KR100825318B1 - 횡전계방식 액정 표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 횡전계방식 액정 표시소자에 관한 것으로, 패널의 크기가 작은 노트북 종류의 액정 표시소자에 수지 BM(Black Matrix)을 사용할 경우, 씰과 BM이 겹치는 영역에서 발생되는 씰터짐을 막기 위해 하부기판에 박막 트랜지스터의 배선 재료로 사용되는 게이트 배선과 소스 배선의 재료를 사용하여 BM역할을 하도록 한 것이다.
Description
도 1은 일반적인 횡전계방식 액정 표시소자의 박막 트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 기판이 대향하여 합착된 단위 액정 패널의 개략적인 평면구조를 보인 예시도.
도 2는 도 1에 있어서 I-I선의 절단면을 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 횡전계방식 액정 표시소자의 개략적인 평면도.
도 4a 및 도 4b는 도 4에 있어서 II-II과 III-III의 절단면을 도시한 도면.
도 5a내지 도 5c 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시소자의 공정수순도.
***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***
214: 게이트 패드 215: 데이터 패드
240, 250: BM 233: 공통전극
237: 화소전극 239: 액정
본 발명은 액정 표시소자에 관한 것으로, 특히 노트북과 같은 패널의 크기가 작은 액정 표시소자에 있어서 칼라필터 및 박막 트랜지스터 기판 사이에 형성된 씰(seal)과 칼라필터 기판에 형성된 수지 BM(black matrix)이 겹침으로 인해서 발생할 수 있는 씰터짐을 방지할 수 있는 횡전계방식 액정 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 표시소자는 매트릭스(matrix) 형태로 배열된 액정 셀들에 화상정보에 따른 데이터 신호를 개별적으로 공급하여, 그 액정 셀들의 광투과율을 조절함으로써, 원하는 화상을 표시할 수 있도록 한 표시소자이다.
따라서, 액정 표시장치는 화소 단위의 액정 셀들이 매트릭스 형태로 배열되는 액정 패널과; 상기 액정 셀들을 구동하기 위한 드라이버 집적회로(integrated circuit : IC)를 구비한다.
상기 액정 패널은 서로 대향하는 컬러필터(color filter) 기판 및 박막 트랜지스터 어레이 기판과, 그 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터 어레이 기판 사이에 충진된 액정층으로 구성된다.
그리고, 상기 액정 패널의 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에는 데이터 드라이버 집적회로로부터 공급되는 데이터 신호를 액정 셀들에 전송하기 위한 데이터 배선들과, 게이트 드라이버 집적회로로부터 공급되는 주사신호를 액정 셀들에 전송 하기 위한 게이트 배선들이 서로 직교하며, 이들 데이터 배선들과 게이트 배선들의 교차부마다 액정 셀들이 정의된다. 또한, 상기 데이터 배선들과 게이트 배선들의 일단부에는 상기 데이터 드라이버 집적회로와 게이트 드라이버 집적회로로부터 데이터 신호와 주사신호가 인가되는 데이터 패드와 게이트 패드가 구비된다.
상기 게이트 드라이버 집적회로는 게이트 배선들에 순차적으로 주사신호를 공급함으로써, 매트릭스 형태로 배열된 액정 셀들이 1개 라인씩 순차적으로 선택되도록 하고, 그 선택된 1개 라인의 액정 셀들에는 데이터 드라이버 집적회로로부터 데이터 신호가 공급된다.
한편, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 각 화소에는 핑거 구조를 가진 공통전극과 화소전극이 형성되어 상기 액정층에 횡전계를 인가한다. 따라서, 공통전극 및 화소전극에 인가되는 전압을 제어함으로써, 액정 셀들의 광투과율을 개별적으로 조절할 수 있게 된다.
또한, 각각의 액정 셀에는 스위칭 소자로 사용되는 박막 트랜지스터가 형성된다. 상기 게이트 배선들을 통하여 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 주사신호가 공급된 액정 셀들에서는 그 박막 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이에 도전채널이 형성되며, 이때 상기 데이터 배선들을 통해 박막 트랜지스터의 소스 전극에 공급된 데이터신호가 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 경유하여 화소전극에 공급됨에 따라 해당 액정 셀의 액정층에 전계가 인가된다.
