JP2018081308A - 電子機器の動作方法 - Google Patents

Abstract

【課題】視認性の良い表示装置の動作方法を提供する。【解決手段】第１表示素子と、第２表示素子と、光センサと、ゲイン計算回路と、を有する電子機器であり、光センサによって外光の照度を取得して、該照度に応じて第１表示素子及びに第２表示素子に表示する画像の補正を行う。ゲイン計算回路は該照度を取得して、該照度に応じたゲイン値を算出する。特に、該ゲイン値は、第１表示素子、第２表示素子のそれぞれの場合に対して算出される。そして、ゲイン計算回路は、第１表示素子、第２表示素子のそれぞれに表示する画像データに対して、該ゲイン値、又は該ゲイン値に対応する値を掛けることで、該画像データの調光補正、調色補正を行う。【選択図】図３

Description

本発明の一態様は、電子機器の動作方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、又は、製造方法に関するものである。又は、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、記憶装置、プロセッサ、電子機器、システム、それらの駆動方法、それらの製造方法、又はそれらの検査方法を一例として挙げることができる。

近年、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット型情報端末、ノート型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）、携帯ゲーム機等が有する表示装置において、様々な面で改良が進められている。例えば、解像度を大きくする、色再現性（ＮＴＳＣ比）を高くする、駆動回路を小さくする、消費電力を低減する、等を目的とする表示装置の開発が行われている。

また、改良の１つとして、環境の光に応じて、表示装置に映す画像の明るさを自動的に調節する機能を有する表示装置が挙げられる。該表示装置として、例えば、環境の光を反射して画像を映す機能と、発光素子を光らせて画像を映す機能と、を有する表示装置が挙げられる。この構成にすることにより、環境の光が十分に強い場合には、反射光を利用して表示装置に画像を映す表示モード（以下、第１モードという。）とし、又は環境の光が弱い場合には、発光素子を光らせて表示装置に画像を映す表示モード（以下、第２モードという。）として、表示装置に映す画像の明るさの調節を行うことができる。つまり、該表示装置は、照度計（照度センサという場合もある。）などを用いて環境の光を検知することによって、該光の強さに応じて表示方法を第１モード、第２モード、又はそれら両方を用いたモード（以下、ハイブリッド表示、又は第３モードという。）のいずれかを選択して、画像の表示を行うことができる。

ところで、発光素子を光らせて画像を映す機能と、環境の光を反射して画像を映す機能と、を有する表示装置として、例えば、１つの画素に、液晶素子を制御する画素回路と、発光素子を制御する画素回路と、を有する表示装置が特許文献１乃至特許文献３に開示されている。

本明細書では、このように、表示素子として発光素子（例えば、透過型液晶素子、有機ＥＬ、無機ＥＬ、窒化物半導体発光ダイオード等）と、反射型素子（反射型液晶素子）と、を有するディスプレイを、ＥＲ−Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ（Ｅｍｉｓｓｉｖｅ ＯＬＥＤ ａｎｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ＬＣ Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ、または、Ｅｍｉｓｓｉｏｎ／Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ）と呼称する。また、表示素子として透過型液晶素子と、反射型液晶素子と、を有するディスプレイをＴＲ−Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ ＬＣ ａｎｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ＬＣ Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ、または、Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ／Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ ディスプレイ）と呼称する。また、表示素子として発光素子と、反射型素子と、を有する表示装置を、ハイブリッド表示装置と呼称し、ハイブリッド表示装置を有するディスプレイをハイブリッドディスプレイと呼称する。

米国特許出願公開第２００３／０１０７６８８号明細書 国際公開第２００７／０４１１５０号公報 特開２００８−２２５３８１号公報

ハイブリッド表示装置において、外光環境に依存しない表示品質を提供するには、使用環境に合わせて、輝度の調整、及び色調の補正を行う必要がある。例えば、外光の明るさが変化したとき、その明るさに合わせて、ハイブリッド表示装置の輝度の調整、及び色調の補正を行う必要がある。

本発明の一態様は、ハイブリッド表示装置を有する電子機器における新規の動作方法を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、電子機器のシステムを提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、消費電力が低減された電子機器を提供することを課題の１つとする。又は、本発明の一態様は、表示品位の良い該電子機器を提供することを課題の１つとする。

なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した課題、及び他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。なお、本発明の一態様は、上記列挙した課題、及び他の課題の全てを解決する必要はない。

（１）
本発明の一態様は、第１表示素子と、第２表示素子と、第１回路と、光センサと、を有する電子機器の動作方法であり、第１乃至第８ステップを有し、第１回路は、第１ゲイン値と、第２ゲイン値と、を定める機能を有し、第１ステップは、光センサによって、外光照度を計測するステップと、外光照度を含む照度データを第１回路に送信するステップと、を有し、第２ステップは、第１回路が、第１データと、第２データと、を取得するステップを有し、第３ステップは、第１回路において、外光照度が第１照度よりも低い場合に、第４ステップに移行するステップと、第１回路において、外光照度が第１照度以上で第２照度よりも低い場合に、第５ステップに移行するステップと、第１回路において、外光照度が第２照度以上である場合に、第６ステップに移行するステップと、を有し、第４ステップは、第１回路が第１ゲイン値を０にするステップと、第１回路が、第１関数と外光照度とを用いて、第２ゲイン値を定めるステップと、を有し、第５ステップは、第１回路が、第２関数と外光照度とを用いて、第１ゲイン値を定めるステップと、第１回路が、第３関数と外光照度とを用いて、第２ゲイン値を定めるステップと、を有し、第６ステップは、第１回路が、第４関数と外光照度とを用いて、第１ゲイン値を定めるステップと、第１回路が第２ゲイン値を０にするステップと、を有し、第７ステップは、第１回路において、第１データに第１ゲイン値、又は第１ゲイン値に対応する値を掛けて、第３データを生成するステップと、第１回路において、第２データに第２ゲイン値、又は第２ゲイン値に対応する値を掛けて、第４データを生成するステップと、を有し、第８ステップは、第１表示素子に第３データに基づく画像を表示するステップと、第２表示素子に第４データに基づく画像を表示するステップと、を有することを特徴とする動作方法である。

（２）
又は、本発明の一態様は、前記（１）において、第１乃至第４関数のいずれか少なくとも一は、一次関数であることを特徴とする動作方法である。

（３）
又は、本発明の一態様は、前記（２）において、第９ステップと、第１０ステップと、を有し、第９ステップは、第４乃至第６ステップで定めた第１ゲイン値が、第１最大値以上であったとき、第１ゲイン値を第１最大値とするステップを有し、第１０ステップは、第４乃至第６ステップで定めた第２ゲイン値が、第２最大値以上であったとき、第２ゲイン値を第２最大値とするステップを有し、第９ステップ、及び第１０ステップを行った後に、第７ステップを行うことを特徴とする動作方法である。

（４）
又は、本発明の一態様は、前記（３）において、第１１ステップを有し、電子機器は、第２回路を有し、第１１ステップは、第１データ、又は第３データの一方と、第２データ、又は第４データの一方と、に対して補正処理を行うステップを有することを特徴とする動作方法である。

（５）
又は、本発明の一態様は、前記（４）において、補正処理は、ガンマ補正処理を有することを特徴とする動作方法である。

（６）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（５）のいずれか一において、第１表示素子は、反射型素子であり、第２表示素子は、発光素子であることを特徴とする動作方法である。

本発明の一態様によって、ハイブリッド表示装置を有する電子機器における新規の動作方法を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、該電子機器のシステムを提供することができる。又は、本発明の一態様によって、消費電力が低減された電子機器を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、表示品位の良い電子機器を提供することができる。

なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。

画像処理部の構成例を示すブロック図。 画像処理部における入出力特性を示すグラフ。 画像処理部の動作例を示すフローチャート。 外光の照度に対してゲイン値の変化を示すグラフ。 外光の照度に対してゲイン値の変化を示すグラフ。 電子機器の構成例を示すブロック図。 電子機器の構成例を示すブロック図。 電子機器の構成例を示すブロック図。 ホスト装置の構成例を説明するブロック図。 表示装置の構成例を説明する模式図。 表示装置の構成例を説明する、回路図及びタイミングチャート。 表示装置の一例を示す斜視図。 入出力パネルの構成例を示す断面図。 入出力パネルの構成例を示す断面図。 タッチセンサユニットの構成例を示す回路図と、概観の例を示す上面図。 電子機器の一例を示す斜視図。

本明細書において、ハイブリッド表示（第３モードの表示）とは、１つのパネルにおいて、反射光と、自発光とを併用して、色調または光強度を互いに補完して、文字または画像を表示する方法である。または、ハイブリッド表示とは、同一画素または同一副画素において複数の表示素子から、それぞれの光を用いて、文字及び／又は画像を表示する方法である。ただし、ハイブリッド表示を行っているハイブリッドディスプレイを局所的にみると、複数の表示素子のいずれか一を用いて表示される画素または副画素と、複数の表示素子の二以上を用いて表示される画素または副画素と、を有する場合がある。

なお、本明細書等において、上記構成のいずれか１つまたは複数の表現を満たすものを、ハイブリッド表示という。

また、ハイブリッドディスプレイは、同一画素または同一副画素に複数の表示素子を有する。なお、複数の表示素子としては、例えば、光を反射する反射型素子と、光を射出する自発光素子とが挙げられる。なお、反射型素子と、自発光素子とは、それぞれ独立に制御することができる。ハイブリッドディスプレイは、表示部において、反射光、及び自発光のいずれか一方または双方を用いて、文字及び／または画像を表示する機能を有する。

本明細書等において、画像とは、静止画に加え、動画を含む表記であるとする。つまり、本明細書等において、画像と記載された場合、静止画、動画のどちらかの表記に置き換えて、呼称することができる。

本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有するトランジスタのチャネル形成領域を構成し得る場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳトランジスタと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。

また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。

（実施の形態１）
本実施の形態では、ハイブリッド表示装置に表示する画像を補正処理する半導体装置について説明する。

＜構成例＞
図１（Ａ）は、画像処理を行う半導体装置と、その周辺の装置と、の構成例を示したブロック図である。画像処理部４６０は、ハイブリッド表示装置に表示する画像に対してガンマ補正、調光補正、調色補正などを行う装置である。

調光補正とは、ハイブリッド表示装置を備える電子機器を使用する環境下の外光の照度に合わせて、ハイブリッド表示装置に表示する画像の明るさを調整する処理のことをいう。なお、表示する画像の明るさは、反射型素子の反射強度、発光素子の発光強度などで決まる。

調色補正とは、ハイブリッド表示装置を備える電子機器を使用する環境下の外光の色に合わせて、ハイブリッド表示装置に表示する画像の色調を調整する処理のことをいう。色調の調整方法の一例としては、反射型素子のみによる表示では足りない色の成分を、発光素子によって補う方法がある。例えば、夕暮れ時の赤みがかかった環境において該電子機器を使用する場合、反射型素子のみによる表示では、Ｇ（緑）成分、Ｂ（青）成分、又はその両方の成分が足りなくなるため、発光素子で足りない成分を発光することで、画像の色調の調整を行うことができる。

ガンマ補正処理とは、液晶素子である表示素子に表示する画像データに対して行われる補正処理であり、液晶素子の特性に合わせて、画面の明るさを最適化する補正処理である。

画像処理部４６０は、ハイブリッド表示装置に表示する画像データを画像処理部４６０の外部から取得して、該画像データに上述した補正を施す機能を有する。そして、画像処理部４６０は、補正した画像データを外部に出力する機能を有する。

図１（Ａ）では、画像処理部４６０に送られる画像データとして、ｄａｔａ１（０）とｄａｔａ２（０）と、を示している。ｄａｔａ１（０）とｄａｔａ２（０）と、は、例えば、ホスト装置などから送信される。ｄａｔａ１（０）は、ハイブリッド表示装置の第１表示素子に表示する画像データであり、ｄａｔａ２（０）は、ハイブリッド表示装置の第２表示素子に表示する画像データである。本明細書において、第１表示素子は、反射光を利用して表示装置に画像を表示する反射型素子とし、第２表示素子は、発光を利用して表示装置に画像を表示する発光素子とする。

また、図１（Ａ）では、画像処理部４６０から出力される画像データとして、ｄａｔａ１（２）とｄａｔａ２（２）と、示している。ｄａｔａ１（２）は、ｄａｔａ１（０）が画像処理部４６０によって補正された画像データであり、ｄａｔａ２（２）は、ｄａｔａ２（０）が画像処理部４６０によって補正された画像データである。ｄａｔａ１（２）は、第１表示素子に送信され、ｄａｔａ２（２）は、第２表示素子に送信される。

次に、画像処理部４６０の内部の回路、及び画像処理部４６０の周辺の装置について説明する。画像処理部４６０は、ゲイン計算回路４６１と、データ処理回路４６２と、を有する。そして、画像処理部４６０は、光センサ４４３と電気的に接続されている。

光センサ４４３は、外光の照度を計測する機能を有する。特に、光センサ４４３は、外光に含まれるＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のそれぞれの照度を計測して、それらの照度の情報を信号ｓｐａｒａｍとして、画像処理部４６０のゲイン計算回路４６１に送信する。なお、図１（Ａ）では、光センサ４４３からゲイン計算回路４６１に直接、信号ｓｐａｒａｍを送信する様子を示しているが、実際の動作では、光センサ４４３からの照度の情報は、ホスト装置、ディスプレイコントローラなどが有するプロセッサ、センサコントローラなどによって、信号ｓｐａｒａｍに変換されてゲイン計算回路４６１に送信される場合がある。

ゲイン計算回路４６１は、画像処理部４６０に送られるｄａｔａ１（０）、ｄａｔａ２（０）のそれぞれに対して、ゲイン値、又はゲイン値に対応する値との積を算出する機能を有する。特に、ｄａｔａ１（０）とのゲイン値をＧ_１とし、ｄａｔａ２（０）とのゲイン値をＧ_２とする。

