KR0183513B1 - 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 기판이 되는 실리콘등의 웨이퍼에서 슬라이스 베이스를 박리하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치에 관한 것으로, 온수조에 온수를 저장하여 소정온도로 유지하고, 온수조의 온수내에 웨이퍼의 기판 부분을 받치는 클램프대를 설치함과 동시에 리프터를 설치하여 웨이퍼를 온수조의 위쪽에서 온수내로 이동시키고, 클램퍼를 클램프대의 위쪽에 설치하여 웨이퍼의 기판부분을 클램프대에 압압해서 고정하고, 푸셔를 클램프대의 위쪽으로 클램퍼 근방에 설치하여 웨이퍼의 슬라이스 베이스를 눌러 슬라이스 베이스를 박리하는 것이다. 본 발명은 박리가 온수내에서 행해지기 때문에 박리시에 웨이퍼의 온도는 저하되지 않고 접착제가 벗겨지기 쉬운 상태를 유지할 수 있다.

Description

웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치
제1도는 본 발명에 관한 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 일부단면을 포함한 측면도.
제2도는 제1도에 도시한 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 일부단면을 포함한 평면도.
제3도는 제1도의 3-3화살표방향으로 본 도면.
제4도는 웨이퍼의 외관형상을 도시한 도면.
제5도는 종래의 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 일부 단면을 포함한 측면도로, 웨이퍼가 온수조내에 있는 상태를 나타낸 도면.
제6도는 제5도에 도시한 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 일부 단면을 포함한 평면도.
제7도는 제5도의 7-7화살표방향으로 본 도면으로, 웨이퍼가 박리부에서 클램프대에 고정되어 있는 상태를 나타낸 도면.
제8도는 본 발명에 관한 웨이퍼슬라이스 베이스 박리장치의 실시예 2의 요부를 도시한 평면도.
제9도는 제8도의 9-9단면도.
제10도는 제8도의 10화살표 방향으로 본 도면.
제11도는 본 발명에 관한 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 실시예 3의 요부를 도시한 평면도.
제12도는 제11도의 12-12 단면도.
제13도는 제11도의 13-13 단면도.
제14도는 본 발명에 관한 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 실시예 4의 요부를 도시한 평면도.
제15도는 제14도의 15-15 단면도.
제16도는 제14도의 16화살표 방향으로 본 도면.
제17도는 제14도의 17화살표 방향으로 본 도면.
제18도는 본 발명에 관한 실시예 4의 요부를 도시한 평면도.
제19도는 제18도의 19-19 단면도.
본 발명은 반도체 소자의 기판이 되는 실리콘등의 웨이퍼에서 슬라이스 베이스를 박리하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치에 관한 것이다.
반도체소자의 기판이 되는 실리콘등의 웨이퍼는 잉곳(ingot)상태에서 슬라이싱 머신 등으로 절단되어 제조되는데, 절단시에 절단끝부분이 부서지지 않도록 잉곳에는 슬라이스 베이스를 접착하여 슬라이스 베이스도 함께 절단한다.
따라서 절단후의 웨이퍼는 제4도에 도시한 형상으로 되어 있으며, 슬라이스 베이스(10b)는 절단후에 실리콘등의 기판부분(10a)에서 박리된다.
제5도, 제6도, 제7도에 종래의 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 요부를 도시한다. 제5도는 상기 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 일부단면을 포함한 측면도, 제6도는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 일부 단면을 포함한 평면도, 제7도는 제5도의 7-7화살표 방향으로 본 도면이다.
웨이퍼(10)는 제5도의 좌측에서 반입되어 우측으로 반출된다. 단, 제5도는 웨이퍼(10)가 온수조(11)내에 있는 상태를, 제7도는 웨이퍼(10)가 박리부(20)에서 클램프대(21)에 고정되어 있는 상태를 나타내고 있다.
웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치는 크게 구분하여 온수조(11), 박리부(20), 리프터부(30), 반송부(40)로 구성되어 있다.
온수조(11)에는 제5도에 도시한 바와 같이 온수(12)가 저장되고 온수(12)는 도시하지 않은 히터에 의해 소정온도로 유지되고 있다. 12a는 온수(12)의 수면이다.
온수조(11)는 슬라이스 베이스를 접착한 접착제가 쉽게 벗겨지도록 웨이퍼(10)를 따뜻하게 하는 것이다.
박리부(20)는 온수조(11)의 반출쪽에 있으며, 웨이퍼(10)의 기판부분(10a)을 받치는 클램프대(21), 웨이퍼(10)의 기판부분(10a)을 클램프대(21)에 압압하여 고정하는 클램퍼(25), 클램퍼(25)를 상·하로 안내하는 가이드(23) (제7도에서 가이드(26)의 후방에 있고 가이드(26)와 동일형상임), 클램퍼(25)를 제5도 중 상·하 방향으로 구동하는 에어실린더(24), 슬라이스 베이스(10b)를 압압하여 박리하는 푸셔(pusher)(28), 푸셔(28)를 상·하로 안내하는 가이드(26), 푸셔(28)를 제5도, 제7도 중 상·하 방향으로 구동하는 에어실린더(27), 가이드(23), 에어실린더(24), 가이드(26), 에어실린더(24), 가이드(26), 에어실린더(27), 지지하는 대(22), 박리된 슬라이스 베이스(10b)를 격납하는 바스켓(29) 등으로 구성되어 있다.
그리고 클램프대(21)는 온수조(11)의 위쪽으로 온수(12)의 수면(12a)에서 떨어진 위치에 설치되어 있음과 동시에 클램퍼(25)는 클램프대(21)의 바로 위에 위치하고 푸셔(28)는 클램프대(21)와 간섭하지 않는 위치로 되어 있다.
리프터부(30)는 제6도, 제7도에 도시한 바와 같이 온수조(11)의 좌측부에 고착된 가이드(31), 가이드(31)를 따라 상·하 이동 가능하게 설치된 슬라이더(32), 슬라이더(32)를 상·하 방향으로 구동하는 에어실린더(33), 슬라이더(32)에 고착된 암(34), 암(34)의 두군데에 고착된 리프터(35) 등으로 구성되어 있다.
