JP2017076125A - 表示パネル、入出力装置、情報処理装置および表示パネルの作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の中間膜、第1の中間膜と接する領域を具備する第1の電極、第1の電極を具備する第1の表示素子および第1の表示素子と電気的に接続される画素回路を備える画素と、画素と電気的に接続される信号線と、信号線と電気的に接続される第3の導電膜および第3の導電膜と接する領域を具備する第2の中間膜を備える端子と、を有する構成に想到した。
【選択図】図2
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図1乃至図5を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する表示パネル700は、信号線S1(j)と、画素702(i,j)と、端子519Bと、を有する(図1(A)および図1(B−1)参照)。
本発明の一態様の表示パネルは、基板570、基板770、構造体KB1、封止材705または接合層505を有する。
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板570等に用いることができる。例えば、厚さ0.7mm以下厚さ0.1mm以上の材料を基板570に用いることができる。具体的には厚さ0.7mmの無アルカリガラスを用いることができる。または、厚さ0.1mm程度まで研磨した無アルカリガラスを用いることができる。
例えば、透光性を備える材料を基板770に用いることができる。具体的には、基板570に用いることができる材料から選択された材料を基板770に用いることができる。
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体KB1等に用いることができる。これにより、構造体KB1等を挟む構成の間に所定の間隔を設けることができる。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材705等に用いることができる。
例えば、封止材705に用いることができる材料を接合層505に用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜521等に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜528等に用いることができる。具体的には、厚さ1μmのポリイミドを含む膜を絶縁膜528に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜501Aに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜501Aに用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜501Cに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜501Cに用いることができる。これにより、画素回路または第2の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
例えば、10nm以上500nm以下、好ましくは10nm以上100nm以下の厚さを有する膜を、中間膜754A、中間膜754Bまたは中間膜754Cに用いることができる。なお、本明細書において、中間膜754A、中間膜754Bまたは中間膜754Cを中間膜という。
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線S1(j)、信号線S2(j)、走査線G1(i)、走査線G2(i)、配線CSCOM、配線ANO、端子519B、端子519C、端子719、導電膜511Bまたは導電膜511C等に用いることができる。
例えば、配線等に用いることができる材料を第1の導電膜または第2の導電膜に用いることができる。
画素回路530(i,j)は、信号線S1(j)、信号線S2(j)、走査線G1(i)、走査線G2(i)、配線CSCOMおよび配線ANOと電気的に接続される(図4参照)。
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをスイッチSW1、スイッチSW2、トランジスタM、トランジスタMD等に用いることができる。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第1の表示素子750(i,j)等に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のMEMS表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。例えば、反射型の液晶表示素子を第1の表示素子750(i,j)に用いることができる。
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層753に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
例えば、配線等に用いる材料を第1の電極751(i,j)に用いることができる。具体的には、反射膜を第1の電極751(i,j)に用いることができる。例えば、透光性を備える導電材料と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第1の電極751(i,j)に用いることができる。
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
非開口部の総面積に対する開口部751Hの総面積の比の値が大きすぎると、第1の表示素子750(i,j)を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口部751Hの総面積の比の値が小さすぎると、第2の表示素子550(i,j)を用いた表示が暗くなってしまう。
例えば、可視光について透光性を有し且つ導電性を備える材料を、第2の電極752に用いることができる。
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜AF1または配向膜AF2に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