厳密には、ｄａｔａ１（０）とゲイン値Ｇ_１との積は、Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎に計算が行われる。つまり、ｄａｔａ１（０）の表示画像を表示する各画素のＲ、Ｇ、Ｂの輝度Ｌ_１Ｒ、Ｌ_１Ｇ、Ｌ_１Ｂとし、Ｒのゲイン値Ｇ_１Ｒ、Ｇのゲイン値Ｇ_１Ｇ、Ｂのゲイン値Ｇ_１Ｂとしたとき、ｄａｔａ１（０）とゲイン値Ｇ_１との積とは、Ｌ_１Ｒ×Ｇ_１Ｒ、Ｌ_１Ｇ×Ｇ_１Ｇ、Ｌ_１Ｂ×Ｇ_１Ｂのそれぞれを意味する。同様に、ｄａｔａ２（０）とゲイン値Ｇ_２との積は、ｄａｔａ２（０）の表示画像を表示する各画素のＲ、Ｇ、Ｂの輝度Ｌ_２Ｒ、Ｌ_２Ｇ、Ｌ_２Ｂとし、Ｒのゲイン値Ｇ_２Ｒ、Ｇのゲイン値Ｇ_２Ｇ、Ｂのゲイン値Ｇ_２Ｂとしたとき、Ｌ_２Ｒ×Ｇ_２Ｒ、Ｌ_２Ｇ×Ｇ_２Ｇ、Ｌ_２Ｂ×Ｇ_２Ｂのそれぞれを意味する。

また、ｄａｔａ１（０）とゲイン値Ｇ_１に対応する値との積も、Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎に計算が行われる。ゲイン値Ｇ_１に対応する値を、例えば、任意の定数Ｃ_１Ｒ、Ｃ_１Ｇ、Ｃ_１ＢをそれぞれＲＧＢのゲイン値Ｇ_１Ｒ、Ｇ_１Ｇ、Ｇ_１Ｂに掛けた値としたとき、ｄａｔａ１（０）とゲイン値Ｇ_１に対応する値との積は、Ｌ_１Ｒ×Ｃ_１Ｒ×Ｇ_１Ｒ、Ｌ_１Ｇ×Ｃ_１Ｇ×Ｇ_１Ｇ、Ｌ_１Ｂ×Ｃ_１Ｂ×Ｇ_１Ｂとなる。また、例えば、ゲイン値Ｇ_１に対応する値を、Ｇ_１Ｒ ^Ｃ１Ｒ、Ｇ_１Ｇ ^Ｃ１Ｇ _、Ｇ_１Ｂ ^Ｃ１Ｂとしたとき、ｄａｔａ１（０）とゲイン値Ｇ_１に対応する値との積は、Ｌ_１Ｒ×Ｇ_１Ｒ ^Ｃ１Ｒ、Ｌ_１Ｇ×Ｇ_１Ｇ ^Ｃ１Ｇ、Ｌ_１Ｂ×Ｇ_１Ｂ ^Ｃ１Ｂとなる。また、例えば、ゲイン値Ｇ_１に対応する値を、Ｃ_１Ｒ（１／Ｇ_１Ｒ）、Ｃ_１Ｇ（１／Ｇ_１Ｇ）、Ｃ_１Ｂ（１／Ｇ_１Ｂ）としたとき、ｄａｔａ１（０）とゲイン値Ｇ_１に対応する値との積は、Ｌ_１Ｒ×Ｃ_１Ｒ（１／Ｇ_１Ｒ）、Ｌ_１Ｇ×Ｃ_１Ｇ（１／Ｇ_１Ｇ）、Ｌ_１Ｂ×Ｃ_１Ｂ（１／Ｇ_１Ｂ）となる。ｄａｔａ２（０）とゲイン値Ｇ_２に対応する値との積も、上述と同様に求めることができる。

つまり、ゲイン値Ｇ_１に対応する値、及びゲイン値Ｇ_２に対応する値は、それぞれゲイン値Ｇ_１を変数とする関数、及びゲイン値Ｇ_２を変数とする関数として定義することができる。また、ゲイン値Ｇ_１を変数とする関数、及びゲイン値Ｇ_２を変数とする関数は、それぞれ１変数の関数に限定せず、状況に応じて、又は、場合によっては２変数以上の関数として定義してもよい。

なお、本明細書において、簡易的に説明するため、以後は、ゲイン値Ｇ_１は、Ｇ_１Ｒ、Ｇ_１Ｇ、Ｇ_１Ｂのいずれか一を示し、ゲイン値Ｇ_２は、Ｇ_２Ｒ、Ｇ_２Ｇ、Ｇ_２Ｂのいずれか一を示すものとする。したがって、ｄａｔａ１（０）とＧ_１との積とは、Ｌ_１Ｒ×Ｇ_１Ｒ、Ｌ_１Ｇ×Ｇ_１Ｇ、Ｌ_１Ｂ×Ｇ_１Ｂのいずれかを示し、ｄａｔａ２（０）とＧ_２との積とは、Ｌ_２Ｒ×Ｇ_２Ｒ、Ｌ_２Ｇ×Ｇ_２Ｇ、Ｌ_２Ｂ×Ｇ_２Ｂのいずれかを示すものとする。また、これは、ｄａｔａ１（０）とゲイン値Ｇ_１に対応する値との積を計算する場合において、ゲイン値Ｇ_１に対応する値がＣ_１Ｒ×Ｇ_１Ｒ、Ｃ_１Ｇ×Ｇ_１Ｇ、Ｃ_１Ｂ×Ｇ_１Ｂであるとき、定数Ｃ_１Ｒ、Ｃ_１Ｇ、Ｃ_１Ｂの値が１であることに相当し、ｄａｔａ２（０）とゲイン値Ｇ_２に対応する値との積を計算する場合において、ゲイン値Ｇ_２に対応する値をＣ_２Ｒ×Ｇ_２Ｒ、Ｃ_２Ｇ×Ｇ_２Ｇ、Ｃ_２Ｂ×Ｇ_２Ｂであるとき、定数Ｃ_２Ｒ、Ｃ_２Ｇ、Ｃ_２Ｂの値が１であることに相当する。

なお、Ｇ_１、及びＧ_２のそれぞれの値は、ゲイン計算回路４６１に送られる信号ｓｐａｒａｍによって決定される。具体的な、Ｇ_１、及びＧ_２のそれぞれの値の決定方法は、後述する。

ゲイン計算回路４６１は、ｄａｔａ１（０）とゲイン値Ｇ_１、又はゲイン値Ｇ_１に対応する値との積であるｄａｔａ１（１）と、ｄａｔａ２（０）とゲイン値Ｇ_２、又はゲイン値Ｇ_２に対応する値との積であるｄａｔａ２（１）を出力し、ｄａｔａ１（１）とｄａｔａ２（１）をデータ処理回路４６２に送信する。ｄａｔａ１（１）、ｄａｔａ２（１）のそれぞれが、ｄａｔａ１（０）、ｄａｔａ２（０）を調光補正、調色補正を行ったデータとなる。

加えて、ゲイン計算回路４６１は、信号ｄｒｍｄを画像処理部４６０の外部に送信する機能を有する。信号ｄｒｍｄは、ハイブリッド表示装置の動作モードに関する信号であり、主にタイミングコントローラなどに送られる。具体的には、ゲイン計算回路４６１は、光センサ４４３で計測した外光の照度に応じて、ハイブリッド表示装置の動作モードを第１モード乃至第３モードのいずれか一に決定する機能を有し、その決定された動作モードの情報を有する信号ｄｒｍｄを画像処理部４６０の外部に送信する。

データ処理回路４６２は、ゲイン計算回路４６１から出力されたｄａｔａ１（１）とｄａｔａ２（１）と、に対して補正処理を行って、ｄａｔａ１（２）とｄａｔａ２（２）を出力する機能を有する。データ処理回路４６２が行う補正処理は、上述したガンマ補正処理の他に、例えば、ＥＬ補正処理がある。ＥＬ補正処理とは、有機ＥＬ素子である表示素子に表示する画像データに対して行われる補正処理であり、有機ＥＬ素子の輝度を調整する補正処理である。

ここで、画像処理部４６０に入力される画像データと、画像処理部４６０によって処理されて、画像処理部４６０から出力される画像データと、の入出力特性について、説明する。

図２は、入力される画像データの階調の値に対応する、出力後の画像データの階調の値を示した入出力特性のグラフの一例である。なお、本例において、画像処理部４６０のゲイン計算回路４６１では、入力された画像データに対してゲイン値０．５を掛けた値を出力することとする。加えて、本例では、画像処理部４６０のデータ処理回路４６２では、ガンマ補正を行うこととし、ガンマ補正のガンマ値は２．２としている。さらに、本例では、入力される画像データは８ｂｉｔ階調のデータとしており、出力される画像データは１２ｂｉｔ階調の画像データに変換している。そのため、横軸の値の範囲は０以上２５５以下となり、かつ縦軸の値の範囲は、０以上４０９５以下となっている。尚、図２のグラフは一例であるため、入力される画像データを８ｂｉｔ階調のデータとし、出力される画像データを８ｂｉｔ階調のデータとすることも可能である。この場合、横軸の値の範囲は０以上２５５以下となり、かつ縦軸の値の範囲は、０以上２５５以下となっている。

入出力特性ＩＯ１は、画像処理部４６０に入力された画像データの階調の値と、データ処理回路４６２におけるガンマ補正の処理、及び８ｂｉｔから１２ｂｉｔのデータ変換の処理を施されて、画像処理部４６０から出力される画像データの階調の値と、の入出力特性を示している。入出力特性ＩＯ２は、画像処理部４６０に入力された画像データの階調の値と、ゲイン計算回路４６１における演算処理、データ処理回路４６２におけるガンマ補正の処理、及び８ｂｉｔから１２ｂｉｔのデータ変換の処理を施されて、画像処理部４６０から出力される画像データの階調の値と、の入出力特性を示している。つまり、入出力特性ＩＯ２は、入出力特性ＩＯ１に加えてゲイン計算回路４６１による調光補正を施した特性となっている。

入出力特性ＩＯ２において、入力される画像データの階調の値が２５５であったとき、ゲイン計算回路４６１による演算、データ処理回路４６２によるガンマ補正、及び８ｂｉｔから１２ｂｉｔのデータ変換によって、出力される画像データの階調の値は２９９４となる。これは、入出力特性ＩＯ１において、入力される画像データの階調の値が１２８であるときの、出力される画像データの階調の値と等しくなる。つまり、入出力特性ＩＯ２の出力される画像データの階調は、入出力特性ＩＯ１において、入力データの階調の値に対してゲイン値０．５を掛けて得られた階調の値での、出力される画像データの階調の値に相当する。

前述したとおり、ゲイン値は、光センサ４４３から送られる信号ｓｐａｒａｍによって定められる。つまり、ハイブリッド表示装置を扱う環境の明るさの変化によって、ゲイン値は変動する。この場合、入出力特性ＩＯ２のゲイン値を０．５に固定するのではなく、環境に応じて変動することによって、入力された画像データに対して、動的に調光補正を施すことができる。

本発明の一態様は、図１（Ａ）に示す画像処理部４６０の構成に限定されない。場合によって、又は状況に応じて、画像処理部４６０の構成要素を適宜取捨することができる。また、場合によって、又は状況に応じて、画像処理部４６０の内部の接続構成を変更することができる。

例えば、図１（Ａ）の画像処理部４６０の構成として、フレームメモリを有してもよい（図示しない。）。フレームメモリをゲイン計算回路４６１とデータ処理回路４６２とに電気的に接続することで、ゲイン計算回路４６１又はデータ処理回路４６２での処理中のデータを一時的に保存することができる。また、フレームメモリは、画像処理部４６０内部ではなく、外部に設けられる構成としてもよい。

また、例えば、図１（Ａ）の画像処理部４６０の内部の接続構成を、図１（Ｂ）に示す画像処理部４６０Ａに変更してもよい。画像処理部４６０Ａは、ホスト装置などから送信されるｄａｔａ１（０）とｄａｔａ２（０）と、をゲイン計算回路４６１よりも先にデータ処理回路４６２に入力される構成となっている。つまり、画像処理部４６０Ａは、ｄａｔａ１（０）とｄａｔａ２（０）に対してデータ処理回路４６２によって補正処理を行い、補正処理が行われたデータ（図１（Ｂ）では、ｄａｔａ１（３）とｄａｔａ２（３）と記載している。）をゲイン計算回路４６１に入力してｄａｔａ１（２）とｄａｔａ２（２）を出力する構成となっている。

＜動作例＞
次に、上述の画像処理部を備える表示装置の動作方法の一例について説明する。

図３は、画像処理部４６０を備えるハイブリッド表示装置の動作方法の一例を示したフローチャートであり、該動作方法は、ステップＳＴ１乃至ステップＳＴ１７を有する。

ハイブリッド表示装置が駆動を開始したとき、初めにステップＳＴ１が行われる。

ステップＳＴ１では、光センサ４４３によって外光の照度を計測する動作が行われる。なお、本明細書では、計測した照度をＥ_０と記載する。計測した照度Ｅ_０は、信号ｓｐａｒａｍとして、ゲイン計算回路４６１に送信される。

ステップＳＴ２では、画像処理部４６０の外部（例えば、ホスト装置などがある。）から画像データを取得する動作が行われる。具体的には、画像データとしてｄａｔａ１（０）とｄａｔａ２（０）がゲイン計算回路４６１に入力される。

ステップＳＴ３では、照度Ｅ_０が照度Ｅ_ｍｉｎよりも低いか否かの判定が行われる。照度Ｅ_ｍｉｎは、ゲイン計算回路４６１にあらかじめ設定されたパラメータであり、ハイブリッド表示装置の動作モードを第１モード乃至第３モードのいずれか一に決定するために用いられる。照度Ｅ_０が照度Ｅ_ｍｉｎよりも低い場合、ステップＳＴ５に移行し、照度Ｅ_０が照度Ｅ_ｍｉｎ以上である場合、ステップＳＴ４に移行する。

