JP2010072529A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010072529A JP2010072529A JP2008242366A JP2008242366A JP2010072529A JP 2010072529 A JP2010072529 A JP 2010072529A JP 2008242366 A JP2008242366 A JP 2008242366A JP 2008242366 A JP2008242366 A JP 2008242366A JP 2010072529 A JP2010072529 A JP 2010072529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- layer
- display device
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/28—Adhesive materials or arrangements
Abstract
【解決手段】
液晶層を介して対向配置される第1基板及び第2基板を有し、前記第1基板及び第2基板が樹脂基材で形成される液晶表示装置であって、前記第1基板の液晶層側に形成され、マトリクス状に画素が形成される液晶駆動層を当当該第1基板に固定する粘着層と、前記画素に対応する遮光膜及び色フィルタ層と前記第2基板との間に形成され、該第2基板よりも熱膨張係数が小さい薄膜材料からなる下地層とを備えた液晶表示装置である。
【選択図】図4
Description
〈全体の構成〉
図1は本発明の実施形態1の液晶表示装置の概略構成を説明するための平面図である。
図2は実施形態1の液晶表示装置における画素の概略構成を説明するための平面図であり、図3は図2のB−B’線での断面図である。また、以下に示す薄膜は公知のフォトリソグラフィ技術により形成可能であるので、形成方法の詳細な説明は省略する。また、説明を簡単にするために、TFT側基板pl1及びCF側基板pl2に形成される配向膜及び偏光板等は省略している。さらには、図2においてはCF側基板pl2に形成されるブラックマトリクスbm及び色フィルタ層if等は省略している。
図4は本願発明の実施形態1の液晶表示装置の詳細構成を説明するための断面図であり、図5は本願発明の実施形態1のカラーフィルタ側基板の平面図である。特に、図5に示す平面図は液晶側の面すなわちTFT側基板pl1と対向する側の平面図である。ただし、以下の説明では、前述する画素の項で説明したTFT側樹脂基材sub1のTFT下地層uc1よりも上層に形成される半導体層as、絶縁膜gi、層間絶縁膜in1、ゲート電極gt、ドレイン電極dt、ソース電極dt、無機絶縁膜pas1、有機絶縁膜paso、共通電極ct、容量絶縁膜pas2、画素電極px、ドレイン線dl、ゲート線gl、並びに図示しない配向膜等はTFT層(液晶駆動層)tftとして略記する。また、カラーフィルタ下地層uc2よりも上層(図中の下側)に形成されるブラックマトリクスbm、色フィルタ層if、オーバーコート層oc、並びに図示しない配向膜等はカラーフィルタ層cfとして略記する。
現状、必要十分な特性を得ることができる半導体素子を樹脂基板上に直接形成することはできないので、本願発明の実施形態1では、まずTFT層tftを形成する際の下地層(TFT下地層)uc1としてガラス基材(TFT形成用ガラス基材)gl1上に窒化シリコンと酸化シリコンの積層膜を形成する。次に、このTFT下地層uc1の上層に、現状の高温プロセスを用いてTFT層tftを形成する。このとき、本実施形態1の液晶表示装置においては、前述するように、TFT側基板pl1とCF側基板pl2とが重畳する領域の外側の領域に端子領域trmが形成される構成となっているので、図中のガラス基材gl1の左側端部に端子領域trmが形成される。
次に、ガラス基材gl1の図中上面側にTFT層tftを覆うようにして、TFT層保護基材cv1となる薄膜層を形成する。次に、TFT層保護基材cv1を支持材として、例えばフッ酸を主体としたエッチング液を用いて化学的研磨により、ガラス基材gl1を除去する。このとき、TFT下地層uc1は耐フッ酸性を有するので、化学的研磨においてガラス機材gl1が除去されることとなる。なお、ガラス基材gl1の除去は化学的研磨に限定されることはなく、例えば機械的研磨や機械的研磨と化学的研磨とを併用した研磨方法でもよい。なお、TFT下地層uc1としては窒化シリコンと酸化シリコンの積層膜に限定されることはなく、耐フッ酸性を有する材料が望ましいが、他の膜材料でもよい。
次に、ガラス基材gl1を除去した後のTFT層tftは、TFT層保護基材cv1で支持された状態のままで粘着層ad1によりTFT側樹脂基材sub1と貼り合わされる。この工程3により、TFT側基板pl1の基材がTFT側樹脂基材sub1となる。
次に、TFT層tftの上層に形成されるTFT層保護基材cv1を剥離することにより、ガラス基材gl1上に形成したTFT層tftのTFT側樹脂基材sub1への転写が完了することとなる。このように、本実施形態1では、転写の際には積層膜ごとTFT側樹脂基材sub1上にTFT層tftを転写する構成となっている。
図7は本発明の実施形態2の液晶表示装置の詳細構成を説明するための断面図である。なお、実施形態2の液晶表示装置において、CF側基板pl2の構成を除く他の構成は実施形態1の液晶表示装置と同様となるので、以下の説明ではCF側基板pl2について詳細に説明する。
まず、カラーフィルタ層cfを形成する際の下地層(カラーフィルタ下地層)uc2として、ガラス基材(カラーフィルタ形成用ガラス基材)gl2の図中上面に酸素を添加した窒化シリコンの薄膜層を形成する。なお、このときのカラーフィルタ下地層uc2の膜厚は300nmであり、熱膨張係数は3〜15ppm/℃となるように添加する元素が調整されている。これにより、CF側基板pl2においてもTFT層tftの熱膨張に近い特性を与えることができるので、工程上もしくは使用環境においての破損を防止することが可能となる。
次に、ガラス基材gl2の図中上面側にオーバーコート層ocを覆うようにして、カラーフィルタ層保護基材cv2となる薄膜層を形成する。次に、カラーフィルタ層保護基材cv2を支持材として、例えばフッ酸を主体としたエッチング液を用いて化学的研磨(化学エッチング)により、ガラス基材gl2を除去する。このとき、カラーフィルタ下地層uc2は耐フッ酸性を有するので、化学的研磨においてガラス基材gl2が除去されることとなる。なお、カラーフィルタ下地層uc2としては窒化シリコンに限定されることはなく、耐フッ酸性を有する材料が望ましいが、他の膜材料でもよい。また、ガラス基材gl2の除去は化学的研磨に限定されることはなく、例えば機械的研磨や機械的研磨と化学的研磨を併用した研磨方法でもよい。
次に、ガラス基材gl2を除去した後のカラーフィルタ層保護基材cv2に支持されるカラーフィルタ層cfは、粘着層ad2によりカラーフィルタ側樹脂基材sub2と貼り合わされる。この工程3により、CF側基板pl2の基材がカラーフィルタ側樹脂基材sub2となる。
次に、カラーフィルタ層cfの上層に形成されるカラーフィルタ層保護基材2を剥離することにより、ガラス基材gl2に形成したカラーフィルタ層cfのカラーフィルタ側樹脂基材sub2への転写が完了することとなる。このように、実施形態2では、転写の際にはカラーフィルタ下地層uc2ごとカラーフィルタ側樹脂基材sub2上にカラーフィルタ層cfを転写する構成となっている。
