JP2017227895A - 半導体装置、表示装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】消費電力の少ない半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、コントローラ、レジスタ、および画像処理部を有する。画像処理部は、パラメタを使用して画像データを処理する機能を備える。画像処理部は、画像データをフレームメモリから取り込み、パラメータをレジスタから取り込む。フレームメモリは、画像データを、電源供給が遮断されている状態で保持する機能を備える。レジスタは、パラメータを、電源供給が遮断されている状態で保持する機能を備える。コントローラは、レジスタ、フレームメモリ、および画像処理部に対する電源供給を制御する機能を有する。レジスタはスキャンチェーンレジスタを有する。スキャンチェーンレジスタを構成するトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。【選択図】図３

Description

本発明の一形態は、半導体装置に関する。

なお本発明の一形態は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一形態は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。

そのため、より具体的に本明細書等で開示する本発明の一形態の技術分野としては、半導体装置、表示装置、電子機器、それらの駆動方法、または、それらの製造方法を一例としてあげることができる。なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

反射型素子と発光型素子を組み合わせた、表示装置が提案されている（特許文献１）。明るい環境では反射型素子、暗い環境では発光型素子を用いることで、外光環境に依存しない良好な表示品質と、消費電力が少ない表示装置、を提供することができる。

一方、酸化物半導体トランジスタ（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒトランジスタ、以下、ＯＳトランジスタと呼称する）を、液晶ディスプレイや有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイなどの表示装置に用いる技術が提案されている。ＯＳトランジスタはオフ電流が非常に小さいため、静止画を表示する際のリフレッシュ頻度を少なくし、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイの消費電力を低減する技術が開示されている（特許文献２、特許文献３）。なお、本明細書において、上述の表示装置の消費電力を減らす技術を、「アイドリングストップ」または「ＩＤＳ駆動」と呼称する。

また、オフ電流が小さいことを利用して、ＯＳトランジスタを不揮発性の記憶装置に用いた例が開示されている（特許文献４）。

特開２００３−１５７０２６号公報 特開２０１１‐１４１５２２号公報 特開２０１１‐１４１５２４号公報 特開２０１１−１５１３８３号公報

明るい環境では反射型素子、暗い環境では発光型素子を用いて表示を行うためには、外光を検知して、それぞれの表示素子に画像データを分配する半導体装置が必要となる。また、半導体装置は、表示装置がＩＤＳ駆動を行っている間、表示装置に画像データや信号を送る必要がないため、関係する回路の電源供給を遮断することができる。消費電力が少なく、一部回路の電源供給を遮断しても表示品質に影響を及ぼさない仕組みを持った、半導体装置を提供することを課題の一つとする。

本発明の一形態は、新規な半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、消費電力が少ない新規な半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一形態は、新規な半導体装置を有する表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一形態は、新規な半導体装置を有する表示装置を使用した、電子機器を提供することを課題の一つとする。

なお、本発明の一形態は、必ずしも上記の課題の全てを解決する必要はなく、少なくとも一つの課題を解決できるものであればよい。また、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。これら以外の課題は、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から自ずと明らかになるものであり、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一形態は、第１コントローラと、レジスタと、フレームメモリと、画像処理部とを有する半導体装置である。フレームメモリは、画像データを格納する機能を有し、画像処理部は、画像データを処理する機能を有し、レジスタは、画像処理部が処理を行うためのパラメータを格納する機能を有する。フレームメモリは、フレームメモリへの電源供給が遮断されている状態で、画像データを保持する機能を備える。レジスタは、スキャンチェーンレジスタと、第１レジスタと、第２レジスタとを有し、スキャンチェーンレジスタは、レジスタへの電源供給が遮断されている状態で、パラメータを保持する機能を備え、スキャンチェーンレジスタを構成するトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含む。第１コントローラは、レジスタ、フレームメモリ、および画像処理部に対する電源供給を制御する機能を有する。

また、本発明の一形態は、上記形態において、スキャンチェーンレジスタは、第３レジスタと、第４レジスタとを有する半導体装置である。第３レジスタの出力端子は、第４レジスタの入力端子に電気的に接続され、第１レジスタは、第３レジスタに格納されたデータを読み込む機能を有し、第２レジスタは、第４レジスタに格納されたデータを読み込む機能を有し、第１レジスタおよび第２レジスタに読み込まれたデータは、パラメータとして、画像処理部に出力される。

また、本発明の一形態は、上記形態において、第１レジスタは、第１入力端子と第１出力端子と第２出力端子とを有し、第２レジスタは、第２入力端子と第３出力端子と第４出力端子とを有し、第３レジスタは、第３入力端子と第４入力端子と第５出力端子とを有し、第４レジスタは、第５入力端子と第６入力端子と第６出力端子とを有する半導体装置である。第１レジスタの第１出力端子は画像処理部に電気的に接続され、第２レジスタの第３出力端子は画像処理部に電気的に接続され、第１レジスタの第１入力端子は、第３レジスタの第５出力端子に電気的に接続され、第１レジスタの第２出力端子は、第３レジスタの第４入力端子に電気的に接続され、第２レジスタの第２入力端子は、第４レジスタの第６出力端子に電気的に接続され、第２レジスタの第４出力端子は、第４レジスタの第６入力端子に電気的に接続され、第３レジスタの第５出力端子は、第４レジスタの第５入力端子に電気的に接続され、第１レジスタは第１入力端子に入力されるデータを格納する機能を有し、第２レジスタは第２入力端子に入力されるデータを格納する機能を有する。

本発明の一形態は、新規な半導体装置を提供することができる。または、消費電力が少ない、新規な半導体装置を提供することができる。

または、本発明の一形態は、新規な半導体装置を有する、表示装置を提供することができる。または、本発明の一形態は、新規な半導体装置を有する表示装置を使用した、電子機器を提供することができる。

なお本発明の一形態の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一形態は、上記列挙した効果、および他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一形態は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。

表示装置の構成例を示すブロック図。 タッチセンサユニットの構成例を示す図。 コントローラＩＣの構成例を示すブロック図。 パラメータを説明する図。 フレームメモリの構成例を示すブロック図。 レジスタの構成例を示すブロック図。 レジスタの構成例を示す回路図。 レジスタの動作例を示すタイミングチャート。 コントローラＩＣの構成例を示すブロック図。 表示ユニットの構成例を示すブロック図。 画素の構成例を示す回路図。 表示ユニットおよび画素の構成例を示す上面図。 表示ユニットの構成例を示す断面図。 表示ユニットの構成例を示す断面図。 反射膜の形状を説明する模式図。 表示ユニットの画素の一部を説明する下面図。 表示装置の構成例を示すブロック図。 表示装置を説明する上面図、および表示装置の入力部の一部を説明する模式図。 表示装置の構成例を示す断面図。 表示装置の構成例を示す断面図。 電子機器の例を示す斜視図。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる形態で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、以下に示される複数の実施の形態は、適宜組み合わせることが可能である。

なお、実施の形態において説明する、コントローラＩＣは、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタと、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタと、容量素子等によって、構成された半導体装置である。したがって、コントローラＩＣを半導体装置と言い換えることができる。

また、本明細書等において、酸化物半導体をＯＳ（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と表記する場合がある。そのため、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを、酸化物半導体トランジスタ、ＯＳトランジスタ、またはＯＳＦＥＴという場合がある。

また、図面等において、大きさ、層の厚さ、領域等は、明瞭化のため誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。

また、図面等において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

また、本明細書等において、「上」や「下」などの配置を示す用語は、構成要素の位置関係が、「直上」または「直下」であることを限定するものではない。例えば、「ゲート絶縁層上のゲート電極」の表現であれば、ゲート絶縁層とゲート電極との間に他の構成要素を含むものを除外しない。

また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。

また、本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。

また、本明細書等において、「電気的に接続」とは、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。

また、本明細書等において、「電圧」とは、ある電位と基準の電位（例えば、グラウンド電位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧、電位、電位差を、各々、電位、電圧、電圧差と言い換えることが可能である。

また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む、少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域、またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域、またはソース電極）の間にチャネル領域を有しており、チャネル領域を介してソースとドレインの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。

また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。つまり、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流、という場合がある。

上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合がある。

また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインの間に流れる電流を指す場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、１つの画素に反射型素子と発光型素子とが設けられているハイブリッド型表示装置について説明する。特に、表示装置のコントローラＩＣについて説明する。なお、反射型素子としては、液晶や電子ペーパー等を適用することができる。以下、反射型素子を反射素子１０ａ、発光型素子を発光素子１０ｂとして説明する。

＜＜表示装置＞＞
図１は、表示装置の構成例を示すブロック図である。表示装置１００は、表示ユニット１１０、タッチセンサユニット１２０を有する。

＜表示ユニット＞
表示ユニット１１０は、画素アレイ１１１、ゲートドライバ１１３、ゲートドライバ１１４、およびコントローラＩＣ１１５を有する。

画素アレイ１１１は、複数の画素１０を有し、それぞれの画素１０はトランジスタを用いて駆動されるアクティブ型の素子である。また、画素１０は、反射素子１０ａと発光素子１０ｂを有する。画素アレイ１１１のより具体的な構成例については、実施の形態２にて、説明する。

ゲートドライバ１１３は、反射素子１０ａを選択するためのゲート線を駆動する機能をもち、ゲートドライバ１１４は、発光素子１０ｂを選択するためのゲート線を駆動する機能をもつ。反射素子１０ａにデータ信号を供給するソース線を駆動するソースドライバ、および発光素子１０ｂにデータ信号を供給するソース線を駆動するソースドライバは、それぞれ、コントローラＩＣ１１５に設けられている。コントローラＩＣ１１５は、表示装置１００の動作を統括的に制御する機能を備える。コントローラＩＣ１１５の数は、画素アレイ１１１の画素数に応じて決定される。