리프터(35)에는 제7도에 도시한 바와 같이 웨이퍼(10)의 외주부가 삽입되는 홈(35a)이 형성되고, 이 홈(35a)에 의해 웨이퍼(10)가 리프터(35)에 보호지지 된다.
이것에 의해 리프터(35)는 웨이퍼(10)을 온수조(11)의 위쪽에서 온수(12)내로 이동시킴과 동시에 온수조(11)의 위쪽에는 웨이퍼(10)의 반송가이드가 된다.
반송부(40)는 제6도, 제7도에 도시한 바와 같이 온수조(11)의 우측부에 고착된 수평가이드(41), 수평가이드(41)를 따라 수평이동 가능하게 설치된 수평슬라이더(42), 수평슬라이더(42)에 내장된 이송너트를 구동하는 이송나사(43), 모터(도시 생략)의 회전을 이송나사(43)로 전달하는 풀리(44), 수평슬라이더(42)에 고착된 상·하 가이드(45), 상·하 가이드(45)를 따라 상·하 이동 가능하게 설치된 상·하 슬라이더(46), 상·하 슬라이더(46)를 상·하 방향으로 구동하는 에어실린더(47), 상·하 슬라이더(46)에 고착된 암(48), 암(48)에 고착되어 웨이퍼(10)의 가장자리부에 맞닿는 반송헤드(49) 등으로 구성되어 있다.
이것에 의해 반송헤드(49)는 반송부(40)를 구동함으로써 웨이퍼(10)에 맞닿고 웨이퍼(10)를 온수조(11) 위치에서 박리부로, 다시 박리부에서 다음 공정으로 반송한다.
상술한 바와 같이 반송시에는 리프터(35)가 웨이퍼(10)의 가이드로 된다. 또한 반송헤드(49)는 전공정에서 웨이퍼(10)가 반입될 때에는 제5도 중 이점쇄선으로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(10)와 간섭하지 않도록 위쪽으로 이동한다.
다음에, 이와 같이 구성된 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치로 웨이퍼(10)에서 슬라이스 베이스(10b)를 박리하는 방법을 설명한다.
웨이퍼(10)는 제5도 중 이점쇄선으로 나타낸 바와 같이 리프터(35) 및 반송헤드(49)가 상승단(上昇端) 상태일 때 전공정의 반송장치에 의해 전공정에서 온수조(11)의 위쪽에 위치한 리프터(35)의 홈(35a)내로 반입된다.
웨이퍼(10)가 반입되면 리프터(35)가 하강하여 웨이퍼(10)를 온수(12)내로 이동한다. 온수(12)내에서 웨이퍼(10)가 소정온도로 되면 리프터(35)가 상승하여 웨이퍼(10)를 반입시의 위치로 되돌린다.
다음에 반송헤드(49)가 하강하여 반출쪽으로 이동해서 웨이퍼(10)를 박리부(20)로 반송한다. 박리부(20)에서는 클램퍼(25)가 기판부분(10a)를 클램프대(21)에 압압고정한 후 푸셔(28)가 슬라이스 베이스(10b)를 압압하여 슬라이스 베이스(10b)를 박리한다.
박리가 완료되면 클램퍼(25) 및 푸셔(28)가 상승한 후 반송헤드(49)는 다시 반출쪽으로 이동하여 웨이퍼(10)를 다음 공정으로 반출한다. 또한 박리된 슬라이스 베이스(10b)는 바스켓(29)으로 낙하하여 회수된다.
그러나 종래의 방법에서는 온수(12)에 의해 슬라이스 베이스(10b)가 벗겨지기 쉬운 상태로 되나, 박리공정이 온수(12)의 온도보다 낮은 공기중에서 행해지기 때문에 박리시에는 공기나 클램프대(21), 클램퍼(25)와의 접촉등에 의해 슬라이스 베이스(10b)의 접착제 온도가 저하된다.
이 때문에 접착제가 재경화되어서 슬라이스 베이스(10b)가 벗겨지기 어려운 상태로 되어 박리시에 웨이퍼(10)가 쉽게 파손되는 문제가 있다.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼(10)에서 슬라이스 베이스(10b)를 박리할 때 웨이퍼(10)가 파손될 우려가 없는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 웨이퍼의 기판부분을 고정하는 고정부재와, 상기 고정부재로 상기 웨이퍼의 기판부분이 고정된 웨이퍼의 적어도 웨이퍼의 기판부분과 슬라이스 베이스와의 접착부를 가온하는 히터와, 상기 고정부재로 상기 웨이퍼의 기판부분이 고정된 웨이퍼의 슬라이스 베이스를 압압하여 그 슬라이스 베이스를 상기 기판부분에서 박리시키는 압압부재로 된 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 온수가 저장된 온수조와, 웨이퍼를 보호지지하고 그 웨이퍼를 상기 온수조의 위쪽에서 온수조내로 이동하여 상기 온수내에 담기게 하는 리프터부재와,
상기 온수조의 온수내에 담긴 상기 웨이퍼의 기판부분을 고정하는 고정부재와, 상기 고정부재로 상기 웨이퍼의 기판부분이 고정된 웨이퍼의 슬라이스 베이스를 압압하여 그 슬라이스 베이스를 상기 기판부분에서 박리시키는 압압부재로 된 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 웨이퍼의 기판부분을 받치는 클램프대와, 상기 클램프대에 내장되어 소정온도 발열하여 웨이퍼를 가온하는 히터와, 상기 기판부분을 상기 클램프대에 고정하는 클램퍼와, 상기 클램퍼 근방에서 상기 웨이퍼의 기판부분에 접착된 슬라이스 베이스쪽에 설치되어 상기 슬라이스 베이스를 누르는 푸셔로 구성된 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 웨이퍼의 기판부누을 받치는 클램프대와,
상기 기판부분을 상기 클램프대에 고정하는 클램퍼와,
상기 클램퍼 근방에서 상기 웨이퍼의 기판부분에 접착된 슬라이스 베이스쪽에 설치되어 상기 슬라이스 베이스를 누르는 푸셔와,
상기 클램퍼와 상기 푸셔 사이에 설치되어 상기 기판부분과 상기 슬라이스 베이스의 경계부쪽으로 취출구(吹出口)가 형성된 노즐과,
상기 노즐에 접속되어 소정온도의 열풍을 발생하는 열풍발생수단으로 구성된 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 웨이퍼의 기판부분을 받치는 클램프대와, 상기 기판부분을 상기 클램프대에 고정하는 클램퍼와, 상기 클램퍼 근방에 설치되어 웨이퍼의 기판부분에 접착된 슬라이스 베이스를 누르는 푸셔와, 상기 클램프대 근방의 상기 슬라이스 베이스쪽에서 상기 푸셔와 반대쪽에 웨이퍼의 두께방향으로 요동가능하게 설치된 슬라이스 베이스 받침판과, 상기 슬라이스 베이스 받침판에 내장되어 소정온도 발열하여 웨이퍼를 가온하는 히터로 구성되며,
상기 히터에 의한 웨이퍼 가열시에는 상기 슬라이스 베이스 받침판의 상면이 상기 클램프대의 상면과 동일하게 되고, 슬라이스 베이스 박리시에는 상기 슬라이스 베이스 받침판이 상기 슬라이스 베이스에서 분리되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하여 웨이퍼의 기판부분을 고정부재로 고정한 후 히터에 의해 적어도 웨이퍼의 기판부분과 슬라이스 베이스의 접착부를 가온하여 기판 부분과 슬라이스 베이스의 접착제가 연화된 곳에서 압압부재로 슬라이스 베이스를 압압하여 기판부분에서 슬라이스 베이스를 박리한다.
