると共に、シール剤５０からの熱伝導を抑制する役目を果たしている。そのため、隔壁６０はできるだけシール剤５０から離れた位置に配置されることが好ましい。

隔壁６０の厚さｙは０.１ｍｍ以上で、１.０ｍｍ以下であれば熱伝導を抑制し得る。厚さが厚いほど、シール剤５０からの輻射熱によってシール剤５０に対向する隔壁６０の面の温度が上昇しても、その熱が電子素子３０に伝達し難いので好ましい。しかし、余り隔壁６０の厚さを厚くすると、構造体１００の寸法が大きくなり、電子機器の軽薄短小化の要求に反する。従って、熱伝導を抑制できると共に、第一及び第二の基板１０、２０の間の機械的強度を満足し得る上記寸法ｙにすることが好ましい。

また、シール剤５０と隔壁６０との間隔ｚは０.５ｍｍ以上であることが好ましい。この間隔ｚも大きいほど熱伝導の抑制という観点からは好ましいが、間隔ｚを大きくすると、前述のように、電子機器が大形になり、電子機器の軽薄短小化の流れに逆行する。一方、数秒程度の加熱時間で４００℃程度に加熱される熱源からの熱の空間での熱伝導は、０.５ｍｍの間隔を空けることでほぼ阻止し得ることが確かめられた。従って、間隔ｚは大きくても１ｍｍあれば十分である。

隔壁６０は、このように電子素子３０の一部がシール剤５０と接触しないように区画すると共に、シール剤５０の接着の際に発生する熱の電子素子３０への伝導を抑制することを目的としている。従って、シール（封止）をすることを目的とはしていないので、基板と接着する必要はない。そのため、前述した図５Ａ〜５Ｂに示されるシーラント部８７や第一シールライン９３のような樹脂類で基板と接着する必要はない。むしろこのような熱硬化性の樹脂類を用いるよりも、ガラスやセラミックスなどの無機材料を用いることが好ましい。すなわち、従来のシール構造にするため、熱硬化性の樹脂などの樹脂類を用いて硬化させると、硬化時に発生する水分などが基板間に封入されることになり、たとえその外周をガラスなどで封止して外部からの水分の浸入を阻止しても、常に電子素子３０は、熱硬化の際に発生した水分や酸素に晒されることになる。そのため、熱硬化性の樹脂は、電子素子３０を劣化させる原因になりやすい。

隔壁６０として使用し得る無機材料としては、例えばガラス、セラミックス、金属酸化物、金属、半導体などを用いることができる。ガラスとしては、例えば前述のシール剤５０として用いた低融点ガラスのガラスフリットやガラスリボンを用いることもできる。ガラスフリットの場合、バインダによってペースト状にし、一方の基板に印刷などによって塗布した後で、他方の基板を重ね合せる前に有機材料の成分のみを気化させれば、バインダが少々残存しても、その量は非常に少なく、その後のガスの発生は殆ど問題にならない固化物が得られる。また、ガラスリボンの場合は、一方の基板１０に接着剤などによって貼り付けることになり、接着剤の有機材料を含み得るが、接着剤の量は非常に少なく、また、温度を上昇させる訳ではないので、殆どガスの発生は問題にならない。さらに、感光性ガラスペーストを塗布して硬化させることもできる。

セラミックスや金属酸化物などの他の無機材料でも、ガラスフリットと同様に微粉末として有機溶媒や接着剤などと混ぜて隔壁６０とし得る。これらの場合、前述したように、有機溶媒や接着剤などの無機材料では無いものも含まれ得るが、主体的には無機材料であるもの、すなわち体積で９０％以上が無機材料である場合には、殆どガスの発生はなく、無機材料として使用し得る。

また、マスキングと蒸着やスパッタなどの手法を組み合せることによっても隔壁材料６１を形成し得る。この方法によれば、有機溶媒などを一切使用せずに無機材料だけで隔壁６０を形成し得るし、種々の材料を使用し得る。

隔壁６０は、第一基板１０又は第二基板２０の一方と接着していれば他方の基板とは接着していなくてもよい。すなわち、前述したように、隔壁６０は、シール機能を有しなくてもよいからである。そのため、例えば隔壁材料６１が微粉末で、最終的にポーラスであっても、その微細孔が非常に小さく、液晶のような電子素子３０の一部である液状物質の流れを阻止できるものであればよい。従って、ポーラスの孔径は電子素子３０の種類によって変り得るが、液晶材料を含む場合、５μｍ以下、好適には１μｍ以下の孔径であれば液晶材料が流出することは無い。ポーラスを前提にしているので、孔径が０より大きいことは当然である。液晶材料などが多少流出してシール剤５０と接触しても、特に問題にはならない。

一方、隔壁６０がポーラス体であれば、シール剤５０の接着の際に発生する熱の輻射で隔壁６０のシール剤５０と対向する面の温度が上昇しても、電子素子３０への熱伝導が抑制されるので、むしろ好ましい。そのため、微粉末をバインダでペースト状にして印刷後に加熱硬化させることで、有機物を蒸発させれば、微細孔を有する無機材料の隔壁６０が得られる。また、バインダが完全に消失しないで、接着剤として残っても、その量が全体の体積の１０％以下の量であれば、電子素子３０の素子特性を劣化させるほどのガスの発生は無いと考えられる。この方法は、ガラス粉末に限らず、セラミックスや金属酸化物など他の無機物の微粉末も同様に固化することができる。

隔壁６０が第一又は第二の基板１０、２０の一方のみと接着して、他方とは接着しない構造の場合、隔壁材料６１に熱硬化性樹脂などを使用しても、第一及び第二の基板１０、２０を重ね合せる前に熱硬化させれば、硬化の際に発生するガス（水分や酸素）を２枚の基板間に封入することなく外部に放出し得る。そのため、隔壁６０は無機材料に限定されるものではない。この場合、シール剤５０を接着する際に、発生する熱で隔壁６０が加熱されないように、シール剤５０と隔壁６０との間隔ｚを充分に大きくする、例えば０.７ｍｍ以上で、１ｍｍ以下程度にすることが好ましい。

隔壁６０は、前述したように、第一及び第二の基板１０、２０との間を気密に封止していなくてもよいが、両基板１０、２０と接着していれば、第一及び第二の基板１０、２０の間隔を正確に維持し、また、構造体１００の機械的強度を向上させ得る点で好ましい。第一及び第二の基板１０、２０と接着する場合には、前述した方法で一方の基板に隔壁材料６１を接着した後、又は隔壁材料６１の塗布後に硬化させる。その後に、隔壁材料６１の上面に接着剤を塗布しておき、第一基板１０と第二基板２０とを重ね合せる。その後に、シール剤材料５１を加熱して両基板１０、２０と接着する際に、両基板１０、２０が圧接されることによって接着し得る。この場合も、前述したように接着剤の量は隔壁６０の全体の量に比べると１０％以下と非常に僅かであるため、接着剤から発生するガスの影響は殆ど受けない。また、後述される紫外線硬化性樹脂、可視光硬化性、及び遅延硬化性樹脂などの、硬化時に温度上昇を伴わず、ガスの発生も抑制される接合樹脂を用いて接合し得る。

