JP2018004952A - 表示装置およびその作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】使用者に与える表示の印象を大幅に向上させる新しいディスプレイ方式を有する表示装置が望まれている。【解決手段】そこで、二次元画像データを変えることなく、第１の表示素子と第２の表示素子を利用することで色度を広げ、さらに照明領域の発光素子からの発光を反射部材で反射させ、その光を利用することで色度を大幅に広げる。照明領域の発光素子の光を表示部に照射することでバラツキのある反射光を意図的に生じさせる。【選択図】図１

Description

本発明は、物、方法、又は製造方法に関する。また、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。本発明の一態様は、表示装置、半導体装置、発光装置、液晶表示装置等に関する。

近年、表示装置としては、薄型化ができ、製造コスト、消費電力の点で有利な液晶表示装置が他のディスプレイ方式の表示装置（ＣＲＴ、プラズマテレビなど）に比べ普及している。また、液晶表示装置は、バックライトを使用する透過型が一般的に普及しているが、他のディスプレイ方式に比べ表示の鮮やかさや、視野角の問題があり、いろいろ改善するために日々開発が続けられている。

表示の鮮やかさに関してはバックライトにＬＥＤを用いる、またはカラーフィルターなどの光学フィルムの改良が進められている。また、視野角に関しては横電界方式の液晶素子を用いることで大幅に改善している。

また、有機ＥＬ素子を用いた表示装置も研究が盛んに行われている。

特許文献１には、枠部を利用することで二次元画像に強い立体感または奥行感を得ることのできる表示装置が開示されている。

また、画素の周りにダミー画素や、モニター素子を配置する表示装置の例が特許文献２に開示されている。

特開２０１５−１２７７９９ 特開２００４−１７０９４３

同じ映像データを用いても表示装置のディスプレイ方式が異なれば、解像度が同じであっても使用者から見える印象は異なる。表示を見比べ、印象が変わり、使用者が新鮮に感じる場合には、使用者は好みのディスプレイ方式の表示装置を選択する。

例えば液晶表示装置を所持している使用者は、液晶表示装置と有機ＥＬ装置を比較して何らかのメリットを感じれば、有機ＥＬ装置を購入する傾向がある。例えば、有機ＥＬ装置を所持している使用者は、目が疲れにくいと感じれば液晶表示装置を購入する傾向がある。

携帯情報端末は、販売されているディスプレイ方式が液晶表示装置と有機ＥＬ装置で二極化している状態である。また、表示装置の解像度も十分な高解像度を有しているため、使用者は所持している表示装置で十分と認識し、最新の携帯情報端末と比べても表示において差を感じられないと、使用者が表示品質を上げたいために買い替えたいという動機を失うと言える。このように、使用者に与える表示の印象を大幅に向上させる新しいディスプレイ方式を有する表示装置が望まれている。

従って、新しいディスプレイ方式を有する表示装置およびその作製方法を提供する。

反射電極を有する第１の表示素子と、反射電極の開口を介して発光する有機発光素子を有する第２の表示素子を有する表示領域の周縁に部材を配置し、さらに表示領域とは別に照明領域を設け、その照明領域からの発光を部材の鏡面または光学系で反射させ、その反射光を利用することで色度を大幅に広げる。

本明細書で開示する発明の構成の一つは、部材と、表示部と、を有し、表示部は、第１の有機発光素子と、反射電極を有する液晶素子とを有し、部材と重なる第２の有機発光素子と、部材は反射部材または光学系を有し、第２の有機発光素子からの発光は、部材の反射部材または光学系により、表示部の反射電極に照射させる表示装置である。

また、照明領域においては、反射電極を設けなくてもよいため、表示領域よりも大きい発光面積とすることができる。

従って、発光領域の異なる発光素子を第３の表示素子と呼ぶことができ、その構成は、第１の表示素子および第２の表示素子で構成される第１の表示領域と、第３の表示素子で構成される第２の表示領域と、第２の表示領域（照明領域）と重なる部材と、を有し、第１の表示領域には、反射電極を有する第１の表示素子と、反射電極の開口を通過させて発光させる第２の表示素子を有し、部材は反射部材または光学系を有し、第３の表示素子からの発光は、部材の反射部材または光学系によって光路が曲げられ、反射電極に照射される表示装置である。

上記構成において、第２の表示素子と第３の表示素子は同一基板上に形成できる。また、第２の表示素子と第３の表示素子は同じ工程で作製することができる。

また、上記各構成において、部材は、開口を有する枠状であってもよい。枠状とした場合には、表示領域の画像を使用者が視認する場合に、表示画像の立体感が得られる。枠状部材により二次元画像に強い立体感または奥行感を使用者に与え、且つ、第１の表示素子と第２の表示素子を利用することで色度を広げ、さらに枠状部材の反射面で複数の光源からの光を利用することで色度を大幅に広げる。従って、１台のカメラで配信されている一般のテレビ放送などの二次元画像データであっても、表示装置が使用者に与える表示の印象を大幅に向上することができる。

また、上記各構成において、表示部はアクティブマトリクス型のパネルであり、反射電極にはトランジスタと電気的に接続されている。

第２の表示領域は照明として機能することができ、白色発光素子を用いることもできる。

本明細書で開示する構成は、表示部と同じ工程で照明領域の発光素子を形成し、その発光素子を光源として用いて、不均一な発光状態とし、意図的に表示画面のムラを生じさせることが特徴の一つである。

複数の光源から部材の反射面を利用して表示部に光を放出することで、反射光のムラを局所的に生じさせて色度を増やし、使用者に与える表示の印象を大幅に向上させることができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

本発明の一態様を示す上面図及び断面図である。 本発明の一態様を示すパネル構成の模式図である。 本発明の一態様を示すパネル構成の模式図である。 本発明の一態様を示す表示装置の斜視図、断面図、パネル構成の上面図である。 実施の形態に係る、画素ユニットを説明する図。 実施の形態に係る、画素ユニットを説明する図。 実施の形態に係る、発明の技術思想を説明する図である。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の回路図。 実施の形態に係る、表示装置の回路図。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。

以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、表示モジュール６０として反射電極を有する第１の表示素子と、有機発光素子である第２の表示素子を有する例を示す。

図１（Ａ）は表示モジュール６０の上面図であり、図１（Ｂ）は断面模式図である。

表示モジュール６０は、基板６８上に素子層６７と、端子部７３と、シール部６５と、液晶層７５と、拡散板７１と、対向基板７２とを有している。

図１（Ｂ）では、図示していないが素子層６７は開口を有する反射電極と、該反射電極と電気的に接続するトランジスタと、反射電極の開口から発光する発光素子と、該発光素子に接続するトランジスタと、を少なくとも有している。

表示部１４は、液晶素子領域とＥＬ素子領域が重ねられた部分となっており、液晶素子領域と重なっていないＥＬ素子領域が照明領域となる。従って、ＥＬ素子領域の面積のほうが、液晶素子領域の面積よりも広い。

また、表示部１４を構成する画素ユニット３０の模式図を図２に示す。図２は基板６８上に形成される表示素子と発光素子の配置を示すブロック図とも呼べる。表示部１４は、マトリクス状に配置された複数の画素ユニット３０を有する。画素ユニット３０は、第１の画素３１ｐと、第２の画素３２ｐを有する。

図２では、第１の画素３１ｐ及び第２の画素３２ｐが、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色に対応する表示素子を有する場合の例を示している。

第１の画素３１ｐは、表示素子３１Ｒ、表示素子３１Ｇ、表示素子３１Ｂを有する。表示素子３１Ｒ、表示素子３１Ｇ、及び表示素子３１Ｂは、それぞれ外光を反射して表示する素子である。表示素子３１Ｒは、外光を反射し、赤色の光Ｒｒを表示面側に射出する。表示素子３１Ｇ、表示素子３１Ｂも同様に、それぞれ緑色の光Ｇｒまたは青色の光Ｂｒを、表示面側に射出する。

第２の画素３２ｐは、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂを有する。表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、及び表示素子３２Ｂは、それぞれ発光素子である。表示素子３２Ｒは赤色の光Ｒｔを、表示面側に射出する。表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂも同様に、それぞれ緑色の光Ｇｔまたは青色の光Ｂｔを、表示面側に射出する。これにより、低消費電力で、且つ鮮やかな表示を行うことができる。また、まるで絵画を見ているかのように感じさせる画像を表示することが可能となる。

また、図２に示すように表示部１４に隣接して照明ユニット６９を有する照明領域が設けられる。照明ユニット６９は第３の画素３３ｐを有する。第３の画素３３ｐは、発光素子３３Ｒ、発光素子３３Ｇ、発光素子３３Ｂを有する。発光素子３３Ｒは赤色の光Ｒｔを、部材６６の反射面に射出する。発光素子３３Ｇ、発光素子３３Ｂも同様に、それぞれ緑色の光Ｇｔまたは青色の光Ｂｔを、部材６６の反射面に射出する。

ここでは、３色の発光素子を用いて照明ユニット６９を設ける例としたが、白色発光素子のみを用いてもよい。

また、図１（Ｂ）では、部材６６は、充填材７４で素子層６７と固定しているが、特に限定されない。例えば、部材６６は、表示モジュール６０を設置する筐体に固定してもよい。また、部材６６の下方には、発光素子が設けられ、照明領域として機能している。部材６６には、反射面が設けられており、照明領域の発光素子からの発光を反射させる。また、図１（Ｂ）では、部材６６の断面が、曲面となっているが特に限定されず、照明領域の発光素子からの発光を反射させる鏡面を有していればよい。

図１（Ｂ）では、部材６６を表示部の一辺と隣り合う位置に設けたが特に、限定されず、表示部の二辺以上に設けてもよい。表示部の四辺と隣り合う位置に設ける場合には部材６６は枠状部材と言える。

また、充填材７４は接着層を兼ねており、透光性を有する樹脂などを用いる。また、屈折率を調節する役目もあるため、光学系の一種とも言える。充填材７４を設けない場合には、照明領域の発光素子からの発光が空気を介して対向基板７２や拡散板７１や液晶層７５を通過するため、対向基板面で反射される恐れがある。充填材７４を設けることにより、効率よく照明領域の発光素子からの発光を反射電極に照射することができる。

複数の光源として機能する照明領域の発光素子から表示部１４に光を放出することで、反射光のムラを局所的に生じさせて色度を増やし、使用者に与える表示の印象を大幅に向上させることができる。

また、図１（Ｂ）では、拡散板７１を対向基板７２と液晶層７５との間に設ける例を示しているが特に限定されず、照明領域の発光素子から表示部１４に光を放出できるのであれば、対向基板７２に接して最表面となる位置に拡散板７１を配置する構成としてもよい。その場合、部材６６の位置を高い位置に設け、部材６６の反射面の位置を十分高くすることが好ましい。

（実施の形態２）
実施の形態１では、表示部の一辺に部材を設ける例を示したが、本実施の形態では二辺以上に部材を設ける例を示す。

図３（Ａ）は基板６８上に設けられる表示素子または発光素子の配置を示すブロック図であり、２つの照明ユニット６９の間に画素ユニット３０を有する表示部１４が配置されている例を示している。

また、図４（Ａ）、及び図４（Ｂ）に示す携帯情報端末は、着脱可能な枠状部材１３を有する一例である。携帯情報端末は、少なくとも表示部１４を有している。枠状部材１３と携帯情報端末の間には、互いにぶつかって傷などがつかないように、クッション性を有するウレタン系樹脂などを設けてもよい。

図４（Ａ）は携帯情報端末の斜視図であり、鎖線Ａ−Ｂで切断した断面が図４（Ｂ）に相当する。枠状部材１３は、カバー、アタッチメント、ホルダー、ケースなどと呼ぶこともできる。なお、実際には図４（Ｂ）には筐体が基板６８と枠状部材１３の間にあるが、簡略化のため図示していない。

図４（Ａ）では、枠状部材１３は、開口を有する箱のように携帯情報端末を収納できる構成を示しているが、表示モジュールの表示領域の周囲と開口の周囲が重なる枠を有している部材であれば、特に限定されない。

枠状部材１３は、反射部材４６を複数有しており、枠状部材１３に反射部材４６が固定されている。勿論、枠状部材１３と反射部材４６は一つの部材として形成することも可能である。

枠状部材１３は、反射部材４６を有しており、光源として機能する照明領域からそれぞれ光１８が放出され、反射光のムラを意図的に生じさせる。

図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す携帯情報端末は、５つの表示モードを有する。具体的には、反射液晶表示素子による第１の表示モード、有機発光素子による第２の表示モード、反射液晶表示素子と有機発光素子の両方による第３の表示モード、反射液晶表示素子と複数の光源を組み合わせた第４の表示モード、反射液晶表示素子と有機発光素子と、複数の光源を組み合わせた第５の表示モードがある。

また、上記第１乃至第５の表示モードにおいて、表示部に表示する画像に応じて枠状部材１３のサイズや設置位置を調整することで、意図しない立体感や奥行き感の強弱の変化を抑制する、又は意図して立体感や奥行き感の強弱を変化させることができる。

例えば、枠状部材１３と表示モジュールの間隔Ｌは、１ｍｍ以上、好ましくは１ｃｍ以上であると、使用者が、二次元画像に強い立体感や奥行き感を得られる。

また、図４（Ｃ）に表示モジュールの上面図を示す。図４（Ｃ）では、照明領域４９が表示部１４の二辺に設けられている。図４（Ｃ）においては、シール部６５と照明領域４９が重なっており、液晶層７５の一部と重なっているが、その部分は枠状部材１３と重なっており、表示領域とならないため、問題ない。本実施の形態では表示領域と照明領域の間隔を短くする例を示したが、十分間隔を開けて照明領域を設けてもよい。その場合には図４（Ｃ）に比べて基板６８の面積が少し広くなり、反射部材４６の反射面の角度も大きくする。

また、表示モジュールまたは枠状部材１３に光量を検出するセンサを設け、上記第１乃至第５の表示モードは、自動的に切り替えてもよい。

なお、携帯情報端末にタッチパネルを設け、タッチ入力ペン１７を用いて使用者が直接操作することで、上記第１乃至第５の表示モードの切り替えをおこなってもよい。

また、携帯情報端末が電話機能を有している場合、枠状部材１３が通話の邪魔にならないように、マイクと重なる部分やスピーカと重なる部分に開口を設ける。この開口は表示部と重なる開口に比べて小さい面積である。

また、図４（Ｂ）において、端子部７３を示しているが、簡略化のため、ＦＰＣは図示していない。

図３（Ａ）には、二辺に反射部材を設ける例を示したが特に限定されず、図３（Ｂ）に示すように、画素ユニット３０を有する表示部１４を囲むように照明ユニット６９を設け、照明ユニット６９上方に重なる反射部材及び枠状部材を設けてもよい。

［画素ユニットの構成例］
図５（Ａ）、図５（Ｂ）、及び図５（Ｃ）は、画素ユニット３０の構成例を示す模式図である。図５（Ａ）、図５（Ｂ）、及び図５（Ｃ）に示す画素ユニット３０は、第１の画素３１ｐと、第２の画素３２ｐを有する。

第１の画素３１ｐは、表示素子３１Ｒ、表示素子３１Ｇ、表示素子３１Ｂを有する。表示素子３１Ｒ、表示素子３１Ｇ、及び表示素子３１Ｂは、それぞれ外光を反射して表示する素子である。表示素子３１Ｒは、外光を反射し、赤色の光Ｒｒを表示面側に射出する。表示素子３１Ｇ、表示素子３１Ｂも同様に、それぞれ緑色の光Ｇｒまたは青色の光Ｂｒを、表示面側に射出する。

第２の画素３２ｐは、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂを有する。表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、及び表示素子３２Ｂは、それぞれ発光素子である。表示素子３２Ｒは赤色の光Ｒｔを、表示面側に射出する。表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂも同様に、それぞれ緑色の光Ｇｔまたは青色の光Ｂｔを、表示面側に射出する。これにより、低消費電力で、且つ鮮やかな表示を行うことができる。また、まるで絵画を見ているかのように感じさせる画像を表示することが可能となる。

図５（Ａ）は、第１の画素３１ｐと第２の画素３２ｐの両方を駆動させることで表示を行うモード（第３の表示モード）に対応する。画素ユニット３０は、光Ｒｒ、光Ｇｒ、光Ｂｒ、光Ｒｔ、光Ｇｔ、及び光Ｂｔの６つの光を混色させることにより、反射光と透過光とが混在した所定の色の光３５ｔｒを表示面側に射出することができる。

このとき、光３５ｔｒが所定の輝度及び色度の光となるような、光Ｒｒ、光Ｇｒ、光Ｂｒ、光Ｒｔ、光Ｇｔ、及び光Ｂｔの６つの光それぞれの輝度の組み合わせは、多数存在する。そこで、本発明の一態様は、同じ輝度及び色度の光３５ｔｒを実現する６つの光それぞれの輝度（階調）の組み合わせのうち、第１の画素３１ｐから射出される光Ｒｒ、光Ｇｒ及び光Ｂｒの輝度（階調）が最も大きくなる組み合わせを選択することが好ましい。これにより、色再現性を犠牲にすることなく、消費電力を低減することができる。

図５（Ｂ）は、第１の画素３１ｐを駆動させることにより、反射光のみを用いて表示を行うモード（第１の表示モード）に対応する。画素ユニット３０は、例えば外光の照度が十分に高い場合などでは、第２の画素３２ｐを駆動させずに、第１の画素３１ｐからの光（光Ｒｒ、光Ｇｒ、及び光Ｂｒ）のみを混色させることにより、反射光を組み合わせた所定の色の光３５ｒを表示面側に射出することができる。これにより、極めて低消費電力な駆動を行うことができる。また、目に優しい表示を行うことができる。

図５（Ｃ）は、第２の画素３２ｐを駆動させることにより、発光（透過光）のみを用いて表示を行うモード（第２の表示モード）に対応する。画素ユニット３０は、例えば外光の照度が極めて小さい場合などでは、第１の画素３１ｐを駆動させずに、第２の画素３２ｐからの光（光Ｒｔ、光Ｇｔ、及び光Ｂｔ）のみを混色させることにより、所定の色の光３５ｔを表示面側に射出することができる。これにより鮮やかな表示を行うことができる。また外光の照度が小さい場合に輝度を低くすることで、使用者が感じる眩しさを抑えると共に消費電力を低減できる。

［変形例］
上記では、第１の画素３１ｐと第２の画素３２ｐとが、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色に対応した表示素子を有する例を示したが、これに限られない。以下では、上記とは異なる構成例を示す。

図６（Ａ）、図６（Ｂ）、及び図６（Ｃ）に、それぞれ画素ユニット３０の構成例を示す。なおここでは、第１の画素３１ｐと第２の画素３２ｐの両方を駆動させることで表示を行うモード（第３の表示モード）に対応した模式図を示しているが、上記と同様に、第１の画素３１ｐを駆動させることにより、反射光のみを用いて表示を行うモード（第１の表示モード）、及び第２の画素３２ｐを駆動させることにより、発光（透過光）のみを用いて表示を行うモード（第２の表示モード）でも表示を行うことができる。

図６（Ａ）は、第２の画素３２ｐが、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈する表示素子３２Ｗを有する例を示している。これにより、第２の画素３２ｐを用いた表示モード（第２の表示モード及び第３の表示モード）における消費電力を低減することができる。

図６（Ｂ）は、第２の画素３２ｐが、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂに加えて、黄色（Ｙ）を呈する表示素子３２Ｙを有する例を示している。これにより、第２の画素３２ｐを用いた表示モード（第２のモード及び第３のモード）における消費電力を低減することができる。

図６（Ｃ）は、第１の画素３１ｐが、表示素子３１Ｒ、表示素子３１Ｇ、表示素子３１Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈する表示素子３１Ｗを有する例を示している。さらに図６（Ｃ）は、第２の画素３２ｐが、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈する表示素子３２Ｗを有する例を示している。これにより、第１の画素３１ｐを用いた表示モード（第１の表示モード及び第３の表示モード）、及び第２の画素３２ｐを用いた表示モード（第２の表示モード及び第３の表示モード）における消費電力を低減することができる。

以上が表示ユニットの構成例についての説明である。

また、本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態３）
図７（Ａ）は、本発明の一態様の表示部１４を有する表示モジュール２０の使用時における、使用者および表示モジュール２０の位置関係を表している。本実施の形態では表示モジュール２０に最適な光拡散板について以下に説明する。

表示モジュール２０は第１の表示素子（図示しない）よりも上面側（視認側）に偏光板１６を有し、偏光板１６の下に光拡散板１５Ａを有する。偏光板１６および光拡散板１５Ａは表示モジュール２０に含まれるが、図では説明のため、偏光板１６および光拡散板１５Ａを表示モジュール２０と分けて描出している。

ｅｙｅ_Ｌおよびｅｙｅ_Ｒは、それぞれ使用者の左目および右目を表している。２・θ_ｅｙｅは、使用者が表示モジュール２０を左目または右目から距離ｄ_ｄｉｓｐだけ離して使用している場合における、使用者が注目する点Ｐから左目および右目のそれぞれに延伸する２つの直線がなす角である。θ_ｅｙｅは、左目と右目の間隔ｄ_ｅｙｅおよびｄ_ｄｉｓｐによって以下の数式１で表すことができる。例えば、ｄ_ｅｙｅが６５ｍｍ、ｄ_ｄｉｓｐが３００ｍｍであれば、θ_ｅｙｅは約６．２°となる。

（数１）
θ_ｅｙｅ＝ｔａｎ^−１（ｄ_ｅｙｅ／ｄ_ｄｉｓｐ） （１）

θ_１Ａは、表示モジュール２０が第１の表示モードで表示する画像を真上から見た場合の輝度を基準として、斜めから見た場合にＸ％以上輝度が低下する限界角である。すなわち、垂直方向からθ_１Ａだけ傾斜した方向から第１の表示モードで表示する画像を見た場合、同じ画像を真上から見た場合よりも輝度がＸ％低下する。Ｘ％の輝度低下率は、使用者が輝度の低下を認識できる値であるとする。なお、ここでは表示モジュール２０は表示モジュール２０の表示面に入射する外光の角度依存性が低い環境（例えば、天井に複数の照明が設けられた広い室内、曇天下の屋外など）で使用される場合を想定している。

θ_２は、表示モジュール２０が第２の表示モードで表示する画像を真上から見た場合の輝度を基準として、斜めから見た場合にＸ％以上輝度が低下する限界角である。すなわち、垂直方向からθ_２だけ傾斜した方向から第２の表示モードで表示する画像を見た場合、同じ画像を真上から見た場合よりも輝度がＸ％低下する。

一般的に、反射電極を有する液晶素子を有するディスプレイでは、表示の視野角依存性を低くするために、反射電極に凹凸を形成する方法またはディスプレイ表面に光拡散板を設ける方法が用いられる。これらのうちいずれかの方法を用いてディスプレイに入射する外光がディスプレイの反射電極表面で鏡面反射する成分を減らすことで、ディスプレイの表示を斜めから見た場合でも高い輝度が得られるようにすることができる。

表示モジュール２０を上記の外光の角度依存性が低い環境で使用した場合、θ_１Ａはθ_２よりも小さい（図７（Ａ）参照）。このことは、使用者が注目する表示画像の位置を固定したまま目の位置が変化する際に目が視認する輝度または色度の変化が、第２の表示モードによる表示よりも第１の表示モードによる表示の方が大きいことを示す場合がある。

また、使用者が表示モジュール２０を使用する状況において、使用者の目と表示モジュール２０が表示する画像の相対位置は連続的に変化すると考えられる。例えば、使用時における使用者の頭部運動（無意識的な頭部の揺れや、首を意識的に左右に傾ける動作など）によって、目と画像の相対位置は変化する。また、表示モジュール２０を使用者が把持して使用する場合は、把持する手の振動や手首の回転によって、目と画像の相対位置は変化する。

そして、使用時における使用者の目と表示モジュール２０が表示する画像の位置関係は、図７（Ａ）に示すような理想的な位置関係ではない場合が多い。ここで理想的な位置関係とは、使用者および表示モジュール２０が、使用者が画像を注目する点Ｐを通る表示モジュール２０の表示面に対する垂線（図７（Ａ）に示す一点鎖線）が、左目ｅｙｅ_Ｒと右目ｅｙｅ_Ｌを結ぶ線分の中点を通る位置にある状態をいう。使用者の目と画像の位置関係が理想的でない場合が多いことは、使用時において、画像を真上から見た場合を基準とした輝度または色度の変化が、右目が見る場合と左目が見る場合とで異なることを示す。本明細書では、画像を真上から見た場合を基準とした輝度または色度の変化が、右目と左目とで異なることを疑似視差と呼ぶ。また、上記の輝度または色度の変化量の右目と左目の差を疑似視差量と呼ぶ。

以上のことから、使用者が表示モジュール２０の表示画像を見る場合、第１の表示モードによる表示と第２の表示モードによる表示とで疑似視差量が異なるといえる。具体的には、第１の表示モードによる表示における疑似視差量は、第２の表示モードによる表示における疑似視差量よりも大きい。

次いで、表示モジュール２０の第３の表示モードによる表示を考える。ここでは第３のモードによる表示は、同じ表示画像の第１の表示モードによる表示と第２の表示モードによる表示が混合したものである。よって、第３の表示モードによる表示画像の輝度（以下、第３の輝度とも表記する）は概ね、第１の表示素子による表示画像の輝度（以下、第１の輝度とも表記する）および第２の表示素子による表示画像の輝度（以下、第２の輝度とも表記する）を足した値となる。第３の輝度を、以下の各々の環境において使用者が違和感を抱かない輝度で表示モジュール２０を使用する場合を考える。

第３の表示モードは、外光の照度が十分高い晴天下の屋外などでは第１の輝度は第２の輝度よりも大きくなる（例えば、第１の輝度は５００ｃｄ／ｍ^２以上１５００ｃｄ／ｍ^２以下、第２の輝度は１０ｃｄ／ｍ^２以下）。一方で、外光の照度が低い夜間や暗い室内では、第１の輝度は第２の輝度よりもきわめて小さくなる（例えば、第１の輝度は１ｃｄ／ｍ^２以下、第２の輝度は１００ｃｄ／ｍ^２以上２００ｃｄ／ｍ^２以下）。照明が十分に点灯している室内などの外光の照度が適度に低い環境では、第１の輝度は第２の輝度より小さいが、上記の夜間や暗い室内における第１の輝度よりは大きい（例えば、第１の輝度は５ｃｄ／ｍ^２以上２０ｃｄ／ｍ^２以下、第２の輝度は１５０ｃｄ／ｍ^２以上３００ｃｄ／ｍ^２以下）。このような環境においては、第３の表示モードによる表示画像において第２の表示素子による表示が優勢であり、かつ第１の表示素子による表示も表示画像に寄与している。

第３の表示モードによる表示が、第２の表示素子による表示が優勢であり、かつ第１の表示素子による表示も表示画像に寄与している場合、使用者は第１のモードによる表示からプルフリッヒ効果を体験し、かつ自然で違和感の小さい表示画像を視認することができると考えられる。よって、表示モジュール２０は特に外光の照度が適度に低い環境において、キレのあるまたは絵画的な表示を行えると考えられる。ここでプルフリッヒ効果とは、人が同じ絵柄で輝度の高い映像を一方の目で、輝度の低い映像を他方の目で同時に視認する場合に、映像の認識に要する脳の処理速度が異なることに起因して立体感を得る現象をいう。

プルフリッヒ効果は、表示モジュール２０が備える光拡散板１５Ａが一方の面側（後方）の様々な角度から入射する外光を他方の面側のより前方に拡散させる性質を有することで得ることができると考えられる。光拡散板のこのような性質は、光拡散領域によって表現することができる。

光拡散領域とは、光拡散板を水平面に設置し、ある回転角θにおいて、入射光が最も拡散される傾斜角ψに点光源を固定した場合に得られる拡散光の角度領域である。具体的には、入射光を光拡散板の表面における照度が６５ルクスとなるように照射し、光拡散板によって拡散された光の強度が１００ｃｄ／ｍ^２以上となる、ある回転角θに対する拡散光の角度領域である。図７（Ｂ）は、光拡散板１５Ａまたは後述する光拡散板１５Ｂの下方から点光源による入射光Ｌ_Ｉを回転角θおよび傾斜角ψで照射した場合に得られる、回転角θに対応する拡散光Ｌ_Ｏの模式図である。光拡散領域は、図７（Ｂ）に示す傾斜角φ_ｍを最小値とし、傾斜角φ_Ｍを最大値とする。なお、φ_ｍおよびφ_Ｍは光拡散板に垂直な軸（Ｚ軸）を基準とした角度であり、−９０°以上９０°以下の値をとりうる。

光拡散板１５Ａの光拡散領域は、例えば、最小値（傾斜角φ_ｍ）が−２５°以上−５°以下、最大値（傾斜角φ_Ｍ）が５°以上２５°以下であり、φ_Ｍ−φ_ｍが２０°より大きいことが好ましい。

ここで、表示モジュール２０が奏するプルフリッヒ効果は、第３の表示モードによる表示における第１の表示素子による表示の疑似視差量を大きくすることで、増幅させることができると考えられる。また、使用者は表示モジュール２０の使用において上記の理想的な位置関係を維持はできないが、理想的な位置関係に近づける意図を持ちながら表示モジュール２０を使用すると考えられる。よって、光拡散板１５Ａに代えて図７（Ｃ）に示す光拡散板１５Ｂを用いることで、表示モジュール２０は、よりキレのあるまたは絵画的な表示を行えると考えられる。

図７（Ｃ）に示す表示モジュール２０は、第１の表示モードにおける表示画像の輝度が最も高くなる視認方向が、表示面の垂線から角度θ_ａだけ傾いている。θ_１Ｂは、表示モジュール２０が第１の表示モードで表示する画像を真上方向から角度θ_ａだけ傾いた向きから見た場合の輝度を基準として、斜めから見た場合にＸ％以上輝度が低下する限界角である。よって、θ_ａがθ_１Ｂより小さい場合において、真上方向を基準とした第１の表示モードによる表示の限界角は、最大値がθ_１Ｂ＋θ_ａ、最小値がθ_１Ｂ−θ_ａとなる。図７（Ｃ）に示すように、θ_１Ｂ−θ_ａがθ_ｅｙｅより小さいことで、使用者が表示モジュール２０を理想的な位置関係に近い状態で使用していても第１の表示モードによる表示の疑似視差量を大きくすることができる。

以上のことから、光拡散板１５Ｂは、図７（Ｂ）に示す傾斜角φ_Ｍがθ_ｅｙｅより小さいことが好ましい。例えば、光拡散板１５Ｂの光拡散領域は、最小値（傾斜角φ_ｍ）が−３０°以上−１０°以下、最大値（傾斜角φ_Ｍ）が−５°以上５°以下であり、φ_Ｍ−φ_ｍが２０°より大きいことが好ましい。

また、第４の表示モードによる表示は、第１の表示モードに加え、発光素子からの光が加えられた表示となる。図７（Ｄ）に示しているように、発光素子からの光が、反射部材４６で反射した後、偏光板１６と、光拡散板１５Ａを通過し、表示モジュール２０の反射電極に反射した後、光拡散板１５Ａと、偏光板１６を通過して使用者の目に到達する。反射部材４６で反射された光によって表示領域の一部（主に反射電極）の反射光の量が変化し、ムラが生じる。このムラによって色度が増える。拡散板などの光学系でムラを生じさせてもよい。