또한 본 발명에 의하면 웨이퍼는 리프터부재에 의해 온수내에 담겨지고, 고정부재에 의해 기판부분이 고정된다.
온수내에서 웨이퍼가 소정온도로 되면 압압부재가 작동해서 슬라이스 베이스를 압압하여 슬라이스베이스를 기판부분에서 박리한다.
따라서 본 발명에서는 박리공정이 온수내에서 행해지기 때문에 박리시에 웨이퍼의 온도는 저하되지 않고 접착제가 벗겨지기 쉬운 상태를 유지하므로 박리시에 있어서의 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면 내장된 히터에 의해 소정온도로 가열유지된 클램프대에 클램퍼가 기판부분을 압압하여 고정한다.
기판부분이 가열유지된 클램프대에 소정시간 접촉하면 기판부분과 슬라이스 베이스를 결합하고 있는 접착제가 유연해지므로 푸셔가 슬라이스 베이스를 압압하여 슬라이스 베이스를 기판부분에서 박리한다.
이 경우 클램프대는 단지 슬라이스 베이스 근방에 형성될 수 있으나, 기판부분 전치를 포함하도록 형성될 수 있다.
또한 본 발명에 의하면 클램퍼가 기판부분을 클램프대에 압압하여 고정함과 동시에 열풍발생수단이 접속된 노즐의 취출구에서 소정온도의 열풍을 토출하여 기판부분과 슬라이스 베이스의 경계부분을 가열한다.
소정시간 열풍으로 가열되면 기판부분과 슬라이스 베이스를 결합하고 있는 접착제가 유연해지므로 푸셔가 슬라이스 베이스를 압압하여 슬라이스 베이스를 기판부분에서 박리한다.
또한 본 발명에 의하면 슬라이스 베이스 받침판의 상면과 클램프대의 상면이 동일면을 형성한 상태일 때 클램퍼가 기판부분을 클램프대에 압압하여 고정하고, 다음에 푸셔가 슬라이스 베이스를 슬라이스 베이스 받침판에 압압한다.
슬라이스 베이스 받침판은 내장된 히터에 의해 소정온도로 가열유지되고 있으며, 슬라이스 베이스가 가열유지된 슬라이스 베이스 받침판에 소정시간 접촉하면 기판부분과 슬라이스 베이스를 결합하고 있는 접착제가 유연해진다.
슬라이스 베이스 받침판이 슬라이스 베이스에 소정시간 접촉한 후 슬라이스 베이스 받침판이 슬라이스 베이스에서 분리되면 푸셔가 슬라이스 베이스를 압압하여 슬라이스 베이스를 기판부분에서 박리한다.
어느 발명에 있어서나 박리가 웨이퍼를 가열한 상태로 행해지기 때문에 박리시에 웨이퍼의 온도는 저하되지 않고 기판부분과 슬라이스 베이스를 결합하고 있는 접착제가 벗겨지기 쉬운 상태를 유지한다.
따라서 박리시에 웨이퍼를 파손할 우려가 없다.
첨부 도면에 의거하여 본 발명에 따른 양호한 실시예를 상세히 설명한다.
제1도, 제2도, 제3도에 본 발명에 따른 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 실시예의 요부를 도시한다.
제1도는 상기 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 일부 단면을 포함한 측면도, 제2도는 제1도에 도시한 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 일부 단면을 포함한 평면도, 제3도는 제1도의 3-3화살표 방향으로 본 도면으로, 모두 웨이퍼(110)가 클램프대(121)에 고정되어 있는 상태를 나타내고 있다. 또한 웨이퍼(110)는 제1도의 좌측에서 반입되어 우측으로 반출된다.
본 발명에 관한 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치는 온수조(111), 박리부(120), 리프터부(130) 반송부(140)로 구성되어 있다.
온수조(111)에는 온수(112)가 저장되고, 온수(112)는 온수조(111)에 설치된 히터(115)에 의해 슬라이스 베이스(110b)의 접착제가 연화되는 온도로 유지되어 있다. 도면 부호 112a는 온수(112)의 수면이다.
박리부(120)의 위치가 본 발명의 특징으로서, 종래예와 달리 온수조(111)의 내측에 있어 웨이퍼(110)의 기판부분(110a)을 받치는 클램프대(121)가 온수(112)내에 설치되어 클램프대(121)의 상면(121a)은 온수(112)의 수면(112a)보다 아래에 위치해 있다.
