JP2002196705A - 画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 自発光素子を組み込んだハイブリッド型の画
像表示装置の低消費電力化を図る。 【解決手段】 画像表示装置は、所定の間隙を介して互
いに接合した前後一対の基板１，２とこの間隙に保持さ
れた電気光学物質３とを含み、マトリクス状に配された
画素を備え前面側からの外光を前面側に反射するか、後
面側から前面側に向かって発光を放射して画像を表示す
る。各画素は、前面側から入射した外光を反射して画像
を表示する反射領域と、後面側から前面側に向かって発
光を放射して画像を表示する非反射領域とに平面分割さ
れている。反射領域は、前後一対の基板１，２に形成さ
れた電極１０，１２２と、これらの電極に挟持された電
気光学物質３と、後面側の基板２に形成された反射層８
とからなる。非反射領域は、発光層２０２を上下から電
極２０３，２０１で挟んだ積層を後面側の基板２に形成
した自発光素子ＯＬＥＤを含む。周囲の明るさに応じ
て、自発光素子ＯＬＥＤから放射される発光の輝度を調
節する制御手段を備えている。
像表示装置の低消費電力化を図る。 【解決手段】 画像表示装置は、所定の間隙を介して互
いに接合した前後一対の基板１，２とこの間隙に保持さ
れた電気光学物質３とを含み、マトリクス状に配された
画素を備え前面側からの外光を前面側に反射するか、後
面側から前面側に向かって発光を放射して画像を表示す
る。各画素は、前面側から入射した外光を反射して画像
を表示する反射領域と、後面側から前面側に向かって発
光を放射して画像を表示する非反射領域とに平面分割さ
れている。反射領域は、前後一対の基板１，２に形成さ
れた電極１０，１２２と、これらの電極に挟持された電
気光学物質３と、後面側の基板２に形成された反射層８
とからなる。非反射領域は、発光層２０２を上下から電
極２０３，２０１で挟んだ積層を後面側の基板２に形成
した自発光素子ＯＬＥＤを含む。周囲の明るさに応じ
て、自発光素子ＯＬＥＤから放射される発光の輝度を調
節する制御手段を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、各画素毎に反射
領域と透過領域又は発光領域などの非反射領域とを備え
た、所謂ハイブリッド型の画像表示装置に関する。
領域と透過領域又は発光領域などの非反射領域とを備え
た、所謂ハイブリッド型の画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハイブリッド型の画像表示装置は、たと
えば特開平１１−５２３６６号公報や特開平１１−１８
３８９２号公報に開示されている。ハイブリッド型の画
像表示装置は、十分な明るさの外光（自然光や室内照明
光など）が得られる時は前面側から入射する外光を後面
側の反射層で反射させて外光を利用する反射型表示装置
を行ない、十分な明るさの外光が得られない時は、例え
ば画像表示装置の後面側に配置されたバックライトの光
を利用する透過型表示を行なう。
えば特開平１１−５２３６６号公報や特開平１１−１８
３８９２号公報に開示されている。ハイブリッド型の画
像表示装置は、十分な明るさの外光（自然光や室内照明
光など）が得られる時は前面側から入射する外光を後面
側の反射層で反射させて外光を利用する反射型表示装置
を行ない、十分な明るさの外光が得られない時は、例え
ば画像表示装置の後面側に配置されたバックライトの光
を利用する透過型表示を行なう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のハイブリッド型
の画像表示装置では外光が豊富な時バックライトを消灯
し、外光が乏しい時バックライトを点灯する構造となっ
ている。例えば、周辺の光量を検出して、バックライト
の点灯／消灯を制御する技術が提案されており、特開平
１０−１７０９１４号公報に開示されている。ところ
で、ハイブリッド型の画像表示装置は、外光が豊富な時
バックライトを点灯する必要がない為、消費電力節約タ
イプとなっており、携帯機器のディスプレイに好適であ
る。しかしながら、携帯機器では単にバックライトの点
灯／消灯のみでなく、より一層きめの細かい電源管理を
行なって、電力消費の削減化に努めることが課題となっ
ている。従来の単純な点灯／消灯制御では、十分に効率
的な消費電力低減化が実現できない。例えば、外光の乏
しい環境下でも、明るさによって必要なバックライトの
輝度は異なるはずであり、それにも関わらず従来のハイ
ブリッド型の画像表示装置ではバックライトの単純なオ
ン／オフ制御しか行なっていなかった。
の画像表示装置では外光が豊富な時バックライトを消灯
し、外光が乏しい時バックライトを点灯する構造となっ
ている。例えば、周辺の光量を検出して、バックライト
の点灯／消灯を制御する技術が提案されており、特開平
１０−１７０９１４号公報に開示されている。ところ
で、ハイブリッド型の画像表示装置は、外光が豊富な時
バックライトを点灯する必要がない為、消費電力節約タ
イプとなっており、携帯機器のディスプレイに好適であ
る。しかしながら、携帯機器では単にバックライトの点
灯／消灯のみでなく、より一層きめの細かい電源管理を
行なって、電力消費の削減化に努めることが課題となっ
ている。従来の単純な点灯／消灯制御では、十分に効率
的な消費電力低減化が実現できない。例えば、外光の乏
しい環境下でも、明るさによって必要なバックライトの
輝度は異なるはずであり、それにも関わらず従来のハイ
ブリッド型の画像表示装置ではバックライトの単純なオ
ン／オフ制御しか行なっていなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決するために以下の手段を講じた。即ち、本発明
は、所定の間隙を介して互いに接合した前後一対の基板
と該間隙に保持された電気光学物質とを含み、マトリク
ス状に配された画素を備え前面側からの外光を前面側に
反射するか、後面側から前面側に向かって発光を放射し
て画像を表示する画像表示装置であって、各画素は、前
面側から入射した外光を反射して画像を表示する反射領
域と、後面側から前面側に向かって発光を放射して画像
を表示する非反射領域とに平面分割されており、前記反
射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、これら
の電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基板に形
成された反射層とからなり、前記非反射領域は、発光層
を上下から電極で挟んだ積層を該後面側の基板に形成し
た自発光素子を含み、周囲の明るさに応じて、該自発光
素子から放射される発光の輝度を調節する制御手段を備
えたことを特徴とする。好ましくは、前記制御手段は、
周囲の明るさが強くなると該自発光素子から放射される
発光の輝度を高く調節し、周囲の明るさが弱くなると該
自発光素子から放射される発光の輝度を低く調節する。
又、前記制御手段は、周囲の明るさを検出して制御信号
を出力する光センサと、該制御信号に応じて該自発光素
子に供給する電流量を調節する電流回路とからなる。
又、前記非反射領域は、該後面側の基板の該電気光学物
質と接する内表面に形成した自発光素子を含む。或い
は、前記非反射領域は、該後面側の基板の該電気光学物
質と接しない外表面に形成した自発光素子を含む。
題を解決するために以下の手段を講じた。即ち、本発明
は、所定の間隙を介して互いに接合した前後一対の基板
と該間隙に保持された電気光学物質とを含み、マトリク
ス状に配された画素を備え前面側からの外光を前面側に
反射するか、後面側から前面側に向かって発光を放射し
て画像を表示する画像表示装置であって、各画素は、前
面側から入射した外光を反射して画像を表示する反射領
域と、後面側から前面側に向かって発光を放射して画像
を表示する非反射領域とに平面分割されており、前記反
射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、これら
の電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基板に形
成された反射層とからなり、前記非反射領域は、発光層
を上下から電極で挟んだ積層を該後面側の基板に形成し
た自発光素子を含み、周囲の明るさに応じて、該自発光
素子から放射される発光の輝度を調節する制御手段を備
