JP2003279983A - 発光素子内在型液晶表示素子 - Google Patents
発光素子内在型液晶表示素子Info
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 317
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 129
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 99
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 126
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 19
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 14
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 12
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- -1 quinolinol aluminum Chemical compound 0.000 description 6
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000701286 Pseudomonas aeruginosa (strain ATCC 15692 / DSM 22644 / CIP 104116 / JCM 14847 / LMG 12228 / 1C / PRS 101 / PAO1) Alkanesulfonate monooxygenase Proteins 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000983349 Solanum commersonii Osmotin-like protein OSML13 Proteins 0.000 description 1
- 101001094026 Synechocystis sp. (strain PCC 6803 / Kazusa) Phasin PhaP Proteins 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZUSQJEHVTIBRNR-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;oxygen(2-) Chemical compound [Li+].[O-2].[O-2].[Al+3] ZUSQJEHVTIBRNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エレクトロルミネッセント（ＥＬ）素子を液
晶表示素子の第１基板と第２基板間に内在し、表示品質
の向上と薄型で、簡易型発光素子内在型液晶表示素子を
形成する。 【解決手段】 第１基板１上にＥＬ発光素子１７を有
し、ＥＬ発光素子１７上に保護膜１１を介して液晶表示
素子の第１電極４３を形成し、第１電極４３と所定の間
隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４１上に形
成し、液晶を封入する。ＥＬ発光素子１７は有機ＥＬ発
光素子であり、ＥＬ発光素子１７は第１基板１上に形成
された第３電極２４とＥＬ発光層２３と第４電極２４と
の積層構造を有している。
晶表示素子の第１基板と第２基板間に内在し、表示品質
の向上と薄型で、簡易型発光素子内在型液晶表示素子を
形成する。 【解決手段】 第１基板１上にＥＬ発光素子１７を有
し、ＥＬ発光素子１７上に保護膜１１を介して液晶表示
素子の第１電極４３を形成し、第１電極４３と所定の間
隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４１上に形
成し、液晶を封入する。ＥＬ発光素子１７は有機ＥＬ発
光素子であり、ＥＬ発光素子１７は第１基板１上に形成
された第３電極２４とＥＬ発光層２３と第４電極２４と
の積層構造を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光源を有する液晶表
示素子において、光源としてＥＬ発光素子を利用するも
のである。また、発光素子の非点灯の際には、反射型で
使用可能な反射型液晶表示素子に関するものである。
示素子において、光源としてＥＬ発光素子を利用するも
のである。また、発光素子の非点灯の際には、反射型で
使用可能な反射型液晶表示素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、小型情報機器に用いられる液晶表
示素子としては、液晶自体には発光機能を持たず、液晶
表示素子に光源を内蔵させた透過型液晶表示素子などが
用いられている。透過型液晶表示素子の他には、液晶表
示素子に内蔵した光源ではなく、外部からの光を用いて
表示を可能とする反射型液晶表示装置、あるいはそれぞ
れの機能を併せ持つ半透過型液晶表示装置等が主流であ
る。
示素子としては、液晶自体には発光機能を持たず、液晶
表示素子に光源を内蔵させた透過型液晶表示素子などが
用いられている。透過型液晶表示素子の他には、液晶表
示素子に内蔵した光源ではなく、外部からの光を用いて
表示を可能とする反射型液晶表示装置、あるいはそれぞ
れの機能を併せ持つ半透過型液晶表示装置等が主流であ
る。
【０００３】一方、このような液晶表示素子とは異なる
ものとして、液晶表示パネルの一部に発光性を有する材
料を使用し、液晶の電気光学変化を利用して表示を可能
とする液晶表示装置が、例えば、特開昭６０−５０５７
８号公報や特開昭６０−１２９７８０号公報に提案され
ている。あるいは、液晶表示パネルの視認者と反対側
（裏側）に紫外線を発光する光源を配置し、さらに液晶
表示パネルと光源との間に紫外線に対して偏光性を有す
る偏光分離器を配置し、ゲストである蛍光二色性色素の
二色性比を改善し、視認性を改善する提案が、社団法人
「映像情報メディア学会」主催の"Proceedings of The
Fifth International Display Workshops"（1998年度）
において、行われた（予稿集ＩＤＷ’98の第２５頁〜第
２８頁参照）。しかし、蛍光二色性色素を含む液晶表示
素子では、外部光源（補助光源）により二次的に発光す
るにとどまり、補助光源が必要である。
ものとして、液晶表示パネルの一部に発光性を有する材
料を使用し、液晶の電気光学変化を利用して表示を可能
とする液晶表示装置が、例えば、特開昭６０−５０５７
８号公報や特開昭６０−１２９７８０号公報に提案され
ている。あるいは、液晶表示パネルの視認者と反対側
（裏側）に紫外線を発光する光源を配置し、さらに液晶
表示パネルと光源との間に紫外線に対して偏光性を有す
る偏光分離器を配置し、ゲストである蛍光二色性色素の
二色性比を改善し、視認性を改善する提案が、社団法人
「映像情報メディア学会」主催の"Proceedings of The
Fifth International Display Workshops"（1998年度）
において、行われた（予稿集ＩＤＷ’98の第２５頁〜第
２８頁参照）。しかし、蛍光二色性色素を含む液晶表示
素子では、外部光源（補助光源）により二次的に発光す
るにとどまり、補助光源が必要である。
【０００４】また、発光素子としては、１９８７年のｋ
ｏｄａｋ社の発表”Applied Physics Letter，５１の９
１３頁（１９８７年）”に端を発したＥＬ発光素子の研
究開発が急速な進歩を見せている。現在では、カーオー
ディオや携帯電話への製品実用化のステージに達してい
る。さらに高性能化のために、半導体スイッチング素子
を用いる例も報告されている。さらに、燐光材料ＥＬ発
光素子による高輝度化の報告、プラスチック基板化によ
る軽量で、薄型化も報告されている。
ｏｄａｋ社の発表”Applied Physics Letter，５１の９
１３頁（１９８７年）”に端を発したＥＬ発光素子の研
究開発が急速な進歩を見せている。現在では、カーオー
ディオや携帯電話への製品実用化のステージに達してい
る。さらに高性能化のために、半導体スイッチング素子
を用いる例も報告されている。さらに、燐光材料ＥＬ発
光素子による高輝度化の報告、プラスチック基板化によ
る軽量で、薄型化も報告されている。
【０００５】従来例におけるＥＬ発光素子を図１３に基
づいて説明する。透明な第１基板１上には、透明導電膜
からなるアノード電極２１と、アノード電極２１上と一
部で重なり、それ以外の部分には開口部を有する発光領
域を限定する位置決め絶縁膜２０を設ける。さらに、ア
ノード電極２１上には、正孔（ホール）輸送層３５と発
光層２３と電子輸送層２２を順次積層し、さらに、電子
輸送層２２上にはカソード電極２４を設ける。位置決め
絶縁膜２０は、アノード電極２１とカソード電極２４と
の交差部の電気的短絡を防止している。
づいて説明する。透明な第１基板１上には、透明導電膜
からなるアノード電極２１と、アノード電極２１上と一
部で重なり、それ以外の部分には開口部を有する発光領
域を限定する位置決め絶縁膜２０を設ける。さらに、ア
ノード電極２１上には、正孔（ホール）輸送層３５と発
光層２３と電子輸送層２２を順次積層し、さらに、電子
輸送層２２上にはカソード電極２４を設ける。位置決め
絶縁膜２０は、アノード電極２１とカソード電極２４と
の交差部の電気的短絡を防止している。
【０００６】以上に示すアノード電極２１と正孔輸送層
３５と発光層２１と電子輸送層２２とカソード電極２４
によりＥＬ発光素子１７を形成する。ＥＬ発光素子１７
は水分により発光輝度の低下が発生するため、第１基板
１と接着する金属ケース３０を設け、第１基板１と金属
ケース３０との間には、水分を除去した空気層３８を有
する。
３５と発光層２１と電子輸送層２２とカソード電極２４
によりＥＬ発光素子１７を形成する。ＥＬ発光素子１７
は水分により発光輝度の低下が発生するため、第１基板
１と接着する金属ケース３０を設け、第１基板１と金属
ケース３０との間には、水分を除去した空気層３８を有
する。
【０００７】ＥＬ発光素子１７からの透過出射光６１
は、アノード電極２１と第１基板１を透過して観察者側
に出射する。カソード電極２４は発光層２３からの発光
を第１基板１側に効率良く出射するために、仕事関数が
小さい反射性を有する金属膜を用いる。ＥＬ発光素子１
７を構成する各材料としては、例えば、アノード電極２
１は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜、正孔輸送層３５
は、トリフェニルアミン誘導体、発光層２３は、イリジ
ウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、電子輸送層２２は、ト
リス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）錯
体、カソード電極２４は、酸化リチウム−アルミニウム
（Ｌｉ2Ｏ−Ａｌ）膜を用いている。
は、アノード電極２１と第１基板１を透過して観察者側
に出射する。カソード電極２４は発光層２３からの発光
を第１基板１側に効率良く出射するために、仕事関数が
小さい反射性を有する金属膜を用いる。ＥＬ発光素子１
７を構成する各材料としては、例えば、アノード電極２
１は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜、正孔輸送層３５
は、トリフェニルアミン誘導体、発光層２３は、イリジ
ウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、電子輸送層２２は、ト
リス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）錯
体、カソード電極２４は、酸化リチウム−アルミニウム
（Ｌｉ2Ｏ−Ａｌ）膜を用いている。
【０００８】ＥＬ発光素子１７を構成するカソード電極
２４は、反射性金属膜のため、外部光源からの光により
反射をし、外部環境が明るい状況では、反射光が強いた
め、ＥＬ発光素子１７からの透過出射光６１との光強度
差が小さくなる。第１基板１の観察者側には、位相差板
５６と偏光板５５の順に積層し、１／４波長偏光フィル
タとして機能させ、外部光源（図示せず）からの光がカ
ソード電極２４の鏡面反射により観察者側に出射するこ
とを防止している。そのため、透過出射光６１と反射光
とのコントラスト比は充分大きくできる。
２４は、反射性金属膜のため、外部光源からの光により
反射をし、外部環境が明るい状況では、反射光が強いた
め、ＥＬ発光素子１７からの透過出射光６１との光強度
差が小さくなる。第１基板１の観察者側には、位相差板
５６と偏光板５５の順に積層し、１／４波長偏光フィル
タとして機能させ、外部光源（図示せず）からの光がカ
ソード電極２４の鏡面反射により観察者側に出射するこ
とを防止している。そのため、透過出射光６１と反射光
とのコントラスト比は充分大きくできる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、外部光源の光
強度が強い場合には、ＥＬ発光素子１７からの透過出射
光６１の強度が、ＥＬ発光素子１７の外部光源による反
射光強度に負けるため、透過出射光６１の光はほとんど
認識されず、コントラスト比も低下してしまう。また、
外部光源の光強度が強い場合には、ＥＬ発光素子１７の
発光強度を増加する必要があり、ＥＬ発光素子１７の消
費する電力も増加してしまい、小型携帯情報機器、携帯
電話、パーソナル・デジタル・アシスタント（ＰＤ
Ａ）、小型ゲーム機、時計では、電池の消耗が激しく、
小型の電池では、充分な使用時間の確保ができなくなっ
てしまう。また、電池の劣化も加速してしまう。
強度が強い場合には、ＥＬ発光素子１７からの透過出射
光６１の強度が、ＥＬ発光素子１７の外部光源による反
射光強度に負けるため、透過出射光６１の光はほとんど
認識されず、コントラスト比も低下してしまう。また、
外部光源の光強度が強い場合には、ＥＬ発光素子１７の
発光強度を増加する必要があり、ＥＬ発光素子１７の消
費する電力も増加してしまい、小型携帯情報機器、携帯
電話、パーソナル・デジタル・アシスタント（ＰＤ
Ａ）、小型ゲーム機、時計では、電池の消耗が激しく、
小型の電池では、充分な使用時間の確保ができなくなっ
てしまう。また、電池の劣化も加速してしまう。
【００１０】これに対し、外部光源の光強度が強い場合
には、先に説明した液晶表示装置が受光型表示素子とし
て有効であるが、外部光源の光強度が弱い、あるいはな
い使用環境では、表示を認識することができなくなって
しまう。これを解決する手法として、半透過反射板を用
いた、半透過反射型液晶表示素子、あるいは液晶表示パ
ネルの観察者側に導光板を配置したフロント照明を有す
る反射型液晶表示素子もあるが、液晶表示パネルの外部
に光源を設けるため、薄型化、軽量化に限界があった。
さらに、光源の接続、光源と液晶表示素子とのモジュー
ル化も複雑であった。また、発光素子による表示と液晶
表示素子による表示の位置合わせも難しく、発光素子
は、液晶表示素子の単なる光源としての役割しかしてい
なかった。
には、先に説明した液晶表示装置が受光型表示素子とし
て有効であるが、外部光源の光強度が弱い、あるいはな
い使用環境では、表示を認識することができなくなって
しまう。これを解決する手法として、半透過反射板を用
いた、半透過反射型液晶表示素子、あるいは液晶表示パ
ネルの観察者側に導光板を配置したフロント照明を有す
る反射型液晶表示素子もあるが、液晶表示パネルの外部
に光源を設けるため、薄型化、軽量化に限界があった。
さらに、光源の接続、光源と液晶表示素子とのモジュー
ル化も複雑であった。また、発光素子による表示と液晶
表示素子による表示の位置合わせも難しく、発光素子
は、液晶表示素子の単なる光源としての役割しかしてい
なかった。
【００１１】そこで本発明は、液晶表示素子と発光素子
とを一体化し、さらにそれぞれの電気的接続も考慮し、
薄型化、軽量化を行うことを目的とする。つまり、本発
明の目的は、液晶表示素子と発光素子との一体化による
発光素子内在型液晶表示素子を提供することにある。
とを一体化し、さらにそれぞれの電気的接続も考慮し、
薄型化、軽量化を行うことを目的とする。つまり、本発
明の目的は、液晶表示素子と発光素子との一体化による
発光素子内在型液晶表示素子を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成する本発
明の発光素子内在型液晶表示素子は、第１電極を有する
