JPH118075A - 電界発光素子 - Google Patents

電界発光素子

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JPH118075A
JPH118075A JP9158914A JP15891497A JPH118075A JP H118075 A JPH118075 A JP H118075A JP 9158914 A JP9158914 A JP 9158914A JP 15891497 A JP15891497 A JP 15891497A JP H118075 A JPH118075 A JP H118075A
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liquid crystal
electrode
layer
crystal display
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Hiroshi Kurosawa
比呂史 黒沢
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Casio Computer Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 EL素子のダークスポットの影響、及びアノ
ード電極のシート抵抗の影響を受けないEL素子の提供
を目的とする。 【解決手段】 互いに対向して配置された二つの電極板
12、13a、13b、14a、14bと、これら電極
板の間に設けられ、電圧の印加により発光する電界発光
層11とを有し、上記電極板のうち光を透過可能な一方
の電極板13a、13b、14a、14bは、屈折率の
異なる複数の透明電極層が積層されてなるので、出射光
が透明電極層間で多重反射され、ダークスポットが発生
しても、発生箇所からは散乱光が出射されるので均一な
面発光を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電圧が印加されて
発光する電界発光素子、特にカラー液晶表示装置に用い
られるバックライトの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】近時、液晶の電気光学特性を利用して文
字、図形等を表示する液晶表示装置(以下、LCDとい
う。)が一般に利用されている。このLCDは、非自発
光表示装置なので、表示面を照す必要があり、このよう
なLCDとしては、外光を反射させて表示面を照す反射
型LCDや、バックライト装置により表示面を背面側か
ら照す透過型LCDが知られている。上記バックライト
装置の光源としては、冷陰極蛍光管、発光ダイオード等
が知られているが、発熱があまりなく、発光色の選択性
に優れ、電圧を印加して発光させる面発光素子としての
電界発光素子、いわゆるEL(electroluminescence)
素子が注目されている。このEL素子の一般的構成とし
ては、例えば、電圧の印加により発光するEL層と、E
L層の両面に接合されるカソード電極及びアノード電極
とを備えたものである。ここで、カソード電極は、例え
ば、有効な発光効率をもたらすため電子放出性の観点か
ら仕事関数の小さい材料を選択する傾向にあり、このよ
うな材料は結果として可視光に対し反射性を示す性質を
有する。このため、アノード電極は発光光を出射するよ
うに光透過性の材料から選択しなければならず、例え
ば、ITO(Indium Tin Oxide)等が用いられる。そし
て、このようなEL層の発光輝度は、両電極に印加する
電圧、EL層内に流入させる電流に依存する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記E
L素子は、カソード電極の劣化、EL層と電極との接合
性の低下、EL層自体の劣化等によりダークスポット
(発光しない部分)が発生してしまい、経時的にこのダ
ークスポットの面積が拡大し、均一な面発光は困難にな
るという技術的課題が存在する。また、上記アノード電
極材料のITOは、シート抵抗が高く、ITO電極面上
の部位により抵抗は異なってしまう。即ち、EL層の両
面に電圧を印加すると、印加電圧配線から遠くなるに従
ってITO電極は高抵抗となり、これに反比例する発光
輝度は、アノード電極の配線近くで最も高く、配線から
遠ざかるにつれて低くなってしまい、均一な面発光は困
難になるという技術的課題が存在する。なお、カソード
電極は、一般に低抵抗なため、電極面上ほぼ均一な抵抗
値であり、発光の不均一性に対する影響は少ない。さら
に、このようなEL素子を液晶表示装置のバックライト
として用いた場合には、上述の様に、均一な発光が難し
いので、液晶表示装置の表示特性に影響を与える可能性
がある。
【0004】そこで、本発明は、以上の技術的課題を解
決するためなされたものであって、EL素子のダークス
ポットの影響、及びアノード電極のシート抵抗の影響を
受けないEL素子の提供を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】即ち、請求項1記載の発
明は、互いに対向して配置された二つの電極板と、これ
ら電極板の間に設けられ、電圧の印加により発光する電
界発光層とを有し、上記電極板のうち光を透過可能な一
方の電極板は、屈折率の異なる複数の透明電極層が積層
されてなることを特徴とする。
【0006】この発明の作用としては、積層された透明
電極層により、入射された光を散乱させるようにしたの
で、電界発光層がダークスポット、電極のシート抵抗の
影響により不均一な発光したときでも、均一な光強度の
散乱光を有する面状の発光光にして出射する。
【0007】また、請求項2記載の発明は、前記電極板
の少なくとも光を透過可能な一方の電極板の表面を覆う
封止材と、該封止材中に分散され、且つ、該封止材とは
異なる屈折率を有する光散乱材とを具備してなることを
特徴とする。
【0008】この発明の作用としては、光散乱材によ
り、封止材中に入射された光を散乱するようにしたの
で、電界発光層がダークスポット、電極のシート抵抗の
影響により不均一な発光したときでも、均一な強度を有
する面状の発光光にして出射する。
【0009】また、請求項3記載の発明は、請求項1又
は請求項2記載の電界発光素子は、上記一方の光を透過
可能な電極に対向する他方の電極板が、一方の電極板側
から入射する光を反射する反射板となっていることを特
徴とする。
【0010】この発明の作用としては、上記反射可能な
電極板は、電界発光層の発光光を反射するだけでなく、
電界発光層の非発光時に、上記透過可能な電極側から入
射された光を透過可能な電極側へ向けて反射し、また、
積層された透過電極層又は光散乱材は、電界発光層の発
光光及び外光の入射光を散乱させ、均一な光強度にす
る。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図11を参照して本
発明に係る実施の形態を詳細に説明する。 {実施の形態1}図1は、本発明をECB方式のカラー
液晶表示装置に適用した実施の形態1の断面構造を示す
ものである。本カラー液晶表示装置100は、バックラ
イト装置10と、バックライト装置10の前面に対向し
て配置された液晶表示パネル30から構成されている。
【0012】図2は、本実施の形態に係わるバックライ
ト装置の断面構造の拡大を示すものである。バックライ
ト装置10は、光源としての有機EL層11と、有機E
L層11の背面に当接される背面電極12と、有機EL
層11の前面に設けられた透明電極13a、13b、1
4a、14bと、有機EL層11及び電極群を覆う保護
膜15と、保護膜15の前面に当接される発光側基板1
6と、発光側基板16の背面側で対向する背面基板17
と、背面基板17と発光側基板16とに接合されて有機
EL層11等をシーリングするシール材18と、シール
材18の内部に封入された封止材19から構成されてい
る。
【0013】ここで、透明電極は、第1透明電極13
a、13bと第2透明電極14a、14bを交互に積層
した全体として50〜150nmの膜厚の薄膜構造であ
り、また、シート抵抗は50Ω以下であり、アノード電
極に相当する。さらに、第1透明電極13a、13b
は、例えば、光透過性のITO(In2O3−SnO
3)からなり、また、第2透明電極14a、14bは、
例えば、同透過性のIXO(In2O3−ZnO)から
なり、両電極は、互いに異なる屈折率を有する。
【0014】背面電極12は、例えば、低仕事関数のM
g−In、Mg−Ag等のマグネシウム合金からなりカ
ソード電極に相当する。
【0015】保護膜15は、薄膜状であり、外系から有
機EL層11及び背面電極12への酸素、水の浸食にに
よる劣化を抑制する。
【0016】封止材19は、例えば、透過性のシリコン
オイル等からなる撥水性材料であり、水、酸素の透過を
抑制する。また図3に示すように、封止材19の替わり
に酸素及び水の希薄な減圧雰囲気19Aにしてもよい。
【0017】有機EL層11は、緑色発光層、青色発光
層及び赤色発光層により構成され、これら発光層の発光
により白色発光を実現する。青色発光層としては、透明
電極13a…、14a…側から背面電極12側に向かっ
て、正孔輸送層としてのα−NPD[N,N'-Di(α-Napht
hyl)-N,N'-diPhenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-Diamine]、
電子輸送性発光層としてのBebq2[Beryllium-bis
(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)]の順に積層される
2層構造である。また、緑色発光層としては、図2
(b)に示すように、透明電極13a…14a…側から
背面電極12側に向かって、正孔輸送層としてのα−N
PD、発光層としてのDPVBi[4,4'-Bis(2,2-Diphe
nylVinylene)Biphenyl](96wt%)とBCzVBi
[4,4'-Bis((2-Carbazole)Vinylene)Biphenyl](4w
t%)の混合物、電子輸送層としてのAlq3[Alumin
um-tris(8-hydroxyquinolinate)]の順に積層される3
層構造である。そして、赤色発光層としては、透明電極
13a…14a…側から背面電極12側に向かって、P
VCz[Polyvinyl-carbazole]中にBND[2,5-Bis(1-na
phthyl)-Oxadiazole]と赤色発光材料のCumarin6[3-
(2'-Benzothiazolyl)-7-diethylaminocoumarin]が混在
する正孔輸送層と、電子輸送層としてのAlq3の2層
構造である。なお、有機EL層11は単層、若しくは、
4層以上で構成されたEL層としてもよい。
【0018】次に、図1に基づき、本実施の形態に係わ
る液晶表示パネル30の構成について説明する。液晶表
示パネル30は、所定の初期配向された液晶層31と、
液晶層31の側面を覆うシール材47と、液晶層31を
前後から挟む一対の前透明基板32、後透明基板33
と、前透明基板32の前面に当接する位相差板34と、
位相差板34の前面に当接する前偏光板35と、後透明
基板33の背面側に当接する後偏光板36から大略構成
され、液晶表示パネル30の前方には拡散板が配置51
されている。
【0019】また、前透明基板32の背面には、表示領
域全面に可視光に対して70%以上の透過率を有する、
例えば、ITOからなる共通電極41と、共通電極41
の背面には配向処理された例えば、ポリイミドからなる
前配向膜42が形成されている。
【0020】また、後透明電極33の前面には、等間隔
に配置された、例えば、ITOからなる画素電極43
と、画素電極43の間に平面格子状にマトリクス配列さ
れ、画素電極43に電気的に接続されたスイッチング素
子としてのTFT44と、TFT44を含む非画素領域
上にパターン形成される、例えば、窒化シリコンからな
る層間絶縁膜45と、層間絶縁膜45及び画素電極43
上に形成され、配向処理された例えば、ポリイミドから
なる後配向膜46が設けられている。
【0021】ここで、TFT44は、例えば、ゲート電
極と、ゲート電極に積層されるゲート絶縁膜と、ゲート
絶縁膜に積層されるアモルファスSi、ソース電極、ド
レイン電極等から構成され、さらに、ゲート電極は、選
択電圧を出力するゲートラインに接続され、また、ドレ
イン電極は信号電圧を出力するドレインラインに接続さ
れている。
【0022】図4は、液晶表示パネル30中の封止され
た液晶層31中の液晶分子の配向状態、各偏光板35、
36の透過軸、及び、位相差板34の遅相軸の向きを液
晶表示パネル30の表示面側から表したものである。液
晶層31は、液晶分子のツイスト角を75゜±10゜
に、Δnd値を800nm〜1100nmに設定する。
即ち、液晶分子は、図4(c)に示すように、後透明基
板33近傍の液晶分子配向方向31aを、液晶表示パネ
ル30の横軸Sに対して右回りに52.5゜±5゜方向
に、他方、前透明基板32近傍の液晶分子配向方向31
bを、同横軸Sに対して左回りに52.5゜±5゜方向
に設定し、また、同図の破線矢印に示すように、ツイス
ト方向は、後透明基板33から前透明基板32に向かっ
て、右回りに75゜±10゜のツイスト角でツイスト配
向させる。前偏光板35の透過軸35aは、後透明基板
33側の液晶分子配向方向31aを基準にすると、左回
りに60.5゜±3゜の方向を示し、一方、後偏光基板
16の透過軸36aは、同様の基準に対して左回りに5
2.5゜±3゜の方向を示す。位相差板34はリタゼー
ション値60nm±20nmを用い、その遅相軸34a
は、前記基準に対して52.5゜±3゜の方向を示す。
【0023】以上の液晶表示パネル30においては、液
晶層31のΔnd値及び位相差板34のリタデーション
値、並びに、各偏光板35、36の透過軸、及び位相差
板34の遅相軸の方向を設定し、入射光を白色光とした
ときの出射光の色を、電極41、43間に印加する電圧
に応じて、少なくとも、赤、緑、青、黒、白に変化させ
る。
【0024】なお、前偏光板35の透過軸35aは、前
記基準方向対して左回りに51.5゜±3゜〜60.5
゜±3゜の範囲の方向、位相差板34の遅相軸34a
は、前記基準方向に対して左回りに42.5゜±3゜〜
52.5゜±3゜の範囲の方向にあれば、白と黒及び
赤、緑、青を高い色純度で表示することができる。
【0025】次に、図1〜5に基づいて、本実施の形態
に係わるカラー液晶表示装置100の使用方法について
説明する。先ず、使用方法の説明の前に液晶表示パネル
30の着色現象について説明する。この液晶表示パネル
30は、液晶層31の複屈折作用、位相差板34の複屈
折作用、及び一対の偏光板35、36の偏光作用を利用
して白色光を着色光にする。即ち、前偏光板35を透過
して出射した直線偏光は、位相差板34及び液晶層31
を透過する過程で位相差板34及び液晶層31の複屈折
作用によって偏光状態を変えられ、各波長光はそれぞれ
の偏光状態の異なる楕円偏光となった後、後偏光板36
を透過し、その光を構成する各波長の光強度比に応じた
色の着色光になり、この着色光は、背面電極12で反射
され、前記経路と逆の経路を辿って液晶表示装置100
の表示面側に出射する。なお、背面電極12で反射され
た光は、表面側に出射する過程で、液晶層31及び位相
差板34により入射時とは逆の経路で複屈折作用を受
け、入射時とほぼ同じ直線偏光となって前偏光板35に
入射するため、前偏光板35を透過して出射する光は、
背面電極12で反射された光とほとんど変らない着色光
である。
【0026】また、液晶層31の複屈折作用は、印加電
圧に応じた液晶分子の配向状態の変化と、これに伴う後
偏光板36を透過する各波長の光強度の比に応じて着色
が変化し、この着色光は、背面電極12に反射されて液
晶表示装置100の表示側に出射する。
【0027】従って、この液晶表示装置100の出射光
の表示色は、電極41、43間に印加される電圧に応じ
て変化する。本装置の一画素で表示できる色は、赤、
緑、青の三原色と、ほぼ無彩色の暗表示としての黒と、
ほぼ無彩色の明表示としての白を含んでいる。
【0028】図5は、液晶表示装置100の液晶層31
への印加電圧に応じた表示色の変化を示すa*−b*色度
図である。液晶表示装置100の表示色は、電極間4
1、43に電圧を印加しない初期状態では、パープル
(P)に近い色であり、電極41、43間に印加電圧を
高くするに従って、赤(R)→緑(G)→青(B)→黒
→白の順に変化する。これら、赤、緑、青、黒、及び白
の表示色は、いずれも、色純度の高い鮮明な色が得られ
た。
【0029】また、この液晶表示装置100における黒
の表示状態の出射率をR(min)とし、白の表示状態
の出射率を印加電圧が5VのときR(5V)、印加電圧
が7VのときR(7V)とすると、このカラー液晶表示
装置100の出射率は、 R(min)=3.30% R(5V)=23.64% R(7V)=28.91% である。
【0030】また、このカラー液晶表示装置100にお
ける黒及び白の表示コントラスト(CR)は、白を表示
させるため印化電圧を5Vとしたときのコントラストを
CR(5V)、印加電圧を7Vとしたときのコントラス
トをCR(7V)とすると、CR(5V)=7.16、
CR(7V)=8.76であり、白を表示させるための
印加電圧を7Vとしたとき、及び印加電圧を5Vとした
ときのいずれも十分高いコントラストが得られる。
【0031】以上より、ECB方式のカラー液晶表示装
置100によれば、カラーフィルターを用いずに入射光
を着色すると共に、同一画素で複数色を表示し、さら
に、高いコントラストが得られるので、基本の白、黒、
並びに赤、緑、青の三原色を表示して、鮮明かつ色彩の
豊かな多色カラー表示を実現する。
【0032】次に、カラー液晶表示装置100の使用方
法を説明する。即ち、外光状態の悪いときは、バックラ
イト装置10の電源をオンにして用いればよい。このと
き、有機EL層11の発光光は、透明電極14a…、1
3a…に入射する。ここで、第2透明電極14aに入射
された発光光は、異なる屈折率を有する第1透明電極1
3aとの界面で進行方向を変化させる。さらに、この発
光光は、順次、第2透明電極14b、第1透明電極13
bに入射する度に、進行方向を変化させ、多重反射によ
り徐々に散乱される。したがって、ダークスポットが発
生しても散乱光によりダークスポットの発生箇所からも
光が出射することができる。バックライト装置10から
出射した均一な発光光は、液晶表示パネル30に入射
し、後偏光板36、液晶層31、位相差板34、前偏光
板35を透過する際に偏光作用を受け、着色光として液
晶表示パネル30から出射される。ここで、拡散板51
は、さらに出射光の均一性を向上させるとともに、背面
電極12の鏡面反射に伴う外部像の写り込みや、二重像
の発生を抑制する。以上より、所定のカラー表示が得ら
れる。
【0033】また、外光状態の良好なときは、バックラ
イト装置10の電源をオフにして用いればよい。このと
き、入射光は、液晶表示パネル30の前偏光板35、位
相差板34、液晶層31、後偏光板36を透過する際、
偏光作用を受け、着色される。この着色光は、バックラ
イト装置10に入射し、積層された透明電極13a…1
4a…、有機EL層11を透過し、背面電極12で反射
され、同経路をたどって、液晶表示パネル30から着色
光として出射する。ここで、透明電極13a…、14a
…の各界面は、光散乱を起こさせる。
【0034】以上により、本実施の形態によれば、積層
された透明電極13a…14a…により出射光を散乱す
るようにしたので、有機EL層11が透明電極のシート
抵抗、又は、ダークスポットの影響により、部位により
光強度の異なる不均一な発光しても、この不均一な発光
光を散乱させ、均一な光強度を有する面状の発光光とし
て出射する。上記実施形態では、透明電極を4層に積層
したが、2層以上であればよい。また、3種類以上の屈
折率の異なる材料の電極層をそれぞれ積層してもよい。
【0035】{実施の形態2}実施の形態2は、実施の
形態1とほぼ同様の構成であるが、前偏光板35の透過
軸35aの方向、および位相差板34の遅相軸34aの
方向に特徴を有する。図6は、実施の形態2に係わる液
晶表示パネル30中の封止された液晶層31中の液晶分
子の配向状態、各偏光板15、16の透過軸、及び、位
相差板34の遅相軸の向きを液晶表示パネル30の表示
面側から表したものである。即ち、図6(a)に示すよ
うに、前偏光板35の透過軸35aは、前記基準方向に
対して、左回りに51.5゜±3゜の方向を示し、図6
(b)に示すように、位相差板34の遅相軸34aは、
基準方向に対して左回りに42.5゜±3゜の方向を示
す。
【0036】図7は、本実施の形態に係わる液晶表示装
置100の印加電圧に対する表示色の変化を示したa*
−b*色度図である。これによれば、表示色は、電極4
1、43間の印加電圧を高くするに従って、赤(R)→
緑(G)→青(B)→黒→白の順に変化する。
【0037】また、この液晶表示装置100における光
の出射率は、 R(min)=2.76% R(5V)=24.08% R(7V)=11.09% である。さらに、この液晶表示装置100におけるCR
(5V)=8.72、CR(7V)=11.09であ
る。
【0038】{実施の形態3}実施の形態3は、実施の
形態1とほぼ同様の構成であるが、前偏光板35の透過
軸35aの方向、位相差板34の遅相軸34aの方向、
および後偏光板36の透過軸36aの方向に特徴を有す
る。図8は、実施の形態2に係わる液晶表示パネル30
中の封止された液晶層31中の液晶分子の配向状態、各
偏光板15、16の透過軸、及び、位相差板34の遅相
軸の向きを液晶表示パネル30の表示面側から表したも
のである。即ち、図8(a)に示すように、前偏光板3
5の透過軸35aは、前記基準方向に対して左回りに3
6.5゜±3゜の方向を示し、同図(b)に示すよう
に、位相差板34の遅相軸34aは、基準方向に対して
左回りに138.5゜±3゜の方向を示し、同図(d)
に示すように、後偏光板36の透過軸36aは、基準方
向に対して左回りに47.5゜±3゜の方向を示す。
【0039】図9は、本実施の形態に係わる液晶表示装
置100の印加電圧に対する表示色の変化を示すa*
*色度図である。これによれば、表示色は、電極4
1、43間の印加電圧を高くするに従って、赤(R)→
緑(G)→青(B)→黒→白の順に変化する。これら、
赤、緑、青、黒、及び白の表示色は、いずれも、色純度
が高い鮮明な色である。
【0040】また、この液晶表示装置100における光
の出射率は、 R(min)=1.85% R(5V)=22.37% R(7V)=28.35% である。さらに、この液晶表示装置100におけるCR
(5V)=12.09、CR(7V)=15.32であ
り、十分高いコントラストが得られる。
【0041】{実施の形態4}図10は、本発明をカラ
ー液晶表示装置に適用した実施の形態4の断面構造を示
すものである。本実施の形態は、実施の形態1とほぼ同
様の構成であるが、バックライト装置10の構成に特徴
を有する。
【0042】図11は、本実施の形態に係わるバックラ
イト装置の断面構造の拡大を示すものである。即ち、バ
ックライト装置10は、光源としての有機EL層11
と、有機EL層11の背面に当接される背面電極12
と、有機EL層11の前面に設けられた透明電極21
と、有機EL層11及び電極群21、32を覆う保護膜
15と、背面電極12の後面に当接される背面基板17
と、背面基板17の前面側で対向する発光側基板16
と、発光側基板16と背面基板17とに接合されて有機
EL層等をシーリングするシール材18と、シール材1
8の内部に封入された封止材19と、封止材19中に分
散された光散乱材22から構成されている。
【0043】ここで、封止材19は、例えば、透過性の
シリコンオイル等からなる撥水性材料であり、酸素の透
過を抑制する。また、光散乱材22は、小球状であり、
透過性、かつ、封止材19とは異なる屈折率を有し、例
えば、PVA、アクリル樹脂が用いられる。また、透明
電極21は、本実施の形態では、光透過性のITOから
なる。なお、有機EL層11は、図10に示すように、
2層タイプ11a、11bを用いる。
【0044】次に、図10、図11に基づいて、本実施
の形態に係わるカラー液晶表示装置の使用方法について
説明する。カラー液晶表示装置100の使用方法として
は、外光状態の悪いとき、バックライト装置10の電源
をオンにして用いればよい。このとき、有機EL層11
の発光光は、透明電極21、保護膜15を透過し封止材
19に入射する。ここで、封止材19に入射された発光
光は、異なる屈折率を有する光散乱材22を透過する
際、進行方向を変化させる。さらに、この発光光は、順
次、光散乱材22に入射する度に、進行方向を変化さ
せ、徐々に散乱されて均一な光強度となる。バックライ
ト装置10から出射した均一な発光光は、液晶表示パネ
ル30に入射し、後偏光板36、液晶層31、位相差板
34、前偏光板35を透過する際に偏光作用を受け、着
色光として液晶表示パネル30から出射され、これによ
り、所定のカラー表示が得られる。また、上記実施形態
では、透明電極21は、ITOからなる単層であった
が、実施形態1〜3のように屈折率が互いに異なるIT
Oからなる第1透明電極とIXOからなる第2透明電極
との積層構造にしてもよい。
【0045】以上により、本実施の形態によれば、光散
乱材により出射光を散乱するようにしたので、有機EL
層11が透明電極21のシート抵抗、又は、ダークスポ
ットの影響により、部位により光強度の異なる不均一な
発光しても、この不均一な発光光を散乱し、均一な光強
度有する面状の発光光にして出射する。
【0046】なお、本実施の形態における前偏光板35
の透過軸35a方向、位相差板34の遅相軸34a方
向、後偏光板36の透過軸36aには、実施の形態2又
は実施の形態3のものを用いてもよい。
【0047】なお、本発明は、以上の実施の形態に限定
されるものではなく、構成の要旨に付随する各種の変更
を可能とする。例えば、液晶モードは、TN液晶モー
ド、ゲスト・ホスト(GH)液晶モード、偏光板を用い
ないPC(相転移)モード、PDLC(高分子分散型液
晶)モード、PDLC/GHモード、コレステリック液
晶モード、PC液晶/GHモード等の各種液晶モードを
液晶表示パネル30に適用してもよい。また、このよう
な液晶モードに応じて、カラーフィルターの有無等の液
晶表示パネルの構成も適宜変更してもよい。
【0048】さらに、背面電極12として、マグネシウ
ム合金、ハフニウム(Hf、仕事関数3.63eV)や
希土類元素であるスカンジウム(Sc、仕事関数3.5
eV)、イットリウム(Y、仕事関数3.1eV)、ラ
ンタン(La、仕事関数3.5eV)、セリウム(C
e、仕事関数2.9eV)、プラセオジウム(Pr)、
ネオジウム(Nd、仕事関数3.2eV)、プロメチウ
ム(Pm)、サマリウム(Sm、仕事関数2.7e
V)、ユウロピウム(Eu、仕事関数2.5eV)、ガ
ドリニウム(Gd、仕事関数3.1eV)、テルビウム
(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルモエム(H
o)、エルビウム(Er、仕事関数2.97eV)、ツ
リウム(Tm)、イッテルビウム(Yb、仕事関数2.
6eV)、ルテチウム(Lu)の、単体又はこれら元素
を含む合金等を用いてもよい。
【0049】また、液晶表示パネル30は、TFT44
によるアクティブ駆動であったが、液晶を挟んで対向す
る電極をストライプ形状とした単純マトリックス駆動で
あってもよい。
【0050】
【発明の効果】以上より、請求項1記載の発明によれ
ば、積層された透明電極層により、入射された光を散乱
させるようにしたので、電界発光層がダークスポット、
電極のシート抵抗の影響により不均一な発光したときで
も、均一な光強度を有する面状の発光光にして出射す
る。
【0051】また、請求項2記載の発明によれば、光散
乱材により、封止材中に入射された光を散乱するように
したので、電界発光層がダークスポット、電極のシート
抵抗の影響により不均一な発光したときでも、均一な光
強度を有する面状の発光光にして出射する。
【0052】また、請求項3記載の発明によれば、反射
可能な電極板により、電界発光層の発光光を反射するだ
けでなく、電界発光層の非発光時に、上記透過可能な電
極側から入射された光を透過可能な電極側へ向けて反射
し、また、積層された透過電極層又は光散乱材は、電界
発光層の発光光及び外光の入射光を散乱させ、均一な光
強度にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明をECB方式のカラー液晶表示装置に適
用した実施の形態1の断面構造を示す説明図である。
【図2】図1に係わるバックライト装置の断面構造の拡
大を示す説明図である。
【図3】図1に係わるバックライト装置の変形例の構造
を示す説明図である。
【図4】図1に係わる液晶表示パネル中の封止された液
晶層中の液晶分子の配向状態、各偏光板の透過軸、及
び、位相差板の遅相軸の向きを液晶表示パネルの表示面
側から表した説明図である。
【図5】図1に係わるカラー液晶表示装置の液晶層への
印加電圧に応じた表示色の変化を示すa*−b*色度図で
ある。
【図6】実施の形態2に係わる液晶表示パネル中の封止
された液晶層中の液晶分子の配向状態、各偏光板の透過
軸、及び、位相差板の遅相軸の向きを液晶表示パネルの
表示面側から表した説明図である。
【図7】図6に係わる液晶表示装置の液晶層への印加電
圧に応じた表示色の変化を示すa*−b*色度図である。
【図8】実施の形態3に係わる液晶表示パネル中の封止
された液晶層中の液晶分子の配向状態、各偏光板の透過
軸、及び、位相差板の遅相軸の向きを液晶表示パネルの
表示面側から表した説明図である
【図9】図8に係わる液晶表示装置の液晶層への印加電
圧に応じた表示色の変化を示すa*−b*色度図である。
【図10】本発明をカラー液晶表示装置に適用した実施
の形態4の断面構造を示す説明図である。
【図11】図10に係わるバックライト装置の断面構造
の拡大を示す説明図である。
【符号の説明】
10 バックライト装置 11 有機EL層 12 背面電極 13a、13b 第1透明電極 14a、14b 第2透明電極 15 保護膜 16 発光側基板 17 背面基板 18 シール材 19 封止材 21 透明電極 22 光散乱材 30 液晶表示パネル 31 液晶層 32 前透明基板 33 後透明基板 34 位相差板 35 前偏光板 36 後偏光板 41 共通電極 42 前配向膜 43 画素電極 44 TFT 45 層間絶縁膜 46 後配向膜 47 シール材 51 拡散板 100 カラー液晶表示装置

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】互いに対向して配置された二つの電極板
    と、これら電極板の間に設けられ、電圧の印加により発
    光する電界発光層とを有し、 上記電極板のうち光を透過可能な一方の電極板は、屈折
    率の異なる複数の透明電極層が積層されてなることを特
    徴とする電界発光素子。
  2. 【請求項2】前記電極板の少なくとも光を透過可能な一
    方の電極板の表面を覆う封止材と、該封止材中に分散さ
    れ、且つ、該封止材とは異なる屈折率を有する光散乱材
    とを具備してなることを特徴とする請求項1に記載の電
    界発光素子。
  3. 【請求項3】上記一方の光を透過可能な電極に対向する
    他方の電極板が、一方の電極板側から入射する光を反射
    する反射板となっていることを特徴とする請求項1また
    は請求項2記載の電界発光素子。
  4. 【請求項4】前記電界発光層は有機電界発光層であるこ
    とを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電界発
    光素子。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005347274A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Lg Electron Inc 有機elディスプレイ及びその製造方法
US7056180B2 (en) 2002-12-26 2006-06-06 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP2008500695A (ja) * 2004-05-25 2008-01-10 エージェンシー・フォア・サイエンス・テクノロジー・アンド・リサーチ ハイコントラスト・エレクトロルミネッセント装置用の複合光学破壊電極
JP2008523546A (ja) * 2004-12-06 2008-07-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネセント光源
JP2010027599A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
JP2012027479A (ja) * 2000-04-19 2012-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2012083763A (ja) * 1999-10-29 2012-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置
JP2013501967A (ja) * 2009-08-13 2013-01-17 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ディスプレイ及び照明装置並びに太陽電池のための光学的及び電気的性能が改善された導電フィルム又は電極
WO2013168228A1 (ja) * 2012-05-08 2013-11-14 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2013168210A1 (ja) * 2012-05-07 2013-11-14 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2013168215A1 (ja) * 2012-05-07 2013-11-14 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2013168212A1 (ja) * 2012-05-07 2013-11-14 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012083763A (ja) * 1999-10-29 2012-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置
US9443461B2 (en) 2000-04-19 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
JP2012027479A (ja) * 2000-04-19 2012-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US7056180B2 (en) 2002-12-26 2006-06-06 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and electronic apparatus
US8067886B2 (en) 2004-05-25 2011-11-29 Agency For Science, Technology And Research Composite optical destructive electrode for high contrast electroluminescent devices
JP2008500695A (ja) * 2004-05-25 2008-01-10 エージェンシー・フォア・サイエンス・テクノロジー・アンド・リサーチ ハイコントラスト・エレクトロルミネッセント装置用の複合光学破壊電極
KR101109918B1 (ko) * 2004-05-25 2012-02-29 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 전기발광 디바이스를 위한, 주변광의 반사를 감소시킬 수 있는 복합 전극
US7619359B2 (en) 2004-06-04 2009-11-17 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display having sealant with grains and method for manufacturing the same
JP2005347274A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Lg Electron Inc 有機elディスプレイ及びその製造方法
JP4769254B2 (ja) * 2004-12-06 2011-09-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネセント光源
JP2008523546A (ja) * 2004-12-06 2008-07-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネセント光源
JP2010027599A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
US8304989B2 (en) 2008-07-17 2012-11-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
JP2013501967A (ja) * 2009-08-13 2013-01-17 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ディスプレイ及び照明装置並びに太陽電池のための光学的及び電気的性能が改善された導電フィルム又は電極
US10114257B2 (en) 2009-08-13 2018-10-30 3M Innovative Properties Company Conducting film or electrode with improved optical and electrical performance for display and lighting devices and solar cells
WO2013168210A1 (ja) * 2012-05-07 2013-11-14 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2013168215A1 (ja) * 2012-05-07 2013-11-14 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2013168212A1 (ja) * 2012-05-07 2013-11-14 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2013168228A1 (ja) * 2012-05-08 2013-11-14 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス

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