所定の色の光を透過する材料を着色膜CF1または着色膜CF2に用いることができる。これにより、着色膜CF1または着色膜CF2を例えばカラーフィルターに用いることができる。なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜CF2に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜CF2に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。
光の透過を妨げる材料を遮光膜BMに用いることができる。これにより、遮光膜BMを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜771に用いることができる。
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜770Pまたは機能膜770Dに用いることができる。
例えば、発光素子を第2の表示素子550(i,j)に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、第2の表示素子550(i,j)に用いることができる。
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路GDに用いることができる。例えば、トランジスタMD、容量素子等を駆動回路GDに用いることができる。具体的には、トランジスタMと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
例えば、集積回路を駆動回路SDに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路SDに用いることができる。
酸化物半導体膜の抵抗率を制御する方法について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図6乃至図9を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する入出力装置700TPAは、表示パネルと、入力部と、を有する(図7(A)および図8(A)参照)。例えば、実施の形態1で説明する表示パネルを、入出力装置に用いることができる。
本実施の形態で説明する入出力装置は、実施の形態1で説明する表示パネルと、基板710と、機能層720と、を有する(図7(A)および図8(A)参照)。
例えば、透光性を備える材料を基板710に用いることができる。具体的には、基板570に用いることができる材料から選択された材料を基板710に用いることができる。
例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する素子を、検知素子775(g,h)に用いることができる。
例えば、可視光について透光性を有し且つ導電性を備える材料を、制御線CL(g)、第1の電極C(g)、信号線ML(h)、第2の電極M(h)または導電膜BR(g,h)に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜706に用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む膜を絶縁膜706に用いることができる。
例えば、配線等に用いることができる材料を端子719に用いることができる。なお、例えば、導電材料ACF2を用いて、端子719とフレキシブルプリント基板FPC2を電気的に接続することができる。
例えば、封止材705に用いることができる材料を接合層709に用いることができる。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図10乃至図12を参照しながら説明する。
例えば、配線等に用いることができる材料を導電膜511Dに用いることができる。
例えば、配線等に用いることができる材料を端子519Dに用いることができる。具体的には、端子519Bまたは端子519Cと同じ構成を端子519Dに用いることができる。
スイッチSW1Bに用いることができるトランジスタ、トランジスタMBおよびトランジスタMDBは、絶縁膜501Cと重なる領域を備える導電膜504と、絶縁膜501Cおよび導電膜504の間に配設される領域を備える半導体膜508と、を備える。なお、導電膜504はゲート電極の機能を備える(図11(B)参照)。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図32および図33を参照しながら説明する。
例えば、配線等に用いることができる材料を端子519Eに用いることができる。具体的には、端子519Bと同じ構成を端子519Eに用いることができる。なお、例えば、導電材料ACF3を用いて、端子519Eを駆動回路SDと電気的に接続することができる。また、端子519Bを駆動回路SDと電気的に接続することができる。
例えば、第1の電極751(i,j)と同一の工程で形成することができる導電膜を、第2の電極752Cに用いることができる。これにより、例えばIPS(In−Plane−Switching)モードで駆動することができる液晶素子を第1の表示素子750(i,j)に用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに用いることができるトランジスタの構成について、図13を参照しながら説明する。
図13(A)は、トランジスタ100の上面図であり、図13(C)は、図13(A)に示す切断線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図13(D)は、図13(A)に示す切断線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。なお、図13(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ100の構成要素の一部(ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等)を省略して図示している。また、切断線X1−X2方向をチャネル長方向、切断線Y1−Y2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図13(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
基板102の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板102として用いてもよい。
