TW201533790A - 剝離方法及剝離裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供一種新穎的剝離方法以及一種新穎的剝離裝置。剝離方法包括：在基板上形成分離層的第一步驟；在分離層上形成要被分離的層的第二步驟；藉由將要被分離的層的一部分從分離層分離來形成剝離起點的第三步驟；以及利用剝離起點將要被分離的層從基板剝離的第四步驟。在第四步驟中，基板溫度為60℃以上且90℃以下。

Description

剝離方法及剝離裝置
本發明的一個實施方式係關於一種剝離方法。此外，本發明的另一個實施方式係關於一種剝離裝置。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個實施方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。具體地，作為本說明書所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、照明裝置、電子裝置、它們任一者的驅動方法或它們任一者的製造方法。
近年來，已開發出在具有撓性的基板(以下也稱為“撓性基板”)上設置有像是半導體元件、顯示元件或發光元件等的功能元件的撓性裝置。作為撓性裝置的典 型例子，除了照明裝置及影像顯示裝置之外，還可以舉出包括電晶體等半導體元件的各種半導體電路。
作為包括撓性基板的裝置的製造方法，已開發出在玻璃基板或石英基板等形成用基板上製造像是薄膜電晶體或有機電致發光(Electroluminescence，以下也稱為EL)元件等的功能元件，並接著將該功能元件轉置到撓性基板的技術。在該方法中，需要將包括功能元件之要被分離的層從形成用基板剝離的步驟。
在本說明書中，將利用物理力將要被分離的層從形成用基板剝離的步驟或利用物理力將形成用基板從要被分離的層剝離的步驟稱為基板剝離製程。此外，在本說明書中，將利用物理力將要被分離的層從形成用基板剝離的方法或利用物理力將形成用基板從要被分離的層剝離的方法稱為基板剝離方法。不同於用來剝離不需要的物體的步驟或方法，例如，用於利用光微影方法等來將抗蝕劑等剝離的步驟或方法，這些步驟或方法是用於以較少的損傷來將需要的構造剝離的步驟或方法。
例如，專利文獻1公開了以下的使用雷射燒蝕(laser ablation)的剝離技術：在基板上設置由非晶矽等所形成的分離層，在分離層上形成由薄膜元件所形成的要被剝離的層，並使用黏合層將要被剝離的層黏合到轉移體。分離層被雷射光照射所燒蝕，使得剝離在分離層中產生。
在專利文獻2和專利文獻3中提出了剝離及 轉移技術。專利文獻2公開了採用濕蝕刻移除作為剝離層的氧化矽膜的剝離技術。另外，專利文獻3公開了採用乾蝕刻移除被使用來作為剝離層的矽膜的剝離技術。
專利文獻4公開了採用像是人的手之物理力來進行剝離及轉移的技術。專利文獻4公開了在基板上形成金屬層(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir)並且在其上堆疊氧化物層的技術。在此技術中，當形成氧化物層時，在金屬層與氧化物層之間的介面形成金屬層的氧化金屬層，並且在後面步驟中利用此氧化金屬層來進行剝離。
[專利文獻1]日本專利申請公開第H 10-125931號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第H 8-288522號公報
[專利文獻3]日本專利申請公開第H 8-250745號公報
[專利文獻4]日本專利申請公開第2003-174153號公報
當在剝離介面的剝離性在將功能元件從形成用基板剝離時為低的時，功能元件承受高的應力，有時會損壞功能元件。為了防止功能元件的損壞，需要非常緩慢 地剝離基板，所以有時處理量降低。
鑒於上述問題，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種剝離性得到提高的剝離方法或剝離裝置等。本發明的一個實施方式的目的之一是在基板剝離製程中提高良率或處理量。本發明的一個實施方式的目的之一是提高半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備等裝置的製程中的良率或處理量。尤其是，本發明的一個實施方式的目的之一是提高輕量、薄型或具有撓性的半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明裝置的製程中的良率或處理量。
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的剝離方法或剝離裝置等。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種具有高的可靠性之半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明裝置等的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種具有高的形狀可撓性程度之半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明裝置等的製造方法。
注意，上述目的的記載並不妨礙其他目的的存在。此外，本發明的一個實施方式並不一定必須要實現所有上述目的。從說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中顯然存在其他的目的，且可以從說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中得出其他的目的。
本發明的一個實施方式是一種剝離方法，包括：在基板上形成分離層的第一步驟；在分離層上形成要 被分離的層的第二步驟；藉由將要被分離的層的一部分從分離層分離來形成剝離起點的第三步驟；以及利用剝離起點將要被分離的層從基板剝離的第四步驟。在第四步驟中，基板溫度為60℃以上且90℃以下。
在上述方法中，第四步驟可包括在加熱基板的至少一部分的同時將要被分離的層從基板剝離的步驟。
本發明的另一個實施方式是一種剝離方法，包括：在基板上形成分離層的第一步驟；在分離層上形成要被分離的層的第二步驟；藉由將要被分離的層的一部分從分離層分離來形成剝離起點的第三步驟；以及利用剝離起點將要被分離的層從基板剝離的第四步驟。在第四步驟中，在冷卻要被分離的層的至少一部分的同時，將要被分離的層從基板剝離。
在上述方法中，較佳為包括對要被分離的層與分離層之間供應液體的液體供應步驟。液體供應步驟在第三步驟與第四步驟之間或在第四步驟中進行。液體的溫度為，例如，高於液體的熔點且低於液體的沸點，較佳為高於0℃且低於100℃。
本發明的另一個實施方式是一種剝離方法，包括：在基板上形成分離層的第一步驟；在分離層上形成要被分離的層的第二步驟；藉由將要被分離的層的一部分從分離層分離來形成剝離起點的第三步驟；利用剝離起點將要被分離的層從基板剝離的第四步驟；以及在要被分離的層與分離層之間供應液體的液體供應步驟。液體供應步 驟在第三步驟與第四步驟之間或在第四步驟中進行，並且，液體溫度為60℃以上且90℃以下。
在上述方法中，第四步驟可包括加熱基板的第一部分的步驟；以及冷卻要被分離的層的第二部分的步驟。第一部分可以包括不從要被分離的層分離的部分。第二部分可包括從基板分離的部分。
在上述各方法中，可以包括消除因從基板剝離而露出的要被分離的層之表面的靜電的靜電消除步驟。靜電消除步驟可在第四步驟中或在第四步驟之後進行。
在上述各方法中，可以包括使因從基板剝離而露出的要被分離的層之表面乾燥的乾燥步驟。乾燥步驟可在第四步驟之後進行。
本發明的另一個實施方式是一種剝離方法，包括：在基板上形成分離層的第一步驟；在分離層上形成要被分離的層的第二步驟；藉由將要被分離的層的一部分從基板剝離來形成第一面及第二面的第三步驟；藉由物理力來將第一面及第二面的面積擴大以進行要被分離的層的剝離的第四步驟；對第一面或第二面的至少一部分供應液體的第五步驟；藉由利用物理力進行剝離來使在第五步驟中供應的液體轉移至第一面、第二面、及第一面與第二面的鍵合部分的每一個的至少一部分的第六步驟；以及利用與液體的化學鍵減少第一面與第二面的鍵合部分的至少一部分的鍵合的剝離能量的第七步驟。
在本說明書中，剝離能量是指藉由切斷原子 間的鍵合以進行剝離時所需要的能量。
本發明的另一個實施方式是一種剝離方法，包括：在基板上形成分離層的第一步驟；在分離層上形成要被分離的層的第二步驟；藉由將要被分離層的一部分從基板剝離來形成第一面及第二面的第三步驟；對第一面或第二面的至少一部分供應液體的第四步驟；以及藉由物理力來將第一面及第二面的面積擴大以進行要被分離的層的剝離，並且藉由利用物理力進行剝離來使在第四步驟中供應的液體轉移至第一面、第二面及第一面與第二面的鍵合部分的每一個的至少一部分的第五步驟。在第五步驟中，利用與液體的化學鍵減少第一面與第二面的鍵合部分的至少一部分的鍵合的剝離能量。
在上述各方法中，氫鍵合可以被使用來作為與液體的化學鍵。
在上述各方法中，第一步驟可以包括形成含鎢的層的步驟。另外，在上述各方法中，第一步驟可以包括形成包含選自鎢、鉬、鈦、鉭、矽及鋁中的至少一個材料的層的步驟。
在上述各方法中，液體可以包含水。水的溫度較佳為高於0℃且低於100℃。
在上述各方法中，可以包括使分離層氧化的氧化步驟。氧化步驟可在第一步驟與第二步驟之間進行。氧化步驟可以包括在含一氧化二氮(N2O)的氛圍下進行的電漿處理步驟。
在上述各方法中，較佳為使用輥來進行剝離。
在上述各方法中，第二步驟可以包括形成半導體層的步驟。此外，在上述各方法中，第二步驟可以包括形成氧化物半導體層的步驟。例如，可以包括形成In-M-Zn氧化物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)層的步驟。此外，可以包括形成具有c軸配向結晶的氧化物半導體層的步驟。
在上述各方法中，第二步驟可以包括形成功能元件(例如有機EL元件)的步驟。
本發明的另一個實施方式是一種剝離裝置，包括：結構體；載物台；液體供應機構；第一溫度調節機構；以及第二溫度調節機構。結構體能夠保持(holding)加工構件的第一構件，載物台能夠保持加工構件的第二構件，第一溫度調節機構能夠調節結構體的溫度，第二溫度調節機構能夠調節載物台的溫度，並且，液體供應機構能夠將液體供應到第一構件與第二構件之間的分離面。第一構件被捲起以將結構體與載物台之間的加工構件之第一構件及第二構件彼此分離。
在上述結構中，可以包括能夠使第一構件乾燥的乾燥機構。此外，在上述結構中，可以包括能夠消除第一構件的靜電的靜電消除機構。另外，在上述結構中，可以包括能夠檢測出結構體或載物台的溫度的溫度感測器。此外，在上述結構中，可以包括能夠檢測出剝離裝置 內的濕度的濕度感測器。
本發明的一個實施方式可以提供一種剝離性得到提高的剝離方法或剝離裝置等。本發明的一個實施方式可以在基板剝離製程中提高良率或處理量。
本發明的一個實施方式可以提高半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明裝置等裝置的製程中的良率或處理量。尤其是，本發明的一個實施方式可以提高輕量、薄型或具有撓性的半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明裝置的製程中的良率或處理量。
本發明的一個實施方式可以提供一種新穎的剝離方法或剝離裝置等。本發明的一個實施方式可以提供一種可靠性高的發光裝置等的製造方法。本發明的一個實施方式可以提供一種具有高的形狀可撓性程度之發光裝置等的製造方法。
本發明的一個實施方式可以藉由使用撓性樹脂薄膜來實現具有彎曲形狀或能夠折疊的半導體裝置或發光裝置。本發明的一個實施方式可以在製造裝置時或製造裝置之後去抑制能夠折疊的裝置內部之裂縫的發生，且可以實現可靠性高的半導體裝置或發光裝置。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個實施方式並不需要達成所有上面列出的效果。從說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中顯然存在其他的效果，且從從說明書、圖式以及申請專利範圍 等的記載中可得出其他的效果。
P1‧‧‧箭頭
P2‧‧‧箭頭
101‧‧‧結構體
101a‧‧‧旋轉體
101b‧‧‧構件
102‧‧‧剝離起點
103‧‧‧加工構件
103a‧‧‧第一構件
103b‧‧‧第二構件
105‧‧‧載物台
108‧‧‧箭頭
110‧‧‧靜電消除機構
111‧‧‧乾燥機構
155‧‧‧載物台
171‧‧‧支撐基板
172‧‧‧分離層
173‧‧‧膠帶
174‧‧‧包含要被分離的層的層
175‧‧‧支承輥
176‧‧‧導引輥
201‧‧‧結構體
202‧‧‧剝離起點
203‧‧‧加工構件
203a‧‧‧第一構件
203b‧‧‧第二構件
205‧‧‧載物台
207‧‧‧導槽
208‧‧‧箭頭
209‧‧‧旋轉軸
211‧‧‧構件
251‧‧‧結構體
252‧‧‧結構體
253‧‧‧加工構件
253a‧‧‧第一構件
253b‧‧‧第二構件
255‧‧‧載物台
256‧‧‧載物台
257‧‧‧支撐體
258‧‧‧傳送輥
259‧‧‧旋轉軸
261‧‧‧構件
262‧‧‧剝離起點
263‧‧‧溫度感測器
264‧‧‧溫度感測器
265‧‧‧第一溫度調節機構
266‧‧‧第二溫度調節機構
310‧‧‧可攜式資訊終端
312‧‧‧顯示面板
313‧‧‧鉸鏈
315‧‧‧外殼
320‧‧‧可攜式資訊終端
322‧‧‧顯示部
325‧‧‧非顯示部
330‧‧‧可攜式資訊終端
333‧‧‧顯示部
335‧‧‧外殼
336‧‧‧外殼
337‧‧‧資訊
339‧‧‧操作按鈕
340‧‧‧可攜式資訊終端
345‧‧‧可攜式資訊終端
351‧‧‧外殼
355‧‧‧資訊
356‧‧‧資訊
357‧‧‧資訊
358‧‧‧顯示部
701‧‧‧形成用基板
703‧‧‧分離層
705‧‧‧要被分離的層
707‧‧‧接合層
711‧‧‧框狀接合層
721‧‧‧形成用基板
723‧‧‧分離層
725‧‧‧要被分離的層
731‧‧‧基板
733‧‧‧接合層
741‧‧‧第一剝離起點
743‧‧‧第二剝離起點
1301‧‧‧元件層
1303‧‧‧基板
1304‧‧‧光提取部
1305‧‧‧黏合層
1306‧‧‧驅動電路部
1308‧‧‧FPC
1357‧‧‧導電層
1401‧‧‧基板
1402‧‧‧基板
1403‧‧‧黏合層
1405‧‧‧絕緣層
1407‧‧‧絕緣層
1408‧‧‧導電層
1409‧‧‧絕緣層
1409a‧‧‧絕緣層
1409b‧‧‧絕緣層
1411‧‧‧絕緣層
1412‧‧‧導電層
1413‧‧‧密封層
1415‧‧‧連接器
1430‧‧‧發光元件
1431‧‧‧下部電極
1433‧‧‧EL層
1433a‧‧‧EL層
1433b‧‧‧EL層
1435‧‧‧上部電極
1440‧‧‧電晶體
1455‧‧‧絕緣層
1457‧‧‧遮光層
1459‧‧‧著色層
1461‧‧‧絕緣層
1510a‧‧‧導電層
1510b‧‧‧導電層
7100‧‧‧可攜式資訊終端
7101‧‧‧外殼
7102‧‧‧顯示部
7103‧‧‧腕帶
7104‧‧‧帶扣
7105‧‧‧操作按鈕
7106‧‧‧輸入/輸出端子
7107‧‧‧圖示
7200‧‧‧照明裝置
7201‧‧‧底座
7202‧‧‧發光部
7203‧‧‧操作開關
7210‧‧‧照明裝置
7212‧‧‧發光部
7220‧‧‧照明裝置
7222‧‧‧發光部
7300‧‧‧顯示裝置
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧顯示部
