JP2017207750A - 表示装置およびその動作方法 - Google Patents

Abstract

【課題】少ない消費電力で駆動する表示装置とその動作方法を提供する。【解決手段】ホストと、ホストから第１信号を供給されるコントローラと、コントローラから第２信号を供給される表示パネルと、を有する表示装置とその動作方法である。第１信号が画像データを含む場合、第１信号は画像データが含まれていることを示すコマンドを有し、コントローラはコマンドを検出すると、画像データを第２信号として供給し、コントローラはコマンドを検出しないと、第２信号の供給を停止する。コントローラが第２信号の供給を一定時間停止させた後、第１信号におけるコマンドの有無に関わらず、コントローラは第２信号の供給を再開する。【選択図】図１

Description

本発明の一形態は、表示装置およびその動作方法に関する。

また、本発明の一形態は、半導体装置またはその動作方法に関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。

なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。表示装置、発光装置、記憶装置、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は、半導体装置を有する場合がある。

表示装置の映像データや制御信号はＭＩＰＩ（Ｍｏｂｉｌｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）や、ｅＤＰ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐｏｒｔ）などの規格で定められている。ホスト（例えばアプリケーションプロセッサ）とタイミングコントローラ（ディスプレイドライバＩＣともいう）の間において、これら規格に従った通信が行われる。また、通信の電力を削減するためＰＳＲ（Ｐａｎｅｌ Ｓｅｌｆ−Ｒｅｆｒｅｓｈ）技術が提案されている。

また、酸化物半導体トランジスタ（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒトランジスタ、以下、ＯＳトランジスタと呼称する）を、液晶ディスプレイや有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイなどの表示装置に用いる技術が注目されている。ＯＳトランジスタはオフ電流が非常に小さい。そのことを利用して、静止画像を表示する際のリフレッシュ頻度を少なくし、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイの消費電力を低減する技術が開示されている（特許文献１、特許文献２）。なお、本明細書において、上述の表示装置の消費電力を減らす技術を、アイドリングストップと呼称する。

また、オフ電流が小さいことを利用して、ＯＳトランジスタを不揮発性の記憶装置に用いた例が開示されている（特許文献３）。

特開２０１１‐１４１５２２ 特開２０１１‐１４１５２４ 特開２０１１−１５１３８３

上記アイドリングストップを行うためには、映像信号を供給するホストに専用回路を設ける必要がある。そのため、アイドリングストップ機能を有するディスプレイを作製するには、アイドリングストップに対応したホストとパネルの両方を用意する必要がある。

本発明の一形態は、簡易な方法でアイドリングストップを行う表示装置とその動作方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一形態は、少ないコストでアイドリングストップを行う表示装置とその動作方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一形態は、少ない消費電力で駆動する表示装置とその動作方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一形態は、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、複数の課題の記載は、互いの課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全て解決する必要はない。また、列記した以外の課題が、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、これらの課題も、本発明の一形態の課題となり得る。

本発明の一形態は、ホストと、ホストから第１信号を供給されるコントローラと、コントローラから第２信号を供給される表示パネルと、を有する表示装置である。第１信号が画像データを含む場合、第１信号は画像データが含まれていることを示すコマンドを有する。コントローラはコマンドを検出すると、画像データを第２信号として供給し、コントローラはコマンドを検出しないと、第２信号の供給を停止する。

上記形態において、コントローラが第２信号の供給を一定時間停止させた後、コントローラは、第１信号におけるコマンドの有無に関わらず、第２信号の供給を再開することが好ましい。

上記形態において、コントローラはフレームメモリを有し、フレームメモリはトランジスタを有する。トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有することが好ましい。

本発明の一形態は、ホストと、ホストから第１信号を供給されるコントローラと、コントローラから第２信号を供給される表示パネルと、を有する表示装置の動作方法である。第１信号が画像データを含む場合、第１信号は画像データが含まれていることを示すコマンドを有する。コントローラはコマンドを検出すると、画像データを第２信号として供給し、コントローラはコマンドを検出しないと、第２信号の供給を停止する。

上記形態において、コントローラが第２信号の供給を一定時間停止させた後、コントローラは、第１信号におけるコマンドの有無に関わらず、第２信号の供給を再開することが好ましい。

上記形態において、コントローラはフレームメモリを有し、フレームメモリはトランジスタを有する。トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有することが好ましい。

本発明の一形態により、簡易な方法でアイドリングストップを行う表示装置とその動作方法を提供できる。また、本発明の一形態により、少ないコストでアイドリングストップを行う表示装置とその動作方法を提供できる。また、本発明の一形態により、少ない消費電力で駆動する表示装置とその動作方法を提供できる。また、本発明の一形態により、新規な半導体装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一形態は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

表示装置の構成例を示すブロック図。 表示装置の構成例を示すブロック図。 表示装置の構成例を示すブロック図。 表示装置の動作例を示すタイミングチャート。 表示装置の動作例を示すタイミングチャート。 表示装置の動作例を示すタイミングチャート。 映像信号の例を示す図。 メモリセルの構成例を示す回路図。 メモリセルの構成例を示す回路図。 メモリセルの構成例を示す回路図。 メモリセルの構成例を示す回路図。 表示装置の構成例を示すブロック図および表示装置の動作例を示すタイミングチャート。 表示パネルの構成例を示すブロック図。 画素の構成例を示す回路図。 表示パネルおよび画素の構成例を示す上面図。 表示パネルの構成例を示す断面図。 表示パネルの構成例を示す断面図。 反射膜の形状を説明する模式図。 表示パネルの画素の一部を説明する下面図。 入出力パネルの構成例を示すブロック図。 入出力パネルを説明する上面図および、入出力パネルの入力部の一部を説明する模式図。 入出力パネルの構成例を示す断面図。 入出力パネルの構成例を示す断面図。 電子機器の例を示す斜視図。 表示装置の動作例を示すタイミングチャート。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる形態で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

また、図面において、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。

なお、本明細書中において、高電源電圧をＨレベル（又はＶ_ＤＤ）、低電源電圧をＬレベル（又はＧＮＤ）と呼ぶ場合がある。

また、本明細書は、以下の実施の形態を適宜組み合わせることが可能である。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互い構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態１）
本実施の形態は、本発明の一形態の表示装置について説明を行う。

＜表示装置の構成例１＞
図１は表示装置１の構成例を示すブロック図である。表示装置１は、ホスト１０と、コントローラ１１と、表示パネル１２を有している。また、コントローラ１１は、書き込み回路１３と、フレームメモリ１４と、読み出し回路１５と、制御回路１６と、を有している。なお、書き込み回路１３、読み出し回路１５および制御回路１６は、それぞれが密接に関連し、境界が明確でない場合がある。

ホスト１０はＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有し、コントローラ１１に信号２１を供給する機能を有する。信号２１は映像信号であり、表示パネル１２に表示される画像データを含む。

信号２１はパケット形式で送られる。これらパケットが画像データを有する場合、信号２１はある特定のフォーマット又はコマンドを有する。例えば、信号２１がＭＩＰＩ規格に準拠する場合、ＤＳＩ（Ｄｉｓｐｌａｙ Ｓｅｒｉａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）のＰａｃｋｅｄ Ｐｉｘｅｌ Ｓｔｒｅａｍや、ＤＣＳ（Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏｍｍａｎｄ Ｓｅｔ）のｗｒｉｔｅ＿ｍｅｍｏｒｙ＿ｓｔａｒｔなどが上記フォーマット又はコマンドに相当する。なお、本明細書ではこれらフォーマット又はコマンドの総称を「ｗｒｉｔｅコマンド」と呼ぶことにする。

書き込み回路１３は、ホスト１０から受け取った画像データをフレームメモリ１４に書き込む機能を有する。また、書き込み回路１３は、信号２１に含まれるｗｒｉｔｅコマンドをデコードする機能を有する。

フレームメモリ１４は、ホスト１０から供給された画像データを保存するためのメモリである。

読み出し回路１５は、フレームメモリ１４から画像データを読み出す機能を有する。読み出された画像データは、信号２２として表示パネル１２に供給される。

また、読み出し回路１５は、表示パネル１２を制御する機能を有する。具体的には、読み出し回路１５は、クロック信号やスタートパルス信号を出力し、表示パネル１２を制御する。

制御回路１６は、表示装置１のアイドリングストップを制御する機能を有する。より具体的には、書き込み回路１３がデコードしたｗｒｉｔｅコマンドを検出し、読み出し回路１５の動作を決定する。ｗｒｉｔｅコマンドが検出されない場合、制御回路１６は、信号２１が供給されていない、または信号２１に画像データが含まれていないと判断し、読み出し回路１５を停止する。その結果、信号２２の供給が停止される。すなわち、表示装置１はアイドリングストップ状態になる。

表示パネル１２は複数の画素を有し、信号２２に含まれる画像データを表示する機能を有する。表示パネル１２は、画素の発光／非発光を制御することで画像データを表示することが可能である。上記画素には、例えば、液晶素子やＥＬ素子（但し、ＥＬ素子は、有機化合物および無機化合物の一方または両方を含む）を用いることができる。

上記画素は、この他にも例えば、ＬＥＤチップ（白色ＬＥＤチップ、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップ、青色ＬＥＤチップなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、カーボンナノチューブを用いた表示素子、電子インク、エレクトロウェッティング素子、電気泳動素子、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子（例えば、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェロメトリック・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、圧電セラミック表示素子、など）、または、量子ドットなどの少なくとも１つを用いることが可能である。

＜表示装置の構成例２＞
ホスト１０から供給される信号２１は圧縮された画像データを含む場合がある。その場合、コントローラ１１はデコーダを有することが好ましい。その場合の構成例を図２および図３に示す。

図２に示す表示装置２は、書き込み回路１３とフレームメモリ１４との間にデコーダ２０が設けられている点で、上述の表示装置１と異なる。デコーダ２０は、圧縮された画像データを伸長する機能を有する。

扱う画像データのサイズにもよるが、デコーダ２０は画像データを伸長するのに長時間を要する場合が多い。表示装置２は、読み出し回路１５がフレームメモリ１４に保存されている画像データを、デコーダ２０を経由せずに読み出すことができる。そのため、フレームメモリ１４に画像データを保存してしまえば、短時間で表示パネル１２に画像を表示できる。

＜表示装置の構成例３＞
図３に示す表示装置３は、フレームメモリ１４と読み出し回路１５の間にデコーダ２０が設けられている点で、上述の表示装置１、２と異なる。

画像データのサイズが大きくなると、それを保存するフレームメモリ１４の記憶容量も大きい方が好ましい。しかし、大容量のメモリは価格が高く、表示装置全体のコストを引き上げてしまう。表示装置３は、画像データを圧縮した状態でフレームメモリ１４に保存できるので、フレームメモリ１４の記憶容量を節約し、表示装置全体のコストを引き下げることができる。

＜表示装置の動作例１＞
次に、上述の表示装置の動作例について説明を行う。なお、以下の説明において、特に断りがない限り、信号２１はＭＩＰＩ規格に準拠する場合について説明を行う。

図４は、信号２１および信号２２を表すタイミングチャートである。図４のタイミングチャートは、動作のタイミングを表すために、期間Ｔ１乃至期間Ｔ６に分割されている。

期間Ｔ１、Ｔ３、Ｔ５は、映像信号の帰線期間を表し、期間Ｔ２、Ｔ６は映像信号の１フレーム期間を表している。また、期間Ｔ４は表示装置がアイドリングストップ状態にある期間を表している。

期間Ｔ１において、信号ＤＩ１がホスト１０からコントローラ１１へ送信される。制御回路１６は、信号ＤＩ１に含まれるｗｒｉｔｅコマンドを検出する。制御回路１６は信号ＤＩ１を期間Ｔ２の終わりまで受信し、フレームメモリ１４の画像データが更新されたことを知る。

期間Ｔ２において、フレームメモリ１４に書き込まれた画像データは、信号ＤＯ１として表示パネル１２へ送信され、表示パネル１２の画像が更新される。

期間Ｔ３において、信号２１は画像データを含んでいない。すなわち、制御回路１６はｗｒｉｔｅコマンドを検出しない。制御回路１６はフレームメモリ１４の画像データが更新されないことを知る。制御回路１６は読み出し回路１５の動作を停止する（アイドリングストップを行う）。読み出し回路１５の停止は、期間Ｔ４の終わりまで継続される。

期間Ｔ５において、信号ＤＩ３がホスト１０からコントローラ１１へ送信される。制御回路１６は、信号ＤＩ３に含まれるｗｒｉｔｅコマンドを検出し、読み出し回路１５の停止を解除する。制御回路１６は信号ＤＩ３を期間Ｔ６の終わりまで受信し、フレームメモリ１４の画像データが更新されたことを知る。

期間Ｔ６において、フレームメモリ１４に書き込まれた画像データは、信号ＤＯ３として表示パネル１２へ送信され、表示パネル１２の画像が更新される。

ここで比較として、表示装置がアイドリングストップ機能を持たない場合のタイミングチャート（図２５）について考える。図２５が図４と異なる点は、期間Ｔ４において、信号ＤＯ２が供給されている点である。なお、信号ＤＯ２は、図では１つのフレームに見えるが、実際は複数のフレームの集まりである。

アイドリングストップの機能を持たない表示装置は、信号２１の供給が停止中でも、表示パネル１２の画像を更新し続ける必要があるため、フレームメモリ１４に保存された画像データを定期的に読み出し、表示パネルに供給し続ける必要がある。その結果、表示装置の消費電力が増大してしまう。

本発明の一態様である表示装置は、図４に示すように、信号２１の供給が止まると、読み出し回路１５の動作も停止し、信号２２の供給も止まる。その結果、表示装置の消費電力を下げることができる。

また、本発明の一態様である表示装置は、ホスト１０にアイドリングストップを行うための専用回路を設ける必要がなく、簡易な方法でアイドリングストップを行うことができる。

他にアイドリングストップを実現する方法として、コントローラ１１の内部で、ある一定時間フレームを観測し、変化がなければアイドリングストップを行うという方法がある。しかし、この方法はコントローラ１１の内部に、大規模な画像処理回路を設ける必要があり、コントローラ１１を製造する際のコストが増大してしまう。

本発明の一態様である表示装置は、コントローラ１１に上記のような大規模回路を設ける必要がないため、少ないコストでコントローラ１１を製造することができる。

＜表示装置の動作例２＞
表示パネル１２が液晶パネルの場合、アイドリングストップで液晶に一定電位を与え続けると、液晶パネルに焼き付きが発生してしまう。焼き付きを防ぐために、１分程度の間隔で、液晶に与える電位を反転することが好ましい。そのため、制御回路１６はタイマーを有し、アイドリングストップが一定時間（例えば１分間）継続されたら、アイドリングストップを解除する機能を有することが好ましい。その場合の、タイミングチャートを図５に示す。

図５のタイミングチャートにおいて、期間Ｔ４は読み出し回路１５の停止が継続されている期間を表す。期間Ｔ４として一定時間が経過した後、制御回路１６は読み出し回路１５の停止を解除する。期間Ｔ５において信号２１からｗｒｉｔｅコマンドが検出されなくても、読み出し回路１５は、期間Ｔ２でフレームメモリ１４に保存された画像データを読み出し、信号ＤＯ３として送信する。

表示装置を図５のタイミングチャートに従って動作させる場合、図２に示す表示装置２のように、デコーダ２０は書き込み回路１３とフレームメモリ１４の間に設けることが好ましい。こうすることで、読み出し回路１５はフレームメモリ１４から短時間で画像データを読み出すことができる。

＜表示装置の動作例３＞
図４および図５は、フレームメモリ１４のデータの書き込みと読み出しが、１フレーム期間内で行われる場合について説明を行った。次に、データの書き込みと読み出しが複数のフレーム期間にまたがって行われる場合について説明を行う。その場合のタイミングチャートを図６に示す。

まず、期間Ｔ１において、制御回路１６は信号ＤＩ１に含まれるｗｒｉｔｅコマンドを検出する。次に、期間Ｔ２において、信号ＤＩ１のフレームメモリ１４への書き込みが開始される。書き込みが開始されてからしばらく時間が経過したのちに、信号ＤＯ１が出力される。

期間Ｔ３において、制御回路１６はｗｒｉｔｅコマンドを検出しない。期間Ｔ４において、制御回路１６は、信号ＤＯ１の出力が終了した後に、読み出し回路１５の動作を停止する。

次に、期間Ｔ５において、制御回路１６は信号ＤＩ３に含まれるｗｒｉｔｅコマンドを検出し、読み出し回路１５の停止を解除する。

＜パケットの構成例＞
図７に信号２１を構成するパケットフォーマット（Ｌｏｎｇ Ｐａｃｋｅｔ Ｆｏｒｍａｔの場合）の一例を示す。

パケットは、ＳｏＴ（Ｓｔａｒｔ ｏｆ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）及びＥｏＴ（Ｅｎｄ ｏｆ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ））の間で転送され、パケット内には、ヘッダ領域（Ｐａｃｋｅｔ Ｈｅａｄｅｒ）とフッタ領域（Ｐａｃｋｅｔ Ｆｏｏｔｅｒ）が存在する。

Ｐａｙ ｌｏａｄはパケットのデータ領域であり、画素階調数、コマンドまたは画素座標情報等が含まれている。

ヘッダ領域には、データＩＤ、転送データ数（Ｗｏｒｄ Ｃｏｕｎｔ）およびＥＣＣ（Ｅｒｒｏｒ−Ｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇ Ｃｏｄｅ）が含まれている。

データＩＤには、仮想チャネル識別子（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）及びＰａｙ ｌｏａｄのデータタイプ情報が含まれている。

前述のｗｒｉｔｅ＿ｍｅｍｏｒｙ＿ｓｔａｒｔはＰａｙ ｌｏａｄに含まれる。また、前述のＰａｃｋｅｄ Ｐｉｘｅｌ ＳｔｒｅａｍはデータＩＤに含まれる。

＜フレームメモリ＞
次に、フレームメモリ１４に用いることが可能なメモリセルの構成について、図８乃至図１１を用いて説明を行う。

フレームメモリ１４は、画像データの書き込みと読み出しを同時に行えることが好ましい。フレームメモリ１４に適用可能なメモリとして、デュアルポートメモリとシングルポートメモリの２つが考えられる。

本明細書においてデュアルポートメモリとは、複数のインターフェースでデータの入出力を行うメモリのことを言う。インターフェースの数は２つに限定されず、３つ以上であってもよい。デュアルポートメモリは、インターフェースが複数あるため、データの書き込みと読み出しを同時に行うことができる。

本明細書においてシングルポートメモリとは、単一のインターフェースでデータの入出力を行うメモリのことを言う。シングルポートメモリはデータの書き込みと読み出しを別々のタイミングで行う。なお、シングルポートメモリでも、ダブルバッファリング技術などを用いることで、データの書き込みと読み出しを同時に行うことができる。シングルポートメモリは、デュアルポートメモリに比べて、配線やトランジスタの数が少なくて済み、メモリセルの占有面積を小さくすることができる。

まず、デュアルポートメモリの例について説明を行う。

《メモリセルの構成例１》
図８はフレームメモリ１４に適用可能なメモリセル３１の回路図を示している。メモリセル３１は一般的なＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）である。メモリセル３１は、チャネル形成領域にＳｉを有するトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）で構成すればよい。

メモリセル３１は、配線ＷＷ、配線ＲＷ、配線ＲＢ１、配線ＲＢ２、配線ＷＢ１および配線ＷＢ２を有する。

配線ＷＷはデータを書き込む際のワード線としての機能を有し、配線ＲＷはデータを読み出す際のワード線としての機能を有する。配線ＷＢ１、ＷＢ２は、データを書き込む際のビット線としての機能を有する。配線ＲＢ１、ＲＢ２は、データを読み出す際のビット線としての機能を有する。

メモリセル３１は、データ書き込み用のビット線とデータ読み出し用のビット線を、それぞれ独立に有している。そのため、メモリセル３１を用いたフレームメモリは、デュアルポートメモリである。

《メモリセルの構成例２》
図９（Ａ）は、フレームメモリ１４に適用可能なメモリセル３２の回路図を示している。メモリセル３２は、トランジスタＭ１と、トランジスタＭ２と、トランジスタＭ３と、容量素子Ｃｓ１と、を有する。また、メモリセル３２は、配線ＷＷ、配線ＲＷ、配線ＢＧ、配線ＲＢ１、配線ＷＢ１および配線ＲＢ２に電気的に接続されている。

配線ＷＷはデータを書き込む際のワード線としての機能を有し、配線ＲＷはデータを読み出す際のワード線としての機能を有する。配線ＷＢ１はデータを書き込む際のビット線としての機能を有し、配線ＲＢ１、ＲＢ２はデータを読み出す際のビット線としての機能を有する。

