CN115394805A - 显示面板以及包括其的电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板以及包括其的电子装置，可以是，显示面板包括：基底层；电路层，配置于所述基底层之上；发光元件层，配置于所述电路层之上，并包括发光元件，所述发光元件包括像素电极、配置于所述像素电极之上的发光层以及配置于所述发光层之上的公共电极；封装层，配置于所述发光元件层之上；以及图案，配置于所述电路层与所述发光元件层之间，当在平面上看时，所述图案的至少一部分配置于与所述发光元件相邻的区域。

Description

显示面板以及包括其的电子装置
技术领域
本发明涉及一种一部分区域的透射率提升的显示面板以及包括其的电子装置。
背景技术
电子装置可以是由显示面板以及电子模组等各种电子配件构成的装置。电子模组可以包括相机、红外线感测传感器或接近传感器等。电子模组可以配置于显示面板之下。显示面板的一部分区域的透射率可以高于显示面板的另一部分区域的透射率。电子模组可以通过显示面板的一部分区域接收外部输入，或者通过显示面板的一部分区域提供输出。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种一部分区域的透射率提升的显示面板。
本发明的一目的在于提供一种提供高品质的图像，并且从电子模组获得或接收的信号的品质提升的电子装置。
可以是，根据本发明的一实施例的显示面板包括：基底层；电路层，配置于所述基底层之上；发光元件层，配置于所述电路层之上，并包括发光元件，所述发光元件包括像素电极、配置于所述像素电极之上的发光层以及配置于所述发光层之上的公共电极；封装层，配置于所述发光元件层之上；以及图案，配置于所述电路层与所述发光元件层之间，当在平面上看时，所述图案的至少一部分配置于与所述发光元件相邻的区域。
可以是，所述图案的面积大于所述像素电极的面积。
可以是，所述图案的至少另一部分配置于所述像素电极与所述电路层之间。
可以是，所述电路层包括与所述图案接触的上绝缘层，所述图案的折射率与所述上绝缘层的折射率彼此不同。
可以是，所述封装层包括有机层，所述图案的折射率与所述有机层的折射率不同。
可以是，所述图案包含透明导电性氧化物或无机物。
可以是，透射所述图案后入射至所述电路层的第一光的相位与不透射所述图案并入射至所述电路层的第二光的相位彼此不同。
可以是，在所述第一光以及所述第二光为红色光的波段的情况下，相比所述第一光以及所述第二光为绿色或蓝色光的波段的情况，所述第一光的相位与所述第二光的相位差接近于(2n-1)π弧度。
可以是，所述发光元件层还包括：像素界定图案，配置于所述像素电极之上，并与所述像素电极的一部分重叠，当在平面上看时，所述图案从所述像素界定图案凸出。
可以是，所述像素界定图案包括：第一边缘，与所述像素电极重叠；以及第二边缘，围绕所述第一边缘并与所述图案重叠。
可以是，所述图案的边缘围绕所述第二边缘。
可以是，在所述发光元件层界定配置有所述发光元件的元件区域以及与所述元件区域相邻的透射区域，所述图案的至少一部分配置于所述透射区域。
可以是，所述透射区域的一部分与所述图案不重叠。
可以是，所述像素电极的边缘以及所述图案的边缘各自包括曲线。
可以是，根据本发明的一实施例的电子装置包括：显示面板，界定有：辅助显示区域，界定有元件区域以及透射区域；主显示区域，与所述辅助显示区域相邻。可以是，所述显示面板包括：基底层；电路层，配置于所述基底层之上；相移图案，配置于所述电路层之上，并配置于所述辅助显示区域；第一发光元件，配置于所述辅助显示区域，并包括第一像素电极；以及第二发光元件，配置于所述主显示区域，并包括第二像素电极。可以是，所述第一像素电极与所述元件区域重叠，所述相移图案的至少一部分与所述透射区域重叠。
可以是，所述相移图案配置于所述第一像素电极与所述电路层之间，所述相移图案的面积大于所述第一像素电极的面积。
可以是，所述电路层包括与所述相移图案接触的上绝缘层，所述相移图案的折射率与所述上绝缘层的折射率彼此不同。
可以是，透射所述相移图案后入射至所述电路层的第一光的相位与不透射所述相移图案并入射至所述电路层的第二光的相位彼此不同，在所述第一光以及所述第二光为红色光的波段的情况下，相比所述第一光以及所述第二光为绿色或蓝色光的波段的情况，所述第一光的相位与所述第二光的相位差接近于(2n-1)π弧度。
可以是，所述电子装置还包括：电子模组，与所述辅助显示区域重叠配置。
可以是，所述第一像素电极提供为多个，所述第二像素电极提供为多个，多个所述第一像素电极中的彼此最相邻的两个第一像素电极之间的距离大于多个所述第二像素电极中的彼此最相邻的两个第二像素电极之间的距离。
根据上述那样，图案可以配置于电路层与发光元件层之间。图案的至少一部分可以与透射区域重叠。因此，透射透射区域的光中的一部分可以通过图案。通过图案的第一光的相位与不通过图案的第二光的相位可以不同。第一光的相位和第二光的相位差可以接近于180度。因此，第一光和第二光的一部分彼此抵消，由此可以去除或减少由于衍射的图案。因此，可以提升通过电子模组获得的信号，例如图像的品质。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例的电子装置的立体图。
图2是示出根据本发明的一实施例的电子装置的一部分结构的分解立体图。
图3是根据本发明的一实施例的显示模组的截面图。
图4是根据本发明的一实施例的显示面板的平面图。
图5是放大示出图4的AA'区域的平面图。
图6是根据本发明的一实施例的像素的等效电路图。
图7a是根据本发明的一实施例的显示模组的截面图。
图7b是根据本发明的一实施例的显示模组的截面图。
图8是根据本发明的一实施例的显示模组的截面图。
图9是示出根据本发明的一实施例的像素界定膜、像素界定图案以及图案的平面图。
图10a是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的截面图。
图10b是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的平面图。
图11a是示出用于确定图案的厚度的模拟步骤的图。
图11b是示出用于确定图案的厚度的模拟步骤的图。
图12a是根据本发明的比较例的电子装置所获得的图像。
图12b是根据本发明的实施例的电子装置所获得的图像。
图13a是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的截面图。
图13b是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的平面图。
图14a是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的截面图。
图14b是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的平面图。
(附图标记说明)
1000：电子装置 100：显示面板
110：基底层 120：电路层
130：发光元件层 140：封装层
PSL：图案、相移图案
具体实施方式
在本说明书中，在提及某构成要件(或者区域、层、部分等)“在”其它构成要件“上”、“连接于”或者“结合于”其它构成要件的情况下，其意指可以直接配置/连接/结合于其它构成要件上或者也可以在它们之间配置有第三构成要件。
相同的附图标记指称相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例以及尺寸为了技术内容的有效说明而放大。“及/或”将关联的结构可以定义的一个以上的组合全部包括。
第一、第二等的用语可以用于说明各种构成要件，但是上述构成要件不能由上述用语限定。上述用语仅以将一个构成要件区域分于其它构成要件的目的使用。例如，在不脱离本发明的权利范围的同时，第一构成要件可以命名为第二构成要件，类似地第二构成要件可以也命名为第一构成要件。除非在文脉上明确不同地表示，否则单数的表述包括复数的表述。
另外，“之下”、“下侧”、“之上”、“上侧”等的用语为了说明图示于附图的结构的关联关系而使用。上述用语是相对的概念，以在附图标示的方向为基准进行说明。
“包括”或“具有”等的用语应理解为是要指定存在说明书中记载的特征、数字、步骤、工作、构成要件、部件或这些组合，并不预先排除一个或其以上的其它特征或数字、步骤、工作、构成要件、部件或这些组合的存在或附加可能性。
只要没有不同地定义，本说明书中使用的所有术语(包括技术术语及科学术语)具有与本发明所属技术领域的人员通常所理解的含义相同的含义。另外，通常使用的词典中所定义的术语之类的术语应解释为具有与相关技术的脉络上含义相同的含义，只要没有解释为理想或过于形式化的含义，明确性地在此定义。
以下，参照附图说明本发明的实施例。
图1是根据本发明的一实施例的电子装置的立体图。
参照图1，电子装置1000可以是根据电信号激活的装置。例如，电子装置1000可以是移动电话、平板计算机、监视器、电视、汽车导航仪、游戏机或可穿戴装置，但是不限于此。在图1中示例性地示出了电子装置1000为移动电话。
电子装置1000可以通过显示区域1000A显示图像。显示区域1000A可以包括通过第一方向DR1以及第二方向DR2界定的平面。显示区域1000A可以还包括从所述平面的至少两个侧分别弯曲的曲面。但是，显示区域1000A的形状不限于此。例如，显示区域1000A也可以仅包括所述平面，显示区域1000A也可以还包括从所述平面的至少两个，例如四个侧分别弯曲的四个曲面。
