KR102066177B1 - 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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Abstract

[과제]
높은 시인성을 갖는 표시 장치 및 전자 기기표를 제공한다.
[해결 수단]
본 개시된 표시 장치는, 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 및 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과, 화소마다 개구를 갖음과 함께, 표시층 및 제2 기판의 사이에 배설된 표시 모드 전환층을 구비한다.

Description

표시 장치 및 전자 기기{DISPLAY UNIT AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 출원은, 2013년 6월 5일자로 출원된 일본 특허출원 특원2013-119220호의 우선권 주장을 수반하는 것이고, 그 개시 내용은, 그대로 본원의 일부를 구성하는 것이다.
본 개시는, 표시 모드를 전환하는 것이 가능한 표시 장치 및 이것을 구비한 전자 기기에 관한 것이다.
근래, 미러와 표시 디바이스를 조합시킨 표시 장치(이른바, 미러-디스플레이)는 다양한 분야에서 사용되고 있고, 예를 들면, 자동차의 백미러나 인테리어 디스플레이로서 사용되고 있다. 이와 같은 미러-디스플레이는, 예를 들면 인물이 가까워진 때에, 화상과 함께 문자 정보 등을 겹쳐서 표시할 수 있다(예를 들면, 일본국 특개평10-138832호 공보 및 일본국 특개2005-260545호 공보 참조).
이와 같은 미러-디스플레이는, 예를 들면, 액정 등의 표시 디바이스의 앞에 미러로서 기능하는 하프미러-시트 등을 접합함에 의해 구성되어 있다(예를 들면, 일본국 특개2010-70889호 공보 참조).
그러나, 표시 디바이스의 앞에 하프미러-시트를 배치한 미러-디스플레이에서는, 하프미러-시트의 투과율의 낮음 땝문에 휘도가 저하된다는 문제가 있다. 이에 대해, 표시 디바이스로서 유기 일렉트로루미네선스(EL ; Electro L㎛inescence) 소자를 이용하고, 이 유기 EL 소자와 투명 기판의 사이에 반사막을 마련한 표시 장치가 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 특개2005-332616호 공보특허 문헌 4 참조). 이 표시 장치에서는, 휘도의 저하는 개선되지만, 반사막에 의해 형성된 미러면에 반사글레어(reflected glare)가 생겨서, 화상이 보기 어려워진다. 이와 같이, 종래의 미러-디스플레이에서는 충분한 시인성을 얻을 수가 없다는 문제가 있다.
본 기술은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 높은 시인성을 갖는 표시 장치 및 전자 기기를 제공하는 것에 있다.
본 기술의 표시 장치는, 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 및 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과, 화소마다 개구를 갖음과 함께, 표시층 및 제2 기판의 사이에 배설된 표시 모드 전환층을 구비한 것이다.
본 기술의 전자 기기는, 상기 표시 장치를 구비한 것이다. 상기 표시 장치는, 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 및 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과, 화소마다 개구를 갖음과 함께, 표시층 및 제2 기판의 사이에 배설된 표시 모드 전환층을 구비한 것이다.
본 기술의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 표시층과 제2 기판의 사이에 개구를 갖는 표시 모드 전환층을 마련함에 의해, 필요에 응하여 표시 모드가 전환됨과 함께, 화상표시시에 표시층에서 사출되는 광을 개구로부터 취출하는 것이 가능해진다.
본 기술의 표시 장치 및 전자 기기에 의하면, 표시층과 제2 기판의 사이에 표시 모드 전환층을 마련하도록 하였기 때문에, 표시 모드의 전환, 예를 들면 미러표시와 블랙표시(화상표시)를 필요에 응하여 전환하는 것이 가능해진다. 또한, 표시 모드 전환층의 각 화소에 대응하는 위치에 개구를 마련하도록 하였기 때문에, 표시층에서 사출된 광의 이용 효율이 향상한다. 즉, 화상의 반사글레어나 휘도의 저하가 억제된 높은 시인성을 갖는 표시 장치 및 이것을 구비한 전자 기기를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 개시된 제1의 실시의 형태에 관한 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 2는 도 1에 도시한 표시 장치에서의 표시 모드 전환층의 구성(개구 패턴)의 한 예를 도시하는 평면도.
도 3은 도 2에 도시한 표시 모드 전환층의 구성을 도시하는 단면도.
도 4A는 도 2에 도시한 표시 모드 전환층의 제조 방법의 한 예를 설명하기 위한 단면도.
도 4B는 도 4A에 계속된 공정을 도시하는 단면도.
도 4C는 도 4B에 계속된 공정을 도시하는 단면도.
도 5A는 도 4C에 계속된 공정을 도시하는 단면도.
도 5B는 도 5A에 계속된 공정을 도시하는 단면도.
도 5C는 도 5B에 계속된 공정을 도시하는 단면도.
도 6A는 도 2에 도시한 표시 모드 전환층의 표시 모드를 설명하는 단면도.
도 6B는 도 2에 도시한 표시 모드 전환층의 표시 모드를 설명하는 단면도.
도 7은 도 1에 도시한 표시 장치의 전체 구성을 도시하는 평면도.
도 8은 도 7에 도시한 화소 구동 회로의 한 예를 도시하는 도면.
도 9는 표시 모드 전환층에 인가하는 인가 전압의 한 파형례를 도시하는 도면.
도 10은 본 개시된 실험례 1, 2에서의 반사율과 전압과의 관계를 도시하는 특성도.
도 11은 본 개시된 표시 모드 전환층의 개구 패턴의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 12는 본 개시된 제2의 실시의 형태에 관한 표시 장치의 단면도.
도 13은 도 2에 도시한 표시 장치에서의 표시 모드 전환층의 구성을 도시하는 단면도.
도 14는 본 개시된 실험례 3에서의 투과율과 전압과의 관계를 도시하는 특성도.
도 15는 본 개시된 제3의 실시의 형태에 관한 표시 장치의 단면도.
도 16은 도 15에 도시한 표시 모드 전환층의 구성을 도시하는 단면도.
도 17A는 도 16에 도시한 표시 모드 전환층의 제조 방법의 한 예를 설명하기 위한 단면도.
도 17B는 도 4A에 계속된 공정을 도시하는 단면도.
도 17C는 도 4B에 계속된 공정을 도시하는 단면도.
도 18A는 도 4C에 계속된 공정을 도시하는 단면도.
도 18B는 도 5A에 계속된 공정을 도시하는 단면도.
도 18C는 도 5B에 계속된 공정을 도시하는 단면도.
도 19는 본 개시된 변형례 1에 관한 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 20은 본 개시된 변형례 2에 관한 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 21은 도 21에 도시한 표시 장치의 전체 구성을 도시하는 평면도.
도 22는 본 개시된 제4의 실시의 형태에 관한 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 23A는 도 22에 도시한 표시 장치에서의 표시 모드 전환층의 표시 모드를 설명하기 위한 단면도.
도 23B는 도 22에 도시한 표시 장치에서의 표시 모드 전환층의 표시 모드를 설명한기 위한 단면도.
도 24는 본 개시된 변형례 3에 관한 표시 모드 전환층의 구성을 도시하는 단면도.
도 25는 표시 모드의 부분적 전환이 가능한 표시 장치의 전체 구성을 도시하는 평면도.
도 26은 본 개시된 변형례 4에 관한 표시 모드 전환층의 구성을 도시하는 평면도.
도 27A는 도 26에 도시한 제1 전극의 배설의 한 예를 도시하는 모식도.
도 27B는 도 26에 도시한 제2 전극의 배설의 한 예를 도시하는 모식도.
도 28A는 상기 실시의 형태 등의 표시 장치의 적용례 1의 표측의 외관을 도시하는 사시도.
도 28B는 상기 실시의 형태 등의 표시 장치의 적용례 1의 이측의 외관을 도시하는 사시도.
도 29는 적용례 2의 외관을 도시하는 사시도.
도 30A는 적용례 3의 표측에서 본 외관을 도시하는 사시도.
도 30B는 적용례 3의 이측에서 본 외관을 도시하는 사시도.
도 31은 적용례 4의 외관을 도시하는 사시도.
도 32는 적용례 5의 외관을 도시하는 사시도.
도 33A는 적용례 6의 닫은 상태의 정면도, 좌측면도, 우측면도, 상면도 및 하면도.
도 33B는 적용례 6의 연 상태의 정면도 및 측면도.
도 34는 적용례 7의 외관을 도시하는 모식도.
도 35A는 적용례 8의 투명 디스플레이 모드시의 외관을 도시하는 모식도.
도 35B는 적용례 8의 디스플레이 모드시의 외관을 도시하는 모식도.
이하, 본 개시된 실시의 형태에 관해, 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 제1의 실시의 형태(표시층으로서 유기층을 이용하고, 미러표시 및 블랙표시로 전환 가능한 표시 모드 전환층을 구비한 예)
1-1. 기본 구성
1-2. 표시 장치의 전체 구성
1-3. 제조 방법
1-4. 작용·효과
2. 제2의 실시의 형태(투과표시 및 블랙표시로 전환 가능한 표시 장치)
3. 제3의 실시의 형태(투과표시 및 미러표시로 전환 가능한 표시 장치)
4. 변형례
변형례 1(컬러 필터를 구비한 예)
변형례 2(표시층으로서 액정층을 구비한 예)
5. 제4의 실시의 형태(표시 모드 전환층을 BM층의 앞면에 구비한 표시 장치)
6. 변형례
변형례 3(표시 모드 전환층의 제2 전극을 화소마다 절리(切離)하여 마련한 예)
변형례 4(표시 모드 전환층의 제1 전극 및 제2 전극을 서로 교차하도록 배설한 예)
7. 적용례(전자 기기의 예)
(1. 실시의 형태)
(1-1. 본 구성)
도 1은, 본 개시된 제1의 실시의 형태에 관한 표시 장치(표시 장치(1A))의 단면 구성을 도시한 것이다. 이 표시 장치(1A)는, 예를 들면 미러-디스플레이나 모바일 기기 등으로서 이용되는 것이고, 기판(구동 기판(10))의 위에 표시 영역(110A)이 마련되어 있다(도 7 참조). 이 표시 영역(110A) 내에는, 예를 들면 부화소로서 적색 화소(2R), 녹색 화소(2G), 청색 화소(2B)를 포함하는 복수의 화소(2)가 매트릭스형상으로 배치되어 있다(도 2 참조). 각 화소(2)(2R, 2G, 2B)는 각각 대응하는, 예를 들면 적색의 단색광을 발생하는 적색 발광 소자(20R)와, 녹색의 단색광을 발생하는 녹색 발광 소자(20G)와, 청색의 단색광을 발생하는 청색 발광 소자(20B)를 갖고 있다. 발광 소자(20R, 20G, 20B)는, 예를 들면 후술하는 유기 EL 소자 외에, 무기 EL 소자, 반도체 레이저, LED(Light Emitting Diode) 등에 의해 구성되어 있다. 또한, 도 1 등의 각 도면은 모식도이고, 각 층의 막두께 등의 형상은 실제의 형상과는 반드시 일치하지는 않는다.
본 실시의 형태에서는, 발광 소자(20R, 20G, 20B)가 마련된 표시층(20)을 밀봉한 구동 기판(10) 및 대향 기판(40)의, 대향 기판(40)과 표시층(20)의 사이에 표시 모드 전환층(30)이 마련되어 있다. 이 표시 모드 전환층(30)은, 예를 들면, 미러표시 및 블랙표시의 전환 기능을 갖는 것이고, 각 화소(2)(2R, 2G, 2B)에 각각 대응하는 위치에 개구(P)를 갖는다. 즉, 표시 모드 전환층(30)은, 도 2에 도시한 바와 같이 각 화소(2)의 사이, 구체적으로는 격벽(22)에 개략 대향하는 위치에 각 화소(2)를 각각 둘러싸도록 격자형상으로 배설되고, 이 격자 부분이 미러 상태 또는 블랙 상태(블랙 매트릭스 상태)로 변화한다.
