JP2016194725A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】外部から強い力が加わった場合においても破壊しにくい液晶装置と、その歩留り良い製造方法を提供する。【解決手段】液晶材料１４０を挟持するベース基板１００および対向基板１１０として、破壊じん性値が１．５［ＭＰａ・ｍ１／２］以上である材料を用い、液晶汚染物質の含有量が１×１０−４重量％以下である第１のシール材１２０が、液晶材料に接して液晶材料を途切れなく囲む状態に設けられ、第２のシール材１３０が第１のシール材を囲む状態に設けられ、第１のシール材および第２のシール材により液晶材料を挟持するベース基板と対向基板が１［Ｎ／ｍｍ２］以上の接着強度で接着された構造とする。また、第１の基板および第２の基板に仮固定基板を設けた状態で液晶装置を作製する。【選択図】図１

Description

本発明は、液晶装置および液晶装置の作製方法に関する。

近年、液晶材料に電圧を加えて液晶材料の配列を制御する事により光の透過率を調整する
液晶装置が開発され、例えば液晶ディスプレイ、調光ガラス等が製品化されている。特に
、画像表示装置においては、生産性、コスト、表示品質、信頼性などの各種性能がバラン
ス良く備わっているという点から、液晶ディスプレイが市場において高いシェアを占めて
いる。

液晶ディスプレイを含む液晶装置に対して、薄型化、軽量化のニーズが非常に高まってい
る。例えば、液晶材料を封入するための基板（主としてガラス基板が用いられている）を
、機械的研磨や化学的研磨などの手法により薄くする事が行われている。

しかし、このように基板を機械的研磨や化学的研磨などの手法により薄くするには限界が
あり、さらに、薄くするほど基板の強度が低下し、外部からの衝撃により液晶装置が破壊
され易くなるといった課題がある。薄く軽量であり且つ衝撃や曲げなど、外部から力を付
加しても破壊の生じにくい液晶装置について、例えば、特許文献１に記載されている手法
が研究されている。

特開２００７−４３１２１号公報

本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、その目的は
、外部から強い力が加わった場合においても破壊しにくい液晶装置を提供することを課題
の一つとする。

また、上記液晶装置を歩留まり良く製造する方法を提供することを課題の一つとする。

上記目的を達成するために、本発明は、基板のじん性、シール材の不純物、接着強度およ
びシール材の構造に着眼した。

破壊しにくい液晶装置を作製するためには、液晶材料を挟持する対向した２枚の基板とし
て、高いじん性を備えた材料を用いればよい。なお、前述した２枚の基板について、以下
の文章ではベース基板、対向基板と呼称する。ベース基板は、高いじん性を備えた基板（
以下、第１の基板と呼称する）を含み、液晶材料を挟持するために用いられる対の基板の
１枚であり、対向基板は、高いじん性を備えた基板（以下、第２の基板と呼称する）を含
み、液晶材料を挟持するために用いられる対の基板の１枚である。

じん性とは物質の破壊に抵抗する性質を表し、高いじん性を備えた材料ほど、大きな力を
加えても破壊が進行し難く、例えば基板の一部に生じた小さな傷を起点として破壊が進行
しにくい性質をいう。また、じん性の程度は、破壊じん性値Ｋｃで表すことができる。な
お、破壊じん性値ＫｃはＪＩＳ Ｒ１６０７に定義される試験方法などで求めることがで
きる。

衝撃や曲げなどの応力に対する耐性を高めるために、破壊じん性値が１．５［ＭＰａ・ｍ
^１／２］以上である高いじん性を備えた材料を用いればよい。上記の高いじん性を備えた
材料を用いれば、外部からの強い力に対する液晶装置の耐性を高めることができる。例え
ば液晶装置を落として強い衝撃力を加えても基板が壊れる現象を防止できる。

しかしながら、ベース基板および対向基板に高いじん性を備えた材料を用いることより半
導体装置が壊れにくくなる分、シール材と基板の接着部分に強い力が加わることになる。
このため、シール材には従来以上の接着力が必要となり、例えばベース基板と対向基板を
１［Ｎ／ｍｍ^２］以上の接着強度で接着する必要がある。

なお、シール材の接着力は、例えばシール材の種類や添加剤を加えることにより高めるこ
とができる。

また、シール材はベース基板と対向基板を接着する働きの他に、液晶材料を封止する働き
も求められる。封止の働きを果たすシール材は液晶材料が漏れ出さないように液晶材料を
取り囲んで設けられ、その結果、液晶材料と接する構成となる。そのため、シール材の成
分が液晶材料に溶出し、液晶材料を汚染しないように、従来のシール材は、液晶材料に悪
影響を及ぼす不純物（以下、液晶汚染物質と呼称する）が低く抑えられている。

例えば、液晶汚染物質を含むシール材としては、光カチオン硬化型接着剤をその例に挙げ
ることができる。光カチオン硬化型接着剤は、硬化処理に高温の加熱が不要、硬化処理時
間が短いという生産面での利点を持ち、且つ高い接着力を有する。一方、硬化処理に伴い
発生するカチオン成分が液晶材料に混入すると、液晶材料の配列を乱すなどの悪影響があ
るため、液晶材料を封止するシール材への使用には適していない。

このように、ベース基板および対向基板に高いじん性を備えた材料を用いる場合、シール
材は、基板への高い接着力と液晶材料への低汚染性という２つの要求を満たす必要がある
。しかし、高い接着力を有する材料は一般に、液晶汚染物質を含む各種添加材料が含まれ
ており、上記２つの要求を満たすことは非常に困難である。

そこで、上記２つの要求を満たすため、液晶汚染物質に配慮して選定した第１のシール材
と、液晶汚染物質に配慮することなく選定した第２のシール材により、ベース基板と対向
基板が液晶材料を挟持して接着された構造とした。具体的には、液晶汚染物質の含有量が
１×１０^−４重量％以下であり液晶材料を封止する働きを果たす第１のシール材が、液晶
材料に接して液晶材料を囲む状態に途切れなく設けられ、第１のシール材を囲む状態に第
２のシール材が設けられ、第１のシール材および第２のシール材により破壊じん性値が１
．５［ＭＰａ・ｍ^１／２］以上であるベース基板と対向基板が接着された構造とすればよ
い。

これにより、液晶汚染物質の抑制された第１のシール材が、液晶材料と第２のシール材が
直接触れること防止するため、第２のシール材は液晶汚染物質に配慮することなく様々な
材料から選定できる。なお、第１のシール材は液晶汚染物質の染み出しを抑制する他に、
ベース基板と対向基板を接着する効果を併せ持っていてもよい。

また、第１のシール材を囲む状態に第２のシール材が形成され、両方のシール材によりベ
ース基板と対向基板を１［Ｎ／ｍｍ^２］以上の接着強度で接着できる。

このような構成とすることで、半導体装置に外部から強い力が加わっても、ベース基板と
対向基板が剥がれることなく、破壊の生じにくい液晶装置を提供することができる。

すなわち、本発明の一態様は、液晶材料と、液晶材料に接して前記液晶材料を途切れなく
囲む第１のシール材と、第１のシール材を囲む第２のシール材と、破壊じん性値が１．５
［ＭＰａ・ｍ^１／２］以上のベース基板並びに対向基板を有し、ベース基板と対向基板が
第１のシール材と第２のシール材により１［Ｎ／ｍｍ^２］以上の接着強度で貼り合わされ
、ベース基板と対向基板間に第１のシール材に接して液晶材料が挟持され、第１のシール
材の液晶汚染物質の含有量が１×１０^−４重量％以下であり、ベース基板は、第１の基板
と、第１の基板上に備えられた素子層と、素子層上に備えられ液晶材料と接する第１の配
向膜を有し、対向基板は、第２の基板と、第２の基板上に備えられた電極膜と、電極膜上
に備えられ液晶材料と接する第２の配向膜を有し、素子層の一部と電極膜の一部が導電材
料を介して電気的に接続されることを特徴とする液晶装置である。

上記本発明の一態様によれば、ベース基板上に形成された素子層と、対向基板上に形成さ
れた電極膜に電圧を印加または停止することにより、液晶材料の配列を調整できる。そし
て、外部から強い力が加わった場合においても破壊の生じにくい、高い表示品位を備えた
液晶装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、ベース基板が、第１の基板と、第１の基板上に備えられ液晶材
料と接する素子層を有しており、対向基板が、第２の基板と、第２の基板上に備えられ液
晶材料と接する電極膜を有しており、液晶材料がブルー相を示す液晶材料であり、素子層
の一部と電極膜の一部が導電材料を介して電気的に接続されることを特徴とする液晶装置
である。

上記本発明の一態様によれば、ベース基板上に形成された素子層と、対向基板上に形成さ
れた電極膜に電圧を印加または停止することにより、配向膜を用いることなく液晶の配列
を制御することができる。また、原理的に視野角依存が無く、１ｍｓｅｃ以下の非常に高
速な応答に対応した表示ができる。これにより、外部から強い力が加わった場合において
も破壊の生じにくい、高速応答特性および高い視野角特性を備えた液晶装置を提供できる
。

また、本発明の一態様は、ベース基板が、第１の基板と、第１の基板上に設けられた第１
の電極膜と、第１の電極膜上に設けられ液晶材料と接する第１の配向膜を有し、対向基板
が、第２の基板と、第２の基板上に設けられた第２の電極膜と、第２の電極膜上に設けら
れ液晶材料と接する第２の配向膜を有し、第１の電極膜の一部と第２の電極膜の一部が導
電材料を介して電気的に接続されることを特徴とする液晶装置である。

上記本発明の一態様によれば、ベース基板上に形成された第１の電極膜と、対向基板上に
形成された第２の電極膜に電圧を印加または停止することにより、ベース基板上に素子層
を設けることなく液晶の配列状態を調整して、液晶装置の光透過率を調整することができ
る。そして、外部から強い力が加わった場合においても破壊の生じにくい、構造が単純で
安価な液晶装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、第１のシール材および第２のシール材が光硬化型材料であるこ
とを特徴とする液晶装置である。

上記本発明の一態様によれば、加熱処理を行うことなく第１のシール材および第２のシー
ル材を硬化して、第１の基板と第２の基板を接着できる。これにより第１の基板および第
２の基板に対して熱による収縮や変形などの悪影響が抑制された液晶装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、粘度が１０００ｃＰ以下である第２のシール材を囲む状態に途
切れなく設けられた第３のシール材を有することを特徴とする液晶装置である。

上記本発明の一態様によれば、ベース基板と対向基板を貼り合わせる際に、第２のシール
材が基板端面から外部に漏れてしまうことを防止できる。これにより、ベース基板と対向
基板の接着に必要な第２のシール材が不足する事態を防止することができる。したがって
、第１の基板と第２の基板が確実に１［Ｎ／ｍｍ^２］以上の接着強度で接着された信頼性
の高い液晶装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、第１の基板の表面に素子層を形成し、第１の基板の裏面に微粘
着材料を介して第１の仮固定基板を設け、素子層上に第１の配向膜を形成し、第１の配向
膜に対して配向処理を行うことで、第１の仮固定基板が粘着されたベース基板を作製する
ステップと、第２の基板の表面に導電膜を形成し、第２の基板の裏面に微粘着材料を介し
て第２の仮固定基板を設け、導電膜上に第２の配向膜を形成し、第２の配向膜に対して配
向処理を行うことで、第２の仮固定基板が粘着された対向基板を作製するステップを順不
同で行い、ベース基板上に、液晶材料と、液晶材料を囲む第１のシール材と、第１のシー
ル材を囲む第２のシール材を設け、素子層上に第１の導電材料を設け、ベース基板の第１
の配向膜形成面に対して対向基板の第２の配向膜形成面を減圧状態で貼り合わせ、第１の
シール材、第２のシール材および第１の導電材料に対して硬化処理を行うことで、第１の
シール材と第２のシール材によりベース基板と対向基板を接着し、第１の導電材料により
素子層の一部と電極膜の一部を電気的に接続した後に、ベース基板から微粘着材料および
第１の仮固定基板を分離するステップと、対向基板から微粘着材料および第２の仮固定基
板を分離するステップを順不同で行い、素子層の一部に第２の導電材料を介して外部接続
端子を接続することを特徴とする液晶装置の作製方法である。

上記本発明の一態様によれば、高い表示品位を備えた液晶装置を作製する際において、第
１の基板には微粘着材料を介して第１の仮固定基板が、第２の基板には微粘着材料を介し
て第２の仮固定基板が設けられているため、液晶装置作製時に加わる力により第１の基板
および第２の基板の変形や破壊を抑制することができる。また、第１の基板および第２の
基板が可撓性を有していても、仮固定基板により変形や破壊が抑制されるため、ガラス基
板などを用いて液晶表示装置を作製する際に用いる、一般的な製造装置をそのまま使用で
きる。したがって、高い表示品位を備えた液晶装置を歩留まり良く作製できる。

また、本発明の一態様は、第１の基板の表面に素子層を形成し、第１の基板の裏面に微粘
着材料を介して第１の仮固定基板を設けることで第１の仮固定基板が粘着されたベース基
板を作製するステップと、第２の基板の表面に電極膜を形成し、第２の基板の裏面に微粘
着材料を介して第２の仮固定基板を設けることで第２の仮固定基板が粘着された対向基板
を作製するステップを順不同で行い、ベース基板上に、ブルー相を示す液晶材料と、液晶
材料を囲む第１のシール材と、第１のシール材を囲む第２のシール材を設け、素子層上に
第１の導電材料を設け、ベース基板の素子層形成面に対して対向基板の電極膜形成面を減
圧状態で貼り合わせ、第１のシール材、第２のシール材および第１の導電材料に対して硬
化処理を行うことで、第１のシール材と第２のシール材によりベース基板と対向基板を接
着し、第１の導電材料により素子層の一部と電極膜の一部を電気的に接続した後に、ベー
ス基板から微粘着材料および第１の仮固定基板を分離するステップと、対向基板から微粘
着材料および第２の仮固定基板を分離するステップを順不同で行い、素子層の一部に第２
の導電材料を介して外部接続端子を接続することを特徴とする液晶装置の作製方法である
。

上記本発明の一態様によれば、広視野角、高速応答可能な高性能な液晶装置を作製する際
において、ベース基板には微粘着材料を介して第１の仮固定基板が、対向基板には微粘着
材料を介して第２の仮固定基板が設けられているため、液晶装置作製時に加わる力により
、ベース基板および対向基板の変形や破壊を抑制することができる。また、ベース基板お
よび対向基板に用いた高いじん性を備えた基板が可撓性を有していても、仮固定基板によ
り変形や破壊が抑制されるため、ガラス基板などを用いて液晶装置を作製する際に用いる
、一般的な製造装置をそのまま使用できる。したがって、広視野角、高速応答可能な高性
能な液晶装置を歩留まり良く作製できる。

また、本発明の一態様は、第１の基板の表面に第１の電極膜を形成し、第１の基板の裏面
に微粘着材料を介して第１の仮固定基板を設け、第１の電極膜上に第１の配向膜を形成し
、第１の配向膜に対して第１の配向処理を行うことで第１の仮固定基板が粘着されたベー
ス基板を作製するステップと、第２の基板の表面に第２の電極膜を形成し、第２の基板の
裏面に微粘着材料を介して第２の仮固定基板を設け、第２の電極膜上に第２の配向膜を形
成し、第２の配向膜に対して第２の配向処理を行うことで第２の仮固定基板が粘着された
対向基板を作製するステップを順不同で行い、ベース基板上に、液晶材料と、液晶材料を
囲む第１のシール材と、第１のシール材を囲む第２のシール材を設け、第１の電極上に第
１の導電材料を設け、ベース基板の第１の配向膜形成面に対して対向基板の第２の配向膜
形成面を減圧状態で貼り合わせ、第１のシール材、第２のシール材および第１の導電材料
に対して硬化処理を行うことで、第１のシール材と第２のシール材によりベース基板と対
向基板を接着し、第１の導電材料により第１の電極膜の一部と第２の電極膜の一部を電気
的に接続した後に、ベース基板から微粘着材料および第１の仮固定基板を分離するステッ
プと、対向基板から微粘着材料および第２の仮固定基板を分離するステップを順不同で行
い、素子層の一部に第２の導電材料を介して外部接続端子を接続することを特徴とする半
導体装置の作製方法である。

上記本発明の一態様によれば、素子層のない構造の単純な液晶装置を作製する際において
、ベース基板には微粘着材料を介して第１の仮固定基板が、対向基板に微粘着材料を介し
て第２の仮固定基板が設けられているため、液晶装置を作製する際に加わる力によるベー
ス基板および対向基板の変形や破壊を抑制することができる。また、ベース基板および対
向基板に用いた高いじん性を備えた基板が可撓性を有していても、仮固定基板により変形
や破壊が抑制されるため、ガラス基板などを用いて液晶表示装置を作製する際に用いる、
一般的な製造装置をそのまま使用できる。したがって、素子層のない構造の単純な液晶装
置を歩留まり良く作製できる。

なお、本明細書においてＡの上にＢが形成されている、あるいは、Ａ上にＢが形成されて
いる、と明示的に記載する場合は、Ａの上にＢが直接接して形成されていることに限定さ
れない。直接接してはいない場合、つまり、ＡとＢとの間に別の対象物が介在する場合も
含むものとする。ここで、Ａ、Ｂは、対象物（例えば装置、素子、回路、配線、電極、端
子、膜、層、または基板など）であるとする。

従って、例えば層Ａの上または層Ａ上に層Ｂが形成されていると明示的に記載されている
場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の
層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されてい
る場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、単層でもよいし
、複層でもよい。

なお、本明細書において用いられている液晶装置という言葉は、装置中に液晶材料が用い
られているもの全般を表している。例えば、液晶ディスプレイなどのような画像を表示す
る装置だけでなく、光の透過状態を調整する液晶材料が封入されたガラスなども含まれて
いる。

本発明によれば、局所的な強い力が加わってもベース基板と対向基板が剥がれることなく
、且つ液晶汚染物質による液晶材料への汚染が抑制された、安価で高性能な液晶装置を提
供できる。また、このような液晶装置の製造方法を提供できる。

実施の形態に係わる液晶装置の上面構造および断面構造を説明する図。 実施の形態に係わる液晶装置の作製工程を説明する図。 実施の形態に係わる液晶装置の作製工程を説明する図。 実施の形態に係わる液晶装置の作製工程を説明する図。 実施の形態に係わる液晶装置の作製工程を説明する図。 実施の形態に係わる液晶装置の上面構造および断面構造を説明する図。 実施の形態に係わる液晶装置の作製工程を説明する図。 実施の形態に係わる液晶装置を作製する装置を説明する図。 実施の形態に係わる液晶装置を作製する装置を説明する図。 実施の形態に係わる液晶装置を作製する装置を説明する図。 実施の形態に係わる液晶装置を作製する装置を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る液晶装置の構成およびその作製方法につ
いて、図１乃至図５を用いて説明する。

＜液晶装置の全体構成例＞
開示する発明の一態様に係る液晶装置の構成の一例として、第１のシール材および第２の
シール材によってベース基板および対向基板間に液晶材料が挟持されたＶＡ（Ｖｅｒｔｉ
ｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）駆動方式の反射型モノクローム液晶装置についての上面図
を図１（Ａ）に、図１（Ａ）の１点鎖線部における断面図を図１（Ａ）に示す。

ベース基板１００は、破壊じん性値が１．５［ＭＰａ・ｍ^１／２］以上の値を有し、第１
の基板１０２の一方の面に、固定用接着剤２１０を介して素子層１０４および第１の配向
膜１０６が順に設けられた構造からなる。ベース基板１００は薄く軽量であり且つ衝撃や
曲げなど外部から力を付加しても破壊が生じにくい。

対向基板１１０は、破壊じん性値が１．５［ＭＰａ・ｍ^１／２］以上の値を有し、第２の
基板１１２の一方の面に、電極膜１１４および第２の配向膜１１６が順に設けられた構造
からなる。対向基板１１０は薄く軽量であり且つ衝撃や曲げなど外部から力を付加しても
破壊が生じにくい。また、対向基板１１０には偏光板１８０が設けられている。

第１のシール材１２０は、液晶汚染物質の含有量が１×１０^−４重量％以下であり、液晶
材料１４０と接して液晶材料１４０を囲む状態に途切れなく形成される。これにより、第
２のシール材１３０と液晶材料１４０が直接接しないため、第２のシール材１３０中に含
まれる液晶汚染物質が液晶材料１４０に混入することを防止できる。

なお、液晶汚染物質としては、例えば金属イオン、無機陰イオン、有機酸などのイオン性
不純物や、液晶装置作製工程にて行われる硬化処理などにより、これらイオン性不純物が
発生する材料が挙げられる。

第２のシール材１３０は、第１のシール材１２０に接して第１のシール材１２０を囲む状
態に形成され、ベース基板１００および対向基板１１０は、第１のシール材１２０および
第２のシール材１３０により１［Ｎ／ｍｍ^２］以上の接着強度で接着される。これにより
、液晶装置に外部から力が付加された場合においても、ベース基板１００と対向基板１１
０が剥がれることなく、ベース基板１００と対向基板１１０を強固に接着できる。

第１の導電材料１５０は、素子層１０４の一部および電極膜１１４の一部を電気的に接続
するように設けられる。これにより、第１の導電材料１５０を介して素子層１０４から電
極膜１１４に電圧を印加できるため、ベース基板１００および対向基板１１０により挟持
された液晶材料１４０に電圧を印加して液晶材料１４０の配列を変化させることができる
。

また、外部接続端子１７０は、素子層１０４の一部に第２の導電材料１６０を介して電気
的に接続され、外部から液晶装置を動作させるために必要な電力を、第２の導電材料１６
０を介して素子層１０４に供給する機能を持つ。

上記構造を形成することにより、外部から強い力が加わった場合においても液晶材料を挟
持した、高いじん性を備えた２枚の基板が剥がれ難く、且つ液晶汚染物質による液晶材料
の汚染が抑制された、薄く軽量であり且つ衝撃や曲げなど外部から力を付加しても破壊の
生じにくい、液晶材料の配向を任意に行える高い表示品位を備えた液晶装置を提供できる
。

＜液晶装置の作製方法＞
次に、上記液晶装置の作製方法の一例について、図２乃至図５を用いて説明する。なお、
本実施の形態における液晶装置の作成工程は「ベース基板作製工程」、「対向基板作製工
程」、「液晶封止工程」、の３つに大別できる。以下にて各工程の説明を行う。

＜ベース基板作製工程＞
まず、素子層作製基板２００の一方の面に、剥離層２０２を介して素子層１０４を形成す
る（図２（Ａ）参照。）。

素子層作製基板２００としては、石英基板、サファイア基板、セラミック基板や、ガラス
基板、金属基板などを用いることができる。なお、これら基板は、可撓性を明確に表さな
い程度に厚みのあるものを使用することで、精度良くトランジスタなどの素子を形成する
ことができる。可撓性を明確に表さない程度とは、通常液晶ディスプレイを作製する際に
使用されているガラス基板の弾性率程度、もしくはより弾性率が大きいことを言う。

剥離層２０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎ
ｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ル
テニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリ
ジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、
又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。

剥離層２０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタン
グステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しく
は酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングス
テンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タン
グステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当す
る。

剥離層２０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目として金属層を形成し、２層目とし
て金属酸化物層を形成する。代表的には１層目としてタングステン層、モリブデン層、又
はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、
モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物層、窒化物層、酸化窒化物層
又は窒化酸化物層を形成すると良い。２層目の金属酸化物層の形成は、１層目の金属層上
に、酸化物層（例えば酸化シリコンなどの絶縁層として利用できるもの）を形成すること
で金属層表面に当該金属の酸化物が形成されることを用いても良い。

素子層作製基板２００の一方の面に剥離層２０２を設ける前に、素子層作製基板２００に
対して、流体ジェット洗浄、超音波洗浄、プラズマ洗浄、ＵＶ洗浄、オゾン洗浄などを行
い、素子層作製基板２００に付着したゴミや有機成分を除去することが好ましい。

素子層１０４は、液晶装置がパッシブマトリクス型である場合、少なくとも画素電極を有
している。また、液晶装置がアクティブマトリクス型である場合、少なくとも配線、画素
電極、トランジスタ（スイッチング素子を含む）を有している。本実施の形態では、ＶＡ
駆動方式について説明しているため、液晶の配向を制御する電極は、素子層１０４中に形
成される画素電極と対向基板に形成される画素電極（本明細書では電極膜と記載している
）という、２枚の向かい合った対の電極により生じる縦方向の電界で制御するが、素子層
１０４中に対となる電極を形成し、横方向の電界で制御してもよい。さらに、液晶動作モ
ードや光（画像）取り出し方向などの制約状況に応じてカラーフィルタ、ブラックマトリ
クス、スペーサ材料（ベース基板１００と対向基板１１０を貼り合わせた際に、ベース基
板１００と対向基板１１０の間に液晶材料１４０を設けるためのスペースを確保するため
の材料）など、素子基板として必要な要素が含まれる。なお、素子層１０４を形成する工
程には特段の留意点は無く、公知の技術を用いて適宜作製すればよい。

次に、剥離用接着剤２０６を用いて素子層１０４に仮支持基板２０８を接着した状態で、
素子層１０４を素子層作製基板２００の剥離層２０２から剥離し、素子層１０４を仮支持
基板側に転置する（図２（Ｂ）参照）。これにより素子層１０４は、仮支持基板２０８側
に設けられる。なお、本明細書において、素子層作製基板２００から仮支持基板２０８に
素子層を転置する工程を転置工程という。

剥離用接着剤２０６は、水や溶媒に可溶な性質を有するものや、紫外線などの照射により
接着力を低下させることが可能である材料を用いる。これにより、後の工程において仮支
持基板２０８および素子層１０４から剥離用接着剤２０６を除去することができる。なお
、剥離用接着剤２０６は、スピンコーター、スリットコーター、グラビアコーター、ロー
ルコーターなどの各種コーティング装置や、フレキソ印刷装置、オフセット印刷装置、グ
ラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、インクジェット装置などの各種印刷装置を用いて
薄く均一な膜厚で設けることが好ましい。

仮支持基板２０８は、ＵＶ剥離型テープ、熱剥離型テープなどのような、表面の粘着性を
任意に低下できるテープを用いることができる。また、ガラス基板、石英基板、サファイ
ア基板、セラミック基板、金属基板、プラスチック基板などを用いてもよい。なお、表面
の粘着性を任意に低下できるテープを用いる場合は、剥離用接着剤２０６は必ずしも必要
ではなく、転置作業に支障を来さないようであれば、剥離用接着剤２０６は用いなくても
よい。また、仮支持基板２０８としてプラスチック基板を用いる場合は、以降の処理温度
に耐えうる耐熱性を有するものを用いることが好ましい。

なお、仮支持基板２０８を素子層作製基板２００に貼り合わせる方法には特に限定はない
が、仮支持基板２０８として各種テープのような可撓性を有する材料を用いる場合は、例
えば、ローラーを用いて貼り合わせる事が可能な装置（ロールラミネーターとも呼ぶ）な
どを用いればよい。これにより、素子層作製基板２００と仮支持基板２０８の間に気泡な
どが混入せず、安定した貼り合わせを行うことができる。

素子層作製基板２００から仮支持基板２０８に素子層１０４を転置する工程は、様々な方
法を適宜用いることができる。例えば、剥離層２０２として金属酸化膜を含む層を形成し
た場合は、当該金属酸化膜を結晶化させることにより脆弱化して、素子層１０４を素子層
作製基板２００から剥離することができる。また、素子層作製基板２００と素子層１０４
の間に、剥離層２０２として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合は、レーザ光の照射
またはエッチングにより当該水素を含む非晶質珪素膜を除去して、素子層１０４を素子層
作製基板２００から剥離することができる。また、剥離層２０２として窒素、酸素や水素
等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）
を用いた場合には、剥離層２０２にレーザ光を照射して剥離層２０２内に含有する窒素、
酸素や水素をガスとして放出させ、素子層１０４と素子層作製基板２００との分離を促進
することができる。また、剥離層２０２を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化
ハロゲンガスによるエッチングで除去する方法等も用いることができる。

上記方法以外にも、素子層作製基板２００の素子層１０４が形成されていない面に対して
機械的に研削処理、研磨処理を行い素子層作製基板２００を除去する方法もある。この場
合は、剥離層２０２を必ずしも設ける必要はない。

上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。レーザ
光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる機
械的な除去を部分的に行い、剥離層と素子層とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な
力によって剥離を行う工程などがこれに当たる。剥離層２０２を金属と金属酸化物との積
層構造により形成した場合、レーザ光の照射によって形成される溝や鋭いナイフやメスな
どによる傷などをきっかけとして、剥離層から物理的に引き剥がすことが容易となる。

また、物理的な手段により剥離を行う場合には、水などの液体をかけながら剥離を行って
もよい。これにより、剥離作業により生じる静電気が、素子層１０４に与える悪影響（例
えば、半導体素子が静電気により破壊される）を抑制できる。

転置工程において、素子層作製基板２００を固定した状態で、素子層１０４を剥離層２０
２から剥離することにより、素子層１０４に局所的な力が加わることを防止して綺麗に剥
離することができる。素子層作製基板２００を固定する方法としては、例えば、接着材料
（または粘着材料）を用いて安定した台座に固定する、真空チャックにより固定するなど
の方法があるが、素子層作製基板２００を剥がす手間や再利用を考慮すると、真空チャッ
クにより固定することが望ましい。特に、表面が多孔質状になっている真空チャック（ポ
ーラスチャックとも呼ぶ）を用いることで、素子層作製基板２００の全面を均一な力で固
定できるため、より望ましい。

なお、素子層１０４上に剥離用接着剤２０６を設ける前に、素子層１０４に対して、流体
ジェット洗浄、超音波洗浄、プラズマ洗浄、ＵＶ洗浄、オゾン洗浄などを行い、素子層１
０４表面に付着したゴミや有機成分を除去することが好ましい。

次に、素子層１０４に固定用接着剤２１０を介して第１の基板１０２を接着する（図２（
Ｃ）参照。）。

固定用接着剤２１０の材料としては、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、反応硬
化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いることが
できる。

固定用接着剤２１０は、スピンコーター、スリットコーター、グラビアコーター、ロール
コーターなどの各種コーティング装置や、フレキソ印刷装置、オフセット印刷装置、グラ
ビア印刷装置、スクリーン印刷装置、インクジェット装置などの各種印刷装置を用いて薄
く均一な膜厚で設けることが好ましい。

第１の基板１０２としては、高いじん性を備えた各種基板を用いる。例えば、有機樹脂基
板、有機樹脂薄膜、金属基板、金属薄膜などを用いる。これにより、薄く軽量であり且つ
衝撃や曲げなど、外部から力を付加しても破壊の生じにくいベース基板を作製できる。

上記有機樹脂基板や有機樹脂薄膜としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂（
ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥ
Ｎ）、ポリビニルアルコール樹脂（ＰＶＡ）、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ナイロン
樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂（Ｐ
ＥＥＫ）、ポリスチレン樹脂（ＰＳ）、ポリスルホン樹脂（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミ
ド樹脂（ＰＥＩ）、ポリアリレート樹脂（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート樹脂（
ＰＢＴ）、ポリイミド樹脂（ＰＩ）、ポリアミド樹脂（ＰＡ）、ポリアミドイミド樹脂（
ＰＡＩ）、ポリイソブチレン樹脂（ＰＩＢ）、塩素化ポリエーテル樹脂（ＣＰ）、メラミ
ン樹脂（ＭＦ）、エポキシ樹脂（ＥＰ）、ポリ塩化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＣ）ポリプロ
ピレン樹脂（ＰＰ）、ポリアセタール樹脂（ＰＯＭ）、フェノール樹脂（ＰＦ）、フラン
樹脂（ＦＦ）、不飽和ポリエステル樹脂（ＦＲＰ）、酢酸セルロース樹脂（ＣＡ）、ユリ
ア樹脂（ＵＦ）、キシレン樹脂（ＸＲ）、ジアリルフタレート樹脂（ＤＡＰ）、ポリ酢酸
ビニル樹脂（ＰＶＡｃ）、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂のうち少
なくとも１種類以上を構成成分として含む基板および薄膜を用いることができる。

上記金属基板や金属薄膜としては、例えば、アルミ（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル
（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、ベリリウム（Ｂｅ）
、ジルコニウム（Ｚｒ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆ
ｅ）、鉛（Ｐｂ）、スズ（Ｓｎ）、またはこれらの合金からなる基板や薄膜を用いること
ができる。

第１の基板１０２の材料選定に際して、バックライトなどを光源として表示を行なう透過
型もしくは半透過型の液晶装置では、可視光に対する透過率が高い上記有機樹脂基板を第
１の基板１０２として用いることが好ましく、特に、熱膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下で
ありリタデーション（複屈折位相差）のない基板が好ましい。また、外光の反射によって
表示を行なう反射型の液晶装置では、可視光に対する反射率が高い上記金属基板を第１の
基板１０２として用いることが好ましく、特に、熱膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下である
基板が好ましい。

なお、本実施の形態では第１の基板１０２は単層構造であるが、第１の基板１０２の表面
や裏面に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒
化珪素（ＳｉＮ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）などの無機薄
膜や、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）などの金属膜およびそれら金属の酸
化膜などを用いることができ、特に水蒸気透過性、ガス透過性、紫外線透過性の低い膜を
用いることが好ましい。

これらの保護膜を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法
により設けることが好ましい。

また保護膜として、耐溶剤性を備えた樹脂などを用いてもよい。保護膜の成分は基板洗浄
に用いる薬液や配向膜中に含まれる溶剤の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、塩
化ビニル樹脂（ＰＶＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイソブチレン樹脂（Ｐ
ＩＢ）、アクリル（メタクリル）樹脂（ＰＭＭＡ）、酢酸セルロース樹脂（ＣＡ）、ユリ
ア樹脂（ＵＦ）、キシレン樹脂（ＸＲ）、ジアリルフタレート樹脂（ＤＡＰ）、ポリ酢酸
ビニル樹脂（ＰＶＡｃ）、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、ポリアミド（ナイロン）樹脂（Ｐ
Ａ）、ポリカーネイト樹脂（ＰＣ）、塩素化ポリエーテル樹脂（ＣＰ）、メラミン樹脂（
ＭＦ）、エポキシ樹脂（ＥＰ）、塩化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＣ）、ポリスチレン（ＰＳ
）、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリアセタール樹脂（ＰＯＭ）、フェノール樹脂（Ｐ
Ｆ）、フラン樹脂（ＦＦ）、不飽和ポリエステル樹脂（ＦＲＰ）、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹
脂などから適宜選択すればよい。これにより、基板洗浄時に用いる薬液や配向膜中に含ま
れる溶剤などにより、第１の基板の変質を防止できる。

これらの保護膜を形成する方法としては、例えば、スピンコーター、スリットコーター、
グラビアコーター、ロールコーターなどの各種コーティング装置や、フレキソ印刷装置、
オフセット印刷装置、グラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、インクジェット装置など
の各種印刷装置を用いて薄く均一な膜厚で設けることが好ましい。

なお、第１の基板１０２を素子層１０４に接着する前に、第１の基板１０２に対して、流
体ジェット洗浄、超音波洗浄、プラズマ洗浄、ＵＶ洗浄、オゾン洗浄などを行い、第１の
基板１０２に付着したゴミや有機成分を除去することが好ましい。

また、第１の基板１０２に対して加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことにより、
第１の基板に付着した水分や不純物を除去できる。さらに、減圧状態で加熱処理を行うこ
とにより、より効率的に水分や不純物を除去できる。加熱処理を行う場合は、第１の基板
１０２には、加熱処理の温度に耐えるだけの耐熱温度を有した基板を用いることが好まし
い。

なお、上記の各種洗浄方法および加熱処理については、どれか１つを行ってもよいし、複
数を組み合わせてもよい。例えば、流体ジェット洗浄を行って第１の基板１０２に付着し
たゴミを除去した後にオゾン洗浄を行って有機成分を除去し、最後に加熱処理を行って、
流体洗浄の際に第１の基板１０２の付着した水分や内部に吸収された水分を除去すること
で、第１の基板１０２のゴミ、有機成分、水分を効果的に除去できる。

次に、素子層１０４から仮支持基板２０８を分離する。剥離用接着剤２０６は必要時に仮
支持基板２０８と素子層１０４とを分離することが可能な材料で形成されているので、当
該材料に合った方法により仮支持基板２０８を分離すれば良い。なお、第１の基板１０２
は高いじん性を備えているため、外部から力が加わることにより変形するだけの可撓性を
有している。このため、分離作業時や後の工程にて第１の基板１０２に力が加わり変形や
破壊が生じないように、第１の基板１０２に対して微粘着材料２１２を介して第１の仮固
定基板２１４を貼り付けた状態で、素子層１０４から仮支持基板２０８を分離する。これ
により、第１の基板１０２に対して外部から力が加わった場合においても、第１の仮固定
基板２１４が第１の基板１０２の変形を抑止するので、第１の基板１０２に変形や破壊が
生じることを防止できる。また、ベース基板１００に用いた高いじん性を備えた第１の基
板１０２が可撓性を有していても、第１の仮固定基板２１４により変形や破壊が抑制され
るため、ガラス基板などを用いて液晶表示装置を作製する際に用いる、一般的な製造装置
をそのまま使用できる（図２（Ｄ）参照。）。

上記微粘着材料２１２としては、例えば、光照射、加熱、などの処理により表面の粘着性
を低下できる材料（例えば、ＵＶ剥離テープや熱剥離テープなど）や、粘着性低下処理を
行わずとも第１の基板１０２を剥がすことのできる、表面に弱い粘着性を有する材料（例
えば、微粘着シート、シリコンシート、ゴムシートなど）を用いればよい。

上記第１の仮固定基板２１４としては、例えば、石英基板、サファイア基板、セラミック
基板や、ガラス基板、金属基板などを用いることができる。なお、これら基板は、可撓性
を明確に表さない程度に厚みのあるものを使用することが好ましい。後の工程にて第１の
シール材１２０、第２のシール材１３０、第１の導電材料１５０に対して硬化処理を行う
が、これらの材料に光硬化性材料を用いる場合は、第１の仮固定基板２１４としては透光
性を有する基板を用いることが好ましい。

なお、微粘着材料２１２と第１の仮固定基板２１４は、微粘着材料２１２の粘着性を用い
て貼り合わせても良いし、接着剤などにより貼り合わせてもよい。

なお、本実施の形態では、転置工程により第１の基板１０２に固定用接着剤２１０を介し
て素子層１０４が設けられた構造となるが、固定用接着剤２１０は必ずしも必要ではない
。例えば、配線や共通電極や画素電極は、インクジェット装置やディスペンサー装置を用
いて微細な金属粒子を含むインクを基板上に吐出してパターンを形成した後に加熱などの
硬化処理を行うことにより形成でき、層間絶縁膜についても、ポリイミドなどの絶縁性の
高い有機材料をインクジェット装置やディスペンサー装置やスピンコート装置を用いて設
けた後に加熱などの硬化処理を行うことにより形成できる。同様に、ブラックマトリクス
やカラーフィルタについても、インクジェット装置やディスペンサー装置を用いて形成で
きる。このように、インクジェット装置やディスペンサー装置やスピンコート装置のよう
なウェットプロセスにて膜を形成する装置を用いることにより、第１の基板１０２上に直
接接して素子層１０４を形成することも可能である。

本実施の形態で用いた図には、第１の基板１０２と素子層１０４の間に固定用接着剤２１
０が形成されているが、上記のようなウェットプロセスにて素子層１０４を形成した場合
は、固定用接着剤２１０を設ける必要はない。

なお、ウェットプロセスにより、第１の基板１０２に直接素子層１０４を形成した場合は
、第１の基板１０２に設けた各種材料に対して加熱などの硬化処理を行う必要がある。こ
のため、第１の基板１０２は、これらの熱処理を行えるだけの耐熱性を有する基板を用い
ることが好ましい。

次に、素子層１０４上に第１の配向膜１０６を設け、第１の配向膜１０６に対してラビン
グ処理を行う。これにより、第１の基板１０２に素子層１０４および第１の配向膜１０６
が順に設けられたベース基板１００が完成する（図２（Ｅ）参照。）。

素子層１０４上に第１の配向膜１０６を設ける方法としては、例えば、スピンコーター、
スリットコーター、グラビアコーター、ロールコーターなどの各種コーティング装置や、
フレキソ印刷装置、オフセット印刷装置、グラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、イン
クジェット装置などの各種印刷装置を用いればよい。

ラビング処理に用いるラビング処理部材２１８は通常、ラビング処理装置に備え付けられ
た状態で用いられる。ラビング処理部材２１８は、例えば、レーヨン繊維、コットン繊維
、ナイロン繊維などを主材料とする繊維が表面（第１の配向膜と接触する面）に設けられ
ているローラーなどを用いる。ラビング処理部材２１８を用いて配向膜を擦ることにより
、配向膜に配向性能を付加することができる。

なお、ラビング処理を行った後に、第１の配向膜に対してスペーサ材料（ベース基板１０
０と対向基板１１０を貼り合わせた際に、ベース基板１００と対向基板１１０の間に液晶
材料１４０を設けるための間隔、いわゆるギャップを確保する材料）を、必要に応じて設
けてもよい。

＜対向基板作製工程＞
まず、第２の基板１１２を準備し、第２の基板１１２の一方の面に電極膜１１４を設ける
（図３（Ａ）参照。）。

なお、本実施の形態は反射型モノクローム液晶装置の説明であるため、カラーフィルタを
設けていないが、カラー液晶装置では、第２の基板１１２と電極膜１１４の間にカラーフ
ィルタを設けてもよい。

また、本実施の形態では液晶装置の駆動方式がＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅ
ｎｔ）方式の説明であるため電極膜１１４を設けているが、横電界方式のように対向基板
側の電極膜を必要としない駆動方式の場合、電極膜１１４は必ずしも必要ではない。

第２の基板１１２としては、高いじん性を備えた各種基板を用いる。例えば、有機樹脂基
板および有機樹脂薄膜などを用いる。これにより、薄く軽量であり且つ衝撃や曲げなど、
外部から力を付加しても破壊の生じにくいベース基板を作製できる。

上記有機樹脂基板および有機樹脂薄膜としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹
脂（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート樹脂（
ＰＥＮ）、ポリビニルアルコール樹脂（ＰＶＡ）、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ナイ
ロン樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂
（ＰＥＥＫ）、ポリスチレン樹脂（ＰＳ）、ポリスルホン樹脂（ＰＳＦ）、ポリエーテル
イミド樹脂（ＰＥＩ）、ポリアリレート樹脂（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート樹
脂（ＰＢＴ）、ポリイミド樹脂（ＰＩ）、ポリアミド樹脂（ＰＡ）、ポリアミドイミド樹
脂（ＰＡＩ）、ポリイソブチレン樹脂（ＰＩＢ）、塩素化ポリエーテル樹脂（ＣＰ）、メ
ラミン樹脂（ＭＦ）、エポキシ樹脂（ＥＰ）、ポリ塩化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＣ）、ポ
リプロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリアセタール樹脂（ＰＯＭ）、フェノール樹脂（ＰＦ）、
フラン樹脂（ＦＦ）、不飽和ポリエステル樹脂（ＦＲＰ）、酢酸セルロース樹脂（ＣＡ）
、ユリア樹脂（ＵＦ）、キシレン樹脂（ＸＲ）、ジアリルフタレート樹脂（ＤＡＰ）、ポ
リ酢酸ビニル樹脂（ＰＶＡｃ）、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂の
うち少なくとも１種類以上を構成成分として含む基板および薄膜を用いることができる。

第２の基板１１２の材料選定に際して、バックライトなどを光源として表示を行なう透過
型もしくは半透過型の液晶装置では、熱膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下でありリタデーシ
ョン（複屈折位相差）のなく、耐溶剤性の高い基板が好ましい。また、外光の反射によっ
て表示を行なう反射型の液晶装置においても、同様の性質を有する基板が好ましい。

本実施の形態では第２の基板１１２は単層構造であるが、第２の基板１１２の表面や裏面
に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化珪素
（ＳｉＮ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）などの無機薄膜や、
アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）などの金属膜や、これら金属の酸化膜など
を用いることができ、特に水蒸気透過性、ガス透過性、紫外線透過性の低い膜を用いるこ
とが好ましい。

これらの保護膜を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法
により設けることが好ましい。

また保護膜として、耐溶剤性を備えた樹脂などを用いてもよい。保護膜の成分は基板洗浄
に用いる薬液や配向膜中に含まれる溶剤の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、塩
化ビニル樹脂（ＰＶＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイソブチレン樹脂（Ｐ
ＩＢ）、アクリル（メタクリル）樹脂（ＰＭＭＡ）、酢酸セルロース樹脂（ＣＡ）、ユリ
ア樹脂（ＵＦ）、キシレン樹脂（ＸＲ）、ジアリルフタレート樹脂（ＤＡＰ）、ポリ酢酸
ビニル樹脂（ＰＶＡｃ）、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、ポリアミド（ナイロン）樹脂（Ｐ
Ａ）、ポリカーネイト樹脂（ＰＣ）、塩素化ポリエーテル樹脂（ＣＰ）、メラミン樹脂（
ＭＦ）、エポキシ樹脂（ＥＰ）、塩化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＣ）、ポリスチレン（ＰＳ
）、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリアセタール樹脂（ＰＯＭ）、、フェノール樹脂（
ＰＦ）、フラン樹脂（ＦＦ）、不飽和ポリエステル樹脂（ＦＲＰ）、フッ素樹脂、ＡＢＳ
樹脂などから適宜選択すればよい。これにより、基板洗浄時に用いる薬液や配向膜中に含
まれる溶剤などにより、第２の基板の変質を防止できる。

これらの保護膜を形成する方法としては、例えば、スピンコーター、スリットコーター、
グラビアコーター、ロールコーターなどの各種コーティング装置や、フレキソ印刷装置、
オフセット印刷装置、グラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、インクジェット装置など
の各種印刷装置を用いて薄く均一な膜厚で設けることが好ましい。

なお、第２の基板１１２に電極膜１１４を設ける前に、第２の基板１１２に対して、流体
ジェット洗浄、超音波洗浄、プラズマ洗浄、ＵＶ洗浄、オゾン洗浄などを行い、第２の基
板１１２に付着したゴミや有機成分を除去することが好ましい。

また、第２の基板１１２に対して加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことにより、
第１の基板に付着した水分や不純物を除去できる。さらに、減圧状態で加熱処理を行うこ
とにより、より効率的に水分や不純物を除去できる。加熱処理を行う場合は、第２の基板
１１２には、加熱処理の温度に耐えるだけの耐熱温度を有した基板を用いることが好まし
い。

なお、上記の各種洗浄方法および加熱処理については、どれか１つを行ってもよいし、複
数を組み合わせてもよい。例えば、流体ジェット洗浄を行って第２の基板１１２に付着し
たゴミを除去した後にオゾン洗浄を行って有機成分を除去し、最後に加熱処理を行って、
流体洗浄の際に第２の基板１１２の付着した水分や内部に吸収された水分を除去すること
で、第２の基板１１２のゴミ、有機成分、水分を効果的に除去できる。

電極膜１１４は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、酸化
タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、
酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム
錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したイン
ジウム錫酸化物などの透光性を有する導電材料を主成分とする層を、単層または積層にて
形成した膜を用いることができる。

次に、ベース基板作製工程と同様に、第２の基板１１２に対して微粘着材料２１２を介し
て第２の仮固定基板２１６を貼り付ける（図３（Ｂ）参照）。これにより、第２の基板１
１２に対して外部から力が加わった場合においても、第２の仮固定基板２１６が第２の基
板１１２の変形を抑止するので、第２の基板１１２に変形や破壊が生じることを防止でき
る。また、高いじん性を備えた第２の基板１１２が可撓性を有していても、第２の仮固定
基板２１６により変形や破壊が抑制されるため、ガラス基板などを用いて液晶表示装置を
作製する際に用いる、一般的な製造装置をそのまま使用できる。

上記微粘着材料２１２としては、例えば、光照射、加熱、などの処理により表面の粘着性
を低下できる材料（例えば、ＵＶ剥離テープや熱剥離テープなど）や、粘着性低下処理を
行わずとも第２の基板１１２を剥がすことのできる、弱い粘着性を有する材料（例えば、
微粘着シートやシリコンシートなど）を用いればよい。

上記第２の仮固定基板２１６としては、例えば、石英基板、サファイア基板、セラミック
基板や、ガラス基板、金属基板などを用いることができる。なお、これらの基板は、可撓
性を明確に表さない程度に厚みのあるものを使用することが好ましい。また、後の工程に
て第１のシール材１２０、第２のシール材１３０、第１の導電材料１５０に対して硬化処
理を行うが、これらの材料に光硬化性材料を用いる場合は、第２の仮固定基板２１６とし
ては透光性を有する基板を用いることが好ましい。

なお、微粘着材料２１２と第２の仮固定基板２１６は、微粘着材料２１２の粘着性を用い
て貼り合わせても良いし、接着剤などにより貼り合わせてもよい。

次に、電極膜１１４上に第２の配向膜１１６を設け、ラビング処理部材２１８にて第２の
配向膜１１６に対してラビング処理を行う。これにより、第２の基板１１２に電極膜１１
４および第２の配向膜１１６が順に設けられた対向基板１１０が完成する（図３（Ｃ）参
照。）。

電極膜１１４上に第２の配向膜１１６を設ける方法としては、例えば、スピンコーター、
スリットコーター、グラビアコーター、ロールコーターなどの各種コーティング装置や、
フレキソ印刷装置、オフセット印刷装置、グラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、イン
クジェット装置などの各種印刷装置を用いればよい。

第２の配向膜１１６としては、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリビニルアルコール（Ｐ
ＶＡ）、ポリビニルシンナメート（ＰＶＣｉ）などの絶縁有機材料を用いればよい。

ラビング処理に用いるラビング処理部材２１８は、例えば、レーヨン繊維、コットン繊維
、ナイロン繊維などを主材料とする繊維が表面（第１の配向膜と接触する面）に設けられ
ているローラーなどを用いる。ラビング処理部材２１８を用いて配向膜を擦ることにより
、配向膜に配向性能を付加することができる。

なお、ラビング処理を行った後に、第２の配向膜１１６に対してスペーサ材料（ベース基
板１００と対向基板１１０を貼り合わせた際に、ベース基板１００と対向基板１１０の間
に液晶材料１４０を設けるための間隔、いわゆるギャップを確保する材料）を、必要に応
じて設けてもよい。

なお、本実施の形態では、ベース基板作製工程の次に対向基板作製工程が記載されている
が、両者の作製順序に限定はなく、対向基板作製工程を行ってからベース基板作製工程を
行っても良いし、両工程を同時に平行して行ってもよい。液晶装置の製造時間を短縮する
ためには、ベース基板作製工程と対向基板作製工程を同時に並行して行うことが好ましい
。

＜液晶封止工程＞
まず、ベース基板作製工程にて作製した、微粘着材料２１２により第１の仮固定基板２１
４が貼り合わされたベース基板１００を準備し、第１のシール材１２０、第２のシール材
１３０、液晶材料１４０および第１の導電材料１５０を設ける（図４（Ａ）参照。）。

第１のシール材１２０は、液晶材料１４０を途切れなく囲む状態に、液晶材料１４０と第
２のシール材１３０の間に設けられ、フレキソ印刷装置、オフセット印刷装置、グラビア
印刷装置、スクリーン印刷装置、インクジェット装置、ディスペンサー装置などの各種印
刷装置を用いることができる。

第１のシール材１２０は、第２のシール材１３０が液晶材料１４０に接触して、第２のシ
ール材１３０から液晶材料１４０に液晶汚染物質が混入すること防止する役割を持つ。こ
のため、第１のシール材１２０中に含まれる液晶汚染物質の量を極力少なくする必要があ
る。具体的には第１のシール材１２０中に含まれる液晶汚染物質の濃度は１×１０^−４重
量以下、望ましくは１×１０^−６重量以下とすることが好ましい。

第１のシール材１２０としては、例えば、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、反
応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いれば
よい。液晶装置に使用される各種材料への影響や生産性を考慮すると、高温状態での硬化
処理が不要であり、短時間にて接着剤が硬化する光硬化型接着剤を用いることが好ましい
。

光硬化型接着剤は、外部からの光照射によりカチオン成分が発生する重合開始剤を用いた
光カチオン硬化型と、ラジカル成分が発生する重合開始剤を用いた光ラジカル硬化型の２
種類がある。このうち、カチオン成分などのイオン性不純物は、液晶材料に混入する事に
より液晶配向の乱れや液晶の電圧保持率低下を引き起こす要因となり得る。したがって、
第１のシール材１２０としては、カチオン成分などのイオン性不純物の溶出が少ない、光
ラジカル硬化型接着剤を用いることが好ましい。

また、第１のシール材１２０は、スペーサ材料（ベース基板１００と対向基板１１０を貼
り合わせた際に、ベース基板１００と対向基板１１０の間に液晶材料１４０を設けるため
の間隔、いわゆるギャップを確保する材料）を含んでいてもよい。

なお、上記では光硬化型接着剤についての説明を述べたが、勿論これに限定されることは
なく、各種の接着剤を適宜用いればよい。

第２のシール材１３０は、第１のシール材１２０を囲む状態に設けられ、フレキソ印刷装
置、オフセット印刷装置、グラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、インクジェット装置
、ディスペンサー装置などの各種印刷装置を用いることができる。

第２のシール材１３０としては、例えば、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、反
応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いれば
よい。なお、液晶装置に使用される各種材料への影響や生産性を考慮すると、高温状態で
の硬化処理が不要であり、短時間にて接着剤が硬化する光硬化型接着剤を用いることが好
ましい。

第２のシール材１３０は液晶材料１４０に直接接することがないため、液晶材料１４０へ
の汚染性を気にすることなく、各種添加剤を添加することができる。したがって、幅広い
材料を用いることができる。例えば、光硬化型接着剤では、上記の光ラジカル硬化型接着
剤以外に、外部からの光照射により液晶汚染物質であるカチオン成分が発生する重合開始
剤を用いた光カチオン硬化型を用いてもよい。光カチオン硬化型接着剤は、硬化処理時に
生じる硬化収縮が小さく、対象物との接着力が大きいという特徴を有している。

また、第２のシール材１３０は、スペーサ材料（ベース基板１００と対向基板１１０を貼
り合わせた際に、ベース基板１００と対向基板１１０の間に液晶材料１４０を設けるため
の間隔、いわゆるギャップを確保する材料）を含んでいてもよい。

このように、第２のシール材１３０は液晶材料１４０に悪影響を及ぼす各種添加剤を加え
ることが可能であるため、シール材の選択範囲が広い。例えば、硬化処理後において高い
弾性を有するシール材を用いることにより、液晶装置に外部から力を付加した場合におい
てもシール材が変形して付加された力を緩和することができる。

また、第２のシール材１３０は幅広い種類のシール材を用いることができるため、第１の
シール材１２０と比べてベース基板１００および対向基板１１０への接着力が強い傾向が
ある。

なお、第１のシール材１２０は、第２のシール材１３０から液晶材料１４０への液晶汚染
物質の混入を防止する効果以外にも、ベース基板１００と対向基板１１０を貼り合わせた
際に、液晶材料１４０の基板外周方向への広がりを防ぎ、液晶材料１４０の封止領域の形
状を決める役割を持つ（例えば、液晶材料を丸い形状にしたい場合は、第１のシール材１
２０を、液晶材料を囲む形状に丸く設ける）。

このため、第２のシール材１３０は液晶材料１４０の封止領域の形状には関与しないため
、第１のシール材料を囲む状態であればどのような形状にしてもよい。例えば、第２のシ
ール材１３０を波線形状にすることにより、第２のシール材１３０の接着面積を増加させ
ることができるため、ベース基板１００と対向基板１１０をより強固に接着することが可
能となる。

上記では光硬化型接着剤についての説明を述べたが、これに限定されることはなく、各種
の接着剤を適宜用いてもよい。

なお、本実施の形態では、第１のシール材１２０および第２のシール材１３０のみを用い
ているが、第２のシール材１３０を囲む状態に更に第３のシール材が存在してもよい。

高いじん性を備えた基板を強固に接着するための第２のシール材１３０は、接着対象物の
接着面の凹部に入り込んだり、溶剤で接着対象の表面を溶解することで高い接着性を得る
場合が多い。このため、一般的には未硬化状態では粘度が低く、ベース基板１００と対向
基板１１０を貼り合わせた際に、第２のシール材１３０がベース基板１００および対向基
板１１０の端面からはみ出し、接着力が低下する原因となる。

そこで、第２のシール材１３０を途切れなく囲む状態に第３のシール材を設けることによ
り、第２のシール材１３０は第１のシール材１２０と第３のシール材の間に保持される。
これにより、第２のシール材１３０がベース基板１００および対向基板１１０の端面から
はみ出すことに起因した、ベース基板１００と対向基板１１０の接着性の低下を防止する
事ができる。

第１の導電材料１５０としては、導電性粒子と有機樹脂を有する材料を用いる。具体的に
は、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性粒子を有機樹脂に溶解または分散させた材料を用
いる。導電性粒子としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、
白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（
Ｔｉ）、アルミ（Ａｌ）、カーボン（Ｃ）のいずれか一つ以上の金属粒子、絶縁粒子（例
えばガラス粒子や有機樹脂粒子など）表面に前記いずれか一つ以上の金属膜が形成された
粒子、ハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、第１
の導電材料１５０に含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダ、溶媒、分散剤および被覆
材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的に
は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。

第１の導電材料１５０を設ける方法としては、フレキソ印刷装置、オフセット印刷装置、
グラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、インクジェット装置、ディスペンサー装置など
の各種印刷装置を用いればよい。

次に、第１のシール材１２０により囲まれた領域内に、液晶材料１４０を設ける。

液晶材料１４０としては、リオトロピック液晶、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高
分子液晶、ディスコチック液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等を用いる。なお、上記液晶
材料は、条件により、ネマチック相、コレステリック相、コレステリックブルー相、スメ
クチック相、スメクチックブルー相、キュービック相、スメクチックＤ相、カイラル・ネ
マチック相、等方相等を示す。コレステリックブルー相及びスメクチックブルー相は、螺
旋ピッチが５００ｎｍ以下で比較的短いコレステリック相またはスメクチック相を有する
液晶材料にみられる。液晶材料の配向は二重ねじれ構造を有する。ブルー相は液晶相の一
つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移す
る直前に発現する相である。ブルー相は、狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲
を改善するために、５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶材料
に適用する。なかでも、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速
度が１０μｓ〜１００μｓと短く、光学的に等方性であるため配向膜が不要であり、視野
角依存性が小さいといった特性を有している。このため、本実施の形態で示す液晶装置構
成から、第１の配向膜１０６および第２の配向膜１１６を除いた構成でも液晶材料の配列
を高速に調整することが可能であり、表示画像品質の向上およびコストの削減を行うこと
ができる。

液晶材料１４０を設ける方法としては、フレキソ印刷装置、オフセット印刷装置、グラビ
ア印刷装置、スクリーン印刷装置、インクジェット装置、ディスペンサー装置などの各種
印刷装置を用いればよい。

次に、ベース基板１００の液晶材料１４０を設けた面に対して、対向基板１１０の第２の
配向膜１１６を設けた面を貼り合わせると共に、第１のシール材１２０、第２のシール材
１３０、第１の導電材料１５０に対して硬化処理を行う（図４（Ｂ）参照。）。

ベース基板１００および対向基板１１０は、真空貼り合わせ装置などを用いて、減圧状態
が保たれた処理室内で貼り合わせる事が好ましい。これにより、シール材や液晶材料中に
気泡が混入することなくベース基板１００および対向基板１１０を貼り合わせることがで
きる。また、第１のシール材１２０により囲まれた領域内に、大気成分が封入されるのを
抑制することができる。

なお、貼り合わせ処理を行った後に、ベース基板１００および対向基板１１０の片面また
は両面に対して圧力を付加する処理を行うことが好ましい。これにより、第１のシール材
１２０により囲まれた領域内に、液晶材料１４０が隙間なく均一に形成される。

硬化処理は、第１のシール材１２０、第２のシール材１３０、第１の導電材料１５０の材
料成分により、可視光照射、ＵＶ光照射、加熱処理の中から１種類または複数の処理を、
第１のシール材１２０、第２のシール材１３０、第１の導電材料１５０の硬化状態が最適
となるように行う。例えば、第１のシール材１２０、第２のシール材１３０、第１の導電
材料１５０が光硬化性材料である場合は、各々の硬化条件に応じて照射する光の波長、強
度、時間を適宜選択する。なお、第１のシール材１２０、第２のシール材１３０、第１の
導電材料１５０に、硬化条件同じである材料（例えば、第１のシール材１２０、第２のシ
ール材１３０、第１の導電材料１５０共に光硬化性材料であり、硬化波長や硬化強度も概
ね一致しているなど）を用いることにより、硬化処理回数を少なくできるため好ましい。
なお、第１の導電材料１５０自体の導電性向上や、素子層１０４および電極膜１１４と第
１の導電材料１５０の導通不良防止のため、第１の導電材料１５０の硬化持には圧力を加
えることが望ましい。

上記処理により、ベース基板１００と対向基板１１０は、第１のシール材１２０および第
２のシール材１３０により１［Ｎ／ｍｍ^２］以上の接着強度で接着される。これにより、
外部から強い力が加わった場合においても液晶材料を挟持したベース基板と対向基板が剥
がれ難い液晶装置を作製できる。

また、第１の導電材料１５０によりベース基板１００の素子層１０４の一部と、対向基板
１１０の電極膜１１４の一部が電気的に接続されるため、液晶材料１４０の配列を任意に
調整することができる。これにより、高い表示品位を備えた液晶装置を作製できる。

なお、本実施の形態では液晶材料１４０を滴下した後にベース基板１００と対向基板１１
０を貼り合わせる方法（滴下法）を用いたが、ベース基板１００と対向基板１１０を貼り
合わせた後に、ベース基板１００と対向基板１１０の間に生じる隙間を利用した毛細管現
象により、第１のシール材１２０に囲まれた領域内に液晶材料１４０を注入する方法（注
入法）を用いてもよい。なお、注入法では、ベース基板１００上に第１のシール材１２０
および第２のシール材１３０を設けた後にベース基板１００と対向基板１１０を貼り合わ
せ、その後、第１のシール材１２０に囲まれた領域内に液晶材料１４０を注入するため、
本実施の形態で示した作製順序とは多少異なるが、作製自体は公知であり前後関係は当業
者であれば容易に想像できるため、詳細は省略する。

次に、ベース基板１００の素子層１０４の一部に第２の導電材料１６０を介して外部接続
端子１７０を設け、接続処理を行うことにより素子層１０４の一部と外部接続端子１７０
を電気的に接続する（図５（Ａ）参照。）。

第２の導電材料１６０としては、例えば、導電性粒子と有機樹脂を有する材料を用いる。
具体的には、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性粒子を有機樹脂に溶解または分散させた
材料を用いる。導電性粒子としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（
Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、
チタン（Ｔｉ）、アルミ（Ａｌ）、カーボン（Ｃ）のいずれか一つ以上の金属粒子、絶縁
粒子表面に前記いずれか一つ以上の金属膜が形成された粒子、ハロゲン化銀の微粒子、分
散性ナノ粒子または半田材料などを用いることができる。また、第２の導電材料１６０に
含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダ、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有
機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。

外部接続端子１７０としては、例えば、プリント配線板やＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐ
ｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などがある。本実施の形態における液晶装置は、ベース
基板、対向基板共に高いじん性を備えており、液晶装置が可撓性を有する状態の場合もあ
るため、外部接続端子１７０も可撓性を有することが好ましい。

接続処理としては、第２の導電材料１６０が硬化する条件（可視光照射、ＵＶ光照射、加
熱処理など）を第２の導電材料１６０に与えればよい。さらに、第２の導電材料１６０自
体の導電性向上や、素子層１０４と第２の導電材料１６０の導通不良防止のため、第２の
導電材料１６０の接続処理時には圧力を加えることが望ましい。例えば、第２の導電材料
１６０、外部接続端子１７０に対して加圧処理を行いながら加熱処理を行う熱圧着装置を
用いて接続処理を行えばよい。

次に、ベース基板１００から微粘着材料２１２および第１の仮固定基板２１４を剥がし、
対向基板１１０から微粘着材料２１２および第２の仮固定基板２１６を剥がした後に、第
２の基板１１２に対して偏光板１８０を貼り付ける（図５（Ｂ）参照。）。

なお、本実施の形態は反射型の液晶装置であるため第２の基板１１２側にのみ偏光板１８
０を設けたが、透過型の液晶装置では第１の基板１０２側にも偏光板を設けてよい。

以上の工程により、外部から強い力が加わった場合においても液晶材料を挟持した、高い
じん性を備えた２枚の基板が剥がれ難く、且つ液晶汚染物質による液晶材料の汚染が抑制
された、薄く軽量であり且つ衝撃や曲げなど外部から力を付加しても破壊の生じにくい、
高い表示品位を備えた液晶装置を作製できる。

なお、本実施の形態は反射型液晶装置の説明であるため、バックライトを設けていないが
、透過型液晶装置では、ベース基板１００側にバックライトを設置してもよい。

上記本発明の一態様のように、ベース基板１００に微粘着材料２１２を介して第１の仮固
定基板２１４を、対向基板１１０に微粘着材料２１２を介して第２の仮固定基板２１６を
設けた状態で液晶装置を作製することにより、装置作製時に加わる力によるベース基板１
００および対向基板１１０の変形や破壊を抑制することができる。

したがって、高い表示品位を備えた液晶装置を歩留まり良く作製することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１にて記載した液晶装置に関して、一部の構成要素が異な
る液晶装置の構成およびその作製方法について、図６乃至図８を用いて説明する。なお、
本実施の形態で説明する液晶装置は、実施の形態１にて記載した作製方法の一部を省略す
ることにより作製することができるため、作製方法については実施の形態１にて記載した
方法を適宜用いることができる。

＜液晶装置の全体構成例＞
開示する発明の一態様に係る液晶装置の構成の一例として、第１のシール材および第２の
シール材によってベース基板および対向基板間に液晶材料が挟持された液晶装置について
の上面図を図６（Ａ）に、図６（Ａ）の１点鎖線部における断面図を図６（Ｂ）に示す。

ベース基板６００は、第１の基板６０２の一方の面に、第１の電極膜６０４および第１の
配向膜６０６が順に設けられた構造からなる。ベース基板６００は薄く軽量であり且つ衝
撃や曲げなど外部から力を付加しても破壊が生じにくい。

また、ベース基板６００は、実施の形態１にて記載したベース基板１００に設けられてい
る、素子層１０４を設けなくてもよく、素子層１０４の形成工程および転置工程を行う必
要がない。したがって、安価かつ短時間にて作製することができる。

対向基板６１０は、第２の基板６１２の一方の面に接して、第２の電極膜６１４および第
２の配向膜６１６が順に設けられた構造からなる。対向基板６１０は薄く軽量であり且つ
衝撃や曲げなど外部から力を付加しても破壊が生じにくい。また、対向基板には偏光板６
８０が設けられている。

第１のシール材６２０は、液晶汚染物質の含有量が１×１０^−４重量％以下であり、液晶
材料６４０を囲み途切れの無い状態に形成される。これにより、第２のシール材６３０と
液晶材料６４０が直接接触して第２のシール材６３０中に含まれる液晶汚染物質が液晶材
料６４０に混入すること防止できる。

第２のシール材６３０は、第１のシール材６２０を囲み途切れの無い状態に形成され、第
１のシール材６２０および第２のシール材６３０により、ベース基板６００および対向基
板６１０に対して１［Ｎ／ｍｍ^２］以上の接着強度で接着される。これにより、液晶装置
に外部から力が付加された場合においても、ベース基板６００と対向基板６１０が剥がれ
ることなく、ベース基板６００と対向基板６１０を強固に接着できる。

第１の導電材料６５０は、第１の電極膜６０４の一部および第２の電極膜６１４の一部を
電気的に接続するように設けられる。これにより、第１の導電材料６５０を介して第１の
電極膜６０４から第２の電極膜６１４に電圧を印加できるため、ベース基板６００および
対向基板６１０により挟持された液晶材料６４０に電圧を印加して液晶材料６４０の配列
を調整できる。

また、外部接続端子６７０は、第１の基板６０２の一方の面に形成された第１の電極膜６
０４の一部に、第２の導電材料６６０を介して電気的に接続され、外部から液晶装置を動
作させるために必要な電力を、第２の導電材料６６０を介して第１の電極膜６０４に供給
する機能を持つ。

上記構造を形成することにより、外部から強い力が加わった場合においても液晶材料を挟
持した、高いじん性を備えた２枚の基板が剥がれ難く、且つ液晶汚染物質による液晶材料
の汚染が抑制された、薄く軽量であり且つ衝撃や曲げなど外部から力を付加しても破壊の
生じにくい、液晶材料の配列調整を任意に行える安価な液晶装置を提供できる。

＜液晶装置の作製方法＞
次に、上記液晶装置の作製方法の一例について、図７乃至図８を用いて説明する。なお、
本実施の形態における液晶装置も実施の形態１と同様に「ベース基板作製工程」、「対向
基板作製工程」、「液晶封止工程」、の３つに大別できるが、実施の形態１と同様の処理
を行う箇所に関しては、適宜省略して記載する。

＜ベース基板作製工程＞
まず、第１の基板６０２の一方の面に、第１の電極膜６０４を設け、第１の基板６０２の
他方の面に対して微粘着材料６２２を介して第１の仮固定基板６２４を貼り付ける。次に
、第１の電極膜６０４上に第１の配向膜６０６を設け、第１の配向膜６０６に対してラビ
ング処理を行う。これにより、第１の基板６０２の一方の面に第１の電極膜６０４および
第１の配向膜６０６が順に設けられたベース基板６００が完成する（図７（Ａ）参照。）
。

なお、第１の基板６０２は、実施の形態１の第１の基板１０２と同じ材質、第１の電極膜
６０４の材質および形成方法は、実施の形態１の電極膜１１４と同じ材質および形成方法
、微粘着材料６２２の材質は、実施の形態１の微粘着材料２１２と同じ材質、第１の仮固
定基板６２４の材質は、実施の形態１の第１の仮固定基板２１４と同じ材質、第１の配向
膜６０６の材質および形成方法は、実施の形態１の第１の配向膜１０６と同じ材質および
形成方法を用いることができる。また、ラビング処理の使用部材や処理内容、およびベー
ス基板作製工程中に行われる洗浄内容などの詳細についても、実施の形態１を参照とする
。

＜対向基板作製工程＞
次に、第２の基板６１２の一方の面に、第２の電極膜６１４を設け、第２の基板６１２の
他方の面に対して微粘着材料６３２を介して第２の仮固定基板６３４を貼り付ける。次に
、第２の電極膜６１４上に第２の配向膜６１６を設け、第２の配向膜６１６に対してラビ
ング処理を行う。これにより、第２の基板６１２の一方の面に第２の電極膜６１４および
第２の配向膜６１６が順に設けられた対向基板６１０が完成する（図７（Ｂ）参照。）。

なお、第２の基板６１２の材質は、実施の形態１の第２の基板１１２と同じ材質、第２の
電極膜６１４の材質および形成方法は、実施の形態１の電極膜１１４と同じ材質および形
成方法、微粘着材料６３２の材質は、実施の形態１の微粘着材料２１２と同じ材質、第２
の仮固定基板６３４の材質は、実施の形態１の第２の仮固定基板２１６と同じ材質、第２
の配向膜６１６の材質および形成方法は、実施の形態１の第２の配向膜１１６と同じ材質
および形成方法を用いることができる。また、ラビング処理の使用部材や処理内容、およ
びベース基板作製工程中に行われる洗浄内容などの詳細についても、実施の形態１を参照
とする。

また、本実施の形態では、ベース基板作製工程の次に対向基板作製工程が記載されている
が、両者の作製順序に限定はなく、対向基板作製工程を行ってからベース基板作製工程を
行っても良いし、両工程を同時に平行して行ってもよい。液晶装置の製造時間を短縮する
ためには、ベース基板作製工程と対向基板作製工程を同時に並行して行うことが好ましい
。

なお、本実施の形態はカラーフィルタを設けていないが、第１の基板６０２と第１の電極
膜６０４の間や、第２の基板６１２と第２の電極膜６１４の間にカラーフィルタを設けて
もよい。

＜液晶封止工程＞
次に、微粘着材料６２２により第１の仮固定基板６２４が貼り合わされたベース基板６０
０上に、第１のシール材６２０、第２のシール材６３０、液晶材料６４０および第１の導
電材料６５０を設ける（図７（Ｃ）参照。）。

なお、第１のシール材６２０の必要特性や形成方法は、実施の形態１の第１のシール材と
同じ必要特性や形成方法、第２のシール材６３０の必要特性や形成方法は、実施の形態１
の第２のシール材１３０と同じ必要特性や形成方法、液晶材料６４０の材質や特性は、実
施の形態１の液晶材料１４０と同じ材質や特性、第１の導電材料６５０の材質や形成方法
は、実施の形態１の第１の導電材料１５０と同じ材質や形成方法を用いることができる。

次に、ベース基板６００の液晶材料６４０を設けた面に対して、対向基板６１０の第２の
配向膜６１６を設けた面を貼り合わせると共に、第１のシール材６２０、第２のシール材
６３０、第１の導電材料６５０に対して硬化処理を行う。その後、ベース基板６００上の
第１の電極膜６０４の一部に、第２の導電材料６６０を介して外部接続端子６７０を設け
、接続処理を行うことにより第１の電極膜６０４の一部と外部接続端子６７０を電気的に
接続する（図７（Ｄ）参照。）。

なお、第２の導電材料６６０の材質は、実施の形態１の第２の導電材料１６０と同じ材質
を用いることができる。また、貼り合わせ処理の内容、硬化処理の内容、ベース基板およ
び対向基板に対するシール材の接着力、接続処理の処理内容などの詳細についても、実施
の形態１を参照とする。

また、実施の形態１と同様に、第２のシール材６３０を囲む状態に更に第３のシール材が
存在してもよい。

次に、ベース基板６００から微粘着材料６２２および第１の仮固定基板６２４を剥がし、
対向基板６１０から微粘着材料６２２および第２の仮固定基板６３４を剥がした後に、第
２の基板６１２に対して偏光板６８０を貼り付ける（図８参照。）。

なお、本実施の形態は反射型の液晶装置であるため第２の基板６１２側にのみ偏光板６８
０を設けたが、透過型の液晶装置では第１の基板６０２側にも偏光板を設けてよい。

以上の工程により、外部から強い力が加わった場合においても液晶材料を挟持した、高い
じん性を備えた２枚の基板が剥がれ難く、且つ液晶汚染物質による液晶材料の汚染が抑制
された、薄く軽量であり且つ衝撃や曲げなど外部から力を付加しても破壊の生じにくい、
安価にて光透過率調整の可能な液晶装置が完成する。

なお、本実施の形態は反射型液晶装置の説明であるため、バックライトを設けていないが
、透過型液晶装置では、ベース基板６００側にバックライトを設置してもよい。

上記本発明の一態様のように、ベース基板６００に微粘着材料６２２を介して第１の仮固
定基板６２４を、対向基板６１０に微粘着材料６２２を介して第２の仮固定基板６３４を
設けた状態で液晶装置を作製することにより、装置作製時に加わる力によるベース基板お
よび対向基板の変形や破壊を抑制することができる。

また、本実施の形態の液晶装置は、第１の基板６０２上に素子層を形成する必要がないた
め、素子層形成に必要な処理を削減することが可能であり、処理コストや処理時間を抑え
ることができる。

したがって、液晶材料の配列状態を調整してガラスの光透過率を調整することができる、
安価な光透過率調整可能な液晶装置を歩留まり良く作製できる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、連続作製装置の一例として、実施の形態１で説明した構造の液晶装置
を作製する、連続作製装置の構造および作製フローについて図９乃至図１１を用いて説明
する。なお、連続作製装置は「ベース基板作製機構」、「対向基板作製機構」、「液晶封
止機構」の３つの機構に分けて説明を行う。

＜ベース基板作製装置＞
ベース基板作製装置の構成の一例を、図９に示す。ベース基板作製装置８００は、搬送機
構８０２、基板設置室８１０、洗浄装置８２０、スピンコーター８３０、ＵＶ処理室８４
０、貼り合わせ装置８５０、転置装置８６０、加熱装置８７０、スクリーン印刷装置８８
０、ラビング装置８９０からなる。なお、洗浄装置８２０は、シャワー洗浄を備えた第１
のウェット洗浄機構８２２と流体ジェット洗浄機構および超音波洗浄機構を備えた第２の
ウェット洗浄機構８２４と、ＵＶオゾン洗浄機構を備えたドライ洗浄機構８２６を備えて
おり、貼り合わせ装置８５０は仮支持基板２０８がセットされたカセット８５２と、微粘
着材料２１２がセットされたカセット８５４と、第１の仮固定基板２１４がセットされた
カセット８５６と、第１の基板１０２がセットされたカセット８５８を備えており、加熱
装置８７０は減圧処理装置８７２を備えている。また、スピンコーター８３０は剥離用接
着剤２０６および固定用接着剤２１０の両方を設けることができる（図９（Ａ）参照。）
。

まず、剥離層２０２および素子層１０４が形成された素子層作製基板２００を基板設置室
８１０に設置する。素子層作製基板２００は、付け外し自在な基板収納カセットに複数枚
セットし、カセット単位で基板設置室８１０内にセットする構造となっている。なお、こ
こでは剥離層２０２として、実施の形態１で記載した成分のうち、金属と金属酸化物の積
層構造を用いる。これにより、物理的な剥離力（例えば素子層作製基板２００から素子層
１０４を引き剥がす力）を加えることにより素子層を転置できる。

次に、基板設置室８１０にセットされた素子層作製基板２００は、搬送機構８０２により
洗浄装置８２０に搬送され、第２のウェット洗浄機構８２４により洗浄される。なお、ウ
ェット洗浄後にドライ洗浄機構８２６による洗浄を行い、素子層作製基板２００を更に洗
浄してもよい。

次に、第２のウェット洗浄機構８２４により洗浄された素子層作製基板２００は、搬送機
構８０２によりスピンコーター８３０に搬送され剥離用接着剤２０６が設けられる。なお
、ここでは剥離用接着剤２０６として、実施の形態１に記載した材料である水に可溶な性
質を有する接着剤（以下、水溶性接着剤と呼称する）を用いる。なお、水溶性接着剤には
加熱硬化型や光（ＵＶ）硬化型など様々な種類があるが、本実施の形態ではＵＶ硬化型の
水溶性接着剤を用いた場合の説明を行う。

次に、剥離用接着剤２０６が設けられた素子層作製基板２００は、搬送機構８０２により
ＵＶ処理室８４０に搬送され、ＵＶの照射により剥離用接着剤２０６が硬化する。

次に、硬化した剥離用接着剤２０６が設けられた素子層作製基板２００は、搬送機構８０
２により貼り合わせ装置８５０に搬送され、仮支持基板２０８が貼り合わされる。なお、
貼り合わせ装置８５０は、図９（Ｂ）に示すとおり、移動機構８５１と、上下駆動して移
動機構８５１との距離を任意に調整できる貼り合わせ治具８５９（例えばローラーなど）
を１個または複数個有する構造であり、移動機構８５１に設置された対象物に対して貼り
合わせ治具８５９を用いて貼り合わせ処理を行う。図９（Ｂ）は剥離用接着剤２０６上に
仮支持基板２０８を貼り合わせる状態を示しており、ここでは仮支持基板２０８として、
実施の形態１にて記載した材料であるＵＶ剥離型テープを用いる。

次に、仮支持基板２０８が貼り合わされた素子層作製基板２００は、搬送機構８０２によ
り転置装置８６０に搬送され、実施の形態１に示した手法により、素子層１０４が仮支持
基板２０８側に転置される。

次に、素子層１０４が設けられた仮支持基板２０８は、搬送機構８０２によりスピンコー
ター８３０に搬送され固定用接着剤２１０が設けられる。なお、ここでは固定用接着剤２
１０として、実施の形態１に記載した材料であるＵＶ硬化型接着剤を用いた場合の説明を
行う。

次に、固定用接着剤２１０が設けられた仮支持基板２０８は、搬送機構８０２により貼り
合わせ装置８５０に搬送され、固定用接着剤２１０に対して第１の基板１０２が貼り合わ
される。

次に、仮支持基板２０８が貼り合わされた第１の基板１０２は、搬送機構８０２によりＵ
Ｖ処理室８４０に搬送され、固定用接着剤２１０に対してＵＶ照射が行われ、固定用接着
剤２１０を介して仮支持基板２０８と第１の基板１０２が接着される。

次に、仮支持基板２０８が接着された第１の基板１０２は、搬送機構８０２により貼り合
わせ装置８５０に搬送され、第１の基板１０２に微粘着材料２１２を介して第１の仮固定
基板２１４が貼り合わされる。

次に、仮支持基板２０８が貼り合わされ、かつ第１の仮固定基板２１４が貼り合わされた
第１の基板１０２は、搬送機構８０２により転置装置８６０に搬送されて、剥離用接着剤
２０６から仮支持基板２０８が分離される。さらに、洗浄装置８２０に搬送されて第１の
ウェット洗浄機構８２２により剥離用接着剤２０６が除去される。これにより、素子層１
０４は固定用接着剤２１０を介して第１の基板１０２側に転置される。

次に、素子層１０４が設けられた第１の基板１０２は、搬送機構８０２により洗浄装置８
２０に搬送され、ドライ洗浄機構８２６による洗浄が行われる。なお、この際に同時に第
２のウェット洗浄機構８２４による洗浄を行っても良い。第２のウェット洗浄機構８２４
による洗浄を行った場合は、加熱装置８７０により加熱処理、または減圧処理装置を用い
た減圧状態での加熱処理を行うことにより、基板に付着した水分を効果的に除去できる。

次に、洗浄処理を行った第１の基板１０２は、搬送機構８０２によりスクリーン印刷装置
８８０に搬送され、第１の配向膜１０６が形成される。なお、ここでは第１の配向膜１０
６として、実施の形態１にて記載したポリイミドを用いる。

次に第１の配向膜１０６が設けられた第１の基板１０２は、搬送機構８０２によりラビン
グ装置８９０に搬送され、第１の配向膜１０６に対してラビング処理が行われる。

次に、ラビング処理が行われた第１の基板１０２は、搬送機構８０２により基板設置室８
１０の基板収納カセットに収納される。

以上の作製フローを経由することにより、微粘着材料２１２を介して第１の仮固定基板２
１４が貼り合わされたベース基板１００が完成する。

なお、本実施の形態における対向基板作製装置は、搬送機構８０２を中心に周囲に各処理
装置が配置された構造となっているが、このような構造に限定されることはない。例えば
、各処理装置が一列状に並んだ構造や、Ｌ字型に並んだ構造など、作業性や装置の設置ス
ペースなどを考慮して適宜最適な構造にすればよい。

＜対向基板作製装置＞
対向基板作製装置の構成の一例を、図１０に示す。対向基板作製装置９００は、搬送機構
９０２、基板設置室９１０、洗浄装置９２０、加熱装置９３０、スピンコーター９４０、
スパッタ装置９５０、貼り合わせ装置９６０、スクリーン印刷装置９７０、ラビング装置
９８０からなる。なお、洗浄装置９２０は、流体ジェット洗浄機構および超音波洗浄機構
を備えたウェット洗浄機構９２２と、ＵＶオゾン洗浄機構を備えたドライ洗浄機構９２４
を備えており、加熱装置９３０は減圧処理装置９３２を備えており、貼り合わせ装置９６
０は微粘着材料２１２がセットされたカセット９６２および、第２の仮固定基板２１６が
セットされたカセット９６４を備えている（図１０（Ａ）参照）。

まず、第２の基板１１２を基板設置室９１０に設置する。第２の基板１１２は、付け外し
自在な基板収納カセットに複数枚セットし、カセット単位で基板設置室９１０にセットす
る構造となっている。

次に、基板設置室９１０にセットされた第２の基板１１２は、搬送機構９０２により洗浄
装置９２０に搬送され、ウェット洗浄機構９２２およびドライ洗浄機構９２４の一方また
は両方により洗浄される。

次に、洗浄装置９２０により洗浄された第２の基板１１２は、搬送機構９０２によりスピ
ンコーター９４０に搬送され保護膜が形成される。なお、ここでは保護膜として、実施の
形態１にて記載した材料であるアクリル樹脂を用いる。

次に、保護膜が形成された第２の基板１１２は、搬送機構９０２により加熱装置９３０に
搬送され、加熱処理を行い保護膜を硬化させる。硬化処理後、減圧処理装置９３２を用い
て加熱装置９３０内を減圧状態にして、更に加熱処理を行うことにより、第２の基板１１
２および保護膜に吸着した水分を除去することができる。

次に、保護膜が形成された第２の基板１１２は、搬送機構９０２によりスパッタ装置９５
０に搬送され、電極膜１１４が成膜される。なお、ここでは電極膜１１４として、実施の
形態１にて記載したＩＴＯ膜を用いる。

次に、電極膜１１４が形成された第２の基板１１２は、搬送機構９０２により貼り合わせ
装置９６０に搬送され、微粘着材料２１２を介して第２の基板１１２に第２の仮固定基板
２１６が貼り合わされる。なお、貼り合わせ装置９６０は、図１０（Ｂ）に示すとおり、
移動機構９６５と、上下駆動して移動機構９６５との距離を任意に調整できる貼り合わせ
治具９６６（例えばローラーなど）を１個または複数個有する構造であり、移動機構９６
５に設置された対象物に対して貼り合わせ治具９６６を用いて貼り合わせ処理を行う。図
１０（Ｂ）は第２の仮固定基板２１６上に微粘着材料２１２を貼り合わせた後に、微粘着
材料２１２に第２の基板１１２を貼り合わせる状態を示している。

次に、微粘着材料２１２を介して第２の仮固定基板２１６が貼り合わされた第２の基板１
１２は、搬送機構９０２によりスクリーン印刷装置９７０に搬送され、電極膜１１４上に
第２の配向膜１１６が形成される。なお、ここでは第２の配向膜１１６として、実施の形
態１にて記載したポリイミドを用いる。

次に第２の配向膜１１６が設けられた第２の基板１１２は、搬送機構９０２によりラビン
グ装置９８０に搬送され、第２の配向膜１１６に対してラビング処理が行われる。

次に、ラビング処理が行われた第２の基板１１２は、搬送機構９０２により基板設置室９
１０の基板収納カセットに収納される。

以上の作製フローを経由することにより、微粘着材料２１２を介して第２の仮固定基板２
１６が貼り合わされた対向基板１１０が完成する。

なお、本実施の形態における対向基板作製装置は、搬送機構９０２を中心に周囲に各処理
装置が配置された構造となっているが、このような構造に限定されることはない。例えば
、各処理装置が一列状に並んだ構造や、Ｌ字型に並んだ構造など、作業性や装置の設置ス
ペースなどを考慮して適宜最適な構造にすればよい。

＜液晶封止装置＞
液晶封止装置の構成の一例を、図１１に示す。液晶封止装置１０００は、搬送機構１００
２、ベース基板作製装置８００、対向基板作製装置９００、ディスペンサー１０１０、貼
り合わせ装置１０２０、外部接続端子圧着装置１０３０、分離装置１０４０からなる。な
お、ディスペンサー１０１０は、切り替え処理により第１のシール材１２０、第２のシー
ル材１３０、液晶材料１４０、第１の導電材料１５０、第２の導電材料１６０のいずれを
用いるかを選択できる機構を備えている。また、各材料それぞれに１台のディスペンサー
を割り当てる方式でも構わない。また、貼り合わせ装置１０２０は減圧処理装置１０２２
、ＵＶ照射装置１０２４を備えている。

まず、ベース基板作製装置８００の基板設置室８１０より、微粘着材料２１２を介して第
１の仮固定基板２１４が貼り合わされたベース基板１００が、搬送機構１００２によりデ
ィスペンサー１０１０に搬送され、第１のシール材１２０、第２のシール材１３０、液晶
材料１４０、第１の導電材料１５０が設けられる。なお、ここでは第１のシール材１２０
として実施の形態１にて記載した光ラジカル硬化型接着剤を、第２のシール材１３０、と
して光カチオン硬化型接着剤を、液晶材料１４０として高分子液晶を、第１の導電材料１
５０としてＡｇ粒子が分散された紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いる。

なお、実施の形態１と同様に、第２のシール材１３０を途切れなく囲む状態に第３のシー
ル材が存在してもよい。

次に、上記各材料が設けられたベース基板は、搬送機構１００２により貼り合わせ装置１
０２０に搬送され、装置内に設置される。また、対向基板作製装置９００から、微粘着材
料２１２を介して第２の仮固定基板２１６が貼り合わされた対向基板１１０が搬送され、
減圧処理装置１０２２により減圧状態が保たれた装置内で貼り合わせ処理が行われる。そ
して、ＵＶ照射装置１０２４により第１のシール材１２０、第２のシール材１３０、第１
の導電材料１５０に対して硬化処理が行われる。これにより、ベース基板１００と対向基
板１１０は第１のシール材１２０および第２のシール材１３０により強固に接着される。
また、第１の導電材料１５０を介して素子層１０４の一部と電極膜１１４の一部が電気的
に接続される。

次に、シール材により接着されたベース基板１００と対向基板１１０は、搬送機構１００
２により外部接続端子圧着装置１０３０に搬送され、第２の導電材料１６０を介して素子
層１０４の一部に外部接続端子１７０が接続される。なお、ここでは第２の導電材料とし
て実施の形態１にて記載した、有機樹脂粒子の周りにニッケル薄膜および銀薄膜が順にコ
ーティングされた導電性粒子を、外部接続端子１７０として実施の形態１に記載したＦＰ
Ｃ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いる。

次に、第２の導電材料１６０を介して外部接続端子１７０が設けられた基板は、搬送機構
１００２により分離装置１０４０に搬送され、微粘着材料２１２および第１の仮固定基板
２１４がベース基板１００から分離され、微粘着材料２１２および第２の仮固定基板２１
６が対向基板１１０から分離される。

最後に、上記工程により作製された液晶装置は、搬送機構１００２により基板取り出し室
１０５０に搬送され保管するされる。

以上の工程により、第１のシール材１２０および第２のシール材１３０によってベース基
板１００および対向基板１１０間に液晶材料１４０が挟持され、液晶材料の配列を任意に
調整できる液晶装置が完成する。

なお、本実施の形態における液晶封止装置は、搬送機構１００２を中心に周囲に各処理装
置が配置された構造となっているが、このような構造に限定されることはない。例えば、
各処理装置が一列状に並んだ構造や、Ｌ字型に並んだ構造など、作業性や装置の設置スペ
ースなどを考慮して適宜最適な構造にすればよい。

このように、液晶装置の作製工程を装置内で連続して行うことにより、ゴミや不純物が液
晶装置内に混入することを抑制できる。また、装置間の基板搬送を全て搬送機構により行
うため、搬送時に液晶装置が破壊される等の不良を抑制できる。さらに、本実施の形態で
は、ベース基板作製装置、対向基板作製装置、液晶封止装置が、それぞれ搬送機構を中心
としたマルチチャンバー型形状になっており、複数の基板を同時に処理することができる
ため、液晶装置の製造時間を大幅に短縮することができる。

したがって、液晶装置を歩留まり高く、かつ短時間に作製することができる。

１００ ベース基板
１０２ 第１の基板
１０４ 素子層
１０６ 第１の配向膜
１１０ 対向基板
１１２ 第２の基板
１１４ 電極膜
１１６ 第２の配向膜
１２０ 第１のシール材
１３０ 第２のシール材
１４０ 液晶材料
１５０ 第１の導電材料
１６０ 第２の導電材料
１７０ 外部接続端子
１８０ 偏光板
２００ 素子層作製基板
２０２ 剥離層
２０６ 剥離用接着剤
２０８ 仮支持基板
２１０ 固定用接着剤
２１２ 微粘着材料
２１４ 第１の仮固定基板
２１６ 第２の仮固定基板
２１８ ラビング処理部材
６００ ベース基板
６０２ 第１の基板
６０４ 第１の電極膜
６０６ 第１の配向膜
６１０ 対向基板
６１２ 第２の基板
６１４ 第２の電極膜
６１６ 第２の配向膜
６２０ 第１のシール材
６２２ 微粘着材料
６２４ 第１の仮固定基板
６３０ 第２のシール材
６３２ 微粘着材料
６３４ 第２の仮固定基板
６４０ 液晶材料
６５０ 第１の導電材料
６６０ 第２の導電材料
６７０ 外部接続端子
６８０ 偏光板
８００ ベース基板作製装置
８０２ 搬送機構
８１０ 基板設置室
８２０ 洗浄装置
８２２ 第１のウェット洗浄機構
８２４ 第２のウェット洗浄機構
８２６ ドライ洗浄機構
８３０ スピンコーター
８４０ ＵＶ処理室
８５０ 貼り合わせ装置
８５１ 移動機構
８５２ カセット
８５４ カセット
８５６ カセット
８５８ カセット
８５９ 貼り合わせ治具
８６０ 転置装置
８７０ 加熱装置
８７２ 減圧処理装置
８８０ スクリーン印刷装置
８９０ ラビング装置
９００ 対向基板作製装置
９０２ 搬送機構
９１０ 基板設置室
９２０ 洗浄装置
９２２ ウェット洗浄機構
９２４ ドライ洗浄機構
９３０ 加熱装置
９３２ 減圧処理装置
９４０ スピンコーター
９５０ スパッタ装置
９６０ 貼り合わせ装置
９６２ カセット
９６４ カセット
９６５ 移動機構
９６６ 貼り合わせ治具
９７０ スクリーン印刷装置
９８０ ラビング装置
１０００ 液晶封止装置
１００２ 搬送機構
１０１０ ディスペンサー
１０２０ 貼り合わせ装置
１０２２ 減圧処理装置
１０２４ ＵＶ照射装置
１０３０ 外部接続端子圧着装置
１０４０ 分離装置
１０５０ 基板取り出し室

Claims (1)

1. ベース基板と、
   対向基板と、
   前記ベース基板と前記対向基板との間に挟持された液晶材料と、
   前記液晶材料に接して前記液晶材料を囲む第１のシール材と、
   前記第１のシール材を囲む第２のシール材と、を有し、
   前記ベース基板は、
   可撓性を有する有機樹脂からなる第１の基板と、
   前記第１の基板上の固定用接着剤と、
   前記固定用接着剤上の素子層と、を有し、
   前記対向基板は、
   可撓性を有する有機樹脂からなる第２の基板と、を有し
   前記ベース基板および前記対向基板は、前記第１のシール材および前記第２のシール材により貼り合わされていることを特徴とする液晶表示装置。

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