トランジスタＭ１は第１ゲート及び第２ゲートを有する。第１ゲートは配線ＷＷに電気的に接続され、第２ゲートは配線ＢＧに電気的に接続されている。第１ゲートと第２ゲートは、チャネル形成領域を間に介して、互いに重なる領域を有することが好ましい。

トランジスタＭ１は、オフ状態においてソースとドレインとの間を流れる電流（オフ電流）が小さいトランジスタを用いることが好適である。ここでは、オフ電流が小さいとは、ソースとドレインとの間の電圧を１．８Ｖとし、チャネル幅１μｍあたりの規格化されたオフ電流が、室温において１×１０^−２０Ａ以下、８５℃において１×１０^−１８Ａ以下、又は１２５℃において１×１０^−１６Ａ以下、であることをいう。このようにオフ電流が低いトランジスタとしては、ＯＳトランジスタが挙げられる。

上記ＯＳトランジスタに用いることが可能な酸化物半導体は、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）などが挙げられる。また、上記酸化物半導体は、Ｉｎを含む酸化物に限定されない。例えば、Ｚｎ酸化物、Ｚｎ−Ｓｎ酸化物、Ｇａ−Ｓｎ酸化物であっても構わない。

トランジスタＭ２、Ｍ３は、ＳｉトランジスタまたはＯＳトランジスタで構成されることが好ましい。

次に、メモリセル３２の動作について説明を行う。なお、配線ＲＢ２は、動作の期間中、Ｌレベルの電位が与えられるものとする。

まず、配線ＷＷをＨレベルにし、トランジスタＭ１をオン状態にする。配線ＷＢ１からトランジスタＭ１を介してノードＦＮ１（トランジスタＭ２のゲート）にデータが書き込まれる。

次に、配線ＷＷをＬレベルにし、トランジスタＭ１をオフ状態にする。トランジスタＭ１のオフ電流は小さいため、ノードＦＮ１に書き込まれたデータは長期間保持される。

次に、配線ＲＢ１をＨレベルにした後、配線ＲＢ１を電気的に浮遊状態にする。

次に、配線ＲＷにＨレベルの電位を与えて、トランジスタＭ３をオン状態にする。このとき、ノードＦＮ１に「１」が書き込まれている場合、トランジスタＭ２はオン状態となり、配線ＲＢ１と配線ＲＢ２との間に電流が流れる。ノードＦＮ１に「０」が書き込まれている場合、トランジスタＭ２はオフ状態となり、配線ＲＢ１と配線ＲＢ２との間に電流は流れない。最終的に、配線ＲＢ１の電位変化を読み取ることで、ノードＦＮに書き込まれたデータを読み出すことができる。

配線ＢＧには、一定の電位Ｖ_ＢＧが与えられることが好ましい。特に、電位Ｖ_ＢＧとして負電位が与えられることが好ましい。トランジスタＭ１の第２ゲートに負電位が与えられることで、トランジスタＭ１はノーマリ・オンを防ぐことができる。なお、トランジスタＭ１の第２ゲート及び配線ＢＧは場合によっては省略してもよい。

《メモリセルの構成例３》
図９（Ｂ）は、フレームメモリ１４に適用可能なメモリセル３３の回路図を示している。メモリセル３３は、トランジスタＭ２、Ｍ３の代わりにｐチャネル型トランジスタであるトランジスタＭ４、Ｍ５が設けられ、また容量素子Ｃｓ１は配線ＣＬに電気的に接続されている点で、メモリセル３２と異なる。配線ＣＬには常時Ｌレベルの電位が与えられる。

メモリセル３２、３３は、メモリセル３１と同様に、データ書き込み用のビット線とデータ読み出し用のビット線を、それぞれ独立に有している。そのため、メモリセル３２またはメモリセル３３を用いたフレームメモリは、デュアルポートメモリである。

メモリセル３１は揮発性メモリであるため、電源をオフにしてしまうとデータが消失してしまうが、メモリセル３２、３３は不揮発であり、電源をオフにしてもデータが失われない。そのため、フレームメモリの電力を節約することができる。具体的には、図４の期間Ｔ３および期間Ｔ４、図５の期間Ｔ３、期間Ｔ４および期間Ｔ５、図６の期間Ｔ４において、電源をオフにすることができる。

次に、フレームメモリ１４がシングルポートメモリの場合について説明を行う。

《メモリセルの構成例４》
図１０はフレームメモリ１４に適用可能なメモリセル３４の回路図を示している。メモリセル３４は、図８に示すメモリセル３１の書き込み用のビット線と読み出し用のビット線を共通にした場合の回路図である。

配線ＷＬはデータを読み書きする際のワード線としての機能を有する。配線ＢＬ１はデータを読み書きする際のビット線としての機能を有する。同様に、配線ＢＬ２はデータを読み書きする際のビット線としての機能を有する。

メモリセル３４は、メモリセル３１よりも配線およびトランジスタの数が少ない。そのため、メモリセルの占有面積を小さくすることができ、集積度の高いメモリセルアレイを構築することができる。

《メモリセルの構成例５》
図１１（Ａ）は、フレームメモリ１４に適用可能なメモリセル３５の回路図を示している。メモリセル３５は、トランジスタＭ６および容量素子Ｃｓ２を有する。また、メモリセル３５は、配線ＢＬおよび配線ＷＬに電気的に接続されている。

メモリセル３５は一般的なＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）である。トランジスタＭ６は、チャネル形成領域にＳｉを有するトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）で構成すればよい。

メモリセル３５は、メモリセル３１乃至３４と比べてトランジスタの数が少ない。そのため、メモリセルの占有面積を小さくすることができ、集積度の高いフレームメモリを構築することができる。

《メモリセルの構成例６》
メモリセル３５は、トランジスタＭ６にＯＳトランジスタを用いてもよい。その場合の回路図を図１１（Ｂ）に示す。

図１１（Ｂ）は、フレームメモリ１４に適用可能なメモリセル３６の回路図を示している。メモリセル３６は、トランジスタＭ７および容量素子Ｃｓ２を有する。トランジスタＭ７は、図９のトランジスタＭ１と同様に、ＯＳトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタＭ７にＯＳトランジスタを用いることで、メモリセル３６は、容量素子Ｃｓ２に書き込まれたデータを、長期間保持することができる。

トランジスタＭ７は第１ゲート及び第２ゲートを有する。第１ゲートは配線ＷＬに電気的に接続され、第２ゲートは配線ＢＧに電気的に接続されている。第１ゲートと第２ゲートは、チャネル形成領域を間に介して、互いに重なる領域を有することが好ましい。

配線ＢＧには、一定の電位Ｖ_ＢＧが与えられることが好ましい。特に、電位Ｖ_ＢＧとして負電位が与えることが好ましい。トランジスタＭ７の第２ゲートに負電位が与えられることで、トランジスタＭ７はノーマリ・オンを防ぐことができる。なお、トランジスタＭ７の第２ゲートおよび配線ＢＧは場合によっては省略してもよい。

