JP2004295109A - 液晶表示装置およびその作製方法 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 199
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 315
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 27
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 23
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 67
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 250
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 46
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 18
- -1 separation Substances 0.000 description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRDGZVRRJJYVMU-UHFFFAOYSA-N 3-docosylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 KRDGZVRRJJYVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical class CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001746 carotenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000005473 carotenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002678 macrocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】本発明では、対向基板(可撓性基板)上にシリコンをターゲットとした高周波スパッタリング法による窒化珪素膜を少なくとも1層有する保護膜123を設け、シール材112を描画し、対向基板上に液晶材料114の滴下を真空で行った後、画素電極111および柱状スペーサ115が設けられた可撓性基板110と貼り合わせる。
【選択図】 図1
Description
第1の可撓性基板と、第2の可撓性基板と、前記第1の可撓性基板と前記第2の可撓性基板とからなる一対の基板間に保持された液晶と、を備えた液晶表示装置であり、
前記第1の基板または前記第2の基板上に無機絶縁膜と、
前記一対の基板の間隔を一定に保つための柱状スペーサとを有し、
前記一対の基板は閉じられたパターン形状を有するシール材で貼り合わされていることを特徴とする液晶表示装置である。
第1の可撓性基板と、第2の可撓性基板と、前記第1の可撓性基板と前記第2の可撓性基板とからなる一対の基板間に保持された液晶と、を備えた液晶表示装置であり、
前記第1の基板または前記第2の基板上に窒化珪素膜と酸化珪素膜との多層膜からなる無機絶縁膜と、
前記一対の基板の間隔を一定に保つための柱状スペーサとを有し、
前記一対の基板は閉じられたパターン形状を有するシール材で貼り合わされていることを特徴とする液晶表示装置である。
第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板とからなる一対の基板間に保持された液晶と、を備えた液晶表示装置の作製方法であり、
前記第1の基板または前記第2の基板上に高周波スパッタリング法により無機絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の基板上に画素電極を形成する工程と、
前記第2の基板上に対向電極を形成する工程と、
前記第1の基板上に、前記一対の基板の間隔を一定に保つための柱状スペーサを形成する工程と、
前記第2の基板上にシール材を描画して仮固定する工程と、
前記第2の基板上における前記シール材に囲まれた領域に液晶材料を減圧下で滴下する工程と、
前記液晶材料を減圧下で加熱脱気する工程と、
減圧下で前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる工程と、
前記シール材を固定する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法である。
第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板とからなる一対の基板間に保持された液晶と、を備えた液晶表示装置の作製方法であり、
前記第1の基板または前記第2の基板上に高周波スパッタリング法により無機絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の基板上に画素電極を形成する工程と、
前記第2の基板上に対向電極を形成する工程と、
前記第1の基板上に、前記一対の基板の間隔を一定に保つための柱状スペーサを形成する工程と、
前記第1の基板上にシール材を描画して仮固定する工程と、
前記第1の基板上における前記シール材に囲まれた領域に液晶材料を減圧下で滴下する工程と、
前記液晶材料を減圧下で加熱脱気する工程と、
減圧下で前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる工程と、
前記シール材を固定する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法である。
ここでは、対向基板側にシール描画、液晶滴下を行う例を説明する。パネル作製の流れを以下に説明する。
ここでは、TFT基板側にシール描画、液晶滴下を行う例を説明する。
114:液晶材料
115:柱状スペーサ
120:第2の基板
Claims (15)
- 第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板とからなる一対の基板間に保持された液晶と、を備えた液晶表示装置の作製方法であり、
前記第1の基板または前記第2の基板上に高周波スパッタリング法により無機絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の基板上に画素電極を形成する工程と、
前記第2の基板上に対向電極を形成する工程と、
前記第1の基板上に、前記一対の基板の間隔を一定に保つための柱状スペーサを形成する工程と、
前記第2の基板上にシール材を描画して仮固定する工程と、
前記第2の基板上における前記シール材に囲まれた領域に液晶材料を減圧下で滴下する工程と、
前記液晶材料を減圧下で加熱脱気する工程と、
減圧下で前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる工程と、
前記シール材を固定する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板とからなる一対の基板間に保持された液晶と、を備えた液晶表示装置の作製方法であり、
前記第1の基板または前記第2の基板上に高周波スパッタリング法により無機絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の基板上に画素電極を形成する工程と、
前記第2の基板上に対向電極を形成する工程と、
前記第1の基板上に、前記一対の基板の間隔を一定に保つための柱状スペーサを形成する工程と、
前記第1の基板上にシール材を描画して仮固定する工程と、
前記第1の基板上における前記シール材に囲まれた領域に液晶材料を減圧下で滴下する工程と、
前記液晶材料を減圧下で加熱脱気する工程と、
減圧下で前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる工程と、
前記シール材を固定する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、前記第1の基板または前記第2の基板はプラスチック基板であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記柱状スペーサは、アクリル、ポリイミド、ポリイミドアミド、エポキシの少なくとも1つを主成分とする有機樹脂材料、もしくは酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素のいずれか一種の材料、或いはこれらの積層膜からなる無機材料であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一項において、前記無機絶縁膜はシリコンをターゲットとした高周波スパッタリング法により作製される窒化珪素膜であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一項において、前記無機絶縁膜はターボ分子ポンプもしくはクライオポンプを用いて背圧を1×10-3Pa以下とし、単結晶シリコンターゲットをN2ガスもしくはN2と希ガスとの混合ガスでスパッタして作製される窒化珪素膜であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
- 第1の可撓性基板と、第2の可撓性基板と、前記第1の可撓性基板と前記第2の可撓性基板とからなる一対の基板間に保持された液晶と、を備えた液晶表示装置であり、
前記第1の基板または前記第2の基板上に無機絶縁膜と、
前記一対の基板の間隔を一定に保つための柱状スペーサとを有し、
前記一対の基板は閉じられたパターン形状を有するシール材で貼り合わされていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項7において、前記無機絶縁膜は、アルゴン濃度が1×1020〜1×1021cm-3の窒化珪素膜であることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項7または請求項8において、前記無機絶縁膜は水素濃度が1×1021cm-3以下の窒化珪素膜であることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項7乃至10のいずれか一項において、前記無機絶縁膜は水素濃度が1×1021cm-3以下、かつ、酸素濃度が5×1018〜5×1021cm-3の窒化珪素膜であることを特徴とする液晶表示装置。
- 第1の可撓性基板と、第2の可撓性基板と、前記第1の可撓性基板と前記第2の可撓性基板とからなる一対の基板間に保持された液晶と、を備えた液晶表示装置であり、
前記第1の基板または前記第2の基板上に窒化珪素膜と酸化珪素膜との多層膜からなる無機絶縁膜と、
前記一対の基板の間隔を一定に保つための柱状スペーサとを有し、
前記一対の基板は閉じられたパターン形状を有するシール材で貼り合わされていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項11において、前記窒化珪素膜は、アルゴン濃度が1×1020〜1×1021cm-3であることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項7乃至12のいずれか一項において、前記液晶表示装置は、アクティブマトリクス型であることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項7乃至12のいずれか一において、前記液晶表示装置は、パッシブ型であることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項7乃至14のいずれか一において、前記液晶表示装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004063454A JP4954447B2 (ja) | 2003-03-07 | 2004-03-08 | 液晶表示装置およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003062306 | 2003-03-07 | ||
JP2003062306 | 2003-03-07 | ||
JP2004063454A JP4954447B2 (ja) | 2003-03-07 | 2004-03-08 | 液晶表示装置およびその作製方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010167660A Division JP5190495B2 (ja) | 2003-03-07 | 2010-07-27 | 液晶表示装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004295109A true JP2004295109A (ja) | 2004-10-21 |
JP2004295109A5 JP2004295109A5 (ja) | 2007-03-01 |
JP4954447B2 JP4954447B2 (ja) | 2012-06-13 |
Family
ID=33421443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004063454A Expired - Fee Related JP4954447B2 (ja) | 2003-03-07 | 2004-03-08 | 液晶表示装置およびその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4954447B2 (ja) |
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JP2011022818A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | タッチパネルとその作製方法 |
JP2011186453A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
US9995970B2 (en) | 2010-08-17 | 2018-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a liquid crystal device comprising an alignment film formed under reduced pressure |
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US9494829B2 (en) | 2011-01-28 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same |
US10134766B2 (en) | 2011-01-28 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2013130615A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
JP2014042005A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2018011086A (ja) * | 2012-07-27 | 2018-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9793295B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10141337B2 (en) | 2012-07-27 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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Publication number | Publication date |
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JP4954447B2 (ja) | 2012-06-13 |
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