図１の例では、画素アレイ１１１と共にゲートドライバ１１３、１１４が同一基板上に集積されている例を示しているが、ゲートドライバ１１３、１１４を専用ＩＣとすることもできる。あるいは、コントローラＩＣ１１５に、ゲートドライバ１１３またはゲートドライバ１１４を組み込んでもよい。

ここでは、コントローラＩＣ１１５の実装方式は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式としているが、実装方式に特段の制約はなく、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）方式、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式などでもよい。タッチセンサユニット１２０のＩＣの実装方式についても同様である。

なお、画素１０に使用されるトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタ（「ＯＳトランジスタ」ともいう）であり、Ｓｉトランジスタに比べてオフ電流が低いトランジスタである。ＯＳトランジスタは、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体を真性または実質的に真性にすることで、オフ電流を極めて低くすることができる。

もしくは、画素１０に使用されるトランジスタとして、オフ電流が低ければ酸化物半導体を適用しないトランジスタとすることができる。例えば、バンドギャップが大きい半導体を適用したトランジスタを適用してもよい。バンドギャップが大きい半導体とは、バンドギャップが２．２ｅＶ以上の半導体である。例えば、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ダイヤモンドなどが挙げられる。

画素１０に、オフ電流が低いトランジスタを用いることで、表示画面を書き換える必要がない場合（すなわち静止画を表示する場合）、一時的にゲートドライバ１１３、１１４およびソースドライバを停止することができる（以下、「アイドリングストップ」、もしくは「ＩＤＳ駆動」と呼ぶ）。ＩＤＳ駆動によって、表示装置１００の消費電力を低減することができる。

＜タッチセンサユニット＞
図１に示す、タッチセンサユニット１２０は、センサアレイ１２１、および周辺回路１２５を有する。周辺回路１２５は、タッチセンサドライバ（以下、「ＴＳドライバ」と呼ぶ）１２６、センス回路１２７を有する。周辺回路１２５は専用ＩＣで構成することができる。

図２に、タッチセンサユニット１２０の構成例を示す。ここでは、タッチセンサユニット１２０が相互容量タッチセンサユニットである例を示す。センサアレイ１２１は、ｍ本（ｍは１以上の整数）の配線ＤＲＬ、ｎ本（ｎは１以上の整数）の配線ＳＮＬを有する。配線ＤＲＬはドライブ線であり、配線ＳＮＬはセンス線である。ここでは、第α番の配線ＤＲＬを配線ＤＲＬ＜α＞と呼び、第β番の配線ＳＮＬを配線ＳＮＬ＜β＞と呼ぶこととする。容量ＣＴ_αβは、配線ＤＲＬ＜α＞と配線ＳＮＬ＜β＞との間に形成される容量である。

ｍ本の配線ＤＲＬはＴＳドライバ１２６に電気的に接続されている。ＴＳドライバ１２６は配線ＤＲＬを駆動する機能を有する。ｎ本の配線ＳＮＬはセンス回路１２７に電気的に接続されている。センス回路１２７は、配線ＳＮＬの信号を検出する機能を有する。ＴＳドライバ１２６によって配線ＤＲＬ＜α＞が駆動されているときの配線ＳＮＬ＜β＞の信号は、容量ＣＴ_αβの容量値の変化量の情報をもつ。ｎ本の配線ＳＮＬの信号を解析することで、タッチの有無、タッチ位置などの情報を得ることができる。

＜＜コントローラＩＣ＞＞
図３は、コントローラＩＣ１１５の構成例を示すブロック図である。コントローラＩＣ１１５は、インターフェース１５０、フレームメモリ１５１、デコーダ１５２、センサコントローラ１５３、コントローラ１５４、クロック生成回路１５５、画像処理部１６０、メモリ１７０、タイミングコントローラ１７３、レジスタ１７５、ソースドライバ１８０、およびタッチセンサコントローラ１８４を有する。

ソースドライバ１８０は、ソースドライバ１８１、１８２を有する。ソースドライバ１８１は、反射素子１０ａを駆動するためのドライバであり、ソースドライバ１８２は、発光素子１０ｂを駆動するためのドライバである。ここでは、反射素子１０ａとして液晶（ＬＣ）素子、発光素子１０ｂとしてエレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子である場合の、コントローラＩＣ１１５を説明する。

コントローラＩＣ１１５とホスト１４０との通信は、インターフェース１５０を介して行われる。ホスト１４０からは、画像データ、各種制御信号等がコントローラＩＣ１１５に送られる。また、コントローラＩＣ１１５からは、タッチセンサコントローラ１８４が取得したタッチ位置などの情報が、ホスト１４０に送られる。なお、コントローラＩＣ１１５が有するそれぞれの回路は、ホスト１４０の規格、表示装置１００の仕様等によって、適宜取捨される。

フレームメモリ１５１は、コントローラＩＣ１１５に入力された画像データを保存するためのメモリである。ホスト１４０から圧縮された画像データが送られる場合、フレームメモリ１５１は、圧縮された画像データを格納することが可能である。デコーダ１５２は、圧縮された画像データを伸長するための回路である。画像データを伸長する必要がない場合、デコーダ１５２は処理を行わない。または、デコーダ１５２を、フレームメモリ１５１とインターフェース１５０との間に、配置することもできる。

画像処理部１６０は、画像データに対して各種画像処理を行う機能を有する。例えば、画像処理部１６０は、ガンマ補正回路１６１、調光回路１６２、調色回路１６３、ＥＬ補正回路１６４を有する。

ＥＬ補正回路１６４は、ソースドライバ１８２に発光素子１０ｂを流れる電流を検出する電流検出回路を備えている場合、設けられる。ＥＬ補正回路１６４は、ソースドライバ１８２の電流検出回路から送信される信号に基づいて、発光素子１０ｂの輝度を調節する機能をもつ。

画像処理部１６０で処理された画像データは、メモリ１７０を経て、ソースドライバ１８０に出力される。メモリ１７０は、画像データを一時的に格納するためのメモリである。ソースドライバ１８１、１８２は、それぞれ、入力された画像データを処理し、画素アレイ１１１のソース線に書き込む機能をもつ。

タイミングコントローラ１７３は、ソースドライバ１８０、タッチセンサコントローラ１８４、表示ユニット１１０のゲートドライバ１１３、１１４で使用するタイミング信号を生成する機能を有する。

タッチセンサコントローラ１８４は、タッチセンサユニット１２０のＴＳドライバ１２６、センス回路１２７を制御する機能をもつ。センス回路１２７で読み出されたタッチ情報を含む信号は、タッチセンサコントローラ１８４で処理され、インターフェース１５０を介して、ホスト１４０に送出される。ホスト１４０は、タッチ情報を反映した画像データを生成し、コントローラＩＣ１１５に送出する。なお、コントローラＩＣ１１５で、画像データにタッチ情報を反映する構成も可能である。

クロック生成回路１５５は、コントローラＩＣ１１５で使用されるクロック信号を生成する機能を有する。コントローラ１５４は、インターフェース１５０を介してホスト１４０から送られる各種制御信号を処理し、コントローラＩＣ１１５内の各種回路を制御する機能を有する。また、コントローラ１５４は、コントローラＩＣ１１５内の各種回路への電源供給を制御する機能を有する。以下、使われていない回路への電源供給を一時的に遮断することを、パワーゲーティングと呼ぶ。

レジスタ１７５は、コントローラＩＣ１１５の動作に用いられるデータを格納する。レジスタ１７５が格納するデータには、画像処理部１６０が補正処理を行うために使用するパラメータ、タイミングコントローラ１７３が各種タイミング信号の波形生成に用いるパラメータなどがある。レジスタ１７５は、複数のレジスタで構成されるスキャンチェーンレジスタを備える。

センサコントローラ１５３には、光センサ１４３が電気的に接続されている。光センサ１４３は外光１４５を検知し、検知信号を生成する。センサコントローラ１５３は検知信号を基に、制御信号を生成する。センサコントローラ１５３で生成される制御信号は、例えば、コントローラ１５４に出力される。

また、反射素子１０ａと発光素子１０ｂが同じ画像データを表示する場合、画像処理部１６０は、反射素子１０ａが表示する画像データと、発光素子１０ｂが表示する画像データとを、分けて作成する機能を有する。この場合、光センサ１４３およびセンサコントローラ１５３を用いて測定した、外光１４５の明るさに応じて、反射素子１０ａと発光素子１０ｂの反射強度および発光強度を調整することができる。ここでは、当該調整を調光、あるいは調光処理と呼ぶ。また、当該処理を実行する回路を調光回路と呼ぶ。

晴れの日の日中に外で表示装置１００を使用する場合、反射素子１０ａのみで十分な輝度が得られるときは、発光素子１０ｂを光らせる必要はない。これは、発光素子１０ｂで表示を行おうとしても、外光に負けて良好な表示が得られないからである。また、夜間や暗所で表示装置１００を使用する場合、発光素子１０ｂを光らせて表示を行う。

外光の明るさに応じて、画像処理部１６０は、反射素子１０ａのみで表示を行う画像データを作成、もしくは発光素子１０ｂのみで表示を行う画像データを作成、もしくは反射素子１０ａと発光素子１０ｂを組み合わせて表示を行う画像データを作成することができる。外光の明るい環境においても、外光の暗い環境においても、表示装置１００は良好な表示を行うことができる。さらに、外光の明るい環境においては、発光素子１０ｂを光らせない、もしくは発光素子１０ｂの輝度を低くすることで、消費電力を低減することができる。

また、反射素子１０ａの表示に、発光素子１０ｂの表示を組み合わせることで、色調を補正することができる。このような色調補正のためには、光センサ１４３およびセンサコントローラ１５３に、外光１４５の色調を測定する機能を追加すればよい。例えば、夕暮れ時の赤みがかった環境において表示装置１００を使用する場合、反射素子１０ａによる表示のみではＢ（青）成分が足りないため、発光素子１０ｂを発光させることで、色調を補正することができる。ここでは、当該補正を調色、あるいは調色処理と呼ぶ。また、当該処理を実行する回路を調色回路と呼ぶ。