在电子装置1000的显示区域1000A内可以界定感测区域1000SA。在图1中示例性地示出了一个感测区域1000SA，但是感测区域1000SA的数量不限于此。感测区域1000SA可以是显示区域1000A的一部分。因此，电子装置1000可以通过感测区域1000SA显示图像。
在与感测区域1000SA重叠的区域可以配置电子模组。电子模组可以接收通过感测区域1000SA传输的外部输入，或者通过感测区域1000SA提供输出。例如，电子模组可以是相机模组、接近传感器之类的测定距离的传感器、识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜或面部)的传感器、或者输出光的小型灯，不特别限于此。
电子装置1000的厚度方向可以和与第一方向DR1以及第二方向DR2交叉的第三方向DR3平行。因此，构成电子装置1000的部件的前面(或上面)和背面(或下面)可以以第三方向DR3为基准界定。
图2是示出根据本发明的一实施例的电子装置的一部分结构的分解立体图。
参照图2，电子装置1000可以包括显示模组DM以及电子模组CM。显示模组DM可以是生成图像，并感测从外部施加的输入的结构。可以是，电子模组CM配置于显示模组DM之下，例如是相机模组。也可以是，显示模组DM指称为第一电子模组，电子模组CM指称为第二电子模组。
在显示模组DM可以界定显示区域100A以及周边区域100N。显示区域100A可以对应于在图1中示出的显示区域1000A。显示模组DM的一部分区域可以具有高于另一部分区域的透射率，这可以界定为感测区域100SA。感测区域100SA可以是显示区域100A的一部分。即，感测区域100SA可以显示图像，并透射向电子模组CM提供的外部输入及/或来自电子模组CM的输出。
图3是根据本发明的一实施例的显示模组的截面图。
参照图3，显示模组DM可以包括显示面板100、传感器层200以及反射防止层300。
显示面板100可以是实质上生成图像的结构。显示面板100可以是发光型显示面板，例如，显示面板100可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板、量子点显示面板、微型LED显示面板或纳米LED显示面板。显示面板100可以指称为显示层。
显示面板100可以包括基底层110、电路层120、发光元件层130以及封装层140。
基底层110可以是提供配置电路层120的基底面的部件。基底层110可以是刚性(rigid)基板或可弯曲(bending)、折叠(folding)或卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。基底层110可以是玻璃基板、金属基板或聚合物基板等。但是，实施例不限于此，基底层110可以是无机层、有机层或复合材料层。
基底层110可以具有多层结构。例如，基底层110可以包括第一合成树脂层、多层或单层结构的中间层、配置于所述中间层之上的第二合成树脂层。所述中间层可以指称为基底阻挡层。所述中间层可以包括氧化硅(SiOx)层以及配置于所述氧化硅层之上的非晶硅(a-Si)层，但是不特别限于此。例如，所述中间层可以包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层以及非晶硅层中的至少一个。
所述第一以及第二合成树脂层各自可以包含聚酰亚胺(polyimide)类树脂。另外，所述第一以及第二合成树脂层各自可以包含丙烯酸(acrylate)类树脂、甲基丙烯酸(methacrylate)类树脂、聚异戊二烯(polyisoprene)类树脂、乙烯基(vinyl)类树脂、环氧(epoxy)类树脂、氨基甲酸乙酯(urethane)类树脂、纤维素(cellulose)类树脂、硅氧烷(siloxane)类树脂、聚酰胺(polyamide)类树脂以及苝(perylene)类树脂中的至少一种。另一方面，在本说明书中，“～～”类树脂意指包含“～～”的官能团。
电路层120可以配置于基底层110之上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案以及信号线等。可以是，通过涂层、蒸镀等的方式在基底层110之上形成绝缘层、半导体层以及导电层，之后，通过多次的光刻工艺选择性地图案化绝缘层、半导体层以及导电层。之后，可以形成包括在电路层120中的半导体图案、导电图案以及信号线。
发光元件层130可以配置于电路层120之上。发光元件层130可以包括发光元件。例如，发光元件层130可以包含有机发光物质、无机发光物质、有机-无机发光物质、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。
封装层140可以配置于发光元件层130之上。封装层140可以保护发光元件层130免受水分、氧气以及灰尘颗粒之类的异物的影响。
传感器层200可以配置于显示面板100之上。传感器层200可以感测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以包括用户身体的一部分、光、热、笔或压力等各种形式的外部输入。
传感器层200可以通过连续的工艺形成在显示面板100之上。在此情况下，可以表述为传感器层200直接配置于显示面板100之上。直接配置可以意指在传感器层200与显示面板100之间不配置第三构成要件。即，在传感器层200与显示面板100之间可以不配置单独的粘合部件。或者，在本发明的一实施例中，传感器层200可以与显示面板100通过粘合部件彼此结合。粘合部件可以包括常规的粘合剂或黏着剂。
反射防止层300可以配置于传感器层200之上。反射防止层300可以减小从显示模组DM的外部入射的外部光的反射率。反射防止层300可以通过连续的工艺形成在传感器层200之上。
反射防止层300可以包括滤色器。所述滤色器可以具有预定的排列。例如，所述滤色器可以考虑包括在显示面板100中的像素PX(参照图4)的发光颜色而排列。另外，反射防止层300可以还包括与所述滤色器相邻的黑色矩阵。
在本发明的另一实施例中，反射防止层300可以包括可拉伸合成树脂膜。例如，反射防止层300可以在聚乙烯醇膜(PVA膜)将碘化合物进行染色而提供。在此情况下，与感测区域100SA(参照图2)重叠的反射防止层300的一部分可以脱色。或者，与感测区域100SA(参照图2)重叠的反射防止层300的一部分也可以被去除。
在本发明的一实施例中，也可以省略传感器层200。在此情况下，反射防止层300可以配置于显示面板100之上。例如，反射防止层300也可以通过连续的工艺直接形成在显示面板100之上。
在本发明的一实施例中，传感器层200和反射防止层300的位置可以彼此改变。例如，反射防止层300可以配置于显示面板100与传感器层200之间。
尽管未图示，但是在本发明的一实施例中，显示模组DM可以还包括配置于反射防止层300之上的光学层。例如，光学层可以通过连续的工艺形成在反射防止层300之上。光学层可以控制从显示面板100入射的光的方向而提升显示模组DM的正面亮度。例如，光学层可以包括分别与包括在显示面板100中的像素的发光区域对应而界定开口部的有机绝缘层以及覆盖有机绝缘层且填充于所述开口部的高折射层。高折射层可以具有高于有机绝缘层的折射率。
图4是根据本发明的一实施例的显示面板的平面图。图5是放大示出图4的AA'区域的平面图。
参照图4以及图5，显示面板100可以包括显示区域DP-A以及周边区域DP-NA。周边区域DP-NA可以与显示区域DP-A相邻，并围绕显示区域DP-A的至少一部分。
显示区域DP-A可以包括第一区域DP-A1、第二区域DP-A2以及第三区域DP-A3。可以是，第一区域DP-A1指称为组件区域，第二区域DP-A2指称为中间区域或过渡区域(transition area)，第三区域DP-A3指称为主显示区域或一般显示区域。第一区域DP-A1和第二区域DP-A2也可以指称为辅助显示区域。
显示面板100可以包括多个像素PX。多个像素PX可以包括在第一区域DP-A1中发出光的第一像素PX1、在第二区域DP-A2中发出光的第二像素PX2以及在第三区域DP-A3中发出光的第三像素PX3。
第一像素PX1、第二像素PX2以及第三像素PX3各自可以提供为多个。在此情况下，第一至第三像素PX1、PX2、PX3各自可以包括红色像素、绿色像素以及蓝色像素，根据实施例，也可以还包括白色像素。
可以是，第一像素PX1包括第一发光元件LD1以及驱动第一发光元件LD1的第一像素电路PC1，第二像素PX2包括第二发光元件LD2以及驱动第二发光元件的第二像素电路PC2，第三像素PX3包括第三发光元件LD3以及驱动第三发光元件LD3的第三像素电路PC3。在图4中示出的第一像素PX1、第二像素PX2以及第三像素PX3的位置对应于第一、第二以及第三发光元件LD1、LD2、LD3的位置而示出。
第一区域DP-A1可以与在图1中示出的感测区域1000SA重叠或对应。即，第一区域DP-A1可以提供于与电子模组CM(参照图2)在平面上重叠的区域。例如，外部输入(例如，光)可以通过第一区域DP-A1向电子模组CM提供，来自电子模组CM的输出可以通过第一区域DP-A1向外部发出。在本实施例中，示出了第一区域DP-A1为圆形状，但是可以具有多边形、椭圆、具有至少一个曲线边的图形或非定型的形状等各种形状，但不限定为任一实施例。
为了确保透射区域的面积，在第一区域DP-A1可以提供比第三区域DP-A3更少数量的像素。在第一区域DP-A1中，没有配置第一发光元件LD1的区域可以界定为透射区域。例如，在第一区域DP-A1中，没有配置第一发光元件LD1的第一像素电极AE1(参照图7b)以及围绕第一像素电极AE1(参照图7b)的像素界定图案的区域可以界定为透射区域。
在单位面积或相同面积内，配置于第一区域DP-A1的第一像素PX1的数量可以少于配置于第三区域DP-A3的第三像素PX3的数量。例如，第一区域DP-A1的分辨率可以是第三区域DP-A3的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/16等。例如，可以是，第三区域DP-A3的分辨率为约400ppi以上，第一区域DP-A1的分辨率为约200ppi或100ppi。但是，这仅是一例，不特别限于此。
第一像素PX1的第一像素电路PC1可以不配置于第一区域DP-A1。例如，第一像素电路PC1可以配置于第二区域DP-A2或周边区域DP-NA。在此情况下，相比于第一像素电路PC1配置于第一区域DP-A1的情况，可以增加第一区域DP-A1的光透射率。
第一发光元件LD1和第一像素电路PC1可以通过连接布线TWL彼此电连接。连接布线TWL可以与第一区域DP-A1的透射区域重叠。连接布线TWL可以包括透明导电布线。透明导电布线可以包含透明导电物质或光透射性物质。例如，连接布线TWL可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)等的透明导电性氧化物(transparent conductive oxide，TCO)膜形成。
第二区域DP-A2与第一区域DP-A1相邻。第二区域DP-A2可以围绕第一区域DP-A1的至少一部分。第二区域DP-A2可以是具有低于第一区域DP-A1的透射率的区域。在本实施例中，第二区域DP-A2可以从周边区域DP-NA隔开。但是，不限于此，第二区域DP-A2可以与周边区域DP-NA接触。
在第二区域DP-A2可以配置第一像素PX1的第一像素电路PC1、第二像素PX2的第二发光元件LD2以及第二像素电路PC2。因此，根据在第二区域DP-A2配置第一像素PX1的第一像素电路PC1，第二区域DP-A2的光透射率可以低于第一区域DP-A1的光透射率。另外，在单位面积或相同面积内，配置于第二区域DP-A2的第二像素PX2的数量可以少于配置于第三区域DP-A3的第三像素PX3的数量。显示于第二区域DP-A2的图像的分辨率可以低于显示于第三区域DP-A3的图像的分辨率。
第三区域DP-A3与第二区域DP-A2相邻。第三区域DP-A3可以界定为具有低于第一区域DP-A1的透射率的区域。在第三区域DP-A3可以配置第三发光元件LD3以及第三像素电路PC3。
为了确保与配置于第三区域DP-A3的第三发光元件LD3的间隔，配置于与第三区域DP-A3最相邻的配置于第一区域DP-A1的第一发光元件LD1n可以具有特定方向的宽度更大的圆形状。例如，在第一区域DP-A1与第三区域DP-A3向第二方向DR2相邻的情况下，第一发光元件LD1n的第一方向DR1的宽度可以大于第二方向DR2的宽度。
第一发光元件LD1、第二发光元件LD2以及第三发光元件LD3各自可以提供为多个。第一发光元件LD1中的彼此最相邻的两个第一发光元件之间的间隔可以大于第三发光元件LD3中的彼此最相邻的两个第三发光元件之间的间隔。另外，第二发光元件LD2中的彼此最相邻的两个第二发光元件之间的间隔可以大于第三发光元件LD3中的彼此最相邻的两个第三发光元件之间的间隔。
在图5中示出的第一、第二以及第三发光元件LD1、LD2、LD3可以分别对应于第一发光元件LD1的第一像素电极AE1(参照图7b)、第二发光元件LD2的第二像素电极AE2(参照图7b)以及第三发光元件LD3的第三像素电极AE3(参照图7a)的平面上的形状。第一像素电极AE1(参照图7b)的面积可以大于第三像素电极AE3(参照图7a)的面积。
图6是根据本发明的一实施例的像素的等效电路图。
参照图6，示出了多个像素PX中的一个像素PX的等效电路图。在图6中示出的像素PX可以是第一像素PX1(参照图4)、第二像素PX2(参照图4)或第三像素PX3(参照图4)。像素PX可以包括发光元件LD以及像素电路PC。发光元件LD可以是包括在图3的发光元件层130中的结构，像素电路PC可以是包括在图3的电路层120中的结构。
像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1～T7以及存储电容器Cst。多个薄膜晶体管T1～T7以及存储电容器Cst可以电连接于信号线SL1、SL2、SL3、SLn、EL、DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2(或，阳极初始化电压线)以及驱动电压线PL。作为一实施例，上述的布线中的至少任一个，例如驱动电压线PL可以在相邻的像素PX中共享。
多个薄膜晶体管T1～T7可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、工作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6以及第二初始化薄膜晶体管T7。
发光元件LD可以包括第一电极(例如，阳极电极或像素电极)以及第二电极(例如，阴极电极或公共电极)，可以是，发光元件LD的所述第一电极以发光控制薄膜晶体管T6为媒介连接于驱动薄膜晶体管T1而接收驱动电流ILD的提供，所述第二电极接收低电源电压ELVSS的提供。发光元件LD可以生成与驱动电流ILD相应的亮度的光。
可以是，多个薄膜晶体管T1～T7中的一部分设置为NMOS(n-channel MOSFET，n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)，其余设置为PMOS(p-channel MOSFET，p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)。例如，可以是，多个薄膜晶体管T1～T7的补偿薄膜晶体管T3以及第一初始化薄膜晶体管T4设置为NMOS(n-channel MOSFET，n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)，其余设置为PMOS(p-channel MOSFET，p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)。
作为另一实施例，可以是，多个薄膜晶体管T1～T7中的补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4以及第二初始化薄膜晶体管T7设置为NMOS，其余设置为PMOS。或者，可以是，多个薄膜晶体管T1～T7中的仅一个设置为NMOS，其余设置为PMOS。或者，多个薄膜晶体管T1～T7可以全部设置为NMOS，或者全部设置为PMOS。
信号线可以包括传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1、传输第二扫描信号Sn'的第二扫描线SL2、将第三扫描信号Si传输于第一初始化薄膜晶体管T4的第三扫描线SL3、将发光控制信号En传输于工作控制薄膜晶体管T5以及发光控制薄膜晶体管T6的发光控制线EL、将之后扫描信号Sn+1传输于第二初始化薄膜晶体管T7的之后扫描线SLn(next scanline)以及与第一扫描线SL1交叉并传输数据信号Dm的数据线DL。第一扫描信号Sn可以是当前扫描信号，之后扫描信号Sn+1可以是第一扫描信号Sn的下一个扫描信号。
可以是，驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输于驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1传输使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极的电压初始化的初始化电压Vint。
可以是，驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极与存储电容器Cst连接，驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域经由工作控制薄膜晶体管T5连接于驱动电压线PL，驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极区域经由发光控制薄膜晶体管T6与发光元件LD的所述第一电极电连接。驱动薄膜晶体管T1可以根据开关薄膜晶体管T2的开关工作接收数据信号Dm而将驱动电流ILD供应于发光元件LD。
可以是，开关薄膜晶体管T2的开关栅极电极连接于传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1，开关薄膜晶体管T2的开关源极区域连接于数据线DL，开关薄膜晶体管T2的开关漏极区域在连接于驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域的同时，经由工作控制薄膜晶体管T5连接于驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可以根据通过第一扫描线SL1传输的第一扫描信号Sn导通，从而执行将传输至数据线DL的数据信号Dm传输至驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域的开关工作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅极电极连接于第二扫描线SL2。补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极区域可以在连接于驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极区域的同时，经由发光控制薄膜晶体管T6与发光元件LD的像素电极连接。补偿薄膜晶体管T3的补偿源极区域可以连接于存储电容器Cst的第一电极CE1以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极。另外，补偿源极区域可以连接于第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极区域。
补偿薄膜晶体管T3可以根据通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn'导通，从而将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极和驱动漏极区域电连接而使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅极电极可以连接于第三扫描线SL3。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源极区域可以连接于第一初始化电压线VL1。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极区域可以连接于存储电容器Cst的第一电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿源极区域以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以根据通过第三扫描线SL3接收的第三扫描信号Si导通，从而执行将初始化电压Vint传输于驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极而使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极的电压初始化的初始化工作。
可以是，工作控制薄膜晶体管T5的工作控制栅极电极连接于发光控制线EL，工作控制薄膜晶体管T5的工作控制源极区域与驱动电压线PL连接，工作控制薄膜晶体管T5的工作控制漏极区域与驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域以及开关薄膜晶体管T2的开关漏极区域连接。
可以是，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制栅极电极连接于发光控制线EL，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制源极区域连接于驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极区域以及补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极区域，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制漏极区域电连接于第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极区域以及发光元件LD的像素电极。
工作控制薄膜晶体管T5以及发光控制薄膜晶体管T6根据通过发光控制线EL接收的发光控制信号En同时导通，从而使得驱动电压ELVDD传输于发光元件LD而驱动电流ILD流动于发光元件LD。
可以是，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅极电极连接于之后扫描线SLn，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极区域连接于发光控制薄膜晶体管T6的发光控制漏极区域以及发光元件LD的像素电极，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极区域连接于第二初始化电压线VL2而接收阳极初始化电压Aint。第二初始化薄膜晶体管T7根据通过之后扫描线SLn接收的之后扫描信号Sn+1导通，从而使发光元件LD的像素电极初始化。
作为另一实施例，第二初始化薄膜晶体管T7可以连接于发光控制线EL而根据发光控制信号En驱动。另一方面，源极区域以及漏极区域可以根据晶体管的种类(p型或n型)而其位置彼此互换。
存储电容器Cst可以包括第一电极CE1和第二电极CE2。存储电容器Cst的第一电极CE1与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极连接，存储电容器Cst的第二电极CE2与驱动电压线PL连接。存储电容器Cst可以存储与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极的电压与驱动电压ELVDD差对应的电荷。
升压电容器Cbs可以包括第一电极CE1'以及第二电极CE2'。可以是，升压电容器Cbs的第一电极CE1'连接于存储电容器Cst的第一电极CE1，升压电容器Cbs的第二电极CE2'接收第一扫描信号Sn的提供。升压电容器Cbs可以通过在第一扫描信号Sn的提供中断的时间点使驱动薄膜晶体管T1的栅极端子的电压上升，补偿所述栅极端子的压降。
根据本发明的一实施例的各像素PX的具体工作如下。
在初始化时段期间，若通过第三扫描线SL3供应第三扫描信号Si，则对应于第三扫描信号Si，第一初始化薄膜晶体管T4导通(Turn on)，通过从第一初始化电压线VL1供应的初始化电压Vint，驱动薄膜晶体管T1被初始化。
在数据编程时段期间，若通过第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2供应第一扫描信号Sn以及第二扫描信号Sn'，则对应于第一扫描信号Sn以及第二扫描信号Sn'，开关薄膜晶体管T2以及补偿薄膜晶体管T3导通。此时，驱动薄膜晶体管T1通过导通的补偿薄膜晶体管T3而二极管连接，并被正向偏置。
那么，从对应于由数据线DL供应的数据信号Dm的数据电压(以下，Vd)减小相当于驱动薄膜晶体管T1的阈值电压(Threshold voltage)(以下，Vth)的补偿电压(Vm+Vth)(Vth为(-)的值)施加于驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极。
在存储电容器Cst的两端施加驱动电压ELVDD和补偿电压(Vd+Vth)，在存储电容器Cst存储对应于两端电压差的电荷。
在发光时段期间，通过从发光控制线EL供应的发光控制信号En，工作控制薄膜晶体管T5以及发光控制薄膜晶体管T6导通。产生根据驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极的电压与驱动电压ELVDD之间的电压差的驱动电流ILD，通过发光控制薄膜晶体管T6，驱动电流ILD供应于发光元件LD。
在本实施例中，多个薄膜晶体管T1～T7中的至少一个包括包含氧化物的半导体层，其余包括包含硅的半导体层。
具体地，关于对显示装置的亮度直接造成影响的驱动薄膜晶体管T1，构成为包括由具有高可靠性的多晶硅构成的半导体层，通过此可以实现高分辨率的显示装置。
另一方面，氧化物半导体具有高载流子迁移率(high carrier mobility)以及低泄漏电流，因此即使驱动时间长，压降也不大。即，即使在低频驱动时，根据压降的图像的色相移化也不大，因此低频驱动是可能的。
如此，由于在氧化物半导体的情况下具有泄漏电流小的优点，将与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极连接的补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4中的至少一个采用为氧化物半导体，可以在防止可能向驱动栅极电极流动的泄漏电极的同时，减小电耗。
图7a是根据本发明的一实施例的显示模组的截面图。图7b是根据本发明的一实施例的显示模组的截面图。图7a是包括第三区域DP-A3的部分的截面图，图7b是包括第一区域DP-A1以及第二区域DP-A2的部分的截面图。
参照图7a以及图7b，显示面板100可以包括多个绝缘层以及半导体图案、导电图案以及信号线等。通过涂层、蒸镀等的方式形成绝缘层、半导体层以及导电层。之后，通过光刻的方式选择性地图案化绝缘层、半导体层以及导电层。通过这样的方式形成包括在电路层120以及发光元件层130中的半导体图案、导电图案、信号线等。之后，可以形成覆盖发光元件层130的封装层140。
在图7a中示出了第三发光元件LD3以及第三像素电路PC3(参照图5)的硅薄膜晶体管S-TFT以及氧化物薄膜晶体管O-TFT。在图7b中示出了第一发光元件LD1以及第一像素电路PC1、第二发光元件LD2以及第二像素电路PC2。
缓冲层120br可以配置于基底层110之上。缓冲层120br可以防止金属原子或杂质从基底层110扩散至第一半导体图案的现象。另外，缓冲层120br可以在用于形成第一半导体图案的结晶化工艺期间调节热的提供速度，从而使得均匀地形成第一半导体图案。
可以是，在硅薄膜晶体管S-TFT下方配置第一背面金属层BMLa，在氧化物薄膜晶体管O-TFT下方配置第二背面金属层BMLb。第一以及第二背面金属层BMLa、BMLb可以为了保护第一至第三像素电路PC1、PC2、PC3而与第一至第三像素电路PC1、PC2、PC3重叠配置。第一以及第二背面金属层BMLa、BMLb可以阻止由于基底层110的分极现象的电势(electricpotential)对第一至第三像素电路PC1、PC2、PC3造成影响。
第一背面金属层BMLa可以对应于像素电路PC(参照图6)的至少一部分区域而配置。作为一实施例，第一背面金属层BMLa可以配置为与设置为硅薄膜晶体管S-TFT的驱动薄膜晶体管T1(参照图6)重叠。
第一背面金属层BMLa可以配置于基底层110与缓冲层120br之间。在本发明的一实施例中，第一背面金属层BMLa配置于有机膜和无机膜交替层叠的基底层110之上，在第一背面金属层BMLa与缓冲层120br之间也可以还配置无机阻挡层。第一背面金属层BMLa可以与电极或布线连接，从而从其接收恒定电压或信号的施加。作为另一实施例，第一背面金属层BMLa也可以设置为与其它电极或布线孤立(isolated)的形式。
第二背面金属层BMLb可以对应于氧化物薄膜晶体管O-TFT的下方而配置。第二背面金属层BMLb可以配置于第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。第二背面金属层BMLb可以配置于与存储电容器Cst的第二电极CE2相同的层。第二背面金属层BMLb可以与接触电极BML2-C连接而接收恒定电压或信号的施加。接触电极BML2-C可以配置于与氧化物薄膜晶体管O-TFT的第二栅极电极GT2相同的层。
第一背面金属层BMLa以及第二背面金属层BMLb各自可以包含反射型金属。例如，第一背面金属层BMLa以及第二背面金属层BMLb各自可以包含银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、钛(Ti)以及p+掺杂的非晶硅等。第一背面金属层BMLa以及第二背面金属层BMLb也可以包含相同的物质，也可以包含不同的物质。
第一半导体图案可以配置于缓冲层120br之上。第一半导体图案可以包含硅半导体。例如，硅半导体可以包括非晶硅、多晶硅等。例如，第一半导体图案可以包含低温多晶硅。
图7a仅示出配置于缓冲层120br之上的第一半导体图案的一部分，在其它区域可以还配置第一半导体图案。第一半导体图案可以跨像素PX(参照图4)以特定的规则排列。第一半导体图案可以根据掺杂与否而电性质不同。第一半导体图案可以包括导电率高的第一区域和导电率低的第二区域。第一区域可以以N型掺杂剂或P型掺杂剂掺杂。可以是，P型的晶体管包括以P型掺杂剂掺杂的掺杂区域，N型的晶体管包括以N型掺杂剂掺杂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域，或者以比第一区域低的浓度掺杂的区域。
可以是，第一区域的导电性大于第二区域的导电性，第一区域实质上起到电极或信号线的作用。可以是，第二区域实质上相当于晶体管的有源区域(或沟道)。换句话说，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，另一部分可以是晶体管的源极区域或漏极区域，又另一部分可以是连接电极或连接信号线。
硅薄膜晶体管S-TFT的源极区域SE1、有源区域AC1以及漏极区域DE1可以由第一半导体图案形成。源极区域SE1以及漏极区域DE1可以在截面上从有源区域AC1向彼此相反方向延伸。
第一绝缘层10可以配置于缓冲层120br之上。第一绝缘层10可以共同重叠于多个像素PX(参照图4)，并覆盖第一半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层及/或有机层，并可以具有单层或多层结构。第一绝缘层10可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。在本实施例中，第一绝缘层10可以是单层的氧化硅层。不仅第一绝缘层10，后述的电路层120的绝缘层可以是无机层及/或有机层，并可以具有单层或多层结构。无机层可以包含上述物质中的至少一种，但是不限于此。
硅薄膜晶体管S-TFT的第一栅极电极GT1配置于第一绝缘层10之上。第一栅极电极GT1可以是金属图案的一部分。第一栅极电极GT1重叠于有源区域AC1。在掺杂第一半导体图案的工艺中，第一栅极电极GT1可以作为掩模起作用。第一栅极电极GT1可以包含银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，但是不特别限于此。
第二绝缘层20可以配置于第一绝缘层10之上，并覆盖第一栅极电极GT1。第二绝缘层20可以是无机层及/或有机层，并可以具有单层或多层结构。第二绝缘层20可以包含氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种。在本实施例中，第二绝缘层20可以具有包括氧化硅层以及氮化硅层的多层结构。
第三绝缘层30可以配置于第二绝缘层20之上。第三绝缘层30可以具有单层或多层结构。例如，第三绝缘层30可以具有包括氧化硅层以及氮化硅层的多层结构。在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间可以配置存储电容器Cst的第二电极CE2。另外，存储电容器Cst的第一电极CE1可以配置于第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。
第二半导体图案可以配置于第三绝缘层30之上。第二半导体图案可以包含氧化物半导体。氧化物半导体可以包括根据金属氧化物被还原与否而划分的多个区域。金属氧化物被还原的区域(以下，还原区域)具有比金属氧化物未被还原的区域(以下，非还原区域)大的导电性。还原区域实质上具有晶体管的源极/漏极或信号线的作用。非还原区域实质上相当于晶体管的有源区域(或半导体区域、沟道)。换句话说，第二半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，另一部分可以是晶体管的源极/漏极区域，又另一部分可以是信号传输区域。
氧化物薄膜晶体管O-TFT的源极区域SE2、有源区域AC2以及漏极区域DE2可以由第二半导体图案形成。源极区域SE2以及漏极区域DE2可以在截面上从有源区域AC2向彼此相反方向延伸。
第四绝缘层40可以配置于第三绝缘层30之上。第四绝缘层40可以共同重叠于多个像素PX(参照图4)，并覆盖第二半导体图案。第四绝缘层40可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。
氧化物薄膜晶体管O-TFT的第二栅极电极GT2配置于第四绝缘层40之上。第二栅极电极GT2可以是金属图案的一部分。第二栅极电极GT2重叠于有源区域AC2。在掺杂第二半导体图案的工艺中，第二栅极电极GT2可以作为掩模起作用。
第五绝缘层50可以配置于第四绝缘层40之上，并覆盖第二栅极电极GT2。第五绝缘层50可以是无机层及/或有机层，并可以具有单层或多层结构。
第一连接电极CNE1可以配置于第五绝缘层50之上。第一连接电极CNE1可以通过贯通第一至第五绝缘层10、20、30、40、50的接触孔接通于硅薄膜晶体管S-TFT的漏极区域DE1。
第六绝缘层60可以配置于第五绝缘层50之上。第二连接电极CNE2可以配置于第六绝缘层60之上。第二连接电极CNE2可以通过贯通第六绝缘层60的接触孔接通于第一连接电极CNE1。第七绝缘层70可以配置于第六绝缘层60之上，并覆盖第二连接电极CNE2。第八绝缘层80可以配置于第七绝缘层70之上。
第六绝缘层60、第七绝缘层70以及第八绝缘层80各自可以是有机层。例如，第六绝缘层60、第七绝缘层70以及第八绝缘层80各自可以包含BCB(苯并环丁烯，Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、HMDSO(六甲基二硅氧烷，Hexamethyldisiloxane)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯，Polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(PS，Polystyrene)之类的一般通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物等。
包括第一至第三发光元件LD1、LD2、LD3的发光元件层130可以配置于电路层120之上。可以是，第一发光元件LD1包括第一像素电极AE1、第一发光层EL1以及公共电极CE，第二发光元件LD2包括第二像素电极AE2、第二发光层EL2以及公共电极CE，第三发光元件LD3包括第三像素电极AE3、第三发光层EL3以及公共电极CE。公共电极CE可以连接于像素PX(参照图4)而共同提供。
第一像素电极AE1、第二像素电极AE2以及第三像素电极AE3可以配置于第八绝缘层80之上。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2以及第三像素电极AE3各自可以是(半)透光性电极或反射电极。作为一实施例，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2以及第三像素电极AE3各自可以具备由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物等形成的反射层和形成于反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以具备选自包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)以及掺杂铝的氧化锌(AZO)的组的至少一种。例如，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2以及第三像素电极AE3各自可以设置为ITO/Ag/ITO。
像素界定膜PDL以及像素界定图案PDP可以配置于第八绝缘层80之上。像素界定膜PDL以及像素界定图案PDP可以包含相同的物质，并通过相同的工艺形成。像素界定膜PDL以及像素界定图案PDP各自可以具有吸收光的性质，例如，像素界定膜PDL以及像素界定图案PDP各自可以具有黑色的色相。像素界定膜PDL以及像素界定图案PDP各自可以包含黑色成分(黑色染色剂，black coloring agent)。黑色成分可以包括黑色染料、黑色颜料。黑色成分可以包括炭黑、铬之类的金属或它们的氧化物。
像素界定图案PDP可以配置于第一区域DP-A1。像素界定图案PDP可以覆盖第一像素电极AE1的一部分。例如，像素界定图案PDP可以覆盖第一像素电极AE1的边缘。当在显示面板100的厚度方向，例如第三方向DR3上看时，像素界定图案PDP可以具有环形状。在像素界定图案PDP可以界定使第一像素电极AE1的一部分暴露的像素界定开口PDP-OP。
像素界定膜PDL可以配置于第二区域DP-A2以及第三区域DP-A3。像素界定膜PDL可以覆盖第二像素电极AE2以及第三像素电极AE3各自的一部分。例如，在像素界定膜PDL可以界定使第二像素电极AE2的一部分暴露的第一开口PDL-OP1以及使第三像素电极AE3的一部分暴露的第二开口PDL-OP2。
像素界定图案PDP可以增加第一像素电极AE1的边缘与公共电极CE之间的距离，像素界定膜PDL可以增加第二以及第三像素电极AE2、AE3各自的边缘与公共电极CE的距离。因此，通过像素界定图案PDP以及像素界定膜PDL，可以起到防止在第一至第三像素电极AE1、AE2、AE3各自的边缘处产生电弧等的作用。
可以是，在第一区域DP-A1中，与配置第一像素电极AE1以及像素界定图案PDP的部分重叠的区域界定为元件区域EA，其余区域界定为透射区域TA。
第一像素电极AE1可以与配置于第二区域DP-A2的第一像素电路PC1电连接。例如，第一像素电极AE1可以通过连接电极CNE1'、连接布线TWL以及连接桥CPN与第一像素电路PC1电连接。在此情况下，连接布线TWL可以与透射区域TA重叠。因此，连接布线TWL可以包含光透射性物质。
连接布线TWL可以配置于第五绝缘层50与第六绝缘层60之间，但是不特别限于此。连接桥CPN可以配置于第六绝缘层60与第七绝缘层70之间。连接桥CPN可以接通于连接布线TWL以及第一像素电路PC1。连接布线TWL可以提供为多个，可以是，一部分配置于第五绝缘层50与第六绝缘层60之间，另一部分配置于第六绝缘层60与第七绝缘层70之间。
可以是，第一发光层EL1配置于第一像素电极AE1之上，第二发光层EL2配置于第二像素电极AE2之上，第三发光层EL3配置于第三像素电极AE3之上。在本实施例中，第一至第三发光层EL1、EL2、EL3各自可以发出蓝色、红色以及绿色中的至少一种颜色的光。
公共电极CE可以配置于第一至第三发光层EL1、EL2、EL3之上。公共电极CE可以具有一体的形状，并共同地配置于多个像素PX(参照图4)。
尽管未图示，在第一至第三像素电极AE1、AE2、AE3与第一至第三发光层EL1、EL2、EL3之间可以配置空穴控制层。空穴控制层可以包括空穴传输层，并还包括空穴注入层。在第一至第三发光层EL1、EL2、EL3与公共电极CE之间可以配置电子控制层。电子控制层可以包括电子传输层，并还包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以利用开放掩模共同形成于多个像素PX(参照图4)。
通过显示模组DM的光可以衍射。光的衍射可以受到第一像素电极AE1的形状、第一像素电极AE1的尺寸、第一像素电极AE1的排列间隔、透射区域TA的尺寸等的影响。根据本发明的实施例，为了去除或减少由于光的衍射的图案，可以提供图案PSL。
图案PSL可以配置于电路层120与发光元件层130之间。图案PSL的至少一部分可以与透射区域TA重叠。透射区域TA的另一部分可以与图案PSL不重叠。因此，可以是，透射透射区域TA的光中的一部分通过图案PSL，另一部分不通过图案PSL。通过图案PSL的光的相位可以与不通过图案PSL的光的相位不同。图案PSL可以指称为相移图案。
根据本发明的实施例，通过图案PSL的第一光的相位与不通过图案PSL的第二光的相位差可以接近于(2n-1)π弧度。因此，第一光和第二光的一部分彼此抵消，由此可以去除或减少由于衍射的图案。
封装层140可以配置于发光元件层130之上。封装层140可以包括依次层叠的无机层141、有机层142以及无机层143，但是构成封装层140的层不限于此。
可以是，无机层141、143保护发光元件层130免受水分以及氧气的影响，有机层142保护发光元件层130免受灰尘颗粒之类的异物的影响。无机层141、143可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层等。有机层142可以包括丙烯酸类有机层，但是不限于此。
可以是，图案PSL的折射率与封装层140的有机层142的折射率不同，或者图案PSL的折射率与和图案PSL接触的电路层120的第八绝缘层80的折射率不同。第八绝缘层80可以指称为上绝缘层。例如，有机层142的折射率可以是1.5293，第八绝缘层80的折射率可以是1.6542。图案PSL的折射率也可以大于有机层142的折射率，也可以小于有机层142的折射率。例如，图案PSL可以包含具有2.08的折射率的氧化铟锡，或具有1.4的折射率的氮化硅，但是不特别限于此。
构成图案PSL的物质只要是具有与有机层142的折射率不同的折射率的物质，则可以适用各种。例如，图案PSL可以包含透明导电性氧化物或无机物。透明导电性氧化物可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)。无机物可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆或氧化铪。图案PSL只要是具有与有机层142的折射率不同的折射率的物质，则也可以包含有机物。图案PSL的厚度可以根据构成图案PSL的物质的折射率来调节。例如，图案PSL的厚度可以设定为使得在特定波段中透射图案PSL的光与不透射图案PSL的光具有接近于180度的相位差。
传感器层200可以配置于显示面板100之上。传感器层200可以指称为传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层200可以包括基底层210、第一导电层220、感测绝缘层230以及第二导电层240。
基底层210可以直接配置于显示面板100之上。基底层210可以是包含氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的至少任一种的无机层。或者，基底层210也可以是包含环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺类树脂的有机层。基底层210可以具有单层结构，或者具有沿着第三方向DR3层叠的多层结构。
第一导电层220以及第二导电层240各自可以具有单层结构，或者具有沿着第三方向DR3层叠的多层结构。
单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包含钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可以包含氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)或氧化铟锌锡(indium zinc tinoxide，IZTO)等之类的透明的导电性氧化物。此外，透明导电层可以包含PEDOT(聚3,4-乙烯二氧噻吩)之类的导电性聚合物、金属纳米线、石墨烯等。
多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。多层结构的导电层可以包括至少一个金属层以及至少一个透明导电层。
感测绝缘层230可以配置于第一导电层220与第二导电层240之间。感测绝缘层230可以包括无机膜。无机膜可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。
或者，感测绝缘层230可以包括有机膜。有机膜可以包含丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂以及苝类树脂中的至少任一种。
反射防止层300可以配置于传感器层200之上。反射防止层300可以包括分割层310、第一滤色器321、第二滤色器322、第三滤色器323以及平坦化层330。
构成分割层310的物质只要是吸收光的物质，则没有特别限制。分割层310作为具有黑色的层，在一实施例中，分割层310可以包含黑色成分(black coloring agent，黑色染色剂)。黑色成分可以包括黑色染料、黑色颜料。黑色成分可以包括炭黑、铬之类的金属或它们的氧化物。
分割层310可以覆盖传感器层200的第二导电层240。分割层310可以防止由于第二导电层240的外部光反射。分割层310可以与第二区域DP-A2以及第三区域DP-A3重叠，并与第一区域DP-A1不重叠。即，与第一区域DP-A1重叠的分割层310的一部分可以被去除。因此，在第一区域DP-A1中的透射率可以更加提升。
在分割层310可以界定多个开口310-OP1、310-OP2。可以是，第一开口310-OP1与第二像素电极AE2重叠，第二开口310-OP2与第三像素电极AE3重叠。
可以是，第一滤色器321与第一区域DP-A1重叠配置，第二滤色器322与第二区域DP-A2重叠配置，第三滤色器323与第三区域DP-A3重叠配置。第一滤色器321可以与第一像素电极AE1重叠配置，第二滤色器322可以与第二像素电极AE2重叠配置，第三滤色器323可以与第三像素电极AE3重叠配置。
分割层310不重叠于第一区域DP-A1，因此第一滤色器321可以与分割层310隔开。即，第一滤色器321可以与分割层310不接触。可以是，第二滤色器322覆盖第一开口310-OP1，第三滤色器323覆盖第二开口310-OP2。第二滤色器322以及第三滤色器323各自可以与分割层310接触。分割层310的第一以及第二开口310-OP1、310-OP2的开口面积可以大于像素界定膜PDL的第一以及第二开口PDL-OP1、PDL-OP2的开口面积。
平坦化层330可以覆盖分割层310、第一滤色器321、第二滤色器322以及第三滤色器323。平坦化层330可以包含有机物，并在平坦化层330的上面可以提供平坦面。在一实施例中，平坦化层330也可以省略。
在本发明的另一实施例中，反射防止层300可以包括配置于分割层310之上的反射调整层来代替滤色器321、322、323。反射调整层可以选择性地吸收从显示面板及/或电子设备内部反射的光或从显示面板及/或电子设备外部入射的光中的部分波段的光。
作为一例，反射调整层吸收490nm至505nm的第一波长区域以及585nm至600nm的第二波长区域，从而第一波长区域以及第二波长区域中的光透射率具有40％以下。反射调整层可以吸收超出分别从第一发光层EL1、第二发光层EL2以及第三发光层EL3发射的红色、绿色以及蓝色的光的波长范围的波长的光。如此，反射调整层吸收不属于从发光层发射的红色、绿色或蓝色的波长范围的波长的光，从而防止或最小化显示面板及/或电子设备的亮度降低。此外，可以同时防止或最小化显示面板及/或电子设备的发光效率降低，并可以提高识别性。
反射调整层可以设置为包含染料、颜料或它们的组合的有机物层。反射调整层可以包含四氮杂卟啉(Tetra azaporphyrin，TAP)类化合物、卟啉(Porphyrin)类化合物、金属卟啉(Metal Porphyrin)类化合物、恶嗪(Oxazine)类化合物、方酸菁(Squarylium)类化合物、三芳基甲烷(Triarylmethane)类化合物、聚甲炔(Polymethine)类化合物、蒽醌(anthraquinone)类化合物、酞菁(Phthalocyanine)类化合物、偶氮(azo)类化合物、苝(perylene)类化合物、氧杂蒽(Xanthene)类化合物、二亚胺(diimmonium)类化合物、亚甲基二吡咯(Dipyrromethene)类化合物、花青(Cyanine)类化合物以及它们的组合等。
在一实施例中，反射调整层可以具有约64％至72％的透射率。反射调整层的透射率可以根据反射调整层中所包含的颜料及/或染料的含量而调节。反射调整层在平面图中与发光层重叠，但在平面图中与透射区域TA不重叠。在平面图中，透射区域TA可以与反射调整层不重叠而与平坦化层330重叠。
根据包括反射调整层的实施例，可以进一步形成配置于公共电极CE和封装层140之间的封盖层以及配置于封盖层和封装层140之间的低反射层。
封盖层可以通过相长干涉原理起到提高发光层的发光效率的作用。封盖层可以包含例如相对于具有589nm的波长的光具有1.6以上的折射率的物质。
封盖层可以是包含有机物的有机封盖层、包含无机物的无机封盖层或者包含有机物和无机物的复合封盖层。例如，封盖层可以包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物(porphine derivatives)、酞菁衍生物(phthalocyanine derivatives)、萘酞菁衍生物(naphthalocyanine derivatives)、碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的任意组合。碳环化合物、杂环化合物以及含胺基化合物可以选择性地由取代基取代，所述取代基包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任意组合。
在封盖层上可以配置低反射层。低反射层可以包含反射率低的无机材料，作为一实施例，可以包含金属或金属氧化物。当低反射层包含金属时，可以包含：例如，镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)或它们的组合。此外，当低反射层包含金属氧化物时，可以包含：例如，SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、SiNx、LiF、CaF2、MgF2、CdS或它们的组合。
在一实施例中，包含在低反射层中的无机材料的吸收系数(k)可以是4.0以下且0.5以上(0.5≤k≤4.0)。此外，包含在低反射层中的无机材料的折射率(n)可以是1以上(n≥1.0)。
低反射层在入射到显示面板及/或电子设备内部的光与在配置于低反射层的下方的金属所反射的光之间引起相消干涉，从而降低外部光反射率。因此，可以提高显示面板及/或电子设备的显示质量以及识别性。
可以根据实施例，省略封盖层，并且低反射层与公共电极CE接触。
图8是根据本发明的一实施例的显示模组的截面图。在说明图8时，针对与图7a有区别的部分重点说明。
参照图8，在基底层110与缓冲层120br之间可以配置背面金属层BML。背面金属层BML可以为了保护第一至第三像素电路PC1、PC2、PC3而与第一至第三像素电路PC1、PC2、PC3重叠配置。背面金属层BML可以阻止由于基底层110的分极现象的电势(electricpotential)对第一至第三像素电路PC1、PC2、PC3造成影响。
背面金属层BML可以形成为对应于显示区域DP-A(参照图4)整体，并包括对应于与第一区域DP-A1对应的区域的孔。即，背面金属层BML可以与第一区域DP-A1不重叠。作为另一实施例，背面金属层BML也可以省略。
图9是示出根据本发明的一实施例的像素界定膜、像素界定图案以及图案的平面图。具体地，图9示出配置于与图4的AA'区域对应的部分的像素界定膜PDL、像素界定图案PDP以及图案PSL。
参照图7b以及图9，像素界定膜PDL可以配置于第二区域DP-A2以及第三区域DP-A3。像素界定膜PDL可以与第一区域DP-A1不重叠。具有黑色色相的像素界定膜PDL不配置于第一区域DP-A1，因此第一区域DP-A1的透射率可以提升。
在第一区域DP-A1可以配置像素界定图案PDP。可以是，像素界定图案PDP提供为多个，多个像素界定图案PDP彼此隔开配置。例如，一个像素界定图案PDP可以具有覆盖一个第一像素电极AE1的边缘的形状。因此，当在显示面板100的厚度方向，例如第三方向DR3上看时，像素界定图案PDP可以具有圆形的环形状。
在图9中举例示出了一个像素界定图案PDP具有圆形环形状，但是像素界定图案PDP的形状不特别限于此。例如，像素界定图案PDP可以变形为有角的环形状、包括直线的环形状、包括直线以及曲线的环形状、非定型的环形状等各种形式。
在第一区域DP-A1可以配置图案PSL。可以是，图案PSL提供为多个，多个图案PSL彼此隔开配置。例如，当在平面上看时，多个图案PSL各自的一部分可以与像素界定图案PDP不重叠。因此，多个图案PSL各自的一部分可以与透射区域TA重叠。
在图9中举例示出了图案PSL为圆形，但是图案PSL的形状不特别限于此。例如，图案PSL可以变形为多边形、包括直线以及曲线的非定型的形状等各种形式。
图10a是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的截面图。图10b是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的平面图。
参照图10a以及图10b，可以是，当在平面上看时，第一像素电极AE1为圆形，像素界定图案PDP为圆形的环形状，图案PSL为圆形。第一像素电极AE1的边缘AE-e、像素界定图案PDP的第一以及第二边缘PD-e1、PD-e2以及图案PSL的边缘PS-e各自可以包括曲线。在此情况下，可以最小化通过透射区域TA的光的衍射。
图案PSL可以配置于第一像素电极AE1之下。可以是，图案PSL的一部分配置于第一像素电极AE1与第八绝缘层80之间，图案PSL的另一部分与第一像素电极AE1不重叠。即，图案PSL的另一部分可以比第一像素电极AE1的边缘AE-e更凸出。当在平面上看时，图案PSL的面积可以大于第一像素电极AE1的面积。
可以是，像素界定图案PDP的第一边缘PD-e1与第一像素电极AE1重叠，像素界定图案PDP的第二边缘PD-e2围绕第一边缘PD-e1并与图案PSL重叠。图案PSL的边缘PS-e可以围绕第二边缘PD-e2。
根据本发明的实施例，通过图案PSL的第一光的相位与不通过图案PSL的第二光的相位差可以接近于(2n-1)π弧度。因此，第一光和第二光的一部分彼此抵消，由此可以去除或减少由于衍射的图案。
图11a是示出用于确定图案的厚度的模拟步骤的图。
在图11a中示出了第一层80m、图案层PSLma以及第二层142m。参照图7b以及图11a，可以是，第一层80m是具有与第八绝缘层80相同的物质的层，图案层PSLma是具有与图案PSL相同的物质的层，第二层142m是具有与有机层142相同的物质的层。
透射图案层PSLma后入射至第八绝缘层80的第一光LT1的相位与不透射图案层PSLma并入射至第八绝缘层80的第二光LT2的相位可以彼此不同。可以是，第一光LT1对应于透射图案PSL后入射至电路层120的光，第二光LT2对应于不透射图案PSL并入射至电路层120的光。
图案层PSLma可以包含具有高于第二层142m的折射率的物质。例如，第二层142m可以包含有机物，并具有1.53的折射率，图案层PSLma可以包含铟锡氧化物，并具有2.08的折射率。图案层PSLma的厚度TKa可以通过以下数学式1导出。
数学式1：Δθ＝2πd(n1-n2)/λ
可以是，θ为第一光LT1的相位与第二光LT2的相位差，d为图案层PSLma的厚度TKa，n1为图案层PSLma的折射率，n2为第二层142m的折射率，λ为在模拟中使用的光源的波长。
在模拟中使用的光源的波长可以选自红色光的波段、绿色光的波段以及蓝色光的波段中的任一个。越是长波长，光的衍射可能产生得越大。即，由于衍射的重影现象可能主要出现在红色光的波段中。根据本发明的一实施例，模拟可以在红色光的波段中进行。
例如，图案层PSLma的厚度TKa可以设定为在红色光的波段中具有180度的相位差。因此，在第一光LT1和第二光LT2为红色光的波段的情况下，相比于第一光LT1和第二光LT2为绿色或蓝色光的波段的情况，入射至第一层80m的第一光LT1的相位与第二光LT2的相位差可以接近于(2n-1)π弧度。
图11b是示出用于确定图案的厚度的模拟步骤的图。
在图11b中示出了第一层80m、图案层PSLmb以及第二层142m。参照图7b以及图11b，可以是，第一层80m是具有与第八绝缘层80相同的物质的层，图案层PSLmb是具有与图案PSL相同的物质的层，第二层142m是具有与有机层142相同的物质的层。
图案层PSLmb可以包含具有低于第二层142m的折射率的物质。例如，第二层142m可以包含有机物，并具有1.53的折射率，图案层PSLmb可以包含氮化硅，并具有1.4的折射率。
图案层PSLmb的厚度TKb可以设定为透射图案层PSLmb后入射至第八绝缘层80的第一光LT1a的相位与不透射图案层PSLmb并入射至第八绝缘层80的第二光LT2的相位差接近于(2n-1)π弧度。
图12a是根据本发明的比较例的电子装置所获得的图像，图12b是根据本发明的实施例的电子装置所获得的图像。
参照图2、图12a以及图12b，配置于显示模组DM之下的电子模组CM拍摄一个点光源的图像示出在图12a以及图12b中。
图12a是拍摄通过不包括图案PSL(图7b)的显示模组DM的点光源的图像，图12b是拍摄通过包括图案PSL(图7b)的显示模组DM的点光源的图像。图12a以及图12b各自可以是通过电子模组CM拍摄的图像。
参照图12a，除了对应于点光源的主图像MP-C之外，拍摄了由于衍射图案的噪声图像NP-C。噪声图像NP-C可以是由于通过显示模组DM的光的衍射产生的图像。因此，通过电子模组CM拍摄的图像的画质可能下降。
根据本发明的实施例，在衍射加深的边缘部分，例如在元件区域EA(参照图7b)与透射区域TA(参照图7b)之间的边界部分提供图案PSL。因此，透射图案PSL的光可以与不透射图案PSL的光具有接近于180度的相位差，由此可以抵消并去除衍射图案。参照图12b，主图像MP可以比图12a中示出的主图像MP-C清晰。另外，当与图12a比较时，在图12b中示出的图像中可以显著减少噪声图像。因此，可以提升通过电子模组CM获得的信号，例如图像的品质。
图13a是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的截面图。图13b是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的平面图。
参照图13a以及图13b，可以是，当在平面上看时，第一像素电极AE1为圆形，像素界定图案PDP为圆形的环形状，图案PSL-1为圆形的环形状。第一像素电极AE1的边缘AE-e、像素界定图案PDP的第一以及第二边缘PD-e1、PD-e2以及图案PSL-1的第一以及第二边缘PS-e1、PS-e2各自可以包括曲线。在此情况下，可以最小化通过透射区域TA的光的衍射。
图案PSL-1可以配置于与第一像素电极AE1相邻的区域。图案PSL-1可以围绕第一像素电极AE1。可以是，图案PSL-1的一部分配置于像素界定图案PDP与第八绝缘层80之间，图案PSL-1的另一部分与像素界定图案PDP不重叠。
根据本发明的实施例，通过图案PSL-1的第一光的相位与不通过图案PSL-1的第二光的相位差可以接近于(2n-1)π弧度。因此，第一光和第二光的一部分彼此抵消，由此可以去除或减少由于衍射的图案。
图14a是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的截面图。图14b是示出根据本发明的一实施例的显示模组的一部分结构的平面图。
参照图14a以及图14b，可以是，当在平面上看时，第一像素电极AE1为圆形，像素界定图案PDP为圆形的环形状，图案PSL-2为圆形的环形状。第一像素电极AE1的边缘AE-e、像素界定图案PDP的第一以及第二边缘PD-e1、PD-e2以及图案PSL-2的第一以及第二边缘PS-e1、PS-e2各自可以包括曲线。在此情况下，可以最小化通过透射区域TA的光的衍射。
图案PSL-2可以配置于与第一像素电极AE1相邻的区域。图案PSL-2可以围绕第一像素电极AE1。图案PSL-2可以围绕像素界定图案PDP。
根据本发明的实施例，通过图案PSL-2的第一光的相位与不通过图案PSL-2的第二光的相位差可以接近于(2n-1)π弧度。因此，第一光和第二光的一部分彼此抵消，由此可以去除或减少由于衍射的图案。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但对于本技术领域的熟练人员或者在本技术领域中具有通常知识的人员来说，可以理解在不超出所附的权利要求书中记载的本发明的思想和技术领域的范围内，可以对本发明进行多种修改以及变更。因此，本发明的技术范围并非限定为说明书的详细说明中记载的内容，而是应由权利要求书来确定。

Claims (10)

1.一种显示面板，其中，包括：
基底层；
电路层，配置于所述基底层之上；
发光元件层，配置于所述电路层之上，并包括发光元件，所述发光元件包括像素电极、配置于所述像素电极之上的发光层以及配置于所述发光层之上的公共电极；
封装层，配置于所述发光元件层之上；以及
图案，配置于所述电路层与所述发光元件层之间，
当在平面上看时，所述图案的至少一部分配置于与所述发光元件相邻的区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述图案的面积大于所述像素电极的面积，
所述图案的至少另一部分配置于所述像素电极与所述电路层之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述电路层包括与所述图案接触的上绝缘层，所述图案的折射率与所述上绝缘层的折射率彼此不同。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述封装层包括有机层，所述图案的折射率与所述有机层的折射率不同。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述图案包含透明导电性氧化物或无机物。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
透射所述图案后入射至所述电路层的第一光的相位与不透射所述图案并入射至所述电路层的第二光的相位彼此不同，
在所述第一光以及所述第二光为红色光的波段的情况下，相比所述第一光以及所述第二光为绿色或蓝色光的波段的情况，所述第一光的相位与所述第二光的相位差接近于(2n-1)π弧度。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述发光元件层还包括：像素界定图案，配置于所述像素电极之上，并与所述像素电极的一部分重叠，
当在平面上看时，所述图案从所述像素界定图案凸出。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，
所述像素界定图案包括：第一边缘，与所述像素电极重叠；以及第二边缘，围绕所述第一边缘并与所述图案重叠，
所述图案的边缘围绕所述第二边缘。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
在所述发光元件层界定配置有所述发光元件的元件区域以及与所述元件区域相邻的透射区域，所述图案的至少一部分配置于所述透射区域，
所述透射区域的一部分与所述图案不重叠。
10.一种电子装置，其中，包括：
显示面板，界定有：辅助显示区域，界定有元件区域以及透射区域；主显示区域，与所述辅助显示区域相邻，
所述显示面板包括：
基底层；
电路层，配置于所述基底层之上；
相移图案，配置于所述电路层之上，并配置于所述辅助显示区域；
第一发光元件，配置于所述辅助显示区域，并包括第一像素电极；以及
第二发光元件，配置于所述主显示区域，并包括第二像素电极，
所述第一像素电极与所述元件区域重叠，所述相移图案的至少一部分与所述透射区域重叠，
所述相移图案配置于所述第一像素电极与所述电路层之间，所述相移图案的面积大于所述第一像素电极的面积，
所述电路层包括与所述相移图案接触的上绝缘层，所述相移图案的折射率与所述上绝缘层的折射率彼此不同。
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