JP2015215611A - 入出力装置、入出力装置の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】選択信号、制御信号、表示情報を含む表示信号および検知信号を供給され、検知信号に基づく電位を供給する入出力回路と、検知信号に基づく検知情報を供給することができる変換回路と、検知信号を供給する検知素子と、電流を供給される表示素子と、を有する構成に想到した。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図1を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する入出力装置100は、選択信号、制御信号、表示情報を含む表示信号および検知信号を供給され、検知信号に基づく電位を供給することができる入出力回路103を有する。
入出力装置100は、入出力回路103、変換回路104、検知素子Cまたは表示素子Dを有する。
入出力回路103は、第1のトランジスタM1、第2のトランジスタM2または駆動トランジスタM0を備える。なお、駆動トランジスタは時分割階調方式(デジタル駆動方式ともいう)を用いて表示素子を駆動してもよいし、電流階調方式(アナログ駆動方式ともいう)を用いて表示素子を駆動してもよい。
高電源電位に基づく電位および第1の配線L1を流れる電流の大きさに基づいて検知情報を端子OUTに供給することができるさまざまな回路を、変換回路104に用いることができる。
検知素子Cは、例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく電圧を第1の電極と第2の電極に供給する。
表示素子Dは、表示信号に基づく電流を供給され、表示情報を表示する。
検知素子Cが供給する電圧に基づく検知情報を供給し、供給される表示信号に基づいて表示を行う入出力装置100の駆動方法を説明する(図1(A)および図1(B)参照)。
第1のステップにおいて、第1のトランジスタM1を導通状態にすることができる選択信号を供給し、第2のトランジスタM2を導通状態にすることができる制御信号を供給し、基準電位の表示信号を供給する(図1(B)における期間T1を参照)。
第1のトランジスタM1を非導通状態にすることができる選択信号を供給し、第2のトランジスタM2を導通状態にすることができる制御信号を供給し、駆動トランジスタM0が所定の電流を供給するように高電源電位に基づく電位を供給し且つ変換回路が検知信号に基づいて検知情報を供給する(図1(B)における期間T2を参照)。
第1のトランジスタM1を導通状態にすることができる選択信号を供給し、第2のトランジスタM2を非導通状態にすることができる制御信号を供給し、表示情報に基づく電位の表示信号を供給する(図1(B)における期間T3を参照)。
第1のトランジスタM1を非導通状態にすることができる選択信号を供給し、第2のトランジスタM2を非導通状態にすることができる制御信号を供給し、第3のステップで供給された表示信号に基づいて駆動トランジスタM0が所定の電流を供給するように高電源電位に基づく電位を供給する(図1(B)における期間T4を参照)。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図2を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する入出力装置100Bは、選択信号、第1の制御信号乃至第3の制御信号、表示情報を含む表示信号および検知信号を供給され、検知信号に基づく電位を供給することができる入出力回路103Bを有する。
入出力装置100Bは、入出力回路103B、変換回路104、検知素子Cまたは表示素子Dを有する。
入出力回路103Bは、第1のトランジスタM1乃至第5のトランジスタM5または駆動トランジスタM0を備える。
検知素子Cが供給する電圧に基づく検知情報を供給し、供給される表示信号に基づいて表示を行う入出力装置100Bの駆動方法を説明する(図2(A)および図2(B)参照)。
第1のステップにおいて、第1のトランジスタM1および第5のトランジスタM5を非導通状態にすることができる選択信号、第2のトランジスタM2を非導通状態にすることができる第1の制御信号、第3のトランジスタM3を導通状態にすることができる第2の制御信号および第4のトランジスタM4を非導通状態にすることができる第3の制御信号を供給する(図2(B)における期間T11を参照)。
第2のステップにおいて、第1のトランジスタM1および第5のトランジスタM5を導通状態にすることができる選択信号、第2のトランジスタM2を非導通状態にすることができる第1の制御信号、第3のトランジスタM3を非導通状態にすることができる第2の制御信号、第4のトランジスタM4を非導通状態にすることができる第3の制御信号および基準電位の表示信号を供給する(図2(B)における期間T12を参照)。
第3のステップにおいて、第1のトランジスタM1および第5のトランジスタM5を非導通状態にすることができる選択信号、第2のトランジスタM2を導通状態にすることができる第1の制御信号、第3のトランジスタM3を非導通状態にすることができる第2の制御信号および第4のトランジスタM4を導通状態にすることができる第3の制御信号ならびに検知素子Cが供給する検知信号に基づいて駆動トランジスタM0が所定の電流を供給するように高電源電位に基づく電位を第2の配線L2に供給し且つ変換回路104が検知信号に基づいて検知情報を供給する(図2(B)における期間T21を参照)。
第4のステップにおいて、第1のトランジスタM1および第5のトランジスタM5を非導通状態にすることができる選択信号、第2のトランジスタM2を非導通状態にすることができる第1の制御信号、第3のトランジスタM3を導通状態にすることができる第2の制御信号および第4のトランジスタM4を非導通状態にすることができる第3の制御信号を供給する(図2(B)における期間T22を参照)。
第5のステップにおいて、第1のトランジスタM1および第5のトランジスタM5を導通状態にすることができる選択信号、第2のトランジスタM2を非導通状態にすることができる第1の制御信号、第3のトランジスタM3を非導通状態にすることができる第2の制御信号、第4のトランジスタM4を非導通状態にすることができる第3の制御信号および表示情報に基づく表示信号を供給する(図2(B)における期間T31を参照)。
第6のステップにおいて、第1のトランジスタM1および第5のトランジスタM5を非導通状態にすることができる選択信号、第2のトランジスタM2を非導通状態にすることができる第1の制御信号、第3のトランジスタM3を導通状態にすることができる第2の制御信号、第4のトランジスタM4を導通状態にすることができる第3の制御信号ならびに第5のステップで供給された表示信号に基づいて駆動トランジスタM0が所定の電流を供給するように高電源電位を第2の配線L2に供給する(図2(B)における期間T41を参照)。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図3を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する入出力装置200は、領域201を有する。領域201はm行n列のマトリクス状に配設される複数の画素202(i,j)を有する。なお、mおよびnは1以上の自然数であり、mまたはnは2以上である。また、iはm以下であり、jはn以下である。
入出力装置200は、画素202(i,j)、第1の制御線G1(i)、第2の制御線G2(i)、信号線DL(j)、第1の配線L1(j)、第2の配線L2(j)、第3の配線L3(j)、変換回路204(j)または基材210を有する。
領域201はm行n列のマトリクス状に配設される複数の画素202(i,j)を有する。
領域201は第1の制御線G1(i)、第2の制御線G2(i)、信号線DL(j)、第1の配線L1(j)、第2の配線L2(j)または第3の配線L3(j)を有する。例えば、実施の形態1に記載する第1の制御線G1等と同様の構成を第1の制御線G1(i)等に用いることができる。
基材210は画素202(i,j)、第1の制御線G1(i)、第2の制御線G2(i)、信号線DL(j)、第1の配線L1(j)、第2の配線L2(j)または第3の配線L3(j)を支持する。
高電源電位に基づく電位および第1の配線L1(j)を流れる電流の大きさに基づいて検知情報を端子OUT(j)に供給することができるさまざまな回路を、変換回路204(j)に用いることができる。例えば、実施の形態1に記載する変換回路104と同様の構成を変換回路204(j)に用いることができる。
変換器CONVは、複数の変換回路204(j)を備え、検知情報を供給する。例えば、第2の配線L2(j)ごとに設けられた変換回路204(j)を用いることができる。
駆動回路GDまたは駆動回路SDは、さまざまな組み合わせ回路を用いた論理回路で構成することができる。例えば、シフトレジスタを用いることができる。
検知素子Cが供給する電圧に基づく検知情報を供給し、供給される表示情報に基づいて表示を行う入出力装置200の駆動方法を説明する(図3、図5(A−1)および図5(A−2)参照)。
第4のステップにおいて、第1の制御線G1(i)に画素202(i,j)の第1のトランジスタM1を非導通状態にすることができる選択信号を供給し、第2の制御線G2(i)に画素202(i,j)の第2のトランジスタM2を非導通状態にすることができる制御信号を供給する。
本発明の一態様の入出力装置の他の構成について、図4を参照しながら説明する。
検知素子Cが供給する電圧に基づく検知情報を供給し、供給される表示情報に基づいて表示を行う入出力装置200Bの駆動方法を説明する(図4、図5(B−1)および図5(B−2)参照)。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図6および図14を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する入出力装置200Cは、基材210、基材210に重なる基材270、基材210と基材270の間に封止材260、画素202、画素202に制御信号を供給する駆動回路GD、画素202に表示信号を供給する駆動回路SDおよび検知情報を供給される変換器CONV並びに画素202が配設される領域201、を有する(図6(A)および図6(B)参照)。
入出力装置200Cは、基材210、基材270、封止材260、画素202、駆動回路GD、駆動回路SD、変換器CONVまたは領域201を有する。
基材210は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。なお、基材210と同様の構成を基材270に適用できる。
封止材260は、基材210および基材270を貼り合わせるものであれば、特に限定されない。
さまざまなトランジスタを駆動トランジスタM0に用いることができる。
さまざまなトランジスタを駆動回路SDのトランジスタMDに用いることができる。例えば、駆動トランジスタM0と同様の構成をトランジスタMDに用いることができる。
変換器CONVは、複数の変換回路を備える。さまざまなトランジスタを変換回路に用いることができる。例えば、駆動トランジスタM0と同様の構成を備えるトランジスタを用いることができる。
領域201は、マトリクス状に配設された複数の画素202を備える。領域201は表示情報を表示することができ、領域201に配設された画素の座標情報と関連付けられた検知情報を供給することができる。例えば、領域201に近接するものの有無を検知して、その座標情報と共に供給することができる。
導電性を有する材料を配線211または端子219に用いることができる。
様々なトランジスタを入出力装置200Cに用いることができる。
図14は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する図である。図14(A)は本発明の一態様の入出力装置200Dの上面図であり、図14(B)は図14(A)の切断線A−BおよびC−Dにおける断面を含む断面図である。
本実施の形態では、本発明の一態様の検知回路等に用いることのできるトランジスタの構成について、図7を用いて説明する。
基板T102としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。量産する上では、基板T102は、第8世代(2160mm×2460mm)、第9世代(2400mm×2800mm、または2450mm×3050mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等のマザーガラスを用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して量産を行う場合、作製工程の加熱処理は、好ましくは600℃以下、さらに好ましくは450℃以下、さらに好ましくは350℃以下とすることが望ましい。
ゲート電極T104aに用いる材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、ゲート電極T104aに用いる材料は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、ゲート電極T104aに用いる材料としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
第1の絶縁膜T108は、絶縁膜T106と絶縁膜T107の2層の積層構造を例示している。なお、第1の絶縁膜T108の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造または3層以上の積層構造としてもよい。
酸化物半導体膜T110は、酸化物半導体を用いると好ましく、該酸化物半導体としては、少なくともインジウム(In)、亜鉛(Zn)及びM(Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、InとZnの双方を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
第1の電極T112aおよび第2の電極T112bに用いることのできる導電膜T112の材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタルもしくはタングステンまたはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、導電膜は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
第2の絶縁膜T120は、絶縁膜T114、T116、T118の3層の積層構造を例示している。なお、第2の絶縁膜T120の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造、2層の積層構造、または4層以上の積層構造としてもよい。
導電膜T122a、ゲート電極T122cに用いることのできる導電膜としては、インジウムを含む酸化物を用いればよい。例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、導電膜T122a、ゲート電極T122cに用いることのできる導電膜としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置を作製する際に用いることができる積層体の作製方法について、図8を参照しながら説明する。
加工部材80から積層体81を作製する方法について、図8を参照しながら説明する。
剥離の起点F3sが接合層30の端部近傍に形成された加工部材80を準備する。
剥離の起点F3sがあらかじめ接合層30の端部近傍に形成された加工部材80を準備する(図8(B−1)および図8(B−2)参照)。
加工部材80の一方の表層80bを剥離する。これにより、加工部材80から第1の残部80aを得る。
第1の接着層31を第1の残部80aに形成し、第1の接着層31を用いて第1の残部80aと第1の支持体41を貼り合わせる(図8(D−1)および図8(D−2)参照)。これにより、第1の残部80aから、積層体81を得る。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置を作製する際に用いることができる積層体の作製方法について、図9および図10を参照しながら説明する。
加工部材90から積層体92を作製する方法について、図9乃至図10を参照しながら説明する。
剥離の起点F3sが接合層30の端部近傍に形成された加工部材90を準備する(図9(B−1)および図9(B−2)参照)。
加工部材90の一方の表層90bを剥離する。これにより、加工部材90から第1の残部90aを得る。
第1の残部90aに第1の接着層31を形成し(図9(D−1)および図9(D−2)参照)、第1の接着層31を用いて第1の残部90aと第1の支持体41を貼り合わせる。これにより、第1の残部90aから、積層体91を得る。
積層体91の第1の接着層31の端部近傍にある第2の被剥離層S3の一部を、第2の基板S1から分離して、第2の剥離の起点91sを形成する。
積層体91から第2の残部91aを分離する。これにより、積層体91から第2の残部91aを得る。(図10(C)参照)。
第2の残部91aに第2の接着層32を形成する(図10(D−1)および図10(D−2)参照)。
開口部を支持体に有する積層体の作製方法について、図11を参照しながら説明する。
上記の第6のステップにおいて、第2の支持体42に換えて、第1の支持体41bより小さい第2の支持体42bを用いる点が異なる他は、同様のステップを有する積層体の作製方法である。これにより、第2の被剥離層S3の一部が露出した状態の積層体を作製することができる(図11(A−1)および図11(A−2)参照)。
第2の支持体42に設ける開口部と重なるように設けられた開口部を有するマスク48を、積層体92に形成する。次いで、マスク48の開口部に溶剤49を滴下する。これにより、溶剤49を用いてマスク48の開口部に露出した第2の支持体42を膨潤または溶解することができる(図11(C−1)および図11(C−2)参照)。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置に加工することができる加工部材の構成について、図12を参照しながら説明する。
加工部材80は、第1の基板F1と、第1の基板F1上の第1の剥離層F2と、第1の剥離層F2に一方の面が接する第1の被剥離層F3と、第1の被剥離層F3の他方の面に一方の面が接する接合層30と、接合層30の他方の面が接する基材S5と、を有する(図12(A−1)および図12(A−2))。
第1の基板F1は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
第1の剥離層F2は、第1の基板F1と第1の被剥離層F3の間に設けられる。第1の剥離層F2は、第1の基板F1から第1の被剥離層F3を分離できる境界がその近傍に形成される層である。また、第1の剥離層F2は、その上に被剥離層が形成され、第1の被剥離層F3の製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。
第1の被剥離層F3は、第1の基板F1から分離することができ、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。
機能層は第1の被剥離層F3に含まれる。
接合層30は、第1の被剥離層F3と基材S5を接合するものであれば、特に限定されない。
基材S5は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
加工部材80は剥離の起点F3sを接合層30の端部近傍に有していてもよい。
積層体にすることができる、上記とは異なる加工部材の構成について、図12(B−1)および図12(B−2)を参照しながら説明する。
第2の基板S1は、第1の基板F1と同様のものを用いることができる。なお、第2の基板S1を第1の基板F1と同一の構成とする必要はない。
第2の剥離層S2は、第1の剥離層F2と同様の構成を用いることができる。また、第2の剥離層S2は、第1の剥離層F2と異なる構成を用いることもできる。
第2の被剥離層S3は、第1の被剥離層F3と同様の構成を用いることができる。また、第2の被剥離層S3は、第1の被剥離層F3と異なる構成を用いることもできる。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置を用いて構成することができる情報処理装置の構成について、図13を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する情報処理装置K100は、入出力装置K20と、演算装置K10と、筐体K01(1)乃至筐体K01(3)と、を有する(図13参照)。
入出力装置K20は、表示部K30および入力装置K40を備え、表示部K30は画像情報Vを供給され、入力装置K40は検知情報Sを供給する(図13(B)参照)。
表示部K30は、第1の領域K31(11)、第1の屈曲できる領域K31(21)、第2の領域K31(12)、第2の屈曲できる領域K31(22)および第3の領域K31(13)がこの順で縞状に配置された領域K31を有する(図13(A)参照)。
演算装置K10は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備える。また、画像情報Vを供給し且つ検知情報Sを供給される。
筐体は、筐体K01(1)、ヒンジK02(1)、筐体K01(2)、ヒンジK02(2)および筐体K01(3)を含み、この順に配置される。
31 接着層
32 接着層
41 支持体
41b 支持体
42 支持体
42b 支持体
48 マスク
49 溶剤
80 加工部材
80a 残部
80b 表層
81 積層体
90 加工部材
90a 残部
90b 表層
91 積層体
91a 残部
91s 起点
92 積層体
92c 積層体
92d 積層体
99 ノズル
100 入出力装置
100B 入出力装置
103 入出力回路
103B 入出力回路
104 変換回路
200 入出力装置
200B 入出力装置
200C 入出力装置
200D 入出力装置
201 領域
202 画素
202B 画素
202R 副画素
203 入出力回路
203B 入出力回路
204 変換回路
209 フレキシブルプリント基板
210 基材
210a バリア膜
210b 基材
210c 樹脂層
211 配線
219 端子
221 絶縁層
228 隔壁
250R 発光素子
260 封止材
267BM 遮光層
267p 保護膜
267R 着色層
270 基材
270a バリア膜
270b 基材
270c 樹脂層
280B 表示モジュール
280G 表示モジュール
280R 表示モジュール
280Y 表示モジュール
F1 基板
F2 剥離層
F3 被剥離層
F3b 導電層
F3s 起点
G1 第1の制御線
G2 第2の制御線
G3 第3の制御線
G4 第4の制御線
OUT 端子
BR 配線
VPO 配線
K01 筐体
K02 ヒンジ
K10 演算装置
K10A アンテナ
K10B バッテリー
K20 入出力装置
K30 表示部
K31 領域
K45 釦
K100 情報処理装置
L1 配線
L2 配線
L3 配線
L4 配線
M0 駆動トランジスタ
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
M4 トランジスタ
M5 トランジスタ
M6 トランジスタ
MD トランジスタ
S1 基板
S2 剥離層
S3 被剥離層
S5 基材
T1 期間
T2 期間
T3 期間
T4 期間
T11 期間
T12 期間
T21 期間
T22 期間
T31 期間
T41 期間
T102 基板
T104a ゲート電極
T106 絶縁膜
T107 絶縁膜
T108 絶縁膜
T110 酸化物半導体膜
T112 導電膜
T112a 電極
T112b 電極
T114 絶縁膜
T116 絶縁膜
T118 絶縁膜
T120 絶縁膜
T122a 導電膜
T122c ゲート電極
T142a 開口
T142e 開口
T151 トランジスタ
Claims (11)
- 選択信号、制御信号、表示情報を含む表示信号および検知信号を供給され、前記検知信号に基づく電位または前記表示信号に基づく電流を供給することができる入出力回路と、
高電源電位を供給され、前記高電源電位に基づく電位および前記検知信号に基づいて、検知情報を供給することができる変換回路と、
前記検知信号を供給することができる検知素子と、
前記電流を供給される表示素子と、を有し、
前記入出力回路は、
ゲートが前記選択信号を供給することができる第1の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記表示信号を供給することができる信号線と電気的に接続される第1のトランジスタと、
ゲートが前記制御信号を供給することができる第2の制御線と電気的に接続され、第1の電極が第1の配線と電気的に接続される第2のトランジスタと、
ゲートが前記第1のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第1の電極が第2の配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極と電気的に接続される駆動トランジスタと、を備え、
前記変換回路は、
ゲートおよび第1の電極が高電源電位を供給することができる配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2の配線と電気的に接続されるトランジスタと、
前記第2の配線と電気的に接続され且つ前記検知情報を供給することができる端子と、を備え、
前記検知素子は、第1の電極が前記第1のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、
前記表示素子は、第1の電極が前記駆動トランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が第3の配線と電気的に接続される、入出力装置。 - 選択信号、第1の制御信号乃至第3の制御信号、表示情報を含む表示信号および検知信号を供給され、前記検知信号に基づく電位または前記表示信号に基づく電流を供給することができる入出力回路と、
高電源電位を供給され、前記高電源電位に基づく電位および前記検知信号に基づいて、検知情報を供給することができる変換回路と、
前記検知信号を供給することができる検知素子と、
前記電流を供給される表示素子と、を有し、
前記入出力回路は、
ゲートが前記選択信号を供給することができる第1の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記表示信号を供給することができる信号線と電気的に接続される第1のトランジスタと、
ゲートが前記第1の制御信号を供給することができる第2の制御線と電気的に接続され、第1の電極が第1の配線と電気的に接続される第2のトランジスタと、
ゲートが前記第2の制御信号を供給することができる第3の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極と電気的に接続される第3のトランジスタと、
ゲートが前記第3の制御信号を供給することができる第4の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記第1のトランジスタの第2の電極と電気的に接続される第4のトランジスタと、
ゲートが前記選択信号を供給することができる第1の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記第4のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が第4の配線と電気的に接続される第5のトランジスタと、
ゲートが前記第4のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第1の電極が第2の配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極と電気的に接続される駆動トランジスタと、を備え、
前記変換回路は、
ゲートおよび第1の電極が高電源電位を供給することができる配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2の配線と電気的に接続されるトランジスタと、前記第2の配線と電気的に接続され且つ前記検知情報を供給することができる端子と、を備え、
前記検知素子は、第1の電極が前記第1のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、
前記表示素子は、第1の電極が前記第3のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が第3の配線と電気的に接続される、入出力装置。 - 前記検知素子が、静電容量の変化に基づいて変化する電流を含む検知信号を供給する、請求項1または請求項2に記載の入出力装置。
- 前記表示素子が、前記第1の電極と、前記第1の電極に重なる前記第2の電極と、前記第1の電極ならびに前記第2の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の入出力装置。
- 前記第1のトランジスタを導通状態にすることができる前記選択信号、前記第2のトランジスタを導通状態にすることができる前記制御信号および基準電位の前記表示信号を供給する第1のステップと、
前記第1のトランジスタを非導通状態にすることができる前記選択信号および前記第2のトランジスタを導通状態にすることができる前記制御信号ならびに前記検知素子が供給する前記検知信号に基づいて前記駆動トランジスタが前記電流を供給するように前記高電源電位に基づく電位を供給し且つ前記変換回路が前記検知信号に基づいて前記検知情報を供給する第2のステップと、
前記第1のトランジスタを導通状態にすることができる前記選択信号、前記第2のトランジスタを非導通状態にすることができる前記制御信号および前記表示情報に基づく電位の前記表示信号を供給する第3のステップと、
前記第1のトランジスタを非導通状態にすることができる前記選択信号および前記第2のトランジスタを非導通状態にすることができる前記制御信号ならびに前記第3のステップで供給された前記表示信号に基づいて前記駆動トランジスタが前記電流を供給するように前記高電源電位に基づく電位を供給する第4のステップと、を有する、請求項1に記載の入出力装置の駆動方法。 - 前記第1のトランジスタおよび第5のトランジスタを非導通状態にすることができる前記選択信号、前記第2のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第1の制御信号、前記第3のトランジスタを導通状態にすることができる前記第2の制御信号および前記第4のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第3の制御信号を供給する第1のステップと、
前記第1のトランジスタおよび第5のトランジスタを導通状態にすることができる前記選択信号、前記第2のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第1の制御信号、前記第3のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第2の制御信号、前記第4のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第3の制御信号および基準電位の前記表示信号を供給する第2のステップと、
前記第1のトランジスタおよび第5のトランジスタを非導通状態にすることができる前記選択信号、前記第2のトランジスタを導通状態にすることができる前記第1の制御信号、前記第3のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第2の制御信号および前記第4のトランジスタを導通状態にすることができる前記第3の制御信号ならびに前記検知素子に供給される前記検知信号に基づいて前記駆動トランジスタが前記電流を供給するように前記高電源電位に基づく電位を第2の配線に供給し且つ前記変換回路が前記検知信号に基づいて前記検知情報を供給する第3のステップと、
前記第1のトランジスタおよび第5のトランジスタを非導通状態にすることができる前記選択信号、前記第2のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第1の制御信号、前記第3のトランジスタを導通状態にすることができる前記第2の制御信号および前記第4のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第3の制御信号を供給する第4のステップと、
前記第1のトランジスタおよび第5のトランジスタを導通状態にすることができる前記選択信号、前記第2のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第1の制御信号、前記第3のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第2の制御信号、前記第4のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第3の制御信号および前記表示情報に基づく前記表示信号を供給する第5のステップと、
前記第1のトランジスタおよび第5のトランジスタを非導通状態にすることができる前記選択信号、前記第2のトランジスタを非導通状態にすることができる前記第1の制御信号、前記第3のトランジスタを導通状態にすることができる前記第2の制御信号、前記第4のトランジスタを導通状態にすることができる前記第3の制御信号ならびに前記第5のステップで供給された前記表示信号に基づいて前記駆動トランジスタが前記電流を供給するように前記高電源電位を第2の配線に供給する第6のステップと、を有する、請求項2に記載の入出力装置の駆動方法。 - マトリクス状に配設される複数の画素と、
行方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ選択信号を供給することができる複数の第1の制御線と、
行方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ制御信号を供給することができる複数の第2の制御線と、
列方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ表示情報を含む表示信号を供給することができる複数の信号線と、
列方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ第1の電源電位を供給することができる複数の第1の配線と、
列方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ高電源電位に基づく電位を供給することができる複数の第2の配線と、
列方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ第2の電源電位を供給することができる複数の第3の配線と、
前記第2の配線と電気的に接続され且つ高電源電位を供給され高電源電位に基づく電位および前記検知信号に基づいて検知情報を供給することができる変換回路と、
前記画素、第1の制御線、第2の制御線、信号線および第1の配線乃至第3の配線を支持する基材と、を有し、
前記画素は、
前記選択信号、前記制御信号および前記表示信号ならびに検知信号を供給され、前記検知信号に基づく電位または前記表示信号に基づく大きさの電流を供給することができる入出力回路と、
前記検知信号を供給することができる検知素子と、
前記電流を供給される表示素子と、を備え、
前記入出力回路は、
ゲートが前記選択信号を供給することができる第1の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記表示信号を供給することができる信号線と電気的に接続される第1のトランジスタと、
ゲートが前記制御信号を供給することができる第2の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記第1の配線と電気的に接続される第2のトランジスタと、
ゲートが前記第1のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第1の電極が第2の配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極と電気的に接続される駆動トランジスタと、を備え、
前記変換回路は、
ゲートおよび第1の電極が高電源電位を供給することができる配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2の配線と電気的に接続されるトランジスタと、前記第2の配線と電気的に接続され且つ前記検知情報を供給することができる端子と、を備え、
前記検知素子は、第1の電極が前記第1のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、
前記表示素子は、第1の電極が前記駆動トランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が第3の配線と電気的に接続される、入出力装置。 - マトリクス状に配設される複数の画素と、
行方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ選択信号を供給することができる複数の第1の制御線と、
行方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ第1の制御信号を供給することができる複数の第2の制御線と、
行方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ第2の制御信号を供給することができる複数の第3の制御線と、
行方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ第3の制御信号を供給することができる複数の第4の制御線と、
列方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ表示情報を含む表示信号を供給することができる複数の信号線と、
列方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ第1の電源電位を供給することができる複数の第1の配線と、
列方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ高電源電位に基づく電位を供給することができる複数の第2の配線と、
列方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ第2の電源電位を供給することができる複数の第3の配線と、
列方向に配設される複数の前記画素と電気的に接続され且つ第3の電源電位を供給することができる複数の第4の配線と、
前記第2の配線と電気的に接続され且つ高電源電位を供給され高電源電位に基づく電位および前記検知信号に基づいて検知情報を供給することができる変換回路と、
前記画素、前記第1の制御線乃至前記第4の制御線、前記信号線および前記第1の配線乃至前記第4の配線を支持する基材と、を有し、
前記画素は、
前記選択信号、前記第1の制御信号乃至前記第3の制御信号および前記表示信号ならびに検知信号を供給され、前記検知信号に基づく電位または前記表示信号に基づく電流を供給することができる入出力回路と、
前記検知信号を供給することができる検知素子と、
前記電流を供給される表示素子と、を備え、
前記入出力回路は、
ゲートが前記選択信号を供給することができる第1の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記表示信号を供給することができる信号線と電気的に接続される第1のトランジスタと、
ゲートが前記第1の制御信号を供給することができる第2の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記第1の配線と電気的に接続される第2のトランジスタと、
ゲートが前記第2の制御信号を供給することができる第3の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極と電気的に接続される第3のトランジスタと、
ゲートが前記第3の制御信号を供給することができる第4の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記第1のトランジスタの第2の電極と電気的に接続される第4のトランジスタと、
ゲートが前記選択信号を供給することができる第1の制御線と電気的に接続され、第1の電極が前記第4のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が第4の配線と電気的に接続される第5のトランジスタと、
ゲートが前記第4のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第1の電極が第2の配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極と電気的に接続される駆動トランジスタと、を備え、
前記変換回路は、
ゲートおよび第1の電極が高電源電位を供給することができる配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2の配線と電気的に接続されるトランジスタと、前記第2の配線と電気的に接続され且つ前記検知情報を供給することができる端子と、を備え、
前記検知素子は、第1の電極が前記第1のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、
前記表示素子は、第1の電極が前記第3のトランジスタの第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が第3の配線と電気的に接続される、入出力装置。 - 前記検知素子が、静電容量の変化に基づいて変化する電流を含む検知信号を供給する、請求項7または請求項8に記載の入出力装置。
- 前記表示素子が、第1の電極と、前記第1の電極に重なる第2の電極と、前記第1の電極ならびに前記第2の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える請求項7乃至請求項9のいずれか一に記載の入出力装置。
- 前記変換回路が、前記基材に支持される請求項7乃至請求項10のいずれか一に記載の入出力装置。
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