또한 클램프대(121)의 위쪽에는 웨이퍼(110)의 기판부분(110a)을 클램프대(121)에 압압하여 고정하는 클램퍼(125), 클램퍼(125)를 축(125a)을 사이에 두고 상·하 방향으로 안내하는 가이드(123) (제3도에서 가이드(126)의 후방에 있고 가이드(126)와 동일형상임), 클램퍼(125)를 상·하 방향으로 구동하는 에어실린더(124), 슬라이스 베이스(110b)를 압압하여 박리하는 푸셔(128), 푸셔(128)를 축(128a)을 사이에 두고 상·하 방향으로 안내하는 가이드(126), 푸셔(128)를 상·하 방향으로 구동하는 에어실린더(127), 가이드(123)·에어실린더(124)·가이드(126)·에어실린더(127)를 지지하는 대(122), 박리된 슬라이스 베이스(110b)를 격납하는 바스켓(129) 등이 설치되어 있다.
이 경우 클램퍼(125)는 클램프대(121)의 바로 위에 위치하고, 푸셔(128)는 클램프대(121)와 간섭하지 않는 위치로 되어 있다. 또한 바스켓(129)은 온수조(111)의 내측에 설치되어 있다.
리프터부(130)는 제2도, 제3도에 도시한 바와 같이 온수조(111)의 좌측부에 고착된 가이드(131), 가이드(131)를 따라 상·하 이동 가능하게 설치된 슬라이더(132), 슬라이더(132)를 상·하 방향으로 구동하는 에어실린더(133), 슬라이더(132)에 고착된 암(134), 암(134)의 두군데에 고착된 리프터(135) 등으로 구성되어 있다.
리프터(135)에는 제3도에 도시한 바와 같이 웨이퍼(110)의 외주부가 삽입되는 홈(135a)이 형성되고, 이 홈(135a)에 의해 웨이퍼(110)가 리프터(135)에 보호지지된다.
이것에 의해 리프터(135)는 웨이퍼(110)를 온수조(111)의 위쪽에서 온수(112)내로 이동시킴과 동시에 온수조(11)의 위쪽에서는 웨이퍼(11)의 반송 가이드가 된다.
반송후(140)는 웨이퍼(110)를 온수조(111)의 위쪽 위치에서 다음 공정으로의 반송만을 행한다. 반송부(140)는 제2도, 제3도에 도시한 바와 같이 온수조(111)의 우측부에 고착된 수평가이드(141), 수평가이드(141)를 따라 수평이동 가능하게 설치된 수평슬라이더(142), 수평슬라이더(142)에 내장된 이송너트를 구동하는 이송나사(143), 모터(도시생략)의 회전을 이송나사(143)로 전달하는 풀리(144), 수평슬라이더(142)에 고착된 상·하 가이드(145), 상·하 가이드(145)를 따라 상·하 이동 가능하게 설치된 상·하 슬라이더(146), 상·하 슬라이더(146)를 상·하 방향으로 구동하는 에어실린더(147), 상·하 슬라이더(146)에 고착된 암(148), 암(148)에 고착되어 웨이퍼(110)의 가장자리부에 맞닿는 반송헤드(149) 등으로 구성되어 있다.
반송헤드(149)는 반송부(140)를 구동함으로써 웨이퍼(110)에 맞닿고 웨이퍼(110)를 온수조(111)의 위쪽 위치에서 다음 공정으로 반송한다. 또한 반송헤드(149)는 전공정에서 웨이퍼(110)가 반입될 때에는 제1도중 이점쇄선으로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(110)와 간섭하지 않도록 위쪽으로 이동한다.
다음에 이와 같이 구성된 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치로 웨이퍼(110)에서 슬라이스 베이스(110b)를 박리하는 방법을 설명한다. 웨이퍼(110)는 제1도중 이점쇄선으로 나타낸 바와 같이 리프터(135) 및 반송헤드(149)가 상승단(上昇端) 상태일 때 전공정의 반송장치에 의해 전공정에서 온수조(11)의 위쪽에 위치한 리프터(135)의 홈(135a)내로 반입된다. 웨이퍼(110)가 반입되면 리프터(135)가 하강하여 웨이퍼(110)를 온수(112)내로 이동하고 클램퍼(125)가 기판부분(110a)를 클램프대(121)에 압압 고정한다.
온수(112)내에서 웨이퍼(110)가 소정온도로 되면 푸셔(128)가 하강하여 슬라이스 베이스(110b)를 압압해서 슬라이스 베이스(110b)를 박리한다.
박리가 완료되면 클램퍼(125)와 푸셔(128)가 상승한 후 리프터(135)가 상승하여 웨이퍼(110)를 반입시의 위치로 되돌린다. 다음에 반송헤드(149)가 하강하여 화살표 A로 나타낸 반출쪽으로 이동해서 웨이퍼(110)를 다음 공정으로 반출한다. 또한 박리된 슬라이스 베이스(110b)는 바스켓(129)으로 낙하하여 회수된다.
또한 반송부(140)에서 실시예에서 나타낸 것 이외에 에어실린더 또는 이와 유사한 것이 수평방향 구동을 위해 사용될 수 있다. 또한 특히 본 발명에 따른 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치에서 웨이퍼(110)는 단지 온수조(111)의 위쪽위치에서 다음 공정으로 반송되기 때문에 반송방법은 어떠한 방법이라도 받아들여질 수 있으므로 전공정도 공용(共用) 반송장치를 사용해도 되며, 웨이퍼(110)의 리프터(135)로의 반입 및 리프터(135)로 부터의 반출을 수동으로 하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 관한 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치에 의하면, 웨이퍼(110)는 리프터(135)에 의해 온수(112)내로 이동하고 클램퍼(125)가 기판부분(110a)을 클램프대(121)에 압압 고정한다. 온수(112)내에서 웨이퍼(110)가 소정온도로 되면 푸셔(128)가 하강하여 슬라이스 베이스(110b)를 압압해서 슬리아스 베이스(110b)를 박리한다. 박리가 온수(112)내에서 행해지기 때문에 박리시에 웨이퍼(110)의 온도는 저하되지 않고 접착제가 벗겨지기 쉬운 상태를 유지할 수 있다.