上述の観点からは、従来の液晶表示装置を製造する際に２枚の基板をシールするための接合樹脂、例えばエポキシ樹脂、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、シリコーン樹脂などを用いることもできる。これらの材料は、添加される重合開始剤によって、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂などにすることができる。熱硬化性樹脂の場合、遅延硬化性樹脂にすることができ、電子素子３０と関係のない場所（例えば電子素子３０の形成されない基板）で熱処理をしておき、その後両基板を重ね合せてから圧力をかけることで、時間をおいて接合する。そのため、接合時に加熱してガスを発生させるということなく接合することができる。さらに、紫外線硬化や可視光硬化の場合も殆ど熱を発生しないで接合され得る。紫外線や可視光を照射する場合、レーザ光の照射によって行うこともできる。これらの場合も前述したように、シール剤５０の接着の際に発生する熱ができるだけ伝導しないように、シール剤５０と隔壁６０との間隔ｚを充分に空けることで使用し得る。

前述の紫外線硬化性樹脂は、加熱する必要がなく、熱硬化性樹脂と比べて、封入されるＯＬＥＤなどの電子素子３０への熱ダメージが少ないという利点がある。さらに、硬化時に発生するガスも少なく、硬化の際に発生するガスを基板間に封入するという問題も生じにくい。また、熱硬化性樹脂に比べて短時間で硬化できる。

可視光硬化性の樹脂は、紫外線硬化性樹脂に比べて照射エネルギーが低い分、硬化時間は長くなるが、光の透過性が良いため、人体に安全で、しかも照射装置が安価であるというメリットがある。

遅延硬化性樹脂は、熱硬化性であるため、加熱する必要があるが、加熱して直ちに硬化するのではないので、前述したように、２枚の基板を重ね合せて加熱する必要はなく、電子素子３０の形成されない基板に隔壁材料６１を形成しておき、加熱した後に２枚の基板を重ね合せて接合することができる。そのため、電子素子３０への熱ダメージはなく、また、硬化する際にガスを発生させて基板間に封入するということも抑制され得る。

本実施形態の基板の封止構造体によれば、２枚の基板を封止するシール剤５０を低融点ガラス材で行っているので、基板と完全にシール（封止）される。すなわち、二重でシールするという発想ではなく、ガラスで完全に封止しながら、その際に発生する熱の影響を避ける構造になっていることに特徴がある。そのため、基板との接合部を介して水分や酸素などの外気が浸入することが大幅に抑制される。また、シール剤５０もガラスであるため、シール剤５０の全体で水分の浸入などが抑制される。しかも、シール剤５０を第一基板１０及び第二基板２０と接合する際のレーザ光照射により温度が上昇するが、電子素子３０との間には隔壁６０が形成されており、電子素子３０の材料の一部が流れてシール剤５０と接触することはなく、また、シール剤５０の加熱の際に発生する熱の伝導は隔壁６０で遮断され得る。そのため、第一及び第二の基板１０、２０とシール剤５０との接合の際に発生する熱による電子素子３０の劣化は抑制され、しかも水分などの浸入はほぼ完全に抑制されるので、有機ＥＬ発光素子のような水分や酸素に弱い電子素子３０を含む場合でも、その信頼性が大幅に向上する。

（第二実施形態：表示装置）
次に、電子素子３０として、ＯＬＥＤ３０ａとＬＣＤ３０ｂとを有する複合型の表示装置が、図２を参照しながら説明される。

本発明の第二実施形態である表示装置２００は、表示画面の画素ごとに形成された駆動用ＴＦＴ１３及び駆動用ＴＦＴ１３の上の表面を平坦にした第一絶縁層（いわゆる平坦化膜）１９を有するＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板（第一基板）１０の一画素の第一領域Ｒで、第一絶縁層１９の上方に形成されたＬＣＤ３０ｂ用の反射電極４１と、ＴＦＴ基板１０の第一絶縁層１９の上の第一領域Ｒと隣接する一画素の第二領域Ｔに形成され、第一電極３１、有機層３３、第二電極３４及び被覆層３５を有するＯＬＥＤ３０ａと、反射電極４１と対向する対向電極（透明電極）４３を有し、ＴＦＴ基板１０と対向して配置された対向基板（第二基板）２０と、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に充填された液晶層４２と、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０を貼り合せたシール剤５０と、を具備し、シール剤５０は低融点ガラス材を含み、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０のそれぞれと接着されており、シール剤５０と液晶層４２との間で、かつ、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に隔壁６０が配置されており、シール剤５０と隔壁６０とが離間している。

なお、図２では、１個のＬＣＤ３０ｂと１個のＯＬＥＤ３０ａの周囲に隔壁６０及びシール剤５０が形成されているが、実際には、このＬＣＤ３０ｂとＯＬＥＤ３０ａの組からなるサブ画素が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のそれぞれに形成され、さらにそのＲ、Ｇ、Ｂからなるサブ画素で構成される一画素がマトリクス状に複数個形成される。本実施形態では、このマトリクス状に形成される全体の素子が電子素子３０になり、それらを取り囲むように上記隔壁６０及びシール剤５０は形成される。

本実施形態の表示装置２００は、一画素の第一領域Ｒに反射型のＬＣＤ３０ｂが形成され、一画素の第一領域Ｒと隣接する第二領域Ｔに例えばＯＬＥＤ３０ａなどの発光素子が形成されている。反射型のＬＣＤ３０ｂは、反射電極４１と、液晶層４２と、透明電極４３（対向電極）と、カラーフィルタ（ＣＦ）４４と、反射電極４１及び透明電極４３の表面にそれぞれ形成される液晶配向膜４５、４６と、偏光板４７とで構成されている。この液晶層４２、透明電極４３、及び偏光板４７は、第二領域Ｔの方まで延びて、表示装置の全体に形成されている。また、ＯＬＥＤ３０ａは、第一電極３１と発光領域を画定する、いわゆる絶縁バンクと呼ばれる第二絶縁層３２と、有機層３３と、第二電極３４と、その周囲を被覆する被覆層３５とを含んでいる。第二絶縁層３２は、第一領域Ｒの第一絶縁層１９の上にも同じ材料で、かつ、ほぼ同じ厚さに形成されているが、第二領域Ｔのいわゆる絶縁バンクと呼ばれる第二絶縁層３２とは分離されているので、第一領域Ｒでの第二絶縁層は第三絶縁層３２ａと称される。

ＴＦＴ基板１０は、例えばガラス基板又はポリイミドなどの樹脂フィルムなどからなる絶縁基板１１の一面に駆動用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ、以下単にＴＦＴという）１３、電流供給用ＴＦＴ１２などのＴＦＴや、図示しないバスラインなどの配線が形成され、その表面を平坦にする、いわゆる平坦化膜と呼ばれる第一絶縁層１９が形成されている。なお、ＴＦＴはポリシリコン又はアモルファス半導体などの半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、ゲート電極１３ｇ、１２ｇ、パシベーション膜１６などにより形成されているが、その詳細の説明は省略される。図２では、ＬＣＤ３０ｂの液晶層４２と並列に接続される補助容量電極１７が形成されている。これは、アクティブマトリクス表示でスキャンする際の反射電極４１の電圧を保持する。

また、図２においては、電流供給用ＴＦＴ１２のソース１２ｓはＯＬＥＤ３０ａのアノード電極３１に接続されている。このＯＬＥＤ３０ａのカソード電極３４は、ビアコンタクト１８ｃ１、１８ｃ２でカソードバスライン１８に接続されている。第一絶縁層１９は、ＴＦＴなどが形成された部分と形成されない部分との凹凸をなくして表面を平坦にすることが目的であるため、ポリイミドなどの有機材料で形成されることが好ましい。しかし、第一絶縁層１９は、無機材料で形成されてもよい。第一絶縁層１９がＳｉＯ_yやＳｉＮ_xなどの無機材料でＣＶＤ法などによって形成される場合、平坦化するのに数μｍの厚さが必要となるので、成膜時間が長くなる。しかし、ＳＯＧ（スピンオングラス）などにより容易に平坦化することはできる。なお、図２では、素子の構造が概念的に示され、各素子の全てが、正確には記載されていない。

