JP7457183B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明の一態様は、表示装置およびその作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発
明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション
・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、それらの駆動方法、または、それらの製造方法を一例として挙げることができる。
バックライトとして面発光を行う光源を用い、透過型の液晶表示装置を組み合わせるこ
とで消費電力の低減と表示品質の低下の抑制を両立する液晶表示装置が知られている（特
許文献１参照）。
特開２０１１－２４８３５１号公報
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題
の一とする。
または、本発明の一態様は、消費電力が低く、表示品質が高い表示装置を提供すること
を課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題の
一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１の画素と、第２の画素とを有する表示装置であって、第１の画
素と、第２の画素とは、隣接して設けられ、第１の画素及び第２の画素は、第１の表示領
域と、第２の表示領域とを、それぞれ有し、第１の表示領域は、入射する光を反射する機
能を有し、第２の表示領域は、第１の表示領域の内側に設けられ、且つ光を射出する機能
を有し、第１の画素が有する第２の表示領域と、第２の画素が有する第２の表示領域とは
、第１の表示領域の内側に設けられる位置が異なる表示装置である。
また、本発明の他の一態様は、第１の画素と、第２の画素とを有する表示装置であって
、第１の画素と、第２の画素とは、隣接して設けられ、第１の画素及び第２の画素は、第
１の表示領域と、第２の表示領域と、第１の表示素子と、第２の表示素子と、をそれぞれ
有し、第１の表示領域は、入射する光を反射する機能を有し、第２の表示領域は、第１の
表示領域の内側に設けられ、且つ光を射出する機能を有し、第１の表示素子は、第１の表
示領域と重なる位置に設けられ、第２の表示素子は、第２の表示領域と重なる位置に設け
られ、第１の画素が有する第２の表示領域と、第２の画素が有する第２の表示領域とは、
第１の表示領域の内側に設けられる位置が異なる表示装置である。
上記態様において、第１の表示素子は、液晶層を有し、第２の表示素子は、発光層を有
すると好ましい。
また、上記態様において、第１の画素が有する第２の表示素子と、第２の画素が有する
第２の表示素子とは、発光色が異なると好ましい。また、上記態様において、第１の表示
素子と、第２の表示素子とは、異なるトランジスタに接続され、それぞれ独立に制御され
ると好ましい。
また、上記態様において、トランジスタは、チャネル領域に酸化物半導体膜を有すると
好ましい。
また、上記態様において、第１の画素が有する第２の表示領域と、第２の画素が有する
第２の表示領域とは、２０μｍ以上の間隔を有すると好ましい。
また、本発明の他の一態様は、上記態様に記載のいずれか一つの表示装置と、タッチセ
ンサと、を有する表示モジュールである。
また、本発明の他の一態様は、上記態様に記載のいずれか一つの表示装置、または上記
態様に記載の表示モジュールと、バッテリと、を有する電子機器である。
本発明の一態様により、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供できる。ま
たは、本発明の一態様により、消費電力が低く、表示品質が高い表示装置を提供できる。
または、本発明の一態様により、新規な表示装置を提供できる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
表示素子の表示領域を説明する模式図。 表示素子の表示領域を説明する模式図。 表示素子の表示領域を説明する模式図。 表示素子の表示領域を説明する模式図。 表示装置を説明する回路図。 画素を説明する回路図。 表示装置及び画素を説明する上面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置の作製工程を説明する断面図。 表示装置の作製工程を説明する断面図。 表示装置の作製工程を説明する断面図。 表示装置の作製工程を説明する断面図。 表示装置の作製工程を説明する断面図。 表示装置の作製工程を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示装置を説明する断面図。 表示素子を説明する断面図。 表示素子の作製方法を説明する断面図。 表示素子の作製方法を説明する断面図。 半導体装置を説明する上面図及び断面図。 半導体装置を説明する上面図及び断面図。 半導体装置を説明する断面図。 半導体装置を説明する断面図。 半導体装置を説明する断面図。 半導体装置を説明する断面図。 半導体装置を説明する断面図。 バンド構造を説明する図。 トランジスタの一態様を示す上面図及び断面図。 トランジスタの一態様を示す上面図及び断面図。 トランジスタの一態様を示す上面図及び断面図。 トランジスタの一態様を示す上面図及び断面図。 トランジスタの一態様を示す断面図。 ＣＡＡＣ－ＯＳおよび単結晶酸化物半導体のＸＲＤによる構造解析を説明する図、ならびにＣＡＡＣ－ＯＳの制限視野電子回折パターンを示す図。 ＣＡＡＣ－ＯＳの断面ＴＥＭ像、ならびに平面ＴＥＭ像およびその画像解析像。 ｎｃ－ＯＳの電子回折パターンを示す図、およびｎｃ－ＯＳの断面ＴＥＭ像。 ａ－ｌｉｋｅ ＯＳの断面ＴＥＭ像。 Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。 表示モジュールを説明する図。 電子機器を説明する図。 表示装置を説明する斜視図。 表示装置を説明する斜視図。 情報処理装置の構成を説明する図。 実施例における、発光素子を説明する断面図。 実施例における、発光素子の輝度－電流密度特性を説明する図。 実施例における、発光素子の輝度－電圧特性を説明する図。 実施例における、発光素子の電流効率－輝度特性を説明する図。 実施例における、発光素子の電流－電圧特性を説明する図。 実施例における、発光素子の発光スペクトルを説明する図。 実施例における、発光素子を説明する断面図。 実施例における、発光素子の輝度－電流密度特性を説明する図。 実施例における、発光素子の輝度－電圧特性を説明する図。 実施例における、発光素子の電流効率－輝度特性を説明する図。 実施例における、発光素子の電流－電圧特性を説明する図。 実施例における、発光素子の発光スペクトルを説明する図。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明
は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている
場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を
模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。
また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の
混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位
置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関
係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明し
た語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含
む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイ
ン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間
にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すこ
とができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として
流れる領域をいう。
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとす
る。
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するも
の」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するも
の」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない
。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジス
タなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有
する素子などが含まれる。
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が－１０°以上１０°以下の角
度で配置されている状態をいう。したがって、－５°以上５°以下の場合も含まれる。ま
た、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態を
いう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ
状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態と
は、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖ
ｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソ
ースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル
型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔ
ｈよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。
トランジスタのオフ電流は、Ｖｇｓに依存する場合がある。従って、トランジスタのオ
フ電流がＩ以下である、とは、トランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在
することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のＶｇｓにおけるオフ状態
、所定の範囲内のＶｇｓにおけるオフ状態、または、十分に低減されたオフ電流が得られ
るＶｇｓにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。
一例として、しきい値電圧Ｖｔｈが０．５Ｖであり、Ｖｇｓが０．５Ｖにおけるドレイ
ン電流が１×１０－９Ａであり、Ｖｇｓが０．１Ｖにおけるドレイン電流が１×１０－１
３Ａであり、Ｖｇｓが－０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０－１９Ａであり、Ｖｇ
ｓが－０．８Ｖにおけるドレイン電流が１×１０－２２Ａであるようなｎチャネル型トラ
ンジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Ｖｇｓが－０．５Ｖにおいて
、または、Ｖｇｓが－０．５Ｖ乃至－０．８Ｖの範囲において、１×１０－１９Ａ以下で
あるから、当該トランジスタのオフ電流は１×１０－１９Ａ以下である、と言う場合があ
る。当該トランジスタのドレイン電流が１×１０－２２Ａ以下となるＶｇｓが存在するた
め、当該トランジスタのオフ電流は１×１０－２２Ａ以下である、と言う場合がある。
また、本明細書等では、チャネル幅Ｗを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅
Ｗあたりを流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅（例えば１μｍ）あ
たりを流れる電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流／長さの次
元を持つ単位（例えば、Ａ／μｍ）で表される場合がある。
トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流
は、特に記載がない場合、室温、６０℃、８５℃、９５℃、または１２５℃におけるオフ
電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保
証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例
えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）におけるオフ電流、を表す場合がある。トラ
ンジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、室温、６０℃、８５℃、９５℃、１２５℃、
当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証される温度、または、当該トラン
ジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一
の温度）、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを
指す場合がある。
トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Ｖｄｓに依存する場合がある
。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、
１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、また
は２０Ｖにおけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導
体装置等の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置
等において使用されるＶｄｓにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ
電流がＩ以下である、とは、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、
２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、２０Ｖ、当該トランジスタが含ま
れる半導体装置の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導
体装置等において使用されるＶｄｓ、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶ
ｇｓの値が存在することを指す場合がある。
上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電
流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。
また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。ま
た、本明細書等において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに
、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。
また、本明細書等において、「半導体」と表記した場合であっても、例えば、導電性が
十分に低い場合は、「絶縁体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「
絶縁体」とは境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書
等に記載の「半導体」は、「絶縁体」に言い換えることが可能な場合がある。同様に、本
明細書等に記載の「絶縁体」は、「半導体」に言い換えることが可能な場合がある。また
は、本明細書等に記載の「絶縁体」を「半絶縁体」に言い換えることが可能な場合がある
。
また、本明細書等において、「半導体」と表記した場合であっても、例えば、導電性が
十分に高い場合は、「導電体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「
導電体」とは境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書
等に記載の「半導体」は、「導電体」に言い換えることが可能な場合がある。同様に、本
明細書等に記載の「導電体」は、「半導体」に言い換えることが可能な場合がある。
また、本明細書等において、半導体の不純物とは、半導体を構成する主成分以外をいう
。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより
、半導体にＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）が形成されることや、キャリ
ア移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸
化物半導体を有する場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元
素、第２族元素、第１４族元素、第１５族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に
、水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒
素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を
形成する場合がある。また、半導体がシリコンを有する場合、半導体の特性を変化させる
不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第
１５族元素などがある。
また、本明細書等において、画素とは、画面を構成する点であり、明るさを制御できる
色要素の最小単位である。一例として、ＲＧＢ（Ｒ：赤色、Ｇ：緑色、Ｂ：青色）の色要
素からなる表示装置の場合には、Ｒの画素、Ｇの画素、及びＢの画素によって、画像の最
小単位が得られる。なお、場合によっては、画素を副画素と呼ぶ場合もある。
また、本明細書等において、青色の波長領域とは、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の波
長領域であり、青色の発光とは該領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する
発光である。また、緑色の波長領域とは、４９０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長領域であ
り、緑色の発光とは該領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する発光である
。また、黄色の波長領域とは、５５０ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の波長領域であり、黄色の
発光とは該領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する発光である。また、赤
色の波長領域とは、５９０ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長領域であり、赤色の発光とは該
領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する発光である。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１乃至図２５を用いて説明
を行う。
＜１－１．表示装置の構成＞
まず、表示装置の構成について、図５を用いて説明する。図５に示す表示装置５００は
、画素部５０２と、画素部５０２の外側に配置されるゲートドライバ回路部５０４ａ、５
０４ｂと、画素部５０２の外側に配置されるソースドライバ回路部５０６と、を有する。
［画素部］
画素部５０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）、Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置さ
れる画素１０（Ｘ，Ｙ）を有する。また、画素１０（Ｘ，Ｙ）は、２つの表示素子を有し
、当該２つの表示素子は、それぞれ異なる機能を有する。２つの表示素子の一方は、入射
する光を反射する機能を有し、２つの表示素子の他方は、光を射出する機能を有する。な
お、当該２つの表示素子の詳細については、後述する。
［ゲートドライバ回路部］
ゲートドライバ回路部５０４ａ、５０４ｂ及びソースドライバ回路部５０６の一部また
は全部は、画素部５０２と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部
品数や端子数を減らすことが出来る。ゲートドライバ回路部５０４ａ、５０４ｂ及びソー
スドライバ回路部５０６の一部または全部が画素部５０２と同一基板上に形成されない場
合には、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）またはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、別途用意された駆動回路基板（例えば、単結晶半導
体膜または多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を、表示装置５００に形成しても
よい。
また、ゲートドライバ回路部５０４ａ、５０４ｂは、画素１０（Ｘ，Ｙ）を選択する信
号（走査信号）を出力する機能を有し、ソースドライバ回路部５０６は、画素１０（Ｘ，
Ｙ）が有する表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給する機能を有する。
また、ゲートドライバ回路部５０４ａは、走査信号が与えられる配線（以下、走査線Ｇ
Ｅ＿１乃至ＧＥ＿Ｘという）の電位を制御する機能、または初期化信号を供給する機能を
有する。また、ゲートドライバ回路部５０４ｂは、走査信号が与えられる配線（以下、走
査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能、または初期化信号を供給する
機能を有する。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ回路部５０４ａ、５０４ｂは
、別の信号を制御または供給することも可能である。
なお、図５においては、ゲートドライバ回路部として、ゲートドライバ回路部５０４ａ
と、ゲートドライバ回路部５０４ｂと、２つ設ける構成について例示したが、これに限定
されず、１つのゲートドライバ回路部、または３つ以上のゲートドライバ回路部を設ける
構成としてもよい。
［ソースドライバ回路部］
ソースドライバ回路部５０６は、画像信号を元に画素１０（Ｘ，Ｙ）に書き込むデータ
信号を生成する機能、データ信号が与えられる配線（以下、信号線ＳＬ＿１乃至ＳＬ＿Ｙ
及び信号線ＳＥ＿１乃至ＳＥ＿Ｙという）の電位を制御する機能、または初期化信号を供
給する機能を有する。ただし、これに限定されず、ソースドライバ回路部５０６は、別の
信号を生成、制御、または供給する機能を有していてもよい。
また、ソースドライバ回路部５０６は、複数のアナログスイッチなどを用いて構成され
る。ソースドライバ回路部５０６は、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすること
により、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。
なお、図５においては、ソースドライバ回路部５０６を１つ設ける構成について例示し
たが、これに限定されず、表示装置５００には、複数のソースドライバ回路部を設けても
よい。例えば、２つのソースドライバ回路部を設け、一方のソースドライバ回路部により
信号線ＳＬ＿１乃至ＳＬ＿Ｙを制御し、他方のソースドライバ回路部により信号線ＳＥ＿
１乃至ＳＥ＿Ｙを制御してもよい。
［画素］
また、画素１０（Ｘ，Ｙ）は、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘ及び走査線ＧＥ＿１乃至Ｇ
Ｅ＿Ｘの一つを介してパルス信号が入力され、信号線ＳＬ＿１乃至ＳＬ＿Ｙ及び信号線Ｓ
Ｅ＿１乃至ＳＥ＿Ｙの一つを介してデータ信号が入力される。
例えば、ｍ行ｎ列目（ｍはＸ以下の自然数を表し、ｎはＹ以下の自然数を表す）の画素
１０（ｍ，ｎ）は、走査線ＧＬ＿ｍ及び走査線ＧＥ＿ｍを介してゲートドライバ回路部５
０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍ及び走査線ＧＥ＿ｍの電位に応じて信
号線ＳＬ＿ｎ及び信号線ＳＥ＿ｎを介してソースドライバ回路部５０６からデータ信号が
入力される。
また、画素１０（ｍ，ｎ）は、先の説明の通り、２つの表示素子を有する。走査線ＧＬ
＿１乃至ＧＬ＿Ｘは、２つの表示素子の一方に与えられるパルス信号の電位を制御する配
線であり、走査線ＧＥ＿１乃至ＧＥ＿Ｘは、２つの表示素子の他方に与えられるパルス信
号の電位を制御する配線である。
また、信号線ＳＬ＿１乃至ＳＬ＿Ｙは、２つの表示素子の一方に与えられるデータ信号
の電位を制御する配線であり、信号線ＳＥ＿１乃至ＳＥ＿Ｙは、２つの表示素子の他方に
与えられるデータ信号の電位を制御する配線である。
［外部回路］
表示装置５００には、外部回路５０８ａ、５０８ｂが接続される。なお、外部回路５０
８ａ、５０８ｂを、表示装置５００に形成する構成としてもよい。
また、外部回路５０８ａは、図５に示すように、アノード電位が与えられる配線（以下
、アノード線ＡＮＯ＿１乃至ＡＮＯ＿ｘという）と電気的に接続されており、外部回路５
０８ｂは、共通電位が与えられる配線（以下、コモン線ＣＯＭ＿１乃至ＣＯＭ＿Ｘという
）と、電気的に接続されている。
＜１－２．画素の回路構成＞
次に、画素１０（ｍ，ｎ）の回路構成について、図６を用いて説明する。
図６は、本発明の一態様の表示装置５００が有する画素１０（ｍ，ｎ）と、画素１０（
ｍ，ｎ）の列方向に隣接した画素１０（ｍ，ｎ＋１）と、を説明する回路図である。なお
、本明細書等においては、列方向とは信号線ＳＬ＿ｎ（または信号線ＳＥ＿ｎ）のｎの数
値が増減する方向であり、行方向とは走査線ＧＬ＿ｍ（または走査線ＧＥ＿ｍ）のｍの数
値が増減する方向である。
画素１０（ｍ，ｎ）は、トランジスタＴｒ１と、トランジスタＴｒ２と、トランジスタ
Ｔｒ３と、容量素子Ｃ１と、容量素子Ｃ２と、表示素子１１と、表示素子１２と、を有す
る。なお、画素１０（ｍ，ｎ＋１）も同様の構成を有する。なお、本明細書等において、
表示素子１１を第１の表示素子と、表示素子１２を第２の表示素子と、それぞれ呼称する
場合がある。
また、画素１０（ｍ，ｎ）は、信号線ＳＬ＿ｎ、信号線ＳＥ＿ｎ、走査線ＧＬ＿ｍ、走
査線ＧＥ＿ｍ、コモン線ＣＯＭ＿ｍ、コモン線ＶＣＯＭ１、コモン線ＶＣＯＭ２、及びア
ノード線ＡＮＯ＿ｍと、電気的に接続されている。また、画素１０（ｍ，ｎ＋１）は、信
号線ＳＬ＿ｎ＋１、信号線ＳＥ＿ｎ＋１、走査線ＧＬ＿ｍ、走査線ＧＥ＿ｍ、コモン線Ｃ
ＯＭ＿ｍ、コモン線ＶＣＯＭ１、コモン線ＶＣＯＭ２、及びアノード線ＡＮＯ＿ｍと、電
気的に接続されている。
なお、信号線ＳＬ＿ｎ、信号線ＳＬ＿ｎ＋１、走査線ＧＬ＿ｍ、コモン線ＣＯＭ＿ｍ、
及びコモン線ＶＣＯＭ１は、それぞれ表示素子１１を駆動するための配線であり、信号線
ＳＥ＿ｎ、信号線ＳＥ＿ｎ＋１、走査線ＧＥ＿ｍ、コモン線ＶＣＯＭ２、及びアノード線
ＡＮＯ＿ｍは、それぞれ表示素子１２を駆動するための配線である。
また、信号線ＳＥ＿ｎ及び信号線ＳＥ＿ｎ＋１に供給される電位と、信号線ＳＬ＿ｎ及
び信号線ＳＬ＿ｎ＋１に供給される電位と、が異なる場合、図６に示すように、信号線Ｓ
Ｅ＿ｎと信号線ＳＬ＿ｎ＋１とを離間して配置すると好ましい。別言すると、信号線ＳＥ
＿ｎと信号線ＳＥ＿ｎ＋１とを隣接するように配置すると好ましい。このような配置とす
ることで、信号線ＳＬ＿ｎ及び信号線ＳＬ＿ｎ＋１と、信号線ＳＥ＿ｎ及び信号線ＳＥ＿
ｎ＋１と、の間に生じる電位差の影響を低減することができる。
＜１－３．第１の表示素子の構成例＞
表示素子１１は、光の反射または光の透過を制御する機能を有する。特に、表示素子１
１を光の反射を制御する、所謂反射型の表示素子とすると好適である。表示素子１１を反
射型の表示素子とすることで、外光を用いて表示を行うことが可能となるため、表示装置
の消費電力を抑制することができる。例えば、表示素子１１としては、反射膜と液晶素子
と偏光板とを組み合わせた構成、またはマイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（
ＭＥＭＳ）を用いる構成等とすればよい。
＜１－４．第２の表示素子の構成例＞
表示素子１２は、光を射出する機能、すなわち発光する機能を有する。よって、表示素
子１２を、発光素子として読み替えてもよい。例えば、表示素子１２としては、エレクト
ロルミネッセンス素子（ＥＬ素子ともいう）を用いる構成、または発光ダイオードを用い
る構成等とすればよい。
このように、本発明の一態様の表示装置では、表示素子１１及び表示素子１２に示すよ
うに、異なる機能を有する表示素子を用いる。例えば、表示素子の一方を反射型の液晶素
子とし、他方を透過型のＥＬ素子を用いることで、利便性または信頼性に優れた新規な表
示装置を提供することができる。また、外光が明るい環境下においては、反射型の液晶素
子を利用し、外光が暗い環境下においては、透過型のＥＬ素子を用いることで、消費電力
が低く、表示品位の高い表示装置を提供することができる。
＜１－５．表示素子の駆動方法＞
次に、表示素子１１及び表示素子１２の駆動方法について説明する。なお、以下の説明
においては、表示素子１１に液晶素子を用い、表示素子１２に発光素子を用いる構成とす
る。
［第１の表示素子の駆動方法］
画素１０（ｍ，ｎ）において、トランジスタＴｒ１のゲート電極は、走査線ＧＬ＿ｍに
電気的に接続される。また、トランジスタＴｒ１のソース電極またはドレイン電極の一方
は、信号線ＳＬ＿ｎに電気的に接続され、他方は表示素子１１の一対の電極の一方に電気
的に接続される。トランジスタＴｒ１は、オン状態またはオフ状態になることにより、デ
ータ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
また、表示素子１１の一対の電極の他方は、コモン線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される
。
また、容量素子Ｃ１の一対の電極の一方は、コモン線ＣＯＭ＿ｍに電気的に接続され、
他方は、トランジスタＴｒ１のソース電極またはドレイン電極の他方、及び表示素子１１
の一対の電極の一方に電気的に接続される。容量素子Ｃ１は、画素１０（ｍ，ｎ）に書き
込まれたデータを保持する機能を有する。
例えば、図５に示すゲートドライバ回路部５０４ｂにより、各行の画素１０（ｍ，ｎ）
を順次選択し、トランジスタＴｒ１をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。デ
ータが書き込まれた画素１０（ｍ，ｎ）は、トランジスタＴｒ１がオフ状態になることで
保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
［第２の表示素子の駆動方法］
画素１０（ｍ，ｎ）において、トランジスタＴｒ２のゲート電極は、走査線ＧＥ＿ｍに
電気的に接続される。また、トランジスタＴｒ２のソース電極またはドレイン電極の一方
は、信号線ＳＥ＿ｎに電気的に接続され、他方はトランジスタＴｒ３のゲート電極に電気
的に接続される。トランジスタＴｒ２は、オン状態またはオフ状態になることにより、デ
ータ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
容量素子Ｃ２の一対の電極の一方は、アノード線ＡＮＯ＿ｍに電気的に接続され、他方
は、トランジスタＴｒ２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。容
量素子Ｃ２は、画素１０（ｍ，ｎ）に書き込まれたデータを保持する機能を有する。
また、トランジスタＴｒ３のゲート電極は、トランジスタＴｒ２のソース電極及びドレ
イン電極の他方に電気的に接続される。また、トランジスタＴｒ３のソース電極及びドレ
イン電極の一方は、アノード線ＡＮＯ＿ｍに電気的に接続され、他方は、表示素子１２の
一対の電極の一方に電気的に接続される。また、トランジスタＴｒ３には、バックゲート
電極が設けられ、当該バックゲート電極は、トランジスタＴｒ３のゲート電極と、電気的
に接続される。
また、表示素子１２の一対の電極の他方は、コモン線ＶＣＯＭ２に電気的に接続される
。
例えば、図５に示すゲートドライバ回路部５０４ａにより、各行の画素１０（ｍ，ｎ）
を順次選択し、トランジスタＴｒ２をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。デ
ータが書き込まれた画素１０（ｍ，ｎ）は、トランジスタＴｒ２がオフ状態になることで
保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタＴｒ３の
ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、表示素子１２は、流れる電流
量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
このように、本発明の一態様の表示装置においては、２つの表示素子を、異なるトラン
ジスタを用いて、それぞれ独立に制御することができる。よって、表示品位の高い表示装
置を提供することができる。
また、本発明の一態様の表示装置に用いるトランジスタ（トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２
、Ｔｒ３）は、酸化物半導体膜を有する。酸化物半導体膜を有するトランジスタは、比較
的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能となる。また、酸化物半導体膜を
有するトランジスタのオフ電流は、極めて小さい。したがって、表示装置のリフレッシュ
レートを下げても、表示装置の輝度の維持が可能となり、消費電力を抑制することができ
る。
また、表示素子１１及び表示素子１２の表示方式としては、プログレッシブ方式やイン
ターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要
素としては、ＲＧＢ（Ｒは赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す）が挙げられる。ただし、色要素と
しては、ＲＧＢの三色に限定されない。例えば、ＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ
、ホワイト等を一色以上追加してもよい。また、色要素のドット毎にその表示領域の大き
さが異なっていてもよい。ただし、本発明の一態様の表示装置は、カラー表示の表示装置
に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。
＜１－６．表示素子の表示領域＞
ここで、表示素子１１及び表示素子１２の画素１０（ｍ，ｎ）における表示領域につい
て、図１を用いて説明する。
図１は、画素１０（ｍ，ｎ）と、画素１０（ｍ，ｎ）の列方向に隣接する画素１０（ｍ
，ｎ－１）及び画素１０（ｍ，ｎ＋１）との表示領域を説明する模式図である。また、図
１において、画素１０（ｍ，ｎ）近傍に位置する、画素１０（ｍ＋１、ｎ－１）、画素１
０（ｍ＋１，ｎ）、及び画素１０（ｍ＋１，ｎ＋１）などを表示している。なお、本明細
書等において、画素１０（ｍ，ｎ）を第１の画素、画素１０（ｍ，ｎ＋１）を第２の画素
、とそれぞれ呼称する場合がある。
図１に示す画素１０（ｍ，ｎ）は、表示素子１１の表示領域として機能する表示領域１
１ｄ（ｍ，ｎ）と、表示素子１２の表示領域として機能する表示領域１２ｄ（ｍ，ｎ）と
、を有する。また、図１に示す画素１０（ｍ，ｎ＋１）は、表示素子１１の表示領域とし
て機能する表示領域１１ｄ（ｍ，ｎ＋１）と、表示素子１２の表示領域として機能する表
示領域１２ｄ（ｍ，ｎ＋１）と、を有する。
また、以下の説明において、表示領域１１ｄ（ｍ，ｎ）と、表示領域１１ｄ（ｍ，ｎ＋
１）とを、区別しない場合、表示領域１１ｄとして説明する場合がある。同様に、表示領
域１２ｄ（ｍ，ｎ）と、表示領域１２ｄ（ｍ，ｎ＋１）とを、表示領域１２ｄとして説明
する場合がある。また、本明細書等において、表示領域１１ｄを第１の表示領域と、表示
領域１２ｄを第２の表示領域と、それぞれ呼称する場合がある。
例えば、表示領域１１ｄとしては、入射する光を反射する機能を有し、表示領域１２ｄ
としては、光を射出する機能を有する。また、表示領域１２ｄは、表示領域１１ｄの内側
に設けられる。また、表示素子１１は、表示領域１１ｄと重なる位置に設けられ、表示素
子１２は、表示領域１２ｄと重なる位置に設けられる。
また、表示領域１２ｄは、表示領域１１ｄよりも面積が小さいと好ましい。このような
構成とすることで、表示装置の消費電力を低減することができる。例えば、外光が明るい
環境下においては、表示素子１１が入射する光を反射して表示領域１１ｄに画像を表示さ
せ、外光が暗い環境下においては、表示素子１２が光を射出して表示領域１２ｄに画像を
表示させることで、消費電力が低く、表示品位の高い表示装置を提供することができる。
ここで、表示領域１２ｄが設けられる位置について、以下説明を行う。
例えば、表示領域１２ｄと重なる位置に設けられる表示素子１２にＥＬ素子を用いる場
合、当該ＥＬ素子の形成方法としては、画素ごとで同じＥＬ素子を用い、着色膜（所謂、
カラーフィルタ）を用いて、画素ごとに発光色を変える方式（所謂、カラーフィルタ方式
）と、画素ごとにＥＬ素子を作り分けて発光色を変える方式（所謂、色塗り分け方式）と
、が挙げられる。また、色純度を向上させるために、色塗り分け方式とカラーフィルタ方
式を組み合わせた方式としてもよい。
色塗り分け方式の場合、画素ごとにＥＬ素子を作り分ける必要があり、シャドウマスク
（ファインメタルマスクともいう）の開口部を所望の位置に配置（アライメントともいう
）する精度が高く要求される。表示装置の画素の密度が高くなる（所謂、高精細になる）