図10は本発明の実施形態3の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図であり、図11は本発明の実施形態3の液晶表示装置のカラムスペーサの配置位置を説明するための平面図である。なお、実施形態3の液晶表示装置において、カラムスペーサ(柱状スペーサ)csの構成を除く他の構成は実施形態1の液晶表示装置と同様となるので、以下の説明ではカラムスペーサcsについて詳細に説明する。また、カラムスペーサの形成は公知のフォトリソグラフィ技術により可能であるので、その詳細な説明は省略する。
sub2・・・カラーフィルタ側樹脂基材、fpc・・・フレキシブルプリント基板
dl・・・ドレイン線、gl・・・ゲート線、cl・・・コモン線、gi・・・絶縁膜
gt・・・ゲート電極、dt・・・ドレイン電極、st・・・ソース電極
tft・・・TFT層、px・・・画素電極、ct・・・共通電極
ch1、2・・・コンタクトホール、as・・・半導体層、in1・・・層間絶縁膜
ad1、ad2・・・粘着層、sl・・・液晶セルシール、trm・・・端子領域
uc1・・・TFT下地層、uc2・・・カラーフィルタ下地層、pd・・・パッド部
if・・・色フィルタ層、cf・・・カラーフィルタ層、oc・・・オーバーコート層
pl1・・・TFT側基板、pl2・・・カラーフィルタ側基板
pas1・・・無機絶縁膜、paso・・・有機絶縁膜、pas2・・・容量絶縁膜
cst1・・・保持容量、bm・・・ブラックマトリクス、cs・・・カラムスペーサ
cv1・・・TFT層保護基材、cv2・・・カラーフィルタ層保護基材
Claims (10)
- 液晶層を介して対向配置される第1基板及び第2基板を有し、前記第1基板及び第2基板が樹脂基材で形成される液晶表示装置であって、
前記第1基板の液晶層側に形成され、マトリクス状に画素が形成される液晶駆動層を当当該第1基板に固定する粘着層と、
前記画素に対応する遮光膜及び色フィルタ層と前記第2基板との間に形成され、該第2基板よりも熱膨張係数が小さい薄膜材料からなる下地層と
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶層を介して対向配置される第1基板及び第2基板を有し、前記第1基板及び第2基板が樹脂基材で形成される液晶表示装置であって、
前記第1基板の液晶層側に形成され、マトリクス状に画素が形成される液晶駆動層を当該第1基板に固定する第1の粘着層と、
前記第2基板の液晶層側に形成され、前記画素に対応する遮光膜及び色フィルタ層が形成されるカラーフィルタ層を当該第2基板に固定する第2の粘着層と、
前記カラーフィルタ層の液晶層側に形成され、前記第2基板よりも熱膨張係数が小さい薄膜層からなる下地層と
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記下地層は熱膨張係数が3〜15ppm/℃の薄膜層からなることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至3の内のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第1基板と前記第2基板とを固定するシール材と前記下地層とが重畳して形成され、少なくとも前記シール材の一部が前記下地層と環状に密接されることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至4の内のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記下地層は耐フッ酸性を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至5の内のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記下地層は無機材料からなる薄膜層であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項6に記載の液晶表示装置において、
前記下地層は窒化物からなる薄膜層であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至7の内のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記下地層は酸素を含む材料からなる薄膜層であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至8の内のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記下地層は膜厚300nm以上の薄膜層からなることを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶層を介して対向配置される第1基板及び第2基板を有し、前記第1基板及び第2基板が樹脂基材で形成される液晶表示装置の製造方法であって、
前記樹脂基材よりも耐熱性を有する第1基材上に、画素に対応する遮光膜及び色フィルタ層並びに保護膜を形成する工程と、
前記第1基材の上面側に、前記遮光膜及び色フィルタ層並びに保護膜を支持すると共に保護する保護基材を形成する工程と、
前記第1基材を化学的及び/又は機械的に除去する工程と、
前記第1基材が除去された前記遮光膜及び色フィルタ層並びに保護膜を、粘着層を介して前記第1基板に固定する工程と、
前記第1基板に固定された前記遮光膜及び色フィルタ層並びに保護膜の上層から前記保護基材を除去する工程と
を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008242366A JP2010072529A (ja) | 2008-09-22 | 2008-09-22 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US12/563,216 US20100073615A1 (en) | 2008-09-22 | 2009-09-21 | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008242366A JP2010072529A (ja) | 2008-09-22 | 2008-09-22 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010072529A true JP2010072529A (ja) | 2010-04-02 |
JP2010072529A5 JP2010072529A5 (ja) | 2012-05-10 |
Family
ID=42037285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008242366A Abandoned JP2010072529A (ja) | 2008-09-22 | 2008-09-22 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100073615A1 (ja) |
JP (1) | JP2010072529A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014038320A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
KR20140047536A (ko) * | 2012-10-12 | 2014-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 터치 패널 |
JP2014160603A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Japan Display Inc | シートディスプレイ |