さらに、第５の表示モードによる表示は、第３の表示モードに加え、照明領域の発光素子からの光が加えられた表示となる。図７（Ｅ）に示しているように、照明領域の発光素子からの光が、反射部材４６で反射した後、偏光板１６と、光拡散板１５Ａを通過し、表示モジュール２０の反射電極に反射した後、光拡散板１５Ａと、偏光板１６を通過して使用者の目に到達する。第１の表示素子及び第２の表示素子の両方を用いて表示させることにより、表示の疑似視差量を大きくし、照明領域の発光素子からの光によって色度を広げる効果を得ることができる。これらの視覚効果が相乗的に作用することで、使用者に与える表示の印象を大幅に向上させることができる。

また、上記第１乃至第５の表示モードにおいて、表示部に表示する画像に応じて枠状部材１３のサイズや設置位置を調整することで、意図しない立体感や奥行き感の強弱の変化を抑制する、又は意図して立体感や奥行き感の強弱を変化させることができる。

（実施の形態４）
図８に、表示モジュール１０の断面構成の一例を示す。表示モジュール１０は、反射電極の開口を介して発光する有機発光素子を有する第２の表示素子を有する表示領域と、第３の表示素子を有する照明領域とを有する。

表示モジュール１０は、基板１１と基板１２との間に、第１の層４１、絶縁層１３４、絶縁層１３５、表示素子３２、接着層１５１、第２の層４２、絶縁層２３４、表示素子３１等を有する。また、表示モジュール１０は基板１１上に光拡散板１５および偏光板１６を有する。光拡散板１５には、本実施の形態３で説明した光拡散板１５Ａまたは光拡散板１５Ｂを用いることができる。光拡散板１５Ａまたは光拡散板１５Ｂを用いることにより、色度を増やし、使用者に与える表示の印象を大幅に向上させることができる。

表示素子３１は、導電層２２１、導電層２２３、及びこれらに挟持された液晶２２２を有する。導電層２２１は可視光を反射し、導電層２２３は可視光を透過する。したがって、表示素子３１は基板１２側に反射光２２を射出する反射型の液晶素子である。ここで、導電層２２１は、画素毎に配置され、画素電極として機能する。導電層２２３は、複数の画素にわたって配置されている。導電層２２３は、図示しない領域で定電位が供給される配線と接続され、共通電極として機能する。

表示素子３２は、導電層１２１、導電層１２３、及びこれらに挟持されたＥＬ層１２２を有する。ＥＬ層１２２は、少なくとも発光性の物質を含む層である。導電層１２１は可視光を反射し、導電層１２３は可視光を透過する。したがって、表示素子３２は、導電層１２１と導電層１２３との間に電圧を印加することで、基板１２側に光２１を射出する電界発光素子である。導電層１２１は、画素毎に配置され、画素電極として機能する。ＥＬ層１２２と導電層１２３は、複数の画素にわたって配置されている。導電層１２３は、図示しない領域で定電位が供給される配線と接続され、共通電極として機能する。

表示素子３３は、導電層１２４、導電層１２３、及びこれらに挟持されたＥＬ層１２２を有する。表示素子３３は、照明領域の発光素子である。表示素子３３は、表示素子３２と同一工程で作製することができる。また、表示素子３３は照明として機能する。ＥＬ層１２２は、少なくとも発光性の物質を含む層である。導電層１２４は可視光を反射し、導電層１２３は可視光を透過する。したがって、表示素子３３は、導電層１２４と導電層１２３との間に電圧を印加することで、接着層１５１を通過して光２３を射出する電界発光素子である。光２３は、反射部材に反射させて導電層２２１の上面に照射し、反射光の光量を増やすことができる。また、表示素子３３の上方には液晶層２２２が配置されないため、導電層１２４の電極面積は、導電層１２１の電極面積よりも広くすることができる。導電層１２４の電極面積の面積を広くすることで反射の光量を増大することができる。

第１の層４１は、表示素子３１を駆動する回路を含む層である。第２の層４２は、表示素子３２を駆動する回路を含む層である。例えば第１の層４１及び第２の層４２はそれぞれ、トランジスタ、容量素子、配線、電極等により、画素回路が構成されている。

第１の層４１と導電層２２１との間には、絶縁層２３４が設けられている。また絶縁層２３４に設けられた開口を介して導電層２２１と第１の層４１とが電気的に接続され、これにより第１の層４１と表示素子３１とが電気的に接続されている。

第２の層４２と導電層１２１との間には、絶縁層１３４が設けられている。また絶縁層１３４に設けられた開口を介して導電層１２１と第２の層４２とが電気的に接続され、これにより第２の層４２と表示素子３２とが電気的に接続されている。

第１の層４１と導電層１２３とは、接着層１５１によって貼り合わされている。接着層１５１は、表示素子３２を封止する封止層としても機能する。

ここで、第１の層４１の画素回路に、酸化物半導体が適用され、オフ電流が極めて低いトランジスタを適用した場合や、当該画素回路に記憶素子を適用した場合などでは、表示素子３１を用いて静止画を表示する際に画素への書き込み動作を停止しても、階調を維持させることが可能となる。すなわち、フレームレートを極めて小さくしても表示を保つことができる。本発明の一態様は、ノイズを遮断する導電層１２３が設けられているため、ノイズの影響による表示素子３１の階調の変動を抑制できる。そのため、表示品位を維持したまま、フレームレートを極めて小さくでき、低消費電力な駆動を行うことができる。

以上が表示装置の断面構成例についての説明である。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、及びその作製方法について説明する。

本発明の一態様の表示装置は、反射型の液晶素子を有する第１の画素が設けられた第１の表示パネルと、発光素子を有する第２の画素が設けられた第２の表示パネルとが、接着層を介して貼り合わされた構成を有する。反射型の液晶素子は、反射光の光量を制御することにより階調を表現することができる。発光素子は、発する光の光量を制御することにより階調を表現することができる。

表示装置は、例えば反射光のみを利用して表示を行うこと、発光素子からの光のみを利用して表示を行うこと、及び、反射光と発光素子からの光の両方を利用して表示を行うことができる。

第１の表示パネルは視認側に設けられ、第２の表示パネルは視認側とは反対側に設けられる。第１の表示パネルは、最も接着層側に位置する第１の樹脂層を有する。また第２の表示パネルは、最も接着層側に位置する第２の樹脂層を有する。

また、第１の表示パネルの表示面側に第３の樹脂層を設け、第２の表示パネルの裏面側（表示面側とは反対側）に第４の樹脂層を設けることが好ましい。これにより、表示装置を極めて軽くすることが可能で、また表示装置を割れにくくすることが可能となる。

第１の樹脂層乃至第４の樹脂層（以下、まとめて樹脂層とも表記する）は、極めて薄いことを特徴とする。より具体的には、それぞれ厚さが０．１μｍ以上３μｍ以下とすることが好ましい。そのため、２つの表示パネルを積層した構成であっても、厚さを薄くすることができる。また、第２の画素の発光素子が発する光の経路上に位置する樹脂層による光の吸収が抑制され、より高い効率で光を取り出すことができ、消費電力を小さくすることができる。

樹脂層は、例えば以下のように形成することができる。すなわち、支持基板上に低粘度の熱硬化性の樹脂材料を塗布し、熱処理により硬化させて樹脂層を形成する。そして樹脂層上に、構造物を形成する。その後、樹脂層と、支持基板との間で剥離を行うことにより、樹脂層の一方の面を露出させる。

支持基板と樹脂層とを剥離する際、これらの密着性を低下させる方法として、レーザ光を照射することが挙げられる。例えば、レーザ光に線状のレーザを用い、これを走査することにより、レーザ光を照射することが好ましい。これにより、支持基板の面積を大きくした際の工程時間を短縮することができる。レーザ光としては、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを好適に用いることができる。

樹脂層に用いることのできる材料としては、代表的には熱硬化性のポリイミドが挙げられる。特に感光性のポリイミドを用いることが好ましい。感光性のポリイミドは、表示パネルの平坦化膜等に好適に用いられる材料であるため、形成装置や材料を共有することができる。そのため本発明の一態様の構成を実現するために新たな装置や材料を必要としない。

また、樹脂層に感光性の樹脂材料を用いることにより、露光及び現像処理を施すことで、樹脂層を加工することが可能となる。例えば、開口部を形成することや、不要な部分を除去することができる。さらに露光方法や露光条件を最適化することで、表面に凹凸形状を形成することも可能となる。例えばハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いた露光技術や、多重露光技術などを用いればよい。

なお、非感光性の樹脂材料を用いてもよい。このとき、樹脂層上にレジストマスクやハードマスクを形成して開口部や凹凸形状を形成する方法を用いることもできる。

またこのとき、発光素子からの光の経路上に位置する樹脂層を、部分的に除去することが好ましい。すなわち、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に、発光素子と重なる開口部を設ける。これにより、発光素子からの光の一部が樹脂層に吸収されることに伴う色再現性の低下や、光取り出し効率の低下を抑制することができる。

または、樹脂層の発光素子からの光の経路上に位置する部分が、他の部分よりも薄くなるように、樹脂層に凹部が形成された構成としてもよい。すなわち、樹脂層は厚さの異なる２つの部分を有し、厚さの薄い部分が発光素子と重なる構成とすることもできる。この構成としても、樹脂層による発光素子からの光の吸収を低減できる。

また、第１の表示パネルが第３の樹脂層を有する場合、上記と同様に発光素子と重なる開口部を設けることが好ましい。これにより、さらに色再現性や光取り出し効率を向上させることができる。

また、第１の表示パネルが第３の樹脂層を有する場合、反射型の液晶素子における光の経路上に位置する第３の樹脂層の一部を除去することが好ましい。すなわち、第３の樹脂層に、反射型の液晶素子と重なる開口部を設ける。これにより、反射型の液晶素子の反射率を向上させることができる。

樹脂層に開口部を形成する場合、支持基板上に光吸収層を形成し、当該光吸収層上に開口部を有する樹脂層を形成し、さらに開口部を覆う透光性の層を形成する。光吸収層は、光を吸収して加熱されることで、水素または酸素などのガスを放出する層である。したがって、支持基板側から光を照射し、光吸収層からガスを放出させることで、光吸収層と支持基板の界面、または光吸収層と透光性の層との間の密着性が低下し、剥離を生じさせることができる。または、光吸収層自体が破断して、剥離させることができる。

または、以下の方法を用いることもできる。すなわち、樹脂層の開口部となる部分を、部分的に薄く形成し、上述した方法により支持基板と樹脂層とを剥離する。そして樹脂層の剥離した表面にプラズマ処理等を行うことで、樹脂層を薄膜化すると、樹脂層の薄い部分に開口を形成することができる。

また、第１の画素及び第２の画素は、それぞれトランジスタを有することが好ましい。さらに、当該トランジスタのチャネルを形成する半導体として、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物はトランジスタの作製工程にかかる最高温度を低温化（例えば４００℃以下、好ましくは３５０℃以下）しても、高いオン電流を実現でき、また高い信頼性を確保することができる。また、金属酸化物を用いることで、トランジスタの被形成面側に位置する樹脂層に用いる材料として、高い耐熱性が要求されないため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、平坦化膜として用いる樹脂材料と兼ねることもできる。

ここで、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ））を用いた場合では、高い電界効果移動度が得られるものの、レーザ結晶化工程、結晶化の前処理のベーク工程、不純物の活性化のためのベーク工程などが必要であり、トランジスタの作製工程にかかる最高温度が上記金属酸化物を用いた場合よりも高い（例えば５００℃以上、または５５０℃以上、または６００℃以上）。そのため、トランジスタの被形成面側に位置する樹脂層には高い耐熱性が必要となる。さらに、レーザ結晶化工程において、当該樹脂層にもレーザが照射されるため、当該樹脂層は比較的厚く形成する必要がある（例えば１０μｍ以上、または２０μｍ以上）。

一方、金属酸化物を用いた場合では、耐熱性の高い特殊な材料が不要で、且つ薄く形成できるため、表示パネル全体に対する当該樹脂層にかかるコストの割合を小さくできる。

また、金属酸化物は、バンドギャップが広く（例えば２．５ｅＶ以上、または３．０ｅＶ以上）、光を透過する性質を有する。そのため、支持基板と樹脂層の剥離工程において、レーザ光が金属酸化物に照射されても吸収しにくいため、その電気的特性への影響を抑制できる。したがって、上述のように樹脂層を薄く形成することが可能となる。

本発明の一態様は、感光性のポリイミドに代表される低粘度な感光性樹脂材料を用いて薄く形成した樹脂層と、低温であっても電気特性に優れたトランジスタを実現できる金属酸化物と、を組み合わせることにより、極めて生産性に優れた表示装置を実現できる。

続いて、画素の構成について説明する。第１の画素及び第２の画素は、それぞれマトリクス状に複数配置され、表示部を構成する。また、表示装置は、第１の画素を駆動する第１の駆動部と、第２の画素を駆動する第２の駆動部を有することが好ましい。第１の駆動部は第１の表示パネルに設けられ、第２の駆動部は第２の表示パネルに設けられていることが好ましい。

また、第１の画素と第２の画素は、同じ周期で表示領域内に配置されていることが好ましい。さらに、第１の画素及び第２の画素は表示装置の表示領域に混在して配置されていることが好ましい。これにより、後述するように複数の第１の画素のみで表示された画像と、複数の第２の画素のみで表示された画像、及び複数の第１の画素及び複数の第２の画素の両方で表示された画像のそれぞれは、同じ表示領域に表示することができる。

ここで、第１の画素は、例えば白色（Ｗ）を呈する１つの画素により構成されていることが好ましい。また第２の画素は、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素を有することが好ましい。またはこれに加えて白色（Ｗ）または黄色（Ｙ）の光を呈する副画素を有していていもよい。このような第１の画素と第２の画素が同じ周期で配列することで、第１の画素の面積を大きくし、第１の画素の開口率を高めることができる。

なお、第１の画素として、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素を有していてもよく、これに加えて白色（Ｗ）または黄色（Ｙ）の光を呈する副画素を有していていもよい。

続いて、第１の表示パネル及び第２の表示パネルに用いることのできるトランジスタについて説明する。第１の表示パネルの第１の画素に設けられるトランジスタと、第２の表示パネルの第２の画素に設けられるトランジスタとは、同じ構成のトランジスタであってもよいし、それぞれ異なるトランジスタであってもよい。

トランジスタの構成としては、例えばボトムゲート構造のトランジスタが挙げられる。ボトムゲート構造のトランジスタは、半導体層よりも下側（被形成面側）にゲート電極を有する。また、例えばソース電極及びドレイン電極が、半導体層の上面及び側端部に接して設けられていることを特徴とする。

また、トランジスタの他の構成としては、例えばトップゲート構造のトランジスタが挙げられる。トップゲート構造のトランジスタは、半導体層よりも上側（被形成面側とは反対側）にゲート電極を有する。また、例えば第１のソース電極及び第１のドレイン電極が、半導体層の上面の一部及び側端部を覆う絶縁層上に設けられ、且つ当該絶縁層に設けられた開口を介して半導体層と電気的に接続されることを特徴とする。

また、トランジスタとして、半導体層を挟んで対向して設けられる第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有していることが好ましい。

以下では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
図９に、表示モジュール１０の断面概略図を示す。表示モジュール１０は、表示パネル１００と表示パネル２００とが接着層５０によって貼り合わされた構成を有する。また、表示モジュール１０は、裏側（視認側とは反対側）に基板１１と、表側（視認側）に基板１２と、を有する。

表示パネル１００は、樹脂層１０１と樹脂層１０２との間に、トランジスタ１１０と、発光素子１２０と、を有する。表示パネル２００は、樹脂層２０１と樹脂層２０２との間にトランジスタ２１０と、液晶素子２２０と、を有する。樹脂層１０１は、接着層５１を介して基板１１と貼り合わされている。また樹脂層２０２は、接着層５２を介して基板１２と貼り合わされている。

また、樹脂層１０２、樹脂層２０１、及び樹脂層２０２は、それぞれ開口部が設けられている。図９に示す領域８１は、発光素子１２０と重なる領域であって、且つ樹脂層１０２の開口部、樹脂層２０１の開口部、及び樹脂層２０２の開口部と重なる領域である。

また、基板１２上に光拡散板１５が設けられ、光拡散板１５上に偏光板１６が設けられる。光拡散板１５上に偏光板１６を設けることで、外光反射による表示モジュール１０の表面の映り込みを低減することができる。光拡散板１５として、実施の形態３で説明した光拡散板１５Ａまたは光拡散板１５Ｂを用いることができる。偏光板１６は、円偏光板であってもよい。これらの視覚効果が相乗的に作用することで、使用者に与える表示の印象を大幅に向上させることができる。

〔表示パネル１００〕
樹脂層１０１には、トランジスタ１１０、発光素子１２０、絶縁層１３１、絶縁層１３２、絶縁層１３３、絶縁層１３４、絶縁層１３５等が設けられている。また、樹脂層１０２には、遮光層１５３、及び着色層１５２等が設けられている。樹脂層１０１と樹脂層１０２とは、接着層１５１により接着されている。

トランジスタ１１０は、絶縁層１３１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層１１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層１３２の一部と、半導体層１１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層１１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層１１３ｂと、を有する。

半導体層１１２は、金属酸化物を含むことが好ましい。

絶縁層１３３及び絶縁層１３４は、トランジスタ１１０を覆って設けられている。絶縁層１３４は、平坦化層として機能する。

発光素子１２０は、導電層１２１と、ＥＬ層１２２と、導電層１２３と、が積層された構成を有する。導電層１２１は可視光を反射する機能を有し、導電層１２３は、可視光を透過する機能を有する。したがって、発光素子１２０は、被形成面側とは反対側に光を射出する上面射出型（トップエミッション型ともいう）の発光素子である。

導電層１２１は、絶縁層１３４及び絶縁層１３３に設けられた開口を介して導電層１１３ｂと電気的に接続されている。絶縁層１３５は、導電層１２１の端部を覆い、且つ導電層１２１の上面が露出するように開口が設けられている。ＥＬ層１２２及び導電層１２３は、絶縁層１３５及び導電層１２１の露出した部分を覆って、順に設けられている。

樹脂層１０２の樹脂層１０１側には、絶縁層１４１が設けられている。また絶縁層１４１の樹脂層１０１側には、遮光層１５３と、着色層１５２とが設けられている。着色層１５２は、発光素子１２０と重なる領域に設けられている。遮光層１５３は、発光素子１２０と重なる部分に開口を有する。

絶縁層１４１は、樹脂層１０２の開口部を覆って設けられている。また絶縁層１４１の樹脂層１０２の開口部と重なる部分は、接着層５０と接している。

〔表示パネル２００〕
樹脂層２０１には、トランジスタ２１０、導電層２２１、配向膜２２４ａ、絶縁層２３１、絶縁層２３２、絶縁層２３３、絶縁層２３４等が設けられている。また、樹脂層２０２には、絶縁層２０４、導電層２２３、配向膜２２４ｂ等が設けられている。また配向膜２２４ａと配向膜２２４ｂとの間に液晶２２２が挟持されている。樹脂層２０１と樹脂層２０２とは、図示しない領域で接着層により接着されている。

トランジスタ２１０は、絶縁層２３１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層２１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２３２の一部と、半導体層２１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層２１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層２１３ｂと、を有する。

半導体層２１２は、金属酸化物を含むことが好ましい。

絶縁層２３３及び絶縁層２３４は、トランジスタ２１０を覆って設けられている。絶縁層２３４は、平坦化層として機能する。

液晶素子２２０は、導電層２２１と、導電層２２３と、これらの間に位置する液晶２２２と、により構成されている。導電層２２１は可視光を反射する機能を有し、導電層２２３は、可視光を透過する機能を有する。したがって、液晶素子２２０は反射型の液晶素子である。

導電層２１１は、絶縁層２３４及び絶縁層２３３に設けられた開口を介して導電層２１３ｂと電気的に接続されている。配向膜２２４ａは、導電層２１１及び絶縁層２３４の表面を覆って設けられている。

樹脂層２０２の樹脂層２０１側には、導電層２２３と配向膜２２４ｂとが積層されて設けられている。なお、樹脂層２０２と導電層２２３との間に絶縁層２０４が設けられている。また、液晶素子２２０の反射光を着色するための着色層を設けてもよい。

絶縁層２３１は、樹脂層２０１の開口部を覆って設けられている。また、絶縁層２３１の樹脂層２０２の開口部と重なる部分は、接着層５０と接して設けられている。また、絶縁層２０４は、樹脂層２０２の開口部を覆って設けられている。また、絶縁層２０４の樹脂層２０２の開口部と重なる部分は、接着層５２と接して設けられている。

〔表示モジュール１０〕
表示モジュール１０は、上面から見たときに、発光素子１２０が、反射型の液晶素子２２０と重ならない部分を有する。これにより、図９に示すように、発光素子１２０からは、着色層１５２によって着色された光２１が、視認側に射出される。また、液晶素子２２０では、導電層２２１により外光が反射された反射光２２が液晶２２２を介して射出される。

発光素子１２０から射出された光２１は、樹脂層１０２の開口部、樹脂層２０１の開口部、及び樹脂層２０２の開口部を通って視認側に射出される。したがって、樹脂層１０２、樹脂層２０１、及び樹脂層２０２が可視光の一部を吸収する場合であっても、光２１の光路上にこれら樹脂層が存在しないため、光取り出し効率や、色再現性を高いものとすることができる。

ここでは、表示パネル２００が着色層を有さず、カラー表示を行わない構成としているが、樹脂層２０２側に着色層を設け、カラー表示可能な構成としてもよい。

以上が構成例についての説明である。

［作製方法例］
以下では、図９で例示した表示モジュール１０の作製方法の例について、図面を参照して説明する。

なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法を使ってもよい。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上に感光性のレジスト材料を塗布し、これをフォトマスク用いて露光した後、現像することによりレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、光や電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

〔樹脂層の形成〕
まず、支持基板６１を準備する。支持基板６１としては、搬送が容易となる程度に剛性を有する材料であり、且つ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する材料を用いることができる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂、半導体、金属または合金などの材料を用いることができる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる。

続いて、支持基板６１上に、樹脂層１０１を形成する（図１０（Ａ））。

まず、樹脂層１０１となる材料を支持基板６１上に塗布する。塗布は、スピンコート法を用いると大型の基板に均一に薄い樹脂層１０１を形成できるため好ましい。

他の塗布方法として、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法を用いてもよい。

当該材料は、熱により重合が進行する熱硬化性（熱重合性ともいう）を発現する重合性モノマーを有する。さらに、当該材料は、感光性を有することが好ましい。また当該材料は、粘度を調整するための溶媒が含まれていることが好ましい。

当該材料には、重合後にポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂となる、重合性モノマーを含むことが好ましい。すなわち、形成された樹脂層１０１は、これら樹脂材料を含む。特に当該材料に、イミド結合を有する重合性モノマーを用いることで、ポリイミド樹脂に代表される樹脂を樹脂層１０１に用いると、耐熱性や耐候性を向上させることができるため好ましい。

塗布に用いる当該材料の粘度は、５ｃＰ以上５００ｃＰ未満、好ましくは粘度が５ｃＰ以上１００ｃＰ未満、より好ましくは粘度が１０ｃＰ以上５０ｃＰ以下であることが好ましい。材料の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、材料の粘度が低いほど、気泡の混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。また材料の粘度が低いほど、薄く均一に塗布することが可能なため、より薄い樹脂層１０１を形成することができる。

続いて、支持基板６１を加熱し、塗布した材料を重合させることで樹脂層１０１を形成する。このとき、加熱により材料中の溶媒は除去される。また加熱は、後のトランジスタ１１０の作製工程にかかる最高温度よりも高い温度で加熱することが好ましい。例えば３００℃以上６００℃以下、好ましくは３５０℃以上５５０℃以下、より好ましくは４００℃以上５００℃以下、代表的には４５０℃で加熱することが好ましい。樹脂層１０１の形成時に、表面が露出した状態でこのような温度で加熱することにより、樹脂層１０１から脱離しうるガスを除去することができるため、トランジスタ１１０の作製工程中にガスが脱離することを抑制できる。

樹脂層１０１の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層１０１を薄く均一に形成することが容易となる。

また、樹脂層１０１の熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。樹脂層１０１の熱膨張係数が低いほど、加熱による膨張または収縮に伴う応力により、トランジスタ等が破損することを抑制できる。

また、トランジスタ１１０の半導体層１１２に金属酸化物膜を用いる場合には、低温で形成できるため、樹脂層１０１に高い耐熱性が要求されない。樹脂層１０１等の耐熱性は、例えば加熱による重量減少率、具体的には５％重量減少温度等により評価できる。樹脂層１０１等の５％重量減少温度は、４５０℃以下、好ましくは４００℃以下、より好ましくは４００℃未満、さらに好ましくは３５０℃未満とすることができる。また、トランジスタ１１０等の形成工程にかかる最高温度を、３５０℃以下とすることが好ましい。

ここで、樹脂層１０１に感光性の材料を用いた場合、フォトリソグラフィ法により、一部を除去することが可能となる。具体的には、材料を塗布した後に溶媒を除去するための熱処理（プリベーク処理ともいう）を行い、その後露光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去することができる。また、その後に熱処理（ポストベーク処理ともいう）を行うことが好ましい。２回目の熱処理を、上記で示した温度で行えばよい。

上記方法で樹脂層１０１に開口部を設けることにより、以下のような構成を実現できる。例えば、開口部を覆うように導電層を配置することで、後述する剥離工程後に、裏面側に一部が露出した電極（裏面電極、貫通電極とも言う）を形成することができる。当該電極は、外部接続端子として用いることもできる。また、例えば２つの表示パネルを貼り合せるためのマーカー部に樹脂層１０１を設けない構成とすることで、位置合わせ精度を高めることができる。

〔絶縁層１３１の形成〕
続いて、樹脂層１０１上に絶縁層１３１を形成する（図１０（Ｂ））。

絶縁層１３１は、樹脂層１０１に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや発光素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。

絶縁層１３１としては、例えば窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁材料を用いることができる。また、上述の２以上の絶縁膜を積層して用いてもよい。特に、樹脂層１０１側から窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることが好ましい。

また、樹脂層１０１の表面に凹凸がある場合、絶縁層１３１は当該凹凸を被覆することが好ましい。また、絶縁層１３１が当該凹凸を平坦化する平坦化層としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁層１３１として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用いることが好ましい。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等の有機樹脂を用いることができる。

絶縁層１３１は、例えば室温以上４００度以下、好ましくは１００℃以上３５０℃以下、より好ましくは１５０℃以上３００℃以下の温度で形成することが好ましい。

〔トランジスタの形成〕
続いて、図９（Ｃ）に示すように、絶縁層１３１以上にトランジスタ１１０を形成する。ここではトランジスタ１１０の一例として、ボトムゲート構造のトランジスタを作製する場合の例を示している。

絶縁層１３１上に導電層１１１を形成する。導電層１１１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

続いて、絶縁層１３２を形成する。絶縁層１３２は、絶縁層１３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。

続いて、半導体層１１２を形成する。半導体層１１２は、半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

半導体膜は、成膜時の基板温度を室温以上３００℃以下、好ましくは室温以上２２０℃以下、より好ましくは、室温以上２００℃以下、さらに好ましくは室温以上１７０℃以下の温度で形成する。ここで成膜時の基板温度が室温であるとは、基板を意図的に加熱しないことを指す。このとき、成膜時に基板が受けるエネルギーにより、室温よりも高い温度になる場合も含む。また、室温とは例えば１０℃以上３０℃以下の温度範囲を指し、代表的には２５℃とする。

半導体膜としては、金属酸化物を用いることが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな金属酸化物を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

また、金属酸化物として、バンドギャップが２．５ｅＶ以上、好ましくは２．８ｅＶ以上、より好ましくはバンドギャップが３．０ｅＶ以上の材料を用いることが好ましい。このような金属酸化物を用いることにより、後述する剥離工程におけるレーザ光等の光の照射において、当該光が半導体膜を透過するため、トランジスタの電気特性への悪影響が生じにくくなる。

特に、本発明の一態様に用いる半導体膜は、不活性ガス（例えばＡｒ）及び酸素ガスのいずれか一方または両方を含む雰囲気下にて基板を加熱した状態で、スパッタリング法によって成膜することが好ましい。

成膜時の基板温度は室温以上２００℃以下、好ましくは室温以上１７０℃以下の温度とすることが好ましい。基板の温度を高めることにより、配向性を有する結晶部がより多く形成され、電気的な安定性に優れた半導体膜を形成できる。このような半導体膜を用いることで、電気的な安定性に優れたトランジスタを実現できる。また、基板温度を低くする、または意図的に加熱しない状態で成膜することで、配向性を有する結晶部の割合が小さく、キャリア移動度の高い半導体膜を形成できる。このような半導体膜を用いることで、高い電界効果移動度を示すトランジスタを実現できる。

また、成膜時の酸素の流量比（酸素分圧）を、０％以上１００％未満、好ましくは０％以上５０％以下、より好ましくは０％以上３３％以下、さらに好ましくは０％以上１５％以下とすることが好ましい。酸素流量を低減することにより、キャリア移動度の高い半導体膜を形成でき、より高い電界効果移動度を示すトランジスタを実現できる。

成膜時の基板温度と、成膜時の酸素流量を上述の範囲とすることで、配向性を有する結晶部と、配向性を有さない結晶部とが混在した半導体膜を得ることができる。また、基板温度と酸素流量を上述の範囲内で最適化することにより、配向性を有する結晶部と配向性を有さない結晶部の存在割合を制御することが可能となる。

半導体膜の成膜に用いることの可能な金属酸化物ターゲットとしては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物に限られず、例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｙ、またはＳｎ）を適用することができる。

また、複数の結晶粒を有する多結晶酸化物を含むスパッタリングターゲットを用いて、半導体膜である結晶部を含む半導体膜を成膜すると、多結晶酸化物を含まないスパッタリングターゲットを用いた場合に比べて、結晶性を有する半導体膜が得られやすい。

特に、膜の厚さ方向（膜面方向、膜の被形成面、または膜の表面に垂直な方向ともいう）に配向性を有する結晶部と、このような配向性を有さずに無秩序に配向する結晶部が混在した半導体膜を適用したトランジスタは、電気特性の安定性を高くできる、チャネル長を微細にすることが容易となる、などの特徴がある。一方、配向性を有さない結晶部のみで構成される半導体膜を適用したトランジスタは、電界効果移動度を高めることができる。なお、後述するように、金属酸化物中の酸素欠損を低減することにより、高い電界効果移動度と高い電気特性の安定性を両立したトランジスタを実現することができる。

このように、金属酸化物膜を用いることで、ＬＴＰＳで必要であった高い温度での加熱処理や、レーザ結晶化処理が不要であり、極めて低温で半導体層１１２を形成できる。そのため、樹脂層１０１を薄く形成することが可能となる。

続いて、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂを形成する。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

なお、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われていない半導体層１１２の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。半導体層１１２として配向性を有する結晶部を含む金属酸化物膜を用いると、この薄膜化を抑制できるため好ましい。

以上のようにして、トランジスタ１１０を作製できる。トランジスタ１１０は、チャネルが形成される半導体層１１２に、金属酸化物を含むトランジスタである。またトランジスタ１１０において、導電層１１１の一部はゲートとして機能し、絶縁層１３２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、それぞれソース又はドレインのいずれか一方として機能する。