ステップＳＴ４では、照度Ｅ_０が照度Ｅ_ｍａｘよりも低いか否かの判定が行われる。照度Ｅ_ｍａｘは、照度Ｅ_ｍｉｎと同様に、ゲイン計算回路４６１にあらかじめ設定されたパラメータであり、ハイブリッド表示装置の動作モードを第１モード乃至第３モードのいずれか一に決定するために用いられる。照度Ｅ_０が照度Ｅ_ｍａｘよりも低い場合、ステップＳＴ７に移行し、照度Ｅ_０が照度Ｅ_ｍａｘ以上である場合、ステップＳＴ９に移行する。

ステップＳＴ５では、ゲイン計算回路４６１から、ハイブリッド表示装置を第２モードとして駆動する制御信号を信号ｄｒｍｄとして、画像処理部４６０の外部に送信する動作が行われる。このため、ハイブリッド表示装置は第２モードで駆動を行う。第２モードは、第２表示素子である発光素子のみによって画像を表示するモードであるため、外光の照度Ｅ_０が照度Ｅ_ｍｉｎよりも低い環境下（暗い環境下）では、ハイブリッド表示装置は第２モードによる駆動が適している。また、ハイブリッド表示装置は第２モードで動作するため、第１表示素子の駆動を停止させることもできる。この場合、信号ｄｒｍｄによって第１表示素子の駆動を制御することができる。

ステップＳＴ６では、ゲイン値であるＧ_１、及びＧ_２の値の設定が行われる。Ｇ_１は、第１表示素子に画像を表示する場合に用いるゲイン値である。ステップＳＴ５において、ハイブリッド表示装置は第２モードで駆動している（第２表示素子のみで駆動している）ため、Ｇ_１は０と設定される。Ｇ_２は、第２表示素子に画像を表示する場合に用いるゲイン値であり、例えば、次の一次関数によって算出することができる。

ａ_２（２）、ｂ_２（２）は、ゲイン計算回路４６１にあらかじめ設定されたパラメータである。

ステップＳＴ７では、ゲイン計算回路４６１から、ハイブリッド表示装置を第３モードとして駆動する制御信号を信号ｄｒｍｄとして、画像処理部４６０の外部に送信する動作が行われる。このため、ハイブリッド表示装置は第３モードで駆動を行う。第３モードは、第１表示素子である反射型素子と第２表示素子である発光素子と、によって画像を表示するモードであるため、外光の照度Ｅ_０が照度Ｅ_ｍｉｎ以上で照度Ｅ_ｍａｘよりも低い環境下では、ハイブリッド表示装置は第３モードによる駆動が適している。

ステップＳＴ８では、ゲイン値であるＧ_１、及びＧ_２の値の設定が行われる。Ｇ_１は、第１表示素子に画像を表示する場合に用いるゲイン値であり、例えば、次の一次関数によって算出することができる。

ａ_１（３）、ｂ_１（３）は、ゲイン計算回路４６１にあらかじめ設定されたパラメータである。

また、Ｇ_２は、第２表示素子に画像を表示する場合に用いるゲイン値であり、例えば、次の一次関数によって算出することができる。

ａ_２（３）、ｂ_２（３）は、ゲイン計算回路４６１にあらかじめ設定されたパラメータである。

ステップＳＴ９では、ゲイン計算回路４６１から、ハイブリッド表示装置を第１モードとして駆動する制御信号を信号ｄｒｍｄとして、画像処理部４６０の外部に送信する動作が行われる。このため、ハイブリッド表示装置は第１モードで駆動を行う。第１モードは、第１表示素子である反射型素子のみによって画像を表示するモードであるため、外光の照度Ｅ_０が照度Ｅ_ｍａｘ以上の環境下（明るい環境下）では、ハイブリッド表示装置は第１モードによる駆動が適している。また、ハイブリッド表示装置は第１モードで動作するため、第２表示素子の駆動を停止させることもできる。この場合、信号ｄｒｍｄによって第２表示素子の駆動を制御することができる。

ステップＳＴ１０では、ゲイン値であるＧ_１、及びＧ_２の値の設定が行われる。Ｇ_２は、第２表示素子に画像を表示する場合に用いるゲイン値である。ステップＳＴ９において、ハイブリッド表示装置は第１モードで駆動している（第１表示素子のみで駆動している）ため、Ｇ_２は０と設定される。Ｇ_１は、第１表示素子に画像を表示する場合に用いるゲイン値であり、例えば、次の一次関数によって算出することができる。

ａ_１（１）、ｂ_１（１）は、ゲイン計算回路４６１にあらかじめ設定されたパラメータである。

ステップＳＴ６におけるＧ_２を定める式、ステップＳＴ８におけるＧ_１、及びＧ_２を定める式、ステップＳＴ１０におけるＧ_１を定める式は、上述した式に限定せず、例えば、高次関数、指数関数などを用いてもよい。

ステップＳＴ１１では、ステップＳＴ６、ステップＳＴ８のいずれか一によって定められたＧ_２が、Ｇ_{２＿ｍａｘ}よりも低いか否かの判定が行われる。Ｇ_{２＿ｍａｘ}は、ゲイン計算回路４６１にあらかじめ設定されたパラメータであり、ゲイン値Ｇ_２の取り得る範囲の最大値として定義される。Ｇ_２がＧ_{２＿ｍａｘ}よりも低い場合、ステップＳＴ１３に移行し、Ｇ_２がＧ_{２＿ｍａｘ}以上である場合、ステップＳＴ１２に移行する。

ステップＳＴ１２では、Ｇ_２をＧ_{２＿ｍａｘ}に変更する動作が行われる。ステップＳＴ１２は、ステップＳＴ６、又はステップＳＴ８において、Ｇ_２がＧ_{２＿ｍａｘ}以上である場合に行われる動作であり、Ｇ_２がゲイン値Ｇ_２の取る得る範囲の最大値であるＧ_{２＿ｍａｘ}以上であったとき、Ｇ_２は最大値のＧ_{２＿ｍａｘ}の値として扱われる。

ステップＳＴ１３では、ステップＳＴ８、ステップＳＴ１０のいずれか一によって定められたＧ_１が、Ｇ_{１＿ｍａｘ}よりも低いか否かの判定が行われる。Ｇ_{１＿ｍａｘ}は、ゲイン計算回路４６１にあらかじめ設定されたパラメータであり、ゲイン値Ｇ_１の取る得る範囲の最大値として定義される。Ｇ_１がＧ_{１＿ｍａｘ}よりも低い場合、ステップＳＴ１５に移行し、Ｇ_１がＧ_{１＿ｍａｘ}以上である場合、ステップＳＴ１４に移行する。

ステップＳＴ１４では、Ｇ_１をＧ_{１＿ｍａｘ}に変更する動作が行われる。ステップＳＴ１４は、ステップＳＴ８、又はステップＳＴ１０において、Ｇ_１がＧ_{１＿ｍａｘ}以上である場合に行われる動作であり、Ｇ_１がゲイン値Ｇ_１の取る得る範囲の最大値であるＧ_{１＿ｍａｘ}以上であったとき、Ｇ_１は最大値のＧ_{１＿ｍａｘ}の値として扱われる。

ステップＳＴ１５では、ステップＳＴ１乃至ステップＳＴ１４の動作によって定められたゲイン値Ｇ_１とＧ_２と、画像処理部４６０に入力されたｄａｔａ１（０）とｄａｔａ２（０）と、を用いて、ｄａｔａ１（１）とｄａｔａ２（１）とを生成する動作が行われる。

ステップＳＴ１６では、ステップＳＴ１５で生成されたｄａｔａ１（１）とｄａｔａ２（１）と、がデータ処理回路４６２に送信され、ｄａｔａ１（１）とｄａｔａ２（１）とに対して所定の補正処理が行われる。補正処理の行われたｄａｔａ１（１）、ｄａｔａ２（１）は、それぞれｄａｔａ１（２）、ｄａｔａ２（２）として画像処理部４６０の外部に出力される。

ステップＳＴ１７では、第１表示素子にｄａｔａ１（２）が送られ、第２表示素子にｄａｔａ２（２）が送られて、ハイブリッド表示装置にｄａｔａ１（２）及びｄａｔａ２（２）の画像を表示する動作が行われる。ステップＳＴ１７の終了後は、ステップＳＴ１に戻って、繰り返し動作が行われる。

なお、本明細書等において、フローチャートでは、全体の動作方法を複数の動作に分けて、複数の動作を互いに独立したステップとして示している。しかしながら実際には、動作方法を複数の動作に切り分けることが難しく、一つのステップに複数の動作が係わる場合や、複数のステップにわたって一つの動作が関わる場合があり得る。そのため、フローチャートのステップは、明細書で説明した動作に限定されず、状況に応じて適切に入れ替えることができる。

例えば、図３に示したフローチャートにおいて、ステップＳＴ５とステップＳＴ６の動作は、互いに入れ替えることができる。つまり、先にゲイン値Ｇ_１、及びＧ_２を設定した後に、ハイブリッド表示装置を駆動する信号ｄｒｍｄを送信してもよい。同様に、ステップＳＴ７とステップＳＴ８と、を互いに入れ替えてもよく、又は、ステップＳＴ９とステップＳＴ１０と、を互いに入れ替えてもよい。

＜外光の照度Ｅ_０に対するゲイン値Ｇ_１、Ｇ_２の変化＞
上述の動作例において、外光の照度Ｅ_０に対するゲイン値Ｇ_１、Ｇ_２の変化について説明する。

図４（Ａ）（Ｂ）は、横軸を照度Ｅ_０、縦軸をゲイン値Ｇ_２として、照度Ｅ_０に対するゲイン値Ｇ_２の変化を示すグラフである。

図４（Ａ）のグラフでは、ゲイン値Ｇ_２が、全ての照度Ｅ_０において、Ｇ_{２＿ｍａｘ}に達しない場合を図示している。外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎよりも低いとき、Ｇ_２は式（Ｅ１）を満たす値となり、外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎ以上でＥ_ｍａｘよりも低いとき、Ｇ_２は式（Ｅ３）を満たす値となり、外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍａｘ以上のとき、Ｇ_２は０となる。

図４（Ｂ）のグラフでは、ゲイン値Ｇ_２が、式（Ｅ３）において外光の照度Ｅ_０がＥ_２ｓ（Ｅ_２ｓは、Ｅ_ｍｉｎ以上でＥ_ｍａｘよりも低い照度である。）のときに、Ｇ_{２＿ｍａｘ}となる場合を図示している。外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎよりも低いとき、Ｇ_２は式（Ｅ１）を満たす値となり、外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎ以上でＥ_２ｓよりも低いとき、Ｇ_２は式（Ｅ３）を満たす値となり、外光の照度Ｅ_０がＥ_２ｓ以上でＥ_ｍａｘよりも低いとき、Ｇ_２はＧ_{２＿ｍａｘ}の値となり、外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍａｘ以上のとき、Ｇ_２は０となる。

図４（Ｃ）は、横軸を照度Ｅ_０、縦軸をゲイン値Ｇ_１として、照度Ｅ_０に対するゲイン値Ｇ_１の変化を示すグラフである。

図４（Ｃ）のグラフでは、ゲイン値Ｇ_１が、式（Ｅ４）において外光の照度Ｅ_０がＥ_１ｓ（Ｅ_１ｓは、Ｅ_ｍａｘより高い照度である。）のときに、Ｇ_{１＿ｍａｘ}となる場合を図示している。外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎよりも低いとき、Ｇ_１は０となり、外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎ以上でＥ_ｍａｘよりも低いとき、Ｇ_１は式（Ｅ２）を満たす値となり、外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍａｘ以上でＥ_１ｓよりも低いとき、Ｇ_１は式（Ｅ４）を満たす値となり、外光の照度Ｅ_０がＥ_１ｓ以上のとき、Ｇ_１はＧ_{１＿ｍａｘ}の値となる。

なお、図４（Ｃ）では、式（Ｅ４）において外光の照度Ｅ_０がＥ_１ｓのときに、Ｇ_{１＿ｍａｘ}となる場合を図示しているが、ゲイン計算回路４６１の動作はこれに限定されない。例えば、式（Ｅ２）において（外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎ以上でＥ_ｍａｘよりも低いときにおいて）ゲイン値Ｇ_１がＧ_{１＿ｍａｘ}に達する場合も考えられる。この場合、式（Ｅ２）でＧ_１がＧ_{１＿ｍａｘ}となるときの外光の照度よりも高い照度では、Ｇ_１はＧ_{１＿ｍａｘ}の値をとることになる。

図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）において、式（Ｅ１）乃至式（Ｅ４）で用いたパラメータａ_１（１）、ａ_２（２）、ａ_１（３）、ａ_２（３）は、０よりも大きい値としているが、ゲイン計算回路４６１の動作はこれに限定されない。例えば、ａ_１（１）、ａ_２（２）、ａ_１（３）、ａ_２（３）の少なくともいずれか一は、０よりも小さい値としてもよい。また、例えば、ａ_１（１）、ａ_２（２）、ａ_１（３）、ａ_２（３）の少なくともいずれか一は、０としてもよい。

図５（Ａ）に、ａ_２（３）を０より少ない値とする、照度Ｅ_０に対するゲイン値Ｇ_２の変化のグラフを示し、図５（Ｂ）にａ_１（１）、ａ_１（３）の値を０とした場合の、照度Ｅ_０に対するゲイン値Ｇ_１のグラフを示す。

図５（Ａ）のグラフでは、ゲイン値Ｇ_２が、全ての照度Ｅ_０において、Ｇ_{２＿ｍａｘ}に達しない場合を図示している。外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎよりも低いとき、Ｇ_２は式（Ｅ１）を満たす値となっている。ここでは、ａ_２（２）の値をａ_{ｅｘ２（２）}（ａ_{ｅｘ２（２）}は０よりも大きい値である。）とし、ｂ_２（２）の値をｂ_{ｅｘ２（２）}（ｂ_{ｅｘ２（２）}は０よりも大きい値である。）としている。外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎ以上でＥ_ｍａｘよりも低いとき、Ｇ_２は式（Ｅ３）を満たす値となっている。ここでは、ａ_２（３）の値をａ_{ｅｘ２（３）}（ａ_{ｅｘ２（３）}は０よりも小さい値である。）とし、ｂ_２（３）の値をｂ_{ｅｘ２（３）}（ｂ_{ｅｘ２（３）}は０よりも大きい値である。）としている。外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍａｘ以上のとき、Ｇ_２は０となる。

図５（Ｂ）のグラフでは、外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎ以上のときに、ゲイン値Ｇ_１が一定となる場合を図示している。外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎよりも低いとき、Ｇ_１は０となる。外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍｉｎ以上でＥ_ｍａｘよりも低いとき、Ｇ_１は式（Ｅ２）を満たす値としており、ａ_１（３）の値を０とし、ｂ_１（３）の値をｂ_{ｅｘ１（３）}（ｂ_{ｅｘ１（３）}は、０よりも大きい値とする。）としている。外光の照度Ｅ_０がＥ_ｍａｘ以上のとき、Ｇ_１は式（Ｅ４）を満たす値としており、ａ_１（１）の値を０とし、ｂ_１（１）の値をｂ_{ｅｘ１（１）}（ｂ_{ｅｘ１（１）}は、ｂ_{ｅｘ３（１）}と等しい値とする。）としている。また、この場合、ｂ_{ｅｘ１（１）}、及びｂ_{ｅｘ１（３）}は、Ｇ_{１＿ｍａｘ}としてもよい。

このように、ゲイン計算回路４６１において、ゲイン値Ｇ_１、Ｇ_２を求めることで、画像処理部４６０に入力されたｄａｔａ１（０）とｄａｔａ２（０）と、のそれぞれと、ゲイン値Ｇ_１、Ｇ_２との積であるｄａｔａ１（１）とｄａｔａ２（１）を出力することができる。これにより、ｄａｔａ１（０）とｄａｔａ２（０）とに対して、調光補正を行うことができる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に固有の演算を行うことで、調色補正を行うことができる。

なお、本実施の形態で用いたパラメータＥ_ｍｉｎ、Ｅ_ｍａｘ、ａ_１（１）、ｂ_１（１）、ａ_２（２）、ｂ_２（２）、ａ_１（３）、ｂ_１（３）、ａ_２（３）、ｂ_２（３）、Ｇ_{１＿ｍａｘ}、Ｇ_{２＿ｍａｘ}は、ゲイン計算回路４６１の作製時にあらかじめ定められていてもよいし、表示画像を観るユーザ側が操作を行って該パラメータを自由に設定できるようにしてもよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した画像処理部４６０を含むハイブリッド表示装置とその周辺の装置を有する電子機器の構成について説明する。

＜構成例＞
図６は、電子機器の構成例として、表示装置とその周辺の装置を説明するブロック図である。

表示装置１００Ａは、ディスプレイコントローラ４００Ａと、ゲートドライバ１０３と、レベルシフタ１０４と、表示部１０６と、ソースドライバ１１１と、を有する。ホスト装置４４０と、タッチセンサユニット３００と、光センサ４４３と、は、表示装置１００Ａの周辺の装置として機能し、それぞれ表示装置１００Ａと電気的に接続されている。

なお、ディスプレイコントローラ４００Ａと、ゲートドライバ１０３と、レベルシフタ１０４と、ソースドライバ１１１と、は、同一のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）又は別々のＩＣとして、表示部１０６が形成されている基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式などで実装することができる場合がある。また、上述のＩＣは、ＣＯＧ方式ではなく、該基板と電気的に接続されているＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式などで実装することもできる場合がある。なお、ディスプレイコントローラ４００Ａと、ゲートドライバ１０３と、レベルシフタ１０４と、ソースドライバ１１１と、は全てＩＣとして作製する必要は無く、回路によっては、該基板上に直接形成することもできる場合がある。

ディスプレイコントローラ４００Ａは、インターフェース４５０と、フレームメモリ４５１と、デコーダ４５２と、センサコントローラ４５３と、コントローラ４５４と、クロック生成回路４５５と、画像処理部４６０と、ラインメモリ４７０と、タイミングコントローラ４７３と、レジスタ４７５と、タッチセンサコントローラ４８４と、を有する。なお、本明細書では、フレームメモリ４５１と、デコーダ４５２と、画像処理部４６０と、ラインメモリ４７０と、タイミングコントローラ４７３と、レジスタ４７５と、をまとめて領域４９０と呼称する。

タッチセンサユニット３００は、センサアレイ３０２と、ＴＳ（タッチセンサ）ドライバ回路３１１と、センス回路３１２と、を有する。なお、本明細書では、ＴＳドライバ回路３１１と、センス回路３１２と、をまとめて周辺回路３１５と呼称する。

表示部１０６は、画素１０を有し、画素１０は、反射型素子１０ａと、発光素子１０ｂとを有する。なお、反射型素子１０ａは、別の実施の形態で説明する第１表示素子に相当し、発光素子１０ｂは、別の実施の形態で説明する第２表示素子に相当する。

ゲートドライバ１０３は、ゲートドライバ１０３ａとゲートドライバ１０３ｂと、を有する。ゲートドライバ１０３ａは、表示部１０６が有する反射型素子１０ａを選択する機能を有し、ゲートドライバ１０３ｂは、表示部１０６が有する発光素子１０ｂを選択する機能を有する。

レベルシフタ１０４は、レベルシフタ１０４ａとレベルシフタ１０４ｂと、を有する。レベルシフタ１０４ａは、ゲートドライバ１０３ａと電気的に接続されている。加えて、レベルシフタ１０４ａは、タイミングコントローラ４７３と電気的に接続されている。レベルシフタ１０４ａは、タイミングコントローラ４７３から送られてきたタイミング信号を適切なレベルまでシフトして、レベルシフトされたタイミング信号をゲートドライバ１０３ａに送信する機能を有する。レベルシフタ１０４ｂは、ゲートドライバ１０３ｂと電気的に接続されている。加えて、レベルシフタ１０４ｂは、タイミングコントローラ４７３と電気的に接続されている。レベルシフタ１０４ｂは、タイミングコントローラ４７３から送られてきたタイミング信号を適切なレベルまでシフトして、レベルシフトされたタイミング信号をゲートドライバ１０３ｂに送信する機能を有する。

ソースドライバ１１１は、ソースドライバ１１１ａとソースドライバ１１１ｂと、を有する。ソースドライバ１１１ａは、表示部１０６が有する反射型素子１０ａに対して、ラインメモリ４７０からの画像データを送信する機能を有し、ソースドライバ１１１ｂは、表示部１０６が有する発光素子１０ｂに対して、ラインメモリ４７０からの画像データを送信する機能を有する。

ホスト装置４４０は、インターフェース４５０と電気的に接続され、タッチセンサコントローラ４８４は、タッチセンサユニット３００の周辺回路３１５と電気的に接続され、光センサ４４３は、センサコントローラ４５３と電気的に接続されている。

ディスプレイコントローラ４００Ａとホスト装置４４０との通信は、インターフェース４５０を介して行われる。具体的には、ホスト装置４４０は、インターフェース４５０を介して、ディスプレイコントローラ４００Ａに画像データ、各種制御信号などを送信し、ディスプレイコントローラ４００Ａは、タッチセンサコントローラ４８４が取得したタッチ位置などの情報をホスト装置４４０に送信する。なお、ディスプレイコントローラ４００Ａが有するそれぞれの回路は、ホスト装置４４０の規格、表示装置１００Ａの仕様などによって適宜取捨される。

なお、ホスト装置４４０については、実施の形態３で詳述する。

フレームメモリ４５１は、ディスプレイコントローラ４００Ａに入力された画像データを保存するためのメモリである。ホスト装置から圧縮された画像データが送られる場合、フレームメモリ４５１は、圧縮された画像データを格納することが可能である。デコーダ４５２は、圧縮された画像データを伸長するための回路である。画像データを伸長する必要がない場合、デコーダ４５２は処理を行わない。または、デコーダ４５２を、フレームメモリ４５１とインターフェース４５０との間に、配置することもできる。

また、フレームメモリ４５１は、画像処理部４６０において処理中の画像データを一時的に保存するために用いてもよい。この場合は、デコーダ４５２を介さず、フレームメモリ４５１と画像処理部４６０との間で、直接データの通信を行ってもよい。

画像処理部４６０は、実施の形態１で説明した画像処理部４６０を適用することができる。その場合、画像処理部４６０は、ゲイン計算回路４６１、データ処理回路４６２を有する。データ処理回路４６２は、画像データに対して各種画像処理を行う機能を有する。例えば、データ処理回路４６２は、ガンマ補正回路４６２ａ、ＥＬ補正回路４６２ｂなどを有する。

画像処理部４６０で処理された画像データ、例えば、ｄａｔａ１（２）とｄａｔａ２（２）とは、ラインメモリ４７０を経て、ソースドライバ１１１に出力される。ラインメモリ４７０は、画像データを一時的に格納するためのメモリであり、ラインバッファと呼ばれることがある。ソースドライバ１１１は、入力された画像データを処理し、表示部１０６のソース線に書き込む機能をもつ。

タイミングコントローラ４７３は、ソースドライバ１１１、タッチセンサコントローラ４８４、ゲートドライバ１０３のそれぞれで使用されるタイミング信号を生成する機能を有する。なお、本構成例では、ゲートドライバ１０３に入力されるタイミング信号が、レベルシフタ１０４によってレベルシフトされてから、ゲートドライバ１０３に送信される構成となっている。ゲートドライバ１０３は、表示部１０６の画素を選択する機能を有する。

タッチセンサコントローラ４８４は、ＴＳドライバ回路３１１、センス回路３１２を制御する機能をもつ。センス回路３１２で読み出されたタッチ情報を含む信号は、タッチセンサコントローラ４８４で処理され、インターフェース４５０を介して、ホスト装置４４０に送出される。ホスト装置４４０は、タッチ情報を反映した画像データを生成し、ディスプレイコントローラ４００Ａに送出する。なお、ディスプレイコントローラ４００Ａで、画像データにタッチ情報を反映する構成も可能である。

クロック生成回路４５５は、ディスプレイコントローラ４００Ａで使用されるクロック信号を生成する機能を有する。コントローラ４５４は、インターフェース４５０を介してホスト装置４４０から送られる各種制御信号を処理し、ディスプレイコントローラ４００Ａ内の各種回路を制御する機能を有する。また、コントローラ４５４は、ディスプレイコントローラ４００Ａ内の各種回路への電源供給を制御する機能を有する。以下、使われていない回路への電源供給を一時的に遮断することを、パワーゲーティングと呼称する。なお、パワーゲーティングについては、後述する。

特に、表示部１０６が前述したＯＳトランジスタを有する場合、ＯＳトランジスタはオフ電流が非常に小さい特性を有するため、表示素子に画像データを長時間保持することができる。つまり、静止画の場合において、画像データのリフレッシュを行う必要が無いため、このとき、表示装置１００Ａが有する所定の回路をパワーゲーティングすることができる。本明細書では、このような動作をアイドリング・ストップ（本明細書ではＩＤＳと呼称する。）駆動と呼ぶこととする。なお、ＩＤＳ駆動については、実施の形態４で詳述する。

レジスタ４７５は、ディスプレイコントローラ４００Ａの動作に用いられるデータを格納する。レジスタ４７５が格納するデータには、画像処理部４６０が補正処理を行うために使用するパラメータ、タイミングコントローラ４７３が各種タイミング信号の波形生成に用いるパラメータなどがある。レジスタ４７５は、複数のレジスタで構成されるスキャンチェーンレジスタを備える。

センサコントローラ４５３には、光センサ４４３が電気的に接続されている。光センサ４４３には外光４４５に含まれるＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のそれぞれの照度を検知し、検知信号を生成する。センサコントローラ４５３は該検知信号を基に、制御信号を生成する。センサコントローラ４５３で生成される該制御信号は、例えば、コントローラ４５４に出力される。

また、センサコントローラ４５３は加速度センサが電気的に接続されている構成としてもよい。表示装置１００Ａに加速度センサを電気的に接続することで、表示装置１００Ａは、表示装置１００Ａの傾きに応じて、表示部１０６に表示する画像を変更するなどの動作を行うことができる。また、センサコントローラ４５３は熱センサが電気的に接続されている構成としてもよい。表示装置１００Ａに熱センサを電気的に接続することで、表示装置１００Ａは、表示装置１００Ａの温度に応じて、表示部１０６に表示する画像を変更するなどの動作を行うことができる。この場合、表示装置１００Ａが比較的高温の場合、画像処理部４６０などで、第２表示素子の輝度が低下するように画像処理を行うことが有効である。

また、表示装置１００Ａが折り畳み式の電子機器に組み込まれている場合、センサコントローラ４５３は開閉センサが電気的に接続されている構成としてもよい。このような構成にすることで、電子機器は、電子機器が折り畳まれているとき、表示装置１００Ａの駆動を停止し、電子機器が開いたとき、表示装置１００Ａの駆動を開始するなどの動作を行うことができる。

＜＜パワーゲーティング＞＞
コントローラ４５４は、ホスト装置４４０から送られる画像データに変化がない場合、ディスプレイコントローラ４００Ａ内の一部回路をパワーゲーティングすることができる。具体的には、一部回路とは、例えば、領域４９０内の回路を指す。ホスト装置４４０から画像データに変化がないことを示す制御信号をディスプレイコントローラ４００Ａに送信し、当該制御信号をコントローラ４５４で検出した場合にパワーゲーティングする構成が可能である。

また、パワーゲーティングを行う回路は、ディスプレイコントローラ４００Ａが有する回路に限定せず、例えば、ソースドライバ１１１、レベルシフタ１０４、ゲートドライバ１０３などに対して、行ってもよい。

領域４９０内の回路は、画像データに関する回路と、表示装置１００Ａを駆動するための回路であるため、画像データに変化がない場合は、一時的に領域４９０内の回路を停止することができる。なお、画像データに変化がない場合でも、表示部１０６の画素に使用されるトランジスタがデータを保持できる時間（ＩＤＳが可能な時間）を考慮してもよい。また、表示部１０６の画素が反射型素子として液晶素子を適用した場合において、液晶素子が焼き付き防止のため行う反転駆動の時間を考慮してもよい。

例えば、コントローラ４５４はタイマ機能を組み込むことで、タイマで測定した時間に基づいて、領域４９０内の回路への電源供給を再開するタイミングを決定してもよい。なお、フレームメモリ４５１もしくはラインメモリ４７０に画像データを保存しておき、当該画像データを反転駆動時に表示部１０６に供給する画像データとする構成が可能である。このような構成とすることで、ホスト装置４４０から画像データを送信することなく反転駆動が実行できる。したがって、ホスト装置４４０からのデータ送信量を低減でき、ディスプレイコントローラ４００Ａの消費電力を低減することができる。

なお、表示装置１００Ａ、又はディスプレイコントローラ４００Ａの構成は、本実施の形態で説明した構成例に限定されない。ディスプレイコントローラ４００Ａの仕様、ホスト装置４４０の規格、表示装置１００Ａの仕様等によって、様々な組み合わせが考えられる。

例えば、本実施の形態において、光センサ４４３は、表示装置１００Ａの周辺装置として説明しているが、図７に示すとおり、光センサ４４３は、表示装置１００Ｂに含まれる構成であってもよい。また、例えば、図８に示すとおり、光センサ４４３は、ホスト装置４４０が有する構成とし、表示装置１００Ｃ、及びディスプレイコントローラ４００Ｃは光センサ４４３及びセンサコントローラ４５３を含まない構成としてもよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、先の実施の形態で説明したホスト装置４４０の具体的な構成例について、説明する。

図９は、ホスト装置４４０の構成例を示すブロック図である。なお、図９は、ホスト装置４４０と電気的に接続されている表示装置１００Ａと、デバイス１１００と、も図示している。

ホスト装置４４０は、ディスプレイインターフェース１００１と、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１００２と、プロセッサ１００３と、デバイスインターフェース１００４と、メモリ１００５と、データバス１０５０と、を有している。

ディスプレイインターフェース１００１と、ＧＰＵ１００２と、プロセッサ１００３と、デバイスインターフェース１００４と、メモリ１００５と、は、データバス１０５０を介して、お互いに電気的に接続されている。

ディスプレイインターフェース１００１は、ディスプレイコントローラ４００Ａが有するインターフェース４５０と電気的に接続されている。ディスプレイインターフェース１００１は、ディスプレイコントローラ４００Ａと、ホスト装置４４０との間の交信、及び制御を行う装置である。

ＧＰＵ１００２は、表示装置１００Ａに送信する画像データを処理する装置である。特に、ＧＰＵ１００２は、３Ｄ画像の表示に必要な計算を行うことができるため、プロセッサ１００３の処理量を減らすことができる。

プロセッサ１００３は、演算装置、及び制御装置として機能し、ホスト装置４４０内の各種装置の動作全般を制御する。プロセッサ１００３には、セントラルプロセシングユニット（ＣＰＵ）やマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）などを用いることができる。

デバイスインターフェース１００４は、ホスト装置４４０と、外部機器に相当するデバイス１１００と、の間の交信、及び制御を行う装置である。デバイス１１００としては、例えば、キーボード、マウス、外付けの記憶装置、マイク、又はスピーカなどが挙げられる。

メモリ１００５は、情報を保持する装置である。情報を一時的に保持する場合、揮発性メモリであるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などを適用することができ、情報を常に保持する場合、不揮発性メモリであるフラッシュメモリ、磁気記憶装置（ハードディスクドライブ、磁気メモリなど）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）などを適用することができる。また、上記に挙げた揮発性メモリ、及び不揮発性メモリの両方を適用することができる。

なお、本実施の形態は、表示装置１００Ａだけでなく、表示装置１００Ｂ及び表示装置１００Ｃに対しても有効である。

なお、本実施の形態で説明したホスト装置４４０の構成は一例であり、状況によって、場合によって、又は必要に応じて、適宜、構成要素を取捨することができる。例えば、デバイスインターフェースの数を、図９に示したとおり１個だけではなく、複数個有してもよい。また、例えば、高負荷な画像処理を行わない場合は、ＧＰＵ１００２を取り除いた構成としてもよい。

また、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態２で説明した電子機器の表示装置に適用できるハイブリッド表示装置について、図１０乃至図１４を用いて説明する。

本実施の形態の表示装置は、可視光を反射する第１表示素子と、可視光を発する第２表示素子とを有する。また、表示装置は、第１表示素子によって反射する光と、第２表示素子が発する光のうち、いずれか一方または双方により、画像を表示する機能を有する。

第１表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。

第１表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。または、第１表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式等を適用した素子などを用いることができる。

第２表示素子には、発光素子を用いることが好ましい。このような表示素子が発する光は、その輝度や色度が外光に左右されることが少ないため、色再現性が高く（色域が広く）、コントラストの高い、鮮やかな表示を行うことができる。

第２表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、無機ＥＬ、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、半導体レーザ（窒化物半導体発光ダイオードなど）などの自発光性の発光素子を用いることができる。なお、第２表示素子には、自発光性の発光素子を用いることが好ましいが、これに限定されず、例えば、バックライト、またはサイドライトなどの光源と、液晶素子とを組み合わせた透過型の液晶素子を用いてもよい。

本実施の形態の表示装置は、第１表示素子を用いて画像を表示する第１モードと、第２表示素子を用いて画像を表示する第２モードと、第１表示素子及び第２表示素子の双方を用いて画像を表示する第３モードと、を有し、第１乃至第３モードを自動または手動で切り替えることができる。以下では、第１乃至第３モードの詳細について説明する。

［第１モード］
第１モードでは、第１表示素子と外光とを用いて画像を表示する。第１モードは光源が不要であるため、極めて低消費電力なモードである。例えば、表示装置に外光が十分に入射されるとき（明るい環境下など）は、第１表示素子が反射した光を用いて表示を行うことができる。例えば、外光が十分に強く、かつ外光が白色光またはその近傍の光である場合に有効である。第１モードは、文字を表示することに適したモードである。また、第１モードは、外光を反射した光を用いるため、目に優しい表示を行うことができ、目が疲れにくいという効果を奏する。なお、第１モードを、反射した光を用いて表示を行うため、反射型の表示モード（Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｍｏｄｅ）と呼称してもよい。

［第２モード］
第２モードでは、第２表示素子による発光を利用して画像を表示する。そのため、照度や外光の色度によらず、極めて鮮やかな（コントラストが高く、且つ色再現性の高い）表示を行うことができる。例えば、夜間や暗い室内など、照度が極めて低い場合などに有効である。また、周囲が暗い場合、明るい表示を行うと使用者が眩しく感じてしまう場合がある。これを防ぐために、第２モードでは輝度を抑えた表示を行うことが好ましい。これにより、眩しさを抑えることに加え、消費電力も低減することができる。第２モードは、鮮やかな画像（静止画及び動画）などを表示することに適したモードである。なお、第２モードを、発光、すなわち放射した光を用いて表示を行うため、放射型の表示モード（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｍｏｄｅ）と呼称してもよい。

［第３モード］
第３モードでは、第１表示素子による反射光と、第２表示素子による発光との双方を利用して表示を行う。なお、第１表示素子と第２表示素子とを、それぞれ独立に駆動させ、且つ第１表示素子と第２表示素子とを、同一期間内で駆動させることで、第１表示素子と、第２表示素子とを組み合わせた表示を行うことができる。なお、本明細書等において、第１表示素子と、第２表示素子とを組み合わせた表示、すなわち、第３モードをハイブリッド表示モード（ＨＢ表示モード）と呼称することができる。または、第３モードを、放射型の表示モードと、反射型の表示モードとを組み合わせた表示モード（ＥＲ−Ｈｙｂｒｉｄ ｍｏｄｅ）と呼称してもよい。

第３モードで表示を行うことで、第１モードよりも鮮やかな表示とし、且つ第２モードよりも消費電力を抑えることができる。例えば、室内照明下や、朝方や夕方の時間帯など、比較的照度が低い場合、外光の色度が白色ではない場合などに有効である。また、反射光と発光とを混合させた光を用いることで、まるで絵画を見ているかのように感じさせる画像を表示することが可能となる。

また、ハイブリッド表示装置は、第１表示素子と、第２表示素子と、で異なる画像を表示してもよい。例えば、第１表示素子で字幕を表示し、第２表示素子で画像の表示を行うことができる。このため、画像と字幕と、の両方を表示したい場合は、上述の第３モードで表示装置を動かす。

また、字幕を表示しない場合は、第２表示素子で画像の表示を行えばよいので、上述の第２モードで表示装置を動かせばよい。なお、照度が明るい場合は、第１表示素子で画像の表示を行ってもよいので、第２モードではなく、第１モードで表示装置を動かしてもよい。

＜第１乃至第３モードの具体例＞
ここで、上述した第１乃至第３モードを用いる場合の具体例について、図１０及び図１１を用いて説明する。

なお、以下では、第１乃至第３モードが照度に応じて自動に切り替わる場合について説明する。なお、照度に応じて自動で切り替わる場合、例えば、表示装置に照度センサ等を設け、当該照度センサからの情報をもとに表示モードを切り替えることができる。

図１０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、本実施の形態の表示装置が取り得る表示モードを説明するための画素の模式図である。

図１０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）では、第１表示素子２０１、第２表示素子２０２、開口部２０３、第１表示素子２０１から反射される反射光２０４、及び第２表示素子２０２から開口部２０３を通って射出される透過光２０５が明示されている。なお、図１０（Ａ）が第１モードを説明する図であり、図１０（Ｂ）が第２モードを説明する図であり、図１０（Ｃ）が第３モードを説明する図である。

なお、図１０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）では、第１表示素子２０１として、反射型の液晶素子を用い、第２表示素子２０２として、自発光型のＯＬＥＤを用いる場合とする。

図１０（Ａ）に示す第１モードでは、第１表示素子２０１である、反射型の液晶素子を駆動して反射光の強度を調節して階調表示を行うことができる。例えば、図１０（Ａ）に示すように、第１表示素子２０１である、反射型の液晶素子が有する反射電極で反射された反射光２０４の強度を液晶層で調節することで階調表示を行うことができる。

図１０（Ｂ）に示す第２モードでは、第２表示素子２０２である、自発光型のＯＬＥＤの発光強度を調節して階調表示を行うことができる。なお、第２表示素子２０２から射出される光は、開口部２０３を通過し、透過光２０５として外部に取り出される。

図１０（Ｃ）に示す第３モードは、上述した第１モードと、第２モードとを組み合わせた表示モードである。例えば、図１０（Ｃ）に示すように、第１の表示素子２０１である、反射型の液晶素子が有する反射電極で反射された反射光２０４の強度を液晶層で調節し階調表示を行う。また、第１表示素子２０１の駆動する期間と、同じ期間内に、第２表示素子２０２である、自発光型のＯＬＥＤの発光強度、ここでは透過光２０５の強度を調整し階調表示を行う。

＜第１乃至第３モードの状態遷移＞
次に、第１乃至第３モードの状態遷移について、図１０（Ｄ）を用いて説明を行う。図１０（Ｄ）は、第１モード、第２モード、及び第３モードの状態遷移図である。図１０（Ｄ）に示す、状態ＣＮＤ１は第１モードに相当し、状態ＣＮＤ２は第２モードに相当し、状態ＣＮＤ３は第３モードに相当する。

図１０（Ｄ）に図示するように、状態ＣＮＤ１から状態ＣＮＤ３までは照度に応じていずれかの状態の表示モードを取り得る。例えば、昼間のように照度が大きい場合には、状態ＣＮＤ１を取り得る。また、昼間から夜間に時間経過して照度が小さくなる場合には、状態ＣＮＤ１から状態ＣＮＤ２に遷移する。また、昼間であっても照度が低く、反射光による階調表示が十分でない場合には、状態ＣＮＤ１から状態ＣＮＤ３に遷移する。もちろん、状態ＣＮＤ３から状態ＣＮＤ１への遷移、状態ＣＮＤ２から状態ＣＮＤ３への遷移、状態ＣＮＤ３から状態ＣＮＤ２への遷移、または状態ＣＮＤ２から状態ＣＮＤ１への遷移も生じる。

なお、図１０（Ｄ）に図示するように、状態ＣＮＤ１乃至状態ＣＮＤ３において、照度の変化がない、または照度の変化が少ない場合には、他の状態に遷移せずに、続けて元の状態を維持すればよい。

以上のように照度に応じて表示モードを切り替える構成とすることで、照度に応じて表示装置の階調表示を行うことができる。また、当該階調表示によって、消費電力が比較的大きい発光素子の発光の頻度を減らすことができる場合があるため、表示装置の消費電力を低減することができる。また、表示装置は、バッテリの残容量、表示するコンテンツ、または周辺環境の照度に応じて、さらに動作モードを切り替えることができる。なお、上記の説明においては、照度に応じて表示モードが自動で切り替わる場合について例示したがこれに限定されず、使用者が手動で表示モードを切り替えてもよい。

＜動作モード＞
次に、第１表示素子、及び第２表示素子で行うことができる動作モードについて、図１１を用いて説明を行う。

なお、以下では、通常のフレーム周波数（代表的には６０Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下）で動作する通常動作モード（Ｎｏｒｍａｌ ｍｏｄｅ）と、低速のフレーム周波数で動作するアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードと、を例示して説明する。

なお、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードとは、画像データの書き込み処理を実行した後、画像データの書き換えを停止する駆動方法のことをいう。一旦画像データの書き込みをして、その後、次の画像データの書き込みまでの間隔を延ばすことで、その間の画像データの書き込みに要する分の消費電力を削減することができる。アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードは、例えば、通常動作モードの１／１００乃至１／１０程度のフレーム周波数とすることができる。

図１１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、通常駆動モードとアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードを説明する回路図及びタイミングチャートである。なお、図１１（Ａ）では、第１表示素子２０１（ここでは液晶素子）と、第１表示素子２０１に電気的に接続される画素回路２０６と、を明示している。また、図１１（Ａ）に示す画素回路２０６では、信号線ＳＬと、ゲート線ＧＬと、信号線ＳＬ及びゲート線ＧＬに接続されたトランジスタＭ１と、トランジスタＭ１に接続される容量素子Ｃｓ_ＬＣとを図示している。

トランジスタＭ１としては、半導体層に金属酸化物を有するトランジスタを用いることが好ましい。以下、トランジスタの代表例として、金属酸化物の分類の１つである酸化物半導体を有するトランジスタ（ＯＳトランジスタ）を用いて説明する。ＯＳトランジスタは、非導通状態時のリーク電流（オフ電流）が極めて低いため、ＯＳトランジスタを非導通状態とすることで液晶素子の画素電極に電荷の保持をすることができる。

図１１（Ｂ）は、通常駆動モードでの信号線ＳＬおよびゲート線ＧＬにそれぞれ与える信号の波形を示すタイミングチャートである。通常駆動モードでは通常のフレーム周波数（例えば６０Ｈｚ）で動作する。１フレーム期間を期間Ｔ_１からＴ_３までで表すと、各フレーム期間でゲート線ＧＬに走査信号を与え、信号線ＳＬからデータＤ_１を書き込む動作を行う。この動作は、期間Ｔ_１乃至期間Ｔ_３に同じデータＤ_１を書き込む場合、または異なるデータを書き込む場合でも同じである。

一方、図１１（Ｃ）は、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードでの信号線ＳＬおよびゲート線ＧＬに、それぞれ与える信号の波形を示すタイミングチャートである。アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動では低速のフレーム周波数（例えば１Ｈｚ）で動作する。１フレーム期間を期間Ｔ_１で表し、その中でデータの書き込み期間を期間Ｔ_Ｗ、データの保持期間を期間Ｔ_ＲＥＴで表す。アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードは、期間Ｔ_Ｗでゲート線ＧＬに走査信号を与え、信号線ＳＬのデータＤ_１を書き込み、期間Ｔ_ＲＥＴでゲート線ＧＬをローレベルの電圧に固定し、トランジスタＭ１を非導通状態として一旦書き込んだデータＤ_１を保持させる動作を行う。

アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードは、上述した第１モード、または第３モードと組み合わせることで、さらなる低消費電力化を図ることができるため有効である。

図１１（Ｄ）は、第２表示素子２０２（ここでは有機ＥＬ素子）と、第２表示素子に電気的に接続されている画素回路２０７と、を明示している。また、図１１（Ｄ）に示す画素回路２０７では、信号線ＤＬと、ゲート線ＧＬ２と、電流供給線ＡＬと、信号線ＤＬ及びゲート線ＧＬ２に電気的に接続されたトランジスタＭ２と、トランジスタＭ２と電流供給線ＡＬとに電気的に接続された容量素子Ｃｓ_ＥＬと、トランジスタＭ２と容量素子Ｃｓ_ＥＬと電流供給線ＡＬと第２表示素子２０２とに電気的に接続されたトランジスタＭ３と、を図示している。

トランジスタＭ２としては、トランジスタＭ１と同様に、ＯＳトランジスタを用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは、非導通状態時のリーク電流（オフ電流）が極めて低いため、ＯＳトランジスタを非導通状態とすることで容量素子Ｃｓ_ＥＬに充電した電荷の保持をすることができる。つまり、トランジスタＭ３のゲート−ドレイン間電圧を一定に保つことができ、第２表示素子２０２の発光強度を一定にすることができる。

したがって、第１表示素子がアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動する場合と同様に、第２表示素子のアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動は、ゲート線ＧＬ２に走査信号を与えて、信号線ＤＬからデータを書き込んだ後に、ゲート線ＧＬ２にローレベルの電圧に固定することで、トランジスタＭ２を非導通状態として一旦書き込んだ該データを保持する動作を行う。

なお、トランジスタＭ３は、トランジスタＭ２と同様の材料で構成するのが好ましい。トランジスタＭ３とトランジスタＭ２の材料の構成を同じにすることで、画素回路２０７の作製工程を短縮することができる。

アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードは、上述した第１モード乃至第３モードと組み合わせることで、さらなる低消費電力化を図ることができるため有効である。

以上のように、本実施の形態の表示装置は、第１モード乃至第３モードを切り替えて表示を行うことができる。したがって、周囲の明るさによらず、視認性が高く利便性の高い表示装置または全天候型の表示装置を実現できる。

また、本実施の形態の表示装置は、第１表示素子を有する第１の画素と、第２表示素子を有する第２の画素とをそれぞれ複数有すると好ましい。また、第１の画素と第２の画素とは、それぞれ、マトリクス状に配置されることが好ましい。

第１の画素及び第２の画素は、それぞれ、１つ以上の副画素を有する構成とすることができる。例えば、画素には、副画素を１つ有する構成（白色（Ｗ）など）、副画素を３つ有する構成（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色など）、あるいは、副画素を４つ有する構成（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）の４色、または、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、黄色（Ｙ）の４色など）を適用できる。なお、第１の画素及び第２の画素が有する色要素は、上記に限定されず、必要に応じて、シアン（Ｃ）及びマゼンタ（Ｍ）などを組み合わせてもよい。

本実施の形態の表示装置は、第１の画素及び第２の画素は、双方とも、フルカラー表示を行う構成とすることができる。または、本実施の形態の表示装置は、第１の画素では白黒表示またはグレースケールでの表示を行い、第２の画素ではフルカラー表示を行う構成とすることができる。第１の画素を用いた白黒表示またはグレースケールでの表示は、文書情報など、カラー表示を必要としない情報を表示することに適している。

＜表示装置の斜視概略図＞
次に、本実施の形態の表示装置について、図１２を用いて説明を行う。図１２は、表示装置２１０の斜視概略図である。

表示装置２１０は、基板２５７０と基板２７７０とが貼り合わされた構成を有する。図１２では、基板２７７０を破線で明示している。

表示装置２１０は、表示部２１４（先の実施の形態で説明した表示部１０６に相当する。）、回路２１６、配線２１８等を有する。図１２では表示装置２１０にＩＣ２２０及びＦＰＣ２２２が実装されている例を示している。そのため、図１２に示す構成は、表示装置２１０、ＩＣ２２０、及びＦＰＣ２２２を有する表示モジュールということもできる。

回路２１６としては、例えば走査線駆動回路（先の実施の形態で説明したゲートドライバ１０３に相当する。）を用いることができる。

配線２１８は、表示部２１４及び回路２１６に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ２２２を介して外部から、またはＩＣ２２０から配線２１８に入力される。

図１２では、ＣＯＧ方式またはＣＯＦ方式等により、基板２５７０にＩＣ２２０が設けられている例を示す。ＩＣ２２０は、例えば走査線駆動回路、信号線駆動回路（先の実施の形態で説明したソースドライバ１１１に相当する。）、レベルシフタ（先の実施の形態で説明したレベルシフタ１０４に相当する。）、コントローラ（先の実施の形態で説明したディスプレイコントローラ４００Ａ、４００Ｃに相当する。）などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置２１０には、ＩＣ２２０を設けない構成としてもよい。また、ＩＣ２２０を、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

図１２には、表示部２１４の一部の拡大図を示している。表示部２１４には、複数の表示素子が有する電極２７５１がマトリクス状に配置されている。電極２７５１は、可視光を反射する機能を有し、液晶素子として、第１表示素子２７５０（先の実施の形態で説明した反射型素子１０ａに相当する。詳細については後述する。）の反射電極として機能する。

また、図１２に示すように、電極２７５１は開口部として領域２７５１Ｈを有する。さらに表示部２１４は、電極２７５１よりも基板２５７０側に、発光素子として、第２表示素子２５５０（先の実施の形態で説明した発光素子１０ｂに相当する。）を有する。第２表示素子２５５０からの光は、電極２７５１の領域２７５１Ｈを介して基板２７７０側に射出される。第２表示素子２５５０の発光領域の面積と領域２７５１Ｈの面積とは等しくてもよい。第２表示素子２５５０の発光領域の面積と領域２７５１Ｈの面積のうち一方が他方よりも大きいと、位置ずれに対するマージンが大きくなるため好ましい。

＜入出力パネルの断面図＞
次に、図１２で示した表示装置２１０に、タッチセンサユニットを設けた入出力パネルの構成を、図１３及び図１４を参照しながら説明する。

図１３は、入出力パネル２７００ＴＰ３が備える画素の断面図である。

図１４は、本発明の一態様の入出力パネルの構成を説明する図である。図１４（Ａ）は図１３に示す入出力パネルの機能膜の構成を説明する断面図であり、図１４（Ｂ）は入力ユニットの構成を説明する断面図であり、図１４（Ｃ）は第２ユニットの構成を説明する断面図であり、図１４（Ｄ）は第１ユニットの構成を説明する断面図である。

本構成例で説明する入出力パネル２７００ＴＰ３は、画素２７０２（ｉ，ｊ）を有する（図１３参照）。また、入出力パネル２７００ＴＰ３は、第１ユニット２０１０と、第２ユニット２０２０と、入力ユニット２０３０と、機能膜２７７０Ｐと、を有する（図１４参照）。第１ユニット２０１０は機能層２５２０を含み、第２ユニット２０２０は機能層２７２０を含む。

＜＜画素２７０２（ｉ，ｊ）＞＞
画素２７０２（ｉ，ｊ）は、機能層２５２０の一部と、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図１３参照）。

機能層２５２０は、第１の導電膜、第２の導電膜、絶縁膜２５０１Ｃおよび画素回路を含む。なお、画素回路は、例えば、トランジスタＭを含む。また、機能層２５２０は、光学素子２５６０、被覆膜２５６５およびレンズ２５８０を含む。また、図示していないが、機能層２５２０には、絶縁膜２５２８および／又は絶縁膜２５２１が含まれていてもよい。絶縁膜２５２１Ａおよび絶縁膜２５２１Ｂを積層した材料を、絶縁膜２５２１に用いることができる。

例えば、屈折率１．５５近傍の材料を絶縁膜２５２１Ａまたは絶縁膜２５２１Ｂに用いることができる。または、屈折率１．６近傍の材料を絶縁膜２５２１Ａまたは絶縁膜２５２１Ｂに用いることができる。または、アクリル樹脂またはポリイミドを絶縁膜２５２１Ａまたは絶縁膜２５２１Ｂに用いることができる。

絶縁膜２５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜２５０１Ｃは開口部２５９１Ａを備える。

第１の導電膜は、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）の電極２７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、電極２７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。

第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部２５９１Ａにおいて、第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜２５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。第２の導電膜は、画素回路と電気的に接続される。例えば、画素回路のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を第２の導電膜に用いることができる。ところで、絶縁膜２５０１Ｃに設けられた開口部２５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。

第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路と電気的に接続される。第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、機能層２５２０に向けて光を射出する機能を備える。また、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、例えば、レンズ２５８０または光学素子２５６０に向けて光を射出する機能を備える。

第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において視認できるように配設される。例えば、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域２７５１Ｈを備える形状を第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）の電極２７５１（ｉ，ｊ）に用いる。なお、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印を用いて図中に示す。また、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印を用いて図中に示す。

これにより、第１表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２表示素子を用いた表示を視認することができる。または、入出力パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。または、第１表示素子が反射する光が表現する物体色と、第２表示素子が射出する光が表現する光源色とを掛け合わせることができる。または、物体色および光源色を用いて絵画的な表示をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。

例えば、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）は、電極２７５１（ｉ，ｊ）と、電極２７５２と、液晶材料を含む層２７５３と、を備える。また、配向膜ＡＦ１と、配向膜ＡＦ２とを備える。具体的には、反射型の液晶素子を第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、屈折率２．０近傍の透明導電膜を電極２７５２または電極２７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、インジウムとスズとシリコンを含む酸化物を電極２７５２または電極２７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、屈折率１．６近傍の材料を配向膜に用いることができる。また、液晶層の誘電率の異方性を２以上３．８以下とし、液晶層の抵抗率を１．０×１０^１４（Ω・ｃｍ）以上１．０×１０^１５（Ω・ｃｍ）以下とすることで、ＩＤＳ駆動が可能であり、入出力パネルの消費電力を低減することができるため好ましい。

例えば、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、電極２５５１（ｉ，ｊ）と、電極２５５２と、発光性の材料を含む層２５５３（ｊ）と、を備える。電極２５５２は、電極２５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。発光性の材料を含む層２５５３（ｊ）は、電極２５５１（ｉ，ｊ）および電極２５５２の間に挟まれる領域を備える。電極２５５１（ｉ，ｊ）は、接続部２５２２において、画素回路と電気的に接続される。具体的には、有機ＥＬ素子を第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、屈折率２．０近傍の透明導電膜を電極２５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、インジウムとスズとシリコンを含む酸化物を電極２５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、屈折率１．８近傍の材料を発光性の材料を含む層２５５３（ｊ）に用いることができる。

光学素子２５６０は透光性を備え、光学素子２５６０は第１の領域、第２の領域および第３の領域を備える。

第１の領域は第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）から可視光を供給される領域を含み、第２の領域は被覆膜２５６５と接する領域を含み、第３の領域は可視光の一部を射出する機能を備える。また、第３の領域は第１の領域の可視光を供給される領域の面積以下の面積を備える。

被覆膜２５６５は可視光に対する反射性を備え、被覆膜２５６５は可視光の一部を反射して、第３の領域に供給する機能を備える。

例えば、金属を被覆膜２５６５に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を被覆膜２５６５に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を被覆膜２５６５に用いることができる。

＜＜レンズ２５８０＞＞
可視光を透過する材料をレンズ２５８０に用いることができる。または、１．３以上２．５以下の屈折率を備える材料をレンズ２５８０に用いることができる。例えば、無機材料または有機材料をレンズ２５８０に用いることができる。

例えば、酸化物または硫化物を含む材料をレンズ２５８０に用いることができる。

具体的には、酸化セリウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸化マグネシウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、インジウムとスズを含む酸化物またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物などを、レンズ２５８０に用いることができる。または、硫化亜鉛などを、レンズ２５８０に用いることができる。

例えば、樹脂を含む材料をレンズ２５８０に用いることができる。具体的には、塩素、臭素またはヨウ素が導入された樹脂、重金属原子が導入された樹脂、芳香環が導入された樹脂、硫黄が導入された樹脂などをレンズ２５８０に用いることができる。または、樹脂と当該樹脂より屈折率の高い材料のナノ粒子を含む材料をレンズ２５８０に用いることができる。また、屈折率の高い材料のナノ粒子としては、例えば、酸化チタンまたは酸化ジルコニウムなどをナノ粒子に用いることがが挙げられる。

