CN106255999A - 显示面板、数据处理器及显示面板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。或者，提供一种方便性或可靠性优异的新颖的数据处理器。或者，提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。该显示面板包括像素及与像素电路电连接的端子，该像素包括：第一绝缘膜；设置在第一绝缘膜的第一开口部中的第一接触部；与第一接触部电连接的像素电路；与像素电路电连接的第二接触部；与第一接触部电连接的第一显示元件；以及与第二接触部电连接的第二显示元件。第一绝缘膜具有夹在第一显示元件与第二显示元件之间的区域，端子具有其上能够被用作制作与其它部件的接触部的面。

Description

显示面板、数据处理器及显示面板的制造方法
技术领域
本发明的一个方式涉及一种显示面板、数据处理器、显示面板的制造方法或半导体装置。
注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
背景技术
已知有具有如下结构的液晶显示装置：在衬底的同一侧设置聚光单元及像素电极，在聚光单元的光轴上重叠地设置像素电极中的使可见光透过的区域。还已知有具有如下结构的液晶显示装置：使用具有聚光方向X及非聚光方向Y的各向异性的聚光单元，使非聚光方向Y对应于像素电极中的使可见光透过的区域的长轴方向(专利文献1)。
[专利文献1]日本专利申请公开2011-191750号公报
发明内容
本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性或可靠性优异的新颖的数据处理器。本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示面板、新颖的数据处理器、新颖的显示面板的制造方法或新颖的半导体装置。
注意，上述目的的记载不妨碍其他目的的存在。此外，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。
(1)本发明的一个方式是一种包括像素及端子的显示面板。
并且，像素包括：第一绝缘膜；设置在第一绝缘膜的第一开口部中的第一接触部；与第一接触部电连接的像素电路；与像素电路电连接的第二接触部；与第一接触部电连接的第一显示元件；以及与第二接触部电连接的第二显示元件。
另外，第一绝缘膜包括夹在第一显示元件与第二显示元件之间的区域，第一显示元件包括反射入射光且具有第二开口部的反射膜，并具有控制反射光的强度的功能。
另外，第二显示元件具有与第二开口部重叠的区域，与第二开口部重叠的区域具有向第二开口部发射光的功能。
另外，端子与像素电路电连接，端子具有能够被用作其上可制作与其它部件的接触部的面。
(2)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中像素电路包括开关元件。
上述本发明的一个方式的显示面板包括像素及与像素电路电连接的端子，其中，该像素包括：第一绝缘膜；设置在第一绝缘膜的第一开口部中的第一接触部；与第一接触部电连接的像素电路；与像素电路电连接的第二接触部；与第一接触部电连接的第一显示元件；以及与第二接触部电连接的第二显示元件。另外，第一绝缘膜具有夹在第一显示元件与第二显示元件之间的区域，端子具有能够被用作其上可制作与其它部件的接触部的面。
由此，例如可以使用连接于端子的像素电路驱动以夹着第一绝缘膜的方式配置的第一显示元件及第二显示元件。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
(3)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中像素电路包括晶体管，该晶体管比将非晶硅用于半导体的晶体管更能够抑制截止态电流(off-state current)。
上述本发明的一个方式的显示面板的像素电路包括能够降低截止态电流的晶体管。由此，可以在抑制伴随显示的闪烁的同时降低对像素电路供应选择信号的频率。其结果是，可以提供一种功耗被降低且方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
(4)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中第一显示元件包括包含液晶材料的层及以可以控制液晶材料的取向的方式设置的第一导电膜及第二导电膜。另外，第一导电膜与第一接触部电连接。
(5)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中第二显示元件包括第三导电膜、具有与第三导电膜重叠的区域的第四导电膜以及第三导电膜与第四导电膜之间的包含发光性有机化合物的层。另外，第三导电膜与第二接触部电连接，并且第三导电膜具有透光性。
在上述本发明的一个方式的显示面板中，反射型液晶元件被用于第一显示元件，有机EL元件被用于第二显示元件。
由此，例如可以在亮环境下利用外光及反射型液晶元件而在暗环境下利用有机EL元件所发射的光进行显示。另外，在微暗环境下可以利用外光及有机EL元件所发射的光进行显示。其结果是，可以提供一种能够进行可见度优异的显示的新颖的显示面板。可以提供一种能够降低功耗的新颖的显示面板。另外，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
(6)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中第一显示元件具有反射外光的功能，反射膜的第二开口部的总面积与第二开口部以外的总面积的比值为0.052以上且0.6以下，第二开口部的面积为3μm2以上且25μm2以下。
上述本发明的一个方式的显示面板包括具有反射外光的功能的第二元件及一个或多个面积为3μm2以上且25μm2以下的开口部，反射膜的开口部的总面积与非开口部的总面积的比值为0.052以上且0.6以下。
由此，例如可以防止液晶材料的无序取向。另外，在亮环境下可以利用外光进行显示。另外，在暗环境下可以利用有机EL元件所发射的光进行显示。其结果是，可以提供一种能够进行可见度优异的显示的新颖的显示面板。可以提供一种能够降低功耗的新颖的显示面板。另外，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
(7)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中反射膜具有埋入在第一绝缘膜中的区域及从第一绝缘膜露出的区域。
上述本发明的一个方式的显示面板包括具有埋入在第一绝缘膜中的区域及从第一绝缘膜露出的区域的反射膜。由此，可以减小产生在反射膜的端部的台阶，而使起因于台阶的取向缺陷等不容易产生。另外，可以使用作端子的接触的面露出。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
(8)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中能够被用作其上可制作与其它部件的接触部的面朝向与用于显示的反射外光的反射膜的面相同的方向。另外，端子具有埋入在第一绝缘膜中的区域及从第二绝缘膜露出的区域。
上述本发明的一个方式的显示面板包括具有埋入在第一绝缘膜中的区域及从第二绝缘膜露出的区域的端子。由此，可以使用作端子的其上可制作与其它部件的接触部的面露出。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
(9)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中像素包括第二绝缘膜。另外，第二绝缘膜具有其与第一绝缘膜之间夹着反射膜的区域及覆盖反射膜的区域。
(10)另外，本发明的一个方式是一种数据处理器，包括运算装置及输入/输出装置。
并且，运算装置具有接收位置信息且供应图像信息及控制信息的功能。
另外，输入/输出装置具有供应位置信息的功能及接收图像信息及控制信息的功能。另外，包括显示图像信息的显示部及供应位置信息的输入部。
显示部包括上述显示面板。另外，输入部具有检测指向器的位置并供应根据位置决定的位置信息的功能。
运算装置具有根据位置信息决定指向器的移动速度的功能，并且具有根据指向器的移动速度决定图像信息的对比度或亮度的功能。
上述本发明的一个方式的数据处理器包括：供应位置信息且接收图像信息的输入/输出装置。运算装置接收位置信息且供应图像信息，其中，运算装置根据指向器的移动速度决定图像信息的对比度或亮度。由此，在移动图像信息的显示位置时，可以减轻对使用者的眼睛产生的负担，而可以实现护眼显示。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的数据处理器。
(11)另外，本发明的一个方式是上述数据处理器，其中输入部包括键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、照度传感器、摄像装置、声音输入装置、视点输入装置、姿态检测装置中的至少一个。
由此，可以降低功耗，而即使在亮环境也能够确保优异的可见度。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的数据处理器。
(12)另外，本发明的一个方式是上述显示面板的制造方法，包括如下十一个步骤。
在第一步骤中，在制造工序用衬底上形成第一绝缘膜。
接着，在第二步骤中，形成反射膜及端子。
接着，在第三步骤中，形成覆盖反射膜及端子的第二绝缘膜。
接着，在第四步骤中，形成与反射膜电连接的第一接触部及与端子电连接的第三接触部。
接着，在第五步骤中，形成与第一接触部及第三接触部电连接的像素电路。
接着，在第六步骤中，形成与像素电路连接的第二接触部。
接着，在第七步骤中，形成与第二接触部电连接的第二显示元件。
接着，在第八步骤中，层叠衬底。
接着，在第九步骤中，使制造工序用衬底分离。
接着，在第十步骤中，去除第一绝缘膜使反射膜及端子露出。
接着，在第十一步骤中，形成第一显示元件。
上述本发明的一个方式的显示面板的制造方法具有使制造工序用衬底分离的步骤及去除第一绝缘膜而使反射膜及端子露出的步骤。由此，可以减小产生在反射膜的端部的台阶，而使起因于台阶的取向缺陷等不容易产生。另外，可以使用作端子的其上可制作与其它部件的接触部的面露出。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。
本说明书的附图中的方框图示出在独立的方框中根据其功能进行分类的构成要素，但是，实际上的构成要素难以根据其功能清楚地划分,而一个构成要素有时具有多个功能。
在本说明书中，晶体管所具有的源极和漏极的名称根据晶体管的极性及施加到各端子的电位的高低互相调换。一般而言，在n沟道型晶体管中，将被施加低电位的端子称为源极，而将被施加高电位的端子称为漏极。另外，在p沟道型晶体管中，将接收低电位的端子称为漏极，而将接收高电位的端子称为源极。在本说明书中，尽管为方便起见在一些情况下假设源极和漏极是固定的来描述晶体管的连接关系，但是实际上源极和漏极的名称根据上述电位关系而互换。
在本说明书中，晶体管的源极是指用作活性层的半导体膜的一部分的源区域或与上述半导体膜连接的源电极。同样地，晶体管的漏极是指上述半导体膜的一部分的漏区域或与上述半导体膜连接的漏电极。另外，栅极是指栅电极。
在本说明书中，晶体管串联连接的状态是指例如第一晶体管的源极和漏极中的仅一个与第二晶体管的源极和漏极中的仅一个连接的状态。另外，晶体管并联连接的状态是指第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个连接且第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的另一个连接的状态。
在本说明书中，连接是指电连接，并相当于能够供应或传送电流、电压或电位的状态。因此，连接状态不一定必须是指直接连接的状态，而在其范畴内还包括以能够供应或传送电流、电压或电位的方式通过布线、电阻器、二极管、晶体管等电路元件间接地连接的状态。
即使当在本说明中在电路图上独立的构成要素彼此连接时，实际上也有一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况，例如布线的一部分用作电极的情况等。本说明书中的连接的范畴内包括这种一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况。
在本说明书中，晶体管的第一电极和第二电极中的一个是源电极，而另一个是漏电极。
根据本发明的一个方式，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。另外，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的信息处理装置。另外，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。另外，可以提供一种新颖的显示面板、新颖的信息处理装置、显示面板的制造方法或新颖的半导体装置。
注意，上述效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的效果。
附图说明
图1A至图1C是说明实施方式的显示面板的结构的俯视图及电路图；
图2A至图2C是说明实施方式的显示面板的截面结构的截面图；
图3A和图3B是说明实施方式的显示面板的截面结构的截面图；
图4A和图4B是说明实施方式的显示面板的端子的截面结构的截面图；
图5是说明实施方式的显示面板的端子的截面结构的截面图；
图6A和图6B是说明实施方式的像素的结构的俯视图；
图7是说明实施方式的显示面板的截面结构的截面图；
图8A至图8C是说明实施方式的显示面板的截面结构的截面图；
图9A至图9D是说明实施方式的显示部的结构的电路图；
图10是说明实施方式的显示面板的截面结构的截面图；
图11是说明实施方式的显示面板的截面结构的截面图；
图12是说明实施方式的显示面板的制造方法的流程图；
图13是说明实施方式的显示面板的制造方法的图；
图14是说明实施方式的显示面板的制造方法的图；
图15是说明实施方式的显示面板的制造方法的图；
图16是说明实施方式的显示面板的制造方法的图；
图17是说明实施方式的显示面板的制造方法的图；
图18是说明实施方式的显示面板的制造方法的图；
图19是说明实施方式的显示面板的制造方法的图；
图20A至图20D是说明实施方式的晶体管的结构的图；
图21A至图21C是说明实施方式的晶体管的结构的图；
图22是说明实施方式的输入/输出装置的结构的图；
图23A和图23B是说明实施方式的信息处理装置的结构的方框图及投影图；
图24A至图24C是说明实施方式的显示部的结构的方框图及电路图；
图25A和图25B是说明实施方式的程序的流程图；
图26是说明实施方式的图像信息的示意图；
图27A至图27C是说明实施方式的半导体装置的结构的截面图及电路图；
图28是说明实施方式的CPU的结构的方框图；
图29是说明实施方式的存储元件的结构的电路图；
图30A至图30H是说明实施方式的电子设备的结构的图；
图31A1至图31C是说明实施例的显示面板的显示品质的照片。
具体实施方式
本发明的一个方式的显示面板包括像素及与像素电路电连接的端子，其中，该像素包括：第二绝缘膜；设置在第二绝缘膜的开口部中的第一接触部；与第一接触部电连接的像素电路；与像素电路电连接的第二接触部；与第一接触部电连接的第一显示元件；以及与第二接触部电连接的第二显示元件。另外，第二绝缘膜具有夹在第一显示元件与第二显示元件之间的区域，端子具有能够被用作其上可制作与其它部件的接触部的面。
由此，例如可以使用连接于端子的像素电路驱动以夹着第二绝缘膜的方式配置的第一显示元件及第二显示元件。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。
实施方式1
在本实施方式中，参照图1A至图1C及图2A至图2C对本发明的一个方式的显示面板的结构进行说明。
图1A至图1C是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图1A是本发明的一个方式的显示面板700、700B或700C的俯视图或底面图，图1B是图1A所示的像素702(i，j)的俯视图。注意，在本说明书中，有时将取1以上的整数的值的变数用于符号。例如，有时将包含取1以上的整数的值的变数p的(p)用于指定最大为p个构成要素中的任一个的符号的一部分。另外，例如，有时将包含取1以上的整数的值的变数m及变数n的(m，n)用于指定最大为m×n个构成要素中的任一个的符号的一部分。
图2A至图2C是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图2A是沿图1A所示的切断线X1-X2、切断线X3-X4、切断线X5-X6的显示面板700的截面图，图2B是图2A所示的晶体管M的截面图，图2C是图2A所示的晶体管MD的截面图。
〈显示面板的结构例子1〉
在本实施方式中说明的显示面板700包括像素702(i，j)及衬底770(参照图1A)。
衬底770具有与像素702(i，j)重叠的区域(参照图2A)。
像素702(i，j)包括：第一显示元件750；具有与第一显示元件750重叠的区域的第二显示元件550；以及第一显示元件750与第二显示元件550之间的功能层520。
功能层520包括：与第一显示元件750电连接的第一接触部704C；与第二显示元件550电连接的第二接触部504C；以及与第一接触部704C及第二接触部504C电连接的像素电路730(i，j)(参照图1C及图2A)。
第一显示元件750包括反射入射光的反射膜，并具有控制相对于入射光的反射光的比例的功能。例如，可以将第一导电膜751用于反射膜(参照图2A)。
反射膜包括开口部751H，第二显示元件550具有与开口部751H重叠的区域。例如，当将第一导电膜751用于反射膜时，第一导电膜751包括开口部751H。
第二显示元件550的与开口部751H重叠的区域具有向开口部751H发射光的功能。注意，第二显示元件550所发射的光经由开口部751H从显示面板700的显示面被提取。
另外，显示面板700的像素电路730(i，j)包括开关元件(例如，开关SW1或开关SW2)(参照图1C)。
显示面板700包括：第一显示元件750；具有与第一显示元件750重叠的区域的第二显示元件550；与第一显示元件750电连接的第一接触部704C；与第二显示元件550电连接的第二接触部504C；以及与第一接触部704C及第二接触部504C电连接的像素电路730(i，j)。
由此，例如，能够在同一工序形成的像素电路能够包含于一功能层，来驱动第一显示元件及第二显示元件。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
另外，显示面板700的像素电路730(i，j)包括能够用于开关的晶体管，该晶体管比将非晶硅用于半导体的晶体管更能够抑制截止态电流(参照图1C)。
显示面板700的像素电路730(i，j)包括能够抑制截止态电流的晶体管。由此，可以在抑制伴随显示的闪烁的同时降低对像素电路供应选择信号的频率。其结果是，可以提供一种功耗被降低且方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
另外，显示面板700的第一显示元件750包括包含液晶材料的层753及用来控制液晶材料的取向的第一导电膜751及第二导电膜752。并且，第一导电膜751与第一接触部704C电连接。
另外，显示面板700的第二显示元件550包括：第三导电膜551；具有与第三导电膜551重叠的区域的第四导电膜552；以及第三导电膜551与第四导电膜552之间的包括发光性有机化合物的层553。并且，第三导电膜551与第二接触部504C电连接，第三导电膜551具有透光性。
在显示面板700中，将反射型液晶元件用于第一显示元件750，将有机EL元件用于第二显示元件550。
由此，例如可以在亮环境下利用外光及反射型液晶元件而在暗环境下利用有机EL元件所发射的光进行显示。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
另外，优选的是，第二显示元件550具有反射外光的功能。例如，可以将反射可见光的材料用于第四导电膜552。
并且，反射膜的包括开口部751H的开口部的总面积与非开口部的总面积的比值为0.052以上且0.6以下，一开口部751H的面积为3μm2以上且25μm2以下。注意，当将第一导电膜751用于反射膜时，第一导电膜751的包括开口部751H的开口部的总面积与非开口部的总面积的比值为0.052以上且0.6以下(参照图1B)。
另外，当以像素的面积为1时，可以使像素的面积中的反射膜所占的面积为0.5以上且0.95以下。另外，可以使像素的面积中的开口部751H所占的面积为0.052以上且0.3以下。
由此，例如在亮环境下可以利用外光进行显示。另外，在暗环境下可以利用有机EL元件所发射的光进行显示。另外，在微暗环境下可以利用外光及有机EL元件所发射的光进行显示。另外，由于开口部的尺寸充分小，因此例如可以防止液晶元件的无序取向而进行显示。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
显示面板700的像素702(i，j)包括覆盖第一导电膜751的绝缘膜501A及第一导电膜751与像素730(i，j)之间的绝缘膜501B。
第一导电膜751被配置在绝缘膜501A与绝缘膜501B之间并埋入在绝缘膜501B中。
显示面板700包括埋入在绝缘膜501B中的第一导电膜751。由此，可以减少产生在第一导电膜的端部的台阶，而起因于台阶的取向缺陷不容易产生。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
显示面板700可以包括一个或多个像素。例如，可以包括配置为行方向为n個且与行方向交叉的列方向为m個的行列状的像素702(i，j)。注意，i是1以上且m以下的整数，j是1以上且n以下的整数，m及n是1以上的整数。
另外，可以包括与配置为行方向的像素702(i，1)至像素702(i，n)电连接的扫描线G1(i)及扫描线G2(i)(参照图1C)。
另外，可以包括与配置为列方向的像素702(1，j)至像素702(m，j)电连接的信号线S(j)。
另外，显示面板700的像素702(i，j)包括：具有与第一显示元件750重叠的区域的着色膜CF1；在与第一显示元件750重叠的区域包括开口部的遮光膜BM；以及着色膜CF1或遮光膜BM与包含液晶材料的层753之间的绝缘膜771(参照图2A)。由此，绝缘膜771可以使起因于着色膜CF1的厚度的凹凸平坦。或者，可以抑制杂质从遮光膜BM或着色膜CF1等扩散到包含液晶材料的层753。
另外，显示面板700在衬底770与包含液晶材料的层753之间包括取向膜AF2，在包含液晶材料的层753与绝缘膜501A之间包括取向膜AF1。
另外，在显示面板700中由衬底770、绝缘膜501A及密封剂705围绕包含液晶材料的层753。密封剂705具有贴合衬底770与绝缘膜501A的功能。
另外，显示面板700在衬底770与绝缘膜501A之间包括控制衬底770与绝缘膜501A的间隙的结构体KB1。
另外，显示面板700包括具有与像素702(i，j)重叠的区域的光学薄膜770P。显示面板700在光学薄膜770P与包含液晶材料的层753之间包括衬底770。
另外，显示面板700包括功能层520。功能层520包括绝缘膜501A、绝缘膜501B、绝缘膜501C、绝缘膜521B、绝缘膜521A及绝缘膜528。
绝缘膜501B及绝缘膜501C包括设置有第一接触部704C的开口部。注意，虽然在此例示说明将绝缘膜501C层叠于绝缘膜501B上的结构，但是也可以不使用绝缘膜501C只使用绝缘膜501B。
绝缘膜521B具有与绝缘膜501C重叠的区域。
绝缘膜521A被配置在绝缘膜501C与绝缘膜521B之间。
另外，绝缘膜521A包括设置有第二接触部504C的开口部。
绝缘膜528包括设置有第二显示元件550的开口部。
另外，显示面板700在设置于反射膜中的开口部751H与第二显示元件550之间包括着色膜CF2。
另外，显示面板700包括：具有与功能层520重叠的区域的衬底570；以及贴合功能层520与衬底570的接合层505。
另外，显示面板700的第二显示元件550被设置在功能层520与衬底570之间。
另外，显示面板700在功能层520与衬底570之间包括结构体KB2以在功能层520与衬底570之间设置预定的间隙。
另外，显示面板700包括驱动电路GD。驱动电路GD例如包括晶体管MD(参照图1A及图2A)。驱动电路GD例如具有将选择信号供应到扫描线G1(i)或扫描线G2(i)的功能。
另外，显示面板700包括与像素电路730(i，j)电连接的布线511。另外，显示面板700包括与像素电路730(i，j)电连接的端子519。另外，显示面板700包括布线ANO、布线VCOM1及布线VCOM2(参照图1C及图2A至图2C)。
例如，使用导电材料ACF1，可以使柔性印刷电路板FPC1与端子519电连接。另外，例如，可以使用导电材料使显示面板700与驱动电路SD电连接。
另外，显示面板700可以包括端子719(参照图4A)。例如，端子719与第二导电膜752电连接。可以使用导电材料ACF2使柔性印刷电路板FPC2与端子719电连接。可以将可用于端子519的材料用于端子719，并将可用于导电材料ACF1的材料用于导电材料ACF2。
另外，显示面板700可以包括使第二导电膜752与端子519电连接的导电构件(参照图4B或图5)。例如，可以将导电性粒子用于导电构件。
驱动电路SD具有根据图像信息供应图像信号的功能。
下面说明显示面板700的各构成要素。注意，有时无法明确区分上述构成要素，一个结构可能兼作其他结构或包含其他结构的一部分。
例如，当将反射可见光的导电膜用于第一导电膜751时，可以将第一导电膜751用于反射膜，第一导电膜751是反射膜，反射膜是第一导电膜751。
〈结构〉
显示面板700包括衬底570、衬底770、布线511及端子519。
显示面板700包括密封剂705及接合层505、结构体KB1及结构体KB2。
显示面板700包括像素702(i，j)、第一显示元件750及第二显示元件550。
显示面板700包括第一导电膜751、第二导电膜752、包含液晶材料的层753、开口部751H及反射膜。
显示面板700包括第三导电膜551、第四导电膜552以及包含发光性有机化合物的层553。
显示面板700包括功能层520、像素电路730(i，j)、第一接触部704C及第二接触部504C。
显示面板700包括开关元件、晶体管M、晶体管MD、绝缘膜501A、绝缘膜501B、绝缘膜501C、绝缘膜521A、绝缘膜521B及绝缘膜528。
显示面板700包括着色膜CF1、着色膜CF2、遮光膜BM、绝缘膜771、取向膜AF1以及取向膜AF2及光学薄膜770P。
显示面板700包括驱动电路GD及驱动电路SD。
《衬底570》
可以将具有能够承受制造工序中的热处理的程度的耐热性的材料用于衬底570。
例如，可以将第6代(1500mm×1850mm)、第7代(1870mm×2200mm)、第8代(2200mm×2400mm)、第9代(2400mm×2800mm)、第10代(2950mm×3400mm)等大面积的玻璃衬底用于衬底570。由此，可以制造大型显示装置。
可以将有机材料、无机材料或混合有机材料和无机材料等的复合材料等用于衬底570。例如，可以将玻璃、陶瓷或金属等无机材料用于衬底570。
具体而言，可以将无碱玻璃、钠钙玻璃、钾钙玻璃、水晶玻璃、石英或蓝宝石等用于衬底570。具体而言，可以将包含无机氧化物、无机氮化物或无机氧氮化物等的材料用于衬底570。例如，可以将包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝等的材料用于衬底570。可以将不锈钢或铝等用于衬底570。
例如，可以将以硅或碳化硅为材料的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底、以硅锗为材料的化合物半导体衬底、SOI(Silicon onInsulator：绝缘体上硅)衬底等用于衬底570。由此，可以将半导体元件形成于衬底570。
例如，衬底570可以使用将金属板、薄板状的玻璃板或无机材料等的膜贴合于树脂薄膜等的复合材料。例如，衬底570可以使用将纤维状或粒子状的金属、玻璃或无机材料等分散到树脂薄膜而得到的复合材料。例如，衬底570可以使用将纤维状或粒子状的树脂或有机材料等分散到无机材料而得到的复合材料。
另外，可以将单层的材料或层叠有多个层的材料用于衬底570。例如，也可以将层叠有基材与防止包含在基材中的杂质扩散的绝缘膜等的材料用于衬底570。具体而言，可以将层叠有玻璃与防止包含在玻璃中的杂质扩散的选自氧化硅层、氮化硅层或氧氮化硅层等中的一种或多种的膜的材料用于衬底570。或者，可以将层叠有树脂与防止透过树脂的杂质的扩散的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的材料用于衬底570。
具体而言，可以将包含聚酯、聚烯烃、聚酰胺(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、氨酯树脂、环氧树脂或硅酮树脂等具有硅氧烷键合的树脂的材料用于衬底570。或者，可以将包含选自这些树脂中的一个或多个树脂的薄膜、板或叠层体等用于衬底570。
具体而言，可以将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)或丙烯酸等用于衬底570。
另外，可以将纸或木材等用于衬底570。
例如，可以将具有柔性的衬底用于衬底570。
制造方法可以使用在衬底上直接形成晶体管或电容器等的方法。另外，可以使用如下制造方法：在具有耐热性的制造工序用衬底上形成晶体管或电容器等，并将形成的晶体管或电容器等转置到另一衬底。由此，例如可以抑制本发明的一个方式的制造显示面板所包括的衬底570的工序中的热处理温度。其结果是，可以在具有柔性的衬底上形成晶体管或电容器等。
《衬底770》
可以将具有透光性的材料用于衬底770。例如，衬底770可以使用选自可用于衬底570的材料。
《布线511、端子519》
可以将具有导电性的材料用于布线511及端子519。
例如，可以将无机导电性材料、有机导电性材料等用于布线511或端子519。
具体而言，例如，可以将金属或导电性陶瓷等用于布线511或端子519。例如，可以将选自铝、金、铂、银、铜、铬、钽、钛、钼、钨、镍、铁、钴、钯或锰的金属元素等用于布线511或端子519。或者，可以将含有上述金属元素的合金等用于布线511或端子519。尤其是，铜和锰的合金适用于利用湿蚀刻的微细加工。
具体而言，布线511或端子519可以使用如下结构：在铝膜上层叠钛膜的双层结构；在氮化钛膜上层叠钛膜的双层结构；在氮化钛膜上层叠钨膜的双层结构；在氮化钽膜或氮化钨膜上层叠钨膜的双层结构；钛膜、在该钛膜上层叠铝膜、再在该铝膜上形成钛膜的三层结构等。
例如，可以将氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌等导电氧化物用于布线511或端子519。
具体地，可以将含有石墨烯或石墨的膜用于布线511或端子519。
例如，可以使用通过使含有氧化石墨烯的膜还原而形成的含有石墨烯的膜。具体而言，作为还原方法，可以利用加热的方法或使用还原剂的方法等。
例如，可以将导电性高分子用于布线511或端子519。
《第一接触部704C、第二接触部504C》
可以将具有导电性的材料用于第一接触部704C及第二接触部504C。例如，可以使用能够用于布线511或端子519的材料。
《接合层505、密封剂705》
可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等用于接合层505或密封剂705。
例如，可以将热熔性树脂或固化树脂等有机材料用于接合层505或密封剂705。
例如，可以将反应固化型粘合剂、光固化型粘合剂、热固化型粘合剂及/或厌氧型粘合剂等有机材料用于接合层505或密封剂705。
具体而言，可以将包含环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等的粘合剂用于接合层505或密封剂705。
《结构体KB1、结构体KB2》
例如，可以将有机材料、无机材料或有机材料和无机材料的复合材料用于结构体KB1及结构体KB2。由此，可以将结构体KB1与结构体KB2之间设定成预定的间隔。
具体而言，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、硅氧烷或丙烯酸树脂等或选自上述树脂中的多种树脂的复合材料等用于结构体KB1及结构体KB2。另外，可以使用利用具有感光性的材料形成的材料。
《像素702(i，j)》
像素702(i，j)包括第一显示元件750、第二显示元件550及功能层520。
另外，像素702(i，j)可以包括着色膜CF1、遮光膜BM、绝缘膜771、取向膜AF1、取向膜AF2及着色膜CF2。
《第一显示元件750》
例如，可以将具有控制反射光或透光的功能的显示元件用于第一显示元件750。例如，可以使用组合有液晶元件与偏振片的结构或快门方式的MEMS显示元件等。通过使用反射型显示元件，可以抑制显示面板的功耗。具体而言，可以将反射型液晶显示元件用于第一显示元件750。
具体而言，可以使用可通过IPS(面内切换，In-Plane-Switching)模式、TN(扭曲向列相，Twisted Nematic)模式、FFS(边缘场切换，IFringe Field Switching)模式、ASM(轴向对称取向微单元，Axially Symmetric aligned Micro-cell)模式、OCB(光学补偿双折射，Optically Compensated Birefringence)模式、FLC(铁电液晶，Ferroelectric LiquidCrystal)模式、AFLC(反铁电液晶，AntiFerroelectric Liquid Crystal)模式等中的任一驱动方法驱动的液晶元件。
另外，可以使用可通过例如如下模式驱动的液晶元件：垂直取向(VA)模式诸如MVA(多畴垂直取向，Multi-Domain Vertical Alignment)模式、PVA(模式化垂直取向，Patterned Vertical Alignment)模式、ECB(电控双折射，Electrically ControlledBirefringence)模式、CPA(连续焰火状取向，Continuous Pinwheel Alignment)模式、ASV(高级超视，Advanced Super-View)模式等。
例如，可以使用热致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、铁电液晶、反铁电液晶等。可以使用呈现胆甾相、近晶相、立方相、手征向列相、各向同性相等的液晶材料。或者，可以使用呈现蓝相的液晶材料。
例如，可以将包含液晶材料的层753、以能够施加控制液晶材料的取向的电场的方式配置的第一导电膜751及第二导电膜752包含于液晶元件750中。
可以将具有导电性的材料用于第一导电膜751及第二导电膜752。
例如，可以将用于布线511的材料用于第一导电膜751或第二导电膜752。
《反射膜》
例如，作为反射膜可以使用将透过包含液晶材料的层753的光反射的材料。由此，可以将第一显示元件750用作反射型液晶元件。
另外，例如，可以将其表面不平坦的材料用于反射膜。由此，使入射的光向各种方向反射，而可以进行白色显示。
可以将使用反射可见光的材料的第一导电膜751用于反射膜。
另外，不局限于将第一导电膜751用于反射膜的结构。例如，可以在包含液晶材料的层753与第一导电膜751之间设置包含反射可见光的材料的反射膜。或者，可以在使用反射可见光的材料的反射膜与包含液晶材料的层753之间设置使用具有透光性及导电性的材料的第一导电膜751。
可以将对可见光具有透光性及导电性的材料用于第二导电膜752。
例如，可以将导电性氧化物或包含铟的导电性氧化物用于第二导电膜752。或者，可以将薄得可以透光的金属膜用于第二导电膜752。
具体而言，可以将氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌等用于第二导电膜752。
《开口部751H》
设置于一像素的开口部751H的总面积与设置于一像素的反射膜的非开口部的总面积的比值优选为0.052以上且0.6以下。当开口部751H的总面积的比过大时，使用第一显示元件750的显示变暗。另外，当开口部751H的总面积的比过小时，使用第二显示元件550的显示变暗。
另外，当将第一导电膜751用于反射膜时，一开口部751H的面积为3μm2以上且25μm2以下。当设置于第一导电膜751中的开口部751H的面积过大时，例如施加于包含液晶材料的层753的电场不均匀，而第一显示元件750的显示品质降低。另外，当设置在第一导电膜中的开口部751H的面积过小时，从第二显示元件550所发射的光提取用于显示的光的效率降低。
可以将多角形、四角形、椭圆形、圆形或十字等形状用作开口部751H的形状。另外，可以将细条状、狭缝状、方格状的形状用作开口部751H的形状(参照图1B及图6A)。另外，也可以以靠近邻接的像素的方式配置开口部751H(参照图6B)。优选的是，以靠近具有显示相同颜色的功能的其他像素的方式配置开口部751H。由此，可以抑制第二显示元件550所发射的光射入到配置在邻接的像素的着色膜中的现象(也称为串扰)。
优选的是，开口部751H不被设置在与使不同颜色的光透过的着色膜CF1之间的接缝重叠的区域。由此，第二显示元件550所发射的光不容易到达邻接的像素的着色膜。其结果是，可以提供一种颜色再现性优异的显示面板。
《第二显示元件550》
例如，可以将发光元件用于第二显示元件550。具体而言，可以将有机电致发光元件、无机电致发光元件或发光二极管等用于第二显示元件550。
例如，可以将以发射白色光的方式形成的叠层体用于包含发光性有机化合物的层553。具体而言，可以将如下叠层体用于包含发光性有机化合物的层553：层叠有包括包含发射蓝色光的荧光材料的发光性有机化合物的层、包含发射绿色光及/或红色光的荧光材料以外的材料的层、或包含发射黄色光的荧光材料以外的材料的层。
例如，可以将用于布线511的材料用于第三导电膜551或第四导电膜552。
例如，可以将对可见光具有透光性及导电性的材料用于第三导电膜551。
例如，可以将对可见光具有透光性及导电性的材料用于第四导电膜552。
具体而言，作为第三导电膜551可以使用导电性氧化物、包含铟的导电性氧化物、氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、或添加有镓的氧化锌等。
或者，可以将薄得可以透光的金属膜用于第三导电膜551。
《功能层520》
功能层520包括像素电路730(i，j)、第一接触部704C及第二接触部504C。另外，功能层520包括绝缘膜501A、绝缘膜501B、绝缘膜501C、绝缘膜521A、绝缘膜521B及绝缘膜528。
《像素电路730(i，j)》
例如，可以将与扫描线G1(i)、扫描线G2(i)、信号线S(j)、布线ANO、布线VCOM1及布线VCOM2电连接的电路用于像素电路730(i，j)(参照图1C)。
具体而言，可以将开关SW1、电容器C1、开关SW2、电容器C2或晶体管M包含于像素电路730(i，j)。
开关SW1包括与扫描线G1(i)电连接的控制电极及与信号线S(j)电连接的第一电极。可以将晶体管用于开关SW1。
电容器C1包括与开关SW1的第二电极电连接的第一电极及与布线VCOM1电连接的第二电极。
可以使第一显示元件750的第一导电膜751与开关SW1的第二电极电连接，并使第一显示元件750的第二导电膜752与布线VCOM1电连接。
开关SW2包括与扫描线G2(i)电连接的控制电极及与信号线S(j)电连接的第一电极。可以将晶体管用于开关SW2。
晶体管M包括与开关SW2的第二电极电连接的栅电极及与布线ANO电连接的第一电极。
电容器C2包括与开关SW2的第二电极电连接的第一电极及与晶体管M的第二电极电连接的第二电极。
可以使第二显示元件550的第三导电膜551与晶体管M的第二电极电连接，并使第二显示元件550的第四导电膜552与布线VCOM2电连接。
《晶体管M》
晶体管M包括半导体膜508及具有与半导体膜508重叠的区域的导电膜504(参照图2B)。另外，晶体管M包括导电膜512A及导电膜512B。晶体管M在半导体膜508与导电膜504之间包括绝缘膜506。
导电膜504被用作栅电极，绝缘膜506被用作栅极绝缘膜。另外，导电膜512A具有源电极的功能和漏电极的功能中的一个，导电膜512B具有源电极的功能和漏电极的功能中的另一个。
功能层520可以包括覆盖晶体管M的绝缘膜516及绝缘膜518。由此，可以抑制杂质向晶体管M的扩散。
例如，可以将底栅型或顶栅型等晶体管用于晶体管M。
例如，可以利用使用包含第4族元素的半导体的晶体管。具体而言，可以将包含硅的半导体用于半导体膜。例如，可以使用将单晶硅、多晶硅、微晶硅或非晶硅等用于半导体膜的晶体管。
例如，可以利用使用氧化物半导体的晶体管。具体而言，可以将包含铟的氧化物半导体或包含铟、镓及锌的氧化物半导体用于半导体膜。
例如，可以使用截止状态(off-state)时的泄漏电流比将非晶硅用于半导体膜的晶体管小的晶体管。具体而言，可以使用将氧化物半导体用于半导体膜的晶体管。
由此，可以使像素电路能够保持图像信号的时间比使用将非晶硅用于半导体膜的晶体管的像素电路能够保持图像信号的时间长。具体而言，可以抑制闪烁的发生，并以低于30Hz、优选为低于1Hz、更优选为低于1次/分的频率供应选择信号。其结果是，可以降低信息处理装置的使用者的眼疲劳。另外，可以降低伴随驱动的功耗。
例如，可以利用使用化合物半导体的晶体管。具体而言，可以将包含砷化镓的半导体用于半导体膜。
例如，可以利用使用有机半导体的晶体管。具体而言，可以将包含聚并苯类或石墨烯的有机半导体用于半导体膜。
《开关SW1、开关SW2》
可以将晶体管用于开关SW1及开关SW2。
例如，可以将能够与晶体管M在同一工序中形成的晶体管用于开关SW1及开关SW2。
《绝缘膜501A》
可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜、无机氧氮化物膜等或层叠有选自这些材料中的多个材料的叠层材料用于绝缘膜501A。具体而言，可以将氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝等或层叠有选自这些材料中的多个材料的叠层材料用于绝缘膜501A。
具体而言，可以将包括层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜及厚度为200nm的氮化硅膜的叠层材料的膜用于绝缘膜501A。
具体而言，可以将包含依次层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜、厚度为200nm的氮化硅膜、厚度为200nm的氧氮化硅膜、厚度为140nm的氮化硅膜及厚度为100nm的氧氮化硅膜的叠层材料的膜用于绝缘膜501A。
另外，可以将包含聚酰亚胺等的树脂的材料用于绝缘膜501A。
可以在将绝缘性膜形成在制造工序用衬底上之后，将其从制造工序用衬底分离，而用于绝缘膜501A。由此，可以使绝缘膜501A的厚度为5μm以下，优选为1.5μm以下，更优选为1μm以下。
《绝缘膜501B、绝缘膜501C》
例如，可以将绝缘性无机材料、绝缘性有机材料或包含无机材料和有机材料的绝缘性复合材料用于绝缘膜501B或绝缘膜501C。
具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜、无机氧氮化物膜或层叠有选自这些材料中的多个材料的叠层材料用于绝缘膜501B或绝缘膜501C。例如，可以将氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氧氮化硅膜或层叠有选自这些材料中的多个材料的叠层材料的膜用于绝缘膜501B或绝缘膜501C。
例如，可以将能够用于绝缘膜501A的材料用于绝缘膜501C。
具体而言，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、硅氧烷或丙烯酸树脂等或选自上述树脂中的多个树脂的叠层材料或复合材料等用于绝缘膜501B或绝缘膜501C。另外，可以使用利用具有感光性的材料形成的材料。
《绝缘膜521A、绝缘膜521B、绝缘膜528》
可以将能够用于绝缘膜501B或绝缘膜501C的材料用于绝缘膜521A、绝缘膜521B或绝缘膜528。
由此，例如可以覆盖起因于与绝缘膜521A重叠的各种结构的台阶而使其平坦化。或者，可以使用设置在多个布线之间的绝缘膜521B来防止多个布线的短路。或者，使用具有与第三导电膜551重叠的开口部的绝缘膜528来防止在第三导电膜551的端部发生的第三导电膜551与第四导电膜之间的短路。
《着色膜CF1、着色膜CF2》
可以将使预定的颜色的光透过的材料用于着色膜CF1。由此，例如可以将着色膜CF1用于滤色片。
例如，可以将使蓝色光透过的材料、使绿色光透过的材料、使红色光透过的材料、使黄色光透过的材料或使白色光透过的材料等用于着色膜CF1。
例如，可以将能够用于着色膜CF1的材料用于着色膜CF2。具体而言，可以将使透过着色膜CF1的光透过的材料用于着色膜CF2。由此，第二显示元件550所发射出的光的一部分透过着色膜CF2、开口部751H及着色膜CF1，而可以被提取到显示面板的外侧。作为着色膜CF2可以使用具有将照射的光变换为预定的颜色的光的功能的材料。具体而言，可以将量子点用于着色膜CF2。由此，可以进行色纯度高的显示。
《遮光膜BM》
可以将防止透光的材料用于遮光膜BM。由此，例如可以将遮光膜BM用于黑矩阵。
《绝缘膜771》
例如，可以将聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂等用于绝缘膜771。
《取向膜AF1、取向膜AF2》
例如，可以将包含聚酰亚胺等的材料用于取向膜AF1或取向膜AF2。例如，可以使用通过摩擦处理或光取向技术在预定的方向上取向而形成的材料。
《光学薄膜770P》
例如，可以将偏振片、圆偏振片、扩散薄膜、防反射膜或聚光薄膜等用于光学薄膜770P。或者，可以将包含二向色性染料的偏振片用于光学薄膜770P。
另外，可以将抑制外来物质的附着的抗静电膜、不容易沾污的拒水性的膜、抑制使用时发生损伤的硬涂膜等用于光学薄膜770P。
《驱动电路GD》
可以将移位寄存器等各种时序电路等用于驱动电路GD。例如，可以将晶体管MD、电容器等用于驱动电路GD。具体而言，可以使用包括能够与晶体管M在同一步骤中形成的半导体膜的晶体管。
或者，可以将具有与晶体管M不同的结构的晶体管用于晶体管MD。具体而言，可以将包括导电膜524的晶体管用于晶体管MD。在导电膜524与导电膜504之间设置半导体膜508，在导电膜524与半导体膜508之间设置绝缘膜516，并在半导体膜508与导电膜504之间设置绝缘膜506。例如，使供应与导电膜504相同电位的布线与导电膜524电连接。
可以将与晶体管M相同的结构用于晶体管MD。
《驱动电路SD》
例如，可以将集成电路用于驱动电路SD。具体而言，可以使用在硅衬底上形成的集成电路。
例如，可以利用COG(Chip on glass：玻璃覆晶封装)法将驱动电路SD安装于形成在绝缘膜501C上的焊盘上。具体而言，使用导电性材料膜将集成电路安装于焊盘上。焊盘与像素电路730(i，j)电连接。
〈显示面板的结构例子2〉
参照图3A和图3B对本发明的一个方式的显示面板的其他结构进行说明。
图3A和图3B是说明沿图1A至图1C所示的切断线X1-X2、切断线X3-X4、切断线X5-X6的本发明的一个方式的显示面板700B的截面结构的截面图，图3B是图3A所示的晶体管MB或晶体管MDB的截面图。
在此，对与显示面板的结构例子1所说明的显示面板的结构不同的结构进行详细说明，而关于可使用相同结构的部分，援用上述说明。
具体而言，本发明的一个方式的显示面板在如下地方与参照图2A至图2C说明的显示面板700不同：不包括着色膜CF2；包括发射蓝色、绿色或红色等的光的第二显示元件550B；包括顶栅型的晶体管MB及晶体管MDB；包括使用布线511及贯通电极电连接的端子519B；以及包括绝缘膜570B代替衬底570。
《第二显示元件550B》
在一像素(也称为子像素)中使用的第二显示元件550B发射的光的颜色不同于另一子像素中提供的第二显示元件发射的光的颜色。例如，将发射蓝色光的第二显示元件550B用于一像素，并将发射绿色或红色光的第二显示元件用于其他像素。
具体而言，将包括包含发射蓝色光的发光性有机化合物的层553B的有机EL元件用于第二显示元件550B。另外，将包括包含发射绿色光的发光性有机化合物的层或发射红色光的发光性有机化合物的层的有机EL元件用于另一像素。
作为形成包含发光性有机化合物的层的方法，可以利用使用荫罩的蒸镀法、喷墨法或印刷法。由此，可以形成包含发射与配置在其他像素中的第二显示元件的颜色不同的颜色的光的发光性的有机化合物的层。
第二显示元件550B的形状可以采用凹面镜状，以将发射出的光聚集于开口部751H。由此，可以使具有发射第二显示元件550B的光的功能的区域扩大到不与开口部751H重叠的区域。例如，可以使不与开口部751H重叠的区域的面积大于与其重叠的区域的面积的20％。由此，可以降低流过第二显示元件550B的电流的密度，例如可以抑制发热。或者，可以提高可靠性。或者，可以减小开口部751H的面积。
《晶体管MB》
晶体管MB包括具有与绝缘膜501C重叠的区域的导电膜504以及具有设置在绝缘膜501C与导电膜504之间的区域的半导体膜508。注意，导电膜504具有作为栅电极的功能(参照图3B)。
半导体膜508具有：不与导电膜504重叠的第一区域508A及第二区域508B；以及第一区域508A与第二区域508B之间的重叠于导电膜504的第三区域508C。
晶体管MB在第三区域508C与导电膜504之间包括绝缘膜506。绝缘膜506具有作为栅极绝缘膜的功能。
第一区域508A及第二区域508B具有比第三区域508C低的电阻，并具有源区域的功能或漏区域的功能。
例如可以利用将在后面说明的氧化物半导体膜的电阻率的控制方法在半导体膜508中形成第一区域508A及第二区域508B。具体而言，可以适用使用包含稀有气体的气体的等离子体处理。例如，当将导电膜504用于掩模时，第三区域508C的部分的形状可以与导电膜704的端部的形状相同。
晶体管MB包括与第一区域508A接触的导电膜512A以及与第二区域508B接触的导电膜512B。导电膜512A具有源电极的功能和漏电极的功能中的一个，导电膜512B具有源电极的功能和漏电极的功能中的另一个。
可以将能够与晶体管MB在同一工序中形成的晶体管用于晶体管MDB或开关SW1。
《端子519B》
例如，可以将形成在绝缘膜501A、绝缘膜501B及绝缘膜501C中的开口部中的导电膜用于贯通电极。由此，可以在绝缘膜501A、绝缘膜501B或绝缘膜501C的设置有像素电路的面的相反一侧形成端子519B。换言之，可以在像素电路与端子519B之间设置绝缘膜501A、绝缘膜501B或绝缘膜501C。
《绝缘膜570B》
例如，可以将厚度为50nm以上且低于10μm，优选为100nm以上且低于5μm的绝缘膜用于绝缘膜570B。具体而言，可以将形成在制造工序用衬底上的绝缘膜转置到其他衬底而用于绝缘膜570B。由此，可以减薄显示面板700B的厚度。
具体而言，可以将包含层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜及厚度为200nm的氮化硅膜的叠层材料的膜用于绝缘膜570B。
具体而言，可以将包含依次层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜、厚度为200nm的氮化硅膜、厚度为200nm的氧氮化硅膜、厚度为140nm的氮化硅膜以及厚度为100nm的氧氮化硅膜的叠层材料的膜用于绝缘膜570B。
〈显示面板的结构例子3〉
参照图7对本发明的一个方式的显示面板的其他结构进行说明。
图7是说明沿图1A至图1C所示的切断线X1-X2、切断线X3-X4、切断线X5-X6的本发明的一个方式的显示面板700C的截面结构的截面图。
在此，对与显示面板的结构例子1所说明的显示面板的结构不同的结构进行详细说明，而关于可使用相同结构的部分，援用上述说明。
具体而言，本发明的一个方式的显示面板在如下地方与参照图2A至图2C说明的显示面板700不同：不包括着色膜CF1及CF2；包括发射出蓝色、绿色或红色等的光的第二显示元件550B；在绝缘膜501A与绝缘膜501B之间包括第四绝缘膜501D；在绝缘膜501A与第四绝缘膜501D之间包括第二导电膜752C代替第二导电膜752；以及第二导电膜752C为梳齿形。
由此，可以使用第一导电膜751及第二导电膜752C对包含液晶材料的层753施加相对于包含液晶材料的层753的厚度方向成横方向的电场。其结果是，可以利用FFS模式驱动第一显示元件750。
《第四绝缘膜501D》
可以将能够用于绝缘膜501A或绝缘膜501B的材料用于第四绝缘膜501D。
〈氧化物半导体的电阻率的控制方法〉
对控制氧化物半导体膜的电阻率的方法进行说明。
可以将具有指定的电阻率的氧化物半导体膜用于半导体膜508、导电膜524、第一区域508A或第二区域508B。
例如，可以将控制氧化物半导体膜所包含的氢、水等杂质的浓度及/或膜中的氧空缺(oxygen vacancy)的方法用于控制氧化物半导体的电阻率的方法。
具体而言，可以将等离子体处理用于增加或减少氢、水等杂质浓度及/或膜中的氧空缺的方法。
具体而言，可以使用包含选自稀有气体(He、Ne、Ar、Kr、Xe)、氢、硼、磷及氮中的一种以上的气体的等离子体处理。例如，可以使用Ar气氛下的等离子体处理、Ar和氢的混合气体气氛下的等离子体处理、氨气氛下的等离子体处理、Ar和氨的混合气体气氛下的等离子体处理或氮气氛下的等离子体处理等。由此，氧化物半导体膜可以具有高载流子密度及低电阻率。
或者，可以利用离子注入法、离子掺杂法或等离子体浸没离子注入法等，将氢、硼、磷或氮注入到氧化物半导体膜，由此使氧化物半导体膜具有低电阻率。
或者，可以以接触氧化物半导体膜的方式形成包含氢的绝缘膜，并且使氢从绝缘膜扩散到氧化物半导体膜。由此，可以提高氧化物半导体膜的载流子密度，并降低电阻率。
例如，通过以接触氧化物半导体膜的方式形成膜中的含氢浓度为1×1022atoms/cm3以上的绝缘膜，可以有效地使氧化物半导体膜含氢。具体而言，可以将氮化硅膜用于以接触氧化物半导体膜的方式形成的绝缘膜。
包含在氧化物半导体膜中的氢与键合于金属原子的氧起反应生成水，与此同时在发生氧脱离的晶格(或氧脱离的部分)中形成氧空缺。当氢进入该氧空缺时，有时产生作为载流子的电子。另外，有时由于氢的一部分与键合于金属原子的氧键合，产生作为载流子的电子。由此，氧化物半导体膜可以具有高载流子密度及低电阻率。
具体而言，可以适当地将通过二次离子质谱分析法(SIMS：Secondary Ion MassSpectrometry)得到的氢浓度为8×1019atoms/cm3以上、优选为1×1020atoms/cm3以上、更优选为5×1020atoms/cm3以上的氧化物半导体用于导电膜524、第一区域508A或第二区域508B。
另一方面，可以将电阻率高的氧化物半导体用于形成有晶体管的沟道的半导体膜。
例如，以接触氧化物半导体的方式形成包含氧的绝缘膜(换言之，能够释放氧的绝缘膜)，将氧从绝缘膜供应到氧化物半导体膜中，而可以填充膜中或界面的氧空缺。由此，氧化物半导体膜可以具有高电阻率。
例如，可以将氧化硅膜或氧氮化硅膜用于能释放氧的绝缘膜。
氧空缺被填补且氢浓度被降低的氧化物半导体膜可以说是高纯度本征化或实质上高纯度本征化的氧化物半导体膜。在此，“实质上本征”是指氧化物半导体层的载流子密度低于8×1011/cm3，优选低于1×1011/cm3，更优选低于1×1010/cm3。高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜具有极少的载流子发生源，因此可以具有较低的载流子密度。此外，高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜的缺陷态密度低，因此可以降低陷阱态密度。
包括高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜的晶体管的截止态电流显著低，即便是沟道宽度为1×106μm、沟道长度L为10μm的元件，当源电极与漏电极间的电压(漏电压)在1V至10V的范围时，截止态电流也可以为半导体参数分析仪的测定极限以下，即1×10-13A以下。
将上述高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜用于沟道区域的晶体管的电特性的变动小且可靠性高。
具体而言，可以适当地将通过二次离子质谱分析法(SIMS：Secondary Ion MassSpectrometry)得到的氢浓度为2×1020atoms/cm3以下、优选为5×1019atoms/cm3以下、更优选为1×1019atoms/cm3以下、更优选为低于5×1018atoms/cm3、更优选为1×1018atoms/cm3以下、更优选为5×1017atoms/cm3以下、更优选为1×1016atoms/cm3以下的氧化物半导体用于形成有晶体管的沟道的半导体。
将氢浓度及/或氧空缺量比半导体膜508多且电阻率比半导体膜508低的氧化物半导体膜用于导电膜524。
另外，导电膜524所包含的氢浓度是半导体膜508所包含的氢浓度的2倍以上，优选是10倍以上。
另外，导电膜524的电阻率是半导体膜508的电阻率的1×10-8倍以上且低于1×10-1倍。
具体而言，导电膜524的电阻率为1×10-3Ωcm以上且低于1×104Ωcm，优选为1×10-3Ωcm以上且低于1×10-1Ωcm。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式2
在本实施方式中，参照图1A至图1C以及图8A至图8C对本发明的一个方式的显示面板的结构进行说明。
图1A至图1C是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图1A是本发明的一个方式的显示面板700D的俯视图，图1B是图1A所示的像素702(i，j)的俯视图。
图8A至图8C是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图8A是沿图1A所示的切断线X1-X2、切断线X3-X4、切断线X5-X6的显示面板700D的截面图。图8B是图8A所示的晶体管M的截面图，图8C是图8A所示的晶体管MD的截面图。
〈显示面板的结构例子1〉
在本实施方式中说明的显示面板700D包括像素702(i，j)及端子519D(1)(参照图1A)。
像素702(i，j)包括：绝缘膜501B、设置在绝缘膜501B的开口部的第一接触部591；与第一接触部591电连接的像素电路730(i，j)；与像素电路730(i，j)电连接的第二接触部592；与第一接触部591电连接的第一显示元件750；以及与第二接触部592电连接的第二显示元件550(参照图1C及图8A)。
绝缘膜501B具有夹在第一显示元件750与第二显示元件550之间的区域。
第一显示元件750包括反射入射光且具有开口部751H的反射膜，并具有控制反射光的强度的功能。例如，可以将第一导电膜751用于反射膜。
第二显示元件550具有与开口部751H重叠的区域，与开口部751H重叠的区域具有向开口部751H发射光的功能。
端子519D(1)与像素电路730(i，j)电连接。端子519D(1)具有能够用作其上可制作与其它部件的接触部的面，能够用作其上可制作与其它部件的接触部的面朝向与用于显示的反射外光的反射膜的面相同的方向。
另外，显示面板700D的像素电路730(i，j)包括开关元件(例如，开关SW1或开关SW2)(参照图1C)。
上述本发明的一个方式的显示面板700D包括像素702(i，j)及与像素电路730(i，j)电连接的端子519D(i，j)，该像素702(i，j)包括：绝缘膜501B；设置在绝缘膜501B的开口部的第一接触部591；与第一接触部591电连接的像素电路730(i，j)；与像素电路730(i，j)电连接的第二接触部592；与第一接触部591电连接的第一显示元件750；以及与第二接触部592电连接的第二显示元件550。另外，绝缘膜501B具有夹在第一显示元件750与第二显示元件550之间的区域，端子519D(i，j)具有能够用作其上可制作与其它部件的接触部的面，能够用作其上可制作与其它部件的接触部的面朝向与用于显示的反射外光的反射膜的面相同的方向。
由此，例如，可以使用连接于端子的像素电路驱动以夹着第二绝缘膜的方式配置的第一显示元件及第二显示元件。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
另外，显示面板700D的像素电路730(i，j)包括能够用于开关的晶体管，该晶体管比将非晶硅用于半导体的晶体管更能够抑制截止态电流(参照图1C)。
显示面板700D的像素电路730(i，j)包括能够抑制截止态电流的晶体管。由此，可以在抑制伴随显示的闪烁的同时降低对像素电路供应选择信号的频率。其结果是，可以提供一种功耗被降低且方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
另外，显示面板700D的第一显示元件750包括包含液晶材料的层753及用来控制液晶材料的取向的第一导电膜751及第二导电膜752。并且，第一导电膜751与第一接触部591电连接(参照图8A)。
另外，显示面板700D的第二显示元件550包括：第三导电膜551；具有与第三导电膜551重叠的区域的第四导电膜552；以及在第三导电膜551与第四导电膜552之间包括发光性有机化合物的层553。并且，第三导电膜551与第二接触部592电连接，第三导电膜551具有透光性。
在显示面板700D中，将反射型液晶元件用于第一显示元件750，将有机EL元件用于第二显示元件550。
由此，例如可以在亮环境下利用外光及反射型液晶元件而在暗环境下利用有机EL元件所发射的光进行显示。另外，在微暗环境下可以利用外光及有机EL元件所发射的光进行显示。其结果是，可以提供一种能够进行可见度优异的显示的新颖的显示面板。可以提供一种能够降低功耗的新颖的显示面板。另外，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
另外，优选的是，第二显示元件550具有反射外光的功能。例如，可以将反射可见光的材料用于第四导电膜552。
并且，反射膜的包括开口部751H的一个或多个开口部的总面积与非开口部的总面积的比值为0.052以上且0.6以下，一开口部751H的面积为3μm2以上且25μm2以下。注意，当将第一导电膜751用于反射膜时，第一导电膜751的包括开口部751H的开口部的总面积与非开口部的总面积的比值为0.05以上且0.6以下(参照图1B)。
另外，当以像素的面积为1时，可以使像素的面积中的反射膜所占的面积为0.5以上且0.95以下。另外，可以使像素的面积中的开口部751H所占的面积为0.052以上且0.3以下。
由此，例如可以防止液晶元件的无序取向。另外，在亮环境下可以利用外光进行显示。另外，在暗环境下可以利用有机EL元件所发射的光进行显示。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
显示面板700D的反射膜具有埋入在绝缘膜501B中的区域及从绝缘膜501B露出的区域。例如，当将第一导电膜751用于反射膜时，第一导电膜751在其侧面及第一接触部591所接触的面中具有埋入在绝缘膜501B中的区域。
另外，端子519D(1)具有埋入在绝缘膜501B中的区域及从绝缘膜501B露出的区域。
由此，可以减少产生在第一导电膜的端部的台阶，而使起因于台阶的取向缺陷不容易产生。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
显示面板700D可以包括一个或多个像素。例如，可以包括配置为行方向为n個且与行方向交叉的列方向为m個的行列状的像素702(i，j)。注意，i是1以上且m以下的整数，j是1以上且n以下的整数，m及n是1以上的整数。
另外，可以包括与配置为行方向的像素702(i，1)至像素702(i，n)电连接的扫描线G1(i)及扫描线G2(i)(参照图1C)。
另外，可以包括与配置为列方向的像素702(1，j)至像素702(m，j)电连接的信号线S(j)。
另外，显示面板700D的像素702(i，j)包括：具有与第一显示元件750重叠的区域的着色膜CF1；在与第一显示元件750重叠的区域包括开口部的遮光膜BM；以及着色膜CF1或遮光膜BM与包含液晶材料的层753之间的绝缘膜771(参照图8A)。由此，绝缘膜771可以使起因于着色膜CF1的厚度的凹凸平坦。或者，可以抑制杂质从遮光膜BM或着色膜CF1等扩散到包含液晶材料的层753。
另外，显示面板700D在衬底770与包含液晶材料的层753之间包括取向膜AF2，包含液晶材料的层753与绝缘膜501B之间包括取向膜AF1。
另外，显示面板700D在由衬底770、绝缘膜501B及密封剂705围绕的区域包括包含液晶材料的层753。密封剂705具有贴合衬底770与绝缘膜501B的功能。
另外，显示面板700D在衬底770与绝缘膜501B之间包括控制衬底770与绝缘膜501B的间隙的结构体KB1。
另外，显示面板700D包括具有与像素702(i，j)重叠的区域的光学薄膜770P。显示面板700D在光学薄膜770P与包含液晶材料的层753之间包括衬底770。
另外，显示面板700D包括功能层520D。功能层520D包括绝缘膜501B、绝缘膜501C、绝缘膜521A、绝缘膜521B及绝缘膜528。
绝缘膜501B及绝缘膜501C均包括设置有第一接触部591的开口部及设置有第三接触部593的开口部。注意，虽然在此例示说明将绝缘膜501C层叠于绝缘膜501B上的结构，但是也可以不使用绝缘膜501C只使用绝缘膜501B。
绝缘膜521B具有与绝缘膜501B重叠的区域。
绝缘膜521A被配置在绝缘膜501B与绝缘膜521B之间。
另外，绝缘膜521A包括配置有第二接触部592的开口部。
绝缘膜528包括配置有第二显示元件550的开口部。
另外，显示面板700D在设置于反射膜中的开口部751H与第二显示元件550之间包括着色膜CF2。
另外，显示面板700D包括：具有与功能层520D重叠的区域的衬底570；以及贴合功能层520D与衬底570的接合层505。
另外，显示面板700D的第二显示元件550被配置在功能层520D与衬底570之间。
另外，显示面板700D在功能层520D与衬底570之间包括结构体KB2以在功能层520D与衬底570之间设置预定的间隙。
另外，显示面板700D包括驱动电路GD。驱动电路GD例如包括晶体管MD(参照图1A及图8A)。驱动电路GD例如具有将选择信号供应到扫描线G1(i)或扫描线G2(i)的功能。
另外，显示面板700D包括与像素电路730(i，j)电连接的布线511。另外，显示面板700D包括与像素电路730(i，j)电连接的端子519D(1)。另外，显示面板700D包括布线ANO、布线VCOM1及布线VCOM2(参照图1C及图8A)。
例如，使用导电材料膜ACF1，可以使柔性印刷电路板FPC1与端子519D(1)电连接。另外，例如，可以使用导电材料膜ACF1使显示面板700D与驱动电路SD电连接。
另外，显示面板700D可以包括端子519D(2)。端子519D(2)例如与能够与像素电路730(i，j)或端子519D(1)在同一工序中形成的其他端子电连接。端子519D(2)具有能够被用作其上可制作与其它部件的接触部的面，能够被用作其上可制作与其它部件的接触部的面朝向与用于显示的反射外光的反射膜的面相同的方向。例如可以使用导电构件CP使端子519D(2)与第二导电膜752电连接。
驱动电路SD具有根据图像信息供应图像信号的功能。
下面说明显示面板700D的各构成要素。注意，有时无法明确区分上述构成要素，一个结构可能兼作其他结构或包含其他结构的一部分。
例如，当将反射可见光的导电膜用于第一导电膜751时，可以将第一导电膜751用于反射膜，第一导电膜751是反射膜，反射膜是第一导电膜751。
〈结构〉
显示面板700D包括衬底570、衬底770，显示面板700D包括布线511、端子519D(1)及端子519D(2)(参照图8A)。
显示面板700D包括密封剂705、接合层505，显示面板700D包括结构体KB1及结构体KB2。
显示面板700D包括像素702(i，j)，显示面板700D包括第一显示元件750及第二显示元件550。
显示面板700D包括第一导电膜751、第二导电膜752、包含液晶材料的层753、开口部751H及反射膜。
显示面板700D包括第三导电膜551、第四导电膜552及包含发光性有机化合物的层553。
显示面板700D包括功能层520D。显示面板700D包括像素电路730(i，j)、第一接触部591、第二接触部592及第三接触部593(参照图8A及图1C)。
显示面板700D包括开关SW1、开关SW2、晶体管M、晶体管MD。显示面板700D包括绝缘膜501B、绝缘膜501C、绝缘膜521A、绝缘膜521B及绝缘膜528。
显示面板700D包括着色膜CF1、着色膜CF2、遮光膜BM、绝缘膜771、取向膜AF1、取向膜AF2及光学薄膜770P。
显示面板700D包括驱动电路GD及驱动电路SD。
《衬底570》
可以将具有能够承受制造工序中的热处理的程度的耐热性的材料用于衬底570。例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的衬底570的材料同样的材料。
《衬底770》
可以将具有透光性的材料用于衬底770。例如，衬底770可以使用选自可用于衬底570的材料的材料。
《布线511、端子519D(1)、端子519D(2)》
可以将具有导电性的材料用于布线511、端子519D(1)及端子519D(2)。例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的布线511或端子519等的材料同样的材料。
《第一接触部591、第二接触部592、第三接触部593》
可以将具有导电性的材料用于第一接触部591及第二接触部592。例如，可以使用能够用于布线511、端子519D(1)或端子519D(2)的材料。
《接合层505、密封剂705》
可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等用于接合层505或密封剂705。例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的接合层505或密封剂705等的材料同样的材料。
《结构体KB1、结构体KB2》
例如，可以将有机材料、无机材料或有机材料和无机材料的复合材料用于结构体KB1及结构体KB2。由此，可以将结构体KB1与结构体KB2之间设定成预定的间隔。例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的结构体KB1或结构体KB2的材料同样的材料。
《像素702(i，j)》
像素702(i，j)包括第一显示元件750、第二显示元件550及功能层520D。
另外，像素702(i，j)可以包括着色膜CF1、遮光膜BM、绝缘膜771、取向膜AF1、取向膜AF2及着色膜CF2。
《第一显示元件750》
例如，可以将具有控制反射光或透光的功能的显示元件用于第一显示元件750。例如，可以使用组合有液晶元件与偏振片的结构或快门方式的MEMS显示元件等。通过使用反射型显示元件，可以抑制显示面板的功耗。具体而言，可以将反射型液晶显示元件用于第一显示元件750。例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的第一显示元件750的材料同样的材料。
《反射膜》
例如，作为反射膜可以使用将透过包含液晶材料的层753的光反射的材料。由此，可以将第一显示元件750用作反射型液晶元件。例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的反射膜的材料同样的材料。
《开口部751H》
例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的开口部的结构同样的结构。
《第二显示元件550》
例如，可以将发光元件用于第二显示元件550。具体而言，可以将有机电致发光元件、无机电致发光元件或发光二极管等用于第二显示元件550。
例如，可以将以发射白色光的方式形成的叠层体用于包含发光性有机化合物的层553。具体而言，可以将层叠有使用包含发射蓝色光的荧光材料的发光性有机化合物的层、包含发射绿色光及/或红色光的荧光材料以外的材料的层、或包含发射黄色光的荧光材料以外的材料的层的叠层体用于包含发光性有机化合物的层553。
例如，可以将用于布线511的材料用于第三导电膜551或第四导电膜552。
例如，可以将对可见光具有透光性及导电性的材料用于第三导电膜551。
例如，可以将对可见光具有透光性及导电性的材料用于第四导电膜552。
具体而言，作为第三导电膜551可以使用导电性氧化物或包含铟的导电性氧化物、氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌等。
或者，可以将薄得可以透光的金属膜用于第三导电膜551。
《功能层520D》
功能层520D包括像素电路730(i，j)、第一接触部591、第二接触部592及第三接触部593。另外，功能层520D包括绝缘膜501B、绝缘膜501C、绝缘膜521A、绝缘膜521B及绝缘膜528。
《像素电路730(i，j)》
例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的像素电路730(i，j)的结构同样的结构。
《晶体管M》
晶体管M包括半导体膜508及具有与半导体膜508重叠的区域的导电膜504(参照图8B)。另外，晶体管M包括导电膜512A及导电膜512B。晶体管M在半导体膜508与导电膜504之间包括绝缘膜506。例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的晶体管M的结构同样的结构。
《开关SW1、开关SW2》
可以将晶体管用于开关SW1或开关SW2。
例如，可以将能够与晶体管M在同一工序中形成的晶体管用于开关SW1或开关SW2。
《绝缘膜501B、绝缘膜501C》
虽然在本实施方式中例示说明将绝缘膜501C层叠于绝缘膜501B上的结构，但是也可以不使用绝缘膜501C只使用绝缘膜501B。例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的绝缘膜501B或绝缘膜501C的材料同样的材料。
《绝缘膜521A、绝缘膜521B、绝缘膜528》
例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的绝缘膜521A、绝缘膜521B或绝缘膜528的材料同样的材料。
《着色膜CF1、着色膜CF2》
例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的着色膜CF1或着色膜CF2的材料同样的材料。
《遮光膜BM》
可以将防止透光的材料用于遮光膜BM。由此，例如可以将遮光膜BM用于黑矩阵。
《绝缘膜771》
例如，可以将聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂等用于绝缘膜771。
《取向膜AF1、取向膜AF2》
例如，可以将包含聚酰亚胺等的材料用于取向膜AF1或取向膜AF2。具体而言，可以使用利用摩擦处理或光取向技术在预定的方向上取向而形成的材料。
《光学薄膜770P》
例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的光学薄膜770P的材料同样的材料。
《驱动电路GD》
例如，可以使用与能够用于实施方式1所说明的驱动电路GD的结构同样的结构。
《驱动电路SD》
例如，可以将集成电路用于驱动电路SD。具体而言，可以使用在硅衬底上形成的集成电路。
例如，可以利用COG(Chip on glass)法将驱动电路SD安装于形成在绝缘膜501C上的焊盘上。具体而言，使用各向异性导电膜将集成电路安装于焊盘上。焊盘与像素电路730(i，j)电连接。
〈显示面板的结构例子2〉
参照图9A和图9D对本发明的一个方式的显示面板的其他结构进行说明。
图9A至图9D是说明能够用于本发明的一个方式的显示面板的像素电路的结构的电路图。图9A至图9D所示的像素电路可以使用来代替图1C所示的像素电路730(i，j)。
图9A所示的像素电路730(i，j)在与信号线S1(j)及信号线S2(j)电连接这一点上与参照图1C说明的像素电路730(i，j)不同。
另外，图9B所示的像素电路730(i，j)在如下地方与参照图1C说明的像素电路730(i，j)不同：与信号线S1(j)及信号线S2(j)电连接；以及其开关SW1及开关SW2的控制电极与扫描线G1(i)电连接。
另外，图9C所示的像素电路730(i，j)在其电容器C1的第二电极与布线CS电连接这一点上与参照图1C说明的像素电路730(i，j)不同。可以将布线VCOM1以外的布线用于布线CS。
另外，图9D所示的像素电路730(i，j)在如下地方与参照图9A说明的像素电路730(i，j)不同：其电容器C2的第二电极与布线ANO电连接；在晶体管M中包括与布线ANO电连接的第二栅电极。例如，可以将与导电膜524所包括的晶体管MD同样的结构用于晶体管M。
〈显示面板的结构例子3〉
参照图10说明本发明的一个方式的显示面板的其他结构。
图10是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图10是沿图1A所示的切断线X1-X2、切断线X3-X4、切断线X5-X6的本发明的一个方式的显示面板700E的截面图。
图10所示的显示面板700E在如下地方与参照图8A说明的显示面板700D不同：第一导电膜751及第二导电膜752具有埋入在绝缘膜501B中的区域及从绝缘膜501B露出的区域；以及第二接触部592包括与第三导电膜551相同的导电材料。
具体而言，显示面板700E的第一显示元件750包括能够以IPS模式等工作的液晶显示元件。
〈显示面板的结构例子4〉
参照图11说明本发明的一个方式的显示面板的其他结构。
图11是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图11是沿图1A所示的切断线X1-X2、切断线X3-X4、切断线X5-X6的本发明的一个方式的显示面板700E的截面图。
图11所示的显示面板700F在如下地方与参照图8A说明的显示面板700D不同：包括含电子墨水的层753T代替包含液晶材料的层753；包括具有透光性的第一导电膜751T代替具有开口部751H的第一导电膜751；在与第二显示元件550重叠的区域包括具有透光性的结构体KB3。
具体而言，显示面板700F的包含电子墨水的层753T包含能够进行重写的电泳方式等的电子墨水。电子墨水具有能够通过电控制进行重写或删除的功能。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式3
在本实施方式中，参照图12至图19说明本发明的一个方式的显示面板的制造方法。
图12是说明本发明的一个方式的显示面板700D的制造方法的流程图。图13至图19是沿图1A所示的切断线X1-X2、切断线X3-X4、切断线X5-X6的制造工序中的显示面板700D的截面图。
〈显示面板的制造方法〉
在本实施方式中说明的显示面板700D的制造方法包括如下十一个步骤。
《第一步骤》
在第一步骤中，在制造工序用衬底上形成绝缘膜501A(参照图12(U1))。例如，以与衬底510之间夹着剥离膜510W的方式形成绝缘膜501A。
例如，作为制造工序用衬底，可以使用如下衬底：包括衬底510及具有与衬底510重叠的区域的剥离膜510W。
可以将具有能够承受制造工序中的热处理的程度的耐热性的材料用于衬底510。
例如，可将第6代(1500mm×1850mm)、第7代(1870mm×2200mm)、第8代(2200mm×2400mm)、第9代(2400mm×2800mm)、第10代(2950mm×3400mm)等大面积的玻璃衬底用于衬底510。因而大面积LCD可用于衬底510。由此，可以制造大型显示装置。
可以将有机材料、无机材料或混合有机材料和无机材料等的复合材料等用于衬底510。例如，可以将玻璃、陶瓷、或金属等无机材料用于衬底510。
具体而言，可以将无碱玻璃、钠钙玻璃、钾钙玻璃、水晶玻璃、石英或蓝宝石等用于衬底510。具体而言，可以将包含无机氧化物、无机氮化物或无机氧氮化物等的材料用于衬底510。例如，可以将包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝等的材料用于衬底510。可以将不锈钢或铝等用于衬底510。
例如，可以将树脂、树脂薄膜或塑料等有机材料用于衬底510。具体而言，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等的树脂薄膜或树脂板用于衬底510。
例如，衬底510可以使用将金属板、薄板状的玻璃板或无机材料等的膜贴合于树脂薄膜等的复合材料。例如，衬底510可以使用将纤维状或粒子状的金属、玻璃或无机材料等分散到树脂薄膜而得到的复合材料。例如，衬底510可以使用将纤维状或粒子状的树脂、有机材料等分散到无机材料而得到的复合材料。
另外，可以将单层的材料或层叠有多个层的材料用于衬底510。例如，也可以将层叠有基材与防止包含在基材中的杂质扩散的绝缘膜等的材料用于衬底510。
例如，在第九步骤中，可以将具有能够将绝缘膜501A从衬底510分离的功能的材料用于剥离膜510W。
将绝缘膜501A从衬底510分离之后可以在衬底510一侧留下剥离膜510W。或者，可以将剥离膜510W与绝缘膜501A一起从衬底510分离。
具体而言，当将无碱玻璃衬底用于衬底510，将包含钨等的膜用于剥离膜510W，并将包含无机氧化物或无机氧氮化物的膜用于绝缘膜501A时，将绝缘膜501A从衬底510分离之后可以在衬底510一侧留下剥离膜510W。
另外，当将无碱玻璃衬底用于衬底510，将包含聚酰亚胺的膜用于剥离膜510W，并将包含各种材料的膜用于绝缘膜501A时，可以将剥离膜510W与绝缘膜501A一起从衬底510分离。
例如，在剥离膜510W上形成绝缘膜501A。具体而言，可以利用化学气相沉积法、溅射法或涂布法等。接着，利用光刻法等去除不需要的部分来形成绝缘膜501A。
为了使绝缘膜501A在其外围部与衬底510接触，优选的是，绝缘膜501A大于剥离膜510W。由此，可以抑制绝缘膜501A意外地从制造工序用衬底分离的不良的发生。
具体而言，将厚度为0.7mm的玻璃板用于衬底510，并将从衬底510一侧依次层叠有厚度为200nm的氧氮化硅膜及30nm的钨膜的叠层材料用于剥离膜510W。并且，可以将包含从剥离膜510W一侧依次层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜及厚度为200nm的氮化硅膜的叠层材料的膜用于绝缘膜501A。注意，氧氮化硅膜中的氧的组成比氮的组成多，而氮氧化硅膜中的氮的组成比氧的组成多。
具体而言，代替上述绝缘膜501A，可以将包含从剥离膜510W一侧依次层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜、厚度为200nm的氮化硅膜、厚度为200nm的氧氮化硅膜、厚度为140nm的氮化硅膜以及厚度为100nm的氧氮化硅膜的叠层材料的膜用于绝缘膜501A。
《第二步骤》
在第二步骤中，形成反射膜及端子(参照图12(U2))。在本实施方式中，说明将第一导电膜751用于反射膜的例子。
例如，反射膜具有开口部751H，端子包括端子519D(1)及端子519D(2)。
例如，在绝缘膜501A上形成包含导电性材料的膜。具体而言，可以利用化学气相沉积法、溅射法或涂布法等。接着，利用光刻法等去除不需要的部分，形成用作反射膜的第一导电膜751、端子519D(1)及端子519D(2)。
《第三步骤》
在第三步骤中，形成覆盖反射膜及端子的绝缘膜501B(参照图12(U3))。也可以在形成绝缘膜501B之后形成具有与绝缘膜501B重叠的区域的绝缘膜501C。
绝缘膜501B及绝缘膜501C具有开口部。
例如，以覆盖反射膜及端子的方式形成具有抑制杂质的扩散的功能的膜。具体而言，可以利用化学气相沉积法、溅射法或涂布法等。
接着，利用光刻法等形成到达第一导电膜751的开口部及到达端子519D(1)的开口部，由此形成绝缘膜501B及绝缘膜501C。
《第四步骤》
在第四步骤中，形成与反射膜电连接的第一接触部591及与端子519D(1)电连接的第三接触部593(参照图12(U4)及图13)。也可以与第一接触部591及端子519D一起形成能够被用作晶体管M、晶体管MD或能够被用作开关SW1的晶体管的栅电极的导电膜504。
例如，以接触绝缘膜501C、到达第一导电膜751的开口部及到达端子519D(1)的开口部的方式形成包含导电性材料的膜。具体而言，可以利用化学气相沉积法、溅射法或涂布法等。
接着，利用光刻法等去除不需要的部分，来形成第一接触部591、第三接触部593及导电膜504。
《第五步骤》
在第五步骤中，形成与第一接触部591及第三接触部593电连接的像素电路(参照图12(U5))。
例如，利用化学气相沉积法或溅射法等形成包含导电性材料的膜、包含绝缘性材料的膜、包含半导体材料的膜等。另外，利用光刻法等去除膜的不需要的部分。组合淀积法与光刻法等，形成包括晶体管M、晶体管MD及用作开关SW1的晶体管等的像素电路。
接着，形成保护像素电路所包括的晶体管等元件的绝缘膜516或绝缘膜518等。另外，在绝缘膜516与绝缘膜518之间形成用作第二栅电极的导电膜524。
接着，形成着色膜CF2。
接着，形成绝缘膜521A，并将到达像素电路的开口部形成在绝缘膜516、绝缘膜518及绝缘膜521A中。
《第六步骤》
在第六步骤中，形成与像素电路连接的第二接触部592(参照图12(U6)及图14)。也可以在形成第二接触部592的同时形成布线。
例如，形成包含导电性材料的膜。具体而言，可以利用化学气相沉积法、溅射法或涂布法等。
接着，利用光刻法等去除不需要的部分，由此形成第二接触部592。
《第七步骤》
在第七步骤中，形成与第二接触部592电连接的第二显示元件550(参照图12(U7)及图15)。
例如，在第二接触部592与第二显示元件550之间形成绝缘膜521B。
接着，以与第二接触部592电连接的方式形成第三导电膜551。例如，形成包含导电性材料的膜。具体而言，可以利用化学气相沉积法或溅射法等。接着，利用光刻法等去除不需要的部分，来形成第三导电膜551。
接着，形成在与第三导电膜551重叠的区域中具有开口部的绝缘膜528。使绝缘膜528覆盖第三导电膜551的端部。例如，形成感光性高分子膜。具体而言，可以利用涂布法等。接着，利用光刻法等去除不需要的部分，来形成绝缘膜528。
接着，形成接触于绝缘膜528的结构体KB2。例如，使用与形成绝缘膜528的方法同样的方法形成。
接着，以覆盖在绝缘膜528的开口部露出的第三导电膜551的方式形成包含发光性有机化合物的层553。具体而言，可以利用使用荫罩的蒸镀法、印刷法或喷墨法等。
接着，以在与第三导电膜551之间夹着包含发光性有机化合物的层553的方式形成第四导电膜552。具体而言，可以利用使用荫罩法的蒸镀法、溅射法等。另外，以与布线511电连接的方式形成第四导电膜552。
《第八步骤》
在第八步骤中，层叠衬底570(参照图12(U8)及图16)。
例如，涂敷具有流动性的树脂等以形成接合层505。具体而言，可以利用涂布法、印刷法、喷墨法等。或者，将预先形成为薄片状的具有流动性的树脂等贴合以形成接合层505。
接着，使用接合层505贴合功能层520D与衬底570。
《第九步骤》
在第九步骤中，使制造工序用衬底510分离(参照图12(U9)及图17)。
例如，利用使用尖锐的顶端从制造工序用衬底510一侧刺入剥离膜510W的方法或使用激光等的方法(例如激光烧蚀法)等，将剥离膜510W的一部分从绝缘膜501A分离。由此，可以形成剥离起点。
接着，将制造工序用衬底510从剥离起点逐渐地分离。
另外，也可以对剥离膜510W与绝缘膜501A的界面附近照射离子而去除静电，同时进行剥离。具体而言，可以照射使用离子发生器生成的离子。另外，也可以使液体注入到剥离膜510W与绝缘膜501A的界面或对该界面喷射从喷嘴喷出的液体。例如，可以将水、极性溶剂等或使剥离膜510W溶解的液体用于注入的液体或喷射的液体。通过使液体注入，可以抑制随着剥离而发生的静电等的影响。
尤其是，当将包含氧化钨的膜用于剥离膜510W时，一边使包含水的液体注入或喷射包含水的液体，一边使衬底510分离。由此，可以减少伴随剥离的应力。
《第十步骤》
在第十步骤中，将绝缘膜501A去除而使反射膜及端子露出(参照图12(U10)及图18)。
例如，可以利用蚀刻法或化学机械抛光等去除绝缘膜501A。具体而言，可以利用湿蚀刻法或干蚀刻法等。
《第十一步骤》
在第十一步骤中，形成第一显示元件(参照图12(U11)及图19)。
例如，准备对置衬底。具体而言，准备如下对置衬底：在衬底770上包括有遮光膜BM、着色膜CF1、绝缘膜771、第二导电膜752、结构体KB1及取向膜AF2。
接着，形成具有与绝缘膜501B及第一导电膜751重叠的区域的取向膜AF1。具体而言，使用印刷法等及摩擦法等形成。
接着，形成密封剂705。具体而言，使用分配法或印刷法等涂敷具有流动性的树脂以形成框状。对密封剂705的与端子519D(2)重叠的区域涂敷包含导电构件CP的材料。
接着，对框状的密封剂705所围绕的区域滴下液晶材料。具体而言，可以使用分配法等。
接着，使用密封剂705将衬底770贴合于绝缘膜501B。在衬底770与绝缘膜501B之间夹着结构体KB1，使用导电构件CP使端子519D(2)与第二导电膜752电连接。
在本实施方式中说明的显示面板700D的制造方法具有使制造工序用衬底510分离的步骤及去除绝缘膜501A而使反射膜及端子露出的步骤。由此，可以减小产生在反射膜的端部的台阶，而使起因于台阶的取向缺陷等不容易产生。另外，可以使用作端子的其上可制作与其它部件的接触部的面露出。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式4
在本实施方式中，参照图20A至图20C对可用于本发明的一个方式的显示面板的晶体管的结构进行说明。
〈半导体装置的结构例子〉
图20A是晶体管100的俯视图，图20B相当于沿着图20A所示的切断线X1-X2的切断面的截面图，图20C相当于沿着图20A所示的切断线Y1-Y2的切断面的截面图。注意，在图20A中，为了方便起见，省略晶体管100的构成要素的一部分(用作栅极绝缘膜的绝缘膜等)而进行图示。此外，有时将切断线X1-X2方向称为沟道长度方向，将切断线Y1-Y2方向称为沟道宽度方向。注意，有时在后面的晶体管的俯视图中也与图20A同样地省略构成要素的一部分。
注意，可以将晶体管100用于实施方式1或实施方式2所说明的显示面板。
例如，当将晶体管100用于晶体管M时，将衬底102换称为绝缘膜501C、将导电膜104换称为导电膜504、将层叠有绝缘膜106及绝缘膜107的叠层膜换称为绝缘膜506、将氧化物半导体膜108换称为半导体膜508、将导电膜112a换称为导电膜512A、将导电膜112b换称为导电膜512B、将层叠有绝缘膜114及绝缘膜116的叠层膜换称为绝缘膜516、并将绝缘膜118换称为绝缘膜518。
晶体管100包括：衬底102上的用作栅电极的导电膜104；衬底102及导电膜104上的绝缘膜106；绝缘膜106上的绝缘膜107；绝缘膜107上的氧化物半导体膜108；与氧化物半导体膜108电连接的用作源电极的导电膜112a；以及与氧化物半导体膜108电连接的用作漏电极的导电膜112b。另外，在晶体管100上，详细地说，在导电膜112a、112b及氧化物半导体膜108上设置有绝缘膜114、116及118。绝缘膜114、116及118具有晶体管100的保护绝缘膜的功能。
此外，氧化物半导体膜108包括导电膜104一侧的第一氧化物半导体膜108a以及第一氧化物半导体膜108a上的第二氧化物半导体膜108b。另外，绝缘膜106及绝缘膜107具有晶体管100的栅极绝缘膜的功能。
作为氧化物半导体膜108可以使用In-M(M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)氧化物及In-M-Zn氧化物。尤其是，作为氧化物半导体膜108优选使用In-M-Zn氧化物。
此外，第一氧化物半导体膜108a包括其In的原子个数比大于M的原子个数比的第一区域。第二氧化物半导体膜108b包括其In的原子个数比少于第一氧化物半导体膜108a的第二区域。第二区域包括薄于第一区域的部分。
通过使第一氧化物半导体膜108a包括其In的原子个数比大于M的原子个数比的第一区域，可以提高晶体管100的场效应迁移率(有时简单地称为迁移率或μFE)。具体而言，晶体管100的场效应迁移率可以超过10cm2/Vs。
例如，通过将上述场效应迁移率高的晶体管用于生成栅极信号的栅极驱动器(特别是，连接到栅极驱动器所包括的移位寄存器的输出端子的多路分配器)，可以提供边框宽度窄(也称为窄边框)的半导体装置或显示装置。
另一方面，当采用包括其In的原子个数比大于M的原子个数比的第一区域的第一氧化物半导体膜108a时，光照射时的晶体管100的电特性容易变动。然而，在本发明的一个方式的半导体装置中，在第一氧化物半导体膜108a上形成有第二氧化物半导体膜108b。另外，第二氧化物半导体膜108b的包含沟道区域及沟道区域附近的部分的厚度小于第一氧化物半导体膜108a的厚度。
此外，因为第二氧化物半导体膜108b包括其In的原子个数比小于第一氧化物半导体膜108a的第二区域，所以其Eg大于第一氧化物半导体膜108a。因此，具有第一氧化物半导体膜108a和第二氧化物半导体膜108b的叠层结构的氧化物半导体膜108的对光照射负偏压应力测试的耐性变高。
通过采用上述结构的氧化物半导体膜，可以减少光照射时的氧化物半导体膜108的光吸收量。因此，能够抑制光照射时的晶体管100的电特性变动。此外，因为在本发明的一个方式的半导体装置中，绝缘膜114或绝缘膜116包含过剩氧，所以可以进一步抑制光照射时的晶体管100的电特性变动。
在此，参照图20B详细地说明氧化物半导体膜108。
图20B是将图20C所示的晶体管100的截面中的氧化物半导体膜108附近放大的截面图。
在图20B中，将第一氧化物半导体膜108a的厚度表示为t1，将第二氧化物半导体膜108b的厚度表示为t2-1及t2-2。因为在第一氧化物半导体膜108a上设置有第二氧化物半导体膜108b，所以在形成导电膜112a、112b时不会使第一氧化物半导体膜108a暴露于蚀刻气体或蚀刻溶液等。因此，第一氧化物半导体膜108a不会变薄或几乎不会变薄。另一方面，在第二氧化物半导体膜108b中，在形成导电膜112a、112b时不与第二氧化物半导体膜108b的导电膜112a、112b重叠的部分被蚀刻而形成凹部。也就是说，第二氧化物半导体膜108b的与导电膜112a、112b重叠的区域的厚度为t2-1，第二氧化物半导体膜108b的不与导电膜112a、112b重叠的区域的厚度为t2-2。
第一氧化物半导体膜108a和第二氧化物半导体膜108b的厚度的关系优选为t2-1>t1>t2-2。通过采用这种厚度的关系，可以提供具有高场效应迁移率且光照射时的阈值电压的变动量少的晶体管。
此外，当在晶体管100所具有的氧化物半导体膜108中形成有氧空缺时，产生作为载流子的电子，由此容易成为常导通特性。由此，为了获得稳定的晶体管特性，减少氧化物半导体膜108中的氧空缺，特别减少第一氧化物半导体膜108a中的氧空缺是重要的。于是，本发明的一个方式的晶体管的结构特征在于：通过对氧化物半导体膜108上的绝缘膜，在此，氧化物半导体膜108上的绝缘膜114及/或绝缘膜116引入过剩氧，使氧从绝缘膜114及/或绝缘膜116移动到氧化物半导体膜108中，来填补氧化物半导体膜108中的氧空缺，特别填补第一氧化物半导体膜108a中的氧空缺。
另外，绝缘膜114、116更优选具有含有超过化学计量组成的氧的区域(氧过剩区域)。换句话说，绝缘膜114、116是一种能够释放氧的绝缘膜。此外，为了在绝缘膜114、116中设置氧过剩区域，例如，通过对淀积后的绝缘膜114、116引入氧形成氧过剩区域。作为氧的引入方法，可以使用离子注入法、离子掺杂法、等离子体浸没式离子注入法、等离子体处理等。
此外，为了填补第一氧化物半导体膜108a中的氧空缺，优选使第二氧化物半导体膜108b的包含沟道区域及其附近的部分的厚度减薄。因此，满足t2-2<t1的关系，即可。例如，第二氧化物半导体膜108b的包含沟道区域及其附近的部分的厚度优选为1nm以上且20nm以下，更优选为3nm以上且10nm以下。
下面，对本实施方式的半导体装置所包括的其他构成要素进行详细说明。
《衬底》
虽然对衬底102的材料等没有特别的限制，但是至少需要具有能够承受后续的加热处理的耐热性。例如，作为衬底102，可以使用玻璃衬底、陶瓷衬底、石英衬底、蓝宝石衬底等。
另外，还可以使用以硅或碳化硅为材料的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底、以硅锗等为材料的化合物半导体衬底、SOI(Silicon OnInsulator：绝缘体上硅)衬底等。
并且也可以将在这些衬底上设置有半导体元件、绝缘膜等的衬底用作衬底102。
当作为衬底102使用玻璃衬底时，通过使用第6代(1500mm×1850mm)、第7代(1870mm×2200mm)、第8代(2200mm×2400mm)、第9代(2400mm×2800mm)、第10代(2950mm×3400mm)等的大面积衬底，可以制造大型显示装置。
作为衬底102，也可以使用柔性衬底，并且在柔性衬底上直接形成晶体管100。或者，也可以在衬底102与晶体管100之间设置剥离层。剥离层可以在如下情况下使用，即在剥离层上制造半导体装置的一部分或全部，然后将其从衬底102分离并转置到其他衬底上的情况。此时，也可以将晶体管100转置到耐热性低的衬底或柔性衬底上。
《用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜》
用作栅电极的导电膜104、用作源电极的导电膜112a及用作漏电极的导电膜112b都可以使用选自铬(Cr)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、锌(Zn)、钼(Mo)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、锰(Mn)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)中的金属元素、以上述金属元素为成分的合金或者组合上述金属元素的合金等形成。
此外，导电膜104及导电膜112a、112b也可以具有单层结构或者两层以上的叠层结构。例如，可以举出包含硅的铝膜的单层结构、在铝膜上层叠钛膜的两层结构、在氮化钛膜上层叠钛膜的两层结构、在氮化钛膜上层叠钨膜的两层结构、在氮化钽膜或氮化钨膜上层叠钨膜的两层结构以及依次层叠钛膜、铝膜和钛膜的三层结构等。另外，还可以使用组合铝与选自钛、钽、钨、钼、铬、钕、钪中的一种或多种而形成的合金膜或氮化膜。
导电膜104及导电膜112a、112b也可以使用铟锡氧化物、包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钨的铟锌氧化物、包含氧化钛的铟氧化物、包含氧化钛的铟锡氧化物、铟锌氧化物、添加有氧化硅的铟锡氧化物等透光导电材料。
另外，作为导电膜104及导电膜112a、112b，也可以应用Cu-X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。通过使用Cu-X合金膜，可以通过湿蚀刻工序进行加工，从而可以抑制制造成本。
《用作栅极绝缘膜的绝缘膜》
作为用作晶体管100的栅极绝缘膜的绝缘膜106、107，可以分别使用通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法、溅射法等形成的包括氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜和氧化钕膜中的一种以上的绝缘膜。注意，也可以使用选自上述材料中的单层或三层以上的绝缘膜，而不采用绝缘膜106和绝缘膜107的叠层结构。
绝缘膜106具有抑制氧透过的阻挡膜的功能。例如，当对绝缘膜107、114、116及/或氧化物半导体膜108供应过剩氧时，绝缘膜106能够抑制氧透过。
接触于用作晶体管100的沟道区域的氧化物半导体膜108的绝缘膜107优选为氧化物绝缘膜，更优选包括包含超过化学计量组成的氧的区域(氧过剩区域)。换言之，绝缘膜107是能够释放氧的绝缘膜。为了在绝缘膜107中设置氧过剩区域，例如在氧气氛下形成绝缘膜107即可。或者，也可以对淀积后的绝缘膜107引入氧形成氧过剩区域。作为氧的引入方法，可以使用离子注入法、离子掺杂法、等离子体浸没式离子注入法、等离子体处理等。
此外，当作为绝缘膜107使用氧化铪时发挥如下效果。氧化铪的相对介电常数比氧化硅或氧氮化硅高。因此，可以使绝缘膜107的厚度比使用氧化硅的情况大，由此，可以减少隧道电流引起的泄漏电流。也就是说，可以实现截止态电流(off-state current)小的晶体管。再者，与具有非晶结构的氧化铪相比，具有结晶结构的氧化铪的相对介电常数较高。因此，为了形成截止态电流小的晶体管，优选使用包括结晶结构的氧化铪。作为结晶结构的一个例子，可以举出单斜晶系或立方晶系等。注意，本发明的一个方式不局限于此。
注意，在本实施方式中，作为绝缘膜106形成氮化硅膜，作为绝缘膜107形成氧化硅膜。与氧化硅膜相比，氮化硅膜的相对介电常数较高且为了得到与氧化硅膜相等的电容需要的厚度较大，因此，通过使晶体管100的栅极绝缘膜包括氮化硅膜，可以增加绝缘膜的物理厚度。因此，可以通过抑制晶体管100的绝缘耐压的下降并提高绝缘耐压来抑制晶体管100的静电放点破坏。
《氧化物半导体膜》
作为氧化物半导体膜108可以使用上述材料。
当氧化物半导体膜108包括In-M-Zn氧化物时，用来形成In-M-Zn氧化物的溅射靶材的金属元素的原子个数比优选满足In≥M及Zn≥M。这种溅射靶材的金属元素的原子个数比优选为In:M:Zn＝1:1:1、In:M:Zn＝1:1:1.2、In:M:Zn＝2:1:3、In:M:Zn＝3:1:2、In:M:Zn＝4:2:4.1。
另外，当氧化物半导体膜108由In-M-Zn氧化物形成时，作为溅射靶材优选使用包含多晶的In-M-Zn氧化物的靶材。通过使用包含多晶的In-M-Zn氧化物的靶材，容易形成具有结晶性的氧化物半导体膜108。注意，所形成的氧化物半导体膜108的原子个数比可以分别包含上述溅射靶材中的金属元素的原子个数比的±40％的范围内的误差。例如，在作为溅射靶材使用原子个数比为In:Ga:Zn＝4:2:4.1时，有时所形成的氧化物半导体膜108的原子个数比为In:Ga:Zn＝4:2:3或其附近。
例如，第一氧化物半导体膜108a可以使用上述In:M:Zn＝2:1:3、In:M:Zn＝3:1:2、In:M:Zn＝4:2:4.1等溅射靶材形成。此外，第二氧化物半导体膜108b可以使用上述In:M:Zn＝1:1:1、In:M:Zn＝1:1:1.2等溅射靶材形成。另外，作为用于第二氧化物半导体膜108b的溅射靶材的金属元素的原子个数比，不一定需要满足In≥M、Zn≥M，也可以满足In≥M、Zn<M。具体而言，可以举出In:M:Zn＝1:3:2等。
氧化物半导体膜108的能隙为2eV以上，优选为2.5eV以上，更优选为3eV以上。如此，通过使用能隙较宽的氧化物半导体，可以降低晶体管100的截止态电流。特别是，作为第一氧化物半导体膜108a使用能隙为2eV以上，优选为2eV以上且3.0eV以下的氧化物半导体膜，作为第二氧化物半导体膜108b使用能隙为2.5eV以上且3.5eV以下的氧化物半导体膜。此外，优选第二氧化物半导体膜108b的能隙大于第一氧化物半导体膜108a的能隙。
此外，第一氧化物半导体膜108a及第二氧化物半导体膜108b的厚度分别为3nm以上且200nm以下，优选分别为3nm以上且100nm以下，更优选分别为3nm以上且50nm以下。注意，优选满足上述厚度的关系。
此外，作为第二氧化物半导体膜108b使用载流子密度较低的氧化物半导体膜。例如，第二氧化物半导体膜108b的载流子密度为1×1017个/cm3以下，优选为1×1015个/cm3以下，更优选为1×1013个/cm3以下，进一步优选为1×1011个/cm3以下。
本发明不局限于上述记载，可以根据所需的晶体管的半导体特性及电特性(场效应迁移率、阈值电压等)来使用具有适当的组成的材料。另外，优选适当地设定第一氧化物半导体膜108a及第二氧化物半导体膜108b的载流子密度、杂质浓度、缺陷密度、金属元素与氧的原子个数比、原子间距离、密度等，以得到所需的晶体管的半导体特性。
通过作为第一氧化物半导体膜108a及第二氧化物半导体膜108b分别使用杂质浓度低且缺陷态密度低的氧化物半导体膜，可以制造具有更优良的电特性的晶体管，所以是优选的。这里，将杂质浓度低且缺陷态密度低(氧空缺少)的状态称为“高纯度本征”或“实质上高纯度本征”。因为高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜的载流子发生源较少，所以可以降低载流子密度。因此，在该氧化物半导体膜中形成有沟道区域的晶体管很少具有负阈值电压的电特性(很少有常导通特性)。因为高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜具有较低的缺陷态密度，所以有可能具有较低的载流子陷阱密度。高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜的截止态电流显著低，即便是沟道宽度为1×106μm、沟道长度L为10μm的元件，当源电极与漏电极间的电压(漏电压)在1V至10V的范围时，截止态电流也可以为半导体参数分析仪的测定极限以下，即1×10-13A以下。
因此，在上述高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜中形成有沟道区域的晶体管可以是电特性变动小且可靠性高的晶体管。此外，被氧化物半导体膜的陷阱能级俘获的电荷到消失需要较长的时间，有时像固定电荷那样动作。因此，有时在陷阱态密度高的氧化物半导体膜中形成有沟道区域的晶体管的电特性不稳定。作为杂质有氢、氮、碱金属或碱土金属等。
包含在氧化物半导体膜中的氢与键合于金属原子的氧起反应生成水，与此同时在发生氧脱离的晶格(或氧脱离的部分)中形成氧空缺。当氢进入该氧空缺时，有时生成作为载流子的电子。另外，有时由于氢的一部分与键合于金属原子的氧键合，产生作为载流子的电子。因此，使用包含氢的氧化物半导体膜的晶体管容易具有常导通特性。由此，优选尽可能减少氧化物半导体膜108中的氢。具体而言，在氧化物半导体膜108中，利用SIMS(二次离子质谱分析法：Secondary Ion Mass Spectrometry)测得的氢浓度为2×1020atoms/cm3以下，优选为5×1019atoms/cm3以下，更优选为1×1019atoms/cm3以下，更优选为5×1018atoms/cm3以下，更优选为1×1018atoms/cm3以下，更优选为5×1017atoms/cm3以下，更优选为1×1016atoms/cm3以下。
此外，当第一氧化物半导体膜108a包含第14族元素之一的硅或碳时，在第一氧化物半导体膜108a中氧空缺增加而导致第一氧化物半导体膜108a的n型化。因此，第一氧化物半导体膜108a中的硅或碳的浓度以及与第一氧化物半导体膜108a之间的界面附近的硅或碳的浓度(利用SIMS分析测得的浓度)为2×1018atoms/cm3以下，优选为2×1017atoms/cm3以下。
另外，在第一氧化物半导体膜108a中，利用SIMS分析测得的碱金属或碱土金属的浓度为1×1018atoms/cm3以下，优选为2×1016atoms/cm3以下。当碱金属及碱土金属与氧化物半导体键合时有时生成载流子而使晶体管的截止态电流增大。由此，优选降低第一氧化物半导体膜108a的碱金属或碱土金属的浓度。
当在第一氧化物半导体膜108a中含有氮时，生成作为载流子的电子，载流子密度增加而导致第一氧化物半导体膜108a的n型化。其结果是，使用含有氮的氧化物半导体膜的晶体管容易具有常导通特性。因此，优选尽可能地减少氧化物半导体膜中的氮，例如，利用SIMS分析测得的氮浓度优选为5×1018atoms/cm3以下。
第一氧化物半导体膜108a及第二氧化物半导体膜108b可以分别具有非单晶结构。非单晶结构例如包括下述CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c轴取向结晶氧化物半导体)、多晶结构、微晶结构或非晶结构。在非单晶结构中，非晶结构的缺陷态密度最高，而CAAC-OS的缺陷态密度最低。
《用作晶体管的保护绝缘膜的绝缘膜》
绝缘膜114、116具有对氧化物半导体膜108供应氧的功能。绝缘膜118具有晶体管100的保护绝缘膜的功能。绝缘膜114、116包含氧。绝缘膜114是能够使氧透过的绝缘膜。注意，绝缘膜114还用作在后面形成绝缘膜116时缓解对氧化物半导体膜108造成的损伤的膜。
作为绝缘膜114，可以使用厚度为5nm以上且150nm以下，优选为5nm以上且50nm以下的氧化硅、氧氮化硅等。
此外，优选使绝缘膜114中的缺陷量较少，典型的是，通过ESR(Electron SpinResonance：电子自旋共振)测量的起因于硅的悬空键的g＝2.001处呈现的信号的自旋密度优选为3×1017spins/cm3以下。这是因为若绝缘膜114的缺陷密度高，氧则与该缺陷键合，而使绝缘膜114中的氧透过量减少。
在绝缘膜114中，有时从外部进入绝缘膜114的氧不是全部移动到绝缘膜114的外部，而是其一部分残留在绝缘膜114的内部。另外，有时在氧进入绝缘膜114的同时，绝缘膜114中含有的氧移动到绝缘膜114的外部，而在绝缘膜114中发生氧的移动。在形成能够使氧透过的氧化物绝缘膜作为绝缘膜114时，可以使从设置在绝缘膜114上的绝缘膜116脱离的氧经由绝缘膜114移动到氧化物半导体膜108中。
此外，绝缘膜114可以使用起因于氮氧化物的态密度低的氧化物绝缘膜形成。注意，该起因于氮氧化物的态密度有时会形成在氧化物半导体膜的价带顶的能量(Ev_os)与氧化物半导体膜的导带底的能量(Ec_os)之间。作为上述氧化物绝缘膜，可以使用氮氧化物的释放量少的氧氮化硅膜或氮氧化物的释放量少的氧氮化铝膜等。
此外，在热脱附谱(TDS)分析中，氮氧化物的释放量少的氧氮化硅膜是氨释放量比氮氧化物的释放量多的膜，典型的是氨释放量为1×1018个/cm3以上且5×1019个/cm3以下。注意，该氨释放量为在进行膜表面温度为50℃以上且650℃以下，优选为50℃以上且550℃以下的加热处理时的释放量。
氮氧化物(NOx，x大于0以上且为2以下，优选为1以上且2以下)，典型的是NO2或NO，在绝缘膜114等中形成能级。该能级位于氧化物半导体膜108的能隙中。由此，当氮氧化物扩散到绝缘膜114与氧化物半导体膜108的界面时，有时该能级在绝缘膜114一侧俘获电子。其结果是，被俘获的电子留在绝缘膜114与氧化物半导体膜108的界面附近，由此使晶体管的阈值电压向正方向漂移。
另外，当进行加热处理时，氮氧化物与氨及氧起反应。当进行加热处理时，绝缘膜114所包含的氮氧化物与绝缘膜116所包含的氨起反应，由此绝缘膜114所包含的氮氧化物减少。因此，在绝缘膜114与氧化物半导体膜108的界面附近不容易俘获电子。
通过作为绝缘膜114使用上述氧化物绝缘膜，可以降低晶体管的阈值电压的漂移，从而可以降低晶体管的电特性的变动。
通过进行晶体管的制造工序的加热处理，典型的是300℃以上且低于350℃的加热处理，在对绝缘膜114利用100K以下的ESR测得的光谱中，观察到g值为2.037以上且2.039以下的第一信号、g值为2.001以上且2.003以下的第二信号以及g值为1.964以上且1.966以下的第三信号。在X带的ESR测定中，第一信号与第二信号之间的分割宽度(split width)及第二信号与第三信号之间的分割宽度大约均为5mT。另外，g值为2.037以上且2.039以下的第一信号、g值为2.001以上且2.003以下的第二信号以及g值为1.964以上且1.966以下的第三信号的自旋密度的总和低于1×1018spins/cm3，典型为1×1017spins/cm3以上且低于1×1018spins/cm3。
在100K以下的ESR谱中，g值为2.037以上且2.039以下的第一信号、g值为2.001以上且2.003以下的第二信号以及g值为1.964以上且1.966以下的第三信号相当于起因于氮氧化物(NOx，x大于0以上且为2以下，优选为1以上且2以下)的信号。作为氮氧化物的典型例子，有一氧化氮、二氧化氮等。就是说，g值为2.037以上且2.039以下的第一信号、g值为2.001以上且2.003以下的第二信号以及g值为1.964以上且1.966以下的第三信号的自旋密度的总数越少，氧化物绝缘膜中的氮氧化物含量就越少。
另外，对上述氧化物绝缘膜利用SIMS测得的氮浓度为6×1020atoms/cm3以下。
通过在膜表面温度为220℃以上且350℃以下的情况下利用使用硅烷及一氧化二氮的PECVD法形成上述氧化物绝缘膜，可以形成致密且硬度高的膜。
绝缘膜116使用其氧含量超过化学计量组成的氧化物绝缘膜形成。其氧含量超过化学计量组成的氧化物绝缘膜由于被加热而其一部分的氧脱离。通过TDS分析，其氧含量超过化学计量组成的氧化物绝缘膜换算为氧原子的氧的脱离量为1.0×1019atoms/cm3以上，优选为3.0×1020atoms/cm3以上。注意，上述TDS分析时的膜的表面温度优选为100℃以上且700℃以下或100℃以上且500℃以下。
作为绝缘膜116可以使用厚度为30nm以上且500nm以下，优选为50nm以上且400nm以下的氧化硅膜、氧氮化硅膜等。
此外，优选使绝缘膜116中的缺陷量较少，典型的是，通过ESR测量的起因于硅的悬空键的g＝2.001处呈现的信号的自旋密度低于1.5×1018spins/cm3，更优选为1×1018spins/cm3以下。由于绝缘膜116与绝缘膜114相比离氧化物半导体膜108更远，所以绝缘膜116的缺陷密度也可以高于绝缘膜114。
另外，因为绝缘膜114、116可以使用相同种类材料形成，所以有时无法明确地确认到绝缘膜114与绝缘膜116之间的界面。因此，在本实施方式中，以虚线图示出绝缘膜114与绝缘膜116之间的界面。注意，在本实施方式中，虽然说明绝缘膜114与绝缘膜116的两层结构，但是不局限于此，例如，也可以采用绝缘膜114的单层结构。
绝缘膜118包含氮。另外，绝缘膜118包含氮及硅。此外，绝缘膜118具有能够阻挡氧、氢、水、碱金属、碱土金属等的功能。通过设置绝缘膜118，能够防止氧从氧化物半导体膜108扩散到外部，并且能够防止绝缘膜114、116所包含的氧扩散到外部，还能够防止氢、水等从外部侵入氧化物半导体膜108中。作为绝缘膜118，例如可以使用氮化物绝缘膜。作为该氮化物绝缘膜，有氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、氮氧化铝等。另外，也可以设置对氧、氢、水等具有阻挡效果的氧化物绝缘膜代替对氧、氢、水、碱金属、碱土金属等具有阻挡效果的氮化物绝缘膜。作为对氧、氢、水等具有阻挡效果的氧化物绝缘膜，有氧化铝膜、氧氮化铝膜、氧化镓膜、氧氮化镓膜、氧化钇膜、氧氮化钇膜、氧化铪膜、氧氮化铪膜等。
虽然上述所记载的导电膜、绝缘膜及氧化物半导体膜等各种膜可以利用溅射法或PECVD法形成，但是也可以利用例如热CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法形成。作为热CVD法的例子，可以使用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有机金属化学气相沉积)法或ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法。
由于热CVD法是不使用等离子体的成膜方法，因此具有不产生因等离子体损伤所引起的缺陷的优点。
可以以如下方法进行利用热CVD法的淀积：将源气体及氧化剂同时供应到腔室内，将腔室内的压力设定为大气压或减压，使其在衬底附近或在衬底上发生反应而沉积在衬底上。
另外，也可以以如下方法进行利用ALD法的淀积：将腔室内的压力设定为大气压或减压，将用于反应的源气体依次引入腔室，并且按该顺序反复地引入气体。例如，通过切换各开关阀(也称为高速阀)来将两种以上的源气体依次供应到腔室内，为了防止多种源气体混合，在引入第一源气体的同时或之后引入惰性气体(氩或氮等)等，然后引入第二源气体。注意，当同时引入第一源气体及惰性气体时，惰性气体被用作载流子气体，另外，可以在引入第二源气体的同时引入惰性气体。另外，也可以不引入惰性气体而通过真空抽气将第一源气体排出，然后引入第二源气体。第一源气体附着到衬底表面形成第一层，之后引入的第二源气体与该第一层起反应，由此第二层层叠在第一层上而形成薄膜。通过按该顺序反复多次地引入气体直到获得所希望的厚度为止，可以形成台阶覆盖性良好的薄膜。由于薄膜的厚度可以根据按顺序反复引入气体的次数来进行调节，因此，ALD法可以准确地调节厚度而适用于制造微型FET。
通过MOCVD法或ALD法等热CVD法可以形成上述实施方式所述的导电膜、绝缘膜、氧化物半导体膜及金属氧化膜等各种膜，例如，当形成In-Ga-Zn-O膜时，使用三甲基铟、三甲基镓及二甲基锌。三甲基铟的化学式为In(CH3)3。三甲基镓的化学式为Ga(CH3)3。另外，二甲基锌的化学式为Zn(CH3)2。另外，不局限于上述组合，也可以使用三乙基镓(化学式为Ga(C2H5)3)代替三甲基镓，并使用二乙基锌(化学式为Zn(C2H5)2)代替二甲基锌。
例如，在使用利用ALD法的淀积装置形成氧化铪膜时，使用如下两种气体：通过使包含溶剂和铪前体化合物的液体(铪醇盐、四二甲基酰胺铪(TDMAH)等铪酰胺)气化而得到的源气体；以及用作氧化剂的臭氧(O3)。此外，四二甲基酰胺铪的化学式为Hf[N(CH3)2]4。另外，作为其他材料液有四(乙基甲基酰胺)铪等。
例如，在使用利用ALD法的淀积装置形成氧化铝膜时，使用如下两种气体：通过使包含溶剂和铝前体化合物的液体(三甲基铝(TMA)等)气化而得到的源气体；以及用作氧化剂的H2O。此外，三甲基铝的化学式为Al(CH3)3。另外，作为其他材料液有三(二甲基酰胺)铝、三异丁基铝、铝三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮)等。
例如，在使用利用ALD法的淀积装置形成氧化硅膜时，使六氯乙硅烷附着在被成膜面上，去除附着物所包含的氯，供应氧化性气体(例如O2、一氧化二氮)的自由基使其与附着物起反应。
例如，在使用利用ALD法的淀积装置形成钨膜时，依次反复引入WF6气体和B2H6气体形成初始钨膜，然后使用WF6气体和H2气体形成钨膜。注意，也可以使用SiH4气体代替B2H6气体。
例如，在使用利用ALD法的淀积装置形成氧化物半导体膜如In-Ga-Zn-O膜时，依次反复引入In(CH3)3气体和O3气体形成InO层，然后使用Ga(CH3)3气体和O3气体形成GaO层，之后使用Zn(CH3)2气体和O3气体形成ZnO层。注意，这些层的顺序不局限于上述例子。此外，也可以混合这些气体来形成混合化合物层如In-Ga-O层、In-Zn-O层、Ga-Zn-O层等。注意，虽然也可以使用利用Ar等惰性气体使水鼓泡而得到的H2O气体代替O3气体，但是优选使用不包含H的O3气体。另外，也可以使用In(C2H5)3气体代替In(CH3)3气体。也可以使用Ga(C2H5)3气体代替Ga(CH3)3气体。也可以使用Zn(CH3)2气体。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式5
在本实施方式中，参照图21A至图21C对可用于本发明的一个方式的显示面板的晶体管的结构进行说明。
〈半导体装置的结构例子〉
图21A是晶体管100的俯视图，图21B相当于沿着图10A所示的切断线X1-X2的切断面的截面图，图21C相当于沿着图10A所示的切断线Y1-Y2的切断面的截面图。注意，在图21A中，为了方便起见，省略晶体管100的构成要素的一部分(用作栅极绝缘膜的绝缘膜等)而进行图示。此外，有时将切断线X1-X2方向称为沟道长度方向，将切断线Y1-Y2方向称为沟道宽度方向。注意，有时在后面的晶体管的俯视图中也与图21A同样地省略构成要素的一部分。
注意，可以将晶体管100用于实施方式1或实施方式2所说明的显示面板等。
例如，当将晶体管100用于晶体管MD时，将衬底102换称为绝缘膜501C、将导电膜104换称为导电膜504、将层叠有绝缘膜106及绝缘膜107的叠层膜换称为绝缘膜506、将氧化物半导体膜108换称为半导体膜508、将导电膜112a换称为导电膜512A、将导电膜112b换称为导电膜512B、将层叠有绝缘膜114及绝缘膜116的叠层膜换称为绝缘膜516、将绝缘膜118换称为绝缘膜518、并将导电膜120b换称为导电膜524。
晶体管100包括：衬底102上的用作第一栅电极的导电膜104；衬底102及导电膜104上的绝缘膜106；绝缘膜106上的绝缘膜107；绝缘膜107上的氧化物半导体膜108；与氧化物半导体膜108电连接的用作源电极的导电膜112a；与氧化物半导体膜108电连接的用作漏电极的导电膜112b；氧化物半导体膜108、导电膜112a及112b上的绝缘膜114、116；设置在绝缘膜116上且与导电膜112b电连接的导电膜120a；绝缘膜116上的导电膜120b；以及绝缘膜116及导电膜120a、120b上的绝缘膜118。
另外，在晶体管100中，绝缘膜106、107具有作为晶体管100的第一栅极绝缘膜的功能，绝缘膜114、116具有作为晶体管100的第二栅极绝缘膜的功能，绝缘膜118具有作为晶体管100的保护绝缘膜的功能。注意，在本说明书等中，有时分别将绝缘膜106、107称为第一绝缘膜，将绝缘膜114、116称为第二绝缘膜，将绝缘膜118称为第三绝缘膜。
可以将导电膜120b用于晶体管100的第二栅电极。
另外，当将晶体管100用于显示面板时，可以将导电膜120a用于显示元件的电极等。
另外，氧化物半导体膜108包括在第一栅电极的导电膜104一侧的氧化物半导体膜108b以及氧化物半导体膜108b上的氧化物半导体膜108c。另外，氧化物半导体膜108b及氧化物半导体膜108c包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn。
例如，作为氧化物半导体膜108b，优选包括In的原子个数比大于M的原子个数比的区域。另外，作为氧化物半导体膜108c，优选包括In的原子个数比小于氧化物半导体膜108b的区域。
通过使氧化物半导体膜108b包括其In的原子个数比大于M的原子个数比的区域，可以提高晶体管100的场效应迁移率(有时简单地称为迁移率或μFE)。具体而言，晶体管100的场效应迁移率可以超过10cm2/Vs，优选的是，晶体管100的场效应迁移率可以超过30cm2/Vs。
例如，通过将上述场效应迁移率高的晶体管用于生成栅极信号的栅极驱动器(特别是，连接到栅极驱动器所包括的移位寄存器的输出端子的多路分配器)，可以提供边框宽度窄(也称为窄边框)的半导体装置或显示装置。
另一方面，当氧化物半导体膜108b包括In的原子个数比大于M的原子个数比的区域时，当光照射时晶体管100的电特性容易变动。然而，在本发明的一个方式的半导体装置中，氧化物半导体膜108b上形成有氧化物半导体膜108c。另外，氧化物半导体膜108c包括In的原子个数比小于氧化物半导体膜108b的区域，所以氧化物半导体膜108c的Eg大于氧化物半导体膜108b。因此，采用氧化物半导体膜108b与氧化物半导体膜108c的叠层结构的氧化物半导体膜108能够提高对光照射负偏压应力测试的耐性。
另外，在氧化物半导体膜108中，尤其是混入到氧化物半导体膜108b的沟道区域的氢或水分等杂质对晶体管特性造成影响而引起问题。因此，在氧化物半导体膜108b中的沟道区域中，氢或水分等杂质越少越好。另外，形成在氧化物半导体膜108b中的沟道区域中的氧空缺对晶体管特性造成影响而引起问题。例如，当在氧化物半导体膜108b的沟道区域中形成有氧空缺时，该氧空缺与氢键合，而成为载流子供应源。当在氧化物半导体膜108b的沟道区域中产生载流子供应源时，包括氧化物半导体膜108b的晶体管100的电特性发生变动，典型为阈值电压的漂移。因此，在氧化物半导体膜108b的沟道区域中，氧空缺越少越好。
于是，在本发明的一个方式中，接触于氧化物半导体膜108的绝缘膜，具体而言，形成在氧化物半导体膜108下方的绝缘膜107及形成在氧化物半导体膜108上方的绝缘膜114、116包含过剩氧。通过使氧或过剩氧从绝缘膜107及绝缘膜114、116移动到氧化物半导体膜108，能够减少氧化物半导体膜中的氧空缺。因此，能够抑制晶体管100的电特性，尤其是因光照射产生的晶体管100的变动。
另外，在本发明的一个方式中，由于绝缘膜107及绝缘膜114、116包含过剩氧，使用不增加制造工序或制造工序的增加极少的制造方法。因此，能够提高晶体管100的成品率。
具体而言，在形成氧化物半导体膜108b的步骤中，通过利用溅射法在包含氧气体的气氛下形成氧化物半导体膜108b，对其上形成有氧化物半导体膜108b的绝缘膜107添加氧或过剩氧。
另外，在形成导电膜120a、120b的步骤中，通过利用溅射法在包含氧气体的气氛下形成导电膜120a、120b，对其上形成有导电膜120a、120b的绝缘膜116添加氧或过剩氧。注意，当对绝缘膜116添加氧或过剩氧时，有时还对位于绝缘膜116的下方的绝缘膜114及氧化物半导体膜108添加氧或过剩氧。
〈氧化物导电体〉
接着，对氧化物导电体进行说明。在形成导电膜120a、120b的步骤中，导电膜120a、120b被用作抑制氧从绝缘膜114、116释放的保护膜。另外，导电膜120a、120b在形成绝缘膜118的步骤之前具有作为半导体的功能，而导电膜120a、120b在形成绝缘膜118的步骤之后具有作为导电体的功能。
为了将导电膜120a、120b用作导电体，在导电膜120a、120b中形成氧空缺，对该氧空缺从绝缘膜118添加氢，由此在传导带附近形成施主能级。其结果是，导电膜120a、120b的导电性变高而成为导电体。可以将成为导电体的导电膜120a、120b分别称为氧化物导电体。一般而言，氧化物半导体的能隙较大，所以对可见光具有透光性。另一方面，氧化物导电体是在传导带附近具有施主能级的氧化物半导体。因此，氧化物导电体的起因于该施主能级的吸收的影响较小，而对可见光具有与氧化物半导体相同程度的透光性。
〈半导体装置的构成要素〉
下面将对本实施方式的半导体装置所包括的构成要素进行详细说明。
注意，下面的材料可以使用与在实施方式4中说明的材料同样的材料。
可以将可用于实施方式4所说明的衬底102的材料用于衬底102。另外，可以将可用于实施方式4所说明的绝缘膜106、107的材料用于绝缘膜106、107。
另外，可以将可用于实施方式4所说明的用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜的材料用于用作第一栅电极、源电极及漏电极的导电膜。
《氧化物半导体膜》
作为氧化物半导体膜108可以使用上述材料。
当氧化物半导体膜108b为In-M-Zn氧化物时，用来形成In-M-Zn氧化物的溅射靶材的金属元素的原子个数比优选满足In>M。作为这种溅射靶材的金属元素的原子个数比，可以举出In:M:Zn＝2:1:3、In:M:Zn＝3:1:2、In:M:Zn＝4:2:4.1等。
另外，当氧化物半导体膜108c为In-M-Zn氧化物时，用来形成In-M-Zn氧化物的溅射靶材的金属元素的原子个数比优选满足In≤M。作为这种溅射靶材的金属元素的原子个数比，可以举出In:M:Zn＝1:1:1、In:M:Zn＝1:1:1.2、In:M:Zn＝1:3:2、In:M:Zn＝1:3:4、In:M:Zn＝1:3:6、In:M:Zn＝1:4:5等。
另外，当氧化物半导体膜108b及氧化物半导体膜108c为In-M-Zn氧化物时，作为溅射靶材优选使用包含多晶的In-M-Zn氧化物的靶材。通过使用包含多晶的In-M-Zn氧化物的靶材，容易形成具有结晶性的氧化物半导体膜108b及氧化物半导体膜108c。注意，所形成的氧化物半导体膜108b及氧化物半导体膜108c的原子个数比分别包含上述溅射靶材中的金属元素的原子个数比的±40％的范围内的误差。例如，在作为氧化物半导体膜108b的溅射靶材使用原子个数比为In:Ga:Zn＝4:2:4.1时，有时所形成的氧化物半导体膜108b的原子个数比为In:Ga:Zn＝4:2:3或其附近。
氧化物半导体膜108的能隙为2eV以上，优选为2.5eV以上，更优选为3eV以上。如此，通过使用能隙较宽的氧化物半导体，可以降低晶体管100的截止态电流。尤其是，作为氧化物半导体膜108b使用能隙为2eV以上，优选为2eV以上且3.0eV以下的氧化物半导体膜，作为氧化物半导体膜108c使用能隙为2.5eV以上且3.5eV以下的氧化物半导体膜。此外，优选氧化物半导体膜108c的能隙大于氧化物半导体膜108b的能隙。
此外，氧化物半导体膜108b及氧化物半导体膜108c的厚度分别为3nm以上且200nm以下，优选分别为3nm以上且100nm以下，更优选分别为3nm以上且50nm以下。
此外，作为氧化物半导体膜108c使用载流子密度较低的氧化物半导体膜。例如，氧化物半导体膜108c的载流子密度为1×1017个/cm3以下，优选为1×1015个/cm3以下，更优选为1×1013个/cm3以下，进一步优选为1×1011个/cm3以下。
本发明不局限于上述记载，可以根据所需的晶体管的半导体特性及电特性(场效应迁移率、阈值电压等)来使用具有适当的组成的材料。另外，优选适当地设定氧化物半导体膜108b及氧化物半导体膜108c的载流子密度、杂质浓度、缺陷密度、金属元素与氧的原子个数比、原子间距离、密度等，以得到所需的晶体管的半导体特性。
通过作为氧化物半导体膜108b及氧化物半导体膜108c分别使用杂质浓度低且缺陷态密度低的氧化物半导体膜，可以制造具有更优良的电特性的晶体管，所以是优选的。这里，将杂质浓度低且缺陷态密度低(氧空缺少)的状态称为“高纯度本征”或“实质上高纯度本征”。因为高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜的载流子发生源较少，所以可以降低载流子密度。因此，在该氧化物半导体膜中形成有沟道区域的晶体管很少具有负阈值电压的电特性(很少有常导通特性)。因为高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜具有较低的缺陷态密度，所以有可能具有较低的载流子陷阱。高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜的截止态电流显著低，即便是沟道宽度为1×106μm、沟道长度L为10μm的元件，当源电极与漏电极间的电压(漏电压)在1V至10V的范围时，截止态电流也可以为半导体参数分析仪的测定极限以下，即1×10-13A以下。
因此，在上述高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜中形成有沟道区域的晶体管可以是电特性变动小且可靠性高的晶体管。此外，被氧化物半导体膜的陷阱能级俘获的电荷到消失需要较长的时间，有时像固定电荷那样动作。因此，有时在陷阱态密度高的氧化物半导体膜中形成有沟道区域的晶体管的电特性不稳定。作为杂质有氢、氮、碱金属或碱土金属等。
包含在氧化物半导体膜中的氢与键合于金属原子的氧起反应生成水，与此同时在发生氧脱离的晶格(或氧脱离的部分)中形成氧空缺。当氢进入该氧空缺时，有时生成作为载流子的电子。另外，有时由于氢的一部分与键合于金属原子的氧键合，产生作为载流子的电子。因此，使用包含氢的氧化物半导体膜的晶体管容易具有常导通特性。由此，优选尽可能减少氧化物半导体膜108中的氢。具体而言，在氧化物半导体膜108中，利用SIMS(二次离子质谱分析法：Secondary Ion Mass Spectrometry)测得的氢浓度为2×1020atoms/cm3以下，优选为5×1019atoms/cm3以下，更优选为1×1019atoms/cm3以下，更优选为5×1018atoms/cm3以下，更优选为1×1018atoms/cm3以下，更优选为5×1017atoms/cm3以下，更优选为1×1016atoms/cm3以下。
另外，氧化物半导体膜108b优选包括氢浓度小于氧化物半导体膜108c的区域。通过使氧化物半导体膜108b包括氢浓度小于氧化物半导体膜108c的区域，可以提供可靠性高的半导体装置。
此外，当氧化物半导体膜108b包含第14族元素之一的硅或碳时，在氧化物半导体膜108b中氧空缺增加而导致氧化物半导体膜108b的n型化。因此，氧化物半导体膜108b中的硅或碳的浓度以及与氧化物半导体膜108b之间的界面附近的硅或碳的浓度(利用SIMS分析测得的浓度)为2×1018atoms/cm3以下，优选为2×1017atoms/cm3以下。
另外，在氧化物半导体膜108b中，利用SIMS分析测得的碱金属或碱土金属的浓度为1×1018atoms/cm3以下，优选为2×1016atoms/cm3以下。当碱金属及碱土金属与氧化物半导体键合时有时生成载流子而使晶体管的截止态电流增大。由此，优选降低氧化物半导体膜108b的碱金属或碱土金属的浓度。
当在氧化物半导体膜108b中含有氮时，生成作为载流子的电子，载流子密度增加而导致氧化物半导体膜108b的n型化。其结果是，使用含有氮的氧化物半导体膜的晶体管容易具有常导通特性。因此，优选尽可能地减少氧化物半导体膜中的氮，例如，利用SIMS分析测得的氮浓度优选为5×1018atoms/cm3以下。
氧化物半导体膜108b及氧化物半导体膜108c可以分别具有非单晶结构。非单晶结构例如包括下述CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c轴取向结晶氧化物半导体)、多晶结构、微晶结构或非晶结构。在非单晶结构中，非晶结构的缺陷态密度最高，而CAAC-OS的缺陷态密度最低。
《用作第二栅极绝缘膜的绝缘膜》
绝缘膜114、116被用作晶体管100的第二栅极绝缘膜。另外，绝缘膜114、116具有对氧化物半导体膜108供应氧的功能。即，绝缘膜114、116包含氧。另外，绝缘膜114是能够使氧透过的绝缘膜。注意，绝缘膜114还被用作在后面形成绝缘膜116时缓解对氧化物半导体膜108造成的损伤的膜。
例如，可以将实施方式4所说明的绝缘膜114、116用于绝缘膜114、116。
《用作导电膜的氧化物半导体膜及用作第二栅电极的氧化物半导体膜》
可以将与上述氧化物半导体膜108同样的材料用于用作导电膜的导电膜120a及用作第二栅电极的导电膜120b。
也就是说，用作导电膜的导电膜120a及用作第二栅电极的导电膜120b含有包含于氧化物半导体膜108(氧化物半导体膜108b及氧化物半导体膜108c)中的相同的金属元素。例如，通过使用作第二栅电极的导电膜120b与用作氧化物半导体膜108(氧化物半导体膜108b及氧化物半导体膜108c)包含相同金属元素，能够抑制制造成本。
例如，当用作导电膜的导电膜120a及用作第二栅电极的导电膜120b是In-M-Zn氧化物时，用来形成In-M-Zn氧化物的溅射靶材的金属元素的原子个数比优选满足In≥M。作为这种溅射靶材的金属元素的原子个数比，可以举出In:M:Zn＝2:1:3、In:M:Zn＝3:1:2、In:M:Zn＝4:2:4.1等。
另外，作为用作导电膜的导电膜120a及用作第二栅电极的导电膜120b的结构，可以采用单层结构或两层以上的叠层结构。注意，当导电膜120a、120b是叠层结构时，不限于上述溅射靶材的组成。
《用作晶体管的保护绝缘膜的绝缘膜》
绝缘膜118被用作晶体管100的保护绝缘膜。
绝缘膜118包含氮及氢之一或两者。或者，绝缘膜118包含氮及硅。此外，绝缘膜118具有能够阻挡氧、氢、水、碱金属、碱土金属等的功能。通过设置绝缘膜118，能够防止氧从氧化物半导体膜108扩散到外部，并且能够防止绝缘膜114、116所包含的氧扩散到外部，还能够防止氢、水等从外部侵入氧化物半导体膜108中。
另外，绝缘膜118具有对导电膜120a及用作第二栅电极的导电膜120b供应氢及氮中的任一方或双方的功能。尤其是，作为绝缘膜118，优选具有包含氢且将该氢供应到导电膜120a、120b的功能。通过将氢从绝缘膜118供应到导电膜120a、120b，导电膜120a、120b具有作为导电体的功能。
作为绝缘膜118，例如可以使用氮化物绝缘膜。作为该氮化物绝缘膜，有氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、氮氧化铝等。
虽然上述所记载的导电膜、绝缘膜及氧化物半导体膜等各种膜可以利用溅射法或PECVD法形成，但是也可以利用例如热CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法形成。作为热CVD法的例子，可以使用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有机金属化学气相沉积)法或ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法。具体而言，可以通过实施方式4所说明的方法形成。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式6
在本实施方式中，参照图22说明本发明的一个方式的输入/输出装置的结构。
图22是说明输入/输出装置800的结构的分解图。
输入/输出装置800包括显示面板806及具有与显示面板806重叠的区域的触摸传感器804。输入/输出装置800可以被称为触摸面板。
输入/输出装置800包括：驱动触摸传感器804及显示面板806的驱动电路810；对驱动电路810供应电力的电池811；以及容纳触摸传感器804、显示面板806、驱动电路810及电池811的壳体部(housing)。
《触摸传感器804》
触摸传感器804具有与显示面板806重叠的区域。FPC803与触摸传感器804电连接。
例如，可以将电阻触摸方式、电容触摸式或使用光电转换元件的触摸方式等用于触摸传感器804。
另外，也可以将触摸传感器804用于显示面板806的一部分。
《显示面板806》
例如，可以将在实施方式1或实施方式2中说明的显示面板用于显示面板806。FPC805与显示面板806电连接。
《驱动电路810》
例如，可以将电源电路或信号处理电路等用于驱动电路810。另外，也可以利用电池或外部的商用电源所供应的电力。
信号处理电路具有输出视频信号及时钟信号等的功能。
电源电路具有供应预定的电力的功能。
《壳体部》
例如，作为壳体部可以使用：上盖801、与上盖801配合在一起的下盖802；以及容纳于被上盖801及下盖802围绕的区域的框架(frame)809。
框架809具有保护显示面板806的功能、遮断随着驱动电路810的工作而发生的电磁波的功能或作为散热板的功能。
可以将金属、树脂或人造橡胶等用于上盖801、下盖802或框架809。
《电池811》
电池811具有供应电力的功能。
可以将偏振片、相位差板、棱镜片等构件用于输入/输出装置800。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式7
在本实施方式中，参照图23A和图23B、图24A至图24D、图25A和图25B及图26说明本发明的一个方式的信息处理装置的结构。
图23A是说明信息处理装置200的结构的方框图。图23B是说明信息处理装置200的外观的一个例子的投影图。
图24A是说明显示部230的结构的方框图。图24B是说明显示部230B的结构的方框图。图24C是说明像素232(i，j)的结构的电路图。
〈数据处理装置的结构例子〉
在本实施方式中说明的信息处理装置200包括运算装置210及输入/输出装置220(参照图23A)。
并且，运算装置210具有接收位置信息P1且供应图像信息V及控制信息的功能。
输入/输出装置220具有供应位置信息P1的功能，且接收图像信息V及控制信息。
输入/输出装置220包括显示图像信息V的显示部230及供应位置信息P1的输入部240。
另外，显示部230包括第一显示元件及与第一显示元件的反射膜所包括的开口部重叠的第二显示元件。另外，包括驱动第一显示元件的第一像素电路及驱动第二显示元件的第二像素电路。
输入部240具有检测指向器的位置并供应根据位置决定的位置信息P1的功能。
运算装置210具有根据位置信息P1决定指向器的移动速度的功能。
运算装置210具有根据移动速度决定图像信息V的对比度或亮度的功能。
在本实施方式中说明的信息处理装置200包括：供应位置信息P1且接收图像信息的输入/输出装置220；以及接收位置信息P1且供应图像信息V的运算装置210，运算装置210具有根据位置信息P1的移动速度决定图像信息V的对比度或亮度的功能。
由此，在移动图像信息的显示位置时，可以减轻对使用者的眼睛产生的负担，而可以实现护眼显示。另外，可以降低功耗，并且即使在直射阳光等亮环境也可以提供优异的可见度。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的信息处理装置。
〈结构〉
本发明的一个方式的信息处理装置包括运算装置210或输入/输出装置220。
《运算装置210》
运算装置210包括运算部211及存储部212。另外，包括传送通道214及输入/输出接口215(参照图23A)。
《运算部211》
运算部211例如具有执行程序的功能。例如，可以使用在实施方式8中说明的CPU。由此，可以充分地降低功耗。
《存储部212》
存储部212具有储存例如运算部211所执行的程序、初始信息、设定信息或图像等的功能。
具体而言，存储部212可以使用硬盘、快闪存储器或包括包含氧化物半导体的晶体管的存储器等。
《输入/输出接口215、传送通道214》
输入/输出接口215包括端子或布线，具有供应且接收信息的功能。例如，可以与传送通道214电连接。另外，可以与输入/输出装置220电连接。
传送通道214包括布线，具有供应且接收信息的功能。例如，可以与输入/输出接口215电连接。另外，可以与运算部211或存储部212电连接。
《输入/输出装置220》
输入/输出装置220包括显示部230、输入部240、感测部250或通信部290。
《显示部230》
显示部230包括显示区域231、驱动电路GD以及驱动电路SD(参照图24A)。例如，可以使用在实施方式1或实施方式2中说明的显示面板。由此，可以降低功耗。
显示区域231包括：布置于行方向的多个像素232(i，1)至232(i，n)，布置于列方向的多个像素232(1，j)至232(m，j)，扫描线G(i)电连接于像素232(i，1)至232(i，n)，信号线S(j)电连接于像素232(1，j)至232(m，j)。注意，i是1以上且m以下的整数，j是1以上且n以下的整数，m及n是1以上的整数。
像素232(i，j)与扫描线G1(i)、扫描线G2(i)、信号线S(j)、布线ANO、布线VCOM1及布线VCOM2电连接(参照图24C)。
扫描线G(i)包括扫描线G1(i)及扫描线G2(i)(参照图24A及图24B)。
另外，显示部可以包括多个驱动电路。例如，显示部230B可以包括驱动电路GDA及驱动电路GDB(参照图24B)。
《驱动电路GD》
驱动电路GD具有根据控制信息供应选择信号的功能。
例如，驱动电路GD具有根据控制信息以30Hz以上、优选为60Hz以上的频率对一扫描线供应选择信号的功能。由此，可以流畅地显示动态图像。
例如，驱动电路GD具有根据控制信息以低于30Hz、优选为低于1Hz、更优选为低于1次/分的频率对一扫描线供应选择信号的功能。由此，可以在闪烁被抑制的状态下显示静态图像。
另外，例如，当包括多个驱动电路时，可以使驱动电路GDA供应选择信号的频率与驱动电路GDB供应选择信号的频率不同。具体而言，可以在流畅地显示动态图像的区域中以比在闪烁被抑制的状态下显示静态图像的区域更高的频率供应选择信号。
《驱动电路SD》
驱动电路SD具有根据图像信息V供应图像信号的功能。
《像素232(i，j)》
像素232(i，j)包括第一显示元件235LC及与第一显示元件235LC的反射膜所包括的开口部重叠的第二显示元件235EL。另外，包括驱动第一显示元件235LC的第一像素电路及驱动第二显示元件235EL的第二像素电路(参照图24C)。
《第一显示元件235LC》
例如，可以将具有控制透光的功能的显示元件用于第一显示元件235LC。具体而言，可以使用偏振片及液晶元件或快门方式的MEMS显示元件等。
具体而言，可以使用可通过IPS(面内切换，In-Plane-Switching)模式、TN(扭曲向列相，Twisted Nematic)模式、FFS(边缘场切换，Fringe Field Switching)模式、ASM(轴向对称取向微单元，Axially Symmetric aligned Micro-cell)模式、OCB(光学补偿双折射，Optically Compensated Birefringence)模式、FLC(铁电液晶，Ferroelectric LiquidCrystal)模式、AFLC(反铁电液晶，AntiFerroelectric Liquid Crystal)模式等驱动方法驱动的液晶元件。
另外，可以使用可通过例如如下模式驱动的液晶元件：垂直取向(VA)模式诸如MVA(多畴垂直取向，Multi-Domain Vertical Alignment)模式、PVA(模式化垂直取向，Patterned Vertical Alignment)模式、ECB(电控双折射，Electrically ControlledBirefringence)模式、CPA(连续焰火状取向，Continuous Pinwheel Alignment)模式、ASV(高级超视，Advanced Super-View)模式等。
第一显示元件235LC包括第一电极、第二电极及液晶层。液晶层包含能够利用第一电极及第二电极间的电压控制取向的液晶材料。例如，可以将液晶层的厚度方向(也被称为纵向方向)、横向方向或对角方向的电场用于控制液晶材料的取向的电场。
例如，可以使用热致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、铁电液晶、反铁电液晶等。可以使用呈现胆甾相、近晶相、立方相、手征向列相、各向同性相等的液晶材料。或者，可以使用呈现蓝相的液晶材料。
《第二显示元件235EL》
例如，可以将具有发射光的功能的显示元件用于第二显示元件235EL。具体而言，可以使用有机EL元件。
具体而言，可以将发射白色光的有机EL元件用于第二显示元件235EL。或者，可以将发射蓝色光、绿色光或红色光的有机EL元件用于第二显示元件235EL。
《像素电路》
可以将具有驱动第一显示元件235LC及/或第二显示元件235EL的功能的电路用于像素电路。
例如，说明像素电路，该像素电路与扫描线G1(i)、扫描线G2(i)、信号线S(j)、布线ANO、布线VCOM1及布线VCOM2电连接，并驱动液晶元件或有机EL元件(参照图24C)。
另外，例如，可以将开关、晶体管、二极管、电阻器、电容器或电感器等用于像素电路。
例如，可以将一个或多个晶体管用于开关。或者，可以将并联连接的多个晶体管、串联连接的多个晶体管、组合串联与并联连接的多个晶体管用于一开关。
例如，可以使用第一显示元件235LC的第一电极及具有与第一电极重叠的区域的导电膜形成电容器。
例如，像素电路包括栅电极与扫描线G1(i)电连接、第一电极与信号线S(j)电连接、并被用作开关SW1的晶体管。另外，包括第一电极与晶体管的第二电极电连接且第二电极与布线VCOM1电连接的第一显示元件235LC。另外，包括第一电极与晶体管的第二电极电连接且第二电极与布线VCOM1电连接的电容器C1。
另外，像素电路包括栅电极与扫描线G2(i)电连接、第一电极与信号线S(j)电连接、并被用作开关SW2的晶体管。另外，包括栅电极与用作开关SW2的晶体管的第二电极电连接、第一电极与布线ANO电连接的晶体管M。另外，包括第一电极与用作开关SW2的晶体管的第二电极电连接、第二电极与晶体管M的第二电极电连接的电容器C2。另外，包括第一电极与晶体管M的第二电极电连接，第二电极与布线VCOM2电连接的第二显示元件235EL。
《晶体管》
例如，可以将能够在同一步骤中形成的半导体膜用于驱动电路及像素电路的晶体管。
例如，可以使用底栅型晶体管或顶栅型晶体管等。
例如，可以容易地将包含非晶硅作为半导体的底栅型晶体管的生产线改造成包含氧化物半导体作为半导体的底栅型晶体管的生产线。另外，例如，可以容易地将包含多晶硅作为半导体的顶栅型的生产线改造成包含氧化物半导体作为半导体的顶栅型的晶体管的生产线。
例如，可以利用使用包含第4族元素的半导体的晶体管。具体而言，可以将包含硅的半导体用于半导体膜。例如，可以使用将单晶硅、多晶硅、微晶硅或非晶硅等用于半导体膜的晶体管。
将多晶硅用于半导体的晶体管的制造所需的温度低于将单晶硅用于半导体的晶体管的制造所需的温度。
另外，将多晶硅用于半导体的晶体管的场效应迁移率高于将非晶硅用于半导体的晶体管的场效应迁移率。由此，可以提高像素的开口率。另外，可以将以极高的密度设置的像素与栅极驱动电路及源极驱动电路形成在同一衬底上。其结果是，可以减少构成电子设备的构件数。
另外，将多晶硅用于半导体的晶体管的可靠性比将非晶硅用于半导体的晶体管高。
例如，可以利用使用氧化物半导体的晶体管。具体而言，可以将包含铟的氧化物半导体或包含铟、镓及锌的氧化物半导体用于半导体膜。
例如，可以使用截止状态时的泄漏电流比将非晶硅用于半导体膜的晶体管小的晶体管。具体而言，可以使用将氧化物半导体用于半导体膜的晶体管。
由此，可以使像素电路能够保持图像信号的时间比使用将非晶硅用于半导体膜的晶体管的像素电路能够保持的时间长。具体而言，可以抑制闪烁的发生，并以低于30Hz、优选为低于1Hz、更优选为低于1次/分的频率供应选择信号。其结果是，可以降低信息处理装置的使用者的眼疲劳。另外，可以降低伴随驱动的功耗。
另外，例如，可以利用使用化合物半导体的晶体管。具体而言，可以将包含砷化镓的半导体用于半导体膜。
例如，可以利用使用有机半导体的晶体管。具体而言，可以将包含聚并苯类或石墨烯的有机半导体用于半导体膜。
《输入部240》
可以将各种人机界面等用于输入部240(参照图23A)。
例如，可以将键盘、鼠标、触摸传感器、麦克风或照相机等用于输入部240。另外，可以使用具有重叠于显示部230的区域的触摸传感器。可以将包括显示部230及具有重叠于显示部230的区域的触摸传感器的输入/输出装置称为触摸面板。
例如，使用者可以将接触到触摸面板的手指用作指向器来作各种手势(点按、拖拉、滑动或捏合等)。
例如，运算装置210分析接触触摸面板的手指的位置或轨迹等信息，当分析结果满足预定的条件时，确定其被供应了指定的手势。由此，使用者可以使用该手势供应预先设定成与指定的手势相关联的指定的操作指令。
例如，使用者可以利用在触摸面板上移动接触触摸面板的手指的手势提供改变图像信息所显示的部分的“滚动指令”。
《感测部250》
感测部250具有检测周围的状态而获取信息P2的功能。
例如，可以将照相机、加速度传感器、方向传感器、压力传感器、温度传感器、湿度传感器、照度传感器或GPS(Global positioning System：全球定位系统)信号接收电路等用于感测部250。
例如，当运算装置210判断感测部250的照度传感器所检测的周围的亮度级与预定的照度相比充分亮时，使用第一显示元件235LC显示图像数据。当运算装置210判断为微暗时，使用第一显示元件235LC及第二显示元件235EL显示图像数据。或者，当判断为暗时，使用第二显示元件235EL显示图像数据。
具体而言，使用反射型显示元件及/或自发光型显示元件，根据周围的亮度显示图像。例如，可以将液晶元件用于反射型显示元件，将有机EL元件用于自发光型显示元件。
由此，例如，可以在外光较强的环境下使用反射型显示元件，在微暗环境下使用反射型显示元件及自发光型显示元件，并在暗环境下使用自发光型显示元件显示图像信息。其结果是，可以提供一种能够进行可见度优异的显示的新颖的显示面板。可以提供一种能够降低功耗的新颖的显示面板。另外，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的数据处理器。
例如，可以将具有检测环境光的色度的功能的传感器用于感测部250。具体而言，可以使用CCD照相机等。由此，例如，可以根据感测部250所检测出的环境光的色度调整白平衡。
具体而言，在第一步骤中，检测环境光的白平衡的失衡破坏。
在第二步骤中，估测使用第一显示元件反射环境光而显示的图像所缺的颜色的光的强度。
在第三步骤中，使用第一显示元件反射环境光，从第二显示元件以弥补所缺的颜色的光的方式发射光，由此显示图像。
由此，通过使用第一显示元件反射的光及第二显示元件发射的光，可以进行白平衡被调整的显示。其结果是，可以提供一种能够显示功耗被降低或白平衡被调整的图像且方便性或可靠性优异的新颖的数据处理器。
《通信部290》
通信部290具有对网络供应信息/从网络获取信息的功能。
《程序》
参照图25A和图25B及图26，利用本发明的一个方式的程序说明本发明的一个方式。
图25A是说明本发明的一个方式的程序的主处理的流程图，图25B是说明中断处理的流程图。
图26是说明在显示部230显示图像信息的方法的示意图。
本发明的一个方式的程序包括如下的步骤(参照图25A)。
在第一步骤中，设定被初始化(参照图25A(S1))。
例如，可以将预定的图像信息及第二模式用于初始设定。
例如，可以将静态图像用于预定的图像信息。或者，可以将以低于30Hz、优选为低于1Hz、更优选为低于1次/分的频率供应选择信号的模式用于第二模式。例如，当在数据处理器中以秒为时间标度显示时刻时，可以将以1Hz的频率供应选择信号的模式用于第二模式。或者，当在数据处理器中以分为时间标度显示时刻时，可以将以1次/分的频率供应选择信号的模式用于第二模式。
在第二步骤中，允许中断处理(参照图25A(S2))。中断处理被允许的运算装置可以在进行主处理的同时并行进行中断处理。从中断处理恢复到主处理的运算装置可以将通过中断处理获得的结果反映到主处理。例如，当在信息处理装置中以秒为时间标度显示时刻时，可以将以1Hz的频率供应选择信号的模式用于第二模式。或者，当在信息处理装置中以分为时间标度显示时刻时，可以将以1次/分的频率供应选择信号的模式用于第二模式。
当计数器为初始值时，可以使运算装置进行中断处理，在运算装置从中断处理恢复时，也可以将计数器设定为初始值以外的值。由此，在启动程序之后随时可以执行中断处理。
在第三步骤中，以在第一步骤或中断处理中选择的预定的模式显示图像信息(参照图25A(S3))。
例如，根据初始设定以第二模式显示预定的图像信息。
具体而言，利用以低于30Hz、优选为低于1Hz、更优选为低于1次/分的频率对一扫描线供应选择信号的模式显示预定的图像信息。
例如，在时刻T1供应选择信号，在显示部230显示第一图像信息PIC1(参照图26)。另外，例如在时刻T1的1秒后的时刻T2供应选择信号来显示预定的图像信息。
或者，当在中断处理中没有被供应预定的事件时，以第二模式显示一图像信息。
例如，在时刻T5供应选择信号，在显示部230中显示第四图像信息PIC4。另外，例如在时刻T5的1秒后的时刻T6供应选择信号以显示同一图像信息。注意，时刻T5至时刻T6的期间长度可以与时刻T1至时刻T2的期间长度相等。
例如，当在中断处理中被供应预定的事件时，以第一模式显示预定的图像信息。
具体而言，在中断处理中，当被供应与“翻页指令”相关联的事件时，使用以30Hz以上、优选为60Hz以上的频率对一扫描线供应选择信号的模式，图像信息从一个切换到另一个。
或者，在中断处理中，当被供应与“滚动指令”相关联的事件时，在以30Hz以上、优选为60Hz以上的频率对一扫描线供应选择信号的模式中显示包括所显示的第一图像信息PIC1的一部分及随后的部分的第二图像信息PIC2。
由此，例如可以流畅地显示随着“翻页指令”逐渐切换图像的动态图像。或者，可以流畅地显示随着“滚动指令”逐渐移动图像的动态图像。
具体而言，在与“滚动指令”相关联的事件被供应后的时刻T3供应选择信号，显示显示位置等从第一图像信息PIC1改变了的第二图像信息PIC2(参照图26)。另外，在时刻T4供应选择信号，并显示显示位置等从第二图像信息PIC2改变了的第三图像信息PIC3。注意，时刻T2至时刻T3的期间、时刻T3至时刻T4的期间及时刻T4至时刻T5的期间比时刻T1至时刻T2的期间短。
在第四步骤中，当被供应终止指令时移动到第五步骤，而当没有被供应终止指令时移动到第三步骤(参照图25A(S4))。
例如，在中断处理中，可以供应终止指令。
在第五步骤中，终止程序(参照图25A(S5))。
中断处理包括如下第六步骤至第九步骤(参照图25B)。
在第六步骤中，当被供应预定的事件时，选择第七步骤，而当没有被供应预定的事件时，选择第八步骤(参照图25B(S6))。
例如，可以将在预定的期间是否被供应预定的事件作为转移条件。具体而言，预定的期间可以是比0秒长且为5秒以下、优选为1秒以下、更优选为0.5秒以下、进一步优选为0.1秒以下的期间。
另外，例如与终止指令相关联的事件也可以包括在预定的事件中。
在第七步骤中，改变模式(参照图25B(S7))。具体而言，当之前选择第一模式时，选择第二模式，当之前选择第二模式时，选择第一模式。
在第八步骤中，终止中断处理(参照图25B(S8))。
《预定事件》
可以使各种指令和各种事件相关联。
例如，有从所显示的一个图像信息切换为显示其他图像信息的“翻页指令”、移动一个图像信息的显示的一部分的显示位置且显示连着该一部分的其他部分的“滚动指令”等。
例如，可以使用利用鼠标等指向装置提供的“点击”或“拖拉”等的事件、将手指等用于指向器对触摸屏提供的“点按”、“拖拉”或“滑动”等事件。
例如，可以利用指向器所指示的滑动条的位置、滑动速度、拖拉速度等供应与预定的事件相关联的指令的参数。
具体而言，可以赋予在执行“翻页指令”时使用的决定翻页速度等的参数、在执行“滚动指令”时使用的决定显示位置的移动速度等的参数。
此外，例如，也可以根据翻页速度及/或滚动速度改变显示的亮度、对比度或色调。
具体而言，当翻页速度及/或滚动速度比预定的速度快时，可以以与速度同步地使显示亮度变暗的方式显示。
或者，当翻页速度及/或滚动速度比预定的速度快时，可以以与速度同步地降低对比度的方式显示。
例如，预定的速度可以是难以用眼睛追踪所显示的图像的速度。
另外，可以以促使图像信息所含的亮灰度(具有高灰度级)的区域接近暗灰度(具有低灰度级)的区域的方式降低对比度。
或者，可以以促使图像信息所含的暗灰度的区域接近亮灰度的区域的方式降低对比度的方法。
具体而言，当翻页速度及/或滚动速度比预定的速度快时，可以以与速度同步地增大黄色色调的方式显示。或者，可以以与速度同步地减弱蓝色色调的方式显示。
可以使用感测部250检测信息处理装置的使用环境，并根据检测出的信息生成图像信息。例如，可以从使用者所选择的一群颜色中根据所获得的环境的亮度等选择颜色，并将该颜色用于图像信息的背景颜色(参照图23B)。由此，可以为使用信息处理装置200的使用者提供合适的环境。
另外，可以使用通信部290接收传播到特定空间的信息，并根据接收的信息生成图像信息。例如，可以接收并显示传播到教室的教材，并将该教材用于教科书。或者，可以接收并显示传送到企业等的会议室的资料。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式8
在本实施方式中，对半导体装置(存储装置)及包括该半导体装置的CPU进行说明，该半导体装置(存储装置)即使在没有电力供应的情况下也能够保持存储内容，并且对写入次数没有限制。在本实施方式中说明的CPU例如可以被用于在实施方式7中说明的信息处理装置。
〈存储装置〉
图27A至27C示出半导体装置(存储装置)的一个例子，该半导体装置(存储装置)即使在没有电力供应的情况下也能够保持存储内容，并且，对写入次数也没有限制。另外，图27B是由电路图表示图27A的结构。
在图27A及27B所示的半导体装置包括：使用第一半导体材料的晶体管3200；使用第二半导体材料的晶体管3300；以及电容器3400。
第一半导体材料及第二半导体材料优选是具有不同的能隙的材料。例如，第一半导体材料可以是氧化物半导体以外的半导体材料(例如含硅(包括应变硅)、锗、硅锗、碳化硅、砷化镓、砷化铝镓、磷化铟、氮化镓、有机半导体等)，第二半导体材料可以是氧化物半导体。使用用作氧化物半导体以外的材料作为单晶硅等的晶体管易于进行高速工作。另一方面，使用氧化物半导体的晶体管的截止态电流低。
晶体管3300是其沟道形成在包括氧化物半导体的半导体层中的晶体管。因为晶体管3300的截止态电流小，所以通过使用该晶体管，可以长期保持存储内容。换言之，因为可以形成不需要刷新工作或刷新工作的频率极低的半导体存储装置，所以可以充分降低功耗。
在图27B中，第一布线3001与晶体管3200的源电极电连接，第二布线3002与晶体管3200的漏电极电连接。此外，第三布线3003与晶体管3300的源电极和漏电极中的一个电连接，第四布线3004与晶体管3300的栅电极电连接。再者，晶体管3200的栅电极及晶体管3300的源电极和漏电极中的另一个与电容器3400的电极的一个电连接，第五布线3005与电容器3400的电极的另一个电连接。
在图27A所示的半导体装置中，通过有效地利用能够保持晶体管3200的栅电极的电位的特征，可以如下所示那样进行数据的写入、保持以及读出。
对数据的写入及保持进行说明。首先，将第四布线3004的电位设定为使晶体管3300成为导通状态的电位，使晶体管3300成为导通状态。由此，第三布线3003的电位施加到晶体管3200的栅电极及电容器3400。换言之，对晶体管3200的栅电极施加预定的电荷(写入)。这里，施加赋予两种不同电位电平的电荷(以下，称为低电平电荷、高电平电荷)中的任一种。然后，通过将第四布线3004的电位设定为使晶体管3300成为截止状态(off-state)的电位，来使晶体管3300成为截止状态，而保持施加到晶体管3200的栅电极的电荷(保持)。
因为晶体管3300的截止态电流极小，所以晶体管3200的栅电极的电荷被长时间地保持。
接着，对数据的读出进行说明。当在对第一布线3001施加预定的电位(恒电位)的状态下对第五布线3005施加适当的电位(读出电位)时，根据保持在晶体管3200的栅电极中的电荷量，第二布线3002具有不同的电位。这是因为如下缘故：一般而言，在晶体管3200为n沟道晶体管的情况下，对晶体管3200的栅电极施加高电平电荷时的表观阈值电压Vth_H低于对晶体管3200的栅电极施加低电平电荷时的表观阈值电压Vth_L。在此，表观阈值电压是指为了使晶体管3200成为“导通状态”所需要的第五布线3005的电位。因此，通过将第五布线3005的电位设定为Vth_L与Vth_H之间的电位V0，可以确定施加到晶体管3200的栅电极的电荷。例如，在写入时向晶体管3200的栅电极供应高电平电荷的情况下，如果第五布线3005的电位为V0(>Vth_H)，晶体管3200则成为“导通状态”。当被供应低电平电荷时，即使第五布线3005的电位为V0(<Vth_L)，晶体管3200还保持“截止状态”。因此，通过确定第二布线3002的电位，可以读出晶体管3200的栅电极所保持的数据。
注意，当将存储单元配置为阵列状时，需要仅读出所希望的存储单元的数据。例如，对不读出数据的存储单元的第五布线3005施加不管供应到栅电极的电位如何都使晶体管3200成为“截止状态”的电位，即小于Vth_H的电位，由此可以仅读出所希望的存储单元的数据。或者，对不读出数据的存储单元的第五布线3005施加不管供应到栅电极的电位如何都使晶体管3200成为“导通状态”的电位，即大于Vth_L的电位，由此可以仅读出所希望的存储单元的数据。
图27C所示的半导体装置与图27A之间的不同之处在于没有设置晶体管3200。在此情况下也可以通过与上述相同的工作进行数据的写入及保持工作。
接着，对图27C所示的半导体装置的数据的读出进行说明。在晶体管3300成为导通状态时，处于浮动状态的第三布线3003和电容器3400电连接，且在第三布线3003和电容器3400之间再次分配电荷。其结果是，第三布线3003的电位产生变化。第三布线3003的电位的变化量根据电容器3400的电极中的一个的电位(或积累在电容器3400中的电荷)而具有不同的值。
例如，在电容器3400的电极中的一个的电位为V，电容器3400的电容为C，第三布线3003所具有的电容成分为CB，再次分配电荷之前的第三布线3003的电位为VB0时，再次分配电荷之后的第三布线3003的电位为(CB×VB0+C×V)/(CB+C)。因此，在假定作为存储单元的状态，电容器3400的电极中的一个的电位成为两种状态，即V1和V0(V1>V0)时，可以知道保持电位V1时的第三布线3003的电位(＝(CB×VB0+C×V1)/(CB+C))高于保持电位V0时的第三布线3003的电位(＝(CB×VB0+C×V0)/(CB+C))。
通过对第三布线3003的电位和预定的电位进行比较，可以读出数据。
在此情况下，可以将使用上述第一半导体材料的晶体管用于用来驱动存储单元的驱动电路，并在该驱动电路上层叠使用包括第二半导体材料的晶体管作为晶体管3300。
在本实施方式所示的半导体装置中，通过使用其沟道形成区域包括氧化物半导体的截止态电流极小的晶体管，可以极长期地保持存储内容。换言之，因为不需要进行刷新工作，或者，可以使刷新工作的频率变得极低，所以可以充分降低功耗。另外，即使在没有电力供给的情况下(注意，优选固定电位)，也可以长期保持存储内容。
另外，在本实施方式所示的半导体装置中，数据的写入不需要高电压，而且也没有元件劣化的问题。由于例如不需要如现有的非易失性存储器那样地对浮动栅极注入电子或从浮动栅极抽出电子，因此不会发生如栅极绝缘膜的劣化等的问题。换言之，在根据本实施方式所示的半导体装置中，对重写的次数没有限制，这限制是现有的非易失性存储器所具有的问题，所以可靠性得到极大提高。再者，根据晶体管的导通状态或截止状态而进行数据写入，而可以容易实现高速工作。
可以将上述存储装置应用于例如CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、LSI诸如DSP(Digital Signal Processor：数字信号处理器)、定制LSI、PLD(ProgrammableLogic Device：可编程逻辑器件)等、及RF-ID(Radio Frequency Identification：射频识别)标签。
<CPU>
下面说明包括上述存储装置的CPU。
图28是示出包括上述存储装置的CPU的结构的一个例子的方框图。
图28所示的CPU在衬底1190上具有：ALU1191(ALU：Arithmetic logic unit：算术逻辑单元)、ALU控制器1192、指令译码器1193、中断控制器1194、时序控制器1195、寄存器1196、寄存器控制器1197、总线接口1198(Bus I/F)、能够重写的ROM1199以及ROM接口1189(ROM I/F)。作为衬底1190使用半导体衬底、SOI衬底、玻璃衬底等。ROM1199及ROM接口1189可以设置在不同的芯片上。当然，图28所示的CPU只不过是简化其结构而表示的一个例子，所以实际上的CPU根据其用途具有各种结构。例如，也可以以包括图28所示的CPU或运算电路的结构为核心，设置多个该核心并使其并行工作。另外，在CPU的内部运算电路或数据总线中能够处理的位数例如可以为8位、16位、32位、或64位等。
通过总线接口1198输入到CPU的指令在输入到指令译码器1193并被译码之后，输入到ALU控制器1192、中断控制器1194、寄存器控制器1197、时序控制器1195。
ALU控制器1192、中断控制器1194、寄存器控制器1197、时序控制器1195根据被译码的指令进行各种控制。具体而言，ALU控制器1192生成用来控制ALU1191的工作的信号。另外，中断控制器1194在执行CPU的程序时，根据其优先度或掩码的状态来处理来自外部的输入/输出装置或外围电路的中断要求。寄存器控制器1197生成寄存器1196的地址，并根据CPU的状态来进行寄存器1196的读出/写入。
另外，时序控制器1195生成用来控制ALU1191、ALU控制器1192、指令译码器1193、中断控制器1194以及寄存器控制器1197的工作时序的信号。例如，时序控制器1195具有根据参考时钟信号生成内部时钟信号的内部时钟发生器，并将内部时钟信号供应到上述各种电路。
在图28所示的CPU中，在寄存器1196中设置有存储单元。
在图28所示的CPU中，寄存器控制器1197根据来自ALU1191的指令进行寄存器1196中的保持数据工作的选择。换言之，寄存器控制器1197在寄存器1196所具有的存储单元中选择由触发器保持数据还是由电容器保持数据。在选择由触发器保持数据的情况下，对寄存器1196中的存储单元供应电源电压。在选择由电容器保持数据的情况下，对电容器进行数据的重写，而可以停止对寄存器1196中的存储单元供应电源电压。
图29是可以用作寄存器1196的存储元件的电路图的一个例子。存储元件1200包括当关闭电源时丢失存储数据的电路1201、当关闭电源时不丢失存储数据的电路1202、开关1203、开关1204、逻辑元件1206、电容器1207以及具有选择功能的电路1220。电路1202包括电容器1208、晶体管1209及晶体管1210。另外，存储元件1200根据需要还可以包括其他元件诸如二极管、电阻器或电感器等。
在此，电路1202可以使用上述存储装置。在停止对存储元件1200供应电源电压时，接地电位(0V)或使晶体管1209截止的电位继续输入到电路1202中的晶体管1209的栅极。例如，晶体管1209的栅极通过电阻器等负载接地。
在此示出开关1203为具有一导电型(例如，n沟道型)的晶体管1213，而开关1204为具有与此相反的导电型(例如，p沟道型)的晶体管1214的例子。这里，开关1203的第一端子对应于晶体管1213的源极和漏极中的一个，开关1203的第二端子对应于晶体管1213的源极和漏极中的另一个，并且开关1203的第一端子与第二端子之间的导通或非导通(即，晶体管1213的导通状态或截止状态)由输入到晶体管1213的栅极的控制信号RD选择。开关1204的第一端子对应于晶体管1214的源极和漏极中的一个，开关1204的第二端子对应于晶体管1214的源极和漏极中的另一个，并且开关1204的第一端子与第二端子之间的导通或非导通(即，晶体管1214的导通状态或截止状态)由输入到晶体管1214的栅极的控制信号RD选择。
晶体管1209的源电极和漏电极中的一个电连接到电容器1208的一对电极中的一个及晶体管1210的栅极。在此，将连接部分称为节点M2。晶体管1210的源极和漏极中的一个电连接到能够供应低电源电位的布线(例如，GND线)，而另一个电连接到开关1203的第一端子(晶体管1213的源极和漏极中的一个)。开关1203的第二端子(晶体管1213的源极和漏极中的另一个)电连接到开关1204的第一端子(晶体管1214的源极和漏极中的一个)。开关1204的第二端子(晶体管1214的源极和漏极中的另一个)电连接到能够供应电源电位VDD的布线。开关1203的第二端子(晶体管1213的源极和漏极中的另一个)、开关1204的第一端子(晶体管1214的源极和漏极中的一个)、逻辑元件1206的输入端子和电容器1207的一对电极中的一个彼此电连接。在此，将连接部分称为节点M1。可以对电容器1207的一对电极中的另一个输入固定电位。例如，可以输入低电源电位(GND等)或高电源电位(VDD等)。电容器1207的一对电极中的另一个电连接到能够供应低电源电位的布线(例如，GND线)。可以对电容器1208的一对电极中的另一个输入固定电位。例如，可以输入低电源电位(GND等)或高电源电位(VDD等)。电容器1208的一对电极中的另一个电连接到能够供应低电源电位的布线(例如，GND线)。
当积极地利用晶体管或布线的寄生电容等时，可以不设置电容器1207及电容器1208。
控制信号WE输入到晶体管1209的第一栅极(第一栅电极)。开关1203及开关1204的第一端子与第二端子之间的导通状态或非导通状态由与控制信号WE不同的控制信号RD选择，当一个开关的第一端子与第二端子之间处于导通状态时，另一个开关的第一端子与第二端子之间处于非导通状态。
对应于保持在电路1201中的数据的信号被输入到晶体管1209的源极和漏极中的另一个。图29示出从电路1201输出的信号输入到晶体管1209的源极和漏极中的另一个的例子。由逻辑元件1206使从开关1203的第二端子(晶体管1213的源极和漏极中的另一个)输出的信号的逻辑值反转而成为反转信号，将其经由电路1220输入到电路1201。
另外，虽然图29示出从开关1203的第二端子(晶体管1213的源极和漏极中的另一个)输出的信号经由逻辑元件1206及电路1220输入到电路1201的例子，但是不局限于此。也可以不使从开关1203的第二端子(晶体管1213的源极和漏极中的另一个)输出的信号的逻辑值反转而输入到电路1201。例如，当在电路1201内存在其中保持使从输入端子输入的信号的逻辑值反转的信号的节点时，可以将从开关1203的第二端子(晶体管1213的源极和漏极中的另一个)输出的信号输入到该节点。
在图29所示的用于存储元件1200的晶体管中，晶体管1209以外的晶体管可以使用其沟道形成在由氧化物半导体以外的半导体构成的层中或衬底1190中的晶体管。例如，可以使用其沟道形成在硅层或硅衬底中的晶体管。此外，也可以作为用于存储元件1200的所有的晶体管使用其沟道形成在氧化物半导体膜中的晶体管。或者，存储元件1200还可以包括(除晶体管1209以外)其沟道形成在氧化物半导体膜中的晶体管，并且作为剩下的晶体管可以使用其沟道形成在由氧化物半导体以外的半导体构成的层中或衬底1190中的晶体管。
图29所示的电路1201例如可以使用触发器电路。另外，作为逻辑元件1206例如可以使用反相器或时钟反相器等。
在本发明方式所示的半导体装置中，在不向存储元件1200供应电源电压的期间，可以由设置在电路1202中的电容器1208保持储存在电路1201中的数据。
另外，其沟道形成在氧化物半导体膜中的晶体管的截止态电流极小。例如，其沟道形成在氧化物半导体膜中的晶体管的截止态电流比其沟道形成在具有结晶性的硅中的晶体管的截止态电流低得多。因此，通过将其沟道形成在氧化物半导体膜中的晶体管用作晶体管1209，即使在不向存储元件1200供应电源电压的期间也可以长期间地保持电容器1208所保持的信号。因此，存储元件1200在停止供应电源电压的期间也可以保持存储内容(数据)。
另外，由于该存储元件是以通过设置开关1203及开关1204进行预充电工作为特征的存储元件，因此它可以缩短在再次开始供应电源电压之后直到电路1201再次保持原始数据为止的时间。
另外，在电路1202中，由电容器1208保持的信号被输入到晶体管1210的栅极。因此，在再次开始向存储元件1200供应电源电压之后，可以将由电容器1208保持的信号转换为对应晶体管1210的状态(导通状态或截止状态)，以从电路1202读出。因此，即使对应于保持在电容器1208中的信号的电位有些变动，也可以准确地读出原始信号。
通过将这种存储元件1200用于处理器所具有的寄存器或高速缓冲存储器等存储装置，可以防止存储装置内的数据因停止电源电压的供应而消失。另外，在再次开始供应电源电压之后存储装置可以在短时间内恢复到停止供应电源之前的状态。因此，在整个处理器或构成处理器的一个或多个逻辑电路中在短时间内也可以停止电源，从而可以抑制功耗。
注意，在本实施方式中，虽然对将存储元件1200用于CPU的例子进行说明，但是也可以将存储元件1200应用于LSI诸如DSP(Digital Signal Processor：数字信号处理器)、定制LSI、或PLD(Programmable Logic Device：可编程逻辑器件)等、及RF-ID(RadioFrequency Identification：射频识别)。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
实施方式9
在本实施方式中，参照图30A至图30H对包括本发明的一个方式的显示面板的显示模块及电子设备进行说明。
图30A至图30G是示出电子设备的图。这些电子设备可以包括壳体5000、显示部5001、扬声器5003、LED灯5004、操作键5005(包括电源开关或操作开关)、连接端子5006、传感器5007(具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风5008等。
图30A示出移动计算机，该移动计算机除了上述以外还可以包括开关5009、红外端口5010等。图30B示出具备记录介质的便携式图像再现装置(例如DVD再现装置)，该便携式图像再现装置除了上述以外还可以包括第二显示部5002、记录介质读取部5011等。图30C示出护目镜型显示器，该护目镜型显示器除了上述以外还可以包括第二显示部5002、支撑部5012、耳机5013等。图30D示出便携式游戏机，该便携式游戏机除了上述以外还可以包括记录介质读取部5011等。图30E示出具有电视接收功能的数码相机，该数码相机除了上述以外还可以包括天线5014、快门按钮5015、图像接收部5016等。图30F示出便携式游戏机，该便携式游戏机除了上述以外还可以包括第二显示部5002、记录介质读取部5011等。图30G示出便携式电视接收机，该便携式电视接收机除了上述以外还可以包括能够收发信号的充电器5017等。
图30A至图30G所示的电子设备可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上；触控面板；显示日历、日期或时刻等；通过利用各种软件(程序)控制处理；进行无线通信；通过利用无线通信功能来连接到各种计算机网络；通过利用无线通信功能，进行各种数据的发送或接收；读出储存在记录介质中的程序或数据来将其显示在显示部上等。再者，在具有多个显示部的电子设备中，可以具有如下功能：一个显示部主要显示图像信息，而另一个显示部主要显示文字信息；或者，在多个显示部上显示考虑到视差的图像来显示立体图像等。再者，在具有图像接收部的电子设备中，可以具有如下功能：拍摄静态图像；拍摄动态图像；对所拍摄的图像进行自动或手动校正；将所拍摄的图像储存在记录介质(外部或内置于相机)中；将所拍摄的图像显示在显示部等。注意，图30A至图30G所示的电子设备可具有的功能不局限于上述功能，而可以具有各种功能。
图30H示出一种智能手表，包括壳体7302、显示面板7304、操作按钮7311、7312、连接端子7313、腕带7321、表带扣7322等。
安装在兼作框架(bezel)部分的壳体7302中的显示面板7304具有非矩形状的显示区域。另外，显示面板7304也可以具有矩形状的显示区域。显示面板7304可以显示表示时间的图标7305以及其他图标7306等。
图30H所示的智能手表可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上；触控面板；显示日历、日期或时刻等；通过利用各种软件(程序)控制处理；进行无线通信；通过利用无线通信功能来连接到各种计算机网络；通过利用无线通信功能，进行各种数据的发送或接收；读出储存在记录介质中的程序或数据来将其显示在显示部上等。
壳体7302的内部可具有扬声器、传感器(具有测定如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风等。另外，智能手表可以通过将发光元件用于其显示面板7304来制造。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[实施例1]
在本实施例中，参照图31A1至图31C说明所制造的本发明的一个方式的显示面板。
图31A1至图31C是说明所制造的显示面板的显示状态的照片。图31A1至图31A3及图31C是说明使用第一显示元件时的显示品质的照片。另外，图31B1至图31B3是说明使用第二显示元件时的显示品质的照片。
表1示出所制造的显示面板的规格。
[表1]
在所制造的本发明的一个方式的显示面板中，将利用电控双折射(ECB：Electrically Controlled Birefringence)模式的反射型液晶元件用于第一显示元件。另外，将发射白色光的有机EL元件用于第二显示元件。
另外，所制造的显示面板包括具有重叠于第一显示元件及第二显示元件的区域的着色层，利用透过着色层的光进行全彩色显示。
《评价》
在将荧光灯用于照明的较亮的室内使用第一显示元件进行显示(参照图31A1至图31A3)。使用反射型液晶元件实现了良好的全彩色图像的显示。
另外，在晴天的昼日的室外使用第一显示元件进行显示(参照图31C)。并且，即使在较强的外光下也使用反射型液晶元件实现了良好的全彩色图像的显示。
在暗处使用第二显示元件进行显示(参照图31B1及图31B3)。使用有机EL元件实现了良好的全彩色图像的显示。
例如，在本说明书等中，当明确地记载为“X与Y连接”时，在本说明书等中公开了如下情况：X与Y电连接的情况；X与Y在功能上连接的情况；以及X与Y直接连接的情况。因此，不局限于附图或文中所示的连接关系等规定的连接关系，附图或文中所示的连接关系以外的连接关系也记载于附图或文中。
在此，X和Y为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜、层等)。
作为X与Y直接连接的情况的一个例子，可以举出在X与Y之间没有连接能够电连接X与Y的元件(例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示元件、发光元件和负载等)，并且X与Y没有通过能够电连接X与Y的元件(例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示元件、发光元件和负载等)连接的情况。
作为X和Y电连接的情况的一个例子，可以在X和Y之间连接一个以上的能够电连接X和Y的元件(例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示元件、发光元件、负载等)。此外，开关具有控制导通或截止的功能。换言之，开关具有其成为导通状态(开启状态)或非导通状态(关闭状态)而控制是否使电流流过的功能。或者，开关具有选择并切换电流路径的功能。另外，X和Y电连接的情况包括X与Y直接连接的情况。
作为X和Y在功能上连接的情况的一个例子，可以在X和Y之间连接一个以上的能够在功能上连接X和Y的电路(例如，逻辑电路(反相器、NAND电路、NOR电路等)、信号转换电路(DA转换电路、AD转换电路、γ(伽马)校正电路等)、电位电平转换电路(电源电路(升压电路、降压电路等)、改变信号的电位电平的电平转移器电路等)、电压源、电流源、切换电路、放大电路(能够增大信号振幅或电流量等的电路、运算放大器、差动放大电路、源极跟随电路、缓冲器电路等)、信号产生电路、存储电路、控制电路等)。注意，例如，即使在X与Y之间夹有其他电路，当从X输出的信号传送到Y时，也可以说X与Y在功能上是连接着的。另外，X与Y在功能上连接的情况包括X与Y直接连接的情况及X与Y电连接的情况。
此外，当明确地记载为“X与Y电连接”时，在本说明书等中公开了如下情况：X与Y电连接的情况(换言之，以中间夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况)；X与Y在功能上连接的情况(换言之，以中间夹有其他电路的方式在功能上连接X与Y的情况)；以及X与Y直接连接的情况(换言之，以中间不夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况)。换言之，当明确记载为“电连接”时，在本说明书等中公开了与只明确记载为“连接”的情况相同的内容。
注意，例如，在晶体管的源极(或第一端子等)通过Z1(或没有通过Z1)与X电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)通过Z2(或没有通过Z2)与Y电连接的情况下以及在晶体管的源极(或第一端子等)与Z1的一部分直接连接，Z1的另一部分与X直接连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与Z2的一部分直接连接，Z2的另一部分与Y直接连接的情况下，可以表示为如下。
例如，可以表示为“X、Y、晶体管的源极(或第一端子等)及晶体管的漏极(或第二端子等)互相电连接，并按X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)及Y的顺序电连接”。或者，可以表示为“晶体管的源极(或第一端子等)与X电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与Y电连接，X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)与Y依次电连接”。或者，可以表示为“X通过晶体管的源极(或第一端子等)及漏极(或第二端子等)与Y电连接，X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)、Y依次设置为相互连接”。通过使用与这种例子相同的表示方法规定电路结构中的连接顺序，可以区别晶体管的源极(或第一端子等)与漏极(或第二端子等)而决定技术范围。
另外，作为其他表示方法，例如可以表示为“晶体管的源极(或第一端子等)至少通过第一连接路径与X电连接，上述第一连接路径不具有第二连接路径，上述第二连接路径是晶体管的源极(或第一端子等)与晶体管的漏极(或第二端子等)之间的路径，上述第一连接路径是通过Z1的路径，晶体管的漏极(或第二端子等)至少通过第三连接路径与Y电连接，上述第三连接路径不具有上述第二连接路径，上述第三连接路径是通过Z2的路径”。或者，也可以表示为“晶体管的源极(或第一端子等)至少在第一连接路径上通过Z1与X电连接，上述第一连接路径不具有第二连接路径，上述第二连接路径具有通过晶体管的连接路径，晶体管的漏极(或第二端子等)至少在第三连接路径上通过Z2与Y电连接，上述第三连接路径不具有上述第二连接路径”。或者，也可以表示为“晶体管的源极(或第一端子等)至少经过第一电路径，通过Z1与X电连接，上述第一电路径不具有第二电路径，上述第二电路径是从晶体管的源极(或第一端子等)到晶体管的漏极(或第二端子等)的电路径，晶体管的漏极(或第二端子等)至少经过第三电路径，通过Z2与Y电连接，上述第三电路径不具有第四电路径，上述第四电路径是从晶体管的漏极(或第二端子等)到晶体管的源极(或第一端子等)的电路径”。通过使用与这些例子同样的表述方法规定电路结构中的连接路径，可以区别晶体管的源极(或第一端子等)和漏极(或第二端子等)来确定技术范围。
注意，这种表示方法是一个例子，不局限于上述表示方法。在此，X、Y、Z1及Z2为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜及层等)。
另外，即使在电路图上独立的构成要素彼此电连接，也有时一个构成要素兼有多个构成要素的功能。例如，在布线的一部分用作电极时，一个导电膜兼有布线和电极的两个构成要素的功能。因此，本说明书中的“电连接”的范畴内还包括这种一个导电膜兼有多个构成要素的功能的情况。
符号说明
ACF1 导电材料
ACF2 导电材料
AF1 取向膜
AF2 取向膜
ANO 布线
C1 电容器
C2 电容器
CF1 着色膜
CF2 着色膜
CP 导电构件
CS 布线
G 扫描线
G1 扫描线
G2 扫描线
GD 驱动电路
SD 驱动电路
GDA 驱动电路
GDB 驱动电路
KB1 结构体
KB2 结构体
KB3 结构体
M 晶体管
MB 晶体管
MD 晶体管
MDB 晶体管
M1 节点
M2 节点
P1 位置信息
P2 信息
SW1 开关
SW2 开关
T1 时刻
T2 时刻
T3 时刻
T4 时刻
T5 时刻
T6 时刻
V 图像数据
V0 电位
V1 电位
VCOM1 布线
VCOM2 布线
VDD 电源电位
FPC1 柔性印刷电路板
FPC2 柔性印刷电路板
PIC1 图像数据
PIC2 图像数据
PIC3 图像数据
PIC4 图像数据
100 晶体管
102 衬底
104 导电膜
106 绝缘膜
107 绝缘膜
108 氧化物半导体膜
108a 氧化物半导体膜
108b 氧化物半导体膜
108c 氧化物半导体膜
112a 导电膜
112b 导电膜
114 绝缘膜
116 绝缘膜
118 绝缘膜
120a 导电膜
120b 导电膜
150 晶体管
200 数据处理器
210 运算装置
211 运算部
212 存储部
214 传送通道
215 输入/输出接口
220 输入/输出装置
230 显示部
230B 显示部
231 显示区域
232 像素
235EL 显示元件
235LC 显示元件
240 输入部
250 感测部
290 通信部
501A 绝缘膜
501B 绝缘膜
501C 绝缘膜
501D 绝缘膜
504 导电膜
504C 接触部
505 接合层
506 绝缘膜
508 半导体膜
510 衬底
510W 剥离膜
511 布线
512A 导电膜
512B 导电膜
516 绝缘膜
518 绝缘膜
520 功能层
519 端子
519B 端子
519D 端子
520D 功能层
521A 绝缘膜
521B 绝缘膜
524 导电膜
528 绝缘膜
550 显示元件
550B 显示元件
551 导电膜
552 导电膜
553 包含发光性有机化合物的层
553B 包含发光性有机化合物的层
570 衬底
570B 绝缘膜
591 接触部
592 接触部
593 接触部
700 显示面板
700B 显示面板
700C 显示面板
700D 显示面板
700E 显示面板
700F 显示面板
702 像素
704 导电膜
704C 接触部
705 密封剂
719 端子
730 像素电路
750 显示元件
751 导电膜
751T 导电膜
751H 开口部
752 导电膜
752C 导电膜
753 包含液晶材料的层
753T 包含电子墨水的层
770 衬底
770P 光学薄膜
771 绝缘膜
800 输入/输出装置
801 上盖
802 下盖
803 FPC
804 触摸传感器
805 FPC
806 显示面板
809 框架
810 驱动电路
811 电池
1189 ROM接口
1190 衬底
1191 ALU
1192 ALU控制器
1193 指令译码器
1194 中断控制器
1195 时序控制器
1196 寄存器
1197 寄存器控制器
1198 总线接口
1199 ROM
1200 存储元件
1201 电路
1202 电路
1203 开关
1204 开关
1206 逻辑元件
1207 电容器
1208 电容器
1209 晶体管
1210 晶体管
1213 晶体管
1214 晶体管
1220 电路
3001 布线
3002 布线
3003 布线
3004 布线
3005 布线
3200 晶体管
3300 晶体管
3400 电容器
5000 壳体
5001 显示部
5002 显示部
5003 扬声器
5004 LED灯
5005 操作键
5006 连接端子
5007 传感器
5008 麦克风
5009 开关
5010 红外端口
5011 记录介质读取部
5012 支撑部
5013 耳机
5014 天线
5015 快门按钮
5016 图像接收部
5017 充电器
7302 壳体
7304 显示面板
7305 图标
7306 图标
7311 操作按钮
7312 操作按钮
7313 连接端子
7321 腕带
7322 表带扣
本申请基于2015年4月13日提交日本专利局的日本专利申请序列号2015-081519、2015年6月8日提交日本专利局的日本专利申请序列号2015-115638、2015年7月30日提交日本专利局的日本专利申请序列号2015-150202，其全部内容以提及方式并入本文中。

Claims (17)

1.一种显示面板，包括像素及端子；
所述像素包括：
第一绝缘膜；
所述第一绝缘膜中的第一开口部中的第一接触部；
与所述第一接触部电连接的像素电路；
与所述像素电路电连接的第二接触部；
与所述第一接触部电连接的第一显示元件；以及
与所述第二接触部电连接的第二显示元件，
其中，所述第一绝缘膜在所述第一显示元件与所述第二显示元件之间，
所述第一显示元件包括具有第二开口部的第一导电膜，
所述第一导电膜能够反射入射光，
所述第一显示元件能够控制所述反射光的强度，
所述第二显示元件包括与所述第二开口部重叠的区域，
与所述第二开口部重叠的所述区域向所述第二开口部发射光，
并且，所述端子与所述像素电路电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述像素电路包括开关元件。
3.根据权利要求1所述的显示面板，
其中所述像素电路包括晶体管，
并且所述晶体管包括氧化物半导体。
4.根据权利要求1所述的显示面板，
其中所述第一显示元件包括包含液晶材料的层及被提供用来控制所述液晶材料的取向的所述第一导电膜及第二导电膜，
并且所述第一导电膜与所述第一接触部电连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板，
其中所述第二显示元件包括第三导电膜、包括与所述第三导电膜重叠的区域的第四导电膜以及所述第三导电膜与所述第四导电膜之间的包含发光性有机化合物的层，
所述第三导电膜与所述第二接触部电连接，
并且所述第三导电膜透光。
6.根据权利要求1所述的显示面板，
其中所述第一显示元件反射外光，
并且所述第一导电膜中的所述第二开口部的总面积与所述第二开口部以外的所述第一导电膜的部分的总面积比值为0.052以上且0.6以下。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述第一导电膜包括埋入在所述第一绝缘膜中的区域。
8.根据权利要求1所述的显示面板，
其中所述像素包括与所述第一导电膜接触的第二绝缘膜。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中向所述第二开口发射的所述光经由所述第二开口部从所述显示面板的显示面被提取。
10.一种显示面板，包括像素及端子；
所述像素包括：
第一绝缘膜；
与所述第一绝缘膜接触的第二绝缘膜；
所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜中的第一开口部中的第一接触部；
与所述第一接触部电连接的像素电路；
与所述像素电路电连接的第二接触部；
与所述第一接触部电连接的第一显示元件；以及
与所述第二接触部电连接的第二显示元件，
其中，所述第一绝缘膜在所述第一显示元件与所述第二显示元件之间，
所述第一显示元件包括具有第二开口部的第一导电膜，
所述第一导电膜能够反射入射光，
所述第一显示元件能够控制所述反射光的强度，
所述第二显示元件包括与所述第二开口部重叠的区域，
与所述第二开口部重叠的所述区域向所述第二开口部发射光，
所述端子与所述像素电路电连接，
所述像素电路包括与所述第一接触部电连接的第一晶体管及与所述第二接触部电连接的第二晶体管，
并且，所述第二绝缘膜与所述第一晶体管及所述第二晶体管接触。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管都包括氧化物半导体。
12.根据权利要求10所述的显示面板，
其中所述第一显示元件包括包含液晶材料的层及被提供用来控制所述液晶材料的取向的所述第一导电膜及第二导电膜，
并且所述第一导电膜与所述第一接触部电连接。
13.根据权利要求10所述的显示面板，
其中所述第二显示元件包括第三导电膜、包括与所述第三导电膜重叠的区域的第四导电膜以及所述第三导电膜与所述第四导电膜之间的包含发光性有机化合物的层，
所述第三导电膜与所述第二接触部电连接，
并且所述第三导电膜透光。
14.根据权利要求10所述的显示面板，
其中所述第一显示元件反射外光，
并且所述第一导电膜中的所述第二开口部的总面积与所述第二开口部以外的所述第一导电膜的部分的总面积比值为0.052以上且0.6以下。
15.根据权利要求10所述的显示面板，其中所述第一导电膜包括埋入在所述第一绝缘膜中的区域。
16.根据权利要求10所述的显示面板，
其中所述像素包括第三绝缘膜，
并且所述第一导电膜在所述第二绝缘膜与所述第三绝缘膜之间。
17.根据权利要求10所述的显示面板，其中向所述第二开口发射的所述光经由所述第二开口部从所述显示面板的显示面被提取。
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