따라서 본 발명 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치에서는 박리시에 있어서의 웨이퍼(110)의 파손을 방지할 수 있다.
또한 웨이퍼(110)는 단지 온수조(111)의 위쪽 위치에서 다음 공정으로 반송되기 때문에 반송장치를 저렴하게 제작할 수 있다.
제8도, 제9도, 제10도에 본 발명에 따른 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 실시예 2의 요부를 도시한다. 제8도는 평면도 (윗부분은 일부 단면도), 제9도는 제8도의 9-9 단면도, 제10도는 제8도의 10화살표방향으로 본 도면으로, 웨이퍼(110)는 제8도의 좌측에서 반입되어 우측으로 반출된다. 모두 웨이퍼(110)가 고정되고 슬라이스 베이스(110b)가 박리되기 전의 상태를 나타내고 있다.
제8도, 제9도, 제10도에 있어서 문형 베이스(211)의 하부판(211a)의 상면에 단열판(212)을 사이에 두고 클램프대(213)가 고착되고, 클램프대(213)에는 소정온도 발열을 하는 히터(214)가 내장되어 있다.
클램프대(213)의 슬라이스 베이스(110b)측의 형상은 기판부분(110a)과 동일한 형상(원호)이고, 폭은 슬라이스 베이스(110b)의 폭보다 다소 크게 되어 있다.
또한 클램프대(213)의 위쪽으로 베이스(211)의 상부판(211b)의 하면에는 두 개의 에어 실린더(215)가 고착되고, 에어 실린더(215)의 각각의 피스톤(215a)에는 클램퍼(216)가 설치되어 있다.
또한 상부판(211b)의 하면에는 에어 실린더(215) 근방의 슬라이스 베이스(110b)측에 두 개의 에어 실린더(217)가 고착되고, 에어 실린더(217)의 각각의 피스톤(217a)에는 푸셔(218)가 설치되어 있다. 클램프대(213)의 아래쪽에는 바스켓(219)이 설치되어 있다.
다음에 이와 같이 구성된 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치로 기판부분(110a)에서 슬라이스 베이스(110b)를 박리하는 작용을 설명한다.
도시하지 않은 반송수단에 의해 절단후 세정된 웨이퍼(110)가 클램프대(213)의 소정위치로 반입되면 클램퍼(216)가 하강하여 기판부분(110a)을 클램프대(213)에 압압하여 고정한다.
클램퍼(216)가 기판부분(110a)을 클램프대(213)에 고정하여 소정시간 경과하면 푸셔(218)가 슬라이스 베이스(110b)를 압압하여 슬라이스 베이스(110b)를 기판부분(110a)에서 박리한다. 박리된 슬라이스 베이스(110b)는 낙하하여 바스켓(219)에 격납된다.
이 경우 클램프대(213)에는 히터(214)가 내장되어 소정온도(약 100℃)로 가열 유지되고 있으며, 기판부분(110a)이 클램프대(213)에 소정시간 접촉하면 기판부분(110a)과 슬라이스 베이스(110b)를 결합하고 있는 접착제가 고온으로 되어 유연해지므로 용이하게 박리할 수 있는 상태로 된다.
또한 이 경우 클램프대(213)는 단지 슬라이스 베이스(110b) 근방에 배치될 수 있으나, 기판부분(110a) 전체를 가열하기 위하여 전체를 포함하는 형상으로 될 수 있다.
제11도, 제12도, 제13도에 본 발명에 따른 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 실시예 3의 요부를 도시한다. 제11도는 평면도 (윗부분은 일부 단면도), 제12도는 제11도의 12-12 단면도, 제13도는 제11도의 13-13단면도(부분상세도)로, 웨이퍼(110)는 제11도의 좌측에서 반입되어 우측으로 반출된다.
모두 웨이퍼(110)가 고정되고 슬라이스 베이스(110b)가 박리되기 전의 상태를 나타내고 있다.
제11도, 제12도, 제13도에 있어서 문형베이스(221)의 하부판(221a)의 상면에 클램프대(222)가 고착되어 있다. 클램프대(222)의 슬라이스 베이스(110b)측의 형상은 기판부분(110a)과 동일한 형상(원호)이고, 폭은 슬라이스 베이스(110b)의 폭보다 다소 크게 되어 있다.
클램프대(222)의 위쪽으로 베이스(221)의 상부판(221b)의 하면에는 두 개의 에어 실린더(223)가 고착되고, 에어 실린더(223)의 각각의 피스톤(223a)에는 클램퍼(224)가 설치되어 있다.
또한 상부판(221b)의 하면에는 에어 실린더(223)근방의 슬라이스 베이스(110b)측에 두 개의 에어실린더(225)가 고착되고, 에어실린더(225)의 각각의 피스톤(225a)에는 푸셔(226)가 설치되어 있다.
또한 클램퍼(224)와 푸셔(226) 사이에는 노즐(228)이 설치되고, 이 노즐(228)의 취출구(228a)는 기판부분(110a)과 슬라이스 베이스(110b)의 경계형상(원호)과 거의 동일한 형상으로 형성되어 있다.
또한 노즐(228)에는 소정온도의 열풍을 발생하는 열풍발생수단(227)이 접속되어 있다. 클램프대(222)의 아래쪽에는 바스켓(229)이 설치되어 있다.
다음에 이와 같이 구성된 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치로 기판부분(110a)에서 슬라이스 베이스(110b)를 박리하는 작용을 설명한다.
도시하지 않은 반송수단에 의해 절단후 세정된 웨이퍼(110)가 클램프대(222)의 소정위치로 반입되면 클램퍼(224)가 하강하여 기판부분(110a)를 클램프대(222)에 압압하여 고정한다.