표시 모드 전환층(30)은, 상기한 바와 같이, 표시 장치(1A)의 표시 모드를, 예를 들면 미러표시(미러 모드) 및 블랙표시(디스플레이 모드)로 전환하기 위한 것이다. 표시 모드 전환층(30)은, 필요에 응하여 임의에 표시 모드를 전환할 수 있는 것으로, 예를 들면 전압을 인가함에 의해 광물성이 가역적으로 변화하는 재료에 의해 구성되어 있다. 이와 같은 재료로서는, 예를 들면, 산화환원 방식에 의해 발색이 변화하는 일렉트로크로믹(EC) 재료, 또는 유기 수지 등을 들 수 있다. 본 실시의 형태에서는, 표시 모드 전환층(30)이 EC 재료를 포함하는 EC 소자(30A)에 의해 구성되어 있는 경우를 예로 들어 설명한다.
도 3은, 표시 모드 전환층(30)의 단면 구성을 도시한 것이다. 표시 모드 전환층(30)은, 대향 기판(40)상에 마련된 EC 소자(30A)이고, 대향 기판(40)측부터 제2 전극(31), EC층(32), 제1 전극(33)의 순서로 적층된 구성을 갖는다.
제2 전극(31)은, 광투과성을 갖는 도전 재료(이른바, 투명 도전 재료)로 이루어지는다. 투명 도전 재료로서는, 예를 들면 인듐과 주석의 산화물(ITO), 인듐아연옥시드(IZO), 산화아연(ZnO), 인듐주석아연옥시드(InSnZnO(α-ITZO)), 산화아연(ZnO)과 알루미늄(Al)과의 합금 등을 들 수 있다. 제2 전극(31)은, 이들 재료의 단층막 또는 이들 중의 2종 이상을 포함하는 적층막으로서 형성된다. 이 밖에, 카본나노튜브(CNT)나 그라펜 등을 사용하여도 좋다. 제2 전극(31)의 적층 방향의 막두께(이하, 단지 두께라고 한다)는, 예를 들면 ITO라면 0.2 내지 1㎛이다.
EC층(32)은, 상술한 바와 같이 전압을 인가함에 의해 광물성이 가역적, 여기서는 투명 및 흑색으로 변화하는 EC 재료가 사용된다. EC층(32)의 두께는, 표시 모드 전환층으로서의 성능 및 표시 장치(1A)의 시야각 의존성을 고려하여, 예를 들면 0.5 내지 2㎛ 정도로 하는 것이 바람직하다. EC층(32)의 구체적인 구성례로서는, 예를 들면, 제2 전극(31)측부터 이온 유지층(32A), 이온 전도층(32B) 및 발색층(32C)의 순서로 적층된 구성을 갖는다(도 6A 참조).
이온 유지층(32A)은, 예를 들면, 산화니켈(NiO), 이리듐 옥시드(α-IrO), 이리듐주석옥시드(IrSnO), 산화텅스텐(WO3), 폴리아닐린, 구리그리드(Cu grid) 또는 레독스 중합체 등에 의해 구성되어 있다. 이온 유지층(32A)의 두께는, 예를 들면 0.1 내지 0.5㎛ 정도인 것이 바람직하다.
이온 전도층(32B)은, 예를 들면, 산화탄탈(Ta2O5), 폴리메타크릴산메틸 수지(PMMA), 폴리2-아크릴아미드-2-메틸-1-프로판술폰산(Poly-AMPS), 폴리에틸렌글리콜의 공중합체(a-PEO) 또는 SiO2/Metal 등에 의해 구성되어 있다. 이온 전도층(32B)의 두께는, 발색층(32C)에의 이온 공급 능력 및 표시 장치(1A)의 시야각 의존성을 고려하여, 예를 들면 0.1 내지 1㎛인 것이 바람직하다.
발색층(32C)은, 여기서는 전압의 인가에 의해 투명으로부터 흑색으로 변화하는 일렉트로크로믹 재료, 예를 들면, WO3, 비올로겐(GENETEX ; 상표) 등에 의해 구성되어 있다. 발색층(32C)의 두께로서는, 예를 들면, 0.1 내지 1㎛ 정도인 것이 바람직하다. 이에 의해 표시 모드 전환층(30)은, 표시 장치(1A)의 표시를 미러 모드로부터 디스플레이 모드로 전환한다. 구체적으로는, 제1 전극(33)의 미러면을 충분히 차폐하여, 이른바 블랙 매트릭스(BM)로서 기능하게 된다.
제1 전극(33)은, 본 실시의 형태에서의 미러 모드를 구성하는 것이고, 가능한 한 높은 반사율을 갖는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 하부 전극의 재료로서는, 예를 들면, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 또는 은(Ag) 등의 금속 원소의 단체 또는 합금을 들 수 있다. 제1 전극(33)의 두께는, 미러로서의 반사율을 충분히 얻을 수 있는 두께이라면 좋고, 예를 들면 0.1 내지 1㎛ 정도인 것이 바람직하다.
또한, 미러 모드를 구성하는 제1 전극(33)의 이면, 즉, 표시층(20)측에는, 도 3에 도시한 바와 같이 차광막(34)을 형성하여도 좋다. 차광막(34)을 형성함에 의해, 발광 소자(20R, 20G, 20B)로부터 사출되는 광이 제1 전극(33)에 의해 반사됨에 의한 부화소(2R, 2G, 2B) 사이에서의 혼색이 억제된다. 차광막(34)은, 예를 들면 흑색의 착색제를 혼입한 광학 농도가 1 이상의 흑색의 수지막, 또는 박막의 간섭을 이용한 박막 필터에 의해 구성되어 있다. 이 중 흑색의 수지막에 의해 구성하도록 하면, 염가로 용이하게 형성할 수 있기 때문에 바람직하다. 박막 필터는, 예를 들면, 금속, 금속질화물 또는 금속산화물으로 이루어지는 박막을 1층 이상 적층하고, 박막의 간섭을 이용하여 광을 감쇠시키는 것이다. 박막 필터로서는, 구체적으로는, Cr과 산화크롬(Ⅲ)(Cr2O3)을 교대로 적층한 것을 들 수 있다. 또한, 차광막(34)은, 제1 전극(33)의 이면을 덮음으로써 충분히 효과는 있지만, 이면뿐만 아니라 측면까지 덮도록 함에 의해, 부화소(2R, 2G, 2B) 사이에서의 혼색의 발생을 보다 저감하는 것이 가능해진다.
또한, 차광막(34)은 반드시 필요하지는 않고, 발광층(23C)과 컬러 필터(여기서는 표시 모드 전환층(30))과의 갭, 개구(P)의 크기 및 개구 피치와의 관계에 의해 다중반사의 영향이 다른 화소(2R, 2G, 2B)에 영향을 주지 않는 경우에는 생략하여도 상관없다. 이에 의해, 광원(여기서는 발광 소자(20R, 20G, 20B))로부터의 광을 보다 유효하게 이용할 수 있다.
또한, 상기 차광막(34) 대신에 제1 전극(33)의 이면을 AR(Anti Reflect) 처리하여도 좋다. 이에 의해, 차광막(34)을 형성한 경우와 마찬가지로, 제1 전극(33)의 이면에 대한 광의 반사가 저감되고, 부화소(2R, 2G, 2B) 사이에서의 혼색을 방지할 수 있다.
이와 같은 표시 모드 전환층(30)은, 예를 들면 다음과 같이 하여 제조할 수 있다. 우선, 도 4A에 도시한 바와 같이 대향 기판(40)상에, 예를 들면 ITO막을, 예를 들면 스퍼터법 등의 증착법에 의해 성막한 후, 예를 들면 포토 리소그래피법을 이용하여 소망하는 형상(여기서는 격자형상)으로 패터닝하여 제2 전극(31)을 형성한다. 계속해서, 도 4B에 도시한 바와 같이, 대향 기판(40) 및 제2 전극(31)상에 스퍼터를 이용하여 NiO막을 성막한 후, 드라이 에칭을 이용하여 패터닝하여 제2 전극(31)상에 이온 유지층(32A)을 형성한다.
다음에, 도 4C에 도시한 바와 같이, 대향 기판(40) 및 이온 유지층(32A)상에, 예를 들면 스퍼터법에 의해 Ta2O5막(32B1)을 성막한 후, 이 Ta2O5막상에, WO3막(32C1)을 성막한다. 계속해서, 이들 Ta2O5막(32B1) 및 WO3막(32C1)을, 예를 들면 CF4 등의 가스를 이용한 드라이 에칭법에 의해 패터닝함에 의해, 이온 전도층(32B) 및 발색층(32C)을 형성한다.
다음에, 도 5A에 도시한 바와 같이, 발색층(32C)상에서 대향 기판(40)에 걸처서, 예를 들면 스퍼터법에 의해, 예를 들면 Al막(33A)을 성막한다. 계속해서, 도 5B에 도시한 바와 같이, Al막(33A)상에, 예를 들면 블랙 매트릭스용의 레지스트(R)를 도포한 후, 노광 및 현상을 행하여 소정의 형상으로 패터닝한다. 최후로, 도 5C에 도시한 바와 같이, Al막(33A)을, 예를 들면 Cl2 등의 가스를 이용한 드라이 에칭을 행하여 제1 전극(33)을 형성함에 의해, 표시 모드 전환층(30)이 완성된다. 또한, 레지스트(R)는 제1 전극(33)상에 그대로 남겨 둠에 의해 차광막(34)으로서 이용할 수 있다.
도 6A 및 도 6B는, 표시 모드 전환층(30)의 변화를 모식적으로 도시한 것이다. EC층(32)(32A, 32B, 32C)은, 각각, NiO(이온 유지층(21A)), Ta2O3(이온 전도층(32B)) 및 WO3(발색층(32C))에 의해 구성되어 있는 것으로 한다. 이와 같은 구성의 표시 모드 전환층(30)에서는, 발색층(32C) 중의 WO3은, 예를 들면 제1 전극(33)에 플러스(+) 전압을, 제2 전극(31)에 마이너스(-) 전압을 인가한 상태에서는 도 6A에 도시한 바와 같이 무색(WO3)의 상태로 존재한다. 이 때문에, 표시 장치(1A)로서는, 제1 전극(33)을 구성하는 금속막(예를 들면 Al)이 시인될 수 있는 상태, 즉 미러 모드가 된다. 이에 대해, 각 전극에의 인가 전압을 반대, 즉 제2 전극(31)에 마이너스(-) 전압을, 제1 전극(33)에 플러스(+) 전압을 인가하면, 이온 유지층(32A)에 포함되는 이온(H+)이 이온 전도층(32B)을 통하여 발색층(32C)에 공급되어, 발색층(32C) 중의 WO3가 환원되어 HxWO3가 된다. 이에 의해, 도 6B에 도시한 바와 같이 발색층(32C)은 흑색(HxWO3)이 된다. 흑색으로 변화한 표시 모드 전환층(30)은, 이른바 블랙 매트릭스(BM)로서 기능하기 때문에, 표시 장치(1A)는 통상의 표시 장치로서 기능하는 디스플레이 모드가 된다. 즉, 표시 영역(110A)에의 대상물이 반사글레어가 없는 화상표시가 가능해진다.
(1-2. 표시 장치의 전체 구성)
도 7은, 표시 장치(1A)의 전체 구성을 도시한 것이다. 이 표시 장치(1A)는, 상술한 바와 같이 구동 기판(10)의 위에 표시 영역(110A)이 마련되어 있고, 이 표시 영역(110A) 내에 R(적), G(녹), B(청)의 어느 하나의 색광이 윗면(기판(11)과 반대측의 면)측부터 출사되는 표시 디바이스, 여기서는 복수의 유기 EL 소자(발광 소자(20))가 마련된 윗면 발광형(이른바 톱 이미션형)의 표시 장치이다. 표시 영역(110A)의 주변(외연 측, 외주측)에 위치하는 주변 영역(110B)에는, 영상 표시용의 드라이버인 신호선 구동 회로(120) 및 주사선 구동 회로(130)가 마련되어 있다.