第１基板と、第２電極を有する第２基板の間に液晶層を
封入した液晶表示素子であり、この第１基板の内側面に
エレクトロルミネッセント（ＥＬ）発光素子を設けるこ
とを特徴とする。また、このＥＬ発光素子は、有機ＥＬ
発光素子であることが好ましく、第１基板上に形成され
た第３電極とＥＬ発光層と第４電極との積層構造を有
し、ＥＬ発光素子の上に第１電極が積層されている構成
が好ましい。
明の発光素子内在型液晶表示素子は、第１電極を有する
第１基板と、第２電極を有する第２基板の間に液晶層を
封入した液晶表示素子であり、この第１基板の内側面に
エレクトロルミネッセント（ＥＬ）発光素子を設けるこ
とを特徴とする。また、このＥＬ発光素子は、有機ＥＬ
発光素子であることが好ましく、第１基板上に形成され
た第３電極とＥＬ発光層と第４電極との積層構造を有
し、ＥＬ発光素子の上に第１電極が積層されている構成
が好ましい。
【００１３】また、本発明の発光素子内在型液晶表示素
子は、第１電極と第２電極の交差部に設ける液晶表示画
素を複数配列し、ＥＬ発光素子は、前記液晶表示画素を
数個単位とする画素群毎に、独立する一個の発光層を有
することを特徴とする。あるいは、液晶表示画素毎に、
互いに独立する発光層を有することを特徴とする。
子は、第１電極と第２電極の交差部に設ける液晶表示画
素を複数配列し、ＥＬ発光素子は、前記液晶表示画素を
数個単位とする画素群毎に、独立する一個の発光層を有
することを特徴とする。あるいは、液晶表示画素毎に、
互いに独立する発光層を有することを特徴とする。
【００１４】本発明の発光素子内在型液晶表示素子は、
ＥＬ発光素子の上に絶縁性の保護膜が設けられ、該保護
膜の上に第１電極が積層されている。さらに、この保護
膜と第１電極の間に絶縁膜を設置してもよく、該絶縁膜
は第１電極を形成する面を平坦化する機能を有する。
ＥＬ発光素子の上に絶縁性の保護膜が設けられ、該保護
膜の上に第１電極が積層されている。さらに、この保護
膜と第１電極の間に絶縁膜を設置してもよく、該絶縁膜
は第１電極を形成する面を平坦化する機能を有する。
【００１５】また、この第１電極が反射性電極であって
もよく、その場合には発光面を第１基板側に向けて配置
しているのが好ましい。第１電極が反射性電極である場
合には、透過率が小さいため、ＥＬ発光素子からの発光
を通過させるための開口部を設けるのが好ましい。さら
に、上記保護膜が入射光を散乱させるための凹凸面を備
えることが好ましい。
もよく、その場合には発光面を第１基板側に向けて配置
しているのが好ましい。第１電極が反射性電極である場
合には、透過率が小さいため、ＥＬ発光素子からの発光
を通過させるための開口部を設けるのが好ましい。さら
に、上記保護膜が入射光を散乱させるための凹凸面を備
えることが好ましい。
【００１６】本発明の発光素子内在型液晶表示素子は、
カラー・フィルタを内蔵していてもよい。このカラー・
フィルタは、第２基板の内側面、あるいは第１基板の第
１電極上、あるいは第１基板のＥＬ発光素子と第１電極
との間に形成するのが好ましい。
カラー・フィルタを内蔵していてもよい。このカラー・
フィルタは、第２基板の内側面、あるいは第１基板の第
１電極上、あるいは第１基板のＥＬ発光素子と第１電極
との間に形成するのが好ましい。
【００１７】本発明の発光素子内在型液晶表示素子は、
さらに光拡散層を内蔵していてもよい。この光拡散層
は、第２基板の内側面に形成するのが好ましい。
さらに光拡散層を内蔵していてもよい。この光拡散層
は、第２基板の内側面に形成するのが好ましい。
【００１８】本発明の発光素子内在型液晶表示素子は、
さらにＥＬ発光素子を駆動するための半導体スイッチン
グ素子を内蔵していてもよい。この半導体スイッチング
素子は、第１基板上に形成し、半導体スイッチング素子
上にＥＬ発光素子を形成するのが好ましい。
さらにＥＬ発光素子を駆動するための半導体スイッチン
グ素子を内蔵していてもよい。この半導体スイッチング
素子は、第１基板上に形成し、半導体スイッチング素子
上にＥＬ発光素子を形成するのが好ましい。
【００１９】本発明の発光素子内在型液晶表示素子に用
いる第１基板としては、シリコン基板を使用することが
できる。このシリコン基板を半導体層として利用するこ
とも可能である。
いる第１基板としては、シリコン基板を使用することが
できる。このシリコン基板を半導体層として利用するこ
とも可能である。
【００２０】本発明の発光素子内在型液晶表示素子に用
いる液晶層としては、液晶分子と２色性色素からなるゲ
ストホスト液晶や、液晶分子と有機高分子材料からなる
透明固形物の散乱型液晶を使用することができる。さら
に、ＥＬ発光素子はそれぞれ異なる色を発光する複数種
類のＥＬ発光素子であってもよい。
いる液晶層としては、液晶分子と２色性色素からなるゲ
ストホスト液晶や、液晶分子と有機高分子材料からなる
透明固形物の散乱型液晶を使用することができる。さら
に、ＥＬ発光素子はそれぞれ異なる色を発光する複数種
類のＥＬ発光素子であってもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】＜第１の実施形態＞
〔第１の実施形態のおける液晶表示装置の構成：図１、
図２、図３〕以下に本発明を実施するための最良の形態
である発光素子内在型液晶表示素子について、図面を参
照しながら説明する。本実施形態の特徴は、エレクトロ
ルミネッセント（ＥＬ）素子を第１基板のほぼ全面に形
成する点である。図１は、本発明の第１の実施形態にお
ける液晶表示素子を有する液晶表示装置の立体模式図で
ある。図２は、図１に示すＡ−Ａ線における液晶表示装
置の断面図である。図３は、図２の発光素子内在型液晶
表示素子の一部を拡大する断面である。以下に、図１と
図２と図３とを交互に用いて第１の実施形態を説明す
る。
図２、図３〕以下に本発明を実施するための最良の形態
である発光素子内在型液晶表示素子について、図面を参
照しながら説明する。本実施形態の特徴は、エレクトロ
ルミネッセント（ＥＬ）素子を第１基板のほぼ全面に形
成する点である。図１は、本発明の第１の実施形態にお
ける液晶表示素子を有する液晶表示装置の立体模式図で
ある。図２は、図１に示すＡ−Ａ線における液晶表示装
置の断面図である。図３は、図２の発光素子内在型液晶
表示素子の一部を拡大する断面である。以下に、図１と
図２と図３とを交互に用いて第１の実施形態を説明す
る。
【００２２】図１は、本発明の液晶表示素子を使用する
携帯情報機器を示すものである。携帯情報機器８１のケ
ース８２には、画像を表示するための表示部９６があ
り、この表示部９６の脇には、表示内容を変更するため
のモード切り換えボタン８５、スクロールアップ（＋）
ボタン８６、スクロールダウン（−）ボタン８７、およ
び通信部８８、携帯情報機器８１のオン・オフを行うス
イッチボタン８９がある。
携帯情報機器を示すものである。携帯情報機器８１のケ
ース８２には、画像を表示するための表示部９６があ
り、この表示部９６の脇には、表示内容を変更するため
のモード切り換えボタン８５、スクロールアップ（＋）
ボタン８６、スクロールダウン（−）ボタン８７、およ
び通信部８８、携帯情報機器８１のオン・オフを行うス
イッチボタン８９がある。
【００２３】つぎに、図２に示すように、携帯情報機器
８１は、液晶表示素子Ｐと、液晶表示素子Ｐの表示部９
６を見通すことができる風防ガラス９０が設けられてい
る。ケース８２の裏蓋１０３側には回路基板１０５が設
けられており、この回路基板１０５の上に液晶表示素子
Ｐが実装されている。本実施形態における液晶表示素子
は、風防ガラス９０側（視認側）より、第２電極４２
（図２には図示せず）が設けられた第２基板４１、液晶
５１、第１電極４３とエレクトロルミネッセント（Ｅ
Ｌ）素子１７（図２には図示せず）が設けられた第１基
板１を基本構成としている。液晶表示素子Ｐの第１基板
１と第２基板４１は所定の間隙を隔てて対向しており、
第１基板１と第２基板４１の間のスペースに液晶５１が
封入してある。液晶５１はシール部材５２と図示しない
封孔部により密閉されている。
８１は、液晶表示素子Ｐと、液晶表示素子Ｐの表示部９
６を見通すことができる風防ガラス９０が設けられてい
る。ケース８２の裏蓋１０３側には回路基板１０５が設
けられており、この回路基板１０５の上に液晶表示素子
Ｐが実装されている。本実施形態における液晶表示素子
は、風防ガラス９０側（視認側）より、第２電極４２
（図２には図示せず）が設けられた第２基板４１、液晶
５１、第１電極４３とエレクトロルミネッセント（Ｅ
Ｌ）素子１７（図２には図示せず）が設けられた第１基
板１を基本構成としている。液晶表示素子Ｐの第１基板
１と第２基板４１は所定の間隙を隔てて対向しており、
第１基板１と第２基板４１の間のスペースに液晶５１が
封入してある。液晶５１はシール部材５２と図示しない
封孔部により密閉されている。
【００２４】また、第２基板４１の図示しない電極は、
導電部材（図示せず）によって回路基板１０５上の信号
端子に接続されている。ケース８２上に配置されている
通信部８８は、通信用回路基板９１上に実装されてい
る。この通信用回路基板９１は柔軟な印刷回路基板（フ
レキシブルプリント基板：ＦＰＣ）からなる第１のＦＰ
Ｃ９２により回路基板１０５と接続している。通信部８
８は送受信あるいは受信用であり、位置情報用のＧＰＳ
センサ、あるいはブルートゥース送受信センサ、あるい
は赤外線送受信センサである。また、回路基板１０５に
はエネルギー源として電池９４が設けられ、電池押さえ
バネ９３により回路基板１０５に取り付けられている。
導電部材（図示せず）によって回路基板１０５上の信号
端子に接続されている。ケース８２上に配置されている
通信部８８は、通信用回路基板９１上に実装されてい
る。この通信用回路基板９１は柔軟な印刷回路基板（フ
レキシブルプリント基板：ＦＰＣ）からなる第１のＦＰ
Ｃ９２により回路基板１０５と接続している。通信部８
８は送受信あるいは受信用であり、位置情報用のＧＰＳ
センサ、あるいはブルートゥース送受信センサ、あるい
は赤外線送受信センサである。また、回路基板１０５に
はエネルギー源として電池９４が設けられ、電池押さえ
バネ９３により回路基板１０５に取り付けられている。
【００２５】図３は本発明の第１の実施形態における液
晶表示素子Ｐの一部を拡大する断面図である。先にも示
したが、本実施形態の特徴は、表示部９６全面に形成す
る一個のエレクトロルミネッセント（ＥＬ）素子を第１
基板１上に有する点である。さらに、一個の独立するエ
レクトロルミネッセント（ＥＬ）素子上には、液晶層を
駆動するための複数の第１電極４３と第２電極４２とを
有し、その交点が液晶表示画素となり、液晶表示画素を
数個単位とする画素群が備えられている。
晶表示素子Ｐの一部を拡大する断面図である。先にも示
したが、本実施形態の特徴は、表示部９６全面に形成す
る一個のエレクトロルミネッセント（ＥＬ）素子を第１
基板１上に有する点である。さらに、一個の独立するエ
レクトロルミネッセント（ＥＬ）素子上には、液晶層を
駆動するための複数の第１電極４３と第２電極４２とを
有し、その交点が液晶表示画素となり、液晶表示画素を
数個単位とする画素群が備えられている。
【００２６】まず、第１基板１上には、第３電極の反射
性金属電極からなるカソード電極２４をアルミニウムと
マグネシウム合金にて形成する。カソード電極２４上に
は、キノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ）からなる電子輸
送層２２と、キナクリドンをドープしたキノリノールア
ルミ錯体からなる発光層２３と、トリフェニルアミン誘
導体からなる正孔（ホール）輸送層３５と、透明導電膜
として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる第４電
極のアノード電極２１とを、前記の順に積層する。カソ
ード電極２４からアノード電極２１までの構成によりＥ
Ｌ発光素子１７を構成する。
性金属電極からなるカソード電極２４をアルミニウムと
マグネシウム合金にて形成する。カソード電極２４上に
は、キノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ）からなる電子輸
送層２２と、キナクリドンをドープしたキノリノールア
ルミ錯体からなる発光層２３と、トリフェニルアミン誘
導体からなる正孔（ホール）輸送層３５と、透明導電膜
として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる第４電
極のアノード電極２１とを、前記の順に積層する。カソ
ード電極２４からアノード電極２１までの構成によりＥ
Ｌ発光素子１７を構成する。
【００２７】このＥＬ発光素子１７上には、ＥＬ発光素
子１７への水分の浸透を防止するために酸化シリコン膜
からなる保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、液晶
を駆動するための透明導電膜として、酸化インジウムス
ズ（ＩＴＯ）膜からなるストライプ状の第１電極４３を
設ける。第１電極４３と所定の間隙を設けて対向する第
２電極４２を第２基板４１上に設ける。第２電極４２も
ストライプ形状であり、第１電極４３とは、ほぼ直交す
る方向のストライプ電極である。第１電極４３と第２電
極４２との交差部が液晶表示画素である。
子１７への水分の浸透を防止するために酸化シリコン膜
からなる保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、液晶
を駆動するための透明導電膜として、酸化インジウムス
ズ（ＩＴＯ）膜からなるストライプ状の第１電極４３を
設ける。第１電極４３と所定の間隙を設けて対向する第
２電極４２を第２基板４１上に設ける。第２電極４２も
ストライプ形状であり、第１電極４３とは、ほぼ直交す
る方向のストライプ電極である。第１電極４３と第２電
極４２との交差部が液晶表示画素である。
【００２８】第１電極４３と第２電極４２との間隙に
は、２色性色素をゲスト材料として液晶のホスト材料中
に混合したゲストホスト液晶からなる液晶５１を封入す
る。ゲストホスト液晶には、偏光板あるいは位相差板を
設けることなく表示を行うことができ、明るい表示が可
能である。また、液晶５１とＥＬ発光素子１７の、特に
発光層２３に対する紫外線照射による劣化防止、およ
び、第２基板４１の破損を防止するため、プラスチック
フィルムからなる紫外線カットフィルム５７を第２基板
４１上に設けている。
は、２色性色素をゲスト材料として液晶のホスト材料中
に混合したゲストホスト液晶からなる液晶５１を封入す
る。ゲストホスト液晶には、偏光板あるいは位相差板を
設けることなく表示を行うことができ、明るい表示が可
能である。また、液晶５１とＥＬ発光素子１７の、特に
発光層２３に対する紫外線照射による劣化防止、およ
び、第２基板４１の破損を防止するため、プラスチック
フィルムからなる紫外線カットフィルム５７を第２基板
４１上に設けている。
【００２９】すなわち、外部環境が明るい場合には、外
光からの反射入射光６５は、２色性色素の吸収を発生し
ない、いわゆる透過率の大きい液晶表示画素では、ＥＬ
発光素子１７を構成する反射性電極のカソード電極２４
による強い反射により、反射出射光６６が観察者側に観
察される。また、２色性色素の吸収の大きい液晶表示画
素では反射入射光は、２色性色素により吸収され観察者
側に出射しないため、黒表示として認識される。以上に
より明暗表示が可能となる。
光からの反射入射光６５は、２色性色素の吸収を発生し
ない、いわゆる透過率の大きい液晶表示画素では、ＥＬ
発光素子１７を構成する反射性電極のカソード電極２４
による強い反射により、反射出射光６６が観察者側に観
察される。また、２色性色素の吸収の大きい液晶表示画
素では反射入射光は、２色性色素により吸収され観察者
側に出射しないため、黒表示として認識される。以上に
より明暗表示が可能となる。
【００３０】さらに、外部環境が暗い場合には、受光素
子である液晶５１は明表示でも暗いため、明暗を認識す
ることが難しくなる。そこで、液晶５１の第１基板１側
に設ける有機ＥＬ素子１７を点灯する。ＥＬ発光素子１
７からの光は、２色性色素の吸収が弱い液晶表示画素で
は、透過出射光６１として観察者に明として認識され
る。２色性色素の吸収の強い液晶表示画素では、ＥＬ発
光素子の出射光は吸収され暗として認識される。
子である液晶５１は明表示でも暗いため、明暗を認識す
ることが難しくなる。そこで、液晶５１の第１基板１側
に設ける有機ＥＬ素子１７を点灯する。ＥＬ発光素子１
７からの光は、２色性色素の吸収が弱い液晶表示画素で
は、透過出射光６１として観察者に明として認識され
る。２色性色素の吸収の強い液晶表示画素では、ＥＬ発
光素子の出射光は吸収され暗として認識される。
【００３１】以上の説明で明らかなように、本実施形態
では、反射表示の明表示部は、透過表示でも明表示部と
して機能する。さらに、本実施形態の特徴は、液晶表示
素子の反射表示にＥＬ発光素子１７の反射性電極を反射
板として利用することである。さらに、ＥＬ発光素子を
液晶表示素子の光源として利用することである。
では、反射表示の明表示部は、透過表示でも明表示部と
して機能する。さらに、本実施形態の特徴は、液晶表示
素子の反射表示にＥＬ発光素子１７の反射性電極を反射
板として利用することである。さらに、ＥＬ発光素子を
液晶表示素子の光源として利用することである。
【００３２】本実施形態では、保護膜１１を酸化シリコ
ン膜を用いているが、酸化シリコン膜上に散乱性を有す
るアクリル樹脂からある別の保護膜を設けることによ
り、観察者が液晶表示素子の反射表示を観察する場合
に、明表示を認識できる観察者の方向を広げることが可
能となる。つまり、反射光が保護膜で散乱するため、色
々な方向に光が拡散するためである。
ン膜を用いているが、酸化シリコン膜上に散乱性を有す
るアクリル樹脂からある別の保護膜を設けることによ
り、観察者が液晶表示素子の反射表示を観察する場合
に、明表示を認識できる観察者の方向を広げることが可
能となる。つまり、反射光が保護膜で散乱するため、色
々な方向に光が拡散するためである。
【００３３】また、ＥＬ発光素子１７からなる発光素子
を第１基板１と第１電極４３との間に設けることによ
り、液晶５１に発光素子を接近でき、さらに、保護膜１
１と液晶５１によりＥＬ発光素子１７への透水性を低減
でき、発光素子の劣化を防止することが可能となる。
を第１基板１と第１電極４３との間に設けることによ
り、液晶５１に発光素子を接近でき、さらに、保護膜１
１と液晶５１によりＥＬ発光素子１７への透水性を低減
でき、発光素子の劣化を防止することが可能となる。
【００３４】＜第２の実施形態＞
〔第２の実施形態のおける液晶表示装置の構成：図４〕
以下に本発明の第２の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。本
実施形態の特徴は、液晶表示素子の第１電極と第２電極
との交差部に設ける液晶表示画素毎に独立する発光層を
有する点である。図４は、本実施形態における発光素子
内在型液晶表示素子の一部を拡大する断面である。以下
に、図４を用いて本の実施形態を説明する。
以下に本発明の第２の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。本
実施形態の特徴は、液晶表示素子の第１電極と第２電極
との交差部に設ける液晶表示画素毎に独立する発光層を
有する点である。図４は、本実施形態における発光素子
内在型液晶表示素子の一部を拡大する断面である。以下
に、図４を用いて本の実施形態を説明する。
【００３５】まず、第１基板１上には、第３電極の反射
性金属電極からなるカソード電極２４を銀とマグネシウ
ム合金にて形成する。カソード電極２４上には、キノリ
ノールアルミ錯体（Ａｌｑ）からなる電子輸送層２２
と、トリアゾール（ＴＡＺ）からなる発光層２３と、ト
リフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）からなる正孔（ホー
ル）輸送層３５と、第４電極の透明導電膜として酸化イ
ンジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなるアノード電極２１と
を、前記の順に積層する。また、カソード電極２４と電
子輸送層２２との間には、発光領域の限定と、カソード
電極２４とアノード電極２１との電気的短絡を防止する
ために、アクリル樹脂からなる位置決め絶縁膜２０を設
ける。上記カソード電極２４からアノード電極２１まで
の構成により、ＥＬ発光素子１７を構成する。また、Ｅ
Ｌ発光素子１７は第１基板１上に複数個設けられてい
る。
性金属電極からなるカソード電極２４を銀とマグネシウ
ム合金にて形成する。カソード電極２４上には、キノリ
ノールアルミ錯体（Ａｌｑ）からなる電子輸送層２２
と、トリアゾール（ＴＡＺ）からなる発光層２３と、ト
リフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）からなる正孔（ホー
ル）輸送層３５と、第４電極の透明導電膜として酸化イ
ンジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなるアノード電極２１と
を、前記の順に積層する。また、カソード電極２４と電
子輸送層２２との間には、発光領域の限定と、カソード
電極２４とアノード電極２１との電気的短絡を防止する
ために、アクリル樹脂からなる位置決め絶縁膜２０を設
ける。上記カソード電極２４からアノード電極２１まで
の構成により、ＥＬ発光素子１７を構成する。また、Ｅ
Ｌ発光素子１７は第１基板１上に複数個設けられてい
る。
【００３６】上記ＥＬ発光素子１７上には、ＥＬ発光素
子１７への水分の浸透を防止するために酸化シリコン膜
からなる保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、透明
導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる
ストライプ状の第１電極４３を設ける。第１電極４３と
所定の間隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４
１上に設ける。第２電極４２もストライプ状に形成し、
第１電極４３とは、ほぼ直交する方向のストライプ電極
である。第１電極４３と第２電極４２との交差部が液晶
表示画素である。本実施形態では、液晶表示画素とＥＬ
発光素子１７が一対一に対応するように設けられてい
る。
子１７への水分の浸透を防止するために酸化シリコン膜
からなる保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、透明
導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる
ストライプ状の第１電極４３を設ける。第１電極４３と
所定の間隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４
１上に設ける。第２電極４２もストライプ状に形成し、
第１電極４３とは、ほぼ直交する方向のストライプ電極
である。第１電極４３と第２電極４２との交差部が液晶
表示画素である。本実施形態では、液晶表示画素とＥＬ
発光素子１７が一対一に対応するように設けられてい
る。
【００３７】第１電極４３と第２電極４２との間隙に
は、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶から
なる液晶５１を有する。第２基板４１上には、位相差板
５６と偏光板５５の順に積層する。位相差板５６は一
枚、あるいは複数枚積層して、液晶５１と位相差板５６
との組み合わせで５００ｎｍから５５０ｎｍの波長のい
ずれかを選択し、その波長の１／４波長とする。本実施
形態では５３０ｎｍの１／４波長の１３２ｎｍを採用し
た。偏光板５５と位相差板５６により、スーパーツイス
トネマティック（ＳＴＮ）液晶の反射表示の明暗表示が
可能となる。
は、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶から
なる液晶５１を有する。第２基板４１上には、位相差板
５６と偏光板５５の順に積層する。位相差板５６は一
枚、あるいは複数枚積層して、液晶５１と位相差板５６
との組み合わせで５００ｎｍから５５０ｎｍの波長のい
ずれかを選択し、その波長の１／４波長とする。本実施
形態では５３０ｎｍの１／４波長の１３２ｎｍを採用し
た。偏光板５５と位相差板５６により、スーパーツイス
トネマティック（ＳＴＮ）液晶の反射表示の明暗表示が
可能となる。
【００３８】また、ＥＬ発光素子１７の点灯画素では、
スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板
と位相差板とで透過率を最大とし、非点灯画素では、ス
ーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板と
位相差板とで透過率を低下することにより、ＥＬ発光素
子１７を使用する状況でも、外部光とＥＬ発光素子１７
の発光の両方を利用することが可能となる。
スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板
と位相差板とで透過率を最大とし、非点灯画素では、ス
ーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板と
位相差板とで透過率を低下することにより、ＥＬ発光素
子１７を使用する状況でも、外部光とＥＬ発光素子１７
の発光の両方を利用することが可能となる。
【００３９】＜第３の実施形態＞
〔第３の実施形態のおける液晶表示装置の構成：図５〕
以下に本発明の第３の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。本
実施形態の特徴は、エレクトロルミネッセント（ＥＬ）
素子を液晶表示素子の第１電極と第２電極との交差部に
設ける液晶表示画素毎に独立する発光層を有し、各液晶
表示画素毎にカラー・フィルタを設ける点である。図５
は、本実施形態における発光素子内在型液晶表示素子の
一部を拡大する断面である。以下に、図５を用いて本実
施形態を説明する。また、第１の実施形態と同様な符号
は、同様な構成要件を示している。
以下に本発明の第３の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。本
実施形態の特徴は、エレクトロルミネッセント（ＥＬ）
素子を液晶表示素子の第１電極と第２電極との交差部に
設ける液晶表示画素毎に独立する発光層を有し、各液晶
表示画素毎にカラー・フィルタを設ける点である。図５
は、本実施形態における発光素子内在型液晶表示素子の
一部を拡大する断面である。以下に、図５を用いて本実
施形態を説明する。また、第１の実施形態と同様な符号
は、同様な構成要件を示している。
【００４０】まず、第１基板１上には、先の実施形態と
同様に、第３電極の反射性金属電極からなるカソード電
極２４を銀とマグネシウム合金にて形成する。本実施形
態では、カラー・フィルタによるカラー表示を行うた
め、白色発光のＥＬ発光素子を構成する。カソード電極
２４上には、キノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ）からな
る電子輸送層２２と、ユーロビウム錯体／テルビウム錯
体の２層からなる発光層２３と、トリフェニルアミン誘
導体（ＴＰＤ）からなる正孔（ホール）輸送層３５と、
透明導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜から
なるアノード電極２１とを、前記の順に積層する。ま
た、カソード電極２４と電子輸送層２２との間には、発
光領域の限定と、カソード電極２４とアノード電極２１
との電気的短絡を防止するために、アクリル樹脂からな
る位置決め絶縁膜２０を設ける。カソード電極２４から
アノード電極２１までの構成によりＥＬ発光素子１７を
構成する。
同様に、第３電極の反射性金属電極からなるカソード電
極２４を銀とマグネシウム合金にて形成する。本実施形
態では、カラー・フィルタによるカラー表示を行うた
め、白色発光のＥＬ発光素子を構成する。カソード電極
２４上には、キノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ）からな
る電子輸送層２２と、ユーロビウム錯体／テルビウム錯
体の２層からなる発光層２３と、トリフェニルアミン誘
導体（ＴＰＤ）からなる正孔（ホール）輸送層３５と、
透明導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜から
なるアノード電極２１とを、前記の順に積層する。ま
た、カソード電極２４と電子輸送層２２との間には、発
光領域の限定と、カソード電極２４とアノード電極２１
との電気的短絡を防止するために、アクリル樹脂からな
る位置決め絶縁膜２０を設ける。カソード電極２４から
アノード電極２１までの構成によりＥＬ発光素子１７を
構成する。
【００４１】このＥＬ発光素子１７上の構成は図４と同
様であり、保護膜１１と、第１電極４３を設ける。第１
基板１に対向して、第２基板４１を設けるが、第２基板
４１には第１電極４３と対向する第２電極４２と赤
（Ｒ）４４、緑（Ｇ）４５と青（Ｂ）４６のカラー・フ
ィルタを設ける。第２電極４２は、第１電極４３とほぼ
直交する方向のストライプ電極である。第１電極４３と
第２電極４２との交差部が液晶表示画素であり、各カラ
ー・フィルタは、液晶表示画素とほぼ同様な大きさであ
り、隣接するカラー・フィルタとはほとんど間隙を有し
ていない。
様であり、保護膜１１と、第１電極４３を設ける。第１
基板１に対向して、第２基板４１を設けるが、第２基板
４１には第１電極４３と対向する第２電極４２と赤
（Ｒ）４４、緑（Ｇ）４５と青（Ｂ）４６のカラー・フ
ィルタを設ける。第２電極４２は、第１電極４３とほぼ
直交する方向のストライプ電極である。第１電極４３と
第２電極４２との交差部が液晶表示画素であり、各カラ
ー・フィルタは、液晶表示画素とほぼ同様な大きさであ
り、隣接するカラー・フィルタとはほとんど間隙を有し
ていない。
【００４２】第１電極４３と第２電極４２との間隙に封
入する液晶層は、液晶分子と有機高分子材料のアクリル
樹脂からなる透明固形物との散乱型液晶である。アクリ
ル樹脂は、模式的には多孔質体の透明固形物からなり、
液晶５１に電圧を印加することにより散乱と透過を変調
する。液晶分子は常光に対応する屈折率（ｎｏ）と異常
光に対応する屈折率（ｎｅ）とを有する。液晶の透明状
態と散乱状態とは透明固形物の屈折率（ｎｐ）と、液晶
分子の屈折率（ｎｏとｎｅ）との差分と液晶分子の配向
性により発生する。本実施形態では液晶層の原材料とし
て、大日本インキ製のＰＮＭ−１５７を利用し、液晶を
封入後に３６０ナノメートル（ｎｍ）以上の波長の紫外
線を３０ｍＷ／ｃｍ２の強度で、６０秒間照射して作成
している。液晶の屈折率はｎｏは１．５、ｎｅは１．７
であり、透明固形物の屈折率は１．５程度である。
入する液晶層は、液晶分子と有機高分子材料のアクリル
樹脂からなる透明固形物との散乱型液晶である。アクリ
ル樹脂は、模式的には多孔質体の透明固形物からなり、
液晶５１に電圧を印加することにより散乱と透過を変調
する。液晶分子は常光に対応する屈折率（ｎｏ）と異常
光に対応する屈折率（ｎｅ）とを有する。液晶の透明状
態と散乱状態とは透明固形物の屈折率（ｎｐ）と、液晶
分子の屈折率（ｎｏとｎｅ）との差分と液晶分子の配向
性により発生する。本実施形態では液晶層の原材料とし
て、大日本インキ製のＰＮＭ−１５７を利用し、液晶を
封入後に３６０ナノメートル（ｎｍ）以上の波長の紫外
線を３０ｍＷ／ｃｍ２の強度で、６０秒間照射して作成
している。液晶の屈折率はｎｏは１．５、ｎｅは１．７
であり、透明固形物の屈折率は１．５程度である。
【００４３】外部環境が明るい場合には、外光からの反
射入射光６５は、散乱型液晶の散乱を発生しない、いわ
ゆる透過率の大きい液晶表示画素では、ＥＬ発光素子１
７を構成する反射性電極のカソード電極２４からの正反
射による反射出射光６６が、観察者側に観察される。ま
た、散乱の大きい液晶表示画素では反射入射光は、ほと
んどの光は微小拡散反射を繰り返し拡散光としてカラー
・フィルタを透過し、観察者が色と明暗を認識する。正
反射光は、所定の角度以外では、反射光が出射しないた
め、暗表示として認識される。この正反射光と拡散反射
光の光強度の差により明暗表示を行う。
射入射光６５は、散乱型液晶の散乱を発生しない、いわ
ゆる透過率の大きい液晶表示画素では、ＥＬ発光素子１
７を構成する反射性電極のカソード電極２４からの正反
射による反射出射光６６が、観察者側に観察される。ま
た、散乱の大きい液晶表示画素では反射入射光は、ほと
んどの光は微小拡散反射を繰り返し拡散光としてカラー
・フィルタを透過し、観察者が色と明暗を認識する。正
反射光は、所定の角度以外では、反射光が出射しないた
め、暗表示として認識される。この正反射光と拡散反射
光の光強度の差により明暗表示を行う。
【００４４】反射表示の場合には、散乱の大きい表示画
素部において、液晶内での微小拡散反射はもちろんであ
るが、液晶の第１基板１側に設ける反射性電極からの反
射光も液晶内で微小拡散反射を繰り返す。そのため、Ｅ
Ｌ発光素子を構成する反射性電極により拡散反射光の観
察者側への出射強度は液晶単体より強くできる。ＥＬ発
光素子を点灯する透過表示の場合には、液晶５１を１度
しか通過しないため、散乱度が見かけ上低下し、充分な
コントラストを達成できない。
素部において、液晶内での微小拡散反射はもちろんであ
るが、液晶の第１基板１側に設ける反射性電極からの反
射光も液晶内で微小拡散反射を繰り返す。そのため、Ｅ
Ｌ発光素子を構成する反射性電極により拡散反射光の観
察者側への出射強度は液晶単体より強くできる。ＥＬ発
光素子を点灯する透過表示の場合には、液晶５１を１度
しか通過しないため、散乱度が見かけ上低下し、充分な
コントラストを達成できない。
【００４５】そこで、各表示画素部に対応して設けるＥ
Ｌ発光素子１７が有効となるわけである。ＥＬ発光素子
１７の点灯画素では、液晶５１は、透過状態とする。非
点灯画素では、散乱状態とすることにより、ＥＬ発光素
子１７を使用する状況でも、ＥＬ発光素子１７を構成す
る反射性電極からの鏡面反射を防止できる。また、点灯
画素においても、多少の散乱状態とすることにより、外
部光源からの光が反射性電極から正反射することを防止
できるため、良好が表示が達成できた。
Ｌ発光素子１７が有効となるわけである。ＥＬ発光素子
１７の点灯画素では、液晶５１は、透過状態とする。非
点灯画素では、散乱状態とすることにより、ＥＬ発光素
子１７を使用する状況でも、ＥＬ発光素子１７を構成す
る反射性電極からの鏡面反射を防止できる。また、点灯
画素においても、多少の散乱状態とすることにより、外
部光源からの光が反射性電極から正反射することを防止
できるため、良好が表示が達成できた。
【００４６】ＥＬ発光素子１７からの発光は、カラー・
フィルタにて着色光となり観察者側に出射する。すなわ
ち、カラー・フィルタは、液晶を使用する反射表示と、
ＥＬ発光素子１７を使用する発光表示のカラー化に機能
している。また、ＥＬ発光素子の発光層にカラー発光層
を用いれば、カラー・フィルタと発光層の色調を同一と
することにより、カラー・フィルタ層に含まれる顔料等
の色素の配合を低減することができ、透水性を低減する
こともできる。
フィルタにて着色光となり観察者側に出射する。すなわ
ち、カラー・フィルタは、液晶を使用する反射表示と、
ＥＬ発光素子１７を使用する発光表示のカラー化に機能
している。また、ＥＬ発光素子の発光層にカラー発光層
を用いれば、カラー・フィルタと発光層の色調を同一と
することにより、カラー・フィルタ層に含まれる顔料等
の色素の配合を低減することができ、透水性を低減する
こともできる。
【００４７】第２基板４１の観察者側には、プラスチッ
クフィルムからなる紫外線カットフィルムを設けてもよ
い。紫外線カットフィルムは、液晶５１とＥＬ発光素子
１７の紫外線照射による劣化を防止すること、および、
第２基板４１の破損を防止することができる。
クフィルムからなる紫外線カットフィルムを設けてもよ
い。紫外線カットフィルムは、液晶５１とＥＬ発光素子
１７の紫外線照射による劣化を防止すること、および、
第２基板４１の破損を防止することができる。
【００４８】以上の説明から明らかなように、発光素子
内在型液晶表示素子の第２基板４１上には、偏光板を設
けていないため、明るい反射表示が可能となる。さら
に、ＥＬ発光素子を利用する際に明るい発光表示が可能
となる。さらに、有機ＥＬ素子の反射性電極を利用し、
液晶の反射表示を可能としている。また、カラー・フィ
ルタにより反射表示と発光表示のいずれにおいても、カ
ラー化が可能となる。
内在型液晶表示素子の第２基板４１上には、偏光板を設
けていないため、明るい反射表示が可能となる。さら
に、ＥＬ発光素子を利用する際に明るい発光表示が可能
となる。さらに、有機ＥＬ素子の反射性電極を利用し、
液晶の反射表示を可能としている。また、カラー・フィ
ルタにより反射表示と発光表示のいずれにおいても、カ
ラー化が可能となる。
【００４９】＜第４の実施形態＞
〔第４の実施形態のおける液晶表示装置の構成：図６〕
以下に本発明の第４の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。第
４の実施形態の特徴は、第１電極が反射性電極であり、
さらに、ＥＬ発光素子上の第１電極に反射性電極開口部
を設ける点である。図６は、本実施形態における発光素
子内在型液晶表示素子の一部を拡大する断面である。以
下に、図６を用いて本実施形態を説明する。また、第３
の実施形態と同様な符号は、同様な構成要件を示してい
る。
以下に本発明の第４の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。第
４の実施形態の特徴は、第１電極が反射性電極であり、
さらに、ＥＬ発光素子上の第１電極に反射性電極開口部
を設ける点である。図６は、本実施形態における発光素
子内在型液晶表示素子の一部を拡大する断面である。以
下に、図６を用いて本実施形態を説明する。また、第３
の実施形態と同様な符号は、同様な構成要件を示してい
る。
【００５０】まず第３の実施形態と同様に、白色発光の
ＥＬ発光素子１７の構成を採用する。このＥＬ発光素子
１７上には、先の実施例と同様に酸化シリコン膜からな
る保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、反射性電極
であるストライプ状の第１電極４３を設ける。第１電極
にはＥＬ発光素子からの発光を通過させるための開口部
（以後、反射性電極開口部と称する。）を備えている。
第１電極４３と所定の間隙を設けて対向する第２電極４
２を第２基板４１上に設ける。第２電極４２は、第１電
極４３とほぼ直交する方向のストライプ電極である。第
１電極４３と第２電極４２との交差部が液晶表示画素で
ある。
ＥＬ発光素子１７の構成を採用する。このＥＬ発光素子
１７上には、先の実施例と同様に酸化シリコン膜からな
る保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、反射性電極
であるストライプ状の第１電極４３を設ける。第１電極
にはＥＬ発光素子からの発光を通過させるための開口部
（以後、反射性電極開口部と称する。）を備えている。
第１電極４３と所定の間隙を設けて対向する第２電極４
２を第２基板４１上に設ける。第２電極４２は、第１電
極４３とほぼ直交する方向のストライプ電極である。第
１電極４３と第２電極４２との交差部が液晶表示画素で
ある。
【００５１】第１電極４３と第２電極４２との間隙に
は、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶から
なる液晶５１を有する。第２基板４１上に設けた位相差
板５６と偏光板５５とについては第２の実施形態と同様
に設置した。また、液晶の反射表示の視認性を改善する
ために、第２基板４１とカラー・フィルタとの間には、
アクリル樹脂に屈折率の異なる分散材（スペーサー）を
混入する拡散層３９を設ける。
は、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶から
なる液晶５１を有する。第２基板４１上に設けた位相差
板５６と偏光板５５とについては第２の実施形態と同様
に設置した。また、液晶の反射表示の視認性を改善する
ために、第２基板４１とカラー・フィルタとの間には、
アクリル樹脂に屈折率の異なる分散材（スペーサー）を
混入する拡散層３９を設ける。
【００５２】反射表示の場合には、外部光源（図示せ
ず）からの反射入射光６５は、偏光板５５と位相差板５
６および第２基板４１と拡散層３９とカラー・フィルタ
と第２電極４２とを透過し、液晶５１に入射し、光学変
調され反射性電極開口部４９以外の領域、つまり反射性
電極で反射し、反射出射光６６として出射する。前記拡
散層３９を透過時に拡散され、液晶５１の光学変調によ
り明暗表示を行う。
ず）からの反射入射光６５は、偏光板５５と位相差板５
６および第２基板４１と拡散層３９とカラー・フィルタ
と第２電極４２とを透過し、液晶５１に入射し、光学変
調され反射性電極開口部４９以外の領域、つまり反射性
電極で反射し、反射出射光６６として出射する。前記拡
散層３９を透過時に拡散され、液晶５１の光学変調によ
り明暗表示を行う。
【００５３】また、ＥＬ発光素子１７点灯時には、第１
電極４３の反射性電極開口部４９を通過する発光が液晶
５１を透過し、偏光板６１より透過出射光６１として観
察者側に出射する。
電極４３の反射性電極開口部４９を通過する発光が液晶
５１を透過し、偏光板６１より透過出射光６１として観
察者側に出射する。
【００５４】本実施形態に示すように、液晶表示素子の
反射部材として、ＥＬ発光素子１７を構成する反射性電
極を用いることなく、第１電極４３に反射性電極開口部
４９を設けることにより、ＥＬ発光素子１７の発光層２
３等での吸収による反射率の低下を回避できる。さら
に、発光層２３による着色を回避できる。以上により、
液晶表示素子の反射表示の品質向上が達成できる。
反射部材として、ＥＬ発光素子１７を構成する反射性電
極を用いることなく、第１電極４３に反射性電極開口部
４９を設けることにより、ＥＬ発光素子１７の発光層２
３等での吸収による反射率の低下を回避できる。さら
に、発光層２３による着色を回避できる。以上により、
液晶表示素子の反射表示の品質向上が達成できる。
【００５５】＜第５の実施形態＞
〔第５の実施形態のおける液晶表示装置の構成：図７〕
以下に本発明の第５の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。第
５の実施形態の特徴は、第１電極が反射性電極であり、
さらに、ＥＬ発光素子は、下基板である第１基板側に発
光する点である。図７は、第５の実施形態における発光
素子内在型液晶表示素子の一部を拡大する断面である。
以下に、図７を用いて本実施形態を説明する。また、第
３の実施形態および第４の実施形態と同様な符号は、同
様な構成要件を示している。
以下に本発明の第５の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。第
５の実施形態の特徴は、第１電極が反射性電極であり、
さらに、ＥＬ発光素子は、下基板である第１基板側に発
光する点である。図７は、第５の実施形態における発光
素子内在型液晶表示素子の一部を拡大する断面である。
以下に、図７を用いて本実施形態を説明する。また、第
３の実施形態および第４の実施形態と同様な符号は、同
様な構成要件を示している。
【００５６】まず、第１基板１上には、透明導電膜とし
て酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなるアノード電
極２１と、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）からな
る正孔（ホール）輸送層３５と、トリアゾール（ＴＡ
Ｚ）からなる発光層２３と、キノリノールアルミ錯体
（Ａｌｑ）からなる電子輸送層２２と、反射性金属電極
からなるカソード電極２４の順に積層する。カソード電
極２４は、銀とマグネシウム合金にて形成する。
て酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなるアノード電
極２１と、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）からな
る正孔（ホール）輸送層３５と、トリアゾール（ＴＡ
Ｚ）からなる発光層２３と、キノリノールアルミ錯体
（Ａｌｑ）からなる電子輸送層２２と、反射性金属電極
からなるカソード電極２４の順に積層する。カソード電
極２４は、銀とマグネシウム合金にて形成する。
【００５７】また、アノード電極２１と正孔輸送層３５
との間には、発光領域の限定と、カソード電極２４とア
ノード電極２１との電気的短絡を防止するために、アク
リル樹脂からなる位置決め絶縁膜２０を設ける。前記ア
ノード電極２１からカソード電極２４までの構成により
ＥＬ発光素子１７を構成する。また、ＥＬ発光素子１７
は第１基板１上に複数設けており、本実施形態では、液
晶表示画素とＥＬ発光素子１７とを一対一に設けてい
る。
との間には、発光領域の限定と、カソード電極２４とア
ノード電極２１との電気的短絡を防止するために、アク
リル樹脂からなる位置決め絶縁膜２０を設ける。前記ア
ノード電極２１からカソード電極２４までの構成により
ＥＬ発光素子１７を構成する。また、ＥＬ発光素子１７
は第１基板１上に複数設けており、本実施形態では、液
晶表示画素とＥＬ発光素子１７とを一対一に設けてい
る。
【００５８】このＥＬ発光素子１７上には、ＥＬ発光素
子１７への水分の浸透を防止するために酸化シリコン膜
からなる保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、アル
ミニウム膜からなる反射性電極である第１電極４３をス
トライプ状に設ける。第１電極４３と所定の間隙を設け
て対向する第２電極４２を第２基板４１上に設ける。第
２電極４２は、第１電極４３とほぼ直交する方向のスト
ライプ電極である。第１電極４３と第２電極４２との交
差部が液晶表示画素である。
子１７への水分の浸透を防止するために酸化シリコン膜
からなる保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、アル
ミニウム膜からなる反射性電極である第１電極４３をス
トライプ状に設ける。第１電極４３と所定の間隙を設け
て対向する第２電極４２を第２基板４１上に設ける。第
２電極４２は、第１電極４３とほぼ直交する方向のスト
ライプ電極である。第１電極４３と第２電極４２との交
差部が液晶表示画素である。
【００５９】第１電極４３と第２電極４２との間隙に
は、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶から
なる液晶５１を有する。第２基板４１上には、第２の実
施形態と同様に、位相差板５６と偏光板５５とを順に積
層する。また、液晶の反射表示の視認性を改善するため
に、第２基板４１と位相差板５６との間には、アクリル
樹脂に屈折率の異なる分散材（スペーサー）を混入する
拡散層３９を設ける。
は、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶から
なる液晶５１を有する。第２基板４１上には、第２の実
施形態と同様に、位相差板５６と偏光板５５とを順に積
層する。また、液晶の反射表示の視認性を改善するため
に、第２基板４１と位相差板５６との間には、アクリル
樹脂に屈折率の異なる分散材（スペーサー）を混入する
拡散層３９を設ける。
【００６０】反射表示の場合には、外部光源（図示せ
ず）からの反射入射光６５は、偏光板５５と位相差板５
６および第２基板４１と拡散層３９とカラー・フィルタ
と第２電極４２とを透過し、液晶５１に入射し光学変調
された光は、反射性電極である第１電極４３により反射
し、反射出射光６６として、観察者側に入射とは逆の光
路で出射する。前記拡散層３９透過時に光は拡散され、
液晶５１の光学変調により明暗表示を行う。
ず）からの反射入射光６５は、偏光板５５と位相差板５
６および第２基板４１と拡散層３９とカラー・フィルタ
と第２電極４２とを透過し、液晶５１に入射し光学変調
された光は、反射性電極である第１電極４３により反射
し、反射出射光６６として、観察者側に入射とは逆の光
路で出射する。前記拡散層３９透過時に光は拡散され、
液晶５１の光学変調により明暗表示を行う。
【００６１】また、ＥＬ発光素子１７からの表示は第１
基板１から透過出射光６１として認識される。外部環境
が明るい場合に、ＥＬ発光素子１７の反射性電極からの
反射を防止するため、第１基板１のＥＬ発光素子１７を
設ける反対の面には、第２の位相差板５９と第２の偏光
板５８の順に設ける。第２の位相差板５９は、５３０ｎ
ｍの１／４波長となる位相差値を利用する。第２の偏光
板５８の表面は、無反射コートを施している。
基板１から透過出射光６１として認識される。外部環境
が明るい場合に、ＥＬ発光素子１７の反射性電極からの
反射を防止するため、第１基板１のＥＬ発光素子１７を
設ける反対の面には、第２の位相差板５９と第２の偏光
板５８の順に設ける。第２の位相差板５９は、５３０ｎ
ｍの１／４波長となる位相差値を利用する。第２の偏光
板５８の表面は、無反射コートを施している。
【００６２】本実施形態を使用することにより、液晶表
示部は、反射型で良好な表示が可能となり、ＥＬ発光素
子１７の発光は、発光表示単独で利用する表示品質と同
等にできるとともに、第１基板１に対して両面の表示が