＜＜機能層２７２０＞＞
機能層２７２０は、基板２７７０および絶縁膜２５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。機能層２７２０は、絶縁膜２７７１と、着色膜ＣＦ１と、を有する。

着色膜ＣＦ１は、基板２７７０および第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜２７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層２７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層２７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

例えば、屈折率１．５５近傍のアクリル樹脂を、絶縁膜２７７１に用いることができる。

＜＜基板２５７０、基板２７７０＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、基板２５７０と、基板２７７０と、を有する。

基板２７７０は、基板２５７０と重なる領域を備える。基板２７７０は、基板２５７０との間に機能層２５２０を挟む領域を備える。

基板２７７０は、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。例えば、複屈折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。

例えば、屈折率１．５近傍の樹脂材料を基板２７７０に用いることができる。

＜＜接合層２５０５＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、接合層２５０５を有する。

接合層２５０５は、機能層２５２０および基板２５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層２５２０および基板２５７０を貼り合せる機能を備える。

＜＜構造体ＫＢ１、構造体ＫＢ２＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、構造体ＫＢ１と、構造体ＫＢ２とを有する。

構造体ＫＢ１は、機能層２５２０および基板２７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。構造体ＫＢ１は領域２７５１Ｈと重なる領域を備え、構造体ＫＢ１は透光性を備える。これにより、第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）によって射出される光を一方の面に供給され、他方の面から射出することができる。

また、構造体ＫＢ１は光学素子２５６０と重なる領域を備え、例えば、光学素子２５６０に用いる材料の屈折率との差が０．２以下になるように選択された材料を構造体ＫＢ１に用いる。これにより、第２表示素子が射出する光を効率よく利用することができる。または、第２表示素子の面積を広くすることができる。または、有機ＥＬ素子に流す電流の密度を下げることができる。

構造体ＫＢ２は、偏光層２７７０ＰＢの厚さを所定の厚さに制御する機能を備える。構造体ＫＢ２は第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、構造体ＫＢ２は透光性を備える。

または、所定の色の光を透過する材料を構造体ＫＢ１または構造体ＫＢ２に用いることができる。これにより、構造体ＫＢ１または構造体ＫＢ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を構造体ＫＢ１または構造体ＫＢ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を構造体ＫＢ１または構造体ＫＢ２に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１または構造体ＫＢ２に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

例えば、屈折率１．５近傍のアクリル樹脂を構造体ＫＢ１に用いることができる。また、屈折率１．５５近傍のアクリル樹脂を構造体ＫＢ２に用いることができる。

＜＜入力ユニット２０３０＞＞
入力ユニット２０３０は検知素子を備える。検知素子は、画素２７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に近接するものを検知する機能を備える。これにより、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。

例えば、静電容量型の近接センサ、電磁誘導型の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサまたは表面弾性波方式の近接センサなどを、入力ユニット２０３０に用いることができる。具体的には、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式または赤外線検知型の近接センサを用いることができる。

例えば、静電容量方式の近接センサを備える屈折率１．６近傍のタッチセンサを入力ユニット２０３０に用いることができる。

＜＜機能膜２７７０Ｄ、機能膜２７７０Ｐ等＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル２７００ＴＰ３は、機能膜２７７０Ｄと、機能膜２７７０Ｐと、を有する。

機能膜２７７０Ｄは第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜２７７０Ｄは機能層２５２０との間に第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。

例えば、光拡散フィルムを機能膜２７７０Ｄに用いることができる。具体的には、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜２７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。または、例えば、第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。

機能膜２７７０Ｐは、偏光層２７７０ＰＢ、位相差フィルム２７７０ＰＡまたは構造体ＫＢ２を備える。偏光層２７７０ＰＢは開口部を備え、位相差フィルム２７７０ＰＡは偏光層２７７０ＰＢと重なる領域を備える。なお、構造体ＫＢ２は開口部に設けられる。

例えば、二色性色素、液晶材料および樹脂を偏光層２７７０ＰＢに用いることができる。偏光層２７７０ＰＢは、偏光性を備える。これにより、機能膜２７７０Ｐを偏光板に用いることができる。

偏光層２７７０ＰＢは第１表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、構造体ＫＢ２は第２表示素子２５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。これにより、液晶素子を第１表示素子に用いることができる。例えば、反射型の液晶素子を第１表示素子に用いることができる。または、第２表示素子が射出する光を効率よく取り出すことができる。または、有機ＥＬ素子に流す電流の密度を下げることができる。または、有機ＥＬ素子の信頼性を高めることができる。

例えば、反射防止フィルム、偏光フィルムまたは位相差フィルムを機能膜２７７０Ｐに用いることができる。具体的には、２色性色素を含む膜および位相差フィルムを機能膜２７７０Ｐに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜２７７０Ｐに用いることができる。

例えば、屈折率１．６近傍の材料を拡散フィルムに用いることができる。また、屈折率１．６近傍の材料を位相差フィルム２７７０ＰＡに用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本明細書で開示されるトランジスタに用いることができる金属酸化物について説明する。以下では特に、金属酸化物とＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）の詳細について説明する。

ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。

また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。

すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。したがって、ＣＡＣ−ＯＳを、ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ−ＯＳと呼称してもよい。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１−ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ−ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

また、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態２で説明した電子機器に備えることができるタッチセンサユニットの一例について、説明する。

図１５（Ａ）は、別の実施の形態で説明した表示装置に備えることができるタッチセンサユニットの回路構成例を示す。タッチセンサユニット３００は、センサアレイ３０２、ＴＳドライバ回路３１１、センス回路３１２を有する。また、図１５（Ａ）では、ＴＳドライバ回路３１１と、センス回路３１２と、をまとめて周辺回路３１５と図示している。

ここでは、タッチセンサユニット３００が相互容量タッチセンサユニットである例を示す。センサアレイ３０２は、ｍ本（ｍは１以上の整数）の配線ＤＲＬ、ｎ本（ｎは１以上の整数）の配線ＳＮＬを有する。配線ＤＲＬはドライブ線であり、配線ＳＮＬはセンス線である。ここでは、第α番目の配線ＤＲＬを配線ＤＲＬ＜α＞と呼び、第β番目の配線ＳＮＬを配線ＳＮＬ＜β＞と呼ぶこととする。容量素子ＣＴ_αβは、配線ＤＲＬ＜α＞と配線ＳＮＬ＜β＞との間に形成される容量素子である。

ｍ本の配線ＤＲＬはＴＳドライバ回路３１１に電気的に接続されている。ＴＳドライバ回路３１１は配線ＤＲＬを駆動する機能を有する。ｎ本の配線ＳＮＬはセンス回路３１２に電気的に接続されている。センス回路３１２は、配線ＳＮＬの信号を検出する機能を有する。ＴＳドライバ回路３１１によって配線ＤＲＬ＜α＞が駆動されているときの配線ＳＮＬ＜β＞の信号は、容量素子ＣＴ_αβの容量値の変化量の情報をもつ。ｎ本の配線ＳＮＬの信号を解析することで、タッチの有無、タッチ位置などの情報を得ることができる。

図１５（Ｂ）は、上述したタッチセンサユニット３００の概観の一例を上面図として示している。図１５（Ｂ）において、タッチセンサユニット３００は、基材３０１上にセンサアレイ３０２と、ＴＳドライバ回路３１１と、センス回路３１２と、を有する。また、図１５（Ａ）と同様に、図１５（Ｂ）では、ＴＳドライバ回路３１１と、センス回路３１２と、をまとめて周辺回路３１５と図示している。

センサアレイ３０２は、基材３０１上に形成され、ＴＳドライバ回路３１１と、センス回路３１２と、は、ＩＣチップなどの構成として、異方性導電接着剤、又は異方性導電フィルムなどを用いて、ＣＯＧ方式、ＣＯＦ方式などで、基材３０１上に実装する構成にすることができる。そして、タッチセンサユニット３００は、外部との信号の入出力手段として、ＦＰＣ３１３、ＦＰＣ３１４と電気的に接続されている。

加えて、基材３０１上には、各回路を電気的に接続するための配線３３１乃至配線３３４が形成されている。タッチセンサユニット３００において、ＴＳドライバ回路３１１は、配線３３１を介して、センサアレイ３０２と電気的に接続され、更に、ＴＳドライバ回路３１１は、配線３３３を介して、ＦＰＣ３１３と電気的に接続されている。センス回路３１２は、配線３３２を介して、センサアレイ３０２と電気的に接続され、更に、ＴＳドライバ回路３１１は、配線３３４を介して、ＦＰＣ３１４と電気的に接続されている。

配線３３３とＦＰＣ３１３と、の接続部３２０には、異方性を有する導電性の接着剤などを有している。これによって、ＦＰＣ３１３と配線３３３との間で電気的な導通を行うことができる。同様に、配線３３４とＦＰＣ３１４と、の接続部３２１にも、異方性を有する導電性の接着剤などを有しており、これによって、ＦＰＣ３１４と配線３３４との間で電気的な導通を行うことができる。

また、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した電子機器を適用した製品例について説明する。

＜ノート型パーソナルコンピュータ＞
図１６（Ａ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体５４０１、表示部５４０２、キーボード５４０３、ポインティングデバイス５４０４等を有する。

＜スマートウォッチ＞
本発明の一態様の表示装置は、ウェアラブル端末に適用することができる。図１６（Ｂ）はウェアラブル端末の一種であるスマートウォッチであり、筐体５９０１、表示部５９０２、操作ボタン５９０３、操作子５９０４、バンド５９０５などを有する。また、表示部５９０２に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン５９０３にスマートウォッチを起動する電源スイッチ、スマートウォッチのアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、または表示部５９０２を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。また、図１６（Ｂ）に示したスマートウォッチでは、操作ボタン５９０３の数を２個示しているが、スマートウォッチの有する操作ボタンの数は、これに限定されない。また、操作子５９０４は、スマートウォッチの時刻合わせを行うリューズとして機能する。また、操作子５９０４は、時刻合わせ以外に、スマートウォッチのアプリケーションを操作する入力インターフェースとして、用いるようにしてもよい。なお、図１６（Ｂ）に示したスマートウォッチでは、操作子５９０４を有する構成となっているが、これに限定せず、操作子５９０４を有さない構成であってもよい。

＜ビデオカメラ＞
本発明の一態様の表示装置は、ビデオカメラに適用することができる。図１６（Ｃ）はビデオカメラであり、第１筐体５８０１、第２筐体５８０２、表示部５８０３、操作キー５８０４、レンズ５８０５、接続部５８０６等を有する。操作キー５８０４及びレンズ５８０５は第１筐体５８０１に設けられており、表示部５８０３は第２筐体５８０２に設けられている。そして、第１筐体５８０１と第２筐体５８０２とは、接続部５８０６により接続されており、第１筐体５８０１と第２筐体５８０２の間の角度は、接続部５８０６により変更が可能である。表示部５８０３における映像を、接続部５８０６における第１筐体５８０１と第２筐体５８０２との間の角度に従って切り替える構成としてもよい。

＜携帯電話＞
本発明の一態様の表示装置は、携帯電話に適用することができる。図１６（Ｄ）は、情報端末の機能を有する携帯電話であり、筐体５５０１、表示部５５０２、マイク５５０３、スピーカ５５０４、操作ボタン５５０５を有する。また、表示部５５０２に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン５５０５に携帯電話を起動する電源スイッチ、携帯電話のアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、または表示部５５０２を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。

また、図１６（Ｄ）に示した携帯電話では、操作ボタン５５０５の数を２個示しているが、携帯電話の有する操作ボタンの数は、これに限定されない。また、図示していないが、図１６（Ｄ）に示した携帯電話は、フラッシュライト、または照明の用途として発光装置を有する構成であってもよい。

＜テレビジョン装置＞
図１６（Ｅ）は、テレビジョン装置を示す斜視図である。テレビジョン装置は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）などを有する。テレビジョン装置は、大画面、例えば、５０インチ以上、または１００インチ以上の表示部９００１を組み込むことが可能である。

＜移動体＞
上述した表示装置は、移動体である自動車の運転席周辺に適用することもできる。

例えば、図１６（Ｆ）は、自動車の室内におけるフロントガラス周辺を表す図である。図１６（Ｆ）では、ダッシュボードに取り付けられた表示パネル５７０１、表示パネル５７０２、表示パネル５７０３の他、ピラーに取り付けられた表示パネル５７０４を図示している。

表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、ナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示パネルに表示される表示項目やレイアウトなどは、ユーザの好みに合わせて適宜変更することができ、デザイン性を高めることが可能である。表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、照明装置として用いることも可能である。

表示パネル５７０４には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界（死角）を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの画像を表示することによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。表示パネル５７０４は、照明装置として用いることもできる。

また、図示していないが、図１６（Ａ）乃至（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｆ）に示した電子機器は、マイク及びスピーカを有する構成であってもよい。この構成により、例えば、上述した電子機器に音声入力機能を付することができる。

また、図示していないが、図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）乃至（Ｆ）に示した電子機器は、カメラを有する構成であってもよい。

また、図示していないが、図１６（Ａ）乃至（Ｆ）に示した電子機器は、筐体の内部にセンサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線などを測定する機能を含むもの）を有する構成であってもよい。特に、図１６（Ｄ）に示す携帯電話に、ジャイロ、加速度センサなどの傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、該携帯電話の向き（鉛直方向に対して該携帯電話がどの向きに向いているか）を判断して、表示部５５０２の画面表示を、該携帯電話の向きに応じて自動的に切り替えるようにすることができる。

また、図示していないが、図１６（Ａ）乃至（Ｆ）に示した電子機器は、指紋、静脈、虹彩、又は声紋など生体情報を取得する装置を有する構成であってもよい。この構成を適用することによって、生体認証機能を有する電子機器を実現することができる。

また、図１６（Ａ）乃至（Ｆ）に示した電子機器の表示部として、可撓性を有する基材を用いてもよい。具体的には、該表示部は、可撓性を有する基材上にトランジスタ、容量素子、及び表示素子などを設けた構成としてもよい。この構成を適用することによって、図１６（Ａ）乃至（Ｆ）に示した電子機器のように平らな面を有する筐体だけでなく、曲面を有するような筐体の電子機器を実現することができる。

（本明細書等の記載に関する付記）
以上の実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。

＜実施の形態で述べた本発明の一態様に関する付記＞
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。

なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）と、一つ若しくは複数の別の実施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）との少なくとも一つの内容に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを行うことができる。

なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。

なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）と、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）との少なくとも一つの図に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることができる。

＜序数詞に関する付記＞
本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第１」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において「第２」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第１」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略することもありうる。

＜図面を説明する記載に関する付記＞
実施の形態について図面を参照しながら説明している。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態の発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

また、本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化する。そのため、配置を示す語句は、明細書で説明した記載に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。

また、「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上又は直下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。

また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、説明の便宜上任意の大きさに示したものである。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は明確性を期すために模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。

また、図面において、斜視図などにおいて、図面の明確性を期すために、一部の構成要素の記載を省略している場合がある。

また、図面において、同一の要素又は同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

＜言い換え可能な記載に関する付記＞
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソース又はドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース（ドレイン）端子や、ソース（ドレイン）電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。また、本明細書等では、ゲート以外の２つの端子を第１端子、第２端子と呼ぶ場合や、第３端子、第４端子と呼ぶ場合がある。また、本明細書等に記載するトランジスタが２つ以上のゲートを有するとき（この構成をデュアルゲート構造という場合がある）、それらのゲートを第１ゲート、第２ゲートと呼ぶ場合や、フロントゲート、バックゲートと呼ぶ場合がある。特に、「フロントゲート」という語句は、単に「ゲート」という語句に互いに言い換えることができる。また、「バックゲート」という語句は、単に「ゲート」という語句に互いに言い換えることができる。なお、ボトムゲートとは、トランジスタの作製時において、チャネル形成領域よりも先に形成される端子のことをいい、「トップゲート」とは、トランジスタの作製時において、チャネル形成領域よりも後に形成される端子のことをいう。

トランジスタは、ゲート、ソース、及びドレインと呼ばれる３つの端子を有する。ゲートは、トランジスタの導通状態を制御する制御端子として機能する端子である。ソース又はドレインとして機能する２つの入出力端子は、トランジスタの型及び各端子に与えられる電位の高低によって、一方がソースとなり他方がドレインとなる。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。また、本明細書等では、ゲート以外の２つの端子を第１端子、第２端子と呼ぶ場合や、第３端子、第４端子と呼ぶ場合がある。

また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配線」が一体となって形成されている場合なども含む。

また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電位（接地電位）とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも０Ｖを意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、配線等に与える電位を変化させる場合がある。

なお本明細書等において、「膜」、「層」などの語句は、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、場合によっては、又は、状況に応じて、「膜」、「層」などの語句を使わずに、別の用語に入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」又は「導電膜」という用語を、「導電体」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁層」「絶縁膜」という用語を、「絶縁体」という用語に変更することが可能な場合がある。

なお本明細書等において、「配線」、「信号線」、「電源線」などの用語は、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「配線」という用語を、「信号線」という用語に変更することが可能な場合がある。また、例えば、「配線」という用語を、「電源線」などの用語に変更することが可能な場合がある。また、その逆も同様で、「信号線」「電源線」などの用語を、「配線」という用語に変更することが可能な場合がある。「電源線」などの用語は、「信号線」などの用語に変更することが可能な場合がある。また、その逆も同様で「信号線」などの用語は、「電源線」などの用語に変更することが可能な場合がある。また、配線に印加されている「電位」という用語を、場合によっては、又は、状況に応じて、「信号」などという用語に変更することが可能な場合がある。また、その逆も同様で、「信号」などの用語は、「電位」という用語に変更することが可能な場合がある。

＜語句の定義に関する付記＞
以下では、上記実施の形態中で言及した語句の定義について説明する。

＜＜半導体の不純物について＞＞
半導体の不純物とは、例えば、半導体層を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導体にＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）が形成されることや、キャリア移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１４族元素、第１５族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコン層である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。

＜＜トランジスタについて＞＞
本明細書において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域又はソース電極）の間にチャネル形成領域を有しており、ソース‐ゲート間に電圧を与えることによって、ソース‐ドレイン間に電流を流すことができる。

また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

＜＜スイッチについて＞＞
本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。

一例としては、電気的スイッチ又は機械的なスイッチなどを用いることができる。つまり、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。

電気的なスイッチの一例としては、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）、又はこれらを組み合わせた論理回路などがある。

なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に短絡されているとみなせる状態をいう。また、トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に遮断されているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチとして動作させる場合には、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。

機械的なスイッチの一例としては、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）のように、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）技術を用いたスイッチがある。そのスイッチは、機械的に動かすことが可能な電極を有し、その電極が動くことによって、導通と非導通とを制御して動作する。

＜＜接続について＞＞
本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。

ここで使用するＸ、Ｙなどは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅又は電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。又は、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。又は、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

＜＜平行、垂直について＞＞
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。

ＳＴ１ ステップ
ＳＴ２ ステップ
ＳＴ３ ステップ
ＳＴ４ ステップ
ＳＴ５ ステップ
ＳＴ６ ステップ
ＳＴ７ ステップ
ＳＴ８ ステップ
ＳＴ９ ステップ
ＳＴ１０ ステップ
ＳＴ１１ ステップ
ＳＴ１２ ステップ
ＳＴ１３ ステップ
ＳＴ１４ ステップ
ＳＴ１５ ステップ
ＳＴ１６ ステップ
ＳＴ１７ ステップ
Ｍ１ トランジスタ
Ｍ２ トランジスタ
Ｍ３ トランジスタ
Ｍ トランジスタ
Ｃｓ_ＬＣ 容量素子
Ｃｓ_ＥＬ 容量素子
ＳＬ 信号線
ＤＬ 信号線
ＧＬ ゲート線
ＧＬ２ ゲート線
ＡＬ 電流供給線
ＤＲＬ 配線
ＳＮＬ 配線
ＣＴ_αβ 容量素子
１０ 画素
１０ａ 反射型素子
１０ｂ 発光素子
１００Ａ 表示装置
１００Ｂ 表示装置
１００Ｃ 表示装置
１０２ 表示部
１０３ ゲートドライバ
１０３ａ ゲートドライバ
１０３ｂ ゲートドライバ
１０４ レベルシフタ
１０４ａ レベルシフタ
１０４ｂ レベルシフタ
１０６ 表示部
１１１ ソースドライバ
１１１ａ ソースドライバ
１１１ｂ ソースドライバ
２０１ 第１表示素子
２０２ 第２表示素子
２０３ 開口部
２０４ 反射光
２０５ 透過光
２０６ 画素回路
２０７ 画素回路
２１０ 表示装置
２１４ 表示部
２１６ 回路
２１８ 配線
２２０ ＩＣ
２２２ ＦＰＣ
３００ タッチセンサユニット
３０１ 基材
３０２ センサアレイ
３１１ ＴＳドライバ回路
３１２ センス回路
３１３ ＦＰＣ
３１４ ＦＰＣ
３１５ 周辺回路
３２０ 接続部
３２１ 接続部
３３１ 配線
３３２ 配線
３３３ 配線
３３４ 配線
４００Ａ ディスプレイコントローラ
４００Ｃ ディスプレイコントローラ
４４０ ホスト装置
４４３ 光センサ
４４５ 外光
４５０ インターフェース
４５１ フレームメモリ
４５２ デコーダ
４５３ センサコントローラ
４５４ コントローラ
４５５ クロック生成回路
４６０ 画像処理部
４６０Ａ 画像処理部
４６１ ゲイン計算回路
４６２ データ処理回路
４６２ａ ガンマ補正回路
４６２ｂ ＥＬ補正回路
４７０ ラインメモリ
４７３ タイミングコントローラ
４７５ レジスタ
４８４ タッチセンサコントローラ
４９０ 領域
１００１ ディスプレイインターフェース
１００２ ＧＰＵ
１００３ プロセッサ
１００４ デバイスインターフェース
１００５ メモリ
１０５０ データバス
１１００ デバイス
２０１０ 第１ユニット
２０２０ 第２ユニット
２０３０ 入力ユニット
２５０１Ｃ 絶縁膜
２５０５ 接合層
２５１２Ｂ 導電膜
２５２０ 機能層
２５２１ 絶縁膜
２５２１Ａ 絶縁膜
２５２１Ｂ 絶縁膜
２５２２ 接続部
２５２８ 絶縁膜
２５５０ 第２表示素子
２５５０（ｉ，ｊ） 第２表示素子
２５５１ 電極
２５５２ 電極
２５５３ 発光性の材料を含む層
２５６０ 光学素子
２５６５ 被覆膜
２５７０ 基板
２５８０ レンズ
２５９１Ａ 開口部
２７００ＴＰ３ 入出力パネル
２７０２（ｉ，ｊ） 画素
２７２０ 機能層
２７５０ 第１表示素子
２７５１ 電極
２７５１Ｈ 領域
２７５２ 電極
２７５３ 液晶材料を含む層
２７７０ 基板
２７７０Ｄ 機能膜
２７７０Ｐ 機能膜
２７７０ＰＡ 位相差フィルム
２７７０ＰＢ 偏光層
２７７１ 絶縁膜
５４０１ 筐体
５４０２ 表示部
５４０３ キーボード
５４０４ ポインティングデバイス
５５０１ 筐体
５５０２ 表示部
５５０３ マイク
５５０４ スピーカ
５５０５ 操作ボタン
５７０１ 表示パネル
５７０２ 表示パネル
５７０３ 表示パネル
５７０４ 表示パネル
５８０１ 第１筐体
５８０２ 第２筐体
５８０３ 表示部
５８０４ 操作キー
５８０５ レンズ
５８０６ 接続部
５９０１ 筐体
５９０２ 表示部
５９０３ 操作ボタン
５９０４ 操作子
５９０５ バンド
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ

Claims (8)

1. 第１表示素子と、第２表示素子と、第１回路と、光センサと、を有する電子機器の動作方法であり、
   第１乃至第８ステップを有し、
   前記第１回路は、第１ゲイン値と、第２ゲイン値と、を定める機能を有し、
   前記第１ステップは、
   前記光センサによって、外光照度を計測するステップと、
   前記外光照度を含む照度データを前記第１回路に送信するステップと、を有し、
   前記第２ステップは、
   前記第１回路が、第１データと、第２データと、を取得するステップを有し、
   前記第３ステップは、
   前記第１回路において、前記外光照度が第１照度よりも低い場合に、前記第４ステップに移行するステップと、
   前記第１回路において、前記外光照度が前記第１照度以上で第２照度よりも低い場合に、前記第５ステップに移行するステップと、
   前記第１回路において、前記外光照度が前記第２照度以上である場合に、前記第６ステップに移行するステップと、を有し、
   前記第４ステップは、
   前記第１回路が前記第１ゲイン値を０にするステップと、
   前記第１回路が、第１関数と前記外光照度とを用いて、前記第２ゲイン値を定めるステップと、を有し、
   前記第５ステップは、
   前記第１回路が、第２関数と前記外光照度とを用いて、前記第１ゲイン値を定めるステップと、
   前記第１回路が、第３関数と前記外光照度とを用いて、前記第２ゲイン値を定めるステップと、を有し、
   前記第６ステップは、
   前記第１回路が、第４関数と前記外光照度とを用いて、前記第１ゲイン値を定めるステップと、
   前記第１回路が第２ゲイン値を０にするステップと、を有し、
   前記第７ステップは、
   前記第１回路において、前記第１データに前記第１ゲイン値、又は前記第１ゲイン値に対応する値を掛けて、前記第３データを生成するステップと、
   前記第１回路において、前記第２データに前記第２ゲイン値、又は前記第２ゲイン値に対応する値を掛けて、前記第４データを生成するステップと、を有し、
   前記第８ステップは、
   前記第１表示素子に前記第３データに基づく画像を表示するステップと、
   前記第２表示素子に前記第４データに基づく画像を表示するステップと、を有することを特徴とする動作方法。
2. 請求項１において、
   前記第１乃至第４関数のいずれか少なくとも一は、一次関数であることを特徴とする動作方法。
3. 請求項２において、
   第９ステップと、第１０ステップと、を有し、
   前記第９ステップは、前記第４乃至第６ステップで定めた前記第１ゲイン値が、第１最大値以上であったとき、前記第１ゲイン値を前記第１最大値とするステップを有し、
   前記第１０ステップは、前記第４乃至第６ステップで定めた前記第２ゲイン値が、第２最大値以上であったとき、前記第２ゲイン値を前記第２最大値とするステップを有し、
   前記第９ステップ、及び前記第１０ステップを行った後に、前記第７ステップを行うことを特徴とする動作方法。
4. 請求項３において、
   第１１ステップを有し、
   前記電子機器は、第２回路を有し、
   前記第１１ステップは、
   前記第１データ、又は前記第３データの一方と、前記第２データ、又は前記第４データの一方と、に対して補正処理を行うステップを有することを特徴とする動作方法。
5. 請求項４において、
   前記補正処理は、ガンマ補正処理を有することを特徴とする動作方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第１表示素子は、反射型素子であり、
   前記第２表示素子は、発光素子であることを特徴とする動作方法。
7. 請求項１において前記第１乃至第４関数のそれぞれは単調増加関数であることを特徴とする動作方法。
8. 第１表示素子と、第２表示素子と、第１回路と、光センサと、を有する電子機器の動作方法であり、
   外光照度を前記光センサによって計測し、
   前記外光照度を含む照度データを前記第１回路に送信し、
   第１データと第２データを前記第１回路によって入手し、
   前記第１回路において、前記第１のデータに第１ゲイン値、又は第１ゲイン値に対応する値を書けて第３データを生成し、
   前記第１回路において、前記第２のデータに第２ゲイン値、又は第２ゲイン値に対応する値を書けて第４データを生成し、
   前記第１表示素子に前記第３データに基づく画像と前記第２表示素子に前記第４データに基づく画像とを表示することを特徴とする動作方法。