WO2015083029A1 (en) * | 2013-12-02 | 2015-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP2016194725A (ja) * | 2010-08-17 | 2016-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
CN112666742A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011502647A (ja) * | 2007-11-06 | 2011-01-27 | ハイドロドット, インク. | 脳波記録を実行するための装置及び方法 |
US9588265B2 (en) * | 2011-07-11 | 2017-03-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Color filter forming substrate, method of manufacturing same and display device |
US10586817B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus |
JP2017207744A (ja) | 2016-05-11 | 2017-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、モジュール、及び電子機器 |
KR102389537B1 (ko) | 2016-07-29 | 2022-04-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 |
TW201808628A (zh) | 2016-08-09 | 2018-03-16 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
CN109239966A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板、显示装置及显示基板的制造方法 |
KR20210073955A (ko) * | 2019-12-11 | 2021-06-21 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000267073A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Nec Corp | カラー液晶表示パネル及びその製造方法 |
JP2002090712A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-27 | Sharp Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2004295109A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
JP2006243097A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、パターン形成方法、及び露光装置 |
JP2009199006A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003172946A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
EP2037433B1 (en) * | 2006-06-15 | 2012-07-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display and process for producing the same |
-
2008
- 2008-09-22 JP JP2008242366A patent/JP2010072529A/ja not_active Abandoned
-
2009
- 2009-09-21 US US12/563,216 patent/US20100073615A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000267073A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Nec Corp | カラー液晶表示パネル及びその製造方法 |
JP2002090712A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-27 | Sharp Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2004295109A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
JP2006243097A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、パターン形成方法、及び露光装置 |
JP2009199006A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016194725A (ja) * | 2010-08-17 | 2016-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US9995970B2 (en) | 2010-08-17 | 2018-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a liquid crystal device comprising an alignment film formed under reduced pressure |
US11841595B2 (en) | 2012-07-20 | 2023-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11137651B2 (en) | 2012-07-20 | 2021-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9366894B2 (en) | 2012-07-20 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10852576B2 (en) | 2012-07-20 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11543718B2 (en) | 2012-07-20 | 2023-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10877338B2 (en) | 2012-07-20 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2014038320A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US10437091B2 (en) | 2012-07-20 | 2019-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2017142525A (ja) * | 2012-07-20 | 2017-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US10018887B2 (en) | 2012-07-20 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11327376B2 (en) | 2012-07-20 | 2022-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR102156943B1 (ko) * | 2012-10-12 | 2020-09-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 터치 패널 |
KR20140047536A (ko) * | 2012-10-12 | 2014-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 터치 패널 |
US11656488B2 (en) | 2013-02-20 | 2023-05-23 | Japan Display Inc. | Display device |
US10976580B2 (en) | 2013-02-20 | 2021-04-13 | Japan Display Inc. | Display device |
US10416485B2 (en) | 2013-02-20 | 2019-09-17 | Japan Display Inc. | Display device |
KR101759029B1 (ko) * | 2013-02-20 | 2017-07-31 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시 장치의 제조 방법 |
US11409145B2 (en) | 2013-02-20 | 2022-08-09 | Japan Display Inc. | Display device |
JP2014160603A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Japan Display Inc | シートディスプレイ |
CN106663391A (zh) * | 2013-12-02 | 2017-05-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
US11004925B2 (en) | 2013-12-02 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10872947B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10763322B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10879331B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
CN106663391B (zh) * | 2013-12-02 | 2019-09-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
WO2015083029A1 (en) * | 2013-12-02 | 2015-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10854697B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10355067B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10312315B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US9559317B2 (en) | 2013-12-02 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US9559316B2 (en) | 2013-12-02 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US9437831B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US11672148B2 (en) | 2013-12-02 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
CN112666742A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100073615A1 (en) | 2010-03-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010072529A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
KR101552994B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
JP4925030B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP3939140B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
KR101201304B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR102628939B1 (ko) | 액정 표시장치 | |
JP4945551B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4795127B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
KR101896377B1 (ko) | 베젤이 최소화된 액정표시소자 | |
TWI514055B (zh) | 顯示面板與其製造方法 | |
JP2014157311A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
JP2010054980A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR20150033158A (ko) | 정전기 제거가 용이한 액정표시소자 | |
US10048534B2 (en) | Display device | |
JP5331423B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
TWI402586B (zh) | 液晶顯示面板 | |
JP5197441B2 (ja) | 横電界方式の液晶表示パネルの製造方法 | |
JP5247615B2 (ja) | 横電界方式の液晶表示装置 | |
JP2009258241A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2011107391A (ja) | 表示装置 | |
JP2009175234A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2009003049A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP5403539B2 (ja) | 横電界方式の液晶表示装置 | |
KR102352752B1 (ko) | 터치패널을 구비한 표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2005084228A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110218 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110218 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20121211 |