CN108962967B - 显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法 - Google Patents

显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108962967B
CN108962967B CN201810878142.6A CN201810878142A CN108962967B CN 108962967 B CN108962967 B CN 108962967B CN 201810878142 A CN201810878142 A CN 201810878142A CN 108962967 B CN108962967 B CN 108962967B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
liquid crystal
display
mos tube
mos
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810878142.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108962967A (zh
Inventor
卜倩倩
胡伟频
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810878142.6A priority Critical patent/CN108962967B/zh
Publication of CN108962967A publication Critical patent/CN108962967A/zh
Priority to US16/522,736 priority patent/US11244990B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN108962967B publication Critical patent/CN108962967B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/44—Arrangements combining different electro-active layers, e.g. electrochromic, liquid crystal or electroluminescent layers
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/02—Composition of display devices
    • G09G2300/023—Display panel composed of stacked panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/046—Pixel structures with an emissive area and a light-modulating area combined in one pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/06—Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0626—Adjustment of display parameters for control of overall brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明是关于一种显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法，属于显示技术领域。所述方法包括：以硅片为衬底，在硅片的一侧形成多个MOS管；在硅片形成多个MOS管的一侧形成多个OLED；在多个OLED远离硅片的一侧设置透明盖板；以透明盖板为衬底，对硅片的另一侧进行减薄处理；以透明盖板为衬底，在减薄处理后的硅片的另一侧形成液晶附硅LCOS液晶盒，LCOS液晶盒包括多个液晶显示单元；其中，多个MOS管包括用于控制OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制液晶显示单元的工作状态的第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管分时导通。本发明实现了显示面板在不同亮度的环境光下拥有良好的显示效果。本发明用于显示面板制造。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light Emitting Diode；简称：OLED)作为一种自发光器件，因其所具有的低能耗、响应快、宽视角等特点而越来越多地被应用于显示领域当中。
在高亮环境中，如在阳光照射下，显示面板的显示亮度需要达到至少5000cd/m2才能拥有良好的显示效果，但是目前OLED显示面板的显示亮度一般为150cd/m2，因此，在高亮环境中该显示面板的显示效果较差。
发明内容
为了解决显示面板在高亮环境中显示效果较差的问题，本发明实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法。所述技术方案如下：
根据本发明实施例的第一方面，提供一种显示面板的制造方法，包括：
以硅片为衬底，在所述硅片的一侧形成多个MOS管；
在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED；
在所述多个OLED远离所述硅片的一侧设置透明盖板；
以所述透明盖板为衬底，对所述硅片的另一侧进行减薄处理；
以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成液晶附硅LCOS液晶盒，所述LCOS液晶盒包括多个液晶显示单元；
其中，所述多个MOS管包括用于控制所述OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制所述液晶显示单元的工作状态的第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分时导通。
可选的，所述显示面板具有多个子像素区域，每个所述子像素区域上设置有一个所述OLED、一个所述液晶显示单元、所述第一MOS管和所述第二MOS管，每个所述子像素区域上还设置有用于控制所述OLED的驱动MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分别为NMOS管和PMOS管中的一个，所述驱动MOS管为NMOS管和PMOS管中的一种。
可选的，所述以硅片为衬底，在所述硅片的一侧形成多个MOS管，包括：
通过两次离子注入工艺，在所述硅片的每个所述子像素区域上形成三个有源层注入区域，所述三个有源层注入区域包括两个P肼区域和一个N肼区域，或者，所述三个有源层注入区域包括两个N肼区域和一个P肼区域；
在所述硅片上形成有有源层注入区域的一侧形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层远离所述硅片的一侧形成栅极图形，所述栅极图形包括多个栅极，每个栅极位于一个有源层注入区域内；
通过两次离子注入工艺，在所述硅片的每个所述子像素区域上形成三个源漏极注入区域，每个源漏极注入区域包括位于一个栅极两侧的源极区域和漏极区域。
