JP2003337344A - 半透過型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明電極を形成する材料として一般的に用い
られているＩＴＯではなく、ＩＺＯを用いることのでき
る半透過型の液晶表示装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 透明電極６３の材料であるＩＺＯと反射
電極６８の間に保護膜６４が設けられている。したがっ
て反射電極の材料として、ＩＺＯと同じエッジング液で
エッチングされてしまうＡｌ等の材料を用いたとして
も、両方が互いにエッジングされてしまうようなことは
ない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半透過型の液晶表示
装置に関し、特に透過部の透明電極としてＩＺＯ（＝Ｉ
ｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）を用いた半透過型
の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報通信機器等への液晶表示装置
の応用が急速に普及している。特に携帯型のものについ
ては反射型の液晶表示装置が多く用いられている。この
反射型液晶表示装置は外光を光源として用いるために、
暗い室内などでは見えにくくなってしまう。そこで透過
型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の
開発が進んできている。この半透過型液晶表示装置は光
源としてのバックライトを備えており、一つの画素内に
透明電極を備えた透過部と反射電極を備えた反射部を有
している。そして透過部においてはバックライトの光を
利用し、反射部においては外光を利用した表示を行って
いる。

【０００３】図４は半透過型液晶表示装置におけるアレ
イ基板１０の断面図を示している。ガラス基板１１上に
はスイッチング素子であるＴＦＴ１２が形成されてい
る。このＴＦＴ１２はそれぞれの画素に配置されてい
る。そしてＴＦＴ１２を覆うように、ガラス基板１１上
に保護膜１３が形成されている。保護膜１３上には層間
膜１４が形成されており、この保護膜１３と層間膜１４
にはＴＦＴ１２のドレイン電極に対応する部分にコンタ
クトホール１５が設けられている。さらには保護膜と層
間膜１４には溝１６が設けられている。

【０００４】また、それぞれの画素には画素電極が形成
されている。この画素電極はまず透明電極１７用の材料
を一画素の全体に積層し、透明電極１７の上に反射電極
１８用の材料を、溝１６を除いた部分に積層して形成さ
れている。画素電極のうち透明電極１７が反射電極１８
に覆われていない領域が透過部１９となり、アレイ基板
１０の下方に配置されたバックライト２０からの光はこ
の透過部１９を通過する。また反射電極１８形成されて
いる領域が反射部２１となり、外光はこの反射部２１で
反射される。

【０００５】そして、この半透過型液晶表示装置におけ
る透過部１９を構成する透明電極１７の材料としては、
一般的にＩＴＯ（＝Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄ
ｅ）が広く用いられている。また反射部２１を構成する
反射電極１８の材料としては、一般的にＡｌが広く用い
られている。

【０００６】一方、透過型の液晶表示装置において、画
素電極を構成する透明電極の材料としては、一般的に用
いられているＩＴＯの他に、ＩＺＯ（＝Ｉｎｄｉｕｍ−
Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）が知られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】通常ＡｌとＩＴＯとは
同じエッジング液でエッジングされることはない。した
がって画素電極を形成する際に、まずＩＴＯを用いて透
明電極１７を形成し、つぎにＡｌを用いて反射電極１８
を形成したとしても問題はない。

【０００８】しかし、ＡｌとＩＺＯとは同じエッジング
液でエッジングされてしまう。したがって画素電極を形
成する際に、まずＩＺＯを用いて透明電極１７を形成
し、つぎにＡｌを用いて反射電極１８を形成すると、Ａ
ｌをエッジングする際に下層の透明電極１７であるＩＺ
Ｏまでもがエッジングされるとういう問題が発生してし
まう。

【０００９】このとき、ＩＺＯがエッジングされないよ
うにするために、透過部１９の透明電極１７を形成する
ＩＺＯの上にさらにＩＺＯを保護するための膜を形成
し、そしてＡｌを用いて反射電極を形成することも考え
られなくもない。つまり保護膜１３、層間膜１４を形成
し、保護膜１３、層間膜１４に溝１６を設け、ＩＺＯに
より透明電極１７を形成する。そして透明電極１７の上
にＩＺＯを保護するための膜を形成し、透過部１９以外
の保護膜をエッジングして取り除き、反射部２１の反射
電極１８をＡｌで形成することである。

【００１０】しかし、その場合だとさらに製造工程が増
加してしまい、コストも上がってしまうので、透明電極
の材料としてＩＺＯを用いることは実用的でなくなって
しまう。

【００１１】そこで、本発明は透過部を構成する透明電
極の材料としてＩＺＯを用いることのできる半透過型の
液晶表示装置を提供することを目的とする。また同じエ
ッジング液でエッジングできる透明電極と反射電極の材
料を用いて、透明電極と反射電極とを形成した半透過型
の液晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、平行に配置さ
れた複数の走査線と、前記走査線と直交する複数の映像
線に囲まれた領域に形成される画素であって、バックラ
イトからの光を通す透明電極を備える透過部と外光を反
射する反射電極を備える反射部から成る画素、を有して
いる半透過型液晶表示装置であり、前記画素にはスイッ
チング素子が形成されており、前記透明電極と前記反射
電極とは該スイッチング素子と電気的に接続しており、
前記透明電極はＩＺＯ（＝Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏ
ｘｉｄｅ）を用いて形成されていることを特徴とするも
のである。

【００１３】また本発明は、前記反射電極はＩＺＯと同
一のエッジング液で除去が可能な材料で形成されてお
り、前記透明電極の上に保護絶縁膜が形成されており、
該保護絶縁膜の上に前記反射電極が形成されていること
を特徴とする半透過型液晶表示装置である。

【００１４】また本発明は、前記反射電極はＡｌを含ん
だ金属を用いて形成されており、前記透明電極の上に保
護絶縁膜が形成されており、該保護絶縁膜の上に前記反
射電極が形成されていることを特徴とする半透過型液晶
表示装置である。

【００１５】また本発明は、平行に配置された複数の走
査線と、前記走査線と直交する複数の映像線に囲まれた
領域に形成される画素であって、バックライトからの光
を通す透明電極を備える透過部と外光を反射する反射電
極を備える反射部から成る画素、を有している半透過型
液晶表示装置であり、前記画素にはスイッチング素子が
形成されており、前記透明電極と前記反射電極とは該ス
イッチング素子と電気的に接続しており、前記透明電極
と前記反射電極とは同一のエッジング液で除去が可能な
材料で形成されると共に、前記透明電極の上には保護絶
縁膜が形成されており、該保護絶縁膜の上に前記反射電
極が形成されていることを特徴とするものである。

【００１６】また本発明は、前記保護絶縁膜と前記反射
電極との間には層間絶縁膜が形成されていることを特徴
とする半透過型液晶表示装置である。

【００１７】また本発明は、前記層間絶縁膜は前記透過
部には形成されていないことを特徴とする半透過型液晶
表示装置である。

【００１８】また本発明は、一画素内における前記透過
部の位置には、少なくとも２通りあることを特徴とする
半透過型の液晶表示装置である。

【００１９】また本発明は、前記透過部は前記走査線の
延設する方向に隣り合っている画素ごとにその位置を変
えていることを特徴とする半透過型液晶表示装置であ
る。

【００２０】また本発明は、隣接する前記走査線の間の
略中央を境にして、一方の走査線側に位置する透過部を
有している画素があり、前記走査線の延設する方向に該
画素と隣接する画素においては、前記透過部が他方の走
査線側に位置していることを特徴とする半透過型液晶表
示装置である。

【００２１】また本発明は、前記画素にはバックライト
からの光を反射する反射層が前記反射電極の下に形成さ
れていることを特徴とする半透過型液晶表示装置であ
る。

【００２２】また本発明は、前記反射層は前記スイッチ
ング素子と電気的に接続しており、前記走査線と同時に
形成された補助容量線が絶縁膜を介して前記反射層の下
に位置していることを特徴とする半透過型液晶表示装置
である。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施形態を
図に基づいて説明する。図１は液晶パネル５０を構成す
るアレイ基板５１を拡大した平面図であり、図２の
（ａ）は図１のＡ−Ａ´の断面図を、（ｂ）はＢ−Ｂ´
の断面図を示したものである。

【００２４】５２は透明な絶縁性を有するガラス基板で
ある。ガラス基板５２の上にアルミニウムやクロムなど
の金属からなる複数の走査線５３が略等間隔で平行に形
成されており、また隣り合う走査線５３の間には走査線
５３と同時に補助容量線５４が形成されている。補助容
量線５４は走査線５３と走査線の間の略中央を、走査線
５３と平行して形成されている。走査線５３からはゲー
ト電極５５が延設されている。走査線５３、補助容量線
５４、ゲート電極５５を覆うようにしてガラス基板５２
上には窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート
絶縁膜５６が積層されている。