ＬＣＤ３０ｂ及びＯＬＥＤ３０ａの駆動用の回路は、このように、このＴＦＴ基板１０に形成されている。この駆動回路の詳細な説明は省略されるが、駆動用ＴＦＴ１３などのドレイン１３ｄとコンタクト１３ｄ１〜１３ｄ３を介して反射電極４１と接続され、電流供給用ＴＦＴ１２のソース１２ｓは、ＯＬＥＤ３０ａ用の第一電極３１と接続されている。

対向基板２０は、例えばガラス又は透明（透光性）フィルムなどの基板に、カラーフィルタ４４と対向電極４３と液晶配向膜４６とが形成される。ＬＣＤ３０ｂでは、表示画面をカラーにするには種々の方法があるが、カラーフィルタ４４が、画素ごとに赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色の画素を形成するために設けられる。ＯＬＥＤ３０ａ側でも、カラーフィルタ４４を用いてカラー表示がされ得るが、有機層３３の材料を選択することによって直接赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を発光させる場合には、カラーフィルタ４４は不要になる。この対向基板２０の液晶層４２と対向する面に液晶の配向を定める液晶配向膜４６が形成され、ラビング加工などがなされる。

この対向基板２０と、ＯＬＥＤ３０ａなどが形成されたＴＦＴ基板１０とが、反射電極４１と対向電極４３とが対向するように一定の間隙をあけて、周囲で、シール剤５０によって接着される。このシール剤５０とＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との接着は、前述した実施形態１の方法と同様の方法で行われる。この両基板１０、２０の間隙部に電子素子３０の一部となる液晶材料が封入されることによって、液晶層４２が形成されている。そして、対向基板２０の液晶層４２と反対の面に偏光板４７が設けられている。なお、対向基板２０のシール剤５０と接着させる部位では、対向電極（透明電極）４３、カラーフィルタ（ＣＦ）４４、液晶配向膜４６などは形成されないで、絶縁基板２１が露出している。ＴＦＴ基板１０も同様に絶縁基板１１を露出させ、絶縁基板１１、２１とシール剤５０とが接着される。しかし、このように絶縁基板１１、２１と直接接着される必要はない。ＳｉＯ₂などの絶縁膜などを介して、両基板１１、２１の表面と接着されてもよい。

ＯＬＥＤ３０ａは、一画素の第二領域Ｔに形成され、図２に示されるように、第一絶縁層１９の第二領域Ｔの表面に形成される第一電極３１と、その周囲に第一電極３１を取り囲むように形成される第二絶縁層３２と、その第二絶縁層３２で囲まれる第一電極（アノード電極）３１の上に形成される有機層３３と、その上のＯＬＥＤ３０ａのほぼ全面に形成される第二電極（カソード電極）３４と、その周囲を被覆する被覆層３５とで形成されている。第二絶縁層３２は、第一電極３１の周縁を被覆しても被覆しなくてもよい。

第一電極３１は、例えばアノード電極として形成される。本実施形態の場合、図２の上側から表示画面を見ることになるため、第一電極３１は反射電極として形成され、発光した光を全て上方に放射する構造になっている。そのため、光反射性の材料で、この第一電極３１と接する有機層３３などとの仕事関数の関係などによりその材料が選定される。例えば、ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯの積層膜により形成される。

第二絶縁層３２は、絶縁バンクとも呼ばれるもので、ＯＬＥＤ３０ａの発光領域を画定すると共に、アノード電極３１とカソード電極３４とが接触して導通することを防ぐために形成されている。この第二絶縁層３２で囲まれた第一電極３１の上に有機層３３が積層される。この第二絶縁層３２は、例えばポリイミドやアクリル樹脂などの樹脂で形成される。この第二絶縁層３２は、第一領域Ｒと第二領域Ｔの高さを合せる意味からも、ＬＣＤ３０ｂが形成される第一領域Ｒにも形成される。すなわち、液状の樹脂が全面に塗布され、その後にパターニングされてＯＬＥＤ３０ａの第一電極３１の周囲の第二絶縁層３２及び第一領域Ｒの第三絶縁層３２ａが形成される。この際、ＯＬＥＤ３０ａ側の第二絶縁層３２と、ＬＣＤ３０ｂ側の第三絶縁層３２ａとが分断されて第一絶縁層１９が露出している。ＯＬＥＤ３０ａの有機層３３や第二電極（カソード電極）３４が被覆層３５によって完全に被覆されるのに都合がよい。この場合、図２に示されるように、第一絶縁層１９もエッチングされて直接パシベーション膜１６又はパッドもしくは配線などの金属膜が露出されていることが好ましい。被覆層３５は無機膜で形成されるが、無機膜同士の接合であれば、密着性がよく、水分などの浸入を抑制しやすいからである。

有機層３３は、第二絶縁層３２に囲まれて第二絶縁層３２から露出する第一電極３１の上に積層される。この有機層３３は、図２では一層で示されているが、種々の材料が積層されて複数層で形成される。また、この有機層３３は水分に弱く全面に形成してからパターニングをすることができないため、蒸着マスクを用いて、蒸発又は昇華させた有機材料を選択的に必要な部分のみに蒸着することによって、又はインクジェットなどによる塗布法で形成される。

具体的には、例えば第一電極（アノード電極）３１に接する層として、正孔の注入性を向上させるイオン化エネルギーの整合性の良い材料からなる正孔注入層が設けられる場合がある。この正孔注入層上に、正孔の安定な輸送を向上させると共に、発光層への電子の閉じ込め（エネルギー障壁）が可能な正孔輸送層が、例えばアミン系材料により形成される。さらに、その上に発光波長に応じて選択される発光層が、例えば赤色、緑色に対してはＡｌｑ₃に赤色又は緑色の有機物蛍光材料がドーピングされて形成される。また、青色系の材料としては、ＤＳＡ系の有機材料が用いられる。一方、カラーフィルタ４４で着色される場合には、発光層は全てドーピングすることなく同じ材料で形成され得る。発光層の上には、さらに電子の注入性を向上させると共に、電子を安定に輸送する電子輸送層が、Ａｌｑ₃などにより形成される。これらの各層がそれぞれ数十ｎｍ程度ずつ積層されることによって有機層３３の積層膜が形成されている。なお、この有機層３３と第二電極３４との間にＬｉＦやＬｉｑなどの電子の注入性を向上させる電子注入層が設けられることもある。本実施形態では、有機層３３はこれら各有機層及び無機層を含み得る。

前述したように、有機層３３の積層膜のうち、発光層は、ＲＧＢの各色に応じた材料の有機層が堆積されてもよい。図２に示される例では、発光層が同じ有機材料で形成され、カラーフィルタ４４により発光色が特定されている。また、正孔輸送層、電子輸送層などは、発光性能を重視すれば、発光層に適した材料で別々に堆積されることが好ましい。しかし、材料コストの面を勘案して、ＲＧＢの２色又は３色に共通して同じ材料で積層される場合もある。

このＬｉＦ層などの電子注入層などを含む全ての有機層３３の積層膜が形成された後に、その表面に第二電極３４が形成される。具体的には、第二電極（例えばカソード電極）３４がＯＬＥＤ３０ａのほぼ全面の上に形成される。第二電極３４は透光性の材料、例えば、薄膜のＭｇ-Ａｇ共晶膜により形成される。