えたことを特徴とする。好ましくは、前記制御手段は、
周囲の明るさが強くなると該自発光素子から放射される
発光の輝度を高く調節し、周囲の明るさが弱くなると該
自発光素子から放射される発光の輝度を低く調節する。
又、前記制御手段は、周囲の明るさを検出して制御信号
を出力する光センサと、該制御信号に応じて該自発光素
子に供給する電流量を調節する電流回路とからなる。
又、前記非反射領域は、該後面側の基板の該電気光学物
質と接する内表面に形成した自発光素子を含む。或い
は、前記非反射領域は、該後面側の基板の該電気光学物
質と接しない外表面に形成した自発光素子を含む。
【０００５】本発明によれば、周囲の明るさに応じて自
発光素子に流れる電流を調整して輝度を変える。周囲が
明るい時には自発光素子の輝度は高くし、周囲が暗い時
は自発光素子の輝度を低くする。即ち、周囲の明るさに
負けない様に自発光素子の輝度を高くすることで、視認
性を高める。逆に、周囲が暗い時は自発光素子の輝度を
下げても容易に視認可能である。この様に、周囲の明る
さに応じて自発光素子に流れる電流を調整することで、
きめの細かな電源管理が可能となり、消費電力の一層の
削減化につながる。例えば、周囲の明るさを光センサで
感知し、その出力信号に応じた電流を自発光素子に供給
する様にしている。この様な自動制御を行なうことで、
効率的な消費電力の削減化が可能になる。
発光素子に流れる電流を調整して輝度を変える。周囲が
明るい時には自発光素子の輝度は高くし、周囲が暗い時
は自発光素子の輝度を低くする。即ち、周囲の明るさに
負けない様に自発光素子の輝度を高くすることで、視認
性を高める。逆に、周囲が暗い時は自発光素子の輝度を
下げても容易に視認可能である。この様に、周囲の明る
さに応じて自発光素子に流れる電流を調整することで、
きめの細かな電源管理が可能となり、消費電力の一層の
削減化につながる。例えば、周囲の明るさを光センサで
感知し、その出力信号に応じた電流を自発光素子に供給
する様にしている。この様な自動制御を行なうことで、
効率的な消費電力の削減化が可能になる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係るハイブ
リッド型の画像表示装置の実施形態を示す模式図の一例
であり、一画素分のみを表わしている。図示する様に、
本画像表示装置は、所定の間隙を介して互いに接合した
前後一対の基板１，２とこの間隙に保持された液晶層３
などからなる電気光学物質とを含み、マトリクス状に配
された画素を備え前面側からの外光を前面側に反射する
か、後面側から前面側に向かって発光を放射して画像を
表示する。各画素は、前面側から入射した外光を反射し
て画像を表示する反射領域と、後面側から前面側に向か
って発光を放射して画像を表示する非反射領域とに平面
分割されている。反射領域は、前後一対の基板１，２に
形成された電極１０，１２２と、これらの電極１０，１
２２に挟持された液晶層３と、後面側の基板２に形成さ
れた反射層８とからなり、所謂反射型の液晶表示素子Ｌ
Ｃを構成している。一方、非反射領域は、発光層２０２
を上下から電極２０３，２０１で挟んだ積層を後面側の
基板２に形成した自発光素子ＯＬＥＤを含む。自発光素
子ＯＬＥＤは、例えば゛有機ＥＬ材料を発光層２０２と
して含み、上側の電極２０３は透明導電材料からなる一
方、下側の電極２０１は金属材料からなる。自発光素子
ＯＬＥＤは両電極２０１，２０３の間に電圧を印加する
ことで、発光層２０２に電流が流れ光を放射する。この
光は、上面側の電極２０３から直接放出されるととも
に、一部下面側の電極２０１で反射された後上面側に向
かって放出される。特徴事項として、自発光素子ＯＬＥ
Ｄから放射される発光の輝度を調節する制御手段を備え
ている。
の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係るハイブ
リッド型の画像表示装置の実施形態を示す模式図の一例
であり、一画素分のみを表わしている。図示する様に、
本画像表示装置は、所定の間隙を介して互いに接合した
前後一対の基板１，２とこの間隙に保持された液晶層３
などからなる電気光学物質とを含み、マトリクス状に配
された画素を備え前面側からの外光を前面側に反射する
か、後面側から前面側に向かって発光を放射して画像を
表示する。各画素は、前面側から入射した外光を反射し
て画像を表示する反射領域と、後面側から前面側に向か
って発光を放射して画像を表示する非反射領域とに平面
分割されている。反射領域は、前後一対の基板１，２に
形成された電極１０，１２２と、これらの電極１０，１
２２に挟持された液晶層３と、後面側の基板２に形成さ
れた反射層８とからなり、所謂反射型の液晶表示素子Ｌ
Ｃを構成している。一方、非反射領域は、発光層２０２
を上下から電極２０３，２０１で挟んだ積層を後面側の
基板２に形成した自発光素子ＯＬＥＤを含む。自発光素
子ＯＬＥＤは、例えば゛有機ＥＬ材料を発光層２０２と
して含み、上側の電極２０３は透明導電材料からなる一
方、下側の電極２０１は金属材料からなる。自発光素子
ＯＬＥＤは両電極２０１，２０３の間に電圧を印加する
ことで、発光層２０２に電流が流れ光を放射する。この
光は、上面側の電極２０３から直接放出されるととも
に、一部下面側の電極２０１で反射された後上面側に向
かって放出される。特徴事項として、自発光素子ＯＬＥ
Ｄから放射される発光の輝度を調節する制御手段を備え
ている。
【０００７】好ましくは、制御手段は、周囲の明るさが
強くなると自発光素子ＯＬＥＤから放射される発光の輝
度を高く調節し、周囲の明るさが弱くなると自発光素子
ＯＬＥＤから放射される発光の輝度を低く調節する。係
る制御手段は、周囲の明るさを検出して制御信号を出力
する光センサと、この制御信号に応じて自発光素子ＯＬ
ＥＤに供給する電流量を調節する電流回路とで構成する
ことができる。この様に、周囲の明るさが強くなるとそ
れに負けない様に自発光素子から放射される発光の輝度
を高くして、視認性を高める。逆に、周囲の明るさが弱
くなると自発光素子から放射される発光の輝度を低く調
節して、不必要に電力が消費されることを防止してい
る。尚、本実施形態では、非反射領域は、後面側の基板
２の液晶層３と接する内表面に自発光素子が形成されて
いる。これとは逆に、後面側の基板２の液晶層３と接し
ない外表面に自発光素子を形成することもできる。
強くなると自発光素子ＯＬＥＤから放射される発光の輝
度を高く調節し、周囲の明るさが弱くなると自発光素子
ＯＬＥＤから放射される発光の輝度を低く調節する。係
る制御手段は、周囲の明るさを検出して制御信号を出力
する光センサと、この制御信号に応じて自発光素子ＯＬ
ＥＤに供給する電流量を調節する電流回路とで構成する
ことができる。この様に、周囲の明るさが強くなるとそ
れに負けない様に自発光素子から放射される発光の輝度
を高くして、視認性を高める。逆に、周囲の明るさが弱
くなると自発光素子から放射される発光の輝度を低く調
節して、不必要に電力が消費されることを防止してい
る。尚、本実施形態では、非反射領域は、後面側の基板
２の液晶層３と接する内表面に自発光素子が形成されて
いる。これとは逆に、後面側の基板２の液晶層３と接し
ない外表面に自発光素子を形成することもできる。
【０００８】引き続き図１を参照して、本実施形態の構
成を詳細に説明する。図示する様に、前側基板１の外表
面には偏光板４０と四分の一波長板９が形成されてい
る。基板１の内表面には着色層５０からなるカラーフィ
ルタＣＦが形成されている。カラーフィルタＣＦを画素
毎に区切る様にブラックマトリクスＢＭが同じく基板１
の内面に形成されている。カラーフィルタＣＦ及びブラ
ックマトリクスＢＭの表面には各画素に亘って共通に形
成された共通電極１０が配されている。その上には配向
膜１０７が成膜されている。更に、複屈折性を有する液
晶層３が介在しており、その下に後側の基板２が配され
ている。基板２の表面は配向膜１１５によって覆われて
おり、前側基板１の配向膜１０７と協働して液晶層３を
例えば水平配向している。配向膜１１５の下には画素電
極となる反射層８が形成されている。反射層８は絶縁膜
１１４の凹凸面に形成された金属膜からなり画素電極を
構成する。画素電極の下には薄膜トランジスタ１０８が
形成されている。この薄膜トランジスタ１０８はボトム
ゲート構造を有しており、下から順にゲート電極１１
６、ゲート絶縁膜１１７、半導体薄膜１１８を重ねた積