と、高いアライメント精度が要求されるため、表示装置の作製における歩留まりが低下し
てしまう。
しかしながら、本発明の一態様の表示装置においては、表示領域１２ｄの配置を、図１
に示すように隣接する画素で異なる位置に配置する。このような構成とすることで、表示
素子１２を作り分ける場合の製造歩留まりを高めることができる。
図１において、表示領域１２ｄ（ｍ，ｎ）と、表示領域１２ｄ（ｍ，ｎ＋１）との間隙
を間隙ｄ１として示している。間隙ｄ１を２０μｍ以上、好ましくは２５μｍ以上、さら
に好ましくは３０μｍ以上とすることで、表示装置の製造歩留まりを高くすることができ
る。なお、間隙ｄ１が２０μｍ未満の場合、表示装置の作製歩留まりが低下してしまう。
なお、第２の表示領域１２ｄの配置を、隣接する画素で同じ位置に配置した場合の一例
を図２に示す。図２において、表示領域１２ｄ（ｍ，ｎ）と、表示領域１２ｄ（ｍ，ｎ＋
１）との間隙を間隙ｄ２として示している。
図１に示す間隙ｄ１と図２に示す間隙ｄ２とを比較した場合、ｄ１＞ｄ２との関係にな
ることが分かる。このように、表示領域１２ｄを隣接する画素で異なる位置に配置するこ
とで、表示領域１２ｄを隣接する画素で同じ位置に配置する場合に比較し、概ね１０％以
上間隙を広くすることができる。
また、本発明の一態様の表示装置においては、表示領域１１ｄよりも表示領域１２ｄの
面積が小さい。よって、塗り分け方式のＥＬ素子を採用する場合において、シャドウマス
クの開口部を小さくすることができる。よって、当該シャドウマスクの機械的強度を高め
ることができる。シャドウマスクの機械的強度を高めることで、シャドウマスクの変形（
例えば、撓みによる変形、歪みによる変形、膨張による変形、収縮による変形など）を抑
制することができるため、製造歩留まりを高くすることができる。
また、図１に示すような表示領域１２ｄの配置とすることで、隣接する表示素子１２か
ら射出される光の干渉を抑制することができる。
なお、図１においては、表示領域１２ｄが矩形状である場合を例示したが、これに限定
されず、非矩形状であってもよい。当該非矩形状の場合の一例を図３に示す。
図３は画素配列の一例を示す模式図である。なお、図３は、表示領域１２ｄが円形の場
合を図示している。また、図３において、表示領域１２ｄ（ｍ，ｎ）と、表示領域１２ｄ
（ｍ，ｎ＋１）との間隙を間隙ｄ３として示している。表示領域１２ｄを矩形とした際の
１辺の長さと、表示領域１２ｄを円形とした際の直径の長さとが等しい場合においては、
図１に示す間隙ｄ１よりも間隙ｄ３を長くすることができる。
このように、表示領域１２ｄとしては、様々な形状（例えば、三角、四角などの多角形
、または円、楕円などの円形、または多角形と円形との組み合わせなど）とすることが可
能である。
また、図１においては、画素１０（ｍ，ｎ－１）、画素１０（ｍ，ｎ）、及び画素１０
（ｍ，ｎ＋１）の配置を、列方向のストライプ配列について例示したが、これに限定され
ない。例えば、図４に示す構成としてもよい。
図４は、画素１０（ｍ，ｎ）と、画素１０（ｍ，ｎ）の列方向に隣接する画素１０（ｍ
，ｎ－１）及び画素１０（ｍ，ｎ＋１）との表示領域を説明する模式図である。また、図
４において、画素１０（ｍ，ｎ）近傍に位置する、画素１０（ｍ＋１、ｎ－１）、画素１
０（ｍ’，ｎ）、画素１０（ｍ＋１，ｎ）、画素１０（ｍ’＋１，ｎ）及び画素１０（ｍ
＋１，ｎ＋１）などを表示している。
図４では、表示領域１１ｄ（ｍ，ｎ）と、表示領域１１ｄ（ｍ，ｎ＋１）との面積が異
なる構成である。このように、表示領域１１ｄの面積を隣接する画素で異ならせても良い
。また、図示しないが、表示領域１２ｄにおいても同様である。
また、図４に示す構成とすることで、図１に示す画素１０（ｍ，ｎ＋１）は、図４に示
す画素１０（ｍ’，ｎ）の位置に配置される。
なお、図４において、画素１０（ｍ，ｎ）と、画素１０（ｍ，ｎ＋１）との間隙を間隙
ｄ４として表し、画素１０（ｍ，ｎ）と、画素１０（ｍ’，ｎ）との間隙を間隙ｄ５とし
て表している。間隙ｄ４と間隙ｄ５との長さを同じにする、別言すると、表示領域１２ｄ
と、異なる表示領域１２ｄとの間隙を等間隔とすると好ましい。このような構成とするこ
とで、シャドウマスクの開口部を等間隔とすることができるため、シャドウマスクの機械
的強度を高め、蒸着時にシャドウマスクが歪むことを抑制することができる。
図４に示すように、画素１０（ｍ，ｎ）の列方向に隣接する画素１０（ｍ，ｎ＋１）及
び画素１０（ｍ’，ｎ）は、画素１０（ｍ，ｎ）と異なる位置に表示領域１２ｄを有する
。別言すると、画素１０（ｍ，ｎ）と、画素１０（ｍ，ｎ＋１）とは、隣接して設けられ
、画素１０（ｍ，ｎ）が有する表示領域１２ｄ（ｍ，ｎ）と、画素１０（ｍ，ｎ＋１）が
有する表示領域１２ｄ（ｍ，ｎ＋１）とは、表示領域１１ｄの内側に設けられる位置が異
なる。
図４に示すような表示領域１２ｄの配置とすることで、表示素子１２を作り分ける場合
の製造歩留まりを高めることができる。また、図４に示すような表示領域１２ｄの配置と
することで、隣接する表示素子１２から射出される光の干渉を抑制することができる。
また、図示しないが、本発明の一態様は、デルタ配列またはペンタイル配列の画素にも
適用できる。
＜１－７．表示装置の構成例（上面）＞
次に、図５に示す表示装置５００の具体的な構成例について、図７及び図８を用いて説
明を行う。
図７（Ａ）は、表示装置５００の上面図である。先の説明の通り、表示装置５００は、
画素部５０２と、画素部５０２の外側に配置されるゲートドライバ回路部５０４ａ、５０
４ｂと、画素部５０２の外側に配置されるソースドライバ回路部５０６と、を有する。ま
た、図７（Ａ）では、画素部５０２が有する画素１０（ｍ，ｎ）を模式的に表している。
また、図７（Ａ）では、表示装置５００には、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅ
ｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）が電気的に接続されている。
また、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す画素１０（ｍ，ｎ）と、画素１０（ｍ，ｎ）に
隣接して配置される、画素１０（ｍ，ｎ＋１）を模式的に表した上面図である。図７（Ｂ
）に示す信号線ＳＬ＿ｎ、ＳＬ＿ｎ＋１、ＳＥ＿ｎ、ＳＥ＿ｎ＋１、走査線ＧＬ＿ｍ、Ｇ
Ｅ＿ｍ、コモン線ＣＯＭ＿ｍ、及びトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３は、図６に示す
符号にそれぞれ対応する。また、図７（Ｂ）において、表示領域１１ｄと、表示領域１２
ｄは、図１に示す符号にそれぞれ対応する。また、図７（Ｂ）に示すコモン線ＣＭ＿ｍ＋
１は、画素１０（ｍ，ｎ）に隣接して配置される、画素１０（ｍ＋１，ｎ）が有するコモ
ン線を表している。
＜１－８．表示装置の構成例（断面）＞
次に、表示装置５００の断面構造について、図８を用いて説明する。
図８は、図７（Ａ）（Ｂ）に示す、一点鎖線Ａ１－Ａ２、Ａ３－Ａ４、Ａ５－Ａ６、Ａ
７－Ａ８、Ａ９－Ａ１０、Ａ１１－Ａ１２の切断面に相当する断面図である。
なお、一点鎖線Ａ１－Ａ２の断面は、表示装置５００にＦＰＣが取り付けられた領域に
、一点鎖線Ａ３－Ａ４の断面は、ゲートドライバ回路部５０４ａが設けられた領域に、一
点鎖線Ａ５－Ａ６の断面は、表示素子１１及び表示素子１２が設けられた領域に、一点鎖
線Ａ７－Ａ８の断面は、表示素子１１が設けられた領域に、一点鎖線Ａ９－Ａ１０の断面
は、表示装置５００の接続領域に、一点鎖線Ａ１１－Ａ１２の断面は、表示装置５００の
端部近傍の領域に、それぞれ相当する。
図８において、表示装置５００は、基板４５２と、基板６５２との間に、表示素子１１
と、表示素子１２と、トランジスタＴｒ１と、トランジスタＴｒ３と、トランジスタＴｒ
４と、を有する。また、基板６５２上には、機能膜６２６が設けられる。
なお、先の説明の通り、表示素子１１は、入射する光を反射する機能を有し、表示素子
１２は、光を射出する機能を有する。図８において、表示素子１１に入射する光が反射す
る光を破線の矢印で模式的に表している。また、表示素子１２が射出する光を二点鎖線の
矢印で模式的に表している。
［画素の断面］
まず、図８に示す一点鎖線Ａ５－Ａ６の断面、及び一点鎖線Ａ７－Ａ８の断面の詳細に
ついて、図９を用いて説明する。図９は、図８に示す一点鎖線Ａ５－Ａ６及び一点鎖線Ａ
７－Ａ８の断面の一部の構成要素を拡大し、且つ上下を反転した断面図に相当する。なお
、図９において、図面の煩雑さを避けるため、構成要素の一部を省略して図示する。
表示素子１１は、導電膜４０３ｂと、液晶層６２０と、導電膜６０８と、を有する。な
お、導電膜４０３ｂは画素電極としての機能を有し、導電膜６０８は対向電極としての機
能を有する。また、導電膜４０３ｂは、トランジスタＴｒ１と、電気的に接続されている
。
また、表示素子１１は、導電膜４０３ｂと電気的に接続される導電膜４０５ｂ、４０５
ｃを有する。導電膜４０５ｂ、４０５ｃは、入射する光を反射する機能を有する。すなわ
ち、導電膜４０５ｂ、４０５ｃは、反射膜として機能する。また、当該反射膜には、入射
する光を透過する開口部４５０が設けられる。図９においては、開口部４５０によって、
反射膜として機能する導電膜が島状に分離され、トランジスタＴｒ１の下方には導電膜４
０５ｃが、トランジスタＴｒ３の下方には導電膜４０５ｂが配置される。なお、開口部４
５０から表示素子１２の光が射出されるため、開口部４５０が図８に示す表示領域１２ｄ
（ｍ，ｎ）に相当する。
また、表示素子１２は、開口部４５０に向けて光を射出する機能を有する。図９におい
て表示素子１２は、所謂下方射出型（ボトムエミッション型）の発光素子となる。
また、表示素子１２は、導電膜４１７と、ＥＬ層４１９と、導電膜４２０と、を有する
。なお、導電膜４１７は、画素電極及びアノード電極としての機能を有し、導電膜４２０
は対向電極及びカソード電極としての機能を有する。なお、本実施の形態においては、導
電膜４１７がアノード電極として機能し、導電膜４２０がカソード電極としての機能を有
する構成について説明するが、これに限定されない。例えば、導電膜４１７がカソード電
極として機能し、導電膜４２０がアノード電極として機能してもよい。
また、導電膜４１７は、トランジスタＴｒ３と電気的に接続されている。
また、トランジスタＴｒ１及びトランジスタＴｒ３は、図９に示すように、スタガ型（
トップゲート構造ともいう）であると好ましい。スタガ型構造のトランジスタとすること
で、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間に生じうる寄生容量を低減すること
ができる。ただし、本発明の一態様は、これに限定されず、逆スタガ型（ボトムゲート構
造ともいう）のトランジスタを用いてもよい。
また、トランジスタＴｒ１は、絶縁膜４０６及び絶縁膜４０８上に形成され、絶縁膜４
０８上の酸化物半導体膜４０９ｃと、酸化物半導体膜４０９ｃ上の絶縁膜４１０ｃと、絶
縁膜４１０ｃ上の酸化物半導体膜４１１ｃと、を有する。絶縁膜４１０ｃは、ゲート絶縁
膜としての機能を有し、酸化物半導体膜４１１ｃはゲート電極としての機能を有する。
また、酸化物半導体膜４０９ｃ及び酸化物半導体膜４１１ｃ上には、絶縁膜４１２、４
１３が設けられる。また、絶縁膜４１２、４１３には、酸化物半導体膜４０９ｃに達する
開口部が設けられ、当該開口部を介して、導電膜４１４ｆ、４１４ｇが酸化物半導体膜４
０９ｃに電気的に接続される。導電膜４１４ｆ、４１４ｇは、それぞれトランジスタＴｒ
１のソース電極及びドレイン電極としての機能を有する。
また、トランジスタＴｒ１上には、絶縁膜４１６、４１８が設けられる。
また、トランジスタＴｒ３は、絶縁膜４０６上に形成され、絶縁膜４０６上の導電膜４
０７ｂと、導電膜４０７ｂ上の絶縁膜４０８と、絶縁膜４０８上の酸化物半導体膜４０９
ｂと、酸化物半導体膜４０９ｂ上の絶縁膜４１０ｂと、絶縁膜４１０ｂ上の酸化物半導体
膜４１１ｂと、を有する。導電膜４０７ｂは、第１のゲート電極としての機能を有し、絶
縁膜４０８は、第１のゲート絶縁膜としての機能を有する。また、絶縁膜４１０ｂは、第
２のゲート絶縁膜としての機能を有し、酸化物半導体膜４１１ｂは第２のゲート電極とし
ての機能を有する。
また、酸化物半導体膜４０９ｂ及び酸化物半導体膜４１１ｂ上には、絶縁膜４１２、４
１３が設けられる。また、絶縁膜４１２、４１３には、酸化物半導体膜４０９ｂに達する
開口部が設けられ、当該開口部を介して、導電膜４１４ｄ、４１４ｅが酸化物半導体膜４
０９ｂに電気的に接続される。導電膜４１４ｄ、４１４ｅは、それぞれトランジスタＴｒ
３のソース電極及びドレイン電極としての機能を有する。
また、導電膜４１４ｅは、絶縁膜４０６、４０８、４１２、４１３に設けられた開口部
を介して導電膜４０７ｆと電気的に接続される。なお、導電膜４０７ｆは、導電膜４０７
ｂと同じ工程で作製され、接続電極としての機能を有する。
また、トランジスタＴｒ３上には、絶縁膜４１６及び導電膜４１７が設けられる。なお
、絶縁膜４１６には、導電膜４１４ｄに達する開口部が設けられ、当該開口部を介して、
導電膜４１４ｄと導電膜４１７とが電気的に接続される。
また、導電膜４１７上には、絶縁膜４１８、ＥＬ層４１９、及び導電膜４２０が設けら
れる。なお、絶縁膜４１８には、導電膜４１７に達する開口部が設けられ、当該開口部を
介して導電膜４１７と、ＥＬ層４１９とが電気的に接続される。
また、導電膜４２０は、封止材４５４を介して、基板４５２と接着されている。
また、基板４５２と対向する基板６５２上には、着色膜６０４、絶縁膜６０６、及び導
電膜６０８が設けられる。また、基板６５２の下方には、機能膜６２６が設けられる。な
お、表示素子１１にて反射される光、及び表示素子１２から射出される光は、着色膜６０
４、機能膜６２６等を介して取り出される。
また、図９に示すように、表示素子１１は、液晶層６２０に接する配向膜６１８ａ、６
１８ｂを有する。なお、配向膜６１８ａ、６１８ｂを、設けない構成としてもよい。
また、図９に示すように、トランジスタＴｒ１及びトランジスタＴｒ３のようなトップ
ゲート構造とすることで、回路面積を縮小させることができる。また、トランジスタＴｒ
１においては、ゲート電極として機能する酸化物半導体膜４１１ｃが設けられたシングル
ゲートのトランジスタである。一方で、トランジスタＴｒ３においては、第１のゲート電
極として機能する導電膜４０７ｂと、第２のゲート電極として機能する酸化物半導体膜４
１１ｂが設けられたマルチゲートのトランジスタである。なお、本発明の一態様の表示装
置に用いるトランジスタ構造としては、上記に限定されない。例えば、トランジスタＴｒ
１及びトランジスタＴｒ３ともに、シングルゲート構造またはマルチゲート構造としても
よい。
［ＦＰＣ領域及びゲートドライバ回路部の断面］
次に、図８に示す一点鎖線Ａ１－Ａ２の断面、及び一点鎖線Ａ３－Ａ４の断面の詳細に
ついて、図１０を用いて説明する。図１０は、図８に示す一点鎖線Ａ１－Ａ２及び一点鎖
線Ａ３－Ａ４の断面の構成要素を拡大し、且つ上下を反転した断面図に相当する。なお、
図１０において、図面の煩雑さを避けるため、構成要素の一部を省略して図示する。
図１０に示すＦＰＣは、ＡＣＦ（異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ））を介して導電膜４０３ａと電気的に接続されている。ま
た、導電膜４０３ａ上には、絶縁膜４０４が設けられる。なお、絶縁膜４０４には、導電
膜４０３ａに達する開口部が設けられ、当該開口部を介して導電膜４０３ａと、導電膜４
０５ａとが電気的に接続されている。
また、導電膜４０５ａ上には絶縁膜４０６が設けられる。なお、絶縁膜４０６には、導
電膜４０５ａに達する開口部が設けられ、当該開口部を介して、導電膜４０５ａと、導電
膜４０７ａとが電気的に接続されている。また、導電膜４０７ａ上には、絶縁膜４０８、
４１２、４１３が設けられる。なお、絶縁膜４０８、４１２、４１３には、導電膜４０７
ａに達する開口部が設けられ、当該開口部を介して導電膜４０７ａと導電膜４１４ａとが
電気的に接続されている。
また、絶縁膜４１３及び導電膜４１４ａ上には、絶縁膜４１６、４１８が設けられる。
絶縁膜４１８は、封止材４５４を介して基板４５２と接着されている。
図１０に示すトランジスタＴｒ４は、ゲートドライバ回路部５０４ａが有するトランジ
スタに相当する。
トランジスタＴｒ４は、絶縁膜４０６上に形成され、絶縁膜４０６上の導電膜４０７ｅ
と、導電膜４０７ｅ上の絶縁膜４０８と、絶縁膜４０８上の酸化物半導体膜４０９ａと、
酸化物半導体膜４０９ａ上の絶縁膜４１０ａと、絶縁膜４１０ａ上の酸化物半導体膜４１
１ａと、を有する。導電膜４０７ｅは、第１のゲート電極としての機能を有する。また、
絶縁膜４１０ａは、第２のゲート絶縁膜としての機能を有し、酸化物半導体膜４１１ａは
第２のゲート電極としての機能を有する。
また、酸化物半導体膜４０９ａ及び酸化物半導体膜４１１ａ上には、絶縁膜４１２、４
１３が設けられる。また、絶縁膜４１２、４１３には、酸化物半導体膜４０９ａに達する
開口部が設けられ、当該開口部を介して、導電膜４１４ｂ、４１４ｃが酸化物半導体膜４
０９ａに電気的に接続される。導電膜４１４ｂ、４１４ｃは、それぞれトランジスタＴｒ
４のソース電極及びドレイン電極としての機能を有する。
また、トランジスタＴｒ４は、先に説明したトランジスタＴｒ３と同様にマルチゲート
構造のトランジスタである。ゲートドライバ回路部５０４ａにマルチゲート構造のトラン
ジスタを用いることで、電流駆動能力を向上させることができるため好適である。また、
マルチゲート構造のトランジスタを用いることで、電流駆動能力が向上するため、駆動回
路の幅を狭くすることが可能となる。
また、トランジスタＴｒ４上には、絶縁膜４１６、４１８が設けられる。また、絶縁膜
４１８は、封止材４５４を介して、基板４５２と接着されている。
また、基板４５２と対向する、基板６５２上には、遮光膜６０２、絶縁膜６０６、及び
導電膜６０８が設けられる。
また、導電膜６０８上のトランジスタＴｒ４と重畳する位置に、構造体６１０ａが形成
されている。なお、構造体６１０ａは、液晶層６２０の厚さを制御する機能を有する。ま
た、図１０においては、構造体６１０ａと絶縁膜４０４との間に、配向膜６１８ａ、６１
８ｂを有する。ただし、構造体６１０ａと絶縁膜４０４との間に、配向膜６１８ａ、６１
８ｂが形成されなくてもよい。
また、基板６５２の端部には、シール材６２２が設けられる。なお、シール材６２２は
、基板６５２と、導電膜４０３ａとの間に設けられる。
［接続領域及び端部近傍の領域の断面］
次に、図８に示す一点鎖線Ａ９－Ａ１０、及び一点鎖線Ａ１１－Ａ１２の詳細について
、図１１を用いて説明する。図１１は、図８に示す一点鎖線Ａ９－Ａ１０及び一点鎖線Ａ
１１－Ａ１２の構成要素を拡大し、且つ上下を反転した断面図に相当する。なお、図１１
において、図面の煩雑さを避けるため、構成要素の一部を省略して図示する。
図１１において、導電膜６０８と、導電膜４０３ｃとは、導電体６２４を介して電気的
に接続されている。なお、導電体６２４は、シール材６２２中に含まれる。また、導電膜
６０８は、基板６５２、遮光膜６０２、及び絶縁膜６０６上に設けられる。
また、導電膜４０３ｃ上には、絶縁膜４０４が設けられる。絶縁膜４０４には、導電膜
４０３ｃに達する開口部が設けられ、当該開口部を介して、導電膜４０３ｃと導電膜４０
５ｄとが電気的に接続されている。また、導電膜４０５ｄ上には、絶縁膜４０６が設けら
れる。絶縁膜４０６には、導電膜４０５ｄに達する開口部が設けられ、当該開口部を介し
て、導電膜４０５ｄと導電膜４０７ｄとが電気的に接続されている。
また、導電膜４０７ｄ上には、絶縁膜４０８、４１２、４１３が設けられる。絶縁膜４
０８、４１２、４１３には、導電膜４０７ｄに達する開口部が設けられ、当該開口部を介
して、導電膜４０７ｄと導電膜４１４ｈとが電気的に接続されている。また、導電膜４１
４ｈ上には、絶縁膜４１６、４１８が設けられる。また、絶縁膜４１８は、封止材４５４
を介して基板４５２と接着される。
また、基板４５２、６５２の端部には、シール材６２２が設けられる。なお、シール材
６２２は、基板６５２と、絶縁膜４０４との間に設けられる。
＜１－９．表示装置の作製方法＞
次に、図８に示す表示装置５００の作製方法について、図１２乃至図１７を用いて説明
する。なお、図１２乃至図１７は、表示装置５００の作製方法を説明する断面図である。
まず、基板４０１上に導電膜４０２を形成する。その後、導電膜４０２上に導電膜を成
膜し、当該導電膜を島状に加工することで、導電膜４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃを形成
する（図１２（Ａ）参照）。
導電膜４０２は、剥離層としての機能を有し、導電膜４０３ａ、４０３ｃは、接続電極
としての機能を有し、導電膜４０３ｂは、画素電極としての機能を有する。
次に、導電膜４０２、及び導電膜４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃ上に絶縁膜を成膜し、
当該絶縁膜の所望の領域に開口部を形成することで、絶縁膜４０４を形成する。続いて、
導電膜４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃ、及び絶縁膜４０４上に導電膜を成膜し、当該導電
膜を島状に加工することで、導電膜４０５ａ、４０５ｂ、４０５ｃ、４０５ｄを形成する
（図１２（Ｂ）参照）。
絶縁膜４０４としては、導電膜４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃが重なる位置に開口部を
有する。また、当該開口部を介して、導電膜４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃと、導電膜４
０５ａ、４０５ｂ、４０５ｃ、４０５ｄとが、電気的に接続される。
次に、絶縁膜４０４、及び導電膜４０５ａ、４０５ｂ、４０５ｃ、４０５ｄ上に絶縁膜
を成膜し、当該絶縁膜の所望の領域に開口部を形成することで、絶縁膜４０６を形成する
。続いて、導電膜４０５ａ、４０５ｂ、４０５ｃ、４０５ｄ及び絶縁膜４０６上に導電膜
を成膜し、当該導電膜を島状に加工することで、導電膜４０７ａ、４０７ｂ、４０７ｃ、
４０７ｄ、４０７ｅ、４０７ｆ、４０７ｇを形成する（図１２（Ｃ）参照）。
絶縁膜４０６としては、導電膜４０５ａ、４０５ｃ、４０５ｄが重なる位置に開口部を
有する。また、当該開口部を介して、導電膜４０５ａ、４０５ｃ、４０５ｄと、導電膜４
０７ａ、４０７ｃ、４０７ｄとが、電気的に接続される。
次に、絶縁膜４０６、及び導電膜４０７ａ、４０７ｂ、４０７ｃ、４０７ｄ、４０７ｅ
、４０７ｆ、４０７ｇ上に絶縁膜４０８を形成する。続いて、絶縁膜４０８上に酸化物半
導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を島状に加工することで、酸化物半導体膜４０９ａ
、４０９ｂ、４０９ｃを形成する（図１３（Ａ）参照）。
次に、絶縁膜４０８、及び酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃ上に絶縁膜及
び酸化物半導体膜を成膜し、当該絶縁膜及び当該酸化物半導体膜を所望の形状に加工する
ことで、島状の絶縁膜４１０ａ、４１０ｂ、４１０ｃと、島状の酸化物半導体膜４１１ａ
、４１１ｂ、４１１ｃと、を形成する（図１３（Ｂ）参照）。
次に、絶縁膜４０８、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃ上に絶縁膜を成膜
し、当該絶縁膜の所望の領域に開口部を形成することで、絶縁膜４１２、４１３を形成す
る（図１３（Ｃ）参照）。
なお、図１３（Ｃ）においては、絶縁膜４１２と、絶縁膜４１３との２層の積層構造に
ついて例示したが、これに限定されない。例えば、絶縁膜４１２の単層構造、絶縁膜４１
３の単層構造、または絶縁膜４１２、４１３と、他の絶縁膜が積層された３層以上の積層
構造としてもよい。また、絶縁膜４１２、４１３に開口部を設ける際に、絶縁膜４０８の
一部にも開口部が設けられる。なお、絶縁膜４０８、４１２、４１３に設けられる開口部
は、導電膜４０７ａ、４０７ｃ、４０７ｄ、４０７ｆに達する。
次に、絶縁膜４１３上に導電膜を成膜し、当該導電膜を所望の形状に加工することで、
導電膜４１４ａ、４１４ｂ、４１４ｃ、４１４ｄ、４１４ｅ、４１４ｆ、４１４ｇ、４１
４ｈを形成する（図１４（Ａ）参照）。
導電膜４１４ｂ、４１４ｃは、トランジスタＴｒ４のソース電極及びドレイン電極とし
て機能する。また、導電膜４１４ｄ、４１４ｅは、トランジスタＴｒ３のソース電極及び
ドレイン電極として機能する。また、導電膜４１４ｆ、４１４ｇは、トランジスタＴｒ１
のソース電極及びドレイン電極として機能する。
なお、トランジスタＴｒ１において、導電膜４１４ｇは、導電膜４０７ｃ及び導電膜４
０５ｃを介して、導電膜４０３ｂと電気的に接続される。トランジスタＴｒ１により、導
電膜４０３ｂの電位を制御することができる。
次に、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ３、Ｔｒ４を覆うように絶縁膜４１６を形成する。な
お、絶縁膜４１６は、導電膜４１４ｄと重なる領域に開口部を有する。続いて、絶縁膜４
１６及び導電膜４１４ｄ上に導電膜を成膜し、当該導電膜を所望の形状に加工することで
、導電膜４１７を形成する。続いて、絶縁膜４１６及び導電膜４１７上の所望の領域に絶
縁膜４１８を形成する。なお、絶縁膜４１８は、導電膜４１７と重なる領域に開口部を有
する（図１４（Ｂ）参照）。
次に、導電膜４１７、及び絶縁膜４１８上にＥＬ層４１９を形成し、続けてＥＬ層４１
９上に導電膜４２０を形成する（図１４（Ｃ）参照）。
導電膜４１７、ＥＬ層４１９、及び導電膜４２０により、表示素子１２が形成される。
なお、導電膜４１７が表示素子１２の一対の電極の一方として機能し、導電膜４２０が表
示素子１２の一対の電極の他方として機能する。また、図示しないが、ＥＬ層４１９は、
色要素（ＲＧＢ）ごとに作り分ける。なお、表示素子１２の作製方法については、実施の
形態２で詳細を説明する。
以上の工程で、基板４０１上に形成される素子を作製することができる。
次に、基板４５２と対向して配置される基板６５２の作製方法について、図１５（Ａ）
（Ｂ）（Ｃ）を用いて以下説明する。
まず、基板６５２上に遮光膜６０２を形成する。その後、基板６５２及び遮光膜６０２
上に着色膜６０４を形成する（図１５（Ａ）参照）。
次に、遮光膜６０２及び着色膜６０４上に絶縁膜６０６を形成する。その後、絶縁膜６
０６上に導電膜６０８を形成する（図１５（Ｂ）参照）。
次に、導電膜６０８上の所望の領域に構造体６１０ａ、６１０ｂを形成する。その後、
導電膜６０８及び構造体６１０ａ、６１０ｂ上に配向膜６１８ｂを形成する（図１５（Ｃ
）参照）。
なお、配向膜６１８ｂは、設けない構成としてもよい。また、本実施の形態においては
、構造体６１０ａ、６１０ｂを基板６５２上に形成する構成について例示したが、これに
限定されない。例えば、先に示す基板４０１上に形成される素子上に構造体６１０ａ、６
１０ｂを形成してもよい。
以上の工程で、基板６５２上に形成する素子を作製することができる。
次に、基板４０１上に形成された素子を、基板４０１から剥離する。具体的には、基板
４０１上に形成された導電膜４０２と、導電膜４０２上に形成された導電膜４０３ａ、４
０３ｂ、４０３ｃ及び絶縁膜４０４との界面で剥離する。当該剥離の方法としては、基板
４０１上に形成された素子上に封止材４５４を形成する。その後、封止材４５４上に基板
４５２を貼り合わせ、導電膜４０２の界面から素子を剥離する（図１６（Ａ）参照）。
導電膜４０２の界面から素子を剥離した際に、導電膜４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃの
表面（図１６（Ａ）においては、導電膜４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃの裏面）が露出す
る。なお、導電膜４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃの表面に、絶縁膜または異物等が付着し
ている場合においては、洗浄処理、アッシング処理、またはエッチング処理等を行い、当
該絶縁膜及び当該異物等を除去すると好ましい。
また、導電膜４０２の界面から素子を剥離する際に、導電膜４０２と、導電膜４０２上
に形成された導電膜４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃ及び絶縁膜４０４との界面に極性溶媒
（代表的には水）または非極性溶媒等を添加すると好ましい。例えば、導電膜４０２の界
面から素子を剥離する際に、水を用いることで、剥離帯電に伴うダメージを軽減できるた
め好適である。
なお、導電膜４０２としては、例えば、以下の材料を用いることができる。導電膜４０
２としては、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバル
ト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム
、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、または該元素を含む化合物材料
を含み、単層または積層された構造を用いることができる。また、シリコンを含む層の場
合、該シリコンを含む層の結晶構造としては、非晶質、微結晶、多結晶、単結晶のいずれ
でもよい。
また、導電膜４０２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の
積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成され
る絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物
を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱
酸化処理、酸素プラズマ処理、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、またはオゾン水等
の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい
。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、一酸化二窒素単独、あるいは当該ガスと
その他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により
、導電膜４０２の表面状態を変えることにより、導電膜４０２と後に形成される導電膜４
０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃ及び絶縁膜４０４との密着性を制御することが可能である。
なお、本実施の形態においては、導電膜４０２を設ける構成について例示したが、これ
に限定されない。例えば、導電膜４０２を設けない構成としてもよい。この場合、導電膜
４０２が形成される位置に、有機樹脂膜を形成すればよい。当該有機樹脂膜としては、例
えば、ポリイミド樹脂膜、ポリアミド樹脂膜、アクリル樹脂膜、エポキシ樹脂膜、または
フェノール樹脂膜等が挙げられる。
また、導電膜４０２の代わりに上記有機樹脂膜を用いる場合、基板４０１上に形成され
る素子の剥離方法としては、基板４０１の下方側から、レーザ光を照射することで、当該
有機樹脂膜が脆弱化し、基板４０１と有機樹脂膜との界面、または有機樹脂膜と導電膜４
０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃ及び絶縁膜４０４との界面で剥離することができる。
また、上記レーザ光を照射する場合、レーザ光の照射エネルギー密度を調整することで
、基板４０１と導電膜４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃ及び絶縁膜４０４との間に、密着性
が高い領域と、密着性が弱い領域と、を作り分けてから剥離してもよい。
次に、素子を反転して、基板４５２を下方に配置し、絶縁膜４０４及び導電膜４０３ｂ
上に配向膜６１８ａを形成する（図１６（Ｂ）参照）。
次に、基板４５２上の素子と、基板６５２上の素子とを貼り合わせ、シール材６２２を
用いて封止する。その後、基板４５２と、基板６５２との間に液晶層６２０を形成し、表
示素子１１を形成する（図１７参照）。
なお、導電膜４０３ｃ上のシール材６２２中には、導電体６２４が設けられる。導電体
６２４としては、ディスペンサ法等を用いてシール材６２２中の所望の領域に、導電性の
粒子を散布すればよい。なお、導電体６２４を介して、導電膜４０３ｃと導電膜６０８と
が電気的に接続される。
次に、基板６５２上に機能膜６２６を形成する（図１７参照）。なお、機能膜６２６は
、形成しなくてもよい。
その後、導電膜４０３ａにＡＣＦを介してＦＰＣを接着する。なお、ＡＣＦの代わりに
ＡＣＰ（異方性導電ペースト（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓ
ｔｅ））を用いてもよい。
以上の工程で、図８に示す表示装置５００を作製することができる。
＜１－１０．表示装置の変形例１＞
また、図８に示す表示装置５００に、タッチパネルを設ける構成としてもよい。当該タ
ッチパネルとしては、静電容量方式（表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等）を好
適に用いることができる。
表示装置５００にタッチパネルを設ける構成について、図１８乃至図２０を用いて説明
する。
図１８は表示装置５００にタッチパネル６９１を設ける構成の断面図であり、図１９は
表示装置５００にタッチパネル６９２を設ける構成の断面図であり、図２０は表示装置５
００にタッチパネル６９３を設ける構成の断面図である。
まず、図１８に示すタッチパネル６９１について、以下説明を行う。
図１８に示すタッチパネル６９１は、基板６５２と着色膜６０４との間に設けられる、
所謂インセル型である。タッチパネル６９１は、遮光膜６０２、及び着色膜６０４を形成
する前に、基板６５２上に形成すればよい。
なお、タッチパネル６９１は、遮光膜６６２と、絶縁膜６６３と、電極６６４と、電極
６６５と、絶縁膜６６６と、電極６６７と、絶縁膜６６８と、を有する。例えば、指やス
タイラスなどの被検知体が近接することで、電極６６４と、電極６６５との相互容量の変
化を検知することができる。
また、図１８に示すトランジスタＴｒ４の上方においては、電極６６４と、電極６６５
との交差部を明示している。電極６６７は、絶縁膜６６６に設けられた開口部を介して、
電極６６５を挟む２つの電極６６４と電気的に接続されている。なお、図１８においては
、電極６６７が設けられる領域をゲートドライバ回路部５０４ａに相当する領域に設ける
構成を例示したが、これに限定されず、例えば、画素１０（ｍ，ｎ）が設けられる領域に
形成してもよい。
電極６６４及び電極６６５は、遮光膜６６２と重なる領域に設けられる。また、図１８
に示すように、電極６６４は、表示素子１２と重ならないように設けられると好ましい。
別言すると、電極６６４は、表示素子１２と重なる領域に開口部を有する。すなわち、電
極６６４はメッシュ形状を有する。このような構成とすることで、電極６６４は、表示素
子１２が射出する光を遮らない構成とすることができる。したがって、タッチパネル６９
１を配置することによる輝度の低下が極めて少ないため、視認性が高く、且つ消費電力が
低減された表示装置を実現できる。なお、電極６６５も同様の構成とすればよい。
また、電極６６４及び電極６６５が表示素子１２と重ならないため、電極６６４及び電
極６６５には、可視光の透過率が低い金属材料を用いることができる。そのため、可視光
の透過率が高い酸化物材料を用いた電極と比較して、電極６６４及び電極６６５の抵抗を
低くすることが可能となり、タッチパネルのセンサ感度を向上させることができる。
次に、図１９に示すタッチパネル６９２及び図２０に示すタッチパネル６９３について
、以下説明を行う。
図１９に示すタッチパネル６９２は、基板６５２の上方に設けられる、所謂オンセル型
である。タッチパネル６９２は、タッチパネル６９１と同様の構成を有する。
図２０に示すタッチパネル６９３は、基板６７２上に設けられ、接着材６７４を介して
基板６５２と接着されている。タッチパネル６９３は、所謂アウトセル型（外付け型とも
いう）である。タッチパネル６９３は、タッチパネル６９１と同様の構成を有する。また
、タッチパネル６９３は、タッチパネル６９１の構成に加え、基板６７０を有する。基板
６７０は、タッチパネル６９３を保護するための機能を有する。ただし、基板６７０を設
けない構成としてもよい。
このように、本発明の一態様の表示装置は、様々な形態のタッチパネルと組み合わせて
用いることができる。
＜１－１１．表示装置の変形例２＞
また、図８及び図１８乃至図２０においては、機能膜６２６が、基板６５２の外側に位
置する構成について例示したが、これに限定されない。例えば、基板６５２を設けない構
成としてもよい。この場合の一例を図２１乃至図２４に示す。
図２１は、図８に示す表示装置５００の変形例であり、基板６５２が設けられておらず
、機能膜６２６によって封止されている。この場合、機能膜６２６には、円偏光板に用い
ることができる材料を好適に用いることができる。
図２２は、図１８に示す表示装置５００の変形例であり、基板６５２が設けられておら
ず、機能膜６２６がタッチパネル６９１の一部として機能する構成である。
図２３は、図１９に示す表示装置５００の変形例であり、機能膜６２６がタッチパネル
６９２よりも内側に設けられる構成である。
図２４は、図２０に示す表示装置５００の変形例であり、基板６５２が設けられておら
ず、機能膜６２６が接着材６７４を介して、タッチパネル６９３と接着されている構成で
ある。
図２１乃至図２４に示すように、基板６５２を設けない構成とすることで、表示装置５
００の厚さを薄くできるため好適である。
＜１－１２．表示装置の変形例３＞
また、図８に示す表示装置５００の液晶素子を、横電界方式、ここではＦＦＳ（Ｆｒｉ
ｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶素子とする構成の一例を図２５
に示す。
図２５に示す表示装置５００は、先の説明の構成に加え、導電膜４０３ｂ、４０３ｃ上
の絶縁膜６８１と、絶縁膜６８１上の導電膜６８２と、を有する。
また、一点鎖線Ａ９－１０に示す接続領域において、絶縁膜６８１は開口部を有し、当
該開口部を介して、導電膜６８２と、導電膜４０３ｃとが電気的に接続されている。また
、図２５においては、シール材６２２中に含まれる導電体６２４が、設けられない構成で
ある。
導電膜６８２は、共通電極としての機能を有する。また、導電膜６８２は、上面形状に
おいて、スリットを有する形状または櫛歯形状とすればよい。また、図２５に示す表示装
置５００においては、導電膜６８２を設ける構成のため、基板６５２側に設けられる導電
膜６０８が設けられない構成である。なお、導電膜６８２を設け、さらに基板６５２側に
導電膜６０８を設ける構成としてもよい。
なお、導電膜６８２を、透光性を有する材料にて形成することで、透光性を有する容量
