TWI743115B - 顯示裝置及其工作方法 - Google Patents

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TWI743115B
TWI743115B TW106114377A TW106114377A TWI743115B TW I743115 B TWI743115 B TW I743115B TW 106114377 A TW106114377 A TW 106114377A TW 106114377 A TW106114377 A TW 106114377A TW I743115 B TWI743115 B TW I743115B
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signal
circuit
transistor
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池田隆之
黒川義元
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日商半導體能源硏究所股份有限公司
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Abstract

本發明的一個實施方式提供一種以低功耗驅動的顯示裝置及其工作方法。本發明的一個實施方式是一種顯示裝置及其工作方法，該顯示裝置包括主機、被主機供應第一信號的控制器以及被控制器供應第二信號的顯示面板。當第一信號包含影像資料時，第一信號包含表示具有影像資料的指令。當控制器檢測到指令時，作為第二信號供應影像資料，而當控制器檢測不到指令時，停止第二信號的供應。在控制器在指定的時間停止第二信號的供應之後，與第一信號中的指令的有無無關，控制器再次開始第二信號的供應。

Description

顯示裝置及其工作方法
本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置及其工作方法。
另外，本發明的一個實施方式係關於一種半導體裝置及其工作方法。注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。此外，本發明的一個實施方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。
在本說明書等中，半導體裝置是指能夠藉由利用半導體特性而工作的所有裝置。顯示裝置、發光裝置、記憶體裝置、電光裝置、半導體電路及電子裝置有時包括半導體裝置。
顯示裝置的視頻資料或控制信號由MIPI(Mobile Industry Processor Interface：移動產業處理器介面)或eDP(embedded Display Port：嵌入式顯示埠)等規格規定。在主機(例如，應用處理器)與時序控制器(也稱為顯示驅動器IC)之間進行根據上述規格的通訊。此外，為了降低通訊功耗，已提出了PSR(Panel Self-Refresh：面板自更新)技術。
另外，將氧化物半導體電晶體(Oxide Semiconductor transistor，以下稱為OS電晶體)用於如液晶顯示器、有機EL(電致發光)顯示器等顯示裝置的技術引人注目。OS電晶體的關態電流(off-state current)非常小。已公開了藉由利用該特性降低顯示靜態影像時的更新頻率以降低液晶顯示器或有機EL顯示器的功耗的技術(專利文獻1及專利文獻2)。在本說明書中，將上述降低顯示裝置的功耗的技術稱為“空轉停止(idling stop)”。
另外，已公開了利用其小關態電流將OS電晶體用於非揮發性記憶體裝置的例子(專利文獻3)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2011-141522號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2011-141524號公報
[專利文獻3]日本專利申請公開第2011-151383號公報
為了進行上述空轉停止，需要在供應視訊信號的主機中設置專用電路。因此，當製造具有空轉停止功能的顯示器時，需要準備對應於空轉停止的主機和面板。
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種以簡易方法進行空轉停止的顯示裝置及其工作方法。此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種以低成本進行空轉停止的顯示裝置及其工作方法。此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種以低功耗驅動的顯示裝置及其工作 方法。此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的半導體裝置。
注意，多個目的的記載不妨礙彼此的目的的存在。此外，本發明的一個實施方式不需要實現所有上述目的。上述列舉的目的以外的目的可從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中自然得知，而有可能成為本發明的一個實施方式的目的。
本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括主機、被主機供應第一信號的控制器以及被控制器供應第二信號的顯示面板。當第一信號包含影像資料時，第一信號包含表示具有影像資料的指令。當控制器檢測到指令時，作為第二信號供應影像資料，而當控制器檢測不到指令時，停止第二信號的供應。
在上述方式中，較佳的是，在控制器在指定的時間停止第二信號的供應之後，與第一信號中的指令的有無無關，控制器再次開始第二信號的供應。
在上述方式中，控制器包括圖框記憶體，該圖框記憶體包括電晶體。電晶體較佳為在其通道形成區域中包含氧化物半導體。
本發明的一個實施方式是一種顯示裝置的工作方法，該顯示裝置包括主機、被主機供應第一信號的控制器以及被控制器供應第二信號的顯示面板。當第一信號包含影像資料時，第一信號包含表示具有影像資料的指令。 當控制器檢測到指令時，作為第二信號供應影像資料，而當控制器檢測不到指令時，停止第二信號的供應。
在上述方式中，較佳的是，在控制器在指定的時間停止第二信號的供應之後，與第一信號中的指令的有無無關，控制器再次開始第二信號的供應。
在上述方式中，控制器包括圖框記憶體，該圖框記憶體包括電晶體。電晶體較佳為在其通道形成區域中包含氧化物半導體。
藉由本發明的一個實施方式可以提供一種以簡易方法進行空轉停止的顯示裝置及其工作方法。此外，藉由本發明的一個實施方式可以提供一種以低成本進行空轉停止的顯示裝置及其工作方法。此外，藉由本發明的一個實施方式可以提供一種以低功耗驅動的顯示裝置及其工作方法。此外，藉由本發明的一個實施方式可以提供一種新穎的半導體裝置。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發明的一個實施方式並不一定需要有所有上述效果。此外，從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中可明顯得知上述以外的效果，而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中衍生上述以外的效果。
ACF1‧‧‧導電材料
AF1‧‧‧配向膜
AF2‧‧‧配向膜
ANO‧‧‧佈線
BG‧‧‧佈線
BL‧‧‧佈線
BL1‧‧‧佈線
BL2‧‧‧佈線
C1‧‧‧箭頭
C2‧‧‧箭頭
C11‧‧‧電容器
C12‧‧‧電容器
CF1‧‧‧彩色膜
CF2‧‧‧彩色膜
CL‧‧‧佈線
Cs1‧‧‧電容器
Cs2‧‧‧電容器
CSCOM‧‧‧佈線
DC‧‧‧檢測電路
DI1‧‧‧信號
DI1a‧‧‧信號
DI3‧‧‧信號
DI3a‧‧‧信號
DO1‧‧‧信號
DO1a‧‧‧信號
DO1b‧‧‧信號
DO2‧‧‧信號
DO2b‧‧‧信號
DO3‧‧‧信號
DO3a‧‧‧信號
DO3b‧‧‧信號
FN‧‧‧節點
FN1‧‧‧節點
FPC1‧‧‧軟性印刷電路板
G1‧‧‧掃描線
G2‧‧‧掃描線
GD‧‧‧驅動電路
KB1‧‧‧結構體
M‧‧‧電晶體
M1‧‧‧電晶體
M2‧‧‧電晶體
M3‧‧‧電晶體
M4‧‧‧電晶體
M6‧‧‧電晶體
M7‧‧‧電晶體
MD‧‧‧電晶體
ME‧‧‧電極
ML‧‧‧信號線
OSC‧‧‧振盪電路
P1‧‧‧檢測信號
R1‧‧‧箭頭
R2‧‧‧箭頭
RB1‧‧‧佈線
RB2‧‧‧佈線
RW‧‧‧佈線
S1‧‧‧信號線
S2‧‧‧信號線
SD‧‧‧驅動電路
SD1‧‧‧驅動電路
SD2‧‧‧驅動電路
SE‧‧‧電極
SL‧‧‧控制線
SW1‧‧‧開關
SW2‧‧‧開關
T1‧‧‧期間
T2‧‧‧期間
T3‧‧‧期間
T4‧‧‧期間
T5‧‧‧期間
T6‧‧‧期間
VCOM1‧‧‧佈線
VCOM2‧‧‧佈線
WB1‧‧‧佈線
WB2‧‧‧佈線
WW‧‧‧佈線
1‧‧‧顯示裝置
2‧‧‧顯示裝置
3‧‧‧顯示裝置
4‧‧‧顯示裝置
10‧‧‧主機
11‧‧‧控制器
12‧‧‧顯示面板
13‧‧‧電路
13a‧‧‧電路
13b‧‧‧電路
14‧‧‧圖框記憶體
14a‧‧‧圖框記憶體
14b‧‧‧圖框記憶體
15‧‧‧電路
15a‧‧‧電路
15b‧‧‧電路
16‧‧‧控制電路
16a‧‧‧控制電路
20‧‧‧解碼器
21‧‧‧信號
21a‧‧‧信號
21b‧‧‧信號
22‧‧‧信號
22a‧‧‧信號
22b‧‧‧信號
30a‧‧‧顯示元件
30b‧‧‧顯示元件
31‧‧‧記憶單元
32‧‧‧記憶單元
33‧‧‧記憶單元
34‧‧‧記憶單元
35‧‧‧記憶單元
36‧‧‧記憶單元
231‧‧‧顯示區域
240‧‧‧觸控面板
241‧‧‧檢測區域
250‧‧‧輸入輸出面板
501A‧‧‧絕緣膜
501C‧‧‧絕緣膜
504‧‧‧導電膜
505‧‧‧接合層
506‧‧‧絕緣膜
508‧‧‧氧化物半導體膜
508A‧‧‧區域
508B‧‧‧區域
508C‧‧‧區域
511B‧‧‧導電膜
511C‧‧‧導電膜
511D‧‧‧導電膜
512A‧‧‧導電膜
512B‧‧‧導電膜
516‧‧‧絕緣膜
518‧‧‧絕緣膜
519B‧‧‧端子
519C‧‧‧端子
519D‧‧‧端子
521‧‧‧絕緣膜
524‧‧‧導電膜
528‧‧‧絕緣膜
551‧‧‧電極
552‧‧‧電極
553‧‧‧層
570‧‧‧基板
702‧‧‧像素
705‧‧‧密封劑
720‧‧‧功能層
751‧‧‧電極
751E‧‧‧區域
751H‧‧‧開口部
752‧‧‧電極
753‧‧‧層
754A‧‧‧中間膜
754B‧‧‧中間膜
754C‧‧‧中間膜
754D‧‧‧中間膜
770‧‧‧基板
770D‧‧‧功能膜
770P‧‧‧功能膜
771‧‧‧絕緣膜
775‧‧‧檢測元件
5000‧‧‧外殼
5001‧‧‧顯示部
5002‧‧‧顯示部
5003‧‧‧揚聲器
5004‧‧‧LED燈
5005‧‧‧操作鍵
5006‧‧‧連接端子
5007‧‧‧感測器
5008‧‧‧麥克風
5009‧‧‧開關
5010‧‧‧紅外線埠
5011‧‧‧記錄介質讀取部
5012‧‧‧支撐部
5013‧‧‧耳機
5014:天線
5015:快門按鈕
5016:影像接收部
5017:充電器
7302:外殼
7304:顯示面板
7305:圖示
7306:圖示
7311:操作按鈕
7312:操作按鈕
7313:連接端子
7321:錶帶
7322:錶帶扣
在圖式中：圖1是示出顯示裝置的結構例子的方塊圖； 圖2是示出顯示裝置的結構例子的方塊圖；圖3是示出顯示裝置的結構例子的方塊圖；圖4是示出顯示裝置的工作例子的時序圖；圖5是示出顯示裝置的工作例子的時序圖；圖6是示出顯示裝置的工作例子的時序圖；圖7是示出視訊信號的例子的圖；圖8是示出記憶單元的結構例子的電路圖；圖9A和圖9B是示出記憶單元的結構例子的電路圖；圖10是示出記憶單元的結構例子的電路圖；圖11A和圖11B是示出記憶單元的結構例子的電路圖；圖12A和圖12B是示出顯示裝置的結構例子的方塊圖以及示出顯示裝置的工作例子的時序圖；圖13是示出顯示面板的結構例子的方塊圖；圖14是示出像素的結構例子的電路圖；圖15A至圖15C是示出顯示面板及像素的結構例子的俯視圖；圖16A和圖16B是示出顯示面板的結構例子的剖面圖；圖17A和圖17B是示出顯示面板的結構例子的剖面圖；圖18A至圖18C是說明反射膜的形狀的示意圖；圖19A和圖19B是說明顯示面板的像素的一部分的仰視圖；圖20是示出輸入輸出面板的結構例子的方塊圖；圖21A和圖21B是說明輸入輸出面板的俯視圖以及說明輸入輸出面板的輸入部的一部分的示意圖； 圖22A和圖22B是示出輸入輸出面板的結構例子的剖面圖；圖23是示出輸入輸出面板的結構例子的剖面圖；圖24A至圖24H是示出電子裝置的例子的立體圖；圖25是示出顯示裝置的工作例子的時序圖。
下面，參照圖式對實施方式進行說明。注意，實施方式可以以多個不同模式來實現，並且所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下實施方式所記載的內容中。
在圖式中，為顯而易見，有時誇大表示大小、層的厚度或區域。因此，本發明並不一定限定於上述尺寸。此外，在圖式中，示意性地示出理想的例子，因此本發明不侷限於圖式所示的形狀或數值等。
在本說明書中，有時將高電源電壓稱為H位準(或VDD)，將低電源電壓稱為L位準(或GND)。
另外，本說明書中的以下實施方式可以適當地組合。此外，當在一個實施方式中示出多個結構例子時，可以適當地相互組合這些結構例子。
實施方式1
在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的顯示裝置進行說明。
〈顯示裝置的結構例子1〉
圖1是示出顯示裝置1的結構例子的方塊圖。顯示裝置1包括主機10、控制器11及顯示面板12。控制器11包括寫入電路13、圖框記憶體14、讀出電路15及控制電路16。注意，寫入電路13、讀出電路15及控制電路16密切相關，由此它們的邊界有時不明確。
主機10包括CPU(Central Processing Unit：中央處理器)且具有對控制器11供應信號21的功能。信號21是視訊信號且包含顯示在顯示面板12上的影像資料。
信號21以資料包(packet)形式被發送。當上述資料包包含影像資料時，信號21包含特定的格式或指令。例如，當信號21基於MIPI標準時，DSI(Display Serial Interface：顯示序列介面)的Packed Pixel Stream及DCS(Display Command Set：顯示命令集)的write_memory_start等相當於上述格式或指令。在本說明書中，將上述格式或指令總稱為“write指令”。
寫入電路13具有將從主機10接收的影像資料寫入圖框記憶體14的功能。此外，寫入電路13具有對信號21所包含的write指令進行解碼的功能。
圖框記憶體14是用來儲存從主機10供應的影像資料的記憶體。
讀出電路15具有從圖框記憶體14讀出影像資料的功能。所讀出的影像資料作為信號22被供應給顯示面板12。
另外，讀出電路15具有控制顯示面板12的功能。明確而言，讀出電路15輸出時脈信號及啟動脈衝信號，來控制顯示面板12。
控制電路16具有控制顯示裝置1的空轉停止的功能。更明確而言，控制電路16檢測寫入電路13解碼的write指令，決定讀出電路15的工作。當檢測不到write指令時，控制電路16判斷出沒有被供應信號21或者信號21不包含影像資料，而停止讀出電路15。其結果是，信號22的供應被停止。也就是說，顯示裝置1成為空轉停止狀態。
顯示面板12包括多個像素，且具有顯示信號22所包含的影像資料的功能。顯示面板12藉由控制像素的發光/非發光能夠顯示影像資料。作為上述像素，例如可以使用液晶元件或EL元件(注意，EL元件包含有機化合物和無機化合物中的一者或兩者)。
另外，上述像素例如也可以使用下述中的至少一個：LED晶片(白色LED晶片、紅色LED晶片、綠色LED晶片及藍色LED晶片等)；電晶體(根據電流而發光的電晶體)；電子發射元件；使用碳奈米管的顯示元件；電子墨水；電潤濕(electrowetting)元件；電泳元件；使用MEMS(微機電系統)的顯示元件(例如，柵光閥(GLV)、數位微鏡裝置(DMD)、DMS(數位微快門)、MIRASOL(註冊商標)、IMOD(干涉調變)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、壓電陶瓷顯示元件等))；以及量子點等。
〈顯示裝置的結構例子2〉
從主機10供應的信號21有時包含被壓縮的影像資料。此時，控制器11較佳為包括解碼器。圖2和圖3示出此時的結構例子。
圖2所示的顯示裝置2的與上述顯示裝置1不同之處在於：在寫入電路13與圖框記憶體14之間設置有解碼器20。解碼器20具有擴展被壓縮的影像資料的功能。
雖然根據所使用的影像資料的大小不同，但在很多情況下解碼器20擴展影像資料時需要長時間。在顯示裝置2中，讀出電路15能夠不藉由解碼器20讀出儲存在圖框記憶體14中的影像資料。因此，在影像資料儲存在圖框記憶體14中的情況下，可以以短時間將影像顯示在顯示面板12上。
〈顯示裝置的結構例子3〉
圖3所示的顯示裝置3的與上述顯示裝置1、2不同之處在於：在圖框記憶體14與讀出電路15之間設置有解碼器20。
當影像資料大小大時，用來儲存該影像資料的圖框記憶體14的記憶容量也較佳為大。然而，大量存放區的價格昂貴，其導致顯示裝置整體的成本提高。顯示裝置3可以將壓縮狀態的影像資料儲存在圖框記憶體14中，由此可以節省圖框記憶體14的記憶容量，並降低顯示裝置整體的成本。
〈顯示裝置的工作例子1〉
接著，對上述顯示裝置的工作例子進行說明。注意，在以下說明中，在沒有特別說明的情況下，信號21基於MIPI標準。
圖4是示出信號21及信號22的時序圖。為了表示工作的時序，圖4的時序圖被分割為期間T1至期間T6。
期間T1、T3、T5表示視訊信號的遮沒期，期間T2、T6表示視訊信號的一個圖框期間。此外，期間T4表示顯示裝置處於空轉停止狀態的期間。
在期間T1，信號DI1從主機10被傳送給控制器11。控制電路16檢測信號DI1所包含的write指令。控制電路16接收信號DI1直到期間T2結束為止，由此可以知道圖框記憶體14的影像資料被更新。
在期間T2，寫入到圖框記憶體14的影像資料作為信號DO1被傳送給顯示面板12，由此，顯示面板12的影像被更新。
在期間T3，信號21不包含影像資料。也就是說，控制電路16檢測不到write指令。控制電路16知道圖框記憶體14的影像資料不被更新。控制電路16停止讀出電路15的工作(進行空轉停止)。讀出電路15的停止繼續直到期間T4結束為止。
在期間T5，信號DI3從主機10被傳送給控制器11。控制電路16檢測信號DI3所包含的write指令，解除讀出電路15的停止。控制電路16接收信號DI3直到期間T6結束為止，由此可以知道圖框記憶體14的影像資料被更新。
在期間T6，寫入到圖框記憶體14的影像資料作為信號DO3被傳送給顯示面板12，由此，顯示面板12的影像被更新。
在此，作為對比例子，考慮顯示裝置不具有空轉停止功能時的時序圖(圖25)。圖25的與圖4不同之處在於：在期間T4，被供應信號DO2。注意，在圖式中信號DO2看起來好像是一個圖框，但實際上是多個圖框的集合。
不具有空轉停止功能的顯示裝置在信號21的供應停止時也需要繼續更新顯示面板12的影像，因此需要繼續定期性地讀出儲存在圖框記憶體14中的影像資料，並將其供應給顯示面板。其結果是，顯示裝置的功耗會增大。
在本發明的一個實施方式的顯示裝置中，如圖4所示，當信號21的供應停止時，讀出電路15的工作也停止，而信號22的供應也停止。其結果是，可以降低顯示裝置的功耗。
另外，本發明的一個實施方式的顯示裝置不需要在主機10中設置用來進行空轉停止的專用電路，由此可以以簡單的方法進行空轉停止。
另外，作為實現空轉停止的方法，有如下方法：在控制器11的內部以指定時間觀測圖框變化，如果沒有變化，則進行空轉停止。但是，當採用該方法時，需要在控制器11的內部設置大規模的影像處理電路，因此，控制器11的製造成本會升高。
本發明的一個實施方式的顯示裝置不需要在控制器11中設置上述那樣的大規模電路，由此可以以低成本製造控制器11。
〈顯示裝置的工作例子2〉
在顯示面板12為液晶面板的情況下，當以空轉停止一直對液晶施加固定電位時，液晶面板中發生螢幕灼。為了防止螢幕灼的發生，較佳為以一分鐘左右的間隔使供應給液晶的電位反轉。因此，較佳的是，控制電路16包括計時器，且具有在空轉停止繼續進行一定時間(例如1分鐘)之後解除空轉停止的功能。圖5示出此時的時序圖。
在圖5的時序圖中，期間T4表示讀出電路15繼續停止的期間。經過期間T4的一定時間之後，控制電路16解除讀出電路15的停止。即使在期間T5檢測不到信號21中的write指令，讀出電路15也讀出在期間T2被儲存在圖框記憶體14中的影像資料，並將其作為信號DO3傳送。
在根據圖5的時序圖使顯示裝置工作的情況下，如圖2所示的顯示裝置2那樣，較佳為將解碼器20設置在寫入電路13與圖框記憶體14之間。此時，讀出電路15能夠以短時間從圖框記憶體14讀出影像資料。
〈顯示裝置的工作例子3〉
圖4及圖5示出了在一個圖框期間中進行圖框記憶體14的資料寫入和讀出的情況。接下來，對在多個圖框期間進行資料的寫入和讀出的情況進行說明。圖6示出此時的時序圖。
首先，在期間T1，控制電路16檢測信號DI1所包含的write指令。接著，在期間T2，信號DI1開始寫入到圖框記憶體14。在寫入開始後經過一 定時間之後，信號DO被輸出。
在期間T3，控制電路16檢測不到write指令。在期間T4，控制電路16在信號DO1的輸出結束後停止讀出電路15的工作。
接著，在期間T5，控制電路16檢測信號DI3所包含的write指令，解除讀出電路15的停止。
〈資料包的結構例子〉
圖7示出構成信號21的資料包格式(Long Packet Format(長包格式)的情況)的一個例子。
資料包在SoT(Start of Transmission：傳送開始)與EoT(End of Transmission：傳送結束)間被傳送。在資料包中存在有頭部區域(Packet Header：包頭)和尾部區域(Packet Footer：包尾)。
Pay load(淨荷)是資料包的資料區域，包含像素灰階級數、指令或像素座標資訊等。
頭部區域包含資料ID、傳送資料數(Word Count)及ECC(Error-Correcting Code)。
資料ID包含虛擬通道識別符(Virtual Channel Identifier)及Pay load的資料模式資訊。
上述write_memory_start包括在Pay load中。上述Packed Pixel Stream 包括在資料ID中。
〈圖框記憶體〉
接著，參照圖8至圖11B對可用於圖框記憶體14的記憶單元的結構進行說明。
圖框記憶體14較佳為能夠同時進行影像資料的寫入和讀出。作為可用於圖框記憶體14的記憶體，可以舉出雙埠記憶體和單埠記憶體。
在本說明書中，雙埠記憶體是指用多個介面進行資料的輸入和輸出的記憶體。介面的數量不侷限於兩個，也可以為三個以上。雙埠存儲器具有多個介面，由此能夠同時進行資料的寫入和讀出。
在本說明書中，單埠記憶體是指用一個介面進行資料的輸入和輸出的記憶體。單埠記憶體在不同的時序進行資料的寫入和讀出。即使在使用單埠記憶體的情況下，藉由利用雙緩衝技術等也可以同時進行資料的寫入和讀出。當使用單埠記憶體時，與使用雙埠記憶體的情況相比，可以減小佈線和電晶體的數量，從而可以減小記憶單元的佔有面積。
首先，說明雙埠記憶體的例子。
〈〈記憶單元的結構例子1〉〉
圖8示出可用於圖框記憶體14的記憶單元31的電路圖。記憶單元31是一般的SRAM(Static Random Access Memory：靜態隨機存取記憶體)。記憶單元31可以使用其通道形成區域中包含Si的電晶體(Si電晶體)構 成。
記憶單元31包括佈線WW、佈線RW、佈線RB1、佈線RB2、佈線WB1及佈線WB2。
佈線WW具有寫入資料時的字線的功能，佈線RW具有讀出資料時的字線的功能。佈線WB1及WB2具有寫入資料時的位元線的功能。佈線RB1及RB2具有讀出資料時的位元線的功能。
記憶單元31包括獨立的資料寫入用位元線和資料讀出用位元線。因此，使用記憶單元31的圖框記憶體是雙埠記憶體。
〈〈記憶單元的結構例子2〉〉
圖9A示出可用於圖框記憶體14的記憶單元32的電路圖。記憶單元32包括電晶體M1、電晶體M2、電晶體M3及電容器Cs1。此外，記憶單元32與佈線WW、佈線RW、佈線BG、佈線RB1、佈線WB1及佈線RB2電連接。
佈線WW具有寫入資料時的字線的功能，佈線RW具有讀出資料時的字線的功能。佈線WB1具有寫入資料時的位元線的功能，佈線RB1及RB2具有讀出資料時的位元線的功能。
電晶體M1包括第一閘極及第二閘極。第一閘極與佈線WW電連接，第二閘極與佈線BG電連接。第一閘極和第二閘極較佳為具有隔著通道形成區域彼此重疊的區域。
電晶體M1較佳為使用在關閉狀態下流過源極與汲極之間的電流(關態電流)小的電晶體。在此，關態電流小是指：在室溫下將源極與汲極之間的電壓設定為1.8V時的每通道寬度1μm的標準化的關態電流為1×10-20A以下，在85℃下為1×10-18A以下，或在125℃下為1×10-16A以下。作為這種關態電流小的電晶體，可以舉出OS電晶體。
作為可以用於上述OS電晶體的氧化物半導體，可以舉出In-Ga氧化物、In-Zn氧化物、In-M-Zn氧化物(M為Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)等。此外，上述氧化物半導體不侷限於包含In的氧化物。例如，也可以為Zn氧化物、Zn-Sn氧化物、Ga-Sn氧化物。
電晶體M2和M3較佳為使用Si電晶體或OS電晶體。
接著，說明記憶單元32的工作。在工作期間中，佈線RB2被供應L位準電位。
首先，將佈線WW設定為H位準，使電晶體M1處於開啟狀態。資料從佈線WB1藉由電晶體M1寫入到節點FN1(電晶體M2的閘極)。
接著，將佈線WW設定為L位準，使電晶體M1處於關閉狀態。電晶體M1的關態電流小，由此可以長期間保持寫入在節點FN1的資料。
接著，將佈線RB1設定為H位準，然後使佈線RB1處於電浮動狀態。
接著，對佈線RW施加H位準電位，使電晶體M3處於開啟狀態。此 時，在節點FN1中寫入有“1”的情況下，電晶體M2為開啟狀態，由此，電流流過佈線RB1與佈線RB2之間。在節點FN1中寫入有“0”的情況下，電晶體M2為關閉狀態，由此，電流不流過佈線RB1與佈線RB2之間。最終，藉由讀出佈線RB1的電位變化，可以讀出寫入在節點FN的資料。
佈線BG較佳為被供應固定電位VBG。尤其是，作為電位VBG較佳為被供應負電位。藉由對電晶體M1的第二閘極供應負電位，可以防止電晶體M1成為常導通狀態。此外，根據情況也可以省略電晶體M1的第二閘極及佈線BG。
〈〈記憶單元的結構例子3〉〉
圖9B示出可用於圖框記憶體14的記憶單元33的電路圖。記憶單元33的與記憶單元32不同之處在於：設置有p通道電晶體的電晶體M4及M5代替電晶體M2及M3，並且，電容器Cs1與佈線CL電連接。佈線CL一直被供應L位準電位。
與記憶單元31同樣，記憶單元32及33包括獨立的資料寫入用位元線和資料讀出用位元線。因此，使用記憶單元32或記憶單元33的圖框記憶體是雙埠記憶體。
記憶單元31是揮發性記憶體，由此當電源關閉時資料丟失。另一方面，記憶單元32及33是非揮發性記憶體，由此即使當電源關閉時，資料也不會丟失。因此，可以降低圖框記憶體的功耗。明確而言，在圖4的期間T3及期間T4、圖5的期間T3、期間T4及期間T5、圖6的期間T4，可以關 閉電源。
接著，說明圖框記憶體14為單埠記憶體的情況。
〈〈記憶單元的結構例子4〉〉
圖10示出可用於圖框記憶體14的記憶單元34的電路圖。記憶單元34的電路圖是使圖8所示的記憶單元31中的寫入用位元線與讀出用位元線共同化時的電路圖。
佈線WL具有進行資料的寫入和讀出時的字線的功能。佈線BL1具有進行資料的寫入和讀出時的位元線的功能。同樣地，佈線BL2具有進行資料的寫入和讀出時的位元線的功能。
記憶單元34的佈線及電晶體的數量比記憶單元31少。由此，可以減小記憶單元的佔有面積，從而可以形成積體度高的記憶單元陣列。
〈〈記憶單元的結構例子5〉〉
圖11A示出可用於圖框記憶體14的記憶單元35的電路圖。記憶單元35包括電晶體M6及電容器Cs2。此外，記憶單元35與佈線BL及佈線WL電連接。
記憶單元35是一般的DRAM(Dynamic Random Access Memory：動態隨機存取記憶體)。電晶體M6可以使用其通道形成區域中包含Si的電晶體(Si電晶體)構成。
記憶單元35的電晶體的數量比記憶單元31至34少。由此，可以減小記憶單元的佔有面積，從而可以形成積體度高的圖框記憶體。
〈〈記憶單元的結構例子6〉〉
在記憶單元35中，作為電晶體M6也可以使用OS電晶體。圖11B示出此時的電路圖。
圖11B示出可用於圖框記憶體14的記憶單元36的電路圖。記憶單元36包括電晶體M7及電容器Cs2。與圖9的電晶體M1同樣，電晶體M7較佳為使用OS電晶體。藉由作為電晶體M7使用OS電晶體，記憶單元36可以長期間保持寫入在電容器Cs2的資料。
電晶體M7包括第一閘極及第二閘極。第一閘極與佈線WL電連接，第二閘極與佈線BG電連接。第一閘極和第二閘極較佳為具有隔著通道形成區域彼此重疊的區域。
佈線BG較佳為被供應固定電位VBG。尤其是，作為電位VBG較佳為被供應負電位。藉由對電晶體M7的第二閘極供應負電位，可以防止電晶體M7成為常導通狀態。此外，根據情況也可以省略電晶體M7的第二閘極及佈線BG。
記憶單元35是揮發性記憶體，由此當電源關閉時資料丟失。另一方面，記憶單元36是非揮發性記憶體，由此即使當電源關閉時，資料也不會丟失。因此，可以降低圖框記憶體的功耗。明確而言，在圖4的期間T3及期間 T4、圖5的期間T3、期間T4及期間T5、圖6的期間T4，可以關閉電源。
如上所述，藉由利用本實施方式所示的顯示裝置及其工作方法，可以以簡單的方法進行空轉停止。此外，可以以低成本進行空轉停止。此外，可以提供一種以低功耗驅動的顯示裝置及其工作方法。
實施方式2
在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的顯示裝置進行說明。
〈顯示裝置的結構例子〉
圖12A是示出顯示裝置4的結構例子的方塊圖，圖12B是示出顯示裝置4的工作的一個例子的時序圖。
顯示裝置4包括主機10、控制器11及顯示面板12。控制器11包括寫入電路13a和13b、圖框記憶體14a和14b、讀出電路15a和15b及控制電路16a。
顯示面板12包括顯示元件30a和顯示元件30b這兩種顯示元件。顯示元件30a利用空轉停止，而顯示元件30b不利用空轉停止。
寫入電路13a、13b對應於圖1的寫入電路13，圖框記憶體14a、14b對應於圖1的圖框記憶體14，讀出電路15a、15b對應於圖1的讀出電路15，控制電路16a對應於圖1的控制電路16。關於顯示裝置4的其他組件的詳細內容，可以參照關於圖1的記載。
主機10將信號21a、21b供應給控制器11。信號21a是視訊信號且包含使用顯示元件30a顯示的影像資料。同樣地，信號21b是視訊信號且包含使用顯示元件30b顯示的影像資料。
與圖1的信號21同樣，信號21a、21b以資料包形式被發送。當上述資料包包含影像資料時，信號21a、21b包含在實施方式1中示出的write指令。
寫入電路13a具有將信號21a所包含的影像資料寫入圖框記憶體14a的功能。讀出電路15a具有讀出寫入在圖框記憶體14a中的影像資料且將其作為信號22a供應給顯示面板12的功能。
寫入電路13b具有將信號21b所包含的影像資料寫入圖框記憶體14b的功能。讀出電路15b具有讀出寫入在圖框記憶體14b中的影像資料且將其作為信號22b供應給顯示面板12的功能。
控制電路16a檢測寫入電路13a解碼的write指令，決定讀出電路15a的工作。當檢測不到write指令時，控制電路16a判斷出沒有被供應信號21a或者信號21a不包含影像資料，而停止讀出電路15a。其結果是，信號22a的供應被停止。也就是說，顯示裝置4成為空轉停止狀態。
〈顯示裝置的工作例子〉
接著，參照圖12B的時序圖說明顯示裝置4的工作。在以下說明中，與信號21同樣，信號21a、21b基於MIPI標準。
在期間T1，信號DI1a、DI1b從主機10被傳送給控制器11。控制電路16a檢測信號DI1a所包含的write指令。控制電路16a接收信號DI1a直到期間T2結束為止，由此可以知道圖框記憶體14a的影像資料被更新。
在期間T2，寫入到圖框記憶體14a的影像資料作為信號DO1a被傳送給顯示面板12，由此，使用顯示元件30a顯示的影像被更新。同樣地，寫入到圖框記憶體14b的影像資料作為信號DO1b被傳送給顯示面板12，由此，使用顯示元件30b顯示的影像被更新。
在期間T3，信號21a不包含影像資料。也就是說，控制電路16a檢測不到write指令。控制電路16a知道圖框記憶體14a的影像資料不被更新。控制電路16a停止讀出電路15a的工作。讀出電路15a的停止繼續直到期間T4結束為止。此外，在期間T3及期間T4，較佳為使圖框記憶體14a的電源關閉。
在期間T3，信號21b不包含影像資料。在期間T4，讀出電路15b從圖框記憶體14b讀出在期間T2被寫入的影像資料，並將其作為信號DO2b傳送給顯示面板12。注意，在圖式中信號DO2b看起來好像是一個圖框，但實際上是多個圖框的集合。
在期間T5，信號DI3a、DI3b從主機10被傳送給控制器11。控制電路16a檢測信號DI3a所包含的write指令，解除讀出電路15a的停止。控制電路16a接收信號DI3a直到期間T6結束為止，由此可以知道圖框記憶體14a的影像資料被更新。
在期間T6，寫入到圖框記憶體14a的影像資料作為信號DO3a被傳送給顯示面板12，由此，使用顯示元件30a顯示的影像被更新。同樣地，寫入到圖框記憶體14b的影像資料作為信號DO3b被傳送給顯示面板12，由此，使用顯示元件30b顯示的影像被更新。
另外，如圖5所示的時序圖那樣，即使控制電路16a檢測不到write指令，也可以在讀出電路15a的停止狀態繼續一定時間(例如1分鐘)之後解除讀出電路15a的停止。
在圖12A所示的顯示裝置4中，根據情況，也可以省略圖框記憶體14b。也就是說，可以將輸入到控制器11中的信號21b不作任何改變地作為信號22b輸出。
在圖12A所示的顯示裝置4中，也可以在寫入電路13a與圖框記憶體14a之間、圖框記憶體14a與讀出電路15a之間、寫入電路13b與圖框記憶體14b之間或圖框記憶體14b與讀出電路15b之間設置解碼器。當在寫入電路13a與圖框記憶體14a之間或寫入電路13b與圖框記憶體14b之間設置解碼器時，讀出電路15a、15b能夠不藉由解碼器以短時間讀出圖框記憶體的資料，所以是較佳的。當在圖框記憶體14a與讀出電路15a之間或圖框記憶體14b與讀出電路15b之間設置解碼器時，可以減小圖框記憶體14a、14b的記憶容量，從而可以減小控制器11的晶片尺寸，所以是較佳的。
作為顯示元件30a，較佳為使用反射型顯示元件。藉由使用反射型顯示 元件，可以降低功耗。或者，可以在外光亮的環境下以高對比良好地顯示影像。明確而言，可以將反射型液晶元件用作顯示元件30a。
作為顯示元件30b，較佳為使用發光元件。藉由使用發光元件，可以在暗環境下良好地顯示影像。明確而言，可以將有機EL元件、無機EL元件或發光二級光等用作顯示元件30b。
藉由將顯示元件30a和顯示元件30b形成在一個像素中，顯示裝置4可以將不同的顯示元件所生成的兩個影像重合在一起，來顯示一個影像。
例如，藉由作為信號21a選擇背景影像，作為信號21b選擇文字影像，並且將這些影像重合而顯示，來可以將顯示裝置4用作書籍(例如，小說、教科書、繪本等)。背景影像的影像資料的更新頻率低，由此容易利用空轉停止。因此，可以提供功耗小的書籍。
另外，顯示裝置4可以進行三種顯示模式：用顯示元件30a進行的顯示；用顯示元件30b進行的顯示；用顯示元件30a及30b進行的顯示。顯示裝置4可以根據外光明度選擇這些顯示模式。其結果是，作為顯示裝置4可以提供可見度高的顯示裝置。
如上所述，藉由使用本實施方式的顯示裝置，可以提供功耗小的顯示裝置。
實施方式3
在本實施方式中，對實施方式2所示的顯示面板12的詳細內容進行說明。
〈顯示面板的結構例子〉
圖13是說明顯示面板12的結構例子的方塊圖。
顯示面板12包括顯示區域231。此外，顯示面板12也可以包括驅動電路GD或驅動電路SD。
〈〈顯示區域231〉〉
顯示區域231包括一個像素群702(i，1)至702(i，n)、另一個像素群702(1，j)至702(m，j)、掃描線G1(i)。此外，包括掃描線G2(i)、佈線CSCOM、佈線ANO、信號線S2(j)。此外，i為1以上且m以下的整數，j為1以上且n以下的整數，m及n為1以上的整數。
一個像素群702(i，1)至702(i，n)包括像素702(i，j)。一個像素群702(i，1)至702(i，n)配置在行方向(圖式中的以箭頭R1表示的方向)上。
另一個像素群702(1，j)至702(m，j)包括像素702(i，j)，另一個像素群702(1，j)至702(m，j)配置在與行方向交叉的列方向(圖式中的以箭頭C1表示的方向)上。
掃描線G1(i)及掃描線G2(i)與配置在行方向上的一個像素群702(i，1)至702(i，n)電連接。
配置在列方向上的另一個像素群702(1，j)至702(m，j)與信號線S1(j)及信號線S2(j)電連接。
〈〈驅動電路GD〉〉
驅動電路GD具有根據控制資料供應選擇信號的功能。
例如，驅動電路GD具有根據控制資料以30Hz以上，較佳為60Hz以上的頻率對一掃描線供應選擇信號的功能。由此，可以流暢地顯示動態影像。
例如，驅動電路GD具有根據控制資料以低於30Hz，較佳為低於1Hz，更佳為低於1次/分的頻率對一掃描線供應選擇信號的功能。由此，可以在閃爍被抑制的狀態下顯示靜態影像。
〈〈驅動電路SD、驅動電路SD1、驅動電路SD2〉〉
驅動電路SD包括驅動電路SD1、驅動電路SD2。驅動電路SD1具有根據信號22a供應影像信號的功能，驅動電路SD2具有根據信號22b供應影像信號的功能。
驅動電路SD1具有產生影像信號的功能，該影像信號供應給與一個顯示元件電連接的像素電路。明確而言，驅動電路SD1具有產生極性反轉的信號的功能。由此，例如可以驅動液晶顯示元件。
驅動電路SD2具有產生影像信號的功能，該影像信號供應給與利用不 同於上述一個顯示元件的方法進行顯示的另一個顯示元件電連接的像素電路。例如，可以驅動有機EL元件。
例如，可以將移位暫存器等各種時序電路等用於驅動電路SD。
例如，可以將集成了驅動電路SD1及驅動電路SD2的積體電路用於驅動電路SD。明確而言，可以將在矽基板上形成的積體電路用於驅動電路SD。
控制器11也可以包括在與驅動電路SD相同的積體電路中。明確而言，可以將形成在矽基板上的積體電路用於控制器11及驅動電路SD。
例如，可以利用COG(Chip on glass：晶粒玻璃接合)法或COF(Chip on Film：薄膜覆晶封裝)法將上述積體電路安裝於端子。明確而言，可以使用異方性導電膜將積體電路安裝於端子。
〈〈像素電路〉〉
圖14是示出像素702的結構例子的電路圖。像素702(i，j)具有驅動顯示元件30a(i，j)及顯示元件30b(i，j)的功能。由此，例如可以使用能夠藉由同一製程形成的像素電路驅動顯示元件30a、以與顯示元件30a不同的方法進行顯示的顯示元件30b。明確而言，藉由將反射型顯示元件用作顯示元件30a，可以降低耗電量。或者，可以在外光亮的環境下以高對比良好地顯示影像。或者，可以使用發射光的顯示元件30b在暗環境下良好地顯示影像。
像素702(i，j)與信號線S1(j)、信號線S2(j)、掃描線G1(i)、掃 描線G2(i)、佈線CSCOM及佈線ANO電連接。
像素702(i，j)包括開關SW1、電容器C11、開關SW2、電晶體M及電容器C12。
可以將包括與掃描線G1(i)電連接的閘極電極及與信號線S1(j)電連接的第一電極的電晶體用作開關SW1。
電容器C11包括與用作開關SW1的電晶體的第二電極電連接的第一電極、與佈線CSCOM電連接的第二電極。
可以將包括與掃描線G2(i)電連接的閘極電極及與信號線S2(j)電連接的第一電極的電晶體用作開關SW2。
電晶體M包括與用作開關SW2的電晶體的第二電極電連接的閘極電極、與佈線ANO電連接的第一電極。
另外，電晶體M也可以包括第一閘極電極及第二閘極電極。第一閘極電極也可以與第二閘極電極電連接。第一閘極電極及第二閘極電極較佳為具有隔著半導體膜互相重疊的區域。
電容器C12包括與用作開關SW2的電晶體的第二電極電連接的第一電極、與電晶體M的第一電極電連接的第二電極。
顯示元件30a(i，j)的第一電極與用作開關SW1的電晶體的第二電極電連接。此外，顯示元件30a(i，j)的第二電極與佈線VCOM1電連接。 由此，可以驅動顯示元件30a(i，j)。
顯示元件30b(i，j)的第一電極與電晶體M的第二電極電連接，顯示元件30b(i，j)的第二電極與佈線VCOM2電連接。由此，可以驅動顯示元件30b(i，j)。
〈顯示面板的俯視圖〉
圖15A至圖15C是說明顯示面板12的結構的圖。圖15A是顯示面板12的俯視圖，圖15B是說明圖15A所示的顯示面板12的像素的一部分的俯視圖。圖15C是說明圖15B所示的像素的結構的示意圖。
在圖15A中，在軟性印刷電路板FPC1上配置有驅動電路SD及端子519B。
在圖15C中，像素702(i，j)包括顯示元件30a(i，j)及顯示元件30b(i，j)。
〈顯示面板的剖面圖〉
圖16A和圖16B以及圖17A和圖17B是說明顯示面板12的結構的剖面圖。圖16A是沿著圖15A和圖15B的截斷線X1-X2、截斷線X3-X4、截斷線X5-X6的剖面圖，圖16B是說明圖16A的一部分的圖。
圖17A是沿著圖15A和圖15B的截斷線X7-X8、截斷線X9-X10的剖面圖，圖17B是說明圖17A的一部分的圖。
以下，參照圖16A和圖16B以及圖17A和圖17B說明顯示面板12的各組件。
〈〈基板570〉〉
作為基板570等，可以使用具有能夠承受製程中的熱處理的耐熱性的材料。例如，作為基板570，可以使用厚度為0.1mm以上且0.7mm以下的材料。明確而言，可以使用拋光至0.1mm左右厚的材料。
例如，可以將第6代(1500mm×1850mm)、第7代(1870mm×2200mm)、第8代(2200mm×2400mm)、第9代(2400mm×2800mm)、第10代(2950mm×3400mm)等大面積的玻璃基板用作基板570等。由此，可以製造大型顯示裝置。
可以將有機材料、無機材料或混合有機材料和無機材料等的複合材料等用於基板570等。例如，可以將玻璃、陶瓷、金屬等無機材料用於基板570等。
明確而言，可以將無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃、水晶玻璃、鋁矽酸玻璃、強化玻璃、化學強化玻璃、石英或藍寶石等用於基板570。明確而言，可以將無機氧化物膜、無機氮化物膜或無機氧氮化物膜等用於基板570等。例如，可以將氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等用於基板570等。可以將不鏽鋼或鋁等用於基板570等。
例如，可以將以矽或碳化矽為材料的單晶半導體基板或多晶半導體基 板、以矽鍺等為材料的化合物半導體基板、SOI基板等用於基板570等。由此，可以將半導體元件形成於基板570等。
例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等有機材料用於基板570等。明確而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板用於基板570等。
例如，基板570等可以使用將金屬板、薄板狀的玻璃板或無機材料等的膜貼合於樹脂薄膜等的複合材料。例如，基板570等可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料等分散到樹脂薄膜而得到的複合材料。例如，基板570等可以使用將纖維狀或粒子狀的樹脂或有機材料等分散到無機材料而得到的複合材料。
另外，可以將單層的材料或層疊有多個層的材料用於基板570等。例如，也可以將層疊有基材與防止包含在基材中的雜質擴散的絕緣膜等的材料用於基板570等。明確而言，可以將層疊有玻璃與防止包含在玻璃中的雜質擴散的選自氧化矽層、氮化矽層或氧氮化矽層等中的一種或多種的膜的材料用於基板570等。或者，可以將層疊有樹脂與防止穿過樹脂的雜質的擴散的氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜等的材料用於基板570等。
具體地，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜、樹脂板或疊層材料等用於基板570等。
明確而言，可以將包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、 聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚氨酯、丙烯酸樹脂、環氧樹脂或矽酮樹脂等具有矽氧烷鍵合的樹脂的材料用於基板570等。
明確而言，可以將聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)或丙烯酸樹脂等用於基板570等。或者，可以使用環烯烴聚合物(COP)、環烯烴共聚物(COC)等。
另外，可以將紙或木材等用於基板570等。
例如，可以將具有撓性的基板用於基板570等。
此外，可以採用在基板上直接形成電晶體或電容器等的方法。另外，可以使用如下方法：例如在對製程中的加熱具有耐性的製程用基板上形成電晶體或電容器等，並將形成的電晶體或電容器等轉置到基板570等。由此，例如可以在具有撓性的基板上形成電晶體或電容器等。
〈〈基板770〉〉
例如，可以將具有透光性的材料用於基板770。明確而言，基板770可以使用選自可用於基板570的材料的材料。
例如，可以將鋁矽酸玻璃、強化玻璃、化學強化玻璃或藍寶石等適當地用於顯示面板中的配置在靠近使用者的一側的基板770。由此，可以防止使用時造成的顯示面板的損壞或損傷。
此外，例如可以將厚度為0.1mm以上且0.7mm以下的材料用於基板 770。明確而言，可以使用藉由拋光被減薄的基板。由此，可以使功能膜770D與顯示元件30a(i，j)接近。其結果是，可以顯示很少模糊的清晰影像。
〈〈結構體KB1〉〉
例如，可以將有機材料、無機材料或有機材料和無機材料的複合材料用於結構體KB1等。由此，可以將夾住結構體KB1等的結構之間設定成預定的間隔。
明確而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚矽氧烷或丙烯酸樹脂等或選自上述樹脂中的多種樹脂的複合材料等用於結構體KB1。另外，也可以使用具有感光性的材料。
〈〈密封劑705〉〉
可以將無機材料、有機材料或無機材料和有機材料的複合材料等用於密封劑705等。
例如，可以將熱熔性樹脂或固化樹脂等有機材料用於密封劑705等。
例如，可以將反應固化型黏合劑、光固化型黏合劑、熱固性黏合劑和/或厭氧型黏合劑等有機材料用於密封劑705等。
明確而言，可以將包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等的黏合劑用於密封劑705等。
〈〈接合層505〉〉
例如，可以將能夠用於密封劑705的材料用於接合層505。
〈〈絕緣膜521、絕緣膜518〉〉
例如，可以將絕緣性無機材料、絕緣性有機材料或包含無機材料和有機材料的絕緣性複合材料用於絕緣膜521、518等。
明確而言，可以將無機氧化物膜、無機氮化物膜、無機氧氮化物膜等或層疊有選自這些材料中的多個材料的疊層材料用於絕緣膜521、518等。例如，可以將氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等或包含層疊有選自這些材料中的多個材料的疊層材料的膜用於絕緣膜521、518等。
明確而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚矽氧烷或丙烯酸樹脂等或選自上述樹脂中的多個樹脂的疊層材料或複合材料等用於絕緣膜521、518等。另外，也可以使用具有感光性的材料。
由此，例如可以使起因於與絕緣膜521、518重疊的各種結構的步階平坦化。
〈〈絕緣膜528〉〉
例如，可以將能夠用於絕緣膜521的材料用於絕緣膜528等。明確而言，可以將厚度為1μm的包含聚醯亞胺的膜用作絕緣膜528。
〈〈絕緣膜501A〉〉
例如，可以將能夠用於絕緣膜521的材料用於絕緣膜501A。此外，例 如可以將具有供應氫的功能的材料用於絕緣膜501A。
明確而言，可以將層疊有包含矽及氧的材料與包含矽及氮的材料的材料用於絕緣膜501A。例如，可以將具有藉由加熱等釋放氫而將該氫供應給其他組件的功能的材料用於絕緣膜501A。明確而言，可以將具有藉由加熱等釋放製程中被引入的氫而將其供應給其他組件的功能的材料用於絕緣膜501A。
例如，可以將藉由使用矽烷等作為源氣體的化學氣相沉積法形成的包含矽及氧的膜用作絕緣膜501A。
明確而言，可以將層疊包含矽及氧的厚度為200nm以上且600nm以下的材料以及包含矽及氮的厚度為200nm左右的材料而成的材料用於絕緣膜501A。
〈〈絕緣膜501C〉〉
例如，可以將能夠用於絕緣膜521的材料用於絕緣膜501C。明確而言，可以將包含矽及氧的材料用於絕緣膜501C。由此，可以抑制雜質擴散到像素電路或顯示元件30b(i，j)等。
例如，可以將包含矽、氧及氮的厚度為200nm的膜用作絕緣膜501C。
〈〈中間膜754A、中間膜754B、中間膜754C〉〉
例如，可以將厚度為10nm以上且500nm以下，較佳為10nm以上且100nm以下的膜用於中間膜754A、中間膜754B或中間膜754C。在本說明 書中，將中間膜754A、中間膜754B或中間膜754C稱為中間膜。
例如，可以將具有透過或供應氫的功能的材料用於中間膜。
例如，可以將具有導電性的材料用於中間膜。
例如，可以將具有透光性的材料用於中間膜。
明確而言，可以將包含銦及氧的材料、包含銦、鎵、鋅及氧的材料或者包含銦、錫及氧的材料等用於中間膜。這些材料具有透過氫的功能。
明確而言，可以將包含銦、鎵、鋅及氧的厚度為50nm的膜或厚度為100nm的膜用作中間膜。
此外，可以將層疊具有蝕刻停止膜的功能的膜而成的材料用作中間膜。明確而言，可以將依次層疊有包含銦、鎵、鋅及氧的厚度為50nm的膜以及包含銦、錫及氧的厚度為20nm的膜的疊層材料用作中間膜。
〈〈佈線、端子、導電膜〉〉
可以將具有導電性的材料用於佈線等。明確而言，可以將具有導電性的材料用於信號線S1(j)、信號線S2(j)、掃描線G1(i)、掃描線G2(i)、佈線CSCOM、佈線ANO、端子519B、端子519C、導電膜511B或導電膜511C等。
例如，可以將無機導電材料、有機導電材料、金屬或導電性陶瓷等用於佈線等。
具體地，可以將選自鋁、金、鉑、銀、銅、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、鈀或錳的金屬元素等用於佈線等。或者，可以將含有上述金屬元素的合金等用於佈線等。尤其是，銅和錳的合金適用於利用濕蝕刻法的微細加工。
具體地，佈線等可以採用如下結構：在鋁膜上層疊有鈦膜的雙層結構；在氮化鈦膜上層疊有鈦膜的雙層結構；在氮化鈦膜上層疊有鎢膜的雙層結構；在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊有鎢膜的雙層結構；依次層疊有鈦膜、鋁膜和鈦膜的三層結構等。
具體地，可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加了鎵的氧化鋅等導電性氧化物用於佈線等。
具體地，可以將含有石墨烯或石墨的膜用於佈線等。
例如，可以形成含有氧化石墨烯的膜，然後藉由使含有氧化石墨烯的膜還原來形成含有石墨烯的膜。作為還原方法，可以舉出利用加熱的方法以及利用還原劑的方法等。
例如，可以將包含金屬奈米線的膜用於佈線等。明確而言，可以使用包含銀的奈米線。
明確而言，可以將導電高分子用於佈線等。
此外，例如可以使用導電材料ACF1將端子519B與軟性印刷電路板 FPC1電連接。
〈〈顯示元件30a(i，j)〉〉
例如，可以將具有控制反射光或透光的功能的顯示元件用作顯示元件30a(i，j)。例如，可以使用組合有液晶元件與偏光板的結構或快門方式的MEMS顯示元件等。明確而言，可以將反射型液晶顯示元件用作顯示元件30a(i，j)。藉由使用反射型顯示元件，可以抑制顯示面板的耗電量。
例如，可以使用可藉由IPS(In-Plane-Switching：平面內切換)模式、TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場切換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模式以及AFLC(Anti Ferroelectric Liquid Crystal：反鐵電性液晶)模式等驅動方法驅動的液晶元件。
另外，可以使用可藉由例如如下模式驅動的液晶元件：垂直配向(VA)模式諸如MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence：電控雙折射)模式、CPA(Continuous Pinwheel Alignment：連續焰火狀排列)模式、ASV(Advanced Super-View：超視覺)模式等。
顯示元件30a(i，j)包括電極751(i，j)、電極752及包含液晶材料 的層753。層753包含能夠利用電極751(i，j)和電極752間的電壓控制配向的液晶材料。例如，可以將層753的厚度方向(也被稱為縱方向)、與縱方向交叉的方向(也被稱為橫方向或斜方向)的電場用作控制液晶材料的配向的電場。
例如，可以將熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等用於層753。或者，可以使用呈現膽固醇相、層列相、立方相、手性向列相、各向同性相等的液晶材料。或者，可以使用呈現藍相的液晶材料。
例如，可以將用於佈線等的材料用於電極751(i,j)。明確而言，可以將反射膜用於電極751(i,j)。例如，可以將層疊有透光性導電膜與具有開口部的反射膜的材料用於電極751(i,j)。
例如，可以將具有導電性的材料用於電極752。此外，可以將對可見光具有透過性的材料用於電極752。
例如，可以將導電氧化物、薄得可以透光的金屬膜或金屬奈米線用於電極752。
明確而言，可以將包含銦的導電性氧化物用於電極752。或者，可以將厚度為1nm以上且10nm以下的金屬薄膜用於電極752。此外，可以將包含銀的金屬奈米線用於電極752。
明確而言，可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加 有鎵的氧化鋅、添加有鋁的氧化鋅等用於電極752。
〈〈反射膜〉〉
例如，可以將反射可見光的材料用於反射膜。明確而言，可以將包含銀的材料用於反射膜。例如，可以將包含銀及鈀等的材料或包含銀及銅等的材料用於反射膜。
反射膜例如反射透過層753的光。由此，可以將顯示元件30a(i,j)用作反射型液晶元件。另外，例如，可以將其表面不平坦的材料用於反射膜。由此，使入射的光向各種方向反射，而可以進行白色顯示。
例如，可以將電極751(i，j)等用於反射膜。
例如，可以將具有夾在層753與電極751(i，j)之間的區域的膜用於反射膜。或者，當電極751(i，j)具有透光性時，可以將具有隔著電極751(i，j)與層753重疊的區域的膜用於反射膜。
反射膜例如較佳為具有不遮斷顯示元件30b(i，j)所發射的光的區域。例如，較佳為將包括一個或多個開口部751H的形狀用於反射膜。
可以將多角形、四角形、橢圓形、圓形或十字形等形狀用於開口部的形狀。另外，可以將細條狀、狹縫狀、方格狀的形狀用於開口部751H的形狀。
當對於非開口部的總面積的開口部751H的總面積的比過大時，使用顯 示元件30a(i，j)的顯示變暗。
另外，當對於非開口部的總面積的開口部751H的總面積的比過小時，使用顯示元件30b(i，j)的顯示變暗。
圖18A至圖18C是說明能夠用於顯示面板12的像素的反射膜的形狀的示意圖。
例如，與像素702(i，j)相鄰的像素702(i，j+1)中的開口部751H不配置在經過設置在像素702(i，j)中的開口部751H的在行方向(圖式中以箭頭R1表示的方向)上延伸的直線上(參照圖18A)。或者，例如，與像素702(i，j)相鄰的像素702(i+1，j)中的開口部751H不配置在經過設置在像素702(i，j)中的開口部751H的在列方向(圖式中以箭頭C1表示的方向)上延伸的直線上(參照圖18B)。
例如，像素702(i，j+2)中的開口部751H配置在經過像素702(i，j)中的開口部751H的在行方向上延伸的直線上(參照圖18A)。此外，像素702(i，j+1)中的開口部751H配置在像素702(i，j)中的開口部751H與像素702(i，j+2)中的開口部751H之間交叉於上述直線的直線上。
或者，例如，像素702(i+2，j)中的開口部751H配置在經過像素702(i，j)中的開口部751H的在列方向上延伸的直線上(參照圖18B)。此外，例如，像素702(i+1，j)中的開口部751H配置在像素702(i，j)中的開口部751H與像素702(i+2，j)中的開口部751H之間交叉於該直線的直線 上。
由此，可以使具有重疊於與一個像素相鄰的其他像素的開口部的區域的顯示元件30b遠離具有重疊於一個像素的開口部的區域的顯示元件30b。或者，作為與一個像素相鄰的其他像素的顯示元件30b可以配置顯示與一個像素的顯示元件30b所顯示的顏色不同的顏色的顯示元件。或者，可以降低相鄰配置顯示不同顏色的多個顯示元件的難易度。
例如，反射膜可以使用其端部被切除的形狀的材料形成，以形成不遮斷顯示元件30b(i，j)所發射的光的區域751E(參照圖18C)。明確而言，可以將藉由切除其端部以減短列方向(圖式中的以箭頭C1表示的方向)的電極751(i，j)用作反射膜。
〈〈配向膜AF1、配向膜AF2〉〉
例如，可以將包含聚醯亞胺等的材料用於配向膜AF1或配向膜AF2。明確而言，可以使用藉由摩擦處理或藉由光配向技術使液晶材料在預定的方向上配向而形成的材料。
例如，可以將包含可溶性聚醯亞胺的膜用於配向膜AF1或配向膜AF2。由此，可以降低形成配向膜AF1或配向膜AF2時所需要的溫度。其結果是，可以減輕形成配向膜AF1或配向膜AF2時會發生的對其他組件帶來的損壞。
〈〈彩色膜CF1、彩色膜CF2〉〉
可以將使指定顏色的光透過的材料用於彩色膜CF1或彩色膜CF2。由此，例如可以將彩色膜CF1或彩色膜CF2用作濾色片。例如，可以將透過藍色光、綠色光或紅色光的材料用於彩色膜CF1或彩色膜CF2。此外，可以將透過黃色光或白色光等的材料用於彩色膜CF1或彩色膜CF2。
另外，可以將具有將被照射的光轉換為指定顏色的光的功能的材料用於彩色膜CF2。明確而言，可以將量子點用於彩色膜CF2。由此，可以進行色純度高的顯示。
〈〈遮光膜BM〉〉
可以將防止透光的材料用於遮光膜BM。由此，例如可以將遮光膜BM用於黑矩陣。
〈〈絕緣膜771〉〉
例如，可以將聚醯亞胺、環氧樹脂、丙烯酸樹脂等用於絕緣膜771。
〈〈功能膜770P、功能膜770D〉〉
例如，可以將防反射膜、偏振膜、相位差膜、光擴散膜或聚光膜等用作功能膜770P或功能膜770D。
明確而言，可以將包含二向色性染料的薄膜用作功能膜770P或功能膜770D。或者，可以將具有包括沿著與基體表面交叉的方向的軸的柱狀結構的材料用於功能膜770P或功能膜770D。由此，可以容易在沿著軸的方向上透過光，並且可以容易使光在其他方向上散射。
另外，可以將抑制塵埃的附著的抗靜電膜、不容易被弄髒的具有拒水性的膜、抑制使用當中的損傷的硬塗膜等用作功能膜770P。
明確而言，可以將圓偏振膜用作功能膜770P。此外，可以將光擴散膜用作功能膜770D。
〈〈顯示元件30b(i,j)〉〉
例如，可以將發光元件用作顯示元件30b(i,j)。明確而言，可以將有機電致發光元件、無機電致發光元件或發光二極體等用作顯示元件30b(i,j)。
顯示元件30b(i，j)包括電極551(i，j)、電極552和包含發光材料的層553(j)。
例如，可以將發光性有機化合物用於層553(j)。
例如，可以將量子點用於層553(j)。由此，可以發射半寬度窄且顏色鮮明的光。
例如，可以將層疊為發射藍色光的疊層材料、層疊為發射綠色光的疊層材料或者層疊為發射紅色光的疊層材料等用於層553(j)。
例如，可以將沿著信號線S2(j)在列方向上延伸的帶狀疊層材料用於層553(j)。
此外，例如可以將層疊為發射白色光的疊層材料用於層553(j)。明確 而言，可以將層疊有包含發射藍色光的螢光材料的層以及包含發射綠色光及紅色光的螢光材料以外的材料的層或者包含發射黃色光的螢光材料以外的材料的層的疊層材料用於層553(j)。
例如，可以將能夠用於佈線等的材料用於電極551(i,j)。
例如，可以將選自能夠用於佈線等的材料的對可見光具有透光性的材料用於電極551(i,j)。
明確而言，作為電極551(i,j)，可以使用導電性氧化物、包含銦的導電性氧化物、氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等。或者，可以將薄得可以透光的金屬膜用於電極551(i,j)。或者，可以將使光的一部分透過且使光的其他一部分反射的金屬膜用於電極551(i,j)。由此，可以在顯示元件30b(i,j)中設置微諧振器結構。其結果是，與其他光相比可以高效地提取指定波長的光。
例如，可以將能夠用於佈線等的材料用於電極552。明確而言，可以將對可見光具有反射性的材料用於電極552。
〈〈驅動電路GD〉〉
可以將移位暫存器等各種時序電路等用於驅動電路GD。例如，可以將電晶體MD、電容器等用於驅動電路GD。明確而言，可以使用能夠與可用作開關SW1的電晶體或包括電晶體M在同一製程中形成的半導體膜的電晶體。
例如，可以將具有與能夠用作開關SW1的電晶體不同的結構的電晶體用作電晶體MD。明確而言，可以將包括導電膜524的電晶體用作電晶體MD。
此外，可以將與電晶體M相同的結構用於電晶體MD。
〈〈電晶體〉〉
例如，可以將能夠在同一製程中形成的半導體膜用於驅動電路及像素電路的電晶體。
例如，可以將底閘極型電晶體或頂閘極型電晶體等用於驅動電路的電晶體或像素電路的電晶體。
例如，可以利用在實施方式1中說明的OS電晶體。由此，可以進行上述空轉停止。
例如，可以將包括氧化物半導體膜508、導電膜504、導電膜512A及導電膜512B的電晶體用作開關SW1(參照圖17B)。此外，絕緣膜506包括夾在氧化物半導體膜508與導電膜504之間的區域。
導電膜504包括與氧化物半導體膜508重疊的區域。導電膜504具有閘極電極的功能。絕緣膜506具有閘極絕緣膜的功能。
導電膜512A及導電膜512B與氧化物半導體膜508電連接。導電膜512A具有源極電極的功能和汲極電極的功能中的一個，導電膜512B具有 源極電極的功能和汲極電極的功能中的另一個。
可以將包括導電膜524的電晶體用作驅動電路或像素電路的電晶體。導電膜524包括在其與導電膜504之間夾著氧化物半導體膜508的區域。此外，絕緣膜516包括夾在導電膜524與氧化物半導體膜508之間的區域。此外，例如，使供應與導電膜504相同的電位的佈線與導電膜524電連接。
例如，可以將層疊有包含組及氮的厚度為10nm的膜以及包含銅的厚度為300nm的膜的導電膜用作導電膜504。此外，包含銅的膜包括在其與絕緣膜506之間夾著包含鉭及氮的膜的區域。
例如，可以將層疊有包含矽及氮的厚度為400nm的膜以及包含矽、氧及氮的厚度為200nm的膜的材料用於絕緣膜506。此外，包含矽及氮的膜包括在其與氧化物半導體膜508之間夾著包含矽、氧及氮的膜的區域。
例如，可以將包含銦、鎵及鋅的厚度為25nm的膜用作氧化物半導體膜508。
例如，可以將依次層疊有包含鎢的厚度為50nm的膜、包含鋁的厚度為400nm的膜、包含鈦的厚度為100nm的膜的導電膜用作導電膜512A或導電膜512B。此外，包含鎢的膜包括與氧化物半導體膜508接觸的區域。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
圖19A是說明圖15B所示的顯示面板的像素的一部分的仰視圖，圖19B 是說明省略圖19A所示的結構的一部分的仰視圖。
實施方式4
在本實施方式中，對在上述實施方式的顯示裝置中使用觸控面板的輸入輸出面板進行說明。
圖20是說明包括觸控面板240及顯示面板12的輸入輸出面板250的結構的方塊圖。圖21A是輸入輸出面板250的俯視圖。圖21B是說明輸入輸出面板250的輸入部的一部分的示意圖。
觸控面板240包括檢測區域241、振盪電路OSC及檢測電路DC(圖20)。
檢測區域241包括與顯示面板12的顯示區域231重疊的區域。檢測區域241具有檢測靠近重疊於顯示區域231的區域的物體的功能。
檢測區域241包括一個群檢測元件775(g,1)至檢測元件775(g,q)、另一個群檢測元件775(1,h)至檢測元件775(p,h)。g是1以上且p以下的整數，h是1以上且q以下的整數，並且p及q是1以上的整數。
一個群檢測元件775(g,1)至檢測元件775(g,q)包括檢測元件775(g,h)並配置在行方向(圖式中的以箭頭R2表示的方向)上。
另一個群檢測元件775(1,h)至檢測元件775(p,h)包括檢測元件775(g,h)並配置在與行方向交叉的列方向(圖式中的以箭頭C2表示的方向)上。
設置在行方向上的一個群檢測元件775(g,1)至檢測元件775(g,q)包括與控制線SL(g)電連接的電極SE(g)(參照圖21B)。
配置在列方向上的另一個群檢測元件775(1,h)至檢測元件775(p,h)包括與檢測信號線ML(h)電連接的電極M(h)(參照圖21B)。
電極SE(g)及電極ME(h)較佳為具有透光性。
控制線SL(g)具有供應控制信號的功能。
檢測信號線ML(h)具有接收檢測信號的功能。
電極ME(h)以與電極SE(g)之間形成電場的方式配置。當手指等物體靠近檢測區域241時上述電場被遮蔽，由此，檢測元件775(g，h)供應檢測信號。
振盪電路OSC與控制線SL(g)電連接，並具有供應控制信號的功能。例如，可以將矩形波、鋸形波、三角形波等用於控制信號。
檢測電路DC與檢測信號線ML(h)電連接，並具有根據檢測信號線ML(h)的電位變化供應檢測信號P1的功能。該檢測信號P1例如包括位置資料。
檢測信號P1被供應給主機10。主機10根據檢測信號P1供應信號21a、21b，由此，顯示區域231所顯示的影像被更新。
圖22A和圖22B以及圖23是說明輸入輸出面板250的結構的圖。圖22A是沿著圖21A的截斷線X1-X2、截斷線X3-X4、截斷線X5-X6的剖面圖，圖22B是說明圖22A的一部分的結構的剖面圖。
圖23是沿著圖21A的截斷線X7-X8、截斷線X9-X10、截斷線X11-X12的剖面圖。
例如，輸入輸出面板250與實施方式3的顯示面板12的不同之處在於包括功能層720及頂閘極型電晶體。在此，對不同之處進行詳細說明，而關於能夠使用與上述結構相同的結構的部分援用上述說明。
功能層720例如包括由基板770、絕緣膜501C及密封劑705圍繞的區域(參照圖22A和圖22B)。
功能層720例如包括控制線SL(g)、檢測信號線ML(h)、檢測元件775(g，h)。
此外，在控制線SL(g)與第二電極752之間或檢測信號線ML(h)與第二電極752之間具有0.2μm以上且16μm以下，較佳為1μm以上且8μm以下，更佳為2.5μm以上且4μm以下的間隔。
輸入輸出面板250包括導電膜511D(參照圖23)。
另外，可以在控制線SL(g)與導電膜511D之間設置導電材料CP等，以將控制線SL(g)與導電膜511D電連接。或者，可以在檢測信號線ML (h)與導電膜511D之間設置導電材料CP等，以將檢測信號線ML(h)與導電膜511D電連接。例如，可以將能夠用於佈線等的材料用於導電膜511D。
另外，輸入輸出面板250包括端子519D(參照圖23)。端子519D與導電膜511D電連接。
端子519D包括導電膜511D及中間膜754D，中間膜754D包括與導電膜511D接觸的區域。
端子519D例如可以使用能夠用於佈線等的材料。明確而言，可以將與端子519B或端子519C相同的結構用於端子519D。
此外，例如可以使用導電材料ACF2將端子519D與軟性印刷電路板FPC2電連接。由此，例如可以使用端子519D對控制線SL(g)供應控制信號。或者，可以使用端子519D從檢測信號線ML(h)接收檢測信號。
能夠用於開關SW1的電晶體、電晶體M以及電晶體MD包括具有與絕緣膜501C重疊的區域的導電膜504以及具有夾在絕緣膜501C與導電膜504之間的區域的氧化物半導體膜508。此外，導電膜504具有閘極電極的功能(參照圖22B)。
氧化物半導體膜508具有：不與導電膜504重疊的第一區域508A及第二區域508B；以及第一區域508A與第二區域508B之間的重疊於導電膜504的第三區域508C。
電晶體MD在第三區域508C與導電膜504之間包括絕緣膜506。絕緣膜506具有閘極絕緣膜的功能。
第一區域508A及第二區域508B具有比第三區域508C低的電阻率，並具有源極區域的功能或汲極區域的功能。
例如，可以對氧化物半導體膜施加使用包含稀有氣體的氣體的電漿處理在氧化物半導體膜508中形成第一區域508A及第二區域508B。
例如，可以將導電膜504用作遮罩。由此，第三區域508C的一部分的形狀可以自對準地與導電膜504的端部的形狀一致。
電晶體MD包括與第一區域508A接觸的導電膜512A以及與第二區域508B接觸的導電膜512B。導電膜512A及導電膜512B具有源極電極或汲極電極的功能。
例如，可以將能夠在與電晶體MD同一的製程中形成的電晶體用作電晶體M。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖24A至圖24H對包括本發明的一個實施方式的顯示裝置的電子裝置進行說明。
圖24A至圖24G是示出電子裝置的圖。這些電子裝置可以包括外殼 5000、顯示部5001、揚聲器5003、LED燈5004、操作鍵5005(包括電源開關或操作開關)、連接端子5006、感測器5007(具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風5008等。
圖24A示出移動電腦，該移動電腦除了上述以外還可以包括開關5009、紅外線埠5010等。圖24B示出具備記錄介質的可攜式影像再現裝置(例如DVD再現裝置)，該可攜式影像再現裝置除了上述以外還可以包括第二顯示部5002、記錄介質讀取部5011等。圖24C示出護目鏡型顯示器，該護目鏡型顯示器除了上述以外還可以包括第二顯示部5002、支撐部5012、耳機5013等。圖24D示出可攜式遊戲機，該可攜式遊戲機除了上述以外還可以包括記錄介質讀取部5011等。圖24E示出具有電視接收功能的數位相機，該數位相機除了上述以外還可以包括天線5014、快門按鈕5015、影像接收部5016等。圖24F示出可攜式遊戲機，該可攜式遊戲機除了上述以外還可以包括第二顯示部5002、記錄介質讀取部5011等。圖24G示出可攜式電視接收機，該可攜式電視接收機除了上述以外還可以包括能夠收發信號的充電器5017等。
圖24A至圖24G所示的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上；觸控面板；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體(程式)控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路； 藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收；讀出儲存在記錄介質中的程式或資料來將其顯示在顯示部上等。再者，在具有多個顯示部的電子裝置中，可以具有如下功能：一個顯示部主要顯示影像資料，而另一個顯示部主要顯示文字資訊；或者，在多個顯示部上顯示考慮到視差的影像來顯示立體影像等。再者，在具有影像接收部的電子裝置中，可以具有如下功能：拍攝靜態影像；拍攝動態影像；對所拍攝的影像進行自動或手動校正；將所拍攝的影像儲存在記錄介質(外部或內置於相機)中；將所拍攝的影像顯示在顯示部等。注意，圖24A至圖24G所示的電子裝置可具有的功能不侷限於上述功能，而可以具有各種功能。
圖24H示出一種智慧手錶，包括外殼7302、顯示面板7304、操作按鈕7311、7312、連接端子7313、錶帶7321、錶帶扣7322等。
安裝在兼作框架(bezel)部分的外殼7302中的顯示面板7304具有非矩形狀的顯示區域。另外，顯示面板7304也可以具有矩形狀的顯示區域。顯示面板7304可以顯示表示時間的圖示7305以及其他圖示7306等。
圖24H所示的智慧手錶可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上；觸控面板；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體(程式)控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收；讀出儲存在記錄介質中的程式或資料來將其顯示在顯示部上等。
外殼7302的內部可具有揚聲器、感測器(具有測定如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風等。另外，智慧手錶可以藉由將發光元件用於其顯示面板7304來製造。
在本說明書中，在沒有特別說明的情況下，通態電流是指電晶體處於導通狀態時的汲極電流。在沒有特別說明的情況下，在n通道電晶體中，導通狀態是指閘極與源極間的電壓差(VG)為臨界電壓(Vth)以上的狀態，在p通道電晶體中，導通狀態是指VG為Vth以下的狀態。例如，n通道電晶體的通態電流是指VG為Vth以上時的汲極電流。電晶體的通態電流有時取決於汲極與源極間的電壓(VD)。
在本說明書中，在沒有特別說明的情況下，關態電流是指電晶體處於關閉狀態時的汲極電流。在沒有特別說明的情況下，在n通道電晶體中，關閉狀態是指VG低於Vth的狀態，在p通道電晶體中，關閉狀態是指VG高於Vth的狀態。例如，n通道電晶體的關態電流指VG低於Vth時的汲極電流。電晶體的關態電流有時取決於VG。因此，“電晶體的關態電流低於10-21A”有時是指存在使電晶體的關態電流成為低於10-21A的VG的值。
此外，電晶體的關態電流有時取決於VD。在沒有特別說明的情況下，在本說明書中，關態電流可能是指VD的絕對值為0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V或20V時的關態電流。或者，有 時表示包括該電晶體的半導體裝置等所使用的VD下的關態電流。
在本說明書等中，當說明電晶體的連接關係時，記載為“源極和汲極中的一個”(或者第一電極或第一端子)或“源極和汲極中的另一個”(或者第二電極或第二端子)。這是因為電晶體的源極和汲極根據電晶體的結構或工作條件等改變的緣故。注意，根據情況可以將電晶體的源極和汲極適當地換稱為源極(汲極)端子或源極(汲極)電極等。
例如，在本說明書等中，當明確地記載為“X與Y連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：X與Y電連接的情況；X與Y在功能上連接的情況；以及X與Y直接連接的情況。因此，不侷限於圖式或文中所示的連接關係等規定的連接關係，圖式或文中所示的連接關係以外的連接關係也包括在圖式或文中的記載範圍中。
在此，X和Y為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。
作為X與Y直接連接的情況的一個例子，可以舉出在X與Y之間沒有連接能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)，並且X與Y沒有藉由能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)連接的情況。
作為X和Y電連接的情況的一個例子，可以在X和Y之間連接一個以 上的能夠電連接X和Y的元件(例如開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器、二極體、顯示元件、發光元件、負載等)。此外，開關具有控制導通或關閉的功能。換言之，開關具有其成為導通狀態(開啟狀態)或非導通狀態(關閉狀態)而控制是否使電流流過的功能。或者，開關具有選擇並切換電流路徑的功能。另外，X和Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。
作為X和Y在功能上連接的情況的一個例子，可以在X和Y之間連接一個以上的能夠在功能上連接X和Y的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、γ(伽瑪)校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位位準的位準轉換器電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極隨耦電路、緩衝器電路等)、信號產生電路、記憶體電路、控制電路等)。注意，例如，即使在X與Y之間夾有其他電路，當從X輸出的信號傳送到Y時，就可以說X與Y在功能上是連接著的。另外，X與Y在功能上連接的情況包括X與Y直接連接的情況及X與Y電連接的情況。
此外，當明確地記載為“X與Y電連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：X與Y電連接的情況(換言之，以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y的情況)；X與Y在功能上連接的情況(換言之，以中間夾有其他電路的方式在功能上連接X與Y的情況)；以及X與Y直接連 接的情況(換言之，以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y的情況)。換言之，當明確記載為“電連接”時，在本說明書等中公開了與只明確記載為“連接”的情況相同的內容。
注意，例如，在電晶體的源極(或第一端子等)藉由Z1(或沒有藉由Z1)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)藉由Z2(或沒有藉由Z2)與Y電連接的情況下以及在電晶體的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接，Z1的另一部分與X直接連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，Z2的另一部分與Y直接連接的情況下，可以表示為如下。
例如，可以表示為“X、Y、電晶體的源極(或第一端子等)及電晶體的汲極(或第二端子等)互相電連接，並按X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)及Y的順序電連接”。或者，可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表示為“X藉由電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依次設置為相互連接”。藉由使用與這種例子相同的顯示方法規定電路結構中的連接順序，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)而決定技術範圍。
另外，作為其他表示方法，例如可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少藉由第一連接路徑與X電連接，上述第一連接路徑不具有第二連接路徑，上述第二連接路徑是電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)之間的路徑，上述第一連接路徑是藉由Z1的路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少藉由第三連接路徑與Y電連接，上述第三連接路徑不具有上述第二連接路徑，上述第三連接路徑是藉由Z2的路徑”。或者，也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少在第一連接路徑上藉由Z1與X電連接，上述第一連接路徑不具有第二連接路徑，上述第二連接路徑具有藉由電晶體的連接路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少在第三連接路徑上藉由Z2與Y電連接，上述第三連接路徑不具有上述第二連接路徑”。或者，也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一電路徑，藉由Z1與X電連接，上述第一電路徑不具有第二電路徑，上述第二電路徑是從電晶體的源極(或第一端子等)到電晶體的汲極(或第二端子等)的電路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三電路徑，藉由Z2與Y電連接，上述第三電路徑不具有第四電路徑，上述第四電路徑是從電晶體的汲極(或第二端子等)到電晶體的源極(或第一端子等)的電路徑”。藉由使用與這些例子同樣的表述方法規定電路結構中的連接路徑，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)和汲極(或第二端子等)來確定技術範圍。
注意，這種表示方法是一個例子，不侷限於上述表示方法。在此，X、Y、Z1及Z2為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電 膜及層等)。
另外，即使在電路圖上獨立的組件彼此電連接，也有時一個組件兼有多個組件的功能。例如，在佈線的一部分用作電極時，一個導電膜兼有佈線和電極的兩個組件的功能。因此，本說明書中的“電連接”的範疇內還包括這種一個導電膜兼有多個組件的功能的情況。
1‧‧‧顯示裝置
10‧‧‧主機
11‧‧‧控制器
12‧‧‧顯示面板
13‧‧‧電路
14‧‧‧圖框記憶體
15‧‧‧電路
16‧‧‧控制電路
21‧‧‧信號
22‧‧‧信號

Claims (4)

  1. 一種顯示裝置，包括：主機；控制器，該控制器包括第一寫入電路、第二寫入電路、第一圖框記憶體、第二圖框記憶體、第一讀出電路、第二讀出電路及控制電路；以及顯示面板，其中，該主機與該第一寫入電路及該第二寫入電路電連接，該第一寫入電路與該第一圖框記憶體電連接，該第二寫入電路與該第二圖框記憶體電連接，該第一圖框記憶體與該第一讀出電路電連接，該第二圖框記憶體與該第二讀出電路電連接，該第一讀出電路及該第二讀出電路與該顯示面板電連接，並且，該控制電路決定該第一讀出電路的工作。
  2. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中第一信號從該主機供應給該第一寫入電路，當該第一信號包含影像資料時，該第一信號包含表示該影像資料的存在的指令，當該控制電路檢測到該指令時，該第一讀出電路將該影像資料作為第二信號供應給該顯示面板，並且當該控制電路檢測不到該指令時，該第一讀出電路停止該第二信號的供應。
  3. 根據申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中在該第一讀出電路在指定的時間停止該第二信號的供應之後，與該第一信號是否包含該指令無關，該第一讀出電路再次開始該第二信號的供應。
  4. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第一圖框記憶體包括電晶體，並且該電晶體在通道形成區域中包含氧化物半導體。
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