画像処理部１６０は、表示装置１００の仕様によって、ＲＧＢ−ＲＧＢＷ変換回路など、他の処理回路を有している場合がある。ＲＧＢ−ＲＧＢＷ変換回路とは、ＲＧＢ（赤、緑、青）画像データを、ＲＧＢＷ（赤、緑、青、白）画像データに変換する機能をもつ回路である。すなわち、表示装置１００がＲＧＢＷ４色の画素を有する場合、画像データ内のＷ（白）成分を、Ｗ（白）画素を用いて表示することで、消費電力を低減することができる。なお、ＲＧＢ−ＲＧＢＷ変換回路はこれに限らず、例えば、ＲＧＢ−ＲＧＢＹ（赤、緑、青、黄）変換回路などでもよい。

また、反射素子１０ａと発光素子１０ｂは、異なる画像データを表示することができる。一般に、反射型素子として適用できる液晶や電子ペーパー等は、動作速度が遅いものが多い（絵を表示するまでに時間を要する）。そのため、反射素子１０ａに背景となる静止画を表示し、発光素子１０ｂに動きのあるマウスポインタ等を表示することができる。静止画に対しては、前述したＩＤＳ駆動を行い、動画に対しては、発光素子１０ｂを光らせることで、表示装置１００は、なめらかな動画表示と低消費電力を両立することができる。この場合、フレームメモリ１５１には、反射素子１０ａと発光素子１０ｂ、それぞれに表示する画像データを保存する領域を設ければよい。

＜パラメータ＞
ガンマ補正、調光、調色などの画像補正処理は、入力の画像データＸに対して出力の補正データＹを作成する処理に相当する。画像処理部１６０が使用するパラメータは、画像データＸを、補正データＹに変換するためのパラメータである。

パラメータの設定方式には、テーブル方式、関数近似方式がある。図４（Ａ）に示すテーブル方式では、画像データＸｎに対して、補正データＹｎをパラメータとしてテーブルに格納される。テーブル方式では、当該テーブルに対応するパラメータを格納するレジスタを多数必要とするが、補正の自由度が高い。一方、あらかじめ経験的に画像データＸに対する補正データＹを決められる場合には、図４（Ｂ）のように、関数近似方式を採用する構成が有効である。ａ１、ａ２、ｂ２等がパラメータである。ここで、区間毎に線形近似する方法を示しているが、非線形関数で近似する方法も可能である。関数近似方式では、補正の自由度は低いが、関数を定義するパラメータを格納するレジスタが少なくて済む。

タイミングコントローラ１７３が使用するパラメータは、例えば、図４（Ｃ）に示すように、タイミングコントローラ１７３の生成信号が、基準信号に対して“Ｌ”（または“Ｈ”）となるタイミングを示すものである。パラメータＲａ（またはＲｂ）は、基準信号に対して“Ｌ”（または“Ｈ”）となるタイミングが、クロック何周期分であるかを示している。

上記、補正のためのパラメータは、レジスタ１７５に格納することができる。また、上記以外にレジスタ１７５に格納できるパラメータとしては、ＥＬ補正回路１６４のデータ、ユーザーが設定した表示装置１００の輝度、色調、省エネルギー設定（表示を暗くする、または表示を消す、までの時間）、タッチセンサコントローラ１８４の感度などがある。

＜パワーゲーティング＞
コントローラ１５４は、ホスト１４０から送られる画像データに変化がない場合、コントローラＩＣ１１５内の一部回路をパワーゲーティングすることができる。具体的には、例えば、領域１９０内の回路（フレームメモリ１５１、デコーダ１５２、画像処理部１６０、メモリ１７０、タイミングコントローラ１７３、レジスタ１７５、ソースドライバ１８０）を指す。ホスト１４０から画像データに変化がないことを示す制御信号をコントローラＩＣ１１５に送信し、当該制御信号をコントローラ１５４で検出した場合にパワーゲーティングする構成が可能である。

領域１９０内の回路は、画像データに関する回路と、表示ユニット１１０を駆動するための回路であるため、画像データに変化がない場合は、一時的に領域１９０内の回路を停止することができる。なお、画像データに変化がない場合でも、画素１０に使用されるトランジスタがデータを保持できる時間（アイドリングストップが可能な時間）、および反射素子１０ａとして適用した液晶（ＬＣ）素子が焼き付き防止のため行う反転駆動の時間を考慮してもよい。

例えば、コントローラ１５４はタイマ機能を組み込むことで、タイマで測定した時間に基づいて、領域１９０内の回路への電源供給を再開するタイミングを決定してもよい。なお、フレームメモリ１５１もしくはメモリ１７０に画像データを保存しておき、当該画像データを反転駆動時に表示ユニット１１０に供給する画像データとする構成が可能である。このような構成とすることで、ホスト１４０から画像データを送信することなく反転駆動が実行できる。したがって、ホスト１４０からのデータ送信量を低減でき、コントローラＩＣ１１５の消費電力を低減することができる。

以下、フレームメモリ１５１、レジスタ１７５の具体的な回路構成を説明する。なお、パワーゲーティングすることができる回路として説明した、領域１９０内の回路、センサコントローラ１５３、およびタッチセンサコントローラ１８４等は、この限りではない。コントローラＩＣ１１５の構成、ホスト１４０の規格、表示装置１００の仕様等によって、様々な組み合わせが考えられる。

＜フレームメモリ１５１＞
図５（Ａ）に、フレームメモリ１５１の構成例を示す。フレームメモリ１５１は、制御部２０２、セルアレイ２０３、周辺回路２０８を有する。周辺回路２０８は、センスアンプ回路２０４、ドライバ２０５、メインアンプ２０６、入出力回路２０７を有する。

制御部２０２は、フレームメモリ１５１を制御する機能を有する。例えば、制御部２０２は、ドライバ２０５、メインアンプ２０６、および入出力回路２０７を制御する。

ドライバ２０５には、複数の配線ＷＬ、ＣＳＥＬが電気的に接続されている。ドライバ２０５は、複数の配線ＷＬ、ＣＳＥＬに出力する信号を生成する。

セルアレイ２０３は、複数のメモリセル２０９を有する。メモリセル２０９は、配線ＷＬ、ＬＢＬ（またはＬＢＬＢ）、ＢＧＬに、電気的に接続されている。配線ＷＬはワード線であり、配線ＬＢＬ、ＬＢＬＢは、ローカルビット線である。図５（Ａ）の例では、セルアレイ２０３の構成は、折り返しビット線方式であるが、開放ビット線方式とすることもできる。

図５（Ｂ）に、メモリセル２０９の構成例を示す。メモリセル２０９は、トランジスタＭＷ１、容量素子ＣＳ１を有する。メモリセル２０９は、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）のメモリセルと同様の回路構成を有する。ここでは、トランジスタＭＷ１はバックゲートをもつトランジスタである。トランジスタＭＷ１のバックゲートは、配線ＢＧＬに電気的に接続されている。配線ＢＧＬには、電圧Ｖｂｇ＿ｗ１が入力される。

トランジスタＭＷ１は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタ（「ＯＳトランジスタ」ともいう）である。ＯＳトランジスタはオフ電流が極めて小さいため、ＯＳトランジスタでメモリセル２０９を構成することで、容量素子ＣＳ１から電荷がリークすることを抑えられるため、フレームメモリ１５１のリフレッシュ動作の頻度を低減できる。また、電源供給が遮断されても、フレームメモリ１５１は長時間画像データを保持することが可能である。また、電圧Ｖｂｇ＿ｗ１を負電圧にすることで、トランジスタＭＷ１の閾値電圧を正電位側にシフトさせることができ、メモリセル２０９の保持時間を長くすることができる。

ここでいう、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態のときにソースとドレインとの間に流れる電流をいう。トランジスタがｎチャネル型である場合、例えば、しきい値電圧が０Ｖ乃至２Ｖ程度であれば、ソースに対するゲートの電圧が負の電圧であるときの、ソースとドレインとの間に流れる電流をオフ電流と呼ぶことができる。また、オフ電流が極めて小さいとは、例えば、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流が１００ｚＡ（ｚ；ゼプト、１０^−２１）以下であることをいう。オフ電流は小さいほど好ましいため、この規格化されたオフ電流が１０ｚＡ／μｍ以下、あるいは１ｚＡ／μｍ以下とすることが好ましく、１０ｙＡ／μｍ（ｙ；ヨクト、１０^−２４）以下であることがより好ましい。

酸化物半導体のバンドギャップは３．０ｅＶ以上であるため、ＯＳトランジスタは熱励起によるリーク電流が小さく、また上掲のようにオフ電流が極めて小さい。チャネル形成領域に適用される酸化物半導体は、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の少なくとも一方を含む酸化物半導体であることが好ましい。このような酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、例えばＡｌ、Ｇａ、ＹまたはＳｎ）が代表的である。電子供与体（ドナー）となる水分または水素等の不純物を低減し、かつ酸素欠損も低減することで、酸化物半導体をｉ型（真性半導体）にする、あるいはｉ型に限りなく近づけることができる。ここでは、このような酸化物半導体は高純度化された酸化物半導体と呼ぶことができる。例えば、チャネル形成領域に高純度化された酸化物半導体を適用することで、チャネル幅で規格化されたＯＳトランジスタのオフ電流を数ｙＡ／μｍ以上数ｚＡ／μｍ以下程度に低くすることができる。

セルアレイ２０３が有する複数のメモリセル２０９の、トランジスタＭＷ１はＯＳトランジスタであるため、その他の回路のトランジスタは、例えば、シリコンウエハに作製されるＳｉトランジスタとすることができる。これにより、セルアレイ２０３をセンスアンプ回路２０４に積層して設けることができる。よって、フレームメモリ１５１の回路面積を縮小でき、コントローラＩＣ１１５の小型化につながる。