層構造を有している。半導体薄膜１１８は例えば多結晶
シリコンからなり、ゲート電極１１６と整合するチャネ
ル領域は上側からストッパ１１９により保護されてい
る。係る構成を有するボトムゲート構造の薄膜トランジ
スタ１０８は層間絶縁膜１２０により被覆されている。
層間絶縁膜１２０には一対のコンタクトホールが開口し
ており、これらを介しソース電極１２１及びドレイン電
極１２２が薄膜トランジスタ１０８に電気接続してい
る。これらの電極１２１及び１２２は例えばアルミニウ
ムをパタニングしたものである。ドレイン電極１２２に
は前述した反射層８が接続している。即ち、絶縁膜１１
４に形成したコンタクトホール１１２を介して反射層８
はドレイン電極１２２に電気接続している。一方、ソー
ス電極１２１には信号電圧が供給される。
成を詳細に説明する。図示する様に、前側基板１の外表
面には偏光板４０と四分の一波長板９が形成されてい
る。基板１の内表面には着色層５０からなるカラーフィ
ルタＣＦが形成されている。カラーフィルタＣＦを画素
毎に区切る様にブラックマトリクスＢＭが同じく基板１
の内面に形成されている。カラーフィルタＣＦ及びブラ
ックマトリクスＢＭの表面には各画素に亘って共通に形
成された共通電極１０が配されている。その上には配向
膜１０７が成膜されている。更に、複屈折性を有する液
晶層３が介在しており、その下に後側の基板２が配され
ている。基板２の表面は配向膜１１５によって覆われて
おり、前側基板１の配向膜１０７と協働して液晶層３を
例えば水平配向している。配向膜１１５の下には画素電
極となる反射層８が形成されている。反射層８は絶縁膜
１１４の凹凸面に形成された金属膜からなり画素電極を
構成する。画素電極の下には薄膜トランジスタ１０８が
形成されている。この薄膜トランジスタ１０８はボトム
ゲート構造を有しており、下から順にゲート電極１１
６、ゲート絶縁膜１１７、半導体薄膜１１８を重ねた積
層構造を有している。半導体薄膜１１８は例えば多結晶
シリコンからなり、ゲート電極１１６と整合するチャネ
ル領域は上側からストッパ１１９により保護されてい
る。係る構成を有するボトムゲート構造の薄膜トランジ
スタ１０８は層間絶縁膜１２０により被覆されている。
層間絶縁膜１２０には一対のコンタクトホールが開口し
ており、これらを介しソース電極１２１及びドレイン電
極１２２が薄膜トランジスタ１０８に電気接続してい
る。これらの電極１２１及び１２２は例えばアルミニウ
ムをパタニングしたものである。ドレイン電極１２２に
は前述した反射層８が接続している。即ち、絶縁膜１１
４に形成したコンタクトホール１１２を介して反射層８
はドレイン電極１２２に電気接続している。一方、ソー
ス電極１２１には信号電圧が供給される。
【０００９】上述した反射領域に隣接する非反射領域に
は、発光領域が形成されている。発光領域は自発光素子
ＯＬＥＤを含んでいる。ＯＬＥＤは後側の基板２に形成
された層間絶縁膜１２０の上に配されており、中間の発
光層２０２を上下から電極２０３，２０１で挟んで積層
構造となっている。上部電極２０３は例えばＩＴＯなど
の透明導電材料からなる。一方下部電極２０１は、アル
ミニウムやクロムなど金属膜からなる。上下一対の電極
２０３，２０１間に画像信号に応じた電圧を印加する
と、発光層２０２に電流が流れ、これに応じて光が生成
される。発光は直接上側の透明電極２０３から前側基板
１に向かって放射されるとともに、下部電極２０１によ
って一部反射された後前側基板１に向かって放射され
る。
は、発光領域が形成されている。発光領域は自発光素子
ＯＬＥＤを含んでいる。ＯＬＥＤは後側の基板２に形成
された層間絶縁膜１２０の上に配されており、中間の発
光層２０２を上下から電極２０３，２０１で挟んで積層
構造となっている。上部電極２０３は例えばＩＴＯなど
の透明導電材料からなる。一方下部電極２０１は、アル
ミニウムやクロムなど金属膜からなる。上下一対の電極
２０３，２０１間に画像信号に応じた電圧を印加する
と、発光層２０２に電流が流れ、これに応じて光が生成
される。発光は直接上側の透明電極２０３から前側基板
１に向かって放射されるとともに、下部電極２０１によ
って一部反射された後前側基板１に向かって放射され
る。
【００１０】図２は、図１に示した画像表示装置の平面
形状を示す模式図である。図示する様に、各画素ＰＸＬ
はブラックマトリクスＢＭにより格子状に分かれてい
る。各画素ＰＸＬは中央の発光領域ＰＸＬｂと周辺の反
射領域ＰＸＬａとに平面分割されており、ハイブリッド
構成となっている。中央の発光領域ＰＸＬｂには、前述
した様に有機ＥＬ素子などからなる自発光素子ＯＬＥＤ
が形成されている。周辺の反射領域ＰＸＬａには液晶表
示素子ＬＣが形成されている。カラーフィルタはブラッ
クマトリクスＢＭによって区画された画素ＰＸＬとほぼ
対応する様にパタニングされている。
形状を示す模式図である。図示する様に、各画素ＰＸＬ
はブラックマトリクスＢＭにより格子状に分かれてい
る。各画素ＰＸＬは中央の発光領域ＰＸＬｂと周辺の反
射領域ＰＸＬａとに平面分割されており、ハイブリッド
構成となっている。中央の発光領域ＰＸＬｂには、前述
した様に有機ＥＬ素子などからなる自発光素子ＯＬＥＤ
が形成されている。周辺の反射領域ＰＸＬａには液晶表
示素子ＬＣが形成されている。カラーフィルタはブラッ
クマトリクスＢＭによって区画された画素ＰＸＬとほぼ
対応する様にパタニングされている。
【００１１】図３は、図１に示した画像表示装置の一画
素に含まれる発光領域に対応した等価回路図である。発
光領域ＰＸＬｂは自発光素子ＯＬＥＤ、第１の薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２及
び保持容量Ｃｓからなる。自発光素子は例えば有機エレ
クトロルミネッセンス（ＥＬ）素子である。有機ＥＬ素
子は多くの場合整流性がある為、ＯＬＥＤ（有機発光ダ
イオード）と呼ばれることがあり、図では自発光素子Ｏ
ＬＥＤとしてダイオードの記号を用いている。但し、自
発光素子は必ずしもＯＬＥＤに限るものではなく、素子
に流れる電流量によって輝度が制御されるものであれば
よい。又、自発光素子に必ずしも整流性が要求されるも
のではない。図示の例では、ＴＦＴ２のソースＳを基準
電位（接地電位）とし、自発光素子ＯＬＥＤのアノード
Ａ（陽極）はＶｄｄ（電源電位）に接続される一方、カ
ソードＫ（陰極）はＴＦＴ２のドレインＤに接続されて
いる。一方、ＴＦＴ１のゲートＧは走査線Ｘｂに接続さ
れ、ソースＳはデータ線Ｙに接続され、ドレインＤは保
持容量Ｃｓ及びＴＦＴ２のゲートＧに接続されている。
素に含まれる発光領域に対応した等価回路図である。発
光領域ＰＸＬｂは自発光素子ＯＬＥＤ、第１の薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２及
び保持容量Ｃｓからなる。自発光素子は例えば有機エレ
クトロルミネッセンス（ＥＬ）素子である。有機ＥＬ素
子は多くの場合整流性がある為、ＯＬＥＤ（有機発光ダ
イオード）と呼ばれることがあり、図では自発光素子Ｏ
ＬＥＤとしてダイオードの記号を用いている。但し、自
発光素子は必ずしもＯＬＥＤに限るものではなく、素子
に流れる電流量によって輝度が制御されるものであれば
よい。又、自発光素子に必ずしも整流性が要求されるも
のではない。図示の例では、ＴＦＴ２のソースＳを基準
電位（接地電位）とし、自発光素子ＯＬＥＤのアノード
Ａ（陽極）はＶｄｄ（電源電位）に接続される一方、カ
ソードＫ（陰極）はＴＦＴ２のドレインＤに接続されて
いる。一方、ＴＦＴ１のゲートＧは走査線Ｘｂに接続さ
れ、ソースＳはデータ線Ｙに接続され、ドレインＤは保
持容量Ｃｓ及びＴＦＴ２のゲートＧに接続されている。
【００１２】ＰＸＬｂを動作させる為に、まず、走査線
Ｘｂを選択状態とし、データ線Ｙに輝度情報を表わすデ
ータ電位Ｖｄａｔａを印加すると、ＴＦＴ１が導通し、
保持容量Ｃｓが充電又は放電され、ＴＦＴ２のゲート電
位はデータ電位Ｖｄａｔａに一致する。走査線Ｘｂを非
選択状態とすると、ＴＦＴ１がオフになり、ＴＦＴ２は
電気的にデータ線Ｙから切り離されるが、ＴＦＴ２のゲ
ート電位は保持容量Ｃｓによって安定に保持される。Ｔ
ＦＴ２を介して自発光素子ＯＬＥＤに流れる電流は、Ｔ
ＦＴ２のゲート／ソース間電圧Ｖｇｓに応じた値とな
り、自発光素子ＯＬＥＤはＴＦＴ２を介して供給される
電流に応じた輝度で発光し続ける。
Ｘｂを選択状態とし、データ線Ｙに輝度情報を表わすデ