표시 영역(110A) 내에는, 화소 구동 회로(140)가 마련되어 있다. 도 8은, 이 화소 구동 회로(140)의 한 예(적색 화소(2R), 녹색 화소(2G), 청색 화소(2B)의 화소 회로의 한 예)를 도시한 것이다. 화소 구동 회로(140)는, 후술하는 화소 전극(31)의 하층에 형성된 액티브형의 구동 회로이다. 이 화소 구동 회로(140)는, 구동 트랜지스터(Tr1) 및 기록 트랜지스터(Tr2)와, 이들 트랜지스터(Tr1, Tr2)의 사이의 커패시터(유지용량)(Cs)를 갖고 있다. 화소 구동 회로(140)는 또한, 제1의 전원 라인(Vcc) 및 제2의 전원 라인(GND)의 사이에서, 구동 트랜지스터(Tr1)에 직렬로 접속된 발광 소자(20)를 갖고 있다. 즉, 적색 화소(2R), 녹색 화소(2G), 청색 화소(2B) 내에는 각각, 대응하는 발광 소자(20)(적색 발광 소자(20R), 녹색 발광 소자(20G), 청색 발광 소자(20B)의 어느 하나)가 마련되어 있다. 구동 트랜지스터(Tr1) 및 기록 트랜지스터(Tr2)는, 일반적인 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)에 의해 구성되고, 그 구성은 예를 들면 역스태거 구조(이른바 보텀 게이트형)라도 좋고 스태거 구조(톱 게이트형)라도 좋고, 특히 한정되지 않는다.
화소 구동 회로(140)에서, 열방향으로는 신호선(120A)이 복수 배설되고, 행방향으로는 주사선(130A)이 복수 부착1되어 있다. 각 신호선(120A)과 각 주사선(130A)과의 교차점이, 적색 화소(2R), 녹색 화소(2G), 청색 화소(2B)의 어느 하나에 대응하고 있다. 각 신호선(120A)은, 신호선 구동 회로(120)에 접속되고, 이 신호선 구동 회로(120)로부터 신호선(120A)을 통하여 기록 트랜지스터(Tr2)의 소스 전극에 화상 신호가 공급되도록 되어 있다. 각 주사선(130A)은 주사선 구동 회로(130)에 접속되고, 이 주사선 구동 회로(130)로부터 주사선(130A)을 통하여 기록 트랜지스터(Tr2)의 게이트 전극에 주사 신호가 순차적으로 공급되도록 되어 있다.
발광 소자(20R, 20G, 20B)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 각각, 상술한 화소 구동 회로(140)의 구동 트랜지스터(Tr1), 평탄화 절연막(도시 생략)이 마련된 구동 기판(10)의 측부터, 양극으로서의 하부 전극(21), 격벽(22), 발광층(23C)을 포함하는 유기층(23), 및 음극으로서의 상부 전극(24)이 이 순서로 적층되어 있다. 구동 트랜지스터(Tr1)는, 평탄화 절연막에 마련된 접속 구멍(도시 생략)을 통하여 하부 전극(21)에 전기적으로 접속되어 있다.
발광 소자(20R, 20G, 20B)는, 각각, 상술한 화소 구동 회로(140)의 구동 트랜지스터(Tr1), 평탄화 절연막(도시 생략)이 마련된 구동 기판(10)의 측부터, 양극으로서의 하부 전극(21), 격벽(22), 발광층(23C)을 포함하는 유기층(23), 및 음극으로서의 상부 전극(24)이 이 순서로 적층되어 있다. 구동 트랜지스터(Tr1)는, 평탄화 절연막에 마련된 접속 구멍(도시 생략)을 통하여 하부 전극(21)에 전기적으로 접속되어 있다.
이와 같은 발광 소자(20R, 20G, 20B)는, 평탄화층(25)에 의해 피복되어 있다. 또한 이 평탄화층(25)상에는, 예를 들면 접착층(도시 생략)을 통하여, 상술한 표시 모드 전환층(30)이 마련된 대향 기판(40)이, 표시 모드 전환층(30)측부터 접합되어 있다. 또한, 표시 모드 전환층(30)의 개구(P)는 부화소(2R, 2G, 2B), 즉, 발광 소자(20R, 20G, 20B)상에 각각 마련되어 있고, 표시 모드 전환층(30)은 격벽(22)과 대향하는 위치에 마련되어 있다.
하부 전극(21)은, 반사층으로서의 기능도 겸하고 있고, 가능한 한 높은 반사율을 갖도록 하는 것이 발광 효율을 높이는데 바람직하다. 특히, 하부 전극(21)이 양극으로서 쓰여지는 경우에는, 하부 전극(21)은 정공 주입성이 높은 재료에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 하부 전극(21)으로서는, 예를 들면, 적층 방향의 두께가 100㎚ 이상 1000㎚ 이하이고, Cr, Au, Pt, Ni, Cu, W 또는 Ag 등의 금속 원소의 단체 또는 합금을 들 수 있다. 하부 전극(21)의 표면에는, ITO 등의 투명 도전막이 마련되어 있어도 좋다. 또한, Al 합금과 같이, 반사율이 높아도, 표면의 산화피막의 존재나, 일 함수가 크지 않음에 의한 정공 주입 장벽이 문제가 되는 재료에서도, 적절한 정공 주입층을 마련함에 의해 하부 전극(21)으로서 사용하는 것이 가능하다.
격벽(22)은, 하부 전극(21)과 상부 전극(24)과의 절연성을 확보함과 함께 발광 영역을 소망하는 형상으로 하기 위한 것이다. 또한, 후술하는 제조 공정에어서, 예를 들면 잉크젯 또는 노즐 코트 방식에 의한 도포를 행할 때의 칸막이로서의 기능도 갖고 있다. 격벽(22)은, 예를 들면, SiO2 등의 무기 절연 재료로 이루어지는 하부 격벽에, 포지형 감광성 폴리벤조옥사졸, 포지형 감광성 폴리이미드 등의 감광성 수지로 이루어지는 상부 격벽이 형성된 구성을 갖는다. 격벽(22)에는, 발광 영역에 대응하는 개구가 마련되어 있다. 또한, 유기층(23) 내지 상부 전극(24)은, 개구뿐만 아니라 격벽(22)의 위에도 마련되어 있어도 좋지만, 발광이 생기는 것은 격벽(22)의 개구뿐이다.
유기층(23)은, 예를 들면, 하부 전극(21)의 측부터 차례로, 정공 주입층(23A), 정공 수송층(23B), 발광층(23C), 전자 수송층(23D) 및 전자 주입층(23E)을 적층한 구성을 갖는다. 이들 중 발광층(23C) 이외의 층은 필요에 응하여 마련하면 좋다. 유기층(23)은, 발광 소자(20R, 20G, 20B)의 발광색에 의해 각각 구성이 달라도 좋다. 정공 주입층(23A)은, 정공 주입 효율을 높이기 위한 것임과 함께, 리크를 방지하기 위한 버퍼층이다. 정공 수송층(23B)은, 발광층(23C)에의 정공 수송 효율을 높이기 위한 것이다. 발광층(23C)은, 전계를 걸음에 의해 전자와 정공과의 재결합이 일어나, 광을 발생하는 것이다. 전자 수송층(23D)은, 발광층(23C)에의 전자 수송 효율을 높이기 위한 것이다. 전자 주입층(23E)은, 전자 주입 효율을 높이기 위한 것이다.
발광 소자(20R)의 정공 주입층(23A)은, 예를 들면, 두께가 5㎚ 이상 300㎚ 이하이고, 예를 들면 헥사아자트리페닐렌 유도체에 의해 구성되어 있다. 발광 소자(20R)의 정공 수송층(23B)은, 예를 들면, 두께가 5㎚ 이상 300㎚ 이하이고, 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘(α-NPD)에 의해 구성되어 있다. 발광 소자(20R)의 발광층(23C)은, 예를 들면, 두께가 10㎚ 이상 100㎚ 이하이고, 8-퀴놀리놀알루미늄 착체(Alq3)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보닐톨릴(BSN-BCN)을 40체적% 혼합한 것에 의해 구성되어 있다. 발광 소자(20R)의 전자 수송층(23D)은, 예를 들면, 두께가 5㎚ 이상 300㎚ 이하이고, Alq3에 의해 구성되어 있다. 발광 소자(20R)의 전자 주입층(23E)은, 예를 들면, 두께가 0.3㎚ 정도이고, LiF, Li2O 등에 의해 구성되어 있다.
상부 전극(24)은, 예를 들면, 두께가 10㎚ 정도이고, Al, 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 또는 나트륨(Na)의 합금에 의해 구성되어 있다. 그 중에서도, Mg-Ag 합금은, 박막에서의 도전성과 흡수의 작음을 겸비하고 있기 때문에 바람직하다. Mg-Ag 합금에서의 Mg와 Ag와의 비율은 특히 한정되지 않지만, 막두께비로 Mg:Ag = 20:1 내지 1:1의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 상부 전극(24)의 재료는, 알루미늄(Al)과 리튬(Li)과의 합금(Al-Li 합금)이라도 좋다.
상부 전극(24)은, 또한, 반(半)투과성 반사층으로서의 기능을 겸하고 있어도 좋다. 상부 전극(24)이 반투과성 반사층으로서의 기능을 구비하고 있는 경우에는, 발광 소자(20R)는 공진기 구조를 가지며, 이 공진기 구조에 의해 발광층(23C)에서 발생한 광을 하부 전극(21)과 상부 전극(24)의 사이에서 공진시키도록 되어 있다. 이 공진기 구조는, 하부 전극(21)과 유기층(23)과의 계면을 반사면, 중간층(도시 생략)과 전자 주입층(23E)과의 계면을 반투과 반사면으로 하고, 유기층(23)을 공진부로 하여, 발광층(23C)에서 발생하는 광을 공진시켜서 반투과 반사면의 측부터 취출하는 것이다. 이와 같이 공진기 구조를 갖도록 하면, 발광층(23C)에서 발생하는 광이 다중간섭을 일으키고, 반투과 반사면의 측부터 취출되는 광의 스펙트럼의 반치폭이 감소하고, 피크 강도를 높일 수 있다. 즉, 정면 방향에서 광 사출 강도를 높이고, 발광의 색 순도를 향상시킬 수 있다.
평탄화층(25)은, 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 또는 금속 산화물 등에 의해 구성되어 있다. 접착층은, 예를 들면 열 경화형 수지 또는 자외선 경화형 수지에 의해 구성되어 있다.
대향 기판(40)은, 접착층과 함께, 발광 소자(20R, 20G, 20B)를 밀봉하는 것이다. 대향 기판(40)은, 본 실시의 형태와 같이, 광을 대향 기판(40)측부터 취출하는 톱 이미션형에서는, 각 발광 소자(20R, 20G, 20B)로부터 사출된 광에 대해 투명한 유리 등의 재료에 의해 구성되어 있다. 본 실시의 형태에서는, 대향 기판(40)에는 상술한 표시 모드 전환층(30)이 마련되어 있다. 또한, 광을 구동 기판(10)측부터 취출하는 하면 발광형(이른바, 보텀 이미션형)에서는, 대향 기판(40)의 가시광에 대한 투과성은 묻지 않는다.
(1-3. 제조 방법)
이 표시 장치(1A)는, 예를 들면 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 우선, 유리 등의 기판상에 화소 구동 회로(140), 신호선 구동 회로(120) 및 주사선 구동 회로(130) 등을 마련하여 구동 기판(10)을 형성한다. 뒤이어, 예를 들면 스퍼터법에 의해, 예를 들면 Al 합금 등의 금속막을 성막한 후, 웨트 에칭 등에 의해 금속막을 선택적으로 제거하여 발광 소자(20R, 20G, 20B)마다 분리된 하부 전극(21)을 형성한다. 다음에, 구동 기판(10)의 전면에 걸처서 감광성 수지를 도포한 후, 포토 리소그래피법을 이용하여 발광 영역에 대응하는 개구부를 마련하고, 소성함에 의해 격벽(22)을 형성한다.
계속해서, 예를 들면 스핀 코트법이나 액적법 등의 도포법에 의해, 하부 전극(21) 및 격벽(22)상에 상술한 두께 및 재료로 이루어지는 정공 주입층(23A) 및 정공 수송층(23B)을 성막한다. 다음에, 스핀 코트법이나 잉크젯 방식 등의 액적 토출법 등에 의해 각각 대응하는 위치에 적색 발광층(23CR), 녹색 발광층(23CG) 및 청색 발광층(23B)을 형성한다. 계속해서, 예를 들면 스핀 코트법이나 액적법 등의 도포법에 의해, 정공 수송층(23B) 및 각 발광층(23C)상에 상술한 두께 및 재료로 이루어지는 전자 수송층(23D) 및 전자 주입층(23E)을 성막한다. 다음에, 예를 들면 증착법에 의해 전자 주입층(23E)상의 전면에 예를 들면 ITO막을 성막하고, 상부 전극(24)으로 한다. 이에 의해, 발광 소자(20R, 20G, 20B)가 형성된다.
계속해서, 예를 들면 CVD법 또는 스퍼터법에 의해, 발광 소자(20R, 20G, 20B)의 위에 상술한 재료로 이루어지는 평탄화층(25)을 형성한다. 다음에, 평탄화층(25)상에, 접착층을 통하여, 표시 모드 전환층(30)을 마련한 대향 기판(40)을 접합한다. 이상에 의해, 도 1에 도시한 표시 장치(1A)가 완성된다.
이 표시 장치(1A)에서는, 각 화소(2)에 대해 주사선 구동 회로(130)로부터 기록 트랜지스터(Tr2)의 게이트 전극을 통하여 주사 신호가 공급됨과 함께, 신호선 구동 회로(120)로부터 화상 신호가 기록 트랜지스터(Tr2)를 통하여 유지용량(Cs)으로 유지된다. 즉, 이 유지용량(Cs)에 유지된 신호에 응하여 구동 트랜지스터(Tr1)가 온 오프 제어되고, 이에 의해, 발광 소자(20R, 20G, 20B)에 구동 전류(Id)가 주입됨에 의해, 정공과 전자가 재결합하여 발광이 일어난다. 이 광은, 예를 들면, 하부 전극(21)과 상부 전극(24)의 사이에서 다중 반사하고, 또는, 하부 전극(21)에서의 반사광과 발광층(23C)에서 발생하는 광이 간섭에 의해 서로 강화하고, 상부 전극(24) 및 대향 기판(40)을 투과하여 취출된다.
(1-4. 작용·효과)
미러-디스플레이로서는, 표시 디바이스의 앞쪽, 구체적으로는, 예를 들면, 본 실시의 형태에서의 대향 기판(40) 등의 유리 기판의 앞면(표시면측)에 하프미러-시트를 배치한 구성이 생각된다. 그러나, 하프미러-시트는 반사율이 낮고, 미러로서의 충분한 기능은 얻어지지 않는다. 또한, 표시면의 전체면에 배치하고 있기 때문에, 표시된 화상은 하프미러-시트에 의해 차폐되어 불선명하게 됨과 함께, 휘도가 저하된다는 문제가 생각된다. 이 휘도의 저하는 발광 소자의 발광 강도를 향상시킴에 의해 개선되지만, 소비 전력이 증대한다는 문제가 생긴다.
한편, 표시 디바이스의 내부, 예를 들면 유리 기판과, 이 유리 기판상에 마련된 컬러 필터 및 블랙 매트릭스를 갖는 층의 사이에 반사율이 높은 금속막을 유리 기판의 전면에 배치한 구성의 표시 장치가 생각된다. 그러나, 이와 같은 표시 장치에서는, 표시면(표시 영역)이 항상 미러 상태이기 때문에 미러에의 반사글레어가 생겨서, 화상이 보기 어려워진다는 문제가 생각된다.
이에 대해 본 실시의 형태에서는, 표시층(20)과 대향 기판(40)과의 사이에, EC 소자(30A)에 의해 구성됨과 함께, 발광 소자(20R, 20G, 20B)상에 개구(P)를 갖는 표시 모드 전환층(30)이 마련되어 있다. EC 소자(30A)는, 투명 도전 재료에 의해 형성된 제2 전극(31)과 Al 등의 반사율이 높은 금속재료에 의해 형성된 제1 전극(33)과의 사이에, 전압의 인가에 의해 투명 및 흑색으로 가역적으로 발색하는 EC 재료를 포함하는 EC층(32)이 밀봉된 구성을 갖는다. 또한, 표시 모드 전환층(30)의 각 층(31, 32, 33)은, 표시면측, 즉 대향 기판(40)측부터 제2 전극(33), EC층(32) 및 제1 전극(31)의 순서로 적층되어 있다. 이에 의해, EC층(32)이 투명상태인 경우에는, 표시 장치(1A)의 표시 모드는, 반사율이 높은 금속재료에 의해 형성된 제1 전극(31)이 비쳐 보이는, 이른바 미러표시(미러 모드)가 된다. 한편, EC층(32)이 흑색을 나타내고 있는 경우에는, 제1 전극(31)은 EC 재료에 의해 차폐된 상태가 된다. 이 때, 발광 소자(20R, 20G, 20B)가 구동하여 표시면에 화상을 표시하고 있는 경우에는, EC층(32)은 일반적인 표시 장치에 마련되어 있는 BM으로서 기능하기 때문에, 반사글레어가 없는 화상표시(디스플레이 모드)가 가능해진다.
표 1은, 표시 모드 전환층(30) 및 발광 소자(20R, 20G, 20B)를 각각 온 상태 및 오프 상태로 한 때의 표시 장치(1A)의 표시 모드를 정리한 것이다. 본 실시의 형태의 표시 장치(1A)는, 미러로서 기능하는 미러 모드, 일반적인 표시 장치로서 기능하는 디스플레이 모드 및 미러 모드와 디스플레이 모드를 조합시킨, 즉 마러상과 표시 화상을 겹치고 사용할 수 있는 3개의 모드를 분간하여 사용하는 것이 가능해진다. 이와 같은 표시 모드의 전환는, 예를 들면 리모트 컨트롤러 등으로부터의 입력 신호를 트리거로 하여 소프트적으로 자동으로 행할 수 있다.
[표 1]
Figure 112014047203757-pat00001
도 9는, 표시 모드 전환층(30)을 구동할 때의 한 파형례를 도시한 것이다. 표시 장치(1A)를 미러-디스플레이로서 이용하는 경우에는, 재빠른 미러 모드와 디스플레이 모드의 전환이 요구된다. 이것을 실현하기 위해서는, 우선, 예를 들면 1 내지 10V 정도의 높은 전압(제2 전극(31)에 플러스(+) 전압, 제1 전극(33)에 마이너스(-) 전압)을, 예를 들면 1 내지 20초 정도 인가한다. 이에 의해, 발색층(32C) 중의, 예를 들면 WO3은 HWO3로 환원되어 흑색을 나타내고, 표시 장치(1A)는 미러 모드로부터 디스플레이 모드로 전환된다. 디스플레이 모드로 전환된 후는, EC층(32)의 흑색 표시를 유지하기 위해, 정기적(예를 들면 10초 이하 정도의 간격)으로 예를 들면 1 내지 5V 정도의 낮은 전압을 인가하면 좋다. 디스플레이 모드로부터 미러 모드로 전환하는 경우에는, 상기 전압과는 반대의 전압(제2 전극(31)에 마이너스(-) 전압, 제1 전극(33)에 플러스(+) 전압)을, 예를 들면 10초 정도 인가하면 좋다. 이에 의해, 발색층(32C) 중의 HWO3은 WO3로 산화되어 무색(투명)이 되어 제1 전극(33)의 미러면이 시인될 수 있게 된다.
또한, 디스플레이 모드로부터 전환한 미러 모드는 전압을 인가하는 일 없이 유지된다. 또한, 상기한 전압치는 한 예이고, 디바이스 구조에 의해 적절히 변화한다. 또한, 응답 속도도 표시 패널의 크기에 의해 변화한다.
도 10은, 표시 모드 전환층(30)의 발광 소자(20R, 20G, 20B)상에 개구(P)를 형성하지 않은 경우(개구 무 ; 실험례 1) 및 개구(P)를 형성한 경우(개구 유 ; 실험례 2)에서의 표시면의 반사율의 변화를 도시한 것이다. 실험례 2는, 개구(P)를 마련하지 않는 실험례 1보다도 개구(P)를 마련함에 의해 미러 모드에서의 표시면의 최고 반사율은 낮지(60% 정도)만, 발광 소자(20)의 발광광을 개구(P)로부터 취출할 수 있다. 따라서, 실험례 1보다도 열화가 없는, 보다 선명한 화상을 표시할 수 있다. 또한, 실험례 1, 2 함께, 표시 모드 전환층(30)(개구 유)이나 후술하는 표시 모드 전환층(90)(개구 무)은, 인가 전압의 크기에 의해 반사율을 조정할 수 있는 반사율 조정 기능을 갖는 것을 알 수 있다.
이상의 것으로부터, 본 실시의 형태에서의 표시 장치(1A)에서는, 표시층(20)과 대향 기판(40)의 사이에 표시 모드 전환층(30)을 마련하도록 하였다. 이 표시 모드 전환층(30)은, 광물성이 가역적으로 변화한 재료를 사용하여 구성되어 있기 때문에, 표시 장치(1A)를 필요에 응하여 임의로, 미러로서 충분한 기능을 갖는 미러 모드 및 화상의 반사글레어가 없는 디스플레이 모드로 전환하는 것이 가능해진다. 또한, 표시 모드 전환층(30)에 발광 소자(20R, 20G, 20B)에 대응하는 위치에 개구(P)를 마련하도록 하였기 때문에, 휘도의 저하가 억제됨과 함께, 정세하면서 선명한 화상의 표시가 가능해진다. 즉, 높은 시인성을 갖는 표시 장치 및 이것을 구비한 전자 기기를 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시의 형태에서는 표시 모드 전환층(30)을 부화소(2R, 2G, 2B)마다 개구를 갖는 격자형상으로 패터닝(격자 패턴)하였지만, 이것으로 한하지 않는다. 예를 들면, 개구 피치나 각 발광 소자(20R, 20G, 20B)로부터의 발광광의 주파수에 의해 무아레가 생기는 경우에는, 예를 들면 도 11에 도시한 바와 같이, 격자 패턴을 이웃하는 2개의 부화소(예를 들면, 적색 화소(2R) 및 녹색 화소(2G), 녹색 화소(2G) 및 청색 화소(2B) 등)마다 개구(P)를 마련하도록 하여도 좋다.
또한, 본 실시의 형태에서는 발광 소자로서 각각 적색 발광광, 녹색 발광광 또는 청색 발광광을 사출하는 발광 소자(20R, 20G, 20B)를 형성하도록 하였기 때문에, 색역이 넓은 표시 장치를 구성할 수 있다. 또한, 컬러 필터가 불필요하기 때문에, 보다 높은 휘도를 얻을 수 있다.
이하, 제2 내지 4의 실시의 형태 및 변형례 1 내지 4에 관해 설명한다. 상기 제1의 실시의 형태와 같은 구성 요소에 관해서는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.
(2. 제2의 실시의 형태)
도 12는, 본 개시된 제2의 실시의 형태에 관한 표시 장치(1B)의 단면 구성을 도시한 것이다. 이 표시 장치(1B)는, 상기 제1의 실시의 형태와 마찬가지로 표시층(20)과 대향 기판(40)의 사이에 표시 모드 전환층(50)이 마련되어 있다. 단, 본 실시의 형태에서는, 표시 모드 전환층(50)은 투과표시(투명 디스플레이 모드) 및 블랙표시(디스플레이 모드)로 전환되는 것이고, 이 점이 상기 실시의 형태와는 다르다.
표시 모드 전환층(50)은, 상기한 바와 같이, 표시 장치(1B)의 표시 모드를 투명 디스플레이 모드 및 디스플레이 모드로 전환하는 것이고, 도 13에 도시한 바와 같이, 상기 제1의 실시의 형태와 같은 적층 구조를 갖는 EC 소자(50A)에 의해 구성되어 있다. 단, 본 실시의 형태에서는 제1 전극(53)은, 제2 전극(51)과 마찬가지로 투명 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 구체적으로는, 예를 들면 ITO, IZO, ZnO, InSnZnO(α-ITZO), ZnO와 Al와의 합금 등을 들 수 있고, 이들 도전 재료의 단층막 또는 이들 중의 2종 이상을 포함하는 적층막에 의해 구성되어 있다. 이 밖에, CNT나 그라펜 등을 사용하여도 좋다. 또한, EC층(52)은 제1의 실시의 형태와 같은 구성 및 재료를 사용하여 형성할 수 있다.
도 14는, 본 실시의 형태의 표시 모드 전환층(50)(실험례 3)의 각 전압에서의 광흡수 특성(투과율)을 도시한 것이다. 도 14로부터 인가 전압의 크기를 바꿈에 의해 EC층의 투과율이 변화함을 알 수 있다. 즉, 예를 들면 도 9에 도시한 바와 같이 제1 전극(53) 및 제2 전극(51)에 각각 마이너스(-) 전압 또는 플러스(+) 전압을 인가함에 의해 투명 디스플레이 모드 및 디스플레이 모드(불투명 디스플레이 모드)오의 전환이 가능함을 알 수 있다.
이상과 같이 본 실시의 형태에서는, 표시 모드 전환층(50)의 제1 전극(53) 및 제2 전극(51)을 함께 투명 도전 재료를 사용하여 형성하도록 하였기 때문에, 표시 장치(1B)의 표시 모드를 필요에 응하여 투명 디스플레이 모드 및 디스플레이 모드로 전환하는 것이 가능해진다.
또한, 도 14로 부터 알 수 있는 바와 같이 표시 모드 전환층(50)은 제1 전극(53) 및 제2 전극(51)에의 인가 전압을 변화시킴에 의해 표시 모드 전환층(50)의 투과율을 조정할 수 있다. 즉, 이용 환경에 적합한 투과율로 조정할 수 있는, 다단계 또는 무단계로 투과율을 조정 가능한 조광 기능(투과율 조정 기능)을 갖는 표시 장치를 제공할 수 있다.
(3. 제3의 실시의 형태)
도 15는, 본 개시된 제3의 실시의 형태에 관한 표시 장치(1C)의 단면 구성을 도시한 것이다. 이 표시 장치(1C)는, 상기 제1, 제2의 실시의 형태와 마찬가지로 표시층(20)과 대향 기판(40)의 사이에 표시 모드 전환층(60)이 마련되어 있다. 단, 본 실시의 형태에서는, 표시 모드 전환층(50)은 미러표시(미러 모드)와 블랙표시(디스플레이 모드)로 전환되는 것이고, 이 점이 상기 실시의 형태와는 다르다.
표시 모드 전환층(60)은, 상기한 바와 같이, 표시 장치(1C)의 표시 모드를, 미러 모드와 디스플레이 모드로 전환하는 것이고, 도 16에 도시한 바와 같이, 제1 전극(63) 및 제2 전극(61)의 사이에 EC층(62)이 마련된 구성을 갖는다. 단, 본 실시의 형태에서는 EC 소자(60A)는, 제2 전극(63)이 이트륨이나 란탄 등의 희토류 금속 또는 Mg-Ni 합금 등의 수소를 흡장함에 의해 금속 광택으로부터 투명하게 변화한 재료에 의해 구성되어 있다.
도 17A 내지 도 18C는 표시 모드 전환층(60)의 제조 공정의 한 예를 도시한 것이다. 우선, 도 17A에 도시한 바와 같이, 대향 기판(40)상에, 예를 들면 Mg-Ni 합금막을, 예를 들면 스퍼터법 등의 증착법에 의해, 예를 들면 40㎚ 내지 100㎚의 두께로 성막한다. Mg 및 Ni는 각각 다른 타겟을 이용하여도 좋고, Mg-Ni 합금 타겟을 이용하여도 상관없다. 계속해서, Pd막을 같은 방법을 이용하여, 예를 들면 1㎚ 내지 6㎚의 두께로 성막한다. 다음에, Pd막상에 포토레지스트를 스핀 코터나 롤 코터 등을 이용하여 도포 및 베이크 한 후, 유리 마스크를 이용하여 노광을 행하여 포토레지스트를 패터닝한다. 계속해서, CF4 등의 가스를 이용한 드라이 에칭법에 의해 Mg-Ni막 및 Pd막을 패터닝한 후, 예를 들면 회화(灰化) 처리를 행함에 의해 레지스트를 제거하여 제2 전극(61) 및 촉매층(65)을 형성한다.
다음에, 도 17B에 도시한 바와 같이, 대향 기판(40) 및 촉매층(65)상에, 예를 들면 스퍼터법에 의해 Ta2O5막(66A)을, 예를 들면 50㎚ 이상 500㎚ 이하의 두께로 성막한 후, 이 Ta2O5막상에, 수소를 가하면서 WO3막(67A)을, 예를 들면 150㎚ 이상 500㎚ 이하의 두께로 성막한다. 계속해서, 도 17C에 도시한 바와 같이, 이들 Ta2O5막(66A) 및 WO3막(67A)을, 예를 들면 CF4 등의 가스를 이용한 드라이 에칭법에 의해 패터닝함에 의해, 이온 전도층(66) 및 이온 저장층(67)을 형성한다.
다음에, 도 18A에 도시한 바와 같이, 플로톤 저장층(67)으로부터 대향 기판(40)에 걸처서, 예를 들면 스퍼터법에 의해, 예를 들면 ITO막(63A)을 50㎚ 이상 200㎚ 이하의 두께로 성막한 후, 이 ITO막(63A)상에 블랙 매트릭스용의 레지스트(R)를 도포한다. 계속해서, 도 18B에 도시한 바와 같이, 레지스트(R)를 노광 및 현상을 행하여 소정의 형상으로 패터닝한다. 최후로, 도 18C에 도시한 바와 같이, ITO막(63A)을, 예를 들면 CF4 등의 가스를 이용한 드라이 에칭을 행하여 제1 전극(63)을 형성함에 의해, 표시 모드 전환층(60)이 완성된다. 또한, 레지스트(R)는 제1 전극(63)상에 그대로 남겨 둠에 의해 차광막(64)으로서 이용할 수 있다. 이 차광막(64)은, 상기 실시의 형태와 마찬가지로 발광층(23C)으로부터 사출된 광의 반사를 억제함과 함께, 제2 전극(61)이 투명한 상태, 즉 표시 장치(1C)가 디스플레이 모드시에 흑색을 표현하는 것이다. 또한, 표 2는 본 실시의 형태에서의 표시 장치(1C)의 표시 모드 전환층(60) 및 발광 소자(20R, 20G, 20B)를 각각 온 상태 및 오프 상태로 한 때의 표시 모드를 정리한 것이다.
[표 2]
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이상과 같이 본 실시의 형태에서는, 표시 모드 전환층(60)의 제2 전극(63)을 금속 광택으로부터 투명하게 가역적으로 변화하는 재료를 사용하여 형성하도록 하였기 때문에, 표시 장치(1C)를 필요에 응하여 미러 모드와 디스플레이 모드로 전환하는 것이 가능해진다.
(4. 변형례)
(변형례 1)
도 19는, 본 개시된 제1 내지 제3의 실시의 형태의 변형례에 관한 표시 장치(1D)의 단면 구성을 도시한 것이다. 이 표시 장치(1D)는, 상기 제1의 실시의 형태 등과 마찬가지로 표시층(20)과 대향 기판(40)의 사이에 표시 모드 전환층(70)이 마련되어 있다. 단, 본 변형례에서는, 각 부화소(2R, 2G, 2B)에 마련된 발광 소자는 백색광을 발하는 백색 발광 소자(20W)이고, 표시 모드 전환층(70)에 마련되어 있는 개구(P)에는 각각 대응하는 컬러 필터(75)(75R, 75G, 75B)가 마련되어 있다.
발광 소자(20W)는, 상기 발광 소자(20R, 20G, 20B)와 같은 적층 구조에 의해 형성할 수 있지만 이것으로 한하지 않는다. 예를 들면, 이른바 스택 구조, 구체적으로는, 상기 적층 구조상에 전하 발생층(도시 생략)을 형성하고, 이 전하 발생층상에, 정공 주입층(23A'), 정공 수송층(23B'), 발광층(23C'), 전자 수송층(23D') 및 전자 주입층(23E')을 적층한 구성으로 하여도 좋다. 또한, 전하 발생층상의 정공 주입층(23A'), 정공 수송층(23B'), 전자 수송층(23D') 및 전자 주입층(23E')은 전하 발생층의 하층에 마련된 각 층과 같은 재료를 사용하여도 좋고, 다른 재료에 의해 형성하여도 좋다. 또한, 발광층(23C, 23C')은 반드시 단층이 아니라, 다른 색광을 발하는 발광층을 2층 이상 적층시켜도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면 발광층(23C)을 청색 발광층, 발광층(23C')을 황색 발광층으로 하여도 좋다. 또는 발광층(23C)을 청색 발광층, 발광층(23C')을 적색 발광층과 녹색 발광층의 2층구조로 하여도 좋다.
표시 모드 전환층(70)은, 상기 제1 내지 제3의 실시의 형태와 마찬가지로 EC 소자(30A, 50A, 60A)를 이용하여 구성할 수 있다. 단, 상기 실시의 형태에서 이용한 EC 재료와 같이 산화환원 반응에 의해 광물성이 변화하는 재료는 수분(水分)에 의해 그 성능이 저하된다. 이 때문에, 표시 모드 전환층(70)과 컬러 필터(75R, 75G, 75B)의 사이에는, 각각 보호막(76)을 마련하는 것이 바람직하다.
보호막(76)의 재료로서는, 예를 들면 SiNx, SiO2 등을 들 수 있다. 이 보호막은, 예를 들면, 스퍼터나 CVD 등을 이용하여 형성된다. 구체적으로는, 예를 들면 도 5C에 도시한 바와 같이 제1 전극(33)을 형성하고, 레지스트(R)를 제거한 후, 재차 표시 모드 전환층(30)(여기서는 70)의 사이에 레지스트를 도포한다. 이 후, 노광 및 현상을 행하여, 소정의 형상으로 패터닝한다.
본 변형례에서의 표시 장치(1D)에서는, 발광 소자로서 각 부화소(2R, 2G, 2B)에 백색 발광 소자(20W)를 형성하고, 표시 모드 전환층(70)의 개구(P)에 각 화소(2R, 2G, 2B)에 대응하는 컬러 필터(75R, 75G, 75B)를 배설하도록 하였다. 이에 의해, 상기 제1의 실시의 형태의 효과에 더하여, 이하가 효과를 이룬다.
우선, 각 부화소(2R, 2G, 2B)에서 공통의 구성을 갖는 발광 소자(백색 발광 소자(20W))를 마련하도록 하였기 때문에, 각 화소(2R, 2G, 2B)에 대응하는 발광층의 분류 도색 공정이 생략된다. 이에 의해, 제조 공정을 간략화할 수 있음과 함께, 표시 패널을 대형화하는 것이 가능해진다. 또한, 백색광을 이용함에 의해 높은 휘도를 갖는 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 컬러 필터(75R, 75G, 75B)를 배설하도록 하였기 때문에, 고정밀 표시 장치(1D)를 구성하는 것이 가능해진다.
(변형례 2)
도 20은, 본 개시된 제1 내지 제3의 실시의 형태 및 변형례 1, 2에 관한 표시 장치(1E)의 단면 구성을 도시한 것이다. 이 표시 장치(1E)는 표시층(80)에 액정층(84)을 포함하는 액정 소자를 이용한 점이 상기 제1 내지 제3의 실시의 형태 및 변형례 1, 2와는 다르다. 또한, 본 변형례에서의 표시 모드 전환층(70)은 표시층(80)과 대향 기판(40)의 사이에 마련되고, 상기 변형례 1과 마찬가지로 개구(P)에 각 색의 컬러 필터(75R, 75G, 75B)의 어느 하나가 마련되어 있다.
도 21은, 표시 장치(1E)의 전체 구성을 도시한 것이다. 이 표시 장치(1E)는, 예를 들면 액정 표시 패널(210), 백라이트(265), 백라이트 구동부(263) 및 타이밍 제어부(264) 등을 구비하고, 외부로부터 입력된 영상 신호(Din)에 의거하여 영상 표시를 행하는 것이다. 액정 표시 패널(210)에는, 예를 들면, 유효 화소 영역으로서의 표시 영역(210A)과, 표시 영역(210A)을 표시 구동하기 위한 주변 회로부(신호선 구동 회로(261) 및 주사선 구동 회로(262))가 형성되어 있다. 표시 영역(210A)에는, 상기 표시 장치(1A)와 마찬가지로 예를 들면 매트릭스형상으로 복수의 화소(2)(예를 들면 2R(적), 2G(녹), 2B(청)의 부화소)가 배치되어 있다. 신호선 구동 회로(261) 및 주사선 구동 회로(262) 등을 포함하는 주변 회로부는, 후술하는 구동 기판(10)의 표시 영역(210A)의 주변부(주변 영역(210B))에 형성되어 있다.
타이밍 제어부(264)는, 신호선 구동 회로(261), 주사선 구동 회로(262) 및 백라이트 구동부(263)의 구동 타이밍을 제어함과 함께, 영상 신호(Din)를 신호선 구동 회로(261)에 공급하는 것이다. 주사선 구동 회로(262)는, 타이밍 제어부(264)에 의한 타이밍 제어에 따라, 각 화소를 선순차 구동하는 것이다. 신호선 구동 회로(61)는, 각 화소에 각각, 타이밍 제어부(264)로부터 공급되는 영상 신호(Din)에 의거한 영상 전압을 공급하는 것이다. 구체적으로는, 영상 신호(Din)에 대해 D/A(디지털/아날로그) 변환을 행함에 의해, 아날로그 신호인 영상 신호를 생성하고, 각 화소에 출력한다.
백라이트(265)는, 액정 표시 패널(210)을 향하여 광을 조사하는 광원이고, 예를 들면 LED(Light Emitting Diode)나 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) 등을 복수 포함하는 것이다. 이 백라이트(265)는, 백라이트 구동부(263)에 의해 구동되고, 점등 상태 및 소등 상태가 제어되도록 되어 있다.
표시 장치(1E)는, 대향 배치된 구동 기판(10)과 대향 기판(40)과의 사이에, 액정층(84)이 밀봉된 것이다. 구동 기판(10)의 표시 영역(210A)에는, 복수의 화소 전극(81)이 예를 들면 2차원 어레이형상으로 마련되어 있다. 대향 기판(40)의 화소 전극(81)과의 대향면에는, 대향 전극(86)이 마련되어 있다. 구동 기판(10)의 액정층(84)측의 면에는, 배향막(83)이 형성되어 있고, 대향 기판(40)의 액정층(84)측의 면(대향 전극(86)의 표면)에는, 배향막(85)이 형성되어 있다.
또한, 도시는 하지 않지만, 화소 전극(81)의 구동 기판(10)측 및 대향 전극(86)의 대향 기판(40)측에는 각각, 편광판이 형성되어 있다. 또한, 액정 표시 패널(210)의 주연부에는 실 층이 형성되어 있고, 이 실 층에 의해 액정층(84)이 구동 기판(10) 및 대향 기판(40) 사이에 밀봉되어 있다. 이와 같이 편광판이 액정 패널의 중에 배치되어 있는 경우에는, 본 변형례와 같은 표시 모드 전환층(70)의 구성, 즉 표시 모드의 전환를 행하는 예를 들면 EC 소자(70A)와 컬러 필터(75)를 동층에 배설된 구성을 취할 수 있다.
구동 기판(10)은, 예를 들면 유리 기판으로 이루어지고, 예를 들면 사각형상의 면형상(표시 화면에 평행한 면형상)를 갖는다. 이 구동 기판(10)에는, 표시 영역(210A) 및, 그 주변 영역(210B)에, 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor), 유지용량 소자(도시 생략) 및 배선 등이 배설되어 있다. 표시 영역(210A)에서는, 각 화소 전극(81)이 상기 TFT에 접속되어 있고, 이 TFT를 통하여 화소 전극(81)에 영상 신호(Din)에 대응하는 영상 전압이 공급되도록 되어 있다.
화소 전극(81)은, 화소마다 마련되고, 예를 들면, 투명 도전 재료로 이루어진다. 투명 도전 재료로서는, 예를 들면 ITO, IZO, ZnO, 또는 IGZO(인듐, 갈륨, 아연 함유 산화물)라고 불리는 산화물 반도체가 사용된다.
대향 기판(40)은, 예를 들면 유리 기판으로 이루어진다. 이 대향 기판(40)에는, 개구(P)에 컬러 필터(75R, 75G, 75B)을 갖는 표시 모드 전환층(70)이 마련되고, 이들이 예를 들면 오버코트막에 의해 덮히여 있다. 이 오버코트막상에 대향 전극(86)이 마련되어 있다.
대향 전극(86)은, 예를 들면 각 화소(2)(2R, 2G, 2G)에 공통의 전극으로 되어 있고, 화소 전극(81)과 함께 액정층(84)에 영상 전압을 공급하는 것이다. 이 대향 전극(86)은, 상기 화소 전극(81)과 마찬가지로 예를 들면 상술한 바와 같은 투명 도전 재료에 의해 구성되어 있다.
액정층(84)은, 화소 전극(81) 및 대향 전극(86)을 통하여 공급되는 전압에 응하여, 그곳을 투과하는 광의 투과율을 제어하는 기능을 갖는다. 이 액정층(84)에는, 예를 들면 VA(Vertical Alig㎚ent) 모드, TN(Twisted Nematic) 모드, ECB(Electrically controlled birefringence) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 또는 IPS(In Plane Switching) 모드 등에 의해 표시 구동되는 액정을 포함하는 것이다. 이와 같이 액정층(84)의 액정 재료는 특히 한정되지 않지만, 후술하는 배향막(83, 85)과 같이 무기 배향막을 이용하여 배향 제어가 행하여지는 경우에 특히 유효하다.
배향막(83, 85)은, 액정층(84)의 배향 제어를 행하기 위한 것이고, 예를 들면 실리콘산화물(SiO2) 등의 무기 배향막으로 이루어진다. 배향막(83, 85)의 두께는, 예를 들면 120㎚ 내지 360㎚ 정도이다. 이들의 배향막(83, 85)은 각각, 예를 들면 증착법에 의해 성막되는 것이다.
보호막(82)은, 화소 전극(81)의 부식을 억제하기 위해 형성되는 것이다. 이 보호막(82)은, 예를 들면 실리콘산화막(SiO2)또는 실리콘질화막(SiN) 등의, 배향막(83)보다도 화학적으로 안정한 무기막이고, 두께는 예를 들면 30㎚ 내지 70㎚이다. 이 보호막(82)은, 적어도 표시 영역(210A)을 덮고서 형성되어 있고, 예를 들면 CVD(Chemical Vapor Deposition : 화학 기상 성장)법 또는 스퍼터법 등의, 증착법보다도 화학적으로 안정한 수법에 의해 성막된 것이다. 여기서, 배향막(83)은, 상기한 바와 같이 증착법에 의해 성막된 무기막이기 때문에, 막 내에 결함(미결합수, 공공(空孔)) 등이 생기기 쉽고, 또한 Si와 O의 조성비도 일정하지가 않은 경우가 많다. 이 때문에, 배향막(83)은 화학적으로 활성으로 되기 쉽고, 배향막(83)과 화소 전극(81)이 접촉하는 경우에는, 배향막(83)(예를 들면 SiO2)의 환원 등에 의해 화소 전극(81)(예를 들면 ITO)이 부식되어 버린다. 이와 같은 배향막(83)과 화소 전극(81)과의 사이에, 배향막(83)보다도 화학적으로 안정한 보호막(82)이 형성됨에 의해, 상기한 바와 같은 화소 전극(81)의 부식이 억제된다.
이상과 같이 본 개시된 표시 장치(1E)의 표시 디바이스는, 상기 발광 소자(20R, 20G, 20G)로서 설명한 유기 EL 소자 이외에 액정 소자를 이용할 수 있다. 또한, 본 변형례에서는 표시 모드 전환층으로서 상기 변형례 1에서 설명한 표시 모드 전환층(70)을 이용하였지만, 이것으로 한하지 않는다. 예를 들면, 표시 모드 전환층(70)을 구성하는 EC 소자는, 상기 제1 내지 제3의 실시의 형태에서 설명한 EC 소자(30A)(미러표시와 블랙표시), EC 소자(40A)(투과표시와 블랙표시), EC 소자(50A)(미러표시와 투과표시)를 적용할 수 있다.
또한, 본 변형 예의 표시 장치(1E)의 광원으로서고 백라이트(265)를 이용하였지만, 예를 들면 표시 장치(1E)를 투명 디스플레이로서 구성하는 경우에는, 에지 라이트로 하여도 좋다. 또는, 생략하여도 상관없다.
(5. 제4의 실시의 형태)
도 23은, 본 개시된 제4의 실시의 형태에 관한 표시 장치(1F)의 단면 구성을 도시한 것이다. 이 표시 장치(1F)는, 상기 변형례 3과 마찬가지로 표시층(80)은 액정층(84)을 포함하는 액정 소자에 의해 구성되어 있다. 본 실시의 형태에서는, 표시층(80)상에는 컬러 필터층(87)(87R, 87G, 87B)이 마련되어 있고, 이 컬러 필터층(87)을 통하여 표시층(80)과 대향 기판(40)의 사이에 표시 모드 전환층(90)이 배설되어 있다.
표시 모드 전환층(90)은, 예를 들면 대향 기판(40)측에 마련되어 있고, 이 대향 기판(40)의 전면에 일양하게 형성되어 있다. 이 표시 모드 전환층(90)은, 상술한 산화환원 방식의 EC 소자(30A, 40A, 50A) 외에, 전기영동법식의 EC 소자(100A)를 이용할 수 있다. 본 실시의 형태에서는, 표시 모드 전환층(90)이 이 전기영동법식의 EC 소자(100A)에 의해 구성되어 있는 경우를 예로 들어 설명한다.
도 24A 및 도 24B는, 표시 모드 전환층(90)의 전압 인가 전(도 24A) 및 전압 인가 후(도 24B)의 변화를 모식적으로 도시한 것이다. EC층(92)는 전기영동층이고, 예를 들면 Ag 및 Cu를 전리(電離)시킨 겔상 용액(예를 들면, 디메틸술폭시드에 폴리비닐부티랄을 용해한 것)를 제1 전극(93)과 제2 전극(91)의 사이에 충전함에 의해 형성된다. 이와 같은 구성의 표시 모드 전환층(90)에서는, 예를 들면 제2 전극(91)에 부의 전압(예를 들면 1.5 내지 4V 정도)을 인가함에 의해, 도 24B에 도시한 바와 같이 제2 전극(91)측에, 예를 들면 Ag 이온이 Ag로서 석출하고 금속막(92A)이 형성된다. 이에 의해, 표시 모드가 미러 모드로 전환된다. 이에 대해, 제2 전극(91)측에 정의 전압(예를 들면 0.5 내지 1V 정도)을 인가함에 의해 금속막(92A)을 형성하고 있던 Ag가 이온화하여 표시 모드가 전환된다. 이 때, 제1 전극(93)을 ITO 등의 광투과성을 갖는 도전 재료를 사용하여 형성하고 있는 경우에는 투명 디스플레이 모드가 된다. 또한, 상기 컬러 필터층(87)의 각 컬러 필터(87R, 87G, 87B)의 사이에 각각 블랙 매트릭스 층을 마련한 경우에는, 통상의 디스플레이 모드가 된다.
또한, 본 실시의 형태에서는 표시 디바이스로서 액정 소자를 이용하였지만, 상기 제1 내지 제3의 실시의 형태 및 변형례 1, 2의 표시 장치(1A 내지 1E)에서 이용한 유기 EL 소자(발광 소자(20R, 20G, 20G))를 이용하여도 좋다. 또는, 무기 EL 소자, 반도체 레이저, LED(Light Emitting Diode) 등에 의해 구성하여도 좋다.
(6. 변형례)
(변형례 3)
도 25는, 본 개시된 제4의 실시의 형태에 관한 표시 장치(1F)를 구성하는 표시 모드 전환층(90)의 단면 구성의 다른 예를 도시한 것(표시 모드 전환층(90A))이다. 이 표시 모드 전환층(90A)은 제2 전극(91)을 각 화소(2)를 구성하는 부화소(2R, 2G, 2B)마다 분할, 즉 격자형상 매트릭스로 패턴 형성한 점이 상기 제4의 실시의 형태와는 다르다. 이와 같이 제2 전극(91)을 부화소(2R, 2G, 2B)마다 형성함에 의해, 표시 장치(1F)의 표시 영역(210A)을 각 부화소(2R, 2G, 2B)마다 표시 모드의 전환이 가능해진다.
또한, 이와 같은 표시 영역의 부분적인 표시 모드의 전환은 상기 제4의 실시의 형태 및 변형례 3에 나타낸 표시 장치(1F)뿐만 아니라, 상기 제1 내지 제3의 실시의 형태 및 변형례 1 내지 3에서의 표시 장치(1A 내지 1E)에도 적용할 수 있다.
도 26은, 표시 장치(1A 내지 1E)의 각 구동 회로(120, 130) 및 각 화소(2R, 2G, 2B)가 마련된 구동 기판(10) 및 표시 모드 전환층(30)(, 50, 60, 70)의 전체 구성을 모식적으로 도시한 것이다. 표시 모드 전환층(30)(, 50, 60, 70)은, 열방향 및 행방향으로 각각 복수의 제어선(150A) 및 제어선(160A)이 배설되어 있다. 제어선(150A)과 제어선(160A)은 적색 화소(2R), 녹색 화소(2G), 청색 화소(2B)의 어느 하나, 또는 표시 영역(110A) 내의 소정의 위치에서 교차하고 있다. 각 제어선(150A) 및 제어선(160A)은 각각 전환 제어 회로(150, 160)에 접속되어 있다. 전환 제어 회로(150, 160)에는, 구동 기판(10)상의 신호선 구동 회로(120) 및 주사선 구동 회로(130)에 공급되는 화상 신호와 함께, 타이밍 제어부(164)로부터 표시 모드 전환층(30)(, 50, 60, 70)의 표시 모드의 전환를 제어하는 제어 신호가 공급되도록 되어 있다. 이에 의해, 예를 들면 도 26에 도시한 바와 같이, 표시 모드 전환층(30)(, 50, 60, 70)의 소정의 영역을 미러 모드와 디스플레이 모드(또는, 디스플레이 모드와 투명 디스플레이 모드, 미러 모드와 투명 디스플레이 모드)로 분할 표시할 수 있다.
(변형례 4)
도 26은, 본 개시된 제1의 실시의 형태에 관한 표시 장치(1A)를 구성하는 표시 모드 전환층(30)의 평면 구성의 다른 예를 도시한 것(표시 모드 전환층(30A))이다. 이 표시 모드 전환층(30A)은, 예를 들면 제1 전극(33)이 열방향(Y축방향으로에, 제2 전극이 행방향(X축방향)으로 연재되도록 마련되어 있는 점이 상기 제1의 실시의 형태와는 다르다. 이와 같이, 제1 전극(33) 및 제2 전극(31)을 같은 패턴(예를 들면 격자형상)으로 형성한 것이 아니라, 제1 전극(33) 및 제2 전극(31)이 서로 교차하도록 배설함에 의해, 표시 모드의 전환을 제1 전극(33)과 제2 전극(31)과의 교점에서 행하는 것이 가능해진다. 즉, 상기 변형례 3과 마찬가지로, 표시 장치(1A)의 표시 영역(110A)을 각 부화소(2R, 2G, 2B)마다 표시 모드를 전환하는 것이 가능해진다.
또한, 도 26과 같이 제1 전극(33) 및 제2 전극(31)을 단순하게 직선 형상으로 패터닝한 경우에는 교점의 면적이 작아, 미러(또는 BM)로서의 충분한 특성을 얻기는 어렵다. 이 때문에, 예를 들면 도 27A 및 도 27B에 도시한 바와 같이, Y축방향으로 연재되는 제1 전극(33)의 일부에 X축방향으로 돌출하는 볼록부(33A)를, X축방향으로 연재되는 제2 전극(31)의 일부에 Y축방향으로 돌출한 볼록부(31A)를 각각 형성하여도 좋다. 이 때 각 볼록부(33A, 31A)는, 제1 전극(33) 및 제2 전극(31)의 교점에 형성하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 표시 모드가 전환되는 면적을 크게할 수가 있어서, 미러(또는 BM)로서의 충분한 특성을 얻는 것이 가능해진다.
또한, 이와 같은 표시 영역의 부분적인 표시 모드의 전환은 상기 제1의 실시의 형태에 나타넨 표시 장치(1A)뿐만 아니라, 상기 제2 내지 제4의 실시의 형태 및 변형례 1, 2에서의 표시 장치(1B 내지 1E)에도 적용할 수 있다.
(7. 적용례)
상기 제1 내지 제4의 실시의 형태 및 변형례 1 내지 4에서 설명한 표시 장치(1A 내지 1F)는, 예를 들면 다음에 도시하 바와 같은, 화상(또는 영상) 표시를 행하는, 모든 분야의 전자 기기에 탑재할 수도 있다.
(적용례 1)
도 28A, 도 28B는, 스마트 폰의 외관을 도시하고 있다. 이 스마트 폰은, 예를 들면, 표시부(310)(표시 장치(1A)) 및 비표시부(몸체)(320)와, 조작부(330)를 구비하고 있다. 조작부(330)는, 비표시부(320)의 앞면에 마련되어 있어도 좋고, 윗면에 마련되어 있어도 좋다.
(적용례 2)
도 29는 텔레비전 장치의 외관 구성을 도시하고 있다. 이 텔레비전 장치는, 예를 들면, 프런트 패널(410) 및 필터 유리(420)를 포함하는 영상 표시 화면부(400)(표시 장치(1A))를 구비하고 있다.
(적용례 3)
도 30A, 30B는, 디지털 스틸 카메라의 외관 구성을 도시하고 있고, 각각 앞면 및 후면을 도시하고 있다. 이 디지털 스틸 카메라는, 예를 들면, 플래시용의 발광부(510)와, 표시부(520)(표시 장치(1A))와, 메뉴 스위치(530)와, 셔터 버튼(540)을 구비하고 있다.
(적용례 4)
도 31은, 노트형의 퍼스널 컴퓨터의 외관 구성을 도시하고 있다. 이 퍼스널 컴퓨터는, 예를 들면, 본체(610)와, 문자 등의 입력 조작용의 키보드(620)와, 화상을 표시하는 표시부(630)(표시 장치(1A))를 구비하고 있다.
(적용례 5)
도 32는, 비디오 카메라의 외관 구성을 도시하고 있다. 이 비디오 카메라는, 예를 들면, 본체부(710)와, 그 본체부(710)의 전방 측면에 마련된 피사체 촬영용의 렌즈(520)와, 촬영시의 스타트/스톱 스위치(730)와, 표시부(740)(표시 장치(1A))를 구비하고 있다.
(적용례 6)
도 33A, 33B는, 휴대 전화기의 외관 구성을 도시하고 있다. 도 33A는, 각각 휴대 전화기를 닫은 상태의 정면, 좌측면, 우측면, 윗면 및 하면을 도시하고 있다. 도 33B는, 각각 휴대 전화기를 연 상태의 정면 및 측면을 도시하고 있다. 이 휴대 전화기는, 예를 들면, 상측 몸체(810)와 하측 몸체(820)가 연결부(힌지부)(620)에 의해 연결된 것이고, 디스플레이(840)(표시 장치(1A 내지 1H))와, 서브 디스플레이(850)와, 픽처 라이트(860)와, 카메라(870)를 구비하고 있다.
(적용례 7)
도 34는 자경(姿鏡; figure mirror) 디스플레이의 외관 구성을 도시하고 있다. 이 자경 디스플레이는, 예를 들면 미러부(900)와, 그 미러부(900)의 주변에 배치된 피사체의 위치를 파악하기 위한 카메라(910)과, 자경 디스플레이의 이용 환경을 판정하여 표시 화상의 휘도 등을 조정하는 조도 센서(920)를 구비하고 있다. 이와 같은 자경 디스플레이에서는, 미러부(900)를 미러 모드와 디스플레이 모드를 조합시킴으로써, 예를 들면 미러부(900)에 비치고 있는 인물에게 의복 등의 화상을 겹쳐서 표시할 수 있다.
또한, 표시하는 화상 위치는 카메라 화상의 위치로부터 결정된다. 이 때, 비치고 있는 인물에게 자동적으로 포커스를 맞추는 경우에는 그림테두리에 변화가 생기지만, 미리 포커스의 스텝 값에 대해 미러부(900)의 그림테두리 위치를 기억시킴에 의해 해소된다. 또한, 마러상(像)에 화상을 겹치는 경우에는, 양안 시차의 관계 때문에 양쪽에 초점을 맞추는 것은 어렵다. 그 때문에, 표시 화상에는 원근법이나 운동 시차 등을 이용하지만, 오토 포커스의 스텝값에 의해 대상물까지의 거리를 파악하고, 어느 정도의 조정을 행하는지를 산출해 낼 수 있도록 된다. 이와 같이, 대상물과의 거리를 재기 위해 초음 센서 등을 배치하여도 좋다.
또한, 예를 들면 미러부(900)의 외주부를 자동적으로 전백(全白) 표시로 함에 의해 조명을 대신에 할 수 있다. 이에 의해, 암소에서도 미러로서 사용할 수 있다.
(적용례 8)
도 35A, 35B는, 모바일 디스플레이의 외관을 도시하고 있다. 이 모바일 디스플레이는, 예를 들면 표시부(1010)(표시 장치(1B)) 및 비표시부(몸체)(1020)와, 조작부(1030)를 구비하고 있다. 이 모바일 디스플레이에서는, 상기 제2의 실시의 형태의 표시 장치(1B)를 이용함에 의해, 투명 디스플레이 모드(도 35A) 및 디스플레이 모드(도 35B)를 전환할 수 있다. 또한, 표시부(1010)의 배경을 투과하면서, 화상이나 문자 정보를 표시할 수도 있다.
이상, 제1 내지 제4의 실시의 형태 및 변형례 1 내지 4를 들어 본 개시를 설명하였지만, 본 개시는 상기 실시의 형태 등으로 한정되는 것이 아니고, 여러가지 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 제1 내지 제3의 실시의 형태 및 변형례 1에서는 톱 이미션형의 표시 장치를 예로 설명하였지만, 이것으로 한하지 않고, 본 개시는 보텀 이미션형의 표시 장치에도 적용 가능하다.
또한, 상기 실시의 형태 등에서 설명하는 각 층의 재료 및 두께, 또는 성막 방법 및 성막 조건 등은 한정되는 것이 아니고, 다른 재료 및 두께로 하여도 좋고, 또는 다른 성막 방법 및 성막 조건으로 하여도 좋다. 또한, 상기 실시의 형태 등에서 설명한 각 층은 반드시 전부 마련할 필요는 없고, 적절히 생략하여도 좋다. 또한, 상기 실시의 형태 등에서 설명한 층 이외의 층을 추가하여도 상관없다.
또한, 상기 실시의 형태 등에서는 화소를 구성하는 부화소를 적화소, 녹화소, 청화소의 3종류의 경우를 예로 설명하였지만, 이들 3종의 부화소에 더하여, 백화소, 또는 황색 화소를 추가하여도 상관없다.
또한, 본 기술은 이하와 같은 구성도 취할 수 있다.
(1) 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과, 화소마다 개구를 갖음과 함께, 상기 표시층 및 상기 제2 기판의 사이에 배설된 표시 모드 전환층을 구비한 표시 장치.
(2) 상기 표시 모드 전환층은 전압의 인가에 의해 표시 모드가 전환되는, 상기 (1)에 기재된 표시 장치.
(3) 상기 표시 모드 전환층은 복수의 화소가 배설된 표시 영역이 소정의 영역마다 전환되는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 표시 장치.
(4) 상기 표시 모드 전환층은 반사율 조정 기능을 갖는, 상기 (1) 내지 (3)에 기재된 표시 장치.
(5) 상기 표시 모드 전환층은 투과율 조정 기능을 갖는, 상기 (1) 내지 (4)에 기재된 표시 장치.
(6) 상기 표시 모드 전환층은 블랙표시와 미러표시, 블랙표시와 투과표시, 미러표시와 블랙표시 또는 미러표시와 투명표시의 어느 하나로 전환되는, 상기 (1) 내지 (5)에 기재된 표시 장치.
(7) 상기 표시 모드 전환층은 하나의 방향으로 연재되는 복수의 제1 전극과, 다른 방향으로 연재되는 복수의 제2 전극을 구비하고, 상기 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제2 전극은 상기 복수의 화소마다 교점을 갖는, 상기 (3) 내지 (6)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
(8) 상기 표시 모드 전환층은 상기 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제2 전극의 상기 교점마다 표시 모드가 전환되는, 상기 (7)에 기재된 표시 장치.
(9) 상기 표시 모드 전환층은 상기 표시층측에 차광막을 갖는, 상기 (1) 내지 (8)에 기재된 표시 장치.
(10) 상기 표시 모드 전환층은 금속막에 의해 구성되어 있는, 상기 (1) 내지 (9)에 기재된 표시 장치.
(11) 상기 표시 모드 전환층은 일렉트로크로믹 소자에 의해 구성되어 있는, 상기 (1) 내지 (9)에 기재된 표시 장치.
(12) 상기 표시층은 액정층에 의해 구성되어 있는, 상기 (1) 내지 (11)에 기재된 표시 장치.
(13) 상기 표시층은 발광층을 포함하는 유기층에 의해 구성되어 있는, 상기 (1) 내지 (11)에 기재된 표시 장치.
(14) 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과, 상기 표시층 및 상기 제2 기판의 사이에 배설된 표시 모드 전환층을 구비한 표시 장치.
(15) 상기 표시 모드 전환층은 상기 제2 기판의 전면에 마련되어 있는, 상기 (14)에 기재된 표시 장치.
(16) 표시 장치를 구비하고, 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과, 화소마다 개구를 갖음과 함께, 상기 표시층 및 상기 제2 기판의 사이에 배설된 표시 모드 전환층을 갖는 전자 기기
(17) 표시 장치를 구비하고, 상기 표시 장치는, 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과, 상기 표시층 및 상기 제2 기판의 사이에 배설된 표시 모드 전환층을 갖는 전자 기기.
1A 내지 1F : 표시 장치
2 : 화소
20R, 20G, 20B : 발광 소자
10 : 구동 기판
20, 80 : 표시층
21 : 하부 전극
22 : 격벽
23 : 유기층
24 : 상부 전극
25 : 평탄화층
30, 40, 50, 60, 70, 90 : 표시 모드 전환층

Claims (18)

  1. 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 제1 전극을 갖음과 함께, 상기 제1 전극은 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 상기 표시층에 의해 형성되는 표시 화상과 독립한, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 외측부터 입사하는 광의 투과율의 조정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표시 모드 제어층은, 블랙과 투과, 미러와 투과의 어느 하나의 표시 모드로 전환되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 제1 전극을 갖음과 함께, 상기 제1 전극은 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 상기 표시층에 의해 형성되는 표시 화상과 독립한, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 외측부터 입사하는 광의 반사율의 조정 기능을 가지며,
    상기 표시 모드 제어층에 의해 형성되는 화상과, 상기 표시 화상은 서로 독립하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 표시 모드 제어층은, 블랙과 미러, 미러와 투과의 어느 하나의 표시 모드로 전환되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표시 모드 제어층은, 상기 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 표시 모드 제어층은, 전압의 인가에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 표시 모드 제어층은, 1 또는 복수의 화소를 포함하는 화소 영역마다 제어되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 제1 전극을 갖음과 함께, 상기 제1 전극은 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 상기 표시층에 의해 형성되는 표시 화상과 독립한, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 외측부터 입사하는 광의 반사율 또는 투과율의 조정 기능을 가지며,
    상기 제1 전극은, 제1의 방향으로 연재되는 제1 서브 전극을 복수 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 표시 모드 제어층은, 상기 제1 전극 및 제2 전극을 갖음과 함께, 상기 제2 전극은, 제2의 방향으로 연재되는 제2 서브 전극을 복수 가지며, 상기 복수의 제1 서브 전극 및 상기 복수의 제2 서브 전극은 교점을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 제1 전극을 갖음과 함께, 상기 제1 전극은 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 상기 표시층에 의해 형성되는 표시 화상과 독립한, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 외측부터 입사하는 광의 반사율 또는 투과율의 조정 기능을 가지며,
    상기 표시 모드 제어층은 일렉트로크로믹 소자에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 제1 전극을 갖음과 함께, 상기 제1 전극은 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 상기 표시층에 의해 형성되는 표시 화상과 독립한, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 외측부터 입사하는 광의 반사율 또는 투과율의 조정 기능을 가지며,
    상기 표시층은 액상 결정층에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제1항 또는 제10항에 있어서,
    상기 표시층은 발광층을 포함하는 유기층에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 동일 기판상에 형성되는 제1 전극 및 제2 전극을 가지며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중의 일방 또는 양방이, 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 표시면측부터 입사하는 광의 반사율 조정 기능을 가지며,
    상기 표시 모드 제어층에 의해 형성되는 화상과, 상기 표시층에 의해 형성되는 표시 화상은 서로 독립하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 제1 전극을 갖음과 함께, 상기 제1 전극은 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 배경으로부터 입사하는 광의 투과율 조정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 표시 장치를 구비하고,
    상기 표시 장치는,
    대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 제1 전극을 갖음과 함께, 상기 제1 전극은 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 상기 표시층에 의해 형성되는 표시 화상과 독립한, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 외측부터 입사하는 광의 투과율의 조정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  16. 표시 장치를 구비하고,
    상기 표시 장치는,
    대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 제1 전극을 갖음과 함께, 상기 제1 전극은 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 상기 표시층에 의해 형성되는 표시 화상과 독립한, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 외측부터 입사하는 광의 반사율의 조정 기능을 가지며,
    상기 표시 모드 제어층에 의해 형성되는 화상과, 상기 표시 화상은 서로 독립하고 있는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  17. 표시 장치를 구비하고,
    상기 표시 장치는,
    대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 동일 기판상에 형성된 제1 전극 및 제2 전극을 가지며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중의 일방 또는 양방이, 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 표시면측부터 입사하는 광의 반사율 조정 기능을 가지며,
    상기 표시 모드 제어층에 의해 형성된 화상과, 상기 표시층에 의해 형성되는 표시 화상은 서로 독립하고 있는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  18. 표시 장치를 구비하고,
    상기 표시 장치는,
    대향 배치된 한 쌍의 제1 기판 및 제2 기판과,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 마련된 표시층과,
    상기 표시층 및 상기 제2 기판과의 사이에 배설된 표시 모드 제어층을 구비하고,
    상기 표시 모드 제어층은, 제1 전극을 갖음과 함께, 상기 제1 전극은 1 또는 복수의 화소에 대응하는 영역에 개구를 가지며, 또한, 배경으로부터 입사하는 광의 투과율 조정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160012646A (ko) * 2014-07-25 2016-02-03 삼성전자주식회사 영상 표시 장치 및 그 제어 방법
CN104503635B (zh) * 2015-01-06 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及红外线显示系统
WO2016151429A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
CN104977762B (zh) * 2015-06-10 2018-04-27 友达光电(厦门)有限公司 显示装置
CN105093772B (zh) * 2015-08-25 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法
KR102449918B1 (ko) * 2015-10-27 2022-09-30 엘지디스플레이 주식회사 거울-디스플레이 겸용 장치
CN105572987A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器以及用于使液晶显示器显示图象的驱动方法
WO2017125834A1 (en) 2016-01-18 2017-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and data processor
WO2017155262A1 (ko) * 2016-03-07 2017-09-14 립하이 주식회사 전기변색 디바이스
KR101793651B1 (ko) * 2016-03-07 2017-11-07 립하이 주식회사 전기변색 디바이스
TWI709952B (zh) 2016-07-01 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置、電子裝置的驅動方法
US10520782B2 (en) * 2017-02-02 2019-12-31 James David Busch Display devices, systems and methods capable of single-sided, dual-sided, and transparent mixed reality applications
WO2019062187A1 (zh) * 2017-09-30 2019-04-04 云谷（固安）科技有限公司 显示屏以及电子设备
US10777125B2 (en) * 2017-11-27 2020-09-15 Universal Display Corporation Multi-mode OLED display
CN109326222A (zh) * 2018-09-28 2019-02-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板及其制备方法、调节方法、显示装置
CN110268315A (zh) * 2019-05-07 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和车载装置
CN110133935A (zh) * 2019-06-06 2019-08-16 深圳市光羿科技有限公司 一种图案化电致变色器件、电致变色玻璃以及应用
CN112817071B (zh) * 2019-10-31 2022-08-02 恒颢科技股份有限公司 光学配件
CN111987133B (zh) * 2020-09-02 2022-05-27 京东方科技集团股份有限公司 镜面显示面板及镜面显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002196702A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Sony Corp 画像表示装置
JP2003076302A (ja) 2001-09-06 2003-03-14 Sharp Corp 表示装置
US20080002110A1 (en) 2006-06-29 2008-01-03 Sang Ho Choi Viewing-angle controllable color filter substrate, liquid crystal display having the same, and manufacturing method thereof

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4902108A (en) 1986-03-31 1990-02-20 Gentex Corporation Single-compartment, self-erasing, solution-phase electrochromic devices, solutions for use therein, and uses thereof
JP3513371B2 (ja) * 1996-10-18 2004-03-31 キヤノン株式会社 マトリクス基板と液晶装置とこれらを用いた表示装置
WO2000063745A2 (en) * 1999-04-20 2000-10-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Transflective display device
AU2001243285A1 (en) * 2000-03-02 2001-09-12 Donnelly Corporation Video mirror systems incorporating an accessory module
JP2004069926A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Seiko Epson Corp 鏡機能付き表示装置及び電子機器
JP2003248444A (ja) * 2002-11-18 2003-09-05 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器
CN1542705A (zh) * 2003-04-29 2004-11-03 铼宝科技股份有限公司 具镜面功能显示装置
GB0322231D0 (en) * 2003-09-23 2003-10-22 Koninkl Philips Electronics Nv Transflector and transflective display
JP4015127B2 (ja) 2004-03-11 2007-11-28 アール・ビー・コントロールズ株式会社 テレビ装置
JP2005332616A (ja) 2004-05-18 2005-12-02 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置および電子機器
KR100672809B1 (ko) * 2004-11-23 2007-01-22 썬텍 주식회사 반사율이 향상된 액정가변 변색미러 장치
JP4923758B2 (ja) * 2006-06-08 2012-04-25 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP2009053391A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 Seiko Epson Corp 表示素子
JP5210102B2 (ja) 2008-09-22 2013-06-12 セーレン株式会社 仮想試着装置
US20110273659A1 (en) * 2010-05-07 2011-11-10 Magna Mirrors Of America, Inc. Liquid crystal mirror with display
CN103048835B (zh) * 2012-12-07 2015-04-15 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶光栅及其驱动方法和立体显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002196702A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Sony Corp 画像表示装置
JP2003076302A (ja) 2001-09-06 2003-03-14 Sharp Corp 表示装置
US20080002110A1 (en) 2006-06-29 2008-01-03 Sang Ho Choi Viewing-angle controllable color filter substrate, liquid crystal display having the same, and manufacturing method thereof

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Publication number Publication date
TWI674467B (zh) 2019-10-11
CN104241324A (zh) 2014-12-24
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US9436053B2 (en) 2016-09-06
CN104241324B (zh) 2017-08-11
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