다음에 열풍발생수단(227)이 접속된 노즐(228)의 취출구(228a)에서 소정 온도의 열풍이 토출되어 기판부분(110a)과 슬라이스 베이스(110b)의 경계부분이 가열된다.
이 상태로 소정시간 경과하면 푸셔(226)가 슬라이스 베이스(110b)를 압압하여 슬라이스 베이스(110b)를 기판부분(110a)에서 박리한다.
박리된 슬라이스 베이스(110b)는 낙하하여 바스켓(229)에 격납된다.
이 경우 열풍발생수단(227)에서 노즐(228)을 사이에 두고 토출되는 열풍은 소정온도(약 100℃)로 가열 유지되고 있으며, 그 열풍을 소정시간 받으면 기판부분(110a)과 슬라이스 베이스(110b)를 결합하고 있는 접착제가 고온으로 되어 유연해지므로 용이하게 박리할 수 있는 상태로 된다.
제14도, 제15도, 제16도, 제17도에 본 발명에 따른 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 실시예 4의 요부를 도시한다. 제14도는 평면도(윗부분은 일부 단면도), 제15도는 제14도의 15-15 단면도, 제16도는 제14도의 16 화살표 방향으로 본 도면, 제17도는 제14도의 17 화살표 방향으로 본 도면으로, 웨이퍼(110)는 제14도의 상측에서 반입되어 하측으로 반출된다. 모두 웨이퍼(110)가 고정되고 슬라이스 베이스(110b)가 박리되기 전의 상태를 나타내고 있다.
제14도, 제15도, 제16도, 제17도에 있어서 문형베이스(231)의 하부판(231a)의 상면에 클램프대(232)가 고착되어 있다. 클램프대(232)의 슬라이스 베이스(110b)측의 형상은 기판부분(110a)과 동일한 형상(원호)이고, 폭은 슬라이스 베이스(110b)의 폭보다 다소 크게 되어 있다.
클램프대(232)의 위쪽으로 베이스(231)의 상부판(231b)의 하면에는 두 개의 에어 실린더(233)가 고착되고, 에어 실린더(233)의 각각의 피스톤(233a)에는 클램퍼(234)가 설치되어 있다.
또한베이스(231) 양측의 세로판(231c)에는 각각 베어링(236)이 설치되고, 베어링(236)으로 브래킷(237)이 요동 가능하게 지지되어 있다. 브래킷(237)의 요동축에는 암(242)이 고착되고, 암(242)는 홀더(243)로 지지된 에어 실린더(244)에 의해 약 90°요동한다.
브래킷(237)에는 단열판(238)을 사이에 두고 슬라이스 베이스 받침판(240)이 고착되어 있으나, 슬라이스 베이스 받침판(240)의 상면 (슬라이스 베이스(110b) 접촉면)은 브래킷(237)에 설치된 스토퍼(239)에 의해 클램프대(232)의 상면(기판부분(110a) 접촉면)과 동일면까지 밖에 요동할 수 없게 되어 있다.
슬라이스 베이스 받침판(240)에는 소정온도 발열을 하는 히터(241)가 내장되어 있다. 슬라이스 베이스 받침판(240)의 기판부분(110a)측의 형상은 기판부분(110a)과 동일한 형상(원호)이고, 폭은 종횡 모두 슬라이스 베이스(110b)의 폭보다 다소 크게 되어 있다.
또한 상부판(231b)의 하면에는 에어 실린더(233) 근방의 슬라이스 베이스(110b)측에 두 개의 가이드(245)가 고착되고, 가이드(245)에는 각각 푸셔(246)가 상하 이동 가능하게 지지됨과 동시에 압축스프링(248)에 의해 아래쪽으로 힘이 가해져 있다. 푸셔(246)의 위쪽에는 클로우(claw; 247)가 설치되어 있다.
클램프대(232)의 아래쪽에는 바스켓(249)이 설치되어 있다.
이와 같이 구성된 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치로 기판부분(110a)에서 슬라이스 베이스(110b)를 박리하는 작용을 설명한다.
슬라이스 베이스 받침판(240)의 상면과 클램프대(232)의 상면이 동일면을 형성한 상태(스토퍼(239)가 클램프대(232)의 하면에 맞닿은 상태)일 때 도시하지 않은 반송수단에 의해 절단후 세정된 웨이퍼(110)가 클램프대(232)의 소정 위치로 반입되면 클램퍼(234)가 하강하여 기판부분(110a)를 클램프대(232)에 압압해서 고정한다.
클램퍼(234)가 상승단에 있을 때는 클로우(247)에 의해 푸셔(246)도 위쪽으로 끌어올려져 있으나, 클램퍼(234)가 하강하면 푸셔(246)는 압축스프링(248)에 의해 아래쪽으로 힘이 가해져서 슬라이스 베이스(110b)를 슬라이스 베이스 받침판(240)에 압압한다.
클램퍼(234)가 기판부분(110a)을 클램프대(232)에 고정하고 푸셔(246)가 슬라이스 베이스(110b)를 슬라이스 베이스 받침판(240)에 압압하여 소정시간 경과하면 에어 실린더(244)에 의해 슬라이스 베이스 받침판(240)이 슬라이스 베이스(110b)에서 분리되는 방향으로 움직이므로 푸셔(246)는 압축스프링(248)에 의해 더욱 아래쪽으로 힘이 가해져서 슬라이스 베이스(110b)를 압압하여 슬라이스 베이스(110b)를 기판부분(110a)에서 박리한다. 박리된 슬라이스 베이스(110b)는 낙하하여 바스켓(249)에 격납된다.
이 경우 슬라이스 베이스 받침판(240)에는 히터(241)가 내장되어 소정온도 (약 100℃)로 가열 유지되고 있으며, 기판부분(110a)이 슬라이스 베이스 받침판(240)에 소정시간 접촉하면 기판부분(110a)과 슬라이스 베이스(110b)를 결합하고 있는 접착제가 고온으로 되어 유연해지므로 용이하게 박리할 수 있는 상태로 된다.