【００２５】ゲート電極５５の上にはゲート絶縁膜５６
を介して非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる
半導体層５７が形成されている。またゲート絶縁膜５６
上には複数の映像線５８が走査線５３と直交するように
して形成されている。この映像線５８は図示しないが下
をＡｌ、上をＣｒにより形成した２層構造をしている。
また映像線５８からはソース電極５９が延設されてい
る。このソース電極５９は半導体層５７と接続してい
る。また映像線５８、ソース電極５９と同一の材料でか
つ同時形成されたドレイン電極６０がゲート絶縁膜５６
上に設けられており、半導体層５７と接続している。

【００２６】走査線５３と映像線５８とに囲まれた領域
が１画素に相当する。そしてゲート電極５５、ゲート絶
縁膜５６、半導体層５７、ソース電極５９、ドレイン電
極６０によってスイッチング素子となるＴＦＴ６１が構
成され、それぞれの画素にこのＴＦＴ６１が形成され
る。

【００２７】また、それぞれの画素には反射層６２が形
成されている。この反射層６２は映像線５８、ソース電
極５９、ドレイン電極６０と同一の材料でかつ同時形成
されている。反射層６２は後述する反射部７０に位置し
ており、後述する反射電極６８より下に形成されてい
る。そしてアレイ基板５１の下に位置する後述するバッ
クライト８０からの光を反射する。反射層６２と補助容
量線５４によって各画素の補助容量を成すことになる。
また反射層６２には画素によって異なる反射層６２ａ
と、６２ｂとがある。図１のＡ−Ａ´が示されている画
素において反射層６２ａが、Ｂ−Ｂ´が示されている画
素において反射層６２ｂが形成されている。

【００２８】反射層６２ａはドレイン電極６０と一定の
間隔をおいて形成されている。アレイ基板５１の法線方
向から見た場合に、反射層６２ａの一部が補助容量線５
４と重なるように形成されている。そして反射層６２ａ
の端部が走査線５３、映像線５８と重ならないよう一定
の間隔をおいて形成されている。そしてドレイン電極６
０と反射層６２ａとの間にＩＺＯを用いて透明電極６３
を形成する。このときドレイン電極６０、反射層６２
ａ、透明電極６３とはそれぞれ電気的に接続されてい
る。

【００２９】反射層６２ｂはドレイン電極６０の一部と
して形成されている。アレイ基板５１の法線方向から見
た場合に、反射層６２ｂの一部は補助容量線５４を完全
に越えるように形成されている。そして反射層６２ｂの
端部が走査線５３、映像線５８と重ならないよう一定の
間隔をおいて形成される。特に走査線５３との間は広く
なっており、この部分にＩＺＯを用いて透明電極６３が
形成される。このときドレイン電極６０の一部である反
射層６２ｂと透明電極６３とは電気的に接続されてい
る。

【００３０】映像線５８、ＴＦＴ６１、反射層６２、透
明電極６３を覆うようにして例えば無機の絶縁膜からな
る保護膜６４が積層されている。そして保護膜６４上に
は有機絶縁膜からなる層間膜６５が積層されている。保
護膜６４と層間膜６５にはＴＦＴ６１のドレイン電極６
０に対応する位置にコンタクトホール６６が形成されて
いる。また層間膜６５には透明電極６３に対応する位置
に溝部６７が長方形状に形成されている。

【００３１】それぞれの画素において、層間膜６５上に
は反射電極６８の材料となるＡｌが積層されている。Ａ
ｌは反射率が高く低抵抗であるため、反射電極の材料と
して一般的に用いられている。この他反射電極６８の材
料としてはＡｌを含む合金などでもよい。アレイ基板５
１の法線方向から見た場合に、反射電極６８は隣接する
反射電極６８と接しないで、かつ走査線５３、映像線５
８とに若干重なるようにして形成されている。また、溝
部６７の周囲を囲むようにして形成されている。この反
射電極６８はコンタクトホール６６を介してドレイン電
極６０と電気的に接続されると共に、透明電極６３と電
気的に接続されることになる。

【００３２】液晶パネル５０の下方には図３に示すよう
なバックライト８０が配置されている。このバックライ
ト８０は小型の表示装置に向いているエッジタイプのも
のである。そしてバックライト８０は、蛍光管８１、導
光板８２、ランプリフレクタ８３、反射板８４、拡散シ
ートやプリズムシートなどの光学シート８５を備えてい
る。導光板８２の下には導光板８２の下面を覆うように
して反射板８４が配置されている。導光板８２の側面の
横には光源となる蛍光管８１が位置している。蛍光管８
１の周りには導光板８２の対向する側面部分を除き、蛍
光管８１を囲むようにしてランプリフレクタ８３が配置
されている。導光板８２の上には導光板１２の上面を覆
うようにして光学シート８５が配置されている。

【００３３】蛍光管８１から出た光は直接またはランプ
リフレクタ８３で反射されて、導光板８２の対向する側
面部分から導光板８２の内部へと入射していく。入射し
た光は導光板８２内部を進んで行く。そして反射を繰り
返すうちに導光板８２に印刷された所定パターンにより
散乱し、直接または反射板８４によって反射されて光学
シート８５側に出射する。この出射した光は光学シート
８５に入射し、光学シート８５内を進行して液晶パネル
５０側へ出射する。この光学シート８５から出射した光
は液晶パネル５０に対して略垂直に入射するような方向
（図３の液晶パネル５０とバックライト８０との間の矢
印で示すような方向）に集光している。つまりいわゆる
指向性を持った光となって液晶パネル５０に向かう。

【００３４】溝部６７より透明電極６３が覗いている範
囲が透過部６９であり、この透過部６９においてバック
ライト８０から出射してきた光が通過する。また反射電
極６８が積層されている範囲が反射部７０であり、この
反射部７０において外光が反射される。透過部６９の位
置は少なくとも２通りある。本実施例においては、隣接
する走査線５３の略中央を境にして、一方の走査線５３
よりに位置する透過部６９ａと、他方の走査線５３より
に位置する透過部５３ｂとがある。そしてこの透過部６
９ａと透過部６９ｂとは走査線５３の延設する方向に隣
り合っている画素ごとにその位置を交互に変えている。

【００３５】なお、図示はしていないが層間膜６５の表
面にパターニング等によって凹凸を設けておき、その上
の反射電極６８を凹凸状に形成してもよい。とくに層間
膜６５は有機絶縁膜であるために凹凸形成を比較的容易
に行える。このようにすることにより反射部７０での外
光の反射量を増加させることが可能となる。また一画素
における透過部６９の占める割合は調整可能であるが、
あまり透過部６９の占める割合が多くなってしまうと反
射部７０の割合が少なくなるので、外光の反射量は減っ
てしまう。逆に透過部６９の占める割合が少なすぎると
外光の不足をバックライトの光で補うには不十分となっ
てしまう。本実施例においては透過部６９の占める割合
が約２０％となっている。

【００３６】アレイ基板５１は総ての画素を覆うように
配向膜（図示せず）が積層されている。また画素に対応
して形成されるＲ、Ｇ、Ｂ３色のカラーフィルタ、共通
電極等が設けられているカラーフィルタ基板（図示せ
ず）をこのアレイ基板５１と対向させ、両基板を貼り合
せ、両基板間に液晶を注入することにより半透過型の液
晶パネル５０となる。そして液晶パネル５０と下方に配
置されるバックライト８０とを備えることにより、本発
明の半透過型液晶表示装置となる。

【００３７】このように透明電極６３の材料として一般
的なＩＴＯではなく、ＩＺＯを積極的に用いた半透過型
の液晶表示装置を提供することができる。

【００３８】また、透明電極６３と反射電極６８との間
に保護膜６４が設けられている。したがってＩＺＯとＡ
ｌのように同じエッジング液でエッチングされてしまう
材料を用いても、両方が互いにエッジングされてしまう
ようなことはない。

【００３９】とくに本実施例では、透明電極６３の上に
保護膜６４、層間膜６５を介して反射電極６８を形成し
ている。したがって容易に反射電極６８の表面に凹凸を
付与することが可能となるため、反射電極６８での外光
の反射特性を向上することができる。また反射電極６８
の上には配向膜が形成されるだけなので、透明電極６３
の下に反射電極６８を形成する場合に比べると、保護膜
６４等の他の膜による光の吸収がないぶんだけ外光を有
効に利用することができる。さらには透明電極６３の上
には溝部６７が形成されており、この溝部６７では層間
膜６５が取り除かれている。したがって透過部６９を通
過するバックライト８０からの光が層間膜６５によって
吸収されることはなく、光の利用効率の向上が図れる。
なお溝部６７は層間膜６５が取り除かれているが、透過
部６９でのセルギャップを調整する等の理由で層間膜６
５を任意の厚さにして残してもよい。

【００４０】また、透過部６９の位置に少なくとも２通
りのパターンを設けており、液晶パネル５０全体で見た
ときに透過部６９が総て同じ位置に固定されていない。
透過部６９を総て同じ位置に固定してしまうと、例えば
暗い室内などで半透過型液晶表示装置を使用すると反射
部７０での外光の光よりも、透過部６９を通過するバッ
クライト８０の光が目立ち過ぎてしまい、透過部６９が
明るい線を形成するようにして浮かび上がって見える恐
れがある。しかし透過部６９の位置が少なくとも２通り
あるため、その配置を任意に変えることで、透過部６９
を分散させ、均一な表示を得ることが可能となる。

【００４１】とくに本実施例では、透過部６９の位置は
一方の走査線５３よりに位置する透過部６９ａと、他方
の走査線５３よりに位置する透過部５３ｂとの２通りが
ある。そして透過部６９ａと透過部６９ｂとは走査線５
３の延設する方向に隣り合っている画素ごとにその位置
を交互に変えている。したがって一つの画素をサブ画素
とし、Ｒ、Ｇ、Ｂ３つのサブ画素を１画素とした場合
に、走査線５３方向に隣接する画素において、同じ色の
サブ画素における透過部６９の位置関係が反対になり、
均一な表示が可能となる。さらにはその配置が上下交互
と規則的なために、透過部６９を形成する際のパターニ
ングに用いる種々のマスクの設計は比較的容易である。

【００４２】また、それぞれの画素には反射層６２が形
成されている。通常バックライト８０から指向性を持っ
て出射してきた光は、すべてが透過部６９を通過するわ
けではなく大部分がアレイ基板５１の種々の層で吸収等
されてしまう。しかし反射層６２により透過部６９を通
過しないバックライト８０からの光は再度バックライト
８０側へ方向を変えることになる。そしてバックライト
８０から再度指向性を持って出射してくるので、透過部
６９を通過する光が増える。したがって光の利用効率を
向上することができ、より一層表示品位を向上させるこ
とができる。

【００４３】とくに本実施例では、反射層６２を映像線
５８等と同一の材料で同時形成しているため別途の製造
工程を必要としない。また反射層６２を補助容量線５４
とゲート絶縁膜５６を介して対向させ、反射層６２を透
明電極６３と電気的に接続することで各画素の補助容量
を形成している。

【００４４】なお、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば上記実施形態以外の形態も可能である。たとえば映
像線５８等をＡｌとＣｒの２層構造としているが、Ａｌ
だけの一層としてもよい。この場合ドレイン電極６０等
の上に別途保護膜を形成し、その上にＩＺＯを用いた透
明電極６３を形成することになる。このときコンタクト
ホールを設けてドレイン電極６０と透明電極６３とを電
気的に接続する。

【００４５】また、透過部６９の位置が１通りであって
もよい。この場合総ての画素の透過部６９を透過部６９
ｂのようにして一方の走査線５３寄りにすることなどが
考えられる。また一つの画素に複数の透過部６９があっ
てもよい。また透過部６９の占める割合を多くする場
合、補助容量線５４を一方の走査線５３よりに形成する
ことで透過部６９を設けるための設計スペースを広くと
ることができる。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、透明電極の材料として
一般的に用いられているＩＴＯの他に、ＩＺＯを用いた
半透過型液晶表示装置を提供することができる。とくに
ＩＺＯと同じエッジング液でエッジングできる材料を用
いて反射電極を設けたとしても、両者が互いにエッジン
グされてしまうことのない半透過型液晶表示装置を提供
することができる。

【００４７】また本発明によれば、同じエッジング液で
エッジングできる材料を用いて透明電極と反射電極とを
形成した半透過型液晶表示装置を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半透過型液晶表示装置におけるアレイ
基板の平面図を示す。

【図２】（ａ）は図１におけるＡ−Ａ´断面図であり、
（ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ´断面図を示す。