ゲート電極として機能する導電膜104、及びソース電極として機能する導電膜112a、及びドレイン電極として機能する導電膜112bとしては、クロム(Cr)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)から選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
トランジスタ100のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜106、107としては、プラズマ化学気相堆積(PECVD:(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition))法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁膜を、それぞれ用いることができる。なお、絶縁膜106、107の積層構造とせずに、上述の材料から選択された単層の絶縁膜、または3層以上の絶縁膜を用いてもよい。
酸化物半導体膜108としては、先に示す材料を用いることができる。
絶縁膜114、116は、酸化物半導体膜108に酸素を供給する機能を有する。また、絶縁膜118は、トランジスタ100の保護絶縁膜としての機能を有する。また、絶縁膜114、116は、酸素を有する。また、絶縁膜114は、酸素を透過することのできる絶縁膜である。なお、絶縁膜114は、後に形成する絶縁膜116を形成する際の、酸化物半導体膜108へのダメージ緩和膜としても機能する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに用いることができるトランジスタの構成について、図14を参照しながら説明する。
図14(A)は、トランジスタ100の上面図であり、図14(B)は、図14(A)に示す切断線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図14(C)は、図14(A)に示す切断線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。なお、図14(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ100の構成要素の一部(ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等)を省略して図示している。また、切断線X1−X2方向をチャネル長方向、切断線Y1−Y2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図14(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
次に、酸化物導電体について説明する。導電膜120a、120bを形成する工程において、導電膜120a、120bは、絶縁膜114、116から酸素の放出を抑制する保護膜として機能する。また、導電膜120a、120bは、絶縁膜118を形成する工程の前においては、半導体としての機能を有し、絶縁膜118を形成する工程の後においては、導電膜120a、120bは、導電体としての機能を有する。
以下に、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。
酸化物半導体膜108としては、先に示す材料を用いることができる。
絶縁膜114、116は、トランジスタ100の第2のゲート絶縁膜として機能する。また、絶縁膜114、116は、酸化物半導体膜108に酸素を供給する機能を有する。すなわち、絶縁膜114、116は、酸素を有する。また、絶縁膜114は、酸素を透過することのできる絶縁膜である。なお、絶縁膜114は、後に形成する絶縁膜116を形成する際の、酸化物半導体膜108へのダメージ緩和膜としても機能する。
先に記載の酸化物半導体膜108と同様の材料を、導電膜として機能する導電膜120a、及び第2のゲート電極として機能する導電膜120bに用いることができる。
絶縁膜118は、トランジスタ100の保護絶縁膜として機能する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの作製方法について、図15乃至図23を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する表示パネルの作製方法は、以下の12のステップを有する。
第1のステップにおいて、工程用基板と重なる領域を有する第1の中間膜754Aおよび第2の中間膜754Bを形成する(図15(U1)、図16(A)および図17(A)参照)。また、中間膜754Cを形成する。
第2のステップにおいて、第1の中間膜754Aおよび第2の中間膜754Bを覆う絶縁膜501Aを成膜する(図15(U2)、図16(A)および図17(A)参照)。また、絶縁膜501Aは中間膜754Cを覆う。なお、後のステップで基板510から分離することができる材料を絶縁膜501Aに用いることができる。
第3のステップにおいて、絶縁膜501Aを加熱する(図15(U3)参照)。例えば、絶縁膜501Aを450℃で1時間加熱する。
第4のステップにおいて、第1の開口部592Aおよび第2の開口部592Bを絶縁膜501Aに形成する(図15(U4)、図16(B)および図17(B)参照)。また、開口部592Cを形成する。
第5のステップにおいて、第1の中間膜754Aと重なる領域を備える第1の導電膜を形成する(図15(U5)、図16(B)および図17(B)参照)。なお、第1の電極751(i,j)を第1の導電膜に用いることができる。
第6のステップにおいて、絶縁膜501Cを形成する(図15(U6)および図16(C)参照)。
第7のステップにおいて、第1の導電膜と重なる領域の絶縁膜501Cに開口部591Aを形成し、第2の中間膜754Bと重なる領域の絶縁膜501Cに開口部591Bを形成し、開口部591Aと重なる第2の導電膜、第3の導電膜511Bおよび画素回路530(i,j)を形成する(図15(U7)、図18(A)および図19(A)参照)。また、導電膜511Cを形成する。
第8のステップにおいて、画素回路530(i,j)と電気的に接続される第2の表示素子550(i,j)を形成する(図15(U8)、図18(C)および図19(C)参照)。
第9のステップにおいて、工程用基板との間に第2の表示素子550(i,j)を挟む第2の基板570を積層する(図15(U9)、図20(A)および図21(A)参照)。
第10のステップにおいて、工程用基板から分離する(図15(U10)、図20(B)および図21(B)参照)。
第11のステップにおいて、第1の導電膜との間に第1の中間膜754Aを挟む配向膜AF1を形成する(図15(U11)、図20(B)および図21(B)参照)。
第12のステップにおいて、第1の導電膜との間に配向膜AF1を挟む基板770を積層する(図15(U12)、図22および図23参照)。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図24乃至図26を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する情報処理装置200は、入出力装置220と、演算装置210と、を有する(図24(A)参照)。
本発明の一態様は、演算装置210または入出力装置220を備える。
演算装置210は、演算部211および記憶部212を備える。また、伝送路214および入出力インターフェース215を備える(図24(A)参照)。
演算部211は、例えばプログラムを実行する機能を備える。例えば、実施の形態7で説明するCPUを用いることができる。これにより、消費電力を十分に低減することができる。
記憶部212は、例えば演算部211が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
入出力インターフェース215は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路214と電気的に接続することができる。また、入出力装置220と電気的に接続することができる。
入出力装置220は、表示部230、入力部240、検知部250または通信部290を備える。例えば、実施の形態2で説明する入出力装置を用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。
表示部230は、表示領域231と、駆動回路GDと、駆動回路SDと、を有する(図25(A)参照)。
駆動回路GDは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
駆動回路SDは、画像情報V1に基づいて画像信号を供給する機能を有する。
画素232(i,j)は、第1の表示素子235LCおよび第1の表示素子235LCと重なる第2の表示素子235ELを備える。また、第1の表示素子235LCおよび第2の表示素子235ELを駆動する画素回路を備える(図25(C)参照)。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第1の表示素子235LCに用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のMEMS表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第1の表示素子235LCに用いることができる。
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第2の表示素子235ELに用いることができる。具体的には、有機EL素子を用いることができる。
第1の表示素子235LCまたは第2の表示素子235ELを駆動する機能を備える回路を画素回路に用いることができる。
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部240に用いることができる(図24(A)参照)。
検知部250は、周囲の状態を検知して情報P2を供給する機能を備える。具体的には、圧力情報等を供給できる。
通信部290は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
図26を参照しながら、本発明の一態様を、本発明の一態様のプログラムを用いて説明する。
第1のステップにおいて、設定を初期化する(図26(A)(S1)参照)。
第2のステップにおいて、割り込み処理を許可する(図26(A)(S2)参照)。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
第3のステップにおいて、第1のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードで画像情報を表示する(図26(A)(S3)参照)。なお、モードは画像情報を表示する方法を特定する。
具体的には、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第1のモードに用いることができる。
具体的には、30Hz未満、好ましくは1Hz未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第2のモードに用いることができる。
第4のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第5のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第3のステップに進むように選択する(図26(A)(S4)参照)。
第5のステップにおいて、終了する(図26(A)(S5)参照)。
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図26(B)参照)。
第6のステップにおいて、所定の期間に所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第8のステップに進む(図26(B)(S6)参照)。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、5秒以下、1秒以下または0.5秒以下好ましくは0.1秒以下であって0秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
第7のステップにおいて、モードを変更する(図26(B)(S7)参照)。具体的には、第1のモードを選択していた場合は、第2のモードを選択し、第2のモードを選択していた場合は、第1のモードを選択する。
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図26(B)(S8)参照)。
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。
本実施の形態では、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)、およびそれを含むCPUについて説明する。本実施の形態で説明するCPUは、例えば、実施の形態6で説明する情報処理装置に用いる事が出来る。
電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図27に示す。なお、図27(B)は図27(A)を回路図で表したものである。
以下で、上記の記憶装置を含むCPUについて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルを有する表示モジュール及び電子機器について、図30を用いて説明を行う。
端子519Bの導電膜と中間膜が接する領域の面積、端子519Cの導電膜と中間膜が接する領域の面積または端子519Dの導電膜と中間膜が接する領域の面積は、第1の電極751(i,j)と中間膜が接する領域の面積より大きい(表1参照)。
酸化物半導体を含む膜を中間膜に用いた(図31(B)参照)。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ50nmの膜を中間膜754Aおよび中間膜754Bに用いた。
エッチングストッパーとして機能する導電性の膜751(i,j)1と、可視光に対して反射性を備える導電性の膜751(i,j)2と、エッチングストッパーとして機能する導電性の膜751(i,j)3と、を積層した材料を第1の電極751(i,j)に用いた。具体的には、インジウム、スズ、シリコンおよび酸素を含む厚さ20nmの膜を膜751(i,j)1に用い、銀を含む厚さ100nmの膜を膜751(i,j)2に用い、インジウム、スズ、シリコンおよび酸素を含む厚さ100nmの膜を膜751(i,j)3に用いた。
スイッチSW1に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜と同一の工程で形成することができる導電膜を端子519B、端子519Cおよび端子519Dに用いた。具体的には、厚さ50nmのタングステン膜と、厚さ400nmのアルミニウム膜と、厚さ100nmのチタン膜をこの順で積層した材料を用いた。
作製工程中に、工程用基板から第1の電極751(i,j)が浮き上がることなく、第1の電極751(i,j)を良好に形成することができた。
ACF2 導電材料
AF1 配向膜
AF2 配向膜
BM 遮光膜
BR(g,h) 導電膜
C1 容量素子
C2 容量素子
CF1 着色膜
CF2 着色膜
DC 検知回路
OSC 発振回路
FPC1 フレキシブルプリント基板
FPC2 フレキシブルプリント基板
G1(i) 走査線
G2(i) 走査線
GD 駆動回路
GDA 駆動回路
GDB 駆動回路
SD 駆動回路
KB1 構造体
M1 ノード
M2 ノード
M トランジスタ
MB トランジスタ
MD トランジスタ
MDB トランジスタ
P1 位置情報
P2 情報
S1(j) 信号線
S2(j) 信号線
SW1 スイッチ
SW1B スイッチ
SW2 スイッチ
V1 画像情報
C(g) 第1の電極
CL(g) 制御線
M(h) 第2の電極
ML(h) 信号線
ANO 配線
CSCOM 配線
VCOM1 配線
VCOM2 配線
100 トランジスタ
102 基板
104 導電膜
106 絶縁膜
107 絶縁膜
108 酸化物半導体膜
108a 酸化物半導体膜
108b 酸化物半導体膜
108c 酸化物半導体膜
112a 導電膜
112b 導電膜
114 絶縁膜
116 絶縁膜
118 絶縁膜
120a 導電膜
120b 導電膜
200 情報処理装置
210 演算装置
211 演算部
212 記憶部
214 伝送路
215 入出力インターフェース
220 入出力装置
230 表示部
230B 表示部
231 表示領域
232 画素
235EL 表示素子
235LC 表示素子
240 入力部
250 検知部
290 通信部
501A 絶縁膜
501A1 膜
501A2 膜
501C 絶縁膜
504 導電膜
505 接合層
506 絶縁膜
508 半導体膜
508A 領域
508B 領域
508C 領域
510 基板
510W 剥離膜
511B 導電膜
511C 導電膜
511D 導電膜
512A 導電膜
512B 導電膜
516 絶縁膜
518 絶縁膜
519B 端子
519C 端子
519D 端子
520 機能層
521 絶縁膜
522 接続部
524 導電膜
528 絶縁膜
530 画素回路
550 表示素子
551 電極
552 電極
553 層
570 基板
591A 開口部
591B 開口部
591C 開口部
592A 開口部
592B 開口部
592C 開口部
700 表示パネル
700TPA 入出力装置
700TPB 入出力装置
702 画素
705 封止材
706 絶縁膜
709 接合層
710 基板
719 端子
720 機能層
750 表示素子
751(i,j) 電極
751(i,j)1 膜
751(i,j)2 膜
751(i,j)3 膜
751H 開口部
752 電極
753 層
754 中間膜
754A 中間膜
754B 中間膜
754C 中間膜
770 基板
770D 機能膜
770P 機能膜
771 絶縁膜
775 検知素子
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
7302 筐体
7304 表示パネル
7305 アイコン
7306 アイコン
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
Claims (14)
- 信号線と、画素と、端子と、を有し、
前記画素は、前記信号線と電気的に接続され、
前記画素は、画素回路と、第2の表示素子と、第2の導電膜と、第1の導電膜と、第1の絶縁膜と、第1の表示素子と、第1の中間膜と、を備え、
前記画素回路は、前記信号線と電気的に接続され、
前記第2の表示素子は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記第2の導電膜は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記第1の導電膜は、前記第2の導電膜と重なる領域を備え、
前記第1の絶縁膜は、前記第2の導電膜と前記第1の導電膜の間に挟まれる領域を備え、
前記第1の絶縁膜は、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜の間に挟まれる領域に開口部を備え、
前記第2の導電膜は、前記開口部において前記第1の導電膜と電気的に接続され、
前記第1の表示素子は、前記第1の導電膜と電気的に接続され、
前記第1の表示素子は、前記第1の導電膜と電気的に接続される第1の電極を備え、
前記第1の中間膜は、前記第1の絶縁膜との間に前記第1の導電膜を挟む領域を備え、