ータ電位Ｖｄａｔａを印加すると、ＴＦＴ１が導通し、
保持容量Ｃｓが充電又は放電され、ＴＦＴ２のゲート電
位はデータ電位Ｖｄａｔａに一致する。走査線Ｘｂを非
選択状態とすると、ＴＦＴ１がオフになり、ＴＦＴ２は
電気的にデータ線Ｙから切り離されるが、ＴＦＴ２のゲ
ート電位は保持容量Ｃｓによって安定に保持される。Ｔ
ＦＴ２を介して自発光素子ＯＬＥＤに流れる電流は、Ｔ
ＦＴ２のゲート／ソース間電圧Ｖｇｓに応じた値とな
り、自発光素子ＯＬＥＤはＴＦＴ２を介して供給される
電流に応じた輝度で発光し続ける。
【００１３】ＯＬＥＤには電流回路を介して電源Ｖｄｄ
から必要な駆動電流が供給されている。図示する様に、
この電流回路は２個のＮＭＯＳインバータからなる。
又、この電流回路を制御する様に光センサが接続されて
いる。係る電流回路と光センサにより制御手段が構成さ
れている。即ち、本発明に係る制御手段は、周囲の明る
さを検出して制御信号を出力する光センサと、この制御
信号に応じて自発光素子ＯＬＥＤに供給する電流量を調
節する電流回路とで構成されている。尚、この制御手段
は各画素に含まれるＯＬＥＤのアノードＡに共通接続さ
れている。一方、自発光素子ＯＬＥＤのカソードＫはＴ
ＦＴ１，ＴＦＴ２により個々に制御される。
から必要な駆動電流が供給されている。図示する様に、
この電流回路は２個のＮＭＯＳインバータからなる。
又、この電流回路を制御する様に光センサが接続されて
いる。係る電流回路と光センサにより制御手段が構成さ
れている。即ち、本発明に係る制御手段は、周囲の明る
さを検出して制御信号を出力する光センサと、この制御
信号に応じて自発光素子ＯＬＥＤに供給する電流量を調
節する電流回路とで構成されている。尚、この制御手段
は各画素に含まれるＯＬＥＤのアノードＡに共通接続さ
れている。一方、自発光素子ＯＬＥＤのカソードＫはＴ
ＦＴ１，ＴＦＴ２により個々に制御される。
【００１４】上述した発光領域ＰＸＬｂを画素単位で図
４の様にマトリクス状に多数配列すると、アクティブマ
トリクス型の画像表示装置を構成することができる。図
示する様に、本画像表示装置は、所定の走査サイクル
（例えばＮＴＳＣ規格に従ったフレーム周期）でＰＸＬ
ｂを選択する為の走査線Ｘｂ１〜ＸｂＮと、ＰＸＬｂを
駆動する為の輝度情報（データ電位Ｖｄａｔａ）を与え
るデータ線Ｙとがマトリクス状に配設されている。走査
線Ｘｂ１〜ＸｂＮは走査線駆動回路２１ｂに接続される
一方、データ線Ｙはデータ線駆動回路２２に接続され
る。走査線駆動回路２１ｂによって走査線Ｘｂ１〜Ｘｂ
Ｎを順次選択しながら、データ線駆動回路２２によって
データ線ＹからＶｄａｔａの書き込みを繰り返すことに
より、所望の画像を表示することができる。本装置で
は、書き込み終了後も各ＰＸＬｂに含まれる自発光素子
が発光を継続する。
４の様にマトリクス状に多数配列すると、アクティブマ
トリクス型の画像表示装置を構成することができる。図
示する様に、本画像表示装置は、所定の走査サイクル
（例えばＮＴＳＣ規格に従ったフレーム周期）でＰＸＬ
ｂを選択する為の走査線Ｘｂ１〜ＸｂＮと、ＰＸＬｂを
駆動する為の輝度情報（データ電位Ｖｄａｔａ）を与え
るデータ線Ｙとがマトリクス状に配設されている。走査
線Ｘｂ１〜ＸｂＮは走査線駆動回路２１ｂに接続される
一方、データ線Ｙはデータ線駆動回路２２に接続され
る。走査線駆動回路２１ｂによって走査線Ｘｂ１〜Ｘｂ
Ｎを順次選択しながら、データ線駆動回路２２によって
データ線ＹからＶｄａｔａの書き込みを繰り返すことに
より、所望の画像を表示することができる。本装置で
は、書き込み終了後も各ＰＸＬｂに含まれる自発光素子
が発光を継続する。
【００１５】図５は、各画素に含まれる反射領域をＰＬ
Ｘａ表わす等価回路図であり、図３に示した発光領域の
等価回路と対応する部分には対応する参照番号を付して
理解を容易にしている。各ＰＸＬａにおいて、液晶表示
素子ＬＣは薄膜トランジスタＴＦＴによって駆動され
る。尚ＴＦＴは図１の薄膜トランジスタ１０８に対応し
ている。図から明らかな様に、ＴＦＴのゲートＧは走査
線Ｘａに接続され、ソースＳはデータ線Ｙに接続され、
ドレインＤはＬＣの一方の端子に接続されている。デー
タ線ＹはＰＸＬｂ側と共通に使えるが、走査線ＸａはＰ
ＸＬｂで用いた走査線Ｘｂとは異なるものを用いる。即
ち、ＰＸＬａとＰＸＬｂは何れか一方が選択的に駆動さ
れる為、走査線Ｘａ，Ｘｂを別々に設ける必要がある。
走査線Ｘａに選択パルスが印加されると対応するＴＦＴ
が選択され導通状態になる。データ線Ｙから供給された
画像信号が、導通状態にあるＴＦＴを介して液晶表示素
子ＬＣに書き込まれ、所望の画像表示が行なわれる。走
査線Ｘａに印加された選択パルスが解除された後、ＴＦ
Ｔは非導通状態となり液晶表示素子ＬＣ及び保持容量Ｃ
ｓに書き込まれた画像信号がそのまま保持される。
Ｘａ表わす等価回路図であり、図３に示した発光領域の
等価回路と対応する部分には対応する参照番号を付して
理解を容易にしている。各ＰＸＬａにおいて、液晶表示
素子ＬＣは薄膜トランジスタＴＦＴによって駆動され
る。尚ＴＦＴは図１の薄膜トランジスタ１０８に対応し
ている。図から明らかな様に、ＴＦＴのゲートＧは走査
線Ｘａに接続され、ソースＳはデータ線Ｙに接続され、
ドレインＤはＬＣの一方の端子に接続されている。デー
タ線ＹはＰＸＬｂ側と共通に使えるが、走査線ＸａはＰ
ＸＬｂで用いた走査線Ｘｂとは異なるものを用いる。即
ち、ＰＸＬａとＰＸＬｂは何れか一方が選択的に駆動さ
れる為、走査線Ｘａ，Ｘｂを別々に設ける必要がある。
走査線Ｘａに選択パルスが印加されると対応するＴＦＴ
が選択され導通状態になる。データ線Ｙから供給された
画像信号が、導通状態にあるＴＦＴを介して液晶表示素
子ＬＣに書き込まれ、所望の画像表示が行なわれる。走
査線Ｘａに印加された選択パルスが解除された後、ＴＦ
Ｔは非導通状態となり液晶表示素子ＬＣ及び保持容量Ｃ
ｓに書き込まれた画像信号がそのまま保持される。
【００１６】図６は、図５に示した反射領域ＰＸＬａを
画素毎にマトリクス状に配列した全体構成を表わしてお
り、図４と対応する部分には対応する参照番号を付して
ある。各走査線Ｘａと各データ線Ｙの交差部にＰＸＬａ
が配されている。データ線Ｙはデータ線駆動回路２２に
よって駆動され、走査線Ｘａは走査線駆動回路２１ａに
よって選択駆動される。図４と比較すれば明らかな様
に、データ線駆動回路２２はＰＸＬａとＰＸＬｂで共通
に用いることができる。一方、反射領域ＰＸＬａを駆動
する走査線駆動回路２１ａは、発光領域ＰＸＬｂを駆動
する走査線駆動回路２１ｂとは異なるものが用いられて
いる。
画素毎にマトリクス状に配列した全体構成を表わしてお
り、図４と対応する部分には対応する参照番号を付して
ある。各走査線Ｘａと各データ線Ｙの交差部にＰＸＬａ
が配されている。データ線Ｙはデータ線駆動回路２２に
よって駆動され、走査線Ｘａは走査線駆動回路２１ａに
よって選択駆動される。図４と比較すれば明らかな様
に、データ線駆動回路２２はＰＸＬａとＰＸＬｂで共通
に用いることができる。一方、反射領域ＰＸＬａを駆動
する走査線駆動回路２１ａは、発光領域ＰＸＬｂを駆動
する走査線駆動回路２１ｂとは異なるものが用いられて
いる。
【００１７】図７は、図１に示した表示装置の内、反射
領域ＰＸＬａの動作説明に供する模式図である。右側が
印加電圧のオフ状態を表わし光は通過する一方、左側が
印加電圧のオン状態を表わし光は遮断される。この表示
装置は上から順に、偏光板４０、四分の一波長板９、前
側基板１、カラーフィルタＣＦ、共通電極１０、複屈折
性を有する液晶層３、画素電極を兼ねた反射層８、後側
基板２が重ねられている。オフ状態では液晶分子４は水
平配向しており液晶層３は四分の一波長板として機能す
る。オン状態では液晶分子４は垂直配向に移行し液晶層
３は四分の一波長板としての機能はなくなる。換言する
と、オフ状態では四分の一波長板として機能する液晶層
３と四分の一波長板９が重なっており、全体として二分
の一波長板として機能する。反射型の場合入射光はパネ
ルを往復して出射するので結局パネルは一波長板として
機能する。一波長板は結局入射光をそのまま出射光とし
て透過することになり、偏光板４０を透過した入射直線
偏光はそのまま出射直線偏光となって観察者に至り、光
の通過状態が得られる。一方、オン状態では液晶層３が
四分の一波長板としての機能を失なう為、四分の一波長
板９のみが残ることになる。反射型では入射光が四分の
一波長板９を往復するので、パネルは結局二分の一波長
板として機能する。二分の一波長板は入射直線偏光を９
０°回転して出射直線偏光とする。従って、偏光板４０
を透過した入射直線偏光は９０°回転して出射直線偏光
となり、偏光板４０によって吸収される。従って光の遮
断状態が得られる。
領域ＰＸＬａの動作説明に供する模式図である。右側が
印加電圧のオフ状態を表わし光は通過する一方、左側が
印加電圧のオン状態を表わし光は遮断される。この表示
装置は上から順に、偏光板４０、四分の一波長板９、前
側基板１、カラーフィルタＣＦ、共通電極１０、複屈折
性を有する液晶層３、画素電極を兼ねた反射層８、後側
基板２が重ねられている。オフ状態では液晶分子４は水
平配向しており液晶層３は四分の一波長板として機能す
る。オン状態では液晶分子４は垂直配向に移行し液晶層
３は四分の一波長板としての機能はなくなる。換言する
と、オフ状態では四分の一波長板として機能する液晶層
３と四分の一波長板９が重なっており、全体として二分
の一波長板として機能する。反射型の場合入射光はパネ
ルを往復して出射するので結局パネルは一波長板として
機能する。一波長板は結局入射光をそのまま出射光とし
て透過することになり、偏光板４０を透過した入射直線
偏光はそのまま出射直線偏光となって観察者に至り、光
の通過状態が得られる。一方、オン状態では液晶層３が
四分の一波長板としての機能を失なう為、四分の一波長
板９のみが残ることになる。反射型では入射光が四分の
一波長板９を往復するので、パネルは結局二分の一波長
板として機能する。二分の一波長板は入射直線偏光を９
０°回転して出射直線偏光とする。従って、偏光板４０
を透過した入射直線偏光は９０°回転して出射直線偏光
となり、偏光板４０によって吸収される。従って光の遮
断状態が得られる。
【００１８】図８は、本発明に係る画像表示装置の他の
実施形態の一例を示す模式的な部分断面図である。図１
に示した先の実施形態と異なる点は、自発光素子が後側
基板２の内表面ではなく外表面に形成されており、所謂
バックライトとなっていることである。このバックライ
トは図示しない制御手段により制御されており、周囲の
明るさに応じてバックライトを構成する自発光素子から
放射される発光の輝度を調節している。尚、本実施形態
では各画素において非発光領域には発光領域の代わりに
透過領域が設けられており、これに対応してバックライ
トの自発光素子が設けられている。以下、本実施形態の
構成を詳細に説明する。
実施形態の一例を示す模式的な部分断面図である。図１
に示した先の実施形態と異なる点は、自発光素子が後側
基板２の内表面ではなく外表面に形成されており、所謂
バックライトとなっていることである。このバックライ
トは図示しない制御手段により制御されており、周囲の
明るさに応じてバックライトを構成する自発光素子から
放射される発光の輝度を調節している。尚、本実施形態
では各画素において非発光領域には発光領域の代わりに
透過領域が設けられており、これに対応してバックライ
トの自発光素子が設けられている。以下、本実施形態の
構成を詳細に説明する。
【００１９】図８に示す様に、前側基板１の外表面には
偏光板４０と四分の一波長板９が貼り付けられている。
基板１の内表面には本発明に従って着色層５０及び透明
層５１を重ねたカラーフィルタＣＦが形成されている。
カラーフィルタＣＦを画素毎に区切る様にブラックマト
リクスＢＭが同じく基板１の内面に形成されている。カ
ラーフィルタＣＦ及びブラックマトリクスＢＭの表面に
は各画素に亘って共通に形成された共通電極１０が配さ
れている。その上には配向膜１０７が成膜されている。
更に、複屈折性を有する液晶層３が介在しており、その
下に後側の基板２が配されている。基板２の表面は配向
膜１１５によって覆われており、前側基板１の配向膜１
０７と協働して液晶層３を例えば水平配向している。図
示の様に、液晶層３の厚みは透過領域の寸法Ｔｄが反射
領域の寸法Ｒｄの二倍に設定されている。具体的には、
Ｔｄは入射光の波長の二分の一に相当し、Ｒｄは同じく
入射光の波長の四分の一に相当する。配向膜１１５の下
には画素電極１１が形成されている。この画素電極１１
はＩＴＯなどの透明導電膜からなり、透過領域の開口を
形成している。この透明電極１１と一部重なる様に絶縁
膜１１４を介して反射層８が形成されている。反射層８
は絶縁膜１１４の凹凸面に形成された金属膜からなり前
述した画素電極１１と同電位に接続されている。従っ
て、反射層８も画素電極の一部を構成する。画素電極１
１の下には薄膜トランジスタ１０８が形成されている。
この薄膜トランジスタ１０８はボトムゲート構造を有し
ており、下から順にゲート電極１１６、ゲート絶縁膜１
１７、半導体薄膜１１８を重ねた積層構造を有してい
る。半導体薄膜１１８は例えば多結晶シリコンからな
り、ゲート電極１１６と整合するチャネル領域は上側か
らストッパ１１９により保護されている。係る構成を有
するボトムゲート構造の薄膜トランジスタ１０８は層間
絶縁膜１２０により被覆されている。層間絶縁膜１２０
には一対のコンタクトホールが開口しており、これらを
介しソース電極１２１及びドレイン電極１２２が薄膜ト
ランジスタ１０８に電気接続している。これらの電極１
２１及び１２２は例えばアルミニウムをパタニングした
ものである。ドレイン電極１２２には前述した画素電極
１１が接続している。又、絶縁膜１１４に形成したコン
タクトホール１１２を介して反射層８もドレイン電極１
２２に電気接続している。一方、ソース電極１２１には
信号電圧が供給される。
偏光板４０と四分の一波長板９が貼り付けられている。
基板１の内表面には本発明に従って着色層５０及び透明
層５１を重ねたカラーフィルタＣＦが形成されている。
カラーフィルタＣＦを画素毎に区切る様にブラックマト
リクスＢＭが同じく基板１の内面に形成されている。カ
ラーフィルタＣＦ及びブラックマトリクスＢＭの表面に
は各画素に亘って共通に形成された共通電極１０が配さ
れている。その上には配向膜１０７が成膜されている。
更に、複屈折性を有する液晶層３が介在しており、その
下に後側の基板２が配されている。基板２の表面は配向
膜１１５によって覆われており、前側基板１の配向膜１
０７と協働して液晶層３を例えば水平配向している。図
示の様に、液晶層３の厚みは透過領域の寸法Ｔｄが反射
領域の寸法Ｒｄの二倍に設定されている。具体的には、
Ｔｄは入射光の波長の二分の一に相当し、Ｒｄは同じく
入射光の波長の四分の一に相当する。配向膜１１５の下
には画素電極１１が形成されている。この画素電極１１
はＩＴＯなどの透明導電膜からなり、透過領域の開口を
形成している。この透明電極１１と一部重なる様に絶縁
膜１１４を介して反射層８が形成されている。反射層８
は絶縁膜１１４の凹凸面に形成された金属膜からなり前
述した画素電極１１と同電位に接続されている。従っ
て、反射層８も画素電極の一部を構成する。画素電極１
１の下には薄膜トランジスタ１０８が形成されている。
この薄膜トランジスタ１０８はボトムゲート構造を有し
ており、下から順にゲート電極１１６、ゲート絶縁膜１
１７、半導体薄膜１１８を重ねた積層構造を有してい
る。半導体薄膜１１８は例えば多結晶シリコンからな
り、ゲート電極１１６と整合するチャネル領域は上側か
らストッパ１１９により保護されている。係る構成を有
するボトムゲート構造の薄膜トランジスタ１０８は層間
絶縁膜１２０により被覆されている。層間絶縁膜１２０
には一対のコンタクトホールが開口しており、これらを
介しソース電極１２１及びドレイン電極１２２が薄膜ト
ランジスタ１０８に電気接続している。これらの電極１
２１及び１２２は例えばアルミニウムをパタニングした
ものである。ドレイン電極１２２には前述した画素電極
１１が接続している。又、絶縁膜１１４に形成したコン
タクトホール１１２を介して反射層８もドレイン電極１
２２に電気接続している。一方、ソース電極１２１には
信号電圧が供給される。
【００２０】係る構成を有する液晶パネル１００の後面
側の基板２には、平面型のバックライト２００が取り付
けられている。バックライト２００は、ガラス板などか
らなる基板２０１の上に下部電極２０２を形成し、その
上に発光層２０３を成膜し、更にその上に上部電極２０
４を形成した積層構造を有する。発光層２０３を上下か
ら電極２０４，２０２で保持した積層は、更に二酸化シ
リコンなどの絶縁性保護膜２０５で被覆されている。保
護膜２０５の上には、偏光層２４１が成膜されている。
この偏光層２４１は所謂塗布型の偏光板である。即ち、
保護膜２０５の上に機能性材料を塗布し所定の処理を施
すことで、発光層２０３から放射された照明光に対して
偏光作用を及ぼす偏光層２４１を形成することができ
る。偏光層２４１の上には、更に四分の一波長層２１９
が形成されている。四分の一波長層２１９は例えば一軸
延伸された光学フィルムからなり、塗布型偏光層２４１
の上に貼り付けられている。
側の基板２には、平面型のバックライト２００が取り付
けられている。バックライト２００は、ガラス板などか
らなる基板２０１の上に下部電極２０２を形成し、その
上に発光層２０３を成膜し、更にその上に上部電極２０
４を形成した積層構造を有する。発光層２０３を上下か
ら電極２０４，２０２で保持した積層は、更に二酸化シ
リコンなどの絶縁性保護膜２０５で被覆されている。保
護膜２０５の上には、偏光層２４１が成膜されている。
この偏光層２４１は所謂塗布型の偏光板である。即ち、
保護膜２０５の上に機能性材料を塗布し所定の処理を施
すことで、発光層２０３から放射された照明光に対して
偏光作用を及ぼす偏光層２４１を形成することができ
る。偏光層２４１の上には、更に四分の一波長層２１９
が形成されている。四分の一波長層２１９は例えば一軸
延伸された光学フィルムからなり、塗布型偏光層２４１
の上に貼り付けられている。
【００２１】図９は、本発明に係る携帯情報端末装置を
示す模式的な斜視図である。携帯情報端末装置（ＰＤ
Ａ）３００は、命令を入力する操作部３１１と、命令に
応じて情報を処理する処理部３１０と、処理された情報
を表示する表示部とを一体的に組み込んだコンパクト構
造となっている。処理部３１０は、ＰＤＡとしての基本
機能（通信部、音声処理部、制御部及び記憶部など）を
備えている。これらの機能を、ＣＰＵなどからなる制御
部が制御することで、電話機能、メール機能、パソコン
機能、パソコン通信機能、個人情報管理機能などが実現
できる。更に、操作部３１１を備えており、この操作部
３１１を操作することにより、各種機能を選択できる。
処理部３１０は、実行する処理内容に応じて画像情報を
生成する。表示部３２０は、情報処理部３１０が生成し
た画像情報を表示する。ここで、表示部３２０は、所定
の間隙を介して互いに接合した前後一対の基板と該間隙
に保持された電気光学物質とを含み、マトリクス状に配
された画素を備え前面側からの外光を前面側に反射する
か、後面側から前面側に向かって発光を放射して画像を
表示する。各画素は、前面側から入射した外光を反射し
て画像を表示する反射領域と、後面側から前面側に向か
って発光を放射して画像を表示する非反射領域とに平面
分割されている。前記反射領域は、前後一対の基板に形
成された電極と、これらの電極に挟持された電気光学物
質と、後面側の基板に形成された反射層とからなる。前
記非反射領域は、発光層を上下から電極で挟んだ積層を
後面側の基板に形成した自発光素子を含み、周囲の明る
さに応じて、該自発光素子から放射される発光の輝度を
調節する制御手段を備える。
示す模式的な斜視図である。携帯情報端末装置（ＰＤ
Ａ）３００は、命令を入力する操作部３１１と、命令に
応じて情報を処理する処理部３１０と、処理された情報
を表示する表示部とを一体的に組み込んだコンパクト構
造となっている。処理部３１０は、ＰＤＡとしての基本
機能（通信部、音声処理部、制御部及び記憶部など）を
備えている。これらの機能を、ＣＰＵなどからなる制御
部が制御することで、電話機能、メール機能、パソコン
機能、パソコン通信機能、個人情報管理機能などが実現
できる。更に、操作部３１１を備えており、この操作部
３１１を操作することにより、各種機能を選択できる。
処理部３１０は、実行する処理内容に応じて画像情報を
生成する。表示部３２０は、情報処理部３１０が生成し
た画像情報を表示する。ここで、表示部３２０は、所定
の間隙を介して互いに接合した前後一対の基板と該間隙
に保持された電気光学物質とを含み、マトリクス状に配
された画素を備え前面側からの外光を前面側に反射する
か、後面側から前面側に向かって発光を放射して画像を
表示する。各画素は、前面側から入射した外光を反射し
て画像を表示する反射領域と、後面側から前面側に向か
って発光を放射して画像を表示する非反射領域とに平面
分割されている。前記反射領域は、前後一対の基板に形
成された電極と、これらの電極に挟持された電気光学物
質と、後面側の基板に形成された反射層とからなる。前
記非反射領域は、発光層を上下から電極で挟んだ積層を
後面側の基板に形成した自発光素子を含み、周囲の明る
さに応じて、該自発光素子から放射される発光の輝度を
調節する制御手段を備える。
【００２２】図１０は、本発明に係る携帯電話端末装置
の一例を示す模式的な平面図である。図示する様に、携
帯電話端末装置４００は、発呼及び着呼に関する操作を
行なう操作部と、この操作に応じて通話を可能にする通
話部と、少なくともこの操作に関する情報を表示可能な
表示部とを一体的に組み込んだコンパクト構造となって
いる。具体的には、携帯電話端末装置４００は、無線送
受信用のアンテナ４３１、受話器（スピーカ）４３２及
び送話器（マイクロフォン）４３３を備えるとともに、
ダイヤルキーなどの操作キー４３４と表示部４３５とを
備えている。この表示部は本発明に従って画素毎に反射
領域及び非反射領域を備えたハイブリッド型である。携
帯電話端末装置４００は、個人名と電話番号などの電話
帳情報を、表示部４３５に表示することができる。場合
によっては、受信した電子メールを表示部４３５に表示
することも可能である。
の一例を示す模式的な平面図である。図示する様に、携
帯電話端末装置４００は、発呼及び着呼に関する操作を
行なう操作部と、この操作に応じて通話を可能にする通
話部と、少なくともこの操作に関する情報を表示可能な
表示部とを一体的に組み込んだコンパクト構造となって
いる。具体的には、携帯電話端末装置４００は、無線送
受信用のアンテナ４３１、受話器（スピーカ）４３２及
び送話器（マイクロフォン）４３３を備えるとともに、
ダイヤルキーなどの操作キー４３４と表示部４３５とを
備えている。この表示部は本発明に従って画素毎に反射
領域及び非反射領域を備えたハイブリッド型である。携
帯電話端末装置４００は、個人名と電話番号などの電話
帳情報を、表示部４３５に表示することができる。場合
によっては、受信した電子メールを表示部４３５に表示
することも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、自
発光素子を組み込んだハイブリッド型の画像表示装置に
おいて、周囲の明るさに応じて自発光素子から放射され
る発光の輝度を調節する制御手段を設けている。これに
より、外光に応じて適切な輝度を呈するパネルが得られ
る。特に、画素毎に反射領域と発光領域を備えたハイブ
リッド型に応用することで、バランスの取れた画像輝度
が得られると同時に、低消費電力化が達成できる。
発光素子を組み込んだハイブリッド型の画像表示装置に
おいて、周囲の明るさに応じて自発光素子から放射され
る発光の輝度を調節する制御手段を設けている。これに
より、外光に応じて適切な輝度を呈するパネルが得られ
る。特に、画素毎に反射領域と発光領域を備えたハイブ
リッド型に応用することで、バランスの取れた画像輝度
が得られると同時に、低消費電力化が達成できる。
【図１】本発明に係る画像表示装置の実施形態の一例を
示す模式的な部分断面図である。
示す模式的な部分断面図である。
【図２】図１に示した画像表示装置の平面図である。
【図３】図１に示した画像表示装置の一画素分の等価回
路図である。
路図である。
【図４】図１に示した画像表示装置の全体等価回路図で
ある。
ある。
【図５】図１に示した画像表示装置の一画素分の等価回
路図である。
路図である。
【図６】図１に示した画像表示装置の全体等価回路図で
ある。
ある。
【図７】図１に示した画像表示装置の動作説明に供する
模式図である。
模式図である。
【図８】本発明に係る画像表示装置の他の実施形態の一
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
【図９】本発明に係る携帯情報端末装置の一例を示す模
式的な斜視図である。
式的な斜視図である。
【図１０】本発明に係る携帯電話端末装置の一例を示す
模式的な平面図である。
模式的な平面図である。
１・・・基板、２・・・基板、３・・・液晶層、８・・
・反射層、１０８・・・薄膜トランジスタ、２０１・・
・電極、２０２・・・発光層、２０３・・・電極、ＬＣ
・・・液晶表示素子、ＯＬＥＤ・・・自発光素子
・反射層、１０８・・・薄膜トランジスタ、２０１・・
・電極、２０２・・・発光層、２０３・・・電極、ＬＣ
・・・液晶表示素子、ＯＬＥＤ・・・自発光素子
Claims (20)
- 【請求項１】 所定の間隙を介して互いに接合した前後
一対の基板と該間隙に保持された電気光学物質とを含
み、マトリクス状に配された画素を備え前面側からの外
光を前面側に反射するか、後面側から前面側に向かって
発光を放射して画像を表示する画像表示装置であって、 各画素は、前面側から入射した外光を反射して画像を表
示する反射領域と、後面側から前面側に向かって発光を
放射して画像を表示する非反射領域とに平面分割されて
おり、 前記反射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、
これらの電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基
板に形成された反射層とからなり、 前記非反射領域は、発光層を上下から電極で挟んだ積層
を該後面側の基板に形成した自発光素子を含み、 周囲の明るさに応じて、該自発光素子から放射される発
光の輝度を調節する制御手段を備えたことを特徴とする
画像表示装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、周囲の明るさが強くな
ると該自発光素子から放射される発光の輝度を高く調節
し、周囲の明るさが弱くなると該自発光素子から放射さ
れる発光の輝度を低く調節することを特徴とする請求項
１記載の画像表示装置。 - 【請求項３】 前記制御手段は、周囲の明るさを検出し
て制御信号を出力する光センサと、該制御信号に応じて
該自発光素子に供給する電流量を調節する電流回路とか
らなることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項４】 前記非反射領域は、該後面側の基板の該
電気光学物質と接する内表面に形成した自発光素子を含
むことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項５】 前記非反射領域は、該後面側の基板の該
電気光学物質と接しない外表面に形成した自発光素子を
含むことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項６】 所定の間隙を介して互いに接合した前後
一対の基板と該間隙に保持された電気光学物質とを含
み、マトリクス状に配された画素を備え前面側からの外
光を前面側に反射するか、後面側から前面側に向かって
発光を放射して画像を表示する画像表示装置の製造方法
であって、 個々の画素内で、前面側から入射した外光を反射して画
像を表示する反射領域と、後面側から前面側に向かって
発光を放射して画像を表示する非反射領域とを平面分割
的に形成する工程を含み、 前記反射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、
これらの電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基
板に形成された反射層とで形成し、 前記非反射領域は、発光層を上下から電極で挟んだ積層
からなる自発光素子を後面側の基板に形成し、 周囲の明るさに応じて、該自発光素子から放射される発
光の輝度を調節する制御部を設けることを特徴とする画
像表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記制御部は、周囲の明るさが強くなる
と該自発光素子から放射される発光の輝度を高く調節
し、周囲の明るさが弱くなると該自発光素子から放射さ
れる発光の輝度を低く調節しする様に設けることを特徴
とする請求項６記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記制御部は、周囲の明るさを検出して
制御信号を出力する光センサと、該制御信号に応じて該
自発光素子に供給する電流量を調節する電流回路とで形
成することを特徴とする請求項６記載の画像表示装置の
製造方法。 - 【請求項９】 前記非反射領域には、該後面側の基板の
該電気光学物質と接する内表面に該自発光素子を形成す
ることを特徴とする請求項６記載の画像表示装置の製造
方法。 - 【請求項１０】 前記非反射領域には、該後面側の基板
の該電気光学物質と接しない外表面に該自発光素子を形
成することを特徴とする請求項６記載の画像表示装置の
製造方法。 - 【請求項１１】 命令を入力する操作部と、該命令に応
じて情報を処理する処理部と、処理された情報を表示す
る表示部とを一体的に組み込んだ携帯情報端末装置であ
って、 前記表示部は、所定の間隙を介して互いに接合した前後
一対の基板と該間隙に保持された電気光学物質とを含
み、マトリクス状に配された画素を備え前面側からの外
光を前面側に反射するか、後面側から前面側に向かって
発光を放射して画像を表示し、 各画素は、該表示部の前面側から入射した外光を反射し
て画像を表示する反射領域と、該表示部の後面側から前
面側に向かって発光を放射して画像を表示する非反射領
域とに平面分割されており、 前記反射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、
これらの電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基
板に形成された反射層とからなり、 前記非反射領域は、発光層を上下から電極で挟んだ積層
を該後面側の基板に形成した自発光素子を含み、 周囲の明るさに応じて、該自発光素子から放射される発
光の輝度を調節する制御手段を備えたことを特徴とする
携帯情報端末装置。 - 【請求項１２】 前記制御手段は、周囲の明るさが強く
なると該自発光素子から放射される発光の輝度を高く調
節し、周囲の明るさが弱くなると該自発光素子から放射
される発光の輝度を低く調節することを特徴とする請求
項１１記載の携帯情報端末装置。 - 【請求項１３】 前記制御手段は、周囲の明るさを検出
して制御信号を出力する光センサと、該制御信号に応じ
て該自発光素子に供給する電流量を調節する電流回路と
からなることを特徴とする請求項１１記載の携帯情報端
末装置。 - 【請求項１４】 前記非反射領域は、該後面側の基板の
該電気光学物質と接する内表面に形成した自発光素子を
含むことを特徴とする請求項１１記載の携帯情報端末装
置。 - 【請求項１５】 前記非反射領域は、該後面側の基板の
該電気光学物質と接しない外表面に形成した自発光素子
を含むことを特徴とする請求項１１記載の携帯情報端末
装置。 - 【請求項１６】 発呼及び着呼に関する操作を行う操作
部と、該操作に応じて通話を可能にする通話部と、少な
くとも該操作に関する情報を表示可能な表示部とを一体
的に組み込んだ携帯電話端末装置であって、 前記表示部は、所定の間隙を介して互いに接合した前後
一対の基板と該間隙に保持された電気光学物質とを含
み、マトリクス状に配された画素を備え前面側からの外
光を前面側に反射するか、後面側から前面側に向かって
発光を放射して画像を表示し、 各画素は、該表示部の前面側から入射した外光を反射し
て画像を表示する反射領域と、該表示部の後面側から前
面側に向かって発光を放射して画像を表示する非反射領
域とに平面分割されており、 前記反射領域は、前後一対の基板に形成された電極と、
これらの電極に挟持された電気光学物質と、後面側の基
板に形成された反射層とからなり、 前記非反射領域は、発光層を上下から電極で挟んだ積層
を該後面側の基板に形成した自発光素子を含み、 周囲の明るさに応じて、該自発光素子から放射される発
光の輝度を調節する制御手段を備えたことを特徴とする
携帯電話端末装置。 - 【請求項１７】 前記制御手段は、周囲の明るさが強く
なると該自発光素子から放射される発光の輝度を高く調
節し、周囲の明るさが弱くなると該自発光素子から放射
される発光の輝度を低く調節することを特徴とする請求
項１６記載の携帯電話端末装置。 - 【請求項１８】 前記制御手段は、周囲の明るさを検出
して制御信号を出力する光センサと、該制御信号に応じ
て該自発光素子に供給する電流量を調節する電流回路と
からなることを特徴とする請求項１６記載の携帯電話端
末装置。 - 【請求項１９】 前記非反射領域は、該後面側の基板の
該電気光学物質と接する内表面に形成した自発光素子を
含むことを特徴とする請求項１６記載の携帯電話端末装
置。 - 【請求項２０】 前記非反射領域は、該後面側の基板の
該電気光学物質と接しない外表面に形成した自発光素子
を含むことを特徴とする請求項１６記載の携帯電話端末
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000391749A JP2002196705A (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000391749A JP2002196705A (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002196705A true JP2002196705A (ja) | 2002-07-12 |
Family
ID=18857846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000391749A Pending JP2002196705A (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002196705A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005004183A (ja) * | 2003-05-20 | 2005-01-06 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 発光型表示装置 |
| EP1923931A2 (en) | 2006-11-20 | 2008-05-21 | Lintec Corporation | Luminescent sheet and method of producing the same |
| JP2009066205A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Aruze Corp | 液晶ディスプレイ装置および液晶ディスプレイ装置を備えた遊技機 |
| KR101097346B1 (ko) | 2010-03-10 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2017191345A (ja) * | 2006-04-14 | 2017-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| WO2017195067A1 (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| WO2018216471A1 (ja) * | 2017-05-23 | 2018-11-29 | 株式会社小糸製作所 | 車両用ディスプレー装置、車両用ディスプレー装置の制御方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体 |
| JP2018197097A (ja) * | 2017-05-23 | 2018-12-13 | 株式会社小糸製作所 | 車両用ディスプレー装置、車両用ディスプレー装置の制御方法およびプログラム |
| WO2020100417A1 (ja) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN112885879A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
| JP2022043143A (ja) * | 2016-04-28 | 2022-03-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子デバイス |
-
2000
- 2000-12-25 JP JP2000391749A patent/JP2002196705A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005004183A (ja) * | 2003-05-20 | 2005-01-06 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 発光型表示装置 |
| JP2017191345A (ja) * | 2006-04-14 | 2017-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| EP1923931A2 (en) | 2006-11-20 | 2008-05-21 | Lintec Corporation | Luminescent sheet and method of producing the same |
| JP2009066205A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Aruze Corp | 液晶ディスプレイ装置および液晶ディスプレイ装置を備えた遊技機 |
| KR101097346B1 (ko) | 2010-03-10 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US8822998B2 (en) | 2010-03-10 | 2014-09-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| JP2022043143A (ja) * | 2016-04-28 | 2022-03-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子デバイス |
| WO2017195067A1 (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2018197097A (ja) * | 2017-05-23 | 2018-12-13 | 株式会社小糸製作所 | 車両用ディスプレー装置、車両用ディスプレー装置の制御方法およびプログラム |
| CN110662671A (zh) * | 2017-05-23 | 2020-01-07 | 株式会社小糸制作所 | 车辆用显示装置、车辆用显示装置的控制方法、程序以及计算机可读取存储介质 |
| US11135970B2 (en) | 2017-05-23 | 2021-10-05 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Vehicle display device, method of controlling vehicle display device, and computer-readable non-transitory storage medium |
| WO2018216471A1 (ja) * | 2017-05-23 | 2018-11-29 | 株式会社小糸製作所 | 車両用ディスプレー装置、車両用ディスプレー装置の制御方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体 |
| JP7270339B2 (ja) | 2017-05-23 | 2023-05-10 | 株式会社小糸製作所 | 車両用ディスプレー装置、車両用ディスプレー装置の制御方法およびプログラム |
| CN110662671B (zh) * | 2017-05-23 | 2023-09-26 | 株式会社小糸制作所 | 车辆用显示装置、车辆用显示装置的控制方法、程序以及计算机可读取存储介质 |
| WO2020100417A1 (ja) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN112885879A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
| CN112885879B (zh) * | 2021-01-20 | 2022-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
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