この第二電極３４の表面には、例えばＳｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂など無機絶縁膜からなる被覆層（ＴＦＥ）３５が一層、又は二層以上の積層膜によって形成される。被覆層（ＴＦＥ）３５は、第二電極３４及び有機層３３を包含している。例えば一層の厚さが０.５μｍから１.５μｍ程度で、好ましくは二層程度の積層膜で形成される。この被覆層３５は、異なる材料で多層に形成されるのが好ましい。被覆層３５は、複数層で形成されることによって、ピンホールなどができても、複数層でピンホールが完全に一致することは殆ど無く、外気から完全に遮断する。この被覆層３５は、有機層３３及び第二電極３４を完全に被覆するように形成される。そのため、図２に示されるように、第二絶縁層３２の下の第一絶縁層１９よりさらに下の無機膜からなるパシベーション膜１６又は配線もしくはパッドなどと接合するように形成される。

前述したように、第一絶縁層１９が無機材料で形成されていれば、被覆層３５も無機絶縁膜であるため、第一絶縁層１９の表面で接合しても、その接合は十分に得られる。しかし、第一絶縁層１９がポリイミドなどの有機層である場合には、被覆層３５との密着性が低下する。そのため、前述したように、第一絶縁層１９に溝（トレンチ）が形成され、その中まで被覆層３５の一部が埋め込まれることが好ましい。

以上によりＯＬＥＤ３０ａが形成される。図２に示されるように、このＯＬＥＤ３０ａの上にも液晶層４２や対向電極４３が形成されている。しかし、ＯＬＥＤ３０ａの領域には、対向電極４３に対応する反射電極（画素電極）４１はない。そのため、後述する液晶層４２の両面に印加される電圧がオフの場合と同じ状況になる。すなわち、外光に対してはノーマリブラックになるが、ＯＬＥＤ３０ａで発光する光は、液晶層４２は垂直配向のため、液晶層４２がないのと同じであり、何の変化もなく円偏光板４７を通過する。そして円偏光板４７を通過した光は、そのまま視認されるので、ＯＬＥＤ３０ａで発光により表示される画像は、そのまま正面側から視認される。

なお、ＯＬＥＤ３０ａで発光した光は、円偏光板４７を通ることによって、円偏光板４７で半分ぐらいに減衰する。しかし、この円偏光板４７は第二領域Ｔにも形成されることが好ましい。その理由は、外光が正面から入る場合に、ＯＬＥＤ３０ａの第一電極３１が光反射性の材料で形成されていることから、正面から入射した光が、ＯＬＥＤ３０ａ内の第一電極３１などで反射して外に出ると表示画面が非常に見難くなる。しかし、円偏光板４７があれば、後述するＬＣＤ３０ｂの反射電極４１での反射と同様に、第一電極３１などで反射すると、円偏光の回転方向が逆転するため、反射光は円偏光板４７を通ることができなくなる。その結果、反射光をカットすることができる。外光の多いときは、ＯＬＥＤ３０ａは動作させないが、ＬＣＤ３０ｂの動作中でも、ＯＬＥＤ３０ａの動作の有無にかかわらず、反射光は発生するので、ＬＣＤ３０ｂの動作中でも、円偏光板４７が第二領域ＴにないとＬＣＤ３０ｂの視認特性が大幅に低下する。

電子素子３０のＬＣＤ３０ｂは、一画素のうち、半分程度の第一領域Ｒの全面に形成された反射電極４１と、液晶層４２と、対向電極４３と、偏光板（円偏光板）４７とで、反射型のＬＣＤとして形成されている。液晶層４２は、第一領域Ｒのみに形成することは難しく、前述したように、対向電極４３と共に第二領域Ｔも含めた全面に形成されている。図２に示される例では、カラーフィルタ４４が対向基板２０の絶縁基板２１と対向電極４３との間に形成されている。前述したように、この対向基板２０の液晶層４２と接する面には、液晶配向膜４６が形成され、液晶分子の配向が規制される。

この反射電極４１は、いわゆる画素電極で第一領域Ｒのほぼ全面に形成されている。この反射電極４１は、前述したＯＬＥＤ３０ａの発光領域を画定する絶縁バンクとなる第二絶縁層３２と同じ材料で同時に形成される第一領域Ｒ側の第三絶縁層３２ａの上に形成されている。反射電極４１は、この第三絶縁層３２ａに形成されるビアコンタクト１３ｄ３及び第一絶縁層１９に形成されるビアコンタクト１３ｄ２を介してＴＦＴ基板１０に形成された駆動用ＴＦＴ１３のドレイン１３ｄにコンタクト１３ｄ１を介して接続されている。反射電極４１は、例えば０.０５μｍ以上で、０.２μｍ以下のＡｌ（アルミニウム）と０.００５μｍ以上で、０.０５μｍ以下のＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）との積層膜で形成される。

第三絶縁層３２ａは、ＯＬＥＤ３０ａの発光領域を区画する第二絶縁層３２が形成される際に、第一領域Ｒにも第二絶縁層３２と同じ材料の絶縁層で形成されている。しかし、図２に示されるように、この第二絶縁層３２が、第一領域Ｒと第二領域Ｔとの境界部で分断され、その境界部で第一絶縁層１９が露出している。このように、第一領域Ｒにも第三絶縁層３２ａが形成されることによって、液晶層４２の下層の高さを二つの領域Ｒ、Ｔ間で近づけている（厳密には被覆層３５の厚さ、約１μｍの差がある）。

液晶層４２は、液晶組成物を含み、例えばＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モードなどの種々の表示モードが用いられ得る。偏光板を設けずに表示を行う場合には、ゲスト・ホスト形が用いられ得る。液晶層４２は、偏光板４７との協働で、反射電極４１と対向電極４３との両電極間の電圧のオンオフに応じて入射光を画素ごとに遮断／通過させる。ＥＣＢモードであれば、光が液晶層４２を透過し反射電極４１に到達するまでに、電圧オン時に、１／４波長の位相差を生じる厚さに形成されることが好ましい。液晶層４２と接するＴＦＴ基板１０の表面にも、液晶配向膜４５が形成されている。この液晶配向膜４５も液晶分子の配向を規制するものである。このＴＦＴ基板１０に形成される液晶配向膜４５と対向基板２０に形成される液晶配向膜４６の配向は、例えば９０°の角度で相違するように形成される。

この液晶配向膜４５、４６により、液晶層４２の配向が規制されるが、例えば液晶層４２の両面に電圧が印加されない状態で、液晶分子が垂直に配列されるように液晶配向膜４５、４６が形成されると、後述されるように、反射電極４１と対向電極４３との間にしきい値以上の電圧が印加されない状態で外光の反射光は外に出ず、黒色表示、すなわちノーマリブラックになる。この場合、ＴＦＴ基板１０側の液晶配向膜４５は、ＯＬＥＤ３０ａが形成されているので、ラビング加工や紫外線照射を行い難い。そのため、プレチルト（傾き）角は形成されず、実質的に垂直配向になるが、対向基板２０側の液晶配向膜４６には、８０°から８９.９°のプレチルト角が形成されることが好ましい。この程度のプレチルト角が形成されることによって、両電極間に電圧が印加された際に主にセル厚み方向の中央付近の液晶分子が水平配向に移行しやすい。