素子を形成することができる。当該透光性を有する容量素子は、導電膜６８２と、導電膜
６８２と重なる絶縁膜６８１と、導電膜４０３ｃと、により構成される。このような構成
とすることで、容量素子に蓄積される電荷量を大きくすることができるため好適である。
＜１－１３．表示装置の構成要素＞
次に、図８乃至図２５に例示した表示装置５００及び表示装置５００の作製方法に記載
の各構成要素について、以下説明を行う。
［基板］
基板４０１、４５２、６５２、６７０として、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐
熱性を有する材料を用いることができる。
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、
石英またはサファイア等を用いることができる。また、無機絶縁膜を用いてもよい。当該
無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、
アルミナ膜等が挙げられる。
また、上記無アルカリガラスとしては、例えば、０．２ｍｍ以上０．７ｍｍ以下の厚さ
とすればよい。または、無アルカリガラスを研磨することで、上記の厚さとしてもよい。
また、基板４０１、４５２、６５２、６７０として、第６世代（１５００ｍｍ×１８５
０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４０
０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４
００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を用いることができる。これにより、大型の表示
装置を作製することができる。
また、基板４０１、４５２、６５２、６７０として、シリコンや炭化シリコンからなる
単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、Ｓ
ＯＩ基板等を用いてもよい。
また、基板４０１、４５２、６５２、６７０として、金属等の無機材料を用いてもよい
。金属等の無機材料としては、ステンレススチールまたはアルミニウム等が挙げられる。
また、基板４０１、４５２、６５２、６７０として、樹脂、樹脂フィルムまたはプラス
チック等の有機材料を用いてもよい。当該樹脂フィルムとしては、ポリエステル、ポリオ
レフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリ
ウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリ
エチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、またはシロキサ
ン結合を有する樹脂等が挙げられる。
また、基板４０１、４５２、６５２、６７０として、無機材料と有機材料とを組み合わ
せた複合材料を用いてもよい。当該複合材料としては、金属板または薄板状のガラス板と
、樹脂フィルムとを貼り合わせた材料、繊維状の金属、粒子状の金属、繊維状のガラス、
または粒子状のガラスを樹脂フィルムに分散した材料、もしくは繊維状の樹脂、粒子状の
樹脂を無機材料に分散した材料等が挙げられる。
［導電膜］
導電膜４０２、４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃ、４０５ａ、４０５ｂ、４０５ｃ、４０
５ｄ、４０７ａ、４０７ｂ、４０７ｃ、４０７ｄ、４０７ｅ、４１１ａ、４１１ｂ、４１
１ｃ、４１４ａ、４１４ｂ、４１４ｃ、４１４ｄ、４１４ｅ、４１４ｆ、４１４ｇ、４１
４ｈ、４１７、４２０、６０８、６８２としては、導電性を有する金属膜、可視光を反射
する機能を有する導電膜、または可視光を透過する機能を有する導電膜を用いればよい。
導電性を有する金属膜として、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、
チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガ
ンから選ばれた金属元素を含む材料を用いることができる。または、上述した金属元素を
含む合金を用いてもよい。
上述の導電性を有する金属膜として、具体的には、チタン膜上に銅膜を積層する二層構
造、窒化チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上に銅膜を積層する二層
構造、チタン膜上に銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用い
ればよい。特に、銅元素を含む導電膜を用いることで、抵抗を低くすることが出来るため
好適である。また、銅元素を含む導電膜としては、銅とマンガンとを含む合金膜が挙げら
れる。当該合金膜は、ウエットエッチング法を用いて加工できるため好適である。
また、上述の導電性を有する金属膜として、導電性高分子または導電性ポリマーを用い
てもよい。
また、上述の可視光を反射する機能を有する導電膜としては、金、銀、銅、またはパラ
ジウムから選ばれた金属元素を含む材料を用いることができる。特に、銀元素を含む導電
膜を用いることで、可視光における反射率を高めることができるため好適である。
また、上述の可視光を透過する機能を有する導電膜としては、インジウム、錫、亜鉛、
ガリウム、またはシリコンから選ばれた元素を含む材料を用いることができる。具体的に
は、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｓｉ
酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物等が挙げられ
る。
また、上述の可視光を透過する機能を有する導電膜としては、グラフェンまたはグラフ
ァイトを含む膜を用いてもよい。グラフェンを含む膜としては、酸化グラフェンを含む膜
を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成す
ることができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等が挙げ
られる。
なお、画素電極としての機能を有する、導電膜４０３ｃ及び導電膜４１７は、酸化物半
導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃが有する金属元素を、少なくとも１以上有する。例
えば、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃが、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡ
ｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）の金属酸化物で構成される場合、導電膜４０３ｃ及び導電膜
４１７は、Ｉｎ、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）、Ｚｎのいずれか一つを有する
。
［絶縁膜］
絶縁膜４０４、４０６、４０８、４１０ａ、４１０ｂ、４１０ｃ、４１２、４１３、４
１６、４１８、６０６、６６３、６６６、６６８、６８１としては、絶縁性の無機材料、
絶縁性の有機材料、または絶縁性の無機材料と絶縁性の有機材料とを含む絶縁性の複合材
料を用いることができる。
上述の絶縁性の無機材料としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコ
ン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等が挙げられる。また、上述の無機材料
を複数積層してもよい。
また、上述の絶縁性の有機材料としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポ
リアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料が挙げられ
る。また、上述の絶縁性の有機材料としては、感光性を有する材料を用いてもよい。
［酸化物半導体膜］
酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃは、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、
Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）等の金属酸化物で形成される。また、酸化物半導体膜４０９ａ、
４０９ｂ、４０９ｃとして、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物を用いてもよい。
なお、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃがＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、
ＩｎとＭの原子数比率は、Ｉｎ及びＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたときＩｎが２５
ａｔｏｍｉｃ％より高く、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、またはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ
％より高く、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。
また、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃは、エネルギーギャップが２ｅＶ
以上、または２．５ｅＶ以上、または３ｅＶ以上であると好ましい。
酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃの厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、
好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上６０ｎｍ以下である
。
酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃがＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ－
Ｍ－Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比
は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲット
の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：
１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：１．５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：２．３、Ｉｎ：Ｍ
：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７等が好ましい。なお、成膜される酸化物半導体膜４０９ａ、
４０９ｂ、４０９ｃの原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる
金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％程度変動することがある。例えば、スパッタ
リングターゲットとして、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１を用いる場合、
成膜される酸化物半導体膜の原子数比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３近傍となる場合
がある。また、スパッタリングターゲットとして、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１
：７を用いる場合、成膜される酸化物半導体膜の原子数比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１
：６近傍となる場合がある。
また、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃにおいて、第１４族元素の一つで
あるシリコンや炭素が含まれると、酸素欠損が増加し、ｎ型となる場合がある。このため
、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃ、特にチャネル領域において、シリコン
あるいは炭素の濃度を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または２×１０１７ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることができる。この結果、トランジスタは、しきい値電圧がプ
ラスとなる電気特性（ノーマリーオフ特性ともいう。）を有する。なお、上述のシリコン
または炭素の濃度としては、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａ
ｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により測定することができる。
また、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃにおいて、ＳＩＭＳにより得られ
るアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
、または２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることができる。アルカリ金属及びア
ルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジ
スタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため、酸化物半導体膜４０９ａ、４０
９ｂ、４０９ｃのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい
。この結果、トランジスタは、しきい値電圧がプラスとなる電気特性（ノーマリーオフ特
性ともいう。）を有する。
また、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃに窒素が含まれていると、キャリ
アである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型となる場合がある。この結果、窒素が
含まれている酸化物半導体膜を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。
従って、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃにおいて、窒素はできる限り低減
されていることが好ましい。例えば、ＳＩＭＳにより得られる窒素濃度を、５×１０１８
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすればよい。
また、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃにおいて、不純物元素を低減する
ことで、酸化物半導体膜のキャリア密度を低減することができる。このため、酸化物半導
体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃにおいては、キャリア密度を１×１０１７ｃｍ－３以
下、または１×１０１５ｃｍ－３以下、または１×１０１３ｃｍ－３以下、または１×１
０１１ｃｍ－３以下とすることができる。
酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃとして、不純物濃度が低く、欠陥準位密
度の低い酸化物半導体膜を用いることで、さらに優れた電気特性を有するトランジスタを
作製することができる。ここでは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い（酸素欠損の
少ない）ことを高純度真性または実質的に高純度真性と呼ぶ。あるいは、真性、または実
質的に真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、キャリ
ア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる場合がある。従って、当該
酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、しきい値電圧がプラスとな
る電気特性（ノーマリーオフ特性ともいう。）になりやすい。また、高純度真性または実
質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度
も低くなる場合がある。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体
膜は、オフ電流が著しく小さい特性を得ることができる。従って、当該酸化物半導体膜に
チャネル領域が形成されるトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトラ
ンジスタとなる場合がある。
また、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃは、非単結晶構造でもよい。非単
結晶構造は、例えば、後述するＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、後述する
微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準
位密度が高く、ＣＡＡＣ－ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。
なお、酸化物半導体膜４０９ａ、４０９ｂ、４０９ｃが、非晶質構造の領域、微結晶構
造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ－ＯＳの領域、及び単結晶構造の領域の二種以上
を有する単層膜、あるいはこの膜が積層された構造であってもよい。
［液晶層］
液晶層６２０としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散
型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等が挙げられる。または、コレステリック相、ス
メクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用い
てもよい。または、ブルー相を示す液晶材料を用いてもよい。
また、液晶層６２０の駆動方法としては、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉ
ｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳモード、ＡＳＭ
（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モー
ド、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃ
ｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モ
ード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
）モードなどが挙げられる。また、垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕ
ｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａ
ｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ
（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａ
ｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ－Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いてもよい。
［ＥＬ層］
ＥＬ層４１９としては、少なくとも発光材料を有する。当該発光材料としては、有機化
合物、または量子ドットなどの無機化合物が挙げられる。
上述の有機化合物、及び無機化合物としては、例えば、蒸着法（真空蒸着法を含む）、
インクジェット法、塗布法、グラビア印刷法等の方法を用いて形成することができる。
有機化合物に用いることのできる材料としては、蛍光材料または燐光材料が挙げられる
。寿命の観点からは、蛍光材料を用いればよく、効率の観点からは燐光材料を用いればよ
い。または、蛍光材料及び燐光材料の双方を有する構成としてもよい。
また、量子ドットは、数ｎｍサイズの半導体ナノ結晶であり、１×１０３個から１×１
０６個程度の原子から構成されている。量子ドットはサイズに依存してエネルギーシフト
するため、同じ物質から構成される量子ドットであっても、サイズによって発光波長が異
なり、用いる量子ドットのサイズを変更することによって容易に発光波長を調整すること
ができる。
また、量子ドットは、発光スペクトルのピーク幅が狭いため、色純度のよい発光を得る
ことができる。さらに、量子ドットの理論的な内部量子効率はほぼ１００％であると言わ
れており、蛍光発光を呈する有機化合物の２５％を大きく上回り、燐光発光を呈する有機
化合物と同等となっている。このことから、量子ドットを発光材料として用いることによ
って発光効率の高い発光素子を得ることができる。その上、無機化合物である量子ドット
はその本質的な安定性にも優れているため、寿命の観点からも好ましい発光素子を得るこ
とができる。
量子ドットを構成する材料としては、周期表第１４族元素、周期表第１５族元素、周期
表第１６族元素、複数の周期表第１４族元素からなる化合物、周期表第４族から周期表第
１４族に属する元素と周期表第１６族元素との化合物、周期表第２族元素と周期表第１６
族元素との化合物、周期表第１３族元素と周期表第１５族元素との化合物、周期表第１３
族元素と周期表第１７族元素との化合物、周期表第１４族元素と周期表第１５族元素との
化合物、周期表第１１族元素と周期表第１７族元素との化合物、酸化鉄類、酸化チタン類
、カルコゲナイドスピネル類、各種半導体クラスターなどを挙げることができる。
具体的には、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化亜
鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化水銀、セレン化水銀、テルル化水銀、砒化
インジウム、リン化インジウム、砒化ガリウム、リン化ガリウム、窒化インジウム、窒化
ガリウム、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、リン化アルミニウム、砒化
アルミニウム、アンチモン化アルミニウム、セレン化鉛、テルル化鉛、硫化鉛、セレン化
インジウム、テルル化インジウム、硫化インジウム、セレン化ガリウム、硫化砒素、セレ
ン化砒素、テルル化砒素、硫化アンチモン、セレン化アンチモン、テルル化アンチモン、
硫化ビスマス、セレン化ビスマス、テルル化ビスマス、ケイ素、炭化ケイ素、ゲルマニウ
ム、錫、セレン、テルル、ホウ素、炭素、リン、窒化ホウ素、リン化ホウ素、砒化ホウ素
、窒化アルミニウム、硫化アルミニウム、硫化バリウム、セレン化バリウム、テルル化バ
リウム、硫化カルシウム、セレン化カルシウム、テルル化カルシウム、硫化ベリリウム、
セレン化ベリリウム、テルル化ベリリウム、硫化マグネシウム、セレン化マグネシウム、
硫化ゲルマニウム、セレン化ゲルマニウム、テルル化ゲルマニウム、硫化錫、セレン化錫
、テルル化錫、酸化鉛、フッ化銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、酸化銅、セレン化銅、酸
化ニッケル、酸化コバルト、硫化コバルト、四酸化三鉄、硫化鉄、酸化マンガン、硫化モ
リブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコ
ニウム、窒化ケイ素、窒化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、セレン
と亜鉛とカドミウムの化合物、インジウムと砒素とリンの化合物、カドミウムとセレンと
硫黄の化合物、カドミウムとセレンとテルルの化合物、インジウムとガリウムと砒素の化
合物、インジウムとガリウムとセレンの化合物、インジウムとセレンと硫黄の化合物、銅
とインジウムと硫黄の化合物およびこれらの組合せなどを挙げることができるが、これら
に限定されるものではない。また、組成が任意の比率で表される、いわゆる合金型量子ド
ットを用いても良い。例えば、カドミウムとセレンと硫黄の合金型量子ドットは、元素の
含有比率を変化させることで発光波長を変えることができるため、青色発光を得るには有
効な手段の一つである。
量子ドットの構造としては、コア型、コア－シェル型、コア－マルチシェル型などがあ
り、そのいずれを用いても良いが、コアを覆ってより広いバンドギャップを持つ別の無機
材料でシェルを形成することによって、ナノ結晶表面に存在する欠陥やダングリングボン
ドの影響を低減することができる。これにより、発光の量子効率が大きく改善するためコ
ア－シェル型やコア－マルチシェル型の量子ドットを用いることが好ましい。シェルの材
料の例としては、硫化亜鉛や酸化亜鉛が挙げられる。
また、量子ドットは、表面原子の割合が高いことから、反応性が高く、凝集が起こりや
すい。そのため、量子ドットの表面には保護剤が付着している又は保護基が設けられてい
ることが好ましい。当該保護剤が付着している又は保護基が設けられていることによって
、凝集を防ぎ、溶媒への溶解性を高めることができる。また、反応性を低減させ、電気的
安定性を向上させることも可能である。保護剤（又は保護基）としては、例えば、ポリオ
キシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエ
チレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、トリプロピルホス
フィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィン等の
トリアルキルホスフィン類、ポリオキシエチレンｎ－オクチルフェニルエーテル、ポリオ
キシエチレンｎ－ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエー
テル類、トリ（ｎ－ヘキシル）アミン、トリ（ｎ－オクチル）アミン、トリ（ｎ－デシル
）アミン等の第３級アミン類、トリプロピルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィン
オキシド、トリヘキシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド、トリデ
シルホスフィンオキシド等の有機リン化合物、ポリエチレングリコールジラウレート、ポ
リエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジエステル類、また、
ピリジン、ルチジン、コリジン、キノリン類等の含窒素芳香族化合物等の有機窒素化合物
、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミ
ン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等のアミノアルカン類、ジブチルスルフィ
ド等のジアルキルスルフィド類、ジメチルスルホキシドやジブチルスルホキシド等のジア
ルキルスルホキシド類、チオフェン等の含硫黄芳香族化合物等の有機硫黄化合物、パルミ
チン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸、アルコール類、ソルビタン脂肪酸エ
ステル類、脂肪酸変性ポリエステル類、３級アミン変性ポリウレタン類、ポリエチレンイ
ミン類等が挙げられる。
量子ドットは、サイズが小さくなるに従いバンドギャップが大きくなるため、所望の波
長の光が得られるようにそのサイズを適宜調節する。結晶サイズが小さくなるにつれて、
量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へとシフトするため、量子ドット
のサイズを変化させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長領
域にわたって、その発光波長を調節することができる。量子ドットのサイズ（直径）は０
．５ｎｍ乃至２０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲のものが通常良く用いられ
る。なお、量子ドットはそのサイズ分布が狭いほど、より発光スペクトルが狭線化し、色
純度の良好な発光を得ることができる。また、量子ドットの形状は特に限定されず、球状
、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。なお、棒状の量子ドットである量子ロッ
ドはｃ軸方向に偏光した指向性を有する光を呈するため、量子ロッドを発光材料として用
いることにより、より外部量子効率が良好な発光素子を得ることができる。
また、ＥＬ素子では多くの場合、発光材料をホスト材料に分散することによって発光効
率を高めるが、ホスト材料は発光材料以上の一重項励起エネルギー又は三重項励起エネル
ギーを有する物質であることが必要である。特に青色の燐光材料を用いる場合においては
、それ以上の三重項励起エネルギーを有する材料であり、且つ、寿命の観点で優れたホス
ト材料の開発は困難を極めている。一方で、量子ドットはホスト材料を用いずに量子ドッ
トのみで発光層を構成しても発光効率を保つことができるため、この点でも寿命という観
点から好ましい発光素子を得ることができる。量子ドットのみで発光層を形成する場合に
は、量子ドットはコア－シェル構造（コア－マルチシェル構造を含む）であることが好ま
しい。
［配向膜］
配向膜６１８ａ、６１８ｂとしては、ポリイミド等を含む材料を用いることができる。
例えば、ポリイミド等を含む材料が、所定の方向に配向するようにラビング処理または光
配向処理を行えばよい。
［遮光膜］
遮光膜６０２、６６２は、所謂ブラックマトリクスとしての機能を有する。遮光膜６０
２、６６２としては、光の透過を妨げる材料を用いればよい。当該光の透過を妨げる材料
としては、金属材料、または黒色顔料を含んだ有機樹脂材料等が挙げられる。
［着色膜］
着色膜６０４は、所謂カラーフィルタとしての機能を有する。着色膜６０４としては、
所定の色の光を透過する材料（例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材
料、赤色の光を透過する材料、黄色の光を透過する材料または白色の光を透過する材料な
ど）を用いればよい。
［構造体］
構造体６１０ａ、６１０ｂは、構造体６１０ａ、６１０ｂを挟む構成の間に所定の間隙
を設ける機能を有する。構造体６１０ａ、６１０ｂとしては、有機材料、無機材料、また
は有機材料と無機材料との複合材料を用いることができる。当該無機材料及び当該有機材
料としては、絶縁膜４０４、４０６、４０８、４１０ａ、４１０ｂ、４１０ｃ、４１２、
４１３、４１６、４１８、６０６に列挙した材料を用いることができる。
［機能膜］
機能膜６２６としては、偏光板、位相差板、拡散フィルム、反射防止フィルムまたは集
光フィルム等を用いることができる。また、機能膜６２６として、ゴミの付着を抑制する
帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハード
コート膜など用いてもよい。
［封止材］
封止材４５４としては、無機材料、有機材料、または無機材料と有機材料との複合材料
等を用いることができる。上述の有機材料としては、例えば、熱溶融性の樹脂または硬化
性の樹脂を含む有機材料が挙げられる。また、封止材４５４としては、樹脂材料を含む接
着剤（反応硬化型の接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等）を用い
てもよい。また、上述の樹脂材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹
脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が
挙げられる。
［シール材］
シール材６２２としては、封止材４５４に列挙した材料を用いることができる。また、
シール材６２２としては、上述の材料に加え、ガラスフリット等の材料を用いてもよい。
シール材６２２に用いる材料としては、水分や酸素を透過しない材料を用いると好適であ
る。
［電極］
電極６６４、６６５、６６７としては、先に記載の導電膜４０２、４０３ａ、４０３ｂ
、４０３ｃ、４０５ａ、４０５ｂ、４０５ｃ、４０５ｄ、４０７ａ、４０７ｂ、４０７ｃ
、４０７ｄ、４０７ｅ、４１１ａ、４１１ｂ、４１１ｃ、４１４ａ、４１４ｂ、４１４ｃ
、４１４ｄ、４１４ｅ、４１４ｆ、４１４ｇ、４１４ｈ、４１７、４２０、６０８に列挙
した材料を用いることができる。また、電極６６４、６６５、６６７には、導電性のナノ
ワイヤを用いてもよい。当該ナノワイヤは、直径の平均値が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、
好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の大きさと
すればよい。また、上記ナノワイヤとしては、Ａｇナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、または
Ａｌナノワイヤ等の金属ナノワイヤ、あるいは、カーボンナノチューブなどを用いればよ
い。例えば、電極６６４、６６５、６６７のいずれか一つあるいは全部にＡｇナノワイヤ
を用いる場合、可視光における光透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／□以上１
００Ω／□以下とすることができる。
以上の説明のように、本発明の一態様の表示装置は、２つの表示素子を有する。また、
当該２つの表示素子を駆動するための２つのトランジスタを有する。表示素子の一方を反
射型の液晶素子とし、他方を透過型のＥＬ素子とすることで、利便性または信頼性に優れ
た新規な表示装置を提供することができる。また、隣接する画素で透過型のＥＬ素子を異
なる位置に配置することで、ＥＬ素子を作り分ける場合の製造歩留まりを高め、生産性が
優れた表示装置を提供することができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、光を射出する機能、すなわち発光機能を有する表示素子について、
詳細に説明を行う。
＜２－１．表示素子の構成例１＞
図２６は、実施の形態１に示す表示素子１２を詳細に説明する断面図である。
図２６に示す表示素子１２は、発光素子１２Ｒと、発光素子１２Ｇと、発光素子１２Ｂ
と、を有する。
発光素子１２Ｒは、導電膜４１７Ｒと、導電膜４１７Ｒ上のＥＬ層４１９と、ＥＬ層４
１９上の導電膜４２０と、を有する。発光素子１２Ｇは、導電膜４１７Ｇと、導電膜４１
７Ｇ上のＥＬ層４１９と、ＥＬ層４１９上の導電膜４２０と、を有する。発光素子１２Ｂ
は、導電膜４１７Ｂと、導電膜４１７Ｂ上のＥＬ層４１９と、ＥＬ層４１９上の導電膜４
２０と、を有する。また、各発光素子の導電膜（導電膜４１７Ｒ、４１７Ｇ、４１７Ｂ）
は、絶縁膜４１８によって分離されている。
また、発光素子１２Ｒは、基板４０１上の導電膜４１７Ｒと、導電膜４１７Ｒ上の正孔
注入層４１９ＨＩＬと、正孔注入層４１９ＨＩＬ上の正孔輸送層４１９ＨＴＬと、正孔輸
送層４１９ＨＴＬ上の発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）と、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）上の発光
層４１９ＥＭＬ（Ｂ）と、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）上の電子輸送層４１９ＥＴＬと、電
子輸送層４１９ＥＴＬ上の電子注入層４１９ＥＩＬと、を有する。
また、発光素子１２Ｇは、基板４０１上の導電膜４１７Ｇと、導電膜４１７Ｇ上の正孔
注入層４１９ＨＩＬと、正孔注入層４１９ＨＩＬ上の正孔輸送層４１９ＨＴＬと、正孔輸
送層４１９ＨＴＬ上の発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）と、発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）上の発光
層４１９ＥＭＬ（Ｂ）と、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）上の電子輸送層４１９ＥＴＬと、電
子輸送層４１９ＥＴＬ上の電子注入層４１９ＥＩＬと、を有する。
また、発光素子１２Ｂは、基板４０１上の導電膜４１７Ｂと、導電膜４１７Ｂ上の正孔
注入層４１９ＨＩＬと、正孔注入層４１９ＨＩＬ上の正孔輸送層４１９ＨＴＬと、正孔輸
送層４１９ＨＴＬ上の発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）と、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）上の電子
輸送層４１９ＥＴＬと、電子輸送層４１９ＥＴＬ上の電子注入層４１９ＥＩＬと、を有す
る。
図２６に示す、表示素子１２は、正孔注入層４１９ＨＩＬ、及び正孔輸送層４１９ＨＴ
Ｌ、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）、電子輸送層４１９ＥＴＬ、及び電子注入層４１９ＥＩＬ
を発光素子１２Ｒ、発光素子１２Ｇ、及び発光素子１２Ｂで共通して用いる構成である。
このような構成とすることで、表示素子１２の製造歩留まりを高めることができる。具
体的には、表示素子１２の各発光素子の作製時の作り分け工程（所謂、塗り分け工程）を
、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）と、発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）との２回とすることができる
。
なお、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）は、発光素子１２Ｒ及び発光素子１２Ｇにおいては、
発光には寄与しない。例えば、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）として、電子輸送性に優れ、正
孔輸送性に劣る材料、またはＨＯＭＯ（最高被占軌道（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅ
ｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ））準位が発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）及び発光
層４１９ＥＭＬ（Ｇ）に用いる材料よりも低い材料を用いる構成とすればよい。すなわち
、発光素子１２Ｒ及び発光素子１２Ｇにおいては、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）は、電子輸
送層として機能する。
例えば、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）をホスト材料とゲスト材料（発光材料）で構成する
場合、該ホスト材料は電子輸送性を有することが好ましく、該ゲスト材料はホールトラッ
プ性を有することが好ましい。このような構成とすることで、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）
及び発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）で効率よくキャリアを再結合させることができる。
また、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）及び発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）をホスト材料とゲスト
材料（発光材料）で構成する場合、該ホスト材料は、正孔輸送性と電子輸送性とを有する
構成が好適である。このような構成とすることで、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）及び発光層
４１９ＥＭＬ（Ｇ）はバイポーラ性を有する。
また、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）及び発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）は、ゲスト材料として
燐光材料を有する。また、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）は、ゲスト材料として蛍光材料を有
する。このような構成とすることで、高い発光効率と、高い信頼性とを有する表示素子と
することができる。例えば、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）に、赤色を呈する波長の光を発す
る燐光材料を用い、発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）に、緑色を呈する波長の光を発する燐光材
料を用い、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）に、青色を呈する波長の光を発する蛍光材料を用い
ることができる。ただし、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）、発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）、及び
発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）に用いることのできる材料は、上記に限定されない。例えば、
発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）に燐光材料を適用してもよい。
以上のような構成とすることで、各発光素子の作製時の塗り分け工程が少なく、生産性
が高めたられた表示素子を提供できる。また、当該表示素子が有する各発光素子は、発光
効率が高いため消費電力が低減されている。また、当該発光素子は、信頼性が高い。した
がって、生産性が高く、消費電力が低減された新規な表示素子を提供できる。
次に、図２６に示す表示素子１２が有する各構成について、以下説明を行う。
［導電膜］
導電膜４１７Ｒ、導電膜４１７Ｇ、導電膜４１７Ｂ、及び導電膜４２０としては、それ
ぞれ、実施の形態１に示す、導電膜４０２、４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃ、４０５ａ、
４０５ｂ、４０５ｃ、４０５ｄ、４０７ａ、４０７ｂ、４０７ｃ、４０７ｄ、４０７ｅ、
４１１ａ、４１１ｂ、４１１ｃ、４１４ａ、４１４ｂ、４１４ｃ、４１４ｄ、４１４ｅ、
４１４ｆ、４１４ｇ、４１４ｈ、４１７、４２０、６０８、６８２に列挙した材料を用い
ればよい。特に、導電膜４１７Ｒ、導電膜４１７Ｇ、及び導電膜４１７Ｂとしては、ＩＴ
Ｏ、またはＩＴＳＯを用いると好適である。また、導電膜４２０としては、ＡｌまたはＡ
ｇを含む反射率の高い金属膜を用いると好適である。
［絶縁膜］
絶縁膜４１８としては、それぞれ、実施の形態１に示す、絶縁膜４０４、４０６、４０
８、４１０ａ、４１０ｂ、４１０ｃ、４１２、４１３、４１６、４１８、６０６、６６３
、６６６、６６８、６８１に列挙した材料を用いればよい。
［発光層］
発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）の発光は、赤色の波長領域にピークを有する。また、発光層
４１９ＥＭＬ（Ｇ）は、緑色の波長領域にピークを有する。また、発光層４１９ＥＭＬ（
Ｂ）の発光は、青色の波長領域にピークを有する。例えば、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）及
び発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）には燐光材料を用い、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）には蛍光材
料を用いると好適である。また発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）及び発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）
は、燐光材料に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで
構成される。また発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）の発光は、蛍光材料に加えて、電子輸送性材
料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。
［燐光材料］
燐光材料としては、イリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金
属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯体が
好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ－トリアゾール配位子、１Ｈ－トリア
ゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配位子、ピラジン配位
子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体としては、ポルフィリン配
位子を有する白金錯体などが挙げられる。
また、青色または緑色に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス｛２－［５
－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－ト
リアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，
４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［４－
（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラ
ト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）３）、トリス［３－（５
－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３）、のような４Ｈ－トリアゾー
ル骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェ
ニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－
１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－
Ｍｅ）３）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ
－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾー
ル］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３－（２，６－
ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有
する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジ
ナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称
：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’
］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’
－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ
）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２－（４’，６’
－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導
体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。
緑色または黄色に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス（４－メチル－６
－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）、トリス
（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔ
Ｂｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナ
ト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセ
トナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［４－
（２－ノルボルニル）－６－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２
－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２
－［６－（２，６－ジメチルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、（アセチ
ルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム
錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセ
トナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有
する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２
’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）
）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称
：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ
２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ）
）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス（２，４－ジフェニル
－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２－［４’－（パーフルオロフェニル）フ
ェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：
Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２－フェニルベンゾチアゾラト－Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ
））など有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナント
ロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土
類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム
錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
また、黄色または赤色に発光ピークを有する物質としては、例えば、（ジイソブチリル
メタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６－ビス（３－メチル
フェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジ
ナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（
ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセ
トナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉ
ｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピ
バロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、（
アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を
有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１－フェニルイソキノリナト
－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（
ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，
８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ
）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プ
ロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢ
Ｍ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセ
トナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（
Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を
有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ま
しい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得
られる。
また、発光層に含まれる材料としては、三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料
であればよい。該三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料としては、燐光材料の他
に、熱活性化遅延蛍光材料が挙げられる。したがって、燐光材料と記載した部分に関して
は、熱活性化遅延蛍光材料と読み替えても構わない。なお、熱活性化遅延蛍光材料は、一
重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位のエネルギー差が小さく、三重項励
起エネルギーを逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換することができる機能を
有する材料である。そのため、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励
起状態に逆項間交差が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈すること
ができる。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、一重項励起エネル
ギー準位と三重項励起エネルギー準位のエネルギー差が、好ましくは０ｅＶより大きく０
．２ｅＶ以下、さらに好ましくは０ｅＶより大きく０．１ｅＶ以下であることが挙げられ
る。
熱活性化遅延蛍光材料としては、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジ
ン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カド
ミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウ
ム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。
また、一種の材料から構成される熱活性化遅延蛍光材料としては、π電子過剰型複素芳
香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物も用いることができる。具体的に
は、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－
ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、
２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾー
ル－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣ
ＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，
６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－
フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニ
ル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－
９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）
、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン
（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン
－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）等が挙げられる。該複
素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子
輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型
複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型
複素芳香環のアクセプター性が共に強く、一重項励起状態の準位と三重項励起状態の準位
の差が小さくなるため、特に好ましい。
［蛍光材料］
蛍光材料としては、特に限定はないが、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、クリ
セン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、スチルベン誘導体
、アクリドン誘導体、クマリン誘導体、フェノキサジン誘導体、フェノチアジン誘導体な
どが好ましく、例えば以下の材料を用いることができる。
５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，２’－ビピ
リジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－９－アント
リル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ
，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イ
ル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－
ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン
－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒ
ｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］
－Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ピレン－１，６－ジアミン（略称：
１，６ｔＢｕ－ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－
フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－３，８－ジシクロヘキシルピレン
－１，６－ジアミン（略称：ｃｈ－１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９
Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’
－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１
０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ
－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフ
ェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェ
ニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰ
Ａ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン（略称：ＴＢ
Ｐ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバ
ゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔ
ｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ
’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，
９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－９
Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ－［４－（９，１０－ジフ
ェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニ
レンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’
’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テト
ラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アント
リル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）
、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，
９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（
９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フ
ェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニ
ル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレ
ンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－
イル）－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニルアント
ラセン－２－アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセ
ン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’－
ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、２，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル
－５，１１－ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－６，１２－ジフェニルテトラセン
（略称：ＴＢＲｂ）、ナイルレッド、５，１２－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イル
）－６，１１－ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２－（２－｛２－［４－（ジメ
チルアミノ）フェニル］エテニル｝－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパ
ンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２－｛２－メチル－６－［２－（２，３，６，７－テ
トラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピ
ラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テ
トラキス（４－メチルフェニル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴ
Ｄ）、７，１４－ジフェニル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）
アセナフト［１，２－ａ］フルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦ
Ｄ）、２－｛２－イソプロピル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，
６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］
－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２－｛２－
ｔｅｒｔ－ブチル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テト
ラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラ
ン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２－（２，６－ビス｛２
－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロ
パンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２－｛２，６－ビス［２－（８－メトキシ－１
，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉ
ｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニト
リル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、５，１０，１５，２０－テトラフェニルビスベンゾ［
５，６］インデノ［１，２，３－ｃｄ：１’，２’，３’－ｌｍ］ペリレン、などが挙げ
られる。
［ホスト材料］
発光層では、発光材料をホスト材料に分散して用いると好ましい。この場合、ホスト材
料は発光材料より重量比で多く存在する。ホスト材料としては、様々な材料を用いること
ができる。例えば、正孔を輸送する機能を有する材料（正孔輸送性材料）や電子を輸送す
る機能を有する材料（電子輸送性材料）などを用いることができる。また、正孔輸送性お
よび電子輸送性を有するバイポーラ性材料も用いることができる。
ホスト材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、この場
合、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電
子を受け取りやすい材料（電子輸送性を有する材料）としては、含窒素複素芳香族化合物
のようなπ電子不足型複素芳香環骨格を有する化合物、及び亜鉛やアルミニウム系金属錯
体などを用いることができる。具体的には、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オ
キサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体や、オキサジアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾ
キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピ
リミジン誘導体、トリアジン誘導体などの化合物が挙げられる。
例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリ
ス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビ
ス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２
）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（
ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）
など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、
この他ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰ
ＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢ
ＴＺ）などのオキサゾール系、またはチアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いる
ことができる。さらに、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅ
ｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３－
ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イ
ル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジ
アゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３－（４－
ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－
トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、９－［４－（４，５－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－
トリアゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＴＡＺ１）、２
，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベン
ゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フ
ェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、
バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの
複素環化合物や、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ
，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオ
フェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２
ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニ
ル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［
４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，
ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン
－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－
ＩＩ）、及び、６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，
ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３－（３，９’－ビ－９
Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍ
ＣｚＣｚＰＤＢｑ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリ
ミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）
フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（
９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）
などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－
カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフ
ェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有
する複素環化合物や、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］
ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニ
ル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物、４，４
’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）な
どの複素芳香族化合物も用いることができる。上述した複素環化合物の中でも、トリアジ
ン骨格、ジアジン（ピリミジン、ピラジン、ピリダジン）骨格、またはピリジン骨格を有
する複素環化合物は、安定で信頼性が良好であり好ましい。また、当該骨格を有する複素
環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。また、ポリ（２，５－ピリ
ジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイ
ル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－
ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－
ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに
述べた物質は、主に１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。な
お、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
また、ホスト材料としては、以下の正孔輸送性材料を用いることができる。
正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１
×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的に
は、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体などを用い
ることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。
これら正孔輸送性の高い材料として、具体的には、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，
Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴ
ＤＰＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルア
ミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニ
ル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’
－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフ
ェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる
。
また、カルバゾール誘導体としては、具体的には、３－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノ
フェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１
）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９
－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニ
ルアミノフェニル）－Ｎ－（１－ナフチル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称
：ＰＣｚＴＰＮ２）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニ
ルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－
（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバ
ゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカ
ルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）
等を挙げることができる。
また、カルバゾール誘導体としては、他に、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェ
ニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベン
ゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－
９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェ
ニル］－２，３，５，６－テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
また、芳香族炭化水素としては、例えば、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－
ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－
ジ（１－ナフチル）アントラセン、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アン
トラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフ
ェニル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アント
ラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、
２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－
メチル－１－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，
１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０－ビス［２－（１
－ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（
１－ナフチル）アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフ
チル）アントラセン、９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－
ビアントリル、１０，１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル
、１０，１０’－ビス［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’
－ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－
テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロ
ネン等も用いることができる。このように、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度
を有し、炭素数１４乃至炭素数４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
なお、芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香
族炭化水素としては、例えば、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル
（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）フェニル］
アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
また、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェ
ニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニル
アミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（
略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス
（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることも
できる。
さらに、正孔輸送性の高い材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチ
ル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’－
ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，
４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル
）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（１－ナフ
チル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’－ＴＮＡＴＡ）、４，４
’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴ
Ａ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］
トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’
－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４
－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：
ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェ
ニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２
－イル）－Ｎ－｛９，９－ジメチル－２－［Ｎ’－フェニル－Ｎ’－（９，９－ジメチル
－９Ｈ－フルオレン－２－イル）アミノ］－９Ｈ－フルオレン－７－イル｝フェニルアミ
ン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－２－ジフェニルアミノ－９Ｈ－
フルオレン－７－イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２－［Ｎ－（４－ジフェ
ニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：
ＤＰＡＳＦ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）
トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－
フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１Ｂ
Ｐ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）
トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－
（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮ
ＢＢ）、４－フェニルジフェニル－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）ア
ミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）
－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンゼン－１，３－ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’’－トリフェニル－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（９－フェニルカルバゾール－３－イ
ル）ベンゼン－１，３，５－トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、Ｎ－（４－ビフェニル）
－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カル
バゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）
－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジ
メチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、９，９－ジメチル－Ｎ
－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フ
ルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル
－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－ア
ミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、２－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ
－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２，７－ビ
ス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－
ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フ
ェニル］－Ｎ－（４－フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－
ビス［４－（カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９，９－ジ
メチルフルオレン－２，７－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）などの芳香族アミン化合物等
を用いることができる。また、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル
－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、３－［４－（９－フェナントリル）－フェニ
ル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３，３’－ビス（９－
フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル
）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェ
ニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，６－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－
９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰｈＣｚＧＩ）、２，８－ジ（９Ｈ－カルバ
ゾール－９－イル）－ジベンゾチオフェン（略称：Ｃｚ２ＤＢＴ）、４－｛３－［３－（
９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略
称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイ
ル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、１，３，５－トリ（ジベンゾ
チオフェン－４－イル）ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４
－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン
（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－
イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）、４
－［３－（トリフェニレン－２－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴ
ＰＴｐ－ＩＩ）等のアミン化合物、カルバゾール化合物、チオフェン化合物、フラン化合
物、フルオレン化合物、トリフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いることが
できる。上述した化合物の中でも、ピロール骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、または
芳香族アミン骨格を有する化合物は、安定で信頼性が良好であり好ましい。また、当該骨
格を有する化合物は、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
なお、ホスト材料が呈する発光ピークが、燐光材料の三重項ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ ｔ
ｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の吸収帯、より具体的には、
最も長波長側の吸収帯と重なるように、ホスト材料および燐光材料を選択することが好ま
しい。これにより、発光効率が飛躍的に向上した発光素子とすることができる。ただし、
燐光材料に替えて熱活性化遅延蛍光材料を用いる場合においては、最も長波長側の吸収帯
は一重項の吸収帯であることが好ましい。
また、ホスト材料は、複数の物質を混合した材料であっても良く、混合したホスト材料
を用いる場合は、電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを混合すること
が好ましい。電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを混合することによ
って、発光層のキャリア輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御も簡便に
行うことができる。電子輸送性を有する材料と正孔輸送性を有する材料との含有量は、重
量比で、電子輸送性を有する材料：正孔輸送性を有する材料＝１：９から９：１が好まし
い。
また、これらの混合された材料同士で励起錯体を形成してもよい。当該励起錯体は、発
光材料の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成
するような組み合わせを選択することで、励起錯体から発光材料へ励起エネルギーが移動
しやすくなり、効率よく発光材料から発光を得ることができるため好ましい。また、駆動
電圧も低減することができるため好ましい。
また、発光層において、ホスト材料および発光材料以外の材料を有していても良い。ま
た、上述した材料の他、無機化合物または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポ
リマー等）を用いてもよい。
発光層の発光材料に量子ドットを用いる場合、当該発光層の膜厚は３ｎｍ乃至１００ｎ
ｍ、好ましくは１０ｎｍ乃至１００ｎｍとし、発光層中の量子ドットの含有率は１乃至１
００体積％とする。ただし、量子ドットのみで発光層を形成することが好ましい。なお、
当該量子ドットを発光材料としてホストに分散した発光層を形成する場合は、ホスト材料
に量子ドットを分散させる、またはホスト材料と量子ドットとを適当な液媒体に溶解また
は分散させてウエットプロセス（スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレード
コート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコ
ート法、ラングミュア・ブロジェット法など）により形成すればよい。燐光性の発光材料
を用いた発光層については、上記ウエットプロセスの他、真空蒸着法も好適に利用するこ
とができる。
ウエットプロセスに用いる液媒体としては、たとえば、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲ
ン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族
炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒を用いることがで
きる。
［正孔注入層、正孔輸送層］
正孔注入層４１９ＨＩＬは、正孔輸送性の高い正孔輸送層４１９ＨＴＬを介して発光層
４１９ＥＭＬ（Ｒ）、発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）、及び発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）に正孔
を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む層である。正孔輸送性
材料とアクセプター性物質を含むことで、アクセプター性物質により正孔輸送性材料から
電子が引き抜かれて正孔が発生し、正孔輸送層４１９ＨＴＬを介して発光層４１９ＥＭＬ
（Ｒ）、発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）、及び発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）に正孔が注入される
。なお、正孔輸送層４１９ＨＴＬは、正孔輸送性材料を用いて形成される。
正孔注入層４１９ＨＩＬ及び正孔輸送層４１９ＨＴＬに用いる正孔輸送性材料としては
、先に示す発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）、発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）、及び発光層４１９Ｅ
ＭＬ（Ｂ）に用いることのできる正孔輸送性材料と同様の材料を用いればよい。
また、正孔注入層４１９ＨＩＬに用いるアクセプター性物質としては、元素周期表にお
ける第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モ
リブデンが特に好ましい。
また、正孔注入層４１９ＨＩＬ及び正孔輸送層４１９ＨＴＬとしては、場合によっては
各発光層で異なる材料、または異なる膜厚としてもよい。
［電子輸送層］
電子輸送層４１９ＥＴＬとしては、先に示す発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）、発光層４１９
ＥＭＬ（Ｇ）、及び発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）に用いることのできる電子輸送性材料と同
様の材料を用いればよい。
［電子注入層］
電子注入層４１９ＥＩＬは、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層４１９
ＥＩＬには、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム
（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属
、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）の
ような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層４１９ＥＩＬにエレク
トライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウ
ムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。
また、電子注入層４１９ＥＩＬに、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してな
る複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電
子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物と
しては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上
述した電子輸送層４１９ＥＴＬを構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用い
ることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であれば
よい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム
、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。
また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カル
シウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス
塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合
物を用いることもできる。
また、電子注入層４１９ＥＩＬ及び電子輸送層４１９ＥＴＬとしては、場合によっては
各発光層で異なる材料、または異なる膜厚としてもよい。
＜２－２．表示素子の作製方法＞
次に、本発明の一態様の表示素子１２の作製方法について、図２７及び図２８を用いて
以下説明を行う。
図２７及び図２８は、本発明の一態様の表示素子１２の作製方法を説明するための断面
図である。また、以下で説明する表示素子１２の作製方法は、第１乃至第５のステップを
有する。
［第１のステップ］
第１のステップは、各発光素子の下部電極として機能する導電膜（導電膜４１７Ｒ、導
電膜４１７Ｇ、及び導電膜４１７Ｂ）と、各発光素子の導電膜の端部を覆う絶縁膜４１８
と、を形成する工程である（図２７（Ａ）参照）。
第１のステップにおいては、有機化合物を含む発光層を損傷するおそれがないため、さ
まざまな微細加工技術を適用できる。本実施の形態では、スパッタリング法を用いて、基
板４０１上に透光性の導電膜を形成し、該導電膜をパターニングし、その後、該導電膜を
島状に加工して導電膜４１７Ｒ、導電膜４１７Ｇ、及び導電膜４１７Ｂを形成する。
次に、導電膜４１７Ｒ、導電膜４１７Ｇ、及び導電膜４１７Ｂの端部を覆うように絶縁
膜４１８を形成する。なお、絶縁膜４１８は、各導電膜（導電膜４１７Ｒ、導電膜４１７
Ｇ、及び導電膜４１７Ｂ）と重なるように開口部を有する。該開口部によって露出する導
電膜が発光素子の下部電極として機能する。
本実施の形態においては、第１のステップにおいて、導電膜４１７Ｒ、４１７Ｇ、４１
７Ｂとして、ＩＴＯを用い、絶縁膜４１８としてアクリル樹脂を用いる。
なお、第１のステップの前に、基板４０１上にトランジスタ等を形成してもよい。また
、該トランジスタと、導電膜（導電膜４１７Ｒ、導電膜４１７Ｇ、及び導電膜４１７Ｂ）
とを電気的に接続させてもよい。
［第２のステップ］
第２のステップは、導電膜（導電膜４１７Ｒ、導電膜４１７Ｇ、及び導電膜４１７Ｂ）
、及び絶縁膜４１８上に正孔注入層４１９ＨＩＬ及び正孔輸送層４１９ＨＴＬを形成する
工程である（図２７（Ｂ）参照）。
第２のステップにおいて、有機化合物を蒸着することにより、正孔注入層４１９ＨＩＬ
及び正孔輸送層４１９ＨＴＬを形成する。なお、正孔注入層４１９ＨＩＬ及び正孔輸送層
４１９ＨＴＬを各発光素子で共通して用いることができるため、製造コストが抑えられ、
生産性を高められる。
［第３のステップ］
第３のステップは、シャドウマスク４８１を用いて、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）を形成
する工程である（図２７（Ｃ）参照）。
なお、シャドウマスク４８１は、開口部４８２が設けられた、厚さが数十μｍ以上の金
属等の箔または厚さが数百μｍ以上の金属等の板で形成された遮蔽板である。
第３のステップにおいて、基板４０１を蒸着装置に導入し、シャドウマスク４８１を蒸
着源（図示しない）側に配置する。その後、シャドウマスク４８１の開口部４８２を所望
の位置に配置するためのアライメントを行う。ここでは、開口部４８２を導電膜４１７Ｒ
に重なるように配置して、シャドウマスク４８１が配置された上方から、有機化合物を蒸
着することにより、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）を形成する。
［第４のステップ］
第４のステップは、正孔輸送層４１９ＨＴＬ上に発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）を形成する
工程である（図２８（Ａ）参照）。
第４のステップにおいて、基板４０１を蒸着装置に導入し、シャドウマスク４８１を蒸
着源（図示しない）側に配置する。その後、シャドウマスク４８１の開口部４８２を所望
の位置に配置するためのアライメントを行う。ここでは、開口部４８２を導電膜４１７Ｇ
に重なるように配置して、シャドウマスク４８１が配置された上方から、有機化合物を蒸
着することにより、発光層４１９ＥＭＬ（Ｇ）を形成する。
また、本発明の一態様においては、実施の形態１で説明したように、隣接する画素間の
間隙が広いため、塗り分けのマージンが広い。よって、製造歩留まりが高い表示素子とす
ることができる。
［第５のステップ］
第５のステップは、正孔輸送層４１９ＨＴＬ、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）、及び４１９
ＥＭＬ（Ｇ）上に、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）、電子輸送層４１９ＥＴＬ、電子注入層４
１９ＥＩＬ、及び導電膜４２０を形成する工程である（図２８（Ｂ）参照）。
なお、発光層４１９ＥＭＬ（Ｂ）、電子輸送層４１９ＥＴＬ、電子注入層４１９ＥＩＬ
、及び導電膜４２０を各発光素子で共通して用いることができるため、製造コストが抑え
られ、生産性を高められる。
以上の工程にて、図２６に示す表示素子１２を作製することができる。なお、本実施の
形態においては、発光素子の塗り分け工程を、発光層４１９ＥＭＬ（Ｒ）と、発光層４１
９ＥＭＬ（Ｇ）との２回とすることができる。よって、生産性の高い表示素子の作製方法
を提供できる。その結果、高精細化に伴う開口率の低下が抑制された、新規な表示素子の
作製方法を提供できる。または、生産が容易な、新規な表示素子を提供できる。
以上、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできるトランジスタにつ
いて、詳細に説明する。
なお、本実施の形態では、スタガ型（トップゲート構造）のトランジスタについて、図
２９乃至図３６を用いて説明する。
＜３－１．トランジスタの構成例１＞
図２９（Ａ）は、トランジスタ１００の上面図であり、図２９（Ｂ）は図２９（Ａ）の
一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間の断面図であり、図２９（Ｃ）は図２９（Ａ）の一点鎖線Ｙ１－Ｙ
２間の断面図である。なお、図２９（Ａ）では、明瞭化のため、絶縁膜１１０などの構成
要素を省略して図示している。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面にお
いても図２９（Ａ）と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。また、一
点鎖線Ｘ１－Ｘ２方向をチャネル長（Ｌ）方向、一点鎖線Ｙ１－Ｙ２方向をチャネル幅（
Ｗ）方向と呼称する場合がある。
図２９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００は、基板１０２上の絶縁膜１０４
と、絶縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８と、酸化物半導体膜１０８上の絶縁膜１１０
と、絶縁膜１１０上の導電膜１１２と、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８、及び導電
膜１１２上の絶縁膜１１６と、を有する。なお、酸化物半導体膜１０８は、導電膜１１２
と重なるチャネル領域１０８ｉと、絶縁膜１１６と接するソース領域１０８ｓと、絶縁膜
１１６と接するドレイン領域１０８ｄと、を有する。
また、絶縁膜１１６は、窒素または水素を有する。絶縁膜１１６と、ソース領域１０８
ｓ及びドレイン領域１０８ｄと、が接することで、絶縁膜１１６中の窒素または水素がソ
ース領域１０８ｓ及びドレイン領域１０８ｄ中に添加される。ソース領域１０８ｓ及びド
レイン領域１０８ｄは、窒素または水素が添加されることで、キャリア密度が高くなる。
また、トランジスタ１００は、絶縁膜１１６上の絶縁膜１１８と、絶縁膜１１６、１１
８に設けられた開口部１４１ａを介して、ソース領域１０８ｓに電気的に接続される導電
膜１２０ａと、絶縁膜１１６、１１８に設けられた開口部１４１ｂを介して、ドレイン領
域１０８ｄに電気的に接続される導電膜１２０ｂと、を有していてもよい。
なお、本明細書等において、絶縁膜１０４を第１の絶縁膜と、絶縁膜１１０を第２の絶
縁膜と、絶縁膜１１６を第３の絶縁膜と、絶縁膜１１８を第４の絶縁膜と、それぞれ呼称
する場合がある。また、導電膜１１２は、ゲート電極としての機能を有し、導電膜１２０
ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜１２０ｂは、ドレイン電極としての機能を
有する。
また、絶縁膜１１０は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。また、絶縁膜１１０は、
過剰酸素領域を有する。絶縁膜１１０が過剰酸素領域を有することで、酸化物半導体膜１
０８が有するチャネル領域１０８ｉ中に過剰酸素を供給することができる。よって、チャ
ネル領域１０８ｉに形成されうる酸素欠損を過剰酸素により補填することができるため、
信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
なお、酸化物半導体膜１０８中に過剰酸素を供給させるためには、酸化物半導体膜１０
８の下方に形成される絶縁膜１０４に過剰酸素を供給してもよい。ただし、この場合、絶
縁膜１０４中に含まれる過剰酸素は、酸化物半導体膜１０８が有するソース領域１０８ｓ
、及びドレイン領域１０８ｄにも供給されうる。ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域
１０８ｄ中に過剰酸素が供給されると、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄ
の抵抗が高くなる場合がある。
一方で、酸化物半導体膜１０８の上方に形成される絶縁膜１１０に過剰酸素を有する構
成とすることで、チャネル領域１０８ｉにのみ選択的に過剰酸素を供給させることが可能
となる。あるいは、チャネル領域１０８ｉ、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０
８ｄに過剰酸素を供給させたのち、ソース領域１０８ｓ及びドレイン領域１０８ｄのキャ
リア密度を選択的に高めることで、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄの抵
抗が高くなることを抑制することができる。
また、酸化物半導体膜１０８が有するソース領域１０８ｓ及びドレイン領域１０８ｄは
、それぞれ、酸素欠損を形成する元素、または酸素欠損と結合する元素を有すると好まし
い。当該酸素欠損を形成する元素、または酸素欠損と結合する元素としては、代表的には
水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、希ガス等が挙げられる
。また、希ガス元素の代表例としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及び
キセノン等がある。上記酸素欠損を形成する元素が、絶縁膜１１６中に１つまたは複数含
まれる場合、絶縁膜１１６からソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄに拡散す
る。および／または、上記酸素欠損を形成する元素は、不純物添加処理によりソース領域
１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄ中に添加される。
不純物元素が酸化物半導体膜に添加されると、酸化物半導体膜中の金属元素と酸素の結
合が切断され、酸素欠損が形成される。または、不純物元素が酸化物半導体膜に添加され
ると、酸化物半導体膜中の金属元素と結合していた酸素が不純物元素と結合し、金属元素
から酸素が脱離され、酸素欠損が形成される。これらの結果、酸化物半導体膜においてキ
ャリア密度が増加し、導電性が高くなる。
次に、図２９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す半導体装置の構成要素の詳細について説明する
。
［基板］
基板１０２としては、様々な基板を用いることができ、特定のものに限定されることは
ない。基板１０２の材料としては、実施の形態１に示す基板４０１、４５２、６５２、６
７０と同様の材料を用いることができる。
［第１の絶縁膜］
絶縁膜１０４としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、パルスレーザー堆積（
ＰＬＤ）法、印刷法、塗布法等を適宜用いて形成することができる。また、絶縁膜１０４
としては、例えば、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成すること
ができる。なお、酸化物半導体膜１０８との界面特性を向上させるため、絶縁膜１０４に
おいて少なくとも酸化物半導体膜１０８と接する領域は酸化物絶縁膜で形成することが好
ましい。また、絶縁膜１０４として加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いること
で、加熱処理により絶縁膜１０４に含まれる酸素を、酸化物半導体膜１０８に移動させる
ことが可能である。
絶縁膜１０４の厚さは、５０ｎｍ以上、または１００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、また
は２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜１０４を厚くすることで
、絶縁膜１０４の酸素放出量を増加させることができると共に、絶縁膜１０４と酸化物半
導体膜１０８との界面における界面準位、並びに酸化物半導体膜１０８のチャネル領域１
０８ｉに含まれる酸素欠損を低減することが可能である。
絶縁膜１０４として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ酸化物
などを用いればよく、単層または積層で設けることができる。本実施の形態では、絶縁膜
１０４として、窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜との積層構造を用いる。このよう
に、絶縁膜１０４を積層構造として、下層側に窒化シリコン膜を用い、上層側に酸化窒化
シリコン膜を用いることで、酸化物半導体膜１０８中に効率よく酸素を導入することがで
きる。
［酸化物半導体膜］
酸化物半導体膜１０８としては、実施の形態１に示す酸化物半導体膜４０９ａ、４０９
ｂ、４０９ｃと同様の材料を用いることができる。
［第２の絶縁膜］
絶縁膜１１０は、トランジスタ１００のゲート絶縁膜として機能する。また、絶縁膜１
１０は、酸化物半導体膜１０８、特にチャネル領域１０８ｉに酸素を供給する機能を有す
る。例えば、絶縁膜１１０としては、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層
して形成することができる。なお、酸化物半導体膜１０８との界面特性を向上させるため
、絶縁膜１１０において、酸化物半導体膜１０８と接する領域は、少なくとも酸化物絶縁
膜を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１１０として、例えば酸化シリコン、酸化窒