제18도 및 제19도에 본 발명에 따른 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치의 실시예 5의 요부를 도시한다. 실시예 5는 실시예 2와 동일한 가열방법으로서, 실시예 2와는 웨이퍼(110)의 위치/반송방향이 다르다.
실시예 2에서 웨이퍼(110)의 위치는 두께방향이 상하방향으로, 반송방향이 수평방향, 즉 슬라이스 베이스(110b) 방향인 경우였으나, 실시예 5에서 웨이퍼(110)의 위치는 두께방향이 수평방향으로, 반송이 상·하 방향, 즉 슬라이스 베이스(110b)와 직각방향인 경우다.
전체의 기구는 실시예 2와 동일하다. 제18도는 평면도, 제19도는 제18도의 19-19 단면도이다. 제18도는 웨이퍼(110)가 고정되고 슬라이스 베이스(110b)가 박리되기 전의 상태를 나타내고 있다.
제18도 및 제19도에 있어서자형 베이스(251)의 측판(251a)의 내면에 단열판(252)을 사이에 두고 클램프대(253)가 고착되고, 클램프대(253)에는 소정온도 발열을 하는 히터(254)가 내장되어 있다.
클램프대(253)의 슬라이스 베이스(110b)측의 형상은 기판부분(110a)과 동일한 형상(원호)이고, 폭은 슬라이스 베이스(110b)의 폭보다 다소 크게 되어 있다.
또한 클램프대(253)의 측방으로 베이스(251)의 측판(251b)의 내면에는 두 개의 에어 실린더(255)가 고착되고, 에어 실린더(255)의 각각의 피스톤(255a)에는 클램퍼(256)가 설치되어 있다.
또한 측판(251b)의 내면에는 에어 실린더(255) 근방의 슬라이스 베이스(110b)측에 두 개의 에어 실린더(257)가 고착되고, 에어 실린더(257)의 각각의 피스톤(257a)에는 푸셔(258)가 설치되어 있다.
이와 같이 구성된 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치로 기판부분(110a)에서 슬라이스 베이스(110b)를 박리하는 작용을 설명한다. 도시하지 않은 반송수단에 의해 절단후 세정된 웨이퍼(110)가 클램프대(253)의 소정위치로 반입되면 클램퍼(256)가 기판부분(110a)을 클램프대(253)에 압압하여 고정한다. 클램퍼(256)가 기판부분(110a)을 클램프대(253)에 고정하여 소정시간 경과하면 푸셔(258)가 슬라이스 베이스(110b)를 압압하여 슬라이스 베이스(110b)를 기판부분(110a)에서 박리한다. 박리된슬라이스 베이스(110b)는 낙하하여 도시하지 않은 바스켓 등에 격납된다.
이 경우 클램프대(253)에는 히터(254)가 내장되어 소정온도 (약 100℃)로 가열 유지되고 있으며, 기판부분(110a)이 클램프대(253)에 소정시간 접촉하면 기판부분(110a)과 슬라이스 베이스(110b)를 결합하고 있는 접착제가 고온으로 되어 유연해지므로 용이하게 박리할 수 있는 상태로 된다.
또한 이 경우도 실시예 2와 마찬가지로 클램프대(253)는 단지 슬라이스 베이스(110b) 근방에 배치될 수 있으나 기판부분(110a) 전체를 포함하는 형상으로 하여 기판부분(110a) 전체를 가열해도 된다.
또한 본 발명은 웨이퍼(110)의 위치/반송 방향에는 한정되지 않는다.
즉, 실시예 2, 실시예 3, 실시예 4에 있어서는 웨이퍼(110)를 슬라이스 베이스(110b) 방향으로 반송하는 경우에 대하여 설명하였으나, 이것에 한정하지 않고 웨이퍼(110)를 이것과 직각방향으로 반송해도 된다.
이 경우는 베이스(211), 베이스(221), 베이스(231)의 형상을 실시예 5와 같이자형으로 한다. 또한 실시예 3, 실시예 4에서 웨이퍼(110)의 두께방향은 상·하 방향이고 수평방향으로 반송하도록 하였으나, 본 발명은 이것에 제한되지 않고 실시예 5와 같이 웨이퍼(110)의 두께방향은 수평방향이고 상·하 방향으로 반송해도 된다. 웨이퍼(110)가 상·하 방향으로 반송되었을 경우(실시예 4도 포함하여)에도 웨이퍼(110)를 슬라이스 베이스(110b) 방향으로 반송하거나 이것과 직각방향으로 반송해도 된다.
또한 모든 실시예에서는 클램퍼(216, 224, 234, 256)는 각각 두 개로 하였으나, 실시예 2, 실시예 3, 실시예 5에서는 이것에 한정하지 않고 중앙부근에 한 개 설치해도 된다. 또한 모든 실시예서는 푸셔(218, 226, 246, 258)는 각각 두 개로 하였으나 이것에 한정하지 않고 슬라이스 베이스(110b) 전체를 포함하는 형상 한 개로 해도 된다.
이 경우는 종래의 기술에서 나타낸 예와 같이 에어 실린더와는 별도로 푸셔의 가이드가 필요한 것은 물론이다. 또한 클램퍼(216, 224, 234, 256) 및 푸셔(218, 226, 246, 258)의 구동에 대해서는 에어실린더의 경우에 대하여 설명하였으나, 다른 구동수단이라도 된다. 실시예 4의 슬라이스 베이스 받침판(240)의 구동에 대해서도 마찬가지이다.
그러나, 본 발명은 공개되는 특별한 형태에 의해 제한되는 것이 아니라 청구범위에서 표현된 본 발명의 정신과 범위 내에서 모든 변형, 대안적인 구조와 동등물을 포함한다.

Claims (13)

  1. 웨이퍼의 기판부분을 고정하는 고정부재와; 상기 고정부재로 상기 웨이퍼의 기판부분이 고정된 웨이퍼의 적어도 웨이퍼의 기판부분과 슬라이스 베이스와의 접착부를 가온하는 히터와; 상기 고정부재로 상기 웨이퍼의 기판부분이 고정된 웨이퍼의 슬라이스 베이스를 압압하여 그 슬라이스 베이스를 상기 기판부분에서 박리시키는 압압부재로 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  2. 온수가 저장된 온수조와; 웨이퍼를 보호지지하고 그 웨이퍼를 상기 온수조의 위쪽에서 온수조내로 이동하여 상기 온수내에 담기게 하는 리프터 부재와; 상기 온수조의 온수내에 담긴 상기 웨이퍼의 기판부분을 고정하는 고정부재와; 상기 고정부재로 상기 웨이퍼의 기판부분이 고정된 웨이퍼의 슬라이스 베이스를 압압하여 그 슬라이스 베이스를 상기 기판부분에서 박리시키는 압압부재로 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 고정부재는 상기 웨이퍼의 기판부분이 설치되는 클램프대와, 상기 클램프대에 설치된 웨이퍼의 기판부분을 클램프대와의 사이에서 끼워붙여 고정하는 클램퍼부재로 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 온수조내의 온수는 히터에 의해 소정온도로 유지되고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 온수조내에는 상기 압압부재에 의해 박리된 상기 슬라이스 베이스가 회수되는 바스켓 부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼슬라이스 베이스 박리장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치에는 상기 슬라이스 베이스가 박리되어 상기 리프터 부재에 의해 상기 온수조의 위쪽 위치로 이동되어온 웨이퍼를 다음 공정으로 반송하는 반송부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  7. 웨이퍼의 기판부분을 받치는 클램프대와; 상기 클램프대에 내장되어 소정온도 발열하여 웨이퍼를 가온하는 히터와; 상기 기판부분을 상기 클램프대에 고정하는 클램퍼와; 상기 클램퍼 근방에서 상기 웨이퍼의 기판부분에 접착된 슬라이스 베이스측에 설치되어 상기 슬라이스 베이스를 누르는 푸셔로 구성된 것은 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 히터는 상기 웨이퍼의 기판부분과 슬라이스 베이스를 접착하는 접착제를 연화시키는 온도로 발열하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  9. 웨이퍼의 기판부분을 받치는 클램프대와; 상기 기판부분을 상기 클램프대에 고정하는 클램퍼와; 상기 클램퍼 근방에서 상기 웨이퍼의 기판부분에 접착된 슬라이스 베이스측에 설치되어 상기 슬라이스 베이스를 누르는 푸셔와; 상기 클램퍼와 상기 푸셔 사이에 설치되어 상기 기판부분과 상기 슬라이스 베이스의 경계부쪽으로 취출구(吹出口)가 형성된 노즐과; 상기 노즐에 접속되어 소정온도의 열풍을 발생하는 열풍발생수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 노즐이 취출구는 상기 웨이퍼의 기판부분과 슬라이스 베이스와의 경계형상과 거의 동일한 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 열풍발생수단은 상기 웨이퍼의 기판부분과 슬라이스 베이스를 접착하는 접착제를 연화시키는 온도의 열풍을 발생하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  12. 웨이퍼의 기판부분을 받치는 클램프대와; 상기 기판부분을 상기 클램프대에 고정하는 클램퍼와; 상기 클램퍼 근방에 설치되어 웨이퍼의 기판부분에 접착된 슬라이스 베이스를 누르는 푸셔와; 상기 클램프대 근방의 상기 슬라이스 베이스측에서 상기 푸셔와 반대쪽에 웨이퍼의 두께방향으로 요동 가능하게 설치된 슬라이스 베이스 받침판과; 상기 슬라이스 베이스 받침판에 내장되어 소정온도 발열하여 웨이퍼를 가온하는 히터로 구성되며, 상기 히터에 의한 웨이퍼가열시에는 상기 슬라이스 베이스 받침판의 상면이 상기 클램프대의 상면과 동일하게 되고, 슬라이스 베이스 박리시에는 상기 슬라이스 베이스 받침판이 상기 슬라이스 베이스에서 분리되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 히터는 상기 웨이퍼의 기판부분과 슬라이스 베이스를 접착하는 접착제를 연화시키는 온도로 발열하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5950643A (en) * 1995-09-06 1999-09-14 Miyazaki; Takeshiro Wafer processing system
US6261047B1 (en) * 1997-02-20 2001-07-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component feeder
US6159827A (en) * 1998-04-13 2000-12-12 Mitsui Chemicals, Inc. Preparation process of semiconductor wafer
US20080200011A1 (en) * 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
WO2015087192A1 (en) 2013-12-12 2015-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and peeling apparatus
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102101265B1 (ko) * 2018-11-19 2020-04-16 이충석 슬림로드 디본딩 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5612735A (en) * 1979-07-10 1981-02-07 Nec Corp Peeling of monocrystalline wafer
AU6651581A (en) * 1980-02-01 1981-08-06 Rhone-Poulenc, Inc. 2-nitro-(substituted phenoxy) benzoyl derivatives as herbicides
US4537244A (en) * 1982-05-25 1985-08-27 Varian Associates, Inc. Method for optimum conductive heat transfer with a thin flexible workpiece
US4921564A (en) * 1988-05-23 1990-05-01 Semiconductor Equipment Corp. Method and apparatus for removing circuit chips from wafer handling tape
US5240882A (en) * 1988-06-28 1993-08-31 Naoetsu Electronics Co. Process and apparatus for making discrete type substrates by re-slicing a wafer
JP3053256B2 (ja) * 1991-06-27 2000-06-19 トーヨーエイテック株式会社 ウェハのスライスベース剥離・洗浄方法及び装置並びにウェハの処理搬送装置
US5427644A (en) * 1993-01-11 1995-06-27 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor wafer and system therefor
JP3119324B2 (ja) * 1993-01-11 2000-12-18 株式会社東京精密 ウェーハのスライスベースの剥離装置
BE1008503A3 (nl) * 1994-07-18 1996-05-07 Agfa Gevaert Nv Initiatie van de delaminatie van een droog verwerkbaar beeld.
US5578167A (en) * 1996-01-31 1996-11-26 Motorola, Inc. Substrate holder and method of use

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