도 1은 일반적인 횡전계방식 액정 표시소자의 박막 트랜지스터 어레이 기판과 칼라필터 기판이 대향하여 합착된 단위 액정 패널의 개략적인 평면구조를 보인 예시도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 액정패널(100)은 액정 셀들이 매트릭스 형태로 배열되는 화상표시부(113)와, 그 화상표시부(113)의 게이트 배선(108)들과 데이터 배선(109)들 끝단에 형성된 게이트 패드부(114) 및 데이터 배선(109)들과 데이터 배선(109)들의 끝단에 형성된 데이터 패드부(115)를 포함한다. 이때, 게이트 패드부(114)와 데이터 패드부(115)는 상부기판(102)과 중첩되지 않는 하부기판(101)의 가장자리 영역에 형성되며, 게이트 패드부(114)는 게이트 드라이버 집적회로로부터 공급되는 게이트 신호를 화상표시부(113)의 게이트 배선(108)들에 공급하고, 데이터 패드부(115)는 데이터 드라이버 집적회로로부터 공급되는 데이터 신호를 화상표시부(113)의 데이터 배선(109)들에 공급한다.
여기서, 도면상에 상세히 도시하지는 않았지만, 화상표시부(113)의 하부기판(101)에는 화상정보가 인가되는 데이터 배선(109)들과 게이트 신호가 인가되는 게이트 배선(108)들이 서로 수직 교차하여 배치되고, 그 교차부에 액정 셀들을 스위칭하기 위한 박막 트랜지스터와, 그 박막 트랜지스터에 접속되어 액정 셀을 구동하는 공통전극 및 화소전극이 형성되어 있으며, 화상 표시부(113)의 외곽에 형성된 씰(116)에 의해 상부기판(102)과 하부기판(101) 사이의 셀갭에 액정이 충진된다.
또한, 상기 화상표시부(113)의 상부기판(102)에는 블랙 매트릭스에 의해 셀 영역별로 분리되어 도포된 칼러필터들과, 하부기판(101)의 박막 트랜지스터, 게이트 배선(108), 데이터 배선(109), 그리고 화상 표시부(113)와 패드부(114,115) 사 이에 빛샘을 방지하기 위하여 BM(Black Matrix;103)이 형성되어 있다. 도면에는 화상 표시부(113)의 외곽에 형성된 BM(103)만을 도시하였다.
상기 BM은 크롬(Cr)과 같은 금속 물질을 사용할 수 있으나, 횡전계방식에서는 화소전극과 공통전극 사이의 횡전계에 영향을 주기 때문에 수지 BM을 주로 사용한다.
도 2는 도 1에 있어서, 게이트 패드부 변의 절단면을 도시한 것이다.
도면에 도시한 바와 같이, 상부기판(102)과 하부기판(101) 사이의 외곽부의 씰(116)에 의해서 액정(139)이 충진되어 있으며, 액정층 사이에 배치된 스페이서(105)에 의해서 일정한 셀갭을 유지하고 있다.
또한, 하부기판(101)은 투명한 기판(131) 위에 형성되고, 게이트 드라이버 집적회로로부터 주사신호가 인가되는 게이트 패드부(114)와 박막 트랜지스터 및 공통전극(133)과 화소전극(137)을 포함하고 있다. 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극(132), 소스/드레인 전극(137a/137b) 및 반도체층(135)을 포함하고 있으며, 상기 게이트 전극(132)과 반도체층(135)의 절연을 위하여 그 사이에 게이트 절연막(134)이 형성되어 있다. 또한, 상기 반도체층(135)과 소스/드레인 간의 신호전달 속도를 향상시키기 위해 그 사이에 오믹접촉층(136)이 형성되어 있다.
또한, 화소영역에는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(132) 형성시 함께 형성된 공통전극(133)과 소스/드레인 전극(137a,137b) 형성시 함께 형성된 화소전극(137)이 상기 공통전극(133)과 일정 간격 떨어져 형성되어 있으며, 박막트랜스터 및 화소 영역 상부의 전면에 걸쳐서 보호막(138)이 형성되어 있다.
또한, 상부기판(102)에는 투명한 기판(121) 위에 BM(103) 및 칼라필터(122)가 형성되어 있으며 상기 BM(103) 및 칼라필터(122) 상부에는 평탄화를 위한 오버코트막(overcoat layer;123)이 형성되어 있다. 노트북과 같이 패널의 사이즈가 작아짐에 따라 상부기판(102)의 외곽에 형성된 BM(103)은 씰(116)과 겹치게 된다.