化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いればよい。
また、絶縁膜１１０の厚さは、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または５ｎｍ以上３００ｎ
ｍ以下、または１０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とすることができる。
また、絶縁膜１１０は、欠陥が少ないことが好ましく、代表的には、電子スピン共鳴法
（ＥＳＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）で観察されるシグナルが
少ない方が好ましい。例えば、上述のシグナルとしては、ｇ値が２．００１に観察される
Ｅ’センターに起因するシグナルが挙げられる。なお、Ｅ’センターは、シリコンのダン
グリングボンドに起因する。絶縁膜１１０としては、Ｅ’センター起因のスピン密度が、
３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下
である酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜を用いればよい。
また、絶縁膜１１０には、上述のシグナル以外に二酸化窒素（ＮＯ２）に起因するシグ
ナルが観察される場合がある。当該シグナルは、Ｎの核スピンにより３つのシグナルに分
裂しており、それぞれのｇ値が２．０３７以上２．０３９以下（第１のシグナルとする）
、ｇ値が２．００１以上２．００３以下（第２のシグナルとする）、及びｇ値が１．９６
４以上１．９６６以下（第３のシグナルとする）に観察される。
例えば、絶縁膜１１０として、二酸化窒素（ＮＯ２）に起因するシグナルのスピン密度
が、１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満である絶
縁膜を用いると好適である。
なお、二酸化窒素（ＮＯ２）などの窒素酸化物（ＮＯｘ）は、絶縁膜１１０中に準位を
形成する。当該準位は、酸化物半導体膜１０８のエネルギーギャップ内に位置する。その
ため、窒素酸化物（ＮＯｘ）が、絶縁膜１１０及び酸化物半導体膜１０８の界面に拡散す
ると、当該準位が絶縁膜１１０側において電子をトラップする場合がある。この結果、ト
ラップされた電子が、絶縁膜１１０及び酸化物半導体膜１０８界面近傍に留まるため、ト
ランジスタのしきい値電圧をプラス方向にシフトさせてしまう。したがって、絶縁膜１１
０としては、窒素酸化物の含有量が少ない膜を用いると、トランジスタのしきい値電圧の
シフトを低減することができる。
窒素酸化物（ＮＯｘ）の放出量が少ない絶縁膜としては、例えば、酸化窒化シリコン膜
を用いることができる。当該酸化窒化シリコン膜は、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈ
ｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）において、窒素酸化物
（ＮＯｘ）の放出量よりアンモニアの放出量が多い膜であり、代表的にはアンモニアの放
出量が１×１０１８個／ｃｍ３以上５×１０１９個／ｃｍ３以下である。なお、上記のア
ンモニアの放出量は、ＴＤＳにおける加熱処理の温度が５０℃以上６５０℃以下、または
５０℃以上５５０℃以下の範囲での総量である。
窒素酸化物（ＮＯｘ）は、加熱処理においてアンモニア及び酸素と反応するため、アン
モニアの放出量が多い絶縁膜を用いることで窒素酸化物（ＮＯｘ）が低減される。
なお、絶縁膜１１０をＳＩＭＳで分析した場合、膜中の窒素濃度が６×１０２０ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下であると好ましい。
また、絶縁膜１１０として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加され
たハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアルミネ
ート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウムなどのｈｉｇｈ－ｋ材料を用いてもよい。
当該ｈｉｇｈ－ｋ材料を用いることでトランジスタのゲートリークを低減できる。
［第３の絶縁膜］
絶縁膜１１６は、窒素または水素を有する。また、絶縁膜１１６は、フッ素を有してい
てもよい。絶縁膜１１６としては、例えば、窒化物絶縁膜が挙げられる。該窒化物絶縁膜
としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化フッ化シリコン、
フッ化窒化シリコン等を用いて形成することができる。絶縁膜１１６に含まれる水素濃度
は、１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であると好ましい。また、絶縁膜１１６は、酸
化物半導体膜１０８のソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄと接する。したが
って、絶縁膜１１６と接するソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄ中の不純物
（窒素または水素）濃度が高くなり、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄの
キャリア密度を高めることができる。
［第４の絶縁膜］
絶縁膜１１８としては、酸化物絶縁膜を用いることができる。また、絶縁膜１１８とし
ては、酸化物絶縁膜と、窒化物絶縁膜との積層膜を用いることができる。絶縁膜１１８と
して、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、
酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ酸化物などを用いればよい。
また、絶縁膜１１８としては、外部からの水素、水等のバリア膜として機能する膜であ
ることが好ましい。
絶縁膜１１８の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、または１００ｎｍ以上４００ｎ
ｍ以下とすることができる。
［導電膜］
導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂとしては、スパッタリング法、真空蒸着法、パルス
レーザー堆積（ＰＬＤ）法、熱ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。また、導電膜
１１２、１２０ａ、１２０ｂとしては、実施の形態１に示す導電膜４０２、４０３ａ、４
０３ｂ、４０３ｃ、４０５ａ、４０５ｂ、４０５ｃ、４０５ｄ、４０７ａ、４０７ｂ、４
０７ｃ、４０７ｄ、４０７ｅ、４１１ａ、４１１ｂ、４１１ｃ、４１４ａ、４１４ｂ、４
１４ｃ、４１４ｄ、４１４ｅ、４１４ｆ、４１４ｇ、４１４ｈ、４１７、４２０、６０８
と同様の材料を用いることができる。
また、導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂは、ＩＴＯ、酸化タングステンを含むインジ
ウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウ
ム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＩＴＳＯ等の
透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材
料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
なお、導電膜１１２として、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物に代表される酸化物半導体を用い
てよい。当該酸化物半導体は、絶縁膜１１６から窒素または水素が供給されることで、キ
ャリア密度が高くなる。別言すると、酸化物半導体は、酸化物導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ
Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）として機能する。したがって、酸化物半導体は、ゲート電極とし
て用いることができる。
例えば、導電膜１１２としては、酸化物導電体（ＯＣ）の単層構造、金属膜の単層構造
、または酸化物導電体（ＯＣ）と、金属膜との積層構造等が挙げられる。
なお、導電膜１１２として、遮光性を有する金属膜の単層構造、または酸化物導電体（
ＯＣ）と遮光性を有する金属膜との積層構造を用いる場合、導電膜１１２の下方に形成さ
れるチャネル領域１０８ｉを遮光することができるため、好適である。また、導電膜１１
２として、酸化物半導体または酸化物導電体（ＯＣ）と、遮光性を有する金属膜との積層
構造を用いる場合、酸化物半導体または酸化物導電体（ＯＣ）上に、金属膜（例えば、チ
タン膜、タングステン膜など）を形成することで、金属膜中の構成元素が酸化物半導体ま
たは酸化物導電体（ＯＣ）側に拡散し低抵抗化する、金属膜の成膜時のダメージ（例えば
、スパッタリングダメージなど）により低抵抗化する、あるいは金属膜中に酸化物半導体
または酸化物導電体（ＯＣ）中の酸素が拡散することで、酸素欠損が形成され低抵抗化す
る。
導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂの厚さとしては、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、ま
たは１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。
＜３－２．トランジスタの構成例２＞
次に、図２９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタと異なる構成について、図３０（
Ａ）（Ｂ）（Ｃ）を用いて説明する。
図３０（Ａ）は、トランジスタ１００Ａの上面図であり、図３０（Ｂ）は図３０（Ａ）
の一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間の断面図であり、図３０（Ｃ）は図３０（Ａ）の一点鎖線Ｙ１－
Ｙ２間の断面図である。
図３０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａは、基板１０２上の導電膜１０
６と、導電膜１０６上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８と、酸
化物半導体膜１０８上の絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０上の導電膜１１２と、絶縁膜１０
４、酸化物半導体膜１０８、及び導電膜１１２上の絶縁膜１１６と、を有する。なお、酸
化物半導体膜１０８は、導電膜１１２と重なるチャネル領域１０８ｉと、絶縁膜１１６と
接するソース領域１０８ｓと、絶縁膜１１６と接するドレイン領域１０８ｄと、を有する
。
トランジスタ１００Ａは、先に示すトランジスタ１００の構成に加え、導電膜１０６と
、開口部１４３と、を有する。
なお、開口部１４３は、絶縁膜１０４、１１０に設けられる。また、導電膜１０６は、
開口部１４３を介して、導電膜１１２と、電気的に接続される。よって、導電膜１０６と
導電膜１１２には、同じ電位が与えられる。なお、開口部１４３を設けずに、導電膜１０
６と、導電膜１１２と、に異なる電位を与えてもよい。または、開口部１４３を設けずに
、導電膜１０６を遮光膜として用いてもよい。例えば、導電膜１０６を遮光性の材料によ
り形成することで、チャネル領域１０８ｉに照射される下方からの光を抑制することがで
きる。
また、トランジスタ１００Ａの構成とする場合、導電膜１０６は、第１のゲート電極（
ボトムゲート電極ともいう）としての機能を有し、導電膜１１２は、第２のゲート電極（
トップゲート電極ともいう）としての機能を有する。また、絶縁膜１０４は、第１のゲー
ト絶縁膜としての機能を有し、絶縁膜１１０は、第２のゲート絶縁膜としての機能を有す
る。
導電膜１０６としては、先に記載の導電膜１１２、１２０ａ、１２０ｂと同様の材料を
用いることができる。特に導電膜１０６として、銅を含む材料により形成することで抵抗
を低くすることができるため好適である。例えば、導電膜１０６を窒化チタン膜、窒化タ
ンタル膜、またはタングステン膜上に銅膜を設ける積層構造とし、導電膜１２０ａ、１２
０ｂを窒化チタン膜、窒化タンタル膜、またはタングステン膜上に銅膜を設ける積層構造
とすると好適である。この場合、トランジスタ１００Ａを表示装置の画素トランジスタ及
び駆動トランジスタのいずれか一方または双方に用いることで、導電膜１０６と導電膜１
２０ａとの間に生じる寄生容量、及び導電膜１０６と導電膜１２０ｂとの間に生じる寄生
容量を低くすることができる。したがって、導電膜１０６、導電膜１２０ａ、及び導電膜
１２０ｂを、トランジスタ１００Ａの第１のゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極
として用いるのみならず、表示装置の電源供給用の配線、信号供給用の配線、または接続
用の配線等に用いる事も可能となる。
このように、図３０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａは、先に説明した
トランジスタ１００と異なり、酸化物半導体膜１０８の上下にゲート電極として機能する
導電膜を有する構造である。トランジスタ１００Ａに示すように、本発明の一態様の半導
体装置には、複数のゲート電極を設けてもよい。
また、図３０（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜１０８は、第１のゲート電極として
機能する導電膜１０６と、第２のゲート電極として機能する導電膜１１２のそれぞれと対
向するように位置し、２つのゲート電極として機能する導電膜に挟まれている。
また、導電膜１１２のチャネル幅方向の長さは、酸化物半導体膜１０８のチャネル幅方
向の長さよりも長く、酸化物半導体膜１０８のチャネル幅方向全体は、絶縁膜１１０を介
して導電膜１１２に覆われている。また、導電膜１１２と導電膜１０６とは、絶縁膜１０
４、及び絶縁膜１１０に設けられる開口部１４３において接続されるため、酸化物半導体
膜１０８のチャネル幅方向の側面の一方は、絶縁膜１１０を介して導電膜１１２と対向し
ている。
別言すると、トランジスタ１００Ａのチャネル幅方向において、導電膜１０６及び導電
膜１１２は、絶縁膜１０４、及び絶縁膜１１０に設けられる開口部１４３において接続す
ると共に、絶縁膜１０４、及び絶縁膜１１０を介して酸化物半導体膜１０８を取り囲む構
成である。
このような構成を有することで、トランジスタ１００Ａに含まれる酸化物半導体膜１０
８を、第１のゲート電極として機能する導電膜１０６及び第２のゲート電極として機能す
る導電膜１１２の電界によって電気的に取り囲むことができる。トランジスタ１００Ａの
ように、第１のゲート電極及び第２のゲート電極の電界によって、チャネル領域が形成さ
れる酸化物半導体膜１０８を電気的に取り囲むトランジスタのデバイス構造をＳｕｒｒｏ
ｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。
トランジスタ１００Ａは、Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、導電膜１０６または
導電膜１１２によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に酸化物半導体膜１０８
に印加することができるため、トランジスタ１００Ａの電流駆動能力が向上し、高いオン
電流特性を得ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、ト
ランジスタ１００Ａを微細化することが可能となる。また、トランジスタ１００Ａは、酸
化物半導体膜１０８が導電膜１０６、及び導電膜１１２によって取り囲まれた構造を有す
るため、トランジスタ１００Ａの機械的強度を高めることができる。
なお、トランジスタ１００Ａのチャネル幅方向において、酸化物半導体膜１０８の開口
部１４３が形成されていない側に、開口部１４３と異なる開口部を形成してもよい。
また、トランジスタ１００Ａに示すように、トランジスタが、半導体膜を間に挟んで存
在する一対のゲート電極を有している場合、一方のゲート電極には信号Ａが、他方のゲー
ト電極には固定電位Ｖｂが与えられてもよい。また、一方のゲート電極には信号Ａが、他
方のゲート電極には信号Ｂが与えられてもよい。また、一方のゲート電極には固定電位Ｖ
ａが、他方のゲート電極には固定電位Ｖｂが与えられてもよい。
信号Ａは、例えば、導通状態または非導通状態を制御するための信号である。信号Ａは
、電位Ｖ１、または電位Ｖ２（Ｖ１＞Ｖ２とする）の２種類の電位をとるデジタル信号で
あってもよい。例えば、電位Ｖ１を高電源電位とし、電位Ｖ２を低電源電位とすることが
できる。信号Ａは、アナログ信号であってもよい。
固定電位Ｖｂは、例えば、トランジスタのしきい値電圧ＶｔｈＡを制御するための電位
である。固定電位Ｖｂは、電位Ｖ１、または電位Ｖ２であってもよい。この場合、固定電
位Ｖｂを生成するための電位発生回路を、別途設ける必要がなく好ましい。固定電位Ｖｂ
は、電位Ｖ１、または電位Ｖ２と異なる電位であってもよい。固定電位Ｖｂを低くするこ
とで、しきい値電圧ＶｔｈＡを高くできる場合がある。その結果、ゲートーソース間電圧
Ｖｇｓが０Ｖのときのドレイン電流を低減し、トランジスタを有する回路のリーク電流を
低減できる場合がある。例えば、固定電位Ｖｂを低電源電位よりも低くしてもよい。一方
で、固定電位Ｖｂを高くすることで、しきい値電圧ＶｔｈＡを低くできる場合がある。そ
の結果、ゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが高電源電位のときのドレイン電流を向上させ、ト
ランジスタを有する回路の動作速度を向上できる場合がある。例えば、固定電位Ｖｂを低
電源電位よりも高くしてもよい。
信号Ｂは、例えば、導通状態または非導通状態を制御するための信号である。信号Ｂは
、電位Ｖ３、または電位Ｖ４（Ｖ３＞Ｖ４とする）の２種類の電位をとるデジタル信号で
あってもよい。例えば、電位Ｖ３を高電源電位とし、電位Ｖ４を低電源電位とすることが
できる。信号Ｂは、アナログ信号であってもよい。
信号Ａと信号Ｂが共にデジタル信号である場合、信号Ｂは、信号Ａと同じデジタル値を
持つ信号であってもよい。この場合、トランジスタのオン電流を向上し、トランジスタを
有する回路の動作速度を向上できる場合がある。このとき、信号Ａにおける電位Ｖ１及び
電位Ｖ２は、信号Ｂにおける電位Ｖ３及び電位Ｖ４と、異なっていても良い。例えば、信
号Ｂが入力されるゲートに対応するゲート絶縁膜が、信号Ａが入力されるゲートに対応す
るゲート絶縁膜よりも厚い場合、信号Ｂの電位振幅（Ｖ３－Ｖ４）を、信号Ａの電位振幅
（Ｖ１－Ｖ２）より大きくしても良い。そうすることで、トランジスタの導通状態または
非導通状態に対して、信号Ａが与える影響と、信号Ｂが与える影響と、を同程度とするこ
とができる場合がある。
信号Ａと信号Ｂが共にデジタル信号である場合、信号Ｂは、信号Ａと異なるデジタル値
を持つ信号であってもよい。この場合、トランジスタの制御を信号Ａと信号Ｂによって別
々に行うことができ、より高い機能を実現できる場合がある。例えば、トランジスタがｎ
チャネル型である場合、信号Ａが電位Ｖ１であり、かつ、信号Ｂが電位Ｖ３である場合の
み導通状態となる場合や、信号Ａが電位Ｖ２であり、かつ、信号Ｂが電位Ｖ４である場合
のみ非導通状態となる場合には、一つのトランジスタでＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路等の機
能を実現できる場合がある。また、信号Ｂは、しきい値電圧ＶｔｈＡを制御するための信
号であってもよい。例えば、信号Ｂは、トランジスタを有する回路が動作している期間と
、当該回路が動作していない期間と、で電位が異なる信号であっても良い。信号Ｂは、回
路の動作モードに合わせて電位が異なる信号であってもよい。この場合、信号Ｂは信号Ａ
ほど頻繁には電位が切り替わらない場合がある。
信号Ａと信号Ｂが共にアナログ信号である場合、信号Ｂは、信号Ａと同じ電位のアナロ
グ信号、信号Ａの電位を定数倍したアナログ信号、または、信号Ａの電位を定数だけ加算
もしくは減算したアナログ信号等であってもよい。この場合、トランジスタのオン電流が
向上し、トランジスタを有する回路の動作速度を向上できる場合がある。信号Ｂは、信号
Ａと異なるアナログ信号であってもよい。この場合、トランジスタの制御を信号Ａと信号
Ｂによって別々に行うことができ、より高い機能を実現できる場合がある。
信号Ａがデジタル信号であり、信号Ｂがアナログ信号であってもよい。または信号Ａが
アナログ信号であり、信号Ｂがデジタル信号であってもよい。
トランジスタの両方のゲート電極に固定電位を与える場合、トランジスタを、抵抗素子
と同等の素子として機能させることができる場合がある。例えば、トランジスタがｎチャ
ネル型である場合、固定電位Ｖａまたは固定電位Ｖｂを高く（低く）することで、トラン
ジスタの実効抵抗を低く（高く）することができる場合がある。固定電位Ｖａ及び固定電
位Ｖｂを共に高く（低く）することで、一つのゲートしか有さないトランジスタによって
得られる実効抵抗よりも低い（高い）実効抵抗が得られる場合がある。
なお、トランジスタ１００Ａのその他の構成は、先に示すトランジスタ１００と同様で
あり、同様の効果を奏する。
＜３－３．トランジスタの構成例３＞
次に、図３０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタと異なる構成について、図３１乃
至図３６を用いて説明する。
図３１（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｆの断面図であり、図３２（Ａ）（Ｂ）は
、トランジスタ１００Ｇの断面図であり、図３３（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｈ
の断面図であり、図３４（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｊの断面図であり、図３５
（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ１００Ｋの断面図である。なお、トランジスタ１００Ｆ、
トランジスタ１００Ｇ、トランジスタ１００Ｈ、トランジスタ１００Ｊ、及びトランジス
タ１００Ｋの上面図としては、図３０（Ａ）に示すトランジスタ１００Ａと同様であるた
め、ここでの説明は省略する。
トランジスタ１００Ｆ、トランジスタ１００Ｇ、トランジスタ１００Ｈ、トランジスタ
１００Ｊ、及びトランジスタ１００Ｋは、先に示すトランジスタ１００Ａと酸化物半導体
膜１０８の構造が異なる。それ以外の構成については、先に示すトランジスタ１００Ａと
同様の構成であり、同様の効果を奏する。
図３１（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｆが有する酸化物半導体膜１０８は、絶
縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８＿１と、酸化物半導体膜１０８＿１上の酸化物半導
体膜１０８＿２と、酸化物半導体膜１０８＿２上の酸化物半導体膜１０８＿３と、を有す
る。また、チャネル領域１０８ｉ、ソース領域１０８ｓ、及びドレイン領域１０８ｄは、
それぞれ、酸化物半導体膜１０８＿１、酸化物半導体膜１０８＿２、及び酸化物半導体膜
１０８＿３の３層の積層構造である。
図３２（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｇが有する酸化物半導体膜１０８は、絶
縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８＿２と、酸化物半導体膜１０８＿２上の酸化物半導
体膜１０８＿３と、を有する。また、チャネル領域１０８ｉ、ソース領域１０８ｓ、及び
ドレイン領域１０８ｄは、それぞれ、酸化物半導体膜１０８＿２、及び酸化物半導体膜１
０８＿３の２層の積層構造である。
図３３（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｈが有する酸化物半導体膜１０８は、絶
縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８＿１と、酸化物半導体膜１０８＿１上の酸化物半導
体膜１０８＿２と、を有する。また、チャネル領域１０８ｉ、ソース領域１０８ｓ、及び
ドレイン領域１０８ｄは、それぞれ、酸化物半導体膜１０８＿１、及び酸化物半導体膜１
０８＿２の２層の積層構造である。
図３４（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｊが有する酸化物半導体膜１０８は、絶
縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８＿１と、酸化物半導体膜１０８＿１上の酸化物半導
体膜１０８＿２と、酸化物半導体膜１０８＿２上の酸化物半導体膜１０８＿３と、を有す
る。また、チャネル領域１０８ｉは、酸化物半導体膜１０８＿１、酸化物半導体膜１０８
＿２、及び酸化物半導体膜１０８＿３の３層の積層構造であり、ソース領域１０８ｓ、及
びドレイン領域１０８ｄは、それぞれ、酸化物半導体膜１０８＿１、及び酸化物半導体膜
１０８＿２の２層の積層構造である。なお、トランジスタ１００Ｊのチャネル幅（Ｗ）方
向の断面において、酸化物半導体膜１０８＿３が、酸化物半導体膜１０８＿１及び酸化物
半導体膜１０８＿２の側面を覆う。
図３５（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００Ｋが有する酸化物半導体膜１０８は、絶
縁膜１０４上の酸化物半導体膜１０８＿２と、酸化物半導体膜１０８＿２上の酸化物半導
体膜１０８＿３と、を有する。また、チャネル領域１０８ｉは、酸化物半導体膜１０８＿
２、及び酸化物半導体膜１０８＿３の２層の積層構造であり、ソース領域１０８ｓ、及び
ドレイン領域１０８ｄは、それぞれ、酸化物半導体膜１０８＿２の単層構造である。なお
、トランジスタ１００Ｋのチャネル幅（Ｗ）方向の断面において、酸化物半導体膜１０８
＿３が、酸化物半導体膜１０８＿２の側面を覆う。
チャネル領域１０８ｉのチャネル幅（Ｗ）方向の側面またはその近傍においては、加工
におけるダメージにより欠陥（例えば、酸素欠損）が形成されやすい、あるいは不純物の
付着により汚染されやすい。そのため、チャネル領域１０８ｉが実質的に真性であっても
、電界などのストレスが印加されることによって、チャネル領域１０８ｉのチャネル幅（
Ｗ）方向の側面またはその近傍が活性化され、低抵抗（ｎ型）領域となりやすい。また、
チャネル領域１０８ｉのチャネル幅（Ｗ）方向の側面またはその近傍がｎ型領域の場合、
当該ｎ型領域がキャリアのパスとなるため、寄生チャネルが形成される場合がある。
そこで、トランジスタ１００Ｊ、及びトランジスタ１００Ｋにおいては、チャネル領域
１０８ｉを積層構造とし、チャネル領域１０８ｉのチャネル幅（Ｗ）方向の側面を、積層
構造の一方の層で覆う構成とする。当該構成とすることで、チャネル領域１０８ｉの側面
またはその近傍の欠陥を抑制する、あるいはチャネル領域１０８ｉの側面またはその近傍
への不純物の付着を低減することが可能となる。
＜３－４．バンド構造＞
ここで、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３、及び絶
縁膜１１０のバンド構造、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿２、１０８＿３、及び
絶縁膜１１０のバンド構造、並びに絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿
２、及び絶縁膜１１０のバンド構造について、図３６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）を用いて説明す
る。なお、図３６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、チャネル領域１０８ｉにおけるバンド構造であ
る。
図３６（Ａ）は、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３
、及び絶縁膜１１０を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。また、図３
６（Ｂ）は、絶縁膜１０４、酸化物半導体膜１０８＿２、１０８＿３、及び絶縁膜１１０
を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。また、図３６（Ｃ）は、絶縁膜
１０４、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、及び絶縁膜１１０を有する積層構造の
膜厚方向のバンド構造の一例である。なお、バンド構造は、理解を容易にするため絶縁膜
１０４、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３、及び絶縁膜１１０の伝導
帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）を示す。
また、図３６（Ａ）は、絶縁膜１０４、１１０として酸化シリコン膜を用い、酸化物半
導体膜１０８＿１として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化
物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿２とし
て金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属酸化物ターゲットを用
いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿３として金属元素の原子
数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物
半導体膜を用いる構成のバンド図である。
また、図３６（Ｂ）は、絶縁膜１０４、１１０として酸化シリコン膜を用い、酸化物半
導体膜１０８＿２として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属
酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿３
として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用
いて形成される酸化物半導体膜を用いる構成のバンド図である。
また、図３６（Ｃ）は、絶縁膜１０４、１１０として酸化シリコン膜を用い、酸化物半
導体膜１０８＿１として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化
物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿２とし
て金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属酸化物ターゲットを用
いて形成される酸化物半導体膜を用いる構成のバンド図である。
図３６（Ａ）に示すように、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３にお
いて、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。また、図３６（Ｂ）に示すよ
うに、酸化物半導体膜１０８＿２、１０８＿３において、伝導帯下端のエネルギー準位は
なだらかに変化する。また、図３６（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜１０８＿１、１
０８＿２において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、連
続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようなバンド構造を有するた
めには、酸化物半導体膜１０８＿１と酸化物半導体膜１０８＿２との界面、または酸化物
半導体膜１０８＿２と酸化物半導体膜１０８＿３との界面において、トラップ中心や再結
合中心のような欠陥準位を形成するような不純物が存在しないとする。
酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３に連続接合を形成するためには、
ロードロック室を備えたマルチチャンバー方式の成膜装置（スパッタリング装置）を用い
て各膜を大気に触れさせることなく連続して積層することが必要となる。
図３６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す構成とすることで酸化物半導体膜１０８＿２がウェル
（井戸）となり、上記積層構造を用いたトランジスタにおいて、チャネル領域が酸化物半
導体膜１０８＿２に形成されることがわかる。
なお、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３を設けることにより、トラップ準位を酸
化物半導体膜１０８＿２より遠ざけることができる。
また、トラップ準位がチャネル領域として機能する酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯
下端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真空準位から遠くなることがあり、トラップ準位に電
子が蓄積しやすくなってしまう。トラップ準位に電子が蓄積されることで、マイナスの固
定電荷となり、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。したがっ
て、トラップ準位が酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）よ
り真空準位に近くなるような構成にすると好ましい。このようにすることで、トラップ準
位に電子が蓄積しにくくなり、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると
共に、電界効果移動度を高めることができる。
また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、酸化物半導体膜１０８＿２よりも伝
導帯下端のエネルギー準位が真空準位に近く、代表的には、酸化物半導体膜１０８＿２の
伝導帯下端のエネルギー準位と、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３の伝導帯下端の
エネルギー準位との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、
または１ｅＶ以下である。すなわち、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３の電子親和
力と、酸化物半導体膜１０８＿２の電子親和力との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．
５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。
このような構成を有することで、酸化物半導体膜１０８＿２が主な電流経路となる。す
なわち、酸化物半導体膜１０８＿２は、チャネル領域としての機能を有し、酸化物半導体
膜１０８＿１、１０８＿３は、酸化物絶縁膜としての機能を有する。また、酸化物半導体
膜１０８＿１、１０８＿３は、チャネル領域が形成される酸化物半導体膜１０８＿２を構
成する金属元素の一種以上から構成される酸化物半導体膜を用いると好ましい。このよう
な構成とすることで、酸化物半導体膜１０８＿１と酸化物半導体膜１０８＿２との界面、
または酸化物半導体膜１０８＿２と酸化物半導体膜１０８＿３との界面において、界面散
乱が起こりにくい。従って、該界面においてはキャリアの動きが阻害されないため、トラ
ンジスタの電界効果移動度が高くなる。
また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、チャネル領域の一部として機能する
ことを防止するため、導電率が十分に低い材料を用いるものとする。そのため、酸化物半
導体膜１０８＿１、１０８＿３を、その物性及び／または機能から、それぞれ酸化物絶縁
膜とも呼べる。または、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３には、電子親和力（真空
準位と伝導帯下端のエネルギー準位との差）が酸化物半導体膜１０８＿２よりも小さく、
伝導帯下端のエネルギー準位が酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯下端エネルギー準位と
差分（バンドオフセット）を有する材料を用いるものとする。また、ドレイン電圧の大き
さに依存したしきい値電圧の差が生じることを抑制するためには、酸化物半導体膜１０８
＿１、１０８＿３の伝導帯下端のエネルギー準位が、酸化物半導体膜１０８＿２の伝導帯
下端のエネルギー準位よりも真空準位に近い材料を用いると好適である。例えば、酸化物
半導体膜１０８＿２の伝導帯下端のエネルギー準位と、酸化物半導体膜１０８＿１、１０
８＿３の伝導帯下端のエネルギー準位との差が、０．２ｅＶ以上、好ましくは０．５ｅＶ
以上とすることが好ましい。
また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３は、膜中にスピネル型の結晶構造が含ま
れないことが好ましい。酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３の膜中にスピネル型の結
晶構造を含む場合、該スピネル型の結晶構造と他の領域との界面において、導電膜１２０
ａ、１２０ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８＿２へ拡散してしまう場合がある。なお
、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３が後述するＣＡＡＣ－ＯＳである場合、導電膜
１２０ａ、１２０ｂの構成元素、例えば、銅元素のブロッキング性が高くなり好ましい。
また、本実施の形態においては、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、金属
元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成さ
れる酸化物半導体膜を用いる構成について例示したが、これに限定されない。例えば、酸