メモリセル３５は揮発性メモリであるため、電源をオフにしてしまうとデータが消失してしまうが、メモリセル３６は不揮発であり、電源をオフにしてもデータが失われない。そのため、フレームメモリの電力を節約することができる。具体的には、図４の期間Ｔ３および期間Ｔ４、図５の期間Ｔ３、期間Ｔ４および期間Ｔ５、図６の期間Ｔ４において、電源をオフにすることができる。

以上、本実施の形態に示す表示装置とその動作方法により、簡易な方法でアイドリングストップを行うことができる。また、少ないコストでアイドリングストップを行うことができる。また、少ない消費電力で駆動する表示装置とその動作方法を提供できる。

（実施の形態２）
本実施の形態は、本発明の一形態の表示装置について説明を行う。

＜表示装置の構成例＞
図１２（Ａ）は表示装置４の構成例を示すブロック図であり、図１２（Ｂ）は表示装置４の動作の一例を示すタイミングチャートである。

表示装置４は、ホスト１０と、コントローラ１１と、表示パネル１２と、を有している。また、コントローラ１１は、書き込み回路１３ａ、１３ｂと、フレームメモリ１４ａ、１４ｂと、読み出し回路１５ａ、１５ｂと、制御回路１６ａと、を有している。

表示パネル１２は表示素子３０ａと表示素子３０ｂの２つの表示素子を有する。表示素子３０ａはアイドリングストップが適用され、表示素子３０ｂはアイドリングストップが適用されない。

書き込み回路１３ａ、１３ｂは図１の書き込み回路１３に対応し、フレームメモリ１４ａ、１４ｂは図１のフレームメモリ１４に対応し、読み出し回路１５ａ、１５ｂは図１の読み出し回路１５に対応し、制御回路１６ａは図１の制御回路１６に対応する。表示装置４のその他の構成要素の詳細は図１の記載を参照すればよい。

ホスト１０は、コントローラ１１に信号２１ａ、２１ｂを供給する。信号２１ａは映像信号であり、表示素子３０ａで表示される画像データを含む。同様に、信号２１ｂは映像信号であり、表示素子３０ｂで表示される画像データを含む。

図１の信号２１と同様に、信号２１ａ、２１ｂはパケット形式で送られる。これらパケットは画像データを有する場合、信号２１ａ、２１ｂは実施の形態１で示したｗｒｉｔｅコマンドを有する。

書き込み回路１３ａは、信号２１ａに含まれる画像データをフレームメモリ１４ａに書き込む機能を有する。読み出し回路１５ａはフレームメモリ１４ａに書き込まれた画像データを読み出し、信号２２ａとして表示パネル１２に供給する機能を有する。

書き込み回路１３ｂは、信号２１ｂに含まれる画像データをフレームメモリ１４ｂに書き込む機能を有する。読み出し回路１５ｂはフレームメモリ１４ｂに書き込まれた画像データを読み出し、信号２２ｂとして表示パネル１２に供給する機能を有する。

制御回路１６ａは、書き込み回路１３ａがデコードしたｗｒｉｔｅコマンドを検出し、読み出し回路１５ａの動作を決定する。ｗｒｉｔｅコマンドが検出されない場合、制御回路１６ａは、信号２１ａが供給されていない、または信号２１ａに画像データが含まれていないと判断し、読み出し回路１５ａを停止する。その結果、信号２２ａの供給が停止される。すなわち、表示装置４はアイドリングストップ状態になる。

＜表示装置の動作例＞
次に、図１２（Ｂ）のタイミングチャートを用いて、表示装置４の動作について説明を行う。なお、以下の説明において、信号２１ａ、２１ｂは、信号２１と同様に、ＭＩＰＩ規格に準拠する場合について説明を行う。

期間Ｔ１において、信号ＤＩ１ａ、ＤＩ１ｂがホスト１０からコントローラ１１へ送信される。制御回路１６ａは、信号ＤＩ１ａに含まれるｗｒｉｔｅコマンドを検出する。制御回路１６ａは信号ＤＩ１ａを期間Ｔ２の終わりまで受信し、フレームメモリ１４ａの画像データが更新されたことを知る。

期間Ｔ２において、フレームメモリ１４ａに書き込まれた画像データは、信号ＤＯ１ａとして表示パネル１２へ送信され、表示素子３０ａによる画像が更新される。同様に、フレームメモリ１４ｂに書き込まれた画像データは、信号ＤＯ１ｂとして表示パネル１２へ送信され、表示素子３０ｂによる画像が更新される。

期間Ｔ３において、信号２１ａは画像データを含んでいない。すなわち、制御回路１６ａはｗｒｉｔｅコマンドを検出しない。制御回路１６ａはフレームメモリ１４ａの画像データが更新されないことを知る。制御回路１６ａは読み出し回路１５ａの動作を停止する。読み出し回路１５ａの停止は期間Ｔ４の終わりまで継続される。なお、期間Ｔ３及び期間Ｔ４において、フレームメモリ１４ａの電源をオフにすることが好ましい。

また、期間Ｔ３において、信号２１ｂは画像データを含んでいない。期間Ｔ４において、読み出し回路１５ｂは、期間Ｔ２で書き込まれた画像データをフレームメモリ１４ｂから読み出し、信号ＤＯ２ｂとして表示パネル１２へ送信する。なお、信号ＤＯ２ｂは、図では１つのフレームに見えるが、実際は複数のフレームの集まりである。

期間Ｔ５において、信号ＤＩ３ａ、ＤＩ３ｂがホスト１０からコントローラ１１へ送信される。制御回路１６ａは、信号ＤＩ３ａに含まれるｗｒｉｔｅコマンドを検出し、読み出し回路１５ａの停止を解除する。制御回路１６ａは信号ＤＩ３ａを期間Ｔ６の終わりまで受信し、フレームメモリ１４ａの画像データが更新されたことを知る。

期間Ｔ６において、フレームメモリ１４ａに書き込まれた画像データは、信号ＤＯ３ａとして表示パネル１２へ送信され、表示素子３０ａによる画像が更新される。同様に、フレームメモリ１４ｂに書き込まれた画像データは、信号ＤＯ３ｂとして表示パネル１２へ送信され、表示素子３０ｂによる画像が更新される。

なお、制御回路１６ａは、図５で示したタイミングチャートのように、ｗｒｉｔｅコマンドを検出しなくても、読み出し回路１５ａの停止状態がある一定時間（例えば１分間）継続されたら、読み出し回路１５ａの停止を解除してもよい。

図１２（Ａ）に示す表示装置４は、場合によってはフレームメモリ１４ｂを省略してもよい。すなわち、コントローラ１１に入力された信号２１ｂを、そのまま信号２２ｂとして出力してもよい。

図１２（Ａ）に示す表示装置４は、書き込み回路１３ａとフレームメモリ１４ａの間、フレームメモリ１４ａと読み出し回路１５ａの間、書き込み回路１３ｂとフレームメモリ１４ｂの間、または、フレームメモリ１４ｂと読み出し回路１５ｂの間に、デコーダを設けてもよい。書き込み回路１３ａとフレームメモリ１４ａの間、または、書き込み回路１３ｂとフレームメモリ１４ｂの間にデコーダを設ける場合、読み出し回路１５ａ、１５ｂがデコーダを介さずに、短時間でフレームメモリのデータを読み取ることができて好ましい。フレームメモリ１４ａと読み出し回路１５ａの間、または、フレームメモリ１４ｂと読み出し回路１５ｂの間にデコーダを設ける場合、フレームメモリ１４ａ、１４ｂの記憶容量が小さくて済むため、コントローラ１１のチップサイズが小さくできて好ましい。

表示素子３０ａとして、反射型の表示素子を用いることが好ましい。反射型の表示素子を用いることで、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。具体的には、反射型の液晶素子を表示素子３０ａに用いることができる。

表示素子３０ｂとして、発光素子を用いることが好ましい。発光素子を用いることで、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。具体的には、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子または発光ダイオードなどを、表示素子３０ｂに用いることができる。

表示素子３０ａと表示素子３０ｂを１つの画素にまとめることで、表示装置４は、別々の表示素子で生成された２つの画像を重ね合わせ、１つの画像として表示することができる。

例えば、信号２１ａとして背景画像、信号２１ｂとして文字画像を選び、これらの画像を重ねて表示することで、表示装置４を書籍（例えば、小説、教科書、絵本など）として利用できる。背景画像は、画像データの更新が少ないので、アイドリングストップを適用しやすい。そのため、消費電力の少ない書籍を提供することができる。

また、表示装置４は、表示素子３０ａによる表示と、表示素子３０ｂによる表示と、表示素子３０ａおよび３０ｂによる表示の、３つの表示モードをとり得ることができる。表示装置４は、外光の明るさに応じて、これらの表示モードを選択することができる。その結果、表示装置４は視認性の優れた表示装置を提供することができる。

以上、本実施の形態の表示装置を用いることで、消費電力の少ない表示装置を提供することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２に記載の表示パネル１２の詳細について説明を行う。

＜表示パネルの構成例＞
図１３は表示パネル１２の構成例を説明するブロック図である。

表示パネル１２は、表示領域２３１を有する。また、表示パネル１２は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる。

《表示領域２３１》
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、配線ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。

走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。

《駆動回路ＧＤ》
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。

一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。

《駆動回路ＳＤ、駆動回路ＳＤ１、駆動回路ＳＤ２》
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、信号２２ａに基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、信号２２ｂに基づいて画像信号を供給する機能を有する。

駆動回路ＳＤ１は、一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。

駆動回路ＳＤ２は、一の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする他の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、有機ＥＬ素子を駆動することができる。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

コントローラ１１を、駆動回路ＳＤと同じ集積回路に含めてもよい。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路をコントローラ１１および駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、上記集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。

《画素回路》
図１４は画素７０２の構成例を示す回路図である。画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）および表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える。これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、表示素子３０ａと、表示素子３０ａとは異なる方法を用いて表示をする表示素子３０ｂと、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を表示素子３０ａに用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する表示素子３０ｂを用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび配線ＡＮＯと電気的に接続される。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。

走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。

容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、配線ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。

なお、トランジスタＭは第１のゲート電極と第２のゲート電極を有していてもよい。第１のゲート電極と第２のゲート電極は電気的に接続されていてもよい。第１のゲート電極と第２のゲート電極は半導体膜を間に介して、互いに重なる領域を有することが好ましい。

容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。

表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）の第１の電極をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）の第２の電極を配線ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

＜表示パネル上面図＞
図１５は表示パネル１２の構成を説明する図である。図１５（Ａ）は表示パネル１２の上面図であり、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）に示す表示パネル１２の画素の一部を説明する上面図である。図１５（Ｃ）は図１５（Ｂ）に示す画素の構成を説明する模式図である。

図１５（Ａ）は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１上に、駆動回路ＳＤと端子５１９Ｂが配置されている。

図１５（Ｃ）において、画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）および表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）を備える。

＜表示パネル断面図＞
図１６および図１７は表示パネル１２の構成を説明する断面図である。図１６（Ａ）は図１５（Ａ）、（Ｂ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）の一部を説明する図である。

図１７（Ａ）は図１５（Ａ）、（Ｂ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図であり、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）の一部を説明する図である。

以下、図１６および図１７用いて、表示パネル１２の各構成要素について説明を行う。

《基板５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。

また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《基板７７０》
例えば、透光性を備える材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、基板５７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。

《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。

《接合層５０５》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。

《絶縁膜５２１、絶縁膜５１８》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１、５１８等に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１、５１８等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１、５１８等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１、５１８等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

これにより、例えば絶縁膜５２１、５１８と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《絶縁膜５０１Ａ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

《中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ》
例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃに用いることができる。なお、本明細書において、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃを中間膜という。

例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を中間膜に用いることができる。

例えば、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。

例えば、透光性を備える材料を中間膜に用いることができる。

具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。

具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。

なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜と、インジウム、スズおよび酸素を含む厚さ２０ｎｍの膜と、をこの順で積層した積層材料を中間膜に用いることができる。

《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、配線ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。

《表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。

例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）は、電極７５１（ｉ，ｊ）と、電極７５２と、液晶材料を含む層７５３と、を有する。層７５３は、電極７５１（ｉ，ｊ）および電極７５２の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、層７５３の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。

例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、層７５３に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

例えば、配線等に用いる材料を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、導電性を備える材料を、電極７５２に用いることができる。可視光について透光性を備える材料を、電極７５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを電極７５２に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを電極７５２に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、電極７５２に用いることができる。

《反射膜》
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。

反射膜は、例えば、層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。

例えば、電極７５１（ｉ，ｊ）等を反射膜に用いることができる。

例えば、層７５３と電極７５１（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える膜を、反射膜に用いることができる。または、電極７５１（ｉ，ｊ）が透光性を有する場合、電極７５１（ｉ，ｊ）を間に介して、層７５３と重なる領域を有する膜を、反射膜に用いることができる。

反射膜は、例えば表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域を有することが好ましい。例えば、単数または複数の開口部７５１Ｈを備える形状を反射膜に用いることが好ましい。

多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈに用いることができる。

非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、表示素子３０ａ（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

図１８は表示パネル１２の画素に用いることができる反射膜の形状を説明する模式図である。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１８（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１８（Ｂ）参照）。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配設される（図１８（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。

または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図１８（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。

これにより、一の画素に隣接する他の画素の開口部に重なる領域を備える表示素子３０ｂを、一の画素の開口部に重なる領域を備える表示素子３０ｂから遠ざけることができる。または、一の画素に隣接する他の画素の表示素子３０ｂに、一の画素の表示素子３０ｂが表示する色とは異なる色を表示する表示素子を配設することができる。または、異なる色を表示する複数の表示素子を、隣接して配設する難易度を軽減することができる。

なお、例えば、表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を備える材料を、反射膜に用いることができる（図１８（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いることができる。

《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。

《着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。

なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。

《遮光膜ＢＭ》
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。

《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。

具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。

《表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）》
例えば、発光素子を表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）と、電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える。

例えば、発光性の有機化合物を層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、量子ドットを層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。

例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、層５５３（ｊ）に用いることができる。

また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を表示素子３０ｂ（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、電極５５２に用いることができる。

《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。

例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる。

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、実施の形態１で説明したＯＳトランジスタを利用することができる。これにより、先述のアイドリングストップが可能になる。

例えば、酸化物半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図１７（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、酸化物半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。

導電膜５０４は、酸化物半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、酸化物半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に酸化物半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および酸化物半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続する。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、酸化物半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、酸化物半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、酸化物半導体膜５０８と接する領域を備える。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

図１９（Ａ）は図１５（Ｂ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図であり、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）に示す構成の一部を省略して説明する下面図である。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態の表示装置にタッチパネルを適用した入出力パネルについて説明を行う。

図２０はタッチパネル２４０と表示パネル１２を備えた入出力パネル２５０の構成を説明するブロック図である。図２１（Ａ）は入出力パネル２５０の上面図である。図２１（Ｂ）は入出力パネル２５０の入力部の一部を説明する模式図である。

タッチパネル２４０は、検知領域２４１、発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図２０）。

検知領域２４１は、表示パネル１２の表示領域２３１と重なる領域を備える。検知領域２４１は、表示領域２３１と重なる領域に近接するものを検知する機能を備える。

検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。

行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＳＬ（ｇ）と電気的に接続される電極ＳＥ（ｇ）を含む（図２１（Ｂ）参照）。

列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される電極ＭＥ（ｈ）を含む（図２１（Ｂ）参照）。

電極ＳＥ（ｇ）および電極ＭＥ（ｈ）は、透光性を備えることが好ましい。

制御線ＳＬ（ｇ）は、制御信号を供給する機能を備える。

検知信号線ＭＬ（ｈ）は検知信号を供給される機能を備える。

電極ＭＥ（ｈ）は電極ＳＥ（ｇ）との間に電界を形成するように配置される。検知領域２４１に、指などの物体が近接すると上記電界が遮蔽され、検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、検知信号を供給する。

発振回路ＯＳＣは、制御線ＳＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。

検知回路ＤＣは、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号Ｐ１を供給する機能を備える。なお、検知信号Ｐ１は、例えば、位置情報を含む。

検知信号Ｐ１は、ホスト１０に供給される。ホスト１０は、検知信号Ｐ１に応じて、信号２１ａ、２１ｂを供給し、表示領域２３１に表示される画像が更新される。

図２２および図２３は入出力パネル２５０の構成を説明する図である。図２２（Ａ）は図２１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図２２（Ｂ）は図２２（Ａ）の一部の構成を説明する断面図である。

図２３は図２１（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、Ｘ９−Ｘ１０、Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。

入出力パネル２５０は、機能層７２０を備える点およびトップゲート型のトランジスタを有する点が、例えば、実施の形態３の表示パネル１２とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

機能層７２０は、例えば、基板７７０、絶縁膜５０１Ｃおよび封止材７０５に囲まれる領域を備える（図２２参照）。

機能層７２０は、例えば、制御線ＳＬ（ｇ）と、検知信号線ＭＬ（ｈ）と、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と、を備える。

なお、制御線ＳＬ（ｇ）および第２の電極７５２の間または検知信号線ＭＬ（ｈ）および第２の電極７５２の間に、０．２μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上４μｍ以下の間隔を備える。

また、入出力パネル２５０は、導電膜５１１Ｄを有す（図２３参照）。

なお、制御線ＳＬ（ｇ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、制御線ＳＬ（ｇ）と導電膜５１１Ｄを電気的に接続することができる。または、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、検知信号線ＭＬ（ｈ）と導電膜５１１Ｄを、電気的に接続することができる。例えば、配線等に用いることができる材料を導電膜５１１Ｄに用いることができる。

また、入出力パネル２５０は、端子５１９Ｄを有する（図２３参照）。端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと電気的に接続する。

端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと、中間膜７５４Ｄと、を備え、中間膜７５４Ｄは、導電膜５１１Ｄと接する領域を備える。

例えば、配線等に用いることができる材料を端子５１９Ｄに用いることができる。具体的には、端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同じ構成を端子５１９Ｄに用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ２を用いて、端子５１９Ｄとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる。これにより、例えば、端子５１９Ｄを用いて制御信号を制御線ＳＬ（ｇ）に供給することができる。または、端子５１９Ｄを用いて検知信号を、検知信号線ＭＬ（ｈ）から供給されることができる。

スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える導電膜５０４と、絶縁膜５０１Ｃおよび導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える酸化物半導体膜５０８と、を備える。なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える（図２２（Ｂ）参照）。

酸化物半導体膜５０８は、導電膜５０４と重ならない第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂと、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる第３の領域５０８Ｃと、を備える。

トランジスタＭＤは、第３の領域５０８Ｃおよび導電膜５０４の間に絶縁膜５０６を備える。なお、絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂは、第３の領域５０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を備える。

例えば、酸化物半導体膜に希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を施して、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂを酸化物半導体膜５０８に形成することができる。

また、例えば、導電膜５０４をマスクに用いることができる。これにより、第３の領域５０８Ｃの一部の形状を、導電膜５０４の端部の形状に自己整合させることができる。

トランジスタＭＤは、第１の領域５０８Ａと接する導電膜５１２Ａと、第２の領域５０８Ｂと接する導電膜５１２Ｂと、を備える。導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、ソース電極またはドレイン電極の機能を備える。

例えば、トランジスタＭＤと同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭに用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する電子機器について、図２４を用いて説明を行う。

図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。

図２４（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図２４（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２４（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図２４（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２４（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図２４（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２４（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。

図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

図２４（Ｈ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。

なお、図２４（Ｈ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光素子をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

本明細書において、特に断りがない場合、オン電流とは、トランジスタがオン状態にあるときのドレイン電流をいう。オン状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧（Ｖ_Ｇ）がしきい値電圧（Ｖ_ｔｈ）以上の状態、ｐチャネル型トランジスタでは、Ｖ_ＧがＶ_ｔｈ以下の状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオン電流とは、Ｖ_ＧがＶ_ｔｈ以上のときのドレイン電流を言う。また、トランジスタのオン電流は、ドレインとソースの間の電圧（Ｖ_Ｄ）に依存する場合がある。

本明細書において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、Ｖ_ＧがＶ_ｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、Ｖ_ＧがＶ_ｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、Ｖ_ＧがＶ_ｔｈよりも低いときのドレイン電流を言う。トランジスタのオフ電流は、Ｖ_Ｇに依存する場合がある。従って、トランジスタのオフ電流が１０^−２１Ａ未満である、とは、トランジスタのオフ電流が１０^−２１Ａ未満となるＶ_Ｇの値が存在することを言う場合がある。

また、トランジスタのオフ電流は、Ｖ_Ｄに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Ｖ_Ｄの絶対値が０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ，３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、または２０Ｖにおけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶ_Ｄにおけるオフ電流を表す場合がある。

本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソースまたはドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソースまたはドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース（ドレイン）端子や、ソース（ドレイン）電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オン・オフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

ＡＣＦ１ 導電材料、ＡＦ１ 配向膜、ＡＦ２ 配向膜、ＡＮＯ 配線、ＢＧ 配線、ＢＬ 配線、ＢＬ１ 配線、ＢＬ２ 配線、Ｃ１ 矢印、Ｃ２ 矢印、Ｃ１１ 容量素子、Ｃ１２ 容量素子、ＣＦ１ 着色膜、ＣＦ２ 着色膜、ＣＬ 配線、Ｃｓ１ 容量素子、Ｃｓ２ 容量素子、ＣＳＣＯＭ 配線、ＤＣ 検知回路、ＤＩ１ 信号、ＤＩ１ａ 信号、ＤＩ３ 信号、ＤＩ３ａ 信号、ＤＯ１ 信号、ＤＯ１ａ 信号、ＤＯ１ｂ 信号、ＤＯ２ 信号、ＤＯ２ｂ 信号、ＤＯ３ 信号、ＤＯ３ａ 信号、ＤＯ３ｂ 信号、ＦＮ ノード、ＦＮ１ ノード、ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板、Ｇ１ 走査線、Ｇ２ 走査線、ＧＤ 駆動回路、ＫＢ１ 構造体、Ｍ トランジスタ、Ｍ１ トランジスタ、Ｍ２ トランジスタ、Ｍ３ トランジスタ、Ｍ４ トランジスタ、Ｍ６ トランジスタ、Ｍ７ トランジスタ、ＭＤ トランジスタ、ＭＥ 電極、ＭＬ 信号線、ＯＳＣ 発振回路、Ｐ１ 検知信号、Ｒ１ 矢印、Ｒ２ 矢印、ＲＢ１ 配線、ＲＢ２ 配線、ＲＷ 配線、Ｓ１ 信号線、Ｓ２ 信号線、ＳＤ 駆動回路、ＳＤ１ 駆動回路、ＳＤ２ 駆動回路、ＳＥ 電極、ＳＬ 制御線、ＳＷ１ スイッチ、ＳＷ２ スイッチ、Ｔ１ 期間、Ｔ２ 期間、Ｔ３ 期間、Ｔ４ 期間、Ｔ５ 期間、Ｔ６ 期間、ＶＣＯＭ１ 配線、ＶＣＯＭ２ 配線、ＷＢ１ 配線、ＷＢ２ 配線、ＷＷ 配線、１ 表示装置、２ 表示装置、３ 表示装置、４ 表示装置、１０ ホスト、１１ コントローラ、１２ 表示パネル、１３ 回路、１３ａ 回路、１３ｂ 回路、１４ フレームメモリ、１４ａ フレームメモリ、１４ｂ フレームメモリ、１５ 回路、１５ａ 回路、１５ｂ 回路、１６ 制御回路、１６ａ 制御回路、２０ デコーダ、２１ 信号、２１ａ 信号、２１ｂ 信号、２２ 信号、２２ａ 信号、２２ｂ 信号、３０ａ 表示素子、３０ｂ 表示素子、３１ メモリセル、３２ メモリセル、３３ メモリセル、３４ メモリセル、３５ メモリセル、３６ メモリセル、２３１ 表示領域、２４０ タッチパネル、２４１ 検知領域、２５０ 入出力パネル、５０１Ａ 絶縁膜、５０１Ｃ 絶縁膜、５０４ 導電膜、５０５ 接合層、５０６ 絶縁膜、５０８ 酸化物半導体膜、５０８Ａ 領域、５０８Ｂ 領域、５０８Ｃ 領域、５１１Ｂ 導電膜、５１１Ｃ 導電膜、５１１Ｄ 導電膜、５１２Ａ 導電膜、５１２Ｂ 導電膜、５１６ 絶縁膜、５１８ 絶縁膜、５１９Ｂ 端子、５１９Ｃ 端子、５１９Ｄ 端子、５２１ 絶縁膜、５２４ 導電膜、５２８ 絶縁膜、５５１ 電極、５５２ 電極、５５３ 層、５７０ 基板、７０２ 画素、７０５ 封止材、７２０ 機能層、７５１ 電極、７５１Ｅ 領域、７５１Ｈ 開口部、７５２ 電極、７５３ 層、７５４Ａ 中間膜、７５４Ｂ 中間膜、７５４Ｃ 中間膜、７５４Ｄ 中間膜、７７０ 基板、７７０Ｄ 機能膜、７７０Ｐ 機能膜、７７１ 絶縁膜、７７５ 検知素子、５０００ 筐体、５００１ 表示部、５００２ 表示部、５００３ スピーカ、５００４ ＬＥＤランプ、５００５ 操作キー、５００６ 接続端子、５００７ センサ、５００８ マイクロフォン、５００９ スイッチ、５０１０ 赤外線ポート、５０１１ 記録媒体読込部、５０１２ 支持部、５０１３ イヤホン、５０１４ アンテナ、５０１５ シャッターボタン、５０１６ 受像部、５０１７ 充電器、７３０２ 筐体、７３０４ 表示パネル、７３０５ アイコン、７３０６ アイコン、７３１１ 操作ボタン、７３１２ 操作ボタン、７３１３ 接続端子、７３２１ バンド、７３２２ 留め金

Claims (6)

1. ホストと、
   前記ホストから第１信号を供給されるコントローラと、
   前記コントローラから第２信号を供給される表示パネルと、を有し、
   前記第１信号が画像データを含む場合、前記第１信号は前記画像データが含まれていることを示すコマンドを有し、
   前記コントローラは前記コマンドを検出すると、前記画像データを前記第２信号として供給し、
   前記コントローラは前記コマンドを検出しないと、前記第２信号の供給を停止することを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記コントローラが前記第２信号の供給を一定時間停止させた後、
   前記コントローラは、前記第１信号における前記コマンドの有無に関わらず、前記第２信号の供給を再開することを特徴とする表示装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記コントローラはフレームメモリを有し、
   前記フレームメモリはトランジスタを有し、
   前記トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする表示装置。
4. ホストと、
   前記ホストから第１信号を供給されるコントローラと、
   前記コントローラから第２信号を供給される表示パネルと、を有する表示装置の動作方法において、
   前記第１信号が画像データを含む場合、前記第１信号は前記画像データが含まれていることを示すコマンドを有し、
   前記コントローラは前記コマンドを検出すると、前記画像データを前記第２信号として供給し、
   前記コントローラは前記コマンドを検出しないと、前記第２信号の供給を停止することを特徴とする表示装置の動作方法。
5. 請求項４において、
   前記コントローラが前記第２信号の供給を一定時間停止させた後、
   前記コントローラは、前記第１信号における前記コマンドの有無に関わらず、前記第２信号の供給を再開することを特徴とする表示装置の動作方法。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記コントローラはフレームメモリを有し、
   前記フレームメモリはトランジスタを有し、
   前記トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする表示装置の動作方法。

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