偏光板４７は、図２に示される例では、円偏光板が用いられている。円偏光板は、直線偏光板と１／４波長の位相差板との組み合せで形成される。さらに、幅広い波長に対して１／４波長条件を示すように、１／２波長板が併用される場合もある。位相差板は、一軸延伸された光学フィルムからなっている。この円偏光板を通過した光は、直線偏光の位相が１／４波長ずれ、例えば右偏光となる。前述のように、液晶層４２の両面側に設けられる反射電極４１と対向電極４３にしきい値以上の電圧が印加されないで、液晶層４２が垂直配向であれば、外光はそのまま液晶層４２を通過して、反射電極４１で反射することによって偏光が右円偏光から左円偏光に逆転する。このため、入射方向と回転方向が逆進して円偏光板４７に戻った外光は直線偏光板の透過軸と９０°直交した角度の直線偏光となり、偏光板４７を通ることができなくなり、黒色表示となる。一方、液晶層４２の両面の電極にしきい値以上の電圧が印加されることによって、液晶分子が水平配向となり、外光は液晶層４２でさらに１／４波長の位相がずれるため、反射電極４１に到達する際には、１／２波長の位相差になり、直線偏光として反射する。反射した後、外光は入射のときと逆の経路を経るため、偏光板を透過して白色表示となる。なお、偏光板４７は、円偏光板に限定されるものではなく、表示モードに応じて直線偏光板でもよい。

図２に示される例では、対向電極４３は、前述のように、液晶層４２の画素ごとに電圧を印加したり、印加しなかったりするための全画素に共通の電極である。そのため、表示画面の全面に形成され、前述したＯＬＥＤ３０ａが形成された第二領域Ｔにも形成されている。しかし、この対向電極４３は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などによって形成されており光を透過させるので、前述したように何ら問題はない。

シール剤５０は、前述した実施形態１のシール剤５０と同じで、低融点ガラスのガラスフリットのペースト、ガラスリボンなどによって、ＴＦＴ基板１０又は対向基板２０のＯＬＥＤ３０ａ及びＬＣＤ３０ｂ（素子形成領域Ａ）の周囲で、図３Ａに示されるように、付着され、２枚の基板が重ねられた後に接着される。接着は、レーザ光などによってガラスフリットの全体又はガラスリボンの少なくとも基板１０、２０との接合部の低融点ガラスが軟化状態にされることによって接着されている。

シール剤５０とＬＣＤ３０ｂ及びＯＬＥＤ３０ａとの間に、シール剤５０と離間して隔壁６０が形成されていることも、前述した実施形態１の隔壁６０と同じであり、実施形態１と同様の材料で形成され、その説明は省略される。図２に示される例では、隔壁６０とＬＣＤ３０ｂ又はＯＬＥＤ３０ａとが接触しているが、隔壁６０と電子素子３０とは接触していても、離間していても構わない。シール剤５０と隔壁６０とが離間していることが重要である。

（第三実施形態：表示装置の製造方法）
次に、本発明の第三実施形態の表示装置の製造方法が、図２及び図４を参照しながら、説明される。本実施形態の表示装置の製造方法は、少なくとも駆動素子を形成したＴＦＴ基板１０を形成する工程（Ｓ１）と、ＴＦＴ基板１０の上方又は表面上にＬＣＤ３０ｂ用の反射電極４１及びＯＬＥＤ３０ａを形成する工程（Ｓ２）と、ＬＣＤ３０ｂ用の対向電極４３を有する対向基板２０を形成する工程（Ｓ３）と、ＴＦＴ基板１０又は対向基板２０のいずれかで、ＬＣＤ３０ｂ用の反射電極４１及びＯＬＥＤ３０ａを形成する素子形成領域Ａの周縁部に、隔壁材料６１（図３Ａ参照）を配置する工程（Ｓ４）と、ＴＦＴ基板１０又は対向基板２０のいずれかで、隔壁６０のＬＣＤ３０ｂ及びＯＬＥＤ３０ａの素子形成領域Ａと反対の部位に隔壁６０と離間してシール剤材料５１（図３Ａ参照）を配置する工程（Ｓ５）と、隔壁６０で囲まれるＬＣＤ３０ｂ及びＯＬＥＤ３０ａの素子形成領域Ａに液晶材料を滴下する工程（Ｓ６）と、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを重ね合せる工程（Ｓ７）と、シール剤材料５１によってＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを接着する工程（Ｓ８）と、を具備している。そして、シール剤材料５１に低融点ガラスを含む材料を用い、かつ、シール剤材料５１をレーザ光の照射によってＴＦＴ基板１０及び対向基板２０と接着する。

なお、電子素子３０が形成されない基板の素子形成領域Ａは、２枚の基板が重ね合されたときの電子素子３０が形成された基板の素子形成領域Ａに対応する領域を意味している。また、上記各工程は、この順でなければならないというものではなく、例えばステップＳ３が最初に行われてもよく、また、Ｓ４とＳ５の順番が逆であってもよい。さらに、図４においては、ステップＳ４、Ｓ５がＴＦＴ基板１１でなされているが、ステップＳ４、Ｓ５は対向基板２０でなされてもよい。

まず、ＴＦＴ基板１０が形成される（Ｓ１）。具体的には絶縁基板１１の上に半導体層１４（ソース１２ｓ、ドレイン１３ｄが形成される半導体層）及び図示しないバスラインが形成され、その上にＳｉＯ₂などからなるゲート絶縁膜１５が形成される。そして、半導体層１４の所定の領域に不純物がドープされて、駆動用ＴＦＴ１３のドレイン１３ｄ（図２参照）、電流供給用ＴＦＴ１２のソース１２ｓ（図２参照）などがそれぞれ形成される。そして、ゲート絶縁膜１５の上に、駆動用ＴＦＴ１３のゲート電極１３ｇ、電流供給用ＴＦＴ１２のゲート電極１２ｇ、及び補助容量用電極１４が形成される。その表面にＳｉＮ_xなどからなるパシベーション膜１６が形成される。そして、駆動用ＴＦＴ１３のドレインコンタクト１３ｄ１などのコンタクトが形成され、その表面を平坦にする第一絶縁層１９が、例えばポリイミドなどによって形成される。この第一絶縁層１９は、前述したように、ＳＯＧなどの無機膜で形成されてもよい。

次に、ＴＦＴ基板１０の上方又は表面上にＬＣＤ３０ｂ用の反射電極４１及びＯＬＥＤ３０ａが形成される（Ｓ２）。具体的には、ＯＬＥＤ３０ａ用の第一電極（アノード電極）３１が、有機層３３との関係でＩＴＯ／ＡＰＣ（Ａｇ-Ｐｄ-Ｃｕ合金）／ＩＴＯの積層膜によって形成される。駆動用ＴＦＴ１３のドレイン１３ｄと接続するコンタクト１３ｄ２も第一絶縁層１９の表面に形成される。このＬＣＤ３０ｂ用のコンタクト１３ｄ２は、コンタクト孔を形成して導電層などの埋め込みによって形成される。

そして、ポリイミド、アクリル樹脂などによって第二絶縁層３２が形成される。第二絶縁層３２は、ＯＬＥＤ３０ａの各画素を区分するもので、第一電極３１を取り囲み、かつ、凸部を有するように形成される。この第二絶縁層３２は、液状の状態で全面に樹脂膜が形成され、その後、パターニングにより、所望の位置に所望の形状で形成される。本実施形態では、ＴＦＴ基板１０の全面に、第一電極３１の周囲に形成される凸部の高さに合せた厚さで塗布され、パターニングによって第一電極３１や第三絶縁層３２ａとの境界部などを露出させている。これによって、第二絶縁層３２と第三絶縁層３２ａとが分離され、その間に第一絶縁層１９が露出するように形成される。その結果、この上に形成される被覆層３５によってＯＬＥＤ３０ａの有機層３３やその上の第二電極３４が完全に被覆され得る。

この第二絶縁層３２のパターニングの際に、第一領域Ｒのコンタクト１３ｄ１と接続するコンタクト孔が形成され、第三のコンタクト１３ｄ３が形成される。その結果、第三絶縁層３２ａの一部に駆動用ＴＦＴ１３のドレイン１３ｄに接続された第三のコンタクト１３ｄ３が露出している。また、第二絶縁層３２と第三絶縁層３２ａとに分断されて露出する第一絶縁層１９にもトレンチが形成され、その下層のパシベーション膜１６又は配線もしくはパッドの金属膜を露出させる。後工程において被覆層３５を埋め込んで無機膜同士の接合を図るためである。第一絶縁層１９が無機膜によって形成されている場合には、このトレンチを形成する必要はない。

その後、有機層３３が形成される。この有機層３３は、水分や酸素に弱くパターニングすることができないため、蒸着マスクを用いて、必要な領域のみに蒸着される。またはインクジェット法などの印刷によって形成されてもよい。蒸着で形成する場合、第二絶縁層３２の凸部上に合せて蒸着マスクが配置され、るつぼなどから昇華又は気化された有機材料が第二絶縁層３２により囲まれた第一電極３１の上に積層される。この有機材料は、前述したように、種々の材料で積層される。

次に、カソード電極となる第二電極３４が有機層３３及び第二絶縁層３２の凸部を含めたＯＬＥＤ３０ａのほぼ全面に形成される。この第二電極３４は、例えばＭｇ-Ａｇ合金が用いられ、蒸着マスクを用いた蒸着により形成される。

その後、被覆層３５が形成される。この被覆層３５は、有機層３３を水分や酸素から保護するための層で、ＳｉＮ_xやＳｉＯ_yなどの無機膜で形成される。しかも、成膜の際にピンホールが形成される場合があり得るため、少なくとも二層を有する多層膜で形成されることが好ましい。この被覆層３５は、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法などによって形成される。好ましくは、被覆層３５は、異なる材料で多層に積層される。この被覆層３５は、ＯＬＥＤ３０ａの上に形成されるが、第一領域ＲであるＬＣＤ３０ｂ側に延びて形成されていてもよい。但し、コンタクト１３ｄ３を跨がないようにする必要がある。コンタクト１３ｄ３の上にも形成されると、被覆層３５にコンタクトのための貫通孔を形成する必要が生じる。その場合、貫通孔の内面を伝って、第二電極３４や有機層３３に水分が浸入するからである。

この被覆層３５の形成の際に、第一絶縁層１９に形成されたトレンチ内にもその材料が埋め込まれ、被覆層３５は第一絶縁層１９の下層のパシベーション膜１６などの無機膜と接合される。この被覆層３５は、全面に形成されてから、エッチングによりパターニングされてもよい。被覆層３５がパシベーション膜１６などと接合していて、水分の浸入を阻止するからである。しかし、マスクを用いて、所望の場所のみに堆積することもできる。後者の方が、水分の浸入を防止するという観点からは好ましい。

その後、第一領域Ｒの第三絶縁層３２ａの表面にＬＣＤ３０ｂ用の反射電極（画素電極）４１が形成される。その結果、反射電極４１は、コンタクト１３ｄ３と電気的にも接続される。この反射電極４１は、例えばＡｌとＩＺＯで形成される。この反射電極４１も、ＯＬＥＤ３０ａの全面を除いた一画素のほぼ半分に形成される。この場合も、全面に蒸着などによって形成された反射膜のパターニングにより形成されてもよい。被覆層３５によって完全に有機層３３などが被覆されているからである。しかし、マスクを被せて所望の領域のみに形成されてもよい。これによって、ＴＦＴ基板１０側の第一領域Ｒ、第二領域Ｔの電子素子３０が形成される。

一方、ＬＣＤ３０ｂ用の対向電極４３を有する対向基板２０が形成される（Ｓ３）。対向基板２０は、ガラス板又は樹脂フィルムなどの絶縁基板２１に透光性の対向電極４３及び必要な場合には、カラーフィルタ４４や液晶配向膜４６を積層することによって形成される。

その後、ＴＦＴ基板１０又は対向基板２０のいずれかで、ＬＣＤ３０ｂ用の反射電極４１及びＯＬＥＤ３０ａを形成する領域（素子形成領域Ａ）の周縁部に、隔壁材料６１（図３Ａ参照）が配置される（Ｓ４）。この隔壁材料６１は、ＴＦＴ基板１０でなくて、対向基板２０に配置されてもよい。この場合、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とが重ね合されたときに、その隔壁材料６１で囲まれる領域内にＬＣＤ３０ｂの反射電極４１及びＯＬＥＤ３０ａが収容されるように形成される必要がある。すなわち、ＴＦＴ基板１０の素子形成領域Ａと向き合う対向基板２０の領域の周縁に形成される。この隔壁材料６１は、前述したように、無機材料が好ましいが、エポキシ樹脂などの樹脂材料も使用し得る。これらの隔壁材料６１は、ペースト状にして塗布することによって、配置され得るし、リボンなどにして接着されてもよい。この隔壁材料６１の高さは、貼り合される２枚の基板の間隔に合せて選択される。通常、隔壁材料６１の高さは５μｍ以上で１０μｍ以下程度である。

ガラスリボンなどの固形物にして配置する場合には、接着剤などによってガラスリボンが固定されてもよい。この隔壁材料６１は、両基板１０、２０を重ね合せた後に固着しないので、基板との接触面の全面で貼り付けられることが好ましい。しかし、接着した後に、または前述した熱硬化性樹脂で形成した後で、両基板１０、２０を重ね合せる前に加熱して固化させることで有機材料に含まれるガスを追い出してもよい。この隔壁材料６１は、図２に示されるように、ＬＣＤ３０ｂ又はＯＬＥＤ３０ａと接触するように形成されてもよいし、これら電子素子３０と離間して形成されてもよい。ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に形成されるＩＴＯ膜やＣＦ膜、絶縁膜などが除去されていることが好ましいが、除去されていなくてもよい。

また、この隔壁６０をＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の両方と接着する場合には、隔壁材料６１が無機材料の粉末からなる場合にはその上面に接着剤、特に紫外線などにより硬化し得る接着剤が塗布されることが好ましい。また、前述した紫外線硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂、遅延硬化性樹脂などを用いれば、接着時にも殆どガスの発生はなく、両基板１０、２０を確実に固定し得る。この場合、隔壁材料６１を先に両基板と紫外線などによって接着しておいて、その後にシール剤材料５１が両基板１０、２０と接着されてもよい。また、隔壁材料６１及びシール剤材料５１が同時に両基板１０、２０と接着されてもよい。

そして、ＴＦＴ基板１０又は対向基板２０のいずれかで、隔壁６０のＬＣＤ３０ｂ及びＯＬＥＤ３０ａの形成領域（素子形成領域Ａ）と反対の部位に隔壁６０と離間してシール剤材料５１（図３Ａ参照）が配置される（Ｓ５）。このシール剤材料５１は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０のどちらの基板に配置されてもよい。隔壁材料６１が形成された基板にも限定されない。重ね合せたときに隔壁材料６１とシール剤材料５１とが一定の間隔を空けて、かつ、同じ高さになるように形成されれば、隔壁材料６１とシール剤材料５１とが別々の基板に形成されてもよい。このシール剤材料５１も、前述したように、ペースト状にしてもよいし、ガラスリボンの一端部または両端部を接着剤で固定して配置されてもよい。この端部を接着剤で貼り付けて固定する場合でも、前述した図３Ｂ〜３Ｃに示されるように、シール剤５０の接着される部分の外側で接着されるように配置されることが好ましい。

このシール剤５０は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０とシール剤材料５１である低融点ガラスを軟化させて接着されるので、図２に示されるように、絶縁基板１１、２１を露出させて直接接合することが好ましい。ＩＴＯなどの他の膜が介在していると、十分な接着が得られ難いからである。このシール剤材料５１の高さも隔壁材料６１の高さと同程度に形成される。

その後、隔壁６０で囲まれるＬＣＤ３０ｂ及びＯＬＥＤ３０ａの形成領域に液晶材料（液晶組成物）が滴下される（Ｓ６）。この液晶組成物の滴下は、真空雰囲気下で行われることが好ましい。滴下の際の液晶材料の中に巻き込まれた気泡を放出しやすいからである。液晶材料が滴下された状態では、表面張力で盛り上がっており、基板が裏向けられても落下はしない。

そして、ＯＬＥＤ３０ａなどが形成されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とがその電極が対向するように位置合せをして重ね合される（Ｓ７）。重ね合せた後は、大気圧、又はそれより高い圧力にすることが２枚の基板に均一に圧力をかけられるので好ましい。この場合、窒素中（１００％のＮ₂雰囲気）又は乾燥空気中であることが好ましい。特に、乾燥空気は露点−５０℃以下の乾燥空気が特に好ましい。この時点ではシール剤５０によるシールはまだ行われていないので、シール剤５０から内部に乾燥窒素が侵入し得る。

その後、例えばＣＯ₂レーザなどによって、シール剤材料５１を軟化状態にすることで、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とが接着される（Ｓ８）。乾燥雰囲気下でシール剤５０によるシールが行われることによって、少なくともシール剤５０と隔壁６０との間を乾燥窒素で満たすことができる。この接着後に絶縁基板２１の対向電極４３と反対面に、偏光板４７が貼り付けられる。偏光板４７が円偏光板の場合には、絶縁基板２１側に１／４波長の位相差板、その上に直線偏光板が重ねて配置される。その結果、より一層外部からの水分などの侵入を阻止し得る。そして、反射電極４１が形成された第一領域Ｒに反射型のＬＣＤ３０ｂが形成され、第二領域ＴにＯＬＥＤ３０ａが形成されたハイブリッド型の表示装置２００が得られる。

（まとめ）
（１）本発明の第一実施形態に係る封止構造体は、対向して配置された第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板の間に形成された電子素子と、前記電子素子の外周で前記第一基板及び第二基板を封止したシール剤と、を備え、前記シール剤は低融点ガラス材を含み、前記第一基板及び第二基板のそれぞれと接着されており、前記シール剤と前記電子素子との間で、かつ、前記第一基板及び第二基板の間で、前記電子素子の外周を取り囲むように形成された隔壁が配置されており、前記シール剤と前記隔壁とは離間している。

本実施形態によれば、シール剤を低融点ガラスで接着しながら、シール剤と電子素子との間に隔壁が形成されており、しかもそのシール剤と隔壁との間が離間しているので、シール剤による接着の際に発生する熱が電子素子の側に伝達されにくくなる。その結果、確実なシールが得られながら、電子素子への悪影響が抑制される。

（２）前記離間する距離が０.５ｍｍ以上であることによって、空隙部を介することで熱伝導が極端に低下するので熱伝導の抑制効果かが大きい。

（３）前記シール剤は、ガラスフリットが軟化した後硬化したガラスであることが、製造が容易でありながら、完全なシールを行えるので好ましい。

（４）前記シール剤は、ガラスリボンが前記第一基板及び第二基板と接着することで形成されていてもよい。ガラスリボンであれば、バインダなどを用いる必要もないので、ガスを封入することなくより確実に不要ガスを排除し得る。

（５） 前記隔壁が、前記第一基板及び第二基板と接着していることによって、両基板の間隔が安定し、電子デバイスの性能の維持に好ましい。

（６）前記隔壁は、前記隔壁の体積の９０％以上が無機材料であることによって、隔壁自体からのガスの発生を抑制し得るので好ましい。

（７）前記隔壁が、ガラス、セラミックス、半導体、金属及び金属酸化物の少なくとも一種の微粉末の固化体であることによって、簡単に入手できる材料であり、手軽に実施しやすい。

（８）前記隔壁が、ガラスリボンを含んでいることで、殆ど有機材料を含まない隔壁が得られる。

（９）前記隔壁が、紫外線硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂、及び遅延硬化性樹脂の群れから選ばれる一種の接合樹脂であれば、従来の液晶表示装置を製造する場合と同様の方法で製造することができながら、隔壁材料によるガスの発生を抑制し得るので好ましい。

（１０）本発明の第二実施形態に係る表示装置は、表示画面の画素ごとに形成された駆動素子及び前記駆動素子の上の表面を平坦にした第一絶縁層を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板の一画素の第一領域で、前記第一絶縁層の上方に形成された液晶表示素子用の反射電極と、前記ＴＦＴ基板の前記第一絶縁層の上の前記第一領域と隣接する前記一画素の第二領域に形成され、第一電極、有機層、第二電極及び被覆層を有する有機ＥＬ表示素子と、前記反射電極と対向する対向電極を有し、前記ＴＦＴ基板と対向して配置された対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に充填された液晶層と、前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板を貼り合せたシール剤と、を具備し、前記シール剤は低融点ガラス材を含み、前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板のそれぞれと接着されており、前記シール剤と前記液晶層との間で、かつ、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に隔壁が配置されており、前記シール剤と前記隔壁とが離間している。

本実施形態によれば、ＬＣＤとＯＬＥＤを含むハイブリッド型の表示装置において、水分や酸素に弱いＯＬＥＤを有効に保護し得る。その結果、車載用途等の厳しい環境条件下においても、更に信頼性の高い表示装置が得られる。

（１１）本発明の第三実施形態に係る表示装置の製造方法は、少なくとも駆動素子を形成したＴＦＴ基板を形成する工程と、前記ＴＦＴ基板の上方又は表面上に液晶表示素子用の反射電極及び有機ＥＬ表示素子を形成する工程と、液晶表示素子用の対向電極を有する対向基板を形成する工程と、前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板のいずれかで、前記液晶表示素子用の反射電極及び前記有機ＥＬ表示素子を形成する素子形成領域の周縁部に、隔壁材料を配置する工程と、前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板のいずれかで、前記隔壁材料の前記素子形成領域と反対の部位に前記隔壁材料と離間してシール剤材料を配置する工程と、前記隔壁材料で囲まれる前記素子形成領域に液晶組成物を滴下する工程と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ね合せる工程と、前記シール剤材料によって前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを接着する工程と、具備し、前記シール剤材料に低融点ガラスを含む材料を用い、かつ、前記シール剤材料をレーザ光の照射によって前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板と接着するものである。

本実施形態によれば、隔壁材料とシール剤材料とを一方の基板に配置しておいて、重ね合せてからシール剤材料を軟化状態にすることで封止しているので、容易に製造することができる。しかも封止前に隔壁の有機材料などを放出することができきるので、隔壁に樹脂などの有機材料を用いても、基板間にガスを封入する恐れをなくし得る。

（１２）前記シール剤にガラスフリットを用い、印刷又はディスペンサによって前記ガラスフリットを塗布した後にレーザ光によって軟化させてから硬化させることで、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを接着することによれば、ガラス材を簡単に配置することができる。

（１３）前記シール剤にガラスリボンを用い、前記ガラスリボンを前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板のいずれかの所定の部位に貼り付けた後に前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ね合せてレーザ光によって接着することによれば、バインダなどに基づくガスを封入する恐れも少なくなる。

（１４）前記ガラスリボンの貼り付けは、接着される前記シール剤の全周を複数個の分割領域にして、前記分割領域のそれぞれをカバーする複数個のガラスリボンの一端部または両端部を前記シール剤の接着部の前記隔壁と反対の部位で前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板に接着することで行うことによって、接着剤の部分はあまり加熱されないし、たとえ加熱されて接着剤からガスが発生しても、基板間の電子素子の領域には入らず、完全にガスの封入を抑制し得る。

（１５）前記隔壁材料に、紫外線硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂、及び遅延硬化性樹脂の群れから選ばれる一種の接合樹脂を用い、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ね合せた後に、前記隔壁材料を前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板のそれぞれと接合することができる。

（１６）前記隔壁を、ガラス、セラミックス、半導体、金属及び金属酸化物の少なくとも一種の微粉末のペーストの塗布後に硬化させることによって形成し、その後に前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ねて貼り合せることによって、バインダなどから発生するガスを予め放出しているので、基板間に封入する恐れはない。

（１７）前記隔壁を無機材料のリボンを所定の部位に配置することで形成することで、隔壁からのガスの発生をほぼ抑制し得る。

（１８）前記隔壁材料と、前記シール剤材料とを、前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板のいずれか一方に連続的に配置し、その後に前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ね合せた後に前記シール剤を接着することで、シール剤や隔壁材料をペーストにして塗布する場合に連続して形成することができるので、効率的である。

（１９）前記液晶組成物を滴下する工程と、前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板を重ね合せる工程とを真空雰囲気下で行い、その後、窒素雰囲気下で前記シール剤によって前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との接着を行うことができる。それによって、液晶材料の注入は真空下で行われるので、気泡を放出しやすく、その後は窒素雰囲気で封止が行われるので、シール剤と隔壁との間も真空ではなく、窒素が介在するので、外部からの水分などの浸入を阻止しやすい。

１０ 第一基板（ＴＦＴ基板）
１３ 駆動用ＴＦＴ
１９ 第一絶縁層
２０ 第二基板（対向基板）
３０ 電子素子
３０ａ 有機ＥＬ発光素子（ＯＬＥＤ）
３０ｂ 液晶表示素子（ＬＣＤ）
３１ 第一電極（アノード電極）
３２ 第二絶縁層
３２ａ 第三絶縁層
３３ 有機層
３４ 第二電極（カソード電極）
３５ 被覆層（ＴＦＥ）
４１ 反射電極（画素電極）
４２ 液晶層
４３ 対向電極
４７ 偏光板
５０ シール剤
５１ シール剤材料
６０ 隔壁
６１ 隔壁材料
１００ 封止構造体
２００ 表示装置
Ａ 素子形成領域
Ｂ 接着部
Ｒ 第一領域
Ｔ 第二領域

Claims (18)

1. 表示画面の画素ごとに形成された駆動素子及び前記駆動素子の上の表面を平坦にした第一絶縁層を有するＴＦＴ基板と、
   前記ＴＦＴ基板の一画素の第一領域で、前記第一絶縁層の上方に形成された液晶表示素子用の反射電極と、
   前記ＴＦＴ基板の前記第一絶縁層の上の前記第一領域と隣接する前記一画素の第二領域に形成され、第一電極、有機層、第二電極及び被覆層を有する有機ＥＬ表示素子と、
   前記反射電極と対向する対向電極を有し、前記ＴＦＴ基板と対向して配置された対向基板と、
   前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に充填された液晶層と、
   前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板を貼り合せたシール剤と、
   を具備し、
   前記シール剤は低融点ガラス材を含み、前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板のそれぞれと接着されており、
   前記シール剤と前記液晶層との間で、かつ、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に隔壁が配置されており、
   前記シール剤と前記隔壁とが離間している、
   表示装置。
2. 前記離間する距離が０.５ｍｍ以上である、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記シール剤は、ガラスフリットが軟化した後硬化したガラスである、請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記シール剤は、ガラスリボンが前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板と接着することで形成されている、請求項１又は２に記載の表示装置。
5. 前記隔壁が、前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板と接着している、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記隔壁の体積の９０％以上が無機材料である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記隔壁が、ガラス、セラミックス、半導体、金属及び金属酸化物の少なくとも一種の微粉末の固化体である、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記隔壁が、ガラスリボンを含んでいる、請求項６に記載の表示装置。
9. 前記隔壁が、紫外線硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂、及び遅延硬化性樹脂の群れから選ばれる一種の接合樹脂である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 少なくとも駆動素子を形成したＴＦＴ基板を形成する工程と、
    前記ＴＦＴ基板の上方又は表面上に液晶表示素子用の反射電極及び有機ＥＬ表示素子を形成する工程と、
    液晶表示素子用の対向電極を有する対向基板を形成する工程と、
    前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板のいずれかで、前記液晶表示素子用の反射電極及び前記有機ＥＬ表示素子を形成する素子形成領域の周縁部に、隔壁材料を配置する工程と、
    前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板のいずれかで、前記隔壁材料の前記素子形成領域と反対の部位に前記隔壁材料と離間してシール剤材料を配置する工程と、
    前記隔壁材料で囲まれる前記素子形成領域に液晶組成物を滴下する工程と、
    前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ね合せる工程と、
    前記シール剤材料を硬化させることによって前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを接着する工程と、
    を具備し、
    前記シール剤材料に低融点ガラスを含む材料を用い、かつ、前記シール剤材料にレーザ光を照射することによって前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板を接着する、
    表示装置の製造方法。
11. 前記シール剤材料としてガラスフリットを用い、印刷又はディスペンサによって前記ガラスフリットを塗布した後にレーザ光によって軟化させてから硬化させることで、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを接着する、請求項１０記載の製造方法。
12. 前記シール剤材料としてガラスリボンを用い、前記ガラスリボンを前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板のいずれかの所定の部位に貼り付けた後に前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ね合せてレーザ光によって接着する、請求項１０記載の製造方法。
13. 前記ガラスリボンの貼り付けでは、前記レーザ光の照射によって硬化して得られるシール剤の前記素子形成領域を囲むシール部の全周を複数個の分割領域にして、前記分割領域のそれぞれをカバーする複数個の前記ガラスリボンの一端部又は両端部を前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板の、前記シール部から前記素子形成領域と反対の外側に突出した位置に付着させる、請求項１２に記載の製造方法。
14. 前記隔壁材料に、紫外線硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂、及び遅延硬化性樹脂の群から選ばれる一種の接合樹脂を用い、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ね合せた後に、前記隔壁材料を硬化して前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板のそれぞれと接着する、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の製造方法。
15. 前記隔壁材料として、ガラス、セラミックス、半導体、金属及び金属酸化物の少なくとも一種の微粉末のペーストを用い、前記ペーストの塗布後に硬化させることによって隔壁を形成し、その後に前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ねて貼り合せる、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の製造方法。
16. 前記隔壁材料として無機材料のリボンを用い、前記リボンを所定の部位に配置する、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の製造方法。
17. 前記隔壁材料と、前記シール剤材料とを、前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板のいずれか一方に連続的に配置し、その後に前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを重ね合せた後に前記シール剤材料を硬化させることによって前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とを接着する、請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の製造方法。
18. 前記液晶組成物を滴下する工程と、前記ＴＦＴ基板及び前記対向基板を重ね合せる工程とを真空雰囲気下で行い、その後、窒素雰囲気下で前記シール剤材料を硬化させることによって前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との接着を行う、請求項１０〜１７のいずれか１項に記載の製造方法。

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