그러나, 상기 BM(103)은 수지 BM으로 이루어져 있기 때문에 기판(121)과 접착성이 약할 뿐만 아니라 액정주입시 기판의 잦은 요동으로 인하여 BM(103)과 기판(121)사이에 들뜸이 발생하거나, BM(103)의 들뜸으로 인하여 크랙이 발생되어 결과적으로 씰터짐과 같은 불량을 야기시키는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 씰영역과 겹치게 되는 상부기판의 수지 BM을 제거하고, 씰영역에 대응하는 하부기판에 박막 트랜지스터 형성시 게이트 전극물질 또는 소스/드레인 전극 물질을 사용하여 BM을 형성함으로써 씰터짐을 방지하는데 그 목적이 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 횡전계방식 액정 표시소자는 박막 트랜지스터 및 공통전극과 화소전극이 형성된 하부기판과, 컬러 필터 및 수지 BM이 형성된 상부기판과, 상기 하부기판에 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되는 화상 표시부와, 상기 화면 표시부의 외곽에 형성된 씰과, 상기 씰과의 접촉면 하부에 형성된 BM과, 상기 화상 표시부의 게이트/데이터 배선들과 연결되는 게이트/데이터 패드를 포함하고 있으며, 상기 상부기판에 형성된 수지 BM은 씰과 겹치지 않는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 횡전계방식 액정 표시소자의 제조방법은 게이트 패드 및 데이터 패드를 포함하고 박막트랜스터와 공통전극 및 화소전극이 형성된 하부기판과 수지 BM 및 칼라필터 기판이 형성된 상부기판이 상기 하부기판 또는 상부기판의 외곽에 형성된 씰에 의해서 액정이 충진된 횡전계방식 액정 표시소자에 있어서, 투명한 기판 위에 게이트 전극 및 게이트 패드와 공통전극을 형성하고, 상기 씰 영역에 대응하며 데이터 패드부 및 그 맞은편에 BM을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상부에 박막 트랜지스터의 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극과 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 BM, 박막 트랜지스터, 화소전극의 상부 전면에 보호막을 형성하는 단계와; 상기와 같이 제작된 하부기판과 씰과 겹치지 않도록 형성된 BM 및 칼라필터가 형성된 상부기판을 씰에 의해서 합착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 액정 표시소자를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 횡전계방식 액정 표시소자를 도시한 평면도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시소자는 상부기판(202)과 하부기판(201)이 그 외곽을 따라 형성된 씰(216)에 의해 합착되어 있다.
상기 하부기판(201)은 액정 셀들이 매트릭스 형태로 배열되는 화상표시부(213)와, 그 화상표시부(213)의 게이트 배선(208)들과 연결되는 게이트 패드부(214) 및 데이터 배선(209)들과 연결되는 데이터 패드부(215)를 포함한다. 이때, 게이트 패드부(214)와 데이터 패드부(215)는 상부기판(202)과 중첩되지 않는 하부기판(201)의 가장자리 영역에 형성되며, 게이트 패드부(214)는 게이트 드라이버 집적회로로부터 공급되는 게이트 신호를 화상표시부(213)의 게이트 배선(208)들에 공급하고, 데이터 패드부(215)는 데이터 드라이버 집적회로로부터 공급되는 데이터 신호를 화상표시부(213)의 데이터 배선(209)들에 공급한다.
또한, 하부기판(201)에는 액정패널(200)의 외곽을 따라 형성된 씰(216)에 대응하여 빛샘을 방지하기 위한 BM(240, 250)이 형성되어 있으며, 게이트 배선 또는 데이터 배선 형성시 함께 형성된 것이다. 이때, 게이트 패드부(214)와 그 맞은쪽에 형성된 BM(240)은 소스/드레인 전극물질로 이루어져 있으며, 데이터 패드부(215)와 그 맞은쪽에 형성된 BM(250)은 게이트 전극물질로 이루어져 있다.
상부기판(202)은 도면에 상세하게 도시하진 않았지만, 화상표시부(213)의 외곽에 위치하고 씰(216)과 겹치지 않도록 수지 BM(203)이 형성되어 있다.
이와 같이 본 발명은 씰 영역과 겹치지 않도록 수지 BM(203)을 형성함으로써, 기판과 수지 BM(203)과의 접착력이 약하다 하더라도 씰터짐을 막을 수 있으며, 씰영역에 대응하는 하부기판에 BM(240,250)을 형성함으로써 빛샘을 막을 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 도 3에 있어서, 게이트 패드부변과 데이터 패드부변의 절단면을 도시한 것이다.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시소자에 있어서, 게이트 패드부(214)를 포함하고 있는 그 단면은 상부기판(202)과 하부기판(201) 사이의 외 곽부에 형성된 씰(216)에 의해서 액정(239)이 충진되어 있으며, 액정층 사이에 배치된 스페이서(205)에 의해서 일정한 셀갭을 유지하고 있다.
상기 하부기판(201)은 투명한 기판(231) 위에 형성되고, 게이트/데이터 드라이버 집적회로로부터 주사신호/화상신호가 인가되는 게이트/데이터 패드(214,215)와 박막 트랜지스터 및 공통전극(233)과 화소전극(237)이 형성되어 있다. 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극(232), 소스/드레인 전극(237a,237b) 및 반도체층(235)을 포함하고 있으며, 상기 게이트 전극(232)과 반도체층(235)의 절연을 위하여 그 사이에 게이트 절연막(234)이 개재되어 있다. 또한, 상기 반도체층(235)과 소스/드레인 간의 신호전달 속도를 향상시키기 위해 그 사이에 오믹접촉층(236)이 형성되어 있다.
또한, 화소영역에는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(232) 형성시 함께 형성된 공통전극(233)과 소스/드레인 전극(237a,237b) 형성시 함께 형성된 화소전극(237)이 상기 공통전극(233)과 일정 간격 떨어져 형성되어 있으며, 씰(216)의 하부에 형성된 BM(240,250)은 씰(216)과 겹치도록 형성되어 빛샘을 막아주는 역할을 한다. 또한, 박막트랜스터 및 화소 영역 상부의 전면에 걸쳐서 보호막(238)이 형성되어 있다. 상기 게이트 패드부(214)에 형성된 BM(240)은 소스/드레인 전극(237a,237b) 및 화소전극(237) 형성시 함께 형성된 것으로 소스/드레인 전극물질로 이루어져 있으며, 데이터 패드부(215) 및 그 맞은편에 형성된 BM(250)은 게이트 전극(232) 및 공통전극(233) 형성시 함께 형성된 것으로 게이트 전극 물질로 이루어져 있다.
상부기판(202)에는 투명한 기판(221) 위에 수지 BM(203) 및 칼라필터(222)가 형성되어 있으며 상기 수지 BM(203) 및 칼라필터(222) 상부에는 평탄화를 위한 오버코트막(203)이 형성되어 있다. 상기 수지 BM(203)은 씰(216)과 겹치지 않도록 형성되고, 박막 트랜지스터 및 하부기판의 게이트/데이터 배선에 대응하는 영역에 형성되어 빛샘을 막아주는 역할을 한다.
이하, 도 5a내지 도 5c의 도면을 참조하여 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시소자의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이, 투명한 기판(231) 위에 Al, Mo, Ta, 또는 Al 합금과 같은 금속을 스퍼터링 방법으로 증착한 후, 패터닝하여 게이트 패드부(214), 데이트 패드변의 BM(미도시), 게이트 배선, 박막 트랜지스터의 게이트 전극(232), 그리고 공통전극(233)을 형성한다. 이때, 게이트 패드는 게이트 배선의 끝단에 형성되며, 게이트 드라이버 집적회로부터 게이트 배선에 주사신호를 전달해 준다. 그 다음, 상기 구조물 위에 SiNx 또는 SiOx 등을 플라즈마 CVD 방법으로 증착하여 게이트 절연막(234)을 형성하되, 게이트 드라이버 집적회로(미도시)와 연결할 수 있도록 게이트 패드(214)의 일부를 노출시킨다. 이어서, 상기 게이트 절연막(234) 상에 비정질 실리콘, n+ 비정질 실리콘을 적층하고 패터닝하여 반도체층(235) 및 오믹접촉층(236)을 형성한다.
도면에는 게이트 패드부 영역만을 도시하였기 때문에 데이터 패드변의 BM이 생략되었으나, 실질적으로, 게이트 전극 형성시 데이터 패드변 뿐만 아니라 데이터 패드변에 대향하는 액정셀의 외곽에도 BM이 형성된다.
그 다음, 도 5b에 도시한 바와 같이, 이후, 상기 구조물 위에 Al, Cr, Ti ,Al합금와 같은 불투명한 금속층을 스퍼터링 방법으로 증착한 다음 패터닝하여 데이터 패드(미도시), 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극(237a,237b), 화소전극(237), 그리고 게이트 패드변 및 액정주입구변에 BM(250)을 형성한다. 상기 BM(250)은 빛샘을 방지하기 위하여 형성된 것으로 액정셀 외곽의 게이트 패드변을 따라 형성된다. 이후에 상기 소스/드레인 전극(237a,237b)을 마스크로 하여 오믹접촉층(236)을 식각한다. 상기 소스/드레인 전극(237a,237b) 형성시 데이터 배선(미도시)도 동시에 형성된다. 이후에, 상기 BM, 박막 트랜지스터, 화소영역의 상부에 보호막(238)을 형성하여 박막 트랜지스터 기판을 제작한다. 이때, 보호막은 데이터 패드가 데이트 드라이버 집적회로와 연결될 수 있도록 그 일부가 노출되도록 형성되어야 한다.
그 다음, 도 5c에 도시한 바와 같이, 수지 BM(203) 및 칼라필터(222)가 형성되고, 그 상부에 평탄화막(222)이 균일하게 형성된 칼라 필터 기판(202)과 박막 트랜지스터 기판(201)이 서로 대향하도록 한 후, 상기 두 기판의 가장자리 부분을 에폭시 수지와 같은 씰(216)을 이용하여 합착한다.
이때, 기판의 가장자리에 형성된 씰(216)은 칼라필터 기판(202)에 형성된 수지 BM(203)과 중첩되지 않으며, 씰(216)이 형성된 영역과 대응하여 박막 트랜지스터 기판(201)에는 게이트 전극 또는 소스/드레인 전극 형성시 함께 형성된 BM(203)이 위치하고 있다.
상기 공통전극(233)과 화소전극(237)은 소스/드레인 전극(237a,237b)과 동일 층에 형성할 수도 있고, 상기 보호막(238) 위에 형성할 수도 있다. 이때에는 상기 공통전극(233)과 화소전극(237)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명전극으로 형성할 수 있다. 또한, 개구율을 향상시키기 위해서는 공통전극(233)과 화소전극(237) 중 적어도 하나를 투명전극으로 형성할 수 있다.
이와 같이, 씰과 대응하는 칼라필터 기판의 수지 BM을 제거하고 박막 트랜지스터 기판에 BM을 형성함으로써, 수지 BM과 유리 기판과의 접착성 저하로 인한 씰터짐을 방지 할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 씰과 접속되는 칼라필터 기판의 수지 BM을 제거하고, 박막 트랜지스터 기판의 씰 영역에 대응하는 영역에 배선 재료로 사용되는 게이트 배선과 소스 배선의 재료를 사용하여 BM을 형성함으로써, 수지 BM과 유리 기판과의 접착성 저하로 인한 씰터짐을 방지하여 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (10)
- 제 1기판 및 제 2기판과;상기 제 1기판 및 제 2기판의 외곽을 따라 형성된 씰 패턴과;상기 제 2기판 상에 형성되고, 상기 씰 패턴과 대응되는 영역에 형성된 제 1 BM과;상기 제 1기판 상에 형성되고, 상기 씰 패턴과 중첩되지 않도록 형성된 제 2 BM을 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1기판은 칼라필터와 그 상부에 형성된 평탄화막(over coat layer)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2 BM은 수지로 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시소자.
- 제 1항에 있어서, 제 2기판은 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과;상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차점에 형성된 박막 트랜지스터와;상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 끝단에 형성된 게이트 패드 및 데이터 패드와;상기 화소영역 내에 형성되고 핑거(finger) 구조를 가지는 공통전극 및 화소전극을 추가로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시소자.
- 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 게이트 패드변에 형성된 제 1 BM은 데이터 배선과 동일한 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시소자.
- 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 데이터 패드변 및 데이트 패드변의 대향변에 형성된 제 1 BM은 게이트 배선과 동일한 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시소자.
- 제 5항 내지 6항에 있어서, 상기 제 1 BM은 Al, Cr, Ti, Al합금과 같은 불투명한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시소자.
- 박막 트랜지스터, 게이트 패드 및 데이터 패드를 포함하는 제 1기판과 칼라필터를 포함하는 제 2기판을 준비하는 단계와;상기 제 1기판에 게이트 패드, 게이트 배선, 박막 트랜지스터의 게이트 전극, 공통전극, 그리고 데이터 패드변 및 그 대향변을 따라 제 1 BM을 형성하는 단계와;상기 제 1기판의 상부에 게이트 패드의 끝단을 제외한 나머지 영역에 절연막 을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극에 대응하는 절연막 상부에 박막 트랜지스터의 액티브층을 형성하는 단계와;상기 절연막 상부에 데이터 패드, 데이터 배선, 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극, 화소전극, 그리고 게이트 패드변 및 액정주입구변을 따라 제 2 BM을 형성하는 단계와;상기 제 1기판과 제 2기판을 씰에 의해 합착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시소자의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,상기 제 2기판에 수지 BM을 형성하는 단계와;상기 수지 BM 사이에 칼라필터를 형성하는 단계와;상기 수지 BM 및 칼라필터 상부에 평탄화막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시소자의 제조방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 수지 BM을 형성하는 단계는 상기 씰 영역과 중첩되지 않도록 형성하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시소자의 제조방법.
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