前記第1の中間膜は、前記第1の電極と接する領域を備え、
前記端子は、前記信号線と電気的に接続され、
前記端子は、第3の導電膜と、第2の中間膜と、を備え、
前記第3の導電膜は、前記信号線と電気的に接続され、
前記第2の中間膜は、前記第3の導電膜と接する領域を備え、
前記第2の中間膜は、前記第3の導電膜と接する領域に、前記第1の中間膜が第1の電極と接する領域の面積より大きい面積を備える、表示パネル。 - 前記第1の中間膜は、導電性酸化物または酸化物半導体を含み、
前記第2の中間膜は、導電性酸化物または酸化物半導体を含む、請求項1に記載の表示パネル。 - 前記第1の中間膜は、前記第1の電極と接する領域を備え、
前記領域は、400μm2以上1900μm2以下の面積を備える、請求項1または請求項2に記載の表示パネル。 - 前記第2の中間膜は、前記第3の導電膜と接する領域を備え、
前記領域は、0.02mm2以上の面積を備える、請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の表示パネル。 - 第2の絶縁膜を有し、
前記第2の絶縁膜は、第1の開口部および第2の開口部を備え、
前記第1の開口部は、前記第1の中間膜および前記第1の電極と重なる領域または前記第1の中間膜および前記第1の絶縁膜と重なる領域を備え、
前記第2の開口部は、前記第2の中間膜および前記第3の導電膜と重なる領域を備え、
前記第2の絶縁膜は、前記第1の開口部の周縁に沿って、前記第1の中間膜および前記第1の絶縁膜の間に挟まれる領域を備え、
前記第2の絶縁膜は、前記第2の開口部の周縁に沿って、前記第2の中間膜および前記第3の導電膜の間に挟まれる領域を備える、請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の表示パネル。 - 前記第1の中間膜は、前記第2の絶縁膜に埋め込まれた側端部を備え、
前記第2の中間膜は、前記第2の絶縁膜に埋め込まれた側端部を備える、請求項5のいずれか一に記載の表示パネル。 - 前記第2の表示素子が、前記第1の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において、前記第2の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される、請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の表示パネル。
- 前記第2の表示素子は、前記第1の表示素子が表示をする領域に囲まれた領域に表示をする機能を備える請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載の表示パネル。
- 前記第1の表示素子は、反射膜と、反射する光の強さを制御する機能と、を備え、
前記反射膜は入射する光を反射する機能を備え、
前記反射膜は、開口部を備え、
前記第2の表示素子は、前記開口部に向けて光を射出する機能を有する、請求項1乃至請求項8のいずれか一に記載の表示パネル。 - 一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、走査線と、を有し、
前記一群の複数の画素は、前記画素を含み、
前記一群の複数の画素は、行方向に配設され、
前記他の一群の複数の画素は、前記画素を含み、
前記他の一群の複数の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、
前記走査線は、前記行方向に配設される一群の複数の画素と電気的に接続され、
前記列方向に配設される他の一群の複数の画素は、前記信号線と電気的に接続され、
一の画素の行方向または列方向に隣接する他の画素は、前記一の画素に対する開口部の配置と異なるように配置された開口部を備える、請求項1乃至請求項9のいずれか一に記載の表示パネル。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一に記載の表示パネルと、
入力部と、を有し、
前記入力部は、前記表示パネルと重なる領域を備え、
前記入力部は、前記表示パネルと重なる領域に近接するものを検知する機能を備え、
前記入力部は、制御線と、信号線と、検知素子を備え、
前記制御線は、行方向に延在し、
前記信号線は、行方向と交差する列方向に延在し、
前記検知素子は、透光性を備え、
前記検知素子は、制御線と電気的に接続される第1の電極と、信号線と電気的に接続される第2の電極と、を備え、
前記第2の電極は、表示パネルと重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、前記第1の電極との間に形成するように配置される、入出力装置。 - 前記検知素子は、前記画素と重なる領域を備え、
前記第1の電極は、透光性の導電膜を備え、
前記第2の電極は、透光性の導電膜を備える請求項11に記載の入出力装置。 - キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項1乃至請求項10のいずれか一に記載の表示パネルと、を含む、情報処理装置。
- 第1のステップ乃至第12のステップを有し、
前記第1のステップにおいて、工程用基板と重なる領域を有する第1の中間膜および第2の中間膜を形成し、
前記第2のステップにおいて、前記第1の中間膜および第2の中間膜を覆う第2の絶縁膜を成膜し、
前記第3のステップにおいて、前記第2の絶縁膜を加熱し、
前記第4のステップにおいて、第1の開口部および第2の開口部を前記第2の絶縁膜に形成し、
前記第5のステップにおいて、前記第1の中間膜と重なる領域を備える第1の導電膜を形成し、
前記第6のステップにおいて、第1の絶縁膜を形成し、
前記第7のステップにおいて、前記第1の導電膜と重なる領域の前記第1の絶縁膜に一の開口部を形成し、前記第2の中間膜と重なる領域の前記第1の絶縁膜に他の開口部を形成し、前記一の開口部と重なる第2の導電膜、前記他の開口部と重なる第3の導電膜および画素回路を形成し、
前記第8のステップにおいて、前記画素回路と電気的に接続される第2の表示素子を形成し、
前記第9のステップにおいて、前記工程用基板との間に前記第2の表示素子を挟む第2の基板を積層し、
前記第10のステップにおいて、前記工程用基板から分離し、
前記第11のステップにおいて、第1の導電膜との間に前記第1の中間膜を挟む配向膜を形成し、
前記第12のステップにおいて、第1の導電膜との間に配向膜を挟む基板を積層する、表示パネルの作製方法。
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