〔絶縁層１３３の形成〕
続いて、トランジスタ１１０を覆う絶縁層１３３を形成する。絶縁層１３３は、絶縁層１３２と同様の方法により形成することができる。

絶縁層１３３は例えば室温以上４００度以下、好ましくは１００℃以上３５０℃以下、より好ましくは１５０℃以上３００℃以下の温度で形成することが好ましい。温度が高いほど緻密でバリア性の高い絶縁膜とすることができる。

また、絶縁層１３３として、酸素を含む雰囲気下で上述のような低温で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。また当該酸化シリコンや酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層して形成することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で低温で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素をする酸化絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、半導体層１１２に酸素を供給することができる。その結果、半導体層１１２中の酸素欠損、及び半導体層１１２と絶縁層１３３の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い半導体装置を実現できる。

以上の工程により、可撓性を有する樹脂層１０１上にトランジスタ１１０と、これを覆う絶縁層１３３を形成することができる。なお、この段階において、後述する方法を用いて樹脂層１０１と支持基板６１とを分離することで、表示素子を有さないフレキシブルデバイスを作製することもできる。例えば、トランジスタ１１０や、トランジスタ１１０に加えて容量素子、抵抗素子、及び配線などを形成することで、半導体回路を有するフレキシブルデバイスを作製することができる。

〔絶縁層１３４の形成〕
続いて、絶縁層１３３上に絶縁層１３４を形成する。絶縁層１３４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能する層であることが好ましい。絶縁層１３４は、絶縁層１３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。

絶縁層１３４は、樹脂層１０１と同様に、感光性及び熱硬化性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。特に、絶縁層１３４と樹脂層１０１とに、同じ材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層１３４と樹脂層１０１の材料や、これらを形成するための装置を共通化することが可能となる。

また、絶縁層１３４は、樹脂層１０１と同様に、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、絶縁層１３４を薄く均一に形成することが容易となる。

〔発光素子１２０の形成〕
続いて、絶縁層１３４及び絶縁層１３３に、導電層１１３ｂ等に達する開口を形成する。

その後、導電層１２１を形成する。導電層１２１は、その一部が画素電極として機能する。導電層１２１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

続いて、図１０（Ｄ）に示すように、導電層１２１の端部を覆う絶縁層１３５を形成する。絶縁層１３５は、絶縁層１３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。

絶縁層１３５は、樹脂層１０１と同様に、感光性及び熱硬化性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。特に、絶縁層１３５と樹脂層１０１とに、同じ材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層１３５と樹脂層１０１の材料や、これらを形成するための装置を共通化することが可能となる。

また、絶縁層１３５は、樹脂層１０１と同様に、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、絶縁層１３５を薄く均一に形成することが容易となる。

続いて、図１０（Ｅ）に示すように、ＥＬ層１２２及び導電層１２３を形成する。

ＥＬ層１２２は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる。ＥＬ層１２２を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。ＥＬ層１２２を画素毎に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。ここでは、メタルマスクを用いない蒸着法により形成した例を示している。

導電層１２３は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。

以上のようにして、発光素子１２０を形成することができる。発光素子１２０は、一部が画素電極として機能する導電層１２１、ＥＬ層１２２、及び一部が共通電極として機能する導電層１２３が積層された構成を有する。

〔光吸収層１０３ａの形成〕
支持基板６２を準備する。支持基板６２は、支持基板６１の記載を援用することができる。

続いて、支持基板６２上に、光吸収層１０３ａを形成する（図１１（Ａ））。光吸収層１０３ａは、後の光７０の照射工程において、当該光７０を吸収し、発熱することにより、水素または酸素等を放出する層である。

光吸収層１０３ａとしては、例えば加熱により水素が放出される、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いることができる。水素化アモルファスシリコン膜は、例えばＳｉＨ_４を成膜ガスに含むプラズマＣＶＤ法により成膜することができる。また、さらに水素を多く含有させるため、成膜後に水素を含む雰囲気下で加熱処理をしてもよい。

または、光吸収層１０３ａとして、加熱により酸素が放出される酸化物膜を用いることもできる。特に、金属酸化物膜または不純物準位を有する金属酸化物膜（酸化物導電体膜ともいう）は、酸化シリコン膜等の絶縁膜に比べてバンドギャップが狭く、光を吸収しやすいため好ましい。半導体層として金属酸化物を用いる場合、上述した半導体層１１２の形成方法、及び後述する半導体層に用いることのできる材料を援用できる。酸化物膜は、例えば酸素を含む雰囲気下でプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により成膜することができる。特に金属酸化物膜を用いる場合には、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により成膜することが好ましい。また、さらに酸素を含有させるため、成膜後に酸素を含む雰囲気下で加熱処理をしてもよい。

または、光吸収層１０３ａに用いることのできる酸化物膜として、酸化物絶縁膜を用いてもよい。例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化シリコン膜等を用いることもできる。例えば、このような酸化物絶縁膜を、酸素を含む雰囲気下にて、低温（例えば２５０℃以下、好ましくは２２０℃以下）で成膜することで、酸素を過剰に含有した酸化物絶縁膜を形成することができる。成膜は、例えばスパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法等を用いることができる。

〔樹脂層１０２の形成〕
続いて、光吸収層１０３ａ上に、開口部を有する樹脂層１０２を形成する（図１１（Ｂ））。樹脂層１０２の形成方法及び材料については、開口部を形成する部分以外は樹脂層１０１と同様の方法を用いることができる。

樹脂層１０２の形成は、まず感光性の材料を光吸収層１０３ａ上に塗布して薄膜を形成し、プリベーク処理を行う。続いて、フォトマスクを用いて当該材料を露光し、現像処理を行うことで、開口部を有する樹脂層１０２を形成することができる。その後、ポストベーク処理を行い、材料を十分に重合させるとともに、膜中のガスを除去する。

〔絶縁層１４１の形成〕
続いて、樹脂層１０２、及び樹脂層１０２の開口部を覆って絶縁層１４１を形成する（図１１（Ｃ））。絶縁層１４１の一部は、光吸収層１０３ａと接して設けられる。絶縁層１４１は、樹脂層１０２に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや発光素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。

絶縁層１４１の形成方法及び材料については、絶縁層１３１の記載を援用できる。

〔遮光層、着色層の形成〕
続いて、絶縁層１４１上に遮光層１５３及び着色層１５２を形成する（図１１（Ｄ））。

遮光層１５３は、金属材料または樹脂材料を用いることができる。金属材料を用いる場合には、導電膜を成膜した後に、フォトリソグラフィ法等を用いて不要な部分を除去することにより形成できる。また金属材料、顔料または染料を含む感光性の樹脂材料を用いた場合は、フォトリソグラフィ法等により形成することができる。

また、着色層１５２は、感光性の材料を用いることで、フォトリソグラフィ法等により島状に加工することができる。

以上により、樹脂層１０２上に絶縁層１４１、遮光層１５３及び着色層１５２を形成することができる。なお、樹脂層１０１側の作製工程と、樹脂層１０２側の作製工程は、互いに独立して行うことができるため、その順序は問われない。またはこれら２つの工程を並行して行ってもよい。

〔貼り合せ〕
続いて、図１１（Ｅ）に示すように、支持基板６１と支持基板６２とを、接着層１５１を用いて貼り合せる。貼り合せは、樹脂層１０２の開口部と、発光素子１２０とが重なるように行う。そして、接着層１５１を硬化させる。これにより、発光素子１２０を接着層１５１で封止することができる。

接着層１５１は、硬化型の材料を用いることが好ましい。例えば光硬化性を示す樹脂、反応硬化性を示す樹脂、熱硬化性を示す樹脂等を用いることができる。特に、溶媒を含まない樹脂材料を用いることが好ましい。

以上の工程により、表示パネル１００を作製することができる。図１１（Ｅ）に示す時点では、表示パネル１００は、支持基板６１及び支持基板６２に挟持された状態である。

〔光吸収層１０３ｂの形成〕
支持基板６３を準備し、支持基板６３上に光吸収層１０３ｂを形成する。支持基板６３は、支持基板６１の記載を援用できる。

光吸収層１０３ｂは、上記光吸収層１０３ａと同様の材料、及び方法により形成することができる。

〔樹脂層２０１の形成〕
続いて、光吸収層１０３ｂ上に、開口部を有する樹脂層２０１を形成する。樹脂層２０１の形成方法及び材料については、樹脂層１０２と同様の方法を用いることができる。

〔絶縁層２３１の形成〕
続いて、樹脂層２０１、及び樹脂層２０１の開口部を覆って絶縁層２３１を形成する（図１２（Ａ））。絶縁層２３１の形成方法及び材料については、絶縁層１３１の記載を援用できる。

〔トランジスタ２１０の形成〕
続いて、図１２（Ｂ）に示すように、絶縁層２３１上に、トランジスタ２１０を形成する。

トランジスタ２１０は、導電層２１１、絶縁層２３１、半導体層２１２、ならびに導電層２１３ａ及び導電層２１３ｂを、順に形成することにより形成する。各層の形成方法は、上記トランジスタ１１０の形成方法の記載を援用できる。

トランジスタ２１０は、チャネルが形成される半導体層２１２に、金属酸化物を含むトランジスタである。またトランジスタ２１０において、導電層２１１の一部はゲートとして機能し、絶縁層２３２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層２１３ａ及び導電層２１３ｂは、それぞれソース又はドレインのいずれか一方として機能する。

〔導電層２２１、配向膜２２４ａの形成〕
続いて、絶縁層２３４及び絶縁層２３３に、導電層２１３ｂに達する開口を形成する。

その後、導電層２２１を形成する。導電層２２１は、その一部が画素電極として機能する。導電層２２１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

続いて、図１２（Ｃ）に示すように、導電層２２１及び絶縁層２３４上に配向膜２２４ａを形成する。配向膜２２４ａは、樹脂等の薄膜を成膜した後に、ラビング処理を行うことにより形成できる。

以上の工程により、樹脂層２０１上に、トランジスタ２１０、導電層２２１及び配向膜２２４ａ等を形成することができる。

〔光吸収層１０３ｃの形成〕
支持基板６４を準備し、支持基板６４上に光吸収層１０３ｃを形成する。支持基板６４は、支持基板６１の記載を援用することができる。

光吸収層１０３ｃは、上記光吸収層１０３ａと同様の材料、及び方法により形成することができる。

〔樹脂層２０２の形成〕
続いて、光吸収層１０３ｂ上に、開口部を有する樹脂層２０２を形成する。樹脂層２０２の形成方法及び材料については、樹脂層１０１と同様の方法を用いることができる。

〔絶縁層２０４の形成〕
続いて、樹脂層２０２、及び樹脂層２０２の開口部を覆って絶縁層２０４を形成する（図１２（Ｄ））。絶縁層２０４の形成方法及び材料については、絶縁層１３１の記載を援用できる。

〔導電層２２３、配向膜２２４ｂの形成〕
続いて、絶縁層２０４上に導電層２２３を形成する。導電層２２３は、導電膜を成膜することにより形成することができる。なお、導電層２２３は、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いたスパッタリング法等の方法により、樹脂層２０２の外周部に導電層２２３が設けられないように形成してもよい。または、導電膜を成膜した後にフォトリソグラフィ法等により不要な部分をエッチングにより除去してもよい。

続いて、導電層２２３上に配向膜２２４ｂを形成する（図１２（Ｅ））。配向膜２２４ｂは、配向膜２２４ａと同様の方法により形成できる。

以上により、樹脂層２０２上に絶縁層２０４、導電層２２３、及び配向膜２２４ｂを形成することができる。なお、樹脂層２０１側の作製工程と、樹脂層２０２側の作製工程は、互いに独立して行うことができるため、その順序は問われない。またはこれら２つの工程を並行して行ってもよい。

〔貼り合せ〕
続いて、図１２（Ｆ）に示すように、支持基板６３と支持基板６４とを、液晶２２２を挟んで貼り合せる。このとき、樹脂層２０１の開口部と、樹脂層２０２の開口部とが重なるように、貼り合せを行う。またこのとき、樹脂層２０１と樹脂層２０２とを、外周部において図示しない接着層により接着する。

例えば、樹脂層２０１と樹脂層２０２のいずれか一方、または両方に、これらを接着する接着層（図示しない）を形成する。接着層は、画素が配置されている領域を囲むように形成する。接着層は、例えばスクリーン印刷法や、ディスペンス法等により形成することができる。接着層としては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂等を用いることができる。また、紫外線により仮硬化した後に、熱を加えることにより硬化する樹脂などを用いてもよい。または、接着層として、紫外線硬化性と熱硬化性の両方を有する樹脂などを用いてもよい。

続いて、液晶２２２をディスペンス法等により接着層に囲まれた領域に滴下する。続いて、液晶２２２を挟むように支持基板６３と支持基板６４とを貼り合せ、接着層を硬化する。貼り合せは、減圧雰囲気下で行うと支持基板６３と支持基板６４との間に気泡等が混入することを防ぐことができるため好ましい。

なお、液晶２２２の滴下後に、画素が配置されている領域や、当該領域の外側に粒状のギャップスペーサを散布してもよいし、当該ギャップスペーサを含む液晶２２２を滴下してもよい。また、液晶２２２は、支持基板６３と支持基板６４を貼り合せた後に、減圧雰囲気下において、接着層に設けた隙間から注入する方法を用いてもよい。

以上の工程により、表示パネル２００を作製することができる。図１２（Ｆ）に示す時点では、表示パネル１００は、支持基板６１及び支持基板６２に挟持された状態である。

〔支持基板６２の分離〕
続いて、図１３（Ａ）に示すように、表示パネル１００の支持基板６２側から、支持基板６２を介して光吸収層１０３ａに光７０を照射する。

光７０としては、好適にはレーザ光を用いることができる。特に、線状のレーザを用いることが好ましい。

なお、レーザ光と同等のエネルギーを照射可能であれば、フラッシュランプ等を用いてもよい。

光７０は、少なくともその一部が支持基板６２を透過し、且つ光吸収層１０３ａに吸収される波長の光を選択して用いる。また、光７０は、樹脂層１０２に吸収される波長の光を用いることが好ましい。特に、光７０の波長としては、可視光線から紫外線の波長領域の光を用いることが好ましい。例えば波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光、好ましくは波長が２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以上の光を用いることが好ましい。特に、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキシマレーザは、ＬＴＰＳにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のＬＴＰＳ製造ラインの装置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第三高調波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなどの固体ＵＶレーザ（半導体ＵＶレーザともいう）を用いてもよい。また、ピコ秒レーザ等のパルスレーザーを用いてもよい。

光７０として、線状のレーザ光を用いる場合には、支持基板６１と光源とを相対的に移動させることで光７０を走査し、剥離したい領域に亘って光７０を照射する。この段階では、樹脂層１０２が配置される全面に亘って照射すると、樹脂層１０２全体が剥離可能となり、後の分離の工程で支持基板６１の外周部をスクライブ等により分断する必要がない。または、樹脂層１０２が配置される領域の外周部に光７０を照射しない領域を設けると、光７０の照射時に樹脂層１０２と支持基板６２とが分離してしまうことを抑制できるため好ましい。

光７０の照射により、光吸収層１０３ａが加熱され、光吸収層１０３ａから水素または酸素等が放出される。このとき放出される水素または酸素等は、ガス状となって放出される。放出されたガスは光吸収層１０３ａと樹脂層１０２の界面近傍、または光吸収層１０３ａと支持基板６２の界面近傍に留まり、これらを引き剥がす力が生じる。その結果、光吸収層１０３ａと樹脂層１０２の密着性、または光吸収層１０３ａと支持基板６２の密着性が低下し、容易に剥離可能な状態とすることができる。

また、光吸収層１０３ａから放出されるガスの一部が、光吸収層１０３ａ中に留まる場合もある。そのため、光吸収層１０３ａが脆化し、光吸収層１０３ａの内部で分離しやすい状態となる場合がある。

また、光吸収層１０３ａとして、酸素を放出する膜を用いた場合、光吸収層１０３ａから放出された酸素により、樹脂層１０２の一部が酸化され、脆化する場合がある。これにより、樹脂層１０２と光吸収層１０３ａとの界面で剥離しやすい状態とすることができる。

また、樹脂層１０２の開口部と重なる領域においても、上記と同じ理由により、光吸収層１０３ａと絶縁層１４１との界面、光吸収層１０３ｂと支持基板６２の界面の密着性が低下し、剥離しやすい状態となる。または、光吸収層１０３ｂが脆化し、分離しやすい状態となる場合もある。

一方、光７０を照射していない領域は、密着性は高いままである。

ここで、光吸収層１０３ａと、半導体層１１２とにそれぞれ金属酸化物膜を用いた場合、光７０としては、当該金属酸化物膜が吸収しうる波長の光を用いる。しかしながら、トランジスタ１１０の下側には、光吸収層１０３ａと樹脂層１０２とが積層されて配置されている。さらに、十分に加熱処理が施された樹脂層１０２は金属酸化物膜よりも光を吸収しやすい傾向があり、厚さが薄くても十分に光を吸収することができる。したがって、光７０のうち光吸収層１０３ａで吸収しきれずに透過する光が存在しても、樹脂層１０２によって吸収されるため、これが半導体層１１２に到達することが抑制される。その結果、トランジスタ１１０の電気特性の変動はほとんど生じない。

続いて、支持基板６２と樹脂層１０２とを分離する（図１３（Ｂ１））。

分離は、支持基板６１をステージに固定した状態で、支持基板６２に垂直方向に引っ張る力をかけることにより行うことができる。例えば支持基板６２の上面の一部を吸着し、上方に引っ張ることにより、引き剥がすことができる。ステージは、支持基板６１を固定できればどのような構成でもよいが、例えば真空吸着、静電吸着などが可能な吸着機構を有していてもよいし、支持基板６１を物理的に留める機構を有していてもよい。

また、分離は表面に粘着性を有するドラム状の部材を支持基板６２の上面に押し当て、これを回転させることにより行ってもよい。このとき、剥離方向にステージを動かしてもよい。

また、樹脂層１０２の外周部に光７０を照射しない領域を設けた場合、樹脂層１０２光を照射した部分の一部に切欠き部を形成し、剥離のきっかけとしてもよい。切欠き部は、例えば鋭利な刃物または針状の部材を用いることや、支持基板６１と樹脂層１０２を同時にスクライブにより切断すること等により形成することができる。

図１３（Ｂ１）では、光吸収層１０３ａと樹脂層１０２の界面、及び光吸収層１０３ａと絶縁層１４１の界面で剥離が生じている例を示している。

また、図１３（Ｂ２）では、光吸収層１０３ａの一部である光吸収層１０３ａａが、樹脂層１０２及び絶縁層１４１の表面に接して残存している例を示している。例えば、光吸収層１０３ａの内部で分離（破断）が生じている場合に相当する。なお、光吸収層１０３ａと支持基板６２との界面で剥離が生じる場合には、光吸収層１０３ａの全部が樹脂層１０２及び絶縁層１４１に接して残存する場合がある。

このように、光吸収層１０３ａａ（または光吸収層１０３ａ）が残存した場合、これを除去することが好ましい。光吸収層１０３ａａの除去は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができるが、特にドライエッチング法を用いることが好ましい。なお、光吸収層１０３ａａを除去する際に、樹脂層１０２の一部、及び絶縁層１４１の一部がエッチングにより薄くなる場合がある。

なお、光吸収層１０３ａに透光性を有する絶縁性材料を用いた場合には、残存した光吸収層１０３ａａを残したままの状態としてもよい。

〔支持基板６３の分離〕
続いて、図１４（Ａ）に示すように、表示パネル２００の支持基板６３側から、支持基板６２を介して光吸収層１０３ｂに光７０を照射する。

光７０の照射方法については、上記の記載を援用できる。

続いて、支持基板６３と樹脂層２０１とを分離する（図１４（Ｂ））。分離は、上記の記載を援用することができる。図１４（Ｂ）では、光吸収層１０３ｂと樹脂層２０１との界面、及び光吸収層１０３ｂと絶縁層２３１の界面で分離が生じている例を示している。

〔表示パネル１００と表示パネル２００の貼り合せ〕
続いて、図１５（Ａ）に示すように、表示パネル１００の樹脂層１０２と、表示パネル２００の樹脂層２０１とを、接着層５０によって貼り合せる。接着層５０としては、上記接着層１５１の記載を援用できる。

表示パネル１００と表示パネル２００とは、樹脂層１０２の開口部と、樹脂層２０１の開口部と、樹脂層２０２の開口部と、発光素子１２０とがそれぞれ重なるように貼り合せることが重要である。

このとき、表示パネル１００と表示パネル２００の位置ずれが生じてしまうと、発光素子１２０からの光が、表示パネル２００の遮光性の部材に遮られてしまう場合がある。また、発光素子１２０からの光の光路上に、樹脂層２０１または樹脂層２０２が位置してしまう場合がある。そのため、表示パネル１００と表示パネル２００には、それぞれ位置合わせ用のマーカーが形成されていることが好ましい。また、本作製方法例によれば、貼り合せの段階において、支持基板６１と支持基板６４を有しているため、可撓性を有する表示パネル同士を貼り合せる場合と比較して、位置合わせの精度を高めることが可能で、表示装置の高精細化が可能となる。例えば５００ｐｐｉを超える精細度の表示装置を実現することができる。

〔支持基板６１の分離〕
続いて、支持基板６１側から、支持基板６１を介して樹脂層１０１に光７０（図示しない）を照射する。光７０（図示しない）の照射方法については、上記の記載を援用できる。光７０の照射により、樹脂層１０２の支持基板６１側の表面近傍、または樹脂層１０２の内部の一部が改質され、支持基板６１と樹脂層１０２との密着性が低下する。

その後、図１５（Ｂ）に示すように支持基板６１と樹脂層１０１とを分離する。

図１５（Ｂ）には、支持基板６１側に樹脂層１０１の一部である樹脂層１０１ａが残存している例を示す。光７０の照射条件によっては、樹脂層１０１の内部で分離（破断）が生じ、このように樹脂層１０１ａが残存する場合がある。または、樹脂層１０１の表面の一部が融解する場合にも、同様に支持基板６１側に樹脂層１０１ａの一部が残存することがある。なお、支持基板６１と樹脂層１０１の界面で剥離する場合、支持基板６１側に樹脂層１０１ａが残存しないことがある。

支持基板６１側に残存する樹脂層１０１ａの厚さは、例えば、１００ｎｍ以下、具体的には４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下程度とすることができる。残存した樹脂層１０１ａを除去することで、支持基板６１は再利用が可能である。例えば、支持基板６１にガラスを用い、樹脂層１０１にポリイミド樹脂を用いた場合は、発煙硝酸等を用いて樹脂層１０１ａ除去することができる。

分離は、支持基板６４をステージ等に固定した状態で行うことができる。分離方法については、上記の記載を援用できる。

〔基板１１の貼り合せ〕
続いて、図１６（Ａ）に示すように、接着層５１を用いて樹脂層１０１と基板１１とを貼り合せる。

接着層５１は、上記接着層１５１の記載を援用できる。

基板１１及び後述する基板１２としては、樹脂材料を用いると、同じ厚さであってもガラス等を用いた場合に比べて、表示装置を軽量化できる。また、可撓性を有する程度に薄い材料を用いると、より軽量化できるため好ましい。また、樹脂材料を用いることで、表示装置の耐衝撃性を向上させることができ、割れにくい表示装置を実現できる。

また、基板１１は視認側とは反対側に位置する基板であるため、可視光に対して透光性を有していなくてもよい。そのため、金属材料を用いることもできる。金属材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所的な温度上昇を抑制することができる。

〔支持基板６４の分離〕
続いて、支持基板６４側から、支持基板６４を介して光吸収層１０３ｃに光７０（図示しない）を照射する。その後、図１６（Ｂ）に示すように支持基板６４と樹脂層２０２とを分離する。図１６（Ｂ）では、光吸収層１０３ｃと樹脂層２０２の界面、及び光吸収層１０３ｃと絶縁層２０４の界面において剥離が生じている例を示している。

光７０（図示しない）の照射方法については、上記の記載を援用できる。

分離は、基板１１をステージ等に固定した状態で行うことができる。分離方法については、上記の記載を援用できる。

〔基板１２の貼り合せ〕
続いて、接着層５２を用いて樹脂層２０２と基板１２とを貼り合せる。

接着層５２は、上記接着層１５１の記載を援用できる。

基板１２は、視認側に位置する基板であるため、可視光に対して透光性を有する材料を用いることができる。

〔光拡散板１５および偏光板１６の形成〕
続いて、基板１２上に光拡散板１５および偏光板１６を設形成する。

以上の工程により、図９に示す表示モジュール１０を作製することができる。

［作製方法例の変形例］
以下では、光吸収層を用いずに、開口部を有する樹脂層を形成する方法について説明する。

なお、ここでは、表示パネル１００の樹脂層１０２を例に挙げて説明するが、同様の方法を表示パネル２００が有する樹脂層２０１及び樹脂層２０２にも適用できる。

〔変形例１〕
まず、図１７（Ａ）に示すように凹部を有する樹脂層１０２を形成する。

まず、樹脂層１０２となる材料を支持基板６２上に塗布し、プリベーク処理を行う。続いて、フォトマスクを用いて露光を行う。このとき、樹脂層１０２を開口する条件よりも露光量を減らすことで、樹脂層１０２に凹部を形成することができる。例えば、樹脂層１０２を開口する露光条件よりも、短い露光時間で露光する、露光の強度を弱める、焦点をずらす、樹脂層１０２を厚く形成するなどの方法が挙げられる。

また、樹脂層１０２に開口部と凹部の両方を形成したい場合には、ハーフトーンマスク、またはグレートーンマスクを用いた露光技術、または２以上のフォトマスクを用いた多重露光技術を用いればよい。

このようにして露光を行った後、現像処理を施すことで凹部が形成された樹脂層１０２を形成することができる。またその後にポストベーク処理を行う。

続いて、図１７（Ｂ）に示すように、樹脂層１０２の上面及び凹部を覆って絶縁層１４１を形成する。

図１７（Ｃ）は、支持基板６１と支持基板６２とを貼り合せた後に、光７０を照射する工程における図である。光７０を照射することで樹脂層１０２と支持基板６２との密着性が低下する。

図１７（Ｄ）は、支持基板６２を剥離した後の状態における断面概略図である。

その後、樹脂層１０２の表面側の一部を、絶縁層１４１の表面が露出するようにエッチングすることで、図１７（Ｅ）に示すように、開口部を有する樹脂層１０２を形成することができる。エッチングは、例えば酸素を含む雰囲気下でのプラズマ処理（アッシング処理）を用いると、制御性が高まり、均一にエッチングできるため好ましい。

なお、樹脂層１０２をエッチングせずに、図１７（Ｄ）に示した状態のままとしてもよい。この構成でも、発光素子１２０からの光の経路上に位置する樹脂層１０２の厚さが他の部分よりも薄いため、光の吸収が抑制され、光取り出し効率を高めることができる。

〔変形例２〕
まず、図１８（Ａ）に示すように、支持基板６２に樹脂層１０２ｂと、開口を有する樹脂層１０２ｃとを、積層して形成する。

樹脂層１０２ｂは、上記樹脂層１０１と同様に形成することができる。また樹脂層１０２ｃは、上記樹脂層１０２、樹脂層２０１等と同様に形成することができる。

ここで、先に形成する樹脂層１０２ｂに対して十分に加熱処理を施し、重合させておくことが好ましい。これにより、樹脂層１０２ｂと樹脂層１０２ｃに同じ材料を用いた場合であっても、後に形成する樹脂層１０２ｃとなる材料を塗布した時に、これに含まれる溶媒に樹脂層１０２ｂが溶けてしまうことを抑制できる。

図１８（Ｂ）は支持基板６１と支持基板６２とを貼り合せた後に、光７０を照射する工程における図である。光７０を照射することで樹脂層１０２ｃと支持基板６２との密着性が低下する。

図１８（Ｃ）は、支持基板６２を剥離した後の状態における断面概略図である。

その後、樹脂層１０２ｃを、絶縁層１４１の表面が露出するようにエッチングすることで、図１８（Ｄ）に示すように、開口部を有する樹脂層１０２を形成することができる。エッチングは、例えば酸素を含む雰囲気下でのプラズマ処理（アッシング処理）を用いると、制御性が高まり、均一にエッチングできるため好ましい。

なお、樹脂層１０２ｂと樹脂層１０２ｃとに同じ材料を用いると、材料や装置を共通化できるため生産性を向上させることができる。また、これらに異なる材料を用いると、エッチング速度の選択比を大きくできるため、加工条件の自由度を広げることができる。

なお、樹脂層１０２ｂをエッチングせずに、図１８（Ｃ）に示した状態のままとしてもよい。この構成でも、発光素子１２０からの光の経路上に位置する樹脂層１０２の厚さが他の部分よりも薄いため、光の吸収が抑制され、光取り出し効率を高めることができる。

以上が作製方法例の変形例についての説明である。

［構成例の変形例］
以下では、図９で示した構成例と比較して、一部の構成の異なる構成例について説明する。

図９では、発光素子１２０からの光の経路上に位置する樹脂層に、開口部を設ける構成としたが、反射型の液晶素子２２０における光の経路上に位置する樹脂層にも開口部を設けてもよい。

図１９には、領域８１に加えて領域８２を有する例を示している。領域８２は、樹脂層２０２の開口部、及び液晶素子２２０と重なる領域である。

なお、図１９では樹脂層２０２に、発光素子１２０及び液晶素子２２０の両方を包含する１つの開口部が設けられている例を示したが、発光素子１２０と重なる開口部と、液晶素子２２０と重なる開口部とが別々に設けられた構成としてもよい。

［トランジスタについて］
図４で例示した表示モジュール１０は、トランジスタ１１０とトランジスタ２１０の両方に、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合の例である。

トランジスタ１１０は、ゲート電極として機能する導電層１１１が、半導体層１１２よりも被形成面側（樹脂層１０１側）に位置する。また、絶縁層１３２が導電層１１１を覆って設けられている。また半導体層１１２は、導電層１１１を覆って設けられている。半導体層１１２の導電層１１１と重なる領域が、チャネル形成領域に相当する。また、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、それぞれ半導体層１１２の上面及び側端部に接して設けられている。

なお、トランジスタ１１０は、導電層１１１よりも半導体層１１２の幅が大きい場合の例を示している。このような構成により、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂの間に半導体層１１２が配置されるため、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。

トランジスタ１１０は、チャネルエッチ型のトランジスタであり、トランジスタの占有面積を縮小することが比較的容易であるため、高精細な表示装置に好適に用いることができる。

トランジスタ２１０は、トランジスタ１１０と共通の特徴を有している。

ここで、トランジスタ１１０及びトランジスタ２１０に適用可能な、トランジスタの構成例について説明する。

図２０（Ａ）に示したトランジスタ１１０ａは、トランジスタ１１０と比較して、導電層１１４及び絶縁層１３６を有する点で相違している。導電層１１４は、絶縁層１３３上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また絶縁層１３６は、導電層１１４及び絶縁層１３３を覆って設けられている。

導電層１１４は、半導体層１１２を挟んで導電層１１１とは反対側に位置している。導電層１１１を第１のゲート電極とした場合、導電層１１４は、第２のゲート電極として機能することができる。導電層１１１と導電層１１４に同じ電位を与えることで、トランジスタ１１０ａのオン電流を高めることができる。また導電層１１１及び導電層１１４の一方にしきい値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタ１１０ａのしきい値電圧を制御することができる。

ここで、導電層１１４として、酸化物を含む導電性材料を用いることが好ましい。これにより、導電層１１４を構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜することで、絶縁層１３３に酸素を供給することができる。好適には、成膜ガス中の酸素ガスの割合を９０％以上１００％以下の範囲とすることが好ましい。絶縁層１３３に供給された酸素は、後の熱処理により半導体層１１２に供給され、半導体層１１２中の酸素欠損の低減を図ることができる。

特に、導電層１１４には低抵抗化された金属酸化物を用いることが好ましい。このとき、絶縁層１３６に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好ましい。絶縁層１３６の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層１１４中に水素が供給され、導電層１１４の電気抵抗を効果的に低減することができる。

図２０（Ｂ）に示すトランジスタ１１０ｂは、トップゲート構造のトランジスタである。

トランジスタ１１０ｂは、ゲート電極として機能する導電層１１１が、半導体層１１２よりも上側（被形成面側とは反対側）に設けられている。また、絶縁層１３１上に半導体層１１２が形成されている。また半導体層１１２上には、絶縁層１３２及び導電層１１１が積層して形成されている。また、絶縁層１３３は、半導体層１１２の上面及び側端部、絶縁層１３３の側面、及び導電層１１１を覆って設けられている。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、絶縁層１３３上に設けられている。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、絶縁層１３３に設けられた開口を介して、半導体層１１２の上面と電気的に接続されている。

なお、ここでは絶縁層１３２が、導電層１１１と重ならない部分に存在しない場合の例を示しているが、絶縁層１３２が半導体層１１２の上面及び側端部を覆って設けられていてもよい。

トランジスタ１１０ｂは、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂとの物理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である。

図２０（Ｃ）に示すトランジスタ１１０ｃは、トランジスタ１１０ｂと比較して、導電層１１５及び絶縁層１３７を有している点で相違している。導電層１１５は絶縁層１３１上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また絶縁層１３７は、導電層１１５及び絶縁層１３１を覆って設けられている。

導電層１１５は、上記導電層１１４と同様に第２のゲート電極として機能する。そのため、オン電流を高めることや、しきい値電圧を制御することなどが可能である。

ここで、表示モジュール１０において、表示パネル１００が有するトランジスタと、表示パネル２００が有するトランジスタとを、異なるトランジスタで構成してもよい。一例としては、発光素子１２０と電気的に接続するトランジスタは、比較的大きな電流を流す必要があるためトランジスタ１１０ａやトランジスタ１１０ｃを適用し、その他のトランジスタには、トランジスタの占有面積を低減するために、トランジスタ１１０を適用することができる。

一例として、図２１には、図２のトランジスタ２１０に代えてトランジスタ１１０ａを適用し、トランジスタ１１０に代えてトランジスタ１１０ｃを適用した場合の例を示している。

以上がトランジスタについての説明である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について説明する。以下で例示する表示装置は、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置である。

［構成例］
図２２（Ａ）は、表示装置４００の構成の一例を示すブロック図である。表示装置４００は、表示部３６２にマトリクス状に配列した複数の画素４１０を有する。また表示装置４００は、回路ＧＤと、回路ＳＤを有する。また方向Ｒに配列した複数の画素４１０、及び回路ＧＤと電気的に接続する複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、及び複数の配線ＣＳＣＯＭを有する。また方向Ｃに配列した複数の画素４１０、及び回路ＳＤと電気的に接続する複数の配線Ｓ１及び複数の配線Ｓ２を有する。

なお、ここでは簡単のために回路ＧＤと回路ＳＤを１つずつ有する構成を示したが、液晶素子を駆動する回路ＧＤ及び回路ＳＤと、発光素子を駆動する回路ＧＤ及び回路ＳＤとを、別々に設けてもよい。

画素４１０は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。画素４１０において、液晶素子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。

図２２（Ｂ１）は、画素４１０が有する電極３１１ｂの構成例を示す。電極３１１ｂは、画素４１０における液晶素子の反射電極として機能する。また電極３１１ｂには、開口４５１が設けられている。

図２２（Ｂ１）には、電極３１１ｂと重なる領域に位置する発光素子３６０を破線で示している。発光素子３６０は、電極３１１ｂが有する開口４５１と重ねて配置されている。これにより、発光素子３６０が発する光は、開口４５１を介して表示面側に射出される。

図２２（Ｂ１）では、方向Ｒに隣接する画素４１０が異なる色に対応する画素である。このとき、図２２（Ｂ１）に示すように、方向Ｒに隣接する２つの画素において、開口４５１が一列に配列されないように、電極３１１ｂの異なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、２つの発光素子３６０を離すことが可能で、発光素子３６０が発する光が隣接する画素４１０が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子３６０を離して配置することができるため、発光素子３６０のＥＬ層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。

また、図２２（Ｂ２）に示すような配列としてもよい。

非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子３６０を用いた表示が暗くなってしまう。

また、反射電極として機能する電極３１１ｂに設ける開口４５１の面積が小さすぎると、発光素子３６０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。

開口４５１の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開口４５１を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口４５１を同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。

［回路構成例］
図２３は、画素４１０の構成例を示す回路図である。図２３では、隣接する２つの画素４１０を示している。

画素４１０は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子３４０、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子３６０等を有する。また、画素４１０には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２が電気的に接続されている。また、図２３では、液晶素子３４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１、及び発光素子３６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。

図２３では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２に、トランジスタを用いた場合の例を示している。

スイッチＳＷ１は、ゲートが配線Ｇ１と接続され、ソース又はドレインの一方が配線Ｓ１と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子Ｃ１の一方の電極、及び液晶素子３４０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１は、他方の電極が配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子３４０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。

またスイッチＳＷ２は、ゲートが配線Ｇ２と接続され、ソース又はドレインの一方が配線Ｓ２と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子Ｃ２の一方の電極、トランジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２は、他方の電極がトランジスタＭのソース又はドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭは、ソース又はドレインの他方が発光素子３６０の一方の電極と接続されている。発光素子３６０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ２と接続されている。

図２３では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させることができる。

配線Ｇ１には、スイッチＳＷ１を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液晶素子３４０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣＯＭには、所定の電位を与えることができる。

配線Ｇ２には、スイッチＳＷ２を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯには、発光素子３６０が発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制御する信号を与えることができる。

図２３に示す画素４１０は、例えば反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１及び配線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子３４０による光学変調を利用して表示することができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２に与える信号により駆動し、発光素子３６０を発光させて表示することができる。また両方のモードで駆動する場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれに与える信号により駆動することができる。

なお、図２３では一つの画素４１０に、一つの液晶素子３４０と一つの発光素子３６０とを有する例を示したが、これに限られない。図２４（Ａ）は、一つの画素４１０に一つの液晶素子３４０と４つの発光素子３６０（発光素子３６０ｒ、３６０ｇ、３６０ｂ、３６０ｗ）を有する例を示している。図２４（Ａ）に示す画素４１０は、図２３とは異なり、１つの画素でフルカラーの表示が可能な画素である。

図２４（Ａ）では図２３の例に加えて、画素４１０に配線Ｇ３及び配線Ｓ３が接続されている。

図２４（Ａ）に示す例では、例えば４つの発光素子３６０を、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、及び白色（Ｗ）を呈する発光素子を用いることができる。また液晶素子３４０として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより、反射モードの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また透過モードで表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。

また、図２４（Ｂ）には、画素４１０の構成例を示している。画素４１０は、電極３１１が有する開口部と重なる発光素子３６０ｗと、電極３１１の周囲に配置された発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂとを有する。発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂは、発光面積がほぼ同等であることが好ましい。

［表示装置の構成例］
図２５は、本発明の一態様の表示装置３００の斜視概略図である。表示装置３００は、基板３５１と基板３６１とが貼り合わされた構成を有する。図２５では、基板３６１を破線で明示し、基板３６１上にこの順で上から設けられる偏光板５９９および光拡散板５９８は省略している。

表示装置３００は、表示部３６２、回路部３６４、配線３６５、回路部３６６、配線３６７等を有する。基板３５１には、例えば回路部３６４、配線３６５、回路部３６６、配線３６７及び画素電極として機能する電極３１１ｂ、照明領域３６８等が設けられる。また図２５では基板３５１上にＩＣ３７３、ＦＰＣ３７２、ＩＣ３７５及びＦＰＣ３７４が実装されている例を示している。そのため、図２５に示す構成は、表示装置３００とＩＣ３７３、ＦＰＣ３７２、ＩＣ３７５及びＦＰＣ３７４を有する表示モジュールと言うこともできる。

回路部３６４は、例えば走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。

配線３６５は、表示部や回路部３６４に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、ＦＰＣ３７２を介して外部、またはＩＣ３７３から配線３６５に入力される。

また、図２５では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板３５１にＩＣ３７３が設けられている例を示している。ＩＣ３７３は、例えば走査線駆動回路、または信号線駆動回路などとしての機能を有するＩＣを適用できる。なお表示装置３００が走査線駆動回路及び信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、ＦＰＣ３７２を介して表示装置３００を駆動するための信号を入力する場合などでは、ＩＣ３７３を設けない構成としてもよい。また、ＩＣ３７３を、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣ３７２に実装してもよい。

図２５には、表示部３６２の一部の拡大図を示している。表示部３６２には、複数の表示素子が有する電極３１１ｂがマトリクス状に配置されている。電極３１１ｂは、可視光を反射する機能を有し、後述する液晶素子３４０の反射電極として機能する。

また、図２５に示すように、表示部３６２の電極３１１ｂは開口を有する。さらに電極３１１ｂよりも基板３５１側に、発光素子３６０を有する。発光素子３６０からの光は、電極３１１ｂの開口を介して基板３６１側に射出される。また、図２５に示すように、照明領域３６８において隔壁で電極の端部が覆われ、発光領域３６３を図示している。発光領域３６３の上方には基板３６１は設けられていない。この発光領域３６３の光が図示しない反射部材で反射させる。

［断面構成例］
図２６に、図２５で例示した表示装置の、ＦＰＣ３７２を含む領域の一部、回路部３６４を含む領域の一部、表示部３６２を含む領域の一部、回路部３６６を含む領域の一部、及びＦＰＣ３７４を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図２６に示す表示装置は、表示パネル１００と、表示パネル２００とが積層された構成を有する。表示パネル１００は、樹脂層１０１と樹脂層１０２を有する。表示パネル２００は、樹脂層２０１と樹脂層２０２を有する。樹脂層１０２と樹脂層２０１とは、接着層５０によって接着されている。また樹脂層１０１は、接着層５１により基板３５１と接着されている。また樹脂層２０２は、接着層５２により基板３６１と接着されている。

〔表示パネル１００〕

表示パネル１００は、樹脂層１０１、絶縁層４７８、複数のトランジスタ、容量素子４０５、配線４０７、絶縁層４１１、絶縁層４１２、絶縁層４１３、絶縁層４１４、絶縁層４１５、発光素子３６０、スペーサ４１６、接着層４１７、着色層４２５、遮光層４２６、絶縁層４７６、及び樹脂層１０２を有する。

樹脂層１０２は、発光素子３６０と重なる領域に開口部を有する。

回路部３６４はトランジスタ４０１を有する。表示部３６２は、トランジスタ４０２及びトランジスタ４０３を有する。

各トランジスタは、ゲート、絶縁層４１１、半導体層、ソース、及びドレインを有する。ゲートと半導体層は、絶縁層４１１を介して重なる。絶縁層４１１の一部は、ゲート絶縁層としての機能を有し、他の一部は、容量素子４０５の誘電体としての機能を有する。トランジスタ４０２のソース又はドレインとして機能する導電層は、容量素子４０５の一方の電極を兼ねる。

図２６では、ボトムゲート構造のトランジスタを示す。回路部３６４と表示部３６２とで、トランジスタの構造が異なっていてもよい。回路部３６４及び表示部３６２は、それぞれ、複数の種類のトランジスタを有していてもよい。

容量素子４０５は、一対の電極と、その間の誘電体とを有する。容量素子４０５は、トランジスタのゲートと同一の材料、及び同一の工程で形成した導電層と、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料、及び同一の工程で形成した導電層と、を有する。

絶縁層４１２、絶縁層４１３、及び絶縁層４１４は、それぞれ、トランジスタ等を覆って設けられる。トランジスタ等を覆う絶縁層の数は特に限定されない。絶縁層４１４は、平坦化層としての機能を有する。絶縁層４１２、絶縁層４１３、及び絶縁層４１４のうち、少なくとも一層には、水又は水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。外部から不純物がトランジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層４１４として有機材料を用いる場合、表示装置の端部に露出した絶縁層４１４を通って発光素子３６０等に表示装置の外部から水分等の不純物が侵入する恐れがある。不純物の侵入により、発光素子３６０が劣化すると、表示装置の劣化につながる。そのため、図２６に示すように、絶縁層４１４が、表示装置の端部に位置しないことが好ましい。図２６の構成では、有機材料を用いた絶縁層が表示装置の端部に位置しないため、発光素子３６０に不純物が侵入することを抑制できる。

発光素子３６０は、電極４２１、ＥＬ層４２２、及び電極４２３を有する。発光素子３６０は、光学調整層４２４を有していてもよい。発光素子３６０は、着色層４２５側に光を射出する、トップエミッション構造である。

トランジスタ、容量素子、及び配線等を、発光素子３６０の発光領域と重ねて配置することで、表示部３６２の開口率を高めることができる。

電極４２１及び電極４２３のうち、一方は、陽極として機能し、他方は、陰極として機能する。電極４２１及び電極４２３の間に、発光素子３６０の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層４２２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層４２２において再結合し、ＥＬ層４２２に含まれる発光物質が発光する。

電極４２１は、トランジスタ４０３のソース又はドレインと電気的に接続される。これらは、直接接続されてもよいし、他の導電層を介して接続されてもよい。電極４２１は、画素電極として機能し、発光素子３６０ごとに設けられている。隣り合う２つの電極４２１は、絶縁層４１５によって電気的に絶縁されている。

ＥＬ層４２２は、発光性の物質を含む層である。

電極４２３は、共通電極として機能し、複数の発光素子３６０にわたって設けられている。電極４２３には、定電位が供給される。

発光素子３６０は、接着層４１７を介して着色層４２５と重なる。スペーサ４１６は、接着層４１７を介して遮光層４２６と重なる。図２６では、電極４２３と遮光層４２６との間に隙間がある場合を示しているが、これらが接していてもよい。図２６では、スペーサ４１６を基板４７１側に設ける構成を示したが、基板４７２側（例えば遮光層４２６よりも基板４７１側）に設けてもよい。

カラーフィルタ（着色層４２５）とマイクロキャビティ構造（光学調整層４２４）との組み合わせにより、表示装置からは、色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整層４２４の膜厚は、各画素の色に応じて変化させる。

着色層４２５は特定の波長域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄色の波長域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。

なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、又は量子ドット方式等を適用してもよい。

遮光層４２６は、隣接する着色層４２５の間に設けられている。遮光層４２６は隣接する発光素子４０４からの光を遮光し、隣接する発光素子３６０間における混色を抑制する。ここで、着色層４２５の端部を、遮光層４２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層４２６としては、発光素子３６０が発する光を遮る材料を用いることができる。なお、遮光層４２６は、回路部３６４などの表示部３６２以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

樹脂層１０１の一方の表面には絶縁層４７８が形成されている。また、樹脂層１０２の一方の表面には絶縁層４７６が形成されている。絶縁層４７６及び絶縁層４７８に防湿性の高い膜を用いることが好ましい。一対の防湿性の高い絶縁層の間に発光素子３６０及びトランジスタ等を配置することで、これらの素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。

防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、及び、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

接続部４０６は、配線３６５を有する。配線３６５は、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料、及び同一の工程で形成することができる。接続部４０６は、回路部３６４に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ３７２を設ける例を示している。接続層４１９を介してＦＰＣ３７２と接続部４０６は電気的に接続する。

接続層４１９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）及び異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

以上が表示パネル１００についての説明である。

〔表示パネル２００〕
表示パネル２００は、縦電界方式が適用された反射型液晶表示装置である。

表示パネル２００は、樹脂層２０１、絶縁層５７８、複数のトランジスタ、容量素子５０５、配線３６７、絶縁層５１１、絶縁層５１２、絶縁層５１３、絶縁層５１４、液晶素子５２９、配向膜５６４ａ、配向膜５６４ｂ、接着層５１７、絶縁層５７６、及び樹脂層２０２を有する。

樹脂層２０１と樹脂層２０２とは、接着層５１７によって貼り合わされている。樹脂層２０１、樹脂層２０２、及び接着層５１７に囲まれた領域に、液晶５６３が封止されている。基板５７２の外側の面には、偏光板５９９および光拡散板５９８が位置する。光拡散板５９８として、実施の形態３で説明する光拡散板１５Ａまたは光拡散板１５Ｂを用いることができる。

また樹脂層２０１には、発光素子３６０と重なる開口部が設けられている。また、樹脂層２０２には、液晶素子５２９及び発光素子３６０と重なる開口部が設けられている。

液晶素子５２９は、電極３１１ｂ、電極５６２、及び液晶５６３を有する。電極３１１ｂは画素電極として機能する。電極５６２は共通電極として機能する。電極３１１ｂと電極５６２との間に生じる電界により、液晶５６３の配向を制御することができる。液晶５６３と電極３１１ｂの間には配向膜５６４ａが設けられている。液晶５６３と電極５６２の間には、配向膜５６４ｂが設けられている。

樹脂層２０２には、絶縁層５７６、電極５６２、及び配向膜５６４ｂ等が設けられている。

樹脂層２０１には、電極３１１ｂ、配向膜５６４ａ、トランジスタ５０１、トランジスタ５０３、容量素子５０５、接続部５０６、及び配線３６７等が設けられている。

樹脂層２０１上には、絶縁層５１１、絶縁層５１２、絶縁層５１３、絶縁層５１４等の絶縁層が設けられている。

ここで、トランジスタ５０３のソース又はドレインのうち、電極３１１ｂと電気的に接続されていない方の導電層は、信号線の一部として機能してもよい。また、トランジスタ５０３のゲートとして機能する導電層は、走査線の一部として機能してもよい。

図２６では、表示部３６２の例として、着色層を設けない構成を示している。そのため、液晶素子５２９は、白黒の階調表示を行う素子である。

図２６では、回路部３６６の例としてトランジスタ５０１が設けられている例を示している。

各トランジスタを覆う絶縁層５１２、絶縁層５１３のうち少なくとも一方は、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。

絶縁層５１４上には、電極３１１ｂが設けられている。電極３１１ｂは、絶縁層５１４、絶縁層５１３、絶縁層５１２等に形成された開口を介して、トランジスタ５０３のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。また電極３１１ｂは、容量素子５０５の一方の電極と電気的に接続されている。

表示パネル２００は、反射型の液晶表示装置であるため、電極３１１ｂに可視光を反射する導電性材料を用い、電極５６２に可視光を透過する導電性材料を用いる。

可視光を透過する導電性材料としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などが挙げられる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。

可視光を反射する導電性材料としては、例えば、アルミニウム、銀、またはこれらの金属材料を含む合金等が挙げられる。そのほか、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。

ここで、偏光板５９９として直線偏光板を用いてもよいが、円偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる。また、偏光板５９９の種類に応じて、液晶素子５２９に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにすればよい。

電極５６２は、樹脂層２０２の端部に近い部分において、樹脂層２０１側に設けられた導電層と接続体５４３により電気的に接続されている。これにより、樹脂層２０１側に配置されるＦＰＣ３７４やＩＣ等から電極５６２に電位や信号を供給することができる。

接続体５４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体５４３として、弾性変形、または塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体５４３は、図２６に示すように上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体５４３と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良などの不具合の発生を抑制することができる。

接続体５４３は、接着層５１７に覆われるように配置することが好ましい。例えば接着層５１７となるペースト等を塗布した後に、接続体５４３を配置すればよい。

樹脂層２０１の端部に近い領域には、接続部５０６が設けられている。接続部５０６は、接続層５１９を介してＦＰＣ３７４と電気的に接続されている。図２６に示す構成では、配線３６７の一部と、電極３１１ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層を積層することで接続部５０６を構成している例を示している。

以上が表示パネル２００についての説明である。

［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。

〔基板〕
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。

厚さの薄い基板を用いることで、表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実現できる。

また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上４００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金またはステンレス等の合金などを好適に用いることができる。

また、金属基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。

可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０^−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示パネルも軽量にすることができる。

上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ましい。

または、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。または、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。

可撓性を有する基板に、表示パネルの表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂など）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。

基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示パネルとすることができる。

〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。

なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

また、トランジスタに用いる半導体材料としては、金属酸化物を用いることができる。代表的には、インジウムを含む金属酸化物などを適用できる。

特にシリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

また、シリコンよりもバンドギャップの大きな金属酸化物を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各画素の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。

半導体層は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたはハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系金属酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該金属酸化物を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属を含め、例えば、ランタノイドである、プラセオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。

半導体層を構成する金属酸化物として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半導体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。

半導体層を構成する金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上であることが好ましい。このように、エネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

半導体層を構成する金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。

本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのとき金属酸化物を用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成できる、半導体層よりも下層の配線は電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。

〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層や、表示素子が有する導電層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、エポキシ、シリコーン樹脂等の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。

また発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

〔表示素子について〕
表示面側に位置する第１の画素が有する表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。第１の画素が有する表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。または、第１の画素が有する表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子などを用いることができる。

また、表示面側とは反対側に位置する第２の画素が有する表示素子は光源を有し、その光源からの光を利用して表示する素子を用いることができる。このような画素が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く（色域が広く）、且つコントラストの高い、つまり鮮やかな表示を行うことができる。第２の画素が有する表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの自発光性の発光素子を用いることができる。または、第２の画素が有する表示素子として、光源であるバックライトと、バックライトからの光の透過光の光量を制御する透過型の液晶素子とを組み合わせたものを用いてもよい。

〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。

また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる。

なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。

また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。

また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。

本発明の一態様では、特に反射型の液晶素子を用いることができる。

〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、ＬＥＤ、ＱＬＥＤ、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

本発明の一態様では、特に発光素子は、トップエミッション型の発光素子を用いることが好ましい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。

発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。

ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。

また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。

なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、及び電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。

なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、またはマグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接して金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。

〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。

〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。

以上が各構成要素についての説明である。

［変形例］
以下では、上記断面構成例で例示した表示装置とは一部の構成の異なる例を説明する。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点のみ説明する。

〔断面構成例の変形例１〕
図２７は、図２６と比較してトランジスタの構成及び樹脂層２０２の構成が異なる点、ならびに着色層５６５、遮光層５６６、及び絶縁層５６７を有する点で相違している。

図２７に示すトランジスタ４０１、トランジスタ４０３、トランジスタ５０１は、第２のゲート電極を有する。このように、回路部３６４や回路部３６６に設けるトランジスタ、及び発光素子３６０に流れる電流を制御するトランジスタに、一対のゲートを有するトランジスタを適用することが好ましい。

樹脂層２０２は、液晶素子５２９と重なる開口部と、発光素子３６０と重なる開口部とが、別々に設けられている。これにより、液晶素子５２９の反射率を向上させることができる。

また、絶縁層５７６の液晶素子５２９側の面には、遮光層５６６と、着色層５６５が設けられている。着色層５６５は、液晶素子５２９と重ねて設けられている。これにより、表示パネル２００はカラー表示を行うことができる。また、遮光層５６６は、液晶素子５２９と重なる開口部と、発光素子３６０と重なる開口部を有する。これにより、隣接画素間の混色を抑制し、色再現性の高い表示装置を実現できる。

〔断面構成例の変形例２〕
図２８は、各トランジスタにトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例である。このように、トップゲート型のトランジスタを適用することにより、寄生容量が低減できるため、表示のフレーム周波数を高めることができる。また、例えば８インチ以上の大型の表示パネルに好適に用いることができる。

〔断面構成例の変形例３〕
図２９は、各トランジスタに第２のゲート電極を有するトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例を示している。

各トランジスタは、樹脂層１０１または樹脂層２０１上に接して、導電層５９１を有する。また導電層５９１を覆って絶縁層５７８が設けられている。

また、表示パネル２００の接続部５０６において、樹脂層２０１の一部が開口され、当該開口を埋めるように導電層５９２が設けられている。導電層５９２は、その裏面側（表示パネル１００側）の表面が露出するように設けられている。導電層５９２は、配線３６７と電気的に接続されている。ＦＰＣ３７４は、導電層５９２の露出した表面と、接続層５１９を介して電気的に接続されている。導電層５９２は導電層５９１と同一の導電膜を加工して形成することができる。導電層５９２は、裏面電極とも呼ぶことのできる電極として機能する。

このような構成は、樹脂層２０１に感光性の有機樹脂を用いることにより実現することができる。例えば、支持基板上に樹脂層２０１を形成する際に、樹脂層２０１に開口部を形成し、当該開口を埋めるように導電層５９２を形成する。そして樹脂層２０１と支持基板とを剥離する際、導電層５９２と支持基板とも同時に剥離されることにより、図２９に示すような導電層５９２を形成することができる。例えば、実施の形態３で例示したように、光吸収層を用いた方法や、または凹部を有する樹脂層または２層構造の樹脂層を形成した後に導電層５９２の裏面が露出するように樹脂層の一部をエッチングする方法等を用いることができる。

このような構成とすることで、表示面側に位置する表示パネル２００に接続するＦＰＣ３７４を、表示面とは反対側に配置することができる。そのため、表示装置を電子機器に組み込む際に、ＦＰＣ３７４を折り曲げるためのスペースを省くことができ、より小型化した電子機器を実現できる。

以上が変形例についての説明である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

１０ 表示モジュール
１１ 基板
１２ 基板
１３ 枠状部材
１４ 表示部
１５ 光拡散板
１５Ａ 光拡散板
１５Ｂ 光拡散板
１６ 偏光板
１７ タッチ入力ペン
１８ 光
２０ 表示モジュール
２１ 光
２２ 反射光
２３ 光
３０ 画素ユニット
３１ 表示素子
３１Ｂ 表示素子
３１Ｇ 表示素子
３１ｐ 画素
３１Ｒ 表示素子
３２ 表示素子
３２Ｂ 表示素子
３２Ｇ 表示素子
３２ｐ 画素
３２Ｒ 表示素子
３２Ｙ 表示素子
３３ 表示素子
３３Ｂ 発光素子
３３Ｇ 発光素子
３３ｐ 画素
３３Ｒ 発光素子
３５ｒ 光
３５ｔ 光
３５ｔｒ 光
４１ 層
４２ 層
４６ 反射部材
４９ 照明領域
５０ 接着層
５１ 接着層
５２ 接着層
６０ 表示モジュール
６１ 支持基板
６２ 支持基板
６３ 支持基板
６４ 支持基板
６５ シール部
６６ 部材
６７ 素子層
６８ 基板
６９ 照明ユニット
７０ 光
７１ 拡散板
７２ 対向基板
７３ 端子部
７４ 充填材
７５ 液晶層
８１ 領域
８２ 領域
１００ 表示パネル
１０１ 樹脂層
１０１ａ 樹脂層
１０２ 樹脂層
１０２ｂ 樹脂層
１０２ｃ 樹脂層
１０３ａ 光吸収層
１０３ａａ 光吸収層
１０３ｂ 光吸収層
１０３ｃ 光吸収層
１１０ トランジスタ
１１０ａ トランジスタ
１１０ｂ トランジスタ
１１０ｃ トランジスタ
１１１ 導電層
１１２ 半導体層
１１３ａ 導電層
１１３ｂ 導電層
１１４ 導電層
１１５ 導電層
１２０ 発光素子
１２１ 導電層
１２２ ＥＬ層
１２３ 導電層
１２４ 導電層
１３１ 絶縁層
１３２ 絶縁層
１３３ 絶縁層
１３４ 絶縁層
１３５ 絶縁層
１３６ 絶縁層
１３７ 絶縁層
１４１ 絶縁層
１５１ 接着層
１５２ 着色層
１５３ 遮光層
２００ 表示パネル
２０１ 樹脂層
２０２ 樹脂層
２０４ 絶縁層
２１０ トランジスタ
２１１ 導電層
２１２ 半導体層
２１３ａ 導電層
２１３ｂ 導電層
２２０ 液晶素子
２２１ 導電層
２２２ 液晶
２２３ 導電層
２２４ａ 配向膜
２２４ｂ 配向膜
２３１ 絶縁層
２３２ 絶縁層
２３３ 絶縁層
２３４ 絶縁層
３００ 表示装置
３１１ 電極
３１１ｂ 電極
３４０ 液晶素子
３５１ 基板
３６０ 発光素子
３６０ｂ 発光素子
３６０ｇ 発光素子
３６０ｒ 発光素子
３６０ｗ 発光素子
３６１ 基板
３６２ 表示部
３６３
３６４ 回路部
３６５ 配線
３６６ 回路部
３６７ 配線
３６８
３７２ ＦＰＣ
３７３ ＩＣ
３７４ ＦＰＣ
３７５ ＩＣ
４００ 表示装置
４０１ トランジスタ
４０２ トランジスタ
４０３ トランジスタ
４０４ 発光素子
４０５ 容量素子
４０６ 接続部
４０７ 配線
４１０ 画素
４１１ 絶縁層
４１２ 絶縁層
４１３ 絶縁層
４１４ 絶縁層
４１５ 絶縁層
４１６ スペーサ
４１７ 接着層
４１９ 接続層
４２１ 電極
４２２ ＥＬ層
４２３ 電極
４２４ 光学調整層
４２５ 着色層
４２６ 遮光層
４５１ 開口
４７１ 基板
４７２ 基板
４７６ 絶縁層
４７８ 絶縁層
５０１ トランジスタ
５０３ トランジスタ
５０５ 容量素子
５０６ 接続部
５１１ 絶縁層
５１２ 絶縁層
５１３ 絶縁層
５１４ 絶縁層
５１７ 接着層
５１９ 接続層
５２９ 液晶素子
５４３ 接続体
５６２ 電極
５６３ 液晶
５６４ａ 配向膜
５６４ｂ 配向膜
５６５ 着色層
５６６ 遮光層
５６７ 絶縁層
５７２ 基板
５７６ 絶縁層
５７８ 絶縁層
５９１ 導電層
５９２ 導電層
５９８ 光拡散板
５９９ 偏光板

Claims (6)

1. 部材と、表示部と、を有し、前記表示部は、第１の有機発光素子と、反射電極を有する液晶素子とを有し、
   前記部材と重なる第２の有機発光素子と、
   前記部材は反射部材または光学系を有し、
   前記第２の有機発光素子からの発光は、前記部材の反射部材または光学系により、前記表示部の反射電極に照射させる表示装置。
2. 第１の表示素子および第２の表示素子で構成される第１の表示領域と、第３の表示素子で構成される第２の表示領域と、
   前記第２の表示領域と重なる部材と、を有し、
   前記第１の表示領域には、反射電極を有する第１の表示素子と、前記反射電極の開口を通過させて発光させる第２の表示素子を有し、
   前記部材は反射部材または光学系を有し、
   前記第３の表示素子からの発光は、前記部材の反射部材または光学系によって光路が曲げられ、前記反射電極に照射される表示装置。
3. 請求項２において、前記第２の表示素子と前記第３の表示素子は同一基板上に形成される表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記部材は、開口を有する枠状である表示装置。
5. 請求項２乃至４のいずれか一において、前記第２の表示領域は照明である表示装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記反射電極はトランジスタと電気的に接続されている表示装置。

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