JP6309337B2 - 検知装置、検知装置の駆動方法、及び入力装置 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、検知装置、入力装置、入出力装置、半導体装置または検知装置の駆動方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

情報伝達手段に係る社会基盤が充実されている。これにより、多様で潤沢な情報を職場や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようになっている。

このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されている。

例えば、携帯可能な情報処理装置は持ち歩いて使用されることが多く、落下により思わぬ力が情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示装置の一例として、発光層を分離する構造体と第２の電極層との密着性が高められた構成が知られている（特許文献１）。

特開２０１２−１９０７９４号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置の駆動方法を提供することを課題の一とする。または、新規な検知装置、新規な検知装置の駆動方法または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、検知ユニットと、変換回路と、を有する。

検知ユニットは、選択信号、第１の制御信号および第２の制御信号、第１の電源電位および定電流を供給され、第１の検知信号および第２の検知信号を供給することができる。

変換回路は、第１の検知信号および第２の検知信号を供給され、第１の検知信号に基づく第１の検知情報および第２の検知信号に基づく第２の検知情報を供給することができる。

なお、検知ユニットは、近接するものとの距離に基づいて第１の検知信号を供給する第１の検知部および近接するものとの距離に基づいて第２の検知信号を供給する第２の検知部を備える。

また、第１の検知部は、制御端子が、選択信号を供給することができる選択信号線と電気的に接続され、第１の端子が、第１の検知信号を供給することができる第１の信号線と電気的に接続される第１のスイッチを備える。

また、制御端子が、第１の制御信号を供給することができる第１の制御線と電気的に接続され、第１の端子が第１の電源電位を供給することができる第１の配線と電気的に接続される第２のスイッチを備える。

また、ゲートが第２のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第１のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が定電流を供給することができる第２の配線と電気的に接続される第１の増幅トランジスタを備える。

また、第１の電極が第１の増幅トランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御信号を供給することができる第２の制御線と電気的に接続される第１の容量素子を備える。

また、第２の検知部は、制御端子が、選択信号線と電気的に接続され、第１の端子が、第２の信号線と電気的に接続される第３のスイッチを備える。

また、制御端子が第１の制御線と電気的に接続され、第１の端子が第１の配線と電気的に接続される第４のスイッチを備える。

また、ゲートが第４のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第３のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が第２の配線と電気的に接続される第２の増幅トランジスタを備える。

また、第１の電極が第２の増幅トランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線と電気的に接続される第２の容量素子と、を備える。

また、本発明の一態様は、検知ユニットが、定電流を供給することができる電源を備える。

また、第１の増幅トランジスタの第２の電極が、前記電源によって供給される定電流を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、第２の増幅トランジスタの第２の電極が、前記電源によって供給される定電流を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、電源は、ゲートが第２の電源電位を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の電極が第３の電源電位を供給することができる配線と電気的に接続され、第２の電極が定電流を供給される前記配線に電気的に接続される上記の検知装置である。

また、本発明の一態様は、第２の検知部が、第１の検知部から５ｍｍ以内、好ましくは２．５ｍｍ以内、より好ましくは１ｍｍ以内の範囲に配設される上記の検知装置である。

上記本発明の一態様の検知装置は、第１の検知信号および第２の検知信号を供給する検知ユニットと、第１の検知信号および第２の検知信号を供給され第１の検知情報および第２の検知情報を供給することができる変換回路と、を含んで構成される。

なお、第１の検知信号は、第１の増幅トランジスタのゲートが電気的に接続される第１のノードの電位の変化および第２の増幅トランジスタのゲートが電気的に接続される第２のノードの電位の変化に基づいて、第１の検知部によって供給される。

また、第２の検知信号は、第１の検知部に隣接し且つ第１の増幅トランジスタのゲートが電気的に接続される第１のノードの電位および第２の増幅トランジスタのゲートが電気的に接続される第２のノードの電位の変化に基づいて、第２の検知部によって供給される。

これにより、隣接して配設される複数の検知部が供給する検知信号を比較して検知情報を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、以下のステップを備える検知装置の駆動方法である。

第１のスイッチおよび第３のスイッチを導通状態にする選択信号、第２のスイッチおよび第４のスイッチを導通状態にする第１の制御信号を供給し、第１の検知信号および第２の検知信号を取得する第１のステップを有する。

また、第１のスイッチおよび第３のスイッチを導通状態にする選択信号、第２のスイッチおよび第４のスイッチを非導通状態にする第１の制御信号およびパルス状の第２の制御信号を供給し、第１の検知信号および第２の検知信号を取得する第２のステップを有する。

また、第２のステップで供給された第１の検知信号を第１のステップで供給された第１の参照信号と比較して第１の検知情報を取得し、第２のステップで供給された第２の検知信号を第１のステップで供給された第２の参照信号と比較して第２の検知情報を取得する第３のステップを有する。

また、第３のステップで取得した第１の検知情報と第２の検知情報を比較して、検知装置に近接するものについての検知情報を決定する第４のステップと、を有する上記の検知装置の駆動方法である。

上記本発明の一態様の検知装置の駆動方法は、第１の検知部の第１のノードおよび第１の検知部に隣接する第２の検知部の第２のノードに第１の電源電位に基づく電位を供給し、参照信号を取得する第１のステップと、第１の容量素子および第２の容量素子の第２の電極にパルス状の第２の制御信号を供給し、第１のステップで得た参照信号との差を取得する第２のステップと、隣接する複数の検知部から得られた信号を比較して、検知情報を決定する第３のステップと、を含んで構成される。

これにより、第１の検知部が第１のノードの電位の変化および第２のノードの電位の変化に基づいて供給する第１の検知信号および第１の検知部に隣接する第２の検知部が第１のノードの電位の変化および第２のノードの電位の変化に基づいて供給する第２の検知信号を比較して、検知情報を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置の駆動方法を提供できる。

また、本発明の一態様は、検知ユニットと、選択信号線と、第１の制御線と、第１の信号線と、第２の信号線と、第２の制御線と、第１の配線と、変換回路と、基材と、を有する入力装置である。

複数の検知ユニットは、マトリクス状に配設される。

複数の選択信号線は、行方向に配設される複数の検知ユニットと電気的に接続され且つ選択信号を供給することができる。

複数の第１の制御線は、行方向に配設される複数の検知ユニットと電気的に接続され且つ第１の制御信号を供給することができる。

複数の第１の信号線は、列方向に配設される複数の検知ユニットと電気的に接続され且つ第１の検知信号を供給することができる。

複数の第２の信号線は、列方向に配設される複数の検知ユニットと電気的に接続され且つ第２の検知信号を供給することができる。

第２の制御線は、複数の検知ユニットと電気的に接続され且つ第２の制御信号を供給することができる。

第１の配線は、複数の検知ユニットと電気的に接続され且つ第１の電源電位を供給することができる。

第２の配線は、複数の検知ユニットと電気的に接続され且つ定電流を供給することができる。

変換回路は、第１の検知信号を供給することができる配線および第２の検知信号を供給することができる配線と電気的に接続され、検知情報を供給することができる。

基材は、複数の検知ユニット、選択信号線、第１の制御線、第１の信号線、第２の信号線、第２の制御線、第１の配線および第２の配線を支持する。

なお、検知ユニットは、近接するものとの距離に基づいて第１の検知信号を供給する第１の検知部および近接するものとの距離に基づいて第２の検知信号を供給する第２の検知部を備える。

また、第１の検知部は、制御端子が、選択信号を供給することができる選択信号線と電気的に接続され、第１の端子が、第１の検知信号を供給することができる第１の信号線と電気的に接続される第１のスイッチを備える。

また、制御端子が、第１の制御信号を供給することができる第１の制御線と電気的に接続され、第１の端子が第１の電源電位を供給することができる第１の配線と電気的に接続される第２のスイッチとを備える。

また、ゲートが第２のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第１のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が定電流を供給することができる第２の配線と電気的に接続される第１の増幅トランジスタを備える。

また、第１の電極が第１の増幅トランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御信号を供給することができる第２の制御線と電気的に接続される第１の容量素子を備える。

また、第２の検知部は、制御端子が、選択信号線と電気的に接続され、第１の端子が、第２の信号線と電気的に接続される第３のスイッチを備える。

また、制御端子が第１の制御線と電気的に接続され、第１の端子が第１の配線と電気的に接続される第４のスイッチを備える。

また、ゲートが第４のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第３のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が第２の配線と電気的に接続される第２の増幅トランジスタを備える。

また、第１の電極が第２の増幅トランジスタのゲートと電気的に接続され第２の電極が第２の制御線と電気的に接続される第２の容量素子と、を備える入力装置である。

また、本発明の一態様は、第２の検知部は、第１の検知部から５ｍｍ以内、好ましくは２．５ｍｍ以内、より好ましくは１ｍｍ以内の範囲に配設される上記の入力装置である。

上記本発明の一態様の検知装置は、マトリクス状に配設された複数の検知ユニットと、第１の制御線と、選択信号線と、第１の信号線と、第２の信号線と、第２の制御線と、第１の配線と、第２の配線と、これらを支持する基材と、検知ユニットに設けられた第１の検知部が供給する第１の検知信号および第１の検知部に隣接する第２の検知部が供給する第２の検知信号を供給され、検知情報を供給することができる変換回路と、を含んで構成される。

これにより、隣接して配設される複数の検知部が供給する検知信号を比較して検知情報を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供できる。

なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。

また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。

なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供できる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供できる。または、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置の駆動方法を提供できる。または、新規な検知装置、新規な検知装置の駆動方法または、新規な半導体装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る検知装置の構成を説明するブロック図、回路図およびタイミングチャート。 実施の形態に係る検知装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する投影図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る検知装置の構成を説明するブロック図および回路図。 実施の形態に係る検知装置の構成を説明するブロック図および回路図。 実施の形態に係る検知回路に用いることができるトランジスタの構成を説明する図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る支持体に開口部を有する積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る加工部材の構成を説明する模式図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。

本発明の一態様の検知装置は、第１の検知信号および第２の検知信号を供給する検知ユニットと、第１の検知信号および第２の検知信号を供給され第１の検知情報および第２の検知情報を供給することができる変換回路と、を含んで構成される。

なお、第１の検知信号は、第１の増幅トランジスタのゲートが電気的に接続される第１のノードの電位の変化および第２の増幅トランジスタのゲートが電気的に接続される第２のノードの電位の変化に基づいて、第１の検知部によって供給される。

また、第２の検知信号は、第１の検知部に隣接し且つ第１の増幅トランジスタのゲートが電気的に接続される第１のノードの電位および第２の増幅トランジスタのゲートが電気的に接続される第２のノードの電位の変化に基づいて、第２の検知部によって供給される。

これにより、隣接して配設される複数の検知部が供給する検知信号を比較して検知情報を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供できる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知装置の構成について、図１を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の検知装置の構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の検知装置１０のブロック図であり、図１（Ｂ）は検知装置１０に用いることができる検知ユニット１０Ｕの回路図である。

＜検知装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する検知装置１０は、選択信号、第１の制御信号および第２の制御信号、第１の電源電位および定電流Ｉを供給され、第１の検知信号および第２の検知信号を供給することができる検知ユニット１０Ｕを有する。

また、第１の検知信号および第２の検知信号を供給され、第１の検知信号に基づく第１の検知情報および第２の検知信号に基づく第２の検知情報を供給することができる変換回路１５を有する。なお、変換回路１５は第１の検知情報を出力端子ＯＵＴ１に供給し、第２の検知情報を出力端子ＯＵＴ２に供給する。

検知ユニット１０Ｕは、近接するものとの距離に基づいて第１の検知信号を供給する第１の検知部１０（１）および近接するものとの距離に基づいて第２の検知信号を供給する第２の検知部１０（２）を備える。

第１の検知部１０（１）は、制御端子が、選択信号を供給することができる選択信号線Ｇ１と電気的に接続され、第１の端子が、第１の検知信号を供給することができる第１の信号線ＭＬ１と電気的に接続される第１のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１１を第１のスイッチに用いることができる（図１（Ｂ）参照）。

また、制御端子が、第１の制御信号を供給することができる第１の制御線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の端子が第１の電源電位を供給することができる第１の配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第２のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１２を第２のスイッチに用いることができる。

また、ゲートが第２のスイッチ（トランジスタＭ１２）の第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第１のスイッチ（トランジスタＭ１１）の第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が定電流Ｉを供給することができる第２の配線ＰＷと電気的に接続される第１の増幅トランジスタＭ１０を備える。

また、第１の電極が第１の増幅トランジスタＭ１０のゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御信号を供給することができる第２の制御線ＣＳと電気的に接続される第１の容量素子Ｃ１を備える。

第２の検知部１０（２）は、制御端子が選択信号線Ｇ１と電気的に接続され、第１の端子が第２の信号線ＭＬ２と電気的に接続される第３のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１３を第３のスイッチに用いることができる。

また、制御端子が第１の制御線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の端子が第１の配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第４のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１４を第４のスイッチに用いることができる。

また、ゲートが第４のスイッチ（トランジスタＭ１４）の第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第３のスイッチ（トランジスタＭ１３）の第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が第２の配線ＰＷと電気的に接続される第２の増幅トランジスタＭ２０を備える。

また、第１の電極が第２の増幅トランジスタＭ２０のゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線ＣＳと電気的に接続される第２の容量素子Ｃ２と、を備える。

また、本実施の形態で説明する検知装置１０の第２の検知部１０（２）は、好ましくは第１の検知部１０（１）から５ｍｍ以内、好ましくは２．５ｍｍ以内、より好ましくは１ｍｍ以内の範囲に配設される。

本実施の形態で説明する検知装置１０は、第１の検知信号および第２の検知信号を供給する検知ユニット１０Ｕと、第１の検知信号および第２の検知信号を供給され第１の検知情報および第２の検知情報を供給することができる変換回路１５と、を含んで構成される。

なお、第１の検知信号は、第１の増幅トランジスタＭ１０のゲートが電気的に接続される第１のノードＡ１の電位の変化および第２の増幅トランジスタＭ２０のゲートが電気的に接続される第２のノードＡ２の電位の変化に基づいて、第１の検知部１０（１）によって供給される。

また、第２の検知信号は、第１の検知部１０（１）に隣接し且つ第１の増幅トランジスタＭ１０のゲートが電気的に接続される第１のノードＡ１の電位および第２の増幅トランジスタＭ２０のゲートが電気的に接続される第２のノードＡ２の電位の変化に基づいて、第２の検知部１０（２）によって供給される。

これにより、隣接して配設される複数の検知部が供給する検知信号を比較して検知情報を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供できる。

なお、大気中において、指などの大気より大きな誘電率を備えるものが導電膜に近接すると、指と導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知信号を供給することができる。具体的には、導電膜および当該導電膜に一方の電極が接続された容量素子を用いることができる。静電容量の変化に伴い電荷の分配が引き起こされ、容量素子の両端の電極の電圧が変化する。この電圧の変化を検知信号に用いることができる。例えば、第１の容量素子Ｃ１の電極間の電圧は、第１の電極１１または第２の電極１２と電気的に接続された導電膜にものが近接することにより変化する。

《全体の構成》
検知装置１０は、検知ユニット１０Ｕまたは変換回路１５を有する。

《検知ユニット》
検知ユニット１０Ｕは、第１のスイッチ、第２のスイッチ、第３のスイッチまたは第４のスイッチを備える。

また、第１の増幅トランジスタＭ１０または第２の増幅トランジスタＭ２０を備える。

また、第１の容量素子Ｃ１または第２の容量素子Ｃ２を備える。

検知ユニット１０２Ｕは、第１の検知部１０（１）または第２の検知部１０（２）を備える。なお、第２の検知部１０（２）は、好ましくは第１の検知部１０（１）から５ｍｍ以内、好ましくは２．５ｍｍ以内、より好ましくは１ｍｍ以内の範囲に配設される。また、第１の検知信号が第２の検知信号より大きく且つ第２の検知信号との差が最大になる位置を調べることにより、第１の検知部１０（１）の位置を知ることができ、第２の検知信号が第１の検知信号より大きく且つ第１の検知信号との差が最大になる位置を調べることにより、第２の検知部１０（２）の位置を知ることができる。

第１の検知部１０（１）は、第１のスイッチ、第２のスイッチ、第１の増幅トランジスタＭ１０および第１の容量素子Ｃ１を備えてもよい。

第２の検知部１０（２）は、第３のスイッチ、第４のスイッチ、第２の増幅トランジスタＭ２０および第２の容量素子Ｃ２を備えてもよい。

なお、検知ユニット１０Ｕを支持する基材に検知ユニット１０Ｕを形成するための膜を成膜し、加工する方法を用いて、検知ユニット１０Ｕを形成してもよい。

または、検知ユニット１０Ｕの一部を他の基材に形成し、形成された一部を基材に転置する方法を用いて、検知ユニット１０Ｕを形成してもよい。

検知ユニット１０Ｕの作製方法の一例を、実施の形態６乃至実施の形態８において詳細に説明する。

《スイッチ》
制御端子に供給される制御信号に基づいて、第１の端子と第２の端子を導通状態または非導通状態にすることができるスイッチを、第１のスイッチ乃至第４のスイッチに用いることができる。例えば、トランジスタを用いることができる。特に、第１の増幅トランジスタＭ１０または第２の増幅トランジスタＭ２０と同一の工程で作製することができるトランジスタを用いると、工程を簡略なものにすることができる。

《トランジスタ》
第１の増幅トランジスタＭ１０または第２の増幅トランジスタＭ２０は半導体層を有する。

例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを半導体層に適用できる。または、有機半導体を用いることができる。テトラセンやペンタセンなどのアセン類、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、ルブレン、Ａｌｑ３、ＴＴＦ−ＴＣＮＱ、ポリチオフェン（ポリ−３−ヘキシルチオフェンなど）、ポリアセチレン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ペンタセン、アントラセン、ルブレン、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、ポリアセチレン、ポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、フタロシアニンなどを有機半導体に用いることができる。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態５において詳細に説明する。

《容量素子》
絶縁性の膜と、絶縁性の膜を挟持する２つの導電性の膜と、を備える容量素子を、第１の容量素子Ｃ１または第２の容量素子Ｃ２に適用できる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料等を絶縁性の膜に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を絶縁性の材料に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、絶縁膜に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、絶縁膜に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、絶縁膜に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を絶縁膜に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、絶縁膜に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、絶縁膜に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、絶縁膜に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを、導電膜に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を導電膜に用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを導電膜に用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を導電膜に用いることができる。

《制御線、選択信号線、信号線または配線》
検知装置１０は、第１の制御線、第２の制御線、第１の配線、第２の配線、選択信号線、第１の信号線または第２の信号線と電気的に接続される。

選択信号線Ｇ１は選択信号を供給することができる。

第１の制御線ＲＥＳは第１の制御信号を供給することができ、第２の制御線ＣＳは第２の制御信号を供給することができる。

第１の配線ＶＲＥＳは第１の電源電位を供給することができ、第２の配線ＰＷは定電流Ｉを供給することができる。

第１の信号線ＭＬ１は第１の検知信号を供給することができ、第２の信号線ＭＬ２は第１の検知信号を供給することができる。

導電性を有する材料を第１の制御線、第２の制御線、第１の配線、第２の配線、選択信号線、第１の信号線または第２の信号線等に用いる。

例えば、第１の容量素子Ｃ１または第２の容量素子Ｃ２に用いることができる上記の導電膜と同様の材料を用いることができる。

《変換回路》
変換回路１０５は、第１の検知信号および第２の検知信号を変換し、第１の出力端子ＯＵＴ１または第２の出力端子ＯＵＴ２に供給することができる。

さまざまな回路を変換回路１０５に用いることができる。例えば、積分回路を用いて電流を電圧に変換してもよい。

例えば、検知ユニットが備えるトランジスタと同一の工程で形成されるトランジスタを用いることができる。

＜検知装置の構成例２．＞
本発明の一態様の検知装置の別の構成について、図５を参照しながら説明する。

図５は本発明の一態様の検知装置の構成を説明する図である。図５（Ａ）は本発明の一態様の検知装置１０のブロック図であり、図１（Ｂ）は検知装置１０に用いることができる検知ユニット１０ＵＢの回路図である。

検知ユニット１０ＵＢは、定電流を供給することができる電源を備える点および、第１の増幅トランジスタＭ１０の第２の電極および第２の増幅トランジスタＭ２０の第２の電極が、定電流を供給することができる配線に電気的に接続される点が、図１を参照しながら説明する検知ユニット１０Ｕとは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

電源は、例えば定電流を供給できる。具体的には、電源はトランジスタＭ０を備える。トランジスタＭ０は、ゲートが電源電位を供給することができる配線ＢＩＡＳに電気的に接続され、第１の電極が第１の増幅トランジスタＭ１０の第２の電極および第２の増幅トランジスタＭ２０の第２の電極に電気的に接続され、第２の電極が電源電位を供給することができる配線ＶＰＩに電気的に接続される。

トランジスタＭ０は、例えば定電流を第１の増幅トランジスタＭ１０の第２の電極および第２の増幅トランジスタＭ２０の第２の電極に供給することができる。

配線ＢＩＡＳは、例えば第２の電源電位を供給することができる。

配線ＶＰＩは、例えば第３の電源電位を供給することができる。

なお、第２の電源電位からトランジスタＭ０の閾値電圧だけ降下した電圧以上の電圧がトランジスタＭ０の第１の電極と第２の電極の間に印加されるように、第３の電源電位を供給する。

例えば、ｎ型のトランジスタを用いる場合は、第１の電源電位を第２の電源電位より大きくし、第２の電源電位を第３の電源電位より大きくする。

なお、ｎ型のトランジスタに替えてｐ型のトランジスタを用いて検知ユニットを構成することもできる。また、ｎ型のトランジスタおよびｐ型のトランジスタを用いて検知ユニットを構成することもできる。

また、ｐ型のトランジスタを用いる場合は、第１の電源電位を第２の電源電位より小さくし、第２の電源電位を第３の電源電位より小さくする。

検知ユニット１０ＵＢは、定電流を供給するトランジスタＭ０を備える。これにより、定電流を検知ユニット１０ＵＢに供給するための配線を短くすることができる。その結果、検知ユニット１０ＵＢを用いて、ノイズの影響を受けにくい検知装置を提供することができる。

本実施の形態で説明する検知装置１０の変形例は、選択信号、第１の制御信号および第２の制御信号、第１の電源電位、第２の電源電位および第３の電源電位を供給され、第１の検知信号および第２の検知信号を供給することができる検知ユニット１０ＵＢを有する（図５（Ａ）参照）。

また、第１の検知信号および第２の検知信号を供給され、第１の検知信号に基づく第１の検知情報および第２の検知信号に基づく第２の検知情報を供給することができる変換回路１５を有する。なお、変換回路１５は第１の検知情報を出力端子ＯＵＴ１に供給し、第２の検知情報を出力端子ＯＵＴ２に供給する。

検知ユニット１０ＵＢは、定電流を供給することができる電源、近接するものとの距離に基づいて第１の検知信号を供給する第１の検知部１０（１）および近接するものとの距離に基づいて第２の検知信号を供給する第２の検知部１０（２）を備える。なお、上記の第２の配線ＰＷに替えて、電源が定電流Ｉを供給する（図５（Ｂ）参照）。

電源は、ゲートが第２の電源電位を供給することができる配線ＢＩＡＳに電気的に接続され、第１の電極が第３の電源電位を供給することができる配線と電気的に接続され、第２の電極は定電流を供給されることができる配線と電気的に接続されるトランジスタＭ０を備える。

第１の検知部１０（１）は、制御端子が、選択信号を供給することができる選択信号線Ｇ１と電気的に接続され、第１の端子が、第１の検知信号を供給することができる第１の信号線ＭＬ１と電気的に接続される第１のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１１を第１のスイッチに用いることができる。

また、制御端子が、第１の制御信号を供給することができる第１の制御線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の端子が第１の電源電位を供給することができる第１の配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第２のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１２を第２のスイッチに用いることができる。

また、ゲートが第２のスイッチ（トランジスタＭ１２）の第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第１のスイッチ（トランジスタＭ１１）の第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が電源から供給される定電流を供給することができる配線と電気的に接続される第１の増幅トランジスタＭ１０を備える。

また、第１の電極が第１の増幅トランジスタＭ１０のゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御信号を供給することができる第２の制御線ＣＳと電気的に接続される第１の容量素子Ｃ１を備える。

第２の検知部１０（２）は、制御端子が選択信号線Ｇ１と電気的に接続され、第１の端子が第２の信号線ＭＬ２と電気的に接続される第３のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１３を第３のスイッチに用いることができる。

また、制御端子が第１の制御線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の端子が第１の配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第４のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１４を第４のスイッチに用いることができる。

また、ゲートが第４のスイッチ（トランジスタＭ１４）の第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第３のスイッチ（トランジスタＭ１３）の第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が電源から供給される定電流を供給することができる配線と電気的に接続される第２の増幅トランジスタＭ２０を備える。

また、第１の電極が第２の増幅トランジスタＭ２０のゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線ＣＳと電気的に接続される第２の容量素子Ｃ２と、を備える。

また、本実施の形態で説明する検知装置１０の変形例の第２の検知部１０（２）は、好ましくは第１の検知部１０（１）から５ｍｍ以内、好ましくは２．５ｍｍ以内、より好ましくは１ｍｍ以内の範囲に配設される。

＜検知装置の駆動方法＞
検知装置１０の駆動方法を説明する（図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）参照）。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、第１のスイッチ（第１のトランジスタＭ１１）および第３のスイッチ（第３のトランジスタＭ１３）を導通状態にする選択信号、第２のスイッチ（第２のトランジスタＭ１２）および第４のスイッチ（第２のトランジスタＭ１４）を導通状態にする第１の制御信号を供給し、第１の検知信号および第２の検知信号を取得する（図１（Ｃ）期間Ｔ１参照）。

これにより、第２のスイッチ（トランジスタＭ１２）の第２の端子、第１の増幅トランジスタＭ１０のゲートおよび第１の容量素子Ｃ１の第１の電極が電気的に接続される第１のノードＡ１の電位を、第１の電源電位に基づくものにする。

また、第４のスイッチ（トランジスタＭ１４）の第２の端子、第２の増幅トランジスタＭ２０のゲートおよび第２の容量素子Ｃ２の第１の電極が電気的に接続される第２のノードＡ２の電位を、第１の電源電位に基づくものにする。

第１のノードＡ１の電位および第２のノードＡ２の電位を、第１の電源電位に基づく電位にすることにより、およそ等しい電流が第１の信号線ＭＬ１および第２の信号線ＭＬ２に流れることになる。第１の信号線ＭＬ１を流れる電流および第２の信号線ＭＬ２を流れる電流の和は、第２の配線または電源が供給する定電流Ｉの大きさとなる（図１）。

なお、第１のステップにおいて第１の信号線ＭＬ１に流れる電流に基づく第１の検知信号を第１の参照信号ｒｅｆ１とし、第２の信号線ＭＬ２に流れる電流に基づく第２の検知信号を第２の参照信号ｒｅｆ２とすることができる。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、第１のスイッチ（第１のトランジスタＭ１１）および第３のスイッチ（第３のトランジスタＭ１３）を導通状態にする選択信号、第２のスイッチ（第２のトランジスタＭ１２）および第４のスイッチ（第４のトランジスタＭ１４）を非導通状態にする第１の制御信号を供給する。

また、パルス状の第２の制御信号を供給し、第１の検知信号および第２の検知信号を取得する（図１（Ｃ）期間Ｔ２参照）。

これにより、パルス状の第２の制御信号は、第１の容量素子Ｃ１を介して第１のノードＡ１の電位を変化し、第２の容量素子Ｃ２を介して第２のノードＡ２の電位を変化する。例えば、矩形波をパルス状の第２の制御信号に用いることができる。

なお、パルス状の第２の制御信号によってもたらされる第１のノードＡ１の電位の変化は、第１のノードＡ１と電気的に接続する導電膜とその導電膜に近接するもの（例えば指）との静電容量に依存する。

また、パルス状の第２の制御信号によってもたらされる第２のノードＡ２の電位の変化は、第２のノードＡ２と電気的に接続する導電膜とその導電膜に近接するもの（例えば指）との静電容量に依存する。

これにより、第１のノードＡ１の電位の変化と第２のノードＡ２の電位の変化は、第１の検知部１０（１）の導電膜からそれに近接するものまでの第１の距離および第２の検知部１０（２）の導電膜からそれに近接するものまでの第２の距離の違いに基づいて異なるものになる。その結果、第１の検知部１０（１）と第２の検知部１０（２）は、互いに異なる大きさの第１の検知信号および第２の検知信号を供給することができる。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、第２のステップで供給された第１の検知信号を第１のステップで供給された第１の参照信号と比較して、第１の検知情報を取得する。

また、第２のステップで供給された第２の検知信号を第１のステップで供給された第２の参照信号と比較して、第２の検知情報を取得する。

具体的には、第１の検知信号から変換された第１の検知情報から、第１の参照信号から変換された第１の参照情報を差し引いて第１の検知部１０（１）が供給する第１の検知情報を取得する。

具体的には、第２の検知信号から変換された第２の検知情報から、第２の参照信号から変換された第２の参照情報を差し引いて第２の検知部１０（２）が供給する第２の検知情報を取得する。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、第３のステップで取得した第１の検知情報と第２の検知情報を比較して、検知装置１０に近接するものについての検知情報を取得することができる。

本実施の形態で説明する検知装置１０の駆動方法は、第１の電源電位に基づく電位を、第１の検知部１０（１）の第１のノードＡ１および第１の検知部に隣接する第２の検知部１０（２）の第２のノードＡ２に供給し、参照信号を取得する第１のステップと、パルス状の第２の制御信号を、第１の容量素子Ｃ１および第２の容量素子Ｃ２の第２の電極に供給し検知信号を取得する第２のステップと、第２のステップで得た検知信号と第１のステップで得た参照信号を比較して、検知情報を取得する第３のステップとを含んで構成される。

これにより、第１の検知部が第１のノードの電位の変化および第２のノードの電位の変化に基づいて供給する第１の検知信号および第１の検知部に隣接する第２の検知部が第１のノードの電位の変化および第２のノードの電位の変化に基づいて供給する第２の検知信号を比較して、検知情報を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置の駆動方法を提供できる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知装置の構成について、図６を参照しながら説明する。

図６は本発明の一態様の検知装置の構成を説明する図である。図６（Ａ）は本発明の一態様の検知装置１０のブロック図であり、図６（Ｂ）は検知装置１０に用いることができる検知ユニット１０ＵＣの回路図である。

＜検知装置の構成例＞
本実施の形態で説明する検知装置１０は、選択信号、第１の制御信号および第２の制御信号、第１の電源電位、第２の電源電位、第３の電源電位および第４の電源電位を供給され、第１の検知信号および第２の検知信号を供給することができる検知ユニット１０ＵＣを有する（図６（Ａ）参照）。

また、第１の検知信号および第２の検知信号を供給され、第１の検知信号に基づく第１の検知情報および第２の検知信号に基づく第２の検知情報を供給することができる変換回路１５を有する。なお、変換回路１５は第１の検知情報を出力端子ＯＵＴ１に供給し、第２の検知情報を出力端子ＯＵＴ２に供給する。

検知ユニット１０ＵＣは、定電流を供給することができる電源、近接するものとの距離に基づいて第１の検知信号を供給する第１の検知部１０（１）および近接するものとの距離に基づいて第２の検知信号を供給する第２の検知部１０（２）を備える。なお、電源が定電流Ｉを供給する（図６（Ｂ）参照）。

電源は、ゲートが第２の電源電位を供給することができる配線ＢＩＡＳに電気的に接続され、第１の電極が第３の電源電位を供給することができる配線と電気的に接続され、第２の電極は定電流を供給されることができる配線と電気的に接続されるトランジスタＭ０を備える。

第１の検知部１０（１）は、制御端子が、選択信号を供給することができる選択信号線Ｇ１と電気的に接続され、第１の端子が、第１の検知信号を供給することができる第１の信号線ＭＬ１と電気的に接続される第１のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１１を第１のスイッチに用いることができる。

また、制御端子が、第１の制御信号を供給することができる第１の制御線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の端子が第１の電源電位を供給することができる第１の配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第２のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１２を第２のスイッチに用いることができる。

また、ゲートが第２のスイッチ（トランジスタＭ１２）の第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第１のスイッチ（トランジスタＭ１１）の第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が電源から供給される定電流を供給することができる配線と電気的に接続される第１の増幅トランジスタＭ１０を備える。

また、制御端子が第２の制御信号を供給することができる第２の制御線ＣＳと電気的に接続され、第１の端子が第２のスイッチの第２の端子に電気的に接続される第５のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１５を第５のスイッチに用いることができる。

また、制御端子が第１の制御信号を供給することができる第１の制御線ＲＥＳに電気的に接続され、第１の端子が第４の電源電位を供給することができる配線ＣＯＭと電気的に接続され、第２の端子が第５のスイッチの第２の端子と電気的に接続される第６のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１６を第６のスイッチに用いることができる。

第２の検知部１０（２）は、制御端子が選択信号線Ｇ１と電気的に接続され、第１の端子が第２の信号線ＭＬ２と電気的に接続される第３のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１３を第３のスイッチに用いることができる。

また、制御端子が第１の制御線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の端子が第１の配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第４のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１４を第４のスイッチに用いることができる。

また、ゲートが第４のスイッチ（トランジスタＭ１４）の第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第３のスイッチ（トランジスタＭ１３）の第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が電源から供給される定電流を供給することができる配線と電気的に接続される第２の増幅トランジスタＭ２０を備える。

また、制御端子が第２の制御信号を供給することができる第２の制御線ＣＳと電気的に接続され、第１の端子が第２のスイッチの第２の端子に電気的に接続される第７のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１７を第５のスイッチに用いることができる。

また、制御端子が第１の制御信号を供給することができる第１の制御線ＲＥＳに電気的に接続され、第１の端子が第４の電源電位を供給することができる配線ＣＯＭと電気的に接続され、第２の端子が第７のスイッチの第２の端子と電気的に接続される第８のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１８を第８のスイッチに用いることができる。

また、本実施の形態で説明する検知装置１０の第２の検知部１０（２）は、好ましくは第１の検知部１０（１）から５ｍｍ以内、好ましくは２．５ｍｍ以内、より好ましくは１ｍｍ以内の範囲に配設される。

なお、第１の検知部１０（１）は、第５のスイッチの第２の端子、第６のスイッチの第２の端子および第１の導電膜が接続された第３のノードＡ３を備える。

また、第２の検知部１０（２）は、第７のスイッチの第２の端子、第８のスイッチの第２の端子および第１の導電膜と電気的に絶縁された第２の導電膜が接続された第４のノードＡ４を備える。

本実施の形態で説明する検知装置１０は、第１の検知信号および第２の検知信号を供給する検知ユニット１０ＵＣと、第１の検知信号および第２の検知信号を供給され第１の検知情報および第２の検知情報を供給することができる変換回路１５と、を含んで構成される。

なお、第１の検知信号は、第１の増幅トランジスタＭ１０のゲートが電気的に接続される第１のノードＡ１の電位の変化および第２の増幅トランジスタＭ２０のゲートが電気的に接続される第２のノードＡ２の電位の変化に基づいて、第１の検知部１０（１）によって供給される。

また、第２の検知信号は、第１の検知部１０（１）に隣接し且つ第１の増幅トランジスタＭ１０のゲートが電気的に接続される第１のノードＡ１の電位および第２の増幅トランジスタＭ２０のゲートが電気的に接続される第２のノードＡ２の電位の変化に基づいて、第２の検知部１０（２）によって供給される。

これにより、隣接して配設される複数の検知部が供給する検知信号を比較して検知情報を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供できる。

なお、所定の電位を配線ＣＯＭが供給する第４の電源電位にすることができる。例えば、第１の電源電位と異なる電位を、第４の電源電位に用いることができる。

＜検知装置の駆動方法＞
本実施の形態で例示する検知装置１０は、実施の形態１で説明する検知装置１０と同様の方法を用いて駆動することができる。

具体的には、第５のスイッチ（トランジスタＭ１５）が非導通状態において第１の制御信号が供給されることにより、第１のノードＡ１に第１の電源電位に基づく電位が供給され、第３のノードＡ３に第４の電源電位に基づく電位が供給される（第１のステップ）。なお、第３のノードＡ３に電気的に接続される第１の導電膜にものが近接すると、静電容量に変化が生じる。

また、第７のスイッチ（トランジスタＭ１７）が非導通状態において第１の制御信号が供給されることにより、第２のノードＡ２に第１の電源電位に基づく電位が供給され、第４のノードＡ４に第４の電源電位に基づく電位が供給される。なお、第４のノードＡ４に電気的に接続される第２の導電膜に物が近接すると、静電容量に変化が生じる。

次いで、第２のスイッチ（トランジスタＭ１２）および第６のスイッチ（トランジスタＭ１６）が非導通状態において、第５のスイッチ（トランジスタＭ１５）を導通状態にする第２の制御信号を供給すると、第１のノードＡ１と第３のノードＡ３が電気的に接続される（第２のステップ）。

第４のスイッチ（トランジスタＭ１４）および第８のスイッチ（トランジスタＭ１８）が非導通状態において、第７のスイッチ（トランジスタＭ１７）を導通状態にする第２の制御信号を供給すると、第２のノードＡ２と第４のノードＡ４が電気的に接続される。

これにより、第１の導電膜に近接するものがもたらす静電容量の変化が、第１のノードＡ１の電位を変化し、第２の導電膜に近接するものがもたらす静電容量の変化が、第２のノードＡ２の電位を変化する。その結果、第１の検知部１０（１）と第２の検知部１０（２）は互いに異なる大きさの第１の検知信号および第２の検知信号を供給する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置の構成について、図２を参照しながら説明する。

図２は本発明の一態様の入力装置の構成を説明する図である。図２（Ａ）は本発明の一態様の入力装置１００のブロック図であり、図２（Ｂ）は入力装置１００に用いることができる検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）の構成を説明するブロック図である。

＜入力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入力装置１００は、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配設される複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）を有する（図２（Ａ）参照）。

なお、ｍ、ｎ、ｉおよびｊは自然数である。また、ｍまたはｎのいずれか一方は２以上である。ｉはｍ以下である。ｊはｎ以下である。

また、行方向に配設される複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）と電気的に接続され且つ選択信号を供給することができる複数の選択信号線Ｇ１（ｉ）と、行方向に配設される複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）と電気的に接続され且つ第１の制御信号を供給することができる複数の第１の制御線ＲＥＳ（ｉ）と、を有する。

また、列方向に配設される複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）と電気的に接続され且つ第１の検知信号を供給することができる複数の第１の信号線ＭＬ１（ｊ）と、列方向に配設される複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）と電気的に接続され且つ第２の検知信号を供給することができる複数の第２の信号線ＭＬ２（ｊ）と、を有する。

また、複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）と電気的に接続され且つ第２の制御信号を供給することができる第２の制御線ＣＳと、を有する。

また、複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）と電気的に接続され且つ第１の電源電位を供給することができる第１の配線ＶＲＥＳと、複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）と電気的に接続され且つ定電流を供給することができる第２の配線ＰＷと、を有する。

また、第１の検知信号を供給することができる信号線ＭＬ１（ｊ）および第２の検知信号を供給することができる信号線ＭＬ２（ｊ）と電気的に接続され、検知情報を端子ＯＵＴ（ｊ）に供給することができる変換回路１０５（ｊ）と、を有する。

また、複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）、選択信号線Ｇ１（ｉ）、第１の制御線ＲＥＳ（ｉ）、第１の信号線ＭＬ１（ｊ）、第２の信号線ＭＬ２（ｊ）、第２の制御線ＣＳ、第１の配線および第２の配線ＰＷを支持する基材１６と、を有する。

検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）は、近接するものとの距離に基づいて第１の検知信号を供給する第１の検知部１０（１）および近接するものとの距離に基づいて第２の検知信号を供給する第２の検知部１０（２）を備える。

第１の検知部１０（１）は、制御端子が、選択信号を供給することができる選択信号線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続され、第１の端子が、第１の検知信号を供給することができる第１の信号線ＭＬ１（ｊ）と電気的に接続される第１のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１１を第１のスイッチに用いることができる（図１（Ｂ）参照）。

また、制御端子が、第１の制御信号を供給することができる第１の制御線ＲＥＳ（ｉ）と電気的に接続され、第１の端子が第１の電源電位を供給することができる第１の配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第２のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１２を第２のスイッチに用いることができる。

また、ゲートが第２のスイッチ（トランジスタＭ１２）の第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第１のスイッチ（トランジスタＭ１１）の第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が定電流を供給することができる第２の配線ＰＷと電気的に接続される第１の増幅トランジスタＭ１０を備える。

また、第１の電極が第１の増幅トランジスタＭ１０のゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御信号を供給することができる第２の制御線ＣＳと電気的に接続される第１の容量素子Ｃ１を備える。

第２の検知部１０（２）は、制御端子が選択信号線Ｇ１と電気的に接続され、第１の端子が第２の信号線ＭＬ２（ｊ）と電気的に接続される第３のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１３を第３のスイッチに用いることができる。

また、制御端子が第１の制御線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の端子が第１の配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第４のスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１４を第４のスイッチに用いることができる。

また、ゲートが第４のスイッチ（トランジスタＭ１４）の第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が第３のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が第２の配線ＰＷと電気的に接続される第２の増幅トランジスタＭ２０を備える。

また、第１の電極が第２の増幅トランジスタＭ２０のゲートと電気的に接続され第２の電極が第２の制御線ＣＳと電気的に接続される第２の容量素子と、を備える。

また、本実施の形態で説明する入力装置１００に用いる検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）の第２の検知部１０（２）は、第１の検知部１０（１）から５ｍｍ以内、好ましくは２．５ｍｍ以内、より好ましくは１ｍｍ以内の範囲に配設される。

本実施の形態で説明する入力装置１００は、マトリクス状に配設された複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）と第１の制御線ＲＥＳ（ｉ）と、選択信号線Ｇ１（ｉ）と、第１の信号線ＭＬ１（ｊ）と、第２の信号線ＭＬ１（ｊ）と、第２の制御線ＣＳと、第１の配線ＶＲＥＳと、第２の配線ＰＷと、これらを支持する基材１６と、検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）に設けられた第１の検知部１０（１）が供給する第１の検知信号および第１の検知部１０（１）に隣接する第２の検知部１０（２）が供給する第２の検知信号を供給され、検知情報を供給することができる変換回路と、を含んで構成される。

これにより、隣接して配設される複数の検知部が供給する検知信号を比較して検知情報を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供できる。

また、入力装置１００は選択信号および第１の制御信号をｉ行目に配置された検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）に供給する駆動回路ＧＤを備えてもよい。

また、入力装置１００はｊ列目に配置された検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）に第１の検知信号および第２の検知信号を供給され検知情報を供給することができる変換回路１０５（ｊ）を含む変換器ＣＯＮＶを備えてもよい。

以下に、入力装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

また、入力装置１００は、複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）を有する点、選択信号線Ｇ１（ｉ）、第１の制御線ＲＥＳ（ｉ）、第１の信号線ＭＬ１（ｊ）、第２の信号線ＭＬ２（ｊ）、第２の制御線ＣＳ、第１の配線および第２の配線ＰＷを有する点、これらの構成を支持する基材１６を有する点、複数の変換回路２０４（ｊ）を有する点が、図１を参照しながら説明する検知装置１０とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

言い換えると、実施の形態１で説明する検知ユニット１０Ｕと同様の構成を検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）に用いることができ、変換回路１５と同様の構成を変換回路１０５（ｊ）に用いることができる。

《全体の構成》
実施の形態１で説明する検知ユニット１０Ｕと同様の構成を検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

実施の形態１で説明する変換回路１５と同様の構成を変換回路１０５（ｊ）に用いることができる。

実施の形態１で説明する第１の制御線、第２の制御線、第１の配線、第２の配線、選択信号線、第１の信号線または第２の信号線同様の構成を、選択信号線Ｇ１（ｉ）、第１の制御線ＲＥＳ（ｉ）、第１の信号線ＭＬ１（ｊ）、第２の信号線ＭＬ２（ｊ）、第２の制御線ＣＳ、第１の配線または第２の配線ＰＷに用いることができる。

《基材》
基材１６は、複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）、選択信号線Ｇ１（ｉ）、第１の制御線ＲＥＳ（ｉ）、第１の信号線ＭＬ１（ｊ）、第２の信号線ＭＬ２（ｊ）、第２の制御線ＣＳ、第１の配線または第２の配線ＰＷを支持する基材１６。また、変換回路１０５（ｊ）を支持してもよい。

特に、可撓性を有する材料を基材１６に用いると、入力装置１００を折り畳んだ状態または展開された状態にすることができる。

折り畳まれた状態の入力装置１００は可搬性に優れる。これにより、入力装置１００の使用者は、入力装置１００を片手で把持しながら操作して位置情報を供給できる。

また、展開された状態の入力装置１００は一覧性に優れる。これにより入力装置１００の使用者は、入力装置１００に多様な情報を表示しながら操作して、位置情報を供給できる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料等を可撓性の基材１６に用いることができる。

５μｍ以上２５００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上６８０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１７０以下、より好ましくは５μｍ以上４５μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上４５μｍ以下、より好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下の厚さを有する材料を、基材１６に用いることができる。

また、意図しない不純物の透過が抑制された材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^−６ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。

また、線膨張率がおよそ等しい材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチックフィルム等の有機材料を、基材１６に用
いることができる。

例えば、金属板または厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の薄板状のガラス板等の無機材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料の膜を樹脂フィルム等に貼り合せた複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材１６に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス若しくはクリスタルガラス等を用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。

具体的には、ＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。

＜入力装置の構成例２．＞
本発明の一態様の入力装置の別の構成について、図２および図５を参照しながら説明する。

図５は本発明の一態様の入力装置に用いることができる検知ユニット１０ＵＢの変形例の構成を説明する図である。

検知ユニット１０Ｕに替えて、検知ユニット１０ＵＢを用いることができる。検知ユニット１０ＵＢを用いる場合は、第２の配線ＰＷに替えて配線ＢＩＡＳおよび配線ＶＰＩを用いる。

配線ＢＩＡＳは、第２の電源電位を供給することができ、配線ＶＰＩは第３の電源電位を供給することができる。

基材１６は、第２の配線ＰＷに替えて配線ＢＩＡＳおよび配線ＶＰＩを支持する。

＜入力装置の構成例３．＞
本発明の一態様の入力装置の別の構成について、図２および図６を参照しながら説明する。

図６は本発明の一態様の入力装置に用いることができる検知ユニット１０ＵＣの変形例の構成を説明する図である。

検知ユニット１０Ｕに替えて、検知ユニット１０ＵＣを用いることができる。検知ユニット１０ＵＣを用いる場合は、第２の配線ＰＷに替えて配線ＢＩＡＳおよび配線ＶＰＩを用いる。また、配線ＣＯＭを用いる。

配線ＢＩＡＳは、第２の電源電位を供給することができ、配線ＶＰＩは第３の電源電位を供給することができる。また、配線ＣＯＭは第４の電源電位を供給できる。

基材１６は、第２の配線ＰＷに替えて配線ＢＩＡＳ、配線ＶＰＩおよび配線ＣＯＭを支持する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置を用いた入出力装置の構成について、図３および図４を参照しながら説明する。

図３は本発明の一態様の入出力装置５００の構成を説明する投影図である。なお、説明の便宜のために検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）の一部および画素５０２の一部が拡大されている。

図４（Ａ）は図３に示す本発明の一態様の入出力装置５００のＺ１−Ｚ２における断面の構造を示す断面図であり、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）は図４（Ａ）に示す構造の一部を置換することができる構造の変形例を示す断面図である。

＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置５００は、表示部５０１および表示部５０１に重なる入力装置１００を有する（図３参照）。

入力装置１００は、マトリクス状に配設される複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）を有する。

また、行方向（図中に矢印Ｒで示す）に配置される複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）が電気的に接続される選択信号線Ｇ１（ｉ）と、第１の制御線ＲＥＳ（ｉ）と、を有する。

また、列方向（図中に矢印Ｃで示す）に配置される複数の検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）が電気的に接続される第１の信号線ＭＬ１（ｊ）と、第２の信号線ＭＬ２（ｊ）と、を有する。

また、第２の制御信号を供給することができる第２の制御線ＣＳ、第１の電位を供給することができる第１の配線ＶＲＥＳ、定電流を供給することができる第２の配線ＰＷを備える。

また、検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）は、第１の検知部１０（１）および第１の検知部１０（１）に隣接する第２の検知部１０（２）を有する。

第１の検知部１０（１）は、第１の検知信号を第１の信号線ＭＬ１に供給することができる。第２の検知部１０（２）は、第２の検知信号を第２の信号線ＭＬ２に供給することができる。

トランジスタまたは／および検知素子等を第１の検知部１０（１）に用いることができる。また、トランジスタまたは／および検知素子等を第２の検知部に用いることができる。例えば、導電膜と当該導電膜に電気的に接続される容量素子を検知素子に用いることができる。具体的には、トランジスタＭ１２、トランジスタＭ１２の第２の電極と電気的に接続される第１の容量素子Ｃ１を用いることができる（図４参照）。

第１の容量素子Ｃ１は絶縁層１３、絶縁層１３を挟持する第１の電極１１および第２の電極１２を備える。

また、検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）は、マトリクス状に配置された複数の窓部１４を有する（図３参照）。窓部１４は可視光を透過し、遮光性の層ＢＭを複数の窓部１４の間に配設してもよい。

窓部１４に重なる位置に着色層を備える。着色層は、所定の色の光を透過する。なお、着色層はカラーフィルタということができる。例えば、青色の光を透過する着色層ＣＦＢ、緑色の光を透過する着色層ＣＦＧまたは赤色の光を透過する着色層ＣＦＲを用いることができる。また、黄色の光を透過する着色層や白色の光を透過する層を用いてもよい。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素５０２を有する。画素５０２は入力装置１００の窓部１４と重なるように配置されている。

画素５０２は、検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）に比べて高い精細度で配置されてもよい。

本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過する窓部１４を具備する検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）を複数備える入力装置１００と、窓部１４に重なる画素５０２を複数備える表示部５０１と、を有し、窓部１４と画素５０２の間に着色層を含んで構成される。また、それぞれの検知ユニットに他の検知ユニットへの電気的な干渉を低減することができるスイッチが配設されている。なお、トランジスタ等をスイッチに用いることができる。

これにより、各検知ユニットが検知する検知情報を検知ユニットの位置情報と共に供給することができる。また、画像を表示する画素の位置情報に関連付けて検知情報を供給することができる。また、検知情報を供給させない検知ユニットと信号線を非導通状態にすることで、検知信号を供給させる検知ユニットへの電気的な干渉を低減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

例えば、入出力装置５００の入力装置１００は検知情報を検知して位置情報と共に供給することができる。具体的には、入出力装置５００の使用者は、入力装置１００に触れた指等をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

入力装置１００は入力装置１００に近接または接触する指等を検知して、検知した位置または軌跡等を含む検知情報を供給することができる。

演算装置は供給された検知情報が所定の条件を満たすか否かをプログラム等に基づいて判断し、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を実行する。

これにより、入力装置１００の使用者は、指等を用いて所定のジェスチャーを供給し、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を演算装置に実行させることができる。

例えば、入力装置１００は、一の第１の信号線ＭＬ１に検知情報を供給することができる複数の検知ユニットの第１の検知部１０（１）から一の検知ユニットを選択し、選択された検知ユニットを除いた他の検知ユニットと当該一の第１の信号線ＭＬ１を非導通状態にすることができる。これにより、選択されていない他の検知ユニットの第１の検知部１０（１）がもたらす選択された検知ユニットへの第１の検知部１０（１）の電気的な干渉を低減することができる。

具体的には、選択されていない検知ユニットの第１の検知部１０（１）の検知素子がもたらす選択された検知ユニットの検知素子への電気的な干渉を低減できる。なお、上記の記載は、第１の検知部１０（１）を第２の検知部１０（２）に読み替え且つ第１の信号線ＭＬ１を第２の信号線ＭＬ２に読み替えることができる。

例えば、容量素子および当該容量素子の一の電極が電気的に接続された導電膜を検知素子に用いる場合において、選択されていない検知ユニットの導電膜の電位がもたらす、選択された検知ユニットの導電膜の電位への干渉を低減することができる。具体的には、雑音の低減に寄与することができる。

これにより、入力装置１００はその大きさに依存することなく、検知ユニットを駆動して、検知情報を供給させることができる。例えば、ハンドヘルド型に用いることができる大きさから、電子黒板に用いることができる大きさまで、さまざまな大きさの入力装置１００を提供することができる。

また、入力装置１００が折り畳まれた状態および展開された状態にすることができ且つ折り畳まれた状態と展開された状態とで選択されていない検知ユニットがもたらす選択された検知ユニットへの電気的な干渉が異なる場合においても、入力装置１００の状態に依存することなく検知ユニットを駆動して、検知情報を供給させることができる。

また、入出力装置５００の表示部５０１は表示情報Ｖを供給されることができる。例えば、演算装置は表示情報Ｖを供給することができる。

以上の構成に加えて、入出力装置５００は以下の構成を備えることもできる。

入出力装置５００の入力装置１００は、駆動回路ＧＤまたは変換器ＣＯＮＶを備えてもよい。また、フレキシブル基板ＦＰＣ１と電気的に接続されてもよい。

入出力装置５００の表示部５０１は、走査線駆動回路５０３ｇ、配線５１１または端子５１９を備えてもよい。また、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２と電気的に接続されてもよい。

また、傷の発生を防いで入出力装置５００を保護する保護層１７を備えてもよい。例えば、セラミックコート層またはハードコート層を保護層１７に用いることができる。具体的には、酸化アルミニウムを含む層またはＵＶ硬化樹脂を用いることができる。また、入出力装置５００が反射する外光の強度を弱める反射防止層５６７ｐを用いることができる。具体的には円偏光板を用いることができる。

以下に、入出力装置５００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

例えば、複数の窓部１４に重なる位置に着色層を備える入力装置１００は、入力装置１００であるとともにカラーフィルタでもある。

また、例えば入力装置１００が表示部５０１に重ねられた入出力装置５００は、入力装置１００であるとともに表示部５０１でもある。なお、表示部５０１に入力装置１００が重ねられた入出力装置５００をタッチパネルともいう。

《全体の構成》
本実施の形態で説明する入出力装置５００は、入力装置１００または表示部５０１を有する。

なお、入出力装置５００の作製方法の一例を実施の形態６乃至実施の形態８において詳細に説明する。

《入力装置》
入力装置１００は、検知ユニット１０Ｕ、選択信号線Ｇ１、第１の信号線ＭＬ１（ｊ）および第２の信号線ＭＬ２（ｊ）ならびに窓部１４および第１の基材１６を備える。

なお、基材１６に入力装置１００を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工する方法を用いて、入力装置１００を形成してもよい。

または、入力装置１００の一部を他の基材に形成し、当該一部を基材１６に転置する方法を用いて、入力装置１００を形成してもよい。

《検知ユニット》
検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）は近接または接触するものを検知して検知情報を供給する。例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用いることができる。

検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）は、例えば、近接または接触するものとの間の静電容量の変化を検知する。具体的には、導電膜および導電膜と電気的に接続された検知回路を用いてもよい。

なお、大気中において、指などの大気より大きな誘電率を備えるものが導電膜に近接すると、指と導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知信号を供給することができる。具体的には、導電膜および当該導電膜に一方の電極が接続された容量素子を含む検知回路を用いることができる。静電容量の変化に伴い電荷の分配が引き起こされ、容量素子の両端の電極の電圧が変化する。この電圧の変化を検知信号に用いることができる。例えば、第１の容量素子Ｃ１の電極間の電圧は一方の電極に電気的に接続された導電膜にものが近接することにより変化する。

例えば、実施の形態２で説明する構成を検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）に用いることができる。検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）は第１の検知部１０（１）と第２の検知部１０（２）を備える。

第１の検知部１０（１）は検知情報を第１の信号線ＭＬ１（ｊ）に供給し、第２の検知部１０（２）は検知情報を第２の信号線ＭＬ２（ｊ）に供給する。

《スイッチ、トランジスタ》
検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）は、制御信号に基づいて導通状態または非導通状態にすることができるスイッチを備える。例えば、トランジスタをスイッチに用いることができる。

また、検知信号を増幅するトランジスタを検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

同一の工程で作製することができるトランジスタを、検知信号を増幅するトランジスタおよびスイッチに用いることができる。これにより、作製工程が簡略化された入力装置１００を提供できる。

トランジスタは半導体層を備える。例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを半導体層に適用できる。

様々な結晶性を備える半導体層をトランジスタに用いることができる。例えば、非結晶を含む半導体層、微結晶を含む半導体層、多結晶を含む半導体層または単結晶を含む半導体層等を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、レーザーアニールなどの処理により結晶化したポリシリコンまたはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術を用いて形成された半導体層等を用いることができる。

半導体層に用いる酸化物半導体は、例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。

酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態５において詳細に説明する。

《配線》
入力装置１００は、選択信号線Ｇ１（ｉ）、第１の制御線ＲＥＳ（ｉ）、第１の信号線ＭＬ１（ｊ）、第２の信号線ＭＬ２（ｊ）、第２の制御線ＣＳ、第１の配線ＶＲＥＳまたは第２の配線ＰＷ等を備える。

導電性を有する材料をこれらの配線に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを、配線に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を用いることができる。

《駆動回路》
駆動回路ＧＤは、例えば選択信号を所定のタイミングで供給することができる。具体的には、選択信号を選択信号線Ｇ１ごとに所定の順番で供給する。また、さまざまな回路を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、シフトレジスタ、フリップフロップ回路などの組み合わせ回路などを用いることができる。例えば、入力装置１００が表示部５０１の所定の動作に基づいて動作するように、駆動回路ＧＤが選択信号を供給してもよい。具体的には、表示部５０１の帰線期間中に入力装置１００が動作するように選択信号を供給してもよい。これにより、表示部５０１の動作に伴う雑音を入力装置１００が検知してしまう不具合を軽減できる。

変換器ＣＯＮＶは、検知ユニット１０Ｕ（ｉ，ｊ）が供給する検知信号を検知情報に変換してフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１に供給することができるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる（図３（Ｂ）参照）。例えば、検知ユニットに配設された検知回路と電気的に接続されることによりソースフォロワ回路やカレントミラー回路を構成することができる回路を、変換回路ＣＯＮＶに用いることができる。また、検知信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換回路を備えていてもよい。

なお、変換器ＣＯＮＶは変換回路１０５（ｊ）を複数備えていてもよい。変換回路１０５（ｊ）は、第１の信号線ＭＬ１（ｊ）および第２の信号線ＭＬ２（ｊ）が供給する信号を電圧に変換して供給してもよい。

《基材》
基材１６は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。特に、可撓性を有する材料を基材１６に用いると、入力装置１００を折り畳んだ状態または展開された状態にすることができる。なお、表示部５０１が表示をする側に入力装置１００を配置する場合は、透光性を有する材料を基材１６に用いる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材１６に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックスまたは金属等の無機材料を基材１６に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、基材１６に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、基材１６に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、基材１６に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材１６に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材１６に用いることができる。

例えば、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材１６に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を基材１６に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、基材１６に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、基材１６に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、基材１６に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、基材１６に適用できる。

具体的には、可撓性を有する基材１６ｂ、意図しない不純物の拡散を防ぐバリア膜１６ａおよび基材１６ｂとバリア膜１６ａを貼り合わせる樹脂層１６ｃの積層体を用いることができる（図６（Ａ）参照）。

《フレキシブルプリント基板》
フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１は、タイミング信号、電源電位等を供給し、検知信号を供給される。

《表示部》
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素５０２を備える（図３参照）。

なお、基材５１０に表示部５０１を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工する方法を用いて、表示部５０１を形成してもよい。

または、表示部５０１の一部を他の基材に形成し、当該一部を基材５１０に転置する方法を用いて、表示部５０１を形成してもよい。

《画素》
画素５０２は副画素５０２Ｂ、副画素５０２Ｇおよび副画素５０２Ｒを含み、それぞれの副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

《画素回路》
画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を表示部に用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来る。

画素回路は、例えば、トランジスタ５０２ｔを含む。

表示部５０１はトランジスタ５０２ｔを覆う絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、絶縁膜５２１に不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を適用することができる。これにより、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

《表示素子》
さまざまな表示素子を表示部５０１に用いることができる。例えば、電気泳動方式や電子粉流体方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、液晶素子などを用いることができる。

また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイなどに用いることができる表示素子を適用できる。

例えば、射出する光の色が異なる有機エレクトロルミネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。

例えば、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子に適用できる。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する。

副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒおよび発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層ＣＦＲ）を備える。

なお、特定の波長の光を効率よく取り出せるように、発光モジュール５８０Ｒに微小共振器構造を配設することができる。具体的には、特定の光を効率よく取り出せるように配置された可視光を反射する膜および半反射・半透過する膜の間に発光性の有機化合物を含む層を配置してもよい。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層ＣＦＲを有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等の光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層が設けられていない窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出させてもよい。

着色層ＣＦＲは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層ＣＦＲを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

着色層（例えば着色層ＣＦＲ）を囲むように遮光性の層ＢＭがある。

なお、光を取り出す側に封止材５６０が設けられている場合、封止材５６０は発光素子５５０Ｒと着色層ＣＦＲに接する。

下部電極は絶縁膜５２１の上に配設される。下部電極に重なる開口部が設けられた隔壁５２８を備える。なお、隔壁５２８の一部は下部電極の端部に重なる。

下部電極は、上部電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持して発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給する。

また、隔壁５２８上に、基材１６と基材５１０の間隔を制御するスペーサを有する。

なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。

また、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な画素回路から選択して用いることができる。

《基材》
可撓性を有する材料を基材５１０に用いることができる。例えば、基材１６に用いることができる材料を基材５１０に適用することができる。

なお、基材５１０が透光性を必要としない場合は、例えば透光性を有しない材料、具体的にはＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。

例えば、可撓性を有する基材５１０ｂと、意図しない不純物の拡散を防ぐバリア膜５１０ａと、基材５１０ｂおよびバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０ｃと、が積層された積層体を基材５１０に好適に用いることができる（図４（Ａ）参照）。

《封止材》
封止材５６０は基材１６と基材５１０を貼り合わせる。封止材５６０は空気より大きい屈折率を備える。また、封止材５６０側に光を取り出す場合は、封止材５６０は光学接合層を兼ねる。

なお、画素回路および発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）は基材５１０と基材１６の間にある。

《走査線駆動回路の構成》
走査線駆動回路５０３ｇ（１）は選択信号を供給する。例えば、トランジスタ５０３ｔまたは容量５０３ｃを含む。なお、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができるトランジスタを駆動回路に用いることができる。

《走査線、信号線、電源線等》
表示部５０１は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。さまざまな導電膜を用いることができる。例えば、上記の入力装置１００に用いることができる導電膜と同様の材料を用いることができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

《他の構成》
表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

＜入出力装置の変形例＞
様々なトランジスタを入力装置１００または／および表示部５０１に適用できる。

ボトムゲート型のトランジスタを入力装置１００に適用する場合の構成を図４（Ａ）に示す。

ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を図４（Ａ）および図４（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を図４（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図４（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図４（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図４（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知回路等に用いることのできるトランジスタの構成について、図７を用いて説明する。

図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に、トランジスタ１５１の上面図及び断面図を示す。図７（Ａ）はトランジスタ１５１の上面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間の切断面の断面図に相当し、図７（Ｃ）は、図７（Ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｄ間の切断面の断面図に相当する。なお、図７（Ａ）では、明瞭化のため、構成要素の一部を省略して図示している。

なお、本実施の形態において、第１の電極はトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方を、第２の電極は他方を指すものとする。

トランジスタ１５１は、基板１０２上に設けられるゲート電極１０４ａと、基板１０２及びゲート電極１０４ａ上に形成される絶縁膜１０６及び絶縁膜１０７を含む第１の絶縁膜１０８と、第１の絶縁膜１０８を介して、ゲート電極１０４ａと重なる酸化物半導体膜１１０と、酸化物半導体膜１１０に接する第１の電極１１２ａ及び第２の電極１１２ｂとを有する。

また、第１の絶縁膜１０８、酸化物半導体膜１１０、第１の電極１１２ａ及び第２の電極１１２ｂ上に、絶縁膜１１４、１１６、１１８を含む第２の絶縁膜１２０と、第２の絶縁膜１２０上に形成されるゲート電極１２２ｃとを有する。

ゲート電極１２２ｃは、第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０に設けられる開口１４２ｅにおいて、ゲート電極１０４ａと接続する。また、絶縁膜１１８上に画素電極として機能する導電膜１２２ａが形成され、導電膜１２２ａは、第２の絶縁膜１２０に設けられる開口１４２ａにおいて、第２の電極１１２ｂと接続する。

なお、第１の絶縁膜１０８は、トランジスタ１５１の第１のゲート絶縁膜として機能し、第２の絶縁膜１２０は、トランジスタ１５１の第２のゲート絶縁膜として機能する。また、導電膜１２２ａは、画素電極として機能する。

本実施の形態に示すトランジスタ１５１は、チャネル幅方向において、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃの間に、第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０を介して酸化物半導体膜１１０が設けられている。また、ゲート電極１０４ａは図７（Ａ）に示すように、上面形状において、第１の絶縁膜１０８を介して酸化物半導体膜１１０の側面と重なる。

第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０には複数の開口を有する。代表的には、図７（Ｂ）に示すように、第２の電極１１２ｂの一部が露出する開口１４２ａを有する。また、図７（Ｃ）に示すように、開口１４２ｅを有する。

開口１４２ａにおいて、第２の電極１１２ｂと導電膜１２２ａが接続する。

また、開口１４２ｅにおいて、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃが接続する。

ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを有し、且つゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを同電位とすることで、キャリアが酸化物半導体膜１１０の広い範囲を流れる。これにより、トランジスタ１５１を移動するキャリアの量が増加する。

この結果、トランジスタ１５１のオン電流が大きくなる共に、電界効果移動度が高くなり、代表的には電界効果移動度が１０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上、さらには２０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上となる。なお、ここでの電界効果移動度は、酸化物半導体膜の物性値としての移動度の近似値ではなく、トランジスタの飽和領域における電流駆動力の指標であり、見かけ上の電界効果移動度である。

なお、トランジスタのチャネル長（Ｌ長ともいう。）を０．５μｍ以上６．５μｍ以下、好ましくは１μｍより大きく６μｍ未満、より好ましくは１μｍより大きく４μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく３．５μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく２．５μｍ以下とすることで、電界効果移動度の増加が顕著である。また、チャネル長が０．５μｍ以上６．５μｍ以下のように小さいことで、チャネル幅も小さくすることが可能である。

また、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを有することで、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有するため、基板１０２及びゲート電極１０４ａの間、ゲート電極１２２ｃ上に設けられる荷電粒子等の電荷が、酸化物半導体膜１１０に影響しない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲート電極にマイナスの電位を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）の劣化が抑制されると共に、異なるドレイン電圧におけるオン電流の立ち上がり電圧の変動を抑制することができる。

なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。

以下に、基板１０２およびトランジスタ１５１を構成する個々の要素について説明する。

《基板１０２》
基板１０２としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。量産する上では、基板１０２は、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のマザーガラスを用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して量産を行う場合、作製工程の加熱処理は、好ましくは６００℃以下、さらに好ましくは４５０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下とすることが望ましい。

《ゲート電極１０４ａ》
ゲート電極１０４ａに用いる材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、ゲート電極１０４ａに用いる材料は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、ゲート電極１０４ａに用いる材料としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

《第１の絶縁膜１０８》
第１の絶縁膜１０８は、絶縁膜１０６と絶縁膜１０７の２層の積層構造を例示している。なお、第１の絶縁膜１０８の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造または３層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜１０６としては、例えば、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。また、絶縁膜１０６を積層構造とした場合、第１の窒化シリコン膜として、欠陥が少ない窒化シリコン膜とし、第１の窒化シリコン膜上に、第２の窒化シリコン膜として、水素放出量及びアンモニア放出量の少ない窒化シリコン膜を設けると好適である。この結果、絶縁膜１０６に含まれる水素及び窒素が、後に形成される酸化物半導体膜１１０へ移動または拡散することを抑制できる。

絶縁膜１０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。

また、第１の絶縁膜１０８としては、絶縁膜１０６として、例えば、厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜を形成し、その後、絶縁膜１０７として、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する積層構造を用いることができる。該窒化シリコン膜と、該酸化窒化シリコン膜は、真空中で連続して形成すると不純物の混入が抑制され好ましい。なお、ゲート電極１０４ａと重畳する位置の第１の絶縁膜１０８は、トランジスタ１５１のゲート絶縁膜として機能する。また、窒化酸化シリコンとは、窒素の含有量が酸素の含有量より大きい絶縁材料であり、他方、酸化窒化シリコンとは、酸素の含有量が窒素の含有量より大きな絶縁材料のことをいう。

《酸化物半導体膜１１０》
酸化物半導体膜１１０は、酸化物半導体を用いると好ましく、該酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。

酸化物半導体膜１１０を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

酸化物半導体膜１１０の成膜方法は、スパッタリング法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。とくに、酸化物半導体膜１１０を成膜する際、スパッタリング法を用いると緻密な膜が形成されるため、好適である。

酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜を成膜する際、できる限り膜中に含まれる水素濃度を低減させることが好ましい。水素濃度を低減させるには、例えば、スパッタリング法を用いて成膜を行う場合には、成膜室内を高真空排気するのみならずスパッタガスの高純度化も必要である。スパッタガスとして用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−１００℃以下、より好ましくは−１２０℃以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。

また、成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子、水（Ｈ_２Ｏ）など水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合物も）等の排気能力が高いため、当該成膜室で成膜した膜中に含まれる不純物の濃度を低減できる。

また、酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜をスパッタリング法で成膜する場合、成膜に用いる金属酸化物ターゲットの相対密度（充填率）は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上１００％以下とする。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜される膜を緻密な膜とすることができる。

なお、基板１０２を高温に保持した状態で酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜を形成することも、酸化物半導体膜中に含まれうる不純物濃度を低減するのに有効である。基板１０２を加熱する温度としては、１５０℃以上４５０℃以下とすればよく、好ましくは基板温度が２００℃以上３５０℃以下とすればよい。

次に、第１の加熱処理を行うこがと好ましい。第１の加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、第１の加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気で行ってもよい。第１の加熱処理によって、酸化物半導体膜１１０に用いる酸化物半導体の結晶性を高め、さらに第１の絶縁膜１０８及び酸化物半導体膜１１０から水素や水などの不純物を除去することができる。なお、酸化物半導体膜１１０を島状に加工する前に第１の加熱工程を行ってもよい。

《第１の電極、第２の電極》
第１の電極１１２ａおよび第２の電極１１２ｂに用いることのできる導電膜１１２の材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、導電膜は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

《絶縁膜１１４、１１６》
第２の絶縁膜１２０は、絶縁膜１１４、１１６、１１８の３層の積層構造を例示している。なお、第２の絶縁膜１２０の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造、２層の積層構造、または４層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜１１４、１１６としては、酸化物半導体膜１１０として用いる酸化物半導体との界面特性を向上させるため、酸素を含む無機絶縁材料を用いることができる。酸素を含む無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜等が挙げられる。また、絶縁膜１１４、１１６としては、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いて形成することができる。

絶縁膜１１４の厚さは、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜１１６の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。

また、絶縁膜１１４、１１６は、同種の材料の絶縁膜を用いることができるため、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面は、破線で図示している。なお、本実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の２層構造について、説明したが、これに限定されず、例えば、絶縁膜１１４の単層構造、絶縁膜１１６の単層構造、または３層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜１１８は、外部からの不純物、例えば、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が、酸化物半導体膜１１０へ拡散するのを防ぐ材料で形成される膜であり、更には水素を含む。

絶縁膜１１８の一例としては、厚さ１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を用いることができる。本実施の形態においては、絶縁膜１１８として、厚さ１５０ｎｍの窒化シリコン膜を用いる。

また、上記窒化シリコン膜は、不純物等からのブロック性を高めるために、高温で成膜されることが好ましく、例えば基板温度１００℃以上基板の歪み点以下、より好ましくは３００℃以上４００℃以下の温度で加熱して成膜することが好ましい。また高温で成膜する場合は、酸化物半導体膜１１０として用いる酸化物半導体から酸素が脱離し、キャリア濃度が上昇する現象が発生することがあるため、このような現象が発生しない温度とする。

《導電膜１２２ａ、ゲート電極１２２ｃ》
導電膜１２２ａ、ゲート電極１２２ｃに用いることのできる導電膜としては、インジウムを含む酸化物を用いればよい。例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、導電膜１２２ａ、１２２ｂに用いることのできる導電膜としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置または入出力装置を作製する際に用いることができる積層体の作製方法について、図８を参照しながら説明する。

図８は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図８の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図８（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材８０から積層体８１を作製する方法について、図８を参照しながら説明する。

加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える（図８（Ａ−１）および図８（Ａ−２））。

なお、加工部材８０の構成の詳細は、実施の形態７で説明する。

《剥離の起点の形成》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓがあらかじめ接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する（図８（Ｂ−１）および図８（Ｂ−２）参照）。

《第２のステップ》
加工部材８０の一方の表層８０ｂを剥離する。これにより、加工部材８０から第１の残部８０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図８（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０および接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５を備える第１の残部８０ａを得る。

また、剥離層Ｆ２と被剥離層Ｆ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、剥離層Ｆ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｆ２と被剥離層Ｆ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、剥離層Ｆ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｆ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｆ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の接着層３１を第１の残部８０ａに形成し、第１の接着層３１を用いて第１の残部８０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる（図８（Ｄ−１）および図８（Ｄ−２）参照）。これにより、第１の残部８０ａから、積層体８１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える積層体８１を得る（図８（Ｅ−１）および図８（Ｅ−２）参照）。

なお、様々な方法を、接合層３０を形成する方法に用いることができる。例えば、ディスペンサやスクリーン印刷法等を用いて接合層３０を形成する。接合層３０を接合層３０に用いる材料に応じた方法を用いて硬化する。例えば接合層３０に光硬化型の接着剤を用いる場合は、所定の波長の光を含む光を照射する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置または入出力装置を作製する際に用いることができる積層体の作製方法について、図９および図１０を参照しながら説明する。

図９および図１０は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図９および図１０の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図９（Ｃ）、図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材９０から積層体９２を作製する方法について、図９乃至図１０を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、基材Ｓ５に換えて、第２の基板Ｓ１、第２の基板Ｓ１上の第２の剥離層Ｓ２、第２の剥離層Ｓ２と他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３を有し、第２の被剥離層Ｓ３の一方の面が、接合層３０の他方の面に接する点が、異なる。

加工部材９０は、第１の基板Ｆ１と、第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される（図９（Ａ−１）および図９（Ａ−２）参照）。

なお、加工部材９０の構成の詳細は、実施の形態７で説明する。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材９０を準備する（図９（Ｂ−１）および図９（Ｂ−２）参照）。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

例えば、第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

《第２のステップ》
加工部材９０の一方の表層９０ｂを剥離する。これにより、加工部材９０から第１の残部９０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図９（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される第１の残部９０ａを得る。

また、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、剥離層Ｓ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の残部９０ａに第１の接着層３１を形成し（図９（Ｄ−１）および図９（Ｄ−２）参照）、第１の接着層３１を用いて第１の残部９０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる。これにより、第１の残部９０ａから、積層体９１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置された積層体９１を得る（図９（Ｅ−１）および図９（Ｅ−２）参照）。

《第６のステップ》
積層体９１の第１の接着層３１の端部近傍にある第２の被剥離層Ｓ３の一部を、第２の基板Ｓ１から分離して、第２の剥離の起点９１ｓを形成する。

例えば、第１の支持体４１および第１の接着層３１を、第１の支持体４１側から切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する。

具体的には、剥離層Ｓ２上の第２の被剥離層Ｓ３が設けられた領域にある、第１の接着層３１および第１の支持体４１を、鋭利な先端を備える刃物等を用いて切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って、第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する（図１０（Ａ−１）および図１０（Ａ−２）参照）。

このステップにより、新たに形成された第１の支持体４１ｂおよび第１の接着層３１の端部近傍に剥離の起点９１ｓが形成される。

《第７のステップ》
積層体９１から第２の残部９１ａを分離する。これにより、積層体９１から第２の残部９１ａを得る。（図１０（Ｃ）参照）。

具体的には、第１の接着層３１の端部近傍に形成された剥離の起点９１ｓから、第２の基板Ｓ１を第２の剥離層Ｓ２と共に第２の被剥離層Ｓ３から分離する。これにより、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、がこの順に配置される第２の残部９１ａを得る。

また、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、剥離層Ｓ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第９のステップ》
第２の残部９１ａに第２の接着層３２を形成する（図１０（Ｄ−１）および図１０（Ｄ−２）参照）。

第２の接着層３２を用いて第２の残部９１ａと第２の支持体４２を貼り合わせる。このステップにより、第２の残部９１ａから、積層体９２を得る（図１０（Ｅ−１）および図１０（Ｅ−２）参照）。

具体的には、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の接着層３２と、第２の支持体４２と、をこの順に配置される積層体９２は備える。

＜支持体に開口部を有する積層体の作製方法＞
開口部を支持体に有する積層体の作製方法について、図１１を参照しながら説明する。

図１１は、被剥離層の一部が露出する開口部を支持体に有する積層体の作製方法を説明する図である。図１１の左側に、積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を右側に示す。

図１１（Ａ−１）乃至図１１（Ｂ−２）は、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いて開口部を有する積層体９２ｃを作製する方法について説明する図である。

図１１（Ｃ−１）乃至図１１（Ｄ−２）は、第２の支持体４２に形成された開口部を有する積層体９２ｄを作製する方法について説明する図である。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例１》
上記の第９のステップにおいて、第２の支持体４２に換えて、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いる点が異なる他は、同様のステップを有する積層体の作製方法である。これにより、第２の被剥離層Ｓ３の一部が露出した状態の積層体を作製することができる（図１１（Ａ−１）および図１１（Ａ−２）参照）。

液状の接着剤を第２の接着層３２に用いることができる。または、流動性が抑制され且つあらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を用いることができる。シート状の接着剤を用いると、第２の支持体４２ｂより外側にはみ出す接着層３２の量を少なくすることができる。また、接着層３２の厚さを容易に均一にすることができる。

また、第２の被剥離層Ｓ３の露出した部分を切除して、第１の被剥離層Ｆ３が露出する状態にしてもよい（図１１（Ｂ−１）および図１１（Ｂ−２）参照）。

具体的には、鋭利な先端を有する刃物等を用いて、露出した第２の被剥離層Ｓ３に傷を形成する。次いで、例えば、傷の近傍に応力が集中するように粘着性を有するテープ等を露出した第２の被剥離層Ｓ３の一部に貼付し、貼付されたテープ等と共に第２の被剥離層Ｓ３の一部を剥離して、その一部を選択的に切除することができる。

また、接合層３０の第１の被剥離層Ｆ３に接着する力を抑制することができる層を、第１の被剥離層Ｆ３の一部に選択的に形成してもよい。例えば、接合層３０と接着しにくい材料を選択的に形成してもよい。具体的には、有機材料を島状に蒸着してもよい。これにより、接合層３０の一部を選択的に第２の被剥離層Ｓ３と共に容易に除去することができる。その結果、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる。

なお、例えば、第１の被剥離層Ｆ３が機能層と、機能層に電気的に接続された導電層Ｆ３ｂと、を含む場合、導電層Ｆ３ｂを第２の積層体９２ｃの開口部に露出させることができる。これにより、例えば開口部に露出された導電層Ｆ３ｂを、信号が供給される端子に用いることができる。

その結果、開口部に一部が露出した導電層Ｆ３ｂは、機能層が供給する信号を取り出すことができる端子に用いることができる。または、機能層が供給される信号を外部の装置が供給することができる端子に用いることができる。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例２》
第２の支持体４２に設ける開口部と重なるように設けられた開口部を有するマスク４８を、積層体９２に形成する。次いで、マスク４８の開口部に溶剤４９を滴下する。これにより、溶剤４９を用いてマスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を膨潤または溶解することができる（図１１（Ｃ−１）および図１１（Ｃ−２）参照）。

余剰の溶剤４９を除去した後に、マスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を擦る等をして、応力を加える。これにより、マスク４８の開口部に重なる部分の第２の支持体４２等を除去することができる。

また、接合層３０を膨潤または溶解する溶剤を用いれば、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる（図１１（Ｄ−１）および図１１（Ｄ−２）参照）。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置または入出力装置に加工することができる加工部材の構成について、図１２を参照しながら説明する。

図１２は積層体に加工することができる加工部材の構成を説明する模式図である。

図１２（Ａ−１）は、積層体に加工することができる加工部材８０の構成を説明する断面図であり、図１２（Ａ−２）は、対応する上面図である。

図１２（Ｂ−１）は、積層体に加工することができる加工部材９０の構成を説明する断面図であり、図１２（Ｂ−２）は、対応する上面図である。

＜１．加工部材の構成例＞
加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を有する図１２（Ａ−１）および図１２（Ａ−２）。

なお、剥離の起点Ｆ３ｓが、接合層３０の端部近傍に設けられていてもよい。

《第１の基板》
第１の基板Ｆ１は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ＳＵＳまたはアルミニウム等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

《第１の剥離層》
第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１と第１の被剥離層Ｆ３の間に設けられる。第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１から第１の被剥離層Ｆ３を分離できる境界がその近傍に形成される層である。また、第１の剥離層Ｆ２は、その上に被剥離層が形成され、第１の被剥離層Ｆ３の製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

例えば無機材料または有機樹脂等を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または該元素を含む化合物等の無機材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。

例えば、単層の材料または複数の層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

なお、タングステンの酸化物を含む層は、タングステンを含む層に他の層を積層する方法を用いて形成することができる。具体的には、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層に酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を積層する方法により形成してもよい。

また、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層の表面を熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理または酸化力の強い溶液（例えば、オゾン水等）を用いる処理等により形成してもよい。

具体的には、ポリイミドを含む層を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。ポリイミドを含む層は、第１の被剥離層Ｆ３を形成する際に要する様々な製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備える。

例えば、ポリイミドを含む層は、２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、より好ましくは３００℃以上、より好ましくは３５０℃以上の耐熱性を備える。

第１の基板Ｆ１に形成されたモノマーを含む膜を加熱し、縮合したポリイミドを含む膜を用いることができる。

《第１の被剥離層》
第１の被剥離層Ｆ３は、第１の基板Ｆ１から分離することができ、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

第１の被剥離層Ｆ３を第１の基板から分離することができる境界は、第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に形成されてもよく、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に形成されてもよい。

第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれず、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれる。

無機材料、有機材料または単層の材料または複数の層が積層された積層材料等を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等の無機材料を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、ポリイミド膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、第１の剥離層Ｆ２と重なる機能層と、第１の剥離層Ｆ２と機能層の間に当該機能層の機能を損なう不純物の意図しない拡散を防ぐことができる絶縁層と、が積層された構造を有する材料を用いることができる。

具体的には、厚さ０．７ｍｍのガラス板を第１の基板Ｆ１に用い、第１の基板Ｆ１側から順に厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜および３０ｎｍのタングステン膜が積層された積層材料を第１の剥離層Ｆ２に用いる。そして、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素が積層された積層材料を含む膜を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素の組成より多い。

具体的には、上記の第１の被剥離層Ｆ３に換えて、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を積層された積層材料を含む膜を被剥離層に用いることができる。

具体的には、第１の剥離層Ｆ２側から順に、ポリイミド膜と、酸化シリコンまたは窒化シリコン等を含む層と、機能層と、が順に積層された積層材料を用いることができる。

《機能層》
機能層は第１の被剥離層Ｆ３に含まれる。

例えば、機能回路、機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を、機能層に用いることができる。

具体的には、表示装置に用いることができる表示素子、表示素子を駆動する画素回路、画素回路を駆動する駆動回路、カラーフィルタまたは防湿膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。

《接合層》
接合層３０は、第１の被剥離層Ｆ３と基材Ｓ５を接合するものであれば、特に限定されない。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層３０に用いることができる。

例えば、融点が４００℃以下好ましくは３００℃以下のガラス層または接着剤等を用いることができる。

例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接合層３０に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を用いることができる。

《基材》
基材Ｓ５は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

基材Ｓ５に用いることができる材料は、例えば、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。

《剥離の起点》
加工部材８０は剥離の起点Ｆ３ｓを接合層３０の端部近傍に有していてもよい。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

＜２．加工部材の構成例２＞
積層体にすることができる、上記とは異なる加工部材の構成について、図１２（Ｂ−１）および図１２（Ｂ−２）を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、加工部材９０は、第１の剥離層Ｆ２および第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３が形成された第１の基板Ｆ１と、第２の剥離層Ｓ２および第２の剥離層Ｓ２に他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３が形成された第２の基板Ｓ１と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面を接し且つ第２の被剥離層Ｓ３の一方の面と他方の面が接する接合層３０と、を有する。（図１２（Ｂ−１）および図１２（Ｂ−２）参照）。

《第２の基板》
第２の基板Ｓ１は、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。なお、第２の基板Ｓ１を第１の基板Ｆ１と同一の構成とする必要はない。

《第２の剥離層》
第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と同様の構成を用いることができる。また、第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と異なる構成を用いることもできる。

《第２の被剥離層》
第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と同様の構成を用いることができる。また、第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と異なる構成を用いることもできる。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が機能回路を備え、第２の被剥離層Ｓ３が当該機能回路への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が第２の被剥離層に向けて光を射出する発光素子、当該発光素子を駆動する画素回路、当該画素回路を駆動する駆動回路を備え、発光素子が射出する光の一部を透過するカラーフィルタおよび発光素子への意図しない不純物の拡散を防ぐ防湿膜を第２の被剥離層Ｓ３が備える構成としてもよい。なお、このような構成を有する加工部材は、可撓性を有する表示装置として用いることができる積層体にすることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置を用いて構成することができる情報処理装置の構成について、図１３を参照しながら説明する。

図１３は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図１３（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置Ｋ１００の入出力装置Ｋ２０が展開された状態を説明する投影図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における情報処理装置Ｋ１００の断面図である。図１３（Ｃ）は入出力装置Ｋ２０が折り畳まれた状態を説明する投影図である。

＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明する情報処理装置Ｋ１００は、入出力装置Ｋ２０と、演算装置Ｋ１０と、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）を有する（図１３参照）。

《入出力装置》
入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０および入力装置Ｋ４０を備える。入出力装置Ｋ２０は、画像情報Ｖを供給され且つ検知情報Ｓを供給する。

表示部Ｋ３０は画像情報Ｖを供給され、入力装置Ｋ４０は検知情報Ｓを供給する（図１３（Ｂ）参照）。

入力装置Ｋ４０と表示部Ｋ３０が一体に重ねられた入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０であるとともに、入力装置Ｋ４０でもある。

なお、入力装置Ｋ４０にタッチセンサを用い、表示部Ｋ３０に表示パネルを用いた入出力装置Ｋ２０は、タッチパネルである。

《表示部》
表示部Ｋ３０は、第１の領域Ｋ３１（１１）、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）、第２の領域Ｋ３１（１２）、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）および第３の領域Ｋ３１（１３）がこの順で縞状に配置された領域Ｋ３１を有する（図１３（Ａ）参照）。

表示部Ｋ３０は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）に形成される第１の畳み目および第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）に形成される第２の畳み目で折り畳まれた状態および展開された状態にすることができる（図１３（Ａ）および図１３（Ｃ）参照）。

《演算装置》
演算装置Ｋ１０は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備える。また、画像情報Ｖを供給し且つ検知情報Ｓを供給される。

《筐体》
筐体は、筐体Ｋ０１（１）、ヒンジＫ０２（１）、筐体Ｋ０１（２）、ヒンジＫ０２（２）および筐体Ｋ０１（３）を含み、この順に配置される。

筐体Ｋ０１（３）は、演算装置Ｋ１０を収納する。また、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）は、入出力装置Ｋ２０を保持し、入出力装置Ｋ２０を折り畳まれた状態または展開された状態にすることができる（図１３（Ｂ）参照）。

本実施の形態では、３つの筐体が２つのヒンジを用いて接続される構成を備える情報処理装置を例示する。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を２か所で折って折り畳むことができる。

なお、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の筐体を（ｎ−１）個のヒンジを用いて接続してもよい。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を（ｎ−１）箇所で折って折り畳むことができる。

筐体Ｋ０１（１）は、第１の領域Ｋ３１（１１）と重なり、釦Ｋ４５（１）を備える。

筐体Ｋ０１（２）は、第２の領域Ｋ３１（１２）と重なる。

筐体Ｋ０１（３）は、第３の領域Ｋ３１（１３）と重なり、演算装置Ｋ１０、アンテナＫ１０ＡおよびバッテリーＫ１０Ｂを収納する。

ヒンジＫ０２（１）は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）と重なり、筐体Ｋ０１（１）を筐体Ｋ０１（２）に対して回動可能に接続する。

ヒンジＫ０２（２）は、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）と重なり、筐体Ｋ０１（２）を筐体Ｋ０１（３）に対して回動可能に接続する。

アンテナＫ１０Ａは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、信号を供給または供給される。

また、アンテナＫ１０Ａは、外部装置から無線で電力を供給され、電力をバッテリーＫ１０Ｂに供給する。

バッテリーＫ１０Ｂは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、電力を供給または供給する。

《折り畳みセンサ》
折り畳みセンサＫ４１は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、筐体の状態を示す情報を供給する。

演算装置Ｋ１０は、筐体の状態を示す情報を供給される。

筐体Ｋ０１の状態を示す情報が折り畳まれた状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０は第１の領域Ｋ３１（１１）に第１の画像を含む画像情報Ｖを供給する（図１３（Ｃ）参照）。

また、筐体Ｋ０１の状態を示す情報が展開された状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０は表示部Ｋ３０の領域Ｋ３１に画像情報Ｖを供給する（図１３（Ａ））。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１４を参照しながら説明する。

図１４は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図１４（Ａ−１）乃至図１４（Ａ−３）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。

図１４（Ｂ−１）および図１４（Ｂ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。

図１４（Ｃ−１）乃至図１４（Ｃ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の上面図および底面図ある。

《情報処理装置Ａ》
情報処理装置３０００Ａは、入出力部３１２０および入出力部３１２０を支持する筐体３１０１を有する（図１４（Ａ−１）乃至図１４（Ａ−３）参照）。

また、情報処理装置３０００Ａは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ａは、側面または／および上面に表示情報を表示することができる。

情報処理装置３０００Ａの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命令を供給することができる。

《情報処理装置Ｂ》
情報処理装置３０００Ｂは、入出力部３１２０および入出力部３１２０ｂを有する（図１４（Ｂ−１）および図１４（Ｂ−２）参照）。

また、情報処理装置３０００Ｂは入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂを有する。

また、情報処理装置３０００Ｂは入出力部３１２０ｂを支持する筐体３１０１を有する。

また、情報処理装置３０００Ｂは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ｂは、可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂに支持される入出力部３１２０に表示情報を表示することができる。

情報処理装置３０００Ｂの使用者は、入出力部３１２０に接する指を用いて操作命令を供給することができる。

《情報処理装置Ｃ》
情報処理装置３０００Ｃは、入出力部３１２０ならびに入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および筐体３１０１ｂを有する（図１４（Ｃ−１）乃至図１４（Ｃ−２）参照）。

入出力部３１２０および筐体３１０１ｂは可撓性を有する。

また、情報処理装置３０００Ｃは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ｃは、筐体３１０１ｂの部分で二つに折り畳むことができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

Ａ１ 第１のノード
Ａ２ 第２のノード
Ａ３ 第３のノード
Ａ４ 第４のノード
ＢＩＡＳ 配線
Ｃ１ 容量素子
Ｃ２ 容量素子
ＣＯＭ 配線
ＣＯＮＶ 変換器
ＣＳ 第２の制御線
Ｆ１ 基板
Ｆ２ 剥離層
Ｆ３ 被剥離層
Ｆ３ｂ 導電層
Ｆ３ｓ 起点
Ｇ１ 選択信号線
Ｋ０１ 筐体
Ｋ０２ ヒンジ
Ｋ１０ 演算装置
Ｋ１０Ａ アンテナ
Ｋ１０Ｂ バッテリー
Ｋ２０ 入出力装置
Ｋ３０ 表示部
Ｋ３１ 領域
Ｋ４０ 入力装置
Ｋ４１ 折り畳みセンサ
Ｋ４５ 釦
Ｋ１００ 情報処理装置
Ｍ０ トランジスタ
Ｍ１０ 増幅トランジスタ
Ｍ１１ トランジスタ
Ｍ１２ トランジスタ
Ｍ１３ トランジスタ
Ｍ１４ トランジスタ
Ｍ１５ トランジスタ
Ｍ１６ トランジスタ
Ｍ１７ トランジスタ
Ｍ１８ トランジスタ
Ｍ２０ 増幅トランジスタ
ＭＬ１ 信号線
ＭＬ２ 信号線
ＯＵＴ 端子
ＯＵＴ１ 出力端子
ＯＵＴ２ 出力端子
ＰＷ 第２の配線
ＲＥＳ 第１の制御線
Ｓ１ 基板
Ｓ２ 剥離層
Ｓ３ 被剥離層
Ｓ５ 基材
Ｔ１ 期間
Ｔ２ 期間
ＶＰＩ 配線
ＶＲＥＳ 第１の配線
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
１０ 検知装置
１０（１） 第１の検知部
１０（２） 第２の検知部
１０Ｕ 検知ユニット
１０ＵＢ 検知ユニット
１０ＵＣ 検知ユニット
１１ 電極
１２ 電極
１３ 絶縁層
１４ 窓部
１５ 変換回路
１６ 基材
１６ａ バリア膜
１６ｂ 基材
１６ｃ 樹脂層
１７ 保護層
３０ 接合層
３１ 接着層
３２ 接着層
４１ 支持体
４１ｂ 支持体
４２ 支持体
４２ｂ 支持体
４８ マスク
４９ 溶剤
８０ 加工部材
８０ａ 残部
８０ｂ 表層
８１ 積層体
９０ 加工部材
９０ａ 残部
９０ｂ 表層
９１ 積層体
９１ａ 残部
９１ｓ 起点
９２ 積層体
９２ｃ 積層体
９２ｄ 積層体
９９ ノズル
１００ 入力装置
１０２ 基板
１０２Ｕ 検知ユニット
１０４ａ ゲート電極
１０５ 変換回路
１０６ 絶縁膜
１０７ 絶縁膜
１０８ 絶縁膜
１１０ 酸化物半導体膜
１１２ 導電膜
１１２ａ 電極
１１２ｂ 電極
１１４ 絶縁膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２０ 絶縁膜
１２２ａ 導電膜
１２２ｂ 導電膜
１２２ｃ ゲート電極
１４２ａ 開口
１４２ｅ 開口
１５１ トランジスタ
２０４ 変換回路
５００ 入出力装置
５０１ 表示部
５０２ 画素
５０２Ｂ 副画素
５０２Ｇ 副画素
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５１０ 基材
５１０ａ バリア膜
５１０ｂ 基材
５１０ｃ 樹脂層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止材
５６７ｐ 反射防止層
５８０Ｒ 発光モジュール
３０００Ａ 情報処理装置
３０００Ｂ 情報処理装置
３０００Ｃ 情報処理装置
３１０１ 筐体
３１０１ｂ 筐体
３１２０ 入出力部
３１２０ｂ 入出力部

Claims (5)

1. 検知ユニットと変換回路とを有し、
   前記検知ユニットは、第１の検知部および第２の検知部を備え、
   前記第１の検知部は、近接するものとの距離に基づいて第１の検知信号を供給する機能を有し、
   前記第２の検知部は、近接するものとの距離に基づいて第２の検知信号を供給する機能を有し、
   前記変換回路は、前記第１の検知信号および前記第２の検知信号を供給され、前記第１の検知信号に基づく第１の検知情報および前記第２の検知信号に基づく第２の検知情報を供給することができ、
   前記第１の検知部は、第１のスイッチ、第２のスイッチ、第１の増幅トランジスタおよび第１の容量素子を有し、
   前記第１のスイッチの制御端子は、選択信号を供給することができる選択信号線と電気的に接続され、
   前記第１のスイッチの第１の端子は、前記第１の検知信号を供給することができる第１の信号線と電気的に接続され、
   前記第２のスイッチの制御端子は、第１の制御信号を供給することができる第１の制御線と電気的に接続され、
   前記第２のスイッチの第１の端子は、第１の電源電位を供給することができる第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１の増幅トランジスタのゲートは、前記第２のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、
   前記第１の増幅トランジスタの第１の電極は、前記第１のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、
   前記第１の増幅トランジスタの第２の電極は、定電流を供給することができる第２の配線と電気的に接続され、
   前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１の増幅トランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第１の容量素子の第２の電極は、第２の制御信号を供給することができる第２の制御線と電気的に接続され、
   前記第２の検知部は、第３のスイッチ、第４のスイッチ、第２の増幅トランジスタおよび第２の容量素子を有し、
   前記第３のスイッチの制御端子は、前記選択信号線と電気的に接続され、
   前記第３のスイッチの第１の端子は、前記第２の検知信号を供給することができる第２の信号線と電気的に接続され、
   前記第４のスイッチの制御端子は、前記第１の制御線と電気的に接続され、第１の端子が前記第１の配線と電気的に接続され、
   前記第２の増幅トランジスタのゲートは、前記第４のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、
   前記第２の増幅トランジスタの第１の電極は、前記第３のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、
   前記第２の増幅トランジスタの第２の電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
   前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２の増幅トランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第２の容量素子の第２の電極は、前記第２の制御線と電気的に接続されることを特徴とする検知装置。
2. 請求項１において、
   前記検知ユニットは、定電流を供給することができる電源を備え、
   前記第１の増幅トランジスタの第２の電極が、前記電源と電気的に接続され、
   前記第２の増幅トランジスタの第２の電極が、前記電源と電気的に接続され、
   前記電源は、トランジスタを有し、
   前記トランジスタのゲートは、第２の電源電位を供給することができる配線と電気的に接続され、
   前記トランジスタの第１の電極は、第３の電源電位を供給することができる配線と電気的に接続され、
   前記トランジスタの第２の電極は、定電流を供給される配線に電気的に接続されることを特徴とする検知装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の検知部は、前記第１の検知部から５ｍｍ以内の範囲に配設されることを特徴とする検知装置。
4. 請求項１乃至請求項３に記載の検知装置の駆動方法であって、
   前記選択信号を供給し、前記第１のスイッチおよび前記第３のスイッチを導通状態とし、前記第１の制御信号を供給し、前記第２のスイッチおよび前記第４のスイッチを導通状態としたときに、第１の検知信号および第２の検知信号を取得する第１のステップと、
   前記選択信号を供給し、前記第１のスイッチおよび前記第３のスイッチを導通状態とし、前記第１の制御信号およびパルス状の第２の制御信号を供給し、前記第２のスイッチおよび前記第４のスイッチを非導通状態としたときに、第１の検知信号および第２の検知信号を取得する第２のステップと、
   前記第２のステップで供給された前記第１の検知信号を前記第１のステップで前記第１の信号線に流れる電流に基づき決定した第１の参照信号と比較して第１の検知情報を取得し、前記第２のステップで供給された前記第２の検知信号を前記第１のステップで前記第２の信号線に流れる電流に基づき決定した第２の参照信号と比較して第２の検知情報を取得する第３のステップと、
   前記第３のステップで取得した第１の検知情報と前記第２の検知情報を比較して、前記検知装置に近接するものについての検知情報を決定する第４のステップと、を有することを特徴とする検知装置の駆動方法。
5. 請求項１乃至請求項３に記載された、前記検知ユニットがマトリクス状に配置されたことを特徴とする入力装置。

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