可选的，在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED之前，所述方法还包括：
在所述栅极图形远离所述硅片的一侧形成第一平坦层；
在所述第一平坦层远离所述硅片的一侧形成透明导电图案，所述透明导电图案包括位于每个所述子像素区域中的相互绝缘的第一子图案和第二子图案，所述第一子图案通过三个过孔分别与所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极和所述驱动MOS管的第一极连接，所述第二子图案通过过孔与所述第二MOS管的第一极连接；
在所述导电图案远离所述硅片的一侧形成第二平坦层；
所述在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED，包括：
在所述第二平坦层远离所述硅片的一侧形成所述多个OLED，每个所述OLED通过过孔与所述第一MOS管的第二极连接，所述第一极和所述第二极分别为源极和漏极中的一个。
可选的，所述以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成液晶附硅LCOS液晶盒，包括：
以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成透明电极，所述透明电极通过过孔与所述第二MOS管的第二极连接；
在所述透明电极远离所述硅片的一侧形成液晶层和透明基板，其中，所述透明电极的折射率小于所述液晶层的折射率。
可选的，每个所述子像素区域包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域上设置有MOS管，
所述以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成透明电极，包括：
去除所述第二平坦层靠近所述硅片的一侧显示区域上的所有膜层，使得所述第二平坦层靠近所述硅片的一侧形成多个凹槽，所述所有膜层包括减薄处理后的所述硅片；
采用透光胶体填充所述多个凹槽；
以所述透明盖板为衬底，在进行凹槽填充后的所述硅片的另一侧形成所述透明电极。
可选的，所述减薄处理包括：依次执行的研磨处理、抛光处理和刻蚀处理。
根据本发明实施例的第二方面，提供一种一种显示面板，包括：
硅片；
在所述硅片的一侧依次设置的多个MOS管，多个OLED以及透明盖板；
在所述硅片的另一侧设置的液晶附硅LCOS液晶盒，所述LCOS液晶盒包括多个液晶显示单元；
其中，所述多个MOS管包括用于控制所述OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制所述液晶显示单元的工作状态的第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分时导通。
根据本发明实施例的第三方面，提供一种一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板，所述显示装置还包括：
光源，所述光源设置在所述LCOS液晶盒远离所述硅片的一侧。
根据本发明实施例的第四方面，提供一种显示控制方法，包括：
在接收到指示第一显示模式的显示指令时，控制显示装置中的多个OLED工作，LCOS液晶盒停止工作；
在接收到指示第二显示模式的显示指令时，控制显示装置中的多个OLED停止工作，LCOS液晶盒工作；
所述第一显示模式和所述第二显示模式是基于所述显示装置所在环境的环境光亮度确定的，所述第一显示模式所对应的环境光亮度大于所述第二显示模式所对应的环境光亮度。
本发明的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
本发明实施例提供的显示面板的制造方法以硅片为衬底，在该硅片的一侧形成多个MOS管、多个OLED以及透明盖板，可以以透明盖板为衬底，对硅片的另一侧进行减薄处理，在减薄处理后的硅片的另一侧形成包括多个液晶显示单元的LCOS液晶盒，其中，多个MOS管可以基于环境光亮度信息分时控制OLED和液晶显示单元的工作状态，保证显示面板在不同亮度的环境光下拥有良好的显示效果。并且由于该显示面板经过了减薄处理，能够在保证显示效果的基础上实现面板薄形化。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的实施例，下面将对实施例描述中所需要采用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据一示例性实施例示出的一种显示面板的制造方法的流程图；
图2是根据一示例性实施例示出的另一种显示面板的制造方法的流程图；
图3是根据一示例性实施例示出的一种显示面板的制造工艺图；
图4是根据一示例性实施例示出的另一种显示面板的制造工艺图；
图5是根据一示例性实施例示出的一种显示面板的结构示意图；
图6是根据一示例性实施例示出的又一种显示面板的制造工艺图；
图7是根据一示例性实施例示出的再一种显示面板的制造工艺图；
图8是根据一示例性实施例示出的另一种显示面板的结构示意图；
图9是根据一示例性实施例示出的又一种显示面板的结构示意图；
图10是根据一示例性实施例示出的再一种显示面板的结构示意图；
图11是根据另一示例性实施例示出的一种显示面板的结构示意图；
图12是根据另一示例性实施例示出的另一种显示面板的结构示意图；
图13是根据另一示例性实施例示出的又一种显示面板的结构示意图；
图14是根据另一示例性实施例示出的再一种显示面板的结构示意图；
图15是根据一示例性实施例示出的一种显示面板的控制电路图；
图16是根据又一示例性实施例示出的一种显示面板的结构示意图；
图17是根据一示例性实施例示出的又一种显示装置的控制方法的流程图；
图18是根据一示例性实施例示出的一种显示装置的显示过程示意图；
图19是根据一示例性实施例示出的另一种显示装置的显示过程示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
目前的OLED显示面板的显示亮度较低，在高亮环境中该显示面板的显示效果较差。本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括硅片，以及设置在硅片两侧的液晶附硅(英文：Liquid Crystal on Silicon；简称：LCOS)液晶盒，和多个OLED，其将LCOS显示面板和硅基OLED显示面板的功能整合，无论在高亮环境还是低亮环境，显示效果均较为良好。为了便于读者理解，本发明实施例对硅基OLED显示面板和LCOS显示面板的工作原理进行简单介绍：
第一，硅基OLED显示面板一般包括依次形成在硅片上的阳极层、发光层和阴极层。在其工作时，需要对其阳极层和阴极层施加电压，发光层的发光分子在电场作用下发出可见光，使得OLED显示面板正常显示。
第二，LCOS显示面板一般包括前置光源，依次设置于硅片上的透明电极、第一电极、液晶层和第二电极。在其工作时，透明电极在工作状态下接收并反射前置光源发射的光，经过透明电极反射的光在经过液晶层时，由于液晶层中的液晶在工作时有不同的偏转角度，进而使得被反射的光线的透过率不同，从而使得显示面板正常显示。
在上述两类显示面板中，硅基OLED显示面板由于是OLED自发光，因此在其所处环境光亮度较高时显示效果较差，但其功耗低；LCOS显示面板由于设置了前置光源，所以在高亮环境中显示效果较好，但是功耗较高。
本发明实施例提供一种显示面板的制造方法，用于制造本发明实施例提供的显示面板，如图1所示，该方法包括：
步骤101、以硅片为衬底，在硅片的一侧形成多个金属氧化物半导体(英文：metaloxide semiconductor；简称：MOS)管。
步骤102、在硅片形成多个MOS管的一侧形成多个OLED。
步骤103、在多个OLED远离硅片的一侧设置透明盖板。
步骤104、以透明盖板为衬底，对硅片的另一侧进行减薄处理。
步骤105、以透明盖板为衬底，在减薄处理后的硅片的另一侧形成LCOS液晶盒，LCOS液晶盒包括多个液晶显示单元。
其中，多个MOS管包括用于控制OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制液晶显示单元的工作状态的第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管分时导通，也即是第一MOS管和第二MOS管的导通的时段不同。这样OLED和液晶显示单元分时工作，也即两者不工作在同一时段。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法以硅片为衬底，在该硅片的一侧形成多个MOS管、多个OLED以及透明盖板，可以以透明盖板为衬底，对硅片的另一侧进行减薄处理，在减薄处理后的硅片的另一侧形成包括多个液晶显示单元的LCOS液晶盒，其中，多个MOS管可以基于环境光亮度信息分时控制OLED和液晶显示单元的工作状态，保证显示面板在不同亮度的环境光下拥有良好的显示效果。并且由于该显示面板经过了减薄处理，能够在保证显示效果的基础上实现面板薄形化。
本发明实施例提供一种显示面板的制造方法，该显示面板具有多个像素区域，即像素对应的区域，每个像素区域包括至少两个子像素区域，例如，每个像素区域包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，每个子像素区域上设置有一个OLED、一个液晶显示单元、用于控制OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制液晶显示单元的工作状态的第二MOS管，每个子像素区域上还设置有用于控制OLED的驱动MOS管，第一MOS管和第二MOS管分别为N型MOS管和P型MOS管中的一个，驱动MOS管为N型MOS管和P型MOS管中的一种，其中，由P型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管称为P型MOS管，由N型衬底和两个高浓度p扩散区构成的MOS管称为N型MOS管。如图2所示，该显示面板的制造方法包括：
步骤201、以硅片为衬底，在硅片的一侧形成多个MOS管。
在本发明实施例提供的显示面板制造过程中，以硅片为衬底，在硅片的一侧形成多个MOS管的过程可以包括：
步骤A1、在硅片的每个子像素区域上形成有源层注入区域。
可选的，以硅片为衬底，需要通过两次离子注入工艺，在硅片的每个子像素区域上形成三个有源层注入区域，该三个有源层注入区域包括两个P肼区域和一个N肼区域，或者，该三个有源层注入区域包括两个N肼区域和一个P肼区域。
示例的，该有源层注入区域的形成过程可以包括：
步骤A11、在硅片上形成第一光刻胶图案，该第一光刻胶图案露出硅片上的第一区域。
示例的，可以先在硅片上通过涂覆或喷墨工艺形成第一光刻胶层，然后通过光刻工艺对该第一光刻胶层进行处理，得到第一光刻胶图案。该光刻工艺包括曝光和显影。
步骤A12、以第一光刻胶图案为掩膜，在第一区域进行第一次离子注入。
步骤A13、剥离第一光刻胶图案后，在硅片上形成第二光刻胶图案，该第二光刻胶图案露出硅片上的第二区域。
示例的，在剥离第一光刻胶图案后，可以先在硅片上通过涂覆或喷墨工艺形成第二光刻胶层，然后通过光刻工艺对该第二光刻胶层进行处理，得到第二光刻胶图案。该光刻工艺包括曝光和显影。
步骤A14、以第二光刻胶图案为掩膜，在硅片上进行第二次离子注入。
步骤A15、剥离第二光刻胶图案后，对第二次离子注入后的硅片进行退火。
示例的，退火可以在N2(氮气)环境下完成，该退火温度的取值范围可以为600-800℃(摄氏度)，退火工艺可以修复两次离子注入过程中对注入离子的损伤，同时可以激活注入的离子。
其中，第一区域和第二区域分别为P肼区域和N肼区域中的一个。本发明实施例以第一MOS管为P型MOS管，第二MOS管为N型MOS管，驱动MOS管为N型MOS管为例，则硅片上的任一子像素区域上形成的三个有源层注入区域包括两个N肼区域和一个P肼区域。进一步的，假设第一次离子注入为N肼注入，第二次离子注入为P肼注入，则上述步骤A12可以参考图3，硅片1上的第一光刻胶图案A遮挡非N肼区域，露出N肼区域，该非N肼区域包括P肼区域以及其他区域(即除N肼区域和P肼区域之外的区域)，以第一光刻胶图案A为掩膜，在N肼区域进行N肼注入。示例的，采用PH3(磷化氢)离子进行N肼注入，注入能量的取值范围为10-50kev(千电子伏特)，注入深度的取值范围为0.8-2μm(微米)。
上述步骤A14可以参考图4，以硅片1上的第二光刻胶A图案遮挡非P肼区域，露出P肼区域，该非P肼区域包括N肼区域以及其他区域(即除N肼区域和P肼区域之外的区域)，以第二光刻胶图案I为掩膜，在P肼区域进行P肼注入。示例的，采用B2H5(硼化氢)离子进行P肼注入，注入能量的取值范围为20-80kev(千电子伏特)，注入深度的取值范围为0.8-2μm(微米)以保持与N阱的注入深度相同。
步骤A2、在硅片上形成有有源层注入区域的一侧形成栅绝缘层。
示例的，可以通过沉积、涂敷或溅射在硅片上形成有有源层注入区域的一侧形成栅绝缘层，可选的，该栅绝缘层的材质可以为氧化硅。
步骤A3、在栅绝缘层远离硅片的一侧形成栅极图形，栅极图形包括多个栅极，每个栅极位于一个有源层注入区域内。该多个栅极与上述多个MOS管一一对应。
可选的，可以先通过沉积、涂敷或溅射在栅绝缘层远离硅片的一侧形成栅极层，再对栅极层进行处理，以形成栅极图形。
示例的，上述栅极图形的材质可以为多晶硅。则该栅极图形的形成过程包括：在栅绝缘层远离硅片的一侧采用低压化学气相沉积工艺沉积多晶硅层，并对该多晶硅层进行掺杂，例如掺杂硼，以形成栅极层；对栅极层进行一次构图工艺以得到栅极图形。该一次构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀以及光刻胶剥离。其中，曝光工艺可以采用深紫外线光刻技术实现，刻蚀工艺可以采用采用电感耦合等离子(英文：Inductive CoupledPlasma；简称：ICP)技术实现。如图5所示，图5为形成有栅极图形的硅片1的结构示意图，该栅极图形3包括平行间隔布置的多个栅极31，每个栅极31的长度方向垂直于硅片1的宽度方向(即最终形成的显示面板的行方向)，如图5所示，每个栅极31的长度方向为垂直于纸面的方向。
步骤A4、通过两次离子注入工艺，在硅片的每个子像素区域上形成三个源漏极注入区域，每个源漏极注入区域包括位于一个栅极两侧的源极区域和漏极区域。
在硅片上形成的多个源漏极注入区域与栅极图形的多个栅极一一对应。
需要说明的是，上述源漏极注入区域的形成过程可以参考上述步骤A1，示例的，在硅片上形成第三光刻胶图案，该第三光刻胶图案露出硅片上的第三区域；以第三光刻胶图案为掩膜，在第三区域进行第一次离子注入；剥离第三光刻胶图案后，在硅片上形成第四光刻胶图案，该第四光刻胶图案露出硅片上的第四区域；以第四光刻胶图案为掩膜，在硅片上进行第二次离子注入；剥离第四光刻胶图案后，对第二次离子注入后的硅片进行退火。其中，第三区域和第四区域分别为P肼区域和N肼区域中的一个。
