JP6552869B2 - 情報処理装置 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、情報処理装置、プログラムまたは半導体装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

情報伝達手段に係る社会基盤が充実されている。これにより、多様で潤沢な情報を職場や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようになっている。

このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されている。

例えば、携帯可能な情報処理装置は持ち歩いて使用されることが多く、落下により思わぬ力が情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示装置の一例として、発光層を分離する構造体と第２の電極層との密着性が高められた構成が知られている（特許文献１）。

特開２０１２−１９０７９４号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、マップを供給する入力部と、マップを供給される演算装置と、を有する情報処理装置である。

マップは、背景マップおよび一次マップを含む。

演算装置は、マップに基づいて所定の命令を供給するプログラムを記憶する記憶部と、プログラムを実行する演算部と、を備える。

プログラムは、割り込み処理を実行しパターンを抽出する第１のステップと、パターンを参照テーブルと照合し、所定のパターンと一致する場合に第３のステップに進み、含まれていない場合は第１のステップに進む第２のステップと、所定のパターンに関連付けられた命令を供給し、第１のステップに進む第３のステップと、を備える。

また、割り込み処理は、背景マップおよび一次マップを取得し、背景マップおよび一次マップに差がある場合は第５のステップに進み、差がない場合は割り込み処理を終了する第４のステップと、背景マップおよび一次マップに基づいて、二次マップを生成する二次マップ生成処理を行う第５のステップと、二次マップに基づいて二値化マップを生成する第６のステップと、二値化マップに基づいてラベリングデータを生成する第７のステップと、ラベリングデータに基づいてデータセットを生成または更新する第８のステップと、データセットに含まれるパターンを抽出する第９のステップと、を含む。

上記本発明の一態様の情報処理装置は、マップを供給する入力部と、プログラムを記憶する記憶部と、を含んで構成される。また、プログラムは、マップからデータセットを生成する割り込み処理と、割り込み処理で生成されたデータセットからパターンを抽出するステップと、抽出されたパターンが参照テーブルに含まれる場合に参照テーブルで関連付けられた命令を供給するステップと、を備える。

なお、マップは検知情報および検知した位置に係る位置情報を含むデータであり、データセットは連続する複数のマップを含み、例えばマップの時系列をデータセットに用いることができる。

これにより、入力部を用いて所定の命令を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な情報処理装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、二次マップ生成処理が、一次マップから背景マップを差し引く第１０のステップと、一様なデータを加えて嵩上げされたマップを生成する第１１のステップと、嵩上げされたマップに含まれる上限値を超える値を上限値に変換し、下限値を下回る値を下限値に変換する第１２のステップと、を備える上記の情報処理装置である。

上記本発明の一態様の情報処理装置は、記憶部を含み、当該記憶部が一次マップから背景マップを差し引くステップを備えるプログラムを記憶する。

なお、使用者に使用されていない状態の入力部が供給するマップを背景マップに用いることができる。

これにより、入力部が供給するマップから雑音を取り除くことができる。また、雑音が取り除かれたマップを用いて所定の命令を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な情報処理装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、プログラムが、第３のステップに替えて、所定のパターンに関連付けられた命令を供給する第１３のステップと、背景マップを生成する第１４のステップと、背景マップを更新し、第１のステップに進む第１５のステップと、を含む、上記の情報処理装置である。

上記本発明の一態様の情報処理装置は、記憶部を含み、当該記憶部は、背景マップを生成するステップと、背景マップを更新するステップと、を備えるプログラムを記憶する。

これにより、入力部の状態に基づいた背景マップを更新することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な情報処理装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、入力部が、マトリクス状に配置された複数の検知ユニットと、行方向に配設される複数の検知ユニットと電気的に接続される第１の制御線（選択信号線ともいう）と、列方向に配設される複数の検知ユニットと電気的に接続される信号線と、を有する情報処理装置である。

そして、検知ユニットは、制御端子が第１の制御線に電気的に接続され、第１の端子が信号線に電気的に接続される第１のスイッチと、第１の電極が第１のスイッチの第２の端子に電気的に接続され、第２の電極が第１の電源線と電気的に接続される増幅トランジスタと、第１の電極が増幅トランジスタのゲートおよび導電膜と電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線と電気的に接続される容量素子と、第１の端子が増幅トランジスタのゲートと電気的に接続され、制御端子が第３の制御線と電気的に接続され、第２の端子が第２の電源線と電気的に接続される第２のスイッチを備える、上記の情報処理装置である。

また、本発明の一態様は、入力部が、折り畳まれた状態または展開された状態にすることができる上記の情報処理装置である。

なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供できる。または、新規な情報処理装置または、新規な半導体装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る情報処理装置の記憶部が記憶するプログラムを説明するフロー図。 実施の形態に係る情報処理装置の入力部の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る情報処理装置の記憶部が記憶するプログラムを説明するフロー図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する投影図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る支持体に開口部を有する積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る加工部材の構成を説明する模式図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。

本発明の一態様の情報処理装置は、マップを供給する入力部と、プログラムを記憶する記憶部と、を含んで構成される。また、プログラムは、マップからデータセットを生成する割り込み処理と、割り込み処理で生成されたデータセットからパターンを抽出するステップと、抽出されたパターンが参照テーブルに含まれる場合に参照テーブルで関連付けられた命令を供給するステップと、を備える。

なお、マップは検知情報および検知した位置に係る位置情報を含むデータであり、データセットは連続する複数のマップを含み、例えばマップの時系列をデータセットに用いることができる。

これにより、入力部を用いて所定の命令を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な情報処理装置を提供することができる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１乃至図３を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図２は本発明の一態様の情報処理装置の記憶部が記憶するプログラムを説明するフロー図である。図３は本発明の一態様の情報処理装置に用いることができる入力部の構成を説明するブロック図および動作を説明するマップの模式図である。

図２（Ａ）は本発明の一態様のプログラムの主の部分を説明するフロー図であり、図２（Ｂ）は割り込み処理を説明するフロー図であり、図２（Ｃ）は二次マップ生成処理を説明するフロー図である。

図３（Ａ−１）は入力部の構成を説明するブロック図であり、図３（Ａ−２）は入力部の検知ユニットの構成を説明する回路図である。図３（Ｄ−１）および図３（Ｄ−２）は本発明の一態様のプログラムの二値化マップを生成するステップと、ラベリングデータを生成するステップを説明するための、マップの模式図である。

＜情報処理装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する情報処理装置１００は、マップＭを供給する入力部１４０と、マップＭを供給される演算装置１１０と、を有する（図１参照）。

マップＭは、背景マップＭＢＫおよび一次マップＭ１を含む。

演算装置１１０は、記憶部１１２と演算部１１１を備える。

記憶部１１２は、マップＭに基づいて所定の命令を供給するプログラムを記憶する。

演算部１１１は、以下のステップを備えるプログラムを実行する。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、割り込み処理を実行しパターンを抽出する（図２（Ａ）（Ｓ１）参照）。なお割り込み処理の詳細は第４のステップ乃至第９のステップにおいて説明する。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、パターンを参照テーブルと照合し、所定のパターンと一致する場合に第３のステップに進み、所定のパターンと一致しない場合は第１のステップに進む（図２（Ａ）（Ｓ２）参照）。

これにより、情報処理装置１００の使用者は、入力部１４０に近接または／および接触させた指やスタイラス等を、所定のパターンを描くように移動して、入力部１４０にジェスチャーを供給することができる。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、所定のパターンに関連付けられた命令を供給し、第１のステップに進む（図２（Ａ）（Ｓ３）参照）。

また、割り込み処理は以下のステップを具備する。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、背景マップＭＢＫおよび一次マップＭ１を取得し、背景マップＭＢＫおよび一次マップＭ１に差がある場合は第５のステップに進み、差がない場合は割り込み処理を終了する（図２（Ｂ）（Ｔ４）参照）。

背景マップＭＢＫは基準となるマップである。例えば、検出できる対象物が近接または／および接触していない状態で、入力部１４０が供給する信号を、背景マップＭＢＫに用いることができる。

例えば、入力部１４０が背景マップＭＢＫを取得した時間と異なる時間に取得したマップを、一次マップＭ１に用いることができる。具体的には、入力部１４０が所定の間隔で供給するマップによって、逐次更新されるマップを、一次マップＭ１に用いることができる。

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、背景マップＭＢＫおよび一次マップＭ１に基づいて、二次マップＭ２を生成する二次マップ生成処理を行う（図２（Ｂ）（Ｔ５）参照）。

なお、さまざまな方法を二次マップ生成処理に用いることができる。詳細は後に説明する。

《第６のステップ》
第６のステップにおいて、二次マップＭ２に基づいて二値化マップＭＢＩを生成する（図２（Ｂ）（Ｔ６）参照）。

例えば、８行８列の二次マップＭ２を模式的に示す（図３（Ｃ−３）参照）。また、二次マップＭ２を二値化して得た二値化マップＭＢＩを模式的に示す（図３（Ｄ−１）参照）。なお、セルの値の差異が可視化されるように、異なるハッチがセルの値に基づいて付されている。

マップの値を二値化する方法に様々な方法を用いることができる。例えば、８ｂｉｔのデータを用いる場合、各セルの値を０または２５５に二値化することができる。なお、二値化をする際に用いる閾値を使用者が決定してもよいし、演算装置が決定してもよい。

《第７のステップ》
第７のステップにおいて、二値化マップＭＢＩに基づいてラベリングデータＬＤを生成する（図２（Ｂ）（Ｔ７）参照）。

ラベリングをする方法に様々な方法を用いることができる。例えば、隣接するセルの値と比較して同じ値である場合に同じラベルを付与するステップを、各セルについて行う（図３（Ｄ−２）参照）。

これにより、同一のラベルが付された領域ごとに位置情報を特定することができる。例えば、同一のラベルが付された領域の重心を当該領域の位置情報とすることができる。

その結果、入力部１４０に近接または／および接触するものの検知情報と位置情報が関連付けられたラベリングデータＬＤを生成することができる。

《第８のステップ》
第８のステップにおいて、ラベリングデータＬＤに基づいてデータセットを生成または更新する（図２（Ｂ）（Ｔ８）参照）。

《第９のステップ》
第９のステップにおいて、データセットに含まれるパターンを抽出する（図２（Ｂ）（Ｔ９）参照）。

データセットは連続する複数のラベリングデータを含む。例えばラベリングデータＬＤの時系列をデータセットに用いることができる。

なお、ラベリングデータＬＤは、入力部１４０に近接または／および接触するものの検知情報と位置情報が関連付けられたデータである。

例えば、入力部１４０に近接または／および接触するものの数、位置、入力部１４０までの距離等をラベリングデータＬＤに含ませることができる。

このようなデータセットを用いると、入力部１４０に近接または／および接触するものの移動に伴う軌跡を知り、そのパターンを抽出することができる。

具体的には、およそ同じ場所をタップする指が描く軌跡、一方向にドラッグする指が描く軌跡またはピンチする二つの指が間隔を広げながら描く軌跡などを抽出することができる。なお、第９のステップを終えた後、割り込み処理を終了する。

データセットは連続する複数のマップを含む。例えばマップの時系列をデータセットに用いることができる。マップの時系列を含むデータセットを用いると、入力部１４０に近接または／および接触するものの移動に伴う軌跡を知ることができる。

上記本発明の一態様の情報処理装置１００は、マップＭを供給する入力部１４０と、プログラムを記憶する記憶部１１２と、を含んで構成される。また、プログラムは、マップＭからデータセットを生成する割り込み処理と、割り込み処理で生成されたデータセットからパターンを抽出するステップと、抽出されたパターンが参照テーブルに含まれる場合に参照テーブルで関連付けられた命令を供給するステップと、を備える。

なお、マップＭは検知情報および検知した位置に係る位置情報を含むデータであり、データセットは連続する複数のマップを含み、例えばマップの時系列をデータセットに用いることができる。

これにより、入力部１４０を用いて所定の命令を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な情報処理装置を提供することができる。

例えば、情報処理装置１００の使用者は、入力部１４０に近接させた指や掌等を用いて、様々な操作命令を情報処理装置１００に供給することができる。

例えば、終了命令（プログラムを終了する命令）を含む操作命令を供給することができる。

以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部１３０であるとともに、入力部１４０でもある。

なお、本実施の形態では表示部１３０の表示面側に入力部１４０が重ねられた構成を有するタッチセンサを例に説明するが、この構成に限られない。具体的には、入力部１４０の検知面側に表示部１３０が重ねられた構成であってもよいし、表示部１３０と入力部１４０が一体の構造を有していてもよい。言い換えると、オン・セル型のタッチパネルであってもイン・セル型のタッチパネルであってもよい。

《全体の構成》
情報処理装置１００は、入出力装置１２０または演算装置１１０を有する（図１参照）。

《入出力装置１２０》
入出力装置１２０は、表示情報Ｖを供給され、マップＭまたは検知情報Ｓを供給することができる。また、演算装置１１０と入出力装置１２０は互いにさまざまな情報を供給し供給されることができる。

入出力装置１２０は、表示部１３０、入力部１４０、入出力部１４５、検知部１５０または通信部１６０を有する。

《表示部１３０》
表示部１３０は、表示情報Ｖが供給され、表示情報Ｖを表示することができる。

表示部１３０は表示領域１３１を備え、表示情報Ｖを表示領域１３１に表示する。

表示領域１３１は、第１の表示領域１３１（１１）、第１の屈曲できる表示領域１３１（２１）、第２の表示領域１３１（１２）、第２の屈曲できる表示領域１３１（２２）および第３の表示領域１３１（１３）を備えてもよい。

第１の屈曲できる表示領域１３１（２１）および第２の屈曲できる表示領域１３１（２２）は、表示情報Ｖを表示することができるだけでなく屈曲することができる。

例えば、第１の屈曲できる表示領域１３１（２１）および第２の屈曲できる表示領域１３１（２２）は、１０ｍｍ以下、好ましくは８ｍｍ以下、より好ましくは５ｍｍ以下、特に好ましくは４ｍｍ以下の曲率半径で屈曲することができる。

表示部１３０は、第１の屈曲できる表示領域１３１（２１）に第１の畳み目が形成されるように折り畳むことができる。また、第１の畳み目を広げて表示部１３０を展開することができる。

表示部１３０は、第２の屈曲できる表示領域１３１（２２）に第２の畳み目が形成されるように折り畳むことができる。また、第２の畳み目を広げて表示部１３０を展開することができる。

第１の表示領域１３１（１１）と第２の表示領域１３１（１２）を、一体で駆動してもよい。例えば、一の走査線駆動回路が走査線を選択する信号を供給する構成としてもよい。

第１の表示領域１３１（１１）と第２の表示領域１３１（１２）を、別々に駆動してもよい。例えば、駆動回路をそれぞれの領域に設け、それぞれの走査線駆動回路がそれぞれの走査線を選択する信号を供給する構成としてもよい。

例えば、情報処理装置１００の待機状態において、第１の表示領域１３１（１１）または／および第１の屈曲できる表示領域１３１（２１）のみを駆動して、他の領域の駆動を停止してもよい。または、情報処理装置１００の折り畳まれた状態において、第１の表示領域１３１（１１）または／および第１の屈曲できる表示領域１３１（２１）のみを駆動して、他の視認できない領域の駆動を停止してもよい。他の領域の駆動を停止することにより、消費電力を低減することができる。

《入力部１４０》
入力部１４０は、マップＭを供給する。例えば、入力部１４０に近接または／および接触するものを検知し、検知した情報を検知した位置に係る位置情報と関連付けて供給する。

なお、マップＭは検知情報および検知した位置に係る位置情報を含むデータである。また、連続する複数のマップを含むデータをデータセットという。例えば、マップの時系列をデータセットに用いることができる。

例えば、入力部１４０は、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された複数の検知ユニットＵ（ｍ，ｎ）を備える（図３（Ａ−１）参照）。なお、ｍおよびｎは自然数であり、ｍまたはｎの一方は２以上の自然数である。また、行方向に配設された複数の検知ユニットを電気的に接続する第１の制御線等、列方向に配設された複数の検知ユニットを電気的に接続する信号線等を含むことができる。

例えば、各検知ユニットＵ（ｍ，ｎ）が供給する検知信号と検知ユニットＵ（ｍ，ｎ）の配置を関連付けたｍ行ｎ列の行列を、マップＭのデータの形式に用いることができる。具体的には、ｍ行ｎ列の行列の要素（ｉ，ｊ）の値を、検知ユニットＵ（ｉ，ｊ）が供給する検知信号に基づく値とするデータの形式にしてもよい。なお、ｉはｍ以下の自然数であり，ｊはｎ以下の自然数である。

なお、入力部１４０は、複数の検知ユニットＵ（ｍ，ｎ）、第１の制御線等またはこれらを支持する基材を含むことができる。また、選択信号を供給することができる駆動回路または検知信号を供給することができる駆動回路等を含むことができる。

入力部１４０は、第１の入力部１４１（１１）、第２の入力部１４１（１２）、第３の入力部１４１（１３）第４の入力部１４１（２１）および第５の入力部１４１（２２）を備える。

入力部１４０は、表示部１３０と重なるように配置してもよい。

具体的には、第１の表示領域１３１（１１）に重ねて第１の入力部１４１（１１）を、第２の表示領域１３１（１２）に重ねて第２の入力部１４１（１２）を、第３の表示領域１３１（１３）に重ねて第３の入力部１４１（１３）を配置し、第１の屈曲できる表示領域１３１（２１）に重ねて屈曲することができる第４の入力部１４１（２１）を配置する。また、第２の屈曲できる表示領域１３１（２２）に重ねて屈曲できる第５の入力部１４１（２２）を配置する。

なお、表示部１３０より使用者側に入力部１４０を配置する場合は、透光性を有する入力部１４０を配置する。

第１の入力部１４１（１１）は他の入力部と一体で駆動してもよいし、別々に駆動してもよい。

例えば、第１の入力部１４１（１１）が消費する電力および第２の入力部１４１（１２）が消費する電力の合計が、第１の入力部１４１（１１）が消費する電力より大きい場合、情報処理装置１００の待機状態において、第１の入力部１４１（１１）のみを駆動して、第２の入力部１４１（１２）の駆動を停止してもよい。第２の入力部１４１（１２）の駆動を停止することにより、消費電力を低減することができる。

入力部に配設する検知素子は、近接または／および接触するもの（例えば指や掌）を検知できるセンサであればよく、例えばコイル、磁気センサ、光電変換素子または／および一方の電極が導電膜と電気的に接続された容量素子などを適用できる。なお、光電変換素子を有する基板を光学式のタッチセンサと、容量素子をマトリクス状に有する基板を容量式のタッチセンサと、いうことができる。

《検知ユニットＵ（ｍ，ｎ）》
検知ユニットＵ（ｍ，ｎ）は、さまざまなものを検知する。例えば、近接または接触するものを検知して検知情報を供給する。例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用いることができる。

具体的には、大気中において、指などの大気より大きな誘電率を備えるものが導電膜に近接すると、指と導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知信号を供給することができる。具体的には、導電膜および当該導電膜に一方の電極が接続された容量素子を用いることができる。静電容量の変化に伴い電荷の分配が引き起こされ、容量素子の両端の電極の電圧が変化する。この電圧の変化を検知信号に用いることができる。

また、入力部１４０が、マトリクス状に配置された複数の検知ユニットＵと、行方向に配設される複数の検知ユニットＵと電気的に接続される第１の制御線Ｇ１と、列方向に配設される複数の検知ユニットＵと電気的に接続される信号線ＤＬと、を有する場合、例えば、以下の構成を備える検知ユニットＵを用いることができる。

検知ユニットＵは、制御端子が第１の制御線Ｇ１に電気的に接続され、第１の端子が信号線ＤＬに電気的に接続される第１のスイッチＳＷ１を備える。

また、第１の電極が第１のスイッチＳＷ１の第２の端子に電気的に接続され、第２の電極が第１の電源線ＶＰＩと電気的に接続される増幅トランジスタＭ１０を備える。

また、第１の電極が増幅トランジスタＭ１０のゲートおよび導電膜と電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線ＣＳと電気的に接続される容量素子Ｃ１を備える。なお、増幅トランジスタＭ１０のゲート、容量素子Ｃ１の第２の電極および導電膜が電気的に接続されるノードをノードＡとする。増幅トランジスタＭ１０はノードＡの電位に基づく大きさの電流を第１の電極と第２の電極の間に流す。これにより、例えば、信号線ＤＬを流れる電流に基づく情報を供給する回路を用いて、検知ユニットが供給する検知信号に基づく検知情報を供給することができる。

第１の端子が増幅トランジスタＭ１０のゲートと電気的に接続され、制御端子が第３の制御線ＲＥＳと電気的に接続され、第２の端子が第２の電源線ＶＲＥＳと電気的に接続される第２のスイッチＳＷ２を備える。

《検知部１５０》
検知部１５０は、情報処理装置１００または／およびその周囲の状態を検知して検知情報Ｓを供給することができる（図１参照）。

検知部１５０は、入出力装置１２０が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、入出力装置１２０の折り畳まれた状態または展開された状態を示す情報を含む検知情報Ｓを供給する。具体的には、表示部１３０または／および入力部１４０が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知する。

入出力装置１２０の折り畳まれた状態または展開された状態は、各種のセンサを用いて検知することができる。

例えば、メカニカルスイッチ、光学式スイッチ、磁気センサ、光電変換素子、ＭＥＭＳ圧力センサまたは感圧センサ等を用いて入出力装置１２０の折り畳まれた状態を検知することができる。

例えば、第２の表示領域１３１（１２）または第３の表示領域１３１（１３）の表示を遮るものを検知して、表示部１３０の折り畳まれた状態を検知することができる。

具体的には、情報処理装置１００に光電変換素子を、第２の表示領域１３１（１２）に表示される表示情報Ｖを入出力装置が折り畳まれた状態で検知するように配置し、当該光電変換素子を用いて第３の表示領域１３１（１３）を検知して、表示部１３０が第２の屈曲できる表示領域１３１（２２）で折り畳まれたか否かを検知することができる。

なお、検知部１５０は、例えば加速度、角加速度、方位、圧力、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号、温度または湿度等を検知して、その情報を供給してもよい。

《通信部１６０》
通信部１６０は、通信情報ＣＯＭを供給し供給される。通信部１６０は、演算装置１１０が供給する情報ＣＯＭを情報処理装置１００の外部の機器または通信網に供給する。また、情報ＣＯＭを外部の機器または通信網から取得して供給する。

情報ＣＯＭは、音声情報、画像情報等の他、様々な命令等を含むことができる。例えば、表示情報Ｖを演算部１１１に生成または消去等させる操作命令を含むことができる。

外部の機器または通信網に接続するための通信手段、例えばハブ、ルータまたはモデム等を通信部１６０に適用できる。なお、接続方法は有線による方法に限らず、無線（例えば電波または赤外線等）をもちいてもよい。

《入出力部１４５》
入出力部１４５は、さまざまな情報を供給し供給される。例えば、カメラ、マイク、読み取り専用の外部記憶部、外部記憶部、スキャナー、スピーカまたはプリンタ等を入出力部１４５に用いることができる。

具体的には、デジタルカメラおよびデジタルビデオカメラ等をカメラに用いることができる。

ハードディスクまたはリムーバブルメモリなどを外部記憶部に用いることができる。また、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤＲＯＭ等を読み取り専用の外部記憶部に用いることができる。

《演算装置１１０》
演算装置１１０は、演算部１１１または記憶部１１２を備える。演算装置１１０は表示情報Ｖを供給し、マップＭまたは検知情報Ｓを供給される（図１参照）。

例えば、演算装置１１０は、情報処理装置１００の操作の用に供する画像を含む表示情報Ｖを供給する。

また、演算装置１１０は、マップＭを供給されてもよい。

例えば、表示部１３０に表示された操作の用に供する画像に重なる部分の入力部１４０を指等で触れることにより、使用者は当該画像に関連付けられた操作命令を演算装置１１０に供給できる。

また、演算装置１１０は、伝送路１１４と、入出力インターフェース１１５を有していてもよい。

《演算部１１１》
演算部１１１は、記憶部１１２が記憶するプログラムを実行する。例えば、操作の用に供する画像を表示した位置の位置情報Ｌが供給された場合に、演算部１１１は当該画像にあらかじめ関連付けられたプログラムを実行する。

《記憶部１１２》
記憶部１１２は、演算部１１１に実行させるプログラムを記憶する。

《入出力インターフェース・伝送路》
入出力インターフェース１１５は情報を供給し、情報が供給される。

伝送路１１４は情報を供給することができ、演算部１１１、記憶部１１２および入出力インターフェース１１５は情報を供給される。また、演算部１１１、記憶部１１２および入出力インターフェース１１５は、情報を供給することができ、伝送路１１４は情報を供給される。

《筐体》
情報処理装置１００は筐体を有していてもよい。筐体は、情報処理装置１００に加わるさまざまな応力から演算装置１１０等を保護することができる。

金属、プラスチック、ガラスまたはセラミックス等を筐体に用いることができる。

＜情報処理装置の構成例２．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図２（Ｃ）および図３を参照しながら説明する。

図２（Ｃ）は本発明の一態様の情報処理装置の記憶部が記憶するプログラムを説明するフロー図である。

図３（Ａ−１）は本発明の一態様の情報処理装置の入力部１４０のブロック図であり、図３（Ａ−２）は入力部１４０に用いることができる検知ユニットの構成を説明する回路図である。図３（Ｂ）乃至図３（Ｄ−２）は入力部１４０が供給するマップを説明するための模式図である。

本実施の形態で説明する情報処理装置１００の構成例２は、記憶部１１２が以下のステップを備える二次マップ生成処理をするためのプログラムを記憶する点が、上記で説明する情報処理装置１００の構成例１と異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

演算部１１１は、記憶部１１２が記憶する以下のステップを備えるプログラムを実行する。

《第１０のステップ》
第１０のステップにおいて、一次マップＭ１から背景マップＭＢＫを差し引く（図２（Ｃ）（Ｕ１０）参照）。

背景マップＭＢＫの模式図を示す（図３（Ｂ）参照）。なお、図示する背景マップは８行８列のものであるが、これに限られない。また、異なる値のセルには異なるハッチが付されている。

一次マップＭ１の模式図を示す（図３（Ｃ−１）参照）。なお、図示する一次マップＭ１は８行８列のものであるが、これに限られない。例えば、入力部１４０が検知できるものが近接または／および接触している状態で、入力部１４０が供給する信号を、一次マップに用いることができる。

一次マップＭ１を背景マップＭＢＫと比較する。具体的には、一次マップＭ１から背景マップＭＢＫを差し引く。これにより、入力部１４０に近接または／および接触するものに係る情報を取得できる。例えば、入力部１４０に近接または／および接触するものの数、位置または入力部までの距離等を知ることができる（図３（Ｃ−２）参照）。

《第１１のステップ》
第１１のステップにおいて、第１０のステップで得た結果に一様な値を加え、嵩上げされたマップを生成する（図２（Ｃ）（Ｕ１１）参照）。

例えば、同じ値を各セルに加える。具体的には、８ｂｉｔの信号を用いる場合、中央の値１２７を各セルに加えてもよい（図３（Ｃ−３）参照）。

《第１２のステップ》
第１２のステップにおいて、嵩上げされたマップに含まれる上限値を超える値を上限値に変換し、下限値を下回る値を下限値に変換する（図２（Ｃ）（Ｕ１２）参照）。なお、このマップが二次マップＭ２になる。また、第１２のステップを終えたのち、二次マップ生成処理を終了する。

具体的には、８ｂｉｔの信号を用いる場合、２５５より大きい値は２５５に変換し、０より小さい値は０に変換する。

本実施の形態で説明する情報処理装置１００の構成例２は、記憶部１１２を含み、当該記憶部１１２が一次マップＭ１から背景マップＭＢＫを差し引くステップを備えるプログラムを記憶する。

なお、使用者に使用されていない状態の入力部１４０が供給するマップを背景マップＭＢＫに用いることができる。

これにより、入力部が供給するマップから雑音を取り除くことができる。また、雑音が取り除かれたマップを用いて所定の命令を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な情報処理装置を提供することができる。

＜情報処理装置の構成例３．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図４を参照しながら説明する。

図４は本発明の一態様のプログラムの主の部分の変形例を説明するフロー図である。

本実施の形態で説明する情報処理装置１００の構成例３は、記憶部１１２が、以下の第１３のステップ乃至第１５のステップを備えるプログラムを第３のステップに替えて記憶する点が、上記で説明する情報処理装置１００の構成例１または構成例２と異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

演算部１１１は、記憶部１１２が記憶する以下のステップを備えるプログラムを実行する。

《第１３のステップ》
第１３のステップにおいて、第２のステップで一致した所定のパターンに関連付けられた命令を供給する。

《第１４のステップ》
第１４のステップにおいて、背景マップＭＢＫを生成する。

例えば、入力部１４０が表示部１３０に重ねて設けられている場合、入力部１４０が表示部１３０の動作状態の影響を受ける場合がある。具体的には、表示部１３０の表示素子の動作が、入力部１４０の検知素子の動作に影響を与える場合がある。これにより、背景マップＭＢＫが表示情報Ｖの影響を受けて変化する場合がある。

例えば、背景マップＭＢＫが表示情報Ｖの影響を受けて変化する場合、表示情報Ｖの変化に基づいて背景マップＭＢＫを生成しなおしてもよい。具体的には、表示情報Ｖが第１３のステップにおいて供給した命令に基づいて供給された後に、一次マップＭ１を取得する。そして、取得した一次マップＭ１を用いて背景マップＭＢＫを生成してもよい。

《第１５のステップ》
第１５のステップにおいて、生成された背景マップＭＢＫで背景マップを更新し、第１のステップに進む。

これにより、例えば入力部１４０が表示部１３０に重ねて配置されることにより、背景マップＭＢＫが表示情報Ｖに影響を受ける場合であっても、当該影響が加味された背景マップＭＢＫを新たに生成することができる。その結果、当該背景マップＭＢＫを用いて、表示情報Ｖに起因する影響を相殺することができる。

本実施の形態で説明する情報処理装置１００の構成例２は、記憶部１１２を含み、当該記憶部１１２は、背景マップＭＢＫを生成するステップと、背景マップＭＢＫを更新するステップと、を備えるプログラムを記憶する。

これにより、入力部の状態に基づいた背景マップを更新することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な情報処理装置を提供することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置に用いることができる入出力装置の構成について、図５および図６を参照しながら説明する。

図５は本発明の一態様の入出力装置５００ＴＰの構成を説明する投影図である。なお、説明の便宜のために検知ユニット６０２の一部および画素５０２の一部を拡大して図示している。

図６（Ａ）は図５に示す本発明の一態様の入出力装置５００ＴＰの切断線Ｚ１−Ｚ２における断面の構造を示す断面図であり、図６（Ｂ）および図６（Ｃ）は図６（Ａ）に示す構造の一部を置換することができる構造の変形例を示す断面図である。

＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置５００ＴＰは、表示部５００および表示部５００に重なる領域を備える入力部６００を有する（図５参照）。

入力部６００は、マトリクス状に配設される複数の検知ユニット６０２を有する。

また、行方向（図中に矢印Ｒで示す）に配置される複数の検知ユニット６０２が電気的に接続される第１の制御線Ｇ１または制御線ＲＥＳなどを有する。

また、列方向（図中に矢印Ｃで示す）に配置される複数の検知ユニット６０２が電気的に接続される信号線ＤＬなどを有する。

検知ユニット６０２は検知回路を備える。検知回路は、第１の制御線Ｇ１、制御線ＲＥＳまたは信号線ＤＬなどに電気的に接続される。

トランジスタまたは／および検知素子等を検知回路に用いることができる。例えば、導電膜と、当該導電膜に電気的に接続される容量素子と、を検知素子に用いることができる。また、容量素子と、当該容量素子に電気的に接続されるトランジスタと、を用いることができる。

容量素子６５０を検知回路に用いることができる。また、絶縁層６５３、絶縁層６５３を挟持する第１の電極６５１および第２の電極６５２を容量素子６５０に用いることができる（図６（Ａ）参照）。

また、検知ユニット６０２はマトリクス状に配置された複数の窓部６６７を有する。窓部６６７は可視光を透過し、遮光性の層ＢＭを複数の窓部６６７の間に配設してもよい。

窓部６６７に重なる領域を備える着色層を有する。着色層は、所定の色の光を透過する。例えば、青色の光を透過する着色層ＣＦＢ、緑色の光を透過する着色層ＣＦＧまたは赤色の光を透過する着色層ＣＦＲを用いることができる。また、黄色の光を透過する着色層や白色の光を透過する着色層を用いてもよい。なお、着色層をカラーフィルタということができる。

表示部５００は、マトリクス状に配置された複数の画素５０２を有する。画素５０２は入力部６００の窓部６６７と重なる領域を備えるように配置されている。

画素５０２は、検知ユニット６０２に比べて高い精細度で配設されてもよい。

本実施の形態で説明する入出力装置５００ＴＰは、可視光を透過する窓部６６７を具備し、マトリクス状に配設される複数の検知ユニット６０２を備える入力部６００と、窓部６６７に重なる画素５０２を複数備える表示部５００と、を有し、窓部６６７と画素５０２の間に着色層を含んで構成される。また、それぞれの検知ユニットに他の検知ユニットへの電気的な干渉を低減することができるスイッチが配設されている。なお、トランジスタ等をスイッチに用いることができる。

これにより、各検知ユニットが検知する検知情報を検知ユニットの位置情報と共に供給することができる。また、画像を表示する画素の位置情報に関連付けて、検知情報を供給することができる。また、検知情報を供給させない検知ユニットと信号線を非導通状態にすることで、検知信号を供給させる検知ユニットへの電気的な干渉を低減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置５００ＴＰを提供することができる。

例えば、入出力装置５００ＴＰの入力部６００は検知情報を検知して位置情報と共に供給することができる。具体的には、入出力装置５００ＴＰの使用者は、入力部６００に触れた指等をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

入力部６００は、入力部６００に近接または接触する指等を検知して、検知した位置または軌跡等を含む検知情報を供給することができる。

演算装置は供給された情報が所定の条件を満たすか否かをプログラム等に基づいて判断し、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を実行する。

これにより、入力部６００の使用者は、指等を用いて所定のジェスチャーを供給し、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を演算装置に実行させることができる。

例えば、入出力装置５００ＴＰの入力部６００は、一の信号線に検知情報を供給することができる複数の検知ユニットから一の検知ユニットを選択し、選択された検知ユニットを除いた他の検知ユニットと当該一の信号線を非導通状態にすることができる。これにより、選択されていない他の検知ユニットがもたらす選択された検知ユニットへの干渉を低減することができる。

具体的には、選択されていない検知ユニットの検知素子がもたらす選択された検知ユニットの検知素子への干渉を低減できる。

例えば、容量素子および当該容量素子の一の電極が電気的に接続された導電膜を検知素子に用いる場合において、選択されていない検知ユニットの導電膜の電位がもたらす、選択された検知ユニットの導電膜の電位への干渉を低減することができる。具体的には、雑音の低減に寄与することができる。

これにより、入出力装置５００ＴＰはその大きさに依存することなく、検知ユニットを駆動して、検知情報を供給させることができる。例えば、ハンドヘルド型に用いることができる大きさから、電子黒板に用いることができる大きさまで、さまざまな大きさの入出力装置５００ＴＰを提供することができる。

また、入出力装置５００ＴＰが折り畳まれた状態および展開された状態にすることができ、且つ選択されていない検知ユニットが選択された検知ユニットにもたらす電気的な干渉が、折り畳まれた状態と展開された状態とで異なる場合においても、入出力装置５００ＴＰの折り畳まれた状態または展開された状態に依存することなく検知ユニットを駆動して、検知情報を供給させることができる。

また、入出力装置５００ＴＰの表示部５００は表示情報Ｖを供給されることができる。例えば、演算装置は表示情報Ｖを供給することができる。

以上の構成に加えて、入出力装置５００ＴＰは以下の構成を備えることもできる。

入出力装置５００ＴＰの入力部６００は、駆動回路６０３ｇまたは駆動回路６０３ｄを備えることができる。また、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。

入出力装置５００ＴＰの表示部５００は、信号線駆動回路５０３ｓ、配線５１１または端子５１９を備えてもよい。また、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２と電気的に接続されてもよい。

また、使用に伴う傷の発生から入出力装置５００ＴＰを保護する機能を備える保護層６７０を備えることができる。例えば、セラミックコート層またはハードコート層を保護層６７０に用いることができる。具体的には、酸化アルミニウムを含む層またはＵＶ硬化樹脂等を含む層を用いることができる。また、入出力装置５００ＴＰが反射する外光の強度を弱める機能を備える反射防止層６７０ｐを用いることができる。具体的には、円偏光板等を用いることができる。

以下に、入出力装置５００ＴＰを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

例えば、複数の窓部６６７に重なる位置に着色層を備える入力部６００は、入力部６００であるとともにカラーフィルタでもある。

また、例えば入力部６００が表示部５００に重ねられた入出力装置５００ＴＰは、入力部６００であるとともに表示部５００でもある。なお、表示部５００に入力部６００が重ねられた入出力装置５００ＴＰをタッチパネルともいう。

《全体の構成》
本実施の形態で説明する入出力装置５００ＴＰは、入力部６００または表示部５００を有する。

なお、例えば実施の形態３乃至実施の形態５において説明する作製方法を用いて、入出力装置５００ＴＰを作製することができる。

《入力部》
入力部６００は、検知ユニット６０２、第１の制御線Ｇ１、信号線ＤＬまたは基材６１０を備える。

例えば、入力部６００を形成するための膜を基材６１０に成膜し、当該膜を加工して、入力部６００を形成することができる。

または、入力部６００の一部を他の基材に形成し、当該一部を基材６１０に転置する方法を用いて、入力部６００を形成してもよい。

《検知ユニット》
検知ユニット６０２は近接または接触するものを検知して検知信号を供給する。例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用いることができる。

検知ユニット６０２は、検知素子および検知回路を備える。例えば、近接または接触するものとの間の静電容量の変化を検知する検知素子と検知回路を用いることができる。具体的には、導電膜および導電膜と電気的に接続された検知回路を、検知ユニット６０２に用いることができる。

なお、大気中において、指などの大気より大きな誘電率を備えるものが導電膜に近接すると、指と導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知情報を供給することができる。具体的には、導電膜および当該導電膜に一方の電極が接続された容量素子を含む検知回路を検知ユニット６０２に用いることができる。

例えば、静電容量の変化に伴い容量素子との間で電荷の分配が引き起こされ、容量素子の両端の電極の電圧が変化する。この電圧の変化を検知信号に用いることができる。具体的には、容量素子６５０の一方の電極に電気的に接続された導電膜にものが近接することにより、容量素子６５０の電極間の電圧は変化する（図６（Ａ）参照）。

《スイッチ、トランジスタ》
検知ユニット６０２は、制御信号に基づいて導通状態または非導通状態にすることができるスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１２をスイッチに用いることができる。

また、検知信号を増幅するトランジスタを検知ユニット６０２に用いることができる。

同一の工程で作製することができるトランジスタを、検知信号を増幅するトランジスタおよびスイッチに用いることができる。これにより、作製工程が簡略化された入力部６００を提供できる。

トランジスタは半導体層を備える。例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを半導体層に適用できる。また、有機半導体などを半導体層に用いることができる。テトラセンやペンタセンなどのアセン類、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、ルブレン、Ａｌｑ３、ＴＴＦ−ＴＣＮＱ、ポリチオフェン（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）など）、ポリアセチレン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリピロール、ポリアニリン、アントラセン、テトラシアノキノジメタン （ＴＣＮＱ）、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）などを有機半導体に用いることができる。

様々な結晶性を備える半導体層をトランジスタに用いることができる。例えば、非結晶を含む半導体層、微結晶を含む半導体層、多結晶を含む半導体層または単結晶を含む半導体層等を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、レーザーアニールなどの処理により結晶化したポリシリコンまたはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術を用いて形成された半導体層等を用いることができる。

半導体層に用いる酸化物半導体は、例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。

酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

《配線》
入力部６００は、第１の制御線Ｇ１、制御線ＲＥＳまたは信号線ＤＬなどを備える。

導電性を有する材料を、第１の制御線Ｇ１、制御線ＲＥＳまたは信号線ＤＬ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを、配線に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジムもしくはスカンジウムから選ばれた元素の膜を積層した積層膜、またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジムもしくはスカンジウムから選ばれた複数の元素を組み合わせた合金膜を積層した積層膜、またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジムもしくはスカンジウムから選ばれた元素を含む窒化膜を積層した積層膜を用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を用いることができる。

《駆動回路》
駆動回路６０３ｇは、例えば所定のタイミングで選択信号を供給する機能を備える。具体的には、選択信号を第１の制御線Ｇ１ごとに所定の順番で供給する機能を備える。また、さまざまな回路を駆動回路６０３ｇに用いることができる。例えば、シフトレジスタ、フリップフロップ回路などの組み合わせ回路などを用いることができる。例えば、入力部６００が表示部５００の所定の動作に基づいて動作するように、駆動回路６０３ｇが選択信号を供給してもよい。具体的には、表示部５００の帰線期間中に入力部６００が動作するように選択信号を供給してもよい。これにより、表示部５００の動作に伴う雑音を入力部６００が検知してしまう不具合を軽減できる。

駆動回路６０３ｄは、検知ユニット６０２が供給する検知信号に基づいて検知情報を供給する。また、さまざまな回路を駆動回路６０３ｄに用いることができる。例えば、検知ユニット６０２に配設された検知回路と電気的に接続されることにより、ソースフォロワ回路やカレントミラー回路を構成することができる回路を、駆動回路６０３ｄに用いることができる。また、検知信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換回路を備えていてもよい。

《基材》
基材６１０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。特に、可撓性を有する材料を基材６１０に用いると、入力部６００を折り畳んだ状態または展開された状態にすることができる。なお、表示部５００が表示をする側に入力部６００を配置する場合は、透光性を有する材料を基材６１０に用いる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材６１０に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックスまたは金属等の無機材料を基材６１０に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、基材６１０に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、基材６１０に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、基材６１０に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材６１０に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材６１０に用いることができる。

例えば、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材６１０に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材６１０に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を基材６１０に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、基材６１０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、基材６１０に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、基材６１０に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、基材６１０に適用できる。

具体的には、可撓性を有する基材６１０ｂ、不純物の拡散を防ぐバリア膜６１０ａおよび基材６１０ｂとバリア膜６１０ａを貼り合わせる樹脂層６１０ｃの積層体を用いることができる（図６（Ａ）参照）。

《フレキシブルプリント基板》
フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１は、タイミング信号、電源電位等を供給し、検知信号を供給される。

《表示部》
表示部５００は、画素５０２、走査線、信号線または基材５１０を備える（図５参照）。

なお、基材５１０に表示部５００を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工して表示部５００を形成してもよい。

または、表示部５００の一部を他の基材に形成し、当該一部を基材５１０に転置して、表示部５００を形成してもよい。

《画素》
画素５０２は副画素５０２Ｂ、副画素５０２Ｇおよび副画素５０２Ｒを含み、それぞれの副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

《画素回路》
画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を表示部に用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来る。

画素回路は、例えば、トランジスタ５０２ｔを含む。

表示部５００はトランジスタ５０２ｔを覆う絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、絶縁膜５２１に不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を適用することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

《表示素子》
さまざまな表示素子を表示部５００に用いることができる。例えば、電気泳動方式や電子粉流体（登録商標）方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、液晶素子などを用いることができる。

また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイなどに用いることができる表示素子を用いることができる。

例えば、射出する光の色が異なる有機エレクトロルミネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。

例えば、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を適用できる。

例えば、発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する。

副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒおよび発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層ＣＦＲ）を備える。

なお、特定の波長の光を効率よく取り出せるように、発光モジュール５８０Ｒに微小共振器構造を配設することができる。具体的には、特定の光を効率よく取り出せるように配置された可視光を反射する膜および半反射・半透過する膜の間に発光性の有機化合物を含む層を配置してもよい。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層ＣＦＲを有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等の光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層が設けられていない窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出させてもよい。

着色層ＣＦＲは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層ＣＦＲを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

着色層（例えば着色層ＣＦＲ）を囲むように遮光性の層ＢＭがある。

なお、光を取り出す側に封止材５６０が設けられている場合、封止材５６０は発光素子５５０Ｒと着色層ＣＦＲに接してもよい。

下部電極は絶縁膜５２１の上に配設される。下部電極に重なる開口部が設けられた隔壁５２８を備える。なお、隔壁５２８の一部は下部電極の端部に重なる。

下部電極は、上部電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持して発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給する。

また、隔壁５２８上に、基材６１０と基材５１０の間隔を制御するスペーサを有する。

なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。

また、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な画素回路から選択して用いることができる。

《基材》
可撓性を有する材料を基材５１０に用いることができる。例えば、基材６１０に用いることができる材料と同様の材料を基材５１０に適用することができる。

なお、基材５１０が透光性を必要としない場合は、例えば透光性を有しない材料、具体的にはＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。

例えば、可撓性を有する基材５１０ｂと、不純物の拡散を防ぐバリア膜５１０ａと、基材５１０ｂおよびバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０ｃと、が積層された積層体を基材５１０に好適に用いることができる（図６（Ａ）参照）。

《封止材》
封止材５６０は基材６１０と基材５１０を貼り合わせる機能を備える。封止材５６０は空気より大きい屈折率を備える。また、例えば、発光素子５５０Ｒが射出する光を、着色層ＣＦＲが設けられている側に取り出す場合、発光素子５５０Ｒと着色層ＣＦＲを光学的に接合する機能を備える材料を、封止材５６０に用いることができる。例えば、屈折率が空気より大きい材料、好ましくは１．１以上の屈折率を備える材料、より好ましくは１．２以上の屈折率を備える材料を、封止材５６０に用いることができる。

なお、画素回路または発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）は基材５１０と基材６１０の間にある。

《信号線駆動回路の構成》
信号線駆動回路５０３ｓは画像信号を供給する。例えば、トランジスタ５０３ｔまたは容量５０３ｃを含む。なお、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができるトランジスタを駆動回路に用いることができる。

《配線》
表示部５００は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。さまざまな導電膜を用いることができる。例えば、入力部６００の配線に用いることができる導電膜と同様の材料を用いることができる。

表示部５００は、信号を供給することができる配線５１１を備える。また、配線５１１と電気的に接続される端子５１９を備える。なお、例えば画像信号および同期信号等の信号を供給することができるフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を端子５１９に電気的に接続することができる。

なお、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

《他の構成》
入出力装置５００ＴＰは、反射防止層６７０ｐを画素に重なる位置に備える。例えば、円偏光板を反射防止層６７０ｐに用いることができる。

＜入出力装置の変形例＞
様々なトランジスタを入力部６００または／および表示部５００に適用できる。

ボトムゲート型のトランジスタを入力部６００に適用する場合の構成を図６（Ａ）に示す。

ボトムゲート型のトランジスタを表示部５００に適用する場合の構成を図６（Ａ）および図６（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を図６（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図６（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

トップゲート型のトランジスタを表示部５００に適用する場合の構成を、図６（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図６（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力部、表示部または入出力装置を作製する際に用いることができる積層体の作製方法について、図７を参照しながら説明する。

図７は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図７の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図７（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材８０から積層体８１を作製する方法について、図７を参照しながら説明する。

加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える（図７（Ａ−１）および図７（Ａ−２）参照）。

なお、加工部材８０の構成の詳細は、実施の形態５で説明する。

《剥離の起点の形成》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓがあらかじめ接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する（図７（Ｂ−１）および図７（Ｂ−２）参照）。

《第２のステップ》
加工部材８０の一方の表層８０ｂを剥離する。これにより、加工部材８０から第１の残部８０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図７（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０および接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５を備える第１の残部８０ａを得る。

また、第１の剥離層Ｆ２と第１の被剥離層Ｆ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、第１の剥離層Ｆ２から第１の被剥離層Ｆ３を剥離する際に、第１の剥離層Ｆ２と第１の被剥離層Ｆ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、第１の剥離層Ｆ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｆ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｆ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の接着層３１を第１の残部８０ａに形成し（図７（Ｄ−１）および図７（Ｄ−２）参照）、第１の接着層３１を用いて第１の残部８０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる。これにより、第１の残部８０ａから、積層体８１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える積層体８１を得る（図７（Ｅ−１）および図７（Ｅ−２）参照）。

なお、様々な方法を、接合層３０を形成する方法に用いることができる。例えば、ディスペンサやスクリーン印刷法等を用いて接合層３０を形成する。接合層３０を接合層３０に用いる材料に応じた方法を用いて硬化する。例えば接合層３０に光硬化型の接着剤を用いる場合は、所定の波長の光を含む光を照射する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力部、表示部または入出力装置を作製する際に用いることができる積層体の作製方法について、図８および図９を参照しながら説明する。

図８および図９は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図８および図９の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図８（Ｃ）、図９（Ｂ）および図９（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材９０から積層体９２を作製する方法について、図８乃至図９を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、基材Ｓ５に換えて、第２の基板Ｓ１、第２の基板Ｓ１上の第２の剥離層Ｓ２、第２の剥離層Ｓ２と他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３を有し、第２の被剥離層Ｓ３の一方の面が、接合層３０の他方の面に接する点が、異なる。

加工部材９０は、第１の基板Ｆ１と、第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される（図８（Ａ−１）および図８（Ａ−２）参照）。

なお、加工部材９０の構成の詳細は、実施の形態５で説明する。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材９０を準備する（図８（Ｂ−１）および図８（Ｂ−２）参照）。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

例えば、第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

《第２のステップ》
加工部材９０の一方の表層９０ｂを剥離する。これにより、加工部材９０から第１の残部９０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図８（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される第１の残部９０ａを得る。

また、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、第２の剥離層Ｓ２から第２の被剥離層Ｓ３を剥離する際に、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、第２の剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第２の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第２の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の残部９０ａに第１の接着層３１を形成し（図８（Ｄ−１）および図８（Ｄ−２）参照）、第１の接着層３１を用いて第１の残部９０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる。これにより、第１の残部９０ａから、積層体９１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置された積層体９１を得る（図８（Ｅ−１）および図８（Ｅ−２）参照）。

《第４のステップ》
積層体９１の第１の接着層３１の端部近傍にある第２の被剥離層Ｓ３の一部を、第２の基板Ｓ１から分離して、第２の剥離の起点９１ｓを形成する。

例えば、第１の支持体４１および第１の接着層３１を、第１の支持体４１側から切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する。

具体的には、第２の剥離層Ｓ２上の第２の被剥離層Ｓ３が設けられた領域にある、第１の接着層３１および第１の支持体４１を、鋭利な先端を備える刃物等を用いて切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って、第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する（図９（Ａ−１）および図９（Ａ−２）参照）。

このステップにより、新たに形成された第１の支持体４１ｂおよび第１の接着層３１の端部近傍に剥離の起点９１ｓが形成される。

《第５のステップ》
積層体９１から第２の残部９１ａを分離する。これにより、積層体９１から第２の残部９１ａを得る（図９（Ｃ）参照）。

具体的には、第１の接着層３１の端部近傍に形成された剥離の起点９１ｓから、第２の基板Ｓ１を第２の剥離層Ｓ２と共に第２の被剥離層Ｓ３から分離する。これにより、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、がこの順に配置される第２の残部９１ａを得る。

また、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、第２の剥離層Ｓ２から第２の被剥離層Ｓ３を剥離する際に、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、第２の剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第２の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第２の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第６のステップ》
第２の残部９１ａに第２の接着層３２を形成する（図９（Ｄ−１）および図９（Ｄ−２）参照）。

第２の接着層３２を用いて第２の残部９１ａと第２の支持体４２を貼り合わせる。このステップにより、第２の残部９１ａから、積層体９２を得る（図９（Ｅ−１）および図９（Ｅ−２）参照）。

具体的には、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の接着層３２と、第２の支持体４２と、をこの順に配置される積層体９２を得る。

＜支持体に開口部を有する積層体の作製方法＞
開口部を支持体に有する積層体の作製方法について、図１０を参照しながら説明する。

図１０は、被剥離層の一部が露出する開口部を支持体に有する積層体の作製方法を説明する図である。図１０の左側に、積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を右側に示す。

図１０（Ａ−１）乃至図１０（Ｂ−２）は、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いて開口部を有する積層体９２ｃを作製する方法について説明する図である。

図１０（Ｃ−１）乃至図１０（Ｄ−２）は、第２の支持体４２に形成された開口部を有する積層体９２ｄを作製する方法について説明する図である。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例１》
上記の第６のステップにおいて、第２の支持体４２に換えて、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いる点が異なる他は、同様のステップを有する積層体の作製方法である。これにより、第２の被剥離層Ｓ３の一部が露出した状態の積層体を作製することができる（図１０（Ａ−１）および図１０（Ａ−２）参照）。

液状の接着剤を第２の接着層３２に用いることができる。または、流動性が抑制され且つあらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を用いることができる。シート状の接着剤を用いると、第２の支持体４２ｂより外側にはみ出す接着層３２の量を少なくすることができる。また、接着層３２の厚さを容易に均一にすることができる。

また、第２の被剥離層Ｓ３の露出した部分を切除して、第１の被剥離層Ｆ３が露出する状態にしてもよい（図１０（Ｂ−１）および図１０（Ｂ−２）参照）。

具体的には、鋭利な先端を有する刃物等を用いて、露出した第２の被剥離層Ｓ３に傷を形成する。次いで、例えば、傷の近傍に応力が集中するように粘着性を有するテープ等を露出した第２の被剥離層Ｓ３の一部に貼付し、貼付されたテープ等と共に第２の被剥離層Ｓ３の一部を剥離して、その一部を選択的に切除することができる。

また、接合層３０の第１の被剥離層Ｆ３に接着する力を抑制することができる層を、第１の被剥離層Ｆ３の一部に選択的に形成してもよい。例えば、接合層３０と接着しにくい材料を選択的に形成してもよい。具体的には、有機材料を島状に蒸着してもよい。これにより、接合層３０の一部を選択的に第２の被剥離層Ｓ３と共に容易に除去することができる。その結果、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる。

なお、例えば、第１の被剥離層Ｆ３が機能層と、機能層に電気的に接続された導電層Ｆ３ｂと、を含む場合、導電層Ｆ３ｂを第２の積層体９２ｃの開口部に露出させることができる。これにより、例えば開口部に露出された導電層Ｆ３ｂを、信号が供給される端子に用いることができる。

その結果、開口部に一部が露出した導電層Ｆ３ｂは、機能層が供給する信号を取り出すことができる端子に用いることができる。または、機能層が供給される信号を外部の装置が供給することができる端子に用いることができる。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例２》
第２の支持体４２に設ける開口部と重なるように設けられた開口部を有するマスク４８を、積層体９２に形成する。次いで、マスク４８の開口部に溶剤４９を滴下する。これにより、溶剤４９を用いてマスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を膨潤または溶解することができる（図１０（Ｃ−１）および図１０（Ｃ−２）参照）。

余剰の溶剤４９を除去した後に、マスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を擦る等をして、応力を加える。これにより、マスク４８の開口部に重なる部分の第２の支持体４２等を除去することができる。

また、接合層３０を膨潤または溶解する溶剤を用いれば、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる（図１０（Ｄ−１）および図１０（Ｄ−２）参照）。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力部、表示部または入出力装置に加工することができる加工部材の構成について、図１１を参照しながら説明する。

図１１は積層体に加工することができる加工部材の構成を説明する模式図である。

図１１（Ａ−１）は、積層体に加工することができる加工部材８０の構成を説明する断面図であり、図１１（Ａ−２）は、対応する上面図である。

図１１（Ｂ−１）は、積層体に加工することができる加工部材９０の構成を説明する断面図であり、図１１（Ｂ−２）は、対応する上面図である。

＜１．加工部材の構成例＞
加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を有する（図１１（Ａ−１）および図１１（Ａ−２）参照）。

なお、剥離の起点Ｆ３ｓが、接合層３０の端部近傍に設けられていてもよい。

《第１の基板》
第１の基板Ｆ１は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ＳＵＳまたはアルミニウム等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

《第１の剥離層》
第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１と第１の被剥離層Ｆ３の間に設けられる。第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１から第１の被剥離層Ｆ３を分離できる境界がその近傍に形成される層である。また、第１の剥離層Ｆ２は、その上に被剥離層が形成され、第１の被剥離層Ｆ３の製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

例えば無機材料または有機樹脂等を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または該元素を含む化合物等の無機材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。

例えば、単層の材料または複数の層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

なお、タングステンの酸化物を含む層は、タングステンを含む層に他の層を積層する方法を用いて形成することができる。具体的には、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層に酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を積層する方法により形成してもよい。

また、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層の表面を熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理または酸化力の強い溶液（例えば、オゾン水等）を用いる処理等により形成してもよい。

具体的には、ポリイミドを含む層を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。ポリイミドを含む層は、第１の被剥離層Ｆ３を形成する際に要する様々な製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備える。

例えば、ポリイミドを含む層は、２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、より好ましくは３００℃以上、より好ましくは３５０℃以上の耐熱性を備える。

第１の基板Ｆ１に形成されたモノマーを含む膜を加熱し、縮合したポリイミドを含む膜を用いることができる。

《第１の被剥離層》
第１の被剥離層Ｆ３は、第１の基板Ｆ１から分離することができ、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

第１の被剥離層Ｆ３を第１の基板Ｆ１から分離することができる境界は、第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に形成されてもよく、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に形成されてもよい。

第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれず、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれる。

無機材料、有機材料または単層の材料または複数の層が積層された積層材料等を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等の無機材料を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、ポリイミド膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、第１の剥離層Ｆ２と重なる機能層と、第１の剥離層Ｆ２と機能層の間に当該機能層の機能を損なう不純物の拡散を防ぐことができる絶縁層と、が積層された構造を有する材料を用いることができる。

具体的には、厚さ０．７ｍｍのガラス板を第１の基板Ｆ１に用い、第１の基板Ｆ１側から順に厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜および３０ｎｍのタングステン膜が積層された積層材料を第１の剥離層Ｆ２に用いる。そして、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素が積層された積層材料を含む膜を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素の組成より多い。

具体的には、上記の第１の被剥離層Ｆ３に換えて、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を積層された積層材料を含む膜を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、第１の剥離層Ｆ２側から順に、ポリイミド膜と、酸化シリコンまたは窒化シリコン等を含む層と、機能層と、が順に積層された積層材料を用いることができる。

《機能層》
機能層は第１の被剥離層Ｆ３に含まれる。

例えば、機能回路、機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を、機能層に用いることができる。

具体的には、表示装置に用いることができる表示素子、表示素子を駆動する画素回路、画素回路を駆動する駆動回路、カラーフィルタまたは防湿膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。

《接合層》
接合層３０は、第１の被剥離層Ｆ３と基材Ｓ５を接合するものであれば、特に限定されない。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層３０に用いることができる。

例えば、融点が４００℃以下好ましくは３００℃以下のガラス層または接着剤等を用いることができる。

例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接合層３０に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を用いることができる。

《基材》
基材Ｓ５は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

基材Ｓ５に用いることができる材料は、例えば、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。

《剥離の起点》
加工部材８０は剥離の起点Ｆ３ｓを接合層３０の端部近傍に有していてもよい。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

＜２．加工部材の構成例２＞
積層体にすることができる、上記とは異なる加工部材の構成について、図１１（Ｂ−１）および図１１（Ｂ−２）を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、加工部材９０は、第１の剥離層Ｆ２および第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３が形成された第１の基板Ｆ１と、第２の剥離層Ｓ２および第２の剥離層Ｓ２に他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３が形成された第２の基板Ｓ１と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面を接し且つ第２の被剥離層Ｓ３の一方の面と他方の面が接する接合層３０と、を有する。（図１１（Ｂ−１）および図１１（Ｂ−２）参照）。

《第２の基板》
第２の基板Ｓ１は、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。なお、第２の基板Ｓ１を第１の基板Ｆ１と同一の構成とする必要はない。

《第２の剥離層》
第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と同様の構成を用いることができる。また、第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と異なる構成を用いることもできる。

《第２の被剥離層》
第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と同様の構成を用いることができる。また、第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と異なる構成を用いることもできる。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が機能回路を備え、第２の被剥離層Ｓ３が当該機能回路への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が第２の被剥離層Ｓ３に向けて光を射出する発光素子、当該発光素子を駆動する画素回路、当該画素回路を駆動する駆動回路を備え、発光素子が射出する光の一部を透過するカラーフィルタおよび発光素子への不純物の拡散を防ぐ防湿膜を第２の被剥離層Ｓ３が備える構成としてもよい。なお、このような構成を有する加工部材は、可撓性を有する表示装置として用いることができる積層体にすることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１２を参照しながら説明する。

図１２は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図１２（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置Ｋ１００の入出力装置Ｋ２０が展開された状態を説明する投影図であり、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における情報処理装置Ｋ１００の断面図である。図１２（Ｃ）は入出力装置Ｋ２０が折り畳まれた状態を説明する投影図である。

＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明する情報処理装置Ｋ１００は、入出力装置Ｋ２０と、演算装置Ｋ１０と、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）を有する（図１２参照）。

《入出力装置》
入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０および入力部Ｋ４０を備える。入出力装置Ｋ２０は、表示情報Ｖを供給され且つ検知情報Ｓを供給する。

表示部Ｋ３０は表示情報Ｖを供給され、入力部Ｋ４０は検知情報Ｓを供給する（図１２（Ｂ）参照）。

入力部Ｋ４０と表示部Ｋ３０が一体に重ねられた入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０であるとともに、入力部Ｋ４０でもある。

なお、入力部Ｋ４０にタッチセンサを用い、表示部Ｋ３０に表示パネルを用いた入出力装置Ｋ２０は、タッチパネルである。

《表示部》
表示部Ｋ３０は、第１の領域Ｋ３１（１１）、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）、第２の領域Ｋ３１（１２）、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）および第３の領域Ｋ３１（１３）がこの順で縞状に配置された領域Ｋ３１を有する（図１２（Ａ）参照）。

表示部Ｋ３０は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）に形成される第１の畳み目および第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）に形成される第２の畳み目で折り畳まれた状態および展開された状態にすることができる（図１２（Ａ）および図１２（Ｃ）参照）。

《演算装置》
演算装置Ｋ１０は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備える。また、表示情報Ｖを供給し且つ検知情報Ｓを供給される。

《筐体》
筐体は、筐体Ｋ０１（１）、ヒンジＫ０２（１）、筐体Ｋ０１（２）、ヒンジＫ０２（２）および筐体Ｋ０１（３）を含み、この順に配置される。

筐体Ｋ０１（３）は、演算装置Ｋ１０を収納する。また、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）は、入出力装置Ｋ２０を保持し、入出力装置Ｋ２０を折り畳まれた状態または展開された状態にすることができる（図１２（Ｂ）参照）。

本実施の形態では、３つの筐体が２つのヒンジを用いて接続される構成を備える情報処理装置を例示する。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を２か所で折って折り畳むことができる。

なお、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の筐体を（ｎ−１）個のヒンジを用いて接続してもよい。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を（ｎ−１）箇所で折って折り畳むことができる。

筐体Ｋ０１（１）は、第１の領域Ｋ３１（１１）と重なり、釦Ｋ４５（１）を備える。

筐体Ｋ０１（２）は、第２の領域Ｋ３１（１２）と重なる。

筐体Ｋ０１（３）は、第３の領域Ｋ３１（１３）と重なり、演算装置Ｋ１０、アンテナＫ１０ＡおよびバッテリーＫ１０Ｂを収納する。

ヒンジＫ０２（１）は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）と重なり、筐体Ｋ０１（１）を筐体Ｋ０１（２）に対して回動可能に接続する。

ヒンジＫ０２（２）は、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）と重なり、筐体Ｋ０１（２）を筐体Ｋ０１（３）に対して回動可能に接続する。

アンテナＫ１０Ａは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、信号を供給または供給される。

また、アンテナＫ１０Ａは、外部装置から無線で電力を供給され、電力をバッテリーＫ１０Ｂに供給する。

バッテリーＫ１０Ｂは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、電力を供給または供給される。

《折り畳みセンサ》
折り畳みセンサＫ４１は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、筐体の状態を示す情報を供給する。

演算装置Ｋ１０は、筐体の状態を示す情報を供給される。

筐体の状態を示す情報が折り畳まれた状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０は第１の領域Ｋ３１（１１）に第１の画像を含む表示情報Ｖを供給する（図１２（Ｃ）参照）。

また、筐体の状態を示す情報が展開された状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０は表示部Ｋ３０の領域Ｋ３１に表示情報Ｖを供給する（図１２（Ａ）参照）。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１３を参照しながら説明する。

図１３は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図１３（Ａ−１）乃至図１３（Ａ−３）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。

図１３（Ｂ−１）および図１３（Ｂ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。

図１３（Ｃ−１）乃至図１３（Ｃ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の上面図および底面図ある。

《情報処理装置Ａ》
情報処理装置３０００Ａは、入出力部３１２０および入出力部３１２０を支持する筐体３１０１を有する（図１３（Ａ−１）乃至図１３（Ａ−３）参照）。

また、情報処理装置３０００Ａは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ａは、側面または／および上面に表示情報を表示することができる。

情報処理装置３０００Ａの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命令を供給することができる。

《情報処理装置Ｂ》
情報処理装置３０００Ｂは、入出力部３１２０および入出力部３１２０ｂを有する（図１３（Ｂ−１）および図１３（Ｂ−２）参照）。

また、情報処理装置３０００Ｂは入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂを有する。

また、情報処理装置３０００Ｂは入出力部３１２０ｂを支持する筐体３１０１を有する。

また、情報処理装置３０００Ｂは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ｂは、筐体３１０１と可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂに支持される入出力部３１２０に表示情報を表示することができる。

情報処理装置３０００Ｂの使用者は、入出力部３１２０に接する指を用いて操作命令を供給することができる。

《情報処理装置Ｃ》
情報処理装置３０００Ｃは、入出力部３１２０ならびに入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および筐体３１０１ｂを有する（図１３（Ｃ−１）乃至図１３（Ｃ−２）参照）。

入出力部３１２０および筐体３１０１ｂは可撓性を有する。

また、情報処理装置３０００Ｃは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ｃは、筐体３１０１ｂの部分で二つに折り畳むことができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

Ｃ１ 容量素子
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
Ｆ１ 基板
Ｆ２ 剥離層
Ｆ３ 被剥離層
Ｆ３ｂ 導電層
Ｆ３ｓ 起点
Ｇ１ 第１の制御線
Ｋ０１ 筐体
Ｋ０２ ヒンジ
Ｋ１０ 演算装置
Ｋ１０Ａ アンテナ
Ｋ１０Ｂ バッテリー
Ｋ２０ 入出力装置
Ｋ３０ 表示部
Ｋ３１ 領域
Ｋ４０ 入力部
Ｋ４１ センサ
Ｋ４５ 釦
Ｋ１００ 情報処理装置
Ｍ１ 一次マップ
Ｍ２ 二次マップ
Ｍ１０ 増幅トランジスタ
Ｍ１２ トランジスタ
Ｓ１ 基板
Ｓ２ 剥離層
Ｓ３ 被剥離層
Ｓ５ 基材
ＳＷ１ 第１のスイッチ
ＳＷ２ 第２のスイッチ
Ｕ 検知ユニット
３０ 接合層
３１ 接着層
３２ 接着層
４１ 支持体
４１ｂ 支持体
４２ 支持体
４２ｂ 支持体
４８ マスク
４９ 溶剤
８０ 加工部材
８０ａ 残部
８０ｂ 表層
８１ 積層体
９０ 加工部材
９０ａ 残部
９０ｂ 表層
９１ 積層体
９１ａ 残部
９１ｓ 起点
９２ 積層体
９２ｃ 積層体
９２ｄ 積層体
９９ ノズル
１００ 情報処理装置
１１０ 演算装置
１１１ 演算部
１１２ 記憶部
１１４ 伝送路
１１５ 入出力インターフェース
１２０ 入出力装置
１２７ 値
１３０ 表示部
１３１ 表示領域
１４０ 入力部
１４１ 入力部
１４５ 入出力部
１５０ 検知部
１６０ 通信部
５００ 表示部
５００ＴＰ 入出力装置
５０２ 画素
５０２Ｂ 副画素
５０２Ｇ 副画素
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｓ 信号線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５１０ 基材
５１０ａ バリア膜
５１０ｂ 基材
５１０ｃ 樹脂層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止材
５８０Ｒ 発光モジュール
６００ 入力部
６０２ 検知ユニット
６０３ｄ 駆動回路
６０３ｇ 駆動回路
６１０ 基材
６１０ａ バリア膜
６１０ｂ 基材
６１０ｃ 樹脂層
６５０ 容量素子
６５１ 電極
６５２ 電極
６５３ 絶縁層
６６７ 窓部
６７０ 保護層
６７０ｐ 反射防止層
３０００Ａ 情報処理装置
３０００Ｂ 情報処理装置
３０００Ｃ 情報処理装置
３１０１ 筐体
３１０１ｂ 筐体
３１２０ 入出力部
３１２０ｂ 入出力部

Claims (4)

1. 入力部と演算装置とを有し、
   前記演算装置はマップを供給され、
   前記マップは、背景マップおよび一次マップを含み、
   前記演算装置は、
   前記マップに基づいて所定の命令を供給するプログラムを記憶する記憶部と、
   前記プログラムを実行する演算部と、を備え、
   前記プログラムは、
   割り込み処理を実行しパターンを抽出する第１のステップと、
   前記パターンを参照テーブルと照合し、所定のパターンと一致する場合に第３のステップに進み、含まれていない場合は前記第１のステップに進む第２のステップと、
   前記所定のパターンに関連付けられた命令を供給し、前記第１のステップに進む第３のステップと、を備え、
   前記割り込み処理は、
   前記背景マップおよび前記一次マップを取得し、背景マップおよび一次マップに差がある場合は第５のステップに進み、差がない場合は割り込み処理を終了する第４のステップと、
   前記背景マップおよび前記一次マップに基づいて、二次マップを生成する二次マップ生成処理を行う第５のステップと、
   前記二次マップに基づいて二値化マップを生成する第６のステップと、
   前記二値化マップに基づいてラベリングデータを生成する第７のステップと、
   前記ラベリングデータに基づいてデータセットを生成または更新する、第８のステップと、
   前記データセットに含まれるパターンを抽出する第９のステップと、を備え、
   前記二次マップ生成処理が、
   前記一次マップから前記背景マップを差し引く第１０のステップと、
   一様なデータを加えて嵩上げされたマップを生成する第１１のステップと、
   前記嵩上げされたマップに含まれる上限値を超える値を上限値に変換し、下限値を下回る値を下限値に変換する第１２のステップと、を備える情報処理装置。
2. 前記プログラムが、
   前記第３のステップに替えて、前記所定のパターンに関連付けられた命令を供給する第１３のステップと、
   背景マップを生成する第１４のステップと、
   前記背景マップを更新し、前記第１のステップに進む第１５のステップと、を含む、請求項１に記載の情報処理装置。
3. 前記入力部が、
   マトリクス状に配置された複数の検知ユニットと、
   行方向に配設される複数の検知ユニットと電気的に接続される第１の制御線と、
   列方向に配設される複数の検知ユニットと電気的に接続される信号線と、を有し、
   前記検知ユニットは、
   制御端子が前記第１の制御線に電気的に接続され、第１の端子が前記信号線に電気的に接続される第１のスイッチと、
   第１の電極が前記第１のスイッチの第２の端子に電気的に接続され、第２の電極が第１の電源線と電気的に接続される増幅トランジスタと、
   第１の電極が前記増幅トランジスタのゲートおよび導電膜と電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線と電気的に接続される容量素子と、
   第１の端子が前記増幅トランジスタのゲートと電気的に接続され、制御端子が第３の制御線と電気的に接続され、第２の端子が第２の電源線と電気的に接続される第２のスイッチを備える、請求項１または請求項２に記載の情報処理装置。
4. 前記入力部が、折り畳まれた状態または展開された状態にすることができる請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の情報処理装置。

Images