7303‧‧‧操作按鈕
7304‧‧‧構件
7305‧‧‧控制部
7400‧‧‧行動電話
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
9999‧‧‧觸控面板
在圖式中：圖1A至圖1D是說明基板剝離方法的圖；圖2A至圖2D是說明基板剝離方法的圖；圖3A至圖3D是說明基板剝離方法的圖；圖4A及圖4B是說明用於計算的模型的圖；圖5顯示鍵能的計算結果；圖6顯示鍵能的計算結果；圖7顯示鍵能的計算結果；圖8是說明用於剝離測試的裝置之結構範例的圖；圖9顯示剝離時所使用的溶液的種類與剝離性之間的關係；圖10A至圖10C是說明用於計算的模型的圖；圖11A及圖11B顯示兩個W原子之間由O原子交聯的結構的計算結果；圖12A及圖12B顯示兩個W原子之間由O原子交聯的結構的計算結果；圖13顯示能量圖的計算結果；圖14顯示能量圖的計算結果；圖15A及圖15B是示出發光裝置的一個例子的圖；圖16A及圖16B各是示出發光裝置的一個例子的 圖；圖17A及圖17B各是示出發光裝置的一個例子的圖；圖18A至圖18D是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖19A至圖19C是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖20A至圖20C是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖21A至圖21D是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖22A至圖22C是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖23A至圖23C是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖24A至圖24C是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖25A至圖25E是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖26A1、圖26A2、圖26B1、圖26B2、圖26C1及圖26C2是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖27A1、圖27A2、圖27B1、圖27B2、圖27C1及圖27C2是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖28A至圖28G是示出電子裝置及照明裝置的例子的圖；以及圖29A至圖29I是示出電子裝置的例子的圖。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解的是，在不脫離本發明的精神及範圍的情況下，可以作成各種變化及修改。因此，本發明不應 該被解釋為僅限定在下面所示的實施方式所記載的內容中。
注意的是，在以下說明的本發明的結構中，在不同的圖式之間以相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，且省略這些部分的重複說明。另外，相同的陰影線被應用到具有相同功能的部分，且在某些情況下，這些部分不特別以元件符號來表示。
另外，為了便於理解，有時在圖式等中顯示出的各結構的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。
可以在形成用基板上形成要被分離的層之後，將要被分離的層從形成用基板剝離，並將其轉置到其他基板。藉由利用該方法，例如，可以將在耐熱性高的形成用基板上形成的要被分離的層轉置到耐熱性低的基板，且這樣要被分離的層的製造溫度就不會因耐熱性低的基板而受到限制。藉由將要被分離的層轉置到比形成用基板更輕、更薄或者撓性更高的基板等，能夠實現半導體裝置、發光裝置、顯示裝置等各種裝置的輕量化、薄型化、撓性化。
此外，也可以使包括各種裝置的電子裝置，諸如電視機、用於電腦等的顯示螢幕、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端以及音頻再生裝置等實現輕量化、薄型化或撓性 化。
當使裝置彎曲時，有因當使裝置彎曲時施加的力量產生裂縫的問題。樹脂基板或樹脂薄膜可能經過加熱的步驟(加熱處理、成膜處理等)、或使用水的步驟(洗滌處理等)而產生變質(伸縮、溶脹、固化等)。亦存有當樹脂基板或樹脂薄膜在暴露於真空時發生脫氣的問題。另外，樹脂基板或樹脂薄膜雖根據材料具有對雜質或水分的低阻擋性，所以需要在樹脂基板或樹脂薄膜的表面上設置阻擋層。然而，由於需要在樹脂基板或樹脂薄膜的耐熱溫度以下的溫度下形成阻擋層，所以難以得到具有優良的阻擋性的阻擋層。
藉由在樹脂薄膜上沉積膜來實施裝置的大量生產的情況下，例如，可承載樹脂薄膜的製造裝置、承載裝置等可能具有複雜的結構擔憂。此外，若購買新的能夠使用薄膜來作為基底材料的製造裝置，則會增加設備投資。因此，較佳的是，裝置被形成在玻璃基板上，且接著將玻璃基板分離並將裝置放置在樹脂薄膜上。
能夠應用本發明的一個實施方式的剝離方法來製造的裝置具有功能元件。作為功能元件的範例包括，像是電晶體的半導體元件、發光二極體、像是無機EL元件和有機EL元件的發光元件、以及像是液晶元件的顯示元件。例如，包括封裝的電晶體的半導體裝置、以及包括封裝的發光元件的發光裝置(在此，亦包括封裝有電晶體及發光元件的顯示裝置)是能夠藉由跟具本發明而被製造 出來的裝置的例子。
此外，可以使用本發明的一個實施方式的剝離方法來製造能夠應用於電子裝置等當中的能夠彎折的裝置。能夠彎折的裝置的例子包括，顯示裝置、發光裝置、輸入裝置等。輸入裝置的例子包括，觸控感測器、觸控面板等。發光裝置的例子包括，有機EL面板、照明裝置等。顯示裝置的例子包括，發光裝置、有機EL面板、液晶顯示裝置等。注意的是，像是觸控感測器的輸入裝置之功能可被設置在顯示裝置或發光裝置內。例如，顯示裝置或發光裝置的反基板(例如，沒有設置電晶體的基板)可設置有觸控感測器。或者，顯示裝置或發光裝置的元件基板(例如，設置有電晶體的基板)可設置有觸控感測器。或者，顯示裝置或發光裝置的反基板以及顯示裝置或發光裝置的元件基板可都設置有觸控感測器。
藉由利用本發明的一個實施方式的剝離方法可以製造出使用樹脂薄膜的大型顯示裝置，且不僅可以製造被動矩陣型液晶顯示裝置和被動矩陣型發光裝置，也可以製造主動矩陣型液晶顯示裝置和主動矩陣型發光裝置。
例如，為了保護因水分等而容易劣化的有機EL元件，可以在玻璃基板上以高溫形成防濕性高的保護膜並將其轉置到具有撓性的有機樹脂基板。即使當有機樹脂基板的耐熱性或防濕性為低的時，藉由在轉置到有機樹脂基板的保護膜上形成有機EL元件，也能夠製造可靠性高的撓性發光裝置。
作為其他例子，可以在玻璃基板上以高溫形成防濕性高的保護膜，且可在保護膜上形成有機EL元件。之後，從玻璃基板將保護膜及有機EL元件剝離，並將其轉置到具有撓性的有機樹脂基板。即使當有機樹脂基板的耐熱性或防濕性為低的時，藉由將保護膜及有機EL元件轉置到有機樹脂基板上，能夠製造可靠性高的撓性發光裝置。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖1A至圖1D、圖2A至圖2D以及圖3A至圖3D說明本發明的一個實施方式的剝離方法。
本發明的一個實施方式之剝離方法包括：在基板上形成分離層的第一步驟；在分離層上形成要被分離的層的第二步驟；藉由將要被分離的層的一部分從分離層剝離來形成剝離起點的第三步驟；以及利用剝離起點將要被分離的層從基板剝離的第四步驟。
在本發明的一個實施方式的剝離方法中，在第四步驟中，將基板溫度設定為高於室溫且120℃以下，較佳為高於25℃且120℃以下，更佳為30℃以上且100℃以下，且進一步更佳為60℃以上且90℃以下。當基板溫度高於室溫時，可以提高剝離性及剝離的良率。
在本發明的一個實施方式中，基板溫度不侷限於上述範圍，例如，也可以為高於0℃且低於室溫，較 佳為高於0℃且20℃以下。當基板溫度低於室溫時，可以抑制在剝離時在基板及要被分離的層中產生翹曲、彎曲、歪曲等變形。
在本發明的一個實施方式的剝離方法中，在第四步驟中，將要被分離的層的溫度設定為高於室溫且120℃以下，較佳為高於25℃且120℃以下，更佳為30℃以上且120℃以下，進一步更佳為60℃以上且90℃以下。當要被分離的層的溫度高於室溫時，可以提高剝離的良率。此外，當要被分離的層的溫度高於室溫時，有時可能使在要被分離的層中的翹曲、彎曲、歪曲恢復到原來的形狀。注意，在本發明的一個實施方式中，提高基板或要被分離的層的溫度的步驟與形成剝離起點或用來進行剝離的以光照射基板或要被分離的層的步驟不同。
在本發明的一個實施方式中，要被分離的層的溫度不侷限於上述範圍，例如，也可以為高於0℃且低於室溫，較佳為高於0℃且20℃以下。當要被分離的層的溫度低於室溫時，可以抑制在剝離時在基板及要被分離的層中產生翹曲、彎曲、歪曲等變形。
當基板或要被分離的層的溫度根據位置而不均勻時，基板或要被分離的層具有在上述溫度範圍之內的至少部分即可。此外，基板或要被分離的層也可以具有不在上述溫度範圍之內的部分(例如，具有0℃以下的溫度之部分或具有120℃以上的溫度之部分)。
在本發明的一個實施方式的剝離方法中，藉 由控制在基板剝離製程時的基板或要被分離的層的溫度，可以提高剝離的良率。
例如，也可以在對基板進行加熱之後進行基板剝離製程。或者，也可以在對基板進行加熱的同時進行基板剝離製程。或者，也可以在進行基板剝離製程之後對基板進行加熱。
例如，也可以在對要被分離的層進行加熱之後進行基板剝離製程。或者，也可以在對要被分離的層進行加熱的同時進行基板剝離製程。或者，也可以在進行基板剝離製程之後對要被分離的層進行加熱。
例如，也可以在對基板進行冷卻之後進行基板剝離製程。或者，也可以在對基板進行冷卻的同時進行基板剝離製程。或者，也可以在進行基板剝離製程之後對基板進行冷卻。
例如，也可以在對要被分離的層進行冷卻之後進行基板剝離製程。或者，也可以在對要被分離的層進行冷卻的同時進行基板剝離製程。或者，也可以在進行基板剝離製程之後對要被分離的層進行冷卻。
在本發明的一個實施方式中，當對基板或要被分離的層進行加熱時，對基板或要被分離的層的至少一部分進行加熱即可，也可以對基板整體或要被分離的層整體進行加熱。同樣地，當對基板或要被分離的層進行冷卻時，對基板或要被分離的層的至少一部分進行冷卻即可，也可以對基板整體或要被分離的層整體進行冷卻。
在本發明的一個實施方式中，藉由將在基板剝離製程中的基板溫度與要被分離的層的溫度設定為彼此不同的，可以容易進行剝離，且可以提高剝離的良率。例如，較佳的是使基板溫度與要被分離的層的溫度有10℃以上且120℃以下的差異，更佳的是有20℃以上且60℃以下的差異。注意的是，既可以使基板溫度更高也可以使要被分離的層的溫度更高。另外，也可以將基板溫度和要被分離的層的溫度中的任一者的溫度設定為室溫。當基板或要被分離的層的溫度因位置而不均勻時，對基板的特定部分的溫度與要被分離的層的特定部分的溫度進行比較即可。當難以測量基板或要被分離的層的溫度時，可將基板的支撐體(輥、載物台等等)的溫度與要被分離的層的支撐體(輥、載物台等等)的溫度之間的差異設定為在上述溫度差異範圍之內。
此外，在本發明的一個實施方式中，藉由將基板剝離製程前後的要被分離的層的溫度設定為相互不同的，容易進行剝離，且可以提高剝離的良率。例如，較佳的是使基板剝離製程前後的要被分離的層的溫度有10℃以上且120℃以下的差異，更佳的是有20℃以上且60℃以下的差異。注意的是，也可以使製程前和製程後的任一者的溫度更高。此外，也可以將製程前後的要被分離的層的溫度設定為室溫。當要被分離的層的溫度因位置而不均勻時，可對要被分離的層的特定部分的製程前的溫度與製程後的溫度進行比較。當難以測量要被分離的層的溫度 時，可將要被分離的層的支撐體(輥、載物台等等)在基板剝離製程前後的溫度設定為在上述溫度差異範圍之內。
此外，本發明的一個實施方式的剝離方法較佳為包括對要被分離的層與分離層之間供應液體的液體供應步驟。該液體供應步驟可在第三步驟與第四步驟之間或在第四步驟中進行。
也可以藉由供應液體來控制剝離介面的溫度。為了使剝離介面的溫度低於室溫，所供應的液體的溫度被設定為高於該液體的熔點且低於室溫。例如，可將液體的溫度設定為高於0℃且20℃以下。為了使剝離介面的溫度高於室溫，所供應的液體的溫度被設定為高於室溫且低於該液體的沸點。例如，較佳可將液體的溫度設定為高於25℃且120℃以下，更佳為30℃以上且120℃以下，進一步較佳為60℃以上且90℃以下。隨著液體的溫度被設定的越高，由於毛細現象之液體的滲透被促進，這樣就容易進行剝離，所以是較佳的。
此外，也可以藉由調整在基板剝離製程時的基板或要被分離的層的溫度來控制剝離介面的溫度。當基板和要被分離的層的溫度為高的時，可以抑制供應給剝離介面的液體的溫度的降低，在此情況下，由於毛細現象之液體的滲透不容易受到抑制，所以是較佳的。此外，當基板或要被分離的層的溫度為高的時，可以提高供應給剝離介面的液體的溫度，在此情況下，由於毛細現象的液體的滲透被促進，容易進行剝離，所以是較佳的。注意的是， 當藉由調節基板或要被分離的層的溫度來控制剝離介面的溫度時，所供應的液體的溫度可為室溫。
例如，藉由從被加熱的基板將要被分離的層剝離並冷卻，可以提高剝離的良率且可以抑制被分離的層的翹曲及彎曲。第四步驟可包括加熱基板的第一部分的步驟、以及冷卻要被分離的層的第二部分的步驟。該第一部分可包括未從要被分離的層分離的部分。該第二部分可包括與從基板分離的部分。
此外，本發明的一個實施方式的剝離方法可以包括消除因從基板被剝離而露出的要被分離的層的表面的靜電的靜電消除步驟。靜電消除步驟可在第四步驟中或在第四步驟之後進行。
此外，本發明的一個實施方式的剝離方法可以包括使因被從基板剝離而露出的要被分離的層的表面乾燥的乾燥步驟。乾燥步驟可在第四步驟之後進行。
此外，本發明的一個實施方式的剝離方法可以包括使分離層氧化的氧化步驟。氧化步驟可在第一步驟與第二步驟之間進行。氧化步驟可以包括在含有一氧化二氮(N2O)的氛圍下進行的電漿處理步驟。
此外，在本發明的一個實施方式的剝離方法中，較佳為使用輥進行剝離。藉由調整輥的溫度，可控制與輥接觸的基板或要被分離的層的溫度。
下面，說明本發明的一個實施方式的基板剝離方法。
首先，在形成用基板701上形成分離層703，且在分離層703上形成要被分離的層705(下文中稱為層705)(圖1A)。此外，在形成用基板721上形成分離層723，且在分離層723上形成要被分離的層725(下文中稱為層725)(圖1B)。在此，雖然示出形成為具有島狀的分離層的例子，但本發明的一個實施方式並不侷限於此例子。另外，也可以將要被分離的層形成為具有島狀。
在該步驟中，分離層的材料被選擇，使得當要被分離的層從形成用基板被剝離時，剝離發生在形成用基板與分離層之間的介面處、在分離層與要被分離的層之間的介面處、或是在分離層中。在本實施方式中，雖然例示出剝離在要被分離的層與分離層之間的介面發生的例子，但是本發明的一個實施方式係根據用於分離層或要被分離的層的材料而不限於此例子。
作為形成用基板，使用具有至少可承受製程中的處理溫度的耐熱性的基板。例如，可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、半導體基板、陶瓷基板、金屬基板、樹脂基板、或塑膠基板。
在使用玻璃基板作為形成用基板的情況下，較佳係形成像是氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等的絕緣層來作為在形成用基板與分離層之間的基底膜，在此情況下，可以防止來自玻璃基板的污染。
分離層可以使用選自鎢、鉬、鈦、釩、鉭、矽、鋁中的元素、包含任何該等元素的合金材料、或者包 含任何該等元素的化合物材料等等來形成。此外，分離層可以具有包含任何這些材料的膜和包含任何這些材料的氧化膜的疊層結構。分離層不侷限於無機膜，且可以使用含有聚醯亞胺、聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等等的有機膜。
作為分離層，例如，可以使用鎢膜。當使用鎢膜作為分離層時，較佳的是在鎢膜與要被分離的層之間形成氧化鎢膜(也稱為氧化物層)。藉由形成氧化鎢膜，可以用更小力量將要被分離的層分離。藉由利用像是在N2O等包含氧的氣體氛圍中的電漿處理、在包含氧的氣體氛圍中的加熱處理、或者在包含氧的氣體氛圍中的濺射成膜等等的氧化方法，可以在鎢膜上形成氧化鎢膜。然後，形成要被分離的層，使得氧化鎢膜可以被形成在鎢膜與要被分離的層之間。
當進行剝離和轉置製程之後，較佳的是，氧化鎢膜主要為WOx(x<3)的組成。在WOx為同系列的WnO(3n-1)、或WnO(3n-2)(n是自然數)的情況下，由於在當中存在有結晶光學上的剪切面(shear plane)，由於加熱而容易發生剪切。藉由N2O電漿處理來形成氧化鎢膜，使得可以用較小的力量將要被分離的層從基板剝離。
或者，可以直接形成氧化鎢膜，而不形成鎢膜。例如，藉由在足夠薄的鎢膜上進行在含氧的氣體氛圍中的電漿處理、或在含氧的氣體氛圍中的加熱處理；或者在含氧的氣體氛圍中的濺射成膜等，可以只形成氧化鎢膜 來作為分離層。
有時在基板剝離製程之後，在要被分離的層之一側殘留有氧化鎢膜等的氧化物層。此時，有時會產生寄生電容(parasitic capacitance)而給功能元件的特性帶來不良的影響。因此，在分離層與要被分離的層的分離步驟之後，可以進行移除存在於要被分離的層之一側的氧化鎢膜等的氧化物層的步驟。例如，當在要被分離的層與氧化鎢膜之間的介面、在鎢膜與氧化鎢膜之間的介面、或是在氧化鎢膜中進行分離時，有時在要被分離的層之一側會殘留有氧化鎢膜。當氧化鎢膜殘留時，可能會產生寄生電容。注意的是，在不需要移除氧化鎢膜等的氧化物層的情況下，可以省略移除氧化鎢膜等等的步驟。此時，可以更簡單地製造裝置。
分離層的厚度較佳為0.1nm以上且200nm以下。例如，可以使用具有厚度為0.1nm以上且200nm以下的鎢膜。
對於形成來作為要被分離的層的層沒有特別的限制。例如，作為層705，在分離層703上形成與分離層703接觸的絕緣層。並且，也可以在絕緣層上形成有機EL元件、電晶體等的功能元件。
分離層703上的絕緣層較佳為具有包括氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜等等的單層結構或疊層結構。
作為絕緣層，例如，設置藉由加熱而釋放氮 的第一層及具有抑制氮釋放到第一層的上層(外部)(亦即，阻擋氮的釋放)的功能的第二層。第一層較佳為包含氫、氮及矽的絕緣層。作為第一層，例如，可以使用氧氮化矽膜。第二層較佳為包含氮及矽。作為第二層，例如，可以使用氮化矽膜。可將藉由加熱處理從要被分離的層釋放的氮大量地供應給氧化物層(例如，氧化鎢膜)，由此可以形成含有較多氮的氧化物層。其結果是可以提高剝離性。
要被分離的層可以包括半導體層。半導體層也可以是氧化物半導體層。氧化物半導體層也可以使用一個或多個In-M-Zn氧化物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)層來形成，且可具有c軸配向結晶。或者，半導體層也可以是含矽的半導體層。
接著，使用接合層707及框狀接合層711將形成用基板701與形成用基板721貼合在一起，使得形成有要被分離的層的面相互相對，並接著使接合層707及框狀接合層711固化(圖1C)。在此，在層725上設置框狀接合層711和位於由框狀接合層711所包圍的區域內的接合層707，且接著將形成用基板701與形成用基板721貼合在一起。
作為接合層707及框狀接合層711，可以使用像是兩液混合型樹脂(two-component type resin)之在常溫下可固化的樹脂、光硬化性樹脂、熱固性樹脂等樹脂。例如，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛 樹脂等等。尤其較佳為使用像是環氧樹脂之具有低透濕性的材料。
另外，樹脂可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)等藉由化學吸附來吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當乾燥劑較佳地被包含在內時，能夠抑制因大氣中的水分侵入而導致的功能元件的劣化，且可提高裝置的可靠性。
注意的是，較佳的是在減壓氛圍下將形成用基板701與形成用基板721貼合在一起。
注意的是，在圖1C中，雖然示出分離層703與分離層723的大小不同的情況，但也可以使用如圖1D所示之大小相同的分離層。
接合層707被配置為與分離層703、層705、層725及分離層723重疊。接著，接合層707的邊緣較佳為位於分離層703或分離層723(最好是先從基板剝離的分離層)的至少邊緣之間的區域內。由此，能夠抑制形成用基板701與形成用基板721之間的強黏著力，從而能夠抑制後面的基板剝離製程的良率下降。
接著，藉由雷射照射，形成第一剝離起點741(圖2A及圖2B)。
作為剝離起點的形成方法，可使用將要被分離的層的一部分從分離層剝離的方法、將分離層的一部分從基板剝離的方法、或者在分離層中形成裂縫的方法等 等。
可以先將形成用基板701或是形成用基板721剝離。當分離層的大小不同時，可以先剝離形成有較大的分離層的基板，或是先剝離形成有較小的分離層的基板。當僅在一個基板上形成有半導體元件、發光元件、顯示元件等的元件時，可以先剝離在形成有元件的一側上的基板，或是先剝離另一個基板。在此，示出先將形成用基板701剝離的例子。
以雷射光(參照圖2A的箭頭P1)去照射固化狀態的接合層707、層705、以及分離層703互相重疊的區域。當框狀接合層711處於固化狀態時，也可以以雷射光去照射框狀接合層711、層705與分離層703互相重疊的區域。
藉由移除層705的一部分，可以形成第一剝離起點741(圖2B)。此時，不僅層705的一部分被移除，且分離層703或接合層707亦被部份地移除。當層705具有疊層結構時，至少移除與分離層接觸的層的一部分。
較佳的是，從設置有要剝離的分離層的基板之一側進行雷射光照射。當對分離層703與分離層723相互重疊的區域照射雷射光時，藉由在層705和層725中僅在層705形成裂縫，可以選擇性地剝離形成用基板701及分離層703(圖2C)。
當在以雷射光照射分離層703與分離層723 重疊的區域的情況下於在分離層703的一側之層705和在分離層723的一側之層725兩者中都形成剝離起點時，有可能難以選擇性地剝離一方的形成用基板。因此，為了僅在一方的要被分離的層中形成裂縫，有時限制雷射光的照射條件。
第一剝離起點741的形成方法不限於雷射光照射，且可以使用像是切割器之鋒利的刀具來形成第一剝離起點741。
接著，從第一剝離起點741將層705與形成用基板701彼此分離(圖2C、圖2D)。由此，可以將層705從形成用基板701轉置到形成用基板721。注意，形成在剝離起點的外側的接合層707至少殘留於形成用基板701和形成用基板721中的一者。雖然圖2C、圖2D示出殘留於形成用基板701和形成用基板721兩者的例子，但是本發明的一個實施方式並不侷限於此。
例如，可從剝離起點利用物理力(用手或夾具進行剝離處理、或者使輥的轉動進行剝離處理等)將要被分離的層與形成用基板分離。
使用接合層733將在圖2D所示的步驟中從形成用基板701分離的層705與基板731貼合在一起，並使接合層733固化(圖3A)。
接著，使用切割器等鋒利的刀具形成第二剝離起點743(圖3B、圖3C)。第二剝離起點的形成方法不限於切割器等鋒利的刀具，且也可以雷射光照射等來形 成第二剝離起點。
在可以使用刀具等切割沒有設置剝離層723一側的基板731的情況下，也可以在基板731、接合層733及層725中形成切口(參照圖3B的箭頭P2)。由此，可以去除層725的一部分來形成第二剝離起點743(圖3C)。
如圖3B及圖3C所示，在存有未與分離層723重疊之使用接合層733將形成用基板721及基板731貼合在一起的區域的情況下，依據層725與形成用基板721之間的黏著程度，可能導致後面的剝離製程的良率下降。因此，較佳的是在固化狀態的接合層733與分離層723彼此重疊的區域中形成框狀的切口來以形成實線狀的第二剝離起點743。由此，能夠提高剝離製程的良率。
接著，層725與形成用基板721從第二剝離起點743彼此分離(圖3D)，使得層725可從形成用基板721轉置到基板731。
例如，在鎢膜等無機膜被設置來作為分離層723且在分離層723上使用N2O電漿等形成被緊固的氧化鎢膜的情況下，能夠使成膜時的黏接性為相對地高的。然後，分裂從第二剝離起點743發生，而能夠容易地從形成用基板將要被分離的層725剝離，並轉置到基板。
可以藉由使水等液體浸透到分離層723與層725之間的介面來將形成用基板721與725彼此分離。分離層723與層725之間的部分經由毛細現象而吸收液體。 據此，可以抑制剝離時產生的靜電對層725所包括的FET等的功能元件所帶來的負面影響(例如，半導體元件由於靜電被損壞等)。
在鎢膜等無機膜被設置來作為分離層723且在分離層723上形成有氧化鎢膜的情況下，疊層結構中的層係藉由M-O-W鍵(M是任意元素)彼此連接。當在藉由對該疊層結構施加物理力將層剝離的同時切斷M-O-W鍵時，水分透過因剝離而露出的面與面之間的間隙而被吸收，由此M-O-W鍵在被切斷的同時與水起反應而成為M-OH HO-W鍵。因此，由於M原子與W原子之間的距離變遠，且層與層之間的距離也變遠，所以可以促進層的分離。注意的是，M-O-W鍵與水起反應而成為M-OH HO-W鍵不需要與鍵合的切斷同時。M-O-W鍵也可以在鍵合的切斷之前或之後成為M-OH HO-W鍵。
注意的是，液體可被以霧狀或以蒸汽來噴灑。液體的例子包括純水、有機溶劑、中性、鹼性或酸性的水溶液、或者是在其中溶化有鹽的水溶液等。
將在剝離時的液體及基板溫度較佳為高於0℃且120℃以下，更佳為室溫以上且120℃以下，進一步更佳為60℃以上且90℃以下。例如，在使用純水作為液體的情況下，純水的溫度較佳為高於0℃且低於100℃。
當將基板與要被分離的層分離時，可以使用圓筒輥等的輥。輥表面的一部分可以具有黏合性。例如，也可以在輥表面的一部分上放置黏合膠帶等。藉由使輥旋 轉，要被分離的層被捲起且與具有絕緣表面的基板分離。藉由調整輥的表面溫度，可以輕易地調整要被分離的層的溫度。與爪具或卡盤等的保持機構相比，輥可以大面積與要被分離的層接觸，因此，容易去調整要被分離的層的溫度，所以是較佳的。關於使用輥的剝離方法及剝離裝置的詳細內容可以參照實施方式4。
在上述本發明的一個實施方式的基板剝離方法中，以藉由鋒利的刀具等形成第二剝離起點743使得分離層與要被分離的層處於容易剝離的狀態這樣的方式來進行形成用基板的剝離。由此，可以提高基板剝離製程的良率。
另外，在預先將分別設置有要被分離的層的一對形成用基板彼此貼合且分別將形成用基板剝離之後，可以進行基板與要被製造的裝置的貼合。因此，當貼合要被分離的層時，可以將撓性低的形成用基板互相貼合在一起，由此，與將撓性基板互相貼合在一起時相比，可以提高貼合時的位置對準精度。
被包含在裝置中的樹脂基板和樹脂薄膜不經過電晶體等的功能元件的形成製程(包括洗滌步驟、沉積步驟、真空加熱步驟等)。因此，可以獲得被沒有受到損傷的樹脂薄膜夾持的裝置結構，由此可以實現可靠性高的裝置。
注意的是，例如，在將有機樹脂用於分離層的情況下，需要在350℃以下形成要被分離的層。當將低 溫多晶矽(low-temperature polysilicon)用於要被分離的層時，無法以足夠高的溫度來進行用於矽的晶化的脫氫烘烤、用於終結矽中的缺陷的氫化、摻雜區域的活性化等等，而使得裝置的性能被限制。另一方面，在將無機膜用於分離層的情況下，由於可以在高於350℃的溫度下進行形成要被分離的層的製程，所以可以得到裝置的優良特性。
在將有機樹脂用於分離層的情況下，有時由於晶化時的雷射照射會導致有機樹脂或功能元件受到損傷，因此，由於在將無機膜用於分離層的情況下不會發生這種問題，所以將無機膜用於分離層是較佳的。
此外，在將有機樹脂用於分離層的情況下，有時候會因用來分離樹脂的雷射照射而引起有機樹脂的收縮，且在FPC等的端子的接觸部分中發生接觸不良，這使得，例如，在製造高精細的顯示器的情況下，其難以用於以高良率使多個端子被分離並轉置的構造。在將無機膜用於剝離層的情況下，則沒有上述的限制，且即使是具有高精細顯示器的多個端子等的結構也能夠以高良率來進行剝離和轉置。
在本發明的一個實施方式的剝離方法中，例如，可以在形成用基板上以600℃以下的溫度來形成絕緣層或像是電晶體等的功能元件。在此情況下，可以將低溫多晶矽用於半導體層。藉由利用習知的低溫多晶矽的生產線，可大量生產出工作速度高、氣體阻隔性高、且可靠性 高的半導體裝置。例如，可以使用在300℃以上且600℃以下的溫度的製程中所形成的絕緣層及電晶體。此外，例如，可以在有機EL元件的上方及下方配置在300℃以上且600℃以下的溫度所形成的氣體阻隔性高的絕緣層。由此，例如，可以抑制像是水分等的雜質進入有機EL元件或半導體層中，而可以得到與將有機樹脂等用於分離層時相比可靠性特別高的發光裝置。
或者，可以在形成用基板上以500℃以下的溫度來形成絕緣層或像是電晶體等的功能元件。在此情況下，可以將氧化物半導體用於半導體層，且藉由利用習知的氧化物半導體的生產線或低溫多晶矽等的生產線可以進行大量生產。在此情況下，可以使用在500℃以下的溫度的製程中所形成的絕緣層及電晶體。此外，也可以在有機EL元件的上方和下方配置以500℃以下的溫度所形成的氣體阻隔性高的絕緣層。由此，例如，可以抑制像是水分等的雜質進入有機EL元件或半導體層中，而可以得到與將有機樹脂等用於分離層時相比可靠性非常高的發光裝置。
或者，可以在形成用基板上以400℃以下的溫度來形成絕緣層或像是電晶體等的功能元件。在此情況下，可以將非晶矽或氧化物半導體等用於半導體層，且藉由利用習知的非晶矽的生產線可以進行大量生產。在此情況下，可以使用在400℃以下的溫度的製程中所形成的絕緣層及電晶體。此外，也可以在有機EL元件的上方和下方配置以400℃以下的溫度所形成的氣體阻隔性高的絕緣 層。由此，例如，可以抑制像是水分等的雜質進入有機EL元件或半導體層中，而可以得到與將有機樹脂等用於分離層時相比可靠性高的發光裝置。
〈分離層的平面形狀〉
對本發明的一個實施方式所使用的分離層的平面形狀沒有特別的限制。在進行剝離製程時，較佳的是使分離要被分離的層與分離層的力量集中在剝離起點上，因此，與分離層的中央部分或邊緣部分相比，較佳的是在角落部分的附近去形成剝離起點。
在本發明的一個實施方式的剝離方法中，能夠進行剝離及轉置的區域的端部位於分離層的端部內側。如圖25C所示，要被分離的層705的端部較佳係位在分離層703的端部內側。當具有多個要被分離的層705時，既可以如圖25D所示對每個層705設置分離層703，也可以如圖25E所示在一個分離層703上設置多個層705。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中對關於本發明的一個實施方式的基板剝離方法的剝離機制進行說明。
[對剝離區域的考量]
作為本發明的一個實施方式的基板剝離方法，在夾在分離層與要被分離的層之間的氧化物層發生剝離。在這種情況下，檢視剝離機制時的重點在於調查分離層與氧化物層間的介面、氧化物層與要被分離的層間的介面、以及氧化物層內部的這三個區域中的哪個區域的鍵合最容易被切斷。下面，分別對上述三個區域的鍵能進行估算，來調查在哪個區域最容易產生剝離。
在本實施方式中，假定分離層為鎢(W)膜而要被分離的層為氧化矽(SiO2)膜。另外，假定氧化物層為包含六價W的氧化物WO3的氧化物。
圖4A示出在計算中使用的剝離區域。在圖4A所示的結構中，在W與SiO2之間存在有WO3。
在圖4A中，可以認為因剝離而鍵合可能被切斷的三個區域為：(1)SiO2/WO3介面；(2)WO3內；以及(3)WO3/W介面。如同下面所說明的，各區域的鍵能被計算出來。
採用群集模型(cluster model)來作為計算模型。圖4B示出群集模型的一個例子。圖4B示出用於計算SiO2和WO3間的鍵能的群集模型。在圖4B所示的群集模型中，與Si及W鍵合的氧原子以氫(H)原子終止。在該群集模型中，計算出交聯於Si及W之間的氧(O)原子介於其間的Si原子側(A)以及W原子側(B)這兩個區域的鍵能。
為了算出鍵能，利用密度泛函理論(density functional theory)來進行結構最佳化計算和振動分析(vibration analysis)。使用B3LYP作為泛函。電荷為0，且作為自旋多重性(spin multiplicity)考慮了單重激發態、二重激發態和五重激發態。另外，LanL2DZ被採用來作為所有原子的基底函數。注意的是，作為量子化學計算程式使用Gaussian09。計算使用高性能電腦(SGI Japan,Ltd製造的Altix4700)來進行。對算出的鍵能加入了零點校正。
注意的是，在群集模型中，除了交聯的O原子以外的原子具有較高的移動自由度且被放在適當的位置以穩定能量。然而，實際上這些原子由於鄰接的其他原子而不能自由地移動。因此，需要注意的是，由於群集模型與實際系統之不同的移動自由度，群集模型與實際系統之間在能量值上可能略有不同。
在圖5中示出具有六價W原子的WO3中的W原子與O原子間的鍵能的計算結果。以下在沒有特殊說明的情況下，採用O原子所具有的懸鍵以H原子終止的群集模型。
由圖5可知，六價W原子的W-O鍵的鍵能為2.98eV。
在圖6中示出圖4A所示的各區域的鍵能的計算結果。
從圖6可知，在(1)SiO2/WO3介面的W-O鍵(B)的鍵能為3.73eV，其係低於Si-O鍵(A)的鍵 能。由此，由於與Si-O鍵相比W-O鍵更容易切斷，所以在W-O鍵側更容易產生剝離。當存在有WO3時，有容易產生剝離的傾向。
在上述計算中示出WO3的例子，但氧化鎢的組成不侷限於此例子。在非專利文獻A(Crystals and Crystal Structures,Richard J.D.Tilley)中公開了即使O從WO3被少量還原而成為WO2.9998也在{120}面上產生缺陷，且在組成接近WO2.97時有缺陷排列的傾向。氧化鎢具有以WnO3n-1(n是自然數)(WO2、W2O5、W3O8、W4O11、…W18O53、…、W30O89、…)表示的同系列的剪切面。當進一步地還原時，氧化鎢在{130}面上產生缺陷，且氧化鎢具有以WnO3n-2(W15O46、W16O46、…、W25O73、…)表示的同系列的剪切面。因此，氧化鎢膜較佳為具有以WnO3n-1或WnO3n-2等表示的組成。
[N原子的效果]
上述說明示出在SiO2/WO3間存在的W-O鍵在剝離時由於WO3而容易切斷。鑒於該結果，對將交聯於兩個W原子之間的O原子置換為N原子時的鍵能進行了分析。
這裡，計算了導入NH基以置換交聯於兩個W原子之間的O原子時的W-N鍵的鍵能。
在圖7的上半部中示出將具有六價W原子的WO3的一個O原子置換為NH基時的群集模型。WO3的W-O鍵(B)及W-N鍵(A)的鍵能被計算出來。
由圖7可知，W-O鍵(2.89eV)的鍵能係低於W-N鍵(2.54eV)的鍵能。此外，W-O鍵的鍵能係低於與圖5所示的沒有導入N原子的模型的W-O鍵(2.98eV)。由此可知，藉由導入N原子，不僅W-N鍵容易被切斷，且W-O鍵也變得容易被切斷。
接著，在圖7的下半部中示出模型(2)'的W-N鍵的鍵能的計算結果，在模型(2)'中，在圖4A所示的剝離部分中假設在WO3內的群集模型(2)中將交聯於兩個W原子之間的O原子置換為NH基。
如圖7的模型(2)'所示，在兩個W原子由NH基交聯的情況的鍵能(2.97eV)比圖6的模型(2)所示的W-O鍵的情況的鍵能(3.77eV)小。
由上述結果可知，當將交聯於兩個W原子之間的O原子置換為N原子時，這些鍵變得較容易被切斷。這意味著藉由對氧化物層供應氮，更容易發生剝離。
因此，為了提高剝離性的重點在於：對氧化物層供應較大量的氮原子。
在本發明的一個實施方式的基板剝離方法中，藉由加熱釋放氮的第一層及在第一層上的具有抑制氮釋放到外部的功能(亦即，阻擋氮的釋放)的第二層被提供來作為設置在氧化物層上的要被分離的層。並且，藉由加熱處理從要被分離的層釋放的大量的氮被供應給氧化物層，使得氧化物層可含有大量的氮。因此，可以提高剝離性。
[對引入水時的剝離性提高的考量]
如實施方式1中所述，含有水的液體在進行基板的剝離時被添加到剝離介面，且液體滲透到剝離介面當中，使得剝離性提高。下面，對剝離現象中的水的作用進行說明。
〈液體的種類與剝離性間的關係〉
進行調查以確認剝離所需的力是否根據在剝離時引入的液體的種類而變化，並說明調查的結果。
使用圖8所示的治具對剝離時所要的力量進行測量。圖8所示的治具具有多個導引輥176和多個支承輥175。膠帶173被貼合到包含形成於支撐基板171上的要被分離的層的層174上，且膠帶173的端部係事先被從基板部分地剝離。然後，將支撐基板171固定到治具，使得膠帶173由支承輥175保持，並使膠帶173及包含要被分離的層的層174定位成垂直於支撐基板171。剝離時所要的力量可藉由以下的方式被測量：當沿著垂直於支撐基板171的方向拽拉膠帶173而使包含要被分離的層的層174從支撐基板171剝離時，測量到向垂直方向拽拉所要的力量。在進行剝離時，在分離層172露出的狀態下，支撐基板171沿著導引輥176在平面方向上移動。為了使包括要被分離的層的層174及支撐基板171在移動中不受到摩擦的影響，支承輥175及導引輥176為能夠旋轉的。
藉由如下方法製造所使用的樣本。首先，利用電漿CVD法在玻璃基板上形成大約100nm厚的氧氮化矽膜，然後利用濺射法形成作為分離層之大約50nm厚的W膜。接著，形成大約600nm厚的氧氮化矽膜作為第一層，且形成大約50nm厚的氮氧化矽膜作為第二層，並在氧氮化矽膜上形成大約100nm厚的氧氮化矽膜及大約66nm厚的矽膜。然後，以650℃進行6分鐘的熱處理。接著，對矽膜照射雷射光以形成多晶矽，然後形成閘極絕緣膜、閘極電極、層間絕緣層、源極電極及汲極電極、層間絕緣層、電極等，由此製造出電晶體。這裡，在以650℃進行6分鐘的熱處理之後的製程中，不進行超過上述溫度的步驟。
如上所述，製造出在玻璃基板上具有分離層及要被分離的層的樣本。
然後，將支撐基板切成20mm×126.6mm，並將UV薄膜(由日本電氣化學工業公司製造的UHP-0810MC)作為膠帶173利用膠帶貼片機(mounter)貼合到被切斷的支撐基板上。之後，從基板將UV薄膜的端部剝離大約20mm，並將該樣本固定到治具。
在剝離試驗中，使用島津製作所製造的小型臺式試驗機(EZ-TEST EZ-S-50N)。在剝離試驗中，使用依照日本工業規格(JIS)的規格號碼JIS Z0237的黏合膠帶/黏合薄片試驗方法。注意，在樣本被固定到治具之後，在已從基板進行剝離的部分與尚未進行剝離的部分之 間的邊界部分滴下液體。
圖9顯示藉由改變剝離時所供應的液體種類而進行剝離時所要的力量的測量結果。
用來進行測量的液體大致分為水/水溶液、質子極性溶劑、非質子極性溶劑及無極性溶劑這四種。作為水/水溶液，使用了純水、CO2水溶液、HCl水溶液、以及NaHCO3水溶液。作為質子極性溶劑，使用了甲酸、乙醇、甲醇、2-丙醇、乙二醇、以及苯胺。作為非質子極性溶劑，使用了丙酮、乙腈、DMSO、DMF、乙酸乙酯、N-甲基吡咯烷酮、氯仿、以及離子液體N-Methyl-N-n-pentylpyrrolidinium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide。作為無極性溶劑，使用了甲苯、己烷、FluorinertTM、以及苯。另外，作為比較，還測量了不引入液體時剝離時所要的力量。
根據圖9所示的結果，當使用如水或水溶液等含有水的液體時，剝離時所要的力量減少，亦即，與不使用液體的情況相比，剝離性提高。另一方面，在水以外的液體中，剝離時所要的力量按質子極性溶劑、非質子極性溶劑、無極性溶劑的順序遞增。尤其是，當採用無極性溶劑時，反而對剝離性有反效果。
上述結果指出，當藉由對剝離面引入液體使剝離性得到提高時，與氫離子的存在有關。尤其是當選擇水或水溶液類的液體時，氫離子的存在可能更有效地作用。
〈關於水分子的效果〉
下面說明藉由檢驗引入水分子時的剝離過程而對水分子給剝離性帶來的影響進行分析的結果。
如上所述，與導入N原子的情況相比，在不導入N原子的情況下，W-O鍵的鍵能可能高於W-N鍵的鍵能，且更不容易產生剝離。因此，在本計算中，著重於對高於W-N鍵的鍵能之WO3內的W-O鍵能進行了計算。
圖10A示出用於計算的模型。在WO3的結晶結構的(001)面產生剝離。這裡，考察以受到關注的交聯於兩個W原子之間的O原子為界從圖10A的左側開始剝離時的情況。在圖10A的O原子之左側，具有分離的上和下層，而在圖10A的含有O原子之右側，上和下層鍵合在一起。在圖10A的左上側和左下側，存在有藉由剝離而露出的面。此時，由虛線圍繞的水分子位於受到關注的O原子附近。
在圖10B中示出當在靠近交聯於兩個W原子之間的O原子的位置上不存在水時，以物理力將上層與下層剝離的過程。在圖10C中示出當在靠近交聯於兩個W原子之間的O原子的位置上存在水時，以物理力將上層與下層剝離的過程。
如圖10B所示，當不存在水分子時，O原子交聯於兩個W原子間的W-O鍵在剝離時裂開。裂開後的W原子及O原子形成懸鍵，但不存在使該懸鍵終止的原 子。
相反地，如圖10C所示，當存在水分子時，水分子可能在剝離前與交聯於兩個W原子之間的O原子形成氫鍵合。藉由形成氫鍵合，與沒有形成氫鍵合的情況相比，交聯於兩個W原子之間的O原子更容易帶更多的負電荷，且參與氫鍵合的一個H原子與另一個H原子相比更容易帶正電荷。因此，由於O原子和H原子間的靜電性相互作用產生緩和效果，而可有能使W-O鍵變弱。另外，雖然在剝離時W-O鍵裂開且W原子及O原子形成懸鍵，但是懸鍵可能藉由來自水分子的H基及OH基而被終止。由於該終止，產生由兩個OH基產生的立體效果，而有可能使下一個裂開的W-O鍵變弱。
如上所述，作為水分子給剝離帶來的影響，可以舉出剝離前的因靜電性相互作用而產生的緩和效果及剝離後的OH基的立體效果等。在下面的說明中，藉由計算來驗證利用上述效果可以使剝離容易發生的假設。
作為計算方法採用“Quantum Mechanics(量子力學計算)”/“Molecular Mechanics(分子力學計算)”(QM/MM)法之一的ONIOM法。在圖10A所示的計算模型中，對以圓形表示的QM區域採用密度泛函理論，泛函使用了B3LYP。基底函數使用了LanL2DZ。對以棒形表示的MM區域，“Universal Force Field”被使用來作為力場。假設電荷為0，並假設自旋多重度為單重激發態。
首先，對存在水分子和不存在水分子時的電 荷分佈以及結構的變化進行分析。圖11A示出不存在水分子時的O原子交聯於兩個W原子之間的結構，圖11B示出存在水分子時的O原子交聯於兩個W原子之間的結構。表1示出圖11A和圖11B中標記了符號的原子的電荷分佈(Mulliken電荷：馬利肯電荷)。
由表1可知，在剝離前的O原子交聯於兩個W原子之間的結構中，由於水分子的存在而使交聯於兩個W原子之間的由2表示之O原子(以下記作2O)的電荷分佈向負變化。這表示的是，在交聯於兩個W原子之間的O原子與水分子之間形成有氫鍵合，且電子被吸附到2O原子。並且，關於在交聯結構中的以1表示的W原子(以下記作1W)和2O之間的鍵長，如圖11A和圖11B所示，當存在水分子時的鍵長係較當不存在水分子時的鍵長來得長。
根據上述內容可以推測，伴隨交聯於兩個W 原子之間的2O原子與水分子的4H原子的氫鍵合間的電子密度的上升，1W-2O鍵間的電子密度下降，使得1W-2O鍵容易被斷開。由該結果可知，因水分子的靜電性相互作用產生結構緩和而容易產生剝離。
在本實施方式中，對於藉由水分子與交聯於兩個W原子之間的O原子形成氫鍵合而容易產生剝離的例子來進行計算，然而，也可以藉由與水分子以外的其他分子形成氫鍵合來降低剝離能。此外，也可以藉由水分子除了氫鍵合以外的相互作用來降低剝離能。另外，除了氫鍵合之外，也可以使用化學鍵合來降低剝離能。
接著，對OH基的立體效果進行了檢驗。假設懸鍵被來自水分子的H基及OH基終止，如圖12A所示，與兩個W原子由O原子交聯時(左圖)的情況相比，當以兩個OH基終止兩個W原子的懸鍵時(右圖)，由於兩個OH基間的立體排斥(立體效果)，上層與下層之間的距離被估計為長的。
圖12B示出所分析的結構與能量變化。在圖12B中，由橢圓圍繞的區域是由兩個OH基產生出立體效果的區域。在圖12B的下方分別示出在與產生出立體效果的區域鄰接的區域中以及在距該區域足夠遠的區域中的兩個W原子由O原子交聯結構的放大圖。
藉由比較上述兩個區域中的交聯結構可知，兩個OH基的立體效果使W-W鍵長增加了約0.031nm且使W-O鍵長增加了約0.011nm。這表示W-O間鍵合變弱 且容易被斷開。另外，在於鄰接具有立體效果的區域的區域中的交聯結構中，由於立體效果而使上層和下層在相反的方向上延伸，使得能量被活性化約0.95eV；因此，W-O鍵容易被裂開。
由上述結果可知，因由OH基終止懸鍵而產生的OH基帶來的立體效果，更容易產生剝離。
接著，對懸鍵不被OH基終止的情況的能量圖及懸鍵被OH基終止的情況的能量圖進行了檢驗。這裡，對不存在水分子時的利用物理力的氧化鎢的剝離的過程進行了考察。圖13示出所分析的反應途徑和能量圖。
作為反應途徑，對圖13所示的從狀態1到狀態2的反應過程進行了考察。狀態1表示O原子交聯於兩個W原子之間的狀態。狀態2表示W-O鍵已裂開，且一個W原子及一個O原子分別有一個懸鍵的狀態。
接著，對懸鍵被OH基終止的假設進行檢驗。這裡，對在存在水分子時的利用物理力的氧化鎢的剝離的過程中如何產生水分子的加水分解進行考察。圖14示出所分析的反應途徑和能量圖。
作為反應途徑，對圖14所示的從狀態1經過狀態2到狀態3的反應過程進行了考察。狀態1表示交聯於兩個W原子之間的O原子與水分子的相互作用較弱的狀態。狀態2表示水分子中的O原子與W原子形成鍵合且源自水分子的H原子移動到靠近交聯於兩個W原子之間的O原子的過渡狀態。狀態3表示W-O鍵已裂開且兩 個懸鍵被兩個OH基終止的狀態。
在顯示於圖14的下方中的能量圖中，狀態1被使用來作為基準。在剝離與藉由兩個OH基的終止同時發生的過渡狀態之狀態2中，活化能為2.28eV。此活化能比圖13所示的不存在水分子時的活化能(3.61eV)還低，由此可知當存在水分子時更容易產生剝離。
在過渡後的狀態3中，與狀態1的相對能量為2.06eV，這表示與狀態1相比狀態3處於不穩定的狀態。這可能是由於兩個OH基的立體效果產生的影響。
由上述結果可知，當剝離與藉由兩個OH基的懸鍵的終止同時進行時，在能量方面為有利的。可能是因為上述的水分子的作用，剝離過程中的剝離性被提高。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，說明可以利用本發明的一個實施方式的剝離裝置或本發明的一個實施方式的剝離方法製造的具有撓性的發光裝置的例子。
〈具體例子1〉
圖15A示出撓性發光裝置的平面圖，且圖15B示出沿著圖15A中的點劃線G1-G2所取之的剖面圖的一個例子。作為修改例子，圖16A和圖16B分別示出撓性發光 裝置的剖面圖。
圖15B、圖16A或圖16B所示的發光裝置包括元件層1301、黏合層1305以及基板1303。元件層1301包括基板1401、黏合層1403、絕緣層1405、多個電晶體、導電層1357、絕緣層1407、絕緣層1409、多個發光元件、絕緣層1411、密封層1413以及絕緣層1455。
在圖15B中，著色層1459被設置為與各發光元件重疊。著色層1459被設置以與發光元件1430重疊，且遮光層1457被設置以與絕緣層1411重疊。著色層1459以及遮光層1457由絕緣層1461覆蓋。在發光元件1430與絕緣層1461之間填充有密封層1413。
在圖16A中，著色層1459被設置為與發光元件的一部分重疊。在圖16B中，沒有設置著色層1459。如圖16A及16B所示，可能設置有不與著色層1459重疊的發光元件1430。例如，在一個像素包括紅色、藍色、綠色以及白色的四個子像素時，不需要在白色的子像素中設置著色層1459。由此，可減少由著色層吸收的光的量，且因此，能夠降低發光裝置的功耗。如圖16B所示，藉由將不同的材料用於EL層1433a和EL層1433b，可製造出在像素中呈現不同的顏色的發光元件。
導電層1357藉由連接器1415與FPC1308電連接。如圖15B所示，在基板1401與基板1303之間設置有導電層1357的情況下，連接器1415可被設置在形成於基板1303、黏合層1305等的開口中。如圖16A和圖161B 所示，在基板1303與導電層1357不相互重疊的情況下，連接器1415可被設置在形成於基板1401上的絕緣層1407及絕緣層1409的開口中。
發光元件1430包括下部電極1431、EL層1433以及上部電極1435。下部電極1431與電晶體1440的源極電極或汲極電極電連接。下部電極1431的端部由絕緣層1411覆蓋。發光元件1430具有頂部發射結構。上部電極1435具有透光性且使EL層1433發射的光透過。
發光裝置在光提取部1304及驅動電路部1306中包括多個電晶體。電晶體1440設置於絕緣層1405上。使用黏合層1403將絕緣層1405與基板1401貼合在一起。使用黏合層1305將絕緣層1455與基板1303貼合在一起。當作為絕緣層1405及絕緣層1455使用氣體阻隔性高的絕緣膜時，由於能夠抑制水分或氧等雜質進入發光元件1430或電晶體1440中，發光裝置的可靠性得到提高，所以是較佳的。
具體例子1中的發光裝置可以藉由以下的方式來製造：在耐熱性高的形成用基板上形成絕緣層1405、電晶體1440及發光元件1430；使形成用基板分離；以及將絕緣層1405、電晶體1440及發光元件1430轉置到基板1401並藉由黏合層1403將其黏合到基板1401。具體例子1中的發光裝置可以藉由以下的方式來製造：在耐熱性高的形成用基板上形成絕緣層1455、著色層1459以及遮光層1457；使形成用基板分離；以及將絕 緣層1455、著色層1459以及遮光層1457轉置到基板1303並藉由黏合層1305將其黏合到基板1303。
當作為基板使用透濕性高且耐熱性低的材料(例如，樹脂)時，在製程中不能將基板暴露在高溫下。因此，對在基板上形成電晶體及絕緣膜的條件有限制。在利用本發明的一個實施方式的裝置的製造方法中，電晶體等可被形成在耐熱性高的形成用基板上；因此，可以形成可靠性高的電晶體以及氣體阻隔性高的絕緣膜。接著，電晶體及絕緣膜被轉置到基板1303或基板1401，從而可以製造出可靠性高的發光裝置。由此，在本發明的一個實施方式中，能夠實現具有高的可靠性之輕量及/或薄型的發光裝置。詳細的製造方法將在後面進行說明。
基板1303和基板1401分別較佳為使用韌性高的材料來形成。在此情況下，能夠實現抗衝擊性高且不易損壞的顯示裝置。例如，當基板1303為有機樹脂基板且基板1401為使用薄的金屬材料或薄的合金材料之基板時，與使用使用玻璃基板的情況相比，能夠實現輕量且不易損壞的發光裝置。
由於金屬材料及合金材料能夠輕易地將熱傳導到整個基板並因此抑制發光裝置的局部的溫度上升，具有高的熱傳導率的金屬材料及合金材料為較佳的。使用金屬材料或合金材料的基板的厚度較佳為10μm以上且200μm以下，更佳為20μm以上且50μm以下。
另外，當使用熱發射率高的材料作為基板 1401時，能夠抑制發光裝置的表面溫度上升，從而能夠抑制發光裝置的損壞及可靠性的下降。例如，基板1401也可以採用金屬基板與熱發射率高的層(例如，可以使用金屬氧化物或陶瓷材料)的疊層結構。
注意，此實施方式的發光裝置可設置有觸控感測器或觸控面板。例如，圖16A示出設置有觸控面板9999的情況。另外，觸控感測器可以直接地形成在基板1303上，或者，形成在其他基板上的觸控面板9999可以配置於基板1303上。
〈具體例子2〉
圖17A示出發光裝置中的光提取部1304的另一個例子。
圖17A所示的光提取部1304包括基板1303、黏合層1305、基板1402、絕緣層1405、多個電晶體、絕緣層1407、導電層1408、絕緣層1409a、絕緣層1409b、多個發光元件、絕緣層1411、密封層1413以及著色層1459。
發光元件1430包括下部電極1431、EL層1433以及上部電極1435。下部電極1431透過導電層1408與電晶體1440的源極電極或汲極電極電連接。下部電極1431的端部由絕緣層1411覆蓋。發光元件1430具有底部發射結構。下部電極1431具有透光性且使EL層1433發射的光透過。
著色層1459被設置成與發光元件1430重疊，且從發光元件1430所發射的光經由著色層1459在基板1303側被提取。在發光元件1430與基板1402之間填充有密封層1413。基板1402可以使用與上述基板1401相同的材料來製造。
〈具體例子3〉
圖17B示出發光裝置的另一個例子。
圖17B所示的發光裝置包括元件層1301、黏合層1305以及基板1303。元件層1301包括基板1402、絕緣層1405、導電層1510a、導電層1510b、多個發光元件、絕緣層1411、導電層1412以及密封層1413。
導電層1510a及導電層1510b是發光裝置的外部連接電極，並且可以分別與FPC等電連接。
發光元件1430包括下部電極1431、EL層1433以及上部電極1435。下部電極1431的端部由絕緣層1411覆蓋。發光元件1430具有底部發射結構。下部電極1431具有透光性且使EL層1433發射的光透過。導電層1412與下部電極1431電連接。
基板1303作為光提取結構可以具有半球透鏡、微透鏡陣列、具有凹凸表面結構的薄膜、光擴散薄膜等。例如，藉由使用具有與基板、透鏡或薄膜實質相同的折射率的黏合劑等來將上述的透鏡或薄膜黏合於樹脂基板上，可以形成光提取結構。
雖然導電層1412不一定必須設置，但因為導電層1412可以抑制起因於下部電極1431的電阻的電壓下降，所以較佳為設置導電層1412。另外，出於同樣的目的，也可以在絕緣層1411上設置與上部電極1435電連接的導電層。
導電層1412可為使用選自銅、鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧、鎳和鋁中的材料或以這些材料為主要成分的合金材料所形成的單層或疊層。導電層1412的厚度可為0.1μm以上且3μm以下，較佳為0.1μm以上且0.5μm以下。
當作為與上部電極1435電連接的導電層(也可以稱為輔助佈線、輔助電極)的材料使用膏料(銀膏等)時，形成導電層的金屬粒子凝集；因此，導電層的表面為粗糙的且具有較多的間隙。因此，EL層1433難以完全地覆蓋導電層，從而上部電極與輔助佈線容易彼此電連接，所以是較佳的。
〈材料的例子〉
接下來，說明可用於發光裝置的材料等。注意，省略本實施方式中的前面已說明的部件。
元件層1301具有至少一發光元件。作為發光元件，可以使用能夠進行自發光的元件，並且在其範疇內包括由電流或電壓控制其亮度的元件。例如，可以使用發光二極體(LED)、有機EL元件、無機EL元件等。
元件層1301也可以還具有用來驅動發光元件的電晶體、觸控感測器等。
對發光裝置中的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用交錯型電晶體或反交錯型電晶體。還可以採用頂閘極型的電晶體或底閘極型的電晶體。對用於電晶體的半導體材料沒有特別的限制，例如也可以使用矽、鍺、氧化物半導體等。另外，電晶體不侷限於具有單閘極結構的電晶體，還可以使用具有多個通道形成區域的多閘極型電晶體，例如雙閘極型(double gate)電晶體。
對用於電晶體的半導體材料的狀態也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或具有結晶性的半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。尤其在使用具有結晶性的半導體時，可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。
在此，電晶體較佳為使用多晶半導體。例如，較佳為使用多晶矽等。與單晶矽相比，多晶矽可以在低溫形成，並且與非晶矽相比，多晶矽具有高場效移動率以及高可靠性。當這種多晶半導體被用於像素時，能夠提高像素的開口率。即便在具有解析度極高的像素的情況下，也能夠將閘極驅動電路以及源極驅動電路形成在與像素同一基板上，從而能夠減少構成電子裝置的部件數量。
或者，電晶體較佳為使用氧化物半導體。例如，較佳為使用相較於矽具有較寬的能帶間隙的氧化物半導體。由於可以降低電晶體的關閉狀態的電流，較佳係使 用相較於矽具有較寬的能帶間隙以及較低的載子密度的半導體材料。
例如，氧化物半導體較佳是至少包含銦(In)或鋅(Zn)。更佳的是，氧化物半導體包含以In-M-Zn為基礎的氧化物(M是Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金屬)表示的氧化物。
例如，作為氧化物半導體可以使用氧化銦、氧化錫、氧化鋅、In-Zn為基礎的氧化物、Sn-Zn為基礎的氧化物、Al-Zn為基礎的氧化物、Zn-Mg為基礎的氧化物、Sn-Mg為基礎的氧化物、In-Mg為基礎的氧化物、In-Ga為基礎的氧化物、In-Ga-Zn為基礎的氧化物(也稱為IGZO)、In-Al-Zn為基礎的氧化物、In-Sn-Zn為基礎的氧化物、Sn-Ga-Zn為基礎的氧化物、Al-Ga-Zn為基礎的氧化物、Sn-Al-Zn為基礎的氧化物、In-Hf-Zn為基礎的氧化物、In-Zr-Zn為基礎的氧化物、In-Ti-Zn為基礎的氧化物、In-Sc-Zn為基礎的氧化物、In-Y-Zn為基礎的氧化物、In-La-Zn為基礎的氧化物、In-Ce-Zn為基礎的氧化物、In-Pr-Zn為基礎的氧化物、In-Nd-Zn為基礎的氧化物、In-Sm-Zn為基礎的氧化物、In-Eu-Zn為基礎的氧化物、In-Gd-Zn為基礎的氧化物、In-Tb-Zn為基礎的氧化物、In-Dy-Zn為基礎的氧化物、In-Ho-Zn為基礎的氧化物、In-Er-Zn為基礎的氧化物、In-Tm-Zn為基礎的氧化物、In-Yb-Zn為基礎的氧化物、In-Lu-Zn為基礎的氧化物、In-Sn-Ga-Zn為基礎的氧化物、In-Hf-Ga-Zn為基礎的 氧化物、In-Al-Ga-Zn為基礎的氧化物、In-Sn-Al-Zn為基礎的氧化物、In-Sn-Hf-Zn為基礎的氧化物、In-Hf-Al-Zn為基礎的氧化物。
在此，“In-Ga-Zn為基礎的氧化物”是指以In、Ga以及Zn為主要成分的氧化物，且對In、Ga以及Zn的比率沒有特別限制。此外，In-Ga-Zn為基礎的氧化物也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。
氧化物半導體膜大致分為非單晶氧化物半導體膜和單晶氧化物半導體膜。非單晶氧化物半導體膜包括C軸配向晶體氧化物半導體(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor，CAAC-OS)膜、多晶氧化物半導體膜、微晶氧化物半導體膜以及非晶氧化物半導體膜等。CAAC-OS膜是具有多個c軸配向的結晶部的氧化物半導體膜之一。注意，也可以將CAAC-OS稱為具有c軸配向奈米晶(C-Axis Aligned nanocrystals，CANC)的氧化物半導體。
尤其是，作為半導體層，較佳為使用具有多個結晶部的氧化物半導體膜，多個結晶部的c軸被對齊朝向垂直於半導體層形成於其上的表面或半導體層的頂面的方向，並且其中相鄰的結晶部之間不具有晶界。由於在這種氧化物半導體中不具有晶界，因此，抑制因使利用本發明的一個實施方式形成的撓性裝置彎曲時的應力而導致的在氧化物半導體膜中產生裂縫的情況。因此，這種氧化物半導體較佳係可被使用於在彎曲狀態下使用的撓性顯示裝 置等裝置。
藉由使用上述的材料作為半導體層，可以實現一種電氣特性的變化得到抑制的可靠性高的電晶體。
由於電晶體的關閉狀態電流(off-state current)較低，能夠在長期間保持經過電晶體儲存於電容器中的電荷。藉由將這種電晶體用於像素，還能夠在保持各顯示區域所顯示的像素的亮度的同時停止驅動電路。其結果，能夠實現功耗極低的電子裝置。
發光裝置所具有的發光元件包括一對電極(下部電極1431及上部電極1435)以及設置於該對電極之間的EL層1433。該對電極的一個用作陽極，而另一個用作陰極。
發光元件可以採用頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。作為位於提取光的一側的電極使用使可見光透過的導電膜。另外，作為位於不提取光的一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
可見光透過的導電膜可使用，例如，氧化銦、銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅，來形成。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等形成得薄到其具有透光性來使用。此外，可以將上述材料的疊層膜用作導電層。例如，較佳係使用銀和鎂的合金與ITO的疊層膜，在此情 況下，可以提高導電性。另外，也可以使用石墨烯等。
作為反射可見光的導電膜，例如，可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料、或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，反射可見光的導電膜可以使用像是鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、或鋁和釹的合金等包含鋁的合金(鋁合金)、或者像是銀和銅的合金、銀、鈀和銅的合金、或銀和鎂的合金等包含銀的合金。銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。並且，藉由以與鋁合金膜接觸的方式在鋁合金膜上層疊金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制鋁合金膜的氧化。作為該金屬膜、或金屬氧化物膜的材料，可以舉出鈦、氧化鈦等例子。另外，也可以層疊上述使可見光透過的導電膜與含有金屬材料的膜。例如，可以使用銀與ITO的疊層膜、銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等。
電極可以分別藉由蒸鍍法或濺射法來形成。除此之外，也可以利用噴墨法等噴出法、網版印刷法等印刷法、或者電鍍法。
當對下部電極1431與上部電極1435之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極側注入到EL層1433中，而電子從陰極側注入到EL層1433中。被注入的電子和電洞在EL層1433中再結合，由此，包含在EL層1433中的發光物質發光。
EL層1433至少包括發光層。除了發光層以 外，EL層1433可以還包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
作為EL層1433可以使用低分子化合物或高分子化合物，且還可以使用無機化合物。被包含在EL層1433的每一層可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等方法來形成。
在元件層1301中，發光元件較佳為設置於氣體阻隔性高的一對絕緣膜之間。由此，能夠抑制水等雜質進入發光元件中，從而能夠抑制發光裝置的可靠性下降。
作為氣體阻隔性高的絕緣膜，可以舉出氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮與矽的膜、氮化鋁膜等含有氮與鋁的膜等。另外，也可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜以及氧化鋁膜等。
例如，將氣體阻隔性高的絕緣膜的水蒸氣透過量設定為1×10-5[g/m2．day]以下，較佳為1×10-6[g/m2．day]以下，更佳為1×10-7[g/m2．day]以下，進一步較佳為1×10-8[g/m2．day]以下。
基板1303具有透光性，並且至少使包含在元件層1301中的發光元件所發射的光透過。基板1303具有撓性。基板1303的折射率高於大氣的折射率。
重量較玻璃輕的有機樹脂較佳係被使用於基板基板1303，在這種情況下，相較於使用玻璃的基板， 發光裝置可被輕量化。
具有撓性且對可見光具有透過性的材料的例子包括其厚度允許其具有撓性的玻璃、以及樹脂薄膜。樹脂薄膜的例子包括諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等的聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺(PI)樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂、尼龍、聚醚醚酮(PEEK)、聚碸(PSF)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)或矽酮樹脂等。尤其是，較佳為使用熱膨脹係數低的材料，例如，較佳為使用芳族聚醯胺樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、或是PET。也可以使用將有機樹脂浸漬於玻璃纖維中而得到的基板、或將無機填料混合到有機樹脂中來降低熱膨脹係數的基板。此外，樹脂薄膜包括纖維等(例如，預浸料)。此外，基體材料不侷限於樹脂薄膜，也可以使用藉由將紙漿加工為連續的薄片狀而形成的透明不織布、具有包含被稱為蠶絲蛋白(Fibroin)的蛋白質的人造蜘蛛絲纖維的薄片、混合該透明不織布或該薄片與樹脂的複合體、由纖維寬度為4nm以上且100nm以下的纖維素纖維構成的不織布與樹脂薄膜的疊層體、包含人造蜘蛛絲纖維的薄片與樹脂薄膜的疊層體。
基板1303可以是任何上述材料的層與保護發 光裝置的表面免受損傷等的硬塗層(例如，氮化矽層等)或能夠使壓力分散的材質的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等的疊層結構。另外，為了抑制由於水分等導致的發光元件的使用壽命的下降等，也可以設有上述氣體阻隔性高的絕緣膜。
黏合層1305具有透光性，並且至少使包含在元件層1301中的發光元件所發射的光透過。黏合層1305的折射率高於大氣的折射率。
作為黏合層1305，可以使用兩液混合型樹脂等可在常溫下固化的固化樹脂、光硬化性樹脂、熱固性樹脂等樹脂等等。例子包括環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂等。尤其是，較佳為使用像是環氧樹脂等透濕性低的材料。
另外，樹脂中可以包含乾燥劑。乾燥劑的材料係類似於能夠用於接合層707及框狀接合層711的材料。
此外，在樹脂中混合折射率高的填料(例如，氧化鈦)為較佳的，在此情況下，可以提高來自發光元件的光提取效率。
黏合層1305也可以具有散射光的散射構件。例如，黏合層1305可以是上述樹脂和折射率不同於該樹脂的粒子的混合物。該粒子用作光的散射構件。
樹脂與折射率不同於該樹脂的粒子之間的折射率差異較佳為0.1以上，更佳為有0.3以上。明確而 言，作為樹脂可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、醯亞胺樹脂或矽酮樹脂等，且作為粒子，可以使用氧化鈦、氧化鋇或沸石等。
由於氧化鈦的粒子或氧化鋇的粒子因其優異的散射光的性質而為較佳的。當使用沸石時，能夠吸附樹脂等所具有的水，因此能夠提高發光元件的可靠性。
黏合層1403可以使用與黏合層1305相同的材料。在不提取來自發光元件的光的一側設置有黏合層1403的情況下，不限制黏合層1403的透光性或折射率。
絕緣層1405以及絕緣層1455可以使用無機絕緣材料來形成。尤其是，較佳係使用氣體阻隔性高的絕緣膜，在此情況下，可以實現可靠性高的發光裝置。
絕緣層1407具有抑制雜質擴散到被包含在電晶體中的半導體內的效果。作為絕緣層1407，可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等無機絕緣膜。
為了減小起因於電晶體等的表面凹凸，作為絕緣層1409、絕緣層1409a以及絕緣層1409b較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣膜。例如，可以使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、苯并環丁烯類樹脂等有機材料。除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。注意，也可以層疊多個由這些材料形成的任意絕緣膜及無機絕緣膜。
絕緣層1411被設置來覆蓋下部電極1431的端部。為了提高形成於絕緣層1411的上層的EL層1433 及上部電極1435的覆蓋性，較佳的是將絕緣層1411形成為其側壁具有連續曲率的傾斜面。
作為絕緣層1411的材料，可以使用樹脂或無機絕緣材料。作為樹脂，例如，可以使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽氧烷樹脂、環氧樹脂或酚醛樹脂等。尤其是，較佳為使用負型光敏樹脂或正型光敏樹脂，這樣可以使絕緣層1411的製造變得容易。
對於形成絕緣層1411的方法沒有特別的限制，可以利用光微影法、濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法(噴墨法等)、印刷法(網版印刷、平板印刷等)等。
作為密封層1413，可以使用兩液混合型樹脂等可在常溫下固化的固化樹脂、光硬化性樹脂、熱固性樹脂等樹脂等等。例如，可以使用PVC(聚氯乙烯)樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。密封層1413可以包含乾燥劑。在從發光元件1430發出的光穿過密封層1413被提取到外部的情況下，密封層1413較佳係包含折射率高的填料或散射構件。乾燥劑、折射率高的填料以及散射構件的材料係類似於可用於黏合層1305的材料同樣的材料。
導電層1357可以使用與被包含在電晶體或發光元件中的導電層相同的材料以及相同的步驟來形成。例如，導電層可以使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或含有上述元素的合金材料，被形成為單層 結構或疊層結構。導電層可以使用導電金屬氧化物來形成。作為導電金屬氧化物，可以使用氧化銦(In2O3等)、氧化錫(SnO2等)、氧化鋅(ZnO)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(In2O3-ZnO等)、或者在這些金屬氧化物材料中含有氧化矽的材料。
導電層1408、導電層1412、導電層1510a以及導電層1510b的每一者也可以使用上述金屬材料、合金材料或導電金屬氧化物等來形成。
作為連接器1415，可以使用膏狀或薄片狀的材料，其係藉由熱固性樹脂和金屬粒子的混合物而得到，且藉由熱壓接合呈現各向異性的導電性質。作為金屬粒子，較佳為使用層疊有兩種以上的金屬的粒子，例如，鍍有金的鎳粒子。
著色層1459是使特定波長區域的光透過的有色層。例如，可以使用使紅色波長區域的光透過的紅色(R)濾光片、使綠色波長區域的光透過的綠色(G)濾光片、使藍色波長區域的光透過的藍色(B)濾光片等。各著色層藉由各種材料並利用印刷法、噴墨法、使用光微影法技術的蝕刻方法等分別在所需的位置形成。
遮光層1457被設置在相鄰的著色層1459之間。遮光層1457遮擋從相鄰的發光元件射出的光，從而抑制相鄰的像素之間的混色。在此，藉由以與遮光層1457重疊的方式設置著色層1459的端部，可以抑制漏光。遮光層1457可以使用遮擋從發光元件發出的光的材 料，例如，金屬材料、包含顏料或染料的樹脂材料等。注意，如圖15B所示，遮光層1457較佳亦設置於像是驅動電路部1306等的光提取部1304之外的區域中，在此情況下，可以抑制起因於波導光等的非意圖的漏光。
由於絕緣層1461能夠抑制包含在著色層1459或遮光層1457中的顏料等雜質擴散到發光元件等中，較佳係設置有覆蓋著色層1459以及遮光層1457的絕緣層1461。作為絕緣層1461，使用具有透光性的材料，且可以使用無機絕緣材料或有機絕緣材料。絕緣層1461也可以使用氣體阻隔性高的絕緣膜。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的剝離裝置。
本發明的一個實施方式是一種剝離裝置，包括：能夠保持加工構件的第一構件的結構體；以及能夠保持加工構件的第二構件的載物台。捲起第一構件而將結構體與載物台之間的加工構件的第一構件和第二構件相互分離。這裡，作為第一構件的例子，可以舉出實施方式1所記載的要被分離的層、包括要被分離的層的層、以及包括要被分離的層的疊層結構。此外，作為第二構件的例子，可以舉出實施方式1所記載的形成用基板、實施方式1所 記載的分離層、包括形成用基板的層、包括分離層的層、包括形成用基板的疊層結構、以及包括分離層的疊層結構。
藉由使用本發明的一個實施方式的剝離裝置，能夠以高良率將加工構件的第一構件和第二構件相互分離。本發明的一個實施方式的剝離裝置不需具有複雜的結構，並能夠被使用於具有各種不同的大小之加工構件的剝離。
本發明的另一個實施方式是一種剝離裝置，包括：結構體；載物台；液體供應機構；第一溫度調節機構；以及第二溫度調節機構。結構體具有保持加工構件的第一構件的功能，載物台具有保持加工構件的第二構件的功能，第一溫度調節機構具有調節結構體的溫度的功能，第二溫度調節機構具有調節載物台的溫度的功能，且液體供應機構具有對第一構件與第二構件的分離面供應液體的功能。捲起第一構件以將結構體與載物台之間的加工構件的第一構件及第二構件相互分離。
在本發明的一個實施方式中，藉由使用第一溫度調節機構，可以使結構體的溫度上升或下降。例如，第一溫度調節機構可以加熱結構體。或者，例如，第一溫度調節機構可以冷卻結構體。或者，第一溫度調節機構也可以對結構體進行保溫。藉由使用第一溫度調節機構加熱結構體，可以加熱第一構件。此外，藉由使用第一溫度調節機構冷卻結構體，可以冷卻第一構件。
在本發明的一個實施方式中，藉由使用第二溫度調節機構，可以使載物台的溫度上升或下降。例如，第二溫度調節機構可以加熱載物台。或者，第二溫度調節機構可以冷卻載物台。或者，第二溫度調節機構也可以對載物台進行保溫。藉由使用第二溫度調節機構加熱載物台，可以加熱第二構件。此外，藉由使用第二溫度調節機構冷卻載物台，可以冷卻第二構件。
本發明的一個實施方式的剝離裝置可以使用結構體及載物台保持加工構件。結構體及載物台與爪具或卡盤等保持機構相比都可以增大的面積與加工構件的接觸，因此，藉由調整結構體及載物台的溫度，可以輕易地調節加工構件的溫度，所以是較佳的。
下面，例示出剝離裝置的結構和工作以及使用剝離裝置的剝離方法。
〈結構實例1〉
參照圖18A至圖18D、圖19A至圖19C以及圖20A至圖20C示出藉由將第一構件203a從加工構件203剝離來將第一構件203a與第二構件203b相互分離的例子。
圖18A示出進行剝離之前的剝離裝置的透視圖，圖18B示出其正面圖，圖18D示出其側面圖。
圖18A至圖18D所示的剝離裝置包括結構體201以及載物台205。結構體201具有凸面。載物台205具有面對凸面的支撐面。
在圖18A至圖18D中，加工構件203被定位在剝離裝置中的凸面與支撐面。根據結構體201的溫度或載物台205的溫度，可以調節加工構件203的溫度。
圖18C示出加工構件203被定位在不同於圖18A、圖18B及圖18D所示的加工構件的情況的俯視圖。圖18A示出從加工構件203的邊部執行剝離的情況，而圖18C示出從加工構件203的角部執行剝離的情況。在從加工構件203的邊部執行剝離的情況下，較佳的是沿著長邊方向從短邊執行剝離，在此情況下，容易控制結構體的旋轉速度等條件，從而能夠提高剝離的良率。
加工構件203為薄片狀，並包括薄片狀的第一構件203a以及薄片狀的第二構件203b。第一構件203a以及第二構件203b分別可以為單層結構或疊層結構。較佳的是在加工構件203中形成有剝離起點，在此情況下，可輕易地在第一構件203a與第二構件203b之間的介面處進行剝離。
在剝離裝置包括傳送機構的情況下，也可以藉由傳送機構將加工構件203定位於載物台205上。
如圖18D的以雙點劃線圍繞的區域的放大圖所示，結構體201的凸面被定位成重疊於形成在加工構件203的點狀或線狀(包括實線、虛線、框狀)的剝離起點202。然後，當結構體201旋轉時，對加工構件203施加用來剝離第一構件203a的力量，因此，第一構件203a從剝離起點202附近被剝離。由此，加工構件203分離成第 一構件203a和第二構件203b。
只要結構體201具有凸面(也可以稱為凸狀的曲面)，結構體201可具有任何形狀，且可具有圓筒狀(包括圓柱狀、直圓柱狀、橢圓柱狀、及拋物柱狀)、或球狀。例如，結構體201可以使用像是圓筒輥的輥。結構體201的形狀的例子包括其底面的邊界包括曲線的柱體(例如，其底面為正圓的圓柱、其底面為橢圓的橢圓柱等)、其底面的邊界包括直線及曲線的柱體(例如，其底面為半圓或半橢圓的柱體等)。若結構體201的形狀為上述柱體中的任一個時，凸面相當於柱體的曲面。
作為結構體的材質，可以使用金屬、合金、有機樹脂、橡膠等。結構體也可以在其內部具有空間或空洞。橡膠的例子包括天然橡膠、聚氨酯橡膠、丁腈橡膠以及氯丁橡膠。
圖21C和圖21D分別示出的結構體251和結構體252。結構體251及結構體252分別為其底面的邊界包括直線及曲線的柱體的例子。
結構體所具有的凸面的曲率半徑小於載物台205的支撐面的曲率半徑。凸面的曲率半徑例如可以為0.5mm以上且1000mm以下。例如，在剝離薄膜的情況下，凸面的曲率半徑也可以為0.5mm以上且500mm以下，且具體地可為150mm、225mm或300mm。作為具有這種凸面的結構體，可以舉出直徑為300mm、450mm或600mm的輥。注意，根據加工構件的厚度或大小，凸面的 曲率半徑的較佳範圍會發生變化。因此，在本發明的一個實施方式中，只要凸面的曲率半徑小於載物台205的支撐面的曲率半徑，結構體的凸面的曲率半徑不侷限於上述的範圍。
當加工構件203包括黏接性較低的疊層結構時，會在黏接性較低的介面處產生剝離，這會導致剝離的良率下降。例如，當加工構件203包括有機EL元件時，可能會在EL層中的兩層之間的介面或在EL層與電極之間的介面處產生剝離，在此情況下，並未在第一構件203a與第二構件203b之間的介面處產生剝離。因此，設定凸面的曲率半徑或結構體201的旋轉速度，以使可在第一構件203a與第二構件203b之間的介面處產生剝離。
當凸面的曲率半徑過小時，有時包含在沿著凸面被捲起的第一構件203a中的元件會損壞。因此，凸面的曲率半徑較佳為0.5mm以上。
同時，當凸面的曲率半徑為大的時，能夠沿著凸面將玻璃、藍寶石、石英、矽等撓性低且剛性高的基板捲起來。因此，凸面的曲率半徑較佳為，例如，300mm以上。
然而，當凸面的曲率半徑過大時，可能增加剝離裝置的尺寸，這可能使得設置位置受到限制。因此，例如，凸面的曲率半徑較佳為1000mm以下，更佳為500mm以下。
凸面的至少一部分可以具有黏性。例如，也 可以將黏合膠帶貼在凸面的一部分或整體上。另外，凸面的至少一部分可具有對第一構件203a的黏接性。此外，結構體201可具有吸附機構，使得凸面可被附接到第一構件203a。
結構體201或載物台205可以向前後、左右、上下中的至少其中一個方向移動。由於可以執行對具有各種厚度的加工構件的剝離，結構體201的凸面與載物台205的支撐面之間的距離較佳為可變的。在結構實例1中，結構體201能夠在載物台205的長邊方向上移動。
作為用來保持配置於載物台205上的構件等(例如，加工構件203或第二構件203b)的保持機構，可以舉出像是抽吸卡盤、靜電卡盤、機械卡盤等的卡盤。例如，也可以使用多孔卡盤。另外，也可以將構件固定於吸附台、加熱台、旋轉台(spinner table)等。
如上所述，剝離裝置可以具有溫度調節機構。溫度調節機構只要可以使結構體201或載物台205的溫度上升或下降，就對其結構沒有特別的限制。例如，溫度調節機構可以是加熱機構、冷卻機構、或能夠進行加熱及冷卻兩者的機構的任一種。可以利用來自電阻發熱體等發熱體的熱傳導或熱輻射或者從燈發射的光(電磁波)的輻射來進行加熱。作為加熱機構，可以使用加熱台、由電熱線構成的細管加熱器等熱源。作為冷卻機構，可以使用冷卻介質被引入其中的細管、冷卻氣體、帕耳帖元件等。
注意，本發明的一個實施方式的剝離裝置所 包括的加熱機構與用於形成剝離起點或使剝離進展的對要被分離的層或分離層照射的雷射或燈等光源不同。此外，加熱步驟與用於形成剝離起點或進展剝離的照射光的步驟不同。
此外，本發明的一個實施方式的剝離裝置可以包括具有檢測出結構體的溫度或載物台的溫度的功能的溫度感測器。此外，本發明的一個實施方式的剝離裝置可以包括具有檢測出剝離裝置內的濕度的濕度感測器。
此外，本發明的一個實施方式的剝離裝置可以包括能夠測量出結構體的溫度或載物台的溫度的功能的溫度測量裝置。作為溫度測量裝置的例子，可以舉出熱成像儀、以及紅外線幅射計。
圖19A示出剝離期間的剝離裝置的透視圖，圖19B示出其正面圖，圖19C示出其側面圖。圖20A示出剝離之後的剝離裝置的透視圖，圖20B示出其正面圖，圖20C示出其側面圖。
結構體201的中心有旋轉軸209。雖然圖19A、圖19C等示出結構體201的旋轉方向，但是結構體201也可以向相反方向旋轉。旋轉軸209沿著導槽207的溝槽移動，從而使得結構體201可以在載物台205的長邊方向上移動(圖19C、圖20C的水平方向)。
當結構體201旋轉時，與結構體201的凸面重疊的第一構件203a在剝離起點的附近從加工構件203剝離且沿著凸面被捲起，從而使第一構件203a從第二構 件203b分離。在結構體201的凸面保留有第一構件203a，在載物台205上保留有第二構件203b。
在本發明的一個實施方式的剝離裝置中，藉由使載物台205和結構體201中的至少一個移動，使結構體201旋轉中心位置相對於載物台205發生變化。在結構實例1中，結構體201的旋轉中心移動。明確而言，在載物台205靜止(或被固定)的狀態下，結構體201從加工構件203的一個端部側移動(捲動)到相對的端部，同時結構體201將第一構件203a捲起來。
結構體201的凸面的線速度大於或等於通過載物台205的結構體201的旋轉中心的速度。
也可以在對第一構件203a或第二構件203b施加張力的同時將第一構件203a與第二構件203b相互分離。
如圖19C的箭頭208所示，可以設有能夠給第一構件203a與第二構件203b之間的分離面供應液體的液體供應機構。
在此情況下，能夠抑制剝離時產生的靜電給第一構件203a所包括的元件等帶來的不良影響(例如，因靜電導致半導體元件損壞等)。注意，可以噴灑霧狀或蒸氣狀的液體。作為液體，可以使用純水、有機溶劑、中性水溶液、鹼性水溶液、酸性水溶液、溶有鹽的水溶液等。
在剝離裝置包括傳送機構的情況下，可以在 剝離之後使用傳送機構來分別傳送載物台205上的第二構件203b和被結構體201捲起的第一構件203a。
另外，如圖21A和圖21B所示，結構體201可進一步地旋轉，使得第一構件203a與配置於載物台205上的薄片狀構件211貼合在一起。
構件211可以為單層結構或疊層結構。構件211的與第一構件203a接觸的面的至少一部分較佳的是對第一構件203a具有黏接性。例如，可以設有黏合層。
可以在結構體201旋轉完一圈之前沿著凸面將整個第一構件203a捲起。由於能夠抑制第一構件203a接觸於載物台205或者抑制結構體201對第一構件203a加壓，所以是較佳的。
另外，較佳的是，沿著凸面被捲起的第一構件203a在不接觸載物台205的情況下被貼合於構件211上。
例如，可能的是，結構體201旋轉1/4圈使整個第一構件203a沿著凸面被捲起，接著結構體201進一步旋轉3/4圈以移動到構件211的端部附近，然後結構體201再旋轉1/4圈而將第一構件203a貼合於構件211上。
可以在剝離之後調整結構體201與載物台205之間的距離，使得被結構體201捲起的第一構件203a不會接觸於載物台205。
〈結構實例2〉
在結構實例2中，示出藉由使載物台移動，使結構體旋轉中心的位置相對於載物台發生變化的例子。明確而言，所示出的是不移動結構體的旋轉中心的位置，但使載物台從加工構件的一個端部朝向相反的端部移動的例子。
圖22A至圖22C、圖23A至圖23C以及圖24A至圖24C示出藉由將第一構件253a從加工構件253剝離而使得第一構件253a與第二構件253b相互分離的例子。
圖22A示出進行剝離之前的剝離裝置的透視圖，圖22B示出其正面圖，圖22C示出其側面圖。
圖22A至圖22C所示的剝離裝置包括結構體251、載物台255、支撐體257以及傳送輥258。結構體251具有凸面。載物台255具有面對凸面的支撐面。支撐體257支撐結構體251。
在圖22A至圖22C中，加工構件253在剝離裝置中被定位在凸面與支撐面之間。
雖然圖22A示出從加工構件253的邊部執行剝離的情況，但如同結構實例1所說明的，也可以從加工構件253的角部執行剝離。
結構體251、加工構件253以及載物台255分別可以具有與結構實例1的結構體201、加工構件203以及載物台205同樣的結構，因此省略其說明。在加工構件253中，形成有剝離起點262。
支撐體257支撐結構體251的旋轉軸259。支 撐體257具有調整結構體251的垂直位置的功能。由此，可以改變結構體251的凸面與載物台255的支撐面之間的距離。
傳送輥258可以使載物台255移動。對載物台255的移動手段沒有特別的限制，且可使用運送帶或傳送機器人。
在剝離裝置包括傳送機構的情況下，可以藉由傳送機構將加工構件253配置於載物台255上。
圖23A示出剝離期間的剝離裝置的透視圖，圖23B示出其正面圖，圖23C示出其側面圖。圖24A示出剝離後的剝離裝置的透視圖，圖24B示出其正面圖，圖24C示出其側面圖。
結構體251的中心有旋轉軸259。雖然圖23A及圖23C等示出結構體251以及傳送輥258的旋轉方向，但是結構體251以及傳送輥258分別可以向相反方向旋轉。藉由使傳送輥258旋轉，結構體251的旋轉中心、載物台255與載物台255上的加工構件253之間的位置關係可以發生變化(明確而言，載物台255及加工構件253在圖23C、圖24C的水平方向上移動)。
由結構體251所保持的第一構件253a從加工構件253被剝離，並被沿著凸面捲起而與第二構件253b分離。第二構件253b被保持在載物台255上。
將結構體251的凸面被定位成與形成在加工構件253的剝離起點262重疊。然後，當結構體251旋轉 時，對加工構件253施加用來剝離第一構件253a的力量，因此，第一構件253a從剝離起點262的附近被剝離。結果，從加工構件253被剝離的第一構件253a被沿著凸面捲起而與第二構件253b分離。第一構件253a藉由結構體251的凸面而被保持，且第二構件253b被保持在載物台255上。
在剝離裝置包括傳送機構的情況下，載物台255上的第二構件253b和被結構體251捲起的第一構件253a可以在剝離之後分別使用該傳送機構來傳送。
如圖22C、圖23C、圖24C所示，可以設有連接於結構體251的第一溫度調節機構265。第一溫度調節機構265可以調節結構體251的溫度。第一溫度調節機構265可以連接於結構體251的內壁等。此外，載物台255可以設有第二溫度調節機構266。第二溫度調節機構266可以調節載物台255的溫度。
另外，如圖25A和圖25B所示，也可以藉由進一步使結構體251及傳送輥258旋轉，將定位於載物台256上的薄片狀構件261與第一構件253a貼合在一起。注意，構件261可以被定位在與加工構件253相同的載物台(載物台255)上。
如圖25A及圖25B所示，可以包括連接於結構體251的溫度感測器263。溫度感測器263可以檢測出結構體251的溫度。例如，溫度感測器263可以與結構體251的內壁等連接。此外，結構體251可以設置有可檢測 出第一構件253a的溫度的溫度感測器。
〈結構實例3〉
參照圖26A1至圖26C2說明本發明的一個實施方式的剝離裝置的其他結構。圖26A1至圖26C2是說明本發明的一個實施方式的剝離裝置的結構及工作的圖。
圖26A1、圖26B1及圖26C1是分別說明本發明的一個實施方式的剝離裝置的側面的示意圖。圖26A2、圖26B2及圖26C2是分別說明剝離裝置的頂面的示意圖。
圖26A1及圖26A2示出本發明的一個實施方式的剝離裝置處於開始從加工構件103剝離第一構件103a的步驟的狀態。
圖26B1及圖26B2示出本發明的一個實施方式的剝離裝置處於進行從加工構件103剝離第一構件103a的狀態。
圖26C1及圖26C2示出本發明的一個實施方式的剝離裝置處於完成從加工構件103的第一構件103a的剝離的狀態。
不同於參照圖18A至圖25E所說明的剝離裝置，在本實施方式的結構實例3中所說明的剝離裝置具有圓筒狀的結構體101以及具有接觸於圓筒狀的結構體101的內壁且能夠與結構體101的旋轉同步地旋轉的旋轉體101a。在此，不同的部件將在下面被詳細地說明，且關於 其他類似的部件則參照上述的說明。
結構體101具有圓筒狀。注意，結構體101可以在其外表面上設有構件101b(參照圖26A1及圖26A2)。
構件101b可以修改結構體101的表面的物理性質。例如，構件101b可以對結構體101的表面賦予黏合性。或者，構件101b可以對結構體101的表面賦予能夠分散集中在凹凸部分的應力的彈性。
例如，可以將橡膠、矽橡膠、樹脂或天然材料等用於構件101b。
當設置在結構體101上的構件101b具有接合部時，加工構件被設置在載物台105與結構體101之間，以避免加工構件103與接合部接觸。
旋轉體101a接觸於圓筒狀的結構體101的內周，且加工構件103被夾在結構體101的外周與載物台105之間。
旋轉體101a繞著中心軸被可轉動地設置。例如，旋轉體101a可以具有圓柱狀的輥。或者，旋轉體101a可在其外周上設置有齒輪。
當使用在其外周設置有齒輪的旋轉體101a時，在結構體101的內周設置與該齒輪嚙合的齒輪。在此結構中，例如，可以使用驅動機構驅動旋轉體101a，且該旋轉可能影響到結構體101。
在第一步驟中，將形成有剝離起點102的加 工構件103插入到載物台105與結構體101之間(參照圖26A1及圖26A2)。當加工構件103具有角部時，剝離起點102較佳地被設置在角部，且加工構件103可在與旋轉體101a的中心軸正交的方向被傾斜角度θ的狀態下從角部插入。由此，從剝離起點102逐步地擴展分離面，且第一構件103a與第二構件103b相互分離。
在第二步驟中，持續進行第一構件103a與第二構件103b的分離(參照圖26B1及圖26B2)。
藉由使用由箭頭108所示的液體供給單元，對第一構件103a與第二構件103b被分離的表面(分離面)供應液體(參照圖26B1)。例如，液體被注入到分離面中。或者，可以噴射液體。
例如，當液體被注入或噴灑時，可以使用水、極性溶劑等。藉由注入液體，可以抑制由於剝離所導致的靜電等的影響。另外，也可以邊以液體使剝離層溶化邊進行剝離。
注意，溫度感測器264可被連接至載物台105。溫度感測器264可以檢測出載物台105的溫度。此外，載物台105也可以包括能夠檢測出加工構件103的溫度的溫度感測器。
在第三步驟中，分離第一構件103a與第二構件103b(參照圖26C1及圖26C2)。
〈結構實例4〉
參照圖27A1至圖27C2說明本發明的一個實施方式的剝離裝置的其他結構。圖27A1至圖27C2是說明本發明的一個實施方式的剝離裝置的結構及工作的圖。
圖27A1、圖27B1及圖27C1是分別說明本發明的一個實施方式的剝離裝置的側面的示意圖。圖27A2、圖27B2及圖27C2是分別說明剝離裝置的頂面的示意圖。
圖27A1及圖27A2示出本發明的一個實施方式的剝離裝置處於開始從加工構件103剝離第一構件103a的狀態。
圖27B1及圖27B2示出本發明的一個實施方式的剝離裝置處於進行從加工構件103剝離第一構件103a的狀態。
圖27C1及圖27C2示出本發明的一個實施方式的剝離裝置處於完成從加工構件103的第一構件103a的剝離的狀態。
不同於參照圖22A至圖24C所說明的剝離裝置，在本實施方式的結構實例4中所說明的剝離裝置將圓筒狀的結構體101替換為圓筒狀的結構體251以及具有接觸於圓筒狀的結構體101的內壁且能夠與結構體101的旋轉同步地旋轉的旋轉體101a。
另外，不同於參照圖26A1至圖26C2所說明的剝離裝置，在結構實例4中所說明的剝離裝置中，結構體101被固定，並且載物台155被移動。
此剝離裝置與結構實例1至3中的剝離裝置的不同之處在於，此剝離裝置包括靜電消除機構110及乾燥機構111。
靜電消除機構110具有消除來自第一構件103a的靜電的功能。
在製程中，較佳的是在有可能發生靜電的位置上使用剝離裝置所具有的靜電消除機構。對靜電消除機構沒有特別的限制，且例如，可以使用電暈放電(corona discharge)電離劑、軟X射線(soft X-ray)電離劑、紫外線電離劑等。
例如，較佳的是，在剝離裝置中設置有電離劑，且靜電消除處理藉由從電離劑對第一構件103a噴吹空氣或氮氣體等來進行，以降低靜電對功能元件或薄膜積體電路的影響。
具體而言，較佳的是，將加工構件203的第一構件103a及第二構件103b相互分離，且同時利用電離劑對第一構件103a與第二構件103b之間的介面附近照射離子以去除靜電。
乾燥機構111具有使第一構件103a乾燥的功能。
由於可能在當第一構件103a上附著的液體被揮發時形成浮水印，較佳的是在剝離之後立即將液體去除。因此，較佳的是吹乾剛從第二構件103b剝離的包括功能元件的第一構件103a，以去除在第一構件103a上的 水滴。因此，可以抑制產生浮水印。
當第一構件103a與水平面平行時，第一構件103a可以被吹乾，然而，當第一構件103a被結構體101捲起且傾斜或垂直於水平面時，較佳的是使氣流向下流以使水滴向下滴落，如圖27C1所示。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖28A至圖28G以及圖29A至圖29I說明能夠使用本發明的一個實施方式的剝離裝置或本發明的一個實施方式的剝離方法來製造的電子裝置以及照明裝置。
藉由使用本發明的一個實施方式，能夠以高良率製造可用於電子裝置或照明裝置的發光裝置、顯示裝置、半導體裝置等。另外，藉由使用本發明的一個實施方式，能夠製造具有高生產力的撓性的電子裝置或照明設備。
電子裝置的例子包括電視機(也稱為電視或電視接收機)、電腦的顯示器等、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話(也稱為行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音訊播放裝置、以及像是彈珠台的大型遊戲機。
藉由使用本發明的一個實施方式所製造的裝 置具有撓性，且因此也可以將該裝置沿著房屋或高樓之彎曲的內/外壁、或是汽車之彎曲的內部/外部表面組裝。
圖28A示出行動電話的例子。行動電話7400設置有組裝到外殼7401中的顯示部7402、操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。注意，將藉由利用本發明的一個實施方式所製造的顯示裝置用於顯示部7402來製造行動電話7400。藉由本發明的一個實施方式，能夠以高良率提供一種具備彎曲的顯示部之可靠性高的行動電話。
當以手指等觸摸如圖28A所示的行動電話7400之顯示部7402時，可以將資訊輸入到行動電話7400中。此外，藉由以手指等觸摸顯示部7402，可以進行打電話或輸入文字等的操作。
藉由操作按鈕7403，電源可被開啟或關閉。此外，顯示在顯示部7402的影像的種類可被切換；例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
圖28B示出手錶型可攜式資訊終端的例子。可攜式資訊終端7100包括外殼7101、顯示部7102、腕帶7103、帶扣7104、操作按鈕7105、輸入/輸出端子7106等。
可攜式資訊終端7100可以執行像是行動電話通話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通信、電腦遊戲等的各種應用程式。
顯示部7102的顯示面是彎曲的，且影像能夠 沿著彎曲的顯示面被顯示。另外，顯示部7102具備觸控感測器，且可以用手指或觸控筆等觸摸螢幕來進行操作。例如，藉由觸摸顯示於顯示部7102的圖示7107，可以啟動應用程式。
藉由操作按鈕7105，可以執行像是電源開關、無線通訊的開關、種類模式的設定及取消、以及省電模式的開啟及關閉等的各種功能。例如，藉由設定組裝在可攜式資訊終端7100中的作業系統，可以自由地設定操作按鈕7105的功能。
可攜式資訊終端7100可以進行近場通信(near field communication)，其係為根據已存在的通信標準的一種通信方法。在此情況下，例如，可進行可攜式資訊終端7100與能夠無線通訊的耳麥之間的相互通信，且因此可以進行免持式通話。
另外，可攜式資訊終端7100具備輸入/輸出端子7106，且可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。藉由輸入/輸出端子7106進行充電亦為可能的。注意，充電操作可以利用無線供電來進行，而不需使用輸入/輸出端子7106。
可攜式資訊終端7100的顯示部7102包括使用本發明的一個實施方式製造的發光裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠以高良率提供一種具備彎曲的顯示部之可靠性高的可攜式資訊終端。
圖28C至圖28E示出照明裝置的例子。照明 裝置7200、照明裝置7210及照明裝置7220都包括具備操作開關7203的底座7201以及由底座7201支撐的發光部。
圖28C所示的照明裝置7200包括具有波浪狀的發光面的發光部7202，且因此，其為設計性高的照明裝置。
包含在圖28D所示的照明裝置7210中的發光部7212具有對稱地配置的兩個彎曲為凸狀的發光部。因此，光從照明裝置7210照射到所有的方向。
圖28E所示的照明裝置7220具備彎曲為凹狀的發光部7222。因此，由於從發光部7222發出的光聚集到照明裝置7220的前方，所以這種照明裝置7220適合用於照明特定的範圍。
因為包含在各個照明裝置7200、照明裝置7210及照明裝置7220中的發光部具有撓性，因此，發光部可被固定到塑膠構件、能夠改變形狀的框架等，以使發光部的發光面能夠按照用途自由地被彎曲。
注意，雖然在此例示了由底座支撐發光部的照明裝置，但是也可以以將具備發光部的外殼固定或吊在天花板上。由於發光面能夠被彎曲，因此能夠使發光面被彎曲以具備凹狀，從而照亮特定區域，或者使發光面被彎曲以具備凸狀，從而照亮整個房間。
在此，各發光部包括藉由使用本發明的一個實施方式所製造的發光裝置。藉由本發明的一個實施方 式，能夠以高良率提供一種具備彎曲的發光部之可靠性高的照明裝置。
圖28F示出可攜式顯示裝置的例子。顯示裝置7300具備外殼7301、顯示部7302、操作按鈕7303、顯示部取出構件7304以及控制部7305。
顯示裝置7300在筒狀的外殼7301內包括捲起的撓性顯示部7302。
顯示裝置7300能夠藉由控制部7305接收影像信號，且能夠將所接收的影像顯示於顯示部7302。此外，控制部7305具備電池。此外，控制部7305可包含用於連接連接器的端子部，使得影像信號或電力可從外部以有線的方式直接地供應。
藉由按壓操作按鈕7303，可執行電源的開啟/關閉、所顯示的影像的切換等。
圖28G示出使用顯示部取出構件7304取出顯示部7302的狀態的顯示裝置7300。在此狀態下，可以在顯示部7302上顯示影像。另外，允許以單手操作配置於外殼7301的表面上的操作按鈕7303。如圖28F所示，操作按鈕7303並非被設置在外殼7301的中心，而是被設置在外殼7301的一側，這使得可以容易地以單手操作。
注意，可以在顯示部7302的側部設置用來強化框，以便在取出顯示部7302時使顯示部7302具有平的顯示面。
注意，除了此結構以外，揚聲器可被設置在 外殼，以在音訊信號與影像信號同時被接收時輸出聲音。
顯示部7302包括藉由使用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠以高良率提供一種輕量且可靠性高的顯示裝置。
圖29A至圖29C示出能夠折疊的可攜式資訊終端310。圖29A示出被展開的可攜式資訊終端310。圖29B示出被展開或是被折疊的可攜式資訊終端310。圖29C示出被折疊的可攜式資訊終端310。當可攜式資訊終端310被折疊時，可攜式資訊終端310具有高的可攜性。當可攜式資訊終端310被展開時，由於無縫拼接的較大的顯示區域，可攜式資訊終端310具有高的瀏覽性。
顯示面板312由鉸鏈部313所連接的三個外殼315來支撐。藉由在以鉸鏈部313連接的兩個外殼315之間的連接部處折疊可攜式資訊終端310，可以使可攜式資訊終端310的形狀從展開狀態可逆性地改變為折疊狀態。可以將藉由本發明的實施方式的剝離方法之任一者所製造的顯示裝置使用於顯示面板312。例如，可以使用能夠以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲的顯示裝置。
圖29D和圖29E示出能夠折疊的可攜式資訊終端320。圖29D示出以使顯示部322位於外側的方式折疊的可攜式資訊終端320。圖29E示出以使顯示部322位於內側的方式折疊的可攜式資訊終端320。由於在不使用可攜式資訊終端320時，非顯示部325係位在外側，能夠 防止顯示部322被弄髒或受到刮傷。可以將根據本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部322。
圖29F是說明可攜式資訊終端330的外形的透視圖。圖29G是可攜式資訊終端330的俯視圖。圖29H是說明可攜式資訊終端340的外形的透視圖。
可攜式資訊終端330、340各具有，例如，電話機、筆記型電腦和資訊瀏覽系統中的一種或多種的功能。明確而言，可攜式資訊終端330、340可分別被用作智慧型手機。
可攜式資訊終端330、340可以將文字或影像資訊顯示在其多個面上。例如，可以將三個操作按鈕339顯示在一個面上(圖29F、圖29H)。另外，可以將由虛線矩形表示的資訊337顯示在另一個面上(圖29G、圖29H)。資訊337的例子包括來自社交網路服務(Social Networking Services，SNS)的提示、收到電子郵件或電話的顯示、電子郵件等的標題、電子郵件等的發送者、日期、時間、電池剩餘電量、以及天線的接收強度。或者，也可以在顯示有資訊337的位置顯示操作按鈕339或圖示等。雖然圖29F和圖29G示出在上側顯示有資訊337的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。例如，資訊可被顯示在如圖29H所示的側面上。
例如，可攜式資訊終端330的使用者能夠在將可攜式資訊終端330放在其上衣口袋裡的狀態下看見此顯示畫面(此處為資訊337)。
明確而言，撥入的電話之打電話來的人的電話號碼、姓名等被顯示在能夠從可攜式資訊終端330的上方觀看到這些資訊的位置。因此，使用者可以在無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端330的狀態下看見此顯示畫面，並決定是否接電話。
可以將藉由本發明的實施方式的任一者所製造的顯示裝置用於安裝在可攜式資訊終端330的外殼335及可攜式資訊終端340的外殼336的各者中的顯示部333。藉由本發明的一個實施方式，能夠以高良率提供一種具備彎曲的顯示部之可靠性高的顯示裝置。
資訊可以被顯示在，例如，圖29I所示的可攜式資訊終端345中的三個以上的側面上。在此，資訊355、資訊356以及資訊357分別被顯示於不同的側面上。
可以將藉由本發明的一個實施方式所製造的顯示裝置用於安裝在可攜式資訊終端345的外殼351中的顯示部358。藉由本發明的一個實施方式，能夠以高良率提供一種具備彎曲的顯示部之可靠性高的顯示裝置。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
701‧‧‧形成用基板
703‧‧‧分離層
705‧‧‧要被分離的層
725‧‧‧要被分離的層
741‧‧‧第一剝離起點

Claims (21)

  1. 一種剝離方法，包括如下步驟：在基板上形成分離層的第一步驟；在該分離層上形成要被分離的層的第二步驟；藉由將該要被分離的層的一部分從該分離層分離來形成剝離起點的第三步驟；利用該剝離起點將該要被分離的層從該基板剝離的第四步驟；以及對該剝離起點供應液體的液體供應步驟，其中，該液體的溫度為60℃以上且90℃以下。
  2. 根據申請專利範圍第1項之剝離方法，其中，該第四步驟包括加熱該基板的第一部分的步驟及冷卻該被分離的層的第二部分的步驟。
  3. 根據申請專利範圍第2項之剝離方法，其中，該第一部分包括在該第四步驟之後未從該要被分離的層分離的部分，並且其中，該第二部分包括在該第四步驟之後從該基板分離的部分。
  4. 根據申請專利範圍第1項之剝離方法，其中，該液體包括水。
  5. 根據申請專利範圍第1項之剝離方法，還包括如下步驟：消除該要被分離的層的表面的靜電的靜電消除步驟，該表面因從該基板分離而露出， 其中，該靜電消除步驟在第三期間和第四期間中的至少一個期間進行，其中，該第三期間存在於該第四步驟中，並且其中，該第四期間存在於第四步驟之後。
  6. 根據申請專利範圍第1項之剝離方法，還包括如下步驟：使該要被分離的層的表面乾燥的乾燥步驟，該表面因從該基板分離而露出，其中，該乾燥步驟在該第四步驟之後進行。
  7. 根據申請專利範圍第1項之剝離方法，其中，該分離層包含鎢。
  8. 根據申請專利範圍第1項之剝離方法，還包括如下步驟：使該分離層氧化的氧化步驟，其中，該氧化步驟在該第一步驟與該第二步驟之間進行。
  9. 根據申請專利範圍第8項之剝離方法，其中，該氧化步驟包括在含一氧化二氮(N2O)的氛圍下進行的電漿處理步驟。
  10. 一種剝離方法，包括如下步驟：在基板上形成分離層的第一步驟；在該分離層上形成要被分離的層的第二步驟；藉由將該要被分離的層的一部分從該分離層分離來形成剝離起點的第三步驟；以及 利用該剝離起點將該要被分離的層從該基板剝離的第四步驟，其中，在該第四步驟中，該基板的溫度保持為60℃以上且90℃以下。
  11. 根據申請專利範圍第10項之剝離方法，其中，在該第四步驟中加熱該基板的至少一部分。
  12. 根據申請專利範圍第10項之剝離方法，還包括如下步驟：對該要被分離的層與該分離層之間供應液體的液體供應步驟，其中，該液體供應步驟在第一期間和第二期間中的至少一個期間進行，其中，該第一期間存在於該第三步驟與該第四步驟之間，並且其中，該第二期間存在於該第四步驟中。
  13. 根據申請專利範圍第12項之剝離方法，其中，該液體的溫度高於0℃且低於100℃。
  14. 根據申請專利範圍第12項之剝離方法，其中，該液體包括水。
  15. 一種剝離方法，包括如下步驟：在基板上形成分離層的第一步驟；在該分離層上形成要被分離的層的第二步驟；藉由將該要被分離的層的一部分從該分離層分離來形成剝離起點的第三步驟；以及 利用該剝離起點將該要被分離的層從該基板剝離的第四步驟，其中，在該第四步驟中，在冷卻該要被分離的層的至少一部分的同時將該要被分離的層從該基板剝離。
  16. 根據申請專利範圍第15項之剝離方法，還包括如下步驟：對該要被分離的層與該分離層之間供應液體的液體供應步驟，其中，該液體供應步驟在第一期間和第二期間中的至少一個期間進行，其中，該第一期間存在於該第三步驟與該第四步驟之間，並且其中，該第二期間存在於該第四步驟中。
  17. 根據申請專利範圍第16項之剝離方法，其中，該液體的溫度高於0℃且低於100℃。
  18. 根據申請專利範圍第16項之剝離方法，其中，該液體包括水。
  19. 一種剝離裝置，包括：結構體；載物台；液體供應機構；第一溫度調節機構；以及第二溫度調節機構，其中，該結構體能夠保持加工構件的第一構件， 其中，該載物台能夠保持該加工構件的第二構件，其中，該第一溫度調節機構能夠調節該結構體的溫度，其中，該第二溫度調節機構能夠調節該載物台的溫度，其中，該液體供應機構能夠將液體供應到該第一構件與該第二構件之間的分離面，並且其中，該剝離裝置能夠繞著該結構體捲起該第一構件，以將該第一構件從該第二構件分離。
  20. 根據申請專利範圍第19項之剝離裝置，還包括：乾燥機構，其中，該乾燥機構能夠使該第一構件乾燥。
  21. 根據申請專利範圍第19項之剝離裝置，還包括：靜電消除機構，其中，該靜電消除機構能夠消除該第一構件的靜電。
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