假设第一次离子注入为N肼区域的源漏极注入，第二次离子注入为P肼区域的源漏极注入，则N肼区域的源漏极注入过程可以参考图6，硅片1上的第三光刻胶图案X遮挡非N肼区域，露出N肼区域，以第三光刻胶图案X和栅极31为掩膜，在N肼区域进行源漏极注入，形成源漏极区域J。示例的，采用B2H5(硼化氢)离子进行N肼区域进行源漏极注入，注入剂量为105-106e(电子)，注入能量为5-10kev(千电子伏特)，注入深度为0.08-0.2μm(微米)。
P肼的源漏极注入过程可以参考图7，硅片1上的第四光刻胶图案Y遮挡非P肼区域，露出P肼区域，以第四光刻胶图案Y和栅极31为掩膜，在P肼区域进行源漏极注入，形成源漏极区域J。示例的，采用PH3(磷化氢)离子在P肼区域进行源漏极注入，注入剂量为105-106e(电子)，注入能量为8-20kev(千电子伏特)，注入深度为0.08-0.2μm(微米)。
需要说明的是，上述一个子像素区域中的3个MOS管需要相互绝缘，以保证互相之间不存在干扰，在一种可选的实现方式中，在执行步骤A1时，在硅片的每个子像素区域上形成的有源层注入区域可以相互间隔，从而实现最终形成的MOS管的绝缘，该最终形成的MOS管的结构可以如图7所示中间的MOS管；在另一种可选的实现方式中，在执行上述步骤A3之前，可以在有源层注入区域之间形成间隔槽，以实现最终形成的MOS管的绝缘。则形成隔离槽的过程可以包括：
在栅绝缘层上形成掩膜图案，该掩膜图案露出隔离槽区域，通过该掩膜图案对隔离槽区域进行刻蚀，以形成隔离槽，然后剥离该掩膜图案即可。最终形成有隔离槽B的硅片1可以如图8所示，每两个相邻的有源层注入区域之间设置有一个隔离槽B。示例的，该掩膜图案的材质可以为氮化硅。
当通过间隔槽来实现MOS管的绝缘时，上述步骤A3可以包括在形成有隔离槽的栅绝缘层远离硅片的一侧形成栅极图形。需要说明的是，为了减少最终形成的MOS管上各个膜层的段差(即高度差)，可以在形成栅极图形之前，对该硅片进行平坦化处理，在一种可选的实现方式中，该平坦化处理过程包括：对隔离槽先进行氧化物填充，之后在填充氧化物的硅片上通过涂覆、沉积或溅射工艺形成氧化物膜层，例如采用CVD工艺形成氧化物膜层；最后采用化学或机械抛光工艺对氧化物膜层进行平滑处理，得到第三平坦层(也称平坦化层)。在另一种可选的实现方式中，该平坦化处理过程包括：可以对通过涂覆、沉积或溅射工艺在栅绝缘层上形成氧化物膜层，例如采用CVD工艺形成氧化物膜层；然后采用化学或机械抛光工艺对氧化物膜层进行平滑处理，得到第三平坦层。上述氧化物的材质可以为氧化硅或氧化铝。则，如图9所示，图9为另一种形成有MOS管的硅片的结构示意图，该硅片1上形成有栅绝缘层2、隔离槽B、第三平坦层19、栅极图形3以及源漏极区域J。
至此，硅片的每个子像素区域形成了多个MOS管，然后便可以在硅片的两侧分别形成多个OLED，以及LCOS液晶盒。但是，为了保证最终制成的显示面板能够正常工作，需要将多个MOS管与对应的显示单元电连接，即将第一MOS管、驱动MOS管与对应的OLED电连接，将第二MOS管与对应的液晶显示单元电连接，因此，在形成OLED和液晶显示单元之前，可以先形成用于实现电连接的透明导电图案。并且为了减少显示面板中各个膜层的段差，可以在透明导电图案的两面均形成平坦层。示例的，该过程包括：
步骤B1、在栅极图形远离硅片的一侧形成第一平坦层。
示例的，在形成源漏极之后，可以采用涂覆、沉积或溅射工艺，例如CVD工艺，对栅极图形远离硅片的一侧沉积氧化物，之后采用化学或机械抛光工艺对沉积的氧化物进行平坦化处理，以形成第一平坦层，该第一平坦层可以保证膜层平滑，减少段差，该第一平坦层可以采用绝缘材质制成，如氧化硅或氧化铝。
步骤B2、在第一平坦层远离硅片的一侧形成透明导电图案，该透明导电图案包括位于每个子像素区域中的相互绝缘的第一子图案和第二子图案，第一子图案通过三个过孔分别与第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极和驱动MOS管的第一极连接，第二子图案通过过孔与第二MOS管的第一极连接。
可选的，可以先在第一平坦层上形成过孔，例如，采用一次构图工艺形成过孔。该构图工艺可以为光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀以及光刻胶剥离。其中，刻蚀工艺可以为ICP刻蚀工艺。
然后，在形成有过孔的第一平坦层上远离硅片的一侧形成透明导电图案，其中，第一子图案通过三个过孔分别与第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极和驱动MOS管的第一极连接，第二子图案通过过孔与第二MOS管的第一极连接。
步骤B3、在导电图案远离硅片的一侧形成第二平坦层。
示例的，可以通过涂覆、沉积或溅射工艺，例如CVD工艺，对导电图案远离硅片的一侧沉积氧化物，之后采用化学或机械抛光工艺对沉积的氧化物进行平坦化处理，以形成第二平坦层。
如图10所示，图10以在图9所示的硅片上形成上述第一平坦层4、透明导电图案5以及第二平坦层6为例进行说明，其中，透明导电图案5包括第一子图案5a和第二子图案5b，第一子图案5a通过三个过孔分别与第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极和驱动MOS管的第一极连接，第二子图案5b通过过孔与第二MOS管的第一极连接。
步骤202、在硅片形成多个MOS管的一侧形成多个OLED。
请参考上述步骤B1至B3，在形成多个MOS管后，可以在第二平坦层远离硅片的一侧形成多个OLED，每个OLED通过过孔与第一MOS管的第二极连接，第一极和第二极分别为源极和漏极中的一个。
示例的，可以在第二平坦层远离硅片的一侧依次形成第一电极层、自发光层和第二电极层，以得到多个OLED，第一电极层和第二电极层分别为阴极层和阳极层中的一个。其中，第一电极层与第一MOS管的第二极连接。
假设第一电极层为阳极层，第二电极层为阴极层，则形成该多个OLED的过程包括：
在第二平坦层上形成过孔，该过孔位于第一MOS管的第二极上，在形成有过孔的第二平坦层远离硅片的一侧依次形成阳极层、自发光层和阴极层，该阳极层通过该过孔与第一MOS管的第二极连接。其中，阴极层和阳极层均可以采用透明导电材质制成，如氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxides；简称：ITO)。
可选的，在形成该多个OLED后，可以对该多个OLED进行薄膜封装，以进行水氧的阻隔。示例的，可以采用等离子体增强化学的气相沉积设备对该多个OLED进行薄膜封装，例如，可以交替沉积有机层和无机层，其中，有机层可以阻止水分进入，无机层可以阻止氧气进入，例如该无机层为氮化硅层。
如图11所示，图11以在图10所示的第二平坦层6远离硅片1上依次形成阳极层7、自发光层8、阴极层9以及薄膜封装层10为例对上述过程进行说明，其中，阳极层7通过该过孔C与第一MOS管的第二极连接。
步骤203、在多个OLED远离硅片的一侧设置透明盖板。
设置透明盖板可以彻底隔绝水氧，保证制成的显示面板的质量与使用寿命。示例的，该透明盖板可以为刚性板，例如，其采用玻璃或石英等制成。
设置有透明盖板11的硅片1的结构可以参考图11，图11中其他结构的标号可以参考图10。
步骤204、以透明盖板为衬底，对硅片的另一侧进行减薄处理。
在本发明实施例中，OLED制备完成后，需要以透明盖板为衬底，对硅片的另一侧进行减薄处理，例如将硅片减薄至5μm，该减薄处理可以包括：依次执行的研磨处理、抛光处理和刻蚀处理。这可以大大减薄制成的显示面板的厚度与重量，同时便于显示面板中引线的引出。
步骤205、以透明盖板为衬底，在减薄处理后的硅片的另一侧形成LCOS液晶盒。
在本发明实施例中，LCOS液晶盒是以透明盖板为衬底在减薄处理后的硅片的另一侧制成的，该LCOS液晶盒包括多个液晶显示单元，每个液晶显示单元用于反射一种颜色的光。
其中，LCOS液晶盒可以有多种结构，例如其包括相对设置的像素电极和公共电极，以及位于像素电极和公共电极之间的液晶层，又例如，其包括相对设置的透明电极和透明基板，以及位于透明电极和透明电极之间的液晶层，该透明电极可以包括同层或异层设置的像素电极和公共电极。
本发明实施例以LCOS液晶盒包括透明电极、透明基板以及液晶层为例，对上述成LCOS液晶盒的形成过程进行说明，该过程包括：
步骤C1、以透明盖板为衬底，在减薄处理后的硅片的另一侧形成透明电极，透明电极通过过孔与第二MOS管的第二极连接。
在本发明实施例中，由于最终形成的显示面板中，LCOS液晶盒和多个OLED分别位于硅片的两侧，其中，由于LCOS液晶盒进行图像显示时，需要设置在其外部的光源来提供光线，因此，为了保证LCOS液晶盒进行图像的有效显示，减少OLED对外部光源所提供光线的阻挡，该显示面板的显示面(也称出光面)为LCOS液晶盒所在侧。
进一步的，显示面板中的每个子像素区域包括显示区域和非显示区域，非显示区域上设置有MOS管，由于硅片通常不透光，为了保证硅片另一侧的OLED的光线能够经过硅片所在层，从出光面(即硅片朝向LCOS液晶盒的一侧)出射，需要去除显示区域的硅片，然后再形成LCOS液晶盒的透明电极。当然，如果硅片减薄到足够薄或者经过特殊处理，可以透光，则可以直接在硅片上形成透明电极。
并且，由于硅片朝向LCOS液晶盒的一侧的各个膜层的折射率和透光率不同，容易导致膜层界面影响OLED光线出射的情况，因此，可以将显示区域上硅片朝向LCOS液晶盒的一侧的各个膜层，也即是显示区域上硅片与透明电极之间的所有膜层均去除，再填充同一透明材质，使得填充该透明材质的区域的折射率一致，以保证OLED的光线均匀出射。则步骤C1可以包括：
步骤C11、去除第二平坦层靠近硅片的一侧显示区域上的所有膜层，使得第二平坦层靠近硅片的一侧形成多个凹槽，所有膜层包括减薄处理后的硅片。
以透明盖板为衬底，采用一次构图工艺在第二平坦层靠近硅片的一侧形成多个凹槽。该构图工艺可以为光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀以及光刻胶剥离。其中，在曝光前后还可以进行光刻胶的前烘和后烘。
如图12所示，以透明盖板11为衬底，去除第二平坦层6靠近硅片1的一侧显示区域上的所有膜层，形成凹槽E。
步骤C12、采用透光胶体填充多个凹槽。
采用透光胶体填充多个凹槽，透光胶体厚度的选择根据孔深而定，采用化学或机械抛光工艺对透光胶体进行平坦化处理，保证膜层平滑，减少段差。示例的，该透明胶体可以为树脂(resin)胶。
步骤C13、以透明盖板为衬底，在进行凹槽填充后的硅片的另一侧形成透明电极。
可选的，可以先在硅片上形成过孔，例如，采用一次构图工艺形成过孔。该构图工艺可以为光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀以及光刻胶剥离。其中，刻蚀工艺可以采用ICP刻蚀工艺。之后，采用气相沉积工艺在硅片上沉积多晶硅，形成过孔保护层。
进一步的，通过过孔引入控制透明电极的LC振荡电路的引线，进而控制LCOS液晶盒的工作状态，引线与第二MOS管的第二极连接，其中，L表示电感，C表示电容。之后在孔保护层上涂覆透明电极材料，形成透明电极层，该透明电极材料为低折射率高分子透明材料，示例的，该透明电极材料可以是ITO。该透明电极层的折射率小于后续形成的液晶层的折射率，可以使得LCOS液晶盒在工作时，保证在光源在指定入射角的条件下(即光源设置在指定位置)，可实现对光线的全反射，保证显示面板的显示效果。
如图13所示，图13以在图12所示的形成有凹槽E的硅片1上形成过孔保护层12和透明电极13为例进行说明，其中，控制透明电极13的LC振荡电路的引线通过过孔D与第二MOS管的第二极连接。
步骤C2、在透明电极远离硅片的一侧形成液晶层和透明基板，其中，透明电极的折射率小于液晶层的折射率。
可选的，在透明电极远离硅片的一侧依次形成液晶层和透明基板的过程包括：在透明电极上形成第一取向层，在透明基板上形成第二取向层，将透明基板形成有第二取向层的一面扣置在形成有第一取向层的透明电极上，以对盒形成用于放置液晶层的盒体，在该盒体中注入液晶，以形成液晶层。可选的，该透明基板可以由玻璃或石英材料制成。
步骤206、在LCOS液晶盒远离硅片的一侧贴附偏光片，在透明盖板远离硅片的一侧贴附偏光片。
贴附偏光片之后，显示面板制造完毕。如图14所示，以图14为一显示面板的结构示意图，该图14中，透明电极13上依次设置有第一取向层14，液晶层15，第二取向层16，透明基板17，并且在透明基板17远离硅片的一侧以及透明盖板11远离硅片的一侧贴附有偏光片18，其他结构可以参考图13。
请参考图15，图15中示出了如图14所示的显示面板中的一个子像素区域的等效控制电路图。假设该子像素区域中设置有两个N型MOS管和一个P型MOS管，该两个N型MOS管包括：用于控制液晶显示单元的NMOS1，以及驱动MOS管：NMOS2；该P型MOS管为用于控制OLED的PMOS；其中，NMOS2的栅极与扫描线连接，NMOS2的第一极分别与NMOS1和PMOS的栅极连接；NMOS2的第二极与信号线Vx连接；PMOS的第一极与信号线Vd连接，PMOS的第二极与OLED连接，NMOS1的第一极与信号线Vd连接，NMOS1的第二极与液晶显示单元连接，可选的，NMOS2的第一极与信号线Vd之间还可以设置存储电容Cst。其中，对于每个MOS管，第一极和第二极分别为源极和漏极中的一个，也即是第一极为源极，第二极为漏极；或者，第一极为漏极，第二极为源极。
当NMOS2在扫描线中信号的控制下开启后，其连接的信号线Vx中的信号写入，在该写入的信号的控制下，PMOS开启，将信号线Vd中的信号加载在OLED中，同时，NMOS1关闭，液晶显示单元停止工作；或者，在该写入的信号的控制下，PMOS关闭，OLED停止工作，同时，NMOS1开启，将信号线Vd中的信号加载在液晶显示单元中。如此，便可以实现NMOS1和PMOS的分时导通，相应的实现OLED和液晶显示单元的分时工作，也即两者不工作在同一时段。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法以硅片为衬底，在该硅片的一侧形成多个MOS管，在该多个MOS管的一侧形成多个OLED，在该多个OLED远离硅片的一侧设置透明盖板，可以以透明盖板为衬底，对硅片的另一侧进行减薄处理，在减薄处理后的硅片的另一侧形成包括多个液晶显示单元的LCOS液晶盒，其中，多个MOS管可以基于环境光亮度信息分时控制OLED和液晶显示单元的工作状态，保证显示面板在不同环境光下拥有良好的显示效果，同时节省了功耗。并且由于该显示面板经过了减薄处理，能够在保证显示效果的基础上实现面板薄形化。
本发明实施例提供一种显示面板，可以解决目前的OLED显示面板在高亮环境中显示效果较差的问题，如图16所示，该显示面板包括：
硅片1。
在硅片的一侧依次设置的多个MOS管01，多个OLED02以及透明盖板11。
在硅片的另一侧设置的液晶附硅LCOS液晶盒，LCOS液晶盒包括多个液晶显示单元03。
其中，多个MOS管包括用于控制OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制液晶显示单元的工作状态的第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管分时导通。
需要说明的是，为了便于观看，图16绘制的是显示面板中的一个子像素的部分结构。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板，该显示面板中硅片的一侧依次设置有多个MOS管，多个OLED以及透明盖板，另一侧设置有液晶附硅LCOS液晶盒，其中，多个MOS管可以基于环境光亮度信息分时控制OLED和液晶显示单元的工作状态，保证显示面板在不同亮度的环境光下拥有良好的显示效果。
可选的，硅片的每个子像素区域上设置有三个有源层注入区域，三个有源层注入区域包括两个P肼区域和一个N肼区域，或者，三个有源层注入区域包括两个N肼区域和一个P肼区域；
在硅片上设置有有源层注入区域的一侧设置有栅绝缘层；
在栅绝缘层远离硅片的一侧设置有栅极图形，栅极图形包括多个栅极，每个栅极位于一个有源层注入区域内；
在硅片的每个子像素区域上设置有三个源漏极注入区域，每个源漏极注入区域包括位于一个栅极两侧的源极区域和漏极区域。
可选的，在栅极图形远离硅片的一侧设置有第一平坦层；
在第一平坦层远离硅片的一侧设置有透明导电图案，透明导电图案包括位于每个子像素区域中的相互绝缘的第一子图案和第二子图案，第一子图案通过三个过孔分别与第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极和驱动MOS管的第一极连接，第二子图案通过过孔与第二MOS管的第一极连接；
在导电图案远离硅片的一侧设置有第二平坦层；
在第二平坦层远离硅片的一侧设置有多个OLED，每个OLED通过过孔与第一MOS管的第二极连接，第一极和第二极分别为源极和漏极中的一个。
可选的，在硅片的另一侧设置透明电极，透明电极通过过孔与第二MOS管的第二极连接；
在透明电极远离硅片的一侧设置液晶层和透明基板，其中，透明电极的折射率小于液晶层的折射率。
可选的，每个子像素区域包括显示区域和非显示区域，非显示区域上设置有MOS管，
第二平坦层靠近硅片的一侧设置有多个凹槽；
多个凹槽填充有透光胶体；
在填充有透光胶体的凹槽远离硅片的一侧设置有透明电极。
可选的，显示面板具有多个子像素区域，每个子像素区域上设置有一个OLED、一个液晶显示单元、第一MOS管和第二MOS管，每个子像素区域上还设置有用于控制OLED的驱动MOS管，第一MOS管和第二MOS管分别为NMOS管和PMOS管中的一个，驱动MOS管为NMOS管和PMOS管中的一种。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的显示面板的具体结构，可以参考前述方法实施例中的对应结构，在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板以硅片为衬底，在该硅片的一侧形成多个MOS管和多个OLED，在该多个OLED远离硅片的一侧设置透明盖板，在硅片的另一侧形成包括多个液晶显示单元的LCOS液晶盒，其中，多个MOS管可以基于环境光亮度信息分时控制OLED和液晶显示单元的工作状态，保证显示面板在不同亮度的环境光下拥有良好的显示效果，同时节省了功耗。
本发明实施例提供一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例提供的任意一种显示面板，该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置还包括：
光源，该光源设置在LCOS液晶盒远离硅片的一侧。示例的，该光源为激光光源，该激光光源可以在LCOS液晶盒工作时为其提供红绿蓝三色激光，该三色激光包括，红色激光、绿色激光和蓝色激光，LCOS液晶盒中的液晶显示单元通过对入射光源的反射实现显示面板的高亮度显示，保证显示面板在高亮环境中正常显示。
综上所述，本发明实施例提供的显示装置中，显示面板以硅片为衬底，在该硅片的一侧形成多个MOS管和多个OLED，在该多个OLED远离硅片的一侧设置透明盖板，在硅片的另一侧形成包括多个液晶显示单元的LCOS液晶盒，其中，多个MOS管可以基于环境光亮度信息分时控制OLED和液晶显示单元的工作状态，保证显示面板在不同环境光下拥有良好的显示效果，同时节省了功耗。
本发明实施例提供一种显示控制方法，该显示控制方法应用于上述显示装置中，如图17所示，该方法包括：
步骤301、在接收到指示第一显示模式的显示指令时，控制显示装置中的多个OLED工作，LCOS液晶盒停止工作。
步骤302、在接收到指示第二显示模式的显示指令时，控制显示装置中的多个OLED停止工作，LCOS液晶盒工作。
其中，第一显示模式和第二显示模式是基于显示装置所在环境的环境光亮度确定的，第一显示模式所对应的环境光亮度大于第二显示模式所对应的环境光亮度。第一显示模式指的是多个OLED停止工作，LCOS液晶盒工作的模式；第二显示模式指的是多个OLED停止工作，LCOS液晶盒工作的模式。
进一步的，上述方法可以由显示装置的控制器执行。在本发明实施例中，上述显示控制方法可以由显示装置自动执行，也可以是由用户触发执行，本发明实施例以以下两种方式为例进行说明：
第一种方式，显示装置自动执行显示控制方法。
示例的，该显示装置可以包括光传感器，该光传感器用于采集显示装置所在周围环境的环境光亮度，当光传感器采集的环境光亮度小于预设的亮度阈值时，生成指示第一显示模式的显示指令，基于该显示指令，控制显示装置中的多个OLED工作，LCOS液晶盒停止工作；当光传感器采集的环境光亮度不小于该亮度阈值时，生成指示第二显示模式的显示指令，基于该显示指令，控制显示装置中的多个OLED停止工作，LCOS液晶盒工作。示例的，上述亮度阈值为5000cd/m2。
第二种方式，用户触发显示装置执行显示控制方法。
示例的，显示装置可以设置有外部控制组件，如控制按钮、按键或者触控屏等，用户通过控制该外部控制组件来控制显示装置的显示模式。例如，外部控制组件为控制按钮，该控制按钮用于控制显示模式的切换，当用户观察到环境光亮度较高，且多个OLED工作，LCOS液晶盒停止工作时，用户可以触发该控制按钮，相应的显示装置接收到指示第二显示模式的显示指令，控制显示装置中的多个OLED停止工作，LCOS液晶盒工作；当用户观察到环境光亮度较低，且多个OLED停止工作，LCOS液晶盒工作时，用户可以触发该控制按钮，相应的显示装置接收到指示第一显示模式的显示指令，控制显示装置中的多个OLED工作，LCOS液晶盒停止工作。
例如，假设显示装置自动执行显示控制方法，亮度阈值为2000cd/m2，当前环境光亮度小于2000cd/m2时，如环境光亮度为3000cd/m2，显示装置控制多个OLED停止工作，LCOS液晶盒工作，请参见图18，此时光源L发出光线L1，透明电极13反射该光线L1，在液晶层的配合下，显示面板通过LCOS液晶盒实现图像显示。假设1分钟后，光传感器检测到环境光亮度降为1200cd/m2，显示装置控制多个OLED工作，LCOS液晶盒停止工作，请参见图19，此时多个OLED发出光线M，显示面板通过多个OLED实现图像显示。其中，图18和图19的标号的解释可以参考上述图14。
综上所述，本发明实施例提供的显示控制方法可以对显示装置的显示模式进行切换，可以保证显示装置在不同环境光亮度下采用不同的显示模式显示，同时节省了功耗。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
以硅片为衬底，在所述硅片的一侧形成多个MOS管；
在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED；
在所述多个OLED远离所述硅片的一侧设置透明盖板；
以所述透明盖板为衬底，对所述硅片的另一侧进行减薄处理；
以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成液晶附硅LCOS液晶盒，所述LCOS液晶盒包括用于发射光线的前置光源和多个液晶显示单元，形成的显示面板的出光面为所述LCOS液晶盒所在侧；
其中，所述多个MOS管包括用于控制所述OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制所述液晶显示单元的工作状态的第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分时导通；
所述以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成液晶附硅LCOS液晶盒，包括：
以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成透明电极，所述透明电极通过过孔与所述第二MOS管的第二极连接，所述第二极为所述第二MOS管的源极或漏极；
在所述透明电极远离所述硅片的一侧形成液晶层和透明基板，其中，所述透明电极的折射率小于所述液晶层的折射率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述显示面板具有多个子像素区域，每个所述子像素区域上设置有一个所述OLED、一个所述液晶显示单元、所述第一MOS管和所述第二MOS管，每个所述子像素区域上还设置有用于控制所述OLED的驱动MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分别为NMOS管和PMOS管中的一个，所述驱动MOS管为NMOS管和PMOS管中的一种。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述以硅片为衬底，在所述硅片的一侧形成多个MOS管，包括：
通过两次离子注入工艺，在所述硅片的每个所述子像素区域上形成三个有源层注入区域，所述三个有源层注入区域包括两个P肼区域和一个N肼区域，或者，所述三个有源层注入区域包括两个N肼区域和一个P肼区域；
在所述硅片上形成有有源层注入区域的一侧形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层远离所述硅片的一侧形成栅极图形，所述栅极图形包括多个栅极，每个栅极位于一个有源层注入区域内；
通过两次离子注入工艺，在所述硅片的每个所述子像素区域上形成三个源漏极注入区域，每个源漏极注入区域包括位于一个栅极两侧的源极区域和漏极区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED之前，所述方法还包括：
在所述栅极图形远离所述硅片的一侧形成第一平坦层；
在所述第一平坦层远离所述硅片的一侧形成透明导电图案，所述透明导电图案包括位于每个所述子像素区域中的相互绝缘的第一子图案和第二子图案，所述第一子图案通过三个过孔分别与所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极和所述驱动MOS管的第一极连接，所述第二子图案通过过孔与所述第二MOS管的第一极连接；
在所述导电图案远离所述硅片的一侧形成第二平坦层；
所述在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED，包括：
在所述第二平坦层远离所述硅片的一侧形成所述多个OLED，每个所述OLED通过过孔与所述第一MOS管的第二极连接，所述第一极和所述第二极分别为源极和漏极中的一个。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，每个所述子像素区域包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域上设置有MOS管，
所述以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成透明电极，包括：
去除所述第二平坦层靠近所述硅片的一侧显示区域上的所有膜层，使得所述第二平坦层靠近所述硅片的一侧形成多个凹槽，所述所有膜层包括减薄处理后的所述硅片；
采用透光胶体填充所述多个凹槽；
以所述透明盖板为衬底，在进行凹槽填充后的所述硅片的另一侧形成所述透明电极。
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，
所述减薄处理包括：依次执行的研磨处理、抛光处理和刻蚀处理。
7.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述LCOS液晶盒远离硅片的一侧贴附偏光片，并在所述透明盖板远离所述硅片的一侧贴附偏光片。
8.一种显示面板，其特征在于，由权利要求1至7任一所述的显示面板的制造方法制成，包括：
硅片；
在所述硅片的一侧依次设置的多个MOS管，多个OLED以及透明盖板；
在所述硅片的另一侧设置的液晶附硅LCOS液晶盒，所述LCOS液晶盒包括多个液晶显示单元；
其中，所述多个MOS管包括用于控制所述OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制所述液晶显示单元的工作状态的第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分时导通。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的显示面板，所述显示装置还包括：
光源，所述光源设置在所述LCOS液晶盒远离所述硅片的一侧。
10.一种显示控制方法，其特征在于，应用于如权利要求8所述的显示面板中，包括：
在接收到指示第一显示模式的显示指令时，控制显示装置中的多个OLED工作，LCOS液晶盒停止工作；
在接收到指示第二显示模式的显示指令时，控制显示装置中的多个OLED停止工作，LCOS液晶盒工作；
所述第一显示模式和所述第二显示模式是基于所述显示装置所在环境的环境光亮度确定的，所述第一显示模式所对应的环境光亮度大于所述第二显示模式所对应的环境光亮度。
CN201810878142.6A 2018-08-03 2018-08-03 显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法 Active CN108962967B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810878142.6A CN108962967B (zh) 2018-08-03 2018-08-03 显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法
US16/522,736 US11244990B2 (en) 2018-08-03 2019-07-26 Display control circuit and driving method thereof, display panel and manufacturing and controlling methods thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810878142.6A CN108962967B (zh) 2018-08-03 2018-08-03 显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108962967A CN108962967A (zh) 2018-12-07
CN108962967B true CN108962967B (zh) 2020-06-30

Family

ID=64467234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810878142.6A Active CN108962967B (zh) 2018-08-03 2018-08-03 显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11244990B2 (zh)
CN (1) CN108962967B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110828379A (zh) * 2019-10-15 2020-02-21 深圳大学 一种薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管及显示面板
CN111029397A (zh) * 2019-12-27 2020-04-17 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基oled微显示器件及其制备方法
WO2021225139A1 (ja) * 2020-05-08 2021-11-11 ソニーグループ株式会社 表示装置および電子機器
EP4131411A4 (en) * 2021-03-11 2023-08-16 BOE Technology Group Co., Ltd. ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL THEREFORE, AND DISPLAY DEVICE

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105093763A (zh) * 2015-08-19 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置
CN106324877A (zh) * 2016-10-20 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板制作方法及驱动方法、显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040218133A1 (en) * 2003-04-30 2004-11-04 Park Jong-Wan Flexible electro-optical apparatus and method for manufacturing the same
KR102494418B1 (ko) * 2015-04-13 2023-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 패널, 데이터 처리 장치, 및 표시 패널의 제조방법
KR20170031620A (ko) * 2015-09-11 2017-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105093763A (zh) * 2015-08-19 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置
CN106324877A (zh) * 2016-10-20 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板制作方法及驱动方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11244990B2 (en) 2022-02-08
US20200043963A1 (en) 2020-02-06
CN108962967A (zh) 2018-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11152443B2 (en) Display panel having a storage capacitor and method of fabricating same
CN108257972B (zh) 显示装置
US11322564B2 (en) Display device
CN108877653B (zh) 像素电路、显示装置及其制造方法
CN108962967B (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法
CN111584599B (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN108231830B (zh) 有机发光显示装置
US10671200B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20200127231A1 (en) Display device
CN109378326B (zh) 显示面板及其制作方法
US20170010734A1 (en) Pixel Structure, Transparent Touch Display Screen and Manufacturing Method Thereof, and Display Device
US10403696B2 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
KR20030058150A (ko) 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
US20220102461A1 (en) Display device, display panel and method of manufacturing display panel
KR20140135355A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20190198590A1 (en) Light-emitting display device and method of manufacturing the same
US11877482B2 (en) Display substrate and method for manufacturing the same, driving method and display device
KR20100125502A (ko) 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
JP2023501023A (ja) 表示基板及びその製造方法、表示装置
CN112703615B (zh) 显示基板及其制作方法
US9231041B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
KR20100137272A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
CN110767722B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN110148618B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US20230217680A1 (en) Light emitting display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant