KR100458835B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100458835B1
KR100458835B1 KR1019970027109A KR19970027109A KR100458835B1 KR 100458835 B1 KR100458835 B1 KR 100458835B1 KR 1019970027109 A KR1019970027109 A KR 1019970027109A KR 19970027109 A KR19970027109 A KR 19970027109A KR 100458835 B1 KR100458835 B1 KR 100458835B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
light blocking
substrate
black matrix
Prior art date
Application number
KR1019970027109A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990003278A (ko
Inventor
이중희
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019970027109A priority Critical patent/KR100458835B1/ko
Publication of KR19990003278A publication Critical patent/KR19990003278A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100458835B1 publication Critical patent/KR100458835B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 블랙 매트릭스에 의해 표시 영역으로 정의되는 활성 영역의 가장자리 둘레에 광차단막이 형성되어 있다. 광차단막은 게이트선 또는 데이터선을 형성할 때 동시에 형성되므로 게이트선 또는 데이터선과 동일한 물질로 이루어진다. 이러한 광차단막은 활성 영역의 둘레에서 새는 빛을 차단한다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 컬러 필터 기판과 박막 트랜지스터 기판으로 이루어진 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 투명 전극이 형성되어 있는 한 쌍의 투명 유리 기판, 두 유리 기판 사이의 액정 물질, 각각의 유리 기판의 바깥 면에 부착되어 빛을 편광시키는 두 장의 편광판, 그리고 빛을 발광하는 백 라이트(back light)로 구성된다.
이러한 액정 표시 장치에서 두 기판 중 한 기판은 원하는 색을 표시하기 위한 R, G, B의 컬러 필터 및 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 컬러 필터 기판이며, 나머지 다른 기판은 다수의 화소 전극과 박막 트랜지스터 (thin film transistor : TFT)가 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 액정 표시 장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1에서 II-II' 부분의 구조를 도시한 단면도이다.
도 1은 박막 트랜지스터 기판(1)과 컬러 필터 기판(2)이 정렬된 상태를 보여주는 도면으로서, 박막 트랜지스터 기판(1)보다 컬러 필터 기판(2)이 작기 때문에 박막 트랜지스터 기판(1)의 테두리 일부가 노출되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(1)에는 가로 방향과 세로 방향으로 다수의 게이트선(3)과 데이터선(4)이 형성되어 있으며, 각각은 외부로부터 신호를 입력받기 위해 그 끝에 게이트 패드(5) 및 데이터 패드(6)가 연결되어 있다. 컬러 필터 기판(2)의 둘레에는 표시 영역이 되는 활성 영역(A)을 정의하는 테두리 블랙 매트릭스(7)가 형성되어 있다.
도 2는 도 1에서 II-II' 부분의 구조를 도시한 단면도로서, 두 기판(1, 2)이 샤시(8)와 결합되어 있는 상태이다. 두 기판(1, 2)의 바깥쪽에는 각각 편광판(9, 10)이 부착되어 있으며, 컬러 필터 기판(2)에는 블랙 매트릭스(7)를 덮는 공통 전극(11)이 형성되어 있다.
그러나 이러한 종래의 액정 표시 장치에서는 박막 트랜지스터 기판(1)의 바깥쪽에서 백 라이트로부터 입사하는 빛에 의해 블랙 매트릭스(7)의 테두리부(B)에서 빛샘 현상이 발생한다. 즉, 샤시(8)와 편광판(10)이 맞닿는 부분에서 활성 영역(A)의 경계가 되는 부분까지는 비스듬하게 입사되는 빛을 블랙 매트릭스(7)로는 차단하기 어렵다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 표시 영역의 빛샘 현상을 차단하는 데 있다.
이러한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에는 두 기판 중 한 기판에는 활성 영역을 정의하는 블랙 매트릭스가 형성되어 있으며, 다른 기판에는 활성 영역의 외부 가장자리에 광차단막이 형성되어 있다.
이러한 광차단막은 게이트선 또는 데이터선을 형성할 때 동시에 형성할 수 있으며, 블랙 매트릭스의 가장자리 부분과 중첩되어 있다.
이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 블랙 매트릭스의 테두리부 즉, 활성 영역의 가장자리에서 발생하는 빛샘은 광차단막에 의해 차단된다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 평면도이다.
도 3에서 보는 바와 같이 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 종래와 동일하게 박막 트랜지스터 기판(10)과 컬러 필터 기판(20)이 정렬되어 있으며, 정렬된 상태에서 박막 트랜지스터 기판(10)보다 컬러 필터 기판(20)이 작기 때문에 박막 트랜지스터 기판(10)은 그 테두리 일부가 노출되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(10)에는 가로 방향으로 다수의 게이트선(30)이 형성되어 있으며, 게이트선(30)은 외부로부터 주사 신호를 입력받기 위해 그 끝에 게이트 패드(50)가 각각 연결되어 있다. 또한 세로 방향으로 다수의 데이터선(40)이 형성되어 있으며, 각각의 데이터선(40) 끝단에는 데이터 신호를 입력받는 데이터 패드(60)가 연결되어 있다. 컬러 필터 기판(20)의 둘레에는 표시 영역이 되는 활성 영역(A)을 정의하는 테두리 블랙 매트릭스(70)가 형성되어 있다.
종래의 기술과 다르게는, 박막 트랜지스터 기판(10)의 가장자리 둘레에 광차단막(200)이 형성되어 있다. 이러한 광차단막(200)은 블랙 매트릭스(70)의 가장자리 일부와 중첩되어 있다.
이러한 광차단막(200)의 위치를 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 4 및 도 5는 박막 트랜지스터 기판(10)과 컬러 필터 기판(20)이 샤시(80)와 결합되어 있는 구조를 도시한 것으로서, 도 4는 도 3에서 IV-IV' 부분의 구조를 도시한 단면도이며, 도 5는 도 3에서 V-V' 부분의 구조를 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1에서 II-II' 부분의 구조를 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5에서 보는 바와 같이, 두 기판(10, 20)의 바깥쪽에는 각각 편광판(90, 100)이 부착되어 있으며, 컬러 필터 기판(20)에는 활성 영역(A)을 정의하는 블랙 매트릭스(70)가 형성되어 있으며, 이를 덮는 공통 전극(110)이 형성되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(10) 위에는 활성 영역(A)의 외부인 테두리부(B)에 광차단막(200)이 형성되어 있으며, 광차단막(200)의 일부는 블랙 매트릭스(70)의 일부와 중첩되어 있다. 여기서, 도 4에서는 광차단막(200)이 보호막(120)과 게이트 절연막(130) 사이에 형성되어 있으며, 도 5에서는 광차단막(200)이 게이트 절연막(130)의 하부에 형성되어 있으며, 게이트 절연막(130)의 상부에 보호막(120)이 형성되어 있다.
이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 도 4 및 도 5에서 보는 바와 같이, 테두리부(B)를 통하여 비스듬하게 입사하는 빛은 광차단막(200)에 의해 차단된다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 도시한 평면도이다.
도 6a에서 보는 바와 같이, 광차단막(200)의 제1 부분(201)은 박막 트랜지스터 기판(10) 위에 게이트선(30) 및 게이트 패드(50)를 형성할 때, 동시에 형성한다. 또한 나머지 광차단막(200)의 제2 부분(202)은 도 6b에서 보는 바와 같이, 데이터선(40) 및 데이터 패드(50)를 형성할 때 동시에 형성한다.
이렇게 광차단막(200)은 게이트선(30) 및 데이터선(40)과 동시에 형성되므로 게이트선(30) 또는 데이터선(40)과 동일한 물질로 이루어진다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 컬러 필터 기판의 구조를 도시한 평면도이다.
도 7에서 보는 바와 같이, 컬러 필터 기판(20)의 가장자리 둘레에는 활성 영역(A)을 정의하는 블랙 매트릭스(70)가 형성되어 있다.
따라서 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 활성 영역의 둘레인 블랙 매트릭스의 테두리부에 블랙 매트릭스와 가장자리 부분이 중첩하는 광차단막을 형성함으로써 활성 영역의 둘레에서 발생하는 빛샘 현상을 없앨 수 있다.
도 1은 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 평면도이고,
도 2는 도 1에서 I-I' 부분의 구조를 도시한 단면도이고,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 평면도이고,
도 4는 도 3에서 IV-IV' 부분의 구조를 도시한 단면도이고,
도 5는 도 3에서 V-V' 부분의 구조를 도시한 단면도이고,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 도시한 평면도이고,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 컬러 필터 기판의 구조를 도시한 평면도이다.

Claims (4)

  1. 제1 기판,
    상기 제1 기판과 평행하게 마주하고 있으며, 서로 교차하는 다수의 게이트선 및 데이터선이 형성되어 있는 제1 기판 및 제2 기판,
    상기 제1 기판의 가장자리 둘레에 형성되어 있으며, 표시 영역인 활성 영역을 정의하는 블랙 매트릭스,
    상기 제2 기판의 가장자리 둘레에 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이터선과 교차하는 광차단막을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 광차단막의 게이트선 또는 데이터선과 동일한 물질로 이루어진 액정 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 광차단막은 상기 블랙 매트릭스의 가장자리 둘레에 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 광차단막은 상기 블랙 매트릭스와 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
KR1019970027109A 1997-06-25 1997-06-25 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 KR100458835B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970027109A KR100458835B1 (ko) 1997-06-25 1997-06-25 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970027109A KR100458835B1 (ko) 1997-06-25 1997-06-25 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990003278A KR19990003278A (ko) 1999-01-15
KR100458835B1 true KR100458835B1 (ko) 2005-04-06

Family

ID=37301864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970027109A KR100458835B1 (ko) 1997-06-25 1997-06-25 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100458835B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8873002B2 (en) 1999-07-13 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100670047B1 (ko) 1999-12-31 2007-01-16 삼성전자주식회사 광차단막을 가지고 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100569268B1 (ko) * 1999-12-29 2006-04-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시 장치
JP2002055352A (ja) * 2000-08-09 2002-02-20 Nec Corp 液晶ディスプレイ及び画像表示装置
KR100437593B1 (ko) * 2000-12-29 2004-06-26 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
KR100825318B1 (ko) * 2002-06-26 2008-04-28 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정 표시소자 및 그 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0713199A (ja) * 1993-06-25 1995-01-17 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR960024582A (ko) * 1994-12-15 1996-07-20 쯔지 하루오 액정표시소자 및 그 제조방법
JPH0915613A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 Hitachi Ltd 液晶表示パネル
KR970022467A (ko) * 1995-10-27 1997-05-28 쯔지 하루오 액정 표시 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0713199A (ja) * 1993-06-25 1995-01-17 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR960024582A (ko) * 1994-12-15 1996-07-20 쯔지 하루오 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100211010B1 (ko) * 1994-12-15 1999-07-15 쓰지 하루오 액정표시소자 및 그 제조방법
JPH0915613A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 Hitachi Ltd 液晶表示パネル
KR970022467A (ko) * 1995-10-27 1997-05-28 쯔지 하루오 액정 표시 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8873002B2 (en) 1999-07-13 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
US9625756B2 (en) 1999-07-13 2017-04-18 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990003278A (ko) 1999-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7956945B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device
US7224413B2 (en) Liquid crystal display with electrostatic protecting circuits
KR100708617B1 (ko) 액정표시장치
US5754261A (en) Color LCD device having multiple black masks
US6888596B2 (en) Liquid crystal display device
US8253891B2 (en) Thin film transistor substrate and liquid crystal display including the same
KR970007457A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20030060765A (ko) 액정표시장치
KR20010017102A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100961268B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판
KR100652049B1 (ko) 액정표시장치
KR100458835B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100477128B1 (ko) 광차단막을갖는액정표시장치용박막트랜지스터기판
KR20020054851A (ko) 액정표시소자
KR100998021B1 (ko) 수평전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판
KR200369377Y1 (ko) 액정표시소자
KR100516058B1 (ko) 액정표시장치
KR100577778B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시소자
KR100806900B1 (ko) 액정 표시 장치
KR20030016718A (ko) 액정 표시 장치
KR100806896B1 (ko) 액정 표시 장치
KR101012493B1 (ko) 액정표시장치
KR100469340B1 (ko) 액정표시장치
JPH05188364A (ja) 液晶表示装置
KR19990074540A (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20071029

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee