JPH08171086A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JPH08171086A JPH08171086A JP6312008A JP31200894A JPH08171086A JP H08171086 A JPH08171086 A JP H08171086A JP 6312008 A JP6312008 A JP 6312008A JP 31200894 A JP31200894 A JP 31200894A JP H08171086 A JPH08171086 A JP H08171086A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表示部全体で高分子壁形成不良を減少させる
ことができ、色調むらを少なくして表示品位を向上させ
る。 【構成】 一対の基板１ａ、１ｂ間に高分子壁７により
囲まれた液晶領域６からなる表示媒体が設けられてい
る。少なくとも一方の基板１ａまたは１ｂには、表示部
Ａ外の外周部に紫外線の透過光量を減少させる遮光層８
が形成されている。または、一対の基板１ａ、１ｂ間に
高分子壁７により囲まれた液晶領域６からなる表示媒体
が設けられている。一方の基板１ａ、１ｂを貼り合わせ
るシール材が表面部Ａとその外周部の非表示部Ｂの境界
部に設けられている。または、一対の基板１ａ、１ｂ間
に高分子壁７により囲まれた液晶領域６からなる表示媒
体が設けられている。表面部Ａの外周部の非表示部Ｂに
表示部Ａに形成されているものと同様の形状をした電極
が形成されている。
ことができ、色調むらを少なくして表示品位を向上させ
る。 【構成】 一対の基板１ａ、１ｂ間に高分子壁７により
囲まれた液晶領域６からなる表示媒体が設けられてい
る。少なくとも一方の基板１ａまたは１ｂには、表示部
Ａ外の外周部に紫外線の透過光量を減少させる遮光層８
が形成されている。または、一対の基板１ａ、１ｂ間に
高分子壁７により囲まれた液晶領域６からなる表示媒体
が設けられている。一方の基板１ａ、１ｂを貼り合わせ
るシール材が表面部Ａとその外周部の非表示部Ｂの境界
部に設けられている。または、一対の基板１ａ、１ｂ間
に高分子壁７により囲まれた液晶領域６からなる表示媒
体が設けられている。表面部Ａの外周部の非表示部Ｂに
表示部Ａに形成されているものと同様の形状をした電極
が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ペン入力などの機能を
有する携帯情報端末や高視野角を有するテレビジョン装
置、ディスプレイなどのＯＡ機器などに利用でき、高分
子壁により囲まれた液晶領域を有するＴＮ（ツイステッ
ドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーツイステッ
ドネマティック）モード、ＥＣＢ（Electrically Contr
olledBirefringence）モード、ＦＬＣ（強誘電性液晶）
表示モード、光散乱モードなどを利用した液晶表示素子
およびその製造方法に関する。
有する携帯情報端末や高視野角を有するテレビジョン装
置、ディスプレイなどのＯＡ機器などに利用でき、高分
子壁により囲まれた液晶領域を有するＴＮ（ツイステッ
ドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーツイステッ
ドネマティック）モード、ＥＣＢ（Electrically Contr
olledBirefringence）モード、ＦＬＣ（強誘電性液晶）
表示モード、光散乱モードなどを利用した液晶表示素子
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶表示素子には種々の表示モー
ドのものがある。例えば、電気光学効果を利用した液晶
表示素子には、ネマティック液晶分子を用いたＴＮモー
ドやＳＴＮモードのものが実用化されている。また、最
近では、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子も実用化レ
ベルに達している。
ドのものがある。例えば、電気光学効果を利用した液晶
表示素子には、ネマティック液晶分子を用いたＴＮモー
ドやＳＴＮモードのものが実用化されている。また、最
近では、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子も実用化レ
ベルに達している。
【０００３】また、近年、液晶の複屈折率を利用し、透
明または白濁状態を電気的にコントロールする方式のも
のが、例えば特開昭５８−５０１６３１号公報に提案さ
れている。この方式の液晶表示素子は、一対の基板間隙
に液晶滴が高分子中に分散されてなる表示媒体が狭持さ
れており、所謂高分子分散型液晶表示素子と称されてい
る。この高分子分散型液晶表示素子は、基本的には、電
圧を印加したときに、液晶分子の配向が電場方向に一様
となって液晶分子の常光屈折率と液晶を支持する支持媒
体である高分子（ポリマー）の屈折率とが一致して透明
状態を得、また、電圧を印加しないときには、液晶分子
の配向の乱れにより光散乱状態が生じて不透明状態を得
ることにより、表示を行うものである。
明または白濁状態を電気的にコントロールする方式のも
のが、例えば特開昭５８−５０１６３１号公報に提案さ
れている。この方式の液晶表示素子は、一対の基板間隙
に液晶滴が高分子中に分散されてなる表示媒体が狭持さ
れており、所謂高分子分散型液晶表示素子と称されてい
る。この高分子分散型液晶表示素子は、基本的には、電
圧を印加したときに、液晶分子の配向が電場方向に一様
となって液晶分子の常光屈折率と液晶を支持する支持媒
体である高分子（ポリマー）の屈折率とが一致して透明
状態を得、また、電圧を印加しないときには、液晶分子
の配向の乱れにより光散乱状態が生じて不透明状態を得
ることにより、表示を行うものである。
【０００４】しかし、この高分子分散型液晶表示素子の
製造においては、高分子と液晶との相分離を利用して液
晶滴を形成しているので、液晶滴の形状が均一ではな
く、また、基板表面に沿った方向に対して液晶滴の配置
を正確に制御することが困難であった。このため、液晶
滴毎に駆動電圧が異なって、電気光学的特性における閾
値の急峻性が劣り、かつ、相対的に駆動電圧が高くなっ
ていた。
製造においては、高分子と液晶との相分離を利用して液
晶滴を形成しているので、液晶滴の形状が均一ではな
く、また、基板表面に沿った方向に対して液晶滴の配置
を正確に制御することが困難であった。このため、液晶
滴毎に駆動電圧が異なって、電気光学的特性における閾
値の急峻性が劣り、かつ、相対的に駆動電圧が高くなっ
ていた。
【０００５】この問題を解決するため、本発明者らは、
特願平５−３０９９６号公報において高分子分散型液晶
表示素子を発展させた新たな表示モードを提案してい
る。この液晶表示素子においては、液晶と光重合性化合
物との混合物に光エネルギーの強弱領域を有する紫外線
を照射して光強領域に高分子を、光弱領域に液晶を凝集
させている。よって、液晶滴の形状を均一にし、基板表
面に沿った方向に対して液晶滴の配置を正確に制御する
ことができる。
特願平５−３０９９６号公報において高分子分散型液晶
表示素子を発展させた新たな表示モードを提案してい
る。この液晶表示素子においては、液晶と光重合性化合
物との混合物に光エネルギーの強弱領域を有する紫外線
を照射して光強領域に高分子を、光弱領域に液晶を凝集
させている。よって、液晶滴の形状を均一にし、基板表
面に沿った方向に対して液晶滴の配置を正確に制御する
ことができる。
【０００６】ところで、従来のスペーサは球状または棒
状であり、外部衝撃に対する耐衝撃性が非常に低いの
で、現在、携帯用およびペン入力タイプの液晶表示装置
に用いられている液晶表示パネルは外部から加えられる
圧力により液晶の配向状態が変化したり、または反りや
曲げに対してパネルが破壊されたりしている。このよう
な液晶表示素子において、紫外線照射を位置選択的に行
うことにより高分子と液晶との相分離を位置選択的に行
って絵素部に液晶領域を、非絵素部に高分子領域を形成
し、非絵素部に形成された高分子壁を上下基板に密着さ
せることによりスペーサの役目を与えることもできる。
よって、外部から加えられる圧力に対してパネル強度を
高めた液晶表示素子を得ることができる。
状であり、外部衝撃に対する耐衝撃性が非常に低いの
で、現在、携帯用およびペン入力タイプの液晶表示装置
に用いられている液晶表示パネルは外部から加えられる
圧力により液晶の配向状態が変化したり、または反りや
曲げに対してパネルが破壊されたりしている。このよう
な液晶表示素子において、紫外線照射を位置選択的に行
うことにより高分子と液晶との相分離を位置選択的に行
って絵素部に液晶領域を、非絵素部に高分子領域を形成
し、非絵素部に形成された高分子壁を上下基板に密着さ
せることによりスペーサの役目を与えることもできる。
よって、外部から加えられる圧力に対してパネル強度を
高めた液晶表示素子を得ることができる。
【０００７】一方、特開昭６１−２１５５２４号公報や
特開昭６３−１３７２１３号公報には、シール材を２重
構造にして一対の基板を貼り合わせることにより、パネ
ルの信頼性を高め、またはパネル強度を高めて基板ギャ
ップムラを少なくする方法が開示されているが、液晶表
示素子の表示品位を向上させる目的で上記２重構造のシ
ール材が用いられることはなかった。
特開昭６３−１３７２１３号公報には、シール材を２重
構造にして一対の基板を貼り合わせることにより、パネ
ルの信頼性を高め、またはパネル強度を高めて基板ギャ
ップムラを少なくする方法が開示されているが、液晶表
示素子の表示品位を向上させる目的で上記２重構造のシ
ール材が用いられることはなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の液晶表示素
子では、液晶と光重合性化合物との混合物に光エネルギ
ーの強弱領域を有する紫外線を照射して光強領域に高分
子領域を、光弱領域に液晶領域を形成しており、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）など、紫外線の透過量を減少させ
る材質からなる透明電極が形成された表示部と、その周
囲に設けられた端子部（非表示部）との境界部のよう
に、開口率が異なるために光強領域と光弱領域との面積
比に差のある領域が隣合う部分がある。このような光強
弱領域の面積比に差のある部分では、光強領域面積が広
い方（端子部）に高分子または光重合性化合物が流出
し、光強領域面積が狭い方（表示部）に高分子が少なく
なって高分子壁形成不良が生じることが多かった。この
結果、異なる屈折率を有する液晶領域と高分子領域とを
通過する光の量が表示領域周辺部と中央部とで異なり、
光の屈折量に差が生じるため色調に変化が起こり、表示
領域全体で均一な表示を行うことが困難であった。
子では、液晶と光重合性化合物との混合物に光エネルギ
ーの強弱領域を有する紫外線を照射して光強領域に高分
子領域を、光弱領域に液晶領域を形成しており、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）など、紫外線の透過量を減少させ
る材質からなる透明電極が形成された表示部と、その周
囲に設けられた端子部（非表示部）との境界部のよう
に、開口率が異なるために光強領域と光弱領域との面積
比に差のある領域が隣合う部分がある。このような光強
弱領域の面積比に差のある部分では、光強領域面積が広
い方（端子部）に高分子または光重合性化合物が流出
し、光強領域面積が狭い方（表示部）に高分子が少なく
なって高分子壁形成不良が生じることが多かった。この
結果、異なる屈折率を有する液晶領域と高分子領域とを
通過する光の量が表示領域周辺部と中央部とで異なり、
光の屈折量に差が生じるため色調に変化が起こり、表示
領域全体で均一な表示を行うことが困難であった。
【０００９】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、表示部全体で高分子壁形成不良を減少させることが
できて、色調むらを少なくし表示品位を向上させること
ができる液晶表示素子およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
で、表示部全体で高分子壁形成不良を減少させることが
できて、色調むらを少なくし表示品位を向上させること
ができる液晶表示素子およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、一対の基板間に、高分子領域と該高分子領域により
囲まれた液晶領域とを挟持した液晶表示素子において、
該一対の基板の各々の該液晶領域側に表示用電極が設け
られた表示部と、該表示部の周囲に設けられた非表示部
とを有し、少なくとも該一方の基板の該液晶領域側の
面、または該液晶領域とは反対側の面の該非表示部に、
紫外線の透過光量を減少させる金属膜または無機膜など
の遮光層を設けたものであり、そのことにより上記目的
が達成される。
は、一対の基板間に、高分子領域と該高分子領域により
囲まれた液晶領域とを挟持した液晶表示素子において、
該一対の基板の各々の該液晶領域側に表示用電極が設け
られた表示部と、該表示部の周囲に設けられた非表示部
とを有し、少なくとも該一方の基板の該液晶領域側の
面、または該液晶領域とは反対側の面の該非表示部に、
紫外線の透過光量を減少させる金属膜または無機膜など
の遮光層を設けたものであり、そのことにより上記目的
が達成される。
【００１１】また、本発明の液晶表示素子は、一対の基
板間に、高分子領域と該高分子領域により囲まれた液晶
領域とを挟持した液晶表示素子において、該一対の基板
の各々の該液晶領域側に表示用電極が設けられた表示部
と、該表示部の周囲に設けられた非表示部とを有し、該
一対の基板を貼り合わせるシール材が該表示部と該非表
示部との境界部に設けられているものであり、そのこと
により上記目的が達成される。また、本発明の液晶表示
素子において、好ましくは、シール材が内周シールと外
周シールとの２重構造からなり、該内周シールが該表示
部と非表示部との境界部に設けられ、該外周シールが該
非表示部に設けられている。また、本発明の液晶表示素
子において、好ましくは、内周シールと外周シールの間
に液晶材料が注入されている。さらに、本発明の液晶表
示素子において、好ましくは、内周シールの幅が５０μ
ｍ以上２ｍｍ以下である。
板間に、高分子領域と該高分子領域により囲まれた液晶
領域とを挟持した液晶表示素子において、該一対の基板
の各々の該液晶領域側に表示用電極が設けられた表示部
と、該表示部の周囲に設けられた非表示部とを有し、該
一対の基板を貼り合わせるシール材が該表示部と該非表
示部との境界部に設けられているものであり、そのこと
により上記目的が達成される。また、本発明の液晶表示
素子において、好ましくは、シール材が内周シールと外
周シールとの２重構造からなり、該内周シールが該表示
部と非表示部との境界部に設けられ、該外周シールが該
非表示部に設けられている。また、本発明の液晶表示素
子において、好ましくは、内周シールと外周シールの間
に液晶材料が注入されている。さらに、本発明の液晶表
示素子において、好ましくは、内周シールの幅が５０μ
ｍ以上２ｍｍ以下である。
【００１２】さらに、本発明の液晶表示素子は、一対の
基板間に、高分子領域と該高分子領域により囲まれた液
晶領域とを挟持した液晶表示素子において、該一対の基
板の各々の該液晶領域側に表示用電極が設けられた表示
部と、該表示部の周囲に設けられた非表示部とを有し、
該非表示部に該表示部に設けられているものと同様の形
状をした電極を設けたものであり、そのことにより上記
目的が達成される。また、本発明の液晶表示素子におい
て、好ましくは、非表示部に、該表示部に隣接して少な
くとも３列電極が設けられている。
基板間に、高分子領域と該高分子領域により囲まれた液
晶領域とを挟持した液晶表示素子において、該一対の基
板の各々の該液晶領域側に表示用電極が設けられた表示
部と、該表示部の周囲に設けられた非表示部とを有し、
該非表示部に該表示部に設けられているものと同様の形
状をした電極を設けたものであり、そのことにより上記
目的が達成される。また、本発明の液晶表示素子におい
て、好ましくは、非表示部に、該表示部に隣接して少な
くとも３列電極が設けられている。
【００１３】本発明の液晶表示素子の製造方法は、一対
の基板間に、高分子領域および該高分子領域で囲まれた
液晶領域を形成するとともに、該一対の基板の各々の表
示媒体側に表示用電極が設けられた表示部と、該表示部
の周囲に設けられた非表示部とを形成する液晶表示素子
の製造方法において、該高分子領域および液晶領域を、
該高分子領域および液晶領域とで紫外線照射強度が異な
るように選択的に紫外線照射を行うことにより形成する
とともに、少なくとも該一方の基板の表示媒体と反対側
の面に、該表示部と該非表示部とで紫外線照射強度が異
なるように選択的に紫外線照射を行うことにより形成す
るものであり、そのことにより上記目的が達成される。
の基板間に、高分子領域および該高分子領域で囲まれた
液晶領域を形成するとともに、該一対の基板の各々の表
示媒体側に表示用電極が設けられた表示部と、該表示部
の周囲に設けられた非表示部とを形成する液晶表示素子
の製造方法において、該高分子領域および液晶領域を、
該高分子領域および液晶領域とで紫外線照射強度が異な
るように選択的に紫外線照射を行うことにより形成する
とともに、少なくとも該一方の基板の表示媒体と反対側
の面に、該表示部と該非表示部とで紫外線照射強度が異
なるように選択的に紫外線照射を行うことにより形成す
るものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１４】
【作用】本発明においては、非表示部の紫外線照射量を
遮光層により減少させることで、非表示部分での光重合
性化合物の重合が抑制される。
遮光層により減少させることで、非表示部分での光重合
性化合物の重合が抑制される。
【００１５】また、シール材を表示部と非表示部の境界
部に設けることで、表示部から非表示部への高分子の流
出を防ぐことが可能となる。
部に設けることで、表示部から非表示部への高分子の流
出を防ぐことが可能となる。
【００１６】さらに、２重シールの間に液晶材料を注入
することで、２重シール間も表示部として用いることが
可能となる。
することで、２重シール間も表示部として用いることが
可能となる。
【００１７】さらに、表示用電極と同様の形状をした電
極を非表示部にも設けることで、表示部と非表示部の開
口率を等しくすることが可能となる。
極を非表示部にも設けることで、表示部と非表示部の開
口率を等しくすることが可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１９】（実施例１）図１は、本発明の実施例１で
ある液晶表示素子の構成を示す断面図である。図１にお
いて、この液晶表示素子は、一対の基板１ａ、１ｂが対
向して配設され、その間に相分離により形成された高分
子領域７とその高分子領域７に囲まれた液晶領域６とが
挟まれて表示媒体が形成されている。また、一対の基板
１ａ、１ｂの表示媒体側の表面にはそれぞれ、所定間隔
毎に帯状の表示用電極としての透明電極２ａ、２ｂが形
成されている。さらに、端部の基板１ａおよび透明電極
２ａ上に、紫外線の透過光量を減少させる遮光層８が形
成され、また、端部の基板１ｂおよび透明電極２ｂ上
に、紫外線の透過光量を減少させる遮光層８が形成され
ている。これら基板１ａ、透明電極２ａおよび遮光層８
上を覆うように電気絶縁膜３ａが形成され、また同様
に、基板１ｂ、透明電極２ｂおよび遮光層８上を覆うよ
うに電気絶縁膜３ｂが形成されている。さらに、その上
に配向膜４ａ、４ｂがそれぞれ形成されている。これら
透明電極２ａ、２ｂが対向する部分が絵素部１０となっ
ており、この絵素部１０は上記液晶領域６に含まれてい
る。さらに、一対の基板１ａ、１ｂをそれぞれベースと
した一対の基板部の端部はシール材５により所定間隔で
対向するように貼り合わせられており、その基板部の間
隙には基板ギャップ制御材としてのスペーサ９が散布さ
れている。
ある液晶表示素子の構成を示す断面図である。図１にお
いて、この液晶表示素子は、一対の基板１ａ、１ｂが対
向して配設され、その間に相分離により形成された高分
子領域７とその高分子領域７に囲まれた液晶領域６とが
挟まれて表示媒体が形成されている。また、一対の基板
１ａ、１ｂの表示媒体側の表面にはそれぞれ、所定間隔
毎に帯状の表示用電極としての透明電極２ａ、２ｂが形
成されている。さらに、端部の基板１ａおよび透明電極
２ａ上に、紫外線の透過光量を減少させる遮光層８が形
成され、また、端部の基板１ｂおよび透明電極２ｂ上
に、紫外線の透過光量を減少させる遮光層８が形成され
ている。これら基板１ａ、透明電極２ａおよび遮光層８
上を覆うように電気絶縁膜３ａが形成され、また同様
に、基板１ｂ、透明電極２ｂおよび遮光層８上を覆うよ
うに電気絶縁膜３ｂが形成されている。さらに、その上
に配向膜４ａ、４ｂがそれぞれ形成されている。これら
透明電極２ａ、２ｂが対向する部分が絵素部１０となっ
ており、この絵素部１０は上記液晶領域６に含まれてい
る。さらに、一対の基板１ａ、１ｂをそれぞれベースと
した一対の基板部の端部はシール材５により所定間隔で
対向するように貼り合わせられており、その基板部の間
隙には基板ギャップ制御材としてのスペーサ９が散布さ
れている。
【００２０】本実施例１の特徴は、この基板端部の表示
媒体側の面に遮光層８を形成したことにあり、この基板
端部とは、非表示部Ｂであり少なくとも表示部Ａとシー
ル材５との間である。この表示部Ａとは透明電極２ａ、
２ｂが重なっている部分の集合領域であり、非表示部Ｂ
とは表示部Ａ外の周囲領域であり、一対の基板部を貼り
合わせるシール材５が設けられた領域を含んでいる。
媒体側の面に遮光層８を形成したことにあり、この基板
端部とは、非表示部Ｂであり少なくとも表示部Ａとシー
ル材５との間である。この表示部Ａとは透明電極２ａ、
２ｂが重なっている部分の集合領域であり、非表示部Ｂ
とは表示部Ａ外の周囲領域であり、一対の基板部を貼り
合わせるシール材５が設けられた領域を含んでいる。
【００２１】このように、表示媒体を挟んで対向配設さ
れる一対の基板部における非表示部Ｂに、紫外線の透過
光量を減少させる遮光層８を設けることにより、非表示
部Ｂの紫外線の照射量を減少させることができて、非表
示部Ｂにおいて光重合性化合物が重合するのを抑制する
ことができる。よって、表示部Ａから非表示部Ｂに高分
子または光重合性化合物が流出するのを防ぐことができ
る。
れる一対の基板部における非表示部Ｂに、紫外線の透過
光量を減少させる遮光層８を設けることにより、非表示
部Ｂの紫外線の照射量を減少させることができて、非表
示部Ｂにおいて光重合性化合物が重合するのを抑制する
ことができる。よって、表示部Ａから非表示部Ｂに高分
子または光重合性化合物が流出するのを防ぐことができ
る。
【００２２】上記本実施例１の液晶表示素子は、例えば
以下のようにして作製することができる。
以下のようにして作製することができる。
【００２３】まず、基板１ａ、１ｂの上にそれぞれ、ス
パッタ法などによりＩＴＯ膜を厚み２０００オングスト
ロームに堆積して所定間隔毎の帯状の透明電極２ａ、２
ｂを形成する。次に、紫外線の透過光量を減少させるＭ
ｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属膜や、Ｓｉ
Ｏ2、ＩＴＯなどの無機膜を用いて、遮光膜８を表示部
Ａ外の外周部（非表示部Ｂ）に形成する。さらに、これ
らを覆うようにスパッタ法などにより電気絶縁膜３ａ、
３ｂをそれぞれ形成する。その上に配向膜４ａ、４ｂを
形成し、ナイロン布などでラビング処理を行う。
パッタ法などによりＩＴＯ膜を厚み２０００オングスト
ロームに堆積して所定間隔毎の帯状の透明電極２ａ、２
ｂを形成する。次に、紫外線の透過光量を減少させるＭ
ｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属膜や、Ｓｉ
Ｏ2、ＩＴＯなどの無機膜を用いて、遮光膜８を表示部
Ａ外の外周部（非表示部Ｂ）に形成する。さらに、これ
らを覆うようにスパッタ法などにより電気絶縁膜３ａ、
３ｂをそれぞれ形成する。その上に配向膜４ａ、４ｂを
形成し、ナイロン布などでラビング処理を行う。
【００２４】上記基板材料としては、少なくとも一方の
基板が光を透過する透明材料であればいずれも用いるこ
とができ、例えばガラス、プラスチックフィルムなどを
用いることができる。また、一方の基板が透明であれ
ば、他方の基板は不透明であっても良く、金属膜などが
設けられていても良い。この遮光膜８は少なくともシー
ル材５と表示部Ａとの間を覆うように形成すればよい
が、シール材５の領域を含む非表示部Ｂ全体に形成して
も良い。さらに、上記配向膜４ａ、４ｂは必要に応じて
形成し、不要であれば形成しなくても良い。
基板が光を透過する透明材料であればいずれも用いるこ
とができ、例えばガラス、プラスチックフィルムなどを
用いることができる。また、一方の基板が透明であれ
ば、他方の基板は不透明であっても良く、金属膜などが
設けられていても良い。この遮光膜８は少なくともシー
ル材５と表示部Ａとの間を覆うように形成すればよい
が、シール材５の領域を含む非表示部Ｂ全体に形成して
も良い。さらに、上記配向膜４ａ、４ｂは必要に応じて
形成し、不要であれば形成しなくても良い。
【００２５】この状態の両基板部を透明電極２ａ、２ｂ
が互いに直交するように対向配置し、スペーサ９を散布
して、両基板部の端部をシール材５により貼り合わせて
液晶セルを作製する。
が互いに直交するように対向配置し、スペーサ９を散布
して、両基板部の端部をシール材５により貼り合わせて
液晶セルを作製する。
【００２６】このようにして作製した液晶セルの間隙
（基板部の間隙）に少なくとも液晶材料、光重合性化合
物および光重合開始剤を含む混合材料（以下、混合液晶
材料という）を注入する。この液晶材料としては、従来
のＴＮモード、ＳＴＮモード、ＥＣＢモード、強誘電性
液晶モード、光散乱モードなどの液晶表示素子に用いら
れる液晶材料のいずれでも用いることができる。例えば
ＳＴＮ表示モードの場合、カイラル剤（Ｓ−８１１）を
０．３％添加したＺＬ１−４４２７（メルク社製）など
が挙げられる。また、光重合性化合物としては、ｐ−フ
ェニルスチレン、イソボルニルメタクリレート、パーフ
ルオロメタクリレートなどが挙げられ、それらを単独で
用いても良く、数種類の組み合わせでも良い。さらに、
光重合開始剤としては、Ｉｒｕｇａｃｕｒｅ６５１（チ
バガイギー製）などが挙げられる。また、この時の注入
口は、後の紫外線照射工程で表示部Ａに光が当たらない
ように紫外線（ＵＶ）硬化樹脂で封止しておく。
（基板部の間隙）に少なくとも液晶材料、光重合性化合
物および光重合開始剤を含む混合材料（以下、混合液晶
材料という）を注入する。この液晶材料としては、従来
のＴＮモード、ＳＴＮモード、ＥＣＢモード、強誘電性
液晶モード、光散乱モードなどの液晶表示素子に用いら
れる液晶材料のいずれでも用いることができる。例えば
ＳＴＮ表示モードの場合、カイラル剤（Ｓ−８１１）を
０．３％添加したＺＬ１−４４２７（メルク社製）など
が挙げられる。また、光重合性化合物としては、ｐ−フ
ェニルスチレン、イソボルニルメタクリレート、パーフ
ルオロメタクリレートなどが挙げられ、それらを単独で
用いても良く、数種類の組み合わせでも良い。さらに、
光重合開始剤としては、Ｉｒｕｇａｃｕｒｅ６５１（チ
バガイギー製）などが挙げられる。また、この時の注入
口は、後の紫外線照射工程で表示部Ａに光が当たらない
ように紫外線（ＵＶ）硬化樹脂で封止しておく。
【００２７】次に、液晶セルの外部から上記混合液晶材
料に紫外線を照射する。光源としては、平行光線が得ら
れる紫外線照射用の高圧水銀ランプを使用し、その照射
位置としては、例えば照射強度１０ｍＷ／ｃｍ2の位置
とする。紫外線照射時の基板温度は常温にしても良く、
基板間において液晶が等方性液晶状態となる温度にして
もよい。その場合には液晶の配向を安定化させることが
できる。この紫外線照射により高分子と液晶との相分離
が生じ、表示部Ａ内の光強照射領域には液晶領域６が形
成され、表示部Ａ内の光弱照射領域には高分子領域７が
形成される。このとき、非表示部Ｂは遮光層８により紫
外線が遮光されているので光重合性化合物の重合が抑制
され、表示部Ａから非表示部Ｂへの高分子または光重合
性化合物の流出を防ぐことができる。なお、液晶の配向
を安定化させるために高温で紫外線照射を行った場合に
は、照射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方
がよい。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好
ましくは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分
離を行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱
照度で基板全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬
化させても良い。このとき、表示部Ａ外（非表示部Ｂ）
にＰＤＬＣ状または高分子壁が形成されるが、既に相分
離している表示部内の高分子は硬化しているため非表示
部Ｂには流出しない。よって、表示部Ａの液晶領域６お
よび高分子領域７には影響を与えない。
料に紫外線を照射する。光源としては、平行光線が得ら
れる紫外線照射用の高圧水銀ランプを使用し、その照射
位置としては、例えば照射強度１０ｍＷ／ｃｍ2の位置
とする。紫外線照射時の基板温度は常温にしても良く、
基板間において液晶が等方性液晶状態となる温度にして
もよい。その場合には液晶の配向を安定化させることが
できる。この紫外線照射により高分子と液晶との相分離
が生じ、表示部Ａ内の光強照射領域には液晶領域６が形
成され、表示部Ａ内の光弱照射領域には高分子領域７が
形成される。このとき、非表示部Ｂは遮光層８により紫
外線が遮光されているので光重合性化合物の重合が抑制
され、表示部Ａから非表示部Ｂへの高分子または光重合
性化合物の流出を防ぐことができる。なお、液晶の配向
を安定化させるために高温で紫外線照射を行った場合に
は、照射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方
がよい。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好
ましくは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分
離を行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱
照度で基板全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬
化させても良い。このとき、表示部Ａ外（非表示部Ｂ）
にＰＤＬＣ状または高分子壁が形成されるが、既に相分
離している表示部内の高分子は硬化しているため非表示
部Ｂには流出しない。よって、表示部Ａの液晶領域６お
よび高分子領域７には影響を与えない。
【００２８】このようにして作製した液晶表示素子の表
示領域周辺部での高分子壁形成率を下記（表１）に示
す。また、比較例として遮光層８を形成していない従来
の液晶表示素子についても同時に示す。なお、下記（表
１）において、高分子壁形成率とは、非表示部Ｂに隣接
する３列の絵素（表示部Ａ端から３周目までの絵素）の
うち、絵素を囲む４辺の高分子壁が途切れることなく形
成されているものの割合を示している。
示領域周辺部での高分子壁形成率を下記（表１）に示
す。また、比較例として遮光層８を形成していない従来
の液晶表示素子についても同時に示す。なお、下記（表
１）において、高分子壁形成率とは、非表示部Ｂに隣接
する３列の絵素（表示部Ａ端から３周目までの絵素）の
うち、絵素を囲む４辺の高分子壁が途切れることなく形
成されているものの割合を示している。
【００２９】
【表１】
【００３０】上記（表１）からわかるように、本実施例
１の液晶表示素子は、非表示部Ｂに隣接した表示部Ａの
周辺部での高分子壁形成不良を減少させることができ
た。
１の液晶表示素子は、非表示部Ｂに隣接した表示部Ａの
周辺部での高分子壁形成不良を減少させることができ
た。
【００３１】（実施例２）本実施例２では、実施例１の
液晶表示素子において、紫外線の透過光量を減少させる
遮光層８を、一方の基板１ａ、１ｂの表示媒体とは反対
側に形成した場合である。このときに用いる液晶、光重
合性化合物は実施例１と同様であり、液晶表示素子の構
成は、図２（ａ）に示すように、遮光層８を基板１ａ、
１ｂの表示媒体側の面に設けなかった以外は実施例１と
同様である。
液晶表示素子において、紫外線の透過光量を減少させる
遮光層８を、一方の基板１ａ、１ｂの表示媒体とは反対
側に形成した場合である。このときに用いる液晶、光重
合性化合物は実施例１と同様であり、液晶表示素子の構
成は、図２（ａ）に示すように、遮光層８を基板１ａ、
１ｂの表示媒体側の面に設けなかった以外は実施例１と
同様である。
【００３２】この本実施例２の液晶表示素子は、例えば
以下のようにして作成することができる。
以下のようにして作成することができる。
【００３３】まず、遮光層８を形成しない以外は実施例
１と同様にして作製した液晶セルに、実施例１と同様の
混合液晶材料を注入して注入口を封止する。
１と同様にして作製した液晶セルに、実施例１と同様の
混合液晶材料を注入して注入口を封止する。
【００３４】次に、この液晶セルの外部から上記混合液
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、基板の表示媒体側と反対面における非
表示部Ｂに、例えばフォトマスク（遮光層８）などを配
置して紫外線を遮光する。このフォトマスクは少なくと
もシール材５と表示部Ａとの間を覆うように形成すれば
よいが、非表示部Ｂ全体に形成しても良い。この紫外線
照射時の基板温度は実施例１と同様に、常温で行っても
よく、基板間において液晶が等方性液晶状態になる温度
にしてもよい。この紫外線照射により高分子と液晶との
相分離が生じて、表示部Ａ内の光強照射領域には液晶領
域６が形成され、表示部Ａ内の光弱照射領域には高分子
領域７が形成される。このとき、フォトマスクで覆った
部分は相分離が十分に起こらず、液晶と光重合性化合物
とを少なくとも含む混合物が残る。また、非表示部Ｂは
フォトマスクにより紫外線が遮光されているので光重合
性化合物の重合が抑制され、表示部Ａから非表示部Ｂへ
の高分子または光重合性化合物の流出を防ぐことができ
る。なお、液晶の配向を安定化させるために高温で紫外
線照射を行った場合には、実施例１と同様に、照射後、
徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方がよい。徐冷
のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好ましくは５℃
／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分離が行った
後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱照度で基板
全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬化させても
良い。このとき、表示部Ａ外（非表示部Ｂ）にＰＤＬＣ
状または高分子壁が形成されるが、既に相分離している
表示部Ａ内の高分子は硬化しているため非表示部Ｂに流
出しない。よって、実施例１と同様に、表示部の液晶領
域６および高分子領域７には影響を与えない。
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、基板の表示媒体側と反対面における非
表示部Ｂに、例えばフォトマスク（遮光層８）などを配
置して紫外線を遮光する。このフォトマスクは少なくと
もシール材５と表示部Ａとの間を覆うように形成すれば
よいが、非表示部Ｂ全体に形成しても良い。この紫外線
照射時の基板温度は実施例１と同様に、常温で行っても
よく、基板間において液晶が等方性液晶状態になる温度
にしてもよい。この紫外線照射により高分子と液晶との
相分離が生じて、表示部Ａ内の光強照射領域には液晶領
域６が形成され、表示部Ａ内の光弱照射領域には高分子
領域７が形成される。このとき、フォトマスクで覆った
部分は相分離が十分に起こらず、液晶と光重合性化合物
とを少なくとも含む混合物が残る。また、非表示部Ｂは
フォトマスクにより紫外線が遮光されているので光重合
性化合物の重合が抑制され、表示部Ａから非表示部Ｂへ
の高分子または光重合性化合物の流出を防ぐことができ
る。なお、液晶の配向を安定化させるために高温で紫外
線照射を行った場合には、実施例１と同様に、照射後、
徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方がよい。徐冷
のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好ましくは５℃
／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分離が行った
後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱照度で基板
全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬化させても
良い。このとき、表示部Ａ外（非表示部Ｂ）にＰＤＬＣ
状または高分子壁が形成されるが、既に相分離している
表示部Ａ内の高分子は硬化しているため非表示部Ｂに流
出しない。よって、実施例１と同様に、表示部の液晶領
域６および高分子領域７には影響を与えない。
【００３５】このようにして作製した実施例２の液晶表
示素子の表示領域周辺部での高分子壁形成率を下記の
（表２）に示している。また、比較例として非表示部Ｂ
にフォトマスクを形成しない従来の液晶表示素子につい
ても下記の（表２）に同時に示している。なお、下記の
（表２）において、高分子壁形成率とは、非表示部Ｂに
隣接する３列の絵素（表示部Ａ端から３周目までの絵
素）のうち、絵素を囲む４辺の高分子壁が途切れること
なく形成されているものの割合を示している。
示素子の表示領域周辺部での高分子壁形成率を下記の
（表２）に示している。また、比較例として非表示部Ｂ
にフォトマスクを形成しない従来の液晶表示素子につい
ても下記の（表２）に同時に示している。なお、下記の
（表２）において、高分子壁形成率とは、非表示部Ｂに
隣接する３列の絵素（表示部Ａ端から３周目までの絵
素）のうち、絵素を囲む４辺の高分子壁が途切れること
なく形成されているものの割合を示している。
【００３６】
【表２】
【００３７】上記（表２）から解るように、実施例２の
液晶表示素子においては、表示部周辺部での高分子壁形
成不良を減少させることができた。
液晶表示素子においては、表示部周辺部での高分子壁形
成不良を減少させることができた。
【００３８】（実施例３）本実施例３では、実施例１の
液晶表示素子において、紫外線の透過光量を減少させる
遮光層８を、液晶セルの外部に設けた場合である。この
ときに用いる液晶、光重合性化合物は実施例１と同様で
あり、本実施例３の液晶表示素子の構成は、図２（ａ）
に示すように、遮光層８を基板１ａ、１ｂの表示媒体側
の面には設けなかった以外は実施例１と同様である。
液晶表示素子において、紫外線の透過光量を減少させる
遮光層８を、液晶セルの外部に設けた場合である。この
ときに用いる液晶、光重合性化合物は実施例１と同様で
あり、本実施例３の液晶表示素子の構成は、図２（ａ）
に示すように、遮光層８を基板１ａ、１ｂの表示媒体側
の面には設けなかった以外は実施例１と同様である。
【００３９】この本実施例３の液晶表示素子は、例えば
以下のようにして作成することができる。
以下のようにして作成することができる。
【００４０】まず、遮光層８を形成しない以外は実施例
１と同様にして作製した液晶セルに、実施例１と同様の
混合液晶材料を注入して注入口を封止する。
１と同様にして作製した液晶セルに、実施例１と同様の
混合液晶材料を注入して注入口を封止する。
【００４１】次に、この液晶セルの外部から上記混合液
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様であるが、図２（ｂ）に示すように、液晶セ
ル１１の非表示部Ｂに紫外線１２が照射されないように
紫外線照射ランプ１３にマスク１４を施す。紫外線照射
時の基板温度は実施例１と同様に、常温で行ってもよ
く、基板間において液晶が等方性液晶状態になる温度に
してもよい。この紫外線照射により高分子と液晶との相
分離が生じて、表示部Ａ内の光強照射領域には液晶領域
６が形成され、表示部内の光弱照射領域には高分子領域
７が形成されることになる。このとき、液晶セル１１の
非表示部Ｂはマスク１４により紫外線１２が遮光されて
いるので、光重合性化合物の重合が抑制され、液晶と光
重合性化合物を少なくとも含む混合物が残り、表示部Ａ
から非表示部Ｂへの高分子または光重合性化合物の流出
を防ぐことができる。なお、液晶の配向を安定化させる
ために高温で紫外線照射を行った場合には、実施例１と
同様に、照射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行っ
た方がよい。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／
ｈ、好ましくは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このよう
に相分離を行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外
線１２を弱照度で基板全面に照射して未反応の光重合性
化合物を硬化させても良い。このとき、表示部外（非表
示部）にＰＤＬＣ状または高分子壁が形成されるが、既
に相分離している表示部Ａ内の高分子は硬化しているた
めに非表示部Ｂには流出しない。よって、実施例１と同
様に、表示部Ａの液晶領域６および高分子領域７には影
響を与えない。
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様であるが、図２（ｂ）に示すように、液晶セ
ル１１の非表示部Ｂに紫外線１２が照射されないように
紫外線照射ランプ１３にマスク１４を施す。紫外線照射
時の基板温度は実施例１と同様に、常温で行ってもよ
く、基板間において液晶が等方性液晶状態になる温度に
してもよい。この紫外線照射により高分子と液晶との相
分離が生じて、表示部Ａ内の光強照射領域には液晶領域
６が形成され、表示部内の光弱照射領域には高分子領域
７が形成されることになる。このとき、液晶セル１１の
非表示部Ｂはマスク１４により紫外線１２が遮光されて
いるので、光重合性化合物の重合が抑制され、液晶と光
重合性化合物を少なくとも含む混合物が残り、表示部Ａ
から非表示部Ｂへの高分子または光重合性化合物の流出
を防ぐことができる。なお、液晶の配向を安定化させる
ために高温で紫外線照射を行った場合には、実施例１と
同様に、照射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行っ
た方がよい。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／
ｈ、好ましくは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このよう
に相分離を行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外
線１２を弱照度で基板全面に照射して未反応の光重合性
化合物を硬化させても良い。このとき、表示部外（非表
示部）にＰＤＬＣ状または高分子壁が形成されるが、既
に相分離している表示部Ａ内の高分子は硬化しているた
めに非表示部Ｂには流出しない。よって、実施例１と同
様に、表示部Ａの液晶領域６および高分子領域７には影
響を与えない。
【００４２】このようにして作製した液晶表示素子の表
示領域周辺部での高分子壁形成率を下記の（表３）に示
している。また、比較例として紫外線照射ランプにマス
クを形成しない従来の液晶表示素子についても同時に示
している。なお、下記の（表３）において、高分子壁形
成率とは、非表示部Ｂに隣接する３列の絵素（表示部Ａ
端から３周目までの絵素）のうち、絵素を囲む４辺の高
分子壁が途切れることなく形成されているものの割合を
示している。
示領域周辺部での高分子壁形成率を下記の（表３）に示
している。また、比較例として紫外線照射ランプにマス
クを形成しない従来の液晶表示素子についても同時に示
している。なお、下記の（表３）において、高分子壁形
成率とは、非表示部Ｂに隣接する３列の絵素（表示部Ａ
端から３周目までの絵素）のうち、絵素を囲む４辺の高
分子壁が途切れることなく形成されているものの割合を
示している。
【００４３】
【表３】
【００４４】上記（表３）から解るように、実施例３の
液晶表示素子は、表示部周辺部での高分子壁形成不良を
減少させることができた。
液晶表示素子は、表示部周辺部での高分子壁形成不良を
減少させることができた。
【００４５】（実施例４）本実施例４で用いる液晶、光
重合性化合物は実施例１と同様であり、液晶表示素子の
構成は、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）および図
３（ｄ）に示すように、シール材２１を表示部Ａと非表
示部Ｂとの境界部に設けた以外は実施例２と同様であ
る。
重合性化合物は実施例１と同様であり、液晶表示素子の
構成は、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）および図
３（ｄ）に示すように、シール材２１を表示部Ａと非表
示部Ｂとの境界部に設けた以外は実施例２と同様であ
る。
【００４６】この本実施例４の液晶表示素子は、例えば
以下のようにして作製することができる。
以下のようにして作製することができる。
【００４７】まず、遮光層８を設けず、シール材５の代
わりにシール材２１が表示部Ａと非表示部Ｂとの境界部
に設けられている。必要であればさらにその外周部の非
表示部Ｂにシール材２２を設けても良い。シール材２
１、２２のように２重にすることで、パネル強度を高め
ることができ、ペン入力などの押圧に対する耐圧力値を
高めることができる。さらに必要であれば、２重シール
２１、２２の間に液晶材料を注入し、これを表示領域と
して用いても良い。このとき、図３（ｂ）に示すよう
な、シールパターンを有する基板を用いれば、例えば、
光重合性化合物を含まない液晶材料を２重シール間に注
入することも可能で、表示部と２重シール間とで、異な
る液晶材料を注入することもできる。また、内周シール
であるシール材２１の幅を５０μｍ〜２ｍｍとすると、
真空注入によりパネルが破壊しないシール材強度が得ら
れ、表示の際に内周シールのシール材２１が目だたない
ようにすることができる。それ以外は実施例１と同様に
して液晶セルを作製する。この液晶セルに、実施例１と
同様の混合液晶材料を注入して注入口を封止する。
わりにシール材２１が表示部Ａと非表示部Ｂとの境界部
に設けられている。必要であればさらにその外周部の非
表示部Ｂにシール材２２を設けても良い。シール材２
１、２２のように２重にすることで、パネル強度を高め
ることができ、ペン入力などの押圧に対する耐圧力値を
高めることができる。さらに必要であれば、２重シール
２１、２２の間に液晶材料を注入し、これを表示領域と
して用いても良い。このとき、図３（ｂ）に示すよう
な、シールパターンを有する基板を用いれば、例えば、
光重合性化合物を含まない液晶材料を２重シール間に注
入することも可能で、表示部と２重シール間とで、異な
る液晶材料を注入することもできる。また、内周シール
であるシール材２１の幅を５０μｍ〜２ｍｍとすると、
真空注入によりパネルが破壊しないシール材強度が得ら
れ、表示の際に内周シールのシール材２１が目だたない
ようにすることができる。それ以外は実施例１と同様に
して液晶セルを作製する。この液晶セルに、実施例１と
同様の混合液晶材料を注入して注入口を封止する。
【００４８】次に、この液晶セルの外部から上記混合液
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、紫外線照射時の基板温度は実施例１と
同様に、常温で行ってもよく、基板間において液晶が等
方性液晶状態になる温度にしてもよい。この紫外線照射
により高分子と液晶との相分離が生じて、表示部Ａ内の
光強照射領域には液晶領域６が形成され、表示部Ａ内の
光弱照射領域には高分子領域７が形成される。この相分
離過程において、内周シール２１が表示部Ａと非表示部
Ｂとの境界に形成されているので、表示部Ａから非表示
部Ｂへの高分子または光重合性化合物の流出を防ぐこと
ができる。なお、液晶の配向を安定化させるために高温
で紫外線照射を行った場合には、実施例１と同様に、照
射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方がよ
い。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好まし
くは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分離を
行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱照度
で基板全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬化さ
せても良い。
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、紫外線照射時の基板温度は実施例１と
同様に、常温で行ってもよく、基板間において液晶が等
方性液晶状態になる温度にしてもよい。この紫外線照射
により高分子と液晶との相分離が生じて、表示部Ａ内の
光強照射領域には液晶領域６が形成され、表示部Ａ内の
光弱照射領域には高分子領域７が形成される。この相分
離過程において、内周シール２１が表示部Ａと非表示部
Ｂとの境界に形成されているので、表示部Ａから非表示
部Ｂへの高分子または光重合性化合物の流出を防ぐこと
ができる。なお、液晶の配向を安定化させるために高温
で紫外線照射を行った場合には、実施例１と同様に、照
射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方がよ
い。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好まし
くは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分離を
行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱照度
で基板全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬化さ
せても良い。
【００４９】このようにして作製した液晶表示素子の表
示領域周辺部での高分子壁形成率を下記の（表４）に示
している。また、比較例として内周シールを形成しない
従来の液晶表示素子についても同時に示している。な
お、下記の（表４）において、高分子壁形成率とは、非
表示部Ｂに隣接する３列の絵素（表示部端から３周目ま
での絵素）のうち、絵素を囲む４辺の高分子壁が途切れ
ることなく形成されているものの割合を示している。
示領域周辺部での高分子壁形成率を下記の（表４）に示
している。また、比較例として内周シールを形成しない
従来の液晶表示素子についても同時に示している。な
お、下記の（表４）において、高分子壁形成率とは、非
表示部Ｂに隣接する３列の絵素（表示部端から３周目ま
での絵素）のうち、絵素を囲む４辺の高分子壁が途切れ
ることなく形成されているものの割合を示している。
【００５０】
【表４】
【００５１】上記（表４）から解るように、実施例４の
液晶表示素子は、表示部周辺部での高分子壁形成不良を
減少させることができた。
液晶表示素子は、表示部周辺部での高分子壁形成不良を
減少させることができた。
【００５２】（実施例５）本実施例５で用いる液晶、光
重合性化合物は実施例１と同様であり、本実施例５の液
晶表示素子の構成は、図４に示すように、非表示部Ｂに
表示部Ａと同様の形状をした電極を形成している以外は
実施例２と同様である。
重合性化合物は実施例１と同様であり、本実施例５の液
晶表示素子の構成は、図４に示すように、非表示部Ｂに
表示部Ａと同様の形状をした電極を形成している以外は
実施例２と同様である。
【００５３】この本実施例５の液晶表示素子は、例えば
以下のようにして作成することができる。
以下のようにして作成することができる。
【００５４】まず、遮光層８を設けず、非表示部Ｂにも
表示部Ａと同様の形状をした電極を形成すること以外は
実施例１と同様にして作製した液晶セルに、実施例１と
同様の混合液晶材料を注入して注入口を封止する。
表示部Ａと同様の形状をした電極を形成すること以外は
実施例１と同様にして作製した液晶セルに、実施例１と
同様の混合液晶材料を注入して注入口を封止する。
【００５５】次に、この液晶セルの外部から上記混合液
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、紫外線照射時の基板温度は実施例１と
同様に、常温で行ってもよく、基板間において液晶が等
方性液晶状態になる温度にしてもよい。この紫外線照射
により高分子と液晶との相分離が生じて、表示部Ａ内の
光強照射領域には液晶領域６が形成され、表示部Ａ内の
光弱照射領域には高分子領域７が形成される。なお、液
晶の配向を安定化させるために高温で紫外線照射を行っ
た場合には、実施例１と同様に、照射後、徐冷オーブン
内で室温まで徐冷を行った方がよい。この徐冷のスピー
ドは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好ましくは５℃／ｈ〜１
０℃／ｈである。このように相分離が行った後、必要に
応じて、再度、室温で紫外線を弱照度で基板全面に照射
して未反応の光重合性化合物を硬化させても良い。
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、紫外線照射時の基板温度は実施例１と
同様に、常温で行ってもよく、基板間において液晶が等
方性液晶状態になる温度にしてもよい。この紫外線照射
により高分子と液晶との相分離が生じて、表示部Ａ内の
光強照射領域には液晶領域６が形成され、表示部Ａ内の
光弱照射領域には高分子領域７が形成される。なお、液
晶の配向を安定化させるために高温で紫外線照射を行っ
た場合には、実施例１と同様に、照射後、徐冷オーブン
内で室温まで徐冷を行った方がよい。この徐冷のスピー
ドは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好ましくは５℃／ｈ〜１
０℃／ｈである。このように相分離が行った後、必要に
応じて、再度、室温で紫外線を弱照度で基板全面に照射
して未反応の光重合性化合物を硬化させても良い。
【００５６】このようにして得られる液晶表示素子の行
および列毎の高分子壁形成率を下記の（表５）に示して
いる。なお、下記の（表５）において、高分子壁形成率
とは、対向する電極により構成される領域にある絵素の
うち、絵素を囲む４辺の高分子壁が途切れることなく形
成されているものの割合を示している。ここでは、液晶
セルの１／４について測定したが、他の３／４の領域に
ついても同様と考えられる。
および列毎の高分子壁形成率を下記の（表５）に示して
いる。なお、下記の（表５）において、高分子壁形成率
とは、対向する電極により構成される領域にある絵素の
うち、絵素を囲む４辺の高分子壁が途切れることなく形
成されているものの割合を示している。ここでは、液晶
セルの１／４について測定したが、他の３／４の領域に
ついても同様と考えられる。
【００５７】
【表５】
【００５８】上記（表５）からわかるように、３行およ
び３列の絵素（電極形成部端から３行目および３列目ま
での絵素）では、高分子形成率が低いことがわかる。よ
って、非表示部Ｂには表示部に隣接して、少なくとも３
周の絵素を形成すれば、表示部Ａ全域の高分子壁形成不
良を減少させることができる。
び３列の絵素（電極形成部端から３行目および３列目ま
での絵素）では、高分子形成率が低いことがわかる。よ
って、非表示部Ｂには表示部に隣接して、少なくとも３
周の絵素を形成すれば、表示部Ａ全域の高分子壁形成不
良を減少させることができる。
【００５９】なお、上記実施例１〜５においては、単純
マトリクス駆動により表示が行われる液晶表示素子につ
いて説明したが、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＭＩＭ
（Metal Insulator Metal）などを用いたアクティブ駆
動などにより表示が行われる液晶表示素子にも適用する
ことができ、駆動法については特に限定しない。また、
液晶セルに注入する液晶の種類および配向膜の種類など
を代えることによりＴＮモード、ＳＴＮモード、ＦＬＣ
モードまたはＥＣＢモードなどの液晶表示素子とするこ
ともでき、光散乱モードを利用した液晶表示素子とする
こともできる。さらに、液晶セルの両面に偏光板や反射
板を設けることにより透過型または反射型の液晶表示装
置とすることもでき、カラーフィルタやブラックマトリ
クスを形成することによりカラー表示を行うこともでき
る。
マトリクス駆動により表示が行われる液晶表示素子につ
いて説明したが、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＭＩＭ
（Metal Insulator Metal）などを用いたアクティブ駆
動などにより表示が行われる液晶表示素子にも適用する
ことができ、駆動法については特に限定しない。また、
液晶セルに注入する液晶の種類および配向膜の種類など
を代えることによりＴＮモード、ＳＴＮモード、ＦＬＣ
モードまたはＥＣＢモードなどの液晶表示素子とするこ
ともでき、光散乱モードを利用した液晶表示素子とする
こともできる。さらに、液晶セルの両面に偏光板や反射
板を設けることにより透過型または反射型の液晶表示装
置とすることもでき、カラーフィルタやブラックマトリ
クスを形成することによりカラー表示を行うこともでき
る。
【００６０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、開口率の
異なる表示部と非表示部とが隣接する部分において、遮
光部では光重合性化合物の重合が抑制されているので、
表示部において安定した重合反応を起こすことができ、
従来発生していた表示部から非表示部への高分子の流出
を減少させることができ、高分子を目的とする位置に確
実に形成することができる。
異なる表示部と非表示部とが隣接する部分において、遮
光部では光重合性化合物の重合が抑制されているので、
表示部において安定した重合反応を起こすことができ、
従来発生していた表示部から非表示部への高分子の流出
を減少させることができ、高分子を目的とする位置に確
実に形成することができる。
【００６１】また、表示部と非表示部の境界部にシール
材を設けることで、表示部から非表示部への高分子の流
出を防ぐ効果と、表示部のみにしか表示媒体（液晶と高
分子）が存在しないので、液晶と高分子の使用量の削減
につながる。
材を設けることで、表示部から非表示部への高分子の流
出を防ぐ効果と、表示部のみにしか表示媒体（液晶と高
分子）が存在しないので、液晶と高分子の使用量の削減
につながる。
【００６２】さらに、シール材を２重にすることで、外
部からの押圧に対する素子の耐衝撃性を高め、パネルの
信頼性を向上させるだけでなく、２重シール間に液晶材
料を注入することで、その部分も表示に用いることがで
き、基板を効率的に活用することができる。
部からの押圧に対する素子の耐衝撃性を高め、パネルの
信頼性を向上させるだけでなく、２重シール間に液晶材
料を注入することで、その部分も表示に用いることがで
き、基板を効率的に活用することができる。
【００６３】また、表示部に隣接した非表示部の開口率
を表示部と等しくすることで、表示部における高分子壁
形成率を高めることができ、ペン入力などの外部からの
押圧に対し、その素子の使用上、問題のない耐圧力値を
パネル全面で均一に確保することができる。
を表示部と等しくすることで、表示部における高分子壁
形成率を高めることができ、ペン入力などの外部からの
押圧に対し、その素子の使用上、問題のない耐圧力値を
パネル全面で均一に確保することができる。
【００６４】以上のことから、表示部における高分子壁
の形成率を高めることができ、液晶分子と高分子とで光
の屈折率が異なるために、従来、表示部の周辺部におい
て、その中央部より多く発生していた高分子壁形成不良
により、両者の間で生じていた、光の屈折量の差を減少
させることができ、色調むらが少ない表示を行うことが
できると同時に、液晶と高分子材料の使用量の削減や、
基板面の効率的な活用が実現でき、工業的、また、商品
的に有効な液晶表示素子を作成することができる。
の形成率を高めることができ、液晶分子と高分子とで光
の屈折率が異なるために、従来、表示部の周辺部におい
て、その中央部より多く発生していた高分子壁形成不良
により、両者の間で生じていた、光の屈折量の差を減少
させることができ、色調むらが少ない表示を行うことが
できると同時に、液晶と高分子材料の使用量の削減や、
基板面の効率的な活用が実現でき、工業的、また、商品
的に有効な液晶表示素子を作成することができる。
【図１】実施例１の液晶表示素子の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】（ａ）は実施例２、３の液晶表示素子の構成を
示す断面図、（ｂ）は実施例３の液晶表示素子の製造に
おける紫外線照射工程を説明するための図である。
示す断面図、（ｂ）は実施例３の液晶表示素子の製造に
おける紫外線照射工程を説明するための図である。
【図３】（ａ）は実施例４の液晶表示素子におけるシー
ル材の配置を示す平面図、（ｂ）は２重シールパターン
を有する基板の平面図、（ｃ）は（ａ）の角部の拡大
図、（ｄ）は（ａ）の液晶表示素子の構成を示す断面図
である。
ル材の配置を示す平面図、（ｂ）は２重シールパターン
を有する基板の平面図、（ｃ）は（ａ）の角部の拡大
図、（ｄ）は（ａ）の液晶表示素子の構成を示す断面図
である。
【図４】実施例５の液晶表示素子の構成を示す断面図で
ある。
ある。
１ａ、１ｂ 基板 ２ａ、２ｂ 透明電極 ３ａ、３ｂ 電気絶縁膜 ４ａ、４ｂ 配向膜 ５ シール材 ６ 液晶領域 ７ 高分子領域 ８ 紫外線遮光層 ９ スペーサ １０ 絵素 １１ 液晶セル １２ 紫外線 １３ 紫外線照射ランプ １４ マスク ２１、２２ シール材 Ａ 表示部 Ｂ 非表示部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年２月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】次に、液晶セルの外部から上記混合液晶材
料に紫外線を照射する。光源としては、平行光線が得ら
れる紫外線照射用の高圧水銀ランプを使用し、その照射
位置としては、例えば照射強度１０ｍＷ／ｃｍ2の位置
とする。紫外線照射時の基板温度は常温にしても良く、
基板間において液晶が等方性液晶状態となる温度にして
もよい。その場合には液晶の配向を安定化させることが
できる。この紫外線照射により高分子と液晶との相分離
が生じ、表示部Ａ内の光弱照射領域には液晶領域６が形
成され、表示部Ａ内の光強照射領域には高分子領域７が
形成される。このとき、非表示部Ｂは遮光層８により紫
外線が遮光されているので光重合性化合物の重合が抑制
され、表示部Ａから非表示部Ｂへの高分子または光重合
性化合物の流出を防ぐことができる。なお、液晶の配向
を安定化させるために高温で紫外線照射を行った場合に
は、照射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方
がよい。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好
ましくは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分
離を行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱
照度で基板全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬
化させても良い。このとき、表示部Ａ外（非表示部Ｂ）
にＰＤＬＣ状または高分子壁が形成されるが、既に相分
離している表示部内の高分子は硬化しているため非表示
部Ｂには流出しない。よって、表示部Ａの液晶領域６お
よび高分子領域７には影響を与えない。
料に紫外線を照射する。光源としては、平行光線が得ら
れる紫外線照射用の高圧水銀ランプを使用し、その照射
位置としては、例えば照射強度１０ｍＷ／ｃｍ2の位置
とする。紫外線照射時の基板温度は常温にしても良く、
基板間において液晶が等方性液晶状態となる温度にして
もよい。その場合には液晶の配向を安定化させることが
できる。この紫外線照射により高分子と液晶との相分離
が生じ、表示部Ａ内の光弱照射領域には液晶領域６が形
成され、表示部Ａ内の光強照射領域には高分子領域７が
形成される。このとき、非表示部Ｂは遮光層８により紫
外線が遮光されているので光重合性化合物の重合が抑制
され、表示部Ａから非表示部Ｂへの高分子または光重合
性化合物の流出を防ぐことができる。なお、液晶の配向
を安定化させるために高温で紫外線照射を行った場合に
は、照射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方
がよい。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好
ましくは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分
離を行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱
照度で基板全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬
化させても良い。このとき、表示部Ａ外（非表示部Ｂ）
にＰＤＬＣ状または高分子壁が形成されるが、既に相分
離している表示部内の高分子は硬化しているため非表示
部Ｂには流出しない。よって、表示部Ａの液晶領域６お
よび高分子領域７には影響を与えない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】次に、この液晶セルの外部から上記混合液
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、基板の表示媒体側と反対面における非
表示部Ｂに、例えばフォトマスク（遮光層８）などを配
置して紫外線を遮光する。このフォトマスクは少なくと
もシール材５と表示部Ａとの間を覆うように形成すれば
よいが、非表示部Ｂ全体に形成しても良い。この紫外線
照射時の基板温度は実施例１と同様に、常温で行っても
よく、基板間において液晶が等方性液晶状態になる温度
にしてもよい。この紫外線照射により高分子と液晶との
相分離が生じて、表示部Ａ内の光弱照射領域には液晶領
域６が形成され、表示部Ａ内の光強照射領域には高分子
領域７が形成される。このとき、フォトマスクで覆った
部分は相分離が十分に起こらず、液晶と光重合性化合物
とを少なくとも含む混合物が残る。また、非表示部Ｂは
フォトマスクにより紫外線が遮光されているので光重合
性化合物の重合が抑制され、表示部Ａから非表示部Ｂへ
の高分子または光重合性化合物の流出を防ぐことができ
る。なお、液晶の配向を安定化させるために高温で紫外
線照射を行った場合には、実施例１と同様に、照射後、
徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方がよい。徐冷
のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好ましくは５℃
／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分離が行った
後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱照度で基板
全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬化させても
良い。このとき、表示部Ａ外（非表示部Ｂ）にＰＤＬＣ
状または高分子壁が形成されるが、既に相分離している
表示部Ａ内の高分子は硬化しているため非表示部Ｂに流
出しない。よって、実施例１と同様に、表示部の液晶領
域６および高分子領域７には影響を与えない。
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、基板の表示媒体側と反対面における非
表示部Ｂに、例えばフォトマスク（遮光層８）などを配
置して紫外線を遮光する。このフォトマスクは少なくと
もシール材５と表示部Ａとの間を覆うように形成すれば
よいが、非表示部Ｂ全体に形成しても良い。この紫外線
照射時の基板温度は実施例１と同様に、常温で行っても
よく、基板間において液晶が等方性液晶状態になる温度
にしてもよい。この紫外線照射により高分子と液晶との
相分離が生じて、表示部Ａ内の光弱照射領域には液晶領
域６が形成され、表示部Ａ内の光強照射領域には高分子
領域７が形成される。このとき、フォトマスクで覆った
部分は相分離が十分に起こらず、液晶と光重合性化合物
とを少なくとも含む混合物が残る。また、非表示部Ｂは
フォトマスクにより紫外線が遮光されているので光重合
性化合物の重合が抑制され、表示部Ａから非表示部Ｂへ
の高分子または光重合性化合物の流出を防ぐことができ
る。なお、液晶の配向を安定化させるために高温で紫外
線照射を行った場合には、実施例１と同様に、照射後、
徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方がよい。徐冷
のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好ましくは５℃
／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分離が行った
後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱照度で基板
全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬化させても
良い。このとき、表示部Ａ外（非表示部Ｂ）にＰＤＬＣ
状または高分子壁が形成されるが、既に相分離している
表示部Ａ内の高分子は硬化しているため非表示部Ｂに流
出しない。よって、実施例１と同様に、表示部の液晶領
域６および高分子領域７には影響を与えない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４１】次に、この液晶セルの外部から上記混合液
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様であるが、図２（ｂ）に示すように、液晶セ
ル１１の非表示部Ｂに紫外線１２が照射されないように
紫外線照射ランプ１３にマスク１４を施す。紫外線照射
時の基板温度は実施例１と同様に、常温で行ってもよ
く、基板間において液晶が等方性液晶状態になる温度に
してもよい。この紫外線照射により高分子と液晶との相
分離が生じて、表示部Ａ内の光弱照射領域には液晶領域
６が形成され、表示部内の光強照射領域には高分子領域
７が形成されることになる。このとき、液晶セル１１の
非表示部Ｂはマスク１４により紫外線１２が遮光されて
いるので、光重合性化合物の重合が抑制され、液晶と光
重合性化合物を少なくとも含む混合物が残り、表示部Ａ
から非表示部Ｂへの高分子または光重合性化合物の流出
を防ぐことができる。なお、液晶の配向を安定化させる
ために高温で紫外線照射を行った場合には、実施例１と
同様に、照射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行っ
た方がよい。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／
ｈ、好ましくは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このよう
に相分離を行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外
線１２を弱照度で基板全面に照射して未反応の光重合性
化合物を硬化させても良い。このとき、表示部外（非表
示部）にＰＤＬＣ状または高分子壁が形成されるが、既
に相分離している表示部Ａ内の高分子は硬化しているた
めに非表示部Ｂには流出しない。よって、実施例１と同
様に、表示部Ａの液晶領域６および高分子領域７には影
響を与えない。
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様であるが、図２（ｂ）に示すように、液晶セ
ル１１の非表示部Ｂに紫外線１２が照射されないように
紫外線照射ランプ１３にマスク１４を施す。紫外線照射
時の基板温度は実施例１と同様に、常温で行ってもよ
く、基板間において液晶が等方性液晶状態になる温度に
してもよい。この紫外線照射により高分子と液晶との相
分離が生じて、表示部Ａ内の光弱照射領域には液晶領域
６が形成され、表示部内の光強照射領域には高分子領域
７が形成されることになる。このとき、液晶セル１１の
非表示部Ｂはマスク１４により紫外線１２が遮光されて
いるので、光重合性化合物の重合が抑制され、液晶と光
重合性化合物を少なくとも含む混合物が残り、表示部Ａ
から非表示部Ｂへの高分子または光重合性化合物の流出
を防ぐことができる。なお、液晶の配向を安定化させる
ために高温で紫外線照射を行った場合には、実施例１と
同様に、照射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行っ
た方がよい。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／
ｈ、好ましくは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このよう
に相分離を行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外
線１２を弱照度で基板全面に照射して未反応の光重合性
化合物を硬化させても良い。このとき、表示部外（非表
示部）にＰＤＬＣ状または高分子壁が形成されるが、既
に相分離している表示部Ａ内の高分子は硬化しているた
めに非表示部Ｂには流出しない。よって、実施例１と同
様に、表示部Ａの液晶領域６および高分子領域７には影
響を与えない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４８】次に、この液晶セルの外部から上記混合液
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、紫外線照射時の基板温度は実施例１と
同様に、常温で行ってもよく、基板間において液晶が等
方性液晶状態になる温度にしてもよい。この紫外線照射
により高分子と液晶との相分離が生じて、表示部Ａ内の
光弱照射領域には液晶領域６が形成され、表示部Ａ内の
光強照射領域には高分子領域７が形成される。この相分
離過程において、内周シール２１が表示部Ａと非表示部
Ｂとの境界に形成されているので、表示部Ａから非表示
部Ｂへの高分子または光重合性化合物の流出を防ぐこと
ができる。なお、液晶の配向を安定化させるために高温
で紫外線照射を行った場合には、実施例１と同様に、照
射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方がよ
い。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好まし
くは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分離を
行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱照度
で基板全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬化さ
せても良い。
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、紫外線照射時の基板温度は実施例１と
同様に、常温で行ってもよく、基板間において液晶が等
方性液晶状態になる温度にしてもよい。この紫外線照射
により高分子と液晶との相分離が生じて、表示部Ａ内の
光弱照射領域には液晶領域６が形成され、表示部Ａ内の
光強照射領域には高分子領域７が形成される。この相分
離過程において、内周シール２１が表示部Ａと非表示部
Ｂとの境界に形成されているので、表示部Ａから非表示
部Ｂへの高分子または光重合性化合物の流出を防ぐこと
ができる。なお、液晶の配向を安定化させるために高温
で紫外線照射を行った場合には、実施例１と同様に、照
射後、徐冷オーブン内で室温まで徐冷を行った方がよ
い。徐冷のスピードは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好まし
くは５℃／ｈ〜１０℃／ｈである。このように相分離を
行った後、必要に応じて、再度、室温で紫外線を弱照度
で基板全面に照射して未反応の光重合性化合物を硬化さ
せても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５５】次に、この液晶セルの外部から上記混合液
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、紫外線照射時の基板温度は実施例１と
同様に、常温で行ってもよく、基板間において液晶が等
方性液晶状態になる温度にしてもよい。この紫外線照射
により高分子と液晶との相分離が生じて、表示部Ａ内の
光弱照射領域には液晶領域６が形成され、表示部Ａ内の
光強照射領域には高分子領域７が形成される。なお、液
晶の配向を安定化させるために高温で紫外線照射を行っ
た場合には、実施例１と同様に、照射後、徐冷オーブン
内で室温まで徐冷を行った方がよい。この徐冷のスピー
ドは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好ましくは５℃／ｈ〜１
０℃／ｈである。このように相分離が行った後、必要に
応じて、再度、室温で紫外線を弱照度で基板全面に照射
して未反応の光重合性化合物を硬化させても良い。
晶材料に紫外線を照射する。光源および照射位置は実施
例１と同様にし、紫外線照射時の基板温度は実施例１と
同様に、常温で行ってもよく、基板間において液晶が等
方性液晶状態になる温度にしてもよい。この紫外線照射
により高分子と液晶との相分離が生じて、表示部Ａ内の
光弱照射領域には液晶領域６が形成され、表示部Ａ内の
光強照射領域には高分子領域７が形成される。なお、液
晶の配向を安定化させるために高温で紫外線照射を行っ
た場合には、実施例１と同様に、照射後、徐冷オーブン
内で室温まで徐冷を行った方がよい。この徐冷のスピー
ドは、３℃／ｈ〜２０℃／ｈ、好ましくは５℃／ｈ〜１
０℃／ｈである。このように相分離が行った後、必要に
応じて、再度、室温で紫外線を弱照度で基板全面に照射
して未反応の光重合性化合物を硬化させても良い。
Claims (8)
- 【請求項１】 一対の基板間に、高分子領域と該高分子
領域により囲まれた液晶領域とを挟持した液晶表示素子
において、 該一対の基板の各々の該液晶領域側に表示用電極が設け
られた表示部と、該表示部の周囲に設けられた非表示部
とを有し、 少なくとも該一方の基板の該液晶領域側の面、または該
液晶領域とは反対側の面の該非表示部に、紫外線の透過
光量を減少させる遮光層を設けた液晶表示素子。 - 【請求項２】 一対の基板間に、高分子領域と該高分子
領域により囲まれた液晶領域とを挟持した液晶表示素子
において、 該一対の基板の各々の該液晶領域側に表示用電極が設け
られた表示部と、該表示部の周囲に設けられた非表示部
とを有し、 該一対の基板を貼り合わせるシール材が該表示部と該非
表示部との境界部に設けられている液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記シール材が内周シールと外周シール
との２重構造からなり、該内周シールが該表示部と非表
示部との境界部に設けられ、該外周シールが該非表示部
に設けられている請求項２記載の液晶表示素子。 - 【請求項４】 前記内周シールと外周シールの間に液晶
材料が注入されている請求項３記載の液晶表示素子。 - 【請求項５】 前記内周シールの幅が５０μｍ以上２ｍ
ｍ以下である請求項３または４記載の液晶表示素子。 - 【請求項６】 一対の基板間に、高分子領域と該高分子
領域により囲まれた液晶領域とを挟持した液晶表示素子
において、 該一対の基板の各々の該液晶領域側に表示用電極が設け
られた表示部と、該表示部の周囲に該表示部に設けられ
ているものと同様の形状の電極が形成された非表示部と
を有する液晶表示素子。 - 【請求項７】 前記非表示部に、該表示部に隣接して少
なくとも３列電極が設けられている請求項６記載の液晶
表示素子。 - 【請求項８】 一対の基板間に、高分子領域および該高
分子領域で囲まれた液晶領域を形成するとともに、該一
対の基板の各々の表示媒体側に表示用電極が設けられた
表示部と、該表示部の周囲に設けられた非表示部とを形
成する液晶表示素子の製造方法において、 該高分子領域および液晶領域を、該高分子領域および液
晶領域とで紫外線照射強度が異なるように選択的に紫外
線照射を行うことにより形成するとともに、少なくとも
該一方の基板の表示媒体と反対側の面に、該表示部と該
非表示部とで紫外線照射強度が異なるように選択的に紫
外線照射を行うことにより形成する液晶表示素子の製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312008A JPH08171086A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| TW084113211A TW344044B (en) | 1994-12-15 | 1995-12-12 | Liquid crystal display device |
| US08/570,961 US5621553A (en) | 1994-12-15 | 1995-12-12 | Liquid crystal display device with polymer wall formation rate in peripheral region of display section at least 90% |
| KR1019950052358A KR100211010B1 (ko) | 1994-12-15 | 1995-12-15 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312008A JPH08171086A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08171086A true JPH08171086A (ja) | 1996-07-02 |
Family
ID=18024103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6312008A Withdrawn JPH08171086A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5621553A (ja) |
| JP (1) | JPH08171086A (ja) |
| KR (1) | KR100211010B1 (ja) |
| TW (1) | TW344044B (ja) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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