JP2013125718A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フリットガラスシール材におけるワレやカケの発生を抑制する。
【解決手段】表示装置の製造方法は、第１基板１０の主面に表示素子を形成する表示素子形成工程と、複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状をなすように、第１基板１０又は第２基板２０の主面の基板周縁部にフリットガラスを塗布するフリットガラスシール材塗布工程と、第１基板１０及び第２基板２０の各々の主面を対向させて基板貼合体を形成する基板貼合体形成工程と、フリットガラスが塗布された多角形枠を構成する複数の直線部の各々Ｌ１，Ｌ２に対して、その一端ａ１，ｂ１から他端ａ３，ｂ３にわたってレーザー照射を個別に行ってフリットガラス４０ａを焼成し、第１基板１０及び第２基板２０を接着するフリットガラス焼成工程と、を有する。
【選択図】図７
【解決手段】表示装置の製造方法は、第１基板１０の主面に表示素子を形成する表示素子形成工程と、複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状をなすように、第１基板１０又は第２基板２０の主面の基板周縁部にフリットガラスを塗布するフリットガラスシール材塗布工程と、第１基板１０及び第２基板２０の各々の主面を対向させて基板貼合体を形成する基板貼合体形成工程と、フリットガラスが塗布された多角形枠を構成する複数の直線部の各々Ｌ１，Ｌ２に対して、その一端ａ１，ｂ１から他端ａ３，ｂ３にわたってレーザー照射を個別に行ってフリットガラス４０ａを焼成し、第１基板１０及び第２基板２０を接着するフリットガラス焼成工程と、を有する。
【選択図】図７
Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、詳しくは、２枚の基板が対向配置され、基板外周縁部に設けられたフリットガラスシール材により両基板間に構成される空間が封止された表示装置及びその製造方法に関する。
近年、薄型化や軽量化、低消費電力化の点で優れた有機エレクトロルミネッセンス（以下「有機ＥＬ」とも称する。）を用いた自発光型の表示装置の研究が盛んに行われている。有機ＥＬ表示装置は、一般に、マトリクス状に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」とも称する。）が配置された基板上に陽極、有機ＥＬ層及び陰極が積層された有機ＥＬ素子が設けられた有機ＥＬ基板と、有機ＥＬ基板の有機ＥＬ素子側に対向して配置された対向基板と、で構成されている。有機ＥＬ基板と対向基板とで構成される空間は、基板外周縁部に設けられたシール材で封止されて封止空間となっている。
有機ＥＬ素子は水分や酸素が存在すると劣化しやすく、両基板間の封止空間を低水分、低酸素雰囲気に保つことが必要である。そこで、封止空間を低水分雰囲気に保つため、樹脂製の接着剤の代わりに、フリットガラス（低融点ガラス）からなるシール材を使用した有機ＥＬ装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この構成によれば、樹脂製の接着剤を使用する場合と比較して、外気中の水分や酸素を遮断することが可能になり、シール材による封止性能が向上する。
ところで、特許文献１では、例えば図９（ｂ）に示すように、枠状のフリットガラスは角部において曲率を有するように形成されていることが開示されている。また、特許文献１では、フリットガラスへのレーザー照射時に、レーザー照射装置のヘッドをコーナー部においてエネルギー出力を下げると共にゆっくり移動させることが記載されている。
しかしながら、レーザー照射装置のヘッドをカーブさせて移動させると、レーザー走査速度の制御が難しく、レーザーの照射エネルギー量を均一に保持することが難しい。また、コーナー部におけるレーザーの走査速度を落とす必要があるので、フリットガラスの温度変化時（特に、温度降下時）における熱収縮の応力が不均一になる。そして、それらに起因して、フリットガラスにワレやカケが発生する虞がある。
本発明は、フリットガラスにおけるワレやカケの発生を抑制することを目的とする。
本発明の表示装置は、対向配置された第１基板及び第２基板と、複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状をなし、上記第１基板及び第２基板間の基板周縁部に配置されて両基板を貼り合わせるフリットガラスシール材と、第１基板及び第２基板間の上記フリットガラスシール材で囲まれた領域に設けられた表示素子と、を有する。
上記の構成によれば、フリットガラスシール材が複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状に配置されているので、多角形枠の角の部分は曲率を有しない。そのため、フリットガラスシール材にレーザーを照射してフリットガラスを焼成する際、レーザー照射装置のレーザーヘッドをカーブさせることなく各直線部ごとに直線状にレーザーヘッドを走査することができる。レーザーヘッドを直線状に走査することにより、レーザーからフリットガラスに照射されるエネルギー量の制御が容易になりフリットガラスシール材を温度ムラなく均一に焼成することができると共に、コーナー部でレーザーヘッドをカーブさせなくてよいのでレーザー走査速度を落とす必要がなく、フリットガラスの温度変化による熱収縮時の応力が不均一になるのが抑制される。そして、結果として、フリットガラスシール材におけるワレやカケの発生が抑制される。
本発明の表示装置は、例えば、第１基板及び第２基板は矩形であって、フリットガラスシール材は矩形基板に沿った矩形枠状に形成されている。
この場合、フリットガラスシール材の矩形枠を構成する４つの直線部は、隣り合う直線部との連続部分において、曲率を有することなく直角に交わることとなる。
本発明の表示装置は、第１基板及び第２基板の基板周縁部で、フリットガラスシール材の外周又は内周に枠状に配置され、上記第１基板及び第２基板を貼り合わせる樹脂シール材をさらに備えることが好ましい。
上記の構成によれば、基板の貼り合わせにフリットガラスシール材に加えて樹脂シール材を備えることにより、第１基板及び第２基板の密着強度を高めることができる。
本発明の表示装置は、フリットガラスシール材におけるワレやカケの発生が抑制されるので、表示素子が有機ＥＬ素子のように酸素や水分等によりダメージを受けて劣化しやすい性質を有する場合に特に好適である。
本発明の表示装置の製造方法は、第１基板の主面に表示素子を形成する表示素子形成工程と、複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状をなすように、上記第１基板又は第２基板の主面の基板周縁部にフリットガラスを塗布するフリットガラスシール材塗布工程と、第１基板及び第２基板の各々の主面を対向させて基板貼合体を形成する基板貼合体形成工程と、フリットガラスが塗布された多角形枠を構成する複数の直線部の各々に対して、その一端から他端にわたってレーザー照射を個別に行ってフリットガラスを焼成し、第１基板及び第２基板を接着するフリットガラス焼成工程と、を有する。
上記の方法によれば、フリットガラスシール材塗布工程において、フリットガラスシール材を複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状に塗布するので、多角形枠の角の部分は曲率を有しない。そのため、フリットガラス焼成工程においてフリットガラスを焼成する際、レーザー照射装置のレーザーヘッドをカーブさせることなく、複数の直線部の各々に対して個別にその一端から他端にわたって直線状にレーザーヘッドを走査することができる。レーザーヘッドを直線状に走査することにより、レーザーからフリットガラスに照射されるエネルギー量の制御が容易になりフリットガラスシール材を温度ムラなく均一に焼成することができると共に、コーナー部でレーザーヘッドをカーブさせなくてよいのでレーザー走査速度を落とす必要がなく、フリットガラスの温度変化による熱収縮時の応力が不均一になるのが抑制される。そして、結果として、フリットガラスシール材におけるワレやカケの発生が抑制される。
本発明の表示装置の製造方法は、第１基板の主面に表示素子を形成する表示素子形成工程と、複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状をなすように、上記第１基板又は第２基板の主面の基板周縁部にフリットガラスを塗布すると共に、該フリットガラスシール材の内周又は外周に樹脂シール材を塗布するシール材塗布工程と、第１基板及び第２基板の各々の主面を対向させて基板貼合体を形成する基板貼合体形成工程と、貼合体形成工程の後、シール材塗布工程で塗布した樹脂シール材を硬化し、第１基板及び第２基板を接着する樹脂シール材硬化工程と、フリットガラスが塗布された多角形枠を構成する複数の直線部の各々に対して、その一端から他端にわたってレーザー照射を個別に行って上記フリットガラスを焼成し、第１基板及び第２基板を接着するフリットガラス焼成工程と、を有する。
上記の方法によれば、シール材塗布工程において、フリットガラスシール材を複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状に塗布するので、多角形枠の角の部分は曲率を有しない。そのため、フリットガラス焼成工程においてフリットガラスを焼成する際、レーザー照射装置のレーザーヘッドをカーブさせることなく、複数の直線部の各々に対して個別にその一端から他端にわたって直線状にレーザーヘッドを走査することができる。レーザーヘッドを直線状に走査することにより、レーザーからフリットガラスに照射されるエネルギー量の制御が容易になりフリットガラスシール材を温度ムラなく均一に焼成することができると共に、コーナー部でレーザーヘッドをカーブさせなくてよいのでレーザー走査速度を落とす必要がなく、フリットガラスの温度変化による熱収縮時の応力が不均一になるのが抑制される。そして、結果として、フリットガラスシール材におけるワレやカケの発生が抑制される。
また、上記の方法によれば、フリットガラスシール材に加えて樹脂シール材でも第１基板と第２基板とを接着することにより、第１基板及び第２基板の密着強度を高めることができる。
本発明の表示装置の製造方法は、照射するレーザービームの照射面の形状が矩形であることが好ましい。
上記の方法によれば、照射するレーザービームの照射面の形状が矩形にすることにより、レーザービーム内のエネルギー密度が均一になる。そのため、フリットガラスシール材を均一なエネルギーで加熱することができ、温度ムラが抑制され、フリットガラスシール材へのワレやカケの発生がより低減される。
本発明によれば、レーザーを直線に走査してフリットガラスを焼成するので、フリットガラスへの照射エネルギー量の制御が容易になりフリットガラスシール材を温度ムラなく均一に焼成することができると共に、コーナー部でレーザーヘッドをカーブさせなくてよいのでレーザー走査速度を落とす必要がなく、フリットガラスの温度変化による熱収縮時の応力が不均一になるのが抑制される。そして、結果として、フリットガラスシール材におけるワレやカケの発生を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
《実施形態１》
図１は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。
図１は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。
（有機ＥＬ表示装置）
図１及び２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、第１基板である矩形のＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０に対向する第２基板である矩形の封止基板２０と、ＴＦＴ基板１０上に形成されるとともに、ＴＦＴ基板１０及び封止基板２０の間に設けられた有機ＥＬ素子３０とを備えている。また、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ素子３０を封止するようにＴＦＴ基板１０と封止基板２０とを外周縁部において互いに貼り合わせるフリットガラスシール材４０及びその外周側の樹脂シール材５０を備えている。フリットガラスシール材４０及び樹脂シール材５０は、それぞれ、有機ＥＬ素子３０を囲うように、基板の外周縁部に沿って矩形枠状に形成されている。
図１及び２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、第１基板である矩形のＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０に対向する第２基板である矩形の封止基板２０と、ＴＦＴ基板１０上に形成されるとともに、ＴＦＴ基板１０及び封止基板２０の間に設けられた有機ＥＬ素子３０とを備えている。また、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ素子３０を封止するようにＴＦＴ基板１０と封止基板２０とを外周縁部において互いに貼り合わせるフリットガラスシール材４０及びその外周側の樹脂シール材５０を備えている。フリットガラスシール材４０及び樹脂シール材５０は、それぞれ、有機ＥＬ素子３０を囲うように、基板の外周縁部に沿って矩形枠状に形成されている。
ＴＦＴ基板１０は、例えば、ガラス、またはプラスチック等の絶縁性材料により形成された基板本体上に、各画素に対応してマトリクス状にＴＦＴが設けられた公知の構成を有する。
封止基板２０は、例えば、ガラス、またはプラスチック等の絶縁性材料により形成されている。
有機ＥＬ素子３０は、図２に示すように、ＴＦＴ基板１０の表面上に設けられた第１電極３１（陽極）と、第１電極３１の表面上に設けられた有機層３２と、有機層３２の表面上に設けられた第２電極３３（陰極）とを備えている。
第１電極３１は、ＴＦＴ基板１０の表面上に所定の間隔でマトリクス状に複数形成されており、複数の第１電極３１の各々が、有機ＥＬ表示装置１の各画素領域を構成している。なお、第１電極３１は、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、またはＩＴＯとＡｇの積層膜等により形成されている。
有機層３２は、マトリクス状に区画された各第１電極３１の表面上に形成されている。この有機層３２は、第１電極３１側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、及び電子注入層が積層された構成を有する。なお、有機層３２は少なくとも発光層を備えていればよく、それ以外の層については必要とされる特性によって適宜選択して設計することができる。有機層３２を構成する各層は、公知の材料を用いて形成される。
第２電極３３は、有機層３２に電子を注入する機能を有する。第２電極３３は、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム、または仕事関数の小さい金属等により形成されている。
なお、本実施形態においては、図２に示すように、有機ＥＬ素子３０を保護するための保護膜３４が第１電極３１，有機層３２及び第２電極３３を覆うように設けられている。保護膜３４を形成する材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ等の無機材料が挙げられる。
フリットガラスシール材４０は、フリットガラス（低融点ガラス）で形成されている。フリットガラスとしては、例えば、ＳｉＯ２（酸化シリコン），Ｂ２Ｏ３（酸化ホウ素），Ａｌ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５（酸化バナジウム），Ｃｕ２Ｏ（酸化銅）等の酸化物を混合した混合ガラスを粉砕して微粉化したものが使用できる。
フリットガラスシール材４０は、上述のように基板の外周縁部に沿った矩形枠状に設けられている。この矩形枠は、４つの直線部で構成されている。４つの直線部の各々は、向きを変えることなく延出して、隣接する直線部と連続する。つまり、直線部が隣接する直線部と連続する矩形のコーナー部において、曲率を有するカーブを描くことなく、完全な直線同士が直角に交わってコーナー部を形成している。フリットガラスシール材４０のシール幅は、例えば、０．１〜３ｍｍである。
樹脂シール材５０は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等の紫外線硬化性樹脂で形成されている。なお、安価である点からは、樹脂シール材５０の材料としてアクリル樹脂を使用することが好ましい。樹脂シール材５０のシール幅は、例えば、０．５〜５ｍｍである。
なお、ＴＦＴ基板１０と封止基板２０をフリットガラスシール材４０と樹脂シール材５０とで二重に接着することにより、以下のメリットが得られる。両基板１０，２０をフリットガラスシール材４０で接着することにより、外気中の水分や酸素がフリットガラスシール材４０の内側に侵入するのを遮断することができる。また、両基板１０，２０を樹脂シール材５０で接着することにより、両基板１０，２０の密着強度を高めることができる。
（有機ＥＬ表示装置の動作）
この有機ＥＬ表示装置１では、ＴＦＴをオンさせると、第１電極３１から有機層３２へホールが注入されると共に、第２電極３３から有機層３２へ電子が注入される。そして、ホールと電子とが発光層内で再結合する。再結合により励起状態となった電子が基底状態に戻る際に放出するエネルギーが、発光として取り出される。各発光領域の発光輝度を制御することで、有機ＥＬ表示装置１にて所定の画像を表示することができる。
この有機ＥＬ表示装置１では、ＴＦＴをオンさせると、第１電極３１から有機層３２へホールが注入されると共に、第２電極３３から有機層３２へ電子が注入される。そして、ホールと電子とが発光層内で再結合する。再結合により励起状態となった電子が基底状態に戻る際に放出するエネルギーが、発光として取り出される。各発光領域の発光輝度を制御することで、有機ＥＬ表示装置１にて所定の画像を表示することができる。
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例について、図３のフローチャートに基づいて説明する。図４〜８は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例について、図３のフローチャートに基づいて説明する。図４〜８は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
（有機ＥＬ素子形成工程）
はじめに、ステップＳ１１において、図４に示すように、ＴＦＴ基板１０上に有機ＥＬ素子３０を形成する。
はじめに、ステップＳ１１において、図４に示すように、ＴＦＴ基板１０上に有機ＥＬ素子３０を形成する。
まず、基板サイズが２５×２５ｍｍのガラス基板等を備えたＴＦＴ基板１０上に、スパッタ法によりＩＴＯ膜をパターン形成して、第１電極３１を形成する。そして、第１電極３１付きのＴＦＴ基板１０を、例えばアセトンやＩＰＡを用いた超音波洗浄（約１０分間）及びＵＶ−オゾン洗浄（約３０分間）により洗浄する。
次に、第１電極３１上に、真空蒸着法により有機層３２を形成する。
具体的には、まず、全ての画素に共通して、正孔注入層として厚さ３０ｎｍ程度の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）からなる膜を形成し、正孔輸送層として厚さ２０ｎｍ程度の４’−ビス［ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル―アミノ］ビフェニル）（α−ＮＰＤ）からなる膜を形成する。次いで、緑色画素に対して、３−フェニル−４（１−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）（蒸着速度：１．０Å／ｓｅｃ）とＩｒ（ｐｐｙ）３（緑色発光ドーパント）（蒸着速度：０．１Å／ｓｅｃ）を共蒸着して緑色の発光層を形成する。同様に、赤色画素及び青色画素のそれぞれに対して、ＴＡＺと赤色ドーパント、及び、ＴＡＺと青色ドーパントをそれぞれ共蒸着し、赤色の発光層及び青色の発光層を形成する。続いて、全ての画素に共通して、正孔ブロッキング層として厚さ１０ｎｍ程度の２，９−ジメチルー４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）からなる膜を形成し、電子輸送層として厚さ３０ｎｍ程度のトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）からなる膜を形成し、最後に、電子注入層として厚さ１ｎｍ程度のフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる膜を形成する。
続いて、第２電極３３として、例えば真空蒸着法を用いて厚さ３００ｎｍ程度のアルミニウム膜を形成する。
さらに、第１電極３１，有機層３２及び第２電極３３を覆うように蒸着法、スパッタ法、化学気相成長法等を用いてＳｉＯ２やＳｉＯＮ等の無機材料からなる膜を形成し、保護膜３４とする。
（シール材塗布工程）
一方、ステップＳ２１において、封止基板２０の主面の外周縁部に、フリットガラスシール材４０となるフリット枠４０ａを形成する。
一方、ステップＳ２１において、封止基板２０の主面の外周縁部に、フリットガラスシール材４０となるフリット枠４０ａを形成する。
具体的には、まず、封止基板２０の外周縁部の矩形枠状に沿って、フリットガラスを含むペースト材料をディスペンサやスクリーン印刷法等により塗布する。フリットガラスを含むペースト材料は、例えばエチルセルロース、α−テルピネオール等の有機溶媒に粉末状のフリットガラスを加えたものである。ペースト材料を塗布する矩形枠は、４つの直線部で構成され、直線部のそれぞれは、向きを変えることなく延出して隣り合う直線部と連続している。
次に、ペースト材料を仮焼成して有機溶媒を完全に除去するために、フリットガラスペーストに対してレーザーを照射する。このときの加熱温度は、２００℃以上５００℃以下が好ましく、２５０℃以上４００℃以下がより好ましい。これにより、フリット枠４０ａが形成される。
続いて、ステップＳ２２において、図５に示すように、例えば、ディスペンサを用いて、フリットガラスシール材４０が形成された封止基板２０の主面に上記フリット枠４０ａを囲うように紫外線硬化性樹脂を描画して、樹脂枠５０ａを形成する。ここで使用する紫外線硬化性樹脂は、透湿係数が１００ｇ／ｍ２・Ｄａｙ以下であることが好ましく、５０ｇ／ｍ２・Ｄａｙ以下であることがより好ましい。なお、樹脂シール材５０となる紫外線硬化性樹脂には、酸化シリコン等からなるスペーサを混入させていてもよい。この場合、スペーサの径はフリット枠４０ａの高さ未満のものとする。
なお、フリット枠４０ａの形成と樹脂枠５０ａの形成とは、いずれを先に行ってもよい。但し、樹脂枠５０ａに仮焼成時の熱が伝導しないようにする点からは、樹脂枠５０ａに先行してフリット枠４０ａを形成することが好ましい。
また、有機ＥＬ素子の形成（ステップＳ１１）とシール材の塗布（ステップＳ２１，Ｓ２２）とは、いずれを先に行ってもよく、各々独立して同時に行ってもよい。
（基板の貼り合わせ）
続いて、ステップＳ３１において、真空雰囲気で、図６に示すように、有機ＥＬ素子３０が形成されたＴＦＴ基板１０上に、両基板間に有機ＥＬ素子３０が挟まれるように、フリット枠４０ａ及び樹脂枠５０ａが形成された封止基板２０を載置する。
続いて、ステップＳ３１において、真空雰囲気で、図６に示すように、有機ＥＬ素子３０が形成されたＴＦＴ基板１０上に、両基板間に有機ＥＬ素子３０が挟まれるように、フリット枠４０ａ及び樹脂枠５０ａが形成された封止基板２０を載置する。
次いで、１００Ｐａ以下の真空雰囲気で、樹脂枠５０ａの内側における真空気密状態を保持した状態で窒素リークを行うとともに、大気圧までパージを行って差圧で加圧処理を行うことにより、フリット枠４０ａ及び樹脂枠５０ａを介してＴＦＴ基板１０と封止基板２０とを貼り合わせて両基板貼合体を形成する。なお、加圧処理を行う際に、フリット枠４０ａと樹脂枠５０ａの高さが同一となるように制御する。
（樹脂シール材５０の硬化）
次いで、ステップＳ３２において、樹脂枠５０ａに対して封止基板２０側から紫外線を照射して、紫外線硬化性樹脂を硬化させ、樹脂シール材５０とする。このとき、有機ＥＬ素子３０に紫外線が照射されないように、マスキング等の処理を行う。なお、照射する紫外線のエネルギーは、０．５〜１０Ｊが好ましく、１〜６Ｊがより好ましい。紫外線照射雰囲気は、真空雰囲気、または、露点温度が−３０度以下（より好ましくは−６０度以下）の乾燥雰囲気とする。紫外線照射後は、真空雰囲気から基板貼合体を取り出すことができる。
次いで、ステップＳ３２において、樹脂枠５０ａに対して封止基板２０側から紫外線を照射して、紫外線硬化性樹脂を硬化させ、樹脂シール材５０とする。このとき、有機ＥＬ素子３０に紫外線が照射されないように、マスキング等の処理を行う。なお、照射する紫外線のエネルギーは、０．５〜１０Ｊが好ましく、１〜６Ｊがより好ましい。紫外線照射雰囲気は、真空雰囲気、または、露点温度が−３０度以下（より好ましくは−６０度以下）の乾燥雰囲気とする。紫外線照射後は、真空雰囲気から基板貼合体を取り出すことができる。
紫外線照射後、大気中にてオーブン装置により加熱処理（７０℃以上１２０℃以下、１０分以上２時間以下）を行う。
（フリットガラスシール材４０の硬化）
次いで、ステップＳ３３において、図７に示すように、フリット枠４０ａに対して封止基板２０側からレーザー光源を用いてレーザーを照射して４５０〜７００℃程度に加熱し、フリット枠４０ａを溶融することにより、ＴＦＴ基板１０と封止基板２０との間を溶着する。このとき照射するレーザー光源としては、例えば、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー等を用いることができる。照射雰囲気は、好ましくは、大気雰囲気、または、露点温度が−３０度以下の乾燥雰囲気とする。
次いで、ステップＳ３３において、図７に示すように、フリット枠４０ａに対して封止基板２０側からレーザー光源を用いてレーザーを照射して４５０〜７００℃程度に加熱し、フリット枠４０ａを溶融することにより、ＴＦＴ基板１０と封止基板２０との間を溶着する。このとき照射するレーザー光源としては、例えば、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー等を用いることができる。照射雰囲気は、好ましくは、大気雰囲気、または、露点温度が−３０度以下の乾燥雰囲気とする。
レーザーは、４つの直線部のそれぞれに沿って、その一端から他端にわたって直線的に移動させながら照射する。レーザー光源として半導体レーザー（λ＝９４０ｎｍ）を用いる場合には、例えば、１０〜１００Ｗの出力で照射する。このとき使用するレーザーは、レーザービームの照射面の形状が矩形のものを使用する。レーザービームの照射面の形状は、例えば、ファイバーレーザーの照射口にシリンドリカルレンズを使用した光学系を取り付けることにより、矩形に成形することができる。成形されたレーザービームの照射面の矩形形状の短辺の大きさは例えば０．１〜１ｍｍであり、長辺の大きさは例えば５〜３０ｍｍである。そして、当該矩形形状の短辺方向がフリット枠４０ａの幅方向となるようにしてレーザーの走査を行う。
具体的には、例えば、図７（ａ）に示すように、まず図７の平面図における基板右方の直線部の領域Ｌ１に対してレーザー照射を行う。このとき、上辺の直線部と連続するコーナー部ａ１から直線部分ａ２を経て下辺の直線部と連続するコーナー部ａ３にわたって、直線的にレーザーを移動させる。なお、加工対象ガラスに対してレーザー光源を移動させていってもよく、レーザー光源に対して加工対象のガラスを移動させていってもよい。領域Ｌ１の照射が完了すると、次に、図７（ｂ）に示すように、基板下方の直線部の領域Ｌ２に対してレーザー照射を行う。このとき、右辺の直線部と連続するコーナー部ｂ１から直線部分ｂ２を経て左辺の直線部と連続するコーナー部ｂ３にわたって、直線的にレーザーを移動させる。同様に、基板左方の直線部及び基板上方の直線部についてもレーザーを照射する。
なお、図８に拡大して示すように、隣り合う２つの直線部（図７では、右方の直線部及び下方の直線部）では、各々のコーナー部ａ３，ｂ１が重複する領域となるので、レーザー照射量が方になることを防ぐ必要がある。そのため、各直線部の照射開始するコーナー部ａ１，ｂ１や、照射終了箇所となるコーナー部ａ３，ｂ３においては、レーザーの出力を直線部分ａ２，ｂ２よりも低くする。
なお、上記のフリットガラスのペースト材料を仮焼成する際のレーザー照射においても、フリット枠４０ａの焼成と同様に、フリットガラスペースト材料を塗布した各直線部に対して、その一端から他端にわたってレーザー照射することを繰り返すことが好ましい。これにより、フリットガラスペースト材料に均一なエネルギーを加えることができる。
こうして、ステップＳ３４において有機ＥＬ表示装置１が完成する。
＜実施形態１の効果＞
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、フリットガラスシール材塗布工程では、基板周縁部に、４つの直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する矩形の枠状にフリットガラスを塗布してフリット枠４０ａを形成しているので、フリット枠４０ａのコーナー部は曲率を有しない。そのため、フリットガラス焼成工程においてフリットガラスを焼成する際、レーザーをカーブさせることなく、４つの直線部の各々に対して個別にその一端から他端にわたって直線状にレーザーヘッドを走査することができる。レーザーヘッドを直線状に走査することにより、レーザーからフリットガラスに照射されるエネルギー量の制御が容易になりフリットガラスシール材を温度ムラなく均一に焼成することができると共に、コーナー部でレーザーヘッドをカーブさせなくてよいのでレーザー走査速度を落とす必要がなく、フリットガラスの温度変化の熱収縮時の応力が不均一になるのが抑制される。そして、結果として、フリットガラスシール材４０におけるワレやカケの発生が抑制される。
また、レーザーヘッドを直線状に走査することにより、コーナー部においてレーザーヘッドの走査速度を落とす必要がないので、タクトタイムが向上する。
本実施形態においては、フリットガラスシール焼成工程において、レーザー照射面の形状を矩形とすることにより、レーザービーム内の密度が均一になる。そのため、フリットガラスシール材を均一なエネルギーで加熱することができ、温度ムラが抑制され、フリットガラスシール材へのワレやカケの発生がより低減される。
さらに、本実施形態によれば、フリットガラスシール材がコーナー部において曲率を有しない矩形枠状に設けられているので、フリットガラスシール材４０の領域と有機ＥＬ素子３０を設ける領域との間隔を小さくすることができる。具体的な例では、フリットガラスシール材４０と有機ＥＬ素子３０とは、有機ＥＬ素子３０に熱が伝わるのを防ぐため、例えば１ｍｍの距離を隔てて配置する必要がある。このとき、図９（ａ）に示すようにコーナー部において曲率を有しない場合には、フリットガラスシール材４０と有機ＥＬ素子３０との間の距離ｄ１を１ｍｍとすることができる。一方、図９（ｂ）に従来例として示すように、コーナー部においてＲ＝１．５ｍｍ程度の曲率を有する場合には、コーナー部においてフリットガラスシール材１４０と有機ＥＬ素子１３０との間の距離ｄ２が最小となるので、ｄ２の距離を１ｍｍとする必要がある。そのため、コーナー部以外の領域では、フリットガラスシール材１４０と有機ＥＬ素子１３０との間の距離ｄ３は、ｄ１よりも大きくなってしまい、額縁領域が図９（ａ）の場合よりも大きくなってしまう。なお、図９（ａ）及び（ｂ）においては、簡略化のために有機ＥＬ素子、フリットガラスシール材及びＴＦＴ基板１０以外の図示は省略している。また、フリットガラスシール材の領域を斜線で示している。また、図９（ｂ）における参照符号「１１０」はＴＦＴ基板を示す。
＜実施形態１の変形例＞
（変形例１）
実施形態１では、フリットガラスからなるフリットガラスシール材４０の外周側に紫外線硬化性樹脂からなる樹脂シール材５０を設けるとして説明したが、図１０に変形例１として示すように、フリットガラスシール材４０の内周側に樹脂シール材５０を設けてもよい。この場合でも、フリットガラスシール材４０及び樹脂シール材５０の塗布する領域を変更する以外は実施形態１と同様の方法で有機ＥＬ表示装置を作製することができる。
（変形例１）
実施形態１では、フリットガラスからなるフリットガラスシール材４０の外周側に紫外線硬化性樹脂からなる樹脂シール材５０を設けるとして説明したが、図１０に変形例１として示すように、フリットガラスシール材４０の内周側に樹脂シール材５０を設けてもよい。この場合でも、フリットガラスシール材４０及び樹脂シール材５０の塗布する領域を変更する以外は実施形態１と同様の方法で有機ＥＬ表示装置を作製することができる。
（変形例２）
実施形態１では、樹脂シール材５０を紫外線硬化性樹脂で設けるとして説明したが、熱硬化性樹脂を用いて樹脂シール材５０を形成してもよい。この場合には、図３のステップＳ３２の第２シール材硬化の工程と、ステップＳ３３の第１シール材焼成の工程とを、両シール材４０，５０にレーザー照射することにより同時に行うことができる。
実施形態１では、樹脂シール材５０を紫外線硬化性樹脂で設けるとして説明したが、熱硬化性樹脂を用いて樹脂シール材５０を形成してもよい。この場合には、図３のステップＳ３２の第２シール材硬化の工程と、ステップＳ３３の第１シール材焼成の工程とを、両シール材４０，５０にレーザー照射することにより同時に行うことができる。
（その他の変形例）
実施形態１では、フリットガラス焼成工程において使用するレーザービームの照射面の形状が矩形であるとして説明したが、レーザー照射装置のレーザーヘッドの形状（例えば、円形）のままでレーザー照射を行ってもよい。但し、レーザービームの照射面におけるエネルギー密度が均一である点からは、レーザービームの照射面を矩形にすることが好ましい。
実施形態１では、フリットガラス焼成工程において使用するレーザービームの照射面の形状が矩形であるとして説明したが、レーザー照射装置のレーザーヘッドの形状（例えば、円形）のままでレーザー照射を行ってもよい。但し、レーザービームの照射面におけるエネルギー密度が均一である点からは、レーザービームの照射面を矩形にすることが好ましい。
実施形態１では、シール材塗布工程において、封止基板２０の外周縁部にフリットガラス及び紫外線硬化性樹脂を塗布するとして説明したが、有機ＥＬ素子３０を形成したＴＦＴ基板１０の外周縁部にフリットガラス及び紫外線硬化性樹脂を塗布してもよい。但し、フリットガラスの仮焼成時の熱が有機ＥＬ素子３０に伝わるのを防止する点からは、ＴＦＴ基板１０上にフリットガラスを塗布することが好ましい。
実施形態１では、表示装置が矩形の基板で構成されている場合について説明したが、特にこれに限られず、例えば、五角形や六角形等の多角形であってもよい。例えば、表示装置が五角形の基板で構成されている場合には、フリットガラスシール材は、基板外周縁部に、５つの直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する五角形枠状に配置されている。
実施形態１では、表示素子が有機ＥＬ素子であって表示装置が有機ＥＬ表示装置の場合について説明したが、表示装置が液晶表示装置、無機ＥＬ表示装置、プラズマディスプレイ等の表示装置であってもよい。
本発明は、表示装置及びその製造方法について有用であり、詳しくは、２枚の基板が対向配置され、基板外周縁部に設けられたフリットガラスシール材により両基板間に構成される空間が封止された表示装置及びその製造方法について有用である。
１ 有機ＥＬ表示装置（表示装置）
１０ ＴＦＴ基板（第１基板）
２０ 封止基板（第２基板）
３０ 有機ＥＬ素子（表示素子）
４０ フリットガラスシール材
５０ 樹脂シール材
１０ ＴＦＴ基板（第１基板）
２０ 封止基板（第２基板）
３０ 有機ＥＬ素子（表示素子）
４０ フリットガラスシール材
５０ 樹脂シール材
Claims (8)
- 対向配置された第１基板及び第２基板と、
複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状をなし、上記第１基板及び第２基板間の基板周縁部に配置されて両基板を貼り合わせるフリットガラスシール材と、
上記第１基板及び第２基板間の上記フリットガラスシール材で囲まれた領域に設けられた表示素子と、
を有する表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記第１基板及び第２基板は矩形であり、
上記フリットガラスシール材は、矩形枠状に形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１又は２に記載された表示装置において、
上記第１基板及び第２基板間の基板周縁部で、上記フリットガラスシール材の外周又は内周に枠状に配置され、上記第１基板及び第２基板を貼り合わせる樹脂シール材をさらに備えることを特徴とする表示装置。 - 請求項１〜３のいずれか１項に記載された表示装置において、
上記表示素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１又は２の表示装置を製造する表示装置の製造方法であって、
第１基板の主面に表示素子を形成する表示素子形成工程と、
複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状をなすように、上記第１基板又は第２基板の主面の基板周縁部にフリットガラスを塗布するフリットガラスシール材塗布工程と、
上記第１基板及び第２基板の各々の主面を対向させて基板貼合体を形成する基板貼合体形成工程と、
上記フリットガラスが塗布された多角形枠を構成する複数の直線部の各々に対して、その一端から他端にわたってレーザー照射を個別に行って上記フリットガラスを焼成し、上記第１基板及び第２基板を接着するフリットガラス焼成工程と、
を有する表示装置の製造方法。 - 請求項５に記載された表示装置の製造方法において、
上記フリットガラス焼成工程において、照射するレーザービームの照射面の形状が矩形であることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項３の表示装置を製造する表示装置の製造方法であって、
第１基板の主面に表示素子を形成する表示素子形成工程と、
複数の直線部からなり隣り合う直線部のそれぞれが向きを変えることなく延出して互いに連続する多角形の枠状をなすように、上記第１基板又は第２基板の主面の基板周縁部にフリットガラスを塗布すると共に、該フリットガラスシール材の内周又は外周に樹脂シール材を塗布するシール材塗布工程と、
上記第１基板及び第２基板の各々の主面を対向させて基板貼合体を形成する基板貼合体形成工程と、
上記貼合体形成工程の後、上記シール材塗布工程で塗布した樹脂シール材を硬化し、上記第１基板及び第２基板を接着する樹脂シール材硬化工程と、
上記フリットガラスが塗布された多角形枠を構成する複数の直線部の各々に対して、その一端から他端にわたってレーザー照射を個別に行って上記フリットガラスを焼成し、上記第１基板及び第２基板を接着するフリットガラス焼成工程と、
を有する表示装置の製造方法。 - 請求項７に記載された表示装置の製造方法において、
上記フリットガラス焼成工程において、照射するレーザービームの照射面の形状が矩形であることを特徴とする表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016015515A1 (zh) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | 上海微电子装备有限公司 | 激光封装系统和方法 |
| CN105553439A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-05-04 | 精工爱普生株式会社 | 封装件及其制造方法、电子装置、电子设备以及移动体 |
| CN105824333A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-08-03 | 中航华东光电有限公司 | 异形液晶显示模块的加热控制方法 |
| CN106158669A (zh) * | 2015-04-24 | 2016-11-23 | 上海微电子装备有限公司 | 一种准同步封装的装置及控制方法 |
| JP6463876B1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-02-06 | シャープ株式会社 | 基板の封止構造体、及び表示装置とその製造方法 |
| JP2020004771A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | 日本電気硝子株式会社 | パッケージの製造方法、パッケージの製造装置、及び蓋体の製造方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100671644B1 (ko) * | 2006-01-24 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| EP1811589A2 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-25 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
| KR20070088715A (ko) * | 2005-12-06 | 2007-08-29 | 코닝 인코포레이티드 | 글래스 패키지를 유리재 밀봉하기 위한 시스템 및 방법 |
| KR100824531B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US20090086325A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Anping Liu | Method and apparatus for frit sealing with a variable laser beam |
| JP2010198849A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| WO2010143337A1 (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP2011011925A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Asahi Glass Co Ltd | 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法 |
| US20110232840A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of hermetic container |
| US20110249376A1 (en) * | 2010-04-13 | 2011-10-13 | Au Optronics Corporation | Display device package and packaging process thereof |
-
2011
- 2011-12-16 JP JP2011275278A patent/JP2013125718A/ja active Pending
Patent Citations (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008527657A (ja) * | 2005-12-06 | 2008-07-24 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスパッケージをフリット封止するためのシステムおよび方法 |
| KR20070088715A (ko) * | 2005-12-06 | 2007-08-29 | 코닝 인코포레이티드 | 글래스 패키지를 유리재 밀봉하기 위한 시스템 및 방법 |
| US20100154476A1 (en) * | 2005-12-06 | 2010-06-24 | Corning Incorporated | System and Method for Frit Sealing Glass Packages |
| CN101501808A (zh) * | 2005-12-06 | 2009-08-05 | 康宁股份有限公司 | 用于玻璃料密封玻璃封装体的系统和方法 |
| EP1811589A2 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-25 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
| US20070170605A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Jong Woo Lee | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
| CN101009305A (zh) * | 2006-01-24 | 2007-08-01 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示器及其制造方法 |
| JP2007200842A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| KR100671644B1 (ko) * | 2006-01-24 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| EP1921689A1 (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-14 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and fabricating method of the same |
| JP2008123981A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| US20080111479A1 (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic light emitting display device and fabricating method of the same |
| CN101179093A (zh) * | 2006-11-10 | 2008-05-14 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| KR100824531B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그 제조방법 |
| TW200822790A (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-16 | Samsung Sdi Co Ltd | Organic light emitting display device and fabricating method of the same |
| JP2010541162A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | コーニング インコーポレイテッド | 可変レーザビームによるフリット封止 |
| US20090086325A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Anping Liu | Method and apparatus for frit sealing with a variable laser beam |
| TW200948174A (en) * | 2007-09-28 | 2009-11-16 | Corning Inc | Distorsion measurement imaging system |
| KR20100072315A (ko) * | 2007-09-28 | 2010-06-30 | 코닝 인코포레이티드 | 가변 레이저 빔에 의한 프릿 밀봉 |
| CN101842918A (zh) * | 2007-09-28 | 2010-09-22 | 康宁股份有限公司 | 使用可变激光束的玻璃料密封 |
| JP2010198849A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| WO2010143337A1 (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| KR20120024658A (ko) * | 2009-06-11 | 2012-03-14 | 샤프 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 표시장치 및 그 제조방법 |
| US20120080671A1 (en) * | 2009-06-11 | 2012-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el display device and method for manufacturing the same |
| EP2442621A1 (en) * | 2009-06-11 | 2012-04-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el display device and method for producing the same |
| CN102450098A (zh) * | 2009-06-11 | 2012-05-09 | 夏普株式会社 | 有机el显示装置及其制造方法 |
| JP2011011925A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Asahi Glass Co Ltd | 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法 |
| US20110232840A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of hermetic container |
| CN102208312A (zh) * | 2010-03-29 | 2011-10-05 | 佳能株式会社 | 气密容器的制造方法 |
| KR20110109930A (ko) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 캐논 가부시끼가이샤 | 기밀 용기의 제조 방법 |
| JP2011210432A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Canon Inc | 気密容器の製造方法 |
| US20110249376A1 (en) * | 2010-04-13 | 2011-10-13 | Au Optronics Corporation | Display device package and packaging process thereof |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016015515A1 (zh) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | 上海微电子装备有限公司 | 激光封装系统和方法 |
| CN105336877A (zh) * | 2014-07-29 | 2016-02-17 | 上海微电子装备有限公司 | 激光扫描密封玻璃封装体的系统和方法 |
| CN105336877B (zh) * | 2014-07-29 | 2018-01-26 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 激光扫描密封玻璃封装体的系统和方法 |
| JP2016086049A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | セイコーエプソン株式会社 | パッケージ、パッケージの製造方法、電子デバイス、電子機器及び移動体 |
| CN105553439A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-05-04 | 精工爱普生株式会社 | 封装件及其制造方法、电子装置、电子设备以及移动体 |
| CN106158669A (zh) * | 2015-04-24 | 2016-11-23 | 上海微电子装备有限公司 | 一种准同步封装的装置及控制方法 |
| CN105824333A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-08-03 | 中航华东光电有限公司 | 异形液晶显示模块的加热控制方法 |
| JP6463876B1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-02-06 | シャープ株式会社 | 基板の封止構造体、及び表示装置とその製造方法 |
| WO2019064372A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | シャープ株式会社 | 基板の封止構造体、及び表示装置とその製造方法 |
| US11211579B2 (en) | 2017-09-27 | 2021-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate sealing structure body, and, display device and production method therefor |
| US11437600B2 (en) | 2017-09-27 | 2022-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate sealing structure body, and, display device and production method therefor |
| JP2020004771A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | 日本電気硝子株式会社 | パッケージの製造方法、パッケージの製造装置、及び蓋体の製造方法 |
| JP7298113B2 (ja) | 2018-06-25 | 2023-06-27 | 日本電気硝子株式会社 | パッケージの製造方法、及びパッケージの製造装置 |
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