可能となる。反射表示と発光表示では、観察者が見る基
板面が異なるため、反射表示を正表示とすると、発光表
示は、左右あるいは上下が逆転する表示となる。そのた
め、駆動にて、発光表示の際には、左右あるいは上下を
逆転し、反射表示と同等の表示を行う。
示部は、反射型で良好な表示が可能となり、ＥＬ発光素
子１７の発光は、発光表示単独で利用する表示品質と同
等にできるとともに、第１基板１に対して両面の表示が
可能となる。反射表示と発光表示では、観察者が見る基
板面が異なるため、反射表示を正表示とすると、発光表
示は、左右あるいは上下が逆転する表示となる。そのた
め、駆動にて、発光表示の際には、左右あるいは上下を
逆転し、反射表示と同等の表示を行う。
【００６３】＜第６の実施形態＞
〔第６の実施形態のおける液晶表示装置の構成：図８〕
以下に本発明の第６の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。第
６の実施形態の特徴は、ＥＬ発光素子への水分の影響を
より防止するために、ＥＬ発光素子上に保護膜と層間絶
縁膜の２層膜を使用する点である。さらに、層間絶縁膜
は、第１電極を形成する面の有機ＥＬ素子における素子
段差分を平滑化する機能も有している。図８は、第６の
実施形態における発光素子内在型液晶表示素子の一部を
拡大する断面である。以下に、図８を用いて本実施形態
を説明する。また、第２の実施形態と同様な符号は、同
様な構成要件を示している。
以下に本発明の第６の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。第
６の実施形態の特徴は、ＥＬ発光素子への水分の影響を
より防止するために、ＥＬ発光素子上に保護膜と層間絶
縁膜の２層膜を使用する点である。さらに、層間絶縁膜
は、第１電極を形成する面の有機ＥＬ素子における素子
段差分を平滑化する機能も有している。図８は、第６の
実施形態における発光素子内在型液晶表示素子の一部を
拡大する断面である。以下に、図８を用いて本実施形態
を説明する。また、第２の実施形態と同様な符号は、同
様な構成要件を示している。
【００６４】ＥＬ発光素子１７は、第２の実施形態と同
様な構成を採用する。前記ＥＬ発光素子１７上には、Ｅ
Ｌ発光素子１７への水分の浸透を防止するために酸化シ
リコン膜からなる保護膜１１を設ける。さらに、保護膜
１１上には、透明アクリル樹脂からなる層間絶縁膜２５
を２μｍの厚さで設ける。ＥＬ発光素子１７の厚さは、
２００ｎｍ程度であるため、２μｍの厚さの層間絶縁膜
２５は、表面をほぼ平坦にする。
様な構成を採用する。前記ＥＬ発光素子１７上には、Ｅ
Ｌ発光素子１７への水分の浸透を防止するために酸化シ
リコン膜からなる保護膜１１を設ける。さらに、保護膜
１１上には、透明アクリル樹脂からなる層間絶縁膜２５
を２μｍの厚さで設ける。ＥＬ発光素子１７の厚さは、
２００ｎｍ程度であるため、２μｍの厚さの層間絶縁膜
２５は、表面をほぼ平坦にする。
【００６５】前記層間絶縁膜２５上には、透明導電膜と
して酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなるストライ
プ状の第１電極４３を設ける。第１電極４３と所定の間
隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４１上に設
ける。第２電極４２は、第１電極４３とほぼ直交する方
向のストライプ電極である。第１電極４３と第２電極４
２との交差部が液晶表示画素である。
して酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなるストライ
プ状の第１電極４３を設ける。第１電極４３と所定の間
隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４１上に設
ける。第２電極４２は、第１電極４３とほぼ直交する方
向のストライプ電極である。第１電極４３と第２電極４
２との交差部が液晶表示画素である。
【００６６】第１電極４３と第２電極４２との間隙に
は、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶から
なる液晶５１を有する。第２基板４１上には、第２の実
施形態と同様に位相差板５６と偏光板５５とを順に積層
する。
は、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶から
なる液晶５１を有する。第２基板４１上には、第２の実
施形態と同様に位相差板５６と偏光板５５とを順に積層
する。
【００６７】反射表示の場合には、外部光源（図示せ
ず）からの反射入射光６５は、偏光板５５と位相差板５
６および第２基板４１と第２電極４２とを透過し、液晶
５１に入射し、光学変調されＥＬ発光素子１７を構成す
る反射性電極２４により反射し、反射出射光６６とし
て、観察者側に入射とは逆の光路で出射する。液晶５１
の光学変調により明暗表示を行う。また、ＥＬ発光素子
１７点灯時には、発光が液晶５１を透過し、偏光板６１
より透過出射光６１として観察者側に出射する。
ず）からの反射入射光６５は、偏光板５５と位相差板５
６および第２基板４１と第２電極４２とを透過し、液晶
５１に入射し、光学変調されＥＬ発光素子１７を構成す
る反射性電極２４により反射し、反射出射光６６とし
て、観察者側に入射とは逆の光路で出射する。液晶５１
の光学変調により明暗表示を行う。また、ＥＬ発光素子
１７点灯時には、発光が液晶５１を透過し、偏光板６１
より透過出射光６１として観察者側に出射する。
【００６８】本実施形態に示すように、厚膜の層間絶縁
膜２５を設けることにより、ＥＬ発光素子１７と液晶５
１とを分離できる。また、ＥＬ発光素子１７への透水性
をより低減できる。さらに保護膜１１のピンホールによ
る劣化を防止できる。また、第１電極４３を形成する面
を平坦化することができる。以上により発光素子内在型
液晶表示素子の信頼性の向上が可能となる。また、本実
施形態では用いなかったが、保護膜１１を２回に分けて
形成することにより、ピンホール確立を低減することが
可能であった。
膜２５を設けることにより、ＥＬ発光素子１７と液晶５
１とを分離できる。また、ＥＬ発光素子１７への透水性
をより低減できる。さらに保護膜１１のピンホールによ
る劣化を防止できる。また、第１電極４３を形成する面
を平坦化することができる。以上により発光素子内在型
液晶表示素子の信頼性の向上が可能となる。また、本実
施形態では用いなかったが、保護膜１１を２回に分けて
形成することにより、ピンホール確立を低減することが
可能であった。
【００６９】＜第７の実施形態＞
〔第７の実施形態のおける液晶表示装置の構成：図９〕
以下に本発明の第７の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。第
７の実施形態の特徴は、ＥＬ発光素子上に、保護膜、カ
ラー・フィルタと層間絶縁膜の順に設ける点である。図
９は、第７の実施形態における発光素子内在型液晶表示
素子の一部を拡大する断面である。以下に、図９を用い
て第７の実施形態を説明する。また、第２の実施形態と
同様な符号は、同様な構成要件を示している。
以下に本発明の第７の実施形態における発光素子内在型
液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。第
７の実施形態の特徴は、ＥＬ発光素子上に、保護膜、カ
ラー・フィルタと層間絶縁膜の順に設ける点である。図
９は、第７の実施形態における発光素子内在型液晶表示
素子の一部を拡大する断面である。以下に、図９を用い
て第７の実施形態を説明する。また、第２の実施形態と
同様な符号は、同様な構成要件を示している。
【００７０】ＥＬ発光素子１７は、第２の実施形態と同
様な構成を採用する。前記ＥＬ発光素子１７上には、Ｅ
Ｌ発光素子１７への水分の浸透を防止するために酸化シ
リコン膜からなる保護膜１１を設ける。さらに、保護膜
１１上には、各画素毎に赤（Ｒ）４４、緑（Ｇ）４５と
青（Ｂ）４６のカラー・フィルタを設ける。カラー・フ
ィルタはドライフィルムからの転写方式を真空中で行う
ことで有機ＥＬ素子１７への劣化を防止できた。さら
に、カラー・フィルタ上には、透明エポキシ樹脂からな
る層間絶縁膜２５を形成する。
様な構成を採用する。前記ＥＬ発光素子１７上には、Ｅ
Ｌ発光素子１７への水分の浸透を防止するために酸化シ
リコン膜からなる保護膜１１を設ける。さらに、保護膜
１１上には、各画素毎に赤（Ｒ）４４、緑（Ｇ）４５と
青（Ｂ）４６のカラー・フィルタを設ける。カラー・フ
ィルタはドライフィルムからの転写方式を真空中で行う
ことで有機ＥＬ素子１７への劣化を防止できた。さら
に、カラー・フィルタ上には、透明エポキシ樹脂からな
る層間絶縁膜２５を形成する。
【００７１】この層間絶縁膜２５上には、透明導電膜と
して酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなるストライ
プ状の第１電極４３を設ける。第１電極４３と所定の間
隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４１上に設
ける。第２電極４２は、第１電極４３とほぼ直交する方
向のストライプ電極である。第１電極４３と第２電極４
２との交差部が液晶表示画素である。第１電極４３と第
２電極４２との間隙には、スーパーツイストネマティッ
ク（ＳＴＮ）液晶からなる液晶５１を有する。第２基板
４１上には、第２の実施形態と同様に位相差板５６と偏
光板５５とを順に積層する。
して酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなるストライ
プ状の第１電極４３を設ける。第１電極４３と所定の間
隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４１上に設
ける。第２電極４２は、第１電極４３とほぼ直交する方
向のストライプ電極である。第１電極４３と第２電極４
２との交差部が液晶表示画素である。第１電極４３と第
２電極４２との間隙には、スーパーツイストネマティッ
ク（ＳＴＮ）液晶からなる液晶５１を有する。第２基板
４１上には、第２の実施形態と同様に位相差板５６と偏
光板５５とを順に積層する。
【００７２】反射表示の場合には、外部光源（図示せ
ず）からの反射入射光６５は、偏光板５５と位相差板５
６および第２基板４１と第２電極４２とを透過し、液晶
５１に入射し、光学変調されＥＬ発光素子１７を構成す
る反射性電極２４により反射し、反射出射光６６とし
て、観察者側に入射とは逆の光路で出射する。液晶５１
の光学変調により明暗表示を行う。また、ＥＬ発光素子
１７点灯時には、発光が液晶５１を透過し、偏光板６１
より透過出射光６１として観察者側に出射する。
ず）からの反射入射光６５は、偏光板５５と位相差板５
６および第２基板４１と第２電極４２とを透過し、液晶
５１に入射し、光学変調されＥＬ発光素子１７を構成す
る反射性電極２４により反射し、反射出射光６６とし
て、観察者側に入射とは逆の光路で出射する。液晶５１
の光学変調により明暗表示を行う。また、ＥＬ発光素子
１７点灯時には、発光が液晶５１を透過し、偏光板６１
より透過出射光６１として観察者側に出射する。
【００７３】本実施形態に示すように、ＥＬ発光素子１
７と第１電極との間に、カラー・フィルタと層間絶縁膜
の２層の異なる厚膜絶縁膜を設けることにより、ＥＬ発
光素子１７と液晶５１とを分離できる。また、ＥＬ発光
素子１７への透水性を低減できる。さらに保護膜１１の
ピンホールによる劣化を防止できる。また、第１電極４
３を形成する面を平坦化することができる。以上により
発光素子内在型液晶表示素子の信頼性の向上が可能とな
る。
７と第１電極との間に、カラー・フィルタと層間絶縁膜
の２層の異なる厚膜絶縁膜を設けることにより、ＥＬ発
光素子１７と液晶５１とを分離できる。また、ＥＬ発光
素子１７への透水性を低減できる。さらに保護膜１１の
ピンホールによる劣化を防止できる。また、第１電極４
３を形成する面を平坦化することができる。以上により
発光素子内在型液晶表示素子の信頼性の向上が可能とな
る。
【００７４】さらに、ＥＬ発光素子１７の発光部とカラ
ー・フィルタとを接近でき、さらに、反射性電極２４と
カラー・フィルタとが接近しているので、反射入射光６
５と反射出射光６６とが、同一色のカラー・フィルタを
通ることができ、表示のにじみがなく、鮮明な表示が可
能となる。
ー・フィルタとを接近でき、さらに、反射性電極２４と
カラー・フィルタとが接近しているので、反射入射光６
５と反射出射光６６とが、同一色のカラー・フィルタを
通ることができ、表示のにじみがなく、鮮明な表示が可
能となる。
【００７５】＜第８の実施形態＞
〔第８の実施形態のおける液晶表示装置の構成：図１
０〕以下に本発明の第８の実施形態における発光素子内
在型液晶表示素子について図面を参照しながら説明す
る。第８の実施形態の特徴は、第１電極が反射性電極で
あり、さらに、ＥＬ発光素子上の第１電極に反射性電極
開口部を設け、さらに、反射性電極表面は、凹凸を有す
る点である。図１０は、第８の実施形態における発光素
子内在型液晶表示素子の一部を拡大する断面である。以
下に、図１０を用いて第８の実施形態を説明する。ま
た、第３の実施形態と同様な符号は、同様な構成要件を
示している。
０〕以下に本発明の第８の実施形態における発光素子内
在型液晶表示素子について図面を参照しながら説明す
る。第８の実施形態の特徴は、第１電極が反射性電極で
あり、さらに、ＥＬ発光素子上の第１電極に反射性電極
開口部を設け、さらに、反射性電極表面は、凹凸を有す
る点である。図１０は、第８の実施形態における発光素
子内在型液晶表示素子の一部を拡大する断面である。以
下に、図１０を用いて第８の実施形態を説明する。ま
た、第３の実施形態と同様な符号は、同様な構成要件を
示している。
【００７６】まずＥＬ発光素子１７は、第３の実施形態
と同様な構成を採用する。前記ＥＬ発光素子１７上に
は、ＥＬ発光素子１７への水分の浸透を防止するために
酸化シリコン膜からなる保護膜１１を設ける。保護膜１
１は、表面形状に凹凸を有する透明アクリル樹脂からな
る凹凸層間絶縁膜２７を有している。凹凸層間絶縁膜２
７上には、銀合金膜からなる反射性電極として第１電極
２８を設ける。第１電極２８のＥＬ発光素子１７と重な
る領域には、反射性電極開口部４９を有する。第１電極
２８は、ストライプ状である。反射性電極開口部４９
は、ストライプ状、正方形、長方形、楕円、多角形でよ
く、第１電極２８の幅の範囲内側に設けている。
と同様な構成を採用する。前記ＥＬ発光素子１７上に
は、ＥＬ発光素子１７への水分の浸透を防止するために
酸化シリコン膜からなる保護膜１１を設ける。保護膜１
１は、表面形状に凹凸を有する透明アクリル樹脂からな
る凹凸層間絶縁膜２７を有している。凹凸層間絶縁膜２
７上には、銀合金膜からなる反射性電極として第１電極
２８を設ける。第１電極２８のＥＬ発光素子１７と重な
る領域には、反射性電極開口部４９を有する。第１電極
２８は、ストライプ状である。反射性電極開口部４９
は、ストライプ状、正方形、長方形、楕円、多角形でよ
く、第１電極２８の幅の範囲内側に設けている。
【００７７】反射性電極である第１電極２８表面の凹凸
により、外部光を反射する際に、拡散性を付与できる。
第１基板１と所定の間隙を設けて対向する第２基板４１
上には、液晶５１に面する側に、各画素毎に赤（Ｒ）４
４、緑（Ｇ）４５と青（Ｂ）４６のカラー・フィルタを
設ける。カラー・フィルタ上には、ストライプ状の第２
電極４２を設ける。第２電極４２は、第１電極２８とほ
ぼ直交する方向のストライプ電極であり、第１電極２８
と第２電極４２との交差部が液晶表示画素である。
により、外部光を反射する際に、拡散性を付与できる。
第１基板１と所定の間隙を設けて対向する第２基板４１
上には、液晶５１に面する側に、各画素毎に赤（Ｒ）４
４、緑（Ｇ）４５と青（Ｂ）４６のカラー・フィルタを
設ける。カラー・フィルタ上には、ストライプ状の第２
電極４２を設ける。第２電極４２は、第１電極２８とほ
ぼ直交する方向のストライプ電極であり、第１電極２８
と第２電極４２との交差部が液晶表示画素である。
【００７８】第１電極２８と第２電極４２との間隙に
は、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶から
なる液晶５１を有する。第２基板４１上には、位相差板
５６と偏光板５５の順に積層する。反射表示の場合に
は、外部光源（図示せず）からの反射入射光６５は、偏
光板５５と位相差板５６および第２基板４１とカラー・
フィルタと第２電極４２とを透過し、液晶５１に入射
し、光学変調され反射性電極である第１電極２８の開口
部以外の領域から拡散反射され、反射出射光６６として
観察者側に入射とは逆の経路で出射する。液晶５１の光
学変調により明暗表示を行う。また、ＥＬ発光素子１７
点灯時には、第１電極２８の反射性電極開口部４９を通
過する発光が液晶５１を透過し、偏光板６１より透過出
射光６１として観察者側に出射する。
は、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶から
なる液晶５１を有する。第２基板４１上には、位相差板
５６と偏光板５５の順に積層する。反射表示の場合に
は、外部光源（図示せず）からの反射入射光６５は、偏
光板５５と位相差板５６および第２基板４１とカラー・
フィルタと第２電極４２とを透過し、液晶５１に入射
し、光学変調され反射性電極である第１電極２８の開口
部以外の領域から拡散反射され、反射出射光６６として
観察者側に入射とは逆の経路で出射する。液晶５１の光
学変調により明暗表示を行う。また、ＥＬ発光素子１７
点灯時には、第１電極２８の反射性電極開口部４９を通
過する発光が液晶５１を透過し、偏光板６１より透過出
射光６１として観察者側に出射する。
【００７９】本実施形態に示すように、液晶表示素子の
反射部材として、ＥＬ発光素子１７を構成する反射性電
極を用いることなく、独自に第１電極２８を反射性電極
としている。以上により、ＥＬ発光素子１７の発光層２
３等での吸収による反射率の低下を回避できる。さら
に、発光層２３等による着色を回避できる。また、第１
電極２８に反射性電極開口部４９を設けることにより、
ＥＬ発光素子からの発光を観察者側に有効に取り出すこ
とが可能となる。さらに、凹凸層間絶縁膜を用いること
により反射性電極である第１電極２８表面が凹凸にな
り、拡散反射面を形成することができる。拡散部と反射
部とが一体化できるため、液晶表示素子の表示品質向上
が達成できる。
反射部材として、ＥＬ発光素子１７を構成する反射性電
極を用いることなく、独自に第１電極２８を反射性電極
としている。以上により、ＥＬ発光素子１７の発光層２
３等での吸収による反射率の低下を回避できる。さら
に、発光層２３等による着色を回避できる。また、第１
電極２８に反射性電極開口部４９を設けることにより、
ＥＬ発光素子からの発光を観察者側に有効に取り出すこ
とが可能となる。さらに、凹凸層間絶縁膜を用いること
により反射性電極である第１電極２８表面が凹凸にな
り、拡散反射面を形成することができる。拡散部と反射
部とが一体化できるため、液晶表示素子の表示品質向上
が達成できる。
【００８０】ＥＬ発光素子１７からの出射光は、透過出
射光６１として偏光板５５から観察者側に出射される。
透過出射光６１は、拡散層を設けていないため、不必要
な拡散が発生せず、画素のにじみを発生することなく、
鮮明な表示が可能となる。さらに、反射性電極開口部４
９の周囲の第１電極２８が遮光効果を有するため、ブラ
ックマトリクスとして機能し、発光のにじみを防止し、
鮮明な表示が可能となる。
射光６１として偏光板５５から観察者側に出射される。
透過出射光６１は、拡散層を設けていないため、不必要
な拡散が発生せず、画素のにじみを発生することなく、
鮮明な表示が可能となる。さらに、反射性電極開口部４
９の周囲の第１電極２８が遮光効果を有するため、ブラ
ックマトリクスとして機能し、発光のにじみを防止し、
鮮明な表示が可能となる。
【００８１】＜第９の実施形態＞
〔第９の実施形態のおける液晶表示装置の構成：図１
１〕以下に本発明の第９の実施形態における発光素子内
在型液晶表示素子について図面を参照しながら説明す
る。第９の実施形態の特徴は、ＥＬ発光素子の発光層が
着色しており、さらに、発光色も着色しており、ＥＬ発
光素子はそれぞれ異なる色を発光する複数種類のＥＬ発
光素子である点である。図１１は、第９の実施形態にお
ける発光素子内在型液晶表示素子の一部を拡大する断面
である。以下に、図１１を用いて第９の実施形態を説明
する。第２の実施形態と同様な符号は、同様な構成要件
を示している。
１〕以下に本発明の第９の実施形態における発光素子内
在型液晶表示素子について図面を参照しながら説明す
る。第９の実施形態の特徴は、ＥＬ発光素子の発光層が
着色しており、さらに、発光色も着色しており、ＥＬ発
光素子はそれぞれ異なる色を発光する複数種類のＥＬ発
光素子である点である。図１１は、第９の実施形態にお
ける発光素子内在型液晶表示素子の一部を拡大する断面
である。以下に、図１１を用いて第９の実施形態を説明
する。第２の実施形態と同様な符号は、同様な構成要件
を示している。
【００８２】まず、第１基板１上には、反射性金属電極
からなるカソード電極２４を銀とマグネシウム合金にて
形成する。赤色発光のＥＬ発光素子では、カソード電極
２４上には、キノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ）からな
る電子輸送層２２と、ユーロピウム（Ｅｕ）錯体からな
る発光層２３と、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）
からなる正孔（ホール）輸送層３５と、透明導電膜とし
て酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなるアノード電
極２１とを、前記の順に積層する。また、カソード電極
２４と電子輸送層２２との間には、発光領域の限定と、
カソード電極２４とアノード電極２１との電気的短絡を
防止するために、アクリル樹脂からなる位置決め絶縁膜
２０を設ける。
からなるカソード電極２４を銀とマグネシウム合金にて
形成する。赤色発光のＥＬ発光素子では、カソード電極
２４上には、キノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ）からな
る電子輸送層２２と、ユーロピウム（Ｅｕ）錯体からな
る発光層２３と、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）
からなる正孔（ホール）輸送層３５と、透明導電膜とし
て酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなるアノード電
極２１とを、前記の順に積層する。また、カソード電極
２４と電子輸送層２２との間には、発光領域の限定と、
カソード電極２４とアノード電極２１との電気的短絡を
防止するために、アクリル樹脂からなる位置決め絶縁膜
２０を設ける。
【００８３】つぎに、緑色発光のＥＬ発光素子では、カ
ソード電極２４上には、赤色発光のＥＬ発光素子のユー
ロピウム（Ｅｕ）錯体からなる発光層に代えて、テルビ
ウム（Ｔｂ）錯体からなる発光層２３を使用する。以上
の２種類の発光層を図１１には、図示している。また、
青色発光の場合には、発光層にトリフェニルアミン誘導
体（ＴＰＤ）からなる発光層を使用する。以上のＥＬ発
光素子１７を表示にマトリクス状に配置することでカラ
ー表示が可能となる。
ソード電極２４上には、赤色発光のＥＬ発光素子のユー
ロピウム（Ｅｕ）錯体からなる発光層に代えて、テルビ
ウム（Ｔｂ）錯体からなる発光層２３を使用する。以上
の２種類の発光層を図１１には、図示している。また、
青色発光の場合には、発光層にトリフェニルアミン誘導
体（ＴＰＤ）からなる発光層を使用する。以上のＥＬ発
光素子１７を表示にマトリクス状に配置することでカラ
ー表示が可能となる。
【００８４】前記ＥＬ発光素子１７上には、ＥＬ発光素
子１７への水分の浸透を防止するために酸化シリコン膜
からなる保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、透明
導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる
ストライプ状の第１電極４３を設ける。第１電極４３と
所定の間隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４
１上に設ける。第２電極４２は、第１電極４３とほぼ直
交する方向のストライプ電極である。第１電極４３と第
２電極４２との交差部が液晶表示画素である。第１電極
４３と第２電極４２との間隙には、スーパーツイストネ
マティック（ＳＴＮ）液晶からなる液晶５１を有する。
第２基板４１上には、第２の実施形態と同様に、位相差
板５６と偏光板５５とを順に積層した。
子１７への水分の浸透を防止するために酸化シリコン膜
からなる保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、透明
導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる
ストライプ状の第１電極４３を設ける。第１電極４３と
所定の間隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４
１上に設ける。第２電極４２は、第１電極４３とほぼ直
交する方向のストライプ電極である。第１電極４３と第
２電極４２との交差部が液晶表示画素である。第１電極
４３と第２電極４２との間隙には、スーパーツイストネ
マティック（ＳＴＮ）液晶からなる液晶５１を有する。
第２基板４１上には、第２の実施形態と同様に、位相差
板５６と偏光板５５とを順に積層した。
【００８５】液晶表示素子の反射表示の際には、反射入
射光６５は、偏光板、位相差板、拡散層３９を通過し、
液晶５１により変調し、ＥＬ発光素子１７を構成する着
色している発光層２３により僅かに着色し、反射性電極
であるカソード電極２４で反射し、逆経路で偏光板５５
から観察者側に出射する。異なる発光層を有するＥＬ発
光素子１７では異なる反射色として観察者側に出射す
る。液晶表示素子が反射光を出射する状況では、反射色
を呈示し、反射光を偏光板で吸収する状況では、暗表示
となる。
射光６５は、偏光板、位相差板、拡散層３９を通過し、
液晶５１により変調し、ＥＬ発光素子１７を構成する着
色している発光層２３により僅かに着色し、反射性電極
であるカソード電極２４で反射し、逆経路で偏光板５５
から観察者側に出射する。異なる発光層を有するＥＬ発
光素子１７では異なる反射色として観察者側に出射す
る。液晶表示素子が反射光を出射する状況では、反射色
を呈示し、反射光を偏光板で吸収する状況では、暗表示
となる。
【００８６】また、ＥＬ発光素子１７の点灯画素では、
スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板
と位相差板とで透過率を最大とし、非点灯画素では、ス
ーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板と
位相差板とで透過率を低下することにより、ＥＬ発光素
子１７を使用する状況でも、外部光とＥＬ発光素子１７
の発光の両方を利用することが可能となる。また、赤の
透過出射光ａ６１と緑の透過出射光ｂ６２となり、観察
者側に出射する。
スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板
と位相差板とで透過率を最大とし、非点灯画素では、ス
ーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板と
位相差板とで透過率を低下することにより、ＥＬ発光素
子１７を使用する状況でも、外部光とＥＬ発光素子１７
の発光の両方を利用することが可能となる。また、赤の
透過出射光ａ６１と緑の透過出射光ｂ６２となり、観察
者側に出射する。
【００８７】以上の説明から明らかなように、ＥＬ発光
素子の発光層にカラー発光層を用い、さらに、液晶表示
素子の反射部材に、ＥＬ発光素子を構成する反射性電極
を利用することにより、カラー・フィルタを設けること
なく、液晶表示素子の反射表示に着色表示が可能とな
る。さらに、ＥＬ発光素子のカラー発光表示も可能とな
る。
素子の発光層にカラー発光層を用い、さらに、液晶表示
素子の反射部材に、ＥＬ発光素子を構成する反射性電極
を利用することにより、カラー・フィルタを設けること
なく、液晶表示素子の反射表示に着色表示が可能とな
る。さらに、ＥＬ発光素子のカラー発光表示も可能とな
る。
【００８８】＜第１０の実施形態＞
〔第１０の実施形態のおける液晶表示装置の構成：図１
２〕以下に本発明の第１０の実施形態における発光素子
内在型液晶表示素子について図面を参照しながら説明す
る。第１０の実施形態の特徴は、ＥＬ発光素子に半導体
スイッチング素子を有する点である。本半導体スイッチ
ング素子は、半導体層にポリシリコンを有する薄膜トラ
ンジスター（ＴＦＴ）である。図１２は、第１０の実施
形態における発光素子内在型液晶表示素子の一部を拡大
する断面である。以下に、図１２を用いて第１０の実施
形態を説明する。第２の実施形態と同様な符号は、同様
な構成要件を示している。
２〕以下に本発明の第１０の実施形態における発光素子
内在型液晶表示素子について図面を参照しながら説明す
る。第１０の実施形態の特徴は、ＥＬ発光素子に半導体
スイッチング素子を有する点である。本半導体スイッチ
ング素子は、半導体層にポリシリコンを有する薄膜トラ
ンジスター（ＴＦＴ）である。図１２は、第１０の実施
形態における発光素子内在型液晶表示素子の一部を拡大
する断面である。以下に、図１２を用いて第１０の実施
形態を説明する。第２の実施形態と同様な符号は、同様
な構成要件を示している。
【００８９】まず、第１基板１上には、ポリシリコン膜
からなる半導体層４を設ける。前記半導体層４のソース
領域とドレイン領域には、不純物イオンをドーピングし
た不純物ドープ半導体層５を設ける。半導体層４上に
は、ポリシリコン膜を酸化した酸化シリコン膜からなる
ゲート絶縁膜３を設ける。ゲート絶縁膜３上には、ゲー
ト電極２を形成し、ソース領域には、ソース電極６を、
ドレイン領域には、ドレイン電極７を形成する。以上に
より、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を構成する。
からなる半導体層４を設ける。前記半導体層４のソース
領域とドレイン領域には、不純物イオンをドーピングし
た不純物ドープ半導体層５を設ける。半導体層４上に
は、ポリシリコン膜を酸化した酸化シリコン膜からなる
ゲート絶縁膜３を設ける。ゲート絶縁膜３上には、ゲー
ト電極２を形成し、ソース領域には、ソース電極６を、
ドレイン領域には、ドレイン電極７を形成する。以上に
より、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を構成する。
【００９０】薄膜トランジスター上には、保護膜１１と
第２の層間絶縁膜２６を形成する。第２の層間絶縁膜２
６により、薄膜トランジスターによる段差は平坦化処理
され、第２の層間絶縁膜２６の表面は、平坦化する。さ
らに、薄膜トランジスターの不必要な部分とカソード電
極２４との電気的短絡も防止している。第２の層間絶縁
膜２６には、ＥＬ接続用開口部１３を有し、ドレイン電
極７に接続するドレイン接続電極８とカソード電極２４
との接続を行っている。カソード電極２４は、画素毎に
分割し、各画素には、薄膜トランジスターを有する。い
わゆるアクティブマトリクス型ＥＬ発光素子を構成して
いる。
第２の層間絶縁膜２６を形成する。第２の層間絶縁膜２
６により、薄膜トランジスターによる段差は平坦化処理
され、第２の層間絶縁膜２６の表面は、平坦化する。さ
らに、薄膜トランジスターの不必要な部分とカソード電
極２４との電気的短絡も防止している。第２の層間絶縁
膜２６には、ＥＬ接続用開口部１３を有し、ドレイン電
極７に接続するドレイン接続電極８とカソード電極２４
との接続を行っている。カソード電極２４は、画素毎に
分割し、各画素には、薄膜トランジスターを有する。い
わゆるアクティブマトリクス型ＥＬ発光素子を構成して
いる。
【００９１】まず、カソード電極２４上には、トリアゾ
ール（ＴＡＺ）からなる発光層２３と、トリフェニルア
ミン誘導体（ＴＰＤ）からなる正孔（ホール）輸送層３
５と、透明導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）
膜からなるアノード電極２１とを、前記の順に積層す
る。本第１０の実施形態では、アクティブマトリクス型
のため、アノード電極２１は、表示部前面を覆う形状で
ある。前記カソード電極２４からアノード電極２１まで
の構成によりＥＬ発光素子１７を構成する。
ール（ＴＡＺ）からなる発光層２３と、トリフェニルア
ミン誘導体（ＴＰＤ）からなる正孔（ホール）輸送層３
５と、透明導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）
膜からなるアノード電極２１とを、前記の順に積層す
る。本第１０の実施形態では、アクティブマトリクス型
のため、アノード電極２１は、表示部前面を覆う形状で
ある。前記カソード電極２４からアノード電極２１まで
の構成によりＥＬ発光素子１７を構成する。
【００９２】前記ＥＬ発光素子１７上には、ＥＬ発光素
子１７への水分の浸透を防止するために酸化シリコン膜
からなる保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、透明
導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる
ストライプ状の第１電極４３を設ける。第１電極４３と
所定の間隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４
１上に設ける。第２電極４２もストライプ状に形成し、
第１電極４３とは、ほぼ直交する方向のストライプ電極
である。第１電極４３と第２電極４２との交差部が液晶
表示画素である。第１電極４３と第２電極４２との間隙
には、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶か
らなる液晶５１を有する。第２基板４１上には、第２の
実施形態と同様に、位相差板５６と偏光板５５とを順に
積層した。
子１７への水分の浸透を防止するために酸化シリコン膜
からなる保護膜１１を設ける。保護膜１１上には、透明
導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる
ストライプ状の第１電極４３を設ける。第１電極４３と
所定の間隙を設けて対向する第２電極４２を第２基板４
１上に設ける。第２電極４２もストライプ状に形成し、
第１電極４３とは、ほぼ直交する方向のストライプ電極
である。第１電極４３と第２電極４２との交差部が液晶
表示画素である。第１電極４３と第２電極４２との間隙
には、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶か
らなる液晶５１を有する。第２基板４１上には、第２の
実施形態と同様に、位相差板５６と偏光板５５とを順に
積層した。
【００９３】また、ＥＬ発光素子１７の点灯画素では、
スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板
と位相差板とで透過率を最大とし、非点灯画素では、ス
ーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板と
位相差板とで透過率を低下することにより、ＥＬ発光素
子１７を使用する状況でも、外部光とＥＬ発光素子１７
の発光の両方を利用することが可能となる。
スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板
と位相差板とで透過率を最大とし、非点灯画素では、ス
ーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）液晶と偏光板と
位相差板とで透過率を低下することにより、ＥＬ発光素
子１７を使用する状況でも、外部光とＥＬ発光素子１７
の発光の両方を利用することが可能となる。
【００９４】ＥＬ発光素子１７に半導体スイッチング素
子を接続することにより、発光強度が低下しても、多く
のマトリクス表示が可能となるため、ＥＬ発光素子１７
の劣化防止も可能となる。さらに、ＥＬ発光素子１７の
光による液晶５１の劣化も防止できる。また、カソード
電極２４からＥＬ発光層の光が、半導体スイッチング素
子へ漏れる場合には、第２の層間絶縁膜２６に光吸収材
を入れることで薄膜トランジスターへの光誤動作を防止
することが可能となる。また、ＥＬ発光素子１７からの
短波長の光による液晶５１の劣化を防止するためには、
保護膜１１上に紫外線吸収剤として酸化チタン膜を形成
することで液晶５１の劣化を防止することが可能とな
る。
子を接続することにより、発光強度が低下しても、多く
のマトリクス表示が可能となるため、ＥＬ発光素子１７
の劣化防止も可能となる。さらに、ＥＬ発光素子１７の
光による液晶５１の劣化も防止できる。また、カソード
電極２４からＥＬ発光層の光が、半導体スイッチング素
子へ漏れる場合には、第２の層間絶縁膜２６に光吸収材
を入れることで薄膜トランジスターへの光誤動作を防止
することが可能となる。また、ＥＬ発光素子１７からの
短波長の光による液晶５１の劣化を防止するためには、
保護膜１１上に紫外線吸収剤として酸化チタン膜を形成
することで液晶５１の劣化を防止することが可能とな
る。
【００９５】本実施形態では、第１基板１上に設けるポ
リシリコンからなる薄膜トランジスターをＥＬ発光素子
駆動用に用いているが、小面積、高密度表示、さらに
は、ＥＬ発光素子駆動用の半導体スイッチング素子をシ
リコン基板に半導体層として形成し、さらに、ＥＬ発光
素子駆動用半導体スイッチング素子を駆動するための電
源、あるいはロジック回路もシリコン基板を利用するこ
とにより、形成でき、回路をシリコン基板上に集積する
ことが可能となる。そのため、非常にコンパクトは発光
素子内在型液晶表示素子を形成することが可能となる。
ＥＬ発光素子駆動用半導体スイッチング素子としては、
ＳＲＡＭ回路が良好である。
リシリコンからなる薄膜トランジスターをＥＬ発光素子
駆動用に用いているが、小面積、高密度表示、さらに
は、ＥＬ発光素子駆動用の半導体スイッチング素子をシ
リコン基板に半導体層として形成し、さらに、ＥＬ発光
素子駆動用半導体スイッチング素子を駆動するための電
源、あるいはロジック回路もシリコン基板を利用するこ
とにより、形成でき、回路をシリコン基板上に集積する
ことが可能となる。そのため、非常にコンパクトは発光
素子内在型液晶表示素子を形成することが可能となる。
ＥＬ発光素子駆動用半導体スイッチング素子としては、
ＳＲＡＭ回路が良好である。
【００９６】
【発明の効果】本発明の発光素子内在型液晶表示素子
は、液晶表示素子を構成する基板の液晶に面する側に発
光素子を有するため、薄型化が可能である。さらに、液
晶表示素子と外部回路、また発光素子と外部回路との接
続を同一基板により達成することができるため取り扱い
が非常に簡単になる。また、発光素子を液晶表示素子の
画素であるドットサイズに分割し、液晶表示素子のドッ
トと発光素子のドットを一致させる。これにより、液晶
表示素子による反射表示と発光素子による発光表示の内
容を同一とすることが可能となる。
は、液晶表示素子を構成する基板の液晶に面する側に発
光素子を有するため、薄型化が可能である。さらに、液
晶表示素子と外部回路、また発光素子と外部回路との接
続を同一基板により達成することができるため取り扱い
が非常に簡単になる。また、発光素子を液晶表示素子の
画素であるドットサイズに分割し、液晶表示素子のドッ
トと発光素子のドットを一致させる。これにより、液晶
表示素子による反射表示と発光素子による発光表示の内
容を同一とすることが可能となる。
【００９７】また、発光素子をＥＬ発光素子とすること
により、発光効率が高く、低消費電力化が可能となる。
さらに、ＥＬ発光素子の発光層が薄膜のため薄型化が可
能となる。さらに、ＥＬ発光素子のカソード電極が仕事
関数の小さい金属電極で構成するため、液晶表示素子の
反射板を兼用することが可能となる。
により、発光効率が高く、低消費電力化が可能となる。
さらに、ＥＬ発光素子の発光層が薄膜のため薄型化が可
能となる。さらに、ＥＬ発光素子のカソード電極が仕事
関数の小さい金属電極で構成するため、液晶表示素子の
反射板を兼用することが可能となる。
【００９８】また、液晶表示素子は、液晶をシール材に
より封止するため、水分の混入を防止することができ
る。そのため、ＥＬ発光素子の水分による劣化を防止す
ることができるが、さらに、ＥＬ発光素子上に、例えば
窒化シリコン膜からなる保護膜を設けることでＥＬ発光
素子の水分による劣化をさらに低減できる。
より封止するため、水分の混入を防止することができ
る。そのため、ＥＬ発光素子の水分による劣化を防止す
ることができるが、さらに、ＥＬ発光素子上に、例えば
窒化シリコン膜からなる保護膜を設けることでＥＬ発光
素子の水分による劣化をさらに低減できる。
【００９９】さらに、保護膜上に液晶表示素子を構成す
る第１電極を形成することにより、ＥＬ発光素子を構成
する第３の電極あるいは第４の電極と、液晶表示素子を
構成する第１電極との電気的短絡を防止することが可能
となる。
る第１電極を形成することにより、ＥＬ発光素子を構成
する第３の電極あるいは第４の電極と、液晶表示素子を
構成する第１電極との電気的短絡を防止することが可能
となる。
【０１００】また、液晶表示素子を構成する第１基板上
に複数のＥＬ発光素子を構成し、ＥＬ発光素子を相互に
離れて設ける場合に、保護膜を設けることでＥＬ発光素
子の断面部の被覆ができ、ＥＬ発光素子の水分による劣
化をさらに防止することができる。また、ＥＬ発光素子
を構成する第３の電極あるいは第４の電極と液晶表示素
子を構成する第１電極との電気的短絡をより防止するこ
とが可能となる。
に複数のＥＬ発光素子を構成し、ＥＬ発光素子を相互に
離れて設ける場合に、保護膜を設けることでＥＬ発光素
子の断面部の被覆ができ、ＥＬ発光素子の水分による劣
化をさらに防止することができる。また、ＥＬ発光素子
を構成する第３の電極あるいは第４の電極と液晶表示素
子を構成する第１電極との電気的短絡をより防止するこ
とが可能となる。
【０１０１】また、保護膜上に、保護膜より厚膜の層間
絶縁膜として、例えばアクリル樹脂を設けることによ
り、表面の平坦化、さらには、保護膜のピンホールによ
る電気的短絡の防止が可能となる。また、液晶表示素子
を構成する第１電極からＥＬ発光素子に対する電圧の印
加を防止することが可能となり、ＥＬ発光素子の消費電
力の低減が可能となる。
絶縁膜として、例えばアクリル樹脂を設けることによ
り、表面の平坦化、さらには、保護膜のピンホールによ
る電気的短絡の防止が可能となる。また、液晶表示素子
を構成する第１電極からＥＬ発光素子に対する電圧の印
加を防止することが可能となり、ＥＬ発光素子の消費電
力の低減が可能となる。
【０１０２】さらに、液晶表示素子を構成する第１電極
を反射性電極とすることにより、液晶表示素子は明るい
表示を達成するとともに、ＥＬ発光素子の発光は第１基
板側に出射する構造とする。すなわち、液晶表示素子は
反射表示を行い、第２基板を通して認識し、ＥＬ発光素
子は発光表示を可能とし、第１基板と通して認識する。
このように構成することで両面表示が可能となる。
を反射性電極とすることにより、液晶表示素子は明るい
表示を達成するとともに、ＥＬ発光素子の発光は第１基
板側に出射する構造とする。すなわち、液晶表示素子は
反射表示を行い、第２基板を通して認識し、ＥＬ発光素
子は発光表示を可能とし、第１基板と通して認識する。
このように構成することで両面表示が可能となる。
【０１０３】また、第１電極を反射性電極とし、ＥＬ発
光素子上に設ける場合に、反射性電極にＥＬ発光素子の
発光を通過するための反射性電極開口部を設けることに
より、液晶表示素子の表示とＥＬ発光素子の表示とも第
１基板を通して認識することが可能となる。さらに、Ｅ
Ｌ発光素子の第１基板側に設けるカソード電極も反射性
電極のカソード電極とすることにより、第１電極に設け
る反射性電極開口部による反射強度の低下を反射性カソ
ード電極の反射により補強することが可能となる。以上
により、反射と発光表示を同１面で認識可能となり、さ
らに、反射表示も明るい表示が可能となる。
光素子上に設ける場合に、反射性電極にＥＬ発光素子の
発光を通過するための反射性電極開口部を設けることに
より、液晶表示素子の表示とＥＬ発光素子の表示とも第
１基板を通して認識することが可能となる。さらに、Ｅ
Ｌ発光素子の第１基板側に設けるカソード電極も反射性
電極のカソード電極とすることにより、第１電極に設け
る反射性電極開口部による反射強度の低下を反射性カソ
ード電極の反射により補強することが可能となる。以上
により、反射と発光表示を同１面で認識可能となり、さ
らに、反射表示も明るい表示が可能となる。
【０１０４】また、ＥＬ発光素子と第１電極の間に設け
る保護膜には、入射光を散乱させるための凹凸面を設け
ることにより、反射表示では所定の角度で明るい表示が
可能となるとともに、発光表示では前記所定の角度以外
では、反射強度が低減するため、ＥＬ発光素子の表示を
鮮明にすることが可能となる。また、第１基板の観察者
側に第１基板側から位相差板と偏光板を設け、位相差板
を１／４波長板とする。あるいは位相差板と液晶で１／
４波長とすることにより、反射板からの反射を防止する
ことが可能となり、ＥＬ発光素子の発光時のコントラス
トを向上することが可能となる。
る保護膜には、入射光を散乱させるための凹凸面を設け
ることにより、反射表示では所定の角度で明るい表示が
可能となるとともに、発光表示では前記所定の角度以外
では、反射強度が低減するため、ＥＬ発光素子の表示を
鮮明にすることが可能となる。また、第１基板の観察者
側に第１基板側から位相差板と偏光板を設け、位相差板
を１／４波長板とする。あるいは位相差板と液晶で１／
４波長とすることにより、反射板からの反射を防止する
ことが可能となり、ＥＬ発光素子の発光時のコントラス
トを向上することが可能となる。
【０１０５】また、液晶表示素子はカラー・フィルタを
内蔵している。さらにカラー・フィルタは第２基板の内
側面に形成している。第２基板の内面側に形成すること
により、液晶と近接できるためカラー・フィルタ間の干
渉が発生せず、画素のボケを防止することができる。あ
るいは、カラー・フィルタは、第１基板の第１電極上に
形成する。特に第１電極が反射性電極である場合には、
カラー・フィルタと反射性電極とが近接するため、カラ
ー・フィルタを透過した外部光が反射性電極で反射し、
再び同一のカラー・フィルタを透過する、すなわち隣の
色の異なるカラー・フィルタを透過することがなくなる
ため、混色による彩度の低下を防止することができる。
さらに、カラー・フィルタを第１電極とＥＬ発光素子と
の間に設ければ、ＥＬ発光素子による段差を低減すると
ともに、液晶あるいは外気からＥＬ発光素子への水分の
浸透を防止することが可能となる。特に、ＥＬ発光素子
の発光層にカラー発光層を用いる場合には、カラー・フ
ィルタと発光層の色調を同一とすることにより、カラー
・フィルタ層に含む顔料等の色素の配合を低減すること
ができ、透水性を低減することが可能となる。
内蔵している。さらにカラー・フィルタは第２基板の内
側面に形成している。第２基板の内面側に形成すること
により、液晶と近接できるためカラー・フィルタ間の干
渉が発生せず、画素のボケを防止することができる。あ
るいは、カラー・フィルタは、第１基板の第１電極上に
形成する。特に第１電極が反射性電極である場合には、
カラー・フィルタと反射性電極とが近接するため、カラ
ー・フィルタを透過した外部光が反射性電極で反射し、
再び同一のカラー・フィルタを透過する、すなわち隣の
色の異なるカラー・フィルタを透過することがなくなる
ため、混色による彩度の低下を防止することができる。
さらに、カラー・フィルタを第１電極とＥＬ発光素子と
の間に設ければ、ＥＬ発光素子による段差を低減すると
ともに、液晶あるいは外気からＥＬ発光素子への水分の
浸透を防止することが可能となる。特に、ＥＬ発光素子
の発光層にカラー発光層を用いる場合には、カラー・フ
ィルタと発光層の色調を同一とすることにより、カラー
・フィルタ層に含む顔料等の色素の配合を低減すること
ができ、透水性を低減することが可能となる。
【０１０６】さらに、発光素子内在型液晶表示素子は、
光拡散層を内蔵する。光拡散層を設けることにより、液
晶の反射表示の視野角依存性を低減できる。また、ＥＬ
発光素子の発光も散乱できるため、発光の視認性も向上
する。特に、光拡散層を第２基板の内側面に設けること
により、光拡散層は、発光素子内在型液晶表示素子の反
射性電極に近接して設けられるため、光拡散層を透過
し、反射性電極から反射し、再度光拡散層を透過する際
に生じる光路差を低減し、鮮明な表示が可能となる。
光拡散層を内蔵する。光拡散層を設けることにより、液
晶の反射表示の視野角依存性を低減できる。また、ＥＬ
発光素子の発光も散乱できるため、発光の視認性も向上
する。特に、光拡散層を第２基板の内側面に設けること
により、光拡散層は、発光素子内在型液晶表示素子の反
射性電極に近接して設けられるため、光拡散層を透過
し、反射性電極から反射し、再度光拡散層を透過する際
に生じる光路差を低減し、鮮明な表示が可能となる。
【０１０７】また、液晶表示素子はＥＬ発光素子を駆動
するために半導体スイッチング素子を設けている。マト
リクス状に配置する表示画素数が多くなることにより、
各ＥＬ発光素子を点灯できる選択時間が短時間化するた
め所定の明るさを維持するためには、選択時間が短縮す
る分、高輝度にする必要がある。高輝度にするために
は、ＥＬ発光素子に大きなストレスを掛けるため、寿命
が短くなってしまう。そのため、半導体スイッチング素
子を用い、選択時間の短縮防止を行う。また、液晶表示
素子を駆動する第１電極は、半導体スイッチング素子上
に設ける保護膜上に形成する。
するために半導体スイッチング素子を設けている。マト
リクス状に配置する表示画素数が多くなることにより、
各ＥＬ発光素子を点灯できる選択時間が短時間化するた
め所定の明るさを維持するためには、選択時間が短縮す
る分、高輝度にする必要がある。高輝度にするために
は、ＥＬ発光素子に大きなストレスを掛けるため、寿命
が短くなってしまう。そのため、半導体スイッチング素
子を用い、選択時間の短縮防止を行う。また、液晶表示
素子を駆動する第１電極は、半導体スイッチング素子上
に設ける保護膜上に形成する。
【０１０８】さらに、半導体スイッチング素子は、第１
基板上に形成し、半導体スイッチング素子上にＥＬ発光
素子を形成する。半導体スイッチング素子を形成する工
程で、ＥＬ発光素子の特性劣化を防止するためである。
また、半導体スイッチング素子とＥＬ発光素子との接続
を容易にするために、同一基板上に、半導体スイッチン
グ素子とＥＬ発光素子の順に形成している。さらに、Ｅ
Ｌ発光素子上に液晶表示素子を構成する第１電極を設け
ている。以上により、半導体スイッチング素子に接続す
るＥＬ発光素子を内蔵する液晶表示素子を形成すること
が可能となる。
基板上に形成し、半導体スイッチング素子上にＥＬ発光
素子を形成する。半導体スイッチング素子を形成する工
程で、ＥＬ発光素子の特性劣化を防止するためである。
また、半導体スイッチング素子とＥＬ発光素子との接続
を容易にするために、同一基板上に、半導体スイッチン
グ素子とＥＬ発光素子の順に形成している。さらに、Ｅ
Ｌ発光素子上に液晶表示素子を構成する第１電極を設け
ている。以上により、半導体スイッチング素子に接続す
るＥＬ発光素子を内蔵する液晶表示素子を形成すること
が可能となる。
【０１０９】また、第１基板にシリコン基板を利用し、
シリコン基板を半導体スイッチング素子の半導体層とし
て利用することにより、各画素に設けるＥＬ発光素子の
スイッチング素子と、発光素子内在型液晶表示素子を駆
動するための駆動回路も第１基板でほぼ完結することが
可能となる。そのため、外部部品数の低減、外部回路と
の接続数の低減、高集積化が可能となる。
シリコン基板を半導体スイッチング素子の半導体層とし
て利用することにより、各画素に設けるＥＬ発光素子の
スイッチング素子と、発光素子内在型液晶表示素子を駆
動するための駆動回路も第１基板でほぼ完結することが
可能となる。そのため、外部部品数の低減、外部回路と
の接続数の低減、高集積化が可能となる。
【０１１０】また、液晶として、偏光板、あるいは偏光
板と位相差板を用いることなく、明暗表示を可能とする
液晶を用いる。本発明では、液晶分子と２色性色素を混
合するゲストホスト型液晶を採用する。ゲストホスト型
液晶は、反射表示の場合に、外部光源からの光は、液晶
を２度通過するため、２色性色素により２回の吸収が発
生し、充分な暗表示を達成できるが、バックライトを点
灯し、透過型として利用する場合には、液晶を１度透過
するだけなため、充分な暗表示を期待できない。そこ
で、本発明では、ＥＬ発光素子の点灯画素の液晶は透過
状態とし、非点灯画素の液晶は、吸収状態とすることに
より、外部光源の光とＥＬ発光素子の発光の両方を同時
に使用することが可能となる。さらに、液晶とＥＬ発光
素子とが第１基板と第２基板との間に、近接して設けて
あり、液晶とＥＬ発光素子との画素が同一視できるため
達成できる。
板と位相差板を用いることなく、明暗表示を可能とする
液晶を用いる。本発明では、液晶分子と２色性色素を混
合するゲストホスト型液晶を採用する。ゲストホスト型
液晶は、反射表示の場合に、外部光源からの光は、液晶
を２度通過するため、２色性色素により２回の吸収が発
生し、充分な暗表示を達成できるが、バックライトを点
灯し、透過型として利用する場合には、液晶を１度透過
するだけなため、充分な暗表示を期待できない。そこ
で、本発明では、ＥＬ発光素子の点灯画素の液晶は透過
状態とし、非点灯画素の液晶は、吸収状態とすることに
より、外部光源の光とＥＬ発光素子の発光の両方を同時
に使用することが可能となる。さらに、液晶とＥＬ発光
素子とが第１基板と第２基板との間に、近接して設けて
あり、液晶とＥＬ発光素子との画素が同一視できるため
達成できる。
【０１１１】また、液晶として、偏光板、あるいは偏光
板と位相差板を用いることなく、散乱と透過表示を可能
とする液晶を用いる。本発明では、液晶分子と透明固形
物との散乱型液晶を採用する。散乱型液晶は、反射表示
の場合に、外部光源からの光は、液晶を２度通過するた
め、液晶により２回の散乱が発生し、充分な散乱表示を
達成できるが、バックライトを点灯し、透過型として利
用する場合には、液晶を１度透過するだけなため、充分
な散乱表示を期待できない。そこで、本発明では、ＥＬ
発光素子の点灯画素の液晶は透過状態とし、非点灯画素
の液晶は、散乱状態とすることにより、外部光源の光と
ＥＬ発光素子の発光の両方を同時に使用することが可能
となる。さらに、ＥＬ発光素子の点灯画素も散乱性を制
御することにより、ＥＬ発光素子からの発光を拡散して
何処からでも表示を認識すること可能となる。
板と位相差板を用いることなく、散乱と透過表示を可能
とする液晶を用いる。本発明では、液晶分子と透明固形
物との散乱型液晶を採用する。散乱型液晶は、反射表示
の場合に、外部光源からの光は、液晶を２度通過するた
め、液晶により２回の散乱が発生し、充分な散乱表示を
達成できるが、バックライトを点灯し、透過型として利
用する場合には、液晶を１度透過するだけなため、充分
な散乱表示を期待できない。そこで、本発明では、ＥＬ
発光素子の点灯画素の液晶は透過状態とし、非点灯画素
の液晶は、散乱状態とすることにより、外部光源の光と
ＥＬ発光素子の発光の両方を同時に使用することが可能
となる。さらに、ＥＬ発光素子の点灯画素も散乱性を制
御することにより、ＥＬ発光素子からの発光を拡散して
何処からでも表示を認識すること可能となる。
【０１１２】以上の実施形態においては、低分子系ＥＬ
発光素子の構成に関して説明したが、本発明は、低分子
系ＥＬ発光素子に限定するものではなく、高分子系ＥＬ
発光素子も当然、利用可能である。
発光素子の構成に関して説明したが、本発明は、低分子
系ＥＬ発光素子に限定するものではなく、高分子系ＥＬ
発光素子も当然、利用可能である。
【図１】本発明の液晶表示装置の立体模式図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の断面図である。
【図３】本発明における発光素子内在型液晶表示素子の
一部を示す拡大断面図である。
一部を示す拡大断面図である。
【図４】本発明における発光素子内在型液晶表示素子の
一部を示す拡大断面図である。
一部を示す拡大断面図である。
【図５】本発明における発光素子内在型液晶表示素子の
一部を示す拡大断面図である。
一部を示す拡大断面図である。
【図６】本発明における発光素子内在型液晶表示素子の
一部を示す拡大断面図である。
一部を示す拡大断面図である。
【図７】本発明における発光素子内在型液晶表示素子の
一部を示す拡大断面図である。
一部を示す拡大断面図である。
【図８】本発明における発光素子内在型液晶表示素子の
一部を示す拡大断面図である。
一部を示す拡大断面図である。
【図９】本発明における発光素子内在型液晶表示素子の
一部を示す拡大断面図である。
一部を示す拡大断面図である。
【図１０】本発明における発光素子内在型液晶表示素子
の一部を示す拡大断面図である。
の一部を示す拡大断面図である。
【図１１】本発明における発光素子内在型液晶表示素子
の一部を示す拡大断面図である。
の一部を示す拡大断面図である。
【図１２】本発明における発光素子内在型液晶表示素子
の一部を示す拡大断面図である。
の一部を示す拡大断面図である。
【図１３】従来例におけるエレクトロルミネッセント
（ＥＬ）素子の一部を示す拡大断面図である。
（ＥＬ）素子の一部を示す拡大断面図である。
１ 第１基板
２ ゲート電極
３ ゲート絶縁膜
４ 半導体層
６ ソース電極
７ ドレイン電極
１７ ＥＬ発光素子
２１ アノード電極
２３ 発光層
２４ カソード電極
３０ 金属ケース
３９ 拡散層
４１ 第２基板
４２ 第２電極
４３ 第１電極
４９ 反射性電極開口部
５１ 液晶
５２ シール材
５５ 偏光板
５６ 位相差板
６５ 反射入射光
６６ 反射出射光
８２ 携帯情報機器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｆ 1/137 Ｇ０２Ｆ 1/137
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
Ｆターム(参考） 2H088 EA22 GA02 HA12 HA21 HA28
MA20
2H089 HA04 HA14 JA02 QA16 RA10
TA18
2H091 FA02Y FA31Y FA44Y FD02
FD04 GA13 LA11 MA10
2H092 JA24 JB01 MA43 NA25 PA08
PA12 PA13 RA10
3K007 CC01 DB03
Claims (24)
- 【請求項１】 第１電極を有する第１基板と、第２電極
を有する第２基板の間に液晶層を封入した液晶表示素子
において、 前記第１基板の内側面にエレクトロルミネッセント（Ｅ
Ｌ）発光素子を設けたことを特徴とする発光素子内在型
液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記ＥＬ発光素子が有機ＥＬ発光素子で
ある請求項１記載の発光素子内在型液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記ＥＬ発光素子は第１基板上に形成さ
れた第３電極とＥＬ発光層と第４電極との積層構造を有
し、前記ＥＬ発光素子の上に前記第１電極が積層されて
いる請求項１または２記載の発光素子内在型液晶表示素
子。 - 【請求項４】 前記第３電極は反射性を有する反射性電
極である請求項３に記載の発光素子内在型液晶表示素
子。 - 【請求項５】 前記液晶表示素子は、第１電極と第２電
極の交差部に設ける液晶表示画素を複数配列し、前記Ｅ
Ｌ発光素子は、該液晶表示画素を数個単位とする画素群
毎に、独立する発光層を有するＥＬ発光素子を設ける請
求項１乃至３のいずれか１項記載の発光素子内在型液晶
表示素子。 - 【請求項６】 前記液晶表示素子は、第１電極と第２電
極の交差部に設ける液晶表示画素を複数配列し、前記Ｅ
Ｌ発光素子は、該液晶表示画素毎に、互いに独立する発
光層を有するＥＬ発光素子からなる請求項１乃至３のい
ずれか１項記載の発光素子内在型液晶表示素子。 - 【請求項７】 前記ＥＬ発光素子の上に絶縁性の保護膜
が設けられ、該保護膜の上に前記第１電極が積層されて
いる請求項１乃至３のいずれか１項記載の発光素子内在
型液晶表示素子。 - 【請求項８】 前記保護膜と前記第１電極の間には絶縁
膜を設置する請求項７に記載の発光素子内在型液晶表示
素子。 - 【請求項９】 前記第１電極が反射性電極である請求項
１乃至８のいずれか１項記載の発光素子内在型液晶表示
素子。 - 【請求項１０】 前記ＥＬ発光素子は、発光面を第１基
板側に向けて配置する請求項９記載の発光素子内在型液
晶表示素子。 - 【請求項１１】 前記第１電極には、前記ＥＬ発光素子
からの発光を通過させるための開口部が設けられている
請求項９記載の発光素子内在型液晶表示素子。 - 【請求項１２】 前記保護膜が入射光を散乱させるため
の凹凸面を有する請求項７記載の発光素子内在型液晶表
示素子。 - 【請求項１３】 前記液晶表示素子はさらにカラー・フ
ィルタを内蔵している請求項１乃至３のいずれか１項記
載の発光素子内在型液晶表示素子。 - 【請求項１４】 前記カラー・フィルタは前記第２基板
の内側面に形成されている請求項１３記載の発光素子内
在型液晶表示素子。 - 【請求項１５】 前記カラー・フィルタは前記第１基板
の第１電極上に形成されている請求項１３記載の発光素
子内在型液晶表示素子。 - 【請求項１６】 前記カラー・フィルタは前記第１基板
のＥＬ発光素子と第１電極との間に形成されている請求
項１３記載の発光素子内在型液晶表示素子。 - 【請求項１７】 前記液晶表示素子はさらに光拡散層を
内蔵している請求項１乃至３のいずれか１項記載の発光
素子内在型液晶表示素子。 - 【請求項１８】 前記光拡散層は前記第２基板の内側面
に形成されている請求項１７記載の発光素子内在型液晶
表示素子。 - 【請求項１９】 前記液晶表示素子はさらに前記ＥＬ発
光素子を駆動するための半導体スイッチング素子を内蔵
している請求項１乃至３のいずれか１項記載の発光素子
内在型液晶表示素子。 - 【請求項２０】 前記半導体スイッチング素子は前記第
１基板上に形成され、該半導体スイッチング素子上にＥ
Ｌ発光素子が形成されている請求項１９記載の発光素子
内在型液晶表示素子。 - 【請求項２１】 前記第１基板は、シリコン基板からな
り、前記半導体スイッチング素子は、シリコン基板を半
導体層として利用する請求項１９または２０記載の発光
素子内在型液晶表示素子。 - 【請求項２２】 前記液晶層は、液晶分子と２色性色素
からなるゲストホスト液晶である請求項１乃至２１のい
ずれか１項記載の発光素子内在型液晶表示素子。 - 【請求項２３】 前記液晶層は、液晶分子と有機高分子
材料との散乱型液晶である請求項１乃至２１のいずれか
１項記載の発光素子内在型液晶表示素子。 - 【請求項２４】 前記ＥＬ発光素子はそれぞれ異なる色
を発光する複数種類のＥＬ発光素子である請求項１乃至
２３のいずれか１項記載の発光素子内在型液晶表示素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084645A JP4034981B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 発光素子内在型液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084645A JP4034981B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 発光素子内在型液晶表示素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003279983A true JP2003279983A (ja) | 2003-10-02 |
| JP2003279983A5 JP2003279983A5 (ja) | 2005-10-13 |
| JP4034981B2 JP4034981B2 (ja) | 2008-01-16 |
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ID=29231886
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002084645A Expired - Fee Related JP4034981B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 発光素子内在型液晶表示素子 |
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|---|---|
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- 2002-03-26 JP JP2002084645A patent/JP4034981B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050324 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050531 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071026 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141102 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |