TWI752014B - 顯示面板、輸入輸出面板及資料處理裝置 - Google Patents

顯示面板、輸入輸出面板及資料處理裝置 Download PDF

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TWI752014B
TWI752014B TW106110339A TW106110339A TWI752014B TW I752014 B TWI752014 B TW I752014B TW 106110339 A TW106110339 A TW 106110339A TW 106110339 A TW106110339 A TW 106110339A TW I752014 B TWI752014 B TW I752014B
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久保田大介
中野賢
三宅博之
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日商半導體能源研究所股份有限公司
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    • G02F2201/44—Arrangements combining different electro-active layers, e.g. electrochromic, liquid crystal or electroluminescent layers

Abstract

本發明提供：一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板；一種方便性或可靠性優異的新穎的輸入輸出面板；一種方便性或可靠性優異的新穎的資料處理裝置。該顯示面板包括包含液晶材料的層、第一像素、第二像素以及防反射結構，其中包含液晶材料的層具有第一區域、第二區域以及第三區域。第一像素具有第一區域，第二像素具有第二區域，防反射結構具有重疊於第三區域的區域。另外，防反射結構具有降低穿過包含液晶材料的層入射的可見光的反射率的功能。

Description

顯示面板、輸入輸出面板及資料處理裝置
本發明的一個實施方式係關於一種顯示面板、輸入輸出面板或資料處理裝置。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個實施方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。由此，更明確而言，作為本說明書所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法或者這些裝置的製造方法。
已知有具有如下結構的液晶顯示裝置：在基板的同一表面側設置聚光單元及像素電極，在聚光單元的光軸上重疊地設置像素電極的使可見光透過的區域。還已知有具有如下結構的液晶顯示裝置：使用具有聚光方向X 及非聚光方向Y的各向異性的聚光單元，使非聚光方向Y對應於像素電極的使可見光透過的區域的長軸方向(專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2011-191750號公報
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種方便性或可靠性優異的新穎的輸入輸出面板。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種方便性或可靠性優異的新穎的資料處理裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的顯示面板、新穎的輸入輸出面板、新穎的資料處理裝置或新穎的半導體裝置。
注意，上述目的的描述並不妨礙其他目的的存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。上述目的以外的目的可以顯而易見地從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中看出，並且可以從該描述中抽取上述目的以外的目的。
(1)本發明的一個實施方式是一種顯示面板，該顯示面板包括包含液晶材料的層、第一像素、第二像素以及防反射結構。
包含液晶材料的層具有第一區域、第二區域 以及第三區域。第三區域具有夾在第一區域與第二區域之間的區域。
第一像素具有第一區域，第二像素具有第二區域。
防反射結構具有重疊於第三區域的區域，防反射結構具有降低穿過包含液晶材料的層入射的可見光的反射率的功能。
(2)另外，本發明的一個實施方式是一種顯示面板，其中上述防反射結構包括半透射．半反射膜、反射膜以及光學調整膜。
反射膜具有重疊於半透射．半反射膜的區域。
光學調整膜具有夾在半透射．半反射膜與反射膜之間的區域。
半透射．半反射膜具有使可見光的一部分透過的功能以及反射該可見光的其他部分的光的功能。
反射膜具有反射可見光的一部分的功能。
光學調整膜具有使可見光的一部分透過的功能。光學調整膜具有以抵消半透射．半反射膜所反射的該可見光的其他部分的光的方式調整反射膜所反射的可見光的一部分的相位的厚度。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，可以降低穿過包含液晶材料的層入射的可見光的反射率。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
(3)另外，本發明的一個實施方式是包括彩色膜的上述顯示面板。
彩色膜具有夾在防反射結構與第三區域之間的區域。或者，彩色膜具有在其與防反射結構之間夾著第三區域的區域。彩色膜具有吸收可見光的其他一部分的功能。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，可以降低穿過包含液晶材料的層入射的可見光的反射率。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
(4)另外，本發明的一個實施方式是上述第一像素包括第一第一顯示元件的顯示面板。
第二像素包括第二第一顯示元件。
第一第一顯示元件包括第一第一電極及第二電極。
第二第一顯示元件包括第二第一電極及第二電極。
第一第一電極以在其與第二電極之間形成控制第一區域所包含的液晶材料的配向的電場的方式配置。
第二第一電極以在其與第二電極之間形成控制第二區域所包含的液晶材料的配向的電場的方式配置。
(5)另外，本發明的一個實施方式是上述第二電極具有在其與第一第一電極之間夾著第一區域的區域的顯示面板。
第二電極具有在其與第二第一電極之間夾著第二區域的區域。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，可以降低穿過包含液晶材料的層的第三區域(例如，液晶材料的配向容易被打亂而難以控制配向的區域)入射的可見光的反射率。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
(6)另外，本發明的一個實施方式是第一像素包括第二顯示元件的上述顯示面板。
第二顯示元件包括第三電極、第四電極以及包含發光性材料的層。
第三電極包括半透射．半反射膜。
第四電極包括反射膜。
光學調整膜包括包含發光性材料的層。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，藉由使用第二顯示元件，可以降低穿過包含液晶材料的層的第三區域(例如，液晶材料的配向容易被打亂而難以控制配向的區域)入射的可見光的反射率。另外，可以有效地利用上述區域。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
(7)另外，本發明的一個實施方式是一種顯示面板，其中以在可以看到使用第一第一顯示元件的顯示的區域的一部分中可以看到使用第二顯示元件的顯示的方式配置上述第二顯示元件。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，例如可以根據使用環境的照度等選擇利用第一第一顯示元件或第二顯示元件。或者，可以同時利用第一第一顯示元件及第二顯示元件。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
(8)另外，本發明的一個實施方式是一種顯示面板，其中上述第二顯示元件具有顯示與第一第一顯示元件不同的顏色的功能。
(9)另外，本發明的一個實施方式是一種顯示面板，其中上述第一像素包括第三顯示元件、第四顯示元件以及第五顯示元件。
第三顯示元件以在可以看到使用第一第一顯示元件的顯示的區域的一部分中可以看到使用第三顯示元件的顯示的方式配置。
第四顯示元件以在可以看到使用第一第一顯示元件的顯示的區域的一部分中可以看到使用第四顯示元件的顯示的方式配置。
第五顯示元件以在可以看到使用第一第一顯示元件的顯示的區域的一部分中可以看到使用第五顯示元件的顯示的方式配置。
第三顯示元件具有顯示與第一第一顯示元件所顯示的顏色及第二顯示元件所顯示的顏色不同的顏色的功能。
第四顯示元件具有顯示與第一第一顯示元件 所顯示的顏色、第二顯示元件所顯示的顏色以及第三顯示元件所顯示的顏色不同的顏色的功能。
第五顯示元件具有顯示與第一第一顯示元件所顯示的顏色、第二顯示元件所顯示的顏色、第三顯示元所顯示的顏色以及第四顯示元件所顯示的顏色不同的顏色的功能。
第一第一顯示元件具有顯示白色的功能。
第二顯示元件具有顯示藍色、綠色、紅色或白色的功能。
第三顯示元件具有顯示藍色、綠色、紅色或白色的功能。
第四顯示元件具有顯示藍色、綠色、紅色或白色的功能。
第五顯示元件具有顯示藍色、綠色、紅色或白色的功能。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，可以使用第一第一顯示元件進行影像資料的顯示。另外，根據所顯示的影像資料的種類，可以選擇利用第一第一顯示元件或第二顯示元件。另外，藉由使用第二顯示元件、第三顯示元件、第四顯示元件以及第五顯示元件可以進行多彩色或全彩色的顯示。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
(10)另外，本發明的一個實施方式是包括第一導電膜、第二導電膜、第二絕緣膜以及像素電路的上述顯 示面板。
第一導電膜與第一第一電極電連接。
第二導電膜具有重疊於第一導電膜的區域。
第二絕緣膜具有夾在第一導電膜與第二導電膜之間的區域，第二絕緣膜具有開口部。
第二導電膜在開口部中與第一導電膜電連接。
像素電路與第二導電膜電連接。
第三電極與像素電路電連接。
第二顯示元件具有向第二絕緣膜發射光的功能。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，例如藉由使用經過同一製程形成的像素電路，可以驅動第一第一顯示元件及利用與第一第一顯示元件不同的方法進行顯示的第二顯示元件。另外，藉由使用第二絕緣膜，可以抑制第一顯示元件與第二顯示元件間的雜質擴散。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
(11)另外，本發明的一個實施方式是包括一個像素群、另一個像素群、掃描線以及信號線的上述顯示面板。
一個像素群包括第一像素，一個像素群配置在行方向上。
另一個像素群包括第一像素，另一個像素群 配置在與行方向交叉的列方向上。
掃描線與一個像素群電連接。
信號線與另一個像素群電連接。
(12)另外，本發明的一個實施方式是一種輸入輸出面板，其包括上述顯示面板以及輸入部。
輸入部具有檢測靠近重疊於顯示面板的區域的物體的功能。
(13)另外，本發明的一個實施方式是一種輸入輸出面板，其中上述輸入部具有重疊於顯示面板的區域。
輸入部包括控制線、檢測信號線以及檢測元件。
檢測元件與控制線及檢測信號線電連接。
控制線具有供應控制信號的功能。
檢測元件接收控制信號，並具有供應根據控制信號及檢測元件與靠近重疊於顯示面板的區域的物體之間的距離而變化的檢測信號的功能。
檢測信號線具有接收檢測信號的功能。
檢測元件具有透光性，檢測元件包括第一電極以及第二電極。
第一電極與控制線電連接。
第二電極與檢測信號線電連接，並以其與第一電極之間形成電場的方式配置，該電場的一部分被靠近重疊於顯示面板的區域的物體遮蔽。
上述本發明的一個實施方式的顯示面板能夠 檢測出靠近重疊於顯示面板的區域的物體。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的輸入輸出面板。
(14)另外，本發明的一個實施方式是一種資料處理裝置，包括：鍵盤、硬體按鈕、指向裝置、觸控感測器、照度感測器、攝像裝置、聲音輸入裝置、視點輸入裝置、姿態檢測裝置中的至少一個；以及上述顯示面板。
上述本發明的一個實施方式的資料處理裝置可以減少功耗，即使在明亮的地方也可以確保優異的可見性。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的資料處理裝置。
注意，在本說明書中，顯示面板或輸入輸出面板包括安裝有軟性印刷電路板的結構、安裝有捲帶式封裝的結構、利用COG(Chip on glass：晶粒玻璃接合)法或COF(Chip on Film：薄膜覆晶封裝)法等安裝有積體電路的結構。
本說明書的方塊圖示出在獨立的方塊中根據其功能進行分類的組件，但是，實際的組件難以根據功能被清楚地劃分，一個組件有時具有多個功能。
在本說明書中，電晶體所具有的源極和汲極的名稱根據電晶體的極性及施加到各端子的電位的高低互相調換。一般而言，在n通道型電晶體中，將被施加低電位的端子稱為源極，而將被施加高電位的端子稱為汲極。另外，在p通道型電晶體中，將被供應低電位的端子稱為汲極，而將被供應高電位的端子稱為源極。在本說明書 中，儘管為方便起見在一些情況下假設源極和汲極是固定的來描述電晶體的連接關係，但是實際上源極和汲極的名稱根據上述電位關係而互換。
在本說明書中，電晶體的源極是指用作活性層的半導體膜的一部分的源極區域或與上述半導體膜連接的源極電極。同樣地，電晶體的汲極是指上述半導體膜的一部分的汲極區域或與上述半導體膜連接的汲極電極。另外，閘極是指閘極電極。
在本說明書中，電晶體串聯連接的狀態是指例如第一電晶體的源極和汲極中只有一個只與第二電晶體的源極和汲極中一個連接的狀態。另外，電晶體並聯連接的狀態是指第一電晶體的源極和汲極中的一個與第二電晶體的源極和汲極中的一個連接且第一電晶體的源極和汲極中的另一個與第二電晶體的源極和汲極中的另一個連接的狀態。
在本說明書中，連接是指電連接，並相當於能夠供應或傳送電流、電壓或電位的狀態。因此，連接狀態不一定必須是指直接連接的狀態，而在其範疇內還包括能夠供應或傳送電流、電壓或電位的藉由佈線、電阻器、二極體、電晶體等電路元件間接地連接的狀態。
即使當在本說明中在電路圖上獨立的組件彼此連接時，實際上也有一個導電膜兼具有多個組件的功能的情況，例如佈線的一部分用作電極的情況等。本說明書中的連接的範疇內包括這種一個導電膜兼具有多個組件的 功能的情況。
在本說明書中，電晶體的第一電極和第二電極中的一個是源極電極，而另一個是汲極電極。
根據本發明的一個實施方式，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。另外，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的輸入輸出裝置。另外，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的資料處理裝置。另外，可以提供一種新穎的顯示面板、新穎的輸入輸出裝置、新穎的資料處理裝置或新穎的半導體裝置。
注意，上述效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。另外，可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載明顯看出並衍生上述以外的效果。
ACF1:導電材料
ACF2:導電材料
AF1:配向膜
AF2:配向膜
ARR:防反射結構
ARG:防反射結構
ARB:防反射結構
AR1:半透射．半反射膜
AR2:反射膜
AR3:光學調整膜
ANO:佈線
BR(g,h):導電膜
CSCOM:佈線
C11:電容器
C21R:電容器
C21G:電容器
C21B:電容器
C21W:電容器
C22R:電容器
C22G:電容器
C22B:電容器
C22W:電容器
CF2:彩色膜
CF2B:彩色膜
CF2G:彩色膜
CF2R:彩色膜
CP:導電材料
C(g):電極
CL(g):控制線
M(h):電極
ML(h):檢測信號線
FPC1:軟性印刷電路板
FPC2:軟性印刷電路板
G1:掃描線
G2:掃描線
G3:掃描線
GD:驅動電路
GDA:驅動電路
GDB:驅動電路
DC:檢測電路
OSC:振盪電路
KB1:結構體
M:電晶體
MD:電晶體
MR:電晶體
MG:電晶體
MB:電晶體
MW:電晶體
TR:電晶體
P1:位置資料
P2:檢測資料
S1:信號線
S2:信號線
S3:信號線
SD:驅動電路
SD1:驅動電路
SD2:驅動電路
SS:控制資料
SW1:開關
SW2:開關
SW2R:開關
SW2G:開關
SW2B:開關
SW2W:開關
V1:影像資料
V11:資料
V12:資料
VBG:背景資料
VCOM1:佈線
VCOM2:佈線
102:絕緣膜
104:導電膜
106:絕緣膜
108:半導體膜
108a:半導體膜
108b:半導體膜
108c:半導體膜
112a:導電膜
112A:導電膜
112b:導電膜
112B:導電膜
114:絕緣膜
116:絕緣膜
118:絕緣膜
122:開口部
124:導電膜
200:資料處理裝置
210:算術裝置
211:算術部
212:記憶部
214:傳輸路徑
215:輸入輸出介面
220:輸入輸出裝置
230:顯示部
230B:顯示部
231:顯示區域
239:選擇電路
240:輸入部
250:檢測部
290:通訊部
501A:絕緣膜
501C:絕緣膜
504:導電膜
505:接合層
506:絕緣膜
508:半導體膜
511B:導電膜
511C:導電膜
512A:導電膜
512B:導電膜
516:絕緣膜
518:絕緣膜
519B:端子
519C:端子
520:功能層
521:絕緣膜
522:連接部
524:導電膜
528:絕緣膜
530:像素電路
550:顯示元件
551:電極
552:電極
553R:包含發光性材料的層
553G:包含發光性材料的層
553B:包含發光性材料的層
553W:包含發光性材料的層
570:基板
591A:開口部
591B:開口部
591C:開口部
592A:開口部
592B:開口部
592C:開口部
700:顯示面板
700TP1:輸入輸出面板
702:像素
705:密封劑
706:絕緣膜
709:接合層
710:基板
719:端子
720:功能層
750:顯示元件
751(i,j):電極
751(i,j)R:區域
751(i,j)T:區域
752:電極
753:包含液晶材料的層
753A:區域
753B:區域
753C:區域
754A:中間膜
754B:中間膜
754C:中間膜
770:基板
770D:功能膜
770P:功能膜
775(g,h):檢測元件
1400:半導體裝置
1401:CPU核
1402:功率控制器
1403:電源開關
1404:快取記憶體
1405:匯流排介面
1406:除錯介面
1407:控制裝置
1408:PC
1409:管線暫存器
1410:管線暫存器
1411:ALU
1412:暫存器檔案
1421:電源管理單元
1422:週邊電路
1423:資料匯流排
1500:半導體裝置
1501:記憶體電路
1502:記憶體電路
1503:記憶體電路
1504:讀出電路
1509:電晶體
1510:電晶體
1512:電晶體
1513:電晶體
1515:電晶體
1517:電晶體
1518:電晶體
1519:電容器
1520:電容器
1540:佈線
1541:佈線
1542:佈線
1543:佈線
1544:佈線
3001:佈線
3002:佈線
3003:佈線
3004:佈線
3005:佈線
3200:電晶體
3300:電晶體
3400:電容器
5000:外殼
5001:顯示部
5002:顯示部
5003:揚聲器
5004:LED燈
5005:操作鍵
5006:連接端子
5007:感測器
5008:麥克風
5009:開關
5010:紅外線埠
5011:記錄介質讀取部
5012:支撐部
5013:耳機
5014:天線
5015:快門按鈕
5016:影像接收部
5017:充電器
7302:外殼
7304:顯示面板
7305:圖示
7306:圖示
7311:操作按鈕
7312:操作按鈕
7313:連接端子
7321:錶帶
7322:錶帶扣
在圖式中：圖1A和圖1B是說明實施方式的顯示面板的結構的圖；圖2A和圖2B是說明實施方式的顯示面板的像素的結構的仰視圖；圖3A和圖3B是說明實施方式的顯示面板的結構的剖面圖；圖4A和圖4B是說明實施方式的顯示面板的結構的剖面圖； 圖5A、圖5B1、圖5B2、圖5B3及圖5C是說明實施方式的顯示面板的像素的結構的剖面圖；圖6是說明實施方式的顯示面板的像素的配置的仰視圖；圖7是說明實施方式的顯示面板的像素的結構的電路圖；圖8是說明實施方式的顯示面板的結構的方塊圖；圖9A、圖9B1及圖9B2是說明實施方式的輸入輸出面板的結構的圖；圖10A和圖10B是說明實施方式的輸入輸出面板的結構的剖面圖；圖11A和圖11B是說明實施方式的輸入輸出面板的結構的剖面圖；圖12是說明實施方式的輸入輸出面板的結構的方塊圖；圖13A至圖13C是說明實施方式的電晶體的結構的俯視圖及剖面圖；圖14A和圖14B是說明實施方式的電晶體的結構的剖面圖；圖15A和圖15B是說明實施方式的電晶體的疊層膜的能帶結構的示意圖；圖16A至圖16C是說明實施方式的資料處理裝置的結構的圖；圖17A和圖17B是說明實施方式的顯示裝置的結構 的方塊圖；圖18A和圖18B是說明實施方式的資料處理裝置的驅動方法的流程圖；圖19A至圖19C是說明實施方式的半導體裝置的結構的剖面圖及電路圖；圖20是說明實施方式的CPU的結構的方塊圖；圖21是說明實施方式的正反器電路的結構的電路圖；圖22A至圖22H是說明實施方式的電子裝置的結構的圖；圖23A至圖23C是說明實施例的顯示面板的結構及效果的圖；圖24A和圖24B是說明實施例的顯示面板的結構及效果的圖；圖25是說明實施例的顯示面板的結構及效果的圖。
本發明的一個實施方式的顯示面板包括包含液晶材料的層、第一像素、第二像素以及防反射結構，包含液晶材料的層具有第一區域、第二區域以及第三區域。第一像素具有第一區域，第二像素具有第二區域，防反射結構具有重疊於第三區域的區域。另外，防反射結構具有降低穿過包含液晶材料的層入射的可見光的反射率的功能。
由此，可以降低穿過包含液晶材料的層入射的可見光的反射率。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其區域的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖1A至圖8說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構。
圖1A和圖1B是說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構的圖。圖1A是顯示面板的俯視圖，圖1B是說明顯示面板所具有的像素的結構的仰視圖。
圖2A和圖2B是說明本發明的一個實施方式的顯示面板所具有的像素的結構的仰視圖。圖2A是說明像素的結構的仰視圖，圖2B是說明圖2A的一部分的圖。
圖3A和圖3B是說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構的圖。圖3A是沿著圖1A和圖1B的截 斷線X1-X2、截斷線X3-X4及截斷線X5-X6的剖面圖，圖3B是說明圖3A的一部分的圖。
圖4A和圖4B是說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構的圖。圖4A是沿著圖1A和圖1B的截斷線X7-X8以及截斷線X9-X10的剖面圖，圖4B是說明圖4A的一部分的圖。
圖5A、圖5B1、圖5B2、圖5B3及圖5C是說明本發明的一個實施方式的顯示面板所具有的像素的結構的圖。圖5A是本發明的一個實施方式的顯示面板的沿著圖2A的截斷線Y1-Y2的剖面圖。圖5B1是說明圖5A的一部分的剖面圖，圖5B2及圖5B3是說明圖5B1的變形例的剖面圖。圖5C是說明圖5A的其他一部分的剖面圖。
圖6是說明本發明的一個實施方式的顯示面板所具有的多個相鄰的像素的配置的仰視圖。
圖7是說明本發明的一個實施方式的顯示面板所包括的像素電路的結構的電路圖。
圖8是說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構的方塊圖。
注意，在本說明書中，有時將取1以上的整數的值的變數用於符號。例如，有時將包含取1以上的整數的值的變數p的(p)用於指定最大為p個組件中的任一個的符號的一部分。另外，例如，有時將包含取1以上的整數的值的變數m及變數n的(m，n)用於指定最大為m×n 個組件中的任一個的符號的一部分。
〈顯示面板的結構實例1〉
(1)在本實施方式中說明的顯示面板700包括包含液晶材料的層753、第一像素702(i,j)、第二像素702(i,j+1)以及防反射結構ARR(參照圖2A、圖5A以及圖6)。
包含液晶材料的層753具有第一區域753A、第二區域753B以及第三區域753C(參照圖5A)。第三區域753C具有夾在第一區域753A與第二區域753B之間的區域。
第一像素702(i,j)具有第一區域753A，第二像素(i,j+1)具有第二區域753B。
防反射結構ARR具有重疊於第三區域753C的區域，防反射結構ARR具有降低包含液晶材料的層753入射的可見光的反射率的功能。例如，與沒有配置防反射結構ARR的情況相比，可以降低重疊於第三區域753C的區域的反射率。
(2)另外，在本實施方式中說明的顯示面板700的防反射結構ARR包括半透射．半反射膜AR1、反射膜AR2以及光學調整膜AR3(參照圖5B1)。
反射膜AR2具有重疊於半透射．半反射膜AR1的區域。光學調整膜AR3具有夾在半透射．半反射膜AR1與反射膜AR2之間的區域。
半透射．半反射膜AR1具有使可見光的一部分 La透過的功能以及反射其他部分Lb的功能。
反射膜AR2具有反射可見光的一部分La的功能。
光學調整膜AR3具有使可見光的一部分La透過的功能。光學調整膜AR3具有以抵消半透射．半反射膜AR1所反射的可見光的其他部分Lb的方式調整反射膜所反射的可見光的一部分La的相位的厚度。
例如，將往復光學調整膜AR3的內部的光學距離調整為入射的可見光的波長λ的(k+1/2)倍左右(注意，光學距離為折射率和距離的乘積，k為0以上的整數)。由此，可以利用可見光一部分La抵消半透射．半反射膜AR1所反射的可見光的其他部分Lb。另外，可以利用可見光一部分La減弱可見光的其他部分Lb。另外，可以將層疊有折射率不同的多個膜的多層膜用於光學調整膜AR3。由此，可以降低各種波長的光的反射率。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，可以降低穿過包含液晶材料的層入射的可見光的反射率。另外，可以在沒有設置遮光膜的情況下抑制穿過包含液晶材料的層入射的可見光的反射。另外，例如，可以在不降低像素的開口率的情況下抑制穿過包含液晶材料的層入射的可見光的反射。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括防反射結構ARG及防反射結構ARB(參照圖6)。防反 射結構ARG包括半透射．半反射膜AR1、反射膜AR2以及未圖示的光學調整膜，防反射結構ARB包括半透射．半反射膜AR1、反射膜AR2以及未圖示的光學調整膜。
(3)另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括彩色膜CF2R(參照圖5A)。彩色膜CF2R具有夾在防反射結構ARR與第三區域753C之間的區域。另外，彩色膜CF2R具有吸收可見光的其他部分Lb的功能。另外，彩色膜CF2R可以具有將第三區域753C夾在彩色膜CF2R與防反射結構ARR之間的區域。
例如，可以將如下材料用於彩色膜CF2R：與波長長的光相比，能夠有效地吸收比防反射結構ARR發揮降低反射率的效果的光的波長短的光的材料。明確而言，當防反射結構ARR發揮降低紅色光的反射率的效果時，可以將吸收藍色光或綠色光的材料用於彩色膜CF2R。
另外，可以將如下材料用於彩色膜CF2R：與波長短的光相比，能夠有效地吸收比防反射結構ARB發揮降低反射率的效果的光的波長長的光的材料。明確而言，當防反射結構ARB發揮降低藍色光的反射率的效果時，可以將吸收綠色光或紅色光的材料用於彩色膜CF2R。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，可以降低穿過包含液晶材料的層入射的可見光的反射率。另外，可以吸收該可見光。其結果，可以提供一種方 便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括未圖示的彩色膜CF2G及彩色膜CF2B。
彩色膜CF2G具有夾在第二絕緣膜501C與防反射結構ARG之間的區域，彩色膜CF2G具有重疊於第三顯示元件550(i,j)G的區域。
彩色膜CF2B具有夾在第二絕緣膜501C與防反射結構ARB之間的區域，彩色膜CF2G具有重疊於第四顯示元件550(i,j)B的區域。
(4)另外，在本實施方式中說明的顯示面板700的第一像素702(i,j)包括第一顯示元件750(i,j)。另外，第二像素702(i,j+1)包括第一顯示元件750(i,j+1)(參照圖5A)。
第一顯示元件750(i,j)包括第一電極751(i,j)及第二電極752。
第一顯示元件750(i,j+1)包括第一電極751(i,j+1)及第二電極752。
第一電極751(i,j)以在第一電極751(i,j)與第二電極752之間形成控制第一區域753A所包含的液晶材料的配向的電場的方式配置。
第一電極751(i,j+1)以在第一電極751(i,j+1)與第二電極752之間形成控制第二區域753B所包含的液晶材料的配向的電場的方式配置。
例如，可以使第一電極751(i,j+1)的電位與第 一電極751(i,j)的電位不同。由此，有時對第三區域753C施加電場，以使第三區域753C所包含的液晶材料的配向產生變化。注意，在本說明書中，有時將第一顯示元件750(i,j)稱為第一第一顯示元件，將第一顯示元件750(i,j+1)稱為第二第一顯示元件。另外，有時將第一電極751(i,j)稱為第一第一電極，將第一電極751(i,j+1)稱為第二第一電極。
(5)另外，在本實施方式中說明的顯示面板700的第二電極752具有在第二電極752與第一電極751(i,j)之間夾著第一區域753A的區域。另外，第二電極752具有在第二電極752與第一電極751(i,j+1)之間夾著第二區域753B的區域。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，可以降低穿過包含液晶材料的層的第三區域(例如，由於液晶材料的配向容易被打亂而難以控制配向的區域)入射的可見光的反射率。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
(6)另外，在本實施方式中說明的顯示面板700的第一像素702(i,j)包括第二顯示元件550(i,j)R(參照圖5A)。
第二顯示元件550(i,j)R包括第三電極551(i,j)R、第四電極552以及包含發光性材料的層553R。另外，第三電極551(i,j)R包括半透射．半反射膜AR1，第四電極552包括反射膜AR2。另外，光學調整膜 AR3包括包含發光性材料的層553R(參照圖5A及圖5B1)。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，藉由使用第二顯示元件，可以降低穿過包含液晶材料的層的第三區域(例如，由於液晶材料的配向容易被打亂而難以控制配向的區域)入射的可見光的反射率。另外，可以有效地利用上述區域。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700的第一像素702(i,j)包括第三顯示元件550(i,j)G、第四顯示元件550(i,j)B及第五顯示元件550(i,j)W(參照圖1B)。第三顯示元件550(i,j)G包括第三電極551(i,j)G，第四顯示元件550(i,j)B包括第三電極551(i,j)B，第五顯示元件550(i,j)W包括第三電極551(i,j)W。
另外，第三顯示元件550(i,j)G包括第三電極551(i,j)G、第四電極552以及包含發光性材料的層553G(參照圖2B及圖5B2)。
另外，第四顯示元件550(i,j)B包括第三電極551(i,j)B、第四電極552以及包含發光性材料的層553B(參照圖2B及圖5B3)。
另外，第五顯示元件550(i,j)W包括第三電極551(i,j)W、第四電極552以及包含發光性材料的層553W。
第四電極552具有重疊於第三電極551(i,j)R 的區域(參照圖3A及圖5B1)。另外，第四電極552具有重疊於第三電極551(i,j)G的區域、第三電極551(i,j)B或第三電極551(i,j)W的區域。
包含發光性材料的層553R具有夾在第三電極551(i,j)R與第四電極552之間的區域。
包含發光性材料的層553G具有夾在第三電極551(i,j)G與第四電極552之間的區域。
包含發光性材料的層553B具有夾在第三電極551(i,j)B與第四電極552之間的區域。
包含發光性材料的層553W具有夾在第三電極551(i,j)W與第四電極552之間的區域。
(7)另外，在本實施方式中說明的顯示面板700的第二顯示元件550(i,j)R以在可以看到使用第一顯示元件750(i,j)的顯示的區域的一部分中可以看到使用第二顯示元件550(i,j)R的顯示的方式配置(參照圖5A)。例如，在圖式中，以虛線箭頭表示外光入射到藉由控制外光的反射強度進行顯示的第一顯示元件750(i,j)的方向及反射方向(參照圖4A)。另外，在圖式中，以實線箭頭表示第二顯示元件550(i,j)R向可以看到使用第一顯示元件750(i,j)的顯示的區域的一部分發射光的方向(參照圖3A)。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，例如可以根據使用環境的照度等選擇利用第一第一顯示元件或第二顯示元件。或者，可以同時利用第一第一顯示元件及第二顯示元件。其結果，可以提供一種方便性或 可靠性優異的新穎的顯示面板。
(8)另外，在本實施方式中說明的顯示面板700的第二顯示元件550(i,j)R具有顯示與第一顯示元件750(i,j)不同的顏色的功能。例如，可以將能夠顯示白色或黑色的顯示元件用於第一顯示元件750(i,j)，將能夠顯示紅色的顯示元件用於第二顯示元件550(i,j)R。
(9)另外，在本實施方式中說明的顯示面板700的第一像素702(i,j)包括第三顯示元件550(i,j)G、第四顯示元件550(i,j)B以及第五顯示元件550(i,j)W(參照圖1B及圖7)。
第三顯示元件550(i,j)G以在可以看到使用第一顯示元件750(i,j)的顯示的區域的一部分中可以看到使用第三顯示元件550(i,j)G的顯示的方式配置。
第四顯示元件550(i,j)B以在可以看到使用第一顯示元件750(i,j)的顯示的區域的一部分中可以看到使用第四顯示元件550(i,j)B的顯示的方式配置。
第五顯示元件550(i,j)W以在可以看到使用第一顯示元件750(i,j)的顯示的區域的一部分中可以看到使用第五顯示元件550(i,j)W的顯示的方式配置。
第三顯示元件550(i,j)G具有顯示與第一顯示元件750(i,j)所顯示的顏色及第二顯示元件550(i,j)R所顯示的顏色不同的顏色的功能。
第四顯示元件550(i,j)B具有顯示與第一顯示元件750(i,j)所顯示的顏色、第二顯示元件550(i,j)R所顯 示的顏色以及第三顯示元件550(i,j)G所顯示的顏色不同的顏色的功能。
第五顯示元件550(i,j)W具有顯示與第一顯示元件750(i,j)所顯示的顏色、第二顯示元件550(i,j)R所顯示的顏色、第三顯示元件550(i,j)G所顯示的顏色以及第四顯示元件550(i,j)B所顯示的顏色不同的顏色的功能。
第一顯示元件750(i,j)具有顯示白色的功能。
第二顯示元件550(i,j)R具有顯示藍色、綠色、紅色或白色的功能。
第三顯示元件550(i,j)G具有顯示藍色、綠色、紅色或白色的功能。
第四顯示元件550(i,j)B具有顯示藍色、綠色、紅色或白色的功能。
第五顯示元件550(i,j)W具有顯示藍色、綠色、紅色或白色的功能。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，可以使用第一第一顯示元件顯示影像資料。另外，根據所顯示的影像資料的種類，可以選擇利用第一第一顯示元件或第二顯示元件。另外，藉由使用第二顯示元件、第三顯示元件、第四顯示元件以及第五顯示元件可以進行多彩色或全彩色的顯示。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
(10)另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括第一導電膜、第二導電膜、第二絕緣膜501C以 及像素電路530(i,j)(參照圖3A和圖3B、圖4A和圖4B以及圖7)。
第一導電膜與第一電極751(i,j)電連接。例如，可以將第一電極751(i,j)用於第一導電膜。
第二導電膜具有重疊於第一導電膜的區域。例如，可以將被用作用於像素電路530(i,j)的開關SW1的電晶體的源極電極或汲極電極的導電膜512B用於第二導電膜(參照圖4A及圖7)。
第二絕緣膜501C具有夾在第一導電膜與第二導電膜之間的區域，第二絕緣膜501C具有開口部591A。另外，第二絕緣膜501C具有夾在第一絕緣膜501A與導電膜511B之間的區域。另外，第二絕緣膜501C在夾在第一絕緣膜501A與導電膜511B之間的區域中具有開口部591B。第二絕緣膜501C在夾在第一絕緣膜501A與導電膜511C之間的區域中具有開口部591C(參照圖3A和圖3B及圖4A及圖4B)。
第二導電膜在開口部591A中與第一導電膜電連接。例如，導電膜512B與第一電極751(i,j)電連接。並且，可以將在形成於第二絕緣膜501C的開口部591A中與第二導電膜電連接的第一導電膜稱為貫穿電極。
像素電路530(i,j)與第二導電膜電連接，第三電極551(i,j)R與像素電路530(i,j)電連接。
第二顯示元件550(i,j)R具有向第二絕緣膜501C發射光的功能。
第三顯示元件550(i,j)G與像素電路530(i,j)電連接，第三顯示元件550(i,j)G具有向第二絕緣膜501C發射光的功能(參照圖7)。
第四顯示元件550(i,j)B與像素電路530(i,j)電連接，第四顯示元件550(i,j)B具有向第二絕緣膜501C發射光的功能。
第五顯示元件550(i,j)W與像素電路530(i,j)電連接，第五顯示元件550(i,j)W具有向第二絕緣膜501C發射光的功能。
在上述本發明的一個實施方式的顯示面板中，例如藉由使用經過同一製程形成的像素電路，可以驅動第一第一顯示元件及利用與第一第一顯示元件不同的方法進行顯示的第二顯示元件。另外，藉由使用第二絕緣膜，可以抑制第一顯示元件與第二顯示元件間的雜質擴散。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
(11)另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括一個像素群702(i,1)至702(i,n)、另一個像素群702(1,j)至702(m,j)、掃描線G1(i)至掃描線G3(i)以及信號線S1(j)至信號線S3(j)(參照圖7及圖8)。另外，i為1以上且m以下的整數，j為1以上且n以下的整數，m及n為1以上的整數。
一個像素群702(i,1)至702(i,n)包括第一像素702(i,j)，配置在行方向(在圖式中以箭頭R1表示)上。
另一個像素群702(1,j)至702(m,j)包括第一像素702(i,j)，配置在與行方向交叉的列方向(在圖式中以箭頭C1表示)上。
掃描線G1(i)至掃描線G3(i)與一個像素群702(i,1)至702(i,n)電連接。
信號線S1(j)至信號線S3(j)與另一個像素群702(1,j)至702(m,j)電連接。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括第一絕緣膜501A(參照圖3A和圖3B及圖4A和圖4B)。
第一絕緣膜501A具有第一開口部592A、第二開口部592B及開口部592C。
第一開口部592A具有與中間膜754A及第一電極751(i,j)重疊的區域或與中間膜754A及第二絕緣膜501C重疊的區域。
第二開口部592B具有與中間膜754B及導電膜511B重疊的區域。另外，開口部592C具有與中間膜754C及導電膜511C重疊的區域。
第一絕緣膜501A具有沿著第一開口部592A的邊緣夾在中間膜754A與第二絕緣膜501C之間的區域，第一絕緣膜501A具有沿著第二開口部592B的邊緣夾在中間膜754B與導電膜511B之間的區域。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700 包括掃描線G1(i)至掃描線G3(i)、信號線S1(j)至信號線S3(j)、佈線VCOM1、佈線CSCOM、佈線VCOM2以及佈線ANO(參照圖7及圖8)。
另外，第一電極751(i,j)具有區域751(i,j)T及區域751(i,j)R(參照圖2B及圖5C)。區域751(i,j)T具有導電性及對於可見光的透光性。區域751(i,j)R具有導電性及對於可見光的反射性。
例如，可以將層疊有具有透光性的多個導電膜的膜用於區域751(i,j)T。另外，可以將在具有透光性的導電膜之間層疊有具有反射性的膜的膜用於區域751(i,j)R。
區域751(i,j)T具有重疊於第二顯示元件550(i,j)R的區域(參照圖2A及圖2B、圖5A)。另外，區域751(i,j)T具有重疊於第三顯示元件550(i,j)G、第四顯示元件550(i,j)B或第五顯示元件550(i,j)W的區域。
第三電極551(i,j)R在連接部522中與像素電路530(i,j)電連接(參照圖3A)。第三電極551(i,j)G在未圖示的連接部中與像素電路530(i,j)電連接。第三電極551(i,j)B在未圖示的連接部中與像素電路530(i,j)電連接。第三電極551(i,j)W在未圖示的連接部中與像素電路530(i,j)電連接。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700的第一顯示元件750(i,j)包括包含液晶材料的層753、第一電極751(i,j)以及第二電極752。第二電極752以其與 第一電極751(i,j)之間形成控制液晶材料的配向的電場的方式配置(參照圖3A和圖4A)。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括配向膜AF1及配向膜AF2。配向膜AF2具有在其與配向膜AF1之間夾著包含液晶材料的層753的區域。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括中間膜754A及中間膜754B。
中間膜754A具有在其與第二絕緣膜501C之間夾著第一導電膜的區域，中間膜754A具有接觸於第一電極751(i,j)的區域。中間膜754B具有接觸於導電膜511B的區域。中間膜754C具有接觸於導電膜511C的區域。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括功能膜770P及功能膜770D。
功能膜770P具有重疊於第一顯示元件750(i,j)的區域。
功能膜770D具有重疊於第一顯示元件750(i,j)的區域。功能膜770D具有在其與第一顯示元件750(i,j)之間夾著基板770的區域。由此，例如可以擴散第一顯示元件750(i,j)所發射的光。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括基板570、基板770以及功能層520。
基板770具有重疊於基板570的區域。
功能層520具有夾在基板570與基板770之 間的區域(參照圖3A)。功能層520包括像素電路530(i,j)、第二顯示元件550(i,j)R、絕緣膜521以及絕緣膜528。另外，功能層520包括絕緣膜518及絕緣膜516(參照圖3A及圖3B)。另外，功能層520包括未圖示的第三顯示元件550(i,j)G、第四顯示元件550(i,j)B以及第五顯示元件550(i,j)W。
絕緣膜521具有夾在像素電路530(i,j)與第四顯示元件550(i,j)B之間的區域。
絕緣膜528具有夾在絕緣膜521與基板570之間的區域。絕緣膜528在重疊於第二顯示元件550(i,j)R的區域、重疊於第三顯示元件550(i,j)G的區域、重疊於第四顯示元件550(i,j)B的區域以及重疊於第二顯示元件550(i,j)W的區域中具有開口部。
沿著第三電極551(i,j)R的外周形成的絕緣膜528防止第三電極551(i,j)R和第四電極552之間的短路。
沿著第三電極551(i,j)G的外周形成的絕緣膜528防止第三電極551(i,j)G和第四電極552之間的短路。
沿著第三電極551(i,j)B的外周形成的絕緣膜528防止第三電極551(i,j)B和第四電極552之間的短路。
沿著第三電極551(i,j)W的外周形成的絕緣膜528防止第三電極551(i,j)W和第四電極552之間的短路。
絕緣膜518具有夾在絕緣膜521與像素電路530(i,j)之間的區域，絕緣膜516具有夾在絕緣膜518與 像素電路530(i,j)之間的區域。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板700包括接合層505、密封劑705以及結構體KB1。
接合層505具有夾在功能層520與基板570之間的區域並具有貼合功能層520和基板570的功能。
密封劑705具有夾在功能層520與基板770之間的區域並具有貼合功能層520和基板770的功能。
結構體KB1具有夾在功能層520與基板770之間的區域並具有使功能層520與基板770之間具有指定的空隙的功能。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板包括端子519B及端子519C。端子519B例如與信號線S1(j)電連接。另外，導電膜511C例如與佈線VCOM1電連接。
端子519B包括導電膜511B及中間膜754B，中間膜754B具有接觸於導電膜511B的區域。端子519C包括導電膜511C及中間膜754C，中間膜754C具有接觸於導電膜511C的區域。
導電材料CP夾在端子519C與第二電極752之間，並具有使端子519C與第二電極752電連接的功能。例如，可以將導電粒子用於導電材料CP。
另外，在本實施方式中說明的顯示面板包括驅動電路GD及驅動電路SD(參照圖1A和圖1B及圖8)。
驅動電路GD與掃描線G1(i)至掃描線G3(i)電連接。驅動電路GD例如包括電晶體MD。明確而言，可 以將包括能夠藉由與像素電路530(i,j)所包括的電晶體中的半導體膜相同的製程形成的半導體膜的電晶體用作電晶體MD(參照圖3A和圖3B)。
驅動電路SD與信號線S1(j)至信號線S3(j)電連接。驅動電路SD例如與端子519B電連接。
下面說明顯示面板的各組件。注意，有時無法明確區分上述組件，一個組件可能兼作其他組件或包含其他組件的一部分。
例如，可以將第一導電膜用於第一電極751(i,j)。另外，可以將第一導電膜用於反射膜。
另外，可以將第二導電膜用於具有電晶體的源極電極或汲極電極的功能的導電膜512B。
另外，可以將第三電極551(i,j)R用於半透射．半反射膜AR1。
另外，可以將第四電極552用於反射膜AR2。
另外，可以將包含發光性材料的層553R用於光學調整膜AR3。
《結構實例》
本發明的一個實施方式的顯示面板包括基板570、基板770、結構體KB1、密封劑705或接合層505。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括功能層520、絕緣膜521、絕緣膜528、絕緣膜516或 絕緣膜518。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括第一絕緣膜501A、第二絕緣膜501C、中間膜754A、中間膜754B或中間膜754C。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括信號線S1(j)、信號線S2(j)、信號線S3(j)、掃描線G1(i)、掃描線G2(i)、掃描線G3(i)、佈線VCOM1、佈線VCOM2、佈線CSCOM或佈線ANO。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括端子519B、端子519C、導電膜511B或導電膜511C。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括第一導電膜或第二導電膜。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括像素702(i,j)、像素電路530(i,j)、導電膜512B或開關SW1。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括第一顯示元件750(i,j)、第一電極751(i,j)、反射膜、包含液晶材料的層753或第二電極752。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括配向膜AF1、配向膜AF2、彩色膜CF2B、彩色膜CF2G、彩色膜CF2R、功能膜770P或功能膜770D。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括第二顯示元件550(i,j)R、第三電極551(i,j)R、第四電極552或包含發光性材料的層553R。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括防反射結構ARR、半透射．半反射膜AR1、反射膜AR2或光學調整膜AR3。
另外，本發明的一個實施方式的顯示面板包括選擇電路239、驅動電路GD或驅動電路SD。
《基板570》
作為基板570等，可以使用具有能夠承受製程中的熱處理的耐熱性的材料。例如，作為基板570，可以使用厚度為0.1mm以上且0.7mm以下的材料。明確而言，可以使用拋光至0.1mm左右厚的材料。
例如，可以將第6代(1500mm×1850mm)、第7代(1870mm×2200mm)、第8代(2200mm×2400mm)、第9代(2400mm×2800mm)、第10代(2950mm×3400mm)等大面積的玻璃基板用作基板570等。由此，可以製造大型顯示裝置。
可以將有機材料、無機材料或混合有機材料和無機材料等的複合材料等用於基板570等。例如，可以將玻璃、陶瓷、金屬等無機材料用於基板570等。
明確而言，可以將無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃、水晶玻璃、鋁矽酸玻璃、強化玻璃、化學強化玻璃、石英或藍寶石等用於基板570。明確而言，可以將無機氧化物膜、無機氮化物膜或無機氧氮化物膜等用於基板570等。例如，可以將氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽 膜、氧化鋁膜等用於基板570等。可以將不鏽鋼或鋁等用於基板570等。
例如，可以將以矽或碳化矽為材料的單晶半導體基板或多晶半導體基板、以矽鍺等為材料的化合物半導體基板、SOI基板等用於基板570等。由此，可以將半導體元件形成於基板570等。
例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等有機材料用於基板570等。明確而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板用於基板570等。
例如，基板570等可以使用將金屬板、薄板狀的玻璃板或無機材料等的膜貼合於樹脂薄膜等的複合材料。例如，基板570等可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料等分散到樹脂薄膜而得到的複合材料。例如，基板570等可以使用將纖維狀或粒子狀的樹脂或有機材料等分散到無機材料而得到的複合材料。
另外，可以將單層的材料或層疊有多個層的材料用於基板570等。例如，也可以將層疊有基材與防止包含在基材中的雜質擴散的絕緣膜等的材料用於基板570等。明確而言，可以將層疊有玻璃與防止包含在玻璃中的雜質擴散的選自氧化矽層、氮化矽層或氧氮化矽層等中的一種或多種的膜的材料用於基板570等。或者，可以將層疊有樹脂與防止穿過樹脂的雜質的擴散的氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜等的材料用於基板570等。
明確而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜、樹脂板或疊層材料等用於基板570等。
明確而言，可以將包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚氨酯、丙烯酸樹脂、環氧樹脂或矽酮樹脂等具有矽氧烷鍵合的樹脂的材料用於基板570等。
明確而言，可以將聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)或丙烯酸樹脂等用於基板570等。
另外，可以將紙或木材等用於基板570等。
例如，可以將具有撓性的基板用於基板570等。
此外，可以採用在基板上直接形成電晶體或電容器等的方法。另外，可以使用如下方法：例如在對製程中的加熱具有耐性的製程用基板上形成電晶體或電容器等，並將形成的電晶體或電容器等轉置到基板570等。由此，例如可以在具有撓性的基板上形成電晶體或電容器等。
《基板770》
例如，可以將具有透光性的材料用於基板770。明確而言，可以將選自能夠用於基板570的材料中的材料用於基板770。
例如，可以將鋁矽酸玻璃、強化玻璃、化學強化玻璃或藍寶石等適當地用於顯示面板中的配置在靠近使用者的一側的基板770。由此，可以防止使用時造成的顯示面板的損壞或損傷。
此外，例如可以將厚度為0.1mm以上且0.7mm以下的材料用於基板770。明確而言，可以使用藉由拋光被減薄的基板。由此，可以使功能膜770D與第一顯示元件750(i,j)接近。其結果是，可以顯示很少模糊的清晰影像。
《結構體KB1》
例如，可以將有機材料、無機材料或有機材料和無機材料的複合材料用於結構體KB1等。由此，可以將夾住結構體KB1等的結構之間設定成預定的間隔。
明確而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚矽氧烷或丙烯酸樹脂等或選自上述樹脂中的多種樹脂的複合材料等用於結構體KB1。另外，也可以使用具有感光性的材料。
《密封劑705》
可以將無機材料、有機材料或無機材料和有機材料的複合材料等用於密封劑705等。
例如，可以將熱熔性樹脂或固化樹脂等有機材料用於密封劑705等。
例如，可以將反應固化型黏合劑、光固化型黏合劑、熱固性黏合劑及/或厭氧型黏合劑等有機材料用於密封劑705等。
明確而言，可以將包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等的黏合劑用於密封劑705等。
《接合層505》
例如，可以將能夠用於密封劑705的材料用於接合層505。
《功能層520》
例如，可以將像素電路530(i,j)、第二顯示元件550(i,j)R、絕緣膜521或絕緣膜528用於功能層520。
《絕緣膜521》
例如，可以將絕緣性無機材料、絕緣性有機材料或包含無機材料和有機材料的絕緣性複合材料用於絕緣膜521等。
明確而言，可以將無機氧化物膜、無機氮化物膜、無機氧氮化物膜等或層疊有選自這些材料中的多個材料的疊層材料用於絕緣膜521等。例如，可以將氧化矽 膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等或包含層疊有選自這些材料中的多個材料的疊層材料的膜用於絕緣膜521等。
明確而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚矽氧烷或丙烯酸樹脂等或選自上述樹脂中的多個樹脂的疊層材料或複合材料等用於絕緣膜521等。另外，也可以使用具有感光性的材料。
由此，例如可以使起因於與絕緣膜521重疊的各種結構的步階平坦化。
《絕緣膜528》
例如，可以將能夠用於絕緣膜521的材料用於絕緣膜528等。明確而言，可以將厚度為1μm的包含聚醯亞胺的膜用於絕緣膜528。
《絕緣膜516、絕緣膜518》
例如，可以將能夠用於絕緣膜521的材料用於絕緣膜516或絕緣膜518等。明確而言，可以將氧化矽膜用於絕緣膜516。或者，可以將氮化矽膜用於絕緣膜518。
《第一絕緣膜501A》
例如，可以將能夠用於絕緣膜521的材料用於第一絕緣膜501A。此外，例如可以將具有供應氫的功能的材料用於第一絕緣膜501A。
明確而言，可以將層疊有包含矽及氧的材料與包含矽及氮的材料的材料用於第一絕緣膜501A。例如，可以將具有藉由加熱等使氫釋放而將該氫供應給其他組件的功能的材料用於第一絕緣膜501A。明確而言，可以將藉由加熱使製程中被引入的氫釋放而將其供應給其他組件的功能的材料用於第一絕緣膜501A。
例如，可以將藉由使用矽烷等作為源氣體的化學氣相沉積法形成的包含矽及氧的膜用作第一絕緣膜501A。
明確而言，可以將層疊包含矽及氧的厚度為200nm以上且600nm以下的材料以及包含矽及氮的厚度為200nm左右的材料而成的材料用於第一絕緣膜501A。
《第二絕緣膜501C》
例如，可以將能夠用於絕緣膜521的材料用於第二絕緣膜501C。明確而言，可以將包含矽及氧的材料用於第二絕緣膜501C。由此，可以抑制雜質擴散到像素電路或第二顯示元件等。
例如，可以將包含矽、氧及氮的厚度為200nm的膜用作第二絕緣膜501C。
《中間膜754A、中間膜754B、中間膜754C》
例如，可以將厚度為10nm以上且500nm以下，較佳為10nm以上且100nm以下的膜用於中間膜754A、中間 膜754B、中間膜754C。在本說明書中，將中間膜754A、中間膜754B、中間膜754C稱為中間膜。
例如，可以將具有透過或供應氫的功能的材料用於中間膜。
例如，可以將具有導電性的材料用於中間膜。
例如，可以將具有透光性的材料用於中間膜。
明確而言，可以將包含銦及氧的材料、包含銦、鎵、鋅及氧的材料或者包含銦、錫及氧的材料等用於中間膜。這些材料具有透過氫的功能。
明確而言，可以將包含銦、鎵、鋅及氧的厚度為50nm的膜或厚度為100nm的膜用作中間膜。
此外，可以將層疊具有蝕刻停止層的功能的膜而成的材料用作中間膜。明確而言，可以將依次層疊有包含銦、鎵、鋅及氧的厚度為50nm的膜以及包含銦、錫及氧的厚度為20nm的膜的疊層材料用作中間膜。
《佈線、端子、導電膜》
可以將具有導電性的材料用於佈線等。明確而言，可以將具有導電性的材料用於信號線S1(j)、信號線S2(j)、信號線S3(j)、掃描線G1(i)、掃描線G2(i)、掃描線G3(i)、佈線CSCOM、佈線ANO、端子519B、端子519C、導電膜511B或導電膜511C等。
例如，可以將無機導電性材料、有機導電性材料、金屬或導電性陶瓷等用於佈線等。
明確而言，可以將選自鋁、金、鉑、銀、銅、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、鈀或錳的金屬元素等用於佈線等。或者，可以將含有上述金屬元素的合金等用於佈線等。尤其是，銅和錳的合金適用於利用濕蝕刻法的微細加工。
明確而言，佈線等可以採用如下結構：在鋁膜上層疊有鈦膜的雙層結構；在氮化鈦膜上層疊有鈦膜的雙層結構；在氮化鈦膜上層疊有鎢膜的雙層結構；在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊有鎢膜的雙層結構；依次層疊有鈦膜、鋁膜和鈦膜的三層結構等。
明確而言，可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加了鎵的氧化鋅等導電性氧化物用於佈線等。
明確而言，可以將含有石墨烯或石墨的膜用於佈線等。
例如，可以形成含有氧化石墨烯的膜，然後藉由使含有氧化石墨烯的膜還原來形成含有石墨烯的膜。作為還原方法，可以舉出利用加熱的方法以及利用還原劑的方法等。
例如，可以將包含金屬奈米線的膜用於佈線等。明確而言，可以使用包含銀的金屬奈米線。
明確而言，可以將導電高分子用於佈線等。
此外，例如可以使用導電材料ACF1將端子519B與軟性印刷電路板FPC1電連接。
《第一導電膜、第二導電膜》
例如，可以將能夠用於佈線等的材料用於第一導電膜或第二導電膜。
此外，可以將第一電極751(i,j)或佈線等用於第一導電膜。
此外，可以將能夠用作開關SW1的電晶體的被用作源極電極或汲極電極的導電膜512B或佈線等用於第二導電膜。
《像素702(i,j)》
例如，可以將像素電路530(i,j)、第一顯示元件750(i,j)、第二顯示元件550(i,j)R、第三顯示元件550(i,j)G、第四顯示元件550(i,j)B或第五顯示元件550(i,j)W用於像素702(i,j)。
《像素電路530(i,j)》
像素電路530(i,j)與信號線S1(j)、信號線S2(j)、信號線S3(j)、掃描線G1(i)、掃描線G2(i)、掃描線G3(i)、佈線CSCOM及佈線ANO電連接(參照圖7)。
像素電路530(i,j)包括開關SW1及電容器C11。
像素電路530(i,j)包括開關SW2R、電晶體MR、電容器C21R以及電容器C22R。
像素電路530(i,j)包括開關SW2G、電晶體MG、電容器C21G以及電容器C22G。
像素電路530(i,j)包括開關SW2B、電晶體MB、電容器C21B以及電容器C22B。
像素電路530(i,j)包括開關SW2W、電晶體MW、電容器C21W以及電容器C22W。
例如，可以將包括與掃描線G1(i)電連接的閘極電極及與信號線S1(j)電連接的第一電極的電晶體用作開關SW1。
電容器C11包括與用作開關SW1的電晶體的第二電極電連接的第一電極以及與佈線CSCOM電連接的第二電極。
此外，第一顯示元件750(i,j)的第一電極與用作開關SW1的電晶體的第二電極電連接，第一顯示元件750(i,j)的第二電極與佈線VCOM1電連接。由此，可以驅動第一顯示元件750。
例如，可以將包括與掃描線G2(i)電連接的閘極電極及與信號線S2(j)電連接的第一電極的電晶體用作開關SW2R。
電晶體MR包括與用作開關SW2R的電晶體的第二電極電連接的閘極電極以及與佈線ANO電連接的第一電極。
電容器C21R包括與用作開關SW2R的電晶體的第二電極電連接的第一電極以及與佈線ANO電連接的第二電極。
電容器C22R包括與用作開關SW2R的電晶體的第二電極電連接的第一電極以及與佈線CSCOM電連接的第二電極。
可以將具備包括在與閘極電極之間夾著半導體膜的區域的導電膜的電晶體用作電晶體MR。例如，可以將電連接於能夠供應與電晶體MR的閘極電極相同的電位的佈線的導電膜用作該導電膜。
此外，第二顯示元件550(i,j)R的第一電極與電晶體MR的第二電極電連接，第二顯示元件550(i,j)R的第二電極與第四佈線VCOM2電連接。由此，可以驅動第二顯示元件550(i,j)R。
例如，可以將包括與掃描線G2(i)電連接的閘極電極及與信號線S3(j)電連接的第一電極的電晶體用作開關SW2W。
電晶體MW包括與用作開關SW2W的電晶體的第二電極電連接的閘極電極以及與佈線ANO電連接的第一電極。
電容器C21W包括與用作開關SW2W的電晶體的第二電極電連接的第一電極以及與佈線ANO電連接的第二電極。
電容器C22W包括與用作開關SW2W的電晶 體的第二電極電連接的第一電極以及與佈線CSCOM電連接的第二電極。
可以將具備包括在與閘極電極之間夾著半導體膜的區域的導電膜的電晶體用作電晶體MW。例如，可以將電連接於能夠供應與電晶體MW的閘極電極相同的電位的佈線的導電膜用作該導電膜。
此外，第五顯示元件550(i,j)W的第一電極與電晶體MW的第二電極電連接，第五顯示元件550(i,j)W的第二電極與第四佈線VCOM2電連接。由此，可以驅動第五顯示元件550(i,j)W。
例如，可以將包括與掃描線G3(i)電連接的閘極電極及與信號線S2(j)電連接的第一電極的電晶體用作開關SW2B。
電晶體MB包括與用作開關SW2B的電晶體的第二電極電連接的閘極電極以及與佈線ANO電連接的第一電極。
電容器C21B包括與用作開關SW2B的電晶體的第二電極電連接的第一電極以及與佈線ANO電連接的第二電極。
電容器C22B包括與用作開關SW2B的電晶體的第二電極電連接的第一電極以及與佈線CSCOM電連接的第二電極。
可以將具備包括在與閘極電極之間夾著半導體膜的區域的導電膜的電晶體用作電晶體MB。例如，可 以將電連接於能夠供應與電晶體MB的閘極電極相同的電位的佈線的導電膜用作該導電膜。
此外，第四顯示元件550(i,j)B的第一電極與電晶體MB的第二電極電連接，第四顯示元件550(i,j)B的第二電極與第四佈線VCOM2電連接。由此，可以驅動第四顯示元件550(i,j)B。
例如，可以將包括與掃描線G3(i)電連接的閘極電極及與信號線S3(j)電連接的第一電極的電晶體用作開關SW2G。
電晶體MG包括與用作開關SW2G的電晶體的第二電極電連接的閘極電極以及與佈線ANO電連接的第一電極。
電容器C21G包括與用作開關SW2G的電晶體的第二電極電連接的第一電極以及與佈線ANO電連接的第二電極。
電容器C22G包括與用作開關SW2G的電晶體的第二電極電連接的第一電極以及與佈線CSCOM電連接的第二電極。
可以將具備包括在與閘極電極之間夾著半導體膜的區域的導電膜的電晶體用作電晶體MG。例如，可以將電連接於能夠供應與電晶體MG的閘極電極相同的電位的佈線的導電膜用作該導電膜。
此外，第三顯示元件550(i,j)G的第一電極與電晶體MG的第二電極電連接，第三顯示元件550(i,j)G 的第二電極與第四佈線VCOM2電連接。由此，可以驅動第三顯示元件550(i,j)G。
《開關、電晶體》
例如，可以將底閘極型或頂閘極型等電晶體用作開關或電晶體。明確而言，可以用作開關SW1、開關SW2R、開關SW2G、開關SW2B、開關SW2W、電晶體MR、電晶體MG、電晶體MB、電晶體MW或電晶體MD等。
例如，可以利用將包含第14族元素的半導體用於半導體膜的電晶體。明確而言，可以將包含矽的半導體用於半導體膜。例如，可以使用將單晶矽、多晶矽、微晶矽或非晶矽等用於半導體膜的電晶體。
例如，可以利用將氧化物半導體用於半導體膜的電晶體。明確而言，可以將包含銦的氧化物半導體或包含銦、鎵及鋅的氧化物半導體用於半導體膜。
例如，可以將與將非晶矽用於半導體膜的電晶體相比關閉狀態下的洩漏電流更小的電晶體用作開關或電晶體等。
明確而言，可以將對半導體膜508使用氧化物半導體的電晶體用作開關SW1、開關SW2R、開關SW2G、開關SW2B、開關SW2W、電晶體MR、電晶體MG、電晶體MB、電晶體MW或電晶體MD等。
由此，與利用將非晶矽用於半導體膜的電晶體的像素電路相比，可以使像素電路能夠保持的影像信號 的時間長。明確而言，可以抑制閃爍的發生，並以低於30Hz、較佳為低於1Hz、更佳為低於1次/分的頻率供應選擇信號。其結果是，可以降低資料處理裝置的使用者的眼疲勞。另外，可以降低伴隨驅動的功耗。
能夠用作開關SW1的電晶體包括半導體膜508及具有與半導體膜508重疊的區域的導電膜504(參照圖4B)。另外，能夠用作開關SW1的電晶體包括與半導體膜508電連接的導電膜512A及導電膜512B。
導電膜504具有閘極電極的功能，絕緣膜506具有閘極絕緣膜的功能。導電膜512A具有源極電極的功能和汲極電極的功能中的一個，導電膜512B具有源極電極的功能和汲極電極的功能中的另一個。
此外，可以將包括以在與導電膜504之間夾著半導體膜508的方式設置的導電膜524的電晶體用作電晶體MD(參照圖3B)。
例如，可以將依次層疊有包含鉭及氮的厚度為10nm的膜以及包含銅的厚度為300nm的膜的導電膜用作導電膜504。
例如，可以將層疊有包含矽及氮的厚度為400nm的膜以及包含矽、氧及氮的厚度為200nm的膜的材料用作絕緣膜506。
例如，可以將包含銦、鎵及鋅的厚度為25nm的膜用作半導體膜508。
例如，可以將依次層疊有包含鎢的厚度為 50nm的膜、包含鋁的厚度為400nm的膜、包含鈦的厚度為100nm的膜的導電膜用作導電膜512A或導電膜512B。
《第一顯示元件750(i,j)》
例如，可以將具有控制反射光或透光的功能的顯示元件用作第一顯示元件750(i,j)等。例如，可以使用組合有液晶元件與偏光板的結構或快門方式的MEMS顯示元件等。明確而言，可以將反射型液晶顯示元件用作第一顯示元件750(i,j)。藉由使用反射型顯示元件，可以抑制顯示面板的功耗。
例如，可以使用可藉由IPS(In-Plane-Switching：平面內切換)模式、TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場切換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模式以及AFLC(Anti Ferroelectric Liquid Crystal：反鐵電性液晶)模式等驅動方法驅動的液晶元件。
另外，可以使用可藉由例如如下模式驅動的液晶元件：垂直配向(VA)模式諸如MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式、 ECB(Electrically Controlled Birefringence：電控雙折射)模式、CPA(Continuous Pinwheel Alignment：連續焰火狀排列)模式、ASV(Advanced Super View：超視覺)模式等。
第一顯示元件750(i,j)包括第一電極、第二電極及液晶層。液晶層包含能夠利用第一電極和第二電極間的電壓控制配向的液晶材料。例如，可以將液晶層的厚度方向(也被稱為縱方向)、與縱方向交叉的方向(也被稱為橫方向或斜方向)的電場用作控制液晶材料的配向的電場。
《包含液晶材料的層753》
例如，可以將熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、鐵電性液晶、反鐵電性液晶等用於包含液晶材料的層。或者，可以使用呈現膽固醇相、層列相、立方相、手性向列相、各向同性相等的液晶材料。或者，可以使用呈現藍相的液晶材料。
《第一電極751(i,j)》
例如，可以將用於佈線等的材料用於第一電極751(i,j)。明確而言，可以將反射膜或具有透光性的材料用於第一電極751(i,j)。例如，可以將層疊有具有透光性的導電材料與具有開口的反射膜的材料用於第一電極751(i,j)。
《反射膜》
例如，可以將反射可見光的材料用於反射膜。明確而言，可以將包含銀的材料用於反射膜。例如，可以將包含銀及鈀等的材料或包含銀及銅等的材料用於反射膜。
反射膜例如反射透過包含液晶材料的層753的光。由此，可以使用第一顯示元件750(i,j)作為反射型液晶元件。另外，例如，可以將其表面不平坦的材料用於反射膜。由此，使入射的光向各種方向反射，而可以進行白色顯示。
例如，可以將第一電極751(i,j)用於反射膜。
另外，不侷限於將第一電極751(i,j)用於反射膜的結構。例如，可以將具有在與包含液晶材料的層753之間夾著使用具有透光性導電膜的第一電極751(i,j)的區域且反射可見光的材料用於反射膜。或者，可以將具有夾在包含液晶材料的層753與第一電極751(i,j)之間的區域且反射可見光的材料用於反射膜。
《區域751(i,j)T、區域751(i,j)R》
例如，可以將與區域751(i,j)R的端部接觸的區域或由區域751(i,j)R圍繞的區域用於區域751(i,j)T。
例如，區域751(i,j)T或區域751(i,j)R可以採用多角形、四角形、橢圓形、圓形、十字、細條狀、狹縫狀、方格狀等形狀。
《第二電極752》
例如，可以將對可見光具有透光性及導電性的材料用於第二電極752。
例如，可以將導電性氧化物、薄得可以透光的金屬膜或金屬奈米線用於第二電極752。
明確而言，可以將包含銦的導電性氧化物用於第二電極752。或者，可以將厚度為1nm以上且10nm以下的金屬薄膜用於第二電極752。此外，可以將包含銀的金屬奈米線用於第二電極752。
明確而言，可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅、添加有鋁的氧化鋅等用於第二電極752。
《配向膜AF1、配向膜AF2》
例如，可以將包含聚醯亞胺等的材料用於配向膜AF1或配向膜AF2。明確而言，可以使用藉由摩擦處理或光配向技術使液晶材料在預定的方向上配向而形成的材料。
例如，可以將包含可溶性聚醯亞胺的膜用於配向膜AF1或配向膜AF2。由此，可以降低形成配向膜AF1時所需要的溫度。其結果是，可以減輕形成配向膜AF1時發生的對其他組件帶來的損壞。
《彩色膜CF2》
可以將使指定顏色的光透過的材料用於彩色膜CF2。由此，例如可以將彩色膜CF2用作濾色片。例如，可以將 使藍色光、綠色光或紅色光透過的材料用於彩色膜CF2。此外，可以將使黃色光或白色光等透過的材料用於彩色膜CF2，也可以將使青色(cyan)光、洋紅色(magenta)光透過的層用於彩色膜CF2。
另外，作為彩色膜CF2，可以使用具有將被照射的光轉換為指定顏色的光的功能的材料。明確而言，可以將量子點用於彩色膜CF2。由此，可以進行色純度高的顯示。
《功能膜770P、功能膜770D》
例如，可以將防反射膜、偏振膜、相位差膜、光擴散膜或聚光膜等用於功能膜770P或功能膜770D。
明確而言，可以將包含二色性色素的薄膜用於功能膜770P或功能膜770D。或者，可以將具有包括沿著與基體表面交叉的方向的軸的柱狀結構的材料用於功能膜770P或功能膜770D。由此，可以容易在沿著軸的方向上透過光，並且可以容易使光在其他方向上散射。
另外，可以將抑制塵埃的附著的抗靜電膜、不容易被弄髒的具有拒水性的膜、抑制使用時的損傷的硬塗膜等用於功能膜770P。
明確而言，可以將圓偏振膜用於功能膜770P。此外，可以將光擴散膜用於功能膜770D。
《第二顯示元件550(i,j)R、第三顯示元件550(i,j)G、第 四顯示元件550(i,j)B、第五顯示元件550(i,j)W》
例如，可以將發光元件用於第二顯示元件550(i,j)R、第三顯示元件550(i,j)G、第四顯示元件550(i,j)B、第五顯示元件550(i,j)W。明確而言，可以將有機電致發光元件、無機電致發光元件或發光二極體等用於第二顯示元件550(i,j)R等。
例如，可以將發光性有機化合物用於包含發光性材料的層553R等。
例如，可以將量子點用於包含發光性材料的層553R等。由此，可以發射半寬度窄且顏色鮮明的光。
例如，可以將以發射藍色光的方式形成的疊層材料用於包含發光性材料的層553B。可以將以發射綠色光的方式形成的疊層材料用於包含發光性材料的層553G。可以將以發射紅色光的方式形成的疊層材料等用於包含發光性材料的層553R。
例如，可以將沿著信號線S2(j)在列方向上較長的帶狀疊層材料用於包含發光性材料的層553R等。
此外，例如可以將以發射白色光的方式形成的疊層材料用於包含發光性材料的層553R等。明確而言，可以將層疊有使用包含發射藍色光的螢光材料的發光性材料的層以及包含發射綠色光及紅色光的螢光材料以外的材料的層或者包含發射黃色光的螢光材料以外的材料的層的疊層材料用於包含發光性材料的層553R等。
例如，可以將能夠用於佈線等的材料用於第 三電極551(i,j)R、第三電極551(i,j)G或第三電極551(i,j)B、第三電極551(i,j)W等。
例如，可以將選自能夠用於佈線等的材料的對可見光具有透光性的材料用於第三電極551(i,j)R等。
明確而言，作為第三電極551(i,j)R，可以使用導電性氧化物、包含銦的導電性氧化物、氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等。或者，可以將薄得可以透光的金屬膜用於第三電極551(i,j)R等。
或者，可以將使光的一部分透過且反射光的其他部分的金屬膜用於第三電極551(i,j)R等。由此，可以在第二顯示元件550(i,j)R等中設置微諧振器結構。其結果是，可以與其他光相比高效地提取指定波長的光。
例如，可以將能夠用於佈線等的材料用於第四電極552。明確而言，可以將對可見光具有反射性的材料用於第四電極552。
《防反射結構ARR、防反射結構ARG、防反射結構ARB》
例如，可以將使光的一部分透過並反射光的其他部分的材料用於半透射．半反射膜AR1。明確而言，可以將薄得可以透光的金屬膜用於半透射．半反射膜AR1。例如，可以將第三電極551(i,j)R用於半透射．半反射膜AR1。
例如，可以將反射可見光的一部分的材料用 於反射膜AR2。明確而言，可以將金屬膜等用於反射膜AR2。例如，可以將第四電極552用於反射膜AR2。
例如，可以將使可見光的一部分透過的材料用於光學調整膜AR3。明確而言，可以將具有透光性的有機材料或具有透光性的無機材料用於光學調整膜AR3。另外，可以將具有透光性的導電材料用於光學調整膜AR3。另外，可以將具有透光性的導電材料和包含發光性材料的層553R等的疊層材料用於光學調整膜AR3。
《驅動電路GD》
可以將移位暫存器等各種時序電路等用於驅動電路GD。例如，可以將電晶體MD、電容器等用於驅動電路GD。明確而言，可以使用能夠用作開關SW1的電晶體或包括能夠與電晶體M在同一製程中形成的半導體膜的電晶體。
例如，可以將與能夠用於開關SW1的電晶體不同的結構用於電晶體MD。明確而言，可以將包括導電膜524的電晶體用於電晶體MD(參照圖3B)。
在與導電膜504之間夾著半導體膜508的方式設置導電膜524，在導電膜524與半導體膜508之間設置絕緣膜516，並在半導體膜508與導電膜504之間設置絕緣膜506。例如，使供應與導電膜504相同電位的佈線與導電膜524電連接。
可以將與電晶體M相同的結構用於電晶體 MD。
《驅動電路SD、驅動電路SD1、驅動電路SD2》
驅動電路SD1具有根據資料V11供應影像信號的功能，驅動電路SD2具有根據資料V12供應影像信號的功能。
驅動電路SD1例如具有生成供應給與反射型顯示元件電連接的像素電路的影像信號的功能。明確而言，驅動電路SD1具有生成極性反轉的信號的功能。由此，例如可以驅動反射型液晶顯示元件。
驅動電路SD2例如具有生成供應給與發光元件電連接的像素電路的影像信號的功能。
例如，可以將移位暫存器等各種時序電路等用於驅動電路SD1或驅動電路SD2。另外，也可以使用集成了驅動電路SD1及驅動電路SD2的驅動電路SD代替驅動電路SD1及驅動電路SD2。明確而言，作為驅動電路SD，可以使用形成在矽基板上的積體電路。
例如，可以利用COG法將驅動電路SD安裝於端子519B。明確而言，可以使用異方性導電膜將積體電路安裝於端子519B。或者，可以利用COF法將積體電路安裝於端子519B。
《選擇電路239》
例如，可以將第一多工器及第二多工器用於選擇電路 239(參照圖8)。另外，第一多工器及第二多工器具有根據控制信號SS工作的功能。
第一多工器包括被供應影像資料V1的第一輸入部及第三輸入部及被供應背景資料VBG的第二輸入部並被供應控制資料SS。第一多工器在被供應第一狀態或第三狀態的控制資料SS時輸出影像資料V1，在被供應第二狀態的控制資料SS時輸出背景資料VBG。另外，將第一多工器所輸出的資料記為資料V11。
第二多工器包括被供應背景資料VBG的第一輸入部及被供應影像資料V1的第二輸入部及第三輸入部並被供應控制資料SS。第二多工器在被供應第一狀態的控制資料SS時輸出背景資料VBG，在被供應第二狀態或第三狀態的控制資料SS時輸出影像資料V1。另外，將第二多工器所輸出的資料記為資料V12。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中，參照圖9A至圖12說明本發明的一個實施方式的輸入輸出面板的結構。注意，將輸入輸出面板稱為觸控面板或觸控面板。
圖9A、圖9B1及圖9B2是說明本發明的一個實施方式的輸入輸出面板的結構的圖。圖9A是說明輸入輸出面板的俯視圖。圖9B1是說明本發明的一個實施方式 的輸入輸出面板的輸入部的一部分的示意圖，圖9B2是說明圖9B1所示的結構的一部分的示意圖。
圖10A是本發明的一個實施方式的輸入輸出面板的剖面圖，圖10B是用來說明圖10A的一部分的圖。
圖11A是本發明的一個實施方式的輸入輸出面板的剖面圖，圖11B是用來說明圖11A的一部分的圖。
圖12是說明輸入輸出面板的輸入部的結構的方塊圖。
本輸入輸出面板包括輸入部，這是與參照圖1A至圖8說明的顯示面板不同之處。在此，對不同之處進行詳細說明，而關於能夠使用與上述結構相同的結構的部分援用上述說明。
〈顯示面板的結構實例1〉
本發明的一個實施方式所說明的輸入輸出面板700TP1包括實施方式1所記載的顯示面板及輸入部(參照圖9A至圖11B)。
輸入部具有檢測靠近與顯示面板重疊的區域的物體的功能。
輸入部具有與顯示面板重疊的區域，輸入部包括控制線CL(g)、檢測信號線ML(h)以及檢測元件775(g,h)(參照圖9B2)。
檢測元件775(g,h)與控制線CL(g)及檢測信號線ML(h)電連接。
控制線CL(g)具有供應控制信號的功能。
檢測元件775(g,h)被供應控制信號，並具有供應根據控制信號及檢測元件775(g,h)與靠近重疊於顯示面板的區域的物體之間的距離而變化的檢測信號的功能。
檢測信號線ML(h)具有被供應檢測信號的功能。
檢測元件775(g,h)具有透光性，包括電極C(g)及電極M(h)。
電極C(g)與控制線CL(g)電連接。
電極M(h)與檢測信號線ML(h)電連接，並以與電極C(g)之間形成電場的方式配置，該電場的一部分被靠近與顯示面板重疊的區域的物體遮蔽(參照圖10A)。
上述本發明的一個實施方式的顯示面板能夠檢測出靠近重疊於顯示面板的區域的物體。其結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的輸入輸出面板。
另外，本實施方式所說明的輸入部包括基板710及接合層709(參照圖10A及圖11A)。
基板710具有在與基板770之間夾有檢測元件775(g,h)的區域。
接合層709具有夾在基板770與檢測元件775(g,h)之間的區域，並具有將基板770與檢測元件775(g,h)貼在一起的功能。
功能膜770P具有在其與第一顯示元件750(i,j)之間夾著檢測元件775(g,h)的區域。由此，例如可以降低檢測元件775(g,h)所反射的光的強度。
本實施方式所說明的輸入部包括一個檢測元件群775(g，1)至檢測元件775(g，q)以及另一個檢測元件群775(1，h)至檢測元件775(p，h)(參照圖12)。注意，g是1以上且p以下的整數，h是1以上且q以下的整數，並且p及q是1以上的整數。
一個檢測元件群775(g,1)至檢測元件775(g,q)包括檢測元件775(g,h)，並且配置在行方向(圖式中的以箭頭R2表示的方向)上。注意，圖12中的以箭頭R2表示的方向既可以與圖8中的以箭頭R1表示的方向相同，又可以不同。
另一個檢測元件群775(1，h)至檢測元件775(p，h)包括檢測元件775(g，h)，並配置在與行方向交叉的列方向(圖式中的以箭頭C2表示的方向)上。
配置在行方向上的一個檢測元件群775(g，1)至檢測元件775(g，q)包括與控制線CL(g)電連接的電極C(g)。
配置在列方向上的另一個檢測元件群775(1，h)至檢測元件775(p，h)包括與檢測信號線ML(h)電連接的電極M(h)。
本實施方式所說明的輸入輸出裝置的控制線CL(g)包括導電膜BR(g，h)(參照圖10A)。導電膜BR(g， h)具有與信號線ML(h)重疊的區域。
絕緣膜706包括夾在檢測信號線ML(h)與導電膜BR(g，h)之間的區域。由此，可以防止檢測信號線ML(h)與導電膜BR(g，h)之間的短路。
本實施方式所說明的輸入輸出面板包括振盪電路OSC及檢測電路DC(參照圖12)。
振盪電路OSC與控制線CL(g)電連接，並具有供應控制信號的功能。例如，可以將矩形波、鋸形波、三角形波等用作控制信號。
檢測電路DC與檢測信號線ML(h)電連接，並具有根據檢測信號線ML(h)的電位的變化供應檢測信號的功能。
下面說明輸入輸出面板的各組件。注意，有時無法明確區分上述組件，一個結構可能兼作其他結構或包含其他結構的一部分。
例如，可以將檢測信號線ML(h)用作電極M(h)。
《結構實例》
本發明的一個實施方式的輸入輸出面板包括顯示面板或輸入部。
輸入部包括基板710、功能層720、接合層709、端子719(參照圖10A及圖11A)。
功能層720具有夾在基板770與基板710之 間的區域。功能層720包括檢測元件775(g,h)及絕緣膜706。
接合層709包括夾在功能層720與基板770之間的區域，並具有貼合功能層720與基板770的功能。
端子719與檢測元件775(g,h)電連接。
《基板710》
例如，可以將具有透光性的材料用於基板710。明確而言，可以將選自可用於基板570的材料的材料用於基板710。
例如，可以將鋁矽酸玻璃、強化玻璃、化學強化玻璃或藍寶石等適當地用於顯示面板中的配置在靠近使用者的一側的基板710。由此，可以防止使用時的顯示面板的損壞或損傷。
《檢測元件775(g,h)》
例如，可以將檢測靜電電容、照度、磁力、電波或者壓力等並且供應基於所檢測出的物理量的資料的元件用於檢測元件775(g,h)。
明確而言，可以將電容器、光電轉換元件、磁檢測元件、壓電元件或諧振器等用於檢測元件775(g,h)。
例如，當在大氣中手指等具有大於大氣的介電常數的物體靠近導電膜時，手指等與導電膜之間的靜電 容量變化。藉由檢測該靜電容量的變化可以供應檢測資料。明確而言，可以使用自電容式檢測元件。
例如，可以將電極C(g)及電極M(h)用於檢測元件。明確而言，可以使用被供應控制信號的電極C(g)及以與該電極C(g)之間形成電場的方式配置的電極M(h)，該電場的一部分被靠近的物體遮蔽。由此，可以利用檢測信號線ML(h)的電位檢測被靠近的物體遮蔽而變化的電場，並供應檢測信號。其結果是，可以檢測出遮蔽電場的靠近物體。明確而言，可以使用互電容式檢測元件。
《控制線CL(g)、檢測信號線ML(h)、導電膜BR(g,h)》
例如，可以將具有可見光透過性及導電性的材料用於控制線CL(g)、檢測信號線ML(h)或導電膜BR(g,h)。
明確而言，可以將用於第二電極752的材料用於控制線CL(g)、檢測信號線ML(h)或導電膜BR(g,h)。
《絕緣膜706》
例如，可以將能夠用於絕緣膜521的材料用於絕緣膜706等。明確而言，可以將包含矽及氧的膜用於絕緣膜706。
《端子719》
例如，可以將能夠用於佈線等的材料用於端子719。此外，例如可以使用導電材料ACF2將端子719與軟性印 刷電路板FPC2電連接(參照圖11A)。
可以使用端子719對控制線CL(g)供應控制信號。或者，可以從檢測信號線ML(h)接收檢測信號。
《接合層709》
例如，可以將能夠用於密封劑705的材料用於接合層709。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖13A至圖13C說明可用於本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置的半導體裝置的結構。
圖13A至圖13C是說明可用於本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置的電晶體TR的結構的圖。圖13A是可用於本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置的電晶體的俯視圖，該電晶體被用作電晶體TR。圖13B是包括參照圖13A進行說明的電晶體的通道長度(L)方向上的剖面的剖面圖。圖13C是包括參照圖13A進行說明的電晶體的通道寬度(W)方向上的剖面的剖面圖。此外，有時將切斷線L1-L2方向稱為通道長度方向，將切斷線W1-W2方向稱為通道寬度方向。
另外，可以將電晶體TR用於實施方式2所說 明的輸入輸出裝置等。
例如，當將電晶體TR用作開關SW1時，可以將絕緣膜102換稱為第二絕緣膜501C、將導電膜104換稱為導電膜504、將絕緣膜106換稱為絕緣膜506、將半導體膜108換稱為半導體膜508、將導電膜112a換稱為導電膜512A、將導電膜112b換稱為導電膜512B、將層疊有絕緣膜114及絕緣膜116的疊層膜換稱為絕緣膜516、以及將絕緣膜118換稱為絕緣膜518。
〈電晶體的結構實例1〉
可用於本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置的電晶體包括：第二絕緣膜102上的導電膜104；第二絕緣膜102及導電膜104上的絕緣膜106；絕緣膜106上的半導體膜108；半導體膜108上的導電膜112b；半導體膜108上的導電膜112a；半導體膜108、導電膜112a及導電膜112b上的絕緣膜114；絕緣膜114上的絕緣膜116；以及絕緣膜116上的導電膜124(參照圖13B)。
例如，導電膜104被用作第一閘極電極，導電膜112b被用作源極電極，導電膜112a被用作汲極電極，導電膜124被用作第二閘極電極。絕緣膜106被用作第一閘極絕緣膜，絕緣膜114、116被用作第二閘極絕緣膜。
例如，可以將氧化物半導體膜用於半導體膜108。明確而言，可以將包含銦的氧化物半導體膜或包含 銦、鎵及鋅的氧化物半導體膜用於半導體膜108。
另外，半導體膜108包含In、M(M為Al、Ga、Y或Sn)及Zn。
例如，半導體膜108較佳為具有In的原子個數比大於M的原子個數比的區域。但是，本發明的一個實施方式不侷限於此，也可以採用具有In的原子個數比小於M的原子個數比的區域的結構或者具有In的原子個數比等於M的原子個數比的區域的結構。
半導體膜108具有In的原子個數比大於M的原子個數比的區域。由此，可以提高電晶體的電場效移動率。明確而言，電晶體的電場效移動率可以超過10cm2/Vs。較佳的是，電晶體的電場效移動率可以超過30cm2/Vs。
《兩個閘極電極發揮的效果》
可用於本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置的電晶體可以兩個閘極電極。
參照圖13C說明兩個閘極電極給電晶體的特性帶來的效果。
如圖13C所示，被用作第二閘極電極的導電膜124藉由開口部122與被用作第一閘極電極的導電膜104電連接。由此，對導電膜104及導電膜124施加相同的電位。
如圖13C所示，半導體膜108位於與導電膜 104及導電膜124相對的位置，並夾在被用作兩個閘極電極的導電膜之間。
導電膜104及導電膜124的通道寬度方向上的長度都比半導體膜108的通道寬度方向上的長度長。另外，半導體膜108的整體隔著絕緣膜106、114、116由導電膜104及導電膜124覆蓋。
換句話說，導電膜104與導電膜124在形成於絕緣膜106、114、116中的開口部122中連接，並具有位於半導體膜108的側端部的外側的區域。
藉由採用上述結構，可以由導電膜104及導電膜124的電場電圍繞電晶體所包括的半導體膜108。可以將利用第一閘極電極及第二閘極電極的電場電圍繞形成通道區域的氧化物半導體膜的電晶體的結構稱為Surrounded channel(S-channel)結構。
由於電晶體具有S-channel結構，所以藉由利用被用作第一閘極電極的導電膜104，對半導體膜108有效地施加用來引起通道的電場，因此可以提高電晶體的電流驅動能力，從而獲高通態電流。另外，由於可以使通態電流高，因此可以使電晶體微型化。另外，由於電晶體具有半導體膜108由被用作第一閘極電極的導電膜104及被用作第二閘極電極的導電膜124圍繞的區域，所以可以提高電晶體的機械強度。
另外，在上述說明中，雖然例示出第一閘極電極與第二閘極電極連接的結構，但是電晶體的結構不侷 限於此。例如，也可以採用使被用作第二閘極電極的導電膜524與被用作電晶體M的源極電極或汲極電極的導電膜512B電連接的結構。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，參照圖14A至圖15B說明可用於本發明的一個實施方式的資料處理裝置的電晶體的結構。明確而言，說明可用於電晶體的半導體膜的氧化物半導體膜的結構。
本實施方式所說明的電晶體例如可以被用作開關SW1或開關SW2。另外，可以被用作電晶體M或電晶體MD等。
圖14A和圖14B是電晶體的通道長度(L)方向上的剖面圖。圖14A是包括層疊有三個膜的氧化物半導體膜的電晶體的通道長度(L)方向上的剖面圖。圖14B是包括層疊有兩個膜的氧化物半導體膜的電晶體的通道長度(L)方向上的剖面圖。
圖15A和圖15B是說明疊層膜的能帶結構的示意圖。疊層膜包括氧化物半導體膜及與該氧化物半導體膜接觸的絕緣膜。另外，為了容易理解能帶結構，示出構成疊層膜的各氧化物半導體膜及各絕緣膜的導帶底能階(Ec)。
圖15A是疊層結構的膜厚度方向上的能帶圖的一個例子，該疊層結構具有絕緣膜106、半導體膜108a、108b、108c以及絕緣膜114。
圖15B是疊層結構的膜厚度方向上的能帶圖的一個例子，該疊層體結構絕緣膜106、半導體膜108b、108c以及絕緣膜114。
〈半導體裝置的結構實例1〉
例如，可以將夾在兩個絕緣膜之間且層疊有三個膜的半導體膜用於電晶體。明確而言，可以將夾在絕緣膜106與絕緣膜116之間且層疊有半導體膜108a、半導體膜108c及半導體膜108b的半導體膜用於電晶體(參照圖14A和圖15A)。
半導體膜108c具有與半導體膜108a彼此重疊的區域，半導體膜108b具有夾在半導體膜108a與半導體膜108c之間的區域。
絕緣膜116具有與絕緣膜106彼此重疊的區域。
半導體膜108a具有與絕緣膜106接觸的區域，半導體膜108c具有與絕緣膜116接觸的區域，這些區域都具有彼此重疊的區域。
圖15A為具有如下結構的能帶圖：作為絕緣膜106及絕緣膜114使用氧化矽膜，作為半導體膜108a使用利用金屬元素的原子個數比為In：Ga：Zn=1：3：2的金屬 氧化物靶材而形成的氧化物半導體膜，作為半導體膜108b使用利用金屬元素的原子個數比為In：Ga：Zn=4：2：4.1的金屬氧化物靶材而形成的氧化物半導體膜，作為半導體膜108c使用利用金屬元素的原子個數比為In：Ga：Zn=1：3：2的金屬氧化物靶材而形成的氧化物半導體。
〈半導體裝置的結構實例2〉
例如，可以將夾在兩個絕緣膜之間且層疊有兩個膜的半導體膜用於電晶體。明確而言，可以將夾在絕緣膜106與絕緣膜116之間且層疊有半導體膜108b及半導體膜108c的氧化物半導體膜用於電晶體(參照圖14B和圖15B)。
半導體膜108c具有與半導體膜108b彼此重疊的區域。
絕緣膜116具有與絕緣膜106彼此重疊的區域。
半導體膜108b具有與絕緣膜106接觸的區域，半導體膜108c具有與絕緣膜116接觸的區域，這些區域都具有彼此重疊的區域。
圖15B為具有如下疊層結構的能帶圖：作為絕緣膜106及絕緣膜114使用氧化矽膜，作為半導體膜108b使用利用金屬元素的原子個數比為In：Ga：Zn=4：2：4.1的金屬氧化物靶材而形成的氧化物半導體膜，作為半導體膜108c使用利用金屬元素的原子個數比為In：Ga：Zn=1：3：2 的金屬氧化物靶材而形成的膜。
〈半導體膜的能帶結構〉
如圖15A和圖15B所示，在半導體膜108a、108b、108c中，導帶底的能階平緩地變化。換言之，導帶底的能階連續地變化或連續接合。為了實現這樣的能帶結構，不使在半導體膜108a與半導體膜108b的介面處或半導體膜108b與半導體膜108c的介面處存在形成陷阱中心或再結合中心等缺陷能階的雜質。
為了在半導體膜108a與半導體膜108b之間及在半導體膜108b與半導體膜108c之間形成連續接合，需要使用具備負載鎖定室的多室成膜裝置(濺射裝置)以使各膜不暴露於大氣中的方式連續地層疊。
可知：藉由採用圖15A和圖15B所示的結構，半導體膜108b成為井(well)，在使用上述疊層結構的電晶體中，通道區域形成在半導體膜108b中。
此外，藉由設置半導體膜108a和/或半導體膜108c，可以使半導體膜108b遠離可能會形成半導體膜108b中的陷阱能階。
有時與用作通道區域的半導體膜108b的導帶底能階(Ec)相比，陷阱能階離真空能階更遠，而在陷阱能階中容易積累電子。當電子積累在陷阱能階中時，成為負固定電荷，導致電晶體的臨界電壓向正方向漂移。因此，較佳為採用陷阱能階比半導體膜108b的導帶底能階(Ec) 更接近於真空能階的結構。藉由採用上述結構，電子不容易積累在陷阱能階，所以能夠增大電晶體的通態電流，並且還能夠提高場效移動率。
另外，半導體膜108a、108c與半導體膜108b相比導帶底的能階更接近於真空能階，典型的是，半導體膜108b的導帶底能階與半導體膜108a、108c的導帶底能階之差異為0.15eV以上或0.5eV以上，且為2eV以下或1eV以下。換言之，半導體膜108a、108c的電子親和力與半導體膜108b的電子親和力之差異為0.15eV以上或0.5eV以上，且為2eV以下或1eV以下。
藉由具有上述結構，半導體膜108b成為電流的主要路徑並被用作通道區域。由於半導體膜108a、108c包括形成有通道區域的半導體膜108b所包含的金屬元素中的一種以上，所以在半導體膜108a與半導體膜108b的介面處或在半導體膜108b與半導體膜108c的介面處不容易產生介面散射。由此，由於在該介面中載子的移動不被阻礙，因此電晶體的場效移動率得到提高。
注意，為了防止半導體膜108a、108c被用作通道區域的一部分，半導體膜108a、108c使用導電率夠低的材料。或者，半導體膜108a、108c使用其電子親和力(真空能階與導帶底能階之差異)低於半導體膜108b且其導帶底能階與半導體膜108b的導帶底能階有差異(能帶偏移)的材料。此外，為了抑制產生起因於汲極電壓值的臨界電壓之間的差異，半導體膜108a、108c較佳為使用 其導帶底能階比半導體膜108b的導帶底能階更接近於真空能階材料。例如，半導體膜108b的導帶底能階與半導體膜108a、108c的導帶底能階之差異較佳為0.2eV以上，更佳為0.5eV以上。
在半導體膜108a、108c中較佳為不包含尖晶石型結晶結構。在半導體膜108a、108c中包含尖晶石型結晶結構時，導電膜112a、112b的構成元素有時會在該尖晶石型結晶結構與其他區域的介面處擴散到半導體膜108b中。
半導體膜108a、108c的厚度大於或等於能夠抑制導電膜112a、112b的構成元素擴散到半導體膜108b的厚度且小於從絕緣膜114向半導體膜108b的氧的供應被抑制的厚度。例如，當半導體膜108a、108c的厚度為10nm以上時，能夠抑制導電膜112a、112b的構成元素擴散到半導體膜108b。另外，當半導體膜108a、108c的厚度為100nm以下時，能夠高效地從絕緣膜114向半導體膜108b供應氧。
當半導體膜108a、108c為In-M-Zn氧化物(M為Al、Ga、Y或Sn)時，藉由以高於In的原子個數比包含M，可以使半導體膜108a、108c的能隙變大並使其電子親和力變小。因此，有時可以根據元素M的比率控制半導體膜108a、108c與半導體膜108b的電子親和力之差異。此外，因為M是與氧的鍵合力強的金屬元素，所以藉由使這些元素的原子個數比高於In，不容易產生氧缺 陷。
另外，當半導體膜108a、108c為In-M-Zn氧化物時，除了Zn及O之外的In和M的原子百分比較佳為：In的原子百分比低於50atomic%，M的原子百分比高於50atomic%，更佳為：In的原子百分比低於25atomic%，M的原子百分比高於75atomic%。另外，作為半導體膜108a、108c，可以使用氧化鎵膜。
另外，當半導體膜108a、108b、108c為In-M-Zn氧化物時，半導體膜108a、108c所含的M的原子個數比大於半導體膜108b所含的M的原子個數比，典型為半導體膜108b所含的M的原子個數比的1.5倍以上，較佳為2倍以上，更佳為3倍以上。
另外，當半導體膜108a、108b、108c為In-M-Zn氧化物時，在半導體膜108b的原子個數比為In：M：Zn=x1：y1：z1，並且半導體膜108a、108c的原子個數比為In：M：Zn=x2：y2：z2的情況下，y2/x2大於y1/x1，y2/x2較佳為y1/x1的1.5倍以上。y2/x2更佳為y1/x1的2倍以上，y2/x2進一步較佳為y1/x1的3倍以上或4倍以上。此時，在半導體膜108b中，在y1為x1以上的情況下，使用半導體膜108b的電晶體具有穩定的電特性，因此是較佳的。但是，在y1為x1的3倍以上的情況下，使用半導體膜108b的電晶體的場效移動率會降低，因此，y1較佳為小於x1的3倍。
當半導體膜108b是In-M-Zn氧化物時，在用 於形成半導體膜108b的靶材的金屬元素的原子個數比為In：M：Zn=x1：y1：z1的情況下，x1/y1較佳為1/3以上且6以下，更佳為1以上且6以下，z1/y1較佳為1/3以上且6以下，更佳為1以上且6以下。
當半導體膜108a、108c是In-M-Zn氧化物時，在用於形成半導體膜108a、108c的靶材的金屬元素的原子個數比為In：M：Zn=x2：y2：z2的情況下，x2/y2<x1/y1，z2/y2較佳為1/3以上且6以下，更佳為1以上且6以下。另外，藉由提高相對於In的M的原子個數比，能夠擴大半導體膜108a、108c的能隙並減小其電子親和力，由此y2/x2較佳為3以上或4以上。作為靶材的金屬元素的原子個數比的典型例子，可以舉出In：M：Zn=1：3：2、In：M：Zn=1：3：4、In：M：Zn=1：3：5、In：M：Zn=1：3：6、In：M：Zn=1：4：2、In：M：Zn=1：4：4、In：M：Zn=1：4：5、In：M：Zn=1：5：5等。
在半導體膜108a、108c為In-M氧化物的情況下，藉由採用作為M不包含二價金屬原子(例如，鋅等)的結構，能夠形成不具有尖晶石型結晶結構的半導體膜108a、108c。此外，作為半導體膜108a、108c，例如可以使用In-Ga氧化物膜。例如，藉由濺射法並使用In-Ga金屬氧化物靶材(In：Ga=7：93)，可以形成該In-Ga氧化物膜。另外，為了藉由使用DC放電的濺射法形成半導體膜108a、108c，在In：M=x：y[原子個數比]時，較佳為將y/(x+y)設定為0.96以下，更佳為0.95以下，例如為 0.93。
另外，半導體膜108a、108b、108c的原子個數比作為誤差包括上述原子個數比的±40%的變動。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖16A至圖17B說明可用於本發明的一個實施方式的資料處理裝置的電晶體的結構。
圖16A至圖16C是說明本發明的一個實施方式的資料處理裝置的結構的圖。圖16A是本發明的一個實施方式的資料處理裝置的方塊圖。圖16B及圖16C是說明資料處理裝置200的外觀的一個例子的投影圖。
圖17A是說明顯示部230的結構的方塊圖。圖17B是說明顯示部230B的結構的方塊圖。
圖18A和圖18B是說明本發明的一個實施方式的程式的流程圖。圖18A是說明本發明的一個實施方式的程式的主處理的流程圖，圖18B是說明中斷處理的流程圖。
〈資料處理裝置的結構實例1〉
在本實施方式中說明的資料處理裝置包括輸入輸出裝置220及算術裝置210(參照圖16A)。例如，可以將實施方式1所示的輸入輸出裝置用作輸入輸出裝置220。
輸入輸出裝置220具有根據檢測信號供應位置資料P1的功能。
算術裝置210與輸入輸出裝置220電連接。
算術裝置210具有供應影像資料V1的功能。算術裝置210包括算術部211及記憶部212。記憶部212具有儲存由算術部211執行的程式的功能。
程式包括根據位置資料P1識別指定事件的步驟。此外，程式包括當被供應指定事件時改變模式的步驟。
算術裝置210具有根據模式生成影像資料V1的功能。此外，算術裝置210具有根據模式供應控制資料SS的功能。
輸入輸出裝置220包括驅動電路GD。
驅動電路GD具有被供應控制資料的功能。
驅動電路GD具有當根據第二模式被供應控制資料SS時以與根據第一模式被供應控制資料SS時相比更低的頻率供應選擇信號的功能。換言之，驅動電路GD具有在第二模式時以比第一模式時更低的頻率供應選擇信號的功能。
由此，可以根據由輸入輸出裝置供應的位置資料使算術裝置生成影像資料或控制資料。或者，藉由利用所生成的影像資料或控制資料，可以降低功耗。或者，可以進行可見度優異的顯示。其結果是，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的資料處理裝置。
〈結構〉
本發明的一個實施方式包括算術裝置210或輸入輸出裝置220。
《算術裝置210》
算術裝置210包括算術部211及記憶部212。另外，包括傳輸路徑214及輸入輸出介面215(參照圖16A)。
《算術部211》
算術部211例如具有執行程式的功能。例如，可以使用實施方式6所說明的CPU。由此，可以充分地降低功耗。
《記憶部212》
記憶部212具有儲存例如算術部211所執行的程式、初期資料、設定資料或影像等的功能。
明確而言，記憶部212可以使用硬碟、快閃記憶體或包括包含氧化物半導體的電晶體的記憶體等。
《輸入輸出介面215、傳輸路徑214》
輸入輸出介面215包括端子或佈線，具有供應且被供應資料的功能。例如，可以與傳輸路徑214電連接。另外，可以與輸入輸出裝置220電連接。
傳輸路徑214包括佈線，具有供應且被供應資料的功能。例如，可以與輸入輸出介面215電連接。另外，可以與算術部211、記憶部212或輸入輸出介面215電連接。
《輸入輸出裝置220》
輸入輸出裝置220包括顯示部230、輸入部240、檢測部250、通訊部290。例如，可以使用實施方式1所說明的輸入輸出裝置。由此，可以降低功耗。
《顯示部230》
顯示部230包括顯示區域231、驅動電路GD以及驅動電路SD(參照圖17A)。顯示部包括佈線G(1)至佈線G(m)以及佈線S(1)至佈線S(n)。例如，佈線G(i)包括掃描線G1(i)，佈線S(i)包括掃描線S1(j)。
顯示區域231包括一個像素群702(i,1)至702(i,n)、另一個像素群702(1,j)至702(m,j)以及掃描線G1(i)(參照圖17A)。i是1以上且m以下的整數，j是1以上且n以下的整數，並且m及n是1以上的整數。
一個像素群702(i,1)至702(i,n)包括像素702(i,j)。一個像素群702(i,1)至702(i,n)配置在行方向(圖式中的以箭頭R1表示的方向)上。
另一個像素群702(1,j)至702(m,j)包括像素702(i,j)。另一個像素群702(1,j)至702(m,j)配置在與行方 向交叉的列方向(圖式中的以箭頭C1表示的方向)上。
掃描線G1(i)與配置在行方向上的一個像素群702(i,1)至702(i,n)電連接。
配置在列方向上的另一個像素群702(1,j)至702(m,j)與信號線S1(j)電連接。
另外，顯示部230可以包括多個驅動電路。例如，顯示部230B可以包括驅動電路GDA及驅動電路GDB(參照圖17B)。
《驅動電路GD》
驅動電路GD具有根據控制資料供應選擇信號的功能。
例如，驅動電路GD具有根據控制資料以30Hz以上、較佳為60Hz以上的頻率對一掃描線供應選擇信號的功能。由此，可以流暢地顯示動態影像。
例如，驅動電路GD具有根據控制資料以低於30Hz、較佳為低於1Hz、更佳為低於1次/分的頻率對一掃描線供應選擇信號的功能。由此，可以在閃爍被抑制的狀態下顯示靜態影像。
另外，例如，當包括多個驅動電路時，可以使驅動電路GDA供應選擇信號的頻率與驅動電路GDB供應選擇信號的頻率不同。明確而言，可以在流暢地顯示動態影像的區域中以比在閃爍被抑制的狀態下顯示靜態影像的區域更高的頻率供應選擇信號。
《驅動電路SD》
驅動電路SD具有根據影像資料V1供應影像信號的功能。
《像素702(i,j)》
像素702(i,j)包括第一顯示元件750(i,j)或第二顯示元件550(i,j)。另外，像素702(i,j)包括驅動第一顯示元件750(i,j)、第二顯示元件550(i,j)的像素電路。例如，可以將能夠用於實施方式1所說明的顯示面板的像素結構用於像素702(i,j)。
《第一顯示元件750(i,j)》
例如，可以將具有控制反射光或透光的功能的顯示元件用作第一顯示元件750(i,j)。例如，可以使用組合有液晶元件與偏光板的結構或快門方式的MEMS顯示元件等。藉由使用反射型顯示元件，可以抑制顯示面板的功耗。明確而言，可以將反射型液晶顯示元件用作第一顯示元件750(i,j)。
《第二顯示元件550(i,j)》
例如，可以將具有發射光的功能的顯示元件用於第二顯示元件550(i,j)。明確而言，可以使用有機EL元件。
《像素電路》
可以將具有驅動第一顯示元件750(i,j)、第二顯示元件550(i,j)的功能的電路用於像素電路。
可以將開關、電晶體、二極體、電阻器、電感器或電容器等用於像素電路。
例如，可以將一個或多個電晶體用作開關。或者，可以將並聯連接的多個電晶體、串聯連接的多個電晶體、組合串聯與並聯連接的多個電晶體用作一開關。
《電晶體》
例如，可以將能夠在同一製程中形成的半導體膜用於驅動電路及像素電路的電晶體。
例如，可以使用底閘極型電晶體或頂閘極型電晶體等。
例如，可以容易地將作為半導體包含非晶矽的底閘極型電晶體的生產線改造成作為半導體包含氧化物半導體的底閘極型電晶體的生產線。另外，例如，可以容易地將作為半導體包含多晶矽的頂閘極型電晶體的生產線改造成作為半導體包含氧化物半導體的頂閘極型電晶體的生產線。
例如，可以利用使用包含第14族元素的半導體的電晶體。明確而言，可以將包含矽的半導體用於半導體膜。例如，可以使用將單晶矽、多晶矽、微晶矽或非晶矽等用於半導體膜的電晶體。
將多晶矽用於半導體的電晶體的製造所需的溫度低於將單晶矽用於半導體的電晶體的製造所需的溫度。
另外，將多晶矽用於半導體的電晶體的場效移動率高於將非晶矽用於半導體的電晶體的場效移動率。由此，可以提高像素的開口率。另外，可以將以極高的密度設置的像素與閘極驅動電路及源極驅動電路形成在同一基板上。其結果是，可以減少構成電子裝置的構件數。
另外，將多晶矽用於半導體的電晶體的可靠性比將非晶矽用於半導體的電晶體高。
例如，可以利用使用氧化物半導體的電晶體。明確而言，可以將包含銦的氧化物半導體或包含銦、鎵及鋅的氧化物半導體用於半導體膜。
例如，可以使用關閉狀態時的洩漏電流比將非晶矽用於半導體膜的電晶體小的電晶體。明確而言，可以使用將氧化物半導體用於半導體膜的電晶體。
由此，可以使像素電路能夠保持影像信號的時間比使用將非晶矽用於半導體膜的電晶體的像素電路能夠保持的時間長。明確而言，可以抑制閃爍的發生，並以低於30Hz、較佳為低於1Hz、更佳為低於1次/分的頻率供應選擇信號。其結果是，可以降低資料處理裝置的使用者的眼疲勞。另外，可以降低伴隨驅動的功耗。
另外，例如，可以利用使用化合物半導體的電晶體。明確而言，可以將包含砷化鎵的半導體用於半導 體膜。
例如，可以利用使用有機半導體的電晶體。明確而言，可以將包含聚並苯類或石墨烯的有機半導體用於半導體膜。
《輸入部240》
可以將各種人機介面等用於輸入部240(參照圖16A)。
例如，可以將鍵盤、滑鼠、觸控感測器、麥克風或照相機等用於輸入部240。另外，可以使用具有重疊於顯示部230的區域的觸控感測器。可以將包括顯示部230及具有重疊於顯示部230的區域的觸控感測器的輸入輸出裝置稱為觸控面板。
例如，使用者可以將接觸到觸控面板的手指用作指示器來作各種手勢(點按、拖拉、滑動或捏合等)。
例如，算術裝置210分析接觸觸控面板的手指的位置或軌跡等資料，當分析結果滿足預定的條件時，可以說其被供應了指定的手勢。由此，使用者可以使用該手勢供應預先設定成與預定的手勢相關聯的指定的操作指令。
例如，使用者可以利用順著觸控面板移動接觸觸控面板的手指的手勢提供改變影像資料的顯示位置的“捲動指令”。
《檢測部250》
檢測部250具有檢測周圍的狀態而供應檢測資料P2的功能。明確而言，可以供應壓力資料等。
例如，可以將照相機、加速度感測器、方位感測器、壓力感測器、溫度感測器、濕度感測器、照度感測器或GPS(Global positioning System：全球定位系統)信號接收電路等用於檢測部250。
例如，當算術裝置210判斷檢測部250的照度感測器所檢測的周圍的亮度與預定的照度相比充分亮時，使用第一顯示元件750(i,j)顯示影像資料。當算術裝置210判斷為微暗時，使用第一顯示元件750(i,j)及第五顯示元件550(i,j)W顯示影像資料。另外，當算術裝置210判斷為昏暗時，使用第五顯示元件550(i,j)W顯示影像資料。
明確而言，使用反射型液晶元件或/及有機EL元件，根據周圍的亮度顯示影像。
由此，例如，可以在外光較強的環境下使用反射型顯示元件，在微暗環境下使用自發光型顯示元件顯示影像資料。其結果，可以提供一種功耗得到降低且方便性或可靠性優異的新穎的資料處理裝置。
例如，可以將具有檢測環境光的色度的功能的感測器用於檢測部250。明確而言，可以使用CCD照相機等。由此，例如，可以根據檢測部250所檢測出的環境光的色度調整白平衡。
明確而言，在第一步驟中，檢測環境光的白平衡的偏差。
在第二步驟中，預測使用第一顯示元件750(i,j)反射環境光而顯示的影像所缺的顏色的光的強度。
在第三步驟中，使用第一顯示元件750(i,j)反射環境光而顯示影像，並使用第二顯示元件550(i,j)R、第三顯示元件550(i,j)G、第四顯示元件550(i,j)B及第五顯示元件550(i,j)W發射彌補所缺的顏色的光，由此顯示影像。
由此，藉由使用第二顯示元件550(i,j)R、第三顯示元件550(i,j)G、第四顯示元件550(i,j)B及第五顯示元件550(i,j)W所發射的光，可以對第一顯示元件750(i,j)所反射的光的白平衡的偏差進行校正。其結果，可以顯示白平衡得到調整的影像。例如，可以呈現紙的白色。另外，可以降低功耗。另外，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的資料處理裝置。
另外，當第一顯示元件750(i,j)所顯示的顏色具有偏差時，藉由使用第二顯示元件550(i,j)R、第三顯示元件550(i,j)G、第四顯示元件550(i,j)B及第五顯示元件550(i,j)W，可以進行白平衡得到校正的顯示。
例如，當第一顯示元件750(i,j)進行帶黃色的顯示時，使用第四顯示元件550(i,j)B追加藍色的顯示，以進行校正。
例如，當第一顯示元件750(i,j)進行帶藍色的顯示時，使用第二顯示元件550(i,j)R及第三顯示元件550(i,j)G追加黃色的顯示，以進行校正。
其結果，可以顯示白平衡得到調整的影像。例如，可以呈現紙的白色。另外，可以降低功耗。另外，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的資料處理裝置。
《通訊部290》
通訊部290具有對網路供應資料且從網路獲取資料的功能。
〈程式〉
本發明的一個實施方式的程式包括如下的步驟(參照圖18A)。
《第一步驟》
在第一步驟中，使設定初始化(參照圖18A(S1))。
例如，從記憶部212取得啟動時顯示的預定的影像資料及指定顯示該影像資料的方法的資料。明確而言，可以將靜態影像用於預定的影像資料。此外，可以將以與使用動態影像的情況相比更低的亮度使影像資料更新的方法用於顯示影像資料的方法。
《第二步驟》
在第二步驟中，允許中斷處理(參照圖18A(S2))。中斷處理被允許的算術裝置可以在進行主處理的同時進行中斷處理。從中斷處理恢復到主處理的算術裝置可以將藉由中斷處理獲得的結果反映到主處理。
當計數器為初始值時，使算術裝置進行中斷處理，在從中斷處理恢復時，也可以將計數器設定為初始值以外的值。由此，在啟動程式之後隨時可以執行中斷處理。
《第三步驟》
在第三步驟中，以第一步驟或中斷處理所選擇的預定的模式顯示影像資料(參照圖18A(S3))。例如，使顯示影像資料V1的兩種不同方法與第一模式及第二模式相關聯。由此，可以根據模式選擇顯示方式。
《第一模式》
明確而言，可以使以30Hz以上、較佳為60Hz以上的頻率對一掃描線供應選擇信號並根據選擇信號進行顯示的方法與第一模式相關聯。
藉由以30Hz以上、較佳為60Hz以上的頻率供應選擇信號，可以流暢地顯示動態影像。
例如，藉由以30Hz以上、較佳為60Hz以上的頻率使影像更新，可以將隨著使用者的操作流暢地變化 的影像顯示在使用者操作中的資料處理裝置200上。
《第二模式》
明確而言，可以使以低於30Hz，較佳為低於1Hz，更佳為低於1次/分的頻率對一掃描線供應選擇信號並根據選擇信號進行顯示的方法與第二模式相關聯。
藉由以低於30Hz，較佳為低於1Hz，更佳為低於1次/分的頻率供應選擇信號，可以進行閃爍得到抑制的顯示。此外，可以降低功耗。
另外，例如當使用發光元件作為第二顯示元件時，可以以脈衝狀使發光元件發射光來顯示影像資料。明確而言，可以以脈衝狀使有機EL元件發射光並利用其餘輝進行顯示。由於有機EL元件具有優異的頻率特性，所以有時可以縮短發光元件的驅動時間而降低功耗。或者，由於發光元件的發熱得到抑制，所以有時可以減輕發光元件的劣化。
例如，在將資料處理裝置200用於鐘錶時，可以以1次/秒的頻率或1次/分的頻率等使顯示更新。
《第四步驟》
在第四步驟中，當被供應結束指令時進入第五步驟，而當沒有被供應結束指令時進入第三步驟(參照圖18A(S4))。
例如，可以使用在中斷處理中被供應的結束 指令。
《第五步驟》
在第五步驟中，結束程式(參照圖18A(S5))。
《中斷處理》
中斷處理包括如下第六步驟至第八步驟(參照圖18B)。
《第六步驟》
在第六步驟中，當被供應預定事件時，進入第七步驟，而當沒有被供應預定事件時，進入第八步驟(參照圖18B(S6))。例如，可以將在預定的期間是否被供應預定事件用作條件。明確而言，預定的期間可以是比0秒長且為5秒以下、1秒以下或0.5秒以下、較佳為0.1秒以下的期間。
《第七步驟》
在第七步驟中，改變模式(參照圖18B(S7))。明確而言，當之前選擇第一模式時，選擇第二模式，當之前選擇第二模式時，選擇第一模式。
《第八步驟》
在第八步驟中，結束中斷處理(參照圖18B(S8))。另 外，也可以在進行主處理的期間中反復進行中斷處理。
《指定事件》
例如，可以使用利用滑鼠等指向裝置提供的“點選”或“拖拉”等的事件、將手指等用於指示器對觸控面板提供的“點按”、“拖拉”或“滑動”等事件。
例如，可以利用指示器所指示的滑動條的位置、滑動速度、拖拉速度等供應與預定事件相關聯的指令的參數。
例如，可以對被設定的臨界值與輸入部240所檢測出的位置資料進行比較，並將比較結果用於事件。或者，也可以對被設定的臨界值與檢測部250所檢測出的資料進行比較，並將比較結果用於事件。
明確而言，可以將以能夠在外殼中按入的方式設置的錶冠或與錶冠等接觸的壓敏檢測器等用於檢測部250(參照圖16B)。
明確而言，可以將設置在外殼中的光電轉換元件等用於檢測部250(參照圖16C)。
《與預定事件相關聯的指令》
例如，可以使結束指令與指定的事件相關聯。
例如，可以使將所顯示的一個影像資料切換為其他影像資料的“翻頁指令”與預定事件相關聯。此外，可以使用預定事件供應執行“翻頁指令”時使用的決定翻頁 速度等的參數。
例如，可以使移動影像資料的一部分的顯示位置且顯示與該一部分連續的其他部分的“捲動指令”等與預定事件相關聯。此外，可以使用預定事件供應執行“捲動指令”時使用的決定移動顯示的速度等的參數。
例如，可以使生成影像資料的指令等與預定事件相關聯。此外，可以使用輸入部240或檢測部250獲得決定所生成的影像的亮度的參數。明確而言，可以檢測環境亮度並將其用於參數。
例如，可以使利用通訊部290取得使用推送服務傳送的資料的指令等與預定事件相關聯。
此外，也可以使用檢測部250所檢測的位置資料判斷有無資格取得資料。明確而言，當使用者在指定的教室、學校、會議室、企業、房屋等裡時，也可以判斷有資格取得資料。例如，可以接收並顯示在學校或大學等的教室中被傳送的教材，以將資料處理裝置200用作教科書等(參照圖16C)。或者，可以接收並顯示在企業等的會議室中被傳送的資料。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式6
在本實施方式中，對半導體裝置(記憶體裝置)及包括該半導體裝置(記憶體裝置)的CPU進行說明，該半導體裝 置(記憶體裝置)即使在沒有電力供應的情況下也能夠保持存儲內容，並且對寫入次數也沒有限制。本實施方式所說明的CPU例如可以被用於實施方式1所說明的資料處理裝置。
〈記憶體裝置〉
圖19A至圖19C示出半導體裝置(記憶體裝置)的一個例子，該半導體裝置(記憶體裝置)即使在沒有電力供應的情況下也能夠保持存儲內容，並且，對寫入次數也沒有限制。另外，圖19B是由電路圖表示圖19A的圖。
在圖19A及圖19B所示的半導體裝置包括：使用第一半導體材料的電晶體3200；使用第二半導體材料的電晶體3300；以及電容器3400。
第一半導體材料及第二半導體材料較佳為具有不同的能隙的材料。例如，第一半導體材料可以是氧化物半導體以外的半導體材料(矽(包括應變矽)、鍺、矽鍺、碳化矽、砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦、氮化鎵、有機半導體等)，第二半導體材料可以是氧化物半導體。使用用作氧化物半導體以外的材料的單晶矽等的電晶體易於進行高速工作。另一方面，使用氧化物半導體的電晶體的關態電流低。
電晶體3300是其通道形成在包括氧化物半導體的半導體層中的電晶體。因為電晶體3300的關態電流小，所以藉由使用該電晶體，可以長期保持存儲內容。換 言之，因為可以形成不需要更新工作或更新工作的頻率極低的半導體記憶體裝置，所以可以充分降低功耗。
在圖19B中，第一佈線3001與電晶體3200的源極電極電連接，第二佈線3002與電晶體3200的汲極電極電連接。此外，第三佈線3003與電晶體3300的源極電極和汲極電極中的一個電連接，第四佈線3004與電晶體3300的閘極電極電連接。再者，電晶體3200的閘極電極及電晶體3300的源極電極和汲極電極中的另一個與電容器3400的電極的一個電連接，第五佈線3005與電容器3400的電極的另一個電連接。
在圖19A所示的半導體裝置中，藉由有效地利用能夠保持電晶體3200的閘極電極的電位的特徵，可以如下所示那樣進行資料的寫入、保持以及讀出。
對資料的寫入及保持進行說明。首先，將第四佈線3004的電位設定為使電晶體3300成為導通狀態的電位，使電晶體3300成為導通狀態。由此，第三佈線3003的電位施加到電晶體3200的閘極電極及電容器3400。換言之，對電晶體3200的閘極電極施加規定的電荷(寫入)。這裡，施加賦予兩種不同電位位準的電荷(以下，稱為低位準電荷、高位準電荷)中的任一種。然後，藉由將第四佈線3004的電位設定為使電晶體3300成為關閉狀態(off-state)的電位，來使電晶體3300成為關閉狀態，而保持施加到電晶體3200的閘極電極的電荷(保持)。
因為電晶體3300的關態電流極小，所以電晶體3200的閘極電極的電荷被長時間地保持。
接著，對資料的讀出進行說明。當在對第一佈線3001施加規定的電位(恆電位)的狀態下對第五佈線3005施加適當的電位(讀出電位)時，根據保持在電晶體3200的閘極電極中的電荷量，第二佈線3002具有不同的電位。這是因為如下緣故：一般而言，在電晶體3200為n通道電晶體的情況下，對電晶體3200的閘極電極施加高位準電荷時的外觀上的臨界電壓Vth_H低於對電晶體3200的閘極電極施加低位準電荷時的外觀上的臨界電壓Vth_L。在此，外觀上的臨界電壓是指為了使電晶體3200成為“導通狀態”所需要的第五佈線3005的電位。因此，藉由將第五佈線3005的電位設定為Vth_L與Vth_H之間的電位V0，可以辨別施加到電晶體3200的閘極電極的電荷。例如，在寫入時被供應高位準電荷的情況下，如果第五佈線3005的電位為V0(>Vth_H)，電晶體3200則成為“導通狀態”。當被供應低位準電荷時，即使第五佈線3005的電位為V0(<Vth_L)，電晶體3200還保持“關閉狀態”。因此，藉由辨別第二佈線3002的電位，可以讀出所保持的資料。
注意，當將記憶單元配置為陣列狀時，需要僅讀出所希望的記憶單元的資料。例如，不讀出資料的記憶單元可以採用如下結構：對第五佈線3005施加不管供應到閘極電極的電位如何都使電晶體3200成為“關閉狀 態”的電位，亦即小於Vth_H的電位，可以僅讀出所希望的記憶單元的資料的結構。或者，不讀出資料的記憶單元可以採用如下結構：對第五佈線3005施加不管供應到閘極電極的電位的狀態如何都使電晶體3200成為“導通狀態”的電位，亦即大於Vth_L的電位，可以僅讀出所希望的記憶單元的資料的結構。
圖19C所示的半導體裝置與圖19A之間的不同之處在於沒有設置電晶體3200。在此情況下也可以藉由與上述相同的工作進行資料的寫入及保持工作。
接著，對圖19C所示的半導體裝置的資料的讀出進行說明。在電晶體3300成為導通狀態時，處於浮動狀態的第三佈線3003和電容器3400導通，且在第三佈線3003和電容器3400之間再次分配電荷。其結果是，第三佈線3003的電位產生變化。第三佈線3003的電位的變化量根據電容器3400的電極中的一個的電位(或積累在電容器3400中的電荷)而具有不同的值。
例如，在電容器3400的電極中的一個的電位為V，電容器3400的電容為C，第三佈線3003所具有的電容成分為CB，再次分配電荷之前的第三佈線3003的電位為VB0時，再次分配電荷之後的第三佈線3003的電位為(CB×VB0+C×V)/(CB+C)。因此，在假定作為記憶單元的狀態，電容器3400的電極中的一個的電位成為兩種狀態，亦即V1和V0(V1>V0)時，可以知道保持電位V1時的位元線BL的電位(=(CB×VB0+C×V1)/(CB+C))高於保持電位 V0時的位元線BL的電位(=(CB×VB0+C×V0)/(CB+C))。
藉由對第三佈線3003的電位和規定的電位進行比較，可以讀出資料。
在此情況下，可以將使用上述第一半導體材料的電晶體用於用來驅動記憶單元的驅動電路，並在該驅動電路上作為電晶體3300層疊使用第二半導體材料的電晶體。
在本實施方式所示的半導體裝置中，藉由使用其通道形成區域包括氧化物半導體的關態電流極小的電晶體，可以極長期地保持存儲內容。換言之，因為不需要進行更新工作，或者，可以使更新工作的頻率變得極低，所以可以充分降低功耗。另外，即使在沒有電力供給的情況下(注意，較佳為固定電位)，也可以長期保持存儲內容。
另外，在本實施方式所示的半導體裝置中，資料的寫入不需要高電壓，而且也沒有元件劣化的問題。由於例如不需要如習知的非揮發性記憶體那樣地對浮動閘極注入電子或從浮動閘極抽出電子，因此不會發生如閘極絕緣膜的劣化等的問題。換言之，在根據本實施方式所示的半導體裝置中，對重寫的次數沒有限制，這限制是習知的非揮發性記憶體所具有的問題，所以可靠性得到極大提高。再者，根據電晶體的導通狀態或關閉狀態而進行資料寫入，而可以容易實現高速工作。
可以將上述記憶體裝置應用於例如 CPU(Central Processing Unit：中央處理器)、LSI諸如DSP(Digital Signal Processor：數位信號處理器)、定製LSI、PLD(Programmable Logic Device：可程式邏輯裝置)等、RF-ID(Radio Frequency Identification：射頻識別)。
〈CPU〉
圖20所示的半導體裝置1400包括CPU核1401、電源管理單元1421及週邊電路1422。電源管理單元1421包括功率控制器1402及電源開關1403。週邊電路1422包括具有快取記憶體的快取記憶體1404、匯流排介面(BUS I/F)1405及除錯介面(Debug I/F)1406。CPU核1401包括資料匯流排1423、控制裝置1407、PC(程式計數器)1408、管線暫存器1409、管線暫存器1410、ALU(Arithmetic logic unit：算術邏輯單元)1411及暫存器檔案1412。經過資料匯流排1423進行CPU核1401與快取記憶體1404等週邊電路1422之間的資料的發送和接收。
半導體裝置(單元)可以被用於功率控制器1402、控制裝置1407等的很多邏輯電路。尤其是，該半導體裝置(單元)可以被用於能夠使用標準單元構成的所有邏輯電路。其結果，可以提供一種小型半導體裝置1400。另外，可以提供一種能夠減少功耗的半導體裝置1400。此外，可以提供一種能夠提高工作速度的半導體裝置1400。另外，可以提供一種能夠減少電源電壓的變動 的半導體裝置1400。
藉由作為半導體裝置(單元)使用p通道型Si電晶體、上述實施方式所記載的在通道形成區域中包含氧化物半導體(較佳為包含In、Ga及Zn的氧化物)的電晶體，並且將該半導體裝置(單元)用作半導體裝置1400，可以提供一種小型的半導體裝置1400。另外，可以提供一種能夠減少功耗的半導體裝置1400。此外，可以提供一種能夠提高工作速度的半導體裝置1400。尤其是，藉由作為Si電晶體只採用p通道型電晶體，可以降低製造成本。
控制裝置1407藉由對PC1408、管線暫存器1409、管線暫存器1410、ALU1411、暫存器檔案1412、快取記憶體1404、匯流排介面1405、除錯介面1406及功率控制器1402的工作進行整體控制，能夠將被輸入的應用軟體等程式所包含的指令解碼並執行。
ALU1411能夠進行四則運算及邏輯運算等各種運算處理。
快取記憶體1404能夠暫時儲存使用次數多的資料。PC1408是能夠儲存接下來執行的指令的位址的暫存器。另外，雖然在圖20中沒有進行圖示，但是快取記憶體1404還設置有控制快取記憶體的工作的快取記憶體控制器。
管線暫存器1409是能夠暫時儲存指令的暫存器。
暫存器檔案1412具有包括常用暫存器的多個暫存器，而可以儲存從主記憶體讀出的資料或者由ALU1411的運算處理的結果得出的資料等。
管線暫存器1410是能夠暫時儲存用於ALU1411的運算處理的資料或者由ALU1411的運算處理結果得出的資料等的暫存器。
匯流排介面1405被用作半導體裝置1400與位於半導體裝置1400外部的各種裝置之間的資料的路徑。除錯介面1406被用作用來將控制除錯的指令輸入到半導體裝置1400的信號的路徑。
電源開關1403能夠控制對半導體裝置1400所包括的功率控制器1402以外的各種電路供應電源電壓。上述各種電路分別屬於幾個電源定域，屬於同一電源定域的各種電路被電源開關1403控制是否供應電源電壓。另外，功率控制器1402能夠控制電源開關1403的工作。
藉由具有上述結構，半導體裝置1400能夠進行電源閘控。對電源閘控的工作流程的一個例子進行說明。
首先，CPU核1401將停止供應電源電壓的時機設定在功率控制器1402的暫存器中。接著，從CPU核1401對功率控制器1402發送開始進行電源閘控的指令。接著，半導體裝置1400內的各種暫存器及快取記憶體1404開始進行資料的備份。接著，利用電源開關1403停 止對半導體裝置1400所包括的功率控制器1402以外的各種電路的電源電壓供應。接著，藉由對功率控制器1402輸入中斷信號，開始對半導體裝置1400所包括的各種電路的電源電壓供應。此外，也可以對功率控制器1402設置計數器，不依靠輸入中斷信號而利用該計數器來決定開始供應電源電壓的時機。接著，各種暫存器及快取記憶體1404開始進行資料的恢復。接著，再次開始執行控制裝置1407中的指令。
在處理器整體或者構成處理器的一個或多個邏輯電路中能夠進行這種電源閘控。另外，即使在較短的時間內也可以停止供應電力。因此，可以以空間上或時間上微細的細微性減少功耗。
在進行電源閘控時，較佳為在較短的期間中將CPU核1401或週邊電路1422所保持的資料備份。由此，可以在較短的期間中進行電源的開啟或關閉，從而可以實現低功耗化。
為了在較短的期間中將CPU核1401或週邊電路1422所保持的資料備份，正反器電路較佳為在其電路內進行資料備份(將其稱為能夠備份的正反器電路)。另外，SRAM單元較佳為在單元內進行資料備份(將其稱為能夠備份的SRAM單元)。能夠備份的正反器電路和SRAM單元較佳為包括在通道形成區域中包含氧化物半導體(較佳為包含In、Ga及Zn的氧化物)的電晶體。其結果，電晶體具有小關態電流，由此能夠備份的正反器電路 或SRAM單元可以長期間保持資料而不需要電力供應。另外，當電晶體的切換速度快時，能夠備份的正反器電路和SRAM單元有時可以在較短的期間中進行資料備份及恢復。
參照圖21對能夠備份的正反器電路的例子進行說明。
圖21所示的半導體裝置1500是能夠備份的正反器電路的一個例子。半導體裝置1500包括第一記憶體電路1501、第二記憶體電路1502、第三記憶體電路1503以及讀出電路1504。電位V1與電位V2的電位差作為電源電壓被供應到半導體裝置1500。電位V1和電位V2中的一個為高位準，另一個為低位準。下面，以電位V1為低位準而電位V2為高位準的情況為例，對半導體裝置1500的結構實例進行說明。
第一記憶體電路1501具有在半導體裝置1500被供應電源電壓的期間中被輸入包括資料的信號D時保持該資料的功能。而且，在半導體裝置1500被供應電源電壓的期間，從第一記憶體電路1501輸出包括所保持的資料的信號Q。另一方面，在半導體裝置1500沒有被供應電源電壓的期間中，第一記憶體電路1501不能保持資料。就是說，可以將第一記憶體電路1501稱為揮發性記憶體電路。
第二記憶體電路1502具有讀取並儲存(或備份)保持在第一記憶體電路1501中的資料的功能。第三記 憶體電路1503具有讀取並儲存(或備份)保持在第二記憶體電路1502中的資料的功能。讀出電路1504具有讀取保持在第二記憶體電路1502或第三記憶體電路1503中的資料並將其儲存(或恢復)在第一記憶體電路1501中的功能。
尤其是，第三記憶體電路1503具有即使在半導體裝置1500沒有被供應電源電壓的期間中也讀取並儲存(或備份)保持在第二記憶體電路1502中的資料的功能。
如圖21所示，第二記憶體電路1502包括電晶體1512及電容器1519。第三記憶體電路1503包括電晶體1513、電晶體1515以及電容器1520。讀出電路1504包括電晶體1510、電晶體1518、電晶體1509以及電晶體1517。
電晶體1512具有將根據保持在第一記憶體電路1501中的資料的電荷充電到電容器1519並將該電荷從電容器1519放電的功能。電晶體1512較佳為將根據保持在第一記憶體電路1501中的資料的電荷高速地充電到電容器1519並將該電荷從電容器1519高速地放電。明確而言，電晶體1512較佳為在通道形成區域中包含具有結晶性的矽(較佳為多晶矽，更佳為單晶矽)。
電晶體1513的導通狀態或非導通狀態根據保持在電容器1519中的電荷被選擇。電晶體1515具有在電晶體1513處於導通狀態時將根據佈線1544的電位的電荷 充電到電容器1520並將該電荷從電容器1520放電的功能。較佳為電晶體1515的關態電流極小。明確而言，電晶體1515在通道形成區域中包含氧化物半導體(較佳為包含In、Ga及Zn的氧化物)。
以下，明確地說明各元件之間的連接關係。電晶體1512的源極和汲極中的一個與第一記憶體電路1501連接。電晶體1512的源極和汲極中的另一個與電容器1519的一個電極、電晶體1513的閘極及電晶體1518的閘極連接。電容器1519的另一個電極與佈線1542連接。電晶體1513的源極和汲極中的一個與佈線1544連接。電晶體1513的源極和汲極中的另一個與電晶體1515的源極和汲極中的一個連接。電晶體1515的源極和汲極中的另一個與電容器1520的一個電極及電晶體1510的閘極連接。電容器1520的另一個電極與佈線1543連接。電晶體1510的源極和汲極中的一個與佈線1541連接。電晶體1510的源極和汲極中的另一個與電晶體1518的源極和汲極中的一個連接。電晶體1518的源極和汲極中的另一個與電晶體1509的源極和汲極中的一個連接。電晶體1509的源極和汲極中的另一個與電晶體1517的源極和汲極中的一個及第一記憶體電路1501連接。電晶體1517的源極和汲極中的另一個與佈線1540連接。在圖21中，電晶體1509的閘極與電晶體1517的閘極連接，但是電晶體1509的閘極不一定必須與電晶體1517的閘極連接。
作為電晶體1515，可以使用上述實施方式所 例示的電晶體。因為電晶體1515的關態電流小，所以半導體裝置1500可以長期間保持資料而不需要電力供應。因為電晶體1515的開關特性良好，所以半導體裝置1500可以高速地進行備份和恢復。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式7
在本實施方式中，參照圖22A至圖22H對包括本發明的一個實施方式的資料處理裝置的電子裝置進行說明。
圖22A至圖22G是示出電子裝置的圖。這些電子裝置可以包括外殼5000、顯示部5001、揚聲器5003、LED燈5004、操作鍵5005(包括電源開關或操作開關)、連接端子5006、感測器5007(具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風5008等。
圖22A示出移動電腦，該移動電腦除了上述以外還可以包括開關5009、紅外線埠5010等。圖22B示出具備記錄介質的可攜式影像再現裝置(例如DVD再現裝置)，該可攜式影像再現裝置除了上述以外還可以包括第二顯示部5002、記錄介質讀取部5011等。圖22C示出護目鏡型顯示器，該護目鏡型顯示器除了上述以外還可以包 括第二顯示部5002、支撐部5012、耳機5013等。圖22D示出可攜式遊戲機，該可攜式遊戲機除了上述以外還可以包括記錄介質讀取部5011等。圖22E示出具有電視接收功能的數位相機，該數位相機除了上述以外還可以包括天線5014、快門按鈕5015、影像接收部5016等。圖22F示出可攜式遊戲機，該可攜式遊戲機除了上述以外還可以包括第二顯示部5002、記錄介質讀取部5011等。圖22G示出可攜式電視接收機，該可攜式電視接收機除了上述以外還可以包括能夠收發信號的充電器5017等。
圖22A至圖22G所示的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上；觸控面板；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體(程式)控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收；讀出儲存在記錄介質中的程式或資料來將其顯示在顯示部上等。再者，在具有多個顯示部的電子裝置中，可以具有如下功能：一個顯示部主要顯示影像資料，而另一個顯示部主要顯示文字資訊；或者，在多個顯示部上顯示考慮到視差的影像來顯示立體影像等。再者，在具有影像接收部的電子裝置中，可以具有如下功能：拍攝靜態影像；拍攝動態影像；對所拍攝的影像進行自動或手動校正；將所拍攝的影像儲存在記錄介質(外部或內置於相機)中；將所拍攝的影像顯示在顯示部等。注意，圖 22A至圖22G所示的電子裝置可具有的功能不侷限於上述功能，而可以具有各種功能。
圖22H示出一種智慧手錶，包括外殼7302、顯示面板7304、操作按鈕7311、7312、連接端子7313、錶帶7321、錶帶扣7322等。
安裝在兼作框架(bezel)部分的外殼7302中的顯示面板7304具有非矩形狀的顯示區域。另外，顯示面板7304也可以具有矩形狀的顯示區域。顯示面板7304可以顯示表示時間的圖示7305以及其他圖示7306等。
圖22H所示的智慧手錶可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上；觸控面板；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體(程式)控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收；讀出儲存在記錄介質中的程式或資料來將其顯示在顯示部上等。
外殼7302的內部可具有揚聲器、感測器(具有測定如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風等。另外，智慧手錶可以藉由將發光元件用於其顯示面板7304來製造。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
例如，在本說明書等中，當明確地記載為“X與Y連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：X與Y電連接的情況；X與Y在功能上連接的情況；以及X與Y直接連接的情況。因此，不侷限於圖式或文中所示的連接關係等規定的連接關係，圖式或文中所示的連接關係以外的連接關係也包括在圖式或文中的記載範圍中。
在此，X和Y為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。
作為X與Y直接連接的情況的一個例子，可以舉出在X與Y之間沒有連接能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)，並且X與Y沒有藉由能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)連接的情況。
作為X和Y電連接的情況的一個例子，可以在X和Y之間連接一個以上的能夠電連接X和Y的元件(例如開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器、二極體、顯示元件、發光元件、負載等)。此外，開關具有控制導通或關閉的功能。換言之，開關具有其成為導通狀態(開啟狀態)或非導通狀態(關閉狀態)而控制是否使電流流過的功能。或者，開關具有選擇並切換電流路徑的功能。 另外，X和Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。
作為X和Y在功能上連接的情況的一個例子，可以在X和Y之間連接一個以上的能夠在功能上連接X和Y的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、γ(伽瑪)校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位位準的位準轉換器電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極隨耦電路、緩衝器電路等)、信號產生電路、記憶體電路、控制電路等)。注意，例如，即使在X與Y之間夾有其他電路，當從X輸出的信號傳送到Y時，就可以說X與Y在功能上是連接著的。另外，X與Y在功能上連接的情況包括X與Y直接連接的情況及X與Y電連接的情況。
此外，當明確地記載為“X與Y電連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：X與Y電連接的情況(換言之，以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y的情況)；X與Y在功能上連接的情況(換言之，以中間夾有其他電路的方式在功能上連接X與Y的情況)；以及X與Y直接連接的情況(換言之，以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y的情況)。換言之，當明確記載為“電連接”時，在本說明書等中公開了與只明確記 載為“連接”的情況相同的內容。
注意，例如，在電晶體的源極(或第一端子等)藉由Z1(或沒有藉由Z1)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)藉由Z2(或沒有藉由Z2)與Y電連接的情況下以及在電晶體的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接，Z1的另一部分與X直接連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，Z2的另一部分與Y直接連接的情況下，可以表示為如下。
例如，可以表示為“X、Y、電晶體的源極(或第一端子等)及電晶體的汲極(或第二端子等)互相電連接，並按X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)及Y的順序電連接”。或者，可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表示為“X藉由電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依次設置為相互連接”。藉由使用與這種例子相同的顯示方法規定電路結構中的連接順序，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)而決定技術範圍。
另外，作為其他表示方法，例如可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少藉由第一連接路徑與X電連接，上述第一連接路徑不具有第二連接路徑，上述第 二連接路徑是電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)之間的路徑，上述第一連接路徑是藉由Z1的路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少藉由第三連接路徑與Y電連接，上述第三連接路徑不具有上述第二連接路徑，上述第三連接路徑是藉由Z2的路徑”。或者，也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少在第一連接路徑上藉由Z1與X電連接，上述第一連接路徑不具有第二連接路徑，上述第二連接路徑具有藉由電晶體的連接路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少在第三連接路徑上藉由Z2與Y電連接，上述第三連接路徑不具有上述第二連接路徑”。或者，也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一電路徑，藉由Z1與X電連接，上述第一電路徑不具有第二電路徑，上述第二電路徑是從電晶體的源極(或第一端子等)到電晶體的汲極(或第二端子等)的電路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三電路徑，藉由Z2與Y電連接，上述第三電路徑不具有第四電路徑，上述第四電路徑是從電晶體的汲極(或第二端子等)到電晶體的源極(或第一端子等)的電路徑”。藉由使用與這些例子同樣的表述方法規定電路結構中的連接路徑，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)和汲極(或第二端子等)來確定技術範圍。
注意，這種表示方法是一個例子，不侷限於上述表示方法。在此，X、Y、Z1及Z2為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜及層等)。
另外，即使在電路圖上獨立的組件彼此電連接，也有時一個組件兼有多個組件的功能。例如，在佈線的一部分用作電極時，一個導電膜兼有佈線和電極的兩個組件的功能。因此，本說明書中的“電連接”的範疇內還包括這種一個導電膜兼有多個組件的功能的情況。
實施例
在本實施例中，參照圖23A至圖25說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構及評價結果。
圖23A至圖23C是說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構及效果的圖。圖23A是說明防反射結構的結構的示意圖，圖23B及圖23C是說明防反射結構的效果的圖。
圖24A和圖24B是說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構及效果的圖。圖24A是說明防反射結構的配置的示意圖，圖24B是說明防反射結構的效果的示意圖。
圖25是說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構及效果的圖。圖25是說明與圖24A不同的防反射結構的配置的示意圖。
《結構實例1.》
防反射結構ARR包括半透射．半反射膜AR1、反射膜AR2及光學調整膜AR3(參照圖23A)。反射膜AR2具有重 疊於半透射．半反射膜AR1的區域。光學調整膜AR3具有夾在半透射．半反射膜AR1與反射膜AR2之間的區域。
另外，將包含發光性材料的層553R用作光學調整膜AR3。另外，將半透射．半反射膜AR1用作第三電極551(i,j)R，將反射膜AR2用作第四電極552。由此，可以將防反射結構ARR用於具有微腔結構的第二顯示元件550(i,j)R。
彩色膜CF2R具有夾在防反射結構ARR與包含液晶材料的層753之間的區域，並具有吸收具有短於600nm左右的波長的可見光的功能。
《結構實例2.》
本實施例中的結構實例2.所說明的顯示面板包括像素702(i,j)至像素702(i+1,j+1)(參照圖24A)。另外，該顯示面板包括防反射結構ARR、防反射結構ARG及防反射結構ARB。
像素702(i,j)及像素702(i,j+1)配置在行方向R1上，像素702(i+1,j)及像素702(i+1,j+1)配置在行方向R1上。
另外，將防反射結構ARR配置在像素702(i,j)與像素702(i,j+1)之間。另外，將防反射結構ARR配置在像素702(i+1,j)與像素702(i+1,j+1)之間。
像素702(i,j)及像素702(i+1,j)配置在列方向C1上，像素702(i,j+1)及像素702(i+1,j+1)配置在列方向 C1上。
像素702(i,j)包括像素電路530(i,j)及第一顯示元件750(i,j)，像素702(i,j+1)包括像素電路530(i,j+1)及第一顯示元件750(i,j+1)。像素702(i+1,j)包括像素電路530(i+1,j)及第一顯示元件750(i+1,j)，像素702(i+1,j+1)包括像素電路530(i+1,j+1)及第一顯示元件750(i+1,j+1)。
另外，將反射型液晶顯示元件用於第一顯示元件750(i,j)至第一顯示元件750(i+1,j+1)。
像素電路530(i,j)及像素電路530(i+1,j)與未圖示的信號線S1(j)電連接，信號線S1(j)具有對第一顯示元件750(i,j)及第一顯示元件750(i+1,j)供應影像信號的功能。
像素電路530(i,j+1)及像素電路530(i+1,j+1)與未圖示的信號線S1(j+1)電連接，信號線S1(j+1)具有對第一顯示元件750(i,j+1)及第一顯示元件750(i+1,j+1)供應影像信號的功能。
《結構實例3.》
本實施例中的結構實例3所說明的顯示面板在第一顯示元件750(i,j)與第一顯示元件750(i,j+1)之間不具有防反射結構ARR，這是其與參照圖24A和圖24B進行說明的顯示面板的結構實例2.的不同之處。
《評價結果1.》
確認出防反射結構ARR具有降低反射率的效果(參照圖23B)。例如，可以確認到在穿過包含液晶材料的層753入射的可見光所包含的光的一部分(明確而言，波長為440nm附近及620nm附近的光)中，其正規化反射強度得到降低的效果。
另外，當與防反射結構ARR一起使用彩色膜CF2R時，確認出具有短於600nm的波長的可見光的反射率得到降低的效果。另外，在考慮人的視覺靈敏度(luminosity factor)時，可以使波長大約為600nm至680nm的可見光的正規化反射強度降低到大約0.05以下。另外，不反射其他區域的可見光。
另外，當使用使綠色光透過的彩色膜CF2G時，可以使波長大約為480nm至630nm的可見光的正規化反射強度降低到大約0.2以下(參照圖23C)。另外，可以防止具有其他區域的可見光的反射。
另外，當使用使藍色光透過的彩色膜CF2B時，可以使波長大約為460nm至560nm的可見光的正規化反射強度降低到大約0.1以下。另外，可以防止具有其他區域的可見光的反射。
《評價結果2.》
使用具有與用於第一顯示元件750(i,j)的影像信號不同的極性的影像信號驅動第一顯示元件750(i,j+1)。明確而言，使用比第二電極752高的電位作為使第一顯示元件 750(i,j)進行黑色顯示的影像信號。另外，使用比第二電極752低的電位作為使第一顯示元件750(i,j+1)進行黑色顯示的影像信號。換句話說，使用所謂的源極線反轉驅動進行黑色顯示。
由此，在第一顯示元件750(i,j)與第一顯示元件750(i,j+1)之間形成液晶材料的配向無序的區域(參照圖24B)。其結果，在像素702(i,j)與像素702(i,j+1)之間產生穿過包含液晶材料的層753的光反射的現象。然而，由於在第一顯示元件750(i,j)與第一顯示元件750(i,j+1)之間配置有防反射結構ARR，所以可以抑制該區域中的穿過包含液晶材料的層753的光的反射。
另外，使用具有與用於第一顯示元件750(i,j)的影像信號相同的極性的影像信號驅動第一顯示元件750(i+1,j)。由此，在第一顯示元件750(i,j)與第一顯示元件750(i,j+1)之間沒有形成液晶材料的配向無序的區域。
《評價結果3.》
結構實例3所說明的第一顯示元件750(i,j)具有55.5%的開口率(參照圖25)。結構實例2所說明的第一顯示元件750(i,j)具有65.9%的開口率(參照圖24A和圖24B)。
在像素702(i,j)與像素702(i,j+1)之間的區域中配置具有第二顯示元件的功能的防反射結構ARR。由此，可以有效地利用該區域，從而提高第一顯示元件的開 口率。
516‧‧‧絕緣膜
518‧‧‧絕緣膜
550(i,j)R‧‧‧第二顯示元件
551(i,j)R‧‧‧第三電極
552‧‧‧電極
553R‧‧‧包含發光性材料的層
702(i,j)‧‧‧第一像素
702(ij+1)‧‧‧像素
750(i,j)、750(ij+1)‧‧‧第一顯示元件
751(i,j)、751(ij+1)‧‧‧電極
752‧‧‧電極
753A、753B、753C‧‧‧區域
ARR‧‧‧防反射結構
CF2R‧‧‧彩色膜

Claims (21)

  1. 一種顯示面板，包括：包含液晶材料的第一層；第一像素；第二像素；以及防反射結構，其中，該第一層具有第一區域、第二區域以及第三區域，其中，該第三區域具有夾在該第一區域與該第二區域之間的區域，其中，該第一像素具有該第一區域，其中，該第二像素具有該第二區域，其中，該防反射結構具有重疊於該第三區域的區域，其中，該防反射結構包括半透射．半反射膜、反射膜以及光學調整膜，其中，該反射膜具有重疊於該半透射．半反射膜的區域，並且其中，該光學調整膜具有夾在該半透射．半反射膜與該反射膜之間的區域。
  2. 根據申請專利範圍第1項之顯示面板，其中，該半透射．半反射膜使可見光的第一部分透過並反射可見光的第二部分，其中，該反射膜反射該可見光的第一部分，其中，該光學調整膜使該可見光的第一部分透過，並 且其中，該光學調整膜具有以抵消該半透射．半反射膜所反射的該可見光的第二部分的方式調整該反射膜所反射的該可見光的第一部分的相位的厚度。
  3. 根據申請專利範圍第1項之顯示面板，還包括彩色膜，其中，該彩色膜具有夾在該防反射結構與該第三區域之間的區域或以在該彩色膜與該防反射結構之間夾著該第三區域的方式配置的區域，並且，該彩色膜吸收該可見光的第二部分。
  4. 根據申請專利範圍第1項之顯示面板，其中，該第一像素包括第一顯示元件，其中，該第二像素包括第六顯示元件，其中，該第一顯示元件包括第一電極及第二電極，其中，該第六顯示元件包括第五電極及該第二電極，其中，該第一電極以在該第一電極與該第二電極之間形成控制該第一區域所包含的該液晶材料的配向的電場的方式配置，其中，該第五電極以在該第五電極與該第二電極之間形成控制該第二區域所包含的該液晶材料的配向的電場的方式配置，並且其中，該第一顯示元件及該第六顯示元件具有相同的結構。
  5. 根據申請專利範圍第1項之顯示面板， 其中，該第一區域配置在該第二電極與該第一電極之間，並且其中，該第二區域配置在該第二電極與該第五電極之間。
  6. 一種顯示面板，包括：包含液晶材料的第一層；第一像素；第二像素；以及防反射結構，其中，該第一層具有第一區域、第二區域以及第三區域，其中，該第三區域具有夾在該第一區域與該第二區域之間的區域，其中，該第一像素具有該第一區域，其中，該第二像素具有該第二區域，其中，該防反射結構具有重疊於該第三區域的區域，其中，該防反射結構包括半透射．半反射膜、反射膜以及光學調整膜，其中，該反射膜具有重疊於該半透射．半反射膜的區域，其中，該光學調整膜具有夾在該半透射．半反射膜與該反射膜之間的區域，其中，該半透射．半反射膜使可見光的第一部分透過並反射可見光的第二部分， 其中，該反射膜反射該可見光的第一部分，其中，該光學調整膜使該可見光的第一部分透過，並且其中，該光學調整膜具有以抵消該半透射．半反射膜所反射的該可見光的第二部分的方式調整該反射膜所反射的該可見光的第一部分的相位的厚度。
  7. 根據申請專利範圍第6項之顯示面板，還包括彩色膜，其中，該彩色膜具有夾在該防反射結構與該第三區域之間的區域或以在該彩色膜與該防反射結構之間夾著該第三區域的方式配置的區域，並且其中，該彩色膜吸收該可見光的第二部分。
  8. 根據申請專利範圍第6項之顯示面板，其中，該第一像素包括第一顯示元件，其中，該第二像素包括第六顯示元件，其中，該第一顯示元件包括第一電極及第二電極，其中，該第六顯示元件包括第五電極及該第二電極，其中，該第一電極以在該第一電極與該第二電極之間形成控制該第一區域所包含的該液晶材料的配向的電場的方式配置，其中，該第五電極以在該第五電極與該第二電極之間形成控制該第二區域所包含的該液晶材料的配向的電場的方式配置，並且其中，該第一顯示元件及該第六顯示元件具有相同的 結構。
  9. 根據申請專利範圍第6項之顯示面板，其中，該第一區域配置在該第二電極與該第一電極之間，並且其中，該第二區域配置在該第二電極與該第五電極之間。
  10. 根據申請專利範圍第6項之顯示面板，其中，該第一像素包括第二顯示元件，其中，該第二顯示元件包括第三電極、第四電極以及包含發光性材料的第二層，其中，該第三電極包括該半透射．半反射膜，其中，該第四電極包括該反射膜，並且其中，該光學調整膜包括該第二層。
  11. 根據申請專利範圍第6項之顯示面板，其中，該第二顯示元件以在可以看到使用該第一顯示元件的顯示的區域中可以看到使用該第二顯示元件的顯示的方式配置。
  12. 根據申請專利範圍第6項之顯示面板，其中，該第二顯示元件顯示與該第一顯示元件所顯示的顏色不同的顏色。
  13. 一種顯示面板，包括：包含液晶材料的第一層；第一像素；第二像素；以及 防反射結構，其中，該第一層具有第一區域、第二區域以及第三區域，其中，該第三區域具有夾在該第一區域與該第二區域之間的區域，其中，該第一像素具有該第一區域，其中，該第二像素具有該第二區域，其中，該防反射結構具有重疊於該第三區域的區域，其中，該防反射結構包括半透射．半反射膜、反射膜以及光學調整膜，其中，該反射膜具有重疊於該半透射．半反射膜的區域，其中，該光學調整膜具有夾在該半透射．半反射膜與該反射膜之間的區域，其中，該第一像素包括第一顯示元件、第二顯示元件、第三顯示元件、第四顯示元件以及第五顯示元件，其中，該第二顯示元件包括第三電極、第四電極以及包含發光性材料的第二層，其中，該第三電極包括半透射．半反射膜，其中，該第四電極包括反射膜，其中，該第三顯示元件以在可以看到使用該第一顯示元件的顯示的區域中可以看到使用該第三顯示元件的顯示的方式配置，其中，該第四顯示元件以在可以看到使用該第一顯示 元件的顯示的區域中可以看到使用該第四顯示元件的顯示的方式配置，其中，該第五顯示元件以在可以看到使用該第一顯示元件的顯示的區域中可以看到使用該第五顯示元件的顯示的方式配置，其中，該第二顯示元件、該第三顯示元件、該第四顯示元件以及該第五顯示元件所顯示的顏色各不同，其中，該第一顯示元件顯示白色，並且其中，該第二顯示元件、該第三顯示元件、該第四顯示元件以及該第五顯示元件各顯示藍色、綠色、紅色或白色。
  14. 根據申請專利範圍第13項之顯示面板，其中，該第二顯示元件以在可以看到使用該第一顯示元件的顯示的區域中可以看到使用該第二顯示元件的顯示的方式配置。
  15. 根據申請專利範圍第13項之顯示面板，其中，該第二顯示元件顯示與該第一顯示元件所顯示的顏色不同的顏色。
  16. 根據申請專利範圍第13項之顯示面板，還包括：第一導電膜；第二導電膜；第二絕緣膜；以及像素電路，其中，該第一導電膜與該第一電極電連接， 其中，該第二導電膜具有重疊於該第一導電膜的區域，其中，該第二絕緣膜具有夾在該第一導電膜與該第二導電膜之間的區域，其中，該第二絕緣膜具有開口部，其中，該第二導電膜在該開口部中與該第一導電膜電連接，其中，該像素電路與該第二導電膜電連接，其中，該第三電極與該像素電路電連接，並且其中，該第二顯示元件向該第二絕緣膜發射光。
  17. 根據申請專利範圍第13項之顯示面板，還包括：該防反射結構中的光學調整膜，其中，該光學調整膜包括該第二層。
  18. 根據申請專利範圍第1項之顯示面板，還包括：第一群像素；第二群像素；掃描線；以及信號線，其中，該第一群像素包括該第一像素，其中，該第一群像素配置在行方向上，其中，該第二群像素包括該第一像素，其中，該第二群像素配置在與該行方向交叉的列方向上，其中，該掃描線與該第一群像素電連接，並且 其中，，該信號線與該第二群像素電連接。
  19. 一種輸入輸出面板，包括：申請專利範圍第1項之顯示面板；以及輸入部，其中，該輸入部檢測靠近重疊於該顯示面板的區域的物體。
  20. 根據申請專利範圍第19項之輸入輸出面板，其中，該輸入部具有重疊於該顯示面板的區域，其中，該輸入部包括控制線、檢測信號線以及檢測元件，其中，該檢測元件與該控制線及該檢測信號線電連接，其中，該控制線供應控制信號，其中，該檢測元件接收該控制信號，其中，該檢測元件供應根據該控制信號及該檢測元件與靠近重疊於該顯示面板的該區域的該物體之間的距離而變化的檢測信號，其中，該檢測信號線接收該檢測信號，其中，該檢測元件具有透光性，其中，該檢測元件包括第一電極以及第二電極，其中，該第一電極與該控制線電連接，其中，該第二電極與該檢測信號線電連接，並且其中，該第二電極以該第二電極與該第一電極之間形成電場的方式配置，該電場的一部分被靠近重疊於該顯示 面板的該區域的該物體遮蔽。
  21. 一種資料處理裝置，包括：鍵盤、硬體按鈕、指向裝置、觸控感測器、照度感測器、攝像裝置、聲音輸入裝置、視點輸入裝置、姿態檢測裝置中的至少一個；以及申請專利範圍第1項之顯示面板。
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