セルアレイ２０３は、センスアンプ回路２０４に積層して設けられている。センスアンプ回路２０４は、複数のセンスアンプＳＡを有する。センスアンプＳＡは隣接する配線ＬＢＬ、ＬＢＬＢ（ローカルビット線対）、配線ＧＢＬ、ＧＢＬＢ（グローバルビット線対）、複数の配線ＣＳＥＬに電気的に接続されている。センスアンプＳＡは、配線ＬＢＬと配線ＬＢＬＢとの電位差を増幅する機能を有する。

センスアンプ回路２０４には、４本の配線ＬＢＬに対して１本の配線ＧＢＬが設けられ、４本の配線ＬＢＬＢに対して１本の配線ＧＢＬＢが設けられているが、センスアンプ回路２０４の構成は、図５（Ａ）の構成例に限定されない。

メインアンプ２０６は、センスアンプ回路２０４および入出力回路２０７に接続されている。メインアンプ２０６は、配線ＧＢＬと配線ＧＢＬＢの電位差を増幅する機能を有する。メインアンプ２０６は省略することができる。

入出力回路２０７は、書き込みデータに対応する電位を配線ＧＢＬと配線ＧＢＬＢ、またはメインアンプ２０６に出力する機能、配線ＧＢＬと配線ＧＢＬＢの電位、またはメインアンプ２０６の出力電位を読み出し、データとして外部に出力する機能を有する。配線ＣＳＥＬの信号によって、データを読み出すセンスアンプＳＡ、およびデータを書き込むセンスアンプＳＡを選択することができる。よって、入出力回路２０７は、マルチプレクサなどの選択回路が不要であるため、回路構成を簡単化でき、占有面積を縮小することができる。

＜レジスタ１７５＞
図６は、レジスタ１７５の構成例を示すブロック図である。レジスタ１７５は、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａ、およびレジスタ部１７５Ｂを有する。スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａは、複数のレジスタ２３０を有する。複数のレジスタ２３０によって、スキャンチェーンレジスタが構成されている。レジスタ部１７５Ｂは、複数のレジスタ２３１を有する。

レジスタ２３０は、電源供給が遮断された状態でもデータを長時間保持できる不揮発性レジスタである。レジスタ２３０を不揮発化するため、ここでは、レジスタ２３０は、ＯＳトランジスタを用いて構成されている。他方、レジスタ２３１は、ここでは、Ｓｉトランジスタを用いた揮発性レジスタと、ＯＳトランジスタを用いた回路から構成されている。

画像処理部１６０およびタイミングコントローラ１７３は、レジスタ部１７５Ｂにアクセスし、対応するレジスタ２３１からデータを取り込む。あるいは、画像処理部１６０およびタイミングコントローラ１７３は、レジスタ部１７５Ｂから供給されるデータにしたがって、処理内容が制御される。

レジスタ２３１の回路構成には特段の制約はなく、ラッチ回路、フリップフロップ回路などデータを記憶することが可能な回路であればよい。または、レジスタ２３０と同じように、トランジスタにＯＳトランジスタのみを用いた構成としてもよいが、画像処理部１６０およびタイミングコントローラ１７３からアクセスされた際の電位変動を抑える能力を有することが好ましい。つまり、信号を出力できる能力を有することが好ましい。

レジスタ１７５に格納しているデータを更新する場合、まず、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータを変更する。スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａの各レジスタ２３０のデータを書き換えた後、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａの各レジスタ２３０のデータを、レジスタ部１７５Ｂの各レジスタ２３１に一括してロードする。

これにより、画像処理部１６０およびタイミングコントローラ１７３等は、一括して更新されたデータを使用して、各種処理を行うことができる。データの更新に同時性が保たれるため、コントローラＩＣ１１５の安定した動作を実現できる。スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａとレジスタ部１７５Ｂとを備えることで、画像処理部１６０およびタイミングコントローラ１７３が動作中でも、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータを更新することができる。

コントローラＩＣ１１５のパワーゲーティング実行時には、電源復帰後、レジスタ２３０のデータをレジスタ２３１に復帰（ロード）して通常動作を再開する。なお、パワーゲーティング開始時に、レジスタ２３０に格納されているデータとレジスタ２３１に格納されているデータとが整合しない場合、レジスタ２３１のデータをレジスタ２３０にセーブする構成が好ましい。データが整合しない場合としては、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａに更新データを格納中などが挙げられる。

図７に、レジスタ２３０、レジスタ２３１の回路構成例を示す。図７には、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａの初段のレジスタ２３０［１］と２段目のレジスタ２３０［２］、およびこれらレジスタ２３０に対応する２個のレジスタ２３１［１］と２３１［２］を示している。

レジスタ２３０は、トランジスタＴＲ１乃至ＴＲ６、容量素子Ｃ３、Ｃ６を有する。トランジスタＴＲ１乃至ＴＲ６は、ＯＳトランジスタである。トランジスタＴＲ１乃至ＴＲ６を、メモリセル２０９のトランジスタＭＷ１（図５（Ｂ）参照）と同様に、バックゲート付きのＯＳトランジスタとしてもよい。

レジスタ２３１は、トランジスタＴＲ７乃至ＴＲ１１、インバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２を有する。例えば、トランジスタＴＲ７乃至ＴＲ１１はＯＳトランジスタとし、領域２０内のインバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２は、Ｓｉトランジスタを用いて構成することができる。あるいは、トランジスタＴＲ７乃至ＴＲ１１、およびインバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２を構成するトランジスタをＳｉトランジスタとすることができる。

また、レジスタ２３０、２３１には、低電源電位、および高電源電位が入力される。図７では、低電源電位を接地電位、高電源電位をＶＨで表す。レジスタ２３０には、クロック信号ＣＫ１乃至ＣＫ４が入力され、レジスタ２３１には、信号ＬＤ、ＲＳ、ＳＶが入力される。初段のレジスタ２３０［１］は、外部からデータＳＩＮが入力され信号ＳＯ［１］を出力し、２段目のレジスタ２３０［２］は、信号ＳＯ［１］が入力され信号ＳＯ［２］を出力する。

レジスタ２３０［１］に対応するレジスタ２３１［１］は信号Ｑ［１］を出力し、レジスタ２３０［２］に対応するレジスタ２３１［２］は信号Ｑ［２］を出力する。信号Ｑ［１］、信号Ｑ［２］は、画像処理部１６０およびタイミングコントローラ１７３等に出力されるデータである。

これら、クロック信号ＣＫ１乃至ＣＫ４、信号ＬＤ、ＲＳ、ＳＶ、データＳＩＮ、および入出力に関する信号ＳＯ［１］、ＳＯ［２］、Ｑ［１］、Ｑ［２］の関係を、図８に示す。図８は、レジスタ２３０および２３１の動作例を示すタイミングチャートである。

図８において、時刻Ｔ１乃至Ｔ９は、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａにデータを格納する期間、時刻Ｔ１０乃至Ｔ１２は、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータをレジスタ部１７５Ｂにロードする期間、時刻Ｔ１３乃至Ｔ１７は、再びスキャンチェーンレジスタ部１７５Ａにデータを格納する期間、時刻Ｔ１８乃至Ｔ２０は、レジスタ部１７５Ｂのデータをスキャンチェーンレジスタ部１７５Ａにセーブする期間を示している。

時刻Ｔ１乃至Ｔ２において、クロック信号ＣＫ１を“Ｈ”（高レベル）とすることで、レジスタ２３０［１］のノードＮ１［１］およびレジスタ２３０［２］のノードＮ１［２］を“Ｌ”（低レベル）にリセットする。時刻Ｔ２乃至Ｔ３において、クロック信号ＣＫ２を“Ｈ”とすることで、レジスタ２３０［１］のノードＮ１［１］をデータＳＩＮに対応する値“Ｈ”に設定し、レジスタ２３０［２］のノードＮ１［２］をＳＯ［１］に対応する値“Ｌ”に設定する。

時刻Ｔ３乃至Ｔ４において、クロック信号ＣＫ３を“Ｈ”とすることで、レジスタ２３０［１］の出力信号ＳＯ［１］およびレジスタ２３０［２］の出力信号ＳＯ［２］を、“Ｌ”にリセットする。時刻Ｔ４乃至Ｔ５において、クロック信号ＣＫ４を“Ｈ”とすることで、レジスタ２３０［１］の出力信号ＳＯ［１］をノードＮ１［１］に対応する値“Ｈ”に設定し、レジスタ２３０［２］の出力信号ＳＯ［２］をノードＮ１［２］に対応する値“Ｌ”に設定する。

時刻Ｔ５乃至Ｔ６において、クロック信号ＣＫ１を“Ｈ”とすることで、レジスタ２３０［１］のノードＮ１［１］およびレジスタ２３０［２］のノードＮ１［２］を“Ｌ”にリセットする。時刻Ｔ６乃至Ｔ７において、クロック信号ＣＫ２を“Ｈ”とすることで、レジスタ２３０［１］のノードＮ１［１］をデータＳＩＮに対応する値“Ｌ”に設定し、レジスタ２３０［２］のノードＮ１［２］をＳＯ［１］に対応する値“Ｈ”に設定する。

時刻Ｔ７乃至Ｔ８において、クロック信号ＣＫ３を“Ｈ”とすることで、レジスタ２３０［１］の出力信号ＳＯ［１］およびレジスタ２３０［２］の出力信号ＳＯ［２］を、“Ｌ”にリセットする。時刻Ｔ８乃至Ｔ９において、クロック信号ＣＫ４を“Ｈ”とすることで、レジスタ２３０［１］の出力信号ＳＯ［１］をノードＮ１［１］に対応する値“Ｌ”に設定し、レジスタ２３０［２］の出力信号ＳＯ［２］をノードＮ１［２］に対応する値“Ｈ”に設定する。

このように、時刻Ｔ１乃至Ｔ９の動作により、レジスタ２３０［１］の出力信号ＳＯ［１］は“Ｌ”、レジスタ２３０［２］の出力信号ＳＯ［２］は“Ｈ”となり、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａを構成するレジスタ２３０にデータを格納することができる。データＳＩＮを変更することで、ＳＯ［１］、ＳＯ［２］の値を変更することができる。

次に、時刻Ｔ１０乃至Ｔ１１において、信号ＲＳを“Ｈ”とすることで、レジスタ２３１［１］の出力信号Ｑ［１］およびレジスタ２３１［２］の出力信号Ｑ［２］を“Ｌ”にリセットする。時刻Ｔ１１乃至Ｔ１２において、信号ＬＤを“Ｈ”とすることで、レジスタ２３１［１］の出力信号Ｑ［１］をＳＯ［１］に対応する値“Ｌ”に設定し、レジスタ２３１［２］の出力信号Ｑ［２］をＳＯ［２］に対応する値“Ｈ”に設定する。

時刻Ｔ１０乃至Ｔ１２の動作により、レジスタ２３１［１］の出力信号Ｑ［１］は“Ｌ”、レジスタ２３１［２］の出力信号Ｑ［２］は“Ｈ”となり、レジスタ部１７５Ｂを構成するレジスタ２３１に、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータをロードすることができる。

なお、レジスタ２３０が有する容量素子Ｃ３、Ｃ６は、オフ電流が極めて小さいＯＳトランジスタと電気的に接続されているため、電源供給が遮断された場合でも長時間電荷を保持することができる。電源供給の遮断によりレジスタ２３１のデータが消失しても、電源供給が再開した後、上記時刻Ｔ１０乃至Ｔ１２の動作を行うことで、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータをレジスタ部１７５Ｂにロードすることができる。

次に、時刻Ｔ１３乃至Ｔ１７において、再びスキャンチェーンレジスタ部１７５Ａにデータを格納する。動作は時刻Ｔ１乃至Ｔ５と同様のため説明を省略するが、レジスタ２３０［１］の出力信号ＳＯ［１］は“Ｈ”、レジスタ２３０［２］の出力信号ＳＯ［２］は“Ｌ”となる。

ここで、電源供給が遮断される場合、レジスタ２３０の出力信号（ＳＯ［１］、ＳＯ［２］）は、時刻Ｔ１０乃至Ｔ１２の動作によりロードされたレジスタ２３１の信号（Ｑ［１］は“Ｌ”、Ｑ［２］は“Ｈ”）と異なるため、レジスタ部１７５Ｂのデータをスキャンチェーンレジスタ部１７５Ａにセーブすることが好ましい。

時刻Ｔ１８乃至Ｔ１９において、クロック信号ＣＫ１を“Ｈ”とすることで、レジスタ２３０［１］のノードＮ１［１］およびレジスタ２３０［２］のノードＮ１［２］を“Ｌ”にリセットする。時刻Ｔ１９乃至Ｔ２０において、信号ＳＶを“Ｈ”とすることで、レジスタ２３０［１］のノードＮ１［１］をＱ［１］に対応する値“Ｌ”に設定し、レジスタ２３０［２］のノードＮ１［２］をＱ［２］に対応する値“Ｈ”に設定する。

この後、時刻Ｔ７乃至Ｔ９と同様のため説明および図を省略するが、クロック信号ＣＫ３およびクロック信号ＣＫ４を順次“Ｈ”とすることで、レジスタ２３０［１］の出力信号ＳＯ［１］をノードＮ１［１］に対応する値“Ｌ”に設定し、レジスタ２３０［２］の出力信号ＳＯ［２］をノードＮ１［２］に対応する値“Ｈ”に設定することができる。

このように、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータを更新中に電源供給を遮断する場合、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータと、レジスタ部１７５Ｂのデータとは整合性が取れていない。電源供給が再開した時、整合の取れていないデータをレジスタ部１７５Ｂにロードすることになるため、レジスタ部１７５Ｂのデータをスキャンチェーンレジスタ部１７５Ａにセーブすることが好ましい。または、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータ更新が終わるまで待ってから、電源供給を遮断することもできる。

＜コントローラＩＣの他の構成例＞
以下に、コントローラＩＣの他の構成例を説明する。

図９に、ソースドライバを内蔵しないコントローラＩＣの構成例を示す。図９に示すコントローラＩＣ１１７は、コントローラＩＣ１１５の変形例であり、領域１９１を有する。コントローラ１５４は、領域１９１内の回路への電源供給を制御する。

領域１９１には、ソースドライバが設けられていない。そのため、表示ユニット１１０は、ソースドライバＩＣ１８６を有する。ソースドライバＩＣ１８６の数は、画素アレイ１１１の画素数に応じて決定される。

ソースドライバＩＣ１８６は、反射素子１０ａ、および発光素子１０ｂの双方を駆動する機能を備える。そのため、ここでは１種類のソースドライバＩＣ１８６でソースドライバを構成しているが、ソースドライバの構成はこれに限定されない。例えば、反射素子１０ａを駆動するためのソースドライバＩＣと、発光素子１０ｂを駆動するためのソースドライバＩＣとで、ソースドライバを構成してもよい。

ゲートドライバ１１３、１１４と同様に、画素アレイ１１１の基板上にソースドライバを作製してもよい。

コントローラＩＣ１１７に、ＴＳドライバ１２６およびセンス回路１２７の一方または双方を設けてもよい。コントローラＩＣ１１５も同様である。

＜＜動作例＞＞
表示装置１００に関するコントローラＩＣ１１５とレジスタ１７５の動作例について、出荷前と、表示装置１００を有する電子機器の起動時、および通常動作時に分けて説明する。

＜出荷前＞
出荷前には、表示装置１００の仕様等に関するパラメータを、レジスタ１７５に格納する。これらのパラメータには、例えば、画素数、タッチセンサ数、タイミングコントローラ１７３が各種タイミング信号の波形生成に用いるパラメータ、ソースドライバ１８２に発光素子１０ｂを流れる電流を検出する電流検出回路を備えている場合、ＥＬ補正回路１６４の補正データ等がある。これらのパラメータは、レジスタ１７５以外に、専用のＲＯＭを設けて格納してもよい。

＜起動時＞
表示装置１００を有する電子機器の起動時には、ホスト１４０より送られるユーザー設定等のパラメータを、レジスタ１７５に格納する。これらのパラメータには、例えば、表示の輝度や色調、タッチセンサの感度、省エネルギー設定（表示を暗くする、または表示を消す、までの時間）、また、ガンマ補正のカーブやテーブル等がある。なお、当該パラメータをレジスタ１７５に格納する際、コントローラ１５４からレジスタ１７５にクロック信号ＣＫ１乃至ＣＫ４及び当該クロック信号ＣＫ１乃至ＣＫ４に同期して当該パラメータに相当するデータが送信される。

＜通常動作＞
通常動作には、動画等を表示している状態、静止画を表示中でＩＤＳ駆動が可能な状態、表示を行わない状態等に分けられる。動画等を表示している状態は、画像処理部１６０、およびタイミングコントローラ１７３等は動作中であるが、レジスタ１７５のデータ変更は、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａに対して行われるため、画像処理部１６０等への影響はない。スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータ変更が終わった後、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータをレジスタ部１７５Ｂへ一括してロードすることで、レジスタ１７５のデータ変更が完了する。また、画像処理部１６０等は当該データに対応した動作に切り替わる。

静止画を表示中でＩＤＳ駆動が可能な状態では、レジスタ１７５は、例えば、領域１９０内の他の回路と同様、パワーゲーティングすることができる。この場合、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータを更新中であれば、レジスタ部１７５Ｂのデータをスキャンチェーンレジスタ部１７５Ａにセーブすることが好ましい。

パワーゲーティングから復帰する際は、信号ＲＳ、ＬＤに従い、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａのデータをレジスタ部１７５Ｂにロードする。このようにして、パワーゲーティング前と同じ状態で、レジスタ１７５のデータは有効となる。なお、パワーゲーティングの状態であっても、ホスト１４０よりレジスタ１７５のパラメータ変更要求があった場合、レジスタ１７５のパワーゲーティングを解除し、パラメータを変更することができる。

表示を行わない状態では、例えば、領域１９０内の回路（レジスタ１７５を含む）は、パワーゲーティングすることができる。この場合、ホスト１４０も停止することがあるが、フレームメモリ１５１およびレジスタ１７５は不揮発性であるので、パワーゲーティングから復帰する際には、ホスト１４０の復帰を待たずに、パワーゲーティング前の表示（静止画）を行うことができる。

例えば、折りたたみ式の携帯電話の表示部に表示装置１００を適用する場合、開閉センサ１４４の信号によって、携帯電話が折りたたまれ、表示装置１００の表示面が使用されないことが検出されたとき、領域１９０内の回路に加えて、センサコントローラ１５３、およびタッチセンサコントローラ１８４等をパワーゲーティングすることができる。

携帯電話が折りたたまれたとき、ホスト１４０の規格によっては、ホスト１４０が停止する場合がある。ホスト１４０が停止した状態で、携帯電話が再び展開されても、フレームメモリ１５１およびレジスタ１７５は不揮発性であるので、ホスト１４０から画像データ、各種制御信号等が送られる前に、フレームメモリ１５１内の画像データを表示することができる。

以上のように、レジスタ１７５はスキャンチェーンレジスタ部１７５Ａとレジスタ部１７５Ｂを有し、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａに対してデータ変更を行うことで、画像処理部１６０およびタイミングコントローラ１７３等へ影響を与えることなく、スムーズなパラメータ変更を行うことができる。また、スキャンチェーンレジスタ部１７５Ａの各レジスタ２３０は、ＯＳトランジスタを用いた不揮発性レジスタであるため、表示装置の動作状況に合わせたパワーゲーティングが容易である。また、フレームメモリ１５１も不揮発性であるため、電源供給が再開された時、速やかに表示を再開することができる。パワーゲーティング状態への移行と復帰をスムーズに行うことができ、低消費電力化が可能なシステムを実現することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に記載の表示ユニット１１０の詳細について説明を行う。

＜表示パネルの構成例＞
図１０は、表示ユニット１１０の構成例を説明するブロック図である。

表示ユニット１１０は、画素アレイ１１１を有する。また、表示ユニット１１０は、ゲートドライバＧＤ、またはソースドライバＳＤを備えることができる。

《画素アレイ１１１》
画素アレイ１１１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、配線ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。

走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。

《ゲートドライバＧＤ》
ゲートドライバＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。

一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。

《ソースドライバＳＤ、ソースドライバＳＤ１、ソースドライバＳＤ２》
ソースドライバＳＤは、ソースドライバＳＤ１と、ソースドライバＳＤ２と、を有する。ソースドライバＳＤ１およびソースドライバＳＤ２は、コントローラＩＣ１１５からの信号に基づいて、データ信号を供給する機能を有する。

ソースドライバＳＤ１は、一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給するデータ信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。

ソースドライバＳＤ２は、一の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする他の表示素子（以下、第２の表示素子ともいう）と電気的に接続される画素回路に供給するデータ信号を生成する機能を備える。例えば、有機ＥＬ素子を駆動することができる。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等をソースドライバＳＤに用いることができる。

例えば、ソースドライバＳＤ１およびソースドライバＳＤ２が集積された集積回路を、ソースドライバＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路をソースドライバＳＤに用いることができる。

ソースドライバＳＤを、コントローラＩＣ１１５と同じ集積回路に含めてもよい。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を、コントローラＩＣ１１５およびソースドライバＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、上記集積回路を実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。

《画素回路》
図１１は、画素７０２の構成例を示す回路図である。画素７０２（ｉ，ｊ）は、反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）および発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える。これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、反射素子１０ａと、反射素子１０ａとは異なる方法を用いて表示をする発光素子１０ｂと、を駆動することができる。反射型の表示素子、反射素子１０ａを用いて表示を行うことで、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。光を射出する表示素子、発光素子１０ｂを用いて表示を行うことで、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび配線ＡＮＯと電気的に接続される。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。

走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。

容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、配線ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。

なお、トランジスタＭは、第１のゲート電極と第２のゲート電極を有していてもよい。第１のゲート電極と第２のゲート電極は、電気的に接続されていてもよい。第１のゲート電極と第２のゲート電極は、半導体膜を間に介して互いに重なる領域を有することが好ましい。

容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。

反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）の第１の電極をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）の第２の電極を配線ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

＜表示パネル上面図＞
図１２は、表示ユニット１１０の構成を説明する図である。図１２（Ａ）は、表示ユニット１１０の上面図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）に示す表示ユニット１１０の画素の一部を説明する上面図である。図１２（Ｃ）は、図１２（Ｂ）に示す画素の構成を説明する模式図である。

図１２（Ａ）は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１上に、ソースドライバＳＤと端子５１９Ｂが配置されている。

図１２（Ｃ）において、画素７０２（ｉ，ｊ）は、反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）および発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）を備える。

＜表示パネル断面図＞
図１３および図１４は、表示ユニット１１０の構成を説明する断面図である。図１３（Ａ）は、図１２（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図１２（Ｂ）の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）の一部を説明する図である。

図１４（Ａ）は、図１２（Ｂ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、図１２（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図であり、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）の一部を説明する図である。

以下、図１３および図１４用いて、表示ユニット１１０の各構成要素について説明を行う。

《基板５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル樹脂等を基板５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。

また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《基板７７０》
例えば、透光性を備える材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、基板５７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。

《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を、封止材７０５等に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を、封止材７０５等に用いることができる。

《接合層５０５》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を、接合層５０５に用いることができる。

《絶縁膜５２１、絶縁膜５１８》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１、５１８等に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１、５１８等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等、またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１、５１８等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等、またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを、絶縁膜５２１、５１８等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

これにより、例えば絶縁膜５２１、５１８と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を、絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《絶縁膜５０１Ａ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を、絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を、絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

《中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ》
例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃに用いることができる。なお、本明細書において、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃを中間膜という。

例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を、中間膜に用いることができる。

例えば、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。

例えば、透光性を備える材料を中間膜に用いることができる。

具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料、またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。

具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。

なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜と、インジウム、スズおよび酸素を含む厚さ２０ｎｍの膜と、をこの順で積層した積層材料を中間膜に用いることができる。

《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、配線ＡＮＯ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウム、またはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。

《反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）》
反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）は、光の反射を制御する機能を備えた表示素子であり、例えば、液晶素子、電気泳動素子、またはＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。

例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）は、電極７５１（ｉ，ｊ）と、電極７５２と、液晶材料を含む層７５３と、を有する。層７５３は、電極７５１（ｉ，ｊ）および電極７５２の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、層７５３の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。

例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、層７５３に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

例えば、配線等に用いる材料を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、導電性を備える材料を、電極７５２に用いることができる。可視光について透光性を備える材料を、電極７５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを、電極７５２に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを電極７５２に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、電極７５２に用いることができる。

《反射膜》
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。

反射膜は、例えば、層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）を反射型の表示素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。

例えば、電極７５１（ｉ，ｊ）等を反射膜に用いることができる。

例えば、層７５３と電極７５１（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える膜を、反射膜に用いることができる。または、電極７５１（ｉ，ｊ）が透光性を有する場合、電極７５１（ｉ，ｊ）を間に介して、層７５３と重なる領域を有する膜を、反射膜に用いることができる。

反射膜は、例えば、発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域を有することが好ましい。例えば、単数または複数の開口部７５１Ｈを備える形状を反射膜に用いることが好ましい。

多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈに用いることができる。

非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

図１５は、表示ユニット１１０の画素に用いることができる反射膜の形状を説明する模式図である。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１５（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１５（Ｂ）参照）。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配設される（図１５（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。

または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図１５（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において、当該直線と直交する直線上に配設される。

これにより、一の画素に隣接する他の画素の開口部に重なる領域を備える第２の表示素子を、一の画素の開口部に重なる領域を備える第２の表示素子から遠ざけることができる。または、一の画素に隣接する他の画素の第２の表示素子に、一の画素の第２の表示素子が表示する色とは異なる色を表示する表示素子を配設することができる。または、異なる色を表示する複数の表示素子を、隣接して配設する難易度を軽減することができる。

なお、例えば、発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を備える材料を、反射膜に用いることができる（図１５（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された電極７５１（ｉ，ｊ）を、反射膜に用いることができる。

《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。

《着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２》
所定の色の光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を、例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。

なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。

《遮光膜ＢＭ》
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。

《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。

具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。

《発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）》
例えば、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、または発光ダイオードなどを、発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）と、電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える。

例えば、発光性の有機化合物を層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、量子ドットを層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。

例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料、または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、層５５３（ｊ）に用いることができる。

また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の波長の光より効率よく取り出すことができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、電極５５２に用いることができる。

《ゲートドライバＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等をゲートドライバＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等をゲートドライバＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、またはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。

例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる。

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を、ゲートドライバ、ソースドライバ、および画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、ゲートドライバ、ソースドライバのトランジスタ、または画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、実施の形態１で説明したＯＳトランジスタを利用することができる。これにより、先述のアイドリングストップが可能になる。

例えば、酸化物半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図１４（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、酸化物半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。

導電膜５０４は、酸化物半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、酸化物半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

また、導電膜５２４を有するトランジスタを、ゲートドライバ、ソースドライバ、または画素回路のトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に酸化物半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および酸化物半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続する。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、酸化物半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、酸化物半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、酸化物半導体膜５０８と接する領域を備える。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

図１６（Ａ）は、図１２（Ｂ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図であり、図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）に示す構成の一部を省略して説明する下面図である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態の表示ユニットにタッチセンサユニットを適用した表示装置について説明を行う。

図１７は、タッチセンサユニット１２０と表示ユニット１１０を備えた、表示装置１００の構成を説明するブロック図である。図１８（Ａ）は、表示装置１００の上面図である。図１８（Ｂ）は、表示装置１００の入力部の一部を説明する模式図である。

タッチセンサユニット１２０は、センサアレイ１２１、ＴＳドライバ１２６およびセンス回路１２７を備える（図１７参照）。

センサアレイ１２１は、表示ユニット１１０の画素アレイ１１１と重なる領域を備える。センサアレイ１２１は、画素アレイ１１１と重なる領域に近接するものを検知する機能を備える。

センサアレイ１２１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。

行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＤＲＬ（ｇ）と電気的に接続される電極ＳＥ（ｇ）を含む（図１８（Ｂ）参照）。

列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＳＮＬ（ｈ）と電気的に接続される電極ＭＥ（ｈ）を含む（図１８（Ｂ）参照）。

電極ＳＥ（ｇ）および電極ＭＥ（ｈ）は、透光性を備えることが好ましい。

配線ＤＲＬ（ｇ）は、制御信号を供給する機能を備える。

配線ＳＮＬ（ｈ）は、検知信号を供給される機能を備える。

電極ＭＥ（ｈ）は、電極ＳＥ（ｇ）との間に電界を形成するように配置される。センサアレイ１２１に、指などの物体が近接すると上記電界が遮蔽され、検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、検知信号を供給する。

ＴＳドライバ１２６は、配線ＤＲＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。

センス回路１２７は、配線ＳＮＬ（ｈ）と電気的に接続され、配線ＳＮＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置情報を含む。

検知信号は、コントローラＩＣ１１５に供給される。コントローラＩＣ１１５は、検知信号に対応した情報をホスト１４０に供給し、画素アレイ１１１に表示される画像が更新される。

図１９および図２０は、表示装置１００の構成を説明する図である。図１９（Ａ）は、図１８（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）の一部の構成を説明する断面図である。

図２０は、図１８（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、Ｘ９−Ｘ１０、Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。

表示装置１００は、機能層７２０を備える点およびトップゲート型のトランジスタを有する点が、例えば、実施の形態２の表示ユニット１１０とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分については、上記の説明を援用する。

機能層７２０は、例えば、基板７７０、絶縁膜５０１Ｃおよび封止材７０５に囲まれる領域を備える（図１９参照）。

機能層７２０は、例えば、配線ＤＲＬ（ｇ）と、配線ＳＮＬ（ｈ）と、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と、を備える。

なお、配線ＤＲＬ（ｇ）および電極７５２の間、または、配線ＳＮＬ（ｈ）および電極７５２の間に、０．２μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上４μｍ以下の間隔を備える。

また、表示装置１００は、導電膜５１１Ｄを有す（図２０参照）。

なお、配線ＤＲＬ（ｇ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、配線ＤＲＬ（ｇ）と導電膜５１１Ｄを電気的に接続することができる。または、配線ＳＮＬ（ｈ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、配線ＳＮＬ（ｈ）と導電膜５１１Ｄを、電気的に接続することができる。例えば、配線等に用いることができる材料を導電膜５１１Ｄに用いることができる。

また、表示装置１００は、端子５１９Ｄを有する（図２０参照）。

端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと、中間膜７５４Ｄと、を備え、中間膜７５４Ｄは、導電膜５１１Ｄと接する領域を備える。

例えば、配線等に用いることができる材料を端子５１９Ｄに用いることができる。具体的には、端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同じ構成を端子５１９Ｄに用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ２を用いて、端子５１９Ｄとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる。これにより、例えば、端子５１９Ｄを用いて制御信号を配線ＤＲＬ（ｇ）に供給することができる。または、端子５１９Ｄを用いて検知信号を、配線ＳＮＬ（ｈ）から供給されることができる。

スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える導電膜５０４と、絶縁膜５０１Ｃおよび導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える酸化物半導体膜５０８と、を備える。なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える（図１９（Ｂ）参照）。

酸化物半導体膜５０８は、導電膜５０４と重ならない第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂと、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる第３の領域５０８Ｃと、を備える。

トランジスタＭＤは、第３の領域５０８Ｃおよび導電膜５０４の間に絶縁膜５０６を備える。なお、絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂは、第３の領域５０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を備える。

例えば、酸化物半導体膜に希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を施して、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂを酸化物半導体膜５０８に形成することができる。

また、例えば、導電膜５０４をマスクに用いることができる。これにより、第３の領域５０８Ｃの一部の形状を、導電膜５０４の端部の形状に自己整合させることができる。

トランジスタＭＤは、第１の領域５０８Ａと接する導電膜５１２Ａと、第２の領域５０８Ｂと接する導電膜５１２Ｂと、を備える。導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、ソース電極またはドレイン電極の機能を備える。

例えば、トランジスタＭＤと同一の工程で形成することができるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する電子機器について、説明を行う。

本表示装置は、反射素子による表示と発光素子による表示を適宜組み合わせて表示を行うことができるので、気象（晴天、雨天、曇天）、時間（昼、夜）等に制約されず、高品位の表示が可能である。そのため、本表示装置は、様々な場所で使用される携帯型電子機器の表示部に好適である。本表示装置は、なめらかな動画表示と低消費電力を両立することができるため、バッテリを電源とする携帯型電子機器の使用時間を長くすることができる。もちろん、携帯型電子機器に限らず、様々な電子機器の表示部に、本表示装置を適用することができる。ここでは、図２１を参照して、表示部を備えた電子機器の幾つかの例を説明する。

図２１（Ａ）乃至図２１（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。

図２１（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図２１（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２１（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図２１（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２１（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図２１（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２１（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。

図２１（Ａ）乃至図２１（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２１（Ａ）乃至図２１（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

図２１（Ｈ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。

なお、図２１（Ｈ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光素子をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

（実施の形態５）
＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
本実施の形態では、ＯＳトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳの構成について説明する。

ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう）である。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１−ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

ＡＣＦ１ 導電材料
ＡＣＦ２ 導電材料
ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
Ｃ１ 矢印
Ｃ２ 矢印
Ｃ３ 容量素子
Ｃ６ 容量素子
Ｃ１１ 容量素子
Ｃ１２ 容量素子
ＣＦ１ 着色膜
ＣＦ２ 着色膜
ＣＫ１ クロック信号
ＣＫ２ クロック信号
ＣＫ３ クロック信号
ＣＫ４ クロック信号
ＣＳ１ 容量素子
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
Ｇ１ 走査線
Ｇ２ 走査線
ＩＮＶ１ インバータ
ＩＮＶ２ インバータ
ＫＢ１ 構造体
ＭＷ１ トランジスタ
Ｎ１ ノード
Ｒ１ 矢印
Ｒ２ 矢印
Ｓ１ 信号線
Ｓ２ 信号線
ＳＤ１ ソースドライバ
ＳＤ２ ソースドライバ
ＳＩＮ データ
ＳＯ［１］ 信号
ＳＯ［２］ 信号
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
Ｔ１ 時刻
Ｔ２ 時刻
Ｔ３ 時刻
Ｔ４ 時刻
Ｔ５ 時刻
Ｔ６ 時刻
Ｔ７ 時刻
Ｔ８ 時刻
Ｔ９ 時刻
Ｔ１０ 時刻
Ｔ１１ 時刻
Ｔ１２ 時刻
Ｔ１３ 時刻
Ｔ１４ 時刻
Ｔ１５ 時刻
Ｔ１６ 時刻
Ｔ１７ 時刻
Ｔ１８ 時刻
Ｔ１９ 時刻
Ｔ２０ 時刻
ＴＲ１ トランジスタ
ＴＲ２ トランジスタ
ＴＲ３ トランジスタ
ＴＲ４ トランジスタ
ＴＲ５ トランジスタ
ＴＲ６ トランジスタ
ＴＲ７ トランジスタ
ＴＲ８ トランジスタ
ＴＲ９ トランジスタ
ＴＲ１０ トランジスタ
ＴＲ１１ トランジスタ
ＶＣＯＭ１ 配線
ＶＣＯＭ２ 配線
ＶＨ 高電源電位
Ｑ［１］ 信号
Ｑ［２］ 信号
１０ 画素
１０ａ 反射素子
１０ｂ 発光素子
２０ 領域
１００ 表示装置
１１０ 表示ユニット
１１１ 画素アレイ
１１３ ゲートドライバ
１１４ ゲートドライバ
１１５ コントローラＩＣ
１１７ コントローラＩＣ
１２０ タッチセンサユニット
１２１ センサアレイ
１２５ 周辺回路
１２６ ＴＳドライバ
１２７ センス回路
１４０ ホスト
１４３ 光センサ
１４４ 開閉センサ
１４５ 外光
１５０ インターフェース
１５１ フレームメモリ
１５２ デコーダ
１５３ センサコントローラ
１５４ コントローラ
１５５ クロック生成回路
１６０ 画像処理部
１６１ ガンマ補正回路
１６２ 調光回路
１６３ 調色回路
１６４ ＥＬ補正回路
１７０ メモリ
１７３ タイミングコントローラ
１７５ レジスタ
１７５Ａ スキャンチェーンレジスタ部
１７５Ｂ レジスタ部
１８０ ソースドライバ
１８１ ソースドライバ
１８２ ソースドライバ
１８４ タッチセンサコントローラ
１８６ ソースドライバＩＣ
１９０ 領域
１９１ 領域
２０２ 制御部
２０３ セルアレイ
２０４ センスアンプ回路
２０５ ドライバ
２０６ メインアンプ
２０７ 入出力回路
２０８ 周辺回路
２０９ メモリセル
２３０ レジスタ
２３１ レジスタ
５０１Ａ 絶縁膜
５０１Ｃ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０５ 接合層
５０６ 絶縁膜
５０８ 酸化物半導体膜
５０８Ａ 領域
５０８Ｂ 領域
５０８Ｃ 領域
５１１Ｂ 導電膜
５１１Ｃ 導電膜
５１１Ｄ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 端子
５１９Ｃ 端子
５１９Ｄ 端子
５２１ 絶縁膜
５２４ 導電膜
５２８ 絶縁膜
５５１ 電極
５５２ 電極
５５３ 層
５７０ 基板
７０２ 画素
７０５ 封止材
７２０ 機能層
７５１ 電極
７５１Ｅ 領域
７５１Ｈ 開口部
７５２ 電極
７５３ 層
７５４Ａ 中間膜
７５４Ｂ 中間膜
７５４Ｃ 中間膜
７５４Ｄ 中間膜
７７０ 基板
７７０Ｄ 機能膜
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
７７５ 検知素子
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ アイコン
７３０６ アイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金

Claims (15)

1. 第１コントローラと、
   レジスタと、
   フレームメモリと、
   画像処理部と、を有し、
   前記フレームメモリは、画像データを格納する機能を有し、
   前記画像処理部は、前記画像データを処理する機能を有し、
   前記レジスタは、前記画像処理部が処理を行うためのパラメータを格納する機能を有し、
   前記フレームメモリは、前記フレームメモリへの電源供給が遮断されている状態で、前記画像データを保持する機能を備え、
   前記レジスタは、スキャンチェーンレジスタと、第１レジスタと、第２レジスタと、を有し、
   前記スキャンチェーンレジスタは、前記レジスタへの電源供給が遮断されている状態で、前記パラメータを保持する機能を備え、
   前記スキャンチェーンレジスタを構成するトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第１コントローラは、前記レジスタ、前記フレームメモリ、および前記画像処理部に対する電源供給を制御する機能を有する、半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記スキャンチェーンレジスタは、第３レジスタと、第４レジスタと、を有し、
   前記第３レジスタの出力端子は、前記第４レジスタの入力端子に電気的に接続され、
   前記第１レジスタは、前記第３レジスタに格納されたデータを読み込む機能を有し、
   前記第２レジスタは、前記第４レジスタに格納されたデータを読み込む機能を有し、
   前記第１レジスタおよび前記第２レジスタに読み込まれたデータは、前記パラメータとして、前記画像処理部に出力される、半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記スキャンチェーンレジスタは、第３レジスタと、第４レジスタと、を有し、
   前記第１レジスタは、第１入力端子と、第１出力端子と、第２出力端子と、を有し、
   前記第２レジスタは、第２入力端子と、第３出力端子と、第４出力端子と、を有し、
   前記第３レジスタは、第３入力端子と、第４入力端子と、第５出力端子と、を有し、
   前記第４レジスタは、第５入力端子と、第６入力端子と、第６出力端子と、を有し、
   前記第１レジスタの第１出力端子は、前記画像処理部に電気的に接続され、
   前記第２レジスタの第３出力端子は、前記画像処理部に電気的に接続され、
   前記第１レジスタの第１入力端子は、前記第３レジスタの第５出力端子に電気的に接続され、
   前記第１レジスタの第２出力端子は、前記第３レジスタの第４入力端子に電気的に接続され、
   前記第２レジスタの第２入力端子は、前記第４レジスタの第６出力端子に電気的に接続され、
   前記第２レジスタの第４出力端子は、前記第４レジスタの第６入力端子に電気的に接続され、
   前記第３レジスタの第５出力端子は、前記第４レジスタの第５入力端子に電気的に接続され、
   前記第１レジスタは、前記第１入力端子に入力されるデータを格納する機能を有し、
   前記第２レジスタは、前記第２入力端子に入力されるデータを格納する機能を有する、半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記レジスタには、第１乃至第４クロック信号、第１電位、および第２電位が入力され、
   前記第１電位は、前記第２電位よりも高く、
   前記第３レジスタおよび前記第４レジスタは、それぞれ、第１乃至第６トランジスタと、第１容量素子と、第２容量素子と、を有し、
   前記第３レジスタ、および前記第４レジスタそれぞれにおいて、
   前記第１トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１電位が入力され、
   前記第１トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第２トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第３トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２電位が入力され、
   前記第２トランジスタのゲートは、前記第２クロック信号が入力され、
   前記第３トランジスタのゲートは、前記第１クロック信号が入力され、
   前記第１容量素子の第１端子は、前記第３トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第１容量素子の第２端子は、前記第２電位が入力され、
   前記第４トランジスタのゲートは、前記第１容量素子の第１端子に電気的に接続され、
   前記第４トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１電位が入力され、
   前記第４トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第５トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第５トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第６トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第６トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２電位が入力され、
   前記第５トランジスタのゲートは、前記第４クロック信号が入力され、
   前記第６トランジスタのゲートは、前記第３クロック信号が入力され、
   前記第２容量素子の第１端子は、前記第６トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第２容量素子の第２端子は、前記第２電位が入力され、
   前記第３レジスタにおいて、前記第１トランジスタのゲートは前記第３入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのゲートは前記第４入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第５出力端子に電気的に接続され、
   前記第４レジスタにおいて、前記第１トランジスタのゲートは前記第５入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのゲートは前記第６入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第６出力端子に電気的に接続される、半導体装置。
5. 請求項３において、
   前記レジスタには、第１乃至第３信号、第１電位、および第２電位が入力され、
   前記第１電位は、前記第２電位よりも高く、
   前記第１レジスタおよび前記第２レジスタは、それぞれ、第７乃至第１１トランジスタと、第１インバータと、第２インバータと、を有し、
   前記第１レジスタ、および前記第２レジスタそれぞれにおいて、
   前記第７トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１電位が入力され、
   前記第７トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第８トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第８トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第９トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第８トランジスタのゲートは、前記第１信号が入力され、
   前記第９トランジスタのゲートは、前記第２信号が入力され、
   前記第９トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２電位が入力され、
   前記第１インバータの入力端子は、前記第２インバータの出力端子に電気的に接続され、
   前記第２インバータの入力端子は、前記第１インバータの出力端子に電気的に接続され、
   前記第１０トランジスタのゲートは、前記第９トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第１０トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１電位が入力され、
   前記第１０トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１１トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第１１トランジスタのゲートは、前記第３信号が入力され、
   前記第１レジスタにおいて、前記第７トランジスタのゲートは前記第１入力端子に電気的に接続され、前記第１インバータの入力端子は前記第１出力端子に電気的に接続され、前記第１１トランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第２出力端子に電気的に接続され、
   前記第２レジスタにおいて、前記第７トランジスタのゲートは前記第２入力端子に電気的に接続され、前記第１インバータの入力端子は前記第３出力端子に電気的に接続され、前記第１１トランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第４出力端子に電気的に接続される、半導体装置。
6. 請求項３において、
   前記レジスタには、第１乃至第４クロック信号、第１乃至第３信号、第１電位、および第２電位が入力され、
   前記第１電位は、前記第２電位よりも高く、
   前記第３レジスタおよび前記第４レジスタは、それぞれ、第１乃至第６トランジスタと、第１容量素子と、第２容量素子と、を有し、
   前記第１レジスタおよび前記第２レジスタは、それぞれ、第７乃至第１１トランジスタと、第１インバータと、第２インバータと、を有し、
   前記第３レジスタ、および前記第４レジスタそれぞれにおいて、
   前記第１トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１電位が入力され、
   前記第１トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第２トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第３トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２電位が入力され、
   前記第２トランジスタのゲートは、前記第２クロック信号が入力され、
   前記第３トランジスタのゲートは、前記第１クロック信号が入力され、
   前記第１容量素子の第１端子は、前記第３トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第１容量素子の第２端子は、前記第２電位が入力され、
   前記第４トランジスタのゲートは、前記第１容量素子の第１端子に電気的に接続され、
   前記第４トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１電位が入力され、
   前記第４トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第５トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第５トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第６トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第６トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２電位が入力され、
   前記第５トランジスタのゲートは、前記第４クロック信号が入力され、
   前記第６トランジスタのゲートは、前記第３クロック信号が入力され、
   前記第２容量素子の第１端子は、前記第６トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第２容量素子の第２端子は、前記第２電位が入力され、
   前記第３レジスタにおいて、前記第１トランジスタのゲートは前記第３入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのゲートは前記第４入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第５出力端子に電気的に接続され、
   前記第４レジスタにおいて、前記第１トランジスタのゲートは前記第５入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのゲートは前記第６入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第６出力端子に電気的に接続され、
   前記第１レジスタ、および前記第２レジスタそれぞれにおいて、
   前記第７トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１電位が入力され、
   前記第７トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第８トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第８トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第９トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第８トランジスタのゲートは、前記第１信号が入力され、
   前記第９トランジスタのゲートは、前記第２信号が入力され、
   前記第９トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２電位が入力され、
   前記第１インバータの入力端子は、前記第２インバータの出力端子に電気的に接続され、
   前記第２インバータの入力端子は、前記第１インバータの出力端子に電気的に接続され、
   前記第１０トランジスタのゲートは、前記第９トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第１０トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１電位が入力され、
   前記第１０トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１１トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第１１トランジスタのゲートは、前記第３信号が入力され、
   前記第１レジスタにおいて、前記第７トランジスタのゲートは前記第１入力端子に電気的に接続され、前記第１インバータの入力端子は前記第１出力端子に電気的に接続され、前記第１１トランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第２出力端子に電気的に接続され、
   前記第２レジスタにおいて、前記第７トランジスタのゲートは前記第２入力端子に電気的に接続され、前記第１インバータの入力端子は前記第３出力端子に電気的に接続され、前記第１１トランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第４出力端子に電気的に接続される、半導体装置。
7. 請求項５または請求項６において、
   前記第７乃至第１１トランジスタは、それぞれ、チャネル形成領域に酸化物半導体を含む、半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記フレームメモリは、複数のメモリセルを有し、
   前記メモリセルは、第１２トランジスタと、第３容量素子と、を有し、
   前記第１２トランジスタは、前記第３容量素子の充放電を制御し、
   前記第１２トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含む、半導体装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   第２コントローラを有し、
   前記第２コントローラは、タイミング信号を生成する機能を有し、
   前記レジスタは、前記第２コントローラが前記タイミング信号を生成するためのパラメータを格納する機能を有する、半導体装置。
10. 請求項９において、
    前記第１コントローラは、前記第２コントローラに対する電源供給を制御する機能を有する、半導体装置。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
    第３コントローラを有し、
    前記第３コントローラは、光センサからの第４信号を受け取る機能と、前記第４信号をもとに前記画像処理部が処理を行うための第５信号を生成する機能と、を有する半導体装置。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    外部装置から画像データおよびパラメータが入力されない場合、前記フレームメモリに格納された前記画像データ、および前記レジスタに格納された前記パラメータをもとに、静止画を表示するための第６信号を生成する機能を有する、半導体装置。
13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
    ソースドライバを有し、
    前記ソースドライバは、前記画像処理部で処理された画像データをもとに、データ信号を生成する機能を有する、半導体装置。
14. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
    ソースドライバを有し、
    前記ソースドライバは、前記画像処理部で処理された画像データをもとに、第１データ信号または第２データ信号を生成する機能を有し、
    前記第１データ信号は、反射素子を駆動する機能を有し、
    前記第２データ信号は、発光素子を駆動する機能を有する、半導体装置。
15. 請求項１３または請求項１４において、
    前記第１コントローラは、前記ソースドライバに対する電源供給を制御する機能を有する、半導体装置。

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