化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比
］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［
原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：６［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：４：
５［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：５：６［原子数比］、またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ
＝１：１０：１［原子数比］の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜
を用いてもよい。あるいは、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、金属元素の
原子数比をＧａ：Ｚｎ＝１０：１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導
体膜を用いてもよい。この場合、酸化物半導体膜１０８＿２として金属元素の原子数比を
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体
膜を用い、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として金属元素の原子数比をＧａ：Ｚ
ｎ＝１０：１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用いると、酸
化物半導体膜１０８＿２の伝導帯下端のエネルギー準位と、酸化物半導体膜１０８＿１、
１０８＿３の伝導帯下端のエネルギー準位との差を０．６ｅＶ以上とすることができるた
め好適である。
なお、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１
［原子数比］の金属酸化物ターゲットを用いる場合、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８
＿３は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：β１（０＜β１≦２）：β２（０＜β２≦２）となる場
合がある。また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１
：３：４［原子数比］の金属酸化物ターゲットを用いる場合、酸化物半導体膜１０８＿１
、１０８＿３は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：β３（１≦β３≦５）：β４（２≦β４≦６）
となる場合がある。また、酸化物半導体膜１０８＿１、１０８＿３として、Ｉｎ：Ｇａ：
Ｚｎ＝１：３：６［原子数比］の金属酸化物ターゲットを用いる場合、酸化物半導体膜１
０８＿１、１０８＿３は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：β５（１≦β５≦５）：β６（４≦β
６≦８）となる場合がある。
以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み
合わせて用いることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできるトランジスタにつ
いて、詳細に説明する。
なお、本実施の形態では、逆スタガ型のトランジスタについて、図３７乃至図４１を用
いて説明する。
＜４－１．トランジスタの構成例１＞
図３７（Ａ）は、トランジスタ３００Ａの上面図であり、図３７（Ｂ）は、図３７（Ａ
）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図３７（Ｃ）は、図３
７（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１－Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。なお、図３７
（Ａ）において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ３００Ａの構成要素の一部
（ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等）を省略して図示している。また、一点鎖線Ｘ１
－Ｘ２方向をチャネル長方向、一点鎖線Ｙ１－Ｙ２方向をチャネル幅方向と呼称する場合
がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図３７（Ａ）と
同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
トランジスタ３００Ａは、基板３０２上のゲート電極として機能する導電膜３０４と、
基板３０２及び導電膜３０４上の絶縁膜３０６と、絶縁膜３０６上の絶縁膜３０７と、絶
縁膜３０７上の酸化物半導体膜３０８と、酸化物半導体膜３０８に電気的に接続されるソ
ース電極として機能する導電膜３１２ａと、酸化物半導体膜３０８に電気的に接続される
ドレイン電極として機能する導電膜３１２ｂと、を有する。また、トランジスタ３００Ａ
上、より詳しくは、導電膜３１２ａ、３１２ｂ及び酸化物半導体膜３０８上には絶縁膜３
１４、３１６、及び絶縁膜３１８が設けられる。絶縁膜３１４、３１６、３１８は、トラ
ンジスタ３００Ａの保護絶縁膜としての機能を有する。
＜４－２．トランジスタの構成例２＞
図３８（Ａ）は、トランジスタ３００Ｂの上面図であり、図３８（Ｂ）は、図３８（Ａ
）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図３８（Ｃ）は、図３
８（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１－Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
トランジスタ３００Ｂは、基板３０２上のゲート電極として機能する導電膜３０４と、
基板３０２及び導電膜３０４上の絶縁膜３０６と、絶縁膜３０６上の絶縁膜３０７と、絶
縁膜３０７上の酸化物半導体膜３０８と、酸化物半導体膜３０８上の絶縁膜３１４と、絶
縁膜３１４上の絶縁膜３１６と、絶縁膜３１４及び絶縁膜３１６に設けられる開口部３４
１ａを介して酸化物半導体膜３０８に電気的に接続されるソース電極として機能する導電
膜３１２ａと、絶縁膜３１４及び絶縁膜３１６に設けられる開口部３４１ｂを介して酸化
物半導体膜３０８に電気的に接続されるドレイン電極として機能する導電膜３１２ｂと、
を有する。また、トランジスタ３００Ｂ上、より詳しくは、導電膜３１２ａ、３１２ｂ、
及び絶縁膜３１６上には絶縁膜３１８が設けられる。絶縁膜３１４及び絶縁膜３１６は、
酸化物半導体膜３０８の保護絶縁膜としての機能を有する。絶縁膜３１８は、トランジス
タ３００Ｂの保護絶縁膜としての機能を有する。
トランジスタ３００Ａにおいては、チャネルエッチ型の構造であったのに対し、図３８
（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ３００Ｂは、チャネル保護型の構造である。
＜４－３．トランジスタの構成例３＞
図３９（Ａ）は、トランジスタ３００Ｃの上面図であり、図３９（Ｂ）は、図３９（Ａ
）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図３９（Ｃ）は、図３
９（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１－Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
トランジスタ３００Ｃは、図３８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ３００Ｂと絶
縁膜３１４、３１６の形状が相違する。具体的には、トランジスタ３００Ｃの絶縁膜３１
４、３１６は、酸化物半導体膜３０８のチャネル領域上に島状に設けられる。その他の構
成は、トランジスタ３００Ｂと同様である。
＜４－４．トランジスタの構成例４＞
図４０（Ａ）は、トランジスタ３００Ｄの上面図であり、図４０（Ｂ）は、図４０（Ａ
）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図４０（Ｃ）は、図４
０（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１－Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
トランジスタ３００Ｄは、基板３０２上の第１のゲート電極として機能する導電膜３０
４と、基板３０２及び導電膜３０４上の絶縁膜３０６と、絶縁膜３０６上の絶縁膜３０７
と、絶縁膜３０７上の酸化物半導体膜３０８と、酸化物半導体膜３０８上の絶縁膜３１４
と、絶縁膜３１４上の絶縁膜３１６と、酸化物半導体膜３０８に電気的に接続されるソー
ス電極として機能する導電膜３１２ａと、酸化物半導体膜３０８に電気的に接続されるド
レイン電極として機能する導電膜３１２ｂと、導電膜３１２ａ、３１２ｂ及び絶縁膜３１
６上の絶縁膜３１８と、絶縁膜３１８上の導電膜３２０ａ、３２０ｂと、を有する。
また、トランジスタ３００Ｄにおいて、絶縁膜３１４、３１６、３１８は、トランジス
タ３００Ｄの第２のゲート絶縁膜としての機能を有する。また、トランジスタ３００Ｄに
おいて、導電膜３２０ａは、表示装置に用いる画素電極としての機能を有する。また、導
電膜３２０ａは、絶縁膜３１４、３１６、３１８に設けられる開口部３４２ｃを介して、
導電膜３１２ｂと接続される。また、トランジスタ３００Ｄにおいて、導電膜３２０ｂは
、第２のゲート電極（バックゲート電極ともいう）として機能する。
また、図４０（Ｃ）に示すように導電膜３２０ｂは、絶縁膜３０６、３０７、３１４、
３１６、３１８に設けられる開口部３４２ａ、３４２ｂにおいて、第１のゲート電極とし
て機能する導電膜３０４に接続される。よって、導電膜３２０ｂと導電膜３０４とは、同
じ電位が与えられる。
なお、トランジスタ３００Ｄにおいては、開口部３４２ａ、３４２ｂを設け、導電膜３
２０ｂと導電膜３０４を接続する構成について例示したが、これに限定されない。例えば
、開口部３４２ａまたは開口部３４２ｂのいずれか一方の開口部のみを形成し、導電膜３
２０ｂと導電膜３０４を接続する構成、または開口部３４２ａ及び開口部３４２ｂを設け
ずに、導電膜３２０ｂと導電膜３０４を接続しない構成としてもよい。なお、導電膜３２
０ｂと導電膜３０４とを接続しない構成の場合、導電膜３２０ｂと導電膜３０４には、そ
れぞれ異なる電位を与えることができる。
なお、トランジスタ３００Ｄは、先に説明のＳ－ｃｈａｎｎｅｌ構造を有する。
＜４－５．トランジスタの構成例５＞
また、図３７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ３００Ａが有する酸化物半導体膜
３０８を複数の積層構造としてもよい。その場合の一例を図４１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ
）に示す。
図４１（Ａ）（Ｂ）は、トランジスタ３００Ｅの断面図であり、図４１（Ｃ）（Ｄ）は
、トランジスタ３００Ｆの断面図である。なお、トランジスタ３００Ｅ、３００Ｆの上面
図としては、図３７（Ａ）に示すトランジスタ３００Ａと同様である。
図４１（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ３００Ｅが有する酸化物半導体膜３０８は、酸
化物半導体膜３０８＿１と、酸化物半導体膜３０８＿２と、酸化物半導体膜３０８＿３と
、を有する。また、図４１（Ｃ）（Ｄ）に示すトランジスタ３００Ｆが有する酸化物半導
体膜３０８は、酸化物半導体膜３０８＿２と、酸化物半導体膜３０８＿３と、を有する。
なお、導電膜３０４、絶縁膜３０６、絶縁膜３０７、酸化物半導体膜３０８、酸化物半
導体膜３０８＿１、酸化物半導体膜３０８＿２、酸化物半導体膜３０８＿３、導電膜３１
２ａ、３１２ｂ、絶縁膜３１４、絶縁膜３１６、絶縁膜３１８、及び導電膜３２０ａ、３
２０ｂとしては、それぞれ先の実施の形態３に記載の導電膜１０６、絶縁膜１１６、絶縁
膜３１４、酸化物半導体膜１０８、酸化物半導体膜１０８＿１、酸化物半導体膜１０８＿
２、酸化物半導体膜１０８＿３、導電膜１２０ａ、１２０ｂ、絶縁膜１０４、絶縁膜１１
８、導電膜１１２の材料及び形成方法を用いることで、形成することができる。
また、トランジスタ３００Ａ乃至トランジスタ３００Ｆの構造を、それぞれ自由に組み
合わせて用いてもよい。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態においては、酸化物半導体の構造等について、図４２乃至図４６を参照し
て説明する。
＜５－１．酸化物半導体の構造＞
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分け
られる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－ａｘｉｓ－ａｌｉｇｎｅ
ｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化
物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－
ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）および非晶質酸化物半導体などが
ある。
また別の観点では、酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と、それ以外の結晶性酸化物
半導体と、に分けられる。結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ
－ＯＳ、多結晶酸化物半導体およびｎｃ－ＯＳなどがある。
非晶質構造は、一般に、等方的であって不均質構造を持たない、準安定状態で原子の配
置が固定化していない、結合角度が柔軟である、短距離秩序は有するが長距離秩序を有さ
ない、などといわれている。
すなわち、安定な酸化物半導体を完全な非晶質（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ ａｍｏｒｐｈ
ｏｕｓ）酸化物半導体とは呼べない。また、等方的でない（例えば、微小な領域において
周期構造を有する）酸化物半導体を、完全な非晶質酸化物半導体とは呼べない。一方、ａ
－ｌｉｋｅ ＯＳは、等方的でないが、鬆（ボイドともいう。）を有する不安定な構造で
ある。不安定であるという点では、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、物性的に非晶質酸化物半導体
に近い。
＜５－２．ＣＡＡＣ－ＯＳ＞
まずは、ＣＡＡＣ－ＯＳについて説明する。
ＣＡＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部（ペレットともいう。）を有する酸化物
半導体の一種である。
ＣＡＡＣ－ＯＳをＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって
解析した場合について説明する。例えば、空間群Ｒ－３ｍに分類されるＩｎＧａＺｎＯ４
の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳに対し、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による構造解析を行
うと、図４２（Ａ）に示すように回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる。このピ
ークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ－ＯＳ
では、結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸がＣＡＡＣ－ＯＳの膜を形成する面（被形成面とも
いう。）、または上面に略垂直な方向を向いていることが確認できる。なお、２θが３１
°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°
近傍のピークは、空間群Ｆｄ－３ｍに分類される結晶構造に起因する。そのため、ＣＡＡ
Ｃ－ＯＳは、該ピークを示さないことが好ましい。
一方、ＣＡＡＣ－ＯＳに対し、被形成面に平行な方向からＸ線を入射させるｉｎ－ｐｌ
ａｎｅ法による構造解析を行うと、２θが５６°近傍にピークが現れる。このピークは、
ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。そして、２θを５６°近傍に固定
し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析（φスキャン）
を行っても、図４２（Ｂ）に示すように明瞭なピークは現れない。一方、単結晶ＩｎＧａ
ＺｎＯ４に対し、２θを５６°近傍に固定してφスキャンした場合、図４２（Ｃ）に示す
ように（１１０）面と等価な結晶面に帰属されるピークが６本観察される。したがって、
ＸＲＤを用いた構造解析から、ＣＡＡＣ－ＯＳは、ａ軸およびｂ軸の配向が不規則である
ことが確認できる。
次に、電子回折によって解析したＣＡＡＣ－ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａ
ＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳに対し、ＣＡＡＣ－ＯＳの被形成面に平行にプロ
ーブ径が３００ｎｍの電子線を入射させると、図４２（Ｄ）に示すような回折パターン（
制限視野電子回折パターンともいう。）が現れる場合がある。この回折パターンには、Ｉ
ｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に起因するスポットが含まれる。したがって、電子
回折によっても、ＣＡＡＣ－ＯＳに含まれるペレットがｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成
面または上面に略垂直な方向を向いていることがわかる。一方、同じ試料に対し、試料面
に垂直にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターンを図４２（Ｅ
）に示す。図４２（Ｅ）より、リング状の回折パターンが確認される。したがって、プロ
ーブ径が３００ｎｍの電子線を用いた電子回折によっても、ＣＡＡＣ－ＯＳに含まれるペ
レットのａ軸およびｂ軸は配向性を有さないことがわかる。なお、図４２（Ｅ）における
第１リングは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（０１０）面および（１００）面などに起因す
る。また、図４２（Ｅ）における第２リングは（１１０）面などに起因する。
また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍ
ｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ－ＯＳの明視野像と回折パターンとの複合解析
像（高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察すると、複数のペレットを確認することができ
る。一方、高分解能ＴＥＭ像であってもペレット同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバ
ウンダリーともいう。）を明確に確認することができない場合がある。そのため、ＣＡＡ
Ｃ－ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
図４３（Ａ）に、試料面と略平行な方向から観察したＣＡＡＣ－ＯＳの断面の高分解能
ＴＥＭ像を示す。高分解能ＴＥＭ像の観察には、球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ａ
ｂｅｒｒａｔｉｏｎ Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いた。球面収差補正機能を用いた高
分解能ＴＥＭ像を、特にＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像と呼ぶ。Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像は
、例えば、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆなどに
よって観察することができる。
図４３（Ａ）より、金属原子が層状に配列している領域であるペレットを確認すること
ができる。ペレット一つの大きさは１ｎｍ以上のものや、３ｎｍ以上のものがあることが
わかる。したがって、ペレットを、ナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶこ
ともできる。また、ＣＡＡＣ－ＯＳを、ＣＡＮＣ（Ｃ－Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａ
ｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。ペレットは、ＣＡＡ
Ｃ－ＯＳの被形成面または上面の凹凸を反映しており、ＣＡＡＣ－ＯＳの被形成面または
上面と平行となる。
また、図４３（Ｂ）および図４３（Ｃ）に、試料面と略垂直な方向から観察したＣＡＡ
Ｃ－ＯＳの平面のＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を示す。図４３（Ｄ）および図４３（Ｅ）は
、それぞれ図４３（Ｂ）および図４３（Ｃ）を画像処理した像である。以下では、画像処
理の方法について説明する。まず、図４３（Ｂ）を高速フーリエ変換（ＦＦＴ：Ｆａｓｔ
Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）処理することでＦＦＴ像を取得する。次に、取
得したＦＦＴ像において原点を基準に、２．８ｎｍ－１から５．０ｎｍ－１の間の範囲を
残すマスク処理する。次に、マスク処理したＦＦＴ像を、逆高速フーリエ変換（ＩＦＦＴ
：Ｉｎｖｅｒｓｅ Ｆａｓｔ Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）処理することで画
像処理した像を取得する。こうして取得した像をＦＦＴフィルタリング像と呼ぶ。ＦＦＴ
フィルタリング像は、Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像から周期成分を抜き出した像であり、格
子配列を示している。
図４３（Ｄ）では、格子配列の乱れた箇所を破線で示している。破線で囲まれた領域が
、一つのペレットである。そして、破線で示した箇所がペレットとペレットとの連結部で
ある。破線は、六角形状であるため、ペレットが六角形状であることがわかる。なお、ペ
レットの形状は、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合が多い。
図４３（Ｅ）では、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間を点
線で示し、格子配列の向きを破線で示している。点線近傍においても、明確な結晶粒界を
確認することはできない。点線近傍の格子点を中心に周囲の格子点を繋ぐと、歪んだ六角
形、歪んだ五角形、または歪んだ七角形などが形成できる。即ち、格子配列を歪ませるこ
とによって結晶粒界の形成を抑制していることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ
－ｂ面方向において原子配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結
合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためと考えられる。
以上に示すように、ＣＡＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ－ｂ面方向において
複数のペレット（ナノ結晶）が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。よって、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳを、ＣＡＡ ｃｒｙｓｔａｌ（ｃ－ａｘｉｓ－ａｌｉｇｎｅｄ ａ－ｂ－ｐ
ｌａｎｅ－ａｎｃｈｏｒｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体と称することもで
きる。
ＣＡＡＣ－ＯＳは結晶性の高い酸化物半導体である。酸化物半導体の結晶性は不純物の
混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳは不純物や欠陥
（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。
なお、不純物は、酸化物半導体の主成分以外の元素で、水素、炭素、シリコン、遷移金
属元素などがある。例えば、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸
素との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列
を乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、
二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体の原子配列
を乱し、結晶性を低下させる要因となる。
酸化物半導体が不純物や欠陥を有する場合、光や熱などによって特性が変動する場合が
ある。例えば、酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラップとなる場合や、キャ
リア発生源となる場合がある。例えば、酸化物半導体中の酸素欠損は、キャリアトラップ
となる場合や、水素を捕獲することによってキャリア発生源となる場合がある。
不純物および酸素欠損の少ないＣＡＡＣ－ＯＳは、キャリア密度の低い酸化物半導体で
ある。具体的には、８×１０１１ｃｍ－３未満、好ましくは１×１０１１ｃｍ－３未満、
さらに好ましくは１×１０１０ｃｍ－３未満であり、１×１０－９ｃｍ－３以上のキャリ
ア密度の酸化物半導体とすることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性また
は実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。ＣＡＡＣ－ＯＳは、不純物濃度が低く、欠
陥準位密度が低い。即ち、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
＜５－３．ｎｃ－ＯＳ＞
次に、ｎｃ－ＯＳについて説明する。
ｎｃ－ＯＳをＸＲＤによって解析した場合について説明する。例えば、ｎｃ－ＯＳに対
し、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、配向性を示すピークが現れな
い。即ち、ｎｃ－ＯＳの結晶は配向性を有さない。
また、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するｎｃ－ＯＳを薄片化し、厚さが３４ｎ
ｍの領域に対し、被形成面に平行にプローブ径が５０ｎｍの電子線を入射させると、図４
４（Ａ）に示すようなリング状の回折パターン（ナノビーム電子回折パターン）が観測さ
れる。また、同じ試料にプローブ径が１ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターン（
ナノビーム電子回折パターン）を図４４（Ｂ）に示す。図４４（Ｂ）より、リング状の領
域内に複数のスポットが観測される。したがって、ｎｃ－ＯＳは、プローブ径が５０ｎｍ
の電子線を入射させることでは秩序性が確認されないが、プローブ径が１ｎｍの電子線を
入射させることでは秩序性が確認される。
また、厚さが１０ｎｍ未満の領域に対し、プローブ径が１ｎｍの電子線を入射させると
、図４４（Ｃ）に示すように、スポットが略正六角状に配置された電子回折パターンが観
測される場合がある。したがって、厚さが１０ｎｍ未満の範囲において、ｎｃ－ＯＳが秩
序性の高い領域、即ち結晶を有することがわかる。なお、結晶が様々な方向を向いている
ため、規則的な電子回折パターンが観測されない領域もある。
図４４（Ｄ）に、被形成面と略平行な方向から観察したｎｃ－ＯＳの断面のＣｓ補正高
分解能ＴＥＭ像を示す。ｎｃ－ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において、補助線で示す箇所な
どのように結晶部を確認することのできる領域と、明確な結晶部を確認することのできな
い領域と、を有する。ｎｃ－ＯＳに含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさ
であり、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の大きさであることが多い。なお、結晶部の大きさが
１０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下である酸化物半導体を微結晶酸化物半導体（ｍｉｃｒ
ｏ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶことが
ある。ｎｃ－ＯＳは、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確認できない場
合がある。なお、ナノ結晶は、ＣＡＡＣ－ＯＳにおけるペレットと起源を同じくする可能
性がある。そのため、以下ではｎｃ－ＯＳの結晶部をペレットと呼ぶ場合がある。
このように、ｎｃ－ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特
に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ－ＯＳ
は、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見
られない。したがって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶
質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。
なお、ペレット（ナノ結晶）間で結晶方位が規則性を有さないことから、ｎｃ－ＯＳを
、ＲＡＮＣ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化
物半導体、またはＮＡＮＣ（Ｎｏｎ－Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有
する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
ｎｃ－ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため
、ｎｃ－ＯＳは、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くな
る。ただし、ｎｃ－ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのた
め、ｎｃ－ＯＳは、ＣＡＡＣ－ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
＜５－４．ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ＞
ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物
半導体である。
図４５に、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳの高分解能断面ＴＥＭ像を示す。ここで、図４５（Ａ）
は電子照射開始時におけるａ－ｌｉｋｅ ＯＳの高分解能断面ＴＥＭ像である。図４５（
Ｂ）は４．３×１０８ｅ－／ｎｍ２の電子（ｅ－）照射後におけるａ－ｌｉｋｅ ＯＳの
高分解能断面ＴＥＭ像である。図４５（Ａ）および図４５（Ｂ）より、ａ－ｌｉｋｅ Ｏ
Ｓは電子照射開始時から、縦方向に延伸する縞状の明領域が観察されることがわかる。ま
た、明領域は、電子照射後に形状が変化することがわかる。なお、明領域は、鬆または低
密度領域と推測される。
鬆を有するため、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、不安定な構造である。以下では、ａ－ｌｉｋ
ｅ ＯＳが、ＣＡＡＣ－ＯＳおよびｎｃ－ＯＳと比べて不安定な構造であることを示すた
め、電子照射による構造の変化を示す。
試料として、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳを準備する。いず
れの試料もＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物である。
まず、各試料の高分解能断面ＴＥＭ像を取得する。高分解能断面ＴＥＭ像により、各試
料は、いずれも結晶部を有する。
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子は、Ｉｎ－Ｏ層を３層有し、またＧａ－Ｚｎ
－Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に層状に重なった構造を有することが知られてい
る。これらの近接する層同士の間隔は、（００９）面の格子面間隔（ｄ値ともいう。）と
同程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍと求められている。したがって、
以下では、格子縞の間隔が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所を、ＩｎＧａＺ
ｎＯ４の結晶部と見なした。なお、格子縞は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａ－ｂ面に対応
する。
図４６は、各試料の結晶部（２２箇所から３０箇所）の平均の大きさを調査した例であ
る。なお、上述した格子縞の長さを結晶部の大きさとしている。図４６より、ａ－ｌｉｋ
ｅ ＯＳは、ＴＥＭ像の取得などに係る電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなって
いくことがわかる。図４６より、ＴＥＭによる観察初期においては１．２ｎｍ程度の大き
さだった結晶部（初期核ともいう。）が、電子（ｅ－）の累積照射量が４．２×１０８ｅ
－／ｎｍ２においては１．９ｎｍ程度の大きさまで成長していることがわかる。一方、ｎ
ｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳは、電子照射開始時から電子の累積照射量が４．２×１０
８ｅ－／ｎｍ２までの範囲で、結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる。図４６
より、電子の累積照射量によらず、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳの結晶部の大きさは
、それぞれ１．３ｎｍ程度および１．８ｎｍ程度であることがわかる。なお、電子線照射
およびＴＥＭの観察は、日立透過電子顕微鏡Ｈ－９０００ＮＡＲを用いた。電子線照射条
件は、加速電圧を３００ｋＶ、電流密度を６．７×１０５ｅ－／（ｎｍ２・ｓ）、照射領
域の直径を２３０ｎｍとした。
このように、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、電子照射によって結晶部の成長が見られる場合が
ある。一方、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳは、電子照射による結晶部の成長がほとん
ど見られない。即ち、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳと比べて
、不安定な構造であることがわかる。
また、鬆を有するため、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳと比
べて密度の低い構造である。具体的には、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳの密度は、同じ組成の単結
晶の密度の７８．６％以上９２．３％未満である。また、ｎｃ－ＯＳの密度およびＣＡＡ
Ｃ－ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の９２．３％以上１００％未満である。単結
晶の密度の７８％未満である酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、
菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３である。よ
って、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体におい
て、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満である。ま
た、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において
、ｎｃ－ＯＳの密度およびＣＡＡＣ－ＯＳの密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ
３未満である。
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合、任意の割合で組成の異なる単結晶を組み合
わせることにより、所望の組成における単結晶に相当する密度を見積もることができる。
所望の組成の単結晶に相当する密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して
、加重平均を用いて見積もればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を
組み合わせて見積もることが好ましい。
以上のように、酸化物半導体は、様々な構造をとり、それぞれが様々な特性を有する。
なお、酸化物半導体は、例えば、非晶質酸化物半導体、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ
、ＣＡＡＣ－ＯＳのうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜、組み合わせて用
いることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図４７乃至図５０を用いて説明を行う。
＜６－１．表示モジュール＞
図４７に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３が接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５が接続され
た表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を
有する。
本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル
８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル
８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基
板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
＜６－２．電子機器＞
図４８（Ａ）乃至図４８（Ｅ）、及び図４９（Ａ）乃至図４９（Ｅ）は、電子機器を示
す図である。これらの電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、カメラ９００２、ス
ピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端
子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、
光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、
流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォ
ン９００８等を有する。
図４８（Ａ）乃至図４８（Ｅ）、及び図４９（Ａ）乃至図４９（Ｅ）に示す電子機器は
、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像
など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを
表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通
信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通
信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプ
ログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。な
お、図４８（Ａ）乃至図４８（Ｅ）、及び図４９（Ａ）乃至図４９（Ｅ）に示す電子機器
が有する機能はこれらに限定されず、その他の機能を有していてもよい。
図４８（Ａ）乃至図４８（Ｅ）、及び図４９（Ａ）乃至図４９（Ｅ）に示す電子機器の
詳細について、以下説明を行う。
図４８（Ａ）は、テレビジョン装置９１００を示す斜視図である。テレビジョン装置９
１００は、表示部９００１を大画面、例えば、５０インチ以上、８０インチ以上、または
１００インチ以上の表示部９００１を組み込むことが可能である。
図４８（Ｂ）は携帯情報端末９１０１を、図４８（Ｃ）は携帯情報端末９１０２を、図
４８（Ｄ）は携帯情報端末９１０３を、図４８（Ｅ）は携帯情報端末９１０４を、それぞ
れ示す斜視図である。
図４８（Ｂ）に示す携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等
から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いるこ
とができる。なお、図示していないが、携帯情報端末９１０１には、スピーカ９００３、
接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、
文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０
５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示する
ことができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面（例えば
、側面）に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳ
ＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電
子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテ
リの残量、受信信号の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、
情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。また、携帯情報端
末９１０１が有する表示部９００１は、一部に曲面を有する。
図４８（Ｃ）に示す携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示
する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異
なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸
ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）
を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、
携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９
１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断でき
る。また、携帯情報端末９１０２が有する表示部９００１は、一部に曲面を有する。
図４８（Ｄ）に示す携帯情報端末９１０３は、先に示す携帯情報端末９１０１、９１０
２と異なり、表示部９００１が曲面を有さない構成である。
また、図４８（Ｅ）に示す携帯情報端末９１０４は、表示部９００１が湾曲している。
また、図４８（Ｅ）に図示するように、携帯情報端末９１０４にカメラ９００２を設け、
静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメ
ラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部９００１に表示する機能等を有すると
好ましい。
図４９（Ａ）は腕時計型の携帯情報端末９２００を、図４９（Ｂ）は腕時計型の携帯情
報端末９２０１を、それぞれ示す斜視図である。
図４９（Ａ）に示す携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作
成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーション
を実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲
した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格
された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセット
と相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端
末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データ
のやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる
。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。
また、図４９（Ｂ）に示す携帯情報端末９２０１は、図４９（Ａ）に示す携帯情報端末
と異なり、表示部９００１の表示面が湾曲していない。また、携帯情報端末９２０１の表
示部の外形が非矩形状（図４９（Ｂ）においては円形状）である。
図４９（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０２を示す斜視図であ
る。なお、図４９（Ｃ）が携帯情報端末９２０２を展開した状態の斜視図であり、図４９
（Ｄ）が携帯情報端末９２０２を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変
化する途中の状態の斜視図であり、図４９（Ｅ）が携帯情報端末９２０２を折り畳んだ状
態の斜視図である。
携帯情報端末９２０２は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ
目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０２が有する表示
部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている
。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末
９２０２を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例え
ば、携帯情報端末９２０２は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる
。
なお、本発明の一態様である表示装置は、表示部９００１に好適に用いることができる
。
また、図５０（Ａ）（Ｂ）は、複数の表示パネルを有する表示装置９５００の斜視図で
ある。なお、図５０（Ａ）は、複数の表示パネルが巻き取られた形態の斜視図であり、図
５０（Ｂ）は、複数の表示パネルが展開された状態の斜視図である。
図５０（Ａ）（Ｂ）に示す表示装置９５００は、複数の表示パネル９５０１と、軸部９
５１１と、軸受部９５１２と、を有する。また、複数の表示パネル９５０１は、表示領域
９５０２と、透光性を有する領域９５０３と、を有する。
また、複数の表示パネル９５０１は、可撓性を有する。また、隣接する２つの表示パネ
ル９５０１は、それらの一部が互いに重なるように設けられる。例えば、隣接する２つの
表示パネル９５０１の透光性を有する領域９５０３を重ね合わせることができる。複数の
表示パネル９５０１を用いることで、大画面の表示装置とすることができる。また、使用
状況に応じて、表示パネル９５０１を巻き取ることが可能であるため、汎用性に優れた表
示装置とすることができる。
また、図５０（Ａ）（Ｂ）においては、表示領域９５０２が隣接する表示パネル９５０
１で離間する状態を図示しているが、これに限定されず、例えば、隣接する表示パネル９
５０１の表示領域９５０２を隙間なく重ねあわせることで、連続した表示領域９５０２と
してもよい。
なお、本発明の一態様である表示装置は、表示パネル９５０１に好適に用いることがで
きる。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。ただし、本発明の一態様の半導体装置は、表示部を有さない電子機
器にも適用することができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する情報処理装置の構成について、
図５１（Ａ）（Ｂ）を参照して説明する。
図５１（Ａ）は本発明の一態様の表示装置を有する情報処理装置９６００の構成を説明
するブロック図であり、図５１（Ｂ）は操作されている情報処理装置９６００の状態を説
明する模式図である。
以下に、情報処理装置９６００を構成する個々の要素について説明する。なお、これら
の構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む
場合がある。
＜７．情報処理装置の構成例＞
情報処理装置９６００は、演算装置９６１０と、入出力装置９６２０とを有する。
［演算装置］
演算装置９６１０は、演算部９６１１と、記憶部９６１２と、伝送路９６１４と、入出
力インターフェース９６１５と、を有する。
［演算部］
演算部９６１１は、プログラムを実行する機能を有する。
［記憶部］
記憶部９６１２は、演算部９６１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または
画像等を記憶する機能を有する。具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは
酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
［プログラム］
演算部９６１１が実行するプログラムは、例えば、以下の３つのステップを有する。図
５１（Ｂ）を用いて、３つのステップについて説明する。
第１のステップにおいて、位置情報Ｐ１を取得する。
第２のステップにおいて、位置情報Ｐ１に基づいて、第１の領域９６８１を決定する。
第３のステップにおいて、第１の領域９６８１に表示する画像として、他の領域に表示
する画像よりも輝度が高められた画像（画像情報Ｑ１）を生成する。
例えば、演算装置９６１０は、位置情報Ｐ１に基づいて、第１の領域９６８１を決定す
る。具体的には、第１の領域９６８１の形状を楕円状、円形状、多角形状または矩形状等
にすることができる。例えば、位置情報Ｐ１を含む半径６０ｃｍ以下好ましくは５ｃｍ以
上３０ｃｍ以下の範囲を第１の領域９６８１に決定する。
なお、第１の領域９６８１に表示する画像として、他の領域に表示する画像よりも輝度
が高められた画像を生成する方法としては、第１の領域９６８１に表示する画像の輝度を
、他の領域に表示する画像の輝度の１１０％以上好ましくは１２０％以上２００％以下に
高める。または、第１の領域９６８１に表示する画像の輝度の平均を、他の領域に表示す
る画像の輝度の平均の１１０％以上好ましくは１２０％以上２００％以下に高める。
上述のプログラムを実行することにより、情報処理装置９６００は、位置情報Ｐ１に基
づいて第１の領域９６８１に表示する画像として、他の領域に表示する画像よりも輝度が
高められた画像情報Ｑ１を生成することができる。その結果、操作者は操作を快適に行う
ことが可能となり、利便性に優れた情報処理装置９６００を提供することができる。
［入出力インターフェース］
入出力インターフェース９６１５は、端子または配線を有する。また、入出力インター
フェース９６１５は、情報を供給する機能と、情報を供給される機能とを有する。例えば
、入出力インターフェース９６１５は、伝送路９６１４及び入出力装置９６２０のいずれ
か一方または双方と電気的に接続することができる。
［伝送路］
伝送路９６１４は配線を有する。また、伝送路９６１４は、情報を供給する機能と、情
報を供給される機能とを有する。例えば、伝送路９６１４は、演算部９６１１、記憶部９
６１２または入出力インターフェース９６１５と電気的に接続することができる。
［入出力装置］
入出力装置９６２０は、表示部９６３０と、入力部９６４０と、検知部９６５０と、通
信部９６９０と、を有する。
［表示部］
表示部９６３０は表示パネルを有する。当該表示パネルは、画素を有し、画素は反射型
の表示素子と、透過型の発光素子とを有する構成とすればよい。また、画像情報を用いて
反射型の表示素子の反射率を高め、表示する画像の輝度を高めることができる。または、
画像情報を用いて発光素子の輝度を高め、表示する画像の輝度を高めることができる。す
なわち、表示部９６３０に、本発明の一態様の表示装置を好適に用いることができる。
［入力部］
入力部９６４０は入力パネルを有する。例えば、入力パネルは、近接センサを有する。
当該近接センサは、ポインタ９６８２を検知する機能を有する。なお、ポインタ９６８２
は、指やスタイラスペン等を用いればよい。また、当該スタイラスペンとしては、発光ダ
イオード等の発光素子、金属片またはコイル等用いればよい。
また、近接センサとしては、静電容量型の近接センサ、電磁誘導型の近接センサ、赤外
線検知型の近接センサ、光電変換素子を用いた近接センサ等を用いればよい。
静電容量型の近接センサは、導電膜を有し、当該導電膜に対する近接を、検知する機能
を有する。例えば、入力パネルの互いに異なる領域に複数の導電膜を配設し、ポインタ９
６８２に用いられる指等が近接する領域を、導電膜に寄生する容量の変化に基づいて特定
し、位置情報を決定できる。
電磁誘導型の近接センサは、金属片やコイル等の検知回路に対する近接を検知する機能
を有する。例えば、入力パネルの互いに異なる領域に複数の発振回路を配設し、ポインタ
９６８２に用いるスタイラスペン等に配設された金属片やコイル等が近接する領域を、発
振回路の回路定数の変化に基づいて特定し、位置情報を決定できる。
光検知型の近接センサは、発光素子の近接を、検知する機能を有する。例えば、入力パ
ネルの互いに異なる領域に複数の光電変換素子を配設し、ポインタ９６８２に用いるスタ
イラスペン等に配設された発光素子が近接する領域を、光電変換素子の起電力の変化に基
づいて特定し、位置情報を決定できる。
［検知部］
検知部９６５０としては、環境の明るさを検知する照度センサや人感センサ等を用いれ
ばよい。
［通信部］
通信部９６９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機
能を有する。
上記説明した情報処理装置９６００としては、例えば、教育、デジタルサイネージまた
はスマートテレビジョンシステム等に用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができ
る。
本実施例では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできる発光素子の作製例を示
す。なお、本実施例においては、発光素子１乃至発光素子３を作製した。
発光素子１の断面模式図を図５２（Ａ）に、発光素子２の断面模式図を図５２（Ｂ）に
、発光素子３の断面模式図を図５２（Ｃ）に、それぞれ示す。また、発光素子１乃至発光
素子３の素子構造の詳細を表１に、使用した化合物の構造と略称を以下に示す。
Figure 0007457183000001
Figure 0007457183000002
＜１－１．発光素子１の作製方法＞
まず、基板７０２上に下部電極７０４として、ＩＴＳＯ膜をスパッタリング法により成
膜した。なお、下部電極７０４の膜厚を７０ｎｍとし、下部電極７０４の面積を４ｍｍ２
（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、有機化合物層の蒸着前の処理として、基板７０２の下部電極７０４側を水で洗浄
し、２００℃で１時間焼成した後、下部電極７０４の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７
０秒行った。
その後、１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板７０２を導入し、
真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板７０
２を３０分程度放冷した。
次に、下部電極７０４が形成された面が下方となるように、基板７０２を真空蒸着装置
内に設けられたホルダーに固定した。
発光素子１では、真空蒸着法により、正孔注入層７３１、正孔輸送層７３２、発光層７
１０ａ、発光層７１０ｂ、電子輸送層７３３（１）、電子輸送層７３３（２）、電子注入
層７３４、上部電極７１４を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空装置内を１０－４Ｐａに減圧した後、下部電極７０４上に正孔注入層７３１
を形成した。正孔注入層７３１としては、９－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾー
ル－３－イル）フェニル］フェナントレン（略称：ＰＣＰＰｎ）と酸化モリブデンとを、
ＰＣＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、正孔注
入層７３１の膜厚を３５ｎｍとした。
次に、正孔注入層７３１上に正孔輸送層７３２を形成した。正孔輸送層７３２としては
、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層７３２の膜厚を２０ｎｍとした。
次に、正孔輸送層７３２上に発光層７１０ａを形成した。発光層７１０ａとしては、２
－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ
］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）と、Ｎ－（１，１’－ビフェニル
－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３
－イル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、ビス｛
４，６－ジメチル－２－［５－（２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチル
フェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，４－ペンタンジオナト－κ
２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ
））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）
２（ａｃａｃ）＝０．８：０．２：０．０６（重量比）となるよう共蒸着した。なお、発
光層７１０ａの膜厚を３０ｎｍとした。また、発光層７１０ａにおいて、２ｍＤＢＴＢＰ
ＤＢｑ－ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｄｍｄｐ
ｐｒ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。
次に、発光層７１０ａ上に発光層７１０ｂを形成した。発光層７１０ｂとしては、７－
［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カル
バゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）と、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジイル）ビス［
（６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称
：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３
＝１：０．０５（重量比）となるように共蒸着した。また、発光層７１０ｂの膜厚を２５
ｎｍとした。また、発光層７１０ｂにおいて、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１
，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３が蛍光材料（ゲスト材料）である。
次に、発光層７１０ｂ上に電子輸送層７３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚ
ＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層７３３（１）上に電子輸送層７３３（２）として、膜
厚１５ｎｍの２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－
フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）を蒸着した。次に、電子輸送層７３３（２）上
に電子注入層７３４として、膜厚１ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着した。
次に、電子注入層７３４上に上部電極７１４として、膜厚２００ｎｍのアルミニウム膜
を形成した。
以上の工程で基板７０２上の発光素子を形成した。
次に、基板７０２上の発光素子と、封止基板（図示しない）とを大気に曝されないよう
に窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した（シール材
を素子の周囲に塗布し、封止時に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照射し、８０℃にて
１時間熱処理した）。
以上の工程により、発光素子１を作製した。
＜１－２．発光素子２の作製方法＞
発光素子２は、先に説明した発光素子１と以下の工程のみ異なり、それ以外の工程につ
いては、発光素子１と同じとした。
正孔輸送層７３２上に発光層７１０ａ（１）を形成した。発光層７１０ａ（１）として
は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、（アセチルアセトナト）ビス（６
－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））と、を２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉ
ｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）＝０．７：０．３：０．０６（重量比）となるように
共蒸着した。なお、発光層７１０ａ（１）の膜厚を２０ｎｍとした。また、発光層７１０
ａ（１）において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがア
シスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）であ
る。
次に、発光層７１０ａ（１）上に発光層７１０ａ（２）を形成した。発光層７１０ａ（
２）としては、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）と
、を２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）＝０．７：０．
０６（重量比）となるように共蒸着した。なお、発光層７１０ａ（２）の膜厚を１０ｎｍ
とした。また、発光層７１０ａ（２）において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩがホスト材
料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。
＜１－３．発光素子３の作製方法＞
発光素子３は、先に説明した発光素子１と以下の工程のみ異なり、それ以外の工程につ
いては、発光素子１と同じとした。
正孔輸送層７３２上に発光層７１０ｂを形成した。発光層７１０ｂとしては、ｃｇＤＢ
ＣｚＰＡと、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒ
ｎ－０３＝１：０．０５（重量比）となるように共蒸着した。また、発光層７１０ｂの膜
厚を２５ｎｍとした。また、発光層７１０ｂにおいて、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料で
あり、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３が蛍光材料（ゲスト材料）である。
なお、上述の発光素子１乃至発光素子３の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加
熱法を用いた。
＜１－３．発光素子１乃至発光素子３の特性＞
発光素子１乃至発光素子３の輝度－電流密度特性を図５３に示す。また、発光素子１乃
至発光素子３の輝度－電圧特性を図５４に示す。また、発光素子１乃至発光素子３の電流
効率－輝度特性を図５５に示す。また、発光素子１乃至発光素子３の電流－電圧特性を図
５６に示す。なお、各発光素子の特性の評価としては、室温（２５℃に保たれた雰囲気）
で測定した。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１乃至発光素子３の素子特性を表２に
示す。
Figure 0007457183000004
また、発光素子１乃至発光素子３に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の
発光スペクトルを図５７に示す。図５７に示す通り、発光素子１は、赤色の波長領域に発
光スペクトルピークを有し、発光素子２は、緑色の波長領域に発光スペクトルピークを有
し、発光素子３は、青色の波長領域に発光スペクトルピークを有する。
また、表２、図５３乃至図５７に示す通り、発光素子１乃至発光素子３からは、高効率
の素子特性が得られ、且つ所望の波長領域の発光が得られた。とくに、発光素子１及び発
光素子２としては、発光層５１０ｂ中のゲスト材料が発光に寄与していないことが分かる
。
以上、本実施例に示す構成は、他の実施例及び実施の形態に示す構成と適宜組み合わせ
て用いる事ができる。
本実施例では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできる発光素子の作製例を示
す。なお、本実施例においては、発光素子４乃至発光素子６を作製した。
発光素子４の断面模式図を図５８（Ａ）に、発光素子５の断面模式図を図５８（Ｂ）に
、発光素子６の断面模式図を図５８（Ｃ）に、それぞれ示す。
なお、発光素子４乃至発光素子６の素子構造としては、先の実施例１に示す発光素子１
乃至発光素子３に、それぞれ着色膜７５１（Ｒ）、着色膜７５１（Ｇ）、及び着色膜７５
１（Ｂ）を形成した素子であり、使用した材料、作製方法等は実施例１に示す発光素子１
乃至発光素子３と同じとした。
着色膜７５１（Ｒ）は、赤色の波長領域の光を透過できるカラーフィルタとし、着色膜
７５１（Ｇ）は、緑色の波長領域の光を透過できるカラーフィルタとし、着色膜７５１（
Ｂ）は、青色の波長領域の光を透過できるカラーフィルタとした。
＜２．発光素子４乃至発光素子６の特性＞
発光素子４乃至発光素子６の輝度－電流密度特性を図５９に示す。また、発光素子４乃
至発光素子６の輝度－電圧特性を図６０に示す。また、発光素子４乃至発光素子６の電流
効率－輝度特性を図６１に示す。また、発光素子４乃至発光素子６の電流－電圧特性を図
６２に示す。なお、各発光素子の特性の評価としては、室温（２５℃に保たれた雰囲気）
で測定した。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子４乃至発光素子６の素子特性を表３に
示す。
Figure 0007457183000005
また、発光素子４乃至発光素子６に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の
発光スペクトルを図６３に示す。図６３に示す通り、発光素子４は、赤色の波長領域に発
光スペクトルピークを有し、発光素子５は、緑色の波長領域に発光スペクトルピークを有
し、発光素子６は、青色の波長領域に発光スペクトルピークを有する。
また、表３、図５９乃至図６３に示す通り、発光素子４乃至発光素子６からは、高効率
の素子特性が得られ、且つ所望の波長領域の発光が得られた。とくに、発光素子４及び発
光素子５としては、発光層７１０ｂ中のゲスト材料が発光に寄与していないことが分かる
。
また、実施例１の発光素子１乃至発光素子３と比較し、発光素子４乃至発光素子６は、
それぞれ着色膜７５６（Ｒ）、着色膜７５６（Ｇ）、及び着色膜７５６（Ｂ）を設けた素
子構成であるため、色純度がよい。ただし、着色膜（着色膜７５６（Ｒ）、着色膜７５６
（Ｇ）、及び着色膜７５６（Ｂ））を設けた素子構成とすることで、電流効率及び外部量
子効率は低くなる。よって、実施者が適宜最適な素子構成を選択すればよい。
以上、本実施例に示す構成は、他の実施例及び実施の形態に示す構成と適宜組み合わせ
て用いる事ができる。
１０ 画素
１１ 表示素子
１１ｄ 表示領域
１２ 表示素子
１２ｄ 表示領域
１２Ｂ 発光素子
１２Ｇ 発光素子
１２Ｒ 発光素子
１００ トランジスタ
１００Ａ トランジスタ
１００Ｆ トランジスタ
１００Ｇ トランジスタ
１００Ｈ トランジスタ
１００Ｊ トランジスタ
１００Ｋ トランジスタ
１０２ 基板
１０４ 絶縁膜
１０６ 導電膜
１０８ 酸化物半導体膜
１０８＿１ 酸化物半導体膜
１０８＿２ 酸化物半導体膜
１０８＿３ 酸化物半導体膜
１０８ｄ ドレイン領域
１０８ｉ チャネル領域
１０８ｓ ソース領域
１１０ 絶縁膜
１１２ 導電膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２０ａ 導電膜
１２０ｂ 導電膜
１４１ａ 開口部
１４１ｂ 開口部
１４３ 開口部
３００Ａ トランジスタ
３００Ｂ トランジスタ
３００Ｃ トランジスタ
３００Ｄ トランジスタ
３００Ｅ トランジスタ
３００Ｆ トランジスタ
３０２ 基板
３０４ 導電膜
３０６ 絶縁膜
３０７ 絶縁膜
３０８ 酸化物半導体膜
３０８＿１ 酸化物半導体膜
３０８＿２ 酸化物半導体膜
３０８＿３ 酸化物半導体膜
３１２ａ 導電膜
３１２ｂ 導電膜
３１４ 絶縁膜
３１６ 絶縁膜
３１８ 絶縁膜
３２０ａ 導電膜
３２０ｂ 導電膜
３４１ａ 開口部
３４１ｂ 開口部
３４２ａ 開口部
３４２ｂ 開口部
３４２ｃ 開口部
４０１ 基板
４０２ 導電膜
４０３ａ 導電膜
４０３ｂ 導電膜
４０３ｃ 導電膜
４０４ 絶縁膜
４０５ａ 導電膜
４０５ｂ 導電膜
４０５ｃ 導電膜
４０５ｄ 導電膜
４０６ 絶縁膜
４０７ａ 導電膜
４０７ｂ 導電膜
４０７ｃ 導電膜
４０７ｄ 導電膜
４０７ｅ 導電膜
４０７ｆ 導電膜
４０７ｇ 導電膜
４０８ 絶縁膜
４０９ａ 酸化物半導体膜
４０９ｂ 酸化物半導体膜
４０９ｃ 酸化物半導体膜
４１０ａ 絶縁膜
４１０ｂ 絶縁膜
４１０ｃ 絶縁膜
４１１ａ 酸化物半導体膜
４１１ｂ 酸化物半導体膜
４１１ｃ 酸化物半導体膜
４１２ 絶縁膜
４１３ 絶縁膜
４１４ａ 導電膜
４１４ｂ 導電膜
４１４ｃ 導電膜
４１４ｄ 導電膜
４１４ｅ 導電膜
４１４ｆ 導電膜
４１４ｇ 導電膜
４１４ｈ 導電膜
４１６ 絶縁膜
４１７ 導電膜
４１７Ｂ 導電膜
４１７Ｇ 導電膜
４１７Ｒ 導電膜
４１８ 絶縁膜
４１９ ＥＬ層
４２０ 導電膜
４５０ 開口部
４５２ 基板
４５４ 封止材
４８１ シャドウマスク
４８２ 開口部
５００ 表示装置
５０２ 画素部
５０４ａ ゲートドライバ回路部
５０４ｂ ゲートドライバ回路部
５０６ ソースドライバ回路部
５０８ａ 外部回路
５０８ｂ 外部回路
５１０ｂ 発光層
６０２ 遮光膜
６０４ 着色膜
６０６ 絶縁膜
６０８ 導電膜
６１０ａ 構造体
６１０ｂ 構造体
６１８ａ 配向膜
６１８ｂ 配向膜
６２０ 液晶層
６２２ シール材
６２４ 導電体
６２６ 機能膜
６５２ 基板
６６２ 遮光膜
６６３ 絶縁膜
６６４ 電極
６６５ 電極
６６６ 絶縁膜
６６７ 電極
６６８ 絶縁膜
６７０ 基板
６７２ 基板
６７４ 接着材
６８１ 絶縁膜
６８２ 導電膜
６９１ タッチパネル
６９２ タッチパネル
６９３ タッチパネル
７０２ 基板
７０４ 下部電極
７１０ａ 発光層
７１０ｂ 発光層
７１４ 上部電極
７３１ 正孔注入層
７３２ 正孔輸送層
７３３ 電子輸送層
７３４ 電子注入層
７５１ 着色膜
７５６ 着色膜
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００２ カメラ
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ テレビジョン装置
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９１０３ 携帯情報端末
９１０４ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末
９２０２ 携帯情報端末
９５００ 表示装置
９５０１ 表示パネル
９５０２ 表示領域
９５０３ 領域
９５１１ 軸部
９５１２ 軸受部
９６００ 情報処理装置
９６１０ 演算装置
９６１１ 演算部
９６１２ 記憶部
９６１４ 伝送路
９６１５ 入出力インターフェース
９６２０ 入出力装置
９６３０ 表示部
９６４０ 入力部
９６５０ 検知部
９６８１ 領域
９６８２ ポインタ
９６９０ 通信部

Claims (2)

  1. 第１乃至第３の画素を有し、
    前記第１乃至第３の画素は、それぞれ、第１の表示素子と、第２の表示素子と、前記第１の表示素子と電気的に接続された第１のトランジスタと、前記第２の表示素子と電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、
    前記第１の表示素子は反射型の液晶素子であり、
    前記第２の表示素子は発光素子であり、
    前記第１乃至第３の画素は、それぞれ前記第１の表示素子で表示される第１の表示領域と、前記第２の表示素子で表示される第２の表示領域と、を有し、
    上面視において、
    前記第１の画素の第１の辺は、前記第２の画素の第１の辺と接し、
    前記第３の画素の第１の辺は、前記第１の画素の第２の辺および前記第２の画素の第２の辺と接し、
    前記第１の画素の第２の表示領域と前記第２の画素の第２の表示領域との最短距離は、前記第１の画素の第２の表示領域と前記第３の画素の第２の表示領域との最短距離と等しい、表示装置。
  2. 第１乃至第３の画素を有し、
    前記第１乃至第３の画素は、それぞれ、第１の表示素子と、第２の表示素子と、前記第１の表示素子と電気的に接続された第１のトランジスタと、前記第２の表示素子と電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、
    前記第１の表示素子は、画素電極として機能する第１の導電膜と、対向電極として機能する第２の導電膜と、前記第１の導電膜と電気的に接続された第１の反射膜と、を有する反射型の液晶素子であり、
    前記第２の表示素子は発光素子であり、
    前記第１乃至第３の画素は、それぞれ前記第１の表示素子で表示される第１の表示領域と、前記第２の表示素子で表示される第２の表示領域と、を有し、
    前記第２の表示領域は、前記第１の表示素子が有する前記第１の反射膜の開口部に相当し、
    上面視において、
    前記第１の画素の第１の辺は、前記第２の画素の第１の辺と接し、
    前記第３の画素の第１の辺は、前記第１の画素の第２の辺および前記第２の画素の第２の辺と接し、
    前記第１の画素の第２の表示領域と前記第２の画素の第２の表示領域との最短距離は、前記第１の画素の第２の表示領域と前記第３の画素の第２の表示領域との最短距離と等しい、表示装置。
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