【図３】本発明の液晶パネルとバックライトの断面概略
図を示す。

【図４】従来の半透過型液晶表示装置におけるアレイ基
板の断面図を示す。

【符号の説明】

５０ 液晶パネル ５１ アレイ基板 ６１ ＴＦＴ ６２、６２ａ、６２ｂ 反射層 ６３ 透明電極 ６４ 保護膜 ６８ 反射電極 ６９、６９ａ、６９ｂ 透過部 ７０ 反射部 ８０ バックライト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y FB07 FB08 FC02 FC26 FC29 FC30 FD04 FD14 FD22 FD23 LA03 LA11 LA12 LA13 LA18 2H092 HA03 JA26 JA29 JA40 JA46 JB13 JB32 JB38 JB51 JB58 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA19 MA20 MA35 MA37 NA16 NA25 NA27 NA28 NA29 5F110 AA16 BB01 CC07 DD02 EE03 EE04 FF02 FF03 GG02 GG13 GG15 HK03 HK04 HK21 HL03 HL06 NN03 NN22 NN27 NN72 NN73 QQ01

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平行に配置された複数の走査線と、前記
   走査線と直交する複数の映像線に囲まれた領域に形成さ
   れる画素であって、バックライトからの光を通す透明電
   極を備える透過部と外光を反射する反射電極を備える反
   射部から成る画素、を有している半透過型液晶表示装置
   であり、 前記画素にはスイッチング素子が形成されており、 前記透明電極と前記反射電極とは該スイッチング素子と
   電気的に接続しており、 前記透明電極はＩＺＯ（＝Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏ
   ｘｉｄｅ）を用いて形成されていることを特徴とする半
   透過型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記反射電極はＩＺＯと同一のエッジン
   グ液で除去が可能な材料で形成されており、 前記透明電極の上に保護絶縁膜が形成されており、該保
   護絶縁膜の上に前記反射電極が形成されていることを特
   徴とする請求項１記載の半透過型液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記反射電極はＡｌを含んだ金属を用い
   て形成されており、 前記透明電極の上に保護絶縁膜が形成されており、該保
   護絶縁膜の上に前記反射電極が形成されていることを特
   徴とする請求項１記載の半透過型液晶表示装置。
4. 【請求項４】 平行に配置された複数の走査線と、前記
   走査線と直交する複数の映像線に囲まれた領域に形成さ
   れる画素であって、バックライトからの光を通す透明電
   極を備える透過部と外光を反射する反射電極を備える反
   射部から成る画素、を有している半透過型液晶表示装置
   であり、 前記画素にはスイッチング素子が形成されており、 前記透明電極と前記反射電極とは該スイッチング素子と
   電気的に接続しており、 前記透明電極と前記反射電極とは同一のエッジング液で
   除去が可能な材料で形成されると共に、前記透明電極の
   上には保護絶縁膜が形成されており、該保護絶縁膜の上
   に前記反射電極が形成されていることを特徴とする半透
   過型液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記保護絶縁膜と前記反射電極との間に
   は層間絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項
   ２から４の何れか一項記載の半透過型液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記層間絶縁膜は前記透過部には形成さ
   れていないことを特徴とする請求項５記載の半透過型液
   晶表示装置。
7. 【請求項７】 一画素内における前記透過部の位置に
   は、少なくとも２通りあることを特徴とする請求項１か
   ら６の何れか一項記載の半透過型の液晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記透過部は前記走査線の延設する方向
   に隣り合っている画素ごとにその位置を変えていること
   を特徴とする請求項１から６の何れか一項記載の半透過
   型液晶表示装置。
9. 【請求項９】 隣接する前記走査線の間の略中央を境に
   して、一方の走査線側に位置する透過部を有している画
   素があり、 前記走査線の延設する方向に該画素と隣接する画素にお
   いては、前記透過部が他方の走査線側に位置しているこ
   とを特徴とする請求項１から６の何れか一項記載の半透
   過型液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 前記画素にはバックライトからの光を
    反射する反射層が前記反射電極の下に形成されているこ
    とを特徴とする請求項１から９の何れか一項記載の半透
    過型液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 前記反射層は前記スイッチング素子と
    電気的に接続しており、 前記走査線と同時に形成された補助容量線が絶縁膜を介
    して前記反射層の下に位置していることを特徴とする請